特開 2024-87682 半導体製造装置、ピックアップ装置および半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024087682

(43)【公開日】2024-07-01

(54)【発明の名称】半導体製造装置、ピックアップ装置および半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20240624BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022202621

(22)【出願日】2022-12-19

(71)【出願人】

【識別番号】515085901

【氏名又は名称】ファスフォードテクノロジ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】名久井 勇輝

(72)【発明者】

【氏名】齊藤 明

(72)【発明者】

【氏名】岡本 直樹

(72)【発明者】

【氏名】望月 政幸

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047FA01

5F047FA73

5F047FA79

(57)【要約】

【課題】ダイの割れ不良や欠け不良を低減することが可能な技術を提供することにある。
【解決手段】半導体製造装置は、ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープと接触する複数のブロックと、前記複数のブロックに独立して上下動を伝える複数の駆動軸と、前記複数の駆動軸に独立して上下動を伝える複数のプランジャ機構と、前記複数のブロックのそれぞれの高さを測定するための複数の変位計と、を有する突上げユニットと、前記突上げユニットを制御する制御部と、を備える。前記複数の変位計は、前記複数のブロックまたは前記複数の駆動軸または前記複数のプランジャ機構に設けられる。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、
前記ダイシングテープと接触する複数のブロックと、前記複数のブロックに独立して上下動を伝える複数の駆動軸と、前記複数の駆動軸に独立して上下動を伝える複数のプランジャ機構と、前記複数のブロックのそれぞれの高さを測定するための複数の変位計と、を有する突上げユニットと、
前記突上げユニットを制御する制御部と、
を備え、
前記複数の変位計は、前記複数のブロックまたは前記複数の駆動軸または前記複数のプランジャ機構に設けられる半導体製造装置。

【請求項2】

請求項１に記載の半導体製造装置において、
前記突上げユニットは、前記複数のプランジャ機構のそれぞれを作動させる複数のモータと、前記複数のモータのそれぞれの回転位置を検出する複数のエンコーダと、を備える半導体製造装置。

【請求項3】

請求項２に記載の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記複数の変位計によって測定された前記複数のブロックのそれぞれの高さと、前記複数のエンコーダによって検出された前記複数のモータのそれぞれの回転位置とを比較して、前記複数のブロックを作動させるよう構成される半導体製造装置。

【請求項4】

請求項２に記載の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記複数の変位計によって測定された前記複数のブロックのそれぞれの高さと、前記複数のエンコーダによって検出された前記複数のモータのそれぞれの回転位置を比較して、前記複数のブロックの作動異常の判断を行うよう構成される半導体製造装置。

【請求項5】

請求項１から４の何れか１項の半導体製造装置において、
前記突上げユニットは、さらに、前記駆動軸を収納し、透磁素材で構成れる外周部を有し、
前記変位計は、前記駆動軸に設けられたマグネットと、前記外周部の外側面に設けられた検知部と、を備える半導体製造装置。

【請求項6】

請求項１から４の何れか１項の半導体製造装置において、
前記変位計は、レーザ変位センサ、分光干渉式センサまたは渦電流センサである半導体製造装置。

【請求項7】

請求項２の半導体製造装置において、
前記突上げユニットは、前記複数のブロックを有する第一ユニットと、前記駆動軸を有する第二ユニットと、前記複数のプランジャ機構を有する第三ユニットと、を備える半導体製造装置。

【請求項8】

請求項２の半導体製造装置において、
前記突上げユニットは、前記複数のブロックを有する第一ユニットと、前記駆動軸の上下動を前記複数のブロックに伝える第二ユニットと、前記駆動軸および前記複数のプランジャ機構を有する第三ユニットと、を備える半導体製造装置。

【請求項9】

請求項１から４の何れか１項の半導体製造装置において、
さらに、前記複数のブロックの所定動作シーケンスにおいて、前記複数の変位計の測定結果に基づいて前記複数のブロックのそれぞれの高さの制御を行うよう構成される制御部を備え、
前記所定動作シーケンスは、前記複数のブロックのブロック毎に複数のステップで構成され、前記複数のステップの各ステップの長さはブロックの上昇または下降が終了してから次のステップにおけるブロックの上昇または下降が始まるまでの時間で設定される半導体製造装置。

【請求項10】

請求項１から４の何れか１項の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記複数のブロックの所定動作シーケンスにおいて、前記複数のブロックの各ブロックの高さを測定し、その測定値を記録するよう構成され、
前記所定動作シーケンスは、複数のブロックのブロック毎に複数のステップで構成され、前記複数のステップの各ステップの長さは時間で設定される半導体製造装置。

【請求項11】

請求項１から４の何れか１項の半導体製造装置において、
前記制御部は、
前記複数のブロックを前記ダイシングテープに接触させないで所定動作シーケンスを行う空動作時の前記複数のブロックの高さを測定して、その測定値を記録し、
前記複数のブロックを前記ダイシングテープに接触さて前記所定動作シーケンスを行う生産時の前記複数のブロックの高さを測定し、記録した前記測定値と前記生産時の測定値との変化量を算出し、前記変化量をフィードバックして前記空動作時と同様の高さを保つように前記複数のブロックの高さの制御を行うよう構成される半導体製造装置。

【請求項12】

請求項２から４の何れか１項の半導体製造装置において、
前記モータは、さらに、当該モータの電流を得る電流センサを備え、
前記制御部は、
生産前に、負荷ごとに、前記複数のブロックを所定動作シーケンスで動かす時の前記電流センサにより検出される電流に基づいて前記複数のブロックの作動における負荷量を測定すると共に、測定した当該負荷量に対するフィードバックゲインを求め、負荷量とフィードバックゲインとの関係のテーブルを作成し、
生産時に、前記複数のブロックを所定動作シーケンスで動かす時の前記電流センサにより検出される電流に基づいて前記複数のブロックの作動における負荷量を測定し、測定した当該負荷量に対するフィードバックゲインを前記テーブルから求めて前記複数のブロックの高さの制御を行うよう構成される半導体製造装置。

【請求項13】

請求項１から４の何れか１項の半導体製造装置において、
さらに、前記ダイを吸着するコレットを有するヘッドと、
前記制御部は、前記複数のブロックの高さの測定値に基づいて前記コレットの高さの制御を行うよう構成される半導体製造装置。

【請求項14】

ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、
前記ダイシングテープと接触する複数のブロックと、前記複数のブロックに独立して上下動を伝える複数の駆動軸と、前記複数の駆動軸に独立して上下動を伝える複数のプランジャ機構と、前記複数のブロックのそれぞれの高さを測定する複数の変位計と、を有する突上げユニットと、
を備えるピックアップ装置。

【請求項15】

ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープと接触する複数のブロックと前記複数のブロックに独立して上下動を伝える複数の駆動軸と前記複数の駆動軸に独立して上下動を伝える複数のプランジャ機構と前記複数のブロックのそれぞれの高さを測定する複数の変位計とを有する突上げユニットと、を備える半導体製造装置にウエハリングを搬入する工程と、
前記ウエハリングが保持するダイシングテープからダイをピックアップする工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は半導体製造装置に関し、例えば突き上げユニットを有するダイボンダに適用可能である。

【背景技術】

【0002】

ダイボンダ等の半導体製造装置は、接合材料を用いて、例えば、素子を基板または素子の上にボンド（載置して接着）する装置である。接合材料は、例えば、液状またはフィルム状の樹脂やはんだ等である。素子は、例えば、半導体チップ、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）およびガラスチップ等のダイや電子部品である。基板は、例えば、配線基板や金属薄板で形成されるリードフレーム、ガラス基板等である。

【0003】

例えば、ダイボンダによるダイボンディング工程の中には、半導体ウエハ（以下、単に、ウエハという。）から分割されたダイをダイシングテープから剥離する剥離工程がある。剥離工程では、例えば、ダイシングテープ裏面から突上げユニットによってダイを突き上げて、ウエハ供給部に保持されたダイシングテープから、１個ずつ剥離し、ピックアップヘッドまたはボンドヘッドに設けられたコレット等の吸着ノズルを使ってダイがピックアップされる。

【0004】

例えば、特開２０１７－２２４６４０号公報（特許文献１）によれば、ダイシングテープに貼り付けられた複数のダイのうち剥離対象のダイを突き上げてダイシングテープから剥離する際に、突上げユニットは、複数の駆動軸によって複数のブロックを上下動させることでダイの周辺からダイシングテープを剥離している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１７－２２４６４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

複数の駆動軸は複数の駆動部（例えば、プランジャ機構）によって上下動させられるので、駆動部の剛性が低い場合、負荷量によっては複数のブロックの高さ（位置）が変動することがある。あるいは、複数のブロック間の高さ（位置）にズレが生じることがある。これらのいずれかによって、ダイの割れ不良や欠け不良が発生することがある。

【0007】

本開示の課題は、ダイの割れ不良や欠け不良を低減することが可能な技術を提供することにある。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、半導体製造装置は、ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープと接触する複数のブロックと、前記複数のブロックに独立して上下動を伝える複数の駆動軸と、前記複数の駆動軸に独立して上下動を伝える複数のプランジャ機構と、前記複数のブロックのそれぞれの高さを測定するための複数の変位計と、を有する突上げユニットと、前記突上げユニットを制御する制御部と、を備える。前記複数の変位計は、前記複数のブロックまたは前記複数の駆動軸または前記複数のプランジャ機構に設けられる。

【発明の効果】

【0009】

本開示によれば、ダイの割れ不良や欠け不良を低減することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は実施形態におけるダイボンダの構成例を示す概略上面図である。

【図2】図２は図１において矢印Ａ方向から見たときの概略構成を説明する図である。

【図3】図３は図１に示すウエハ供給部の主要部を示す概略断面図である。

【図4】図４は図１に示すダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。

【図5】図５は図１に示すダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図6】図６は実施形態における突上げユニットの縦断面を示す図である。

【図7】図７は図６に示す突上げユニットの別の縦断面を示す図である。

【図8】図８は図６に示す第１ユニットの一部の上面図である。

【図9】図９は図７に示すＥ－Ｅ線における第２ユニットの一部の断面を示す図である。

【図10】図１０は図６に示す第３ユニットの一部の上面図である。

【図11】図１１は突上げユニットのモータとモータ制御装置を示すブロック図である。

【図12】図１２（ａ）～図１２（ｄ）はＲＭＳの突上げシーケンスの一例を示す突上げユニットの断面図である。図１２（ａ）は第一状態を示す図であり、図１２（ｂ）は第二状態を示す図であり、図１２（ｃ）は第三状態を示す図であり、図１２（ｄ）は第四状態を示す図である。

【図13】図１３は図１２（ａ）～図１２（ｄ）のシーケンスのブロック動作タイミングの一例を示す図である。

【図14】図１４は図１３のブロック動作タイミングに対応する高さ位置制御の場合のタイムチャートレシピの一例を示す図である。

【図15】図１５は図１３のブロック動作タイミングに対応する第一変形例におけるタイムチャートレシピを示す図である。

【図16】図１６は第二変形例におけるブロック高さの制御方法を示すフローチャートである。

【図17】図１７は第三変形例におけるブロック高さの制御方法を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、実施形態および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

【0012】

半導体製造装置の一実施形態であるダイボンダの構成について図１から図３を用いて説明する。図１は実施形態におけるダイボンダの構成例を示す概略上面図である。図２は図１において矢印Ａ方向から見たときの概略構成を説明する図である。図３は図１に示すウエハ供給部の主要部を示す概略断面図である。

【0013】

ダイボンダ１は、大別して、ウエハ供給部１０と、ピックアップ部２０、中間ステージ部３０と、ボンディング部４０と、搬送部５０、基板供給部６０と、基板搬出部７０と、制御部（制御装置）８０と、を有する。Ｙ方向がダイボンダ１の前後方向であり、Ｘ方向が左右方向であり、Ｚ方向が上下方向である。ウエハ供給部１０がダイボンダ１の前側に配置され、ボンディング部４０が後側に配置される。

【0014】

ウエハ供給部１０は、ウエハカセットリフタ１１と、ウエハ保持台１２と、突上げユニット１３と、ウエハ認識カメラ１４とを有する。

【0015】

ウエハカセットリフタ１１は複数のウエハリングＷＲが格納されるウエハカセット（不図示）をウエハ搬送高さまで上下動させる。ウエハ修正シュート（不図示）はウエハカセットリフタ１１から供給されるウエハリングＷＲのアライメントを行う。ウエハエキストラクタ（不図示）はウエハリングＷＲをウエハカセットから取出してウエハ保持台１２に供給したり、ウエハ保持台１２から取り出してウエハカセットに収納したりする。

【0016】

ウエハ保持台１２は、ウエハリングＷＲを保持するエキスパンドリング１２１と、ウエハリングＷＲに保持されダイシングテープＤＴを水平に位置決めする支持リング１２２と、を有する。突上げユニット１３は支持リング１２２の内側に配置される。

【0017】

ダイシングテープＤＴ上にウエハＷが接着（貼付）されており、そのウエハＷは複数のダイＤに分割されている。ダイシングテープＤＴは可視光に対して透明である。ウエハＷとダイシングテープＤＴとの間にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）と呼ばれるフィルム状の接着材料ＤＦを貼り付けている。接着材料ＤＦは加熱することで硬化する。

【0018】

ウエハ保持台１２は図示しない駆動部によってＸＹ方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置に移動させる。また、ウエハ保持台１２は図示しない駆動部によってＸＹ平面内においてウエハリングＷＲを回転またはＸＹ移動させる。突上げユニット１３は図示しない駆動部によって上下方向に移動する。突上げユニット１３はダイシングテープＤＴからダイＤを剥離する。ウエハ保持台１２および突上げユニット１３はピックアップ装置を構成する。ピックアップ装置にピックアップ部２０を含めてもよい。

【0019】

ウエハ認識カメラ１４はウエハＷからピックアップするダイＤのピックアップ位置を把握したり、ダイＤの表面検査をしたりする。

【0020】

ピックアップ部２０は、ピックアップヘッド２１と、Ｙ駆動部２３と、を有する。ピックアップヘッド２１には、剥離されたダイＤを先端に吸着保持するコレット２２が設けられる。ピックアップヘッド２１はウエハ供給部１０からダイＤをピックアップし、中間ステージ３１に載置する。Ｙ駆動部２３はピックアップヘッド２１をＹ軸方向に移動させる。ピックアップ部２０は、ピックアップヘッド２１を昇降、回転及びＸ方向移動させる各駆動部（不図示）を有する。

【0021】

中間ステージ部３０は、ダイＤが載置される中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識するためのステージ認識カメラ３４と、を有する。中間ステージ３１は載置されたダイＤを吸着する吸引孔を備える。載置されたダイＤは中間ステージ３１に一時的に保持される。中間ステージ３１はダイＤが載置される載置ステージであると共に、ダイＤがピックアップされるピックアップステージでもある。

【0022】

ボンディング部４０は、ボンドヘッド４１と、Ｙ駆動部４３と、基板認識カメラ４４と、ボンドステージ４６と、を有する。ボンドヘッド４１にはダイＤを先端に吸着保持するコレット４２が設けられる。Ｙ駆動部４３はボンドヘッド４１をＹ軸方向に移動させる。基板認識カメラ４４は基板Ｓの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンド位置を認識する。ここで、基板Ｓには、最終的に一つのパッケージとなる、複数の製品エリア（以下、パッケージエリアＰという。）が形成されている。位置認識マークはパッケージエリアＰごとに設けられる。ボンドステージ４６は、基板ＳにダイＤが載置される際、上昇させられ、基板Ｓを下方から支える。ボンドステージ４６は基板Ｓを真空吸着するための吸引口（不図示）を有し、基板Ｓを固定することが可能である。ボンドステージ４６は基板Ｓを加熱する加熱部（不図示）を有する。ボンディング部４０は、ボンドヘッド４１を昇降、回転及びＸ方向移動させる各駆動部（不図示）を有する。

【0023】

このような構成によって、ボンドヘッド４１は、ステージ認識カメラ３４の撮像データに基づいてピックアップ位置や姿勢を補正し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップする。そして、ボンドヘッド４１は、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板ＳのパッケージエリアＰ上にボンドし、または既に基板ＳのパッケージエリアＰの上にボンドされたダイの上に積層する形でボンドする。

【0024】

搬送部５０は、基板Ｓを掴み搬送する搬送爪５１と、基板Ｓが移動する搬送レーン５２と、を有する。基板Ｓは、搬送レーン５２に設けられた搬送爪５１の図示しないナットを搬送レーン５２に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによってＸ方向に移動する。このような構成によって、基板Ｓは、基板供給部６０から搬送レーン５２に沿ってボンド位置まで移動し、ボンド後、基板搬出部７０まで移動して、基板搬出部７０に基板Ｓを渡す。

【0025】

基板供給部６０は、搬送治具に格納されて搬入された基板Ｓを搬送治具から取り出して搬送部５０に供給する。基板搬出部７０は、搬送部５０により搬送された基板Ｓを搬送治具に格納する。

【0026】

次に、制御部８０について図４を用いて説明する。図４は図１に示すダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。

【0027】

制御系８は、制御部（制御装置）８０、駆動部８６、信号部８７、光学系８８等を備える。制御部８０は、大別して、主としてＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成される制御・演算装置８１と、記憶装置８２と、入出力装置８３と、バスライン８４と、電源部８５とを有する。記憶装置８２は、主記憶装置８２ａと補助記憶装置８２ｂとを有する。主記憶装置８２ａは、処理プログラムなどを記憶しているＲＡＭ（Random Access Memory）で構成されている。補助記憶装置８２ｂは、制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているＨＤＤ（Hard Disk Drive）やＳＳＤ（Solid State Drive）等で構成されている。

【0028】

入出力装置８３は、装置状態や情報等を表示するモニタ８３ａと、オペレータの指示を入力するタッチパネル８３ｂと、モニタ８３ａを操作するマウス８３ｃと、光学系８８からの画像データを取り込む画像取込装置８３ｄと、を有する。入出力装置８３は、さらに、モータ制御装置８３ｅと、Ｉ／Ｏ信号制御装置８３ｆと、を有する。モータ制御装置８３ｅは、ウエハ供給部１０のＸＹテーブル（図示せず）やボンドヘッドテーブルのＺＹ駆動軸、突上げユニット１３の駆動部等を制御する。Ｉ／Ｏ信号制御装置８３ｆは、後述する変位計等の種々のセンサや照明装置などの明るさを制御するスイッチやボリューム等を含む信号部８７から信号を取り込み又は制御する。光学系８８には、ウエハ認識カメラ１４、ステージ認識カメラ３４、基板認識カメラ４４が含まれる。制御・演算装置８１はバスライン８４を介して必要なデータを取込み、演算し、ピックアップヘッド２１等の制御や、モニタ８３ａ等に情報を送る。

【0029】

ダイボンダ１を用いた半導体装置の製造工程の一部（半導体装置の製造方法）について図５を用いて説明する。図５は図１に示すダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。以下の説明において、ダイボンダ１を構成する各部の動作は制御部８０により制御される。

【0030】

（ウエハ搬入工程：工程Ｓ１）
ウエハリングＷＲがウエハカセットリフタ１１のウエハカセットに供給される。供給されたウエハリングＷＲがウエハ保持台１２に供給される。なお、ウエハＷは、予めプローバ等の検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイの良、不良を示すウエハマップデータが生成されている。このウエハマップデータは制御部８０の記憶装置に記憶される。

【0031】

（基板搬入工程：工程Ｓ２）
基板Ｓが格納された搬送治具が基板供給部６０に供給される。基板供給部６０で搬送治具から基板Ｓが取り出され、基板Ｓが搬送爪５１に固定される。

【0032】

（ピックアップ工程：工程Ｓ３）
工程Ｓ１後、所望するダイＤをダイシングテープＤＴからピックアップできるようにウエハ保持台１２が動かされる。ウエハ認識カメラ１４によりダイＤが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイＤの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データを画像処理することによって、ダイボンダのダイ位置基準点からのウエハ保持台１２上のダイＤのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、ウエハ保持台１２の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データを画像処理することによって、ダイＤの表面検査が行われる。

【0033】

位置決めされたダイＤは突上げユニット１３およびピックアップヘッド２１によりダイシングテープＤＴから剥離される。ダイシングテープＤＴから剥離されたダイＤは、ピックアップヘッド２１に設けられたコレット２２に吸着、保持されて、中間ステージ３１に搬送されて載置される。

【0034】

ステージ認識カメラ３４により中間ステージ３１の上のダイＤが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイＤの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データを画像処理することによって、ダイボンダのダイ位置基準点からの中間ステージ３１上のダイＤのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、中間ステージ３１の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データを画像処理することによって、ダイＤの表面検査が行われる。

【0035】

ダイＤを中間ステージ３１に搬送したピックアップヘッド２１はウエハ供給部１０に戻される。上述した手順に従って、次のダイＤがダイシングテープＤＴから剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープＤＴから１個ずつダイＤが剥離される。

【0036】

（ボンド工程：工程Ｓ４）
搬送部５０により基板Ｓがボンドステージ４６に搬送される。ボンドステージ４６上に載置された基板Ｓが基板認識カメラ４４により撮像され、撮影によって取得された画像データに基づいて基板Ｓの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダ１の基板位置基準点からの基板Ｓのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出される。なお、基板位置基準点は、予め、ボンディング部４０の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データが画像処理されることによって、基板Ｓの表面検査が行われる。

【0037】

工程Ｓ３において算出された中間ステージ３１上のダイＤのずれ量からボンドヘッド４１の吸着位置が補正されてダイＤがコレット４２により吸着される。中間ステージ３１からダイＤを吸着したボンドヘッド４１によりボンドステージ４６に支持された基板Ｓの所定箇所にダイＤがボンドされる。ここで、基板Ｓの所定箇所は、基板ＳのパッケージエリアＰ、または、すでに素子が載置されており、それに加える形で素子をボンドする際の領域、または、積層ボンドする素子のボンド領域である。基板認識カメラ４４により基板ＳにボンドされたダイＤが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイＤが所望の位置にボンドされたかどうか等の検査が行われる。

【0038】

ダイＤを基板Ｓにボンドしたボンドヘッド４１は中間ステージ３１に戻される。上述した手順に従って、次のダイＤが中間ステージ３１からピックアップされ、基板Ｓにボンドされる。これが繰り返されて基板ＳのすべてのパッケージエリアＰにダイＤがボンドされる。

【0039】

（基板搬出工程：工程Ｓ５）
ダイＤがボンドされた基板Ｓが基板搬出部７０に搬送される。基板搬出部７０で搬送爪５１から基板Ｓが取り出されて搬送治具に格納される。ダイボンダ１から基板Ｓが格納されている搬送治具が搬出される。

【0040】

上述したように、ダイＤは、基板Ｓ上に実装され、ダイボンダ１から搬出される。その後、例えば、ダイＤが実装された基板Ｓが格納された搬送治具がワイヤボンディング工程に搬送され、ダイＤの電極はＡｕワイヤ等を介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。そして、基板Ｓがモールド工程に搬送され、ダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、半導体パッケージが完成する。

【0041】

積層ボンドする場合は、ワイヤボンディング工程に続いて、ダイＤが実装された基板Ｓが載置格納された搬送治具がダイボンダに搬入されて基板Ｓ上に実装されたダイＤの上にダイＤが積層される。そして、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。第二段目より上のダイＤは、上述した方法でダイシングテープＤＴから剥離された後、ボンディング部に搬送されてダイＤの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Ｓがモールド工程に搬送され、複数個のダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、積層パッケージが完成する。

【0042】

次に、突上げユニット１３について図６～図１０を用いて説明する。図６は実施形態における突上げユニットの縦断面を示す図である。図７は図６に示す突上げユニットの別の縦断面を示す図である。図８は図６に示す第１ユニットの一部の上面図である。図９は図７に示すＥ－Ｅ線における第２ユニットの一部の断面を示す図である。図１０は図６に示す第３ユニットの一部の上面図である。

【0043】

図６に示すように、突上げユニット１３は、第１ユニット１３１と、第１ユニット１３１が装着される第２ユニット１３２と、第２ユニット１３２が装着される第３ユニット１３３と、を備える。第２ユニット１３２および第３ユニット１３３は品種に関係なく共通な部分で、第１ユニット１３１は品種ごとに取替可能な部分である。第１ユニット１３１は治工具とも称する。

【0044】

図６から図８に示すように、第１ユニット１３１は、四つのブロックＡ１～Ａ４を有するブロック部１３１１と、ドーム１３１２と、変換機構１３１３と、周辺ダイの吸引機構１３１４と、ドームの吸引機構１３１５と、を有する。ドーム１３１２は上部に開口を有し、ブロックＡ１～Ａ４はその開口を通して上下運動する。なお、第１ユニット１３１が四つのブロックＡ１～Ａ４で構成される場合を説明するが、本実施形態では六つまでのブロックで構成することが可能である。

【0045】

変換機構１３１３は、第２ユニット１３２の同心円状の四つのブロックＢ１～Ｂ４の上下運動を同心四角状の四つのブロックＡ１～Ａ４の上下運動に変換する。四つのブロックＡ１～Ａ４は独立に上下運動が可能である。同心四角状のブロックＡ１～Ａ４の平面形状はダイＤの形状に合うように構成される。ダイサイズが大きい場合や剥離制御を細かくしたい場合は、同心四角状のブロックの数は４つよりも多く構成される。これは、第３ユニット１３３の複数の出力部および第２ユニット１３２の同心円状のブロックが互いに独立に上下動する（上下動しない）ことにより可能となっている。四つのブロックＡ１～Ａ４の突上げ速度、突上げ量をプログラマブルに設定可能である。

【0046】

吸引機構１３１４はドーム１３１２の上面に設けられる吸引孔と連通し真空ポンプに接続される。吸引機構１３１４はブロックＡ１～Ａ４の間隙と連通し真空ポンプに接続される。

【0047】

図６、図７および図９に示すように、第２ユニット１３２は、円管状のブロックＢ１～Ｂ６と、変換機構１３２３と、マグネットＭＧ１～ＭＧ６と、それらを覆う外周部（ドーム）１３２２と、外周部１３２２の外面側に設けられる検知部ＫＣ１～ＫＣ６と、を有する。外周部１３２２は透磁素材で構成される。この構成により、ブロックＢ１～Ｂ６の高さを測定することが可能である。ブロックＢ１～Ｂ６または変換機構１３２３とブロックＡ１～Ａ６との相対的な高さおよび測定したブロックＢ１～Ｂ６または変換機構１３２３の高さに基づいてブロックＡ１～Ａ６の高さを求める（測定する）ことが可能になる。マグネットＭＧ１～ＭＧ６および検知部ＫＣ１～ＫＣ６によって六つのマグネットセンサ（変位計）が構成される。なお、変位計は、各ブロックの平坦度を測定するものではなく、ブロックの相対的位置関係を把握できればよいので、変位計としてマグネットセンサ等のそれほど高くない精度のセンサであればよい。

【0048】

変換機構１３２３は、第３ユニット１３３の円周上に配置されるピンＣ１～Ｃ６の上下運動を同心円状の六つのブロックＢ１～Ｂ６の上下運動に変換する。変換機構１３２３の下部においては、各ブロックＢ１～Ｂ６は外周部１３２２に隣接する部分を有する。各ブロックＢ１～Ｂ６の外周部１３２２に隣接する部分にマグネットＭＧ１～ＭＧ６が取り付けられる。変換機構１３２３の上部においては、ブロックＢ６は最外周に位置し、ブロックＢ５はブロックＢ６に隣接して内側に位置し、ブロックＢ４はブロックＢ５に隣接して内側に位置し、ブロックＢ３はブロックＢ４に隣接して内側に位置し、ブロックＢ２はブロックＢ３に隣接して内側に位置し、ブロックＢ１はブロックＢ２に隣接して最内側に位置する。六つのブロックＢ１～Ｂ６は独立に上下運動が可能である。ブロックＢ１～Ｂ６または変換機構１３２３を駆動軸という。なお、ブロックＢ１～Ｂ６と変換機構１３２３は一体的に形成されているが、これに限定されるものではない。

【0049】

図６、図７および図１０に示すように、第３ユニット１３３は中央部１３３０と６つの周辺部１３３１～１３３６とを備える。中央部１３３０の上部に円筒状の出力部１３３０ａを備える。出力部１３３０ａは上面の円周上に等間隔に配置され独立して上下する六つのピンＣ１～Ｃ６を有する。周辺部１３３１～１３３６はそれぞれピンＣ１～Ｃ６を互いに独立に駆動可能である。周辺部１３３１～１３３６はそれぞれモータＭ１～Ｍ６を備え、中央部１３３０にはモータの回転をカムまたはリンクによって上下動に変換するプランジャ機構Ｐ１～Ｐ６を備える。プランジャ機構Ｐ１～Ｐ６はピンＣ１～Ｃ６に上下動を与える。なお、モータＭ２、Ｍ５およびプランジャ機構Ｐ２、Ｐ５は図示されていない。

【0050】

ピンＣ１～Ｃ６にマグネットＭＧ１～ＭＧ６を設け、出力部１３３０ａまたは第２ユニット１３２の外周部１３２２の外面側に検知部ＫＣ１～ＫＣ６を設けてもよい。この場合、ピンＣ１～Ｃ６を駆動軸という。これにより、ピンＣ１～Ｃ６の高さを測定することが可能である。ピンＣ１～Ｃ６とブロックＡ１～Ａ６との相対的な高さおよび測定したピンＣ１～Ｃ６の高さに基づいてブロックＡ１～Ａ６の高さを求める（測定する）ことが可能になる。

【0051】

モータＭ１～Ｍ６の構成例について図１１を用いて説明する。図１１は突上げユニットのモータとモータ制御装置を示すブロック図である。

【0052】

モータＭ１～Ｍ６には、例えばＡＣサーボモータまたはαステップのパルスモータ（通常時はオープンループ制御を行い、過負荷時はクローズドループ制御を行うハイブリッド制御のステッピングモータ）が使用される。モータＭ１～Ｍ６は、それぞれ回転角速度を検出するエンコーダ（ＥＮＣ）Ｍａおよびモータ電流を得る電流センサ（ＣＳ）Ｍｂを備える。

【0053】

ここで、第１ユニット１３１は四つのブロックＡ１～Ａ４しか有さないので、第２ユニット１３２のブロックＢ５，Ｂ６、第３ユニット１３３のピンＣ５，Ｃ６、プランジャ機構Ｐ５，Ｐ６、モータＭ５，Ｍ６、マグネットＭＧ５，ＭＧ６および検知部ＫＣ５，ＫＣ６は使用されない。

【0054】

突上げユニット１３は、例えば、ブロックＡ１～Ａ４を同時に突上げ、その後さらに、ブロックＡ１～Ａ３を同時に突上げ、その後さらに、ブロックＡ１，Ａ２を同時に突上げ、その後さらに、ブロックＡ１を突上げてピラミッド状にする動作を行うことが可能である。突上げユニット１３は、ブロックＡ１～Ａ４を同時に突上げてからブロックＡ４、ブロックＡ３、ブロックＡ２の順に下げる動作を行うことが可能である。本開示では、前者をＭＳ（Multi Step）動作、後者をＲＭＳ（Reverse Multi Step）動作という。

【0055】

ＲＭＳ動作について図１２（ａ）～図１２（ｄ）を用いて説明する。図１２（ａ）～図１２（ｄ）はＲＭＳの突上げシーケンスの一例を示す突上げユニットの断面図であり、図１２（ａ）は第一状態を示す図であり、図１２（ｂ）は第二状態を示す図であり、図１２（ｃ）は第三状態を示す図であり、図１２（ｄ）は第四状態を示す図である。

【0056】

ピックアップ動作はダイシングテープＤＴ上の目的とするダイＤが突上げユニット１３とコレット２２に位置決めされるところから開始する。位置決めが完了すると突上げユニット１３の図示していない吸引孔および間隙を介して真空引きすることによって、ダイシングテープＤＴが突上げユニット１３の上面に吸着される。このとき、ブロックＡ１～Ａ４の上面はドーム１３１２の上面と同一の高さ（初期位置）にある。その状態で真空供給源から真空が供給され、コレット２２がダイＤのデバイス面に向けて真空引きしながら降下し、着地する。

【0057】

その後、図１２（ａ）に示すように、ブロックＡ１～Ａ４が同時に所定の高さまで一定の速度で上昇して第一状態になる。コレット２２はブロックＡ１～Ａ４に連動して（高さに同期して）上昇するよう制御される。よって、ダイＤはコレット２２とブロックＡ１～Ａ４に挟まれたまま上昇する。ダイシングテープＤＴの周辺部は突上げユニット１３の周辺であるドーム１３１２に真空吸着されたままなので、ダイＤの周辺で張力が生じる。その結果、ダイＤ周辺でダイシングテープＤＴの剥離が開始されることになる。

【0058】

続いて、図１２（ｂ）に示すように、ブロックＡ４がドーム１３１２の上面よりも下の所定の高さに一定の速度で下降して第二状態になる。ブロックＡ４がドーム１３１２の上面よりも下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離が進行する。

【0059】

続いて、図１２（ｃ）に示すように、ブロックＡ３がドーム１３１２の上面よりも下の所定の高さに一定の速度で下降して第三状態になる。ブロックＡ３がドーム１３１２の上面よりも下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。

【0060】

続いて、図１２（ｄ）に示すように、ブロックＡ２がドーム１３１２の上面よりも下の所定の高さに一定の速度で下降して第四状態になる。ブロックＡ２がドーム１３１２の上面よりも下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。

【0061】

その後、コレット２２を上方に引き上げる。また、第四状態から所定時間後ブロックＡ２～Ａ４が一定の速度で上昇し、ブロックＡ１が一定の速度で下降し初期位置に戻る。これにより、ダイＤをダイシングテープＤＴから剥がす作業が完了する。

【0062】

次に、ＲＭＳの動作の設定方法および制御について説明する。タイムチャートレシピには、例えば、突上げユニット１３の各ブロックＡ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４の動作をブロック毎およびステップ毎にステップの時間、ブロックの上昇または下降の速度、ブロックの高さ（位置）が設定される。時間制御の場合はステップの時間が設定され、位置制御の場合はブロックの高さが設定される。制御部８０は、タイムチャートレシピに基づいてピンＣ１～Ｃ４およびブロックＢ１～Ｂ４を介して各ブロックＡ１～Ａ４をそれぞれ駆動するモータＭ１～Ｍ４を制御する。

【0063】

設定項目の異なる複数のタイムチャートレシピを用意しておき、オペレータは、ＧＵＩ（Graphical User Interface）によって複数のタイムチャートレシピから一つのタイムチャートレシピを選択し、選択したタイムチャートレシピの項目に設定値を入力する。または、オペレータは、予め設定値が入力されたタイムチャートレシピを外部機器からダイボンダ等の半導体製造装置にデータ通信したり、外部記憶装置から半導体製造装置にインストールしたりする。ここで、外部記憶装置は、例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリである。また、制御部８０は検知部ＫＣ１～ＫＣ４により検知したブロックＡ１～Ａ４のそれぞれの高さに基づいてリアルタイムにタイムチャートレシピを書換えて突上げユニット１３に指示して突上げ動作の変更が可能である。

【0064】

タイムチャートレシピの一例について図１３および図１４を用いて説明する。図１３はＲＭＳ動作におけるブロック動作タイミング例を示す図である。図１４は図１３のブロック動作タイミングに対応する高さ位置制御の場合のタイムチャートレシピの一例を示す図である。図１３の横軸は時間（ｔ）であり、縦軸は突上げ高さ（ｈ）である。

【0065】

図１４に示すタイムチャートレシピは、各ブロックの動作を指示したブロック位置（高さ）に到達したことを優先として各ステップを終了し、各ブロック間の処理時間の調整に動作時間差（時間差またはインターバル時間）を入力して各ブロック動作を実行する。言い換えると、時間差は各ブロックの上昇または下降が終了してから次のステップの開始する時間である。ブロックの上昇または下降の終了は変位計の測定値とタイムチャートレシピで設定されたブロックの位置（高さ）との比較によって判断される。これにより、各ブロックの動作をステップ毎に確実に実施した上で、他のブロックとの動作の同期も取って動作させることができる。

【0066】

（１）ブロックＡ４
制御部８０はブロックＡ４を第一ステップの始まりからｓ１の速度でｈ１の高さまで上昇させ、ｈ１の高さで状態を維持する。ここで、図１３に示すように、ブロックＡ４がｈ１に到達する時間をｔ１とすると、ｔ１＝ｈ１／ｓ１である。ブロックＡ１の第一ステップ（ＳＴＥＰ１）は図１２（ａ）の第一状態に対応する。第一ステップ（ＳＴＥＰ１）における時間差、すなわち、ブロックＡ４の上昇終了後、第二ステップ（ＳＴＥＰ２）を開始するまでの時間（待機時間）はｔ２である。

【0067】

制御部８０はブロックＡ４を第二ステップ（ＳＴＥＰ２）の始まりからｓ２の速度で－ｈ２の高さまで下降させ、－ｈ２の高さで状態を維持する。ここで、図１３に示すように、ブロックＡ１が所定の高さ（－ｈ２）に到達する時間をｔ３とすると、ｔ３＝（ｈ１＋ｈ２）／ｓ２である。ブロックＡ１の第二ステップ（ＳＴＥＰ２）は図１２（ｂ）の第二状態から第四状態に対応する。第二ステップ（ＳＴＥＰ２）における時間差は、すなわち、ブロックＡ１の下降終了後、第三ステップ（ＳＴＥＰ３）を開始するまでの時間は（ｔ４＋ｔ５＋ｔ６）である。

【0068】

制御部８０はブロックＡ４を第三ステップ（ＳＴＥＰ３）の始まりからｓ３の速度で初期位置（高さが０）まで上昇させる。ここで、ブロックＡ１が初期位置に到達する時間をｔ８とすると、ｔ８＝ｈ２／ｓ３である。第三ステップ（ＳＴＥＰ３）における時間差は、すなわち、ブロックＡ４の上昇終了後、第四ステップ（ＳＴＥＰ４）を開始するまでの時間はｔ９である。

【0069】

（２）ブロックＡ３
制御部８０はブロックＡ３を第一ステップ（ＳＴＥＰ１）の始まりからｓ１の速度でｈ１の高さまで上昇させ、ｈ１の高さで状態を維持する。ブロックＡ２の第一ステップ（ＳＴＥＰ１）は図１２（ａ）の第一状態および図１２（ｂ）の第二状態に対応する。第一ステップ（ＳＴＥＰ１）における時間差、すなわち、ブロックＡ３の上昇終了後、第二ステップ（ＳＴＥＰ２）を開始するまでの時間は（ｔ２＋ｔ１０）である。

【0070】

制御部８０はブロックＡ３を第二ステップの始まりからｓ２の速度で－ｈ２の高さまで下降させ、－ｈ２の高さで状態を維持する。ブロックＡ３の第二ステップ（ＳＴＥＰ２）は図１２（ｃ）の第三状態および図１２（ｄ）の第四状態に対応する。第二ステップ（ＳＴＥＰ２）における時間差は、すなわち、ブロックＡ３の下降終了後、第三ステップ（ＳＴＥＰ３）を開始するまでの時間は（ｔ５＋ｔ６）である。

【0071】

制御部８０はブロックＡ３を第三ステップ（ＳＴＥＰ３）の始まりからｓ３の速度で初期位置（高さが０）まで上昇させる。第三ステップ（ＳＴＥＰ３）における時間差は、すなわち、ブロックＡ３の上昇終了後、第四ステップ（ＳＴＥＰ４）を開始するまでの時間はｔ９である。

【0072】

（３）ブロックＡ２
制御部８０はブロックＡ２を第一ステップの始まりからｓ１の速度でｈ１の高さまで上昇させ、ｈ１の高さで状態を維持する。ブロックＡ３の第一ステップ（ＳＴＥＰ１）は図１２（ａ）の第一状態、図１２（ｂ）の第二状態および図１２（ｃ）の第三状態に対応する。第一ステップ（ＳＴＥＰ１）における時間差、すなわち、ブロックＡ２の上昇終了後、第二ステップ（ＳＴＥＰ２）を開始するまでの時間は（ｔ２＋ｔ１０＋ｔ１１）である。

【0073】

制御部８０はブロックＡ２を第二ステップの始まりからｓ２の速度で－ｈ２の高さまで下降させ、－ｈ２の高さで状態を維持する。ブロックＡ２の第二ステップ（ＳＴＥＰ２）は図１２（ｄ）の第四状態に対応する。第二ステップ（ＳＴＥＰ２）における時間差は、すなわち、ブロックＡ２の下降終了後、第三ステップ（ＳＴＥＰ３）を開始するまでの時間はｔ６である。

【0074】

制御部８０はブロックＡ２を第三ステップ（ＳＴＥＰ３）の始まりからｓ３の速度で初期位置（高さが０）まで上昇させる。第三ステップ（ＳＴＥＰ３）における時間差は、すなわち、ブロックＡ２の上昇終了後、第四ステップ（ＳＴＥＰ４）を開始するまでの時間はｔ９である。

【0075】

（４）ブロックＡ１
制御部８０はブロックＡ１を第一ステップの始まりからｓ１の速度でｈ１の高さまで上昇させ、ｈ１の高さで状態を維持する。ブロックＡ１の第一ステップ（ＳＴＥＰ１）は図１２（ａ）の第一状態、図１２（ｂ）の第二状態、図１２（ｃ）の第三状態および図１２（ｄ）の第四状態に対応する。第一ステップ（ＳＴＥＰ１）における時間差、すなわち、ブロックＡ１の上昇終了後、第二ステップ（ＳＴＥＰ２）を開始するまでの時間は（ｔ２＋ｔ１０＋ｔ１１＋ｔ１２）である。

【0076】

制御部８０はブロックＡ１を第二ステップの始まりからｓ４の速度で初期位置（高さが０）まで下降させる。ここで、ブロックＡ１が初期位置に到達する時間をｔ９とすると、ｔ９＝ｈ１／ｓ４である。第二ステップ（ＳＴＥＰ２）における時間差は、すなわち、ブロックＡ４の下降終了後、第三ステップ（ＳＴＥＰ３）を開始するまでの時間は０である。

【0077】

上述したタイムチャートレシピは、各ブロックの動作を指示したブロック位置（高さ）に到達したことを優先として各ステップを終了する。変位計によって各ブロックの高さを個別に測定し、変位計の測定結果（ブロック位置）に基づいて各ブロックの高さ制御を行う。これにより、負荷等の影響でモータ動作に遅延等が発生した場合でも、少なくともブロックの位置（高さ）、動作順序は必ず再現させることが可能となる。

【0078】

実施形態によれば、下記の少なくとも一つの効果を得る。

【0079】

（ａ）機構剛性が低い場合、ダイシングテープ、ダイシングテープ上のダイの数やダイサイズ、使用治工具（第１ユニット１３１）の種類等によってプランジャ機構に加わる荷重が変化することでプランジャ機構に撓みが発生する。撓みにより駆動軸の高さ変動や複数の駆動軸間の高さ変動（位置ズレ）が生じることがある。しかし、変位計で駆動軸の高さを測定してブロックの位置ズレを補正することにより、機構剛性をある程度低くしながら突上げ高さ精度を確保することが可能となる。

【0080】

（ｂ）機構剛性を低くすることが可能であるので、突上げユニットの小型化または軽量化が可能となる。

【0081】

（ｃ）変位計により各ブロックの高さを個別に測定することが可能であるので、複数の駆動軸による複数のブロック間の相対動作の再現性を確保することが可能になる。

【0082】

（ｄ）変位計により突き上げ動作の異常を装置稼働中に常時監視することが可能であるので、不具合を未然に防止することが可能になる。

【0083】

（ｅ）上記（ａ）～（ｄ）により、ピックアップ精度、信頼度が向上し、ダイの割れ、欠け不良を低減することが可能になる。

【0084】

＜変形例＞
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。

【0085】

（第一変形例）
第一変形例におけるタイムチャートレシピについて図１３および図１５を用いて説明する。図１５は図１３のブロック動作タイミングに対応する第一変形例におけるタイムチャートレシピを示す図である。

【0086】

実施形態におけるタイムチャートレシピでは、次のステップの開始は各ステップにおけるブロックの高さで設定しているが、第一変形例におけるタイムチャートレシピでは各ステップの長さを時間で設定する。実施形態におけるタイムチャートレシピは、各ブロックの動作を指示したブロック位置（高さ）に到達したことを優先として各ステップを終了する。しかし、第一変形例におけるタイムチャートレシピでは各ブロックの動作を指示した時間になったことを優先してステップを終了する。第一変形例におけるタイムチャートレシピの「速度」および「高さ（位置）」は実施形態におけるタイムチャートレシピと同様である。

【0087】

図１５に示すタイムチャートレシピに設定する「時間」について説明する。

【0088】

（１）ブロックＡ４
第一ステップ（ＳＴＥＰ１）の時間は（ｔ１＋ｔ２）である。第二ステップ（ＳＴＥＰ２）の時間は（ｔ３＋ｔ４＋ｔ５＋ｔ６）である。第三ステップ（ＳＴＥＰ３）の時間は（ｔ８＋ｔ９）である。

【0089】

（２）ブロックＡ３
第一ステップ（ＳＴＥＰ１）の時間は（ｔ１＋ｔ２＋ｔ１０）である。第二ステップ（ＳＴＥＰ２）の時間は（ｔ３－ｔ１０＋ｔ４＋ｔ５＋ｔ６）である。第三ステップ（ＳＴＥＰ３）の時間は（ｔ８＋ｔ９）である。

【0090】

（３）ブロックＡ２
第一ステップ（ＳＴＥＰ１）の時間は（ｔ１＋ｔ２＋ｔ１０＋ｔ１１）である。第二ステップ（ＳＴＥＰ２）の時間は（ｔ３＋ｔ４＋ｔ５－ｔ１０－ｔ１１＋ｔ６）である。第三ステップ（ＳＴＥＰ３）の時間は（ｔ８＋ｔ９）である。

【0091】

（４）ブロックＡ１
第一ステップ（ＳＴＥＰ１）の時間は、（ｔ１＋ｔ２＋ｔ１０＋ｔ１１＋ｔ１２）である。第二ステップ（ＳＴＥＰ２）の時間はｔ７である。

【0092】

第一変形例におけるタイムチャートレシピでは各ブロックの動作を指示した時間になったことを優先してステップを終了する。各ブロックの実際の高さがタイムチャートレシピで設定された高さと異なることがある。そこで、変位計によって各ブロックの高さを個別に測定しその測定値を記録する。変位計によりブロックの高さを測定するので、突き上げ動作の異常を装置稼働中に常時監視することが可能である。これにより、不具合を未然に防止することが可能になる。

【0093】

（第二変形例）
第二変形例におけるブロック高さの制御方法について図１６を用いて説明する。図１６は第二変形例におけるブロック高さの制御方法を示すフローチャートである。

【0094】

（ステップＳ１１）
生産前に、制御部８０は、ブロックＡ１～Ａ４をダイシングテープＤＴに接触させないで、生産時と同じタイムチャートレシピ、例えば、図１４に示すタイムチャートレシピで規定される動作シーケンスを行う。これを空動作時の所定動作シーケンスという。制御部８０は、所定動作シーケンスの各ステップにおいてブロックＡ１～Ａ４の高さを測定し、その測定値を記録する。

【0095】

（ステップＳ１２）
生産時に、制御部８０は、図１２（ａ）～図１２（ｄ）に示すようにブロックＡ１～Ａ４をダイシングテープＤＴに接触さて、例えば図１４に示すタイムチャートレシピで規定される動作シーケンスを行う。これを生産時の所定動作シーケンスという。制御部８０は、所定動作シーケンスの各ステップにおいてブロックＡ１～Ａ４の高さを測定する。

【0096】

（ステップＳ１３）
制御部８０は、空動作時のブロックＡ１～Ａ４の高さの測定値と生産時のブロックＡ１～Ａ４の測定値との変化量を算出する。

【0097】

（ステップＳ１４）
制御部８０は、変化量をフィードバックしてブロックＡ１～Ａ４の高さの制御を行う。これにより、生産時のブロックＡ１～Ａ４の高さを空動作時のブロックＡ１～Ａ４の高さと同様の高さにすることが可能である。

【0098】

（第三変形例）
第三変形例におけるモータの負荷量に基づく制御について図１７を用いて説明する。図１７は第三変形例におけるブロック高さの制御方法を示すフローチャートである。

【0099】

モータ制御装置（ＭＣ）８３ｅは、変位計による測定値、モータＭ１～Ｍ４の指令値（ＣＶ）、モータＭ１～Ｍ４のそれぞれに設けられるエンコーダＭａにより検出されるモータＭ１～Ｍ４毎の回転角度に基づいてモータＭ１～Ｍ４の指令値（ＣＶ）を補正（例えば、加算）する。

【0100】

言い換えると、複数の変位計によって測定された複数のブロックＡ１～Ａ４のそれぞれの高さと複数のエンコーダＭａによって検出されたモータＭ１～Ｍ４の回転位置とを比較して、複数のブロックＡ１～Ａ４が作動される。なお、複数の変位計によって測定された複数のブロックＡ１～Ａ４のそれぞれの高さと複数のエンコーダＭａによって検出されたモータＭ１～Ｍ４の回転位置とを比較して、複数のブロックＡ１～Ａ４の作動異常の判断が行われるようにしてもよい。

【0101】

変位計によってブロックの高さを測定し、変位計の測定結果に基づいてブロックの高さを制御（フィードバック制御）する例を説明したが、負荷量に応じて最適なフィードバックゲインが異なることがある。例えば、ダイシングテープに貼付されているダイの数（ピックアップされずダイシングテープに残っている数）によって、モータの負荷量が変化する。よって、さらに、モータの負荷量を測定するようにしてもよい。

【0102】

（ステップＳ２１）
生産前において、モータ制御装置８３ｅは、生産時と同じタイムチャートレシピ、例えば、図１４に示すタイムチャートレシピで規定される所定動作シーケンスに従って突上げユニット１３のブロックＡ１～Ａ４をモータＭ１～Ｍ４により作動させる。

【0103】

そして、モータＭ１～Ｍ４に設けられたエンコーダＭａにより検出されるモータＭ１～Ｍ４の回転角度毎に、電流センサＭｂにより検出される電流（モータＭ１～Ｍ４が受ける負荷に基づくモータ電流）から、モータ制御装置８３ｅによりトルク値（負荷量）を測定する。測定した負荷量とこの負荷量に対応するフィードバックゲインを記憶装置に格納しておく。負荷を変えて、上記の処理を繰り返し、負荷量とフィードバックゲインの関係のテーブルを作成する。

【0104】

（ステップＳ２２）
生産時において、モータ制御装置８３ｅは、所定動作シーケンスに従って突上げユニット１３のブロックＡ１～Ａ４をモータＭ１～Ｍ４により作動させる。

【0105】

そして、モータＭ１～Ｍ４に設けられたエンコーダＭａにより検出されるモータＭ１～Ｍ４の回転角度毎に、電流センサＭｂにより検出される電流（モータＭ１～Ｍ４が受ける負荷に基づくモータ電流）から、モータ制御装置８３ｅによりトルク値（負荷量）を測定する。

【0106】

（ステップＳ２３）
制御部８０は、測定した負荷量に対するフィードバックゲインをテーブルから取得してブロックＡ１～Ａ４の高さを制御する。これにより、負荷量に応じた最適なフィードバックゲインで制御することが可能である。

【0107】

また、変位計の値、モータの負荷量、モータの指令値を生産中に常時監視するようにしてもよい。これにより、機構の不具合やダイシングテープの粘度などの特性変化を早期に発見することが可能であり、アラートを表示したり突上げ量の指令値を修正したりする。

【0108】

以上、本開示者らによってなされた開示を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

【0109】

例えば、実施形態では、変位計としてマグネットセンサを例に説明したが、これに限定されるものではなく、高精度を要求する場合、レーザ変位センサや分光干渉式センサ、コストを優先し、精度が比較的低くてよい場合は、渦電流センサを用いてもよい。

【0110】

また、実施形態では、変位計を駆動軸としてのブロックＢ１～Ｂ６、変換機構１３２３またはピンＣ１～Ｃ６に設けてブロック高さを測定する例を説明したが、変位計をブロックＡ１～Ａ６またはプランジャ機構Ｐ１～Ｐ６に設けてもよい。

【0111】

また、実施形態では、ブロック数は四個の例を説明したが、ダイサイズに応じてブロック数が三個以下や五個以上であってもよい。

【0112】

また、実施形態では、突上げユニットの複数のブロックは同心四角状のものについて説明したが、同心円形状や同心楕円形状のものであってもよいし、四角状ブロックを平行に並べて構成してもよい。

【0113】

また、実施形態では、ダイアタッチフィルムを用いる例を説明したが、基板に接着剤を塗布するプリフォーム部を設けてダイアタッチフィルムを用いなくてもよい。

【0114】

また、実施形態では、ウエハ供給部からダイをピックアップヘッドでピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダについて説明した。しかし、これに限定されるものではなく、ダイ供給部からダイをピックアップするダイボンディング装置に適用可能である。

【0115】

例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ウエハ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。

【0116】

また、中間ステージがなく、ウエハ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。

【0117】

実施形態では、ダイボンダを例に説明したが、ピックアップしたダイをトレイに載置する半導体製造装置にも適用できる。

【符号の説明】

【0118】

１・・・ダイボンダ（半導体製造装置）
１２・・・ウエハ保持台
１３・・・突上げユニット
Ａ１～Ａ４・・・ブロック
Ｂ１～Ｂ４・・・ブロック（駆動軸）
１３２３・・・変換機構（駆動軸）
Ｃ１～Ｃ４・・・ピン（駆動軸）
Ｐ１～Ｐ４・・・プランジャ機構
８０・・・制御部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】