特開 2024-8661 配線基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024008661

(43)【公開日】2024-01-19

(54)【発明の名称】配線基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240112BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022110703

(22)【出願日】2022-07-08

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】内田 健介

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316CC38

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD25

5E316DD32

5E316DD33

5E316DD47

5E316EE33

5E316FF03

5E316FF04

5E316FF07

5E316FF09

5E316FF10

5E316FF13

5E316FF14

5E316FF15

5E316HH11

5E316JJ01

(57)【要約】

【課題】配線層や絶縁層にクラックが発生することを抑制可能な配線基板を提供する。
【解決手段】本配線基板は、第１配線層及び第１絶縁層を有する第１配線構造と、第２配線層及び第２絶縁層を有する第２配線構造であって、前記第１配線構造上に配置された第２配線構造と、を有し、前記第２配線層の配線幅及び配線間隔は、前記第１配線層の配線幅及び配線間隔よりも小さく、前記第１絶縁層は、前記第１配線層の側面を被覆すると共に上面を露出し、前記第２絶縁層は、前記第１配線層の上面及び前記第１絶縁層の上面を被覆し、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、フィラーを含有し、前記第２絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径は、前記第１絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径よりも小さい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１配線層及び第１絶縁層を有する第１配線構造と、
第２配線層及び第２絶縁層を有する第２配線構造であって、前記第１配線構造上に配置された第２配線構造と、を有し、
前記第２配線層の配線幅及び配線間隔は、前記第１配線層の配線幅及び配線間隔よりも小さく、
前記第１絶縁層は、前記第１配線層の側面を被覆すると共に上面を露出し、
前記第２絶縁層は、前記第１配線層の上面及び前記第１絶縁層の上面を被覆し、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、フィラーを含有し、
前記第２絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径は、前記第１絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径よりも小さい、配線基板。

【請求項2】

前記第２絶縁層が含有するフィラーの平均粒径は０．１μｍ以下であり、前記第２絶縁層が含有するフィラーの最大粒径は１μｍ以下である、請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記第１絶縁層の上面は、前記第１配線層の上面と面一である、請求項１に記載の配線基板。

【請求項4】

前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、非感光性樹脂を主成分とする絶縁層である、請求項１に記載の配線基板。

【請求項5】

前記第１配線構造は、複数の第１配線層及び複数の第１絶縁層を有し、
前記第２配線構造は、複数の第２配線層及び複数の第２絶縁層を有し、
前記複数の第１配線層は、前記複数の第１配線層のうち前記第２配線構造に最も近い側に配置される最上第１配線層を含み、
前記複数の第１絶縁層は、前記複数の第１絶縁層のうち前記第２配線構造に最も近い側に配置され、前記最上第１配線層の側面を被覆し上面を露出する最上第１絶縁層を含み、
前記複数の第２絶縁層は、前記最上第１配線層の上面及び前記最上第１絶縁層の上面を被覆する最下第２絶縁層を含み、
前記最上第１絶縁層及び前記最下第２絶縁層は、フィラーを含有し、
前記最下第２絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径は、前記最上第１絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径よりも小さい、請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項6】

すべての前記第１絶縁層及びすべての前記第２絶縁層は、フィラーを含有し、
各々の前記第２絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径は、いずれの前記第１絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径よりも小さい、請求項５に記載の配線基板。

【請求項7】

前記最上第１絶縁層の上面の粗度は、前記最上第１絶縁層以外の前記第１絶縁層の上面の粗度よりも小さい、請求項５に記載の配線基板。

【請求項8】

コア基板と、複数の第３配線層及び複数の第３絶縁層が積層された第３配線構造と、をさらに有し、
前記第１配線構造及び前記第２配線構造は、前記コア基板の一方の側に配置され、
前記第３配線構造は、前記コア基板の他方の側に配置され、
前記第２配線層の配線幅及び配線間隔は、前記第３配線層の配線幅及び配線間隔よりも小さい、請求項５に記載の配線基板。

【請求項9】

第１配線層及び第１絶縁層を有する第１配線構造と、
第２配線層及び第２絶縁層を有する第２配線構造であって、前記第１配線構造上に配置された第２配線構造と、を有する配線基板の製造方法であって、
第１配線層を形成する工程と、
前記第１配線層の側面及び上面を被覆する第１絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記第１絶縁樹脂層を研磨し、前記第１配線層の側面を被覆し上面を露出する第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１配線層の上面及び前記第１絶縁層の上面を被覆する未硬化の第２絶縁樹脂層を配置し、前記第２絶縁樹脂層を加熱しながら前記第１配線構造側に加圧して硬化させ、第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層上に第２配線層を形成する工程と、を有し、
前記第２配線層の配線幅及び配線間隔は、前記第１配線層の配線幅及び配線間隔よりも小さく、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、フィラーを含有し、
前記第２絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径は、前記第１絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径よりも小さい、配線基板の製造方法。

【請求項10】

前記第２絶縁層が含有するフィラーの平均粒径は０．１μｍ以下であり、前記第２絶縁層が含有するフィラーの最大粒径は１μｍ以下である、請求項９に記載の配線基板の製造方法。

【請求項11】

前記第１配線層を形成する工程では、前記第１配線層の上面に曲面状の突出部が形成され、
前記第１絶縁層を形成する工程では、前記研磨により前記突出部を除去し、前記第１配線層の上面と前記第１絶縁層の上面とを面一にする、請求項９又は１０に記載の配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、ビルドアップ法により複数の配線層及び複数の絶縁層を交互に積層する多層の配線基板が知られている。このような配線基板では、例えば、ビア配線を含む配線層の側面と絶縁層との間に意図的に微細な間隙を設け、この隙間にめっきを埋め込んで配線層を形成することにより、ビア配線を含む配線層の側面と絶縁層の密着性を向上させている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－５０３４３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、微細な隙間にめっきを埋め込むことは実現が困難である。また、配線層の側面と絶縁層との間に意図しない間隙が形成される場合があり、この間隙に起因して配線層や絶縁層にクラックが発生し、断線等を引き起こす場合がある。

【0005】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、配線層や絶縁層にクラックが発生することを抑制可能な配線基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本配線基板は、第１配線層及び第１絶縁層を有する第１配線構造と、第２配線層及び第２絶縁層を有する第２配線構造であって、前記第１配線構造上に配置された第２配線構造と、を有し、前記第２配線層の配線幅及び配線間隔は、前記第１配線層の配線幅及び配線間隔よりも小さく、前記第１絶縁層は、前記第１配線層の側面を被覆すると共に上面を露出し、前記第２絶縁層は、前記第１配線層の上面及び前記第１絶縁層の上面を被覆し、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、フィラーを含有し、前記第２絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径は、前記第１絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径よりも小さい。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、配線層や絶縁層にクラックが発生することを抑制可能な配線基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る配線基板を例示する断面図である。

【図2】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。

【図3】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。

【図4】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。

【図5】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。

【図6】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。

【図7】第１実施形態の応用例に係る半導体装置を例示する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

〈第１実施形態〉
［配線基板の構造］
図１は、第１実施形態に係る配線基板を例示する断面図である。図１（ａ）は全体図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の拡大図である。

【0011】

図１を参照すると、配線基板５は、コア基板１０と、第１配線構造１と、第２配線構造２と、第３配線構造３と、ソルダーレジスト層４０及び５０と、外部接続端子６０とを有している。第１配線構造１及び第２配線構造２は、コア基板１０の一方の側に配置され、第３配線構造３は、コア基板１０の他方の側に配置されている。なお、ソルダーレジスト層４０及び５０と、外部接続端子６０とは、必要に応じて設けることができる。

【0012】

なお、本実施形態では、便宜上、図１における配線基板５のソルダーレジスト層４０側を上側又は一方の側、ソルダーレジスト層５０側を下側又は他方の側とする。また、各部位のソルダーレジスト層４０側の面を一方の面又は上面、ソルダーレジスト層５０側の面を他方の面又は下面とする。但し、配線基板５は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。また、平面視とは対象物をソルダーレジスト層４０の一方の面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物をソルダーレジスト層４０の一方の面の法線方向から視た形状を指すものとする。

【0013】

コア基板１０としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア基板１０として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた基板等を用いてもよい。コア基板１０の厚さは、例えば、８０～１２００μｍ程度とすることができる。なお、各図において、ガラスクロス等の図示は省略されている。

【0014】

コア基板１０には、コア基板１０を貫通する複数の貫通孔１０ｘが形成されている。貫通孔１０ｘの平面形状は、例えば、直径が５０～１００μｍ程度の円形とすることができる。貫通孔１０ｘのピッチは、例えば、１００～１０００μｍ程度とすることができる。貫通孔１０ｘの内壁面には、貫通電極２０が形成されており、貫通孔１０ｘの中心部（貫通電極２０の内側）には樹脂部３０が充填されている。貫通電極２０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。貫通電極２０の厚さは、例えば、１５～３５μｍ程度とすることができる。樹脂部３０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を用いることができる。

【0015】

第１配線構造１は、コア基板１０の一方の面１０ａに積層されている。第１配線構造１は、複数の第１配線層及び複数の第１絶縁層が積層された配線構造である。本実施形態では、複数の第１配線層は、第１配線層１１、第１配線層１３、及び第１配線層１５を含む。第１配線層１５は、複数の第１配線層のうち第２配線構造２に最も近い側に配置される最上第１配線層である。なお、第１配線層の層数は、本実施形態の例には限定されない。第１配線層は、１層のみであってもよい。本実施形態では、複数の第１絶縁層は、第１絶縁層１２、第１絶縁層１４、及び第１絶縁層１６を含む。第１絶縁層１６は、複数の第１絶縁層のうち第２配線構造２に最も近い側に配置される最上第１絶縁層である。なお、第１絶縁層の層数は、本実施形態の例には限定されない。第１絶縁層は、１層のみであってもよい。

【0016】

第３配線構造３は、コア基板１０の他方の面１０ｂに積層されている。第３配線構造３は、複数の第３配線層及び複数の第３絶縁層が積層された配線構造である。本実施形態では、複数の第３配線層は、第３配線層３１、第３配線層３３、及び第３配線層３５を含む。なお、第３配線層の層数は、本実施形態の例には限定されない。本実施形態では、複数の第３絶縁層は、第３絶縁層３２、及び第３絶縁層３４を含む。なお、第３絶縁層の層数は、本実施形態の例には限定されない。

【0017】

第１配線層１１は、コア基板１０の一方の面１０ａに形成されている配線パターンである。第３配線層３１は、コア基板１０の他方の面１０ｂに形成されている配線パターンである。第１配線層１１は、コア基板１０を貫通する貫通電極２０を介して、第３配線層３１と電気的に接続されている。第１配線層１１及び第３配線層３１は、例えば、銅箔等の金属箔や銅めっき等のめっき層からなる。第１配線層１１及び第３配線層３１の厚さは、例えば、１５～３５μｍ程度とすることができる。第１配線層１１及び第３配線層３１のライン／スペースは、例えば、１０μｍ／１０μｍ～５０μｍ／５０μｍ程度とすることができる。

【0018】

なお、ライン／スペースにおけるラインとは配線幅を表し、スペースとは隣り合う配線同士の間隔（配線間隔）を表す。例えば、ライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ～５０μｍ／５０μｍと記載されていた場合、配線幅が１０μｍ以上５０μｍ以下で、かつ隣り合う配線同士の配線間隔が１０μｍ以上５０μｍ以下であることを表す。必ずしも配線幅と配線間隔とを等しくしなくてもよい。

【0019】

第１絶縁層１２は、コア基板１０の一方の面１０ａに、第１配線層１１を被覆するように形成されている。第３絶縁層３２は、コア基板１０の他方の面１０ｂに、第３配線層３１を被覆するように形成されている。第１絶縁層１２及び第３絶縁層３２は、非感光性樹脂を主成分とする絶縁層である。第１絶縁層１２及び第３絶縁層３２は、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等の熱硬化性の非感光性樹脂を主成分とすることができる。第１絶縁層１２及び第３絶縁層３２の厚さは、例えば２０～４０μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１２及び第３絶縁層３２は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有してもよい。第１絶縁層１２及び第３絶縁層３２が含有するフィラーの平均粒径、フィラーの最大粒径は、及びフィラーの含有量は、例えば、後述の第１絶縁層１６が含有するフィラー１６ｆの場合と同様とすることができる。なお、フィラーの平均粒径及び最大粒径は、走査電子顕微鏡を用いて測定することができる。

【0020】

第１配線層１３は、第１絶縁層１２の一方の側に形成されており、第１配線層１１と電気的に接続されている。第１配線層１３は、第１絶縁層１２を貫通し第１配線層１１の一方の面を露出するビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び第１絶縁層１２の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１２ｘは、第１絶縁層１４側に開口されている開口部の径が第１配線層１１の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。

【0021】

第３配線層３３は、第３絶縁層３２の他方の側に形成されており、第３配線層３１と電気的に接続されている。第３配線層３３は、第３絶縁層３２を貫通し第３配線層３１の他方の面を露出するビアホール３２ｘ内に充填されたビア配線、及び第３絶縁層３２の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール３２ｘは、第３絶縁層３４側に開口されている開口部の径が第３配線層３１の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。

【0022】

ビアホール１２ｘ及び３２ｘの開口部の径は、例えば、５０～６０μｍ程度とすることができる。第１配線層１３及び第３配線層３３の材料としては、例えば、銅等を用いることができる。第１配線層１３及び第３配線層３３の配線パターンの厚さは、例えば、１５～２５μｍ程度とすることができる。第１配線層１３及び第３配線層３３の配線パターンのライン／スペースは、例えば、１０μｍ／１０μｍ～５０μｍ／５０μｍ程度とすることができる。

【0023】

第１絶縁層１４は、第１絶縁層１２の一方の面に、第１配線層１３を被覆するように形成されている。第３絶縁層３４は、第３絶縁層３２の他方の面に、第３配線層３３を被覆するように形成されている。第１絶縁層１４及び第３絶縁層３４の材料や厚さは、例えば、第１絶縁層１２及び第３絶縁層３２と同様とすることができる。第１絶縁層１４及び第３絶縁層３４は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有してもよい。第１絶縁層１４及び第３絶縁層３４が含有するフィラーの平均粒径、フィラーの最大粒径は、及びフィラーの含有量は、例えば、後述の第１絶縁層１６が含有するフィラー１６ｆの場合と同様とすることができる。

【0024】

第１配線層１５は、第１絶縁層１４の一方の側に形成されており、第１配線層１３と電気的に接続されている。第１配線層１５は、第１絶縁層１４を貫通し第１配線層１３の一方の面を露出するビアホール１４ｘ内に充填されたビア配線、及び第１絶縁層１４の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１４ｘは、第１絶縁層１６側に開口されている開口部の径が第１配線層１３の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。

【0025】

第３配線層３５は、第３絶縁層３４の他方の側に形成されており、第３配線層３３と電気的に接続されている。第３配線層３５は、第３絶縁層３４を貫通し第３配線層３３の他方の面を露出するビアホール３４ｘ内に充填されたビア配線、及び第３絶縁層３４の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール３４ｘは、ソルダーレジスト層５０側に開口されている開口部の径が第３配線層３３の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。

【0026】

ビアホール１４ｘ及び３４ｘの開口部の径は、例えば、５０～６０μｍ程度とすることができる。第１配線層１５及び第３配線層３５の材料、第１配線層１５及び第３配線層３５の配線パターンの厚さ、第１配線層１５及び第３配線層３５の配線パターンのライン／スペースは、例えば、第１配線層１３及び第３配線層３３と同様することができる。

【0027】

第１絶縁層１６は、第１絶縁層１４の上面に第１配線層１５の側面を被覆し上面を露出するように形成されている。第１絶縁層１６の材料は、例えば、第１絶縁層１２と同様とすることができる。第１絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラー１６ｆを含有する。フィラー１６ｆの平均粒径は、例えば、０．５μｍ以下とすることができる。フィラー１６ｆの最大粒径は、例えば、５μｍ以下とすることができる。フィラー１６ｆの含有量は、例えば、７２ｗｔ％程度とすることができる。第１絶縁層１６が含有するフィラー１６ｆの平均粒径及び最大粒径は、後述する第２絶縁層２１が含有するフィラー２１ｆの平均粒径及び最大粒径よりも大きい。

【0028】

第１絶縁層１６の厚さは、例えば、５～１５μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１６の厚さは第１配線層１５を構成する配線パターンの厚さと同一であり、第１絶縁層１６の上面は第１配線層１５の上面と面一である。第１絶縁層１６の上面の粗度は、例えば、Ｒａ２０～６０ｎｍ程度とすることができる。なお、第１絶縁層１２及び１４の上面の粗度は、例えば、Ｒａ１５０～２００ｎｍ程度である。つまり、第１絶縁層１６の上面の粗度は、第１絶縁層１６以外の第１絶縁層の上面の粗度よりも小さい。

【0029】

第２配線構造２は、第１配線構造１上に配置されている。第２配線構造２は、複数の第２配線層及び複数の第２絶縁層が積層された配線構造である。本実施形態では、複数の第２配線層は、第２配線層２２、第２配線層２４、及び第２配線層２６を含む。第２配線層２２は、複数の第２配線層のうち第１配線構造１に最も近い側に配置される最下第２配線層である。なお、第２配線層の層数は、本実施形態の例には限定されない。第２配線層は、１層のみであってもよい。
本実施形態では、複数の第２絶縁層は、第２絶縁層２１、第２絶縁層２３、及び第２絶縁層２５を含む。第２絶縁層２１は、複数の第２絶縁層のうち第１配線構造１に最も近い側に配置される最下第２絶縁層である。なお、第２絶縁層の層数は、本実施形態の例には限定されない。第２絶縁層は、１層のみであってもよい。

【0030】

第２配線層の配線幅及び配線間隔は、第１配線層の配線幅及び配線間隔よりも小さい。また、第２配線層の配線幅及び配線間隔は、第３配線層の配線幅及び配線間隔よりも小さい。つまり、第２配線構造２を構成する第２配線層は、第１配線構造１を構成する第１配線層及び第３配線構造３を構成する第３配線層よりも配線密度の高い微細配線層である。

【0031】

第２絶縁層２１は、第１配線構造１の第１配線層１５の上面及び第１絶縁層１６の上面を被覆するように形成されている。第２絶縁層２１は、非感光性樹脂を主成分とする絶縁層である。第２絶縁層２１は、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等の熱硬化性の非感光性樹脂を主成分とすることができる。第２絶縁層２１は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラー２１ｆを含有する。第２絶縁層２１が含有するフィラー２１ｆの平均粒径及び最大粒径は、第１絶縁層１６が含有するフィラー１６ｆの平均粒径及び最大粒径よりも小さい。フィラー２１ｆの平均粒径は、例えば、０．１μｍ以下とすることができる。フィラー２１ｆの最大粒径は、例えば、１μｍ以下とすることができる。フィラー２１ｆの含有量は、例えば、５０ｗｔ％程度とすることができる。第２絶縁層２１は、第１絶縁層１２及び１４よりも薄い絶縁層である。第２絶縁層２１の厚さは、例えば、１０～２０μｍ程度とすることができる。

【0032】

第２配線層２２は、第２絶縁層２１の一方の側に形成されており、第１配線構造１の第１配線層１５と電気的に接続されている。第２配線層２２は、第２絶縁層２１を貫通し第１配線層１５の一方の面を露出するビアホール２１ｘ内に充填されたビア配線、及び第２絶縁層２１の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２１ｘは、第２絶縁層２３側に開口されている開口部の径が第１配線層１５の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール２１ｘの開口部の径は、例えば、５～１０μｍ程度とすることができる。第２配線層２２の材料としては、例えば、銅等を用いることができる。第２配線層２２を構成する配線パターンの厚さは、例えば、５～１０μｍ程度とすることができる。第２配線層２２を構成する配線パターンのライン／スペースは、例えば、３μｍ／３μｍ～８μｍ／８μｍ程度とすることができる。

【0033】

第２絶縁層２３は、第２絶縁層２１の一方の面に、第２配線層２２を被覆するように形成されている。第２絶縁層２３の材料や厚さは、例えば、第２絶縁層２１と同様とすることができる。第２絶縁層２３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有してもよい。第２絶縁層２３が含有するフィラーの平均粒径及びフィラーの最大粒径は、いずれの第１絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径よりも小さい。第２絶縁層２３が含有するフィラーの平均粒径、フィラーの最大粒径、及びフィラーの含有量は、例えば、第２絶縁層２１が含有するフィラー２１ｆの場合と同様とすることができる。

【0034】

第２配線層２４は、第２絶縁層２３の一方の側に形成されており、第２配線層２２と電気的に接続されている。第２配線層２４は、第２絶縁層２３を貫通し第２配線層２２の一方の面を露出するビアホール２３ｘ内に充填されたビア配線、及び第２絶縁層２３の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２３ｘは、第２絶縁層２５側に開口されている開口部の径が第２配線層２２の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール２３ｘの開口部の径は、例えば、５～１０μｍ程度とすることができる。第２配線層２４の材料、第２配線層２４を構成する配線パターンの厚さ、及び第２配線層２４を構成する配線パターンのライン／スペースは、例えば、第２配線層２２と同様とすることができる。

【0035】

第２絶縁層２５は、第２絶縁層２３の一方の面に、第２配線層２４を被覆するように形成されている。第２絶縁層２５の材料や厚さは、例えば、第２絶縁層２３と同様とすることができる。第２絶縁層２５は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有してもよい。第２絶縁層２５が含有するフィラーの平均粒径及びフィラーの最大粒径は、いずれの第１絶縁層が含有するフィラーの平均粒径及び最大粒径よりも小さい。第２絶縁層２５が含有するフィラーの平均粒径、フィラーの最大粒径、及びフィラーの含有量は、例えば、第２絶縁層２１が含有するフィラー２１ｆの場合と同様とすることができる。

【0036】

第２配線層２６は、第２絶縁層２５の一方の側に形成されており、第２配線層２４と電気的に接続されている。第２配線層２６は、第２絶縁層２５を貫通し第２配線層２４の一方の面を露出するビアホール２５ｘ内に充填されたビア配線、及び第２絶縁層２５の一方の面に形成された配線パターン及びパッドを含んで構成されている。ビアホール２５ｘは、ソルダーレジスト層４０側に開口されている開口部の径が第２配線層２４の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール２５ｘの開口部の径は、例えば、５～１０μｍ程度とすることができる。

【0037】

第２配線層２６の材料、及び第２配線層２６を構成する配線パターンの厚さは、例えば、第２配線層２２と同様とすることができる。第２配線層２６を構成するパッドの厚さは、例えば、１０～２０μｍ程度とすることができる。第２配線層２６を構成するパッドの平面形状は、例えば、直径が２０～３０μｍ程度の円形とすることができる。第２配線層２６を構成するパッドのピッチは、例えば、４０～５０μｍ程度とすることができる。第２配線層２６を構成するパッドは、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。

【0038】

なお、第２配線層２６を構成するパッドの表面（上面のみ、又は上面及び側面）に表面処理層（図示せず）を形成してもよい。表面処理層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。又、第２配線層２６を構成するパッドの表面（上面のみ、又は上面及び側面）に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施して表面処理層を形成してもよい。

【0039】

ソルダーレジスト層４０は、第２配線構造２の第２絶縁層２５の一方の面の外周側に形成されている最外絶縁層である。ソルダーレジスト層４０の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層４０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。ソルダーレジスト層４０は、開口部４０ｘを有し、開口部４０ｘ内には第２配線層２６の一部が露出している。

【0040】

ソルダーレジスト層５０は、第３配線構造３の第３絶縁層３４の他方の面に、第３配線構造３の第３配線層３５を被覆するように形成されている最外絶縁層である。ソルダーレジスト層５０の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層４０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0041】

ソルダーレジスト層５０は、開口部５０ｘを有し、開口部５０ｘの底部には第３配線構造３の第３配線層３５の一部が露出している。開口部４０ｘ内に露出する第３配線層３５には、必要に応じて、はんだボール等の外部接続端子６０が形成される。

【0042】

図１（ｂ）に示すように、配線基板５の製造工程において、第１配線層１５を構成する配線パターンの外縁と第１絶縁層１６との間に、幅が５μｍ程度の間隙Ｇが形成される場合がある。仮に、間隙Ｇをそのままにしておくと、第１配線層１５や第１絶縁層１６にクラックが発生し、断線等を引き起こす要因となり得る。

【0043】

しかし、後述のように、配線基板５の製造工程は、第１配線層１５の上面及び第１絶縁層１６の上面を被覆する第２絶縁層２１を形成する工程を含む。この工程では、第１配線層１５の上面及び第１絶縁層１６の上面を被覆する未硬化の第２絶縁樹脂層を配置し、第２絶縁樹脂層を加熱しながら第１配線構造１側に加圧して硬化させ、第２絶縁層２１を形成する。この際、軟化した第２絶縁樹脂層が間隙Ｇを充填し、その後硬化するため、最終的には間隙Ｇは存在しなくなる。その結果、第１配線層１５や第１絶縁層１６にクラックが発生することを抑制できる。また、第２絶縁層２１の一部が、間隙Ｇ内に入り込むため、アンカー効果が生じ、第１配線層１５及び第１絶縁層１６と第２絶縁層２１との密着性を向上できる。

【0044】

なお、仮に第２絶縁層２１が第１絶縁層１６と同様にフィラー１６ｆを含有する場合、フィラー１６ｆの平均粒径は０．５μｍ以下、最大粒径は５μｍ以下である。そのため、間隙Ｇの近傍に大きめのフィラー１６ｆが存在する場合、幅が５μｍ程度の間隙Ｇの充填に支障が生じ、間隙Ｇを充填しきれない場合があり得る。しかし、第２絶縁層２１が含有するフィラー２１ｆの平均粒径は０．１μｍ以下、最大粒径は１μｍ以下であるから、幅が５μｍ程度の間隙Ｇの充填に支障はない。すなわち、一般に、絶縁層に用いる非感光性樹脂には、絶縁性や熱膨張係数の調整のため、フィラーを含有させるが、配線基板５のように間隙に樹脂を充填させる場合、間隙への充填性を考えてフィラーの粒径を調整する必要がある。

【0045】

［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２～図６は、第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、ここでは、図１（ａ）に示す配線基板５の破線Ｂで囲んだ領域について図示しながら、配線基板５の製造工程を説明する。

【0046】

まず、図２（ａ）に示す工程では、貫通電極２０を有するコア基板１０を形成する。具体的には、例えば、所謂ガラスエポキシ基板等であるコア基板１０の一方の面及び他方の面にパターニングされていないプレーン状の銅箔が形成された積層板を準備する。そして、準備した積層板において、必要に応じて各面の銅箔を薄化した後、ＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法等により、コア基板１０及び各面の銅箔を貫通する貫通孔１０ｘを形成する。

【0047】

次に、必要に応じてデスミア処理を行い、貫通孔１０ｘの内壁面に付着したコア基板１０に含まれる樹脂の残渣を除去する。そして、例えば無電解めっき法やスパッタ法等により、各面の銅箔及び貫通孔１０ｘの内壁面を被覆するシード層（銅等）を形成し、シード層を給電層に利用した電解めっき法により、シード層上に電解めっき層（銅等）を形成する。これにより、貫通孔１０ｘの内壁にシード層上に電解めっき層が積層された貫通電極２０が形成され、コア基板１０の一方の面及び他方の面には、銅箔、シード層、及び電解めっき層が積層された第１配線層１１及び第３配線層３１が形成される。次に、第１配線層１１及び第３配線層３１をサブトラクティブ法等により所定の平面形状にパターニングする。また、貫通孔１０ｘ内において、貫通電極２０の内側に樹脂部３０を充填する。

【0048】

次に、図２（ｂ）に示す工程では、コア基板１０の一方の面１０ａに第１配線層１１を覆うように半硬化状態のフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートし、硬化させて第１絶縁層１２を形成する。又、コア基板１０の他方の面１０ｂに第３配線層３１を覆うように半硬化状態のフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートし、硬化させて第３絶縁層３２を形成する。或いは、フィルム状のエポキシ系樹脂等のラミネートに代えて、液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等を塗布後、硬化させて第１絶縁層１２及び第３絶縁層３２を形成してもよい。第１絶縁層１２及び第３絶縁層３２の各々の厚さは、例えば、２０～４０μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１２及び第３絶縁層３２の各々は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0049】

次に、図２（ｃ）に示す工程では、第１絶縁層１２に、第１絶縁層１２を貫通し第１配線層１１の上面を露出させるビアホール１２ｘを形成する。又、第３絶縁層３２に、第３絶縁層３２を貫通し第３配線層３１の下面を露出させるビアホール３２ｘを形成する。ビアホール１２ｘ及び３２ｘは、例えば、ＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。ビアホール１２ｘは、第１絶縁層１４が形成される側に開口されている開口部の径が第１配線層１１の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。また、ビアホール３２ｘは、第３絶縁層３４が形成される側に開口されている開口部の径が第３配線層３１の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール１２ｘ及び３２ｘを形成後、デスミア処理を行い、ビアホール１２ｘ及び３２ｘの底部に各々露出する第１配線層１１及び第３配線層３１の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。

【0050】

次に、図３（ａ）に示す工程では、ビアホール１２ｘの内壁を含む第１絶縁層１２の表面及びビアホール１２ｘ内に露出する第１配線層１１の表面に、銅の無電解めっきや銅のスパッタによりシード層１３ａを形成する。また、ビアホール３２ｘの内壁を含む第３絶縁層３２の表面及びビアホール３２ｘ内に露出する第３配線層３１の表面に銅の無電解めっきや銅のスパッタによりシード層３３ａを形成する。シード層１３ａ及び３３ａの厚さは、例えば、２００～４００ｎｍ程度とすることができる。次に、シード層１３ａ上に第１配線層１３の配線パターンの形状に合わせた開口部３００ｘを有するめっきレジストパターン３００を形成する。また、シード層３３ａ上に第３配線層３３の配線パターンの形状に合わせた開口部３１０ｘを有するめっきレジストパターン３１０を形成する。

【0051】

次に、シード層１３ａから給電する銅の電解めっきにより、めっきレジストパターン３００の開口部３００ｘに露出するシード層１３ａ上に電解めっき層１３ｂを析出する。また、シード層３３ａから給電する銅の電解めっきにより、めっきレジストパターン３１０の開口部３１０ｘに露出するシード層３３ａ上に電解めっき層３３ｂを析出する。

【0052】

次に、図３（ｂ）に示す工程では、めっきレジストの剥離液を用いて、めっきレジストパターン３００及び３１０を除去する。そして、電解めっき層１３ｂをマスクとしたエッチングを行い、電解めっき層１３ｂから露出するシード層１３ａを除去し第１配線層１３を形成する。また、電解めっき層３３ｂをマスクとしたエッチングを行い、電解めっき層３３ｂから露出するシード層３３ａを除去し第３配線層３３を形成する。

【0053】

次に、図３（ｃ）に示す工程では、第１絶縁層１２と同様の形成方法により、第１絶縁層１２の上面に第１配線層１３を覆うように第１絶縁層１４を形成する。第１絶縁層１４の材料や厚さは、例えば、第１絶縁層１２と同様とすることができる。また、第３絶縁層３２と同様の形成方法により、第３絶縁層３２の下面に第３配線層３３を覆うように第３絶縁層３４を形成する。第３絶縁層３４の材料や厚さは、例えば、第３絶縁層３２と同様とすることができる。

【0054】

次に、図４（ａ）に示す工程では、図２（ｃ）に示す工程と同様にしてビアホール１４ｘ及び３４ｘを形成する。そして、ビアホール１４ｘの内壁を含む第１絶縁層１４の表面及びビアホール１４ｘ内に露出する第１配線層１３の表面に銅の無電解めっきやスパッタによるシード層１５ａを形成する。また、ビアホール３４ｘの内壁を含む第３絶縁層３４の表面及びビアホール３４ｘ内に露出する第３配線層３３の表面に銅の無電解めっきやスパッタによるシード層３５ａを形成する。次に、シード層１５ａ上に第１配線層１５の配線パターンの形状に合わせた開口部３２０ｘを有するめっきレジストパターン３２０を形成する。また、シード層３５ａ上に第３配線層３５の配線パターンの形状に合わせた開口部３３０ｘを有するめっきレジストパターン３３０を形成する。

【0055】

次に、シード層１５ａから給電する銅の電解めっきにより、めっきレジストパターン３３０の開口部３３０ｘに露出するシード層１５ａ上に電解めっき層１５ｂを析出する。また、シード層３５ａから給電する銅の電解めっきにより、めっきレジストパターン３３０の開口部３３０ｘに露出するシード層３５ａ上に電解めっき層３５ｂを析出する。電解めっき層１５ｂの析出は、電解めっき層１５ｂの上面に曲面状の突出部が形成されるまで行う。

【0056】

第１絶縁層１４の上面を基準として、電解めっき層１５ｂの最も薄い部分の厚さ（電解めっき層１５ｂの外縁部の厚さ）、例えば、１５～２５μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１４の上面を基準として、電解めっき層１５ｂの最も厚い部分の厚さ（電解めっき層１５ｂの中央部の厚さ）、は、最も薄い部分の厚さプラス３～８μｍ程度とすることができる。すなわち、電解めっき層１５ｂの上面に形成される突出部の高さは、例えば、３～８μｍ程度とすることができる。

【0057】

なお、電解めっき層１５ｂの充填性を向上し、電解めっき層１５ｂの上面に曲面状の突出部が形成されやすくするために、ビアホール１４ｘの開口径をビアホール１２ｘや３４ｘの開口径より小さくしてもよい。また、電解めっき層３５ｂの下面は、平坦でも良いし、曲面状に突出してもよい。また、電解めっき層３５ｂの下面に曲面状の突出部が形成された場合にも、以降の工程で突出部を研磨して平坦化しなくてよい。第３配線構造３には微細配線層を形成しないからである。

【0058】

次に、図４（ｂ）に示す工程では、めっきレジストパターン３２０及び３３０を除去する。そして、電解めっき層１５ｂをマスクとしたエッチングを行い、電解めっき層１５ｂから露出するシード層１５ａを除去し第１配線層１５を形成する。また、電解めっき層３５ｂをマスクとしたエッチングを行い、電解めっき層３５ｂから露出するシード層３５ａを除去し第３配線層３５を形成する。この工程により、コア基板１０の下面に第３配線構造３が形成される。

【0059】

次に、図４（ｃ）に示す工程では、第１絶縁層１２と同様の形成方法により、第１配線層１５の側面及び上面を被覆する第１絶縁樹脂層１６Ａを形成する。第１絶縁樹脂層１６Ａの材料は、例えば、第１絶縁層１２と同様とすることができる。第１絶縁樹脂層１６Ａの厚さは、突出部を含めた第１配線層１５の全体を被覆できる十分な厚さとする。第１絶縁樹脂層１６Ａの厚さは、例えば、２０～４０μｍ程度とすることができる。

【0060】

次に、図５（ａ）に示す工程では、第１絶縁樹脂層１６Ａを研磨し、第１配線層１５の側面を被覆し上面を露出する第１絶縁層１６を形成する。研磨は、第１配線層１５の上面が第１絶縁層１６の上面から露出し、さらに第１配線層１５の上面が平坦化するまで行う。つまり、研磨により第１配線層１５の上面に形成された突出部を除去し、第１配線層１５の上面と前記第１絶縁層１６の上面とを面一にする。研磨には、例えば、ＣＭＰ法（chemical mechanical polishing法）を用いることができる。研磨後の第１配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、第１絶縁層１６の厚さと同一となる。第１絶縁層１６の厚さは、例えば、５～１５μｍ程度とすることができる。研磨後の第１絶縁層１６の上面の粗度は、研磨前の第１絶縁樹脂層１６Ａの上面の粗度よりも小さくなる。研磨前の第１絶縁樹脂層１６Ａの上面の粗度は、例えば、Ｒａ１５０～２００ｎｍ程度であり、研磨を実行することにより、第１絶縁層１６の上面の粗度は、Ｒａ２０～６０ｎｍ程度に低減することができる。

【0061】

この工程により、コア基板１０の上面に第１配線構造１が形成される。なお、第１絶縁層１２及び１４の上面の粗度は、例えば、Ｒａ１５０～２００ｎｍ程度である。つまり、この工程における研磨により、第１絶縁層１６の上面の粗度は、第１配線構造１を構成する他の絶縁層（第１絶縁層１２及び１４）の上面の粗度よりも小さくなる。つまり、第１絶縁層１６の上面は、第１配線構造１を構成する他の絶縁層（第１絶縁層１２及び１４）の上面よりも平坦化される。このように、第１絶縁層１６の上面の粗度を低減して平坦化することにより、後工程において、第１絶縁層１６の上面に微細配線層（高密度の配線パターン）の形成が可能となる。

【0062】

次に、図５（ｂ）に示す工程では、第１配線構造１の第１配線層１５の上面及び第１絶縁層１６の上面を被覆する未硬化のフィルム状の第２絶縁樹脂層を配置し、この第２絶縁樹脂層を加熱しながら第１配線構造１側に加圧して硬化させ、第２絶縁層２１を形成する。あるいは、フィルム状の第２絶縁樹脂層のラミネートに代えて、液状又はペースト状の絶縁樹脂を塗布後、硬化させて第２絶縁層２１を形成してもよい。この工程は、第２絶縁層２１を隙間Ｇ内（図１（ｂ）参照）に充填する為、真空中で行うことが好ましい。

【0063】

第２絶縁層２１となる絶縁樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。

【0064】

第２絶縁層２１は、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等の熱硬化性の非感光性樹脂を主成分とすることが好ましい。第２絶縁層２１は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラー２１ｆを含有する（図１（ｂ）参照）。第２絶縁層２１が含有するフィラー２１ｆの平均粒径及び最大粒径は、第１絶縁層１６が含有するフィラー１６ｆの平均粒径及び最大粒径よりも小さい。フィラー２１ｆの平均粒径は、例えば、０．１μｍ以下とすることができる。フィラー２１ｆの最大粒径は、例えば、１μｍ以下とすることができる。フィラー２１ｆの含有量は、例えば、５０ｗｔ％程度とすることができる。第２絶縁層２１は、第１絶縁層１２及び１４よりも薄い絶縁層である。第２絶縁層２１の厚さは、例えば、１０～２０μｍ程度とすることができる。

【0065】

なお、第２絶縁層２１が非感光性樹脂を主成分とすることが好ましい理由は、下記のとおりである。非感光性樹脂は、感光性樹脂に比較し熱膨張係数が低い。また、非感光性樹脂は、感光性樹脂に比較し比誘電率と誘電正接が低い。これは、非感光性樹脂は、フィラーを含有させることで、これらの物性値を調整できるが、感光性樹脂は、露光工程等の関係上、フィラーを含有させることが困難であり、良好な物性値を得にくいためである。

【0066】

一般的に、配線層に用いる銅等の金属の熱膨張係数より、絶縁層に用いる樹脂の熱膨張係数の方が大きい。配線層と絶縁層との熱膨張係数の差が大きいと、熱膨張係数の差異に起因する応力が配線層と絶縁層との間に生じ、配線層と絶縁層との剥離や、配線層の破断が発生する場合がある。この傾向は、配線層が微細になるほど大きくなる。このため、絶縁層の熱膨張係数は、配線層の熱膨張係数に近づけるべく、なるべく低い方が好ましい。よって、微細配線層を形成する第２絶縁層２１には、感光性樹脂より熱膨張係数の低い非感光性樹脂を用いる方が好ましい。他の第２絶縁層についても同様である。

【0067】

また、絶縁層の比誘電率や誘電正接が低いほど、配線層に高周波信号が流れやすくなる。絶縁層の比誘電率や誘電正接が高いと、配線層に流れる信号の遅延が生じる。この傾向は、配線層が微細になるほど大きくなる。よって、良好な高周波特性を得るために、微細配線層を形成する第２絶縁層２１には、感光性樹脂より比誘電率や誘電正接が低い非感光性樹脂を用いる方が好ましい。他の第２絶縁層についても同様である。

【0068】

なお、図５（ａ）に示す工程における研磨後に、図１（ｂ）に示したように、第１配線層１５を構成する配線パターンの外縁と第１絶縁層１６との間に、幅が５μｍ程度の間隙Ｇが形成される場合がある。しかし、図５（ｂ）に示す工程で第２絶縁層２１を形成する際、軟化した第２絶縁樹脂層が間隙Ｇを充填し、その後硬化するため、最終的には間隙Ｇは存在しなくなる。その結果、第１配線層１５や第１絶縁層１６にクラックが発生することを抑制できる。また、第２絶縁層２１の一部が、間隙Ｇ内に入り込むため、アンカー効果が生じ、第１配線層１５及び第１絶縁層１６と第２絶縁層２１との密着性を向上できる。なお、図５（ａ）に示す工程における研磨後に間隙Ｇが形成されない場合もあり得る。

【0069】

次に、図５（ｃ）に示す工程では、図２（ｃ）に示す工程と同様にしてビアホール２１ｘを形成する。ビアホール２１ｘは、他のビアホールと同様に逆円錐台状となる。ビアホール２１ｘの開口径は、例えば、５～１０μｍ程度とすることができる。次に、図４（ａ）及び図４（ｂ）と同様にして第２配線層２２を形成する。第２配線層２２のライン／スペースは、例えば、３μｍ／３μｍ～８μｍ／８μｍ程度とすることができる。なお、ビアホール２１ｘを含めた第２配線構造２の各ビアホールは、第１配線構造１の各ビアホールよりも開口径が小さいため、微細加工に適したエキシマレーザを用いて形成することが好ましい。

【0070】

次に、図６（ａ）に示す工程では、図４（ａ）及び図４（ｂ）と同様の工程を繰り返し、第２絶縁層２３、第２配線層２４、第２絶縁層２５、第２配線層２６を順次積層する。この工程により、第１配線構造１上に第２配線構造２が形成される。

【0071】

次に、図６（ｂ）に示す工程では、第２絶縁層２５上に開口部４０ｘを備えたソルダーレジスト層４０（図１参照）を形成する。また、第３配線層３５上に開口部５０ｘを備えたソルダーレジスト層５０を形成する。そして、ソルダーレジスト層５０の開口部５０ｘから露出する第３配線層３５上に、はんだボール等の外部接続端子６０を形成する。以上の工程で、配線基板５が完成する。

【0072】

〈第１実施形態の応用例〉
第１実施形態の応用例では、配線基板に半導体チップを搭載した半導体装置の例を示す。なお、第１実施形態の応用例において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0073】

図７は、第１実施形態の応用例に係る半導体装置を例示する断面図である。図７を参照すると、半導体装置７は、図１に示す配線基板５と、半導体チップ１１０と、電極ポスト１２０とを有する。

【0074】

半導体チップ１１０は、例えば、シリコン等からなる薄板化された半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。半導体基板（図示せず）には、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続された電極ポスト１２０が形成されている。電極ポスト１２０は、例えば、銅ポストである。

【0075】

電極ポスト１２０は、配線基板５の第２配線層２６と接続されている。電極ポスト１２０と第２配線層２６は、例えば、拡散接合等により直接接続してもよいし、はんだバンプ等を介して間接的に接続してもよい。後者の場合、はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、半導体チップ１１０と配線基板５の上面との間にアンダーフィル樹脂が充填されてもよい。

【0076】

このように、第１実施形態に係る配線基板５に半導体チップを搭載することにより、半導体装置７を実現できる。半導体装置７は、配線層や絶縁層にクラックが発生することを抑制可能な配線基板５を備えるため、信頼性の高い半導体装置を実現できる。

【0077】

以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

【0078】

例えば、本発明は、コア基板や第３配線構造を有さず、第１配線構造上に第２配線構造が積層されたコアレスの配線基板にも適用可能である。

【符号の説明】

【0079】

１ 第１配線構造
２ 第２配線構造
３ 第３配線構造
５ 配線基板
７ 半導体装置
１０ コア基板
１０ａ 一方の面
１０ｂ 他方の面
１０ｘ 貫通孔
１１，１３，１５ 第１配線層
１２，１４，１６第１絶縁層
１２ｘ，１４ｘ，２１ｘ，２３ｘ，２５ｘ，３２ｘ，３４ｘ ビアホール
１６Ａ 第１絶縁樹脂層
１６ｆ，２１ｆ フィラー
２１，２３，２５ 第２絶縁層
２２，２４，２６ 第２配線層
３１，３３，３５ 第３配線層
３２，３４ 第３絶縁層
２０ 貫通電極
３０ 樹脂部
４０，５０ ソルダーレジスト層
４０ｘ，５０ｘ 開口部
６０ 外部接続端子
１１０ 半導体チップ
１２０ 電極ポスト
３００，３１０，３２０，３３０ めっきレジストパターン
３００ｘ，３１０ｘ，３２０ｘ，３３０ｘ 開口部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】