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特開2024-84953磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024084953
(43)【公開日】2024-06-26
(54)【発明の名称】磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置
(51)【国際特許分類】
G11B 5/70 20060101AFI20240619BHJP
G11B 5/706 20060101ALI20240619BHJP
G11B 5/73 20060101ALI20240619BHJP
G11B 5/78 20060101ALI20240619BHJP
G11B 5/708 20060101ALI20240619BHJP
G11B 5/735 20060101ALI20240619BHJP
G11B 5/738 20060101ALI20240619BHJP
G11B 5/84 20060101ALI20240619BHJP
G11B 21/10 20060101ALI20240619BHJP
G11B 5/584 20060101ALI20240619BHJP
G11B 23/107 20060101ALI20240619BHJP
【ＦＩ】
G11B5/70
G11B5/706
G11B5/73
G11B5/78
G11B5/708
G11B5/735
G11B5/738
G11B5/84 Z
G11B21/10 W
G11B5/584
G11B23/107
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022199174
(22)【出願日】2022-12-14
(71)【出願人】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000109
【氏名又は名称】弁理士法人特許事務所サイクス
(72)【発明者】
【氏名】笠田 成人
【テーマコード（参考）】
5D006
5D112
【Ｆターム（参考）】
5D006BA06
5D006BA08
5D006BA09
5D006CA04
5D006CB07
5D006CC03
5D112AA05
5D112AA22
5D112BB04
5D112BB06
5D112JJ03
5D112JJ08
(57)【要約】
【課題】長期保管後の記録および／または再生において、ドライブの動作安定性向上に寄与し得る磁気テープを提供すること。
【解決手段】非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープ。上記強磁性粉末は六方晶フェライト粉末であり、走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθは０．８５以上１．００以下であり、かつ上記磁性層の表面の幅方向における上記ｃｏｓθの標準偏差σは０．０３以下である。上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置。
【選択図】なし
【解決手段】非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープ。上記強磁性粉末は六方晶フェライト粉末であり、走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθは０．８５以上１．００以下であり、かつ上記磁性層の表面の幅方向における上記ｃｏｓθの標準偏差σは０．０３以下である。上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープであって、
前記強磁性粉末は六方晶フェライト粉末であり、
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる前記磁性層の表面に対する前記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθが０．８５以上１．００以下であり、かつ
前記磁性層の表面の幅方向における前記ｃｏｓθの標準偏差σが０．０３以下である磁気テープ。
前記強磁性粉末は六方晶フェライト粉末であり、
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる前記磁性層の表面に対する前記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθが０．８５以上１．００以下であり、かつ
前記磁性層の表面の幅方向における前記ｃｏｓθの標準偏差σが０．０３以下である磁気テープ。
【請求項2】
前記ｃｏｓθの標準偏差σが０．００超０．０３以下である、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項3】
前記ｃｏｓθの標準偏差σが０．００超０．０１以下である、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項4】
前記非磁性支持体上の磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含む、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項5】
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有する、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項6】
前記非磁性粉末は、平均粒子体積が２．０×１０－６μｍ３以下のＦｅ基無機酸化物粉末を含む、請求項５に記載の磁気テープ。
【請求項7】
前記非磁性粉末は、ｐＨが９．０以下のカーボンブラックを含む、請求項５に記載の磁気テープ。
【請求項8】
前記非磁性層の厚みが０．１μｍ以上０．７μｍ以下である、請求項５に記載の磁気テープ。
【請求項9】
前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有する、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項10】
テープ厚みが５．２μｍ以下である、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項11】
テープ厚みが５．０μｍ以下である、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項12】
前記磁気テープの垂直方向角型比が０．６０以上である、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項13】
前記磁気テープの垂直方向角型比が０．６５以上である、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項14】
前記ｃｏｓθの標準偏差σが０．００超０．０１以下であり、
前記非磁性支持体上の磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含み、
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有し、
前記非磁性粉末は、平均粒子体積が２．０×１０－６μｍ３以下のＦｅ基無機酸化物粉末およびｐＨが９．０以下のカーボンブラックを含み、
前記非磁性層の厚みが０．１μｍ以上０．７μｍ以下であり、
前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有し、
テープ厚みが５．０μｍ以下であり、かつ
前記磁気テープの垂直方向角型比が０．６５以上である、請求項１に記載の磁気テープ。
前記非磁性支持体上の磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含み、
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有し、
前記非磁性粉末は、平均粒子体積が２．０×１０－６μｍ３以下のＦｅ基無機酸化物粉末およびｐＨが９．０以下のカーボンブラックを含み、
前記非磁性層の厚みが０．１μｍ以上０．７μｍ以下であり、
前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有し、
テープ厚みが５．０μｍ以下であり、かつ
前記磁気テープの垂直方向角型比が０．６５以上である、請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項15】
請求項１～１４のいずれか１項に記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
【請求項16】
請求項１～１４のいずれか１項に記載の磁気テープを含む磁気テープ装置。
【請求項17】
磁気ヘッドを更に含み、
前記磁気ヘッドは、一対のサーボ信号読み取り素子の間に複数の磁気ヘッド素子を有する素子アレイを含むモジュールを有し、かつ
前記磁気テープ装置は、前記磁気テープ装置内での磁気テープの走行中、前記磁気テープの幅方向に対して前記素子アレイの軸線がなす角度θを変化させる、請求項１６に記載の磁気テープ装置。
前記磁気ヘッドは、一対のサーボ信号読み取り素子の間に複数の磁気ヘッド素子を有する素子アレイを含むモジュールを有し、かつ
前記磁気テープ装置は、前記磁気テープ装置内での磁気テープの走行中、前記磁気テープの幅方向に対して前記素子アレイの軸線がなす角度θを変化させる、請求項１６に記載の磁気テープ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気記録媒体にはテープ状のものとディスク状のものがあり、データバックアップ、アーカイブ等のデータストレージ用途には、テープ状の磁気記録媒体、即ち磁気テープが主に用いられている（例えば特許文献１～３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特表２０１６－５２４７７４号公報
【特許文献2】ＵＳ２０１９／０１６４５７３Ａ１
【特許文献3】特許第６５９０１０２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
磁気テープへのデータの記録は、通常、磁気テープ装置（一般に「ドライブ」と呼ばれる。）内で磁気テープを走行させ、磁気ヘッドを磁気テープのデータバンドに追従させてデータバンド上にデータを記録することにより行われる。これにより、データバンドにデータトラックが形成される。また、記録されたデータの再生時には、磁気テープ装置内で磁気テープを走行させ、磁気ヘッドを磁気テープのデータバンドに追従させてデータバンド上に記録されたデータの読み取りを行う。そして、かかる記録後または再生後、磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジ等の内部でリールに巻装された状態で、次に記録および／または再生が行われるまで、保管される。
【0005】
以上のような記録および／または再生において磁気ヘッドが磁気テープのデータバンドに追従する精度を高めるために、サーボ信号を利用してヘッドトラッキングを行うシステム（以下、「サーボシステム」と記載する。）が実用化されている。しかし、上記保管後、記録および／または再生が行われる際、保管により生じた磁気テープのテープ幅変形によって、データを記録および／または再生するための磁気ヘッドが狙いのトラック位置からずれる現象（一般に、「オフトラック」と呼ばれる。）が生じ得る。オフトラックにより、記録済データの上書き、再生不良等が発生するとドライブの動作安定性は低下してしまう。近年、磁気テープの高容量化に伴うトラック密度の高密度化によって、オフトラックが生じ易くなっているため、ドライブの動作安定性向上に対するニーズは高まっている。他方、近年、データストレージ分野では、アーカイブ（ａｒｃｈｉｖｅ）と呼ばれる、データの長期保管が行われている。しかし、一般に、保管期間が長くなるほど磁気テープのテープ幅変形は生じ易くなりオフトラックの発生頻度は増加する傾向がある。
【0006】
以上に鑑み、本発明の一態様は、長期保管後の記録および／または再生において、ドライブの動作安定性向上に寄与し得る磁気テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様は、以下の通りである。
［１］非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープであって、
上記強磁性粉末は六方晶フェライト粉末であり、
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθが０．８５以上１．００以下であり、かつ
上記磁性層の表面の幅方向における上記ｃｏｓθの標準偏差σが０．０３以下である磁気テープ。
［２］上記ｃｏｓθの標準偏差σが０．００超０．０３以下である、［１］に記載の磁気テープ。
［３］上記ｃｏｓθの標準偏差σが０．００超０．０１以下である、［１］または［２］に記載の磁気テープ。
［４］上記非磁性支持体上の磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の磁気テープ。
［５］上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有する［１］～［４］のいずれかに記載の磁気テープ。
［６］上記非磁性粉末は、平均粒子体積が２．０×１０－６μｍ３以下のＦｅ基無機酸化物粉末を含む、［５］に記載の磁気テープ。
［７］上記非磁性粉末は、ｐＨが９．０以下のカーボンブラックを含む、［５］または［６］に記載の磁気テープ。
［８］上記非磁性層の厚みが０．１μｍ以上０．７μｍ以下である、［５］～［７］のいずれかに記載の磁気テープ。
［９］上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有する、［１］～［８］のいずれかに記載の磁気テープ。
［１０］テープ厚みが５．２μｍ以下である、［１］～［９］のいずれかに記載の磁気テープ。
［１１］テープ厚みが５．０μｍ以下である、［１］～［１０］のいずれかに記載の磁気テープ。
［１２］上記磁気テープの垂直方向角型比が０．６０以上である、［１］～［１１］のいずれかに記載の磁気テープ。
［１３］上記磁気テープの垂直方向角型比が０．６５以上である、［１］～［１２］のいずれかに記載の磁気テープ。
［１４］上記ｃｏｓθの標準偏差σが０．００超０．０１以下であり、
上記非磁性支持体上の磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含み、
上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有し、
上記非磁性粉末は、平均粒子体積が２．０×１０－６μｍ３以下のＦｅ基無機酸化物粉末およびｐＨが９．０以下のカーボンブラックを含み、
上記非磁性層の厚みが０．１μｍ以上０．７μｍ以下であり、
上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有し、
テープ厚みが５．０μｍ以下であり、かつ
上記磁気テープの垂直方向角型比が０．６５以上である、［１］に記載の磁気テープ。
［１５］［１］～［１４］のいずれかに記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
［１６］［１］～［１４］のいずれかに記載の磁気テープを含む磁気テープ装置。
［１７］磁気ヘッドを更に含み、
上記磁気ヘッドは、一対のサーボ信号読み取り素子の間に複数の磁気ヘッド素子を有する素子アレイを含むモジュールを有し、かつ
上記磁気テープ装置は、上記磁気テープ装置内での磁気テープの走行中、上記磁気テープの幅方向に対して上記素子アレイの軸線がなす角度θを変化させる、［１６］に記載の磁気テープ装置。
［１］非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープであって、
上記強磁性粉末は六方晶フェライト粉末であり、
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθが０．８５以上１．００以下であり、かつ
上記磁性層の表面の幅方向における上記ｃｏｓθの標準偏差σが０．０３以下である磁気テープ。
［２］上記ｃｏｓθの標準偏差σが０．００超０．０３以下である、［１］に記載の磁気テープ。
［３］上記ｃｏｓθの標準偏差σが０．００超０．０１以下である、［１］または［２］に記載の磁気テープ。
［４］上記非磁性支持体上の磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の磁気テープ。
［５］上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有する［１］～［４］のいずれかに記載の磁気テープ。
［６］上記非磁性粉末は、平均粒子体積が２．０×１０－６μｍ３以下のＦｅ基無機酸化物粉末を含む、［５］に記載の磁気テープ。
［７］上記非磁性粉末は、ｐＨが９．０以下のカーボンブラックを含む、［５］または［６］に記載の磁気テープ。
［８］上記非磁性層の厚みが０．１μｍ以上０．７μｍ以下である、［５］～［７］のいずれかに記載の磁気テープ。
［９］上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有する、［１］～［８］のいずれかに記載の磁気テープ。
［１０］テープ厚みが５．２μｍ以下である、［１］～［９］のいずれかに記載の磁気テープ。
［１１］テープ厚みが５．０μｍ以下である、［１］～［１０］のいずれかに記載の磁気テープ。
［１２］上記磁気テープの垂直方向角型比が０．６０以上である、［１］～［１１］のいずれかに記載の磁気テープ。
［１３］上記磁気テープの垂直方向角型比が０．６５以上である、［１］～［１２］のいずれかに記載の磁気テープ。
［１４］上記ｃｏｓθの標準偏差σが０．００超０．０１以下であり、
上記非磁性支持体上の磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含み、
上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有し、
上記非磁性粉末は、平均粒子体積が２．０×１０－６μｍ３以下のＦｅ基無機酸化物粉末およびｐＨが９．０以下のカーボンブラックを含み、
上記非磁性層の厚みが０．１μｍ以上０．７μｍ以下であり、
上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有し、
テープ厚みが５．０μｍ以下であり、かつ
上記磁気テープの垂直方向角型比が０．６５以上である、［１］に記載の磁気テープ。
［１５］［１］～［１４］のいずれかに記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
［１６］［１］～［１４］のいずれかに記載の磁気テープを含む磁気テープ装置。
［１７］磁気ヘッドを更に含み、
上記磁気ヘッドは、一対のサーボ信号読み取り素子の間に複数の磁気ヘッド素子を有する素子アレイを含むモジュールを有し、かつ
上記磁気テープ装置は、上記磁気テープ装置内での磁気テープの走行中、上記磁気テープの幅方向に対して上記素子アレイの軸線がなす角度θを変化させる、［１６］に記載の磁気テープ装置。
【発明の効果】
【0008】
本発明の一態様によれば、長期保管後の記録および／または再生において、ドライブの動作安定性向上に寄与する磁気テープを提供することができる。また、本発明の一態様によれば、かかる磁気テープを含む磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】横軸にトラックポジション、縦軸に再生信号の出力をプロットしたトラックプロファイルの一例を示す。
【図2】初期の非線形成分に関するグラフの一例を示す。
【図3】保管後の非線形成分に関するグラフの一例を示す。
【図4】再生素子毎に求められた、再生素子毎の初期の非線形成分と保管後の非線形成分との差分（非線形成分の保管前後の差分）の絶対値を示すグラフの一例である。
【図5】磁気ヘッドのモジュールの一例を示す概略図である。
【図6】磁気テープ装置における磁気テープ走行中のモジュールと磁気テープとの相対的な位置関係の説明図である。
【図7】磁気テープ走行中の角度θの変化に関する説明図である。
【図8】磁気テープの製造工程の一例（工程概略図）を示す。
【図9】データバンドおよびサーボバンドの配置例を示す。
【図10】ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープのサーボパターン配置例を示す。
【図11】磁気テープ走行中の角度θの測定方法の説明図である。
【図12】磁気テープ装置の一例を示す概略図である。
【図13】ｃｏｓθに関する角度θの説明図である。
【図14】ｃｏｓθに関する角度θの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
［磁気テープ］
本発明の一態様は、非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープに関する。上記強磁性粉末は六方晶フェライト粉末であり、走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθ（以下、単に「ｃｏｓθ」とも記載する。）は０．８５以上１．００以下であり、かつ上記磁性層の表面の幅方向における上記ｃｏｓθの標準偏差σ（以下、「ｃｏｓθの幅方向σ」とも記載する。）は０．０３以下である。
本発明の一態様は、非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープに関する。上記強磁性粉末は六方晶フェライト粉末であり、走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθ（以下、単に「ｃｏｓθ」とも記載する。）は０．８５以上１．００以下であり、かつ上記磁性層の表面の幅方向における上記ｃｏｓθの標準偏差σ（以下、「ｃｏｓθの幅方向σ」とも記載する。）は０．０３以下である。
【0011】
本発明者は鋭意検討を重ねた結果、ｃｏｓθが上記範囲であり、かつｃｏｓθの幅方向σが上記範囲である磁気テープが、ドライブの動作安定性向上に寄与できることを新たに見出した。以下、この点に関する本発明者の推察を記載する。ただし本発明は本明細書に記載の推察に限定されるものではない。
先に記載したように、長期保管によって生じるテープ幅変形は、ドライブにおける磁気テープの動作安定性の低下を引き起こし得る。この点に関し、近年、サーボ信号を利用して走行中の磁気テープの幅方向の寸法情報を取得し、取得された寸法情報に応じて、磁気ヘッドのモジュールの軸方向を磁気テープの幅方向に対して傾斜させる角度（以下、「ヘッド傾き角度」とも記載する。）を変化させることが提案されている（特許文献１および２、例えば特許文献１の段落００５９～００６７および段落００８４参照）。また、サーボ信号を利用して走行中の磁気テープの幅方向の寸法情報を取得し、取得された寸法情報に応じて磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって、磁気テープの幅方向の寸法を制御することも行われている（一例として、特許文献３の段落０１７１参照）。例えば上記のような、磁気テープ走行中の動的なトラック位置の制御手段は、オフトラック抑制のための手段となり得る。
しかし本発明者は、長期保管後の記録および／または再生におけるドライブの動作安定性をより一層向上させるために鋭意検討を重ねる中で、動的なトラック位置の制御手段では補償困難なオフトラック因子が存在し得ることに着目した。以下、この点について更に説明する。
ヘッド傾き角度を変化させることで動的なトラック位置の制御を行う場合、テープ幅方向における位置に依らず、ヘッド傾き角度に応じて磁気ヘッド素子（詳しくは記録素子および／または再生素子）のピッチが均等に変化する。磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することで動的なトラック位置の制御を行う場合には、通常、テープ全幅でのテンションを調整するため、テンション調整によって、テープ幅方向の位置に依らずテープ幅が均等に変化する。テープ幅変形の程度が磁気テープ全域において均一な場合であれば、即ちテープ幅変形成分が線形成分のみである場合には、上記制御手段によってオフトラックを完全に補償することは可能である。したがって、データトラックと磁気ヘッド素子とを完全に位置合わせすることが可能となる。これに対し、テープ幅変形の程度が位置によって異なり不均一な場合、即ちテープ幅変形成分に非線形成分が含まれる場合には、上記制御手段では、非線形成分に起因するオフトラックを補償することは困難である。本発明者は、この非線形成分を低減することが、動的なトラック位置の制御手段では補償困難なオフトラック因子に起因するドライブの動作安定性低下を抑制することに寄与し得ると考えた。この点に関し本発明者は、磁気テープにおいて、ｃｏｓθが上記範囲であること、および、ｃｏｓθの幅方向σが上記範囲であることは、上記のテープ幅変形の非線形成分の発生を抑制することに寄与し得ると考えている。これにより、上記磁気テープは、長期保管後の記録および／または再生において、ドライブの動作安定性向上に寄与できると本発明者は推察している。
先に記載したように、長期保管によって生じるテープ幅変形は、ドライブにおける磁気テープの動作安定性の低下を引き起こし得る。この点に関し、近年、サーボ信号を利用して走行中の磁気テープの幅方向の寸法情報を取得し、取得された寸法情報に応じて、磁気ヘッドのモジュールの軸方向を磁気テープの幅方向に対して傾斜させる角度（以下、「ヘッド傾き角度」とも記載する。）を変化させることが提案されている（特許文献１および２、例えば特許文献１の段落００５９～００６７および段落００８４参照）。また、サーボ信号を利用して走行中の磁気テープの幅方向の寸法情報を取得し、取得された寸法情報に応じて磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって、磁気テープの幅方向の寸法を制御することも行われている（一例として、特許文献３の段落０１７１参照）。例えば上記のような、磁気テープ走行中の動的なトラック位置の制御手段は、オフトラック抑制のための手段となり得る。
しかし本発明者は、長期保管後の記録および／または再生におけるドライブの動作安定性をより一層向上させるために鋭意検討を重ねる中で、動的なトラック位置の制御手段では補償困難なオフトラック因子が存在し得ることに着目した。以下、この点について更に説明する。
ヘッド傾き角度を変化させることで動的なトラック位置の制御を行う場合、テープ幅方向における位置に依らず、ヘッド傾き角度に応じて磁気ヘッド素子（詳しくは記録素子および／または再生素子）のピッチが均等に変化する。磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することで動的なトラック位置の制御を行う場合には、通常、テープ全幅でのテンションを調整するため、テンション調整によって、テープ幅方向の位置に依らずテープ幅が均等に変化する。テープ幅変形の程度が磁気テープ全域において均一な場合であれば、即ちテープ幅変形成分が線形成分のみである場合には、上記制御手段によってオフトラックを完全に補償することは可能である。したがって、データトラックと磁気ヘッド素子とを完全に位置合わせすることが可能となる。これに対し、テープ幅変形の程度が位置によって異なり不均一な場合、即ちテープ幅変形成分に非線形成分が含まれる場合には、上記制御手段では、非線形成分に起因するオフトラックを補償することは困難である。本発明者は、この非線形成分を低減することが、動的なトラック位置の制御手段では補償困難なオフトラック因子に起因するドライブの動作安定性低下を抑制することに寄与し得ると考えた。この点に関し本発明者は、磁気テープにおいて、ｃｏｓθが上記範囲であること、および、ｃｏｓθの幅方向σが上記範囲であることは、上記のテープ幅変形の非線形成分の発生を抑制することに寄与し得ると考えている。これにより、上記磁気テープは、長期保管後の記録および／または再生において、ドライブの動作安定性向上に寄与できると本発明者は推察している。
【0012】
＜ｃｏｓθおよびｃｏｓθの幅方向σ＞
（ｃｏｓθ）
上記磁気テープのｃｏｓθは、長期保管後の記録および／または再生におけるドライブの動作安定性向上の観点から、０．８５以上である。ｃｏｓθは、例えば、０．８７以上または０．９０以上であることができる。一方、ｃｏｓθは、後述のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子が磁性層の表面に対していずれも平行に存在している場合に最大値の１．００となる。したがって、ｃｏｓθの上限は、１．００以下である。ｃｏｓθは、例えば、０．９９以下、０．９７以下または０．９５以下であることができる。
（ｃｏｓθ）
上記磁気テープのｃｏｓθは、長期保管後の記録および／または再生におけるドライブの動作安定性向上の観点から、０．８５以上である。ｃｏｓθは、例えば、０．８７以上または０．９０以上であることができる。一方、ｃｏｓθは、後述のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子が磁性層の表面に対していずれも平行に存在している場合に最大値の１．００となる。したがって、ｃｏｓθの上限は、１．００以下である。ｃｏｓθは、例えば、０．９９以下、０．９７以下または０．９５以下であることができる。
【0013】
（ｃｏｓθの幅方向σ）
上記磁気テープの磁性層の表面の幅方向におけるｃｏｓθの標準偏差σ（ｃｏｓθの幅方向σ）は、長期保管後の記録および／または再生におけるドライブの動作安定性向上の観点から、０．０３以下である。上記観点から、ｃｏｓθの幅方向σは、０．０２以下であることが好ましく、０．０１以下であることがより好ましい。ｃｏｓθの幅方向σは、例えば、０．００以上、０．００超または０．０１以上であることができる。長期保管後の記録および／または再生におけるドライブの動作安定性向上の観点からは、ｃｏｓθの幅方向σの値は、より小さいほどより好ましいと推察される。
上記磁気テープの磁性層の表面の幅方向におけるｃｏｓθの標準偏差σ（ｃｏｓθの幅方向σ）は、長期保管後の記録および／または再生におけるドライブの動作安定性向上の観点から、０．０３以下である。上記観点から、ｃｏｓθの幅方向σは、０．０２以下であることが好ましく、０．０１以下であることがより好ましい。ｃｏｓθの幅方向σは、例えば、０．００以上、０．００超または０．０１以上であることができる。長期保管後の記録および／または再生におけるドライブの動作安定性向上の観点からは、ｃｏｓθの幅方向σの値は、より小さいほどより好ましいと推察される。
【0014】
（ｃｏｓθの算出方法およびｃｏｓθの幅方向σの算出方法）
ｃｏｓθは、走査透過型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：以下、「ＳＴＥＭ」とも記載する。）を用いて行われる断面観察によって求められる。本発明および本明細書におけるｃｏｓθとは、以下の方法により測定し算出される値とする。
ｃｏｓθの幅方向σについては、磁性層表面の５つの測定領域について求められたｃｏｓθの５つの算出値の標準偏差σ（即ち分散の正の平方根）を、測定対象の磁気テープの磁性層の表面の幅方向におけるｃｏｓθの標準偏差σ（ｃｏｓθの幅方向σ）とする。なお、本発明および本明細書において、「磁性層（の）表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。
磁性層表面の測定を行う５つの測定領域は、長手方向位置が同じであって幅方向位置が異なる５つの領域とする。長手方向位置は、磁性層表面において無作為に選択し、この長手方向位置において、幅方向を磁気テープ幅に対して５つに区分し（したがって、磁気テープ幅をＷとすると、各測定領域の幅は「Ｗ／５」）、各測定領域において無作為に選択した分析対象領域についてｃｏｓθを求める。
ｃｏｓθは、走査透過型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：以下、「ＳＴＥＭ」とも記載する。）を用いて行われる断面観察によって求められる。本発明および本明細書におけるｃｏｓθとは、以下の方法により測定し算出される値とする。
ｃｏｓθの幅方向σについては、磁性層表面の５つの測定領域について求められたｃｏｓθの５つの算出値の標準偏差σ（即ち分散の正の平方根）を、測定対象の磁気テープの磁性層の表面の幅方向におけるｃｏｓθの標準偏差σ（ｃｏｓθの幅方向σ）とする。なお、本発明および本明細書において、「磁性層（の）表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。
磁性層表面の測定を行う５つの測定領域は、長手方向位置が同じであって幅方向位置が異なる５つの領域とする。長手方向位置は、磁性層表面において無作為に選択し、この長手方向位置において、幅方向を磁気テープ幅に対して５つに区分し（したがって、磁気テープ幅をＷとすると、各測定領域の幅は「Ｗ／５」）、各測定領域において無作為に選択した分析対象領域についてｃｏｓθを求める。
【0015】
（１）断面観察用試料を、ｃｏｓθを求める対象の磁気テープの上記のように定めた５つの測定領域のそれぞれの分析対象領域から切り出して作製する。断面観察用試料の作製は、ガリウムイオン（Ｇａ＋）ビームを用いるＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）加工によって行う。かかる作製方法の具体例は、実施例について後述する。こうして、合計５つの断面観察用試料を作製する。
（２）作製した各断面観察用試料をＳＴＥＭ観察し、ＳＴＥＭ像を撮像する。ＳＴＥＭ像は、各断面観察用試料において、撮像する範囲が重複しないように選択する点以外は無作為に選択した位置において撮像し、合計１０画像得る。上記ＳＴＥＭ像は、加速電圧３００ｋＶおよび撮像倍率４５００００倍で撮像されるＳＴＥＭ－ＨＡＡＤＦ（Ｈｉｇｈ－Ａｎｇｌｅ Ａｎｎｕｌａｒ Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ）像であり、１画像に、磁性層の厚み方向の全領域が含まれるように撮像する。磁性層の厚み方向の全領域とは、断面観察用試料において観察される磁性層表面から磁性層と隣接する層または非磁性支持体との界面までの領域である。上記の隣接する層とは、ｃｏｓθを求める対象の磁気テープが磁性層と非磁性支持体との間に後述する非磁性層を有する場合には非磁性層である。一方、ｃｏｓθを求める対象の磁気テープが非磁性支持体上に直接磁性層を有する場合には、上記界面とは磁性層と非磁性支持体との界面である。
（３）こうして得られた各ＳＴＥＭ像において、磁性層表面を表す線分の両端を結ぶ直線を、基準線として定める。上記の線分の両端とは、例えば、ＳＴＥＭ像を、断面観察用試料の磁性層側が画像の上方に位置し非磁性支持体側が下方に位置するように撮像した場合には、ＳＴＥＭ像の画像（通常、形状は長方形または正方形）の左辺と上記線分との交点とＳＴＥＭ像の右辺と上記線分との交点とを結ぶ直線である。
（４）上記ＳＴＥＭ像において観察される六方晶フェライト粒子の中で、アスペクト比が．１．５～６．０の範囲であり、かつ、長軸方向の長さが１０ｎｍ以上である六方晶フェライト粒子（一次粒子）の長軸方向と上記基準線とがなす角度θを測定し、測定された角度θについて、ｃｏｓθを、単位円に基づくｃｏｓθとして算出する。かかるｃｏｓθの算出を、各ＳＴＥＭ像において、上記アスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の中から無作為に抽出した３０個の粒子について行う。
（５）以上の測定および算出を、５つの断面観察用試料のそれぞれにおいて撮像した１０画像それぞれについて行い、各画像の３０個の六方晶フェライト粒子について、即ち１０画像の合計で３００個の六方晶フェライト粒子について求められたｃｏｓθの値を算術平均する。こうして求められる算術平均を、各断面観察用試料のｃｏｓθとする。５つの断面観察用試料について求められた５つのｃｏｓθの値の算術平均を、測定対象の磁気テープのｃｏｓθとする。また、こうして求められた５つのｃｏｓθの値から、先に記載したようにｃｏｓθの幅方向σを求める。
（２）作製した各断面観察用試料をＳＴＥＭ観察し、ＳＴＥＭ像を撮像する。ＳＴＥＭ像は、各断面観察用試料において、撮像する範囲が重複しないように選択する点以外は無作為に選択した位置において撮像し、合計１０画像得る。上記ＳＴＥＭ像は、加速電圧３００ｋＶおよび撮像倍率４５００００倍で撮像されるＳＴＥＭ－ＨＡＡＤＦ（Ｈｉｇｈ－Ａｎｇｌｅ Ａｎｎｕｌａｒ Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ）像であり、１画像に、磁性層の厚み方向の全領域が含まれるように撮像する。磁性層の厚み方向の全領域とは、断面観察用試料において観察される磁性層表面から磁性層と隣接する層または非磁性支持体との界面までの領域である。上記の隣接する層とは、ｃｏｓθを求める対象の磁気テープが磁性層と非磁性支持体との間に後述する非磁性層を有する場合には非磁性層である。一方、ｃｏｓθを求める対象の磁気テープが非磁性支持体上に直接磁性層を有する場合には、上記界面とは磁性層と非磁性支持体との界面である。
（３）こうして得られた各ＳＴＥＭ像において、磁性層表面を表す線分の両端を結ぶ直線を、基準線として定める。上記の線分の両端とは、例えば、ＳＴＥＭ像を、断面観察用試料の磁性層側が画像の上方に位置し非磁性支持体側が下方に位置するように撮像した場合には、ＳＴＥＭ像の画像（通常、形状は長方形または正方形）の左辺と上記線分との交点とＳＴＥＭ像の右辺と上記線分との交点とを結ぶ直線である。
（４）上記ＳＴＥＭ像において観察される六方晶フェライト粒子の中で、アスペクト比が．１．５～６．０の範囲であり、かつ、長軸方向の長さが１０ｎｍ以上である六方晶フェライト粒子（一次粒子）の長軸方向と上記基準線とがなす角度θを測定し、測定された角度θについて、ｃｏｓθを、単位円に基づくｃｏｓθとして算出する。かかるｃｏｓθの算出を、各ＳＴＥＭ像において、上記アスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の中から無作為に抽出した３０個の粒子について行う。
（５）以上の測定および算出を、５つの断面観察用試料のそれぞれにおいて撮像した１０画像それぞれについて行い、各画像の３０個の六方晶フェライト粒子について、即ち１０画像の合計で３００個の六方晶フェライト粒子について求められたｃｏｓθの値を算術平均する。こうして求められる算術平均を、各断面観察用試料のｃｏｓθとする。５つの断面観察用試料について求められた５つのｃｏｓθの値の算術平均を、測定対象の磁気テープのｃｏｓθとする。また、こうして求められた５つのｃｏｓθの値から、先に記載したようにｃｏｓθの幅方向σを求める。
【0016】
ここで、上記ＳＴＥＭ像において観察される「アスペクト比」とは、六方晶フェライト粒子の「長軸方向の長さ／短軸方向の長さ」の比をいうものとする。
「長軸方向」とは、ＳＴＥＭ像において観察される１個の六方晶フェライト粒子の像の中で、最も距離が離れている端部のうち、基準線との距離が近い方の端部から遠い方の端部を結んだときの方向を意味する。一方の端部と他方の端部を結んだ線分が基準線に対して平行である場合には、基準線と平行な方向が長軸方向となる。
「長軸方向の長さ」とは、ＳＴＥＭ像において観察される１個の六方晶フェライト粒子の像の中で、最も距離が離れている端部を結んで作成される線分の長さを意味する。一方、「短軸方向の長さ」とは、上記粒子の像の外縁と上記長軸方向に対する垂線との２つの交点を結んだ線分の中で、最も長い線分の長さを意味する。
また、基準線と上記粒子の長軸方向の傾きとがなす角度θとは、長軸方向が基準線に対して平行な角度を０°とし、０°以上９０°以下の範囲で定めるものとする。以下に、角度θについて、図面に基づき更に説明する。
「長軸方向」とは、ＳＴＥＭ像において観察される１個の六方晶フェライト粒子の像の中で、最も距離が離れている端部のうち、基準線との距離が近い方の端部から遠い方の端部を結んだときの方向を意味する。一方の端部と他方の端部を結んだ線分が基準線に対して平行である場合には、基準線と平行な方向が長軸方向となる。
「長軸方向の長さ」とは、ＳＴＥＭ像において観察される１個の六方晶フェライト粒子の像の中で、最も距離が離れている端部を結んで作成される線分の長さを意味する。一方、「短軸方向の長さ」とは、上記粒子の像の外縁と上記長軸方向に対する垂線との２つの交点を結んだ線分の中で、最も長い線分の長さを意味する。
また、基準線と上記粒子の長軸方向の傾きとがなす角度θとは、長軸方向が基準線に対して平行な角度を０°とし、０°以上９０°以下の範囲で定めるものとする。以下に、角度θについて、図面に基づき更に説明する。
【0017】
図１３および図１４は、角度θの説明図である。図１３および図１４中、符号３０１は、上記の最も距離が離れている端部を結んで作成される線分（長軸方向の長さ）を示し、符号３０２は基準線を示し、符号３０３は線分（符号３０１）の延長線を示す。この場合、基準線３０２と延長線３０３とのなす角度としては、図１３および図１４に示すようにθ１およびθ２を取り得る。ここでは、θ１およびθ２の中で、より小さな角度を採用し、これを角度θとするものとする。したがって、図１３に示す形態では、θ１を角度θとし、図１４に示す形態では、θ２を角度θとするものとする。θ１＝θ２の場合は、即ち角度θ＝９０°の場合である。単位円に基づくｃｏｓθは、θ＝０°の場合に１．００、θ＝９０°の場合に０となる。
【0018】
（ｃｏｓθの調整方法）
上記磁気テープは、非磁性支持体上に、磁性層形成用組成物を塗布する工程を経て作製することができる。そして、ｃｏｓθの調整方法としては、磁性層形成用組成物における六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することが挙げられる。この点に関しては、六方晶フェライト粉末の磁性層形成用組成物における分散性を向上させるほど、この磁性層形成用組成物を用いて形成される磁性層において、上記範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子が、磁性層表面に対して、より平行に近い状態に配向し易くなると考えられる。分散性向上のための手段としては、以下の方法（１）および（２）のいずれか一方または両方が挙げられる。
（１）分散条件の調整
（２）分散剤の利用
また、磁性層に研磨剤を含む磁気テープについては、分散性向上のための手段としては、六方晶フェライト粉末と研磨剤を別分散させることも挙げられる。別分散とは、より詳しくは、六方晶フェライト粉末と、結合剤と、溶媒と、を含む磁性液（ただし、研磨剤を実質的に含まない）を、研磨剤および溶媒を含む研磨剤液と混合する工程を経て磁性層形成用組成物を調製する方法である。このように研磨剤と六方晶フェライト粉末とを別分散した後に混合することによって、磁性層形成用組成物における六方晶フェライト粉末の分散性を向上させることができる。上記の「研磨剤を実質的に含まない」とは、上記磁性液の構成成分として添加しないことを意味するものであって、意図せず混入した不純物として微量の研磨剤が存在することは許容されるものとする。また、上記方法（１）および（２）のいずれか一方または両方を、上記の別分散と組み合わせることも好ましい。この場合、磁性液における六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することにより、磁性液を研磨剤液と混合する工程を経て得られる磁性層形成用組成物における六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することができる。
上記磁気テープは、非磁性支持体上に、磁性層形成用組成物を塗布する工程を経て作製することができる。そして、ｃｏｓθの調整方法としては、磁性層形成用組成物における六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することが挙げられる。この点に関しては、六方晶フェライト粉末の磁性層形成用組成物における分散性を向上させるほど、この磁性層形成用組成物を用いて形成される磁性層において、上記範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子が、磁性層表面に対して、より平行に近い状態に配向し易くなると考えられる。分散性向上のための手段としては、以下の方法（１）および（２）のいずれか一方または両方が挙げられる。
（１）分散条件の調整
（２）分散剤の利用
また、磁性層に研磨剤を含む磁気テープについては、分散性向上のための手段としては、六方晶フェライト粉末と研磨剤を別分散させることも挙げられる。別分散とは、より詳しくは、六方晶フェライト粉末と、結合剤と、溶媒と、を含む磁性液（ただし、研磨剤を実質的に含まない）を、研磨剤および溶媒を含む研磨剤液と混合する工程を経て磁性層形成用組成物を調製する方法である。このように研磨剤と六方晶フェライト粉末とを別分散した後に混合することによって、磁性層形成用組成物における六方晶フェライト粉末の分散性を向上させることができる。上記の「研磨剤を実質的に含まない」とは、上記磁性液の構成成分として添加しないことを意味するものであって、意図せず混入した不純物として微量の研磨剤が存在することは許容されるものとする。また、上記方法（１）および（２）のいずれか一方または両方を、上記の別分散と組み合わせることも好ましい。この場合、磁性液における六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することにより、磁性液を研磨剤液と混合する工程を経て得られる磁性層形成用組成物における六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することができる。
【0019】
例えば、分散剤の一形態としては、ポリエステル鎖含有化合物を挙げることができ、その重量平均分子量は、１，０００以上８０，０００以下であることが好ましい。ポリエステル鎖含有化合物の一形態としては、特開２０１６－１７７８５１号公報に記載の一般式１で表される化合物を挙げることができる。また、ポリエステル鎖含有化合物は、一形態では、ポリアルキレンイミン鎖を少なくとも１つ有することができる。ポリエステル鎖の一形態としては、特開２０１６－１７７８５１号公報に記載の式２－Ａで表されるポリエステル鎖および式２－Ｂで表されるポリエステル鎖を挙げることができる。
【0020】
以上の各種調整方法および分散剤の詳細については、特開２０１６－１７７８５１号公報の段落００３８～０１４４および特開２０１７－２２４３６５号公報の段落００４５～０１３６を参照できる。
【0021】
ｃｏｓθの幅方向σの制御方法については後述する。
【0022】
＜テープ幅変形の非線形成分＞
本発明者は、先に記載したテープ幅変形の非線形成分については、以下の方法によって求められる「温度６０℃相対湿度２０％の環境下での１０日間保管によって生じるテープ幅方向の非線形成分」が、その指標になり得ると考えている。なお、「温度６０℃相対湿度２０％の環境下での１０日間保管」との保管条件は、アーカイブと呼ばれるデータ長期保管に相当する加速環境下での保管条件の一例として採用したものであって、上記磁気テープは、かかる保管条件で保管されるものに限定されるものではない。
以下の操作および測定は、特記しない限り、温度が２０～２５℃であって相対湿度が４０～６０％の環境において行われる。
測定対象の磁気テープは長さ２００ｍ以上の磁気テープとする。
磁気テープの長手方向にテンションをかけて磁気テープを巻取る巻取り機構を有する装置によって、測定対象の磁気テープを、磁気テープの長手方向に０．６Ｎ（ニュートン）のテンションをかけてハブ直径（外径、以下同様）４４ｍｍの磁気テープ用リールに巻取る。こうしてリールに巻取られた状態の磁気テープを、以下の測定の前に、温度が２０～２５℃であって相対湿度が４０～６０％の環境にて２４時間以上保管する。
磁気テープの一方の端部と他方の端部について、リールへの巻取りの始点側の端部をテープ内周端部と呼び、他方の端部をテープ外周端部と呼ぶ。以下の測定は、テープ外周端部から１００ｍ以内の領域（以下、「テープ外周領域」と呼ぶ。）と、テープ内周端部から１００ｍ以内の領域（以下、「テープ内周領域」と呼ぶ。）とで、各データバンドの中央ラップにおいてそれぞれ実施する。
以下の測定は、一対のサーボ信号読み取り素子の間に素子幅（詳しくは再生素子幅）が０．２μｍ以上１．０μｍ以下の再生素子を１０チャンネル（ｃｈａｎｎｎｅｌ）以上有する素子アレイを含む再生用モジュールと、一対のサーボ信号読み取り素子の間に素子幅（詳しくは記録素子幅）が１．２μｍ以上２．９μｍ以下の記録素子を１０チャンネル以上有する素子アレイを含む記録用モジュールと、を備えた磁気ヘッドを用いて行う。「素子幅」とは、素子幅の物理的な寸法であって、光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡等により測定が可能である。記録用モジュールにおいて、隣り合う２つの記録素子のヘッド幅方向における間隔は８３．２５μｍである。再生用モジュールにおいて、隣り合う２つの再生素子のヘッド幅方向における間隔は８３．２５μｍである。上記間隔は、記録用モジュールにおいては隣り合う２つの記録素子の中央部の間隔であり、再生用モジュールにおいては隣り合う２つの再生素子の中央部の間隔であり、光学顕微鏡等によって測定することができる。後述の実施例および比較例についての測定では、一対のサーボ信号読み取り素子の間に記録素子を３２チャンネル（０チャンネル～３１チャンネル）有する素子アレイを含む記録用モジュールと、一対のサーボ信号読み取り素子の間に再生素子を３２チャンネル（０チャンネル～３１チャンネル）有する素子アレイを含む再生用モジュールと、を備えた磁気ヘッドを用いた。
測定対象の磁気テープが巻取られている上記リールと磁気ヘッドを磁気テープ装置のテープ搬送系に取り付けて、データの記録および再生を行う。テープ搬送系は、磁気ヘッドの磁気ヘッド素子（詳しくは記録素子および再生素子）を駆動させることが可能な記録再生アンプに取り付けられる。記録再生アンプは、コントローラーを介してコンピュータ（ＰＣ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）から制御可能である。磁気ヘッドは、テープ幅方向に動作するアクチュエータ（ピエゾモーターまたはＶＣＭ（ボイスコイルモーター））上に取り付けられ、磁気テープのサーボ信号に基づきテープ走行中に磁気ヘッドが一定のトラック位置になるようにサーボフォロイングすることができる。また、テープ幅変形の線形成分を補償するため、上下２つのサーボ信号読み取り素子により得られたサーボ信号に基づく幅方向の読み取り位置ＰＥＳ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｅｒｒｏｒ Ｓｉｇｎａｌ）信号（ＰＥＳ１、ＰＥＳ２）の差分が一定になるように、磁気ヘッドのヘッド傾き角度を変化させて動的なトラック位置の制御を行うことができる。以下の記録時および再生時には、上記のサーボフォロイングおよび上記の動的なトラック位置の制御を実施する。
次に、磁気テープを３．０ｍ／秒の一定速度で走行させながら、走行方向を同じとする連続する３ラップ（ｗｒａｐ）に対し、第１ラップにＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）パターンを記録し、第２ラップに２５５ｋｆｃｉの単一周波数信号を記録し、第３ラップにＤＣパターンを記録する。単位「ｋｆｃｉ」は、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。（ＰＥＳ１＋ＰＥＳ２）／２の差が１２００ｎｍとなるように３トラック以上のシングル（Ｓｈｉｎｇｌｅｄ）記録を行う。シングル記録は、瓦記録とも呼ばれる。
次に、連続する３ラップの中心ラップに対して、テープ外周端部から１００ｍ以内の領域（テープ外周領域）およびテープ内周端部から１００ｍ以内の領域（テープ内周領域）において、それぞれ長さ９０ｍに亘ってデータ再生を行う。再生信号波形およびサーボ信号波形をオシロスコープを用いて取得し保存する。上記測定毎に再生素子のトラックポジションをテープ幅方向に対してトラックピッチの１／３０以下の間隔で動かす。上記オシロスコープを用いて取得し保存した再生信号波形から再生素子毎に「再生信号の出力」を算出し、サーボ信号波形からトラックポジションを算出する。これらの結果から、横軸にトラックポジション、縦軸に再生信号の出力をプロットしたトラックプロファイルを作成する。図１に、こうして作成されたトラックプロファイルの一例を示す。
再生信号の出力の最大値から１ｄＢ以上低下したトラックポジション２点間の中央値を求め、再生素子毎に縦軸に中央値をプロットし、最小二乗法による線形フィッティングによって線形近似線を得る。テープ外周領域およびテープ内周領域それぞれについて、再生素子毎に上記線形近似線と実測値の差分を求め、これを「初期の非線形成分」とする。図２に、初期の非線形成分に関するグラフの一例を示す。図２に示す例および後述の図３に示す例では、再生素子数（チャンネル数）は３２チャンネル（再生素子番号（Ｎｏ．）：０チャンネル～３１チャンネル）である。
上記の初期の非線形成分の測定後、磁気テープの長手方向にテンションをかけて磁気テープを巻取る巻取り機構を有する装置によって、測定対象の磁気テープを、磁気テープの長手方向に０．６Ｎのテンションをかけてハブ直径４４ｍｍの磁気テープ用リールに巻取る。かかる巻取り時、初期の非線形成分の測定前のリールへの巻取りにおいてテープ内周端部であった端部がテープ内周端部となるように巻取りを行う。こうしてリールに巻取られた状態の磁気テープを、温度６０℃相対湿度２０％の環境に１０日間保管する。
上記保管後、リールに巻取られた状態のままで測定対象の磁気テープを温度２０～２５℃相対湿度４０～６０％の環境下で２４時間以上（ただし最長で１２０時間まで）保管した後、初期の非線形成分の測定のために用いた磁気テープ装置を用いて、測定対象の磁気テープの全長を１回往復走行（順方向（Ｆｏｒｗａｒｄ）および逆方向（Ｒｅｖｅｒｓｅ））させる。上記の初期の非線形成分の測定時と同じ記録素子、再生素子、磁気テープ装置および再生条件で、テープ外周端部から１００ｍ以内の領域（テープ外周領域）およびテープ内周端部から１００ｍ以内の領域（テープ内周領域）において、それぞれ長さ９０ｍに亘ってデータ再生を行う。再生信号の出力およびサーボ信号波形は初期の非線形成分の測定時と同じオシロスコープを用いて取得し保存する。上記の初期の非線形成分の測定時と同間隔で測定毎に再生素子のトラックポジションをテープ幅方向に対して動かす。上記オシロスコープを用いて取得し保存した再生信号波形から再生素子毎に「再生信号の出力」を算出し、サーボ信号波形からトラックポジションを算出する。これらの結果から、横軸にトラックポジション、縦軸に再生信号の出力をプロットしたトラックプロファイルを作成する。図１は、こうして作成されたトラックプロファイルの一例でもある。
再生信号の出力の最大値から１ｄＢ以上低下したトラックポジション２点間の中央値を求め、再生素子毎に縦軸に中央値をプロットし、最小二乗法による線形フィッティングによって線形近似線を得る。テープ外周領域およびテープ内周領域それぞれについて、再生素子毎に上記線形近似線と実測値の差分を求め、これを「保管後の非線形成分」とする。図３に、保管後の非線形成分に関するグラフの一例を示す。
上記再生素子毎の「初期の非線形成分」と「保管後の非線形成分」との差分（非線形成分の保管前後の差分）の絶対値を求める。こうして再生素子毎に求められた上記差分の絶対値を示すグラフの一例が図４である。テープ外周領域とテープ内周領域における上記絶対値の最大値を、測定対象の磁気テープの「テープ幅変形の非線形成分」とする。初期の非線形成分は、磁気テープ以外の要因によって生じる非線形成分ということができると考えられる。したがって、上記のように非線形成分の保管前後の差分を求めることによって、磁気テープ起因の非線形成分を精度よく評価することが可能になると本発明者は考えている。
本発明者は、先に記載したテープ幅変形の非線形成分については、以下の方法によって求められる「温度６０℃相対湿度２０％の環境下での１０日間保管によって生じるテープ幅方向の非線形成分」が、その指標になり得ると考えている。なお、「温度６０℃相対湿度２０％の環境下での１０日間保管」との保管条件は、アーカイブと呼ばれるデータ長期保管に相当する加速環境下での保管条件の一例として採用したものであって、上記磁気テープは、かかる保管条件で保管されるものに限定されるものではない。
以下の操作および測定は、特記しない限り、温度が２０～２５℃であって相対湿度が４０～６０％の環境において行われる。
測定対象の磁気テープは長さ２００ｍ以上の磁気テープとする。
磁気テープの長手方向にテンションをかけて磁気テープを巻取る巻取り機構を有する装置によって、測定対象の磁気テープを、磁気テープの長手方向に０．６Ｎ（ニュートン）のテンションをかけてハブ直径（外径、以下同様）４４ｍｍの磁気テープ用リールに巻取る。こうしてリールに巻取られた状態の磁気テープを、以下の測定の前に、温度が２０～２５℃であって相対湿度が４０～６０％の環境にて２４時間以上保管する。
磁気テープの一方の端部と他方の端部について、リールへの巻取りの始点側の端部をテープ内周端部と呼び、他方の端部をテープ外周端部と呼ぶ。以下の測定は、テープ外周端部から１００ｍ以内の領域（以下、「テープ外周領域」と呼ぶ。）と、テープ内周端部から１００ｍ以内の領域（以下、「テープ内周領域」と呼ぶ。）とで、各データバンドの中央ラップにおいてそれぞれ実施する。
以下の測定は、一対のサーボ信号読み取り素子の間に素子幅（詳しくは再生素子幅）が０．２μｍ以上１．０μｍ以下の再生素子を１０チャンネル（ｃｈａｎｎｎｅｌ）以上有する素子アレイを含む再生用モジュールと、一対のサーボ信号読み取り素子の間に素子幅（詳しくは記録素子幅）が１．２μｍ以上２．９μｍ以下の記録素子を１０チャンネル以上有する素子アレイを含む記録用モジュールと、を備えた磁気ヘッドを用いて行う。「素子幅」とは、素子幅の物理的な寸法であって、光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡等により測定が可能である。記録用モジュールにおいて、隣り合う２つの記録素子のヘッド幅方向における間隔は８３．２５μｍである。再生用モジュールにおいて、隣り合う２つの再生素子のヘッド幅方向における間隔は８３．２５μｍである。上記間隔は、記録用モジュールにおいては隣り合う２つの記録素子の中央部の間隔であり、再生用モジュールにおいては隣り合う２つの再生素子の中央部の間隔であり、光学顕微鏡等によって測定することができる。後述の実施例および比較例についての測定では、一対のサーボ信号読み取り素子の間に記録素子を３２チャンネル（０チャンネル～３１チャンネル）有する素子アレイを含む記録用モジュールと、一対のサーボ信号読み取り素子の間に再生素子を３２チャンネル（０チャンネル～３１チャンネル）有する素子アレイを含む再生用モジュールと、を備えた磁気ヘッドを用いた。
測定対象の磁気テープが巻取られている上記リールと磁気ヘッドを磁気テープ装置のテープ搬送系に取り付けて、データの記録および再生を行う。テープ搬送系は、磁気ヘッドの磁気ヘッド素子（詳しくは記録素子および再生素子）を駆動させることが可能な記録再生アンプに取り付けられる。記録再生アンプは、コントローラーを介してコンピュータ（ＰＣ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）から制御可能である。磁気ヘッドは、テープ幅方向に動作するアクチュエータ（ピエゾモーターまたはＶＣＭ（ボイスコイルモーター））上に取り付けられ、磁気テープのサーボ信号に基づきテープ走行中に磁気ヘッドが一定のトラック位置になるようにサーボフォロイングすることができる。また、テープ幅変形の線形成分を補償するため、上下２つのサーボ信号読み取り素子により得られたサーボ信号に基づく幅方向の読み取り位置ＰＥＳ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｅｒｒｏｒ Ｓｉｇｎａｌ）信号（ＰＥＳ１、ＰＥＳ２）の差分が一定になるように、磁気ヘッドのヘッド傾き角度を変化させて動的なトラック位置の制御を行うことができる。以下の記録時および再生時には、上記のサーボフォロイングおよび上記の動的なトラック位置の制御を実施する。
次に、磁気テープを３．０ｍ／秒の一定速度で走行させながら、走行方向を同じとする連続する３ラップ（ｗｒａｐ）に対し、第１ラップにＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）パターンを記録し、第２ラップに２５５ｋｆｃｉの単一周波数信号を記録し、第３ラップにＤＣパターンを記録する。単位「ｋｆｃｉ」は、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。（ＰＥＳ１＋ＰＥＳ２）／２の差が１２００ｎｍとなるように３トラック以上のシングル（Ｓｈｉｎｇｌｅｄ）記録を行う。シングル記録は、瓦記録とも呼ばれる。
次に、連続する３ラップの中心ラップに対して、テープ外周端部から１００ｍ以内の領域（テープ外周領域）およびテープ内周端部から１００ｍ以内の領域（テープ内周領域）において、それぞれ長さ９０ｍに亘ってデータ再生を行う。再生信号波形およびサーボ信号波形をオシロスコープを用いて取得し保存する。上記測定毎に再生素子のトラックポジションをテープ幅方向に対してトラックピッチの１／３０以下の間隔で動かす。上記オシロスコープを用いて取得し保存した再生信号波形から再生素子毎に「再生信号の出力」を算出し、サーボ信号波形からトラックポジションを算出する。これらの結果から、横軸にトラックポジション、縦軸に再生信号の出力をプロットしたトラックプロファイルを作成する。図１に、こうして作成されたトラックプロファイルの一例を示す。
再生信号の出力の最大値から１ｄＢ以上低下したトラックポジション２点間の中央値を求め、再生素子毎に縦軸に中央値をプロットし、最小二乗法による線形フィッティングによって線形近似線を得る。テープ外周領域およびテープ内周領域それぞれについて、再生素子毎に上記線形近似線と実測値の差分を求め、これを「初期の非線形成分」とする。図２に、初期の非線形成分に関するグラフの一例を示す。図２に示す例および後述の図３に示す例では、再生素子数（チャンネル数）は３２チャンネル（再生素子番号（Ｎｏ．）：０チャンネル～３１チャンネル）である。
上記の初期の非線形成分の測定後、磁気テープの長手方向にテンションをかけて磁気テープを巻取る巻取り機構を有する装置によって、測定対象の磁気テープを、磁気テープの長手方向に０．６Ｎのテンションをかけてハブ直径４４ｍｍの磁気テープ用リールに巻取る。かかる巻取り時、初期の非線形成分の測定前のリールへの巻取りにおいてテープ内周端部であった端部がテープ内周端部となるように巻取りを行う。こうしてリールに巻取られた状態の磁気テープを、温度６０℃相対湿度２０％の環境に１０日間保管する。
上記保管後、リールに巻取られた状態のままで測定対象の磁気テープを温度２０～２５℃相対湿度４０～６０％の環境下で２４時間以上（ただし最長で１２０時間まで）保管した後、初期の非線形成分の測定のために用いた磁気テープ装置を用いて、測定対象の磁気テープの全長を１回往復走行（順方向（Ｆｏｒｗａｒｄ）および逆方向（Ｒｅｖｅｒｓｅ））させる。上記の初期の非線形成分の測定時と同じ記録素子、再生素子、磁気テープ装置および再生条件で、テープ外周端部から１００ｍ以内の領域（テープ外周領域）およびテープ内周端部から１００ｍ以内の領域（テープ内周領域）において、それぞれ長さ９０ｍに亘ってデータ再生を行う。再生信号の出力およびサーボ信号波形は初期の非線形成分の測定時と同じオシロスコープを用いて取得し保存する。上記の初期の非線形成分の測定時と同間隔で測定毎に再生素子のトラックポジションをテープ幅方向に対して動かす。上記オシロスコープを用いて取得し保存した再生信号波形から再生素子毎に「再生信号の出力」を算出し、サーボ信号波形からトラックポジションを算出する。これらの結果から、横軸にトラックポジション、縦軸に再生信号の出力をプロットしたトラックプロファイルを作成する。図１は、こうして作成されたトラックプロファイルの一例でもある。
再生信号の出力の最大値から１ｄＢ以上低下したトラックポジション２点間の中央値を求め、再生素子毎に縦軸に中央値をプロットし、最小二乗法による線形フィッティングによって線形近似線を得る。テープ外周領域およびテープ内周領域それぞれについて、再生素子毎に上記線形近似線と実測値の差分を求め、これを「保管後の非線形成分」とする。図３に、保管後の非線形成分に関するグラフの一例を示す。
上記再生素子毎の「初期の非線形成分」と「保管後の非線形成分」との差分（非線形成分の保管前後の差分）の絶対値を求める。こうして再生素子毎に求められた上記差分の絶対値を示すグラフの一例が図４である。テープ外周領域とテープ内周領域における上記絶対値の最大値を、測定対象の磁気テープの「テープ幅変形の非線形成分」とする。初期の非線形成分は、磁気テープ以外の要因によって生じる非線形成分ということができると考えられる。したがって、上記のように非線形成分の保管前後の差分を求めることによって、磁気テープ起因の非線形成分を精度よく評価することが可能になると本発明者は考えている。
【0023】
上記磁気テープについて以上説明した方法によって求められるテープ幅変形の非線形成分は、長期保管後の記録および／または再生におけるドライブの動作安定性向上の観点から、１００ｎｍ以下であることが好ましく、９５ｎｍ以下であることがより好ましく、９０ｎｍ以下、８５ｎｍ以下、８０ｎｍ以下、７５ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、６５ｎｍ以下、６０ｎｍ以下、５５ｎｍ以下、５０ｎｍ以下の順に更に好ましい。ｃｏｓθおよびｃｏｓθの幅方向σが上記範囲であることは、上記非線形成分の値を上記範囲に制御することに寄与し得る。また、テープ幅変形の非線形成分は、例えば、０ｎｍ以上、０ｎｍ超、１ｎｍ以上、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、１５ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、２５ｎｍ以上、３０ｎｍ以上、３５ｎｍ以上または４０ｎｍ以上であることができる。テープ幅変形の非線形成分は、上記のドライブの動作安定性向上の観点からは、小さいほど好ましい。
【0024】
＜ヘッド傾き角度の説明＞
先に記載したように、磁気テープ走行中の動的なトラック位置の制御手段の一例としては、ヘッド傾き角度を変化させることを挙げることができる。この点に関し、以下に、磁気ヘッドの構成、ヘッド傾き角度等について説明する。更に、磁気テープ走行中、磁気ヘッドのモジュールの軸方向を磁気テープの幅方向に対して傾斜させることによって、磁気テープ走行中の動的なトラック位置を制御することが可能になる理由についても、以下に説明する。
先に記載したように、磁気テープ走行中の動的なトラック位置の制御手段の一例としては、ヘッド傾き角度を変化させることを挙げることができる。この点に関し、以下に、磁気ヘッドの構成、ヘッド傾き角度等について説明する。更に、磁気テープ走行中、磁気ヘッドのモジュールの軸方向を磁気テープの幅方向に対して傾斜させることによって、磁気テープ走行中の動的なトラック位置を制御することが可能になる理由についても、以下に説明する。
【0025】
磁気ヘッドは、一対のサーボ信号読み取り素子の間に複数の磁気ヘッド素子を有する素子アレイを含むモジュールを１つ以上有することができ、２つ以上または３つ以上有することができる。かかるモジュールの総数は、例えば５つ以下、４つ以下もしくは３つ以下であることができ、またはここに例示した総数を超える数のモジュールが上記磁気ヘッドに含まれてもよい。複数のモジュールの配置例としては、「記録用モジュール－再生用モジュール」（モジュールの総数：２）、「記録用モジュール－再生用モジュール－記録用モジュール」（モジュールの総数：３）等を挙げることができる。ただし、ここに示した例に限定されるものではない。
【0026】
各モジュールは、一対のサーボ信号読み取り素子の間に複数の磁気ヘッド素子を有する素子アレイ、即ち素子の配列を含むことができる。磁気ヘッド素子として記録素子を有するモジュールは、磁気テープへデータを記録するための記録用モジュールである。磁気ヘッド素子として再生素子を有するモジュールは、磁気テープに記録されたデータを再生するための再生用モジュールである。磁気ヘッドにおいて、複数のモジュールは、例えば、記録再生ヘッドユニットに、それぞれのモジュールの素子アレイの軸線が平行に方向付けられて配置される。かかる「平行」は、必ずしも厳密な意味の平行のみを意味するものではなく、本発明が属する技術分野において通常許容される誤差の範囲を含むものとする。誤差の範囲とは、例えば、厳密な平行±１０°未満の範囲を意味することができる。
【0027】
各素子アレイにおいて、一対のサーボ信号読み取り素子と複数の磁気ヘッド素子（即ち記録素子または再生素子）は、通常、直線状に離間して配置されている。ここで「直線状に配置」とは、一方のサーボ信号読み取り素子の中央部と他方のサーボ信号読み取り素子の中央部とを結ぶ直線上に各磁気ヘッド素子が配置されていることをいうものとする。そして、本発明および本明細書における「素子アレイの軸線」とは、一方のサーボ信号読み取り素子の中央部と他方のサーボ信号読み取り素子の中央部とを結んだ直線をいうものとする。
【0028】
次に、図面を参照してモジュールの構成等について更に説明する。ただし、図面に示されている形態は例示であって、本発明を限定するものではない。
【0029】
図５は、磁気ヘッドのモジュールの一例を示す概略図である。図５に示すモジュールは、一対のサーボ信号読み取り素子（サーボ信号読み取り素子１および２）の間に複数の磁気ヘッド素子を有する。磁気ヘッド素子は、「チャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）」とも呼ばれる。図中の「Ｃｈ」は、Ｃｈａｎｎｎｅｌの略称である。図５に示すモジュールは、Ｃｈ０～Ｃｈ３１の合計３２個の磁気ヘッド素子を有する。
【0030】
図５中、「Ｌ」は、一対のサーボ信号読み取り素子間の距離、即ち、一方のサーボ信号読み取り素子と他方のサーボ信号読み取り素子との間の距離である。図５に示すモジュールでは、「Ｌ」は、サーボ信号読み取り素子１とサーボ信号読み取り素子２との間の距離である。詳しくは、サーボ信号読み取り素子１の中央部とサーボ信号読み取り素子２の中央部との間の距離である。かかる距離は、例えば光学顕微鏡等によって測定することができる。
【0031】
図６は、磁気テープ装置における磁気テープ走行中のモジュールと磁気テープとの相対的な位置関係の説明図である。図６中、点線Ａは、磁気テープの幅方向を示す。点線Ｂは、素子アレイの軸線を示す。角度θは、磁気テープ走行中のヘッド傾き角度ということができ、点線Ａと点線Ｂとがなす角度である。磁気テープ走行中、角度θが０°の場合、素子アレイの一方のサーボ信号読み取り素子と他方のサーボ信号読み取り素子との間の磁気テープ幅方向における距離（以下、「サーボ信号読み取り素子間実効距離」とも記載する。）は、「Ｌ」である。これに対し、サーボ信号読み取り素子間実効距離は、角度θが０°超の場合、「Ｌｃｏｓθ」であり、ＬｃｏｓθはＬより小さくなる。即ち、「Ｌｃｏｓθ＜Ｌ」である。
【0032】
先に記載したように、記録または再生時、磁気テープの幅変形によってデータを記録または再生するための磁気ヘッドが狙いのトラック位置からずれてデータの記録または再生を行ってしまうと、記録済データの上書き、再生不良等の現象が発生してしまう。例えば、磁気テープの幅が収縮または伸長すると、狙いのトラック位置で記録または再生を行うべき磁気ヘッド素子が、異なるトラック位置で記録または再生を行ってしまう現象が発生し得る。また、磁気テープの幅が伸長すると、サーボ信号読み取り素子間実効距離が、データバンドを挟んで隣り合う２本のサーボバンドの間隔（「サーボバンド間隔」または「サーボバンドの間隔」とも記載する。詳しくは、磁気テープの幅方向における上記２本のサーボバンドの間の距離。）より短くなってしまい、磁気テープのエッジに近い部分でデータの記録または再生が行われない現象が発生し得る。
これに対し、素子アレイを０°超の角度θで傾けると、先に説明したように、サーボ信号読み取り素子間実効距離は、「Ｌｃｏｓθ」となる。θの値が大きいほどＬｃｏｓθの値は小さくなり、θの値が小さいほどＬｃｏｓθの値は大きくなる。したがって、磁気テープの幅方向の寸法変化（即ち収縮または伸長）の程度に応じてθの値を変化させれば、サーボ信号読み取り素子間実効距離を、サーボバンドの間隔に近づけるか一致させることが可能になる。これにより、記録または再生時、磁気テープの幅変形によってデータを記録または再生するための磁気ヘッドが狙いのトラック位置からずれてデータの記録または再生を行ってしまうことによって記録済データの上書き、再生不良等の現象が発生することを防ぐことができるか、またはその発生頻度を下げることができる。
これに対し、素子アレイを０°超の角度θで傾けると、先に説明したように、サーボ信号読み取り素子間実効距離は、「Ｌｃｏｓθ」となる。θの値が大きいほどＬｃｏｓθの値は小さくなり、θの値が小さいほどＬｃｏｓθの値は大きくなる。したがって、磁気テープの幅方向の寸法変化（即ち収縮または伸長）の程度に応じてθの値を変化させれば、サーボ信号読み取り素子間実効距離を、サーボバンドの間隔に近づけるか一致させることが可能になる。これにより、記録または再生時、磁気テープの幅変形によってデータを記録または再生するための磁気ヘッドが狙いのトラック位置からずれてデータの記録または再生を行ってしまうことによって記録済データの上書き、再生不良等の現象が発生することを防ぐことができるか、またはその発生頻度を下げることができる。
【0033】
図７は、磁気テープ走行中の角度θの変化に関する説明図である。
走行開始時の角度θであるθｉｎｉｔｉａｌは、例えば０°以上または０°超に設定することができる。
図７中、中央の図が、走行開始時のモジュールの状態を示している。
図７中、右図は、角度θを、θｉｎｉｔｉａｌより大きな角度である角度θｃとしたときのモジュールの状態を示している。サーボ信号読み取り素子間実効距離Ｌｃｏｓθｃは、磁気テープ走行開始時のＬｃｏｓθｉｎｉｔｉａｌより小さな値となる。磁気テープ走行中に磁気テープの幅が収縮した（ｃｏｎｔｒａｃｔｅｄ）場合、かかる角度調整を行うことが好ましい。
一方、図７中、左図は、角度θを、θｉｎｉｔｉａｌより小さな角度である角度θｅとしたときのモジュールの状態を示している。サーボ信号読み取り素子間実効距離Ｌｃｏｓθｅは、磁気テープ走行開始時のＬｃｏｓθｉｎｉｔｉａｌより大きな値となる。磁気テープ走行中に磁気テープの幅が伸長した（ｅｘｐａｎｄｅｄ）場合、かかる角度調整を行うことが好ましい。
走行開始時の角度θであるθｉｎｉｔｉａｌは、例えば０°以上または０°超に設定することができる。
図７中、中央の図が、走行開始時のモジュールの状態を示している。
図７中、右図は、角度θを、θｉｎｉｔｉａｌより大きな角度である角度θｃとしたときのモジュールの状態を示している。サーボ信号読み取り素子間実効距離Ｌｃｏｓθｃは、磁気テープ走行開始時のＬｃｏｓθｉｎｉｔｉａｌより小さな値となる。磁気テープ走行中に磁気テープの幅が収縮した（ｃｏｎｔｒａｃｔｅｄ）場合、かかる角度調整を行うことが好ましい。
一方、図７中、左図は、角度θを、θｉｎｉｔｉａｌより小さな角度である角度θｅとしたときのモジュールの状態を示している。サーボ信号読み取り素子間実効距離Ｌｃｏｓθｅは、磁気テープ走行開始時のＬｃｏｓθｉｎｉｔｉａｌより大きな値となる。磁気テープ走行中に磁気テープの幅が伸長した（ｅｘｐａｎｄｅｄ）場合、かかる角度調整を行うことが好ましい。
【0034】
以上説明したように、磁気テープ走行中にヘッド傾き角度を変化させることは、記録または再生時、磁気テープの幅変形によってデータを記録または再生するための磁気ヘッドが狙いのトラック位置からずれてデータの記録または再生を行ってしまうことによって記録済データの上書き、再生不良等の現象が発生することを防ぐことに寄与し得るか、またはその発生頻度を下げることに寄与し得る。
ただし、例えば上記のような動的なトラック位置の制御手段では、通常、テープ幅変形の線形成分に起因するオフトラックは補償できるものの、非線形成分に起因するオフトラックは抑制困難である。これに対し、上記磁気テープでは、ｃｏｓθおよびｃｏｓθの幅方向σが上記範囲であることが、テープ幅変形の非線形成分を低減することに寄与すると推察される。これによりドライブの動作安定性を向上させることが可能になると考えられる。かかる磁気テープは、トラック密度をより高密度化するうえで好ましい。
ただし、例えば上記のような動的なトラック位置の制御手段では、通常、テープ幅変形の線形成分に起因するオフトラックは補償できるものの、非線形成分に起因するオフトラックは抑制困難である。これに対し、上記磁気テープでは、ｃｏｓθおよびｃｏｓθの幅方向σが上記範囲であることが、テープ幅変形の非線形成分を低減することに寄与すると推察される。これによりドライブの動作安定性を向上させることが可能になると考えられる。かかる磁気テープは、トラック密度をより高密度化するうえで好ましい。
【0035】
以下、上記磁気テープについて更に詳細に説明する。
【0036】
＜磁性層＞
（強磁性粉末）
上記磁性層は、強磁性粉末として六方晶フェライト粉末を含む。六方晶フェライト粉末の粒子サイズの指標としては、磁化反転の単位である活性化体積を採用することができる。一形態では、上記磁性層に含まれる六方晶フェライト粉末の活性化体積は、１６００ｎｍ３以下であることができ、１５００ｎｍ３以下または１４００ｎｍ３以下であってもよい。一般に、活性化体積が小さいほど高密度記録化に適していると言うことができる。一方、磁化の安定性の観点からは、上記六方晶フェライト粉末の活性化体積は、８００ｎｍ３以上であることが好ましく、１０００ｎｍ３以上であることがより好ましく、１２００ｎｍ３以上であることが更に好ましい。
（強磁性粉末）
上記磁性層は、強磁性粉末として六方晶フェライト粉末を含む。六方晶フェライト粉末の粒子サイズの指標としては、磁化反転の単位である活性化体積を採用することができる。一形態では、上記磁性層に含まれる六方晶フェライト粉末の活性化体積は、１６００ｎｍ３以下であることができ、１５００ｎｍ３以下または１４００ｎｍ３以下であってもよい。一般に、活性化体積が小さいほど高密度記録化に適していると言うことができる。一方、磁化の安定性の観点からは、上記六方晶フェライト粉末の活性化体積は、８００ｎｍ３以上であることが好ましく、１０００ｎｍ３以上であることがより好ましく、１２００ｎｍ３以上であることが更に好ましい。
【0037】
「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本発明および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁力計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。なお、異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０－１Ｊ／ｍ３である。
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ－１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ－１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］
【0038】
以上記載した活性化体積は、粉末として存在する六方晶フェライト粉末については、粉末そのものを測定用試料として用いて求めることができる。一方、磁気テープの磁性層に含まれている六方晶フェライト粉末については、磁性層から粉末を採取し測定用試料を得ることができる。測定用試料の採取は、例えば以下の方法により行うことができる。
１．磁性層表面にヤマト科学製プラズマリアクターで１～２分間表面処理を施し、磁性層表面の有機物成分（結合剤等）を灰化して取り除く。
２．シクロヘキサノン、アセトン等の有機溶媒を浸したろ紙を金属棒のエッジ部に貼り付け、その上で上記１．の処理後の磁性層表面をこすり、磁性層成分を磁気テープからろ紙へ転写することによって、磁性層成分を磁性層から剥離する。
３．上記２．で磁性層から剥離した磁性層成分をシクロヘキサノン、アセトン等の有機溶媒の中に振るい落とし（ろ紙ごと有機溶媒の中に入れ超音波分散機で振るい落とす）、有機溶媒を乾燥させ磁性層成分を取り出す。
４．上記３．で振るい落とした磁性層成分を十分洗浄したガラス試験管に入れ、その中にｎ－ブチルアミンを、例えば２０ｍｌ程度加えてガラス試験管を密閉する。（ｎ－ブチルアミンは、灰化せず残留した有機物成分を分解できる量加える。）
５．ガラス試験管を内温１７０℃で２０時間以上加熱し、有機物成分を分解する。
６．上記５．の分解後の沈殿物を純水で十分に洗浄後乾燥させ、粉末を取り出す。
７．上記６．で採取した粉末にネオジム磁石を近づけ吸着した粉末（即ち六方晶フェライト粉末）を取り出す。
以上の工程により、磁性層から活性化体積を測定するための六方晶フェライト粉末を採取することができる。上記処理によって六方晶フェライト粉末が受けるダメージはほとんどないため、上記方法により、磁性層に含まれていた状態の六方晶フェライト粉末について活性化体積の測定が可能である。
１．磁性層表面にヤマト科学製プラズマリアクターで１～２分間表面処理を施し、磁性層表面の有機物成分（結合剤等）を灰化して取り除く。
２．シクロヘキサノン、アセトン等の有機溶媒を浸したろ紙を金属棒のエッジ部に貼り付け、その上で上記１．の処理後の磁性層表面をこすり、磁性層成分を磁気テープからろ紙へ転写することによって、磁性層成分を磁性層から剥離する。
３．上記２．で磁性層から剥離した磁性層成分をシクロヘキサノン、アセトン等の有機溶媒の中に振るい落とし（ろ紙ごと有機溶媒の中に入れ超音波分散機で振るい落とす）、有機溶媒を乾燥させ磁性層成分を取り出す。
４．上記３．で振るい落とした磁性層成分を十分洗浄したガラス試験管に入れ、その中にｎ－ブチルアミンを、例えば２０ｍｌ程度加えてガラス試験管を密閉する。（ｎ－ブチルアミンは、灰化せず残留した有機物成分を分解できる量加える。）
５．ガラス試験管を内温１７０℃で２０時間以上加熱し、有機物成分を分解する。
６．上記５．の分解後の沈殿物を純水で十分に洗浄後乾燥させ、粉末を取り出す。
７．上記６．で採取した粉末にネオジム磁石を近づけ吸着した粉末（即ち六方晶フェライト粉末）を取り出す。
以上の工程により、磁性層から活性化体積を測定するための六方晶フェライト粉末を採取することができる。上記処理によって六方晶フェライト粉末が受けるダメージはほとんどないため、上記方法により、磁性層に含まれていた状態の六方晶フェライト粉末について活性化体積の測定が可能である。
【0039】
本発明および本明細書において、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味するものとし、集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している形態に限定されず、結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している形態も包含される。以上の点は、非磁性粉末等の、本発明および本明細書における各種粉末についても同様とする。六方晶フェライト粉末を構成する粒子（六方晶フェライト粒子）を、「六方晶フェライト粒子」または単に「粒子」とも呼ぶ。
先に記載したＳＴＥＭ像において観察される全六方晶フェライト粒子の中で、先に記載したアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の占める割合は、ＳＴＥＭ像において観察される全六方晶フェライト粒子に対する粒子数基準の割合として、例えば５０％以上であることができる。また、上記割合は、例えば９５％以下であることができ、９５％超であることもできる。六方晶フェライト粉末のその他の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。
先に記載したＳＴＥＭ像において観察される全六方晶フェライト粒子の中で、先に記載したアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の占める割合は、ＳＴＥＭ像において観察される全六方晶フェライト粒子に対する粒子数基準の割合として、例えば５０％以上であることができる。また、上記割合は、例えば９５％以下であることができ、９５％超であることもできる。六方晶フェライト粉末のその他の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。
【0040】
本発明および本明細書において、「六方晶フェライト粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相として六方晶フェライトの結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。主相とは、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが帰属する構造をいう。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが六方晶フェライトの結晶構造に帰属される場合、六方晶フェライトの結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。Ｘ線回折分析によって単一の構造のみが検出された場合には、この検出された構造を主相とする。六方晶フェライトの結晶構造は、構成原子として、少なくとも鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含む。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、ストロンチウム原子、バリウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。本発明および本明細書において、六方晶ストロンチウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がストロンチウム原子であるものをいい、六方晶バリウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がバリウム原子であるものをいう。主な二価金属原子とは、この粉末に含まれる二価金属原子の中で、原子％基準で最も多くを占める二価金属原子をいうものとする。ただし、上記の二価金属原子には、希土類原子は包含されないものとする。本発明および本明細書における「希土類原子」は、スカンジウム原子（Ｓｃ）、イットリウム原子（Ｙ）、およびランタノイド原子からなる群から選択される。ランタノイド原子は、ランタン原子（Ｌａ）、セリウム原子（Ｃｅ）、プラセオジム原子（Ｐｒ）、ネオジム原子（Ｎｄ）、プロメチウム原子（Ｐｍ）、サマリウム原子（Ｓｍ）、ユウロピウム原子（Ｅｕ）、ガドリニウム原子（Ｇｄ）、テルビウム原子（Ｔｂ）、ジスプロシウム原子（Ｄｙ）、ホルミウム原子（Ｈｏ）、エルビウム原子（Ｅｒ）、ツリウム原子（Ｔｍ）、イッテルビウム原子（Ｙｂ）、およびルテチウム原子（Ｌｕ）からなる群から選択される。
【0041】
以下に、六方晶フェライト粉末の一形態である六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、更に詳細に説明する。
【0042】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【0043】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含んでいてもよく、含まなくてもよい。六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、鉄原子１００原子％に対して、０．５～５．０原子％の含有率（バルク含有率）で希土類原子を含むことが好ましい。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一形態では、希土類原子表層部偏在性を有することができる。本発明および本明細書における「希土類原子表層部偏在性」とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により部分溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子表層部含有率」または希土類原子に関して単に「表層部含有率」と記載する。）が、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により全溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子バルク含有率」または希土類原子に関して単に「バルク含有率」と記載する。）と、
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶ストロンチウムフェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶ストロンチウムフェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。
【0044】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、希土類原子含有率（バルク含有率）は、鉄原子１００原子％に対して０．５～５．０原子％の範囲であることが好ましい。上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることは、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することに寄与すると考えられる。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末が上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることにより、異方性定数Ｋｕを高めることができるためと推察される。異方性定数Ｋｕは、この値が高いほど、いわゆる熱揺らぎと呼ばれる現象の発生を抑制すること（換言すれば熱的安定性を向上させること）ができる。熱揺らぎの発生が抑制されることにより、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の粒子表層部に希土類原子が偏在することが、表層部の結晶格子内の鉄（Ｆｅ）のサイトのスピンを安定化することに寄与し、これにより異方性定数Ｋｕが高まるのではないかと推察される。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気テープの走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５～４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０～４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５～４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気テープの走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５～４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０～４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５～４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。
【0045】
上記バルク含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる含有率である。なお本発明および本明細書において、特記しない限り、原子について含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められるバルク含有率をいうものとする。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子として１種の希土類原子のみ含んでもよく、２種以上の希土類原子を含んでもよい。２種以上の希土類原子を含む場合の上記バルク含有率とは、２種以上の希土類原子の合計について求められる。この点は、本発明および本明細書における他の成分についても同様である。即ち、特記しない限り、ある成分は、１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。２種以上用いられる場合の含有量または含有率とは、２種以上の合計についていうものとする。
【0046】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、含まれる希土類原子は、希土類原子のいずれか１種以上であればよい。繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点から好ましい希土類原子としては、ネオジム原子、サマリウム原子、イットリウム原子およびジスプロシウム原子を挙げることができ、ネオジム原子、サマリウム原子およびイットリウム原子がより好ましく、ネオジム原子が更に好ましい。
【0047】
希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、偏在の程度は限定されるものではない。例えば、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は１．０超であり、１．５以上であることができる。「表層部含有率／バルク含有率」が１．０より大きいことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。また、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は、例えば、１０．０以下、９．０以下、８．０以下、７．０以下、６．０以下、５．０以下、または４．０以下であることができる。ただし、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、上記の「表層部含有率／バルク含有率」は、例示した上限または下限に限定されるものではない。
【0048】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の部分溶解および全溶解について、以下に説明する。粉末として存在している六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、部分溶解および全溶解する試料粉末は、同一ロットの粉末から採取する。一方、磁気テープの磁性層に含まれている六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、磁性層から取り出した六方晶ストロンチウムフェライト粉末の一部を部分溶解に付し、他の一部を全溶解に付す。磁性層からの六方晶ストロンチウムフェライト粉末の採取は、例えば先に記載したように行うことができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０～２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０～２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。
【0049】
磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本発明および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１５ｋＯｅで測定される値とする。１［ｋＯｅ］＝１０６／４π［Ａ／ｍ］である。
【0050】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の構成原子の含有率（バルク含有率）に関して、ストロンチウム原子含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば２．０～１５．０原子％の範囲であることができる。一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、この粉末に含まれる二価金属原子がストロンチウム原子のみであることができる。また他の一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、ストロンチウム原子に加えて１種以上の他の二価金属原子を含むこともできる。例えば、バリウム原子および／またはカルシウム原子を含むことができる。ストロンチウム原子以外の他の二価金属原子が含まれる場合、六方晶ストロンチウムフェライト粉末におけるバリウム原子含有率およびカルシウム原子含有率は、それぞれ、例えば、鉄原子１００原子％に対して、０．０５～５．０原子％の範囲であることができる。
【0051】
六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。結晶構造は、Ｘ線回折分析によって確認することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によって、単一の結晶構造または２種以上の結晶構造が検出されるものであることができる。例えば一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によってＭ型の結晶構造のみが検出されるものであることができる。例えば、Ｍ型の六方晶フェライトは、ＡＦｅ１２Ｏ１９の組成式で表される。ここでＡは二価金属原子を表し、六方晶ストロンチウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはストロンチウム原子（Ｓｒ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをストロンチウム原子（Ｓｒ）が占める。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の二価金属原子含有率は、通常、六方晶フェライトの結晶構造の種類により定まるものであり、特に限定されるものではない。鉄原子含有率および酸素原子含有率についても、同様である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、少なくとも、鉄原子、ストロンチウム原子および酸素原子を含み、更に希土類原子を含むこともできる。更に、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、これら原子以外の原子を含んでもよく、含まなくてもよい。一例として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、アルミニウム原子（Ａｌ）を含むものであってもよい。アルミニウム原子の含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば０．５～１０．０原子％であることができる。繰り返し再生における再生出力低下をより一層抑制する観点からは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子を含み、これら原子以外の原子の含有率が、鉄原子１００原子％に対して、１０．０原子％以下であることが好ましく、０～５．０原子％の範囲であることがより好ましく、０原子％であってもよい。即ち、一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子以外の原子を含まなくてもよい。上記の原子％で表示される含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる各原子の含有率（単位：質量％）を、各原子の原子量を用いて原子％表示の値に換算して求められる。また、本発明および本明細書において、ある原子について「含まない」とは、全溶解してＩＣＰ分析装置により測定される含有率が０質量％であることをいう。ＩＣＰ分析装置の検出限界は、通常、質量基準で０．０１ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）以下である。上記の「含まない」とは、ＩＣＰ分析装置の検出限界未満の量で含まれることを包含する意味で用いるものとする。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一形態では、ビスマス原子（Ｂｉ）を含まないものであることができる。
【0052】
磁性層における強磁性粉末の含有率（充填率）は、磁性層の全質量に対して、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。
【0053】
（結合剤）
上記磁気テープは塗布型の磁気テープであることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤とは、１種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１を参照できる。また、結合剤は、電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂であってもよい。放射線硬化型樹脂については、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００４４～００４５を参照できる。
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例の欄に記載の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。結合剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～３０．０質量部の量で使用することができる。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ（Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
上記磁気テープは塗布型の磁気テープであることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤とは、１種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１を参照できる。また、結合剤は、電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂であってもよい。放射線硬化型樹脂については、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００４４～００４５を参照できる。
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例の欄に記載の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。結合剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～３０．０質量部の量で使用することができる。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ（Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
【0054】
（硬化剤）
結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一形態では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一形態では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０～８０．０質量部の量で使用することができる。
結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一形態では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一形態では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０～８０．０質量部の量で使用することができる。
【0055】
（添加剤）
磁性層には、必要に応じて１種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤は任意の量で使用することができる。添加剤の具体例としては、上記の硬化剤および先に記載した分散剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末（例えば無機粉末、カーボンブラック等）、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。例えば、非磁性粉末としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末（例えば非磁性コロイド粒子等）等が挙げられる。なお、後述の実施例に示すコロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）の平均粒子サイズは、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められた値である。研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３－１３１２８５号公報の段落００１２～００２２に記載の分散剤を、研磨剤の分散性を向上するための分散剤として挙げることができる。例えば、潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０～００３３、００３５および００３６を参照できる。非磁性層に潤滑剤が含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０、００３１、００３４、００３５および００３６を参照できる。分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。分散剤は、非磁性層に含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。
磁性層には、必要に応じて１種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤は任意の量で使用することができる。添加剤の具体例としては、上記の硬化剤および先に記載した分散剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末（例えば無機粉末、カーボンブラック等）、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。例えば、非磁性粉末としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末（例えば非磁性コロイド粒子等）等が挙げられる。なお、後述の実施例に示すコロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）の平均粒子サイズは、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められた値である。研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３－１３１２８５号公報の段落００１２～００２２に記載の分散剤を、研磨剤の分散性を向上するための分散剤として挙げることができる。例えば、潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０～００３３、００３５および００３６を参照できる。非磁性層に潤滑剤が含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０、００３１、００３４、００３５および００３６を参照できる。分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。分散剤は、非磁性層に含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。
【0056】
フッ素含有化合物
一形態では、上記磁気テープは、磁性層側の部分にフッ素含有化合物を１種以上含むことができる。ｃｏｓθの幅方向σの値を上記範囲に制御するうえで、磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含有させることが好ましいことが、本発明者の検討の結果、明らかとなった。
一形態では、上記磁気テープは、磁性層側の部分にフッ素含有化合物を１種以上含むことができる。ｃｏｓθの幅方向σの値を上記範囲に制御するうえで、磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含有させることが好ましいことが、本発明者の検討の結果、明らかとなった。
【0057】
本発明および本明細書において、「フッ素含有化合物」とは、１分子あたり１つ以上のフッ素原子（Ｆ）を含有する化合物である。フッ素含有化合物としては、市販の化合物または公知の方法によって合成可能な化合物の１種を使用することができ、２種以上を任意の割合で混合して使用することもできる。フッ素原子は、例えば、－ＣＦ３、－ＣＨＦ２、－ＣＨ２Ｆ等の含フッ素置換基等の各種形態でフッ素含有化合物に含まれ得る。また、フッ素含有化合物は、架橋構造を形成可能な反応性基を有する化合物であることもできる。架橋構造を形成可能な反応性基としては、エポキシ基、イソシアネート基、ヒドロキシ基等を挙げることができる。架橋構造を形成可能な反応性基を有するフッ素含有化合物は、上記反応性基の少なくとも一部が反応（架橋）した状態で磁気テープに含まれ得る。
【0058】
フッ素含有化合物は、１種または２種以上を磁気テープの製造のために使用することができる。一形態では、磁性層形成用組成物の成分としてフッ素含有化合物を添加することによって、磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含む磁気テープを作製することができる。また、一形態では、フッ素含有化合物を含む塗布液を調製し、この塗布液を磁性層の表面に塗布（いわゆるオーバーコート）することによって、フッ素含有化合物を磁性層側の部分に存在させることができる。磁性層形成用組成物へのフッ素含有化合物の添加量は、例えば、強磁性粉末１００．０質量部あたり、０．１質量部以上１０．０質量部以下であることができる。ただし、上記範囲は例示であって、フッ素含有化合物の種類等に応じて添加量を調整することができる。
【0059】
以上説明した磁性層は、非磁性支持体表面上に直接、または非磁性層を介して間接的に、設けることができる。
【0060】
＜非磁性層＞
次に、非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末（無機粉末）でも有機物質の粉末（有機粉末）でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０～００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有率（充填率）は、非磁性層の総質量に対して、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。
次に、非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末（無機粉末）でも有機物質の粉末（有機粉末）でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０～００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有率（充填率）は、非磁性層の総質量に対して、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。
【0061】
一形態では、非磁性層は、非磁性粉末として、Ｆｅ基無機酸化物粉末を含むことができる。本発明および本明細書において、「Ｆｅ基（Ｆｅ－ｂａｓｅｄ）無機酸化物粉末」とは、構成元素として鉄を含む無機酸化物粉末をいうものとする。Ｆｅ基無機酸化物粉末の具体例としては、α－酸化鉄粉末、ゲーサイト粉末等を挙げることができる。なお、本発明および本明細書において、「α－酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって主相としてα－酸化鉄の結晶構造が検出される非磁性粉末をいうものとする。α－酸化鉄粉末は、一般に、ヘマタイト等とも呼ばれる。
【0062】
ｃｏｓθの幅方向σを先に記載した範囲に制御する観点から、非磁性層の非磁性粉末として、平均粒子体積が２．０×１０－６μｍ３以下のＦｅ基無機酸化物粉末を使用することが好ましいことが、本発明者の検討の結果、明らかとなった。したがって、非磁性層に含まれるＦｅ基無機酸化物粉末の平均粒子体積は、２．０×１０－６μｍ３以下であることが好ましく、１．５×１０－６μｍ３以下であることがより好ましく、１．０×１０－６μｍ３以下であることが更に好ましい。上記の平均粒子体積は、例えば１．０×１０－９μｍ３以上もしくは１．０×１０－８μｍ３以上であることができ、またはここに例示した値を下回ることもできる。
【0063】
本発明および本明細書において、上記の平均粒子体積は、以下の方法によって求められる値とする。
磁気テープの非磁性層に含まれるＦｅ基無機酸化物粉末を観察するために、まず試料前処理として、ミクロトーム法によって薄片化を行う。薄片化は、磁気テープの長手方向に沿って、磁気テープの厚み方向の断面の観察が可能な薄片サンプルが得られるように行う。後述の実施例について、Ｆｅ基無機酸化物粉末の平均粒子体積を求めるために、ミクロトームとしてＬｅｉｃａ社製Ｌｅｉｃａ ＥＭ ＵＣ６を使用した。
得られた薄片サンプルについて透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて、加速電圧：３００ｋＶ、総倍率２００，０００倍で、非磁性支持体から磁性層までの範囲が含まれるように断面観察を行い、断面ＴＥＭ像を得る。透過型電子顕微鏡としては、例えばＪＥＯＬ社製ＪＥＭ－２１００Ｐｌｕｓを使用することができる。後述の実施例について、Ｆｅ基無機酸化物粉末の平均粒子体積を求めるために、透過型電子顕微鏡としてＪＥＯＬ社製ＪＥＭ－２１００Ｐｌｕｓを使用した。
得られた断面ＴＥＭ像において、非磁性層に含まれる粒子に対して、極微電子線回折法を用いてＦｅ基無機酸化物粉末の粒子を５０個特定する。極微電子線回折法での電子線回折は、透過型電子顕微鏡を用いて、加速電圧２００ｋＶ、カメラ長：５０ｃｍで行う。後述の実施例について、極微電子線回折法での電子線回折のために、透過型電子顕微鏡としてＪＥＯＬ社製ＪＥＭ－２１００Ｐｌｕｓを使用した。
その後、上記のようにして特定されたＦｅ基無機酸化物粉末の粒子５０個を用いて、以下のように平均粒子体積を求める。
まず、各粒子の長軸長（以下、「ＤＬ」と記載する。）と短軸長（以下、「ＤＳ」と記載する。）を測定する。
長軸長ＤＬとは、粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径（Ｆｅｒｅｔ’ｓ Ｄｉａｍｅｔｅｒ））を意味する。
上記のように規定される長軸長の方向を長軸方向と呼ぶと、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸方向と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
次いで、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬの算術平均として、平均長軸長ＤＬａｖｅを求める。ａｖｅは、平均（ａｖｅｒａｇｅ）の略称である。
また、上記の５０個の粒子の短軸長ＤＳの算術平均として、平均短軸長ＤＳａｖｅを求める。
平均長軸長ＤＬａｖｅと平均短軸長ＤＳａｖｅから、以下の式によって平均粒子体積Ｖａｖｅを求める。
Ｖａｖｅ＝π／６×ＤＳａｖｅ２×ＤＬａｖｅ
磁気テープの非磁性層に含まれるＦｅ基無機酸化物粉末を観察するために、まず試料前処理として、ミクロトーム法によって薄片化を行う。薄片化は、磁気テープの長手方向に沿って、磁気テープの厚み方向の断面の観察が可能な薄片サンプルが得られるように行う。後述の実施例について、Ｆｅ基無機酸化物粉末の平均粒子体積を求めるために、ミクロトームとしてＬｅｉｃａ社製Ｌｅｉｃａ ＥＭ ＵＣ６を使用した。
得られた薄片サンプルについて透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて、加速電圧：３００ｋＶ、総倍率２００，０００倍で、非磁性支持体から磁性層までの範囲が含まれるように断面観察を行い、断面ＴＥＭ像を得る。透過型電子顕微鏡としては、例えばＪＥＯＬ社製ＪＥＭ－２１００Ｐｌｕｓを使用することができる。後述の実施例について、Ｆｅ基無機酸化物粉末の平均粒子体積を求めるために、透過型電子顕微鏡としてＪＥＯＬ社製ＪＥＭ－２１００Ｐｌｕｓを使用した。
得られた断面ＴＥＭ像において、非磁性層に含まれる粒子に対して、極微電子線回折法を用いてＦｅ基無機酸化物粉末の粒子を５０個特定する。極微電子線回折法での電子線回折は、透過型電子顕微鏡を用いて、加速電圧２００ｋＶ、カメラ長：５０ｃｍで行う。後述の実施例について、極微電子線回折法での電子線回折のために、透過型電子顕微鏡としてＪＥＯＬ社製ＪＥＭ－２１００Ｐｌｕｓを使用した。
その後、上記のようにして特定されたＦｅ基無機酸化物粉末の粒子５０個を用いて、以下のように平均粒子体積を求める。
まず、各粒子の長軸長（以下、「ＤＬ」と記載する。）と短軸長（以下、「ＤＳ」と記載する。）を測定する。
長軸長ＤＬとは、粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径（Ｆｅｒｅｔ’ｓ Ｄｉａｍｅｔｅｒ））を意味する。
上記のように規定される長軸長の方向を長軸方向と呼ぶと、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸方向と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
次いで、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬの算術平均として、平均長軸長ＤＬａｖｅを求める。ａｖｅは、平均（ａｖｅｒａｇｅ）の略称である。
また、上記の５０個の粒子の短軸長ＤＳの算術平均として、平均短軸長ＤＳａｖｅを求める。
平均長軸長ＤＬａｖｅと平均短軸長ＤＳａｖｅから、以下の式によって平均粒子体積Ｖａｖｅを求める。
Ｖａｖｅ＝π／６×ＤＳａｖｅ２×ＤＬａｖｅ
【0064】
また、一形態では、非磁性層は、非磁性粉末として、カーボンブラックを含むこともできる。カーボンブラックの平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることができる。ｃｏｓθの幅方向σを先に記載した範囲に制御する観点から、非磁性層の非磁性粉末として、ｐＨが９．０以下のカーボンブラックを使用することが好ましいことが、本発明者の検討の結果、明らかとなった。したがって、非磁性層に含まれるカーボンブラックのｐＨは、９．０以下であることが好ましく、８．５以下であることがより好ましく、８．０以下であることが更に好ましく、７．５以下であることが一層好ましい。上記のｐＨは、例えば１．０以上、２．０以上、３．０以上、４．０以上、５．０以上もしくは６．０以上であることができ、またはここに例示した値を下回ることもできる。
【0065】
本発明および本明細書において、カーボンブラックのｐＨは、標準試験法ＡＳＴＭ Ｄ１５１２にしたがい測定される値とする。
【0066】
非磁性層は、平均粒子体積が２．０×１０－６μｍ３以下のＦｅ基無機酸化物粉末およびｐＨが９．０以下のカーボンブラックの少なくとも一方を含むことが好ましく、両方を含むことがより好ましい。非磁性層に含まれる非磁性粉末全量１００．０質量部に対して、平均粒子体積が２．０×１０－６μｍ３以下のＦｅ基無機酸化物粉末の含有量は、５０．０質量部以上、６０．０質量部以上もしくは７０．０質量部以上であることができ、また、例えば９０．０質量部以下であることができる。非磁性層に含まれる非磁性粉末全量１００．０質量部に対して、ｐＨ９．０以下のカーボンブラックの含有量は、１０．０質量部以上もしくは２０．０質量部以上であることができ、また、例えば５０．０質量部以下、４０．０質量部以下もしくは３０．０質量部以下であることができる。
【0067】
非磁性層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細については、非磁性層に関する公知技術を適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。
【0068】
上記磁気テープの非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。
【0069】
＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。
【0070】
＜バックコート層＞
上記テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもでき、有さないこともできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末の一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。バックコート層の非磁性粉末、結合剤、添加剤等の詳細については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
上記テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもでき、有さないこともできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末の一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。バックコート層の非磁性粉末、結合剤、添加剤等の詳細については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
【0071】
＜各種厚み＞
磁気テープの厚み（総厚）に関して、近年の情報量の莫大な増大に伴い、磁気記録媒体には記録容量を高めること（高容量化）が求められている。テープ状の磁気記録媒体（即ち磁気テープ）について、高容量化のための手段としては、磁気テープの厚みを薄くし、磁気テープカートリッジ１巻あたりに収容される磁気テープ長を増すことが挙げられる。この点から、上記磁気テープの厚み（総厚）は、５．６μｍ以下であることが好ましく、５．５μｍ以下であることがより好ましく、５．４μｍ以下であることが更に好ましく、５．３μｍ以下であることが一層好ましく、５．２μｍ以下であることがより一層好ましく、５．０μｍ以下であることが更に一層好ましく、４．８μｍ以下であることがなお一層好ましい。また、ハンドリングの容易性の観点からは、磁気テープの厚みは３．０μｍ以上であることが好ましく、３．５μｍ以上であることがより好ましく、４．０μｍ以上であることが更に好ましい。
磁気テープの厚み（総厚）に関して、近年の情報量の莫大な増大に伴い、磁気記録媒体には記録容量を高めること（高容量化）が求められている。テープ状の磁気記録媒体（即ち磁気テープ）について、高容量化のための手段としては、磁気テープの厚みを薄くし、磁気テープカートリッジ１巻あたりに収容される磁気テープ長を増すことが挙げられる。この点から、上記磁気テープの厚み（総厚）は、５．６μｍ以下であることが好ましく、５．５μｍ以下であることがより好ましく、５．４μｍ以下であることが更に好ましく、５．３μｍ以下であることが一層好ましく、５．２μｍ以下であることがより一層好ましく、５．０μｍ以下であることが更に一層好ましく、４．８μｍ以下であることがなお一層好ましい。また、ハンドリングの容易性の観点からは、磁気テープの厚みは３．０μｍ以上であることが好ましく、３．５μｍ以上であることがより好ましく、４．０μｍ以上であることが更に好ましい。
【0072】
磁気テープの厚み（総厚）は、以下の方法によって測定することができる。
磁気テープの任意の部分からサンプル（例えば長さ５～１０ｃｍ）を１０枚切り出し、これらサンプルを重ねて厚みを測定する。測定された厚みを１０分の１して得られた値（サンプル１枚当たりの厚み）を、総厚とする。上記厚み測定は、０．１μｍオーダーでの厚み測定が可能な公知の測定器を用いて行うことができる。
磁気テープの任意の部分からサンプル（例えば長さ５～１０ｃｍ）を１０枚切り出し、これらサンプルを重ねて厚みを測定する。測定された厚みを１０分の１して得られた値（サンプル１枚当たりの厚み）を、総厚とする。上記厚み測定は、０．１μｍオーダーでの厚み測定が可能な公知の測定器を用いて行うことができる。
【0073】
非磁性支持体の厚みは、好ましくは３．０～５．０μｍである。
磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量、ヘッドギャップ長、記録信号の帯域等に応じて最適化することができ、一般には０．０１μｍ～０．１５μｍであり、高密度記録化の観点から、好ましくは０．０２μｍ～０．１２μｍであり、更に好ましくは０．０３μｍ～０．１μｍである。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する二層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。二層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
非磁性層の厚みは、例えば０．１～１．５μｍであり、０．１～１．０μｍであることが好ましく、０．１～０．７μｍであることが更に好ましい。
バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１～０．７μｍであることが更に好ましい。
磁性層の厚み等の各種厚みは、以下の方法により求めることができる。
磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡によって断面観察を行う。断面観察において任意の２箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各種厚みは、製造条件等から算出される設計厚みとして求めることもできる。
磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量、ヘッドギャップ長、記録信号の帯域等に応じて最適化することができ、一般には０．０１μｍ～０．１５μｍであり、高密度記録化の観点から、好ましくは０．０２μｍ～０．１２μｍであり、更に好ましくは０．０３μｍ～０．１μｍである。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する二層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。二層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
非磁性層の厚みは、例えば０．１～１．５μｍであり、０．１～１．０μｍであることが好ましく、０．１～０．７μｍであることが更に好ましい。
バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１～０．７μｍであることが更に好ましい。
磁性層の厚み等の各種厚みは、以下の方法により求めることができる。
磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡によって断面観察を行う。断面観察において任意の２箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各種厚みは、製造条件等から算出される設計厚みとして求めることもできる。
【0074】
＜製造工程＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層およびバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶剤を含む。溶剤としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶剤の１種または２種以上を用いることができる。具体的には、任意の比率でアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン系溶剤、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、メチルシクロヘキサノール等のアルコール系溶剤、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、乳酸エチル、酢酸グリコール等のエステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエーテル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン、クレゾール、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロロヒドリン、ジクロロベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ヘキサン等を使用することができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、磁性層形成用組成物には、ケトン系溶剤の１種以上が含まれることが好ましい。一形態では、磁性層形成用組成物の調製のための溶剤として、１種または２種以上の溶剤と、これら溶剤より低沸点のフッ素系溶剤とを併用することができる。併用される溶剤より低沸点のフッ素系溶剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば５．０質量部以上２０．０質量部以下の量で磁性層形成用組成物の調製時に使用することができる。また、その使用量は、併用される溶剤量より少量であることが好ましい。併用される溶剤量（２種以上使用される場合はそれらの合計量）は、例えば、強磁性粉末１００．０質量部に対して、１００．０質量部以上または２００．０質量部以上であることができ、また、８００．０質量部以下または６００．０質量部以下であることができる。一形態では、併用される溶剤より低沸点のフッ素系溶剤の沸点は、５０℃以上７０℃以下であることができ、併用される溶剤の沸点は７５℃以上２００℃以下であることができる。ただし、上記磁気テープを製造するために磁性層形成用組成物の調製に使用される溶剤の沸点は上記範囲に限定されるものではない。なお、本発明および本明細書において、「沸点」とは、１気圧（１気圧は１０１３２５Ｐａ（パスカル））における沸点をいう。フッ素系溶剤の具体例としては、３Ｍ社製Ｎｏｖｅｃシリーズ等を挙げることができる。ただし、これに限定されず、各種フッ素系溶剤の１種または２種以上を用いることができる。
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層およびバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶剤を含む。溶剤としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶剤の１種または２種以上を用いることができる。具体的には、任意の比率でアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン系溶剤、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、メチルシクロヘキサノール等のアルコール系溶剤、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、乳酸エチル、酢酸グリコール等のエステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエーテル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン、クレゾール、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロロヒドリン、ジクロロベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ヘキサン等を使用することができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、磁性層形成用組成物には、ケトン系溶剤の１種以上が含まれることが好ましい。一形態では、磁性層形成用組成物の調製のための溶剤として、１種または２種以上の溶剤と、これら溶剤より低沸点のフッ素系溶剤とを併用することができる。併用される溶剤より低沸点のフッ素系溶剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば５．０質量部以上２０．０質量部以下の量で磁性層形成用組成物の調製時に使用することができる。また、その使用量は、併用される溶剤量より少量であることが好ましい。併用される溶剤量（２種以上使用される場合はそれらの合計量）は、例えば、強磁性粉末１００．０質量部に対して、１００．０質量部以上または２００．０質量部以上であることができ、また、８００．０質量部以下または６００．０質量部以下であることができる。一形態では、併用される溶剤より低沸点のフッ素系溶剤の沸点は、５０℃以上７０℃以下であることができ、併用される溶剤の沸点は７５℃以上２００℃以下であることができる。ただし、上記磁気テープを製造するために磁性層形成用組成物の調製に使用される溶剤の沸点は上記範囲に限定されるものではない。なお、本発明および本明細書において、「沸点」とは、１気圧（１気圧は１０１３２５Ｐａ（パスカル））における沸点をいう。フッ素系溶剤の具体例としては、３Ｍ社製Ｎｏｖｅｃシリーズ等を挙げることができる。ただし、これに限定されず、各種フッ素系溶剤の１種または２種以上を用いることができる。
【0075】
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ二段階以上に分かれていてもよい。各層形成用組成物の調製に用いられる各種成分は、どの工程の最初または途中で添加してもよい。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもよい。例えば、結合剤を、混練工程、分散工程および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。上記磁気テープの製造工程では、従来の公知の製造技術を一部の工程として用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつものを使用することができる。混練工程の詳細については、特開平１－１０６３３８号公報および特開平１－７９２７４号公報に記載されている。分散機としては、ビーズミル、ボールミル、サンドミルまたはホモミキサー等のせん断力を利用する各種の公知の分散機を使用することができる。分散には、好ましくは分散ビーズを用いることができる。分散ビーズとしては、セラミックビーズ、ガラスビーズ等が挙げられ、ジルコニアビーズが好ましい。２種以上のビーズを組み合わせて使用してもよい。分散ビーズのビーズ径（粒径）およびビーズ充填率は、特に限定されるものではなく、分散対象の粉末に応じて設定すればよい。ｃｏｓθが０．８５以上１．００以下の磁気テープを得るための手段の１つとして、分散条件を強化すること（例えば分散時間の長時間化、分散に用いる分散ビーズの小径化および／または高充填化、分散剤の利用等）も好ましい。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１～３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
【0076】
（塗布工程、冷却工程、加熱乾燥工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
磁性層は、磁性層形成用組成物を、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
【0077】
先に記載した通り、上記磁気テープは、一形態では、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有することができる。かかる磁気テープは、好ましくは、逐次重層塗布により製造することができる。逐次重層塗布を行う製造工程は、好ましくは次のように実施することができる。非磁性層を、非磁性層形成用組成物を非磁性支持体上に塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、形成した塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を経て形成する。そして形成された非磁性層上に磁性層形成用組成物を塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、形成した塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を経て、磁性層を形成する。
【0078】
かかる逐次重層塗布を行う製造方法の非磁性層形成工程において、非磁性層形成用組成物を用いて塗布工程を行って塗布層を形成し、かつ塗布工程と加熱乾燥工程との間に、塗布層を冷却する冷却工程を行うことは、ｃｏｓθの幅方向σの値を小さくするために好ましいと本発明者は考えている。
【0079】
以下、上記磁気テープの製造工程の一例を、図８に基づき説明する。ただし本発明は、下記の例に限定されるものではない。
【0080】
図８は、非磁性支持体の一方の面に非磁性層と磁性層とをこの順に有し、他方の面にバックコート層を有する磁気テープを製造する工程の一例を示す工程概略図である。図８に示す例では、非磁性支持体（長尺フィルム）を、送り出し部から送り出し巻取り部で巻取る操作を連続的に行い、かつ図８に示されている各部または各ゾーンにおいて塗布、乾燥、配向等の各種処理を行うことにより、走行する非磁性支持体上の一方の面に非磁性層および磁性層を逐次重層塗布により形成し、他方の面にバックコート層を形成することができる。図８に示す例は、冷却ゾーンを含む点以外は、塗布型磁気記録媒体の製造のために通常行われる製造工程と同様にすることができる。
【0081】
送り出し部から送り出された非磁性支持体上には、第一の塗布部において、非磁性層形成用組成物の塗布が行われる（非磁性層形成用組成物の塗布工程）。
【0082】
上記塗布工程後、冷却ゾーンにおいて、塗布工程で形成された非磁性層形成用組成物の塗布層が冷却される（冷却工程）。例えば、上記塗布層を形成した非磁性支持体を冷却雰囲気中に通過させることにより、冷却工程を行うことができる。冷却雰囲気の雰囲気温度は、好ましくは－１０℃～０℃の範囲とすることができ、より好ましくは－５℃～０℃の範囲とすることができる。冷却工程を行う時間（例えば、塗布層の任意の部分が冷却ゾーンに搬入されてから搬出されるまでの時間（以下において、「滞在時間」ともいう。））は特に限定されるものではない。滞在時間を長くするほど、ｃｏｓθの幅方向σの値を小さくできる傾向がある。冷却工程では、冷却した気体を塗布層表面に吹き付けてもよい。
【0083】
冷却ゾーンの後、第一の加熱処理ゾーンでは、冷却工程後の塗布層を加熱することにより、塗布層を乾燥させる（加熱乾燥工程）。加熱乾燥処理は、冷却工程後の塗布層を有する非磁性支持体を加熱雰囲気中に通過させることにより行うことができる。ここでの加熱雰囲気の雰囲気温度、ならびに、後述する第二の加熱処理ゾーンにおける加熱乾燥工程および第三の加熱処理ゾーンにおける加熱乾燥工程における加熱雰囲気の雰囲気温度を「乾燥温度」とも呼ぶ。各加熱処理ゾーンにおける乾燥温度を高くすることは、ｃｏｓθの幅方向σの値を小さくすることに寄与し得る。この点から、各加熱処理ゾーンにおける乾燥温度は、９５℃以上であることが好ましく、１００℃以上であることがより好ましい。また、各加熱処理ゾーンにおける乾燥温度は、例えば１４０℃以下または１３０℃以下とすることができ、ここに挙げた温度より高温であることもできる。また任意に、加熱した気体を塗布層表面に吹き付けてもよい。
【0084】
次に、第二の塗布部において、第一の加熱処理ゾーンにて加熱乾燥工程を行い形成された非磁性層上に、磁性層形成用組成物が塗布される（磁性層形成用組成物の塗布工程）。
【0085】
その後、配向処理を行う形態では、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、配向ゾーンにおいて塗布層中の強磁性粉末の配向処理が行われる。ｃｏｓθが０．８５以上１．００以下である磁気テープを得るための手段の１つとして、垂直配向処理を行うことも好ましい。配向処理については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６７の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける磁気テープの搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。
【0086】
配向処理後の塗布層は、第二の加熱処理ゾーンにおいて加熱乾燥工程に付される。
【0087】
次いで、第三の塗布部において、非磁性支持体の非磁性層および磁性層が形成された面とは反対側の面に、バックコート層形成用組成物が塗布されて塗布層が形成される（バックコート層形成用組成物の塗布工程）。その後、第三の加熱処理ゾーンにおいて、上記塗布層を加熱処理し乾燥させる。
【0088】
以上の工程により、非磁性支持体の一方の面に非磁性層および磁性層をこの順に有し、他方の面にバックコート層を有する磁気テープを得ることができる。
【0089】
（その他の工程）
磁気テープの製造工程では、通常、磁気テープの表面平滑性を高めるためにカレンダ処理が行われる。カレンダ処理条件を強化することは、ｃｏｓθの幅方向σの値を小さくすることに寄与し得る。カレンダ処理条件の強化の具体例としては、カレンダ圧力を高くすること、カレンダ温度を高くすること、カレンダ速度を低速にすること等を挙げることができる。カレンダ処理条件について、カレンダ圧力（線圧）は、好ましくは３００～５００ｋＮ／ｍ、より好ましくは３１０～３５０ｋＮ／ｍであり、カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）は、好ましくは９５～１２０℃、より好ましくは１００～１２０℃であり、カレンダ速度は、好ましくは５０～７５ｍ／分である。
磁気テープ製造のためのその他の各種工程については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６７～００７０を参照できる。
各種工程を経ることによって、長尺状の磁気テープ原反を得ることができる。得られた磁気テープ原反は、公知の裁断機によって、例えば、磁気テープカートリッジに収容すべき磁気テープの幅に裁断（スリット）される。上記の幅は規格にしたがい決定でき、通常、１／２インチである。１インチ＝２．５４ｃｍである。
スリットして得られた磁気テープには、通常、サーボパターンが形成される。
磁気テープの製造工程では、通常、磁気テープの表面平滑性を高めるためにカレンダ処理が行われる。カレンダ処理条件を強化することは、ｃｏｓθの幅方向σの値を小さくすることに寄与し得る。カレンダ処理条件の強化の具体例としては、カレンダ圧力を高くすること、カレンダ温度を高くすること、カレンダ速度を低速にすること等を挙げることができる。カレンダ処理条件について、カレンダ圧力（線圧）は、好ましくは３００～５００ｋＮ／ｍ、より好ましくは３１０～３５０ｋＮ／ｍであり、カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）は、好ましくは９５～１２０℃、より好ましくは１００～１２０℃であり、カレンダ速度は、好ましくは５０～７５ｍ／分である。
磁気テープ製造のためのその他の各種工程については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６７～００７０を参照できる。
各種工程を経ることによって、長尺状の磁気テープ原反を得ることができる。得られた磁気テープ原反は、公知の裁断機によって、例えば、磁気テープカートリッジに収容すべき磁気テープの幅に裁断（スリット）される。上記の幅は規格にしたがい決定でき、通常、１／２インチである。１インチ＝２．５４ｃｍである。
スリットして得られた磁気テープには、通常、サーボパターンが形成される。
【0090】
（サーボパターンの形成）
「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、サーボパターンの形成について説明する。
「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、サーボパターンの形成について説明する。
【0091】
サーボパターンは、通常、磁気テープの長手方向に沿って形成される。サーボ信号を利用する制御（サーボ制御）の方式としては、タイミングベースサーボ（ＴＢＳ）、アンプリチュードサーボ、周波数サーボ等が挙げられる。
【0092】
ＥＣＭＡ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示される通り、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ）規格に準拠した磁気テープ（一般に「ＬＴＯテープ」と呼ばれる。）では、タイミングベースサーボ方式が採用されている。このタイミングベースサーボ方式において、サーボパターンは、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）が、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置されることによって構成されている。本発明および本明細書において、「タイミングベースサーボパターン」とは、タイミングベースサーボ方式のサーボシステムにおけるヘッドトラッキングを可能とするサーボパターンをいう。上記のように、サーボパターンが互いに非平行な一対の磁気ストライプにより構成される理由は、サーボパターン上を通過するサーボ信号読み取り素子に、その通過位置を教えるためである。具体的には、上記の一対の磁気ストライプは、その間隔が磁気テープの幅方向に沿って連続的に変化するように形成されており、サーボ信号読み取り素子がその間隔を読み取ることによって、サーボパターンとサーボ信号読み取り素子との相対位置を知ることができる。この相対位置の情報が、データトラックのトラッキングを可能にする。そのために、サーボパターン上には、通常、磁気テープの幅方向に沿って、複数のサーボトラックが設定されている。
【0093】
サーボバンドは、磁気テープの長手方向に連続するサーボパターンにより構成される。このサーボバンドは、通常、磁気テープに複数本設けられる。例えば、ＬＴＯテープにおいて、その数は５本である。隣接する２本のサーボバンドに挟まれた領域が、データバンドである。データバンドは、複数のデータトラックで構成されており、各データトラックは、各サーボトラックに対応している。
【0094】
また、一形態では、特開２００４－３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」または「ＵＤＩＭ（Ｕｎｉｑｕｅ ＤａｔａＢａｎｄ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ信号読み取り素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。
【0095】
なお、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ信号読み取り素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。
【0096】
また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボストライプの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。
【0097】
上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
【0098】
サーボパターン形成用ヘッドは、サーボライトヘッドと呼ばれる。サーボライトヘッドは、通常、上記一対の磁気ストライプに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１～１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。
【0099】
磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、更に２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。
【0100】
形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。なお、特開２０１２－５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。
【0101】
＜垂直方向角型比＞
一形態では、上記磁気テープの垂直方向角型比は、例えば０．５５以上であることができ、電磁変換特性向上の観点から、０．６０以上であることが好ましく、０．６５以上であることがより好ましい。角型比の上限は、原理上、１．００以下である。上記磁気テープの垂直方向角型比は、１．００以下であることができ、０．９５以下、０．９０以下、０．８５以下または０．８０以下であることができる。磁気テープの垂直方向角型比の値が大きいことは、電磁変換特性向上の観点から好ましい。磁気テープの垂直方向角型比は、垂直配向処理の実施等の公知の方法によって制御することができる。
一形態では、上記磁気テープの垂直方向角型比は、例えば０．５５以上であることができ、電磁変換特性向上の観点から、０．６０以上であることが好ましく、０．６５以上であることがより好ましい。角型比の上限は、原理上、１．００以下である。上記磁気テープの垂直方向角型比は、１．００以下であることができ、０．９５以下、０．９０以下、０．８５以下または０．８０以下であることができる。磁気テープの垂直方向角型比の値が大きいことは、電磁変換特性向上の観点から好ましい。磁気テープの垂直方向角型比は、垂直配向処理の実施等の公知の方法によって制御することができる。
【0102】
本発明および本明細書において、「垂直方向角型比」とは、磁気テープの垂直方向において測定される角型比である。角型比に関して記載する「垂直方向」とは、磁性層表面と直交する方向であり、厚み方向ということもできる。本発明および本明細書において、垂直方向角型比は、以下の方法によって求められる。
測定対象の磁気テープから振動試料型磁力計に導入可能なサイズのサンプル片を切り出す。このサンプル片について、振動試料型磁力計を用いて、最大印加磁界３９７９ｋＡ／ｍ、測定温度２９６Ｋ、磁界掃引速度８．３ｋＡ／ｍ／秒にて、サンプル片の垂直方向（磁性層表面と直交する方向）に磁界を印加し、印加した磁界に対するサンプル片の磁化強度を測定する。磁化強度の測定値は、反磁界補正後の値として、かつ振動試料型磁力計のサンプルプローブの磁化をバックグラウンドノイズとして差し引いた値として得るものとする。最大印加磁界における磁化強度をＭｓ、印加磁界ゼロにおける磁化強度をＭｒとしたとき、角型比ＳＱ（Ｓｑｕａｒｅｎｅｓｓ Ｒａｔｉｏ）は、ＳＱ＝Ｍｒ／Ｍｓとして算出される値である。測定温度はサンプル片の温度をいい、サンプル片の周囲の雰囲気温度を測定温度にすることにより、温度平衡が成り立つことによってサンプル片の温度を測定温度にすることができる。
測定対象の磁気テープから振動試料型磁力計に導入可能なサイズのサンプル片を切り出す。このサンプル片について、振動試料型磁力計を用いて、最大印加磁界３９７９ｋＡ／ｍ、測定温度２９６Ｋ、磁界掃引速度８．３ｋＡ／ｍ／秒にて、サンプル片の垂直方向（磁性層表面と直交する方向）に磁界を印加し、印加した磁界に対するサンプル片の磁化強度を測定する。磁化強度の測定値は、反磁界補正後の値として、かつ振動試料型磁力計のサンプルプローブの磁化をバックグラウンドノイズとして差し引いた値として得るものとする。最大印加磁界における磁化強度をＭｓ、印加磁界ゼロにおける磁化強度をＭｒとしたとき、角型比ＳＱ（Ｓｑｕａｒｅｎｅｓｓ Ｒａｔｉｏ）は、ＳＱ＝Ｍｒ／Ｍｓとして算出される値である。測定温度はサンプル片の温度をいい、サンプル片の周囲の雰囲気温度を測定温度にすることにより、温度平衡が成り立つことによってサンプル片の温度を測定温度にすることができる。
【0103】
［磁気テープカートリッジ］
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
【0104】
上記磁気テープカートリッジに含まれる磁気テープの詳細は、先に記載した通りである。上記磁気テープカートリッジは、磁気ヘッドを備えた磁気テープ装置に装着させ、データの記録および／または再生を行うために用いることができる。
【0105】
磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジは、磁気テープへのデータの記録および／または再生のために磁気テープ装置に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されて磁気テープ装置側のリールに巻取られる。磁気テープカートリッジから巻取りリールまでの磁気テープ搬送経路には、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）と磁気テープ装置側のリール（巻取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻取りが行われる。例えば、この間に磁気ヘッドと磁気テープの磁性層表面とが接触し摺動することにより、データの記録および／または再生が行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジには、供給リールと巻取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。
【0106】
上記磁気テープカートリッジは、一形態では、カートリッジメモリを含むことができる。カートリッジメモリは、例えば不揮発メモリであることができ、一形態では、ヘッド傾き角度調整情報が既に記録されているか、またはヘッド傾き角度調整情報が記録される。ヘッド傾き角度調整情報は、磁気テープ装置内での磁気テープ走行中、ヘッド傾き角度を調整するための情報である。例えば、ヘッド傾き角度調整情報としては、データ記録時の磁気テープの長手方向の各位置におけるサーボバンド間隔の値を記録することができる。例えば、磁気テープに記録されたデータを再生する際、再生時にサーボバンド間隔の値を測定し、カートリッジメモリに記録された同じ長手位置における記録時のサーボバンド間隔との差分の絶対値が０に近づくように、磁気テープ装置の制御装置によってヘッド傾き角度を変化させることができる。ヘッド傾き角度は、例えば先に記載した角度θであることができる。
【0107】
上記磁気テープおよび磁気テープカートリッジは、異なるヘッド傾き角度でデータの記録および／または再生を行う磁気テープ装置（換言すれば磁気記録再生システム）において、好適に使用され得る。かかる磁気テープ装置では、一形態では、磁気テープ走行中にヘッド傾き角度を変化させてデータの記録および／または再生を行うことができる。例えば、ヘッド傾き角度を、磁気テープ走行中に取得される磁気テープの幅方向の寸法情報に応じて変化させることができる。また、例えば、ある回の記録および／または再生におけるヘッド傾き角度と次の回以降の記録および／または再生におけるヘッド傾き角度とを変えたうえで、各回の記録および／または再生のための磁気テープ走行中にはヘッド傾き角度を変化させず固定する使用形態もあり得る。
【0108】
［磁気テープ装置］
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープ装置に関する。上記磁気テープ装置において、磁気テープへのデータの記録および／または磁気テープに記録されたデータの再生は、例えば、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることにより行うことができる。
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープ装置に関する。上記磁気テープ装置において、磁気テープへのデータの記録および／または磁気テープに記録されたデータの再生は、例えば、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることにより行うことができる。
【0109】
一形態では、磁気テープは取り外し可能な媒体（いわゆる可換媒体）として扱われ、磁気テープを収容した磁気テープカートリッジが磁気テープ装置に挿入され、取り出される。他の一形態では、磁気テープは可換媒体として扱われず、磁気ヘッドを備えた磁気テープ装置のリールに磁気テープが巻取られ、磁気テープ装置内に磁気テープが収容される。
【0110】
本発明および本明細書において、「磁気テープ装置」とは、磁気テープへのデータの記録および磁気テープに記録されたデータの再生の少なくとも一方を行うことができる装置を意味するものとする。かかる装置は、一般にドライブと呼ばれる。
【0111】
＜磁気ヘッド＞
上記磁気テープ装置は、磁気ヘッドを含むことができる。磁気ヘッドの構成およびヘッド傾き角度である角度θについては、先に図５～図７を参照して説明した通りである。磁気ヘッドが再生素子を含む場合、再生素子としては、磁気テープに記録された情報を感度よく読み取ることができる磁気抵抗効果型（ＭＲ：Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子が好ましい。ＭＲ素子としては、公知の各種ＭＲ素子（例えば、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子等）を用いることができる。以下において、データの記録および／または記録されたデータの再生を行う磁気ヘッドを、「記録再生ヘッド」とも呼ぶ。データの記録のための素子（記録素子）とデータの再生のための素子（再生素子）を、「磁気ヘッド素子」と総称する。
上記磁気テープ装置は、磁気ヘッドを含むことができる。磁気ヘッドの構成およびヘッド傾き角度である角度θについては、先に図５～図７を参照して説明した通りである。磁気ヘッドが再生素子を含む場合、再生素子としては、磁気テープに記録された情報を感度よく読み取ることができる磁気抵抗効果型（ＭＲ：Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子が好ましい。ＭＲ素子としては、公知の各種ＭＲ素子（例えば、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子等）を用いることができる。以下において、データの記録および／または記録されたデータの再生を行う磁気ヘッドを、「記録再生ヘッド」とも呼ぶ。データの記録のための素子（記録素子）とデータの再生のための素子（再生素子）を、「磁気ヘッド素子」と総称する。
【0112】
データの記録および／または記録されたデータの再生の際には、まず、サーボ信号を用いたトラッキングを行うことができる。即ち、サーボ信号読み取り素子を所定のサーボトラックに追従させることによって、磁気ヘッド素子が、目的とするデータトラック上を通過するように制御することができる。データトラックの移動は、サーボ信号読み取り素子が読み取るサーボトラックを、テープ幅方向に変更することにより行われる。
また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。
また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。
【0113】
図９に、データバンドおよびサーボバンドの配置例を示す。図９中、磁気テープＭＴの磁性層には、複数のサーボバンド１が、ガイドバンド３に挟まれて配置されている。２本のサーボバンドに挟まれた複数の領域２が、データバンドである。サーボパターンは、磁化領域であって、サーボライトヘッドにより磁性層の特定の領域を磁化することによって形成される。サーボライトヘッドにより磁化する領域（サーボパターンを形成する位置）は規格により定められている。例えば業界標準規格であるＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープには、磁気テープ製造時に、図１０に示すようにテープ幅方向に対して傾斜した複数のサーボパターンが、サーボバンド上に形成される。詳しくは、図１０中、サーボバンド１上のサーボフレームＳＦは、サーボサブフレーム１（ＳＳＦ１）およびサーボサブフレーム２（ＳＳＦ２）から構成される。サーボサブフレーム１は、Ａバースト（図１０中、符号Ａ）およびＢバースト（図１０中、符号Ｂ）から構成される。ＡバーストはサーボパターンＡ１～Ａ５から構成され、ＢバーストはサーボパターンＢ１～Ｂ５から構成される。一方、サーボサブフレーム２は、Ｃバースト（図１０中、符号Ｃ）およびＤバースト（図１０中、符号Ｄ）から構成される。ＣバーストはサーボパターンＣ１～Ｃ４から構成され、ＤバーストはサーボパターンＤ１～Ｄ４から構成される。このような１８本のサーボパターンが５本と４本のセットで、５、５、４、４、の配列で並べられたサブフレームに配置され、サーボフレームを識別するために用いられる。図１０には、説明のために１つのサーボフレームを示した。ただし、実際には、タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングが行われる磁気テープの磁性層には、各サーボバンドに、複数のサーボフレームが走行方向に配置されている。図１０中、矢印は磁気テープ走行方向を示している。例えば、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープは、通常、磁性層の各サーボバンドに、テープ長１ｍあたり５０００以上のサーボフレームを有する。
【0114】
一形態では、上記磁気テープ装置において、磁気テープ装置内での磁気テープの走行中、ヘッド傾き角度を変化させることができる。ヘッド傾き角度は、例えば、磁気テープの幅方向に対して素子アレイの軸線がなす角度θである。角度θについては、先に説明した通りである。例えば、磁気ヘッドの記録再生ヘッドユニットに磁気ヘッドのモジュールの角度を調整する角度調整部を設けることによって、磁気テープ走行中に角度θを可変に調整することができる。かかる角度調整部は、例えばモジュールを回転させる回転機構を含むことができる。角度調整部については、公知技術を適用できる。
【0115】
磁気テープ走行中のヘッド傾き角度について、磁気ヘッドに複数のモジュールが含まれる場合には、無作為に選択したモジュールについて、図５～図７を参照して説明した角度θを規定することができる。磁気テープ走行開始時の角度θであるθｉｎｉｔｉａｌは、０°以上または０°超に設定することができる。θｉｎｉｔｉａｌが大きいほど、角度θの変化量に対するサーボ信号読み取り素子間実効距離の変化量は大きくなるため、磁気テープの幅方向の寸法変化に対応させてサーボ信号読み取り素子間実効距離を調整する調整能力の点から好ましい。この点からは、θｉｎｉｔｉａｌは、１°以上であることが好ましく、５°以上であることがより好ましく、１０°以上であることが更に好ましい。一方、磁気テープが走行して磁気ヘッドと接触する際に磁性層表面と磁気ヘッドの接触面とがなす角度（一般に、「ラップ角」と呼ばれる。）については、テープ幅方向に関する偏差を小さく保つことが、磁気テープ走行中に磁気ヘッドと磁気テープとが接触して生じる摩擦のテープ幅方向における均一性を高めるうえで有効である。また、上記の摩擦のテープ幅方向における均一性を高めることは、磁気ヘッドの位置追随性および走行安定性の観点から望ましい。上記のラップ角のテープ幅方向における偏差を小さくする観点からは、θｉｎｉｔｉａｌは、４５°以下であることが好ましく、４０°以下であることがより好ましく、３５°以下であることが更に好ましい。
【0116】
磁気テープ走行中の角度θの変化について、磁気テープへのデータの記録のために、および／または、磁気テープに記録されたデータの再生のために、磁気テープ装置において磁気テープが走行している間、磁気ヘッドの角度θが走行開始時のθｉｎｉｔｉａｌから変化する場合、磁気テープ走行中の角度θの最大変化量Δθは、以下の式によって算出されるΔθｍａｘとΔθｍｉｎとの中で、より大きな値である。磁気テープ走行中の角度θの最大値がθｍａｘであり、最小値がθｍｉｎである。なお、「ｍａｘ」はｍａｘｉｍｕｍの略称であり、「ｍｉｎ」はｍｉｎｉｍｕｍの略称である。
Δθｍａｘ＝θｍａｘ－θｉｎｉｔｉａｌ
Δθｍｉｎ＝θｉｎｉｔｉａｌ－θｍｉｎ
Δθｍａｘ＝θｍａｘ－θｉｎｉｔｉａｌ
Δθｍｉｎ＝θｉｎｉｔｉａｌ－θｍｉｎ
【0117】
一形態では、Δθは、０．０００°超であることができ、磁気テープの幅方向の寸法変化に対応させてサーボ信号読み取り素子間実効距離を調整する調整能力の観点からは０．００１°以上であることが好ましく、０．０１０°以上であることがより好ましい。また、データの記録時および／または再生時、複数の磁気ヘッド素子間で記録データおよび／または再生データの同期を確保する容易性の観点からは、Δθは、１．０００°以下であることが好ましく、０．９００°以下であることがより好ましく、０．８００°以下であることが更に好ましく、０．７００°以下であることが一層好ましく、０．６００°以下であることがより一層好ましい。
【0118】
図６および図７に示す例では、素子アレイの軸線は、磁気テープ走行方向に向かって傾いている。ただし、本発明は、かかる例に限定されない。上記磁気テープ装置において、素子アレイの軸線が、磁気テープ走行方向と反対の方向に向かって傾く実施形態も本発明に包含される。
【0119】
磁気テープ走行開始時のヘッド傾き角度であるθｉｎｉｔｉａｌは、磁気テープ装置の制御装置等によって設定することができる。
磁気テープ走行中のヘッド傾き角度に関して、図１１は、磁気テープ走行中の角度θの測定方法の説明図である。磁気テープ走行中の角度θは、例えば以下の方法によって求めることができる。以下の方法によって磁気テープ走行中の角度θを求める場合、磁気テープ走行中、角度θは、０～９０°の範囲で変化させるものとする。即ち、磁気テープ走行開始時に素子アレイの軸線が磁気テープ走行方向に向かって傾いていたならば、磁気テープ走行中、素子アレイの軸線が磁気テープ走行開始時の磁気テープ走行方向と反対の方向に向かって傾くように素子アレイを傾けることはなく、磁気テープ走行開始時に素子アレイの軸線が磁気テープ走行方向と反対の方向に向かって傾いていたならば、磁気テープ走行中、素子アレイの軸線が磁気テープ走行開始時の磁気テープ走行方向に向かって傾くように素子アレイを傾けることはないものとする。
一対のサーボ信号読み取り素子１および２の再生信号の位相差（即ち時間差）ΔＴを計測する。ΔＴの計測は、磁気テープ装置に備えられている計測部によって行うことができる。かかる計測部の構成は公知である。サーボ信号読み取り素子１の中央部とサーボ信号読み取り素子２の中央部との間の距離Ｌは、光学顕微鏡等によって測定することができる。磁気テープの走行速度が速度ｖのときに、上記２つのサーボ信号読み取り素子の中央部の磁気テープ走行方向における距離は、Ｌｓｉｎθであり、Ｌｓｉｎθ＝ｖ×ΔＴの関係が成り立つ。したがって、磁気テープ走行中の角度θは、「θ＝ａｒｃｓｉｎ（ｖΔＴ／Ｌ）」の式によって算出できる。なお、図１１右図には、素子アレイの軸線が磁気テープ走行方向に向かって傾いている例を示した。この例では、サーボ信号読み取り素子１の再生信号の位相に対するサーボ信号読み取り素子２の再生信号の位相の位相差（即ち時間差）ΔＴを計測する。素子アレイの軸線が磁気テープの走行方向と反対方向に向かって傾いている場合には、サーボ信号読み取り素子２の再生信号の位相に対するサーボ信号読み取り素子１の再生信号の位相の位相差（即ち時間差）としてΔＴを計測する点以外、上記方法によってθを求めることができる。
なお、角度θの測定ピッチ、即ち、テープ長手方向に関する角度θの測定間隔は、テープ長手方向に関するテープ幅変形の周波数に応じて適したピッチを選定することができる。一例として、測定ピッチは例えば２５０μｍとすることができる。
磁気テープ走行中のヘッド傾き角度に関して、図１１は、磁気テープ走行中の角度θの測定方法の説明図である。磁気テープ走行中の角度θは、例えば以下の方法によって求めることができる。以下の方法によって磁気テープ走行中の角度θを求める場合、磁気テープ走行中、角度θは、０～９０°の範囲で変化させるものとする。即ち、磁気テープ走行開始時に素子アレイの軸線が磁気テープ走行方向に向かって傾いていたならば、磁気テープ走行中、素子アレイの軸線が磁気テープ走行開始時の磁気テープ走行方向と反対の方向に向かって傾くように素子アレイを傾けることはなく、磁気テープ走行開始時に素子アレイの軸線が磁気テープ走行方向と反対の方向に向かって傾いていたならば、磁気テープ走行中、素子アレイの軸線が磁気テープ走行開始時の磁気テープ走行方向に向かって傾くように素子アレイを傾けることはないものとする。
一対のサーボ信号読み取り素子１および２の再生信号の位相差（即ち時間差）ΔＴを計測する。ΔＴの計測は、磁気テープ装置に備えられている計測部によって行うことができる。かかる計測部の構成は公知である。サーボ信号読み取り素子１の中央部とサーボ信号読み取り素子２の中央部との間の距離Ｌは、光学顕微鏡等によって測定することができる。磁気テープの走行速度が速度ｖのときに、上記２つのサーボ信号読み取り素子の中央部の磁気テープ走行方向における距離は、Ｌｓｉｎθであり、Ｌｓｉｎθ＝ｖ×ΔＴの関係が成り立つ。したがって、磁気テープ走行中の角度θは、「θ＝ａｒｃｓｉｎ（ｖΔＴ／Ｌ）」の式によって算出できる。なお、図１１右図には、素子アレイの軸線が磁気テープ走行方向に向かって傾いている例を示した。この例では、サーボ信号読み取り素子１の再生信号の位相に対するサーボ信号読み取り素子２の再生信号の位相の位相差（即ち時間差）ΔＴを計測する。素子アレイの軸線が磁気テープの走行方向と反対方向に向かって傾いている場合には、サーボ信号読み取り素子２の再生信号の位相に対するサーボ信号読み取り素子１の再生信号の位相の位相差（即ち時間差）としてΔＴを計測する点以外、上記方法によってθを求めることができる。
なお、角度θの測定ピッチ、即ち、テープ長手方向に関する角度θの測定間隔は、テープ長手方向に関するテープ幅変形の周波数に応じて適したピッチを選定することができる。一例として、測定ピッチは例えば２５０μｍとすることができる。
【0120】
＜磁気テープ装置の構成＞
図１２に示す磁気テープ装置１０は、制御装置１１からの命令により記録再生ヘッドユニット１２を制御し、磁気テープＭＴへのデータの記録および再生を行う。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジリールと巻取りリールを回転制御するスピンドルモーター１７Ａ、１７Ｂおよびそれらの駆動装置１８Ａ、１８Ｂから磁気テープの長手方向に加わるテンションの検出および調整が可能な構成を有している。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１３を装填可能な構成を有している。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１３内のカートリッジメモリ１３１について読み取りおよび書き込みが可能なカートリッジメモリリードライト装置１４を有している。
磁気テープ装置１０に装着された磁気テープカートリッジ１３からは、磁気テープＭＴの端部またはリーダーピンが自動のローディング機構または手動により引き出され、磁気テープＭＴの磁性層表面が記録再生ヘッドユニット１２の記録再生ヘッド表面に接する向きでガイドローラー１５Ａ、１５Ｂを通して記録再生ヘッド上をパスし、磁気テープＭＴが巻取りリール１６に巻取られる。
制御装置１１からの信号によりスピンドルモーター１７Ａとスピンドルモーター１７Ｂの回転およびトルクが制御され、磁気テープＭＴが任意の速度とテンションで走行される。テープ速度の制御およびヘッド傾き角度の制御には、磁気テープ上に予め形成されたサーボパターンを利用することができる。テンションの検出のために、磁気テープカートリッジ１３と巻取りリール１６との間にテンション検出機構を設けてもよい。テンションの制御は、スピンドルモーター１７Ａおよび１７Ｂによる制御の他に、ガイドローラー１５Ａおよび１５Ｂを用いて行ってもよい。
カートリッジメモリリードライト装置１４は、制御装置１１からの命令により、カートリッジメモリ１３１の情報の読み出しと書き込みが可能に構成されている。カートリッジメモリリードライト装置１４とカートリッジメモリ１３１との間の通信方式としては、例えば、ＩＳＯ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ）１４４４３方式を採用できる。
図１２に示す磁気テープ装置１０は、制御装置１１からの命令により記録再生ヘッドユニット１２を制御し、磁気テープＭＴへのデータの記録および再生を行う。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジリールと巻取りリールを回転制御するスピンドルモーター１７Ａ、１７Ｂおよびそれらの駆動装置１８Ａ、１８Ｂから磁気テープの長手方向に加わるテンションの検出および調整が可能な構成を有している。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１３を装填可能な構成を有している。
磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１３内のカートリッジメモリ１３１について読み取りおよび書き込みが可能なカートリッジメモリリードライト装置１４を有している。
磁気テープ装置１０に装着された磁気テープカートリッジ１３からは、磁気テープＭＴの端部またはリーダーピンが自動のローディング機構または手動により引き出され、磁気テープＭＴの磁性層表面が記録再生ヘッドユニット１２の記録再生ヘッド表面に接する向きでガイドローラー１５Ａ、１５Ｂを通して記録再生ヘッド上をパスし、磁気テープＭＴが巻取りリール１６に巻取られる。
制御装置１１からの信号によりスピンドルモーター１７Ａとスピンドルモーター１７Ｂの回転およびトルクが制御され、磁気テープＭＴが任意の速度とテンションで走行される。テープ速度の制御およびヘッド傾き角度の制御には、磁気テープ上に予め形成されたサーボパターンを利用することができる。テンションの検出のために、磁気テープカートリッジ１３と巻取りリール１６との間にテンション検出機構を設けてもよい。テンションの制御は、スピンドルモーター１７Ａおよび１７Ｂによる制御の他に、ガイドローラー１５Ａおよび１５Ｂを用いて行ってもよい。
カートリッジメモリリードライト装置１４は、制御装置１１からの命令により、カートリッジメモリ１３１の情報の読み出しと書き込みが可能に構成されている。カートリッジメモリリードライト装置１４とカートリッジメモリ１３１との間の通信方式としては、例えば、ＩＳＯ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ）１４４４３方式を採用できる。
【0121】
制御装置１１は、例えば、制御部、記憶部、通信部等を含む。
【0122】
記録再生ヘッドユニット１２は、例えば、記録再生ヘッド、記録再生ヘッドのトラック幅方向の位置を調整するサーボトラッキングアクチュエータ、記録再生アンプ１９、制御装置１１と接続するためのコネクタケーブル等から構成される。記録再生ヘッドは、例えば、磁気テープにデータを記録する記録素子、磁気テープのデータを再生する再生素子および磁気テープ上に記録されたサーボ信号を読み取るサーボ信号読み取り素子から構成される。１つの磁気ヘッド内に、記録素子、再生素子、サーボ信号読み取り素子は、例えば、それぞれ１個以上搭載されている。または、磁気テープの走行方向に応じた複数の磁気ヘッド内に別々にそれぞれの素子を有していてもよい。
【0123】
記録再生ヘッドユニット１２は、制御装置１１からの命令に応じて、磁気テープＭＴに対してデータを記録することが可能に構成されている。また、制御装置１１からの命令に応じて、磁気テープＭＴに記録されたデータを再生することが可能に構成されている。
【0124】
制御装置１１は、磁気テープＭＴの走行時にサーボバンドから読み取られるサーボ信号から磁気テープの走行位置を求め、狙いの走行位置（トラック位置）に記録素子および／または再生素子が位置するように、サーボトラッキングアクチュエータを制御する機構を有している。このトラック位置の制御は、例えば、フィードバック制御により行われる。制御装置１１は、磁気テープＭＴの走行時に隣り合う２本のサーボバンドから読み取られるサーボ信号から、サーボバンド間隔を求める機構を有している。制御装置１１は、求めたサーボバンド間隔の情報を、制御装置１１の内部の記憶部、カートリッジメモリ１３１、外部の接続機器等に保存することができる。また、制御装置１１は、ヘッド傾き角度を、走行中の磁気テープの幅方向の寸法情報に応じて変化させることができる。これにより、サーボ信号読み取り素子間実効距離を、サーボバンドの間隔に近くするか一致させることができる。上記寸法情報は、磁気テープ上に予め形成されたサーボパターンを利用して取得することができる。例えばこうして、磁気テープ装置内での磁気テープの走行中、磁気テープの幅方向に対して素子アレイの軸線がなす角度θを、走行中に取得される磁気テープの幅方向の寸法情報に応じて変化させることができる。ヘッド傾き角度の調整は、例えば、フィードバック制御により行うことができる。また、例えば、ヘッド傾き角度の調整は、特表２０１６－５２４７７４号公報（特許文献１）またはＵＳ２０１９／０１６４５７３Ａ１（特許文献２）に記載の方法によって行うこともできる。
【実施例0125】
以下に、本発明を実施例に基づき説明する。ただし、本発明は実施例に示す実施形態に限定されるものではない。以下に記載の「部」および「％」は、それぞれ、「質量部」および「質量％」を示す。また、以下に記載の工程および評価は、特記しない限り、温度２３℃±１℃の環境において行った。以下に記載の「ｅｑ」は、当量（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。
【0126】
以下に記載の平均粒子サイズは、特開２０１６－１７７８５１号公報の段落００２７～００３０に記載の方法により測定された値である。測定は、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行った。
【0127】
［強磁性粉末］
表１中、「ＢａＦｅ」は、六方晶バリウムフェライト粉末（活性化体積：１６００ｎｍ３）である。
表１中、「ＢａＦｅ」は、六方晶バリウムフェライト粉末（活性化体積：１６００ｎｍ３）である。
【0128】
表１中、「ＳｒＦｅ１」は、以下の方法により作製された六方晶ストロンチウムフェライト粉末である。
ＳｒＣＯ３を１７０７ｇ、Ｈ３ＢＯ３を６８７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を１１２０ｇ、Ａｌ（ＯＨ）３を４５ｇ、ＢａＣＯ３を２４ｇ、ＣａＣＯ３を１３ｇ、およびＮｄ２Ｏ３を２３５ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３９０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
作製した非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、昇温速度３．５℃／分にて６３５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持して六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇおよび濃度１％の酢酸水溶液８００ｍｌを加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１８ｎｍ、活性化体積は９０２ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２.２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは４９Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって部分溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子の表層部含有率を求めた。
別途、上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって全溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子のバルク含有率を求めた。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の鉄原子１００原子％に対するネオジム原子の含有率（バルク含有率）は、２．９原子％であった。また、ネオジム原子の表層部含有率は８．０原子％であった。表層部含有率とバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は２．８であり、ネオジム原子が粒子の表層に偏在していることが確認された。
上記で得られた粉末が六方晶フェライトの結晶構造を示すことは、ＣｕＫα線を電圧４５ｋＶかつ強度４０ｍＡの条件で走査し、下記条件でＸ線回折パターンを測定すること（Ｘ線回折分析）により確認した。上記で得られた粉末は、マグネトプランバイト型（Ｍ型）の六方晶フェライトの結晶構造を示した。また、Ｘ線回折分析により検出された結晶相は、マグネトプランバイト型の単一相であった。
ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ’Ｐｅｒｔ Ｐｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
分散スリットの固定角：１／４度
マスク：１０ｍｍ
散乱防止スリット：１／４度
測定モード：連続
１段階あたりの測定時間：３秒
測定速度：毎秒０．０１７度
測定ステップ：０．０５度
ＳｒＣＯ３を１７０７ｇ、Ｈ３ＢＯ３を６８７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を１１２０ｇ、Ａｌ（ＯＨ）３を４５ｇ、ＢａＣＯ３を２４ｇ、ＣａＣＯ３を１３ｇ、およびＮｄ２Ｏ３を２３５ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３９０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
作製した非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、昇温速度３．５℃／分にて６３５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持して六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇおよび濃度１％の酢酸水溶液８００ｍｌを加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１８ｎｍ、活性化体積は９０２ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２.２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは４９Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって部分溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子の表層部含有率を求めた。
別途、上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって全溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子のバルク含有率を求めた。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の鉄原子１００原子％に対するネオジム原子の含有率（バルク含有率）は、２．９原子％であった。また、ネオジム原子の表層部含有率は８．０原子％であった。表層部含有率とバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は２．８であり、ネオジム原子が粒子の表層に偏在していることが確認された。
上記で得られた粉末が六方晶フェライトの結晶構造を示すことは、ＣｕＫα線を電圧４５ｋＶかつ強度４０ｍＡの条件で走査し、下記条件でＸ線回折パターンを測定すること（Ｘ線回折分析）により確認した。上記で得られた粉末は、マグネトプランバイト型（Ｍ型）の六方晶フェライトの結晶構造を示した。また、Ｘ線回折分析により検出された結晶相は、マグネトプランバイト型の単一相であった。
ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ’Ｐｅｒｔ Ｐｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
分散スリットの固定角：１／４度
マスク：１０ｍｍ
散乱防止スリット：１／４度
測定モード：連続
１段階あたりの測定時間：３秒
測定速度：毎秒０．０１７度
測定ステップ：０．０５度
【0129】
表１中、「ＳｒＦｅ２」は、以下の方法により作製された六方晶ストロンチウムフェライト粉末である。
ＳｒＣＯ３を１７２５ｇ、Ｈ３ＢＯ３を６６６ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を１３３２ｇ、Ａｌ（ＯＨ）３を５２ｇ、ＣａＣＯ３を３４ｇ、ＢａＣＯ３を１４１ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３８０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
得られた非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、６４５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持し六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇおよび濃度１％の酢酸水溶液８００ｍｌを加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１９ｎｍ、活性化体積は１１０２ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２.０×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは５０Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
ＳｒＣＯ３を１７２５ｇ、Ｈ３ＢＯ３を６６６ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を１３３２ｇ、Ａｌ（ＯＨ）３を５２ｇ、ＣａＣＯ３を３４ｇ、ＢａＣＯ３を１４１ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３８０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
得られた非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、６４５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持し六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇおよび濃度１％の酢酸水溶液８００ｍｌを加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１９ｎｍ、活性化体積は１１０２ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２.０×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは５０Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
【0130】
上記の六方晶フェライト粉末の活性化体積および異方性定数Ｋｕは、各六方晶フェライト粉末について、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて、先に記載の方法により求められた値である。
また、質量磁化σｓは、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて磁場強度１５ｋＯｅで測定された値である。
また、質量磁化σｓは、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて磁場強度１５ｋＯｅで測定された値である。
【0131】
［フッ素含有化合物］
表１中、フッ素含有化合物の欄に記載されている「ＸＳ－Ｓ」、「ＸＣ－ＳＬ」、「ＸＩＨ１６０８２６」は、それぞれ野田スクリーン社からフッ素樹脂添加剤として商品名「フルオリペールＸＳ－Ｓ」、「フルオリペールＸＣ－ＳＬ」、「ネオフルオリペールＸＩＨ１６０８２６」で市販されている市販品である。これらは、フッ素含有化合物を濃度５質量％で含む溶液である（溶剤：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートメトキシプロピルアセテート）。磁性液の調製において、各溶液を、磁性液におけるフッ素含有化合物量が表１に記載の値となる液量で使用した。また、商品名「ネオフルオリペールＸＩＨ１６０８２６」に含まれるフッ素含有化合物はエポキシ基を有する化合物である。一方、商品名「フルオリペールＸＳ－Ｓ」および「フルオリペールＸＣ－ＳＬ」は、架橋構造を形成可能な反応性基を有さないフッ素含有化合物を含む。
表１中、フッ素含有化合物の欄に記載されている「ＸＳ－Ｓ」、「ＸＣ－ＳＬ」、「ＸＩＨ１６０８２６」は、それぞれ野田スクリーン社からフッ素樹脂添加剤として商品名「フルオリペールＸＳ－Ｓ」、「フルオリペールＸＣ－ＳＬ」、「ネオフルオリペールＸＩＨ１６０８２６」で市販されている市販品である。これらは、フッ素含有化合物を濃度５質量％で含む溶液である（溶剤：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートメトキシプロピルアセテート）。磁性液の調製において、各溶液を、磁性液におけるフッ素含有化合物量が表１に記載の値となる液量で使用した。また、商品名「ネオフルオリペールＸＩＨ１６０８２６」に含まれるフッ素含有化合物はエポキシ基を有する化合物である。一方、商品名「フルオリペールＸＳ－Ｓ」および「フルオリペールＸＣ－ＳＬ」は、架橋構造を形成可能な反応性基を有さないフッ素含有化合物を含む。
【0132】
［実施例１］
１．アルミナ分散物（研磨剤液）の調製
アルファ化率約６５％、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積２０ｍ２／ｇのアルミナ粉末（住友化学社製ＨＩＴ－８０）１００．０部に対し、３．０部の２，３－ジヒドロキシナフタレン（東京化成工業社製）、極性基としてＳＯ３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ－４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶剤はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶剤）を３１．３部、溶剤としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合溶液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。
１．アルミナ分散物（研磨剤液）の調製
アルファ化率約６５％、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積２０ｍ２／ｇのアルミナ粉末（住友化学社製ＨＩＴ－８０）１００．０部に対し、３．０部の２，３－ジヒドロキシナフタレン（東京化成工業社製）、極性基としてＳＯ３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ－４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶剤はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶剤）を３１．３部、溶剤としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合溶液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。
【0133】
２．磁性層形成用組成物の処方
（磁性液）
強磁性粉末（種類：表１参照）：１００．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体：１０．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
分散剤（種類：表１参照）：表１参照
フッ素含有化合物（種類：表１参照）：表１参照
シクロヘキサノン：１５０．０部
メチルエチルケトン：１７０．０部
フッ素系溶剤（３Ｍ社製Ｎｏｖｅｃ７１００）：１０．０部
（研磨剤液）
上記１．で調製したアルミナ分散物：６．０部
（その他成分）
コロイダルシリカ：２．０部
平均粒子サイズ：１００ｎｍ
ステアリン酸：１０．０部
ブチルステアレート：６．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標））：２．５部
（仕上げ添加溶剤）
シクロヘキサノン：３００．０部
メチルエチルケトン：１４０．０部
（磁性液）
強磁性粉末（種類：表１参照）：１００．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体：１０．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
分散剤（種類：表１参照）：表１参照
フッ素含有化合物（種類：表１参照）：表１参照
シクロヘキサノン：１５０．０部
メチルエチルケトン：１７０．０部
フッ素系溶剤（３Ｍ社製Ｎｏｖｅｃ７１００）：１０．０部
（研磨剤液）
上記１．で調製したアルミナ分散物：６．０部
（その他成分）
コロイダルシリカ：２．０部
平均粒子サイズ：１００ｎｍ
ステアリン酸：１０．０部
ブチルステアレート：６．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標））：２．５部
（仕上げ添加溶剤）
シクロヘキサノン：３００．０部
メチルエチルケトン：１４０．０部
【0134】
表１記載の分散剤（化合物１）は、特開２０１６－１７７８５１公報に記載の化合物１である。化合物１の合成方法は、特開２０１６－１７７８５１公報の段落０１８１～０１８４に記載されている。
【0135】
３．非磁性層形成用組成物の処方
α－酸化鉄粉末（平均粒子体積：表１参照）：１００．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ、ｐＨ：表１参照）：２５．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：１８．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ステアリン酸：１．０部
シクロヘキサノン：３００．０部
メチルエチルケトン：３００．０部
α－酸化鉄粉末（平均粒子体積：表１参照）：１００．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ、ｐＨ：表１参照）：２５．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：１８．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ステアリン酸：１．０部
シクロヘキサノン：３００．０部
メチルエチルケトン：３００．０部
【0136】
４．バックコート層形成用組成物の処方
α－酸化鉄粉末：８０．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ２／ｇ
カーボンブラック：２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
塩化ビニル共重合体：１３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：３５５．０部
メチルエチルケトン：１５５．０部
ステアリン酸：３．０部
ブチルステアレート：３．０部
ポリイソシアネート：５．０部
α－酸化鉄粉末：８０．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ２／ｇ
カーボンブラック：２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
塩化ビニル共重合体：１３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：３５５．０部
メチルエチルケトン：１５５．０部
ステアリン酸：３．０部
ブチルステアレート：３．０部
ポリイソシアネート：５．０部
【0137】
５．各層形成用組成物の調製
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
バッチ式縦型サンドミルにおいて、上記磁性液の各種成分を混合し、分散メディアとしてジルコニアビーズを用いて２段階のビーズ分散を行うことにより、磁性液を調製した。具体的には、１段階目のビーズ分散としてビーズ径０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて１０時間の分散滞留時間で分散処理を行い、２段階目のビーズ分散としてビーズ径０．１ｍｍのジルコニアビーズを用いて１０時間の分散滞留時間で分散処理を行った。ビーズ分散では、各段階終了後にそれぞれフィルタ（孔径５μｍ）を用いて得られた分散液をろ過した。各段階のビーズ分散において、分散メディアの充填率は、５０～８０体積％程度とした。
上記サンドミルを用いて、上記磁性液を、上記研磨剤液、その他成分および仕上げ添加溶剤と混合した後、バッチ式超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間処理（超音波分散）を行った。その後、０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過を行い、磁性層形成用組成物を調製した。
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
上記成分をバッチ式縦型サンドミルを用いて、２４時間分散した。分散ビーズとしては、ビーズ径０．１ｍｍのジルコニアビーズを使用した。得られた分散液を０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過し、非磁性層形成用組成物を調製した。
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、ブチルステアレート、ポリイソシアネートおよびシクロヘキサノンを除いた各種成分をオープンニーダにより混錬および希釈した後、横型ビーズミルにより、ビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒にて、１パスあたりの分散滞留時間を２分とし、１２パスの分散処理を行った。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディスパーで撹拌した。こうして得られた分散液を１μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過しバックコート層形成用組成物を調製した。
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
バッチ式縦型サンドミルにおいて、上記磁性液の各種成分を混合し、分散メディアとしてジルコニアビーズを用いて２段階のビーズ分散を行うことにより、磁性液を調製した。具体的には、１段階目のビーズ分散としてビーズ径０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて１０時間の分散滞留時間で分散処理を行い、２段階目のビーズ分散としてビーズ径０．１ｍｍのジルコニアビーズを用いて１０時間の分散滞留時間で分散処理を行った。ビーズ分散では、各段階終了後にそれぞれフィルタ（孔径５μｍ）を用いて得られた分散液をろ過した。各段階のビーズ分散において、分散メディアの充填率は、５０～８０体積％程度とした。
上記サンドミルを用いて、上記磁性液を、上記研磨剤液、その他成分および仕上げ添加溶剤と混合した後、バッチ式超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間処理（超音波分散）を行った。その後、０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過を行い、磁性層形成用組成物を調製した。
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
上記成分をバッチ式縦型サンドミルを用いて、２４時間分散した。分散ビーズとしては、ビーズ径０．１ｍｍのジルコニアビーズを使用した。得られた分散液を０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過し、非磁性層形成用組成物を調製した。
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、ブチルステアレート、ポリイソシアネートおよびシクロヘキサノンを除いた各種成分をオープンニーダにより混錬および希釈した後、横型ビーズミルにより、ビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒にて、１パスあたりの分散滞留時間を２分とし、１２パスの分散処理を行った。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディスパーで撹拌した。こうして得られた分散液を１μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過しバックコート層形成用組成物を調製した。
【0138】
６．磁気テープの作製
図８に示す製造工程にしたがって磁気テープを作製した。詳しくは、次の通りとした。
厚み３．７μｍのポリエチレンナフタレート製支持体を送り出し部から送り出し、一方の表面に、第一の塗布部において乾燥後の厚みが０．７μｍになるように非磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。形成した塗布層が湿潤状態にあるうちに雰囲気温度０℃に調整した冷却ゾーンに表１に示す滞在時間で通過させて冷却工程を行い、その後に表１に示す乾燥温度（雰囲気温度、以下同様）の第一の加熱処理ゾーンを通過させ加熱乾燥工程を行い非磁性層を形成した。
その後、第二の塗布部において乾燥後の厚みが０．１μｍになるように上記で調製した磁性層形成用組成物を非磁性層上に塗布し塗布層を形成した。この塗布層が湿潤状態にあるうちに配向ゾーンにおいて磁場強度０．５Ｔの磁場を、磁性層形成用組成物の塗布層表面に対し垂直方向に印加し垂直配向処理を行った後、表１に示す乾燥温度の第二の加熱処理ゾーンにて乾燥させた。
その後、第三の塗布部において、上記ポリエチレンナフタレート製支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対の表面に乾燥後の厚みが０．３μｍになるように上記で調製したバックコート層形成用組成物を非磁性支持体表面に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を表１に示す乾燥温度の第三の加熱処理ゾーンにて乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダロールを用いて、表１に示すカレンダ処理条件でカレンダ処理（表面平滑化処理）を行った。
その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間加熱処理を行った。加熱処理後１／２インチ幅にスリットして磁気テープを作製した。
上記で得られた磁気テープの磁性層を消磁した状態で、磁性層に市販のサーボライターによってサーボ信号を記録することにより、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターン（タイミングベースサーボパターン）を有する磁気テープを得た。こうして形成されたサーボパターンは、ＪＩＳ（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ） Ｘ６１７５：２００６およびＳｔａｎｄａｒｄ ＥＣＭＡ－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）の記載にしたがうサーボパターンである。サーボバンドの合計本数は５、データバンドの合計本数は４である。 こうしてサーボ信号が記録された磁気テープ（長さ９６０ｍ）を作製した。
図８に示す製造工程にしたがって磁気テープを作製した。詳しくは、次の通りとした。
厚み３．７μｍのポリエチレンナフタレート製支持体を送り出し部から送り出し、一方の表面に、第一の塗布部において乾燥後の厚みが０．７μｍになるように非磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。形成した塗布層が湿潤状態にあるうちに雰囲気温度０℃に調整した冷却ゾーンに表１に示す滞在時間で通過させて冷却工程を行い、その後に表１に示す乾燥温度（雰囲気温度、以下同様）の第一の加熱処理ゾーンを通過させ加熱乾燥工程を行い非磁性層を形成した。
その後、第二の塗布部において乾燥後の厚みが０．１μｍになるように上記で調製した磁性層形成用組成物を非磁性層上に塗布し塗布層を形成した。この塗布層が湿潤状態にあるうちに配向ゾーンにおいて磁場強度０．５Ｔの磁場を、磁性層形成用組成物の塗布層表面に対し垂直方向に印加し垂直配向処理を行った後、表１に示す乾燥温度の第二の加熱処理ゾーンにて乾燥させた。
その後、第三の塗布部において、上記ポリエチレンナフタレート製支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対の表面に乾燥後の厚みが０．３μｍになるように上記で調製したバックコート層形成用組成物を非磁性支持体表面に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を表１に示す乾燥温度の第三の加熱処理ゾーンにて乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダロールを用いて、表１に示すカレンダ処理条件でカレンダ処理（表面平滑化処理）を行った。
その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間加熱処理を行った。加熱処理後１／２インチ幅にスリットして磁気テープを作製した。
上記で得られた磁気テープの磁性層を消磁した状態で、磁性層に市販のサーボライターによってサーボ信号を記録することにより、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターン（タイミングベースサーボパターン）を有する磁気テープを得た。こうして形成されたサーボパターンは、ＪＩＳ（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ） Ｘ６１７５：２００６およびＳｔａｎｄａｒｄ ＥＣＭＡ－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）の記載にしたがうサーボパターンである。サーボバンドの合計本数は５、データバンドの合計本数は４である。 こうしてサーボ信号が記録された磁気テープ（長さ９６０ｍ）を作製した。
【0139】
［実施例２～１５、比較例１～９］
表１に示す項目を表１に示すように変更した点以外、実施例１について記載した方法により磁気テープを得た。 表１中、冷却ゾーン滞在時間の欄に「なし」と記載されている比較例では、非磁性層形成工程に冷却ゾーンを含まない製造工程により磁気テープを作製した。
表１に示す項目を表１に示すように変更した点以外、実施例１について記載した方法により磁気テープを得た。 表１中、冷却ゾーン滞在時間の欄に「なし」と記載されている比較例では、非磁性層形成工程に冷却ゾーンを含まない製造工程により磁気テープを作製した。
【0140】
各実施例および各比較例について、長さ９６０ｍの磁気テープを４つ作製し、それぞれを下記（１）～（４）の評価のために使用した。
【0141】
［評価方法］
（１）ｃｏｓθ、ｃｏｓθの幅方向σ
実施例および比較例の各磁気テープから、先に記載したように５つの断面観察用試料を切り出し、各試料について先に記載した方法でｃｏｓθを求めた。こうして５つの断面観察用試料について求められた５つのｃｏｓθの値の算術平均を各磁気テープのｃｏｓθとした。また、上記の５つのｃｏｓθの値から、ｃｏｓθの幅方向σを求めた。実施例および比較例の各磁気テープにおいて、ＳＴＥＭ像で観察された全六方晶フェライト粒子に対して、ｃｏｓθの測定対象とされる先に記載した範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の占める割合は、粒子数基準で８０～９５％程度であった。
（１）ｃｏｓθ、ｃｏｓθの幅方向σ
実施例および比較例の各磁気テープから、先に記載したように５つの断面観察用試料を切り出し、各試料について先に記載した方法でｃｏｓθを求めた。こうして５つの断面観察用試料について求められた５つのｃｏｓθの値の算術平均を各磁気テープのｃｏｓθとした。また、上記の５つのｃｏｓθの値から、ｃｏｓθの幅方向σを求めた。実施例および比較例の各磁気テープにおいて、ＳＴＥＭ像で観察された全六方晶フェライト粒子に対して、ｃｏｓθの測定対象とされる先に記載した範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の占める割合は、粒子数基準で８０～９５％程度であった。
【0142】
ｃｏｓθの測定に用いる断面観察用試料は、以下の方法により作製した。
【0143】
（ｉ）保護膜付試料の作製
以下の方法により、保護膜（カーボン膜と白金膜との積層膜）付試料を作製した。
ｃｏｓθを求める対象の磁気テープから剃刀を用いて切り出した試料の磁性層表面に保護膜を形成して、保護膜付試料を得た。保護膜の形成は、以下の方法により行った。試料について以下に記載する幅方向とは、切り出す前の磁気テープにおいて幅方向であった方向をいうものとする。長手方向についても同様である。
上記試料の磁性層表面に、真空蒸着によりカーボン膜（厚み８０ｎｍ）を形成し、形成したカーボン膜表面にスパッタリングにより白金（Ｐｔ）膜（厚み３０ｎｍ）を形成した。カーボン膜の真空蒸着および白金膜のスパッタリングは、それぞれ下記条件で行った。
＜カーボン膜の真空蒸着条件＞
蒸着源：カーボン（直径０．５ｍｍのシャープペンシルの芯）
真空蒸着装置のチャンバー内真空度：２×１０－３Ｐａ以下
電流値：１６Ａ
＜白金膜のスパッタリング条件＞
ターゲット：Ｐｔ
スパッタリング装置のチャンバー内真空度：７Ｐａ以下
電流値：１５ｍＡ
以下の方法により、保護膜（カーボン膜と白金膜との積層膜）付試料を作製した。
ｃｏｓθを求める対象の磁気テープから剃刀を用いて切り出した試料の磁性層表面に保護膜を形成して、保護膜付試料を得た。保護膜の形成は、以下の方法により行った。試料について以下に記載する幅方向とは、切り出す前の磁気テープにおいて幅方向であった方向をいうものとする。長手方向についても同様である。
上記試料の磁性層表面に、真空蒸着によりカーボン膜（厚み８０ｎｍ）を形成し、形成したカーボン膜表面にスパッタリングにより白金（Ｐｔ）膜（厚み３０ｎｍ）を形成した。カーボン膜の真空蒸着および白金膜のスパッタリングは、それぞれ下記条件で行った。
＜カーボン膜の真空蒸着条件＞
蒸着源：カーボン（直径０．５ｍｍのシャープペンシルの芯）
真空蒸着装置のチャンバー内真空度：２×１０－３Ｐａ以下
電流値：１６Ａ
＜白金膜のスパッタリング条件＞
ターゲット：Ｐｔ
スパッタリング装置のチャンバー内真空度：７Ｐａ以下
電流値：１５ｍＡ
【0144】
（ｉｉ）断面観察用試料の作製
上記（ｉ）で作製した保護膜付試料から、ガリウムイオン（Ｇａ＋）ビームを用いるＦＩＢ加工によって薄膜状の試料を切り出した。切り出しは、以下の２回のＦＩＢ加工により行った。ＦＩＢ加工における加速電圧は３０ｋＶとした。
１回目のＦＩＢ加工では、保護膜表面から深さ約５μｍの領域までを含む保護膜付試料の長手方向の一方の端部（即ち保護膜付試料の幅方向の一方の側面を含む部分）を切り出した。切り出された試料には、保護膜から非磁性支持体の一部までが含まれる。
次いで、切り出された試料の切り出し面側（即ち、切り出しにより露出した試料断面側）にマイクロプローブを取り付け、２回目のＦＩＢ加工を行った。２回目のＦＩＢ加工では、切り出し面側とは逆の面（即ち、上記の幅方向の一方の側面）側にガリウムイオンビームを当てて試料の切り出しを行った。２回目のＦＩＢ加工における切り出し面を、ＳＴＥＭ観察用のメッシュの端面に貼り合わせて試料を固定した。固定後、マイクロプローブを除去した。
更に、メッシュに固定された試料からマイクロプローブを除去した面に、上記と同様の加速電圧でガリウムイオンビームを当ててＦＩＢ加工を行い、メッシュに固定された試料を更に薄膜化した。
こうして作製されたメッシュに固定された断面観察用試料を走査透過型電子顕微鏡により観察して、先に記載した方法によりｃｏｓθを求めた。
上記（ｉ）で作製した保護膜付試料から、ガリウムイオン（Ｇａ＋）ビームを用いるＦＩＢ加工によって薄膜状の試料を切り出した。切り出しは、以下の２回のＦＩＢ加工により行った。ＦＩＢ加工における加速電圧は３０ｋＶとした。
１回目のＦＩＢ加工では、保護膜表面から深さ約５μｍの領域までを含む保護膜付試料の長手方向の一方の端部（即ち保護膜付試料の幅方向の一方の側面を含む部分）を切り出した。切り出された試料には、保護膜から非磁性支持体の一部までが含まれる。
次いで、切り出された試料の切り出し面側（即ち、切り出しにより露出した試料断面側）にマイクロプローブを取り付け、２回目のＦＩＢ加工を行った。２回目のＦＩＢ加工では、切り出し面側とは逆の面（即ち、上記の幅方向の一方の側面）側にガリウムイオンビームを当てて試料の切り出しを行った。２回目のＦＩＢ加工における切り出し面を、ＳＴＥＭ観察用のメッシュの端面に貼り合わせて試料を固定した。固定後、マイクロプローブを除去した。
更に、メッシュに固定された試料からマイクロプローブを除去した面に、上記と同様の加速電圧でガリウムイオンビームを当ててＦＩＢ加工を行い、メッシュに固定された試料を更に薄膜化した。
こうして作製されたメッシュに固定された断面観察用試料を走査透過型電子顕微鏡により観察して、先に記載した方法によりｃｏｓθを求めた。
【0145】
（２）テープ幅変形の非線形成分
実施例および比較例の各磁気テープについて、先に記載した方法によって、温度６０℃相対湿度２０％の環境下での１０日間保管によって生じるテープ幅変形の非線形成分の測定を行った。
実施例および比較例の各磁気テープについて、先に記載した方法によって、温度６０℃相対湿度２０％の環境下での１０日間保管によって生じるテープ幅変形の非線形成分の測定を行った。
【0146】
（３）磁気テープの総厚（テープ厚み）
実施例および比較例の各磁気テープの任意の部分からテープサンプル（長さ５ｃｍ）を１０枚切り出し、これらテープサンプルを重ねて厚みを測定した。厚みの測定は、ＭＡＲＨ社製Ｍｉｌｌｉｍａｒ １２４０コンパクトアンプとＭｉｌｌｉｍａｒ １３０１誘導プローブのデジタル厚み計を用いて行った。測定された厚みを１０分の１して得られた値（テープサンプル１枚当たりの厚み）を、テープ厚みとした。いずれの磁気テープについても、テープ厚みは、４．８μｍであった。
実施例および比較例の各磁気テープの磁性層、非磁性層およびバックコート層の厚みについては、先に記載したように断面観察を行い、それぞれの厚みが先に記載した厚みであることを確認した。
実施例および比較例の各磁気テープの任意の部分からテープサンプル（長さ５ｃｍ）を１０枚切り出し、これらテープサンプルを重ねて厚みを測定した。厚みの測定は、ＭＡＲＨ社製Ｍｉｌｌｉｍａｒ １２４０コンパクトアンプとＭｉｌｌｉｍａｒ １３０１誘導プローブのデジタル厚み計を用いて行った。測定された厚みを１０分の１して得られた値（テープサンプル１枚当たりの厚み）を、テープ厚みとした。いずれの磁気テープについても、テープ厚みは、４．８μｍであった。
実施例および比較例の各磁気テープの磁性層、非磁性層およびバックコート層の厚みについては、先に記載したように断面観察を行い、それぞれの厚みが先に記載した厚みであることを確認した。
【0147】
（４）記録再生性能
実施例および比較例の各磁気テープについて、以下の方法によって記録再生性能の評価を行った。
磁気ヘッドとしては、一対のサーボ信号読み取り素子の間に再生素子幅が０．２μｍ以下の再生素子を１０チャンネル以上有する素子アレイを含む再生用モジュールと、一対のサーボ信号読み取り素子の間に記録素子幅が再生素子幅の１．５倍以上の記録素子を１０チャンネル以上有する素子アレイを含む記録用モジュールと、を備えた磁気ヘッドを用いた。上記素子アレイにおいて、隣り合う２つの素子（即ち、隣り合う２つの再生素子および隣り合う２つの記録素子）のヘッド幅方向における間隔は４０μｍ以上ある。
データの記録および再生を行う環境は、温度が２０～２５℃であって相対湿度が４０～６０％とした。かかる環境下に、磁気テープおよび磁気ヘッドをテープ搬送系（リールテスター）に取り付けた磁気テープ装置を２４時間以上配置した後にデータの記録および再生を行った。磁気テープ装置のテープ搬送系に取り付ける記録再生アンプとしては、先にテープ幅変形の非線形成分の測定について記載した記録再生アンプとする。データの記録時および再生時には、先に記載したサーボフォロイングおよび動的なトラック位置の制御（ヘッド傾き角度の変化）を実施した。データの記録および再生は、詳しくは、以下のように実施した。
磁気テープを５ｍ／秒の一定速度で走行させながら、記録素子によって信号の記録を行った。記録するビット系列は生成多項式ｘ＾８＋ｘ＾６＋ｘ＾５＋ｘ＾４＋１にしたがって生成された２５５ｂｉｔの疑似ランダムビット系列（ＰＲＢＳ：Ｐｓｅｕｄｏ Ｒａｎｄｏｍ Ｂｉｔ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ）を用いた。記号「＾」は、べき乗を表す。線記録密度は６００ｋｂｐｉとした。単位「ｋｂｐｉ」は線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。隣接トラック間の（ＰＥＳ１＋ＰＥＳ２）／２の差が再生トラック幅の１．５倍となるように３トラック以上のシングル（Ｓｈｉｎｇｌｅｄ）記録を行った。
磁気テープ上に記録された磁化パターンは直後の再生素子（即ち、同じチャンネル番号の再生素子）で再生され、再生アンプによって信号増幅される。再生信号は、ＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋ Ｌｏｏｐ）とＡＧＣ（Ａｕｔｏ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）の処理の後、ＤＤ－ＮＰＭＬ（Ｄａｔａ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ Ｎｏｉｓｅ Ｐｒｅｄｉｃｔｉｖｅ Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）信号処理に基づいてビット系列に復号化される。記録したビット系列と再生および復号したビット系列を１ビットごとに比較していき、両者が異なるビットだった場合、１ビットのエラーが発生したとカウントする。１０Ｍｂｉｔに亘ってデータを比較し、積算のエラービットカウントを１０Ｍｂｉｔで除した値を、ビットエラーレートと定義した。記録直後の再生信号について、すべてのチャンネルにおいて１／１０００以下のビットエラーレートであることを確認した。
次に、磁気テープを、上記リールテスターのリールに巻かれた状態で、温度６０℃相対湿度２０％の環境下に１０日間保管した。
上記保管後、保管環境から磁気テープを取り出して、保管前に用いた磁気テープ装置と同じ磁気テープ装置に取り付けた状態で温度が２０～２５℃であって相対湿度が４０～６０％の環境下に２４時間以上配置した後、同環境下で、保管前に記録したデータトラックの再生を行った（記録は行わない）。この際、両側にデータトラックが記録されたデータトラックに対してのみ再生を行った。全チャンネルのビットエラーレートの計算を行い、ビットエラーレートが１／１００以上になったチャンネルを不良チャンネルとして、以下の評価基準によって記録再生性能を評価した。
（評価基準）
Ａ：全チャンネル数に対する不良チャンネル数の割合が５％未満
Ｂ：全チャンネル数に対する不良チャンネル数の割合が５％以上かつ１０％未満
Ｃ：全チャンネル数に対する不良チャンネル数の割合が１０％以上
実施例および比較例の各磁気テープについて、以下の方法によって記録再生性能の評価を行った。
磁気ヘッドとしては、一対のサーボ信号読み取り素子の間に再生素子幅が０．２μｍ以下の再生素子を１０チャンネル以上有する素子アレイを含む再生用モジュールと、一対のサーボ信号読み取り素子の間に記録素子幅が再生素子幅の１．５倍以上の記録素子を１０チャンネル以上有する素子アレイを含む記録用モジュールと、を備えた磁気ヘッドを用いた。上記素子アレイにおいて、隣り合う２つの素子（即ち、隣り合う２つの再生素子および隣り合う２つの記録素子）のヘッド幅方向における間隔は４０μｍ以上ある。
データの記録および再生を行う環境は、温度が２０～２５℃であって相対湿度が４０～６０％とした。かかる環境下に、磁気テープおよび磁気ヘッドをテープ搬送系（リールテスター）に取り付けた磁気テープ装置を２４時間以上配置した後にデータの記録および再生を行った。磁気テープ装置のテープ搬送系に取り付ける記録再生アンプとしては、先にテープ幅変形の非線形成分の測定について記載した記録再生アンプとする。データの記録時および再生時には、先に記載したサーボフォロイングおよび動的なトラック位置の制御（ヘッド傾き角度の変化）を実施した。データの記録および再生は、詳しくは、以下のように実施した。
磁気テープを５ｍ／秒の一定速度で走行させながら、記録素子によって信号の記録を行った。記録するビット系列は生成多項式ｘ＾８＋ｘ＾６＋ｘ＾５＋ｘ＾４＋１にしたがって生成された２５５ｂｉｔの疑似ランダムビット系列（ＰＲＢＳ：Ｐｓｅｕｄｏ Ｒａｎｄｏｍ Ｂｉｔ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ）を用いた。記号「＾」は、べき乗を表す。線記録密度は６００ｋｂｐｉとした。単位「ｋｂｐｉ」は線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。隣接トラック間の（ＰＥＳ１＋ＰＥＳ２）／２の差が再生トラック幅の１．５倍となるように３トラック以上のシングル（Ｓｈｉｎｇｌｅｄ）記録を行った。
磁気テープ上に記録された磁化パターンは直後の再生素子（即ち、同じチャンネル番号の再生素子）で再生され、再生アンプによって信号増幅される。再生信号は、ＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋ Ｌｏｏｐ）とＡＧＣ（Ａｕｔｏ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）の処理の後、ＤＤ－ＮＰＭＬ（Ｄａｔａ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ Ｎｏｉｓｅ Ｐｒｅｄｉｃｔｉｖｅ Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）信号処理に基づいてビット系列に復号化される。記録したビット系列と再生および復号したビット系列を１ビットごとに比較していき、両者が異なるビットだった場合、１ビットのエラーが発生したとカウントする。１０Ｍｂｉｔに亘ってデータを比較し、積算のエラービットカウントを１０Ｍｂｉｔで除した値を、ビットエラーレートと定義した。記録直後の再生信号について、すべてのチャンネルにおいて１／１０００以下のビットエラーレートであることを確認した。
次に、磁気テープを、上記リールテスターのリールに巻かれた状態で、温度６０℃相対湿度２０％の環境下に１０日間保管した。
上記保管後、保管環境から磁気テープを取り出して、保管前に用いた磁気テープ装置と同じ磁気テープ装置に取り付けた状態で温度が２０～２５℃であって相対湿度が４０～６０％の環境下に２４時間以上配置した後、同環境下で、保管前に記録したデータトラックの再生を行った（記録は行わない）。この際、両側にデータトラックが記録されたデータトラックに対してのみ再生を行った。全チャンネルのビットエラーレートの計算を行い、ビットエラーレートが１／１００以上になったチャンネルを不良チャンネルとして、以下の評価基準によって記録再生性能を評価した。
（評価基準）
Ａ：全チャンネル数に対する不良チャンネル数の割合が５％未満
Ｂ：全チャンネル数に対する不良チャンネル数の割合が５％以上かつ１０％未満
Ｃ：全チャンネル数に対する不良チャンネル数の割合が１０％以上
【0148】
以上の結果を表１（表１－１～表１－３）に示す。
【0149】
【表1-1】
【0150】
【表1-2】
【0151】
【表1-3】
【0152】
表１に示すように、実施例の磁気テープは、比較例の磁気テープと比べて、長期保管相当の加速環境下で保管された後、優れた記録再生性能を示した。この結果から、実施例の磁気テープが、ドライブ（磁気テープ装置）の動作安定性向上に寄与したことが確認できる。
【0153】
磁気テープ作製時に垂直配向処理を行わなかった点以外、実施例１について記載した方法で磁気テープを作製した。
上記磁気テープからサンプル片を切り出した。このサンプル片について、振動試料型磁力計として玉川製作所製ＴＭ－ＴＲＶＳＭ５０５０－ＳＭＳＬ型を用いて、先に記載した方法によって垂直方向角型比を求めたところ、０．５５であった。
実施例１の磁気テープから切り出したサンプル片について同様に垂直方向角型比を求めたところ、０．６５であった。
上記磁気テープからサンプル片を切り出した。このサンプル片について、振動試料型磁力計として玉川製作所製ＴＭ－ＴＲＶＳＭ５０５０－ＳＭＳＬ型を用いて、先に記載した方法によって垂直方向角型比を求めたところ、０．５５であった。
実施例１の磁気テープから切り出したサンプル片について同様に垂直方向角型比を求めたところ、０．６５であった。
【0154】
上記２つの磁気テープを、それぞれ１／２インチリールテスターに取り付け、以下の方法によって電磁変換特性（ＳＮＲ：Ｓｉｇｎａｌ－ｔｏ－Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を評価した。その結果、実施例１の磁気テープについて、垂直配向処理なしで作製された上記磁気テープと比べて、４ｄＢ高いＳＮＲの値が得られた。
温度２３℃相対湿度５０％の環境において、磁気テープの長手方向に０．７Ｎ（ニュートン）のテンションをかけて記録および再生を１０パス行った。磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度は６ｍ／秒とし、記録は、記録ヘッドとしてＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ－ｉｎ－ｇａｐ）ヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使用し、記録電流を各磁気テープの最適記録電流に設定して行った。再生は、再生ヘッドとしてＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ－ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド（素子厚み１５ｎｍ、シールド間隔０．１μｍ、再生素子幅０．８μｍ）を使用して行った。ヘッド傾き角度は０°とした。線記録密度３００ｋｆｃｉの信号を記録し、再生信号をシバソク社製のスペクトラムアナライザーで測定した。単位ｋｆｃｉとは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。信号としては、磁気テープ走行開始後に信号が十分に安定した部分を使用した。
温度２３℃相対湿度５０％の環境において、磁気テープの長手方向に０．７Ｎ（ニュートン）のテンションをかけて記録および再生を１０パス行った。磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度は６ｍ／秒とし、記録は、記録ヘッドとしてＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ－ｉｎ－ｇａｐ）ヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使用し、記録電流を各磁気テープの最適記録電流に設定して行った。再生は、再生ヘッドとしてＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ－ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド（素子厚み１５ｎｍ、シールド間隔０．１μｍ、再生素子幅０．８μｍ）を使用して行った。ヘッド傾き角度は０°とした。線記録密度３００ｋｆｃｉの信号を記録し、再生信号をシバソク社製のスペクトラムアナライザーで測定した。単位ｋｆｃｉとは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。信号としては、磁気テープ走行開始後に信号が十分に安定した部分を使用した。
【産業上の利用可能性】
【0155】
本発明の一態様は、各種データストレージの技術分野において有用である。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
