特開 2024-88251 真空処理装置用のステージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024088251

(43)【公開日】2024-07-02

(54)【発明の名称】真空処理装置用のステージ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240625BHJP

   C23C 14/50 20060101ALI20240625BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

C23C14/50

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022203328

(22)【出願日】2022-12-20

(71)【出願人】

【識別番号】000231464

【氏名又は名称】株式会社アルバック

(74)【代理人】

【識別番号】110000305

【氏名又は名称】弁理士法人青莪

(72)【発明者】

【氏名】陳 沛弘

(72)【発明者】

【氏名】中村 寿充

(72)【発明者】

【氏名】織部 あゆみ

(72)【発明者】

【氏名】遠藤 有希子

【テーマコード（参考）】

4K029

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K029CA01

4K029JA01

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA32

5F131AA33

5F131BA03

5F131CA03

5F131CA06

5F131EA10

5F131EB11

5F131EB31

5F131EB63

5F131EB81

5F131EB82

(57)【要約】

【課題】被処理基板の設置面の温度を応答性よく変化できて、被処理基板の温度を可及的速やかに調整できるようにした真空処理装置用のステージを提供する。
【解決手段】真空雰囲気中で被処理基板Ｓｗに対して真空処理を施す真空処理装置Ｖｍの真空チャンバ１内に設けられて、被処理基板が設置される本発明の真空処理装置用のステージＳＴは、一対の絶縁プレート４１ｕ，４１ｄを有して一方の絶縁プレートが放熱面または吸熱面、他方の絶縁プレートが吸熱面または放熱面を構成する熱電モジュール４と、一方の絶縁プレートとの熱交換を行う熱交換プレート５とを備え、一方の絶縁プレートと熱交換プレートの一方の面とがメタルボンディング材６を介して接合され、他方の絶縁プレートが、被処理基板が面接触した状態で設置される基板設置面を構成する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

真空雰囲気中で被処理基板に対して真空処理を施す真空処理装置の真空チャンバ内に設けられて、被処理基板が設置される真空処理装置用のステージであって、
一対の絶縁プレートを有して一方の絶縁プレートが放熱面または吸熱面、他方の絶縁プレートが吸熱面または放熱面を構成する熱電モジュールと、一方の絶縁プレートとの熱交換を行う熱交換プレートとを備えるものにおいて、
一方の絶縁プレートと熱交換プレートの一方の面とがメタルボンディング材を介して接合され、他方の絶縁プレートが、被処理基板が面接触した状態で設置される基板設置面を構成することを特徴とする真空処理装置用のステージ。

【請求項2】

前記基板設置面に弾性層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置用のステージ。

【請求項3】

前記熱交換プレートに、前記熱電モジュールの外縁部を囲うように周壁部が立設されることを特徴とする請求項１または２記載の真空処理装置用のステージ。

【請求項4】

前記熱交換プレートの一方の面に同心円状の溝が複数形成されていることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置用のステージ。

【請求項5】

前記熱電モジュールを複数備え、前記熱交換プレートに複数の熱電モジュールがアレイ状に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の真空処理装置用のステージ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、真空処理装置用のステージに関し、より詳しくは、被処理基板の設置面の温度を応答性よく変化できて、被処理基板の温度を可及的速やかに調整できるものに関する。

【背景技術】

【0002】

有機ＥＬ素子や半導体素子等の製造工程においては、ガラス基板やシリコンウエハといった被処理基板（以下、単に「基板」ともいう）に対し、真空雰囲気中で成膜処理、熱処理やエッチング処理といった各種の真空処理を施す真空処理装置が広く用いられている。例えば、有機ＥＬ素子の製造工程では、真空チャンバと、真空チャンバ内に設置される蒸着源と、基板が設置されるステージとを備える真空蒸着装置を用い、真空雰囲気の真空チャンバ内にて有機材料（蒸着物質）を気化させ、この気化した有機材料をステージに設置された基板表面に付着、堆積させて所定の有機膜が成膜される。ここで、有機膜の成膜時、基板の温度によって有機材料（有機分子）の配向が変化することが知られている（例えば、非特許文献１参照）。このため、素子特性を決める所望の配向性を有する有機膜を成膜するには、例えば蒸着源からの入熱がある基板の温度を可及的速やかに調整することが求められ、これには、ステージ（その基板設置面）の温度を応答性よく変化させることが重要となる。

【0003】

このような真空処置装置用のステージとして、ペルチェ素子等の熱電素子を利用したものが従来から知られている（例えば、特許文献１参照）。このものは、一対の絶縁プレートを有して一方の絶縁プレートが放熱面または吸熱面、他方の絶縁プレートが吸熱面または放熱面を構成する熱電モジュール（加熱冷却熱電素子）と、一方の絶縁プレートとの熱交換を行う熱交換プレート（特許文献１では「電極」とも記載）とを備える。また、熱電モジュールを熱交換プレートとの間で挟持するとともに、その一方の面（基板設置面）に基板が面接触する金属製の温度制御プレート（ペデスタル）が設けられて、この温度制御プレートによって、熱電モジュールと熱交換プレートとの間に充填されたグリスや樹脂充填材等の熱伝導材が封止される。このものでは、熱電モジュールからの出力（熱量）によって温度制御プレートが冷却・加熱され、冷却・加熱された温度制御プレートからの伝熱によって基板が冷却・加熱される。このため、基板を所定の温度まで冷却・加熱するには、基板設置面を含め温度制御プレート全体を、所定の冷却温度以下または加熱温度以上に冷却または加熱する必要がある。

【0004】

ここで、温度制御プレートは数十ｍｍの厚さの金属材料で構成され、絶縁材料で構成されるが０．数ｍｍと薄い基板や熱電モジュールの絶縁プレートに比べて、熱容量が非常に大きい。このため、熱電モジュールからの出力（熱量）の殆どは、温度制御プレートの冷却または加熱、即ち温度制御プレートの温度変化に消費されてしまうため、熱電モジュールからの熱量を迅速に基板に伝達できず、ステージの基板設置面の温度を応答性よく変化させることが困難となる。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0005】

【非特許文献1】Daisuke Yokoyama、他4名、「Orientation Control of Linear-Shaped Molecules in Vacuum-Deposited Organic Amorphous Films and Its Effect on Carrier Mobilities」、Advanced Functional Materials、Volume 20, Issue 3, Pages 386-391、2010年2月8日

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開平０９－０４９０７１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は、以上の点に鑑み、被処理基板の設置面の温度を応答性よく変化できて、被処理基板の温度を可及的速やかに調整できるようにした真空処理装置用のステージを提供することをその課題とするものである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題を解決するために、真空雰囲気中で被処理基板に対して真空処理を施す真空処理装置の真空チャンバ内に設けられて、被処理基板が設置される本発明の真空処理装置用のステージは、一対の絶縁プレートを有して一方の絶縁プレートが放熱面または吸熱面、他方の絶縁プレートが吸熱面または放熱面を構成する熱電モジュールと、一方の絶縁プレートとの熱交換を行う熱交換プレートとを備え、一方の絶縁プレートと熱交換プレートの一方の面とがメタルボンディング材を介して接合され、他方の絶縁プレートが、被処理基板が面接触した状態で設置される基板設置面を構成することを特徴とする。

【0009】

本発明によれば、接着強度と剛性が高く、温度変化や外力によって流動・変形し難い特性を有し、グリスや樹脂充填材等の熱伝導材に比べて、熱伝達性に優れた特性を有するメタルボンディング材に着目し、メタルボンディング材で熱交換プレートに熱電モジュールを直接保持させる構成を採用したため、上記従来例のように熱交換プレートとの間で熱電モジュールを挟持する保持板（温度制御プレート）を省略することができる。これにより、被処理基板が他方の絶縁プレートに直接接触することで、温度制御プレートを備える上記従来例と比べて、被処理基板と熱電モジュールとの間の伝熱界面が減少し、熱容量及び熱抵抗が低減される。しかも、熱電モジュールの一方の絶縁プレートの熱を可及的速やかに熱交換プレートに伝熱できるため、熱電モジュールの熱運搬効率（ＣＯＰ）を高く維持することができ、その上、部品点数を削減して低コスト化を図ることもできる。その結果、被処理基板を広い動作温度帯で且つ可及的速やかに温度調整でき、被処理基板の温度変化に要する時間が大幅に短縮、言い換えると、被処理基板の設置面の温度を応答性よく変化させることができる。

【0010】

本発明においては、前記基板設置面に弾性層が形成されていることが好ましい。これによれば、基板設置面と被処理基板との密着性が向上することで、他方の絶縁プレートの熱量をより効率よく被処理基板に伝熱でき、有利である。

【0011】

また、本発明において、前記熱交換プレートに、前記熱電モジュールの外縁部を囲うように周壁部が立設されることが好ましい。これによれば、外縁部が防着板の機能を担うことで、被処理基板の表面に付着、堆積する気化した有機材料の熱電モジュールへの意図しない着膜を防止することができる。その結果、有機材料の着膜による熱電モジュールの短絡や劣化を防止することができる。

【0012】

更に、本発明において、前記熱交換プレートの一方の面に同心円状の溝が複数形成されていることが好ましい。これによれば、熱交換プレートの一方の面に形成された各溝にメタルボンディング材が充填されることで、熱交換プレートの加工時やボンディング処理後の残留応力や、ステージの温度変化時の熱交換プレートと熱電モジュールの絶縁プレートとの熱膨張差による応力が吸収される。その結果、応力による絶縁プレートや基板設置面に形成される弾性層の反りが抑制され、被処理基板との密着性を広い動作温度帯で維持することができる。

【0013】

なお、本発明において、前記熱電モジュールを複数備え、前記熱交換プレートに複数の熱電モジュールがアレイ状に配置されるよう構成することもできる。この場合、各熱電モジュールに夫々通電される電流を適宜制御すれば、被処理基板の面内温度均一性を向上させることができ、また被処理基板の面内で温度勾配を作ることもできる。また、複数の被処理基板の温度を同時に調整することもできる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の第１実施形態のステージを有する真空蒸着装置を模式的に示す断面図。

【図2】図１に示すステージの熱交換プレートを取り外した状態で示す底面図。

【図3】（ａ）は本発明の第２実施形態のステージの底面図、（ｂ）は図３（ａ）のＩＩＩｂ－ＩＩＩｂ線に沿う断面図。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、図面を参照して、被処理基板をシリコンウエハ（以下、「基板Ｓｗ」という）、真空処理装置を基板Ｓｗの一方の面（成膜面Ｓｗ１）に真空蒸着法により所定の有機膜を蒸着する真空蒸着装置Ｖｍ、熱電モジュールをペルチェモジュールとし、本発明の真空蒸着装置Ｖｍ用のステージの実施形態を説明する。以下において、上、下といった方向を示す用語は、真空蒸着装置Ｖｍの設置姿勢である図１を基準にする。

【0016】

図１を参照して、真空蒸着装置Ｖｍは、真空チャンバ１を備える。真空チャンバ１には、特に図示して説明しないが、排気管を介して真空ポンプが接続され、所定圧力に真空排気して真空雰囲気（成膜開始前の到達圧力が１×１０^－５Ｐａ程度）を形成することができる。真空チャンバ１内の底板内側には、蒸着源２が設けられている。蒸着源２は、蒸着物質として固体の有機材料２１を収容する坩堝２２を有する。有機材料２１は、基板Ｓｗに成膜しようとする有機膜に応じて適宜選択される。坩堝２２は、鉛直方向上面を開口した有底筒状の輪郭を有し、モリブデン、チタン、ステンレスやカーボン等の熱伝導性が良く、高融点の材料から形成され、上面の開口から有機材料２１を充填できるようになっている。坩堝２２の周囲には、シースヒータやランプヒータ等の公知のものからなる加熱手段２３が設けられ、坩堝２２に収容された有機材料２１を加熱して気化させることができる（成膜時の圧力は、通常１×１０^－４Ｐａ～１×１０^－２Ｐａの圧力となる）。なお、蒸着源２としては、所謂リニアソース等を含め、公知のものが利用できるため、これ以上の説明は省略する。

【0017】

真空チャンバ１の天板には、当該真空チャンバ１内に突出させて複数本の駆動ロッド３１が気密保持した状態で配置されている。各駆動ロッド３１の上端は、天板上に設置される直動モータやエアシリンダ等の駆動源３２に接続され、各駆動ロッド３１の下端には、基板Ｓｗの外周縁部に面接触して当該基板Ｓｗを支持する環状のクランプ部材３３が設けられている。そして、駆動源３２によって各駆動ロッド３１を同期して上下動させると、真空チャンバ１内でクランプ部材３３が上下動し、後述するように基板Ｓｗの外周縁部に面圧を付与して、基板Ｓｗの成膜面Ｓｗ１と背向する側の面を絶縁プレート４１ｄの下面に、面接触させた状態とすることができる。クランプ部材３３で支持される基板Ｓｗに対向させて、真空チャンバ１内には本実施形態のステージＳＴが設けられている。

【0018】

ステージＳＴは、熱電モジュールとしてのペルチェモジュール４を有する。ペルチェモジュール４は、放熱面及び吸熱面を夫々構成する上下一対の絶縁プレート４１ｕ，４１ｄと、これら絶縁プレート４１ｕ，４１ｄの間に配置される熱電素子とで構成される。各絶縁プレート４１ｕ，４１ｄは、基板Ｓｗに対応する円形の輪郭を有し、電気絶縁性を有するが、熱伝導性の良い材料、例えば、アルミナ製である。また、各絶縁プレート４１ｕ，４１ｄの厚さｄ１は、０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の範囲とすることが好ましい。各絶縁プレート４１ｕ，４１ｄの厚さｄ１が０．３ｍｍ未満では、曲げ強度が弱いため、加工残留応力や接触圧力による歪みを防止することが難しく、各絶縁プレート４１ｕ，４１ｄが破損する虞がある。他方で、厚さｄ１が２．０ｍｍを超えると、体積熱抵抗が増加し、熱損失が大きくなるという不具合を生じる。

【0019】

熱電素子は、複数個のＰ型熱電素子４２ｐ及びＮ型熱電素子４２ｎとで構成される。絶縁プレート４１ｕ，４１ｄの互いに向かい合う面には、間隔を置いて複数の電極層４３ａ，４３ｂが夫々形成され、Ｐ型熱電素子４２ｐとＮ型熱電素子４２ｎとが直列接続されている。そして、図外の直流電源から熱電素子４２ｐ，４２ｎに通電すると、各絶縁プレート４１ｕ，４１ｄが夫々吸熱面と放熱面とになる。以下では、各絶縁プレート４１ｕ，４１ｄを夫々吸熱面と放熱面とにするものを例に説明するが、熱電素子４２ｐ，４２ｎに通電される電流の向きを逆向きとすることで、各絶縁プレート４１ｕ，４１ｄを夫々放熱面と吸熱面とにする、即ち、電流の向きに応じて吸熱面と放熱面とを入れ替えることができる。

【0020】

放熱面を構成する上側の絶縁プレート４１ｕの上面には、メタルボンディング材６を介して熱交換プレート５の下面が接合される。他方、吸熱面を構成する下側の絶縁プレート４１ｄの下面は基板設置面を構成し、基板Ｓｗはその成膜面Ｓｗ１と背向する側の面が絶縁プレート４１ｄの下面と面接触した状態で設置される。また、絶縁プレート４１ｄの下面には、ポリイミド等の熱伝導性樹脂やＡｌＴｉＮ等の無機材料で構成される弾性層Ｅｌが形成される。

【0021】

熱交換プレート５は、上側の絶縁プレート４１ｕより大きい輪郭を有し、絶縁プレート４１ｕと比較して熱伝導率のより高い材料、例えばＣｕやアルミニウム製の板材で構成される。熱交換プレート５の上面には、真空チャンバ１の天板にその内方に突出させ且つ気密保持した状態で配置される支柱７が連結されている。また、熱交換プレート５内には冷媒通路５１が形成され、冷媒通路５１の流入口と流出口とが、支柱７内に形成した往き冷媒通路７１ｆと戻り冷媒通路７１ｒとに夫々接続されている。そして、図外のチラーユニットから冷媒通路５１に冷媒を循環させて冷却できるようにしている。熱交換プレート５にはまた、ペルチェモジュール４の外縁部を囲うように周壁部５２が立設されているとともに、熱交換プレート５の下面には、同心円状の複数（本実施形態では３本）の溝５３_１，５３_２，５３_３が形成されている（図２参照）。

【0022】

メタルボンディング材６としては、インジウム（Ｉｎ）やスズ（Ｓｎ）等の低融点金属またはこれらの合金（例えばＩｎ－ＳｎやＩｎ－Ｓｎ－Ｇａ等）を用いることができる。また、メタルボンディング材６の厚さｄ２は、１．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下の範囲とすることが好ましい。メタルボンディング材６の厚さｄ２が１．０ｍｍ未満では、接合強度が弱く、また接合加工時にボイドや空孔が生じやすくなり、接合強度の均一性が悪くなる。他方で、厚さｄ２が５．０ｍｍを超えると、体積熱抵抗が増加し、熱損失が大きくなるという不具合を生じる。

【0023】

上記真空蒸着装置Ｖｍにより基板Ｓｗの成膜面Ｓｗ１に、所定の有機膜を成膜するのに際しては、各駆動ロッド３１を下動させた状態で、成膜面Ｓｗ１を下方にした基板Ｓｗを環状のクランプ部材３３に支持させた後、基板Ｓｗが絶縁プレート４１ｄの下面に面接触する位置まで各駆動ロッド３１を上動させる。そして、クランプ部材３３により基板Ｓｗの外周縁部に面圧を付与して、絶縁プレート４１ｄの下面に基板Ｓｗをその全面に亘って面接触させた状態で保持させる。そして、真空チャンバ１内が所定圧力まで真空排気されると、加熱手段２３を作動させて真空雰囲気の真空チャンバ１内にて有機材料２１を気化させる。これにより、この気化した有機材料が基板Ｓｗの成膜面Ｓｗ１に付着、堆積して所定の有機膜が成膜される。ここで、例えば、成膜中、基板Ｓｗは蒸着源２からの輻射で入熱がある。このような場合には、例えば真空チャンバ１内に設けた放射温度計（図示せず）により基板Ｓｗの表面温度を測定し、この測定値に応じて、絶縁プレート４１ｄが吸熱面となるように直流電源からＰ型熱電素子４２ｐ、Ｎ型熱電素子４２ｎに通電して絶縁プレート４１ｄを冷却することで、基板Ｓｗが冷却され、基板Ｓｗの表面温度が一定に保持される。なお、基板Ｓｗを加熱する場合には、絶縁プレート４１ｄが放熱面となるように、逆向きの電流をＰ型熱電素子４２ｐ、Ｎ型熱電素子４２ｎに通電して絶縁プレート４１ｄを加熱してもよい。

【0024】

以上の実施形態によれば、メタルボンディング材６で熱交換プレート５がペルチェモジュール４を直接保持する構成としたことで、上記従来例のように熱交換プレート５との間でペルチェモジュール４を挟持する保持板（温度制御プレート）を省略することができる。これにより、基板Ｓｗが絶縁プレート４１ｄの吸熱面に直接接触することで、温度制御プレートを備える上記従来例と比べて、基板Ｓｗとペルチェモジュール４との間の伝熱界面が減少し、熱容量及び熱抵抗が低減される。しかも、絶縁プレート４１ｕの熱を可及的速やかに熱交換プレート５に伝熱できるため、ペルチェモジュール４の熱運搬効率（ＣＯＰ）を高く維持することができ、その上、部品点数を削減して低コスト化を図ることもできる。その結果、基板Ｓｗを広い動作温度帯で且つ可及的速やかに温度調整でき、基板Ｓｗの温度変化に要する時間が大幅に短縮され、基板Ｓｗの設置面の温度を応答性よく変化させることができる。

【0025】

また、絶縁プレート４１ｄの下面に弾性層Ｅｌを形成したことで、絶縁プレート４１ｄの下面と基板Ｓｗとの密着性が向上し、絶縁プレート４１ｄの熱量をより効率よく基板Ｓｗに伝熱できる。この場合、弾性層Ｅｌの厚さｄ３は、１０μｍ以上５００μｍ以下の範囲とすることが好ましい。弾性層Ｅｌの厚さｄ３が１０μｍ未満では、弾性層Ｅｌの強度が弱く、摩擦による破損が生じやすくなり、また絶縁プレート４１ｄと基板Ｓｗとを十分に密着できない虞がある。他方で、厚さｄ３が５００μｍを超えると、体積熱抵抗が増加し、熱損失が大きくなるという不具合を生じる。また、絶縁プレート４１ｄの下方のエッジを覆うように弾性層Ｅｌを形成することで、弾性層Ｅｌが絶縁プレート４１ｄから剥離するのを防止することができる。

【0026】

また、熱交換プレート５に、ペルチェモジュール４の外縁部を囲うように周壁部５２を立設したことで、気化した有機材料がペルチェモジュール４に着膜するのを防止して、ペルチェモジュール４の短絡や劣化を防止することができる。この場合、周壁部５２の下端と弾性膜Ｅｌの表面との隙間Ｇ１は、０．１ｍｍ以上で絶縁プレート４１ｄの厚さｄ１以下の範囲とすることが好ましい。隙間Ｇ１が０．１ｍｍ未満では、メタルボンディング材６、絶縁プレート４１ｕ、絶縁プレート４１ｄやペルチェモジュール４の寸法公差により、周壁部５２の下端が弾性膜Ｅｌ表面より突出して、周壁部５２が基板Ｓｗやクランプ部材３３と接触する虞がある。他方で、隙間Ｇ１が絶縁プレート４１ｄの厚さｄ１を超えると、気化した有機材料がペルチェモジュール４に着膜する虞がある。また、周壁部５２の内壁とペルチェモジュール４の外縁部との隙間Ｇ２は、０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の範囲とすることが好ましい。隙間Ｇ２が０．３ｍｍ未満では、メタルボンディング材６、絶縁プレート４１ｕ、絶縁プレート４１ｄやペルチェモジュール４の寸法公差により、ペルチェモジュール４の外縁部と周壁部５２の内壁とが接触して、温度調節時の熱応力によりペルチェモジュール４が破損する虞がある。他方で、隙間Ｇ２が２．０ｍｍを超えると、気化した有機材料がペルチェモジュール４に着膜する虞がある。

【0027】

また、熱交換プレート５の下面に同心円状の複数の溝５３_１～５３_３を形成したことで、熱交換プレート５の下面に形成された各溝５３_１～５３_３にメタルボンディング材６が充填される。これにより、熱交換プレート５の加工時やボンディング処理後の残留応力や、ステージＳＴの温度変化時の熱交換プレート５と各絶縁プレート４１ｕ，４１ｄとの熱膨張差による応力が吸収されて、応力による絶縁プレート４１ｄや弾性層Ｅｌの反りが抑制され、基板Ｓｗとの密着性を広い動作温度帯で維持することができる。また、溝５３の本数は２本以上であることが好ましい。溝５３が２本未満では、上記応力を十分に吸収することができない。

【0028】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変形が可能である。上記実施形態では、真空処理装置として真空蒸着装置Ｖｍを例に説明したが、真空処理中に基板Ｓｗ温度を所定温度に調整する必要があるものであれば、これに限定されるものではなく、スパッタリング装置、エッチング装置等の他のものにも本発明は適用することができる。

【0029】

また、上記実施形態では、クランプ部材３３により基板Ｓｗを保持するものを例に説明したが、静電チャックにより基板Ｓｗを保持するものにも本発明は適用することができる。また、上記実施形態では、熱電モジュールとしてペルチェモジュール４を例に説明したが、これに限定されるものではなく、例えばトムソン効果を利用したものでも本発明は適用することができる。

【0030】

また、上記実施形態では、１つのペルチェモジュール４を備えるものを例に説明したが、例えば図３に示す第２実施形態のように、複数のペルチェモジュール４０（本実施形態では１６個）をアレイ状に配置してもよい。この場合、各ペルチェモジュール４０に夫々通電される電流を適宜制御して、各ペルチェモジュール４０の絶縁プレート４１ｄを同じ温度とすれば、基板Ｓｗ面内の温度均一性を向上させることができ、また各絶縁プレート４１ｄを異なる温度とすれば、基板Ｓｗ面内で温度勾配を作ることもできる。また、複数の基板Ｓｗの温度を同時に調整することもできる。

【符号の説明】

【0031】

Ｅｌ…弾性層、ＳＴ…ステージ、Ｓｗ…基板（被処理基板）、Ｖｍ…真空蒸着装置（真空処理装置）、１…真空チャンバ、４，４０…ペルチェモジュール（熱電モジュール）、４１ｕ…一方の絶縁プレート、４１ｄ…他方の絶縁プレート、５…熱交換プレート、５２…周壁部、５３_１～５３_３…溝、６…メタルボンディング材。

【図1】

【図2】

【図3】