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特開2024-88743円筒対称要素上を覆うターゲット素材を有するレーザ生成プラズマ光源
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024088743
(43)【公開日】2024-07-02
(54)【発明の名称】円筒対称要素上を覆うターゲット素材を有するレーザ生成プラズマ光源
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240625BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20240625BHJP
G03F 1/84 20120101ALN20240625BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
H05G2/00 K
G03F1/84
【審査請求】有
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024062074
(22)【出願日】2024-04-08
(62)【分割の表示】P 2023001937の分割
【原出願日】2016-11-16
(31)【優先権主張番号】62/255,824
(32)【優先日】2015-11-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】15/265,515
(32)【優先日】2016-09-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】500049141
【氏名又は名称】ケーエルエー コーポレイション
(74)【代理人】
【識別番号】110001210
【氏名又は名称】弁理士法人ＹＫＩ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】クリスティン アレクセイ
(72)【発明者】
【氏名】アール ブライアン
(72)【発明者】
【氏名】ガルシア ルディ
(72)【発明者】
【氏名】チャイルス フランク
(72)【発明者】
【氏名】コーディキン オレグ
(57)【要約】
【課題】軸受け気体の漏れを減らす。
【解決手段】本件開示は、ドラムの外面を覆うターゲット素材例えばキセノンを有するレ
ーザ生成プラズマ光源を指向している。諸実施形態は、そのドラムを回動させる軸受けシ
ステムであり、ＬＰＰチャンバ内への汚染物質及び／又は軸受け気体の漏れを減らす構造
を有するものを備える。そのドラム上にターゲット素材を被せ補充する注入システムが開
示される。ターゲット素材の表面を円滑化する等、そのドラム上にあるターゲット素材の
表面を整えるワイパシステムが開示される。ドラムとそのドラムに重なるハウジングを除
熱し温度を保つシステムも開示される。
【選択図】図１
【解決手段】本件開示は、ドラムの外面を覆うターゲット素材例えばキセノンを有するレ
ーザ生成プラズマ光源を指向している。諸実施形態は、そのドラムを回動させる軸受けシ
ステムであり、ＬＰＰチャンバ内への汚染物質及び／又は軸受け気体の漏れを減らす構造
を有するものを備える。そのドラム上にターゲット素材を被せ補充する注入システムが開
示される。ターゲット素材の表面を円滑化する等、そのドラム上にあるターゲット素材の
表面を整えるワイパシステムが開示される。ドラムとそのドラムに重なるハウジングを除
熱し温度を保つシステムも開示される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ステータ体と、
ある軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（Ｌ
ＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を
有し、第１端から第２端へと延びる円筒対称要素と、
円筒対称要素の第１端をステータ体に連結し、軸受け気体流を成立させる気体軸受けア
センブリであり、その軸受け気体流が通流している第１空間内に遮断気体（barrier gas
）を導入することでＬＰＰチャンバ内への軸受け気体の漏れを減らすシステムを有する気
体軸受けアセンブリと、
円筒対称要素の第２端をステータ体に連結する第２軸受けアセンブリであり、当該第２
軸受けに通流している第２空間内に遮断気体を導入することでその第２軸受けからＬＰＰ
チャンバ内への汚染物質の漏れを減らすシステムを有する第２軸受けアセンブリと、
を備える装置。
ある軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（Ｌ
ＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を
有し、第１端から第２端へと延びる円筒対称要素と、
円筒対称要素の第１端をステータ体に連結し、軸受け気体流を成立させる気体軸受けア
センブリであり、その軸受け気体流が通流している第１空間内に遮断気体（barrier gas
）を導入することでＬＰＰチャンバ内への軸受け気体の漏れを減らすシステムを有する気
体軸受けアセンブリと、
円筒対称要素の第２端をステータ体に連結する第２軸受けアセンブリであり、当該第２
軸受けに通流している第２空間内に遮断気体を導入することでその第２軸受けからＬＰＰ
チャンバ内への汚染物質の漏れを減らすシステムを有する第２軸受けアセンブリと、
を備える装置。
【請求項2】
請求項１に記載の装置であって、第２軸受けアセンブリが磁気軸受けであり、上記汚染
物質がその磁気軸受けにて発生した汚染物を含む装置。
物質がその磁気軸受けにて発生した汚染物を含む装置。
【請求項3】
請求項１に記載の装置であって、第２軸受けアセンブリがグリース封入軸受けであり、
上記汚染物質がそのグリース封入軸受けにて発生した汚染物を含む装置。
上記汚染物質がそのグリース封入軸受けにて発生した汚染物を含む装置。
【請求項4】
請求項１に記載の装置であって、第２軸受けアセンブリが気体軸受けアセンブリであり
、上記汚染物質が軸受け気体である装置。
、上記汚染物質が軸受け気体である装置。
【請求項5】
請求項１に記載の装置であって、円筒対称要素がスピンドル上に実装されており、ＬＰ
Ｐチャンバ内への軸受け気体の漏れを減らす上記システムが、ステータ体及びスピンドル
のうち一方にあり第１空間と通流しており且つ第１空間の第１部分から第１圧力にて軸受
け気体を排出するよう構成されている第１環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一
方にあり第１空間と通流しており且つ第１空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を
輸送するよう構成されている第２環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり
第１空間と通流しており上記軸に対し平行な軸方向において第１環状溝・第２環状溝間に
位置する第３環状溝であり、第１空間の第３部分外に軸受け気体及び遮断気体を輸送する
ことで上記第１圧力及び第２圧力より低い第３圧力を第３部分内に発生させるよう構成さ
れている第３環状溝と、を有する装置。
Ｐチャンバ内への軸受け気体の漏れを減らす上記システムが、ステータ体及びスピンドル
のうち一方にあり第１空間と通流しており且つ第１空間の第１部分から第１圧力にて軸受
け気体を排出するよう構成されている第１環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一
方にあり第１空間と通流しており且つ第１空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を
輸送するよう構成されている第２環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり
第１空間と通流しており上記軸に対し平行な軸方向において第１環状溝・第２環状溝間に
位置する第３環状溝であり、第１空間の第３部分外に軸受け気体及び遮断気体を輸送する
ことで上記第１圧力及び第２圧力より低い第３圧力を第３部分内に発生させるよう構成さ
れている第３環状溝と、を有する装置。
【請求項6】
請求項１に記載の装置であって、円筒対称要素がスピンドル上に実装されており、ＬＰ
Ｐチャンバ内への汚染物質の漏れを減らす上記システムが、ステータ体及びスピンドルの
うち一方にあり第１空間と通流しており且つ第１空間の第１部分から第１圧力にて汚染物
質を排出するよう構成されている第１環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方に
あり第１空間と通流しており且つ第１空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸送
するよう構成されている第２環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり第１
空間と通流しており上記軸に対し平行な軸方向において第１環状溝・第２環状溝間に位置
する第３環状溝であり、第１空間の第３部分外に上記汚染物質及び遮断気体を輸送するこ
とで上記第１圧力及び第２圧力より低い第３圧力を第３部分内に発生させるよう構成され
ている第３環状溝と、を有する装置。
Ｐチャンバ内への汚染物質の漏れを減らす上記システムが、ステータ体及びスピンドルの
うち一方にあり第１空間と通流しており且つ第１空間の第１部分から第１圧力にて汚染物
質を排出するよう構成されている第１環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方に
あり第１空間と通流しており且つ第１空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸送
するよう構成されている第２環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり第１
空間と通流しており上記軸に対し平行な軸方向において第１環状溝・第２環状溝間に位置
する第３環状溝であり、第１空間の第３部分外に上記汚染物質及び遮断気体を輸送するこ
とで上記第１圧力及び第２圧力より低い第３圧力を第３部分内に発生させるよう構成され
ている第３環状溝と、を有する装置。
【請求項7】
請求項１に記載の装置であって、更に、円筒対称要素の第１端に駆動ユニットを備え、
その駆動ユニットが、上記軸に沿い円筒対称要素を並進させるリニアモータアセンブリと
、その軸周りで円筒対称要素を回動させるロータリモータと、を有する装置。
その駆動ユニットが、上記軸に沿い円筒対称要素を並進させるリニアモータアセンブリと
、その軸周りで円筒対称要素を回動させるロータリモータと、を有する装置。
【請求項8】
請求項１に記載の装置であって、プラズマ形成ターゲット素材がキセノンアイスである
装置。
装置。
【請求項9】
請求項１に記載の装置であって、軸受け気体が、窒素、酸素、浄化空気、キセノン及び
アルゴンで構成される気体の集合から選択されている装置。
アルゴンで構成される気体の集合から選択されている装置。
【請求項10】
請求項１に記載の装置であって、遮断気体が、キセノン及びアルゴンで構成される気体
の集合から選択されている装置。
の集合から選択されている装置。
【請求項11】
ステータ体と、
ある軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（Ｌ
ＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を
有し、第１端から第２端へと延びる円筒対称要素と、
上記要素の第１端をステータ体に連結する磁気液体ロータリシールと、
円筒対称要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリであり、当該第２軸受
けに通流している空間内に遮断気体を導入することで当該軸受けからＬＰＰチャンバ内へ
の汚染物質の漏れを減らすシステムを有する軸受けアセンブリと、
を備える装置。
ある軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（Ｌ
ＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を
有し、第１端から第２端へと延びる円筒対称要素と、
上記要素の第１端をステータ体に連結する磁気液体ロータリシールと、
円筒対称要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリであり、当該第２軸受
けに通流している空間内に遮断気体を導入することで当該軸受けからＬＰＰチャンバ内へ
の汚染物質の漏れを減らすシステムを有する軸受けアセンブリと、
を備える装置。
【請求項12】
請求項１１に記載の装置であって、上記要素の第２端をステータ体に連結する軸受けア
センブリが磁気軸受けである装置。
センブリが磁気軸受けである装置。
【請求項13】
請求項１１に記載の装置であって、上記要素の第２端をステータ体に連結する軸受けア
センブリがグリース封入軸受けである装置。
センブリがグリース封入軸受けである装置。
【請求項14】
請求項１１に記載の装置であって、円筒対称要素がスピンドル上に実装されており、Ｌ
ＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らす上記システムが、ステータ体及びスピンドル
のうち一方にあり上記空間と通流しており且つその空間の第１部分から第１圧力にて汚染
物質を排出するよう構成されている第１環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方
にあり上記空間と通流しており且つその空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸
送するよう構成されている第２環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上
記空間と通流しており上記軸に対し平行な軸方向において第１環状溝・第２環状溝間に位
置する第３環状溝であり、上記空間の第３部分外に上記汚染物質及び遮断気体を輸送する
ことで上記第１圧力及び第２圧力より低い第３圧力を第３部分内に発生させるよう構成さ
れている第３環状溝と、を有する装置。
ＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らす上記システムが、ステータ体及びスピンドル
のうち一方にあり上記空間と通流しており且つその空間の第１部分から第１圧力にて汚染
物質を排出するよう構成されている第１環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方
にあり上記空間と通流しており且つその空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸
送するよう構成されている第２環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上
記空間と通流しており上記軸に対し平行な軸方向において第１環状溝・第２環状溝間に位
置する第３環状溝であり、上記空間の第３部分外に上記汚染物質及び遮断気体を輸送する
ことで上記第１圧力及び第２圧力より低い第３圧力を第３部分内に発生させるよう構成さ
れている第３環状溝と、を有する装置。
【請求項15】
請求項１１に記載の装置であって、更に、円筒対称要素の第１端に駆動ユニットを備え
、その駆動ユニットが、上記軸に沿い円筒対称要素を並進させるリニアモータアセンブリ
と、その軸周りで円筒対称要素を回動させるロータリモータと、を有し、更に、上記ステ
ータに対する円筒対称要素の軸沿い並進を受容するベロウズを有する装置。
、その駆動ユニットが、上記軸に沿い円筒対称要素を並進させるリニアモータアセンブリ
と、その軸周りで円筒対称要素を回動させるロータリモータと、を有し、更に、上記ステ
ータに対する円筒対称要素の軸沿い並進を受容するベロウズを有する装置。
【請求項16】
請求項１１に記載の装置であって、プラズマ形成ターゲット素材がキセノンアイスであ
る装置。
る装置。
【請求項17】
請求項１１に記載の装置であって、軸受けアセンブリが気体軸受けアセンブリであり、
上記汚染物質が軸受け気体である装置。
上記汚染物質が軸受け気体である装置。
【請求項18】
請求項１７に記載の装置であって、軸受け気体が、窒素、酸素、浄化空気、キセノン及
びアルゴンで構成される気体の集合から選定されている装置。
びアルゴンで構成される気体の集合から選定されている装置。
【請求項19】
請求項１１に記載の装置であって、遮断気体が、キセノン及びアルゴンで構成される気
体の集合から選定されている装置。
体の集合から選定されている装置。
【請求項20】
ある軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照射を受けプラズマを生成するプラ
ズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲッ
ト素材を築くよう配置された鋸歯状ワイパと、
を備える装置。
ズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲッ
ト素材を築くよう配置された鋸歯状ワイパと、
を備える装置。
【請求項21】
請求項２０に記載の装置であって、ドライブレーザがパルスドライブレーザであり、最
大直径Ｄを有するクレータがパルス照射を経て円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット
素材中に生じ、鋸歯状ワイパが少なくとも２本の歯を有し、その歯が上記軸に平行な方向
に沿いＬ＞３＊Ｄなる長さＬを有する装置。
大直径Ｄを有するクレータがパルス照射を経て円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット
素材中に生じ、鋸歯状ワイパが少なくとも２本の歯を有し、その歯が上記軸に平行な方向
に沿いＬ＞３＊Ｄなる長さＬを有する装置。
【請求項22】
請求項２０に記載の装置であって、更に、
上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材を
さらすための開口が形成されているハウジングと、
ハウジング・プラズマ形成ターゲット素材間シールを成立させるワイパと、
を備える装置。
上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材を
さらすための開口が形成されているハウジングと、
ハウジング・プラズマ形成ターゲット素材間シールを成立させるワイパと、
を備える装置。
【請求項23】
ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する
円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲッ
ト素材を築くよう配置されたワイパと、
上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材を
さらしプラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、
ワイパをハウジングに装着するため、並びにそのハウジングを円筒対称要素に対し動か
すことなくワイパを交換可能にするための実装システムと、
を備える装置。
円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲッ
ト素材を築くよう配置されたワイパと、
上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材を
さらしプラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、
ワイパをハウジングに装着するため、並びにそのハウジングを円筒対称要素に対し動か
すことなくワイパを交換可能にするための実装システムと、
を備える装置。
【請求項24】
ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する
円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
ワイパエッジにて円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラ
ズマ形成ターゲット素材を築くよう配置されたワイパと、
上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材を
さらしプラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、
ワイパエッジ・上記軸間の径方向距離を調整する調整システムでありハウジングの露出
面上にアクセスポイントを有する調整システムと、
を備える装置。
円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
ワイパエッジにて円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラ
ズマ形成ターゲット素材を築くよう配置されたワイパと、
上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材を
さらしプラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、
ワイパエッジ・上記軸間の径方向距離を調整する調整システムでありハウジングの露出
面上にアクセスポイントを有する調整システムと、
を備える装置。
【請求項25】
ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する
円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
ワイパエッジにて円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラ
ズマ形成ターゲット素材を築くよう配置されたワイパと、
上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材を
さらしプラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、
ワイパエッジ・上記軸間の径方向距離を調整する調整システムであり制御信号に応じワ
イパを動かすアクチュエータを有する調整システムと、
を備える装置。
円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
ワイパエッジにて円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラ
ズマ形成ターゲット素材を築くよう配置されたワイパと、
上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材を
さらしプラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、
ワイパエッジ・上記軸間の径方向距離を調整する調整システムであり制御信号に応じワ
イパを動かすアクチュエータを有する調整システムと、
を備える装置。
【請求項26】
ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する
円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
ワイパエッジにて円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラ
ズマ形成ターゲット素材を築くよう配置されたワイパと、
ワイパエッジ・上記軸間の径方向距離を示す信号を出力する計測システムと、
を備える装置。
円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
ワイパエッジにて円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラ
ズマ形成ターゲット素材を築くよう配置されたワイパと、
ワイパエッジ・上記軸間の径方向距離を示す信号を出力する計測システムと、
を備える装置。
【請求項27】
請求項２６に記載の装置であって、計測システムが発光器及び光センサを備える装置。
【請求項28】
ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する
円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
ワイパマウントと、
ワイパマウントを整列させるマスタワイパと、
ワイパエッジにて円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラ
ズマ形成ターゲット素材を築くよう整列済ワイパマウント内に配置可能な稼働ワイパと、
を備える装置。
円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
ワイパマウントと、
ワイパマウントを整列させるマスタワイパと、
ワイパエッジにて円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラ
ズマ形成ターゲット素材を築くよう整列済ワイパマウント内に配置可能な稼働ワイパと、
を備える装置。
【請求項29】
ある軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照射を受けプラズマを生成するプラ
ズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
第１個所にて円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を拭い均一厚みのプラズマ
形成ターゲット素材を築く第１加熱ワイパと、
円筒対称要素を挟み第１個所とは径方向逆側にある第２個所にて円筒対称要素上のプラ
ズマ形成ターゲット素材を拭い均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築く第２加熱ワ
イパと、
を備える装置。
ズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、
円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステムと、
第１個所にて円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を拭い均一厚みのプラズマ
形成ターゲット素材を築く第１加熱ワイパと、
円筒対称要素を挟み第１個所とは径方向逆側にある第２個所にて円筒対称要素上のプラ
ズマ形成ターゲット素材を拭い均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築く第２加熱ワ
イパと、
を備える装置。
【請求項30】
請求項２９に記載の装置であって、第１及び第２加熱ワイパが柔順(compliant)素材製
の接触面を有する装置。
の接触面を有する装置。
【請求項31】
請求項２９に記載の装置であって、更に、第１加熱ワイパの温度を示す第１信号を出力
する第１熱電対と、第２加熱ワイパの温度を示す第２信号を出力する第２熱電対と、を備
える装置。
する第１熱電対と、第２加熱ワイパの温度を示す第２信号を出力する第２熱電対と、を備
える装置。
【請求項32】
ある軸周りで可回動であり、キセノンターゲット素材の帯で覆われた表面を有する円筒
対称要素と、
キセノンターゲット素材を７０ケルビン未満の温度まで可制御的に冷やすことで円筒対
称要素上の均一なキセノンターゲット素材層を保つクリオスタットシステムと、
を備える装置。
対称要素と、
キセノンターゲット素材を７０ケルビン未満の温度まで可制御的に冷やすことで円筒対
称要素上の均一なキセノンターゲット素材層を保つクリオスタットシステムと、
を備える装置。
【請求項33】
請求項３２に記載の装置であって、クリオスタットシステムが液体ヘリウムクリオスタ
ットシステムである装置。
ットシステムである装置。
【請求項34】
請求項３２に記載の装置であって、更に、
円筒対称要素内に位置し円筒対称要素の温度を示す出力をもたらすセンサと、
そのセンサの出力に応じ円筒対称要素の温度を制御するシステムと、
を備える装置。
円筒対称要素内に位置し円筒対称要素の温度を示す出力をもたらすセンサと、
そのセンサの出力に応じ円筒対称要素の温度を制御するシステムと、
を備える装置。
【請求項35】
請求項３４に記載の装置であって、そのセンサが熱電対である装置。
【請求項36】
請求項３２に記載の装置であって、更に、排出された冷却剤をリサイクルに備え冷やす
冷却装置を備える装置。
冷却装置を備える装置。
【請求項37】
ある軸周りで可回動で中空であり、プラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を
有する円筒対称要素と、
円筒対称要素内に回動配置されており円筒対称要素の温度を示す出力をもたらすセンサ
と、
そのセンサの出力に応じ円筒対称要素の温度を制御するシステムと、
を備える装置。
有する円筒対称要素と、
円筒対称要素内に回動配置されており円筒対称要素の温度を示す出力をもたらすセンサ
と、
そのセンサの出力に応じ円筒対称要素の温度を制御するシステムと、
を備える装置。
【請求項38】
請求項３７に記載の装置であって、更に、上記キセノンターゲット素材を７０ケルビン
未満の温度まで可制御的に冷やすことで円筒対称要素上の均一なキセノンターゲット素材
層を保つ液体ヘリウムクリオスタットシステムを備える装置。
未満の温度まで可制御的に冷やすことで円筒対称要素上の均一なキセノンターゲット素材
層を保つ液体ヘリウムクリオスタットシステムを備える装置。
【請求項39】
請求項３７に記載の装置であって、そのセンサが熱電対である装置。
【請求項40】
請求項３７に記載の装置であって、更に、排出された冷却剤をリサイクルに備え冷やす
冷却装置を備える装置。
冷却装置を備える装置。
【請求項41】
ある軸周りで可回動で中空であり、プラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を
有する円筒対称要素と、
閉ループ流路内を循環する冷却流体を有し、プラズマ形成ターゲット素材を冷やすべく
その流路が円筒対称要素内へと延設されている冷却システムと、
を備える装置。
有する円筒対称要素と、
閉ループ流路内を循環する冷却流体を有し、プラズマ形成ターゲット素材を冷やすべく
その流路が円筒対称要素内へと延設されている冷却システムと、
を備える装置。
【請求項42】
請求項４１に記載の装置であって、更に、
円筒対称要素内に位置し円筒対称要素の温度を示す出力をもたらすセンサと、
そのセンサの出力に応じ円筒対称要素の温度を制御するシステムと、
を備える装置。
円筒対称要素内に位置し円筒対称要素の温度を示す出力をもたらすセンサと、
そのセンサの出力に応じ円筒対称要素の温度を制御するシステムと、
を備える装置。
【請求項43】
請求項４２に記載の装置であって、そのセンサが熱電対である装置。
【請求項44】
請求項４１に記載の装置であって、冷却流体がヘリウムを含む装置。
【請求項45】
請求項４１に記載の装置であって、冷却システムが閉ループ流路上に冷却装置を備える
装置。
装置。
【請求項46】
ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する
円筒対称要素と、
上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材を
さらしプラズマを生成させるための開口が形成されており、その内部流路内に冷却流体を
流すことで自ハウジングが冷やされるように内部流路が形成されているハウジングと、
を備える装置。
円筒対称要素と、
上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材を
さらしプラズマを生成させるための開口が形成されており、その内部流路内に冷却流体を
流すことで自ハウジングが冷やされるように内部流路が形成されているハウジングと、
を備える装置。
【請求項47】
請求項４６に記載の装置であって、冷却流体が、水、ＣＤＡ、窒素及びアルゴンで構成
される流体の集合から選択された流体である装置。
される流体の集合から選択された流体である装置。
【請求項48】
請求項４６に記載の装置であって、冷却剤流路内に冷却剤流体を通すことで円筒対称要
素が冷やされ、その冷却剤流路から出てくる冷却流体をハウジングの内部流路に通すこと
でそのハウジングが冷やされる装置。
素が冷やされ、その冷却剤流路から出てくる冷却流体をハウジングの内部流路に通すこと
でそのハウジングが冷やされる装置。
【請求項49】
ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット素材の層で覆われており、その軸
に沿い並進可能であり、ターゲット素材からなり帯高ｈを有しドライブレーザによる照射
を受ける稼働帯(operational band)がその並進により画定される円筒対称要素と、
円筒対称要素に対し固定されている個所から、プラズマ形成ターゲット素材のスプレイ
であり上記軸に対し平行に測ったスプレイ高ＨがＨ＜ｈであるスプレイを出射することで
、ドライブレーザからの照射によりプラズマ形成ターゲット素材中に生じたクレータを補
填する注入システムと、
を備える装置。
に沿い並進可能であり、ターゲット素材からなり帯高ｈを有しドライブレーザによる照射
を受ける稼働帯(operational band)がその並進により画定される円筒対称要素と、
円筒対称要素に対し固定されている個所から、プラズマ形成ターゲット素材のスプレイ
であり上記軸に対し平行に測ったスプレイ高ＨがＨ＜ｈであるスプレイを出射することで
、ドライブレーザからの照射によりプラズマ形成ターゲット素材中に生じたクレータを補
填する注入システムと、
を備える装置。
【請求項50】
請求項４９に記載の装置であって、更に、プラズマ形成ターゲット素材の層に重なった
ハウジングを備え、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材をさらすた
めの開口がそのハウジングに形成されており、注入システムがそのハウジング上に実装さ
れたインジェクタを有する装置。
ハウジングを備え、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材をさらすた
めの開口がそのハウジングに形成されており、注入システムがそのハウジング上に実装さ
れたインジェクタを有する装置。
【請求項51】
請求項４９に記載の装置であって、注入システムが複数個のスプレイポートを有する装
置。
置。
【請求項52】
請求項５１に記載の装置であって、それらスプレイポートが上記軸に対し平行な方向に
沿い整列している装置。
沿い整列している装置。
【請求項53】
ある軸周りで可回動で、プラズマ形成ターゲット素材の層で覆われており、その軸に沿
い並進可能な円筒対称要素と、
上記軸に対し平行な方向に沿い並進可能な少なくとも１個のインジェクタポートを有し
、プラズマ形成ターゲット素材のスプレイを出射することで、ドライブレーザからの照射
によりプラズマ形成ターゲット素材中に生じたクレータを補填する注入システムと、
を備える装置。
い並進可能な円筒対称要素と、
上記軸に対し平行な方向に沿い並進可能な少なくとも１個のインジェクタポートを有し
、プラズマ形成ターゲット素材のスプレイを出射することで、ドライブレーザからの照射
によりプラズマ形成ターゲット素材中に生じたクレータを補填する注入システムと、
を備える装置。
【請求項54】
請求項５３に記載の装置であって、インジェクタの動きが円筒対称要素の軸沿い並進と
同期している装置。
同期している装置。
【請求項55】
請求項５３に記載の装置であって、注入システムが複数個のスプレイポートを有する装
置。
置。
【請求項56】
請求項５５に記載の装置であって、それらスプレイポートが上記軸に対し平行な方向に
沿い整列している装置。
沿い整列している装置。
【請求項57】
ある軸周りで可回動で、プラズマ形成ターゲット素材の層で覆われており、その軸に沿
い並進可能な円筒対称要素と、
上記軸に対し平行な方向に沿い整列している複数個のスプレイポート並びにアパーチャ
が形成されているプレートを有し、そのアパーチャがその軸に対し平行な方向に沿い並進
可能であり、その並進により少なくとも１個のスプレイポートの覆いを選択的に外しプラ
ズマ形成ターゲット素材のスプレイを出射させることで、ドライブレーザからの照射によ
りその外面上のプラズマ形成ターゲット素材中に生じたクレータを補填する注入システム
と、
を備える装置。
い並進可能な円筒対称要素と、
上記軸に対し平行な方向に沿い整列している複数個のスプレイポート並びにアパーチャ
が形成されているプレートを有し、そのアパーチャがその軸に対し平行な方向に沿い並進
可能であり、その並進により少なくとも１個のスプレイポートの覆いを選択的に外しプラ
ズマ形成ターゲット素材のスプレイを出射させることで、ドライブレーザからの照射によ
りその外面上のプラズマ形成ターゲット素材中に生じたクレータを補填する注入システム
と、
を備える装置。
【請求項58】
請求項５７に記載の装置であって、アパーチャ及び円筒対称要素の軸沿い並進が同期し
ている装置。
ている装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本件開示は、総じて、真空紫外（ＶＵＶ）域の光（即ちその波長が約１００ｎｍ～２０
０ｎｍの光）、極端紫外（ＥＵＶ）域の光（即ちその波長が１０ｎｍ～１２４ｎｍ域の光
例えば波長が１３．５ｎｍの光）及び／又は軟Ｘ線域の光（即ちその波長が約０．１ｎｍ
～１０ｎｍの光）を生成するプラズマ式光源に関する。本願記載のある種の実施形態に係
る高輝度光源は計量及び／又はマスク検査行為、例えば化学線マスク検査やその一例たる
ブランクマスク又はパターニング済マスク検査での使用にひときわ適している。より一般
的には、本願記載のプラズマ式光源を、（そのまま又は相応に修正し）いわゆる大量生産
（ＨＶＭ）光源としてチップパターニングに用いることもできる。
０ｎｍの光）、極端紫外（ＥＵＶ）域の光（即ちその波長が１０ｎｍ～１２４ｎｍ域の光
例えば波長が１３．５ｎｍの光）及び／又は軟Ｘ線域の光（即ちその波長が約０．１ｎｍ
～１０ｎｍの光）を生成するプラズマ式光源に関する。本願記載のある種の実施形態に係
る高輝度光源は計量及び／又はマスク検査行為、例えば化学線マスク検査やその一例たる
ブランクマスク又はパターニング済マスク検査での使用にひときわ適している。より一般
的には、本願記載のプラズマ式光源を、（そのまま又は相応に修正し）いわゆる大量生産
（ＨＶＭ）光源としてチップパターニングに用いることもできる。
【背景技術】
【0002】
（関連出願への相互参照）
本願は下に列挙されている出願（「関連出願」）に関連する出願であり、当該関連出願
における最先、利用可能且つ有効な出願日の利益を主張する（例．暫定特許出願以外に係
る最先且つ利用可能な優先日を主張し或いは暫定特許出願についての米国特許法第１１９
条（ｅ）の規定による利益を関連出願のあらゆる親出願、その親出願、更にその親出願等
々に関し主張する）出願である。
本願は下に列挙されている出願（「関連出願」）に関連する出願であり、当該関連出願
における最先、利用可能且つ有効な出願日の利益を主張する（例．暫定特許出願以外に係
る最先且つ利用可能な優先日を主張し或いは暫定特許出願についての米国特許法第１１９
条（ｅ）の規定による利益を関連出願のあらゆる親出願、その親出願、更にその親出願等
々に関し主張する）出願である。
【0003】
（関連出願）
米国特許商標庁の例外的規定の趣旨を踏まえ、本願は「円筒対称要素上を覆うターゲッ
ト素材を有するレーザ生成プラズマ光源」(LASER PRODUCED PLASMA LIGHT SOURCE HAVING
A TARGET MATERIAL COATED ON A CYLINDRICALY-SYMMETRIC ELEMENT)と題しＡｌｅｘｅｙ
Ｋｕｒｉｔｓｙｎ、Ｂｒｉａｎ Ａｈｒ、Ｒｕｄｙ Ｇａｒｃｉａ、Ｆｒａｎｋ Ｃｈ
ｉｌｅｓｅ及びＯｌｅｇ Ｋｈｏｄｙｋｉｎを発明者とする２０１５年１１月１６日付米
国暫定特許出願第６２／２５５８２４号の通常（非暫定）特許出願を構成する。
米国特許商標庁の例外的規定の趣旨を踏まえ、本願は「円筒対称要素上を覆うターゲッ
ト素材を有するレーザ生成プラズマ光源」(LASER PRODUCED PLASMA LIGHT SOURCE HAVING
A TARGET MATERIAL COATED ON A CYLINDRICALY-SYMMETRIC ELEMENT)と題しＡｌｅｘｅｙ
Ｋｕｒｉｔｓｙｎ、Ｂｒｉａｎ Ａｈｒ、Ｒｕｄｙ Ｇａｒｃｉａ、Ｆｒａｎｋ Ｃｈ
ｉｌｅｓｅ及びＯｌｅｇ Ｋｈｏｄｙｋｉｎを発明者とする２０１５年１１月１６日付米
国暫定特許出願第６２／２５５８２４号の通常（非暫定）特許出願を構成する。
【0004】
プラズマ式光源例えばレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）光源を用いることで、欠陥検査、
フォトリソグラフィ、計量等の用途向けに、軟Ｘ線、極端紫外（ＥＵＶ）光及び／又は真
空紫外（ＶＵＶ）光を発生させることができる。概略、これらのプラズマ光源では、キセ
ノン、スズ、リチウムその他、相応な線放射又は帯域放射元素を含有するターゲット素材
で形成されたプラズマにより、所望波長を有する光が放射される。例えばＬＰＰ光源では
、励起源によりターゲット素材にパルスレーザビーム等を照射することでプラズマが生成
される。
フォトリソグラフィ、計量等の用途向けに、軟Ｘ線、極端紫外（ＥＵＶ）光及び／又は真
空紫外（ＶＵＶ）光を発生させることができる。概略、これらのプラズマ光源では、キセ
ノン、スズ、リチウムその他、相応な線放射又は帯域放射元素を含有するターゲット素材
で形成されたプラズマにより、所望波長を有する光が放射される。例えばＬＰＰ光源では
、励起源によりターゲット素材にパルスレーザビーム等を照射することでプラズマが生成
される。
【0005】
一例としてはドラムの表面をターゲット素材で覆ったものがあろう。照射サイトにてタ
ーゲット素材の小エリアにパルスを照射した後、そのドラムを回動させ及び／又は軸に沿
い並進させると、ターゲット素材の新たなエリアがその照射サイトに現れる。そのターゲ
ット素材層には個々の照射パルスによりクレータが生成される。それらクレータを補充シ
ステムで以て再充填すること、ひいてはターゲット素材送給システムを形成することが可
能であり、それにより、理論的には、照射サイトへと無限にターゲット素材を提供するこ
とができる。通常、レーザの集束先たる合焦スポットの直径は約１００μｍ未満である。
そうした合焦スポットに比較的高い精度でターゲット素材を送給し、安定な光源位置を保
つことが望ましい。
ーゲット素材の小エリアにパルスを照射した後、そのドラムを回動させ及び／又は軸に沿
い並進させると、ターゲット素材の新たなエリアがその照射サイトに現れる。そのターゲ
ット素材層には個々の照射パルスによりクレータが生成される。それらクレータを補充シ
ステムで以て再充填すること、ひいてはターゲット素材送給システムを形成することが可
能であり、それにより、理論的には、照射サイトへと無限にターゲット素材を提供するこ
とができる。通常、レーザの集束先たる合焦スポットの直径は約１００μｍ未満である。
そうした合焦スポットに比較的高い精度でターゲット素材を送給し、安定な光源位置を保
つことが望ましい。
【0006】
用途にもよるが、キセノン（例．ドラム表面上に形成されたキセノンアイス層の形態を
採っているそれ）をターゲット素材として用いることで、確かな長所を提供することがで
きる。例えば、１μｍドライブレーザによる照射を受けるキセノンターゲット素材を用い
ることで、計量ツール又はマスク／ペリクル検査ツールでの使用にひときわ適する比較的
高輝度なＥＵＶ光源を、提供することができる。キセノンは比較的高価である。この理由
からすれば使用キセノン量を減らすことが望ましく、とりわけ、蒸発により失われるキセ
ノン、均一ターゲット素材層形成のためドラムから削がれるキセノン等、真空チャンバ内
に放り出されるキセノンの量を減らすことが望ましい。この余分なキセノンによりＥＵＶ
光が吸収され、システムに提供される輝度が低下する。
採っているそれ）をターゲット素材として用いることで、確かな長所を提供することがで
きる。例えば、１μｍドライブレーザによる照射を受けるキセノンターゲット素材を用い
ることで、計量ツール又はマスク／ペリクル検査ツールでの使用にひときわ適する比較的
高輝度なＥＵＶ光源を、提供することができる。キセノンは比較的高価である。この理由
からすれば使用キセノン量を減らすことが望ましく、とりわけ、蒸発により失われるキセ
ノン、均一ターゲット素材層形成のためドラムから削がれるキセノン等、真空チャンバ内
に放り出されるキセノンの量を減らすことが望ましい。この余分なキセノンによりＥＵＶ
光が吸収され、システムに提供される輝度が低下する。
【0007】
これらの光源では、プラズマから発せられる光が往々にして反射光学系、例えば集光光
学系（例．近垂直入射又はかすり入射鏡）の働きで集光される。その集光光学系は集光し
た光を光路に沿い中間個所に差し向け、場合によってはそこに集束させ、そしてその光が
そこにある下流ツール例えばリソグラフィツール（即ちステッパ／スキャナ）、計量ツー
ル又はマスク／ペリクル検査ツールによって使用される。
学系（例．近垂直入射又はかすり入射鏡）の働きで集光される。その集光光学系は集光し
た光を光路に沿い中間個所に差し向け、場合によってはそこに集束させ、そしてその光が
そこにある下流ツール例えばリソグラフィツール（即ちステッパ／スキャナ）、計量ツー
ル又はマスク／ペリクル検査ツールによって使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０１２／００５０７０６号
【特許文献2】米国特許出願公開第２０１４／０３７６８４２号
【特許文献3】米国特許出願公開第２０１４／０３７４６１１号
【特許文献4】米国特許出願公開第２０１５／００７６３５９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
これらの光源では、光学系その他の部材の汚れを減らすため、並びにプラズマから集光
光学系更には中間個所への光（例．ＥＵＶ光）の伝送量を増やすため、ＬＰＰチャンバに
関し超清浄真空環境が望まれる。プラズマ式照明システム動作中には、微粒子（例．金属
）及び炭化水素又は有機物を含有する汚染物、例えばグリースからのオフガスが、これに
限られるものではないがターゲット形成構造やその構造を回動、並進及び／又は安定化さ
せる機械的構成部材をはじめとする様々な源泉から放出されうる。この汚染物はときに反
射光学系に到達してその反射光学系に光汚染誘起性損傷を引き起こすことや、他部材例え
ばレーザ入射窓又は診断フィルタ／検出器／光学系を損傷／性能低下させることがある。
加えて、気体軸受け使用時には、軸受け気体例えば空気がＬＰＰチャンバ内に解き放たれ
た場合、その軸受け気体によりＥＵＶ光が吸収されＥＵＶ光源出力が低下することがある
。
光学系更には中間個所への光（例．ＥＵＶ光）の伝送量を増やすため、ＬＰＰチャンバに
関し超清浄真空環境が望まれる。プラズマ式照明システム動作中には、微粒子（例．金属
）及び炭化水素又は有機物を含有する汚染物、例えばグリースからのオフガスが、これに
限られるものではないがターゲット形成構造やその構造を回動、並進及び／又は安定化さ
せる機械的構成部材をはじめとする様々な源泉から放出されうる。この汚染物はときに反
射光学系に到達してその反射光学系に光汚染誘起性損傷を引き起こすことや、他部材例え
ばレーザ入射窓又は診断フィルタ／検出器／光学系を損傷／性能低下させることがある。
加えて、気体軸受け使用時には、軸受け気体例えば空気がＬＰＰチャンバ内に解き放たれ
た場合、その軸受け気体によりＥＵＶ光が吸収されＥＵＶ光源出力が低下することがある
。
【0010】
上掲のことに鑑み、本願出願人は、円筒対称要素上を覆うターゲット素材を有するレー
ザ生成プラズマ光源並びにそれに対応する使用方法を開示する。
ザ生成プラズマ光源並びにそれに対応する使用方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本件開示の第１態様に係る装置は、ステータ体と、ある軸周りで可回動であり、ドライ
ブレーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生さ
せるプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を有し、第１端から第２端へと延びる円
筒対称要素と、その円筒対称要素の第１端をステータ体に連結し且つ軸受け気体流を成立
させる気体軸受けアセンブリであり、その軸受け気体流が通流している第１空間内に遮断
気体(barrier gas)を導入することでＬＰＰチャンバ内への軸受け気体の漏れを減らすシ
ステムを有する気体軸受けアセンブリと、円筒対称要素の第２端をステータ体に連結する
第２軸受けアセンブリであり、当該第２軸受けに通流している第２空間内に遮断気体を導
入することでその第２軸受けからＬＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らすシステム
をも有する第２軸受けと、を備える。
ブレーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生さ
せるプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を有し、第１端から第２端へと延びる円
筒対称要素と、その円筒対称要素の第１端をステータ体に連結し且つ軸受け気体流を成立
させる気体軸受けアセンブリであり、その軸受け気体流が通流している第１空間内に遮断
気体(barrier gas)を導入することでＬＰＰチャンバ内への軸受け気体の漏れを減らすシ
ステムを有する気体軸受けアセンブリと、円筒対称要素の第２端をステータ体に連結する
第２軸受けアセンブリであり、当該第２軸受けに通流している第２空間内に遮断気体を導
入することでその第２軸受けからＬＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らすシステム
をも有する第２軸受けと、を備える。
【0012】
ある実施形態ではその第２軸受けアセンブリが磁気軸受けとされ、その磁気軸受けにて
生じた微粒子等の汚染物が汚染物質に含まれる。また別の実施形態では第２軸受けアセン
ブリがグリース封入軸受けとされ、そのグリース封入軸受けにて生じたグリースオフガス
及び微粒子等の汚染物が汚染物質に含まれる。また別の実施形態では第２軸受けアセンブ
リが気体軸受けアセンブリとされ、軸受け気体が汚染物質となる。
生じた微粒子等の汚染物が汚染物質に含まれる。また別の実施形態では第２軸受けアセン
ブリがグリース封入軸受けとされ、そのグリース封入軸受けにて生じたグリースオフガス
及び微粒子等の汚染物が汚染物質に含まれる。また別の実施形態では第２軸受けアセンブ
リが気体軸受けアセンブリとされ、軸受け気体が汚染物質となる。
【0013】
本態様のある格別な実施形態では、その円筒対称要素がスピンドル上に実装されると共
に、ＬＰＰチャンバ内への軸受け気体の漏れを減らすシステムが、ステータ体又はスピン
ドルにあり第１空間と通流しており且つ第１空間の第１部分から軸受け気体を排出するよ
う構成されている第１環状溝と、ステータ体又はスピンドルにあり第１空間と通流してお
り且つ第１空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸送するよう構成されている第
２環状溝と、ステータ体又はスピンドルにあり第１空間と通流しており上記軸に対し平行
な軸方向において第１環状溝・第２環状溝間に位置する第３環状溝であり、第１空間の第
３部分外に軸受け気体及び遮断気体を輸送することで第１圧力及び第２圧力より低い第３
圧力をその第３部分内に発生させるよう構成されている第３環状溝と、を有する。
に、ＬＰＰチャンバ内への軸受け気体の漏れを減らすシステムが、ステータ体又はスピン
ドルにあり第１空間と通流しており且つ第１空間の第１部分から軸受け気体を排出するよ
う構成されている第１環状溝と、ステータ体又はスピンドルにあり第１空間と通流してお
り且つ第１空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸送するよう構成されている第
２環状溝と、ステータ体又はスピンドルにあり第１空間と通流しており上記軸に対し平行
な軸方向において第１環状溝・第２環状溝間に位置する第３環状溝であり、第１空間の第
３部分外に軸受け気体及び遮断気体を輸送することで第１圧力及び第２圧力より低い第３
圧力をその第３部分内に発生させるよう構成されている第３環状溝と、を有する。
【0014】
本態様のある格別な実施形態では、その円筒対称要素がスピンドル上に実装されると共
に、ＬＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らすシステムが、ステータ体又はスピンド
ルにあり第１空間と通流しており且つ第１空間の第１部分から汚染物質を排出するよう構
成されている第１環状溝と、ステータ体又はスピンドルにあり第１空間と通流しており且
つ第１空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸送するよう構成されている第２環
状溝と、ステータ体又はスピンドルにあり第１空間と通流しており上記軸に対し平行な軸
方向において第１環状溝・第２環状溝間に位置する第３環状溝であり、第１空間の第３部
分外に汚染物質及び遮断気体を輸送することで第１圧力及び第２圧力より低い第３圧力を
その第３部分内に発生させるよう構成されている第３環状溝と、を有する。
に、ＬＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らすシステムが、ステータ体又はスピンド
ルにあり第１空間と通流しており且つ第１空間の第１部分から汚染物質を排出するよう構
成されている第１環状溝と、ステータ体又はスピンドルにあり第１空間と通流しており且
つ第１空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸送するよう構成されている第２環
状溝と、ステータ体又はスピンドルにあり第１空間と通流しており上記軸に対し平行な軸
方向において第１環状溝・第２環状溝間に位置する第３環状溝であり、第１空間の第３部
分外に汚染物質及び遮断気体を輸送することで第１圧力及び第２圧力より低い第３圧力を
その第３部分内に発生させるよう構成されている第３環状溝と、を有する。
【0015】
本態様に係る装置は、更に、その円筒対称要素の第１端に駆動ユニットを備え、その駆
動ユニットが、上記軸に沿い円筒対称要素を並進させるリニアモータアセンブリと、その
軸周りで円筒対称要素を回動させるロータリモータと、を有するものとすることができる
。
動ユニットが、上記軸に沿い円筒対称要素を並進させるリニアモータアセンブリと、その
軸周りで円筒対称要素を回動させるロータリモータと、を有するものとすることができる
。
【0016】
本態様におけるプラズマ形成ターゲット素材は、これに限られるものではないがキセノ
ンアイスとすることができる。また、一例としては、軸受け気体を窒素、酸素、浄化空気
、キセノン、アルゴン又はそれら気体の組合せとすることができる。加えて、やはり一例
としては、遮断気体をキセノン、アルゴン又はそれらの組合せとすることができる。
ンアイスとすることができる。また、一例としては、軸受け気体を窒素、酸素、浄化空気
、キセノン、アルゴン又はそれら気体の組合せとすることができる。加えて、やはり一例
としては、遮断気体をキセノン、アルゴン又はそれらの組合せとすることができる。
【0017】
本件開示の他態様に係る装置は、ステータ体と、ある軸周りで可回動であり、ドライブ
レーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生させ
るプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を有し、第１端から第２端へと延びる円筒
対称要素と、同要素の第１端をステータ体に連結する磁気液体ロータリシールと、円筒対
称要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリであり、当該第２軸受けに通流
している空間内に遮断気体を導入することでその軸受けからＬＰＰチャンバ内への汚染物
質の漏れを減らすシステムを有する軸受けと、を備える。
レーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生させ
るプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を有し、第１端から第２端へと延びる円筒
対称要素と、同要素の第１端をステータ体に連結する磁気液体ロータリシールと、円筒対
称要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリであり、当該第２軸受けに通流
している空間内に遮断気体を導入することでその軸受けからＬＰＰチャンバ内への汚染物
質の漏れを減らすシステムを有する軸受けと、を備える。
【0018】
本態様のある実施形態ではその第２軸受けアセンブリが磁気軸受けとされ、その磁気軸
受けにて発生した汚染物例えば微粒子が汚染物質に含まれる。また別の実施形態ではその
第２軸受けアセンブリがグリース封入軸受けとされ、そのグリース封入軸受けにて発生し
た汚染物例えばグリースオフガス及び微粒子が汚染物質に含まれる。また別の実施形態で
はその第２軸受けアセンブリが気体軸受けアセンブリとされ、軸受け気体が汚染物質とな
る。
受けにて発生した汚染物例えば微粒子が汚染物質に含まれる。また別の実施形態ではその
第２軸受けアセンブリがグリース封入軸受けとされ、そのグリース封入軸受けにて発生し
た汚染物例えばグリースオフガス及び微粒子が汚染物質に含まれる。また別の実施形態で
はその第２軸受けアセンブリが気体軸受けアセンブリとされ、軸受け気体が汚染物質とな
る。
【0019】
本態様のある格別な実施形態では、その円筒対称要素がスピンドル上に実装されると共
に、ＬＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らすシステムが、ステータ体及びスピンド
ルのうち一方にあり上記空間と通流しており且つその空間の第１部分から汚染物質を排出
するよう構成されている第１環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上記
空間と通流しており且つその空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸送するよう
構成されている第２環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上記空間と通
流しており上記軸に対し平行な軸方向において第１環状溝・第２環状溝間に位置する第３
環状溝であり、上記空間の第３部分外に汚染物質及び遮断気体を輸送することで第１圧力
及び第２圧力より低い第３圧力をその第３部分内に発生させるよう構成されている第３環
状溝と、を有する。
に、ＬＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らすシステムが、ステータ体及びスピンド
ルのうち一方にあり上記空間と通流しており且つその空間の第１部分から汚染物質を排出
するよう構成されている第１環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上記
空間と通流しており且つその空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸送するよう
構成されている第２環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上記空間と通
流しており上記軸に対し平行な軸方向において第１環状溝・第２環状溝間に位置する第３
環状溝であり、上記空間の第３部分外に汚染物質及び遮断気体を輸送することで第１圧力
及び第２圧力より低い第３圧力をその第３部分内に発生させるよう構成されている第３環
状溝と、を有する。
【0020】
本態様に係る装置は、更に、その円筒対称要素の第１端に駆動ユニットを備え、その駆
動ユニットが、上記軸に沿い円筒対称要素を並進させるリニアモータアセンブリと、その
軸周りで円筒対称要素を回動させるロータリモータと、を有するものとすることができる
。ある実施形態に係る装置は、ステータ体に対する円筒対称要素の軸沿い並進を受容する
ベロウズを備える。
動ユニットが、上記軸に沿い円筒対称要素を並進させるリニアモータアセンブリと、その
軸周りで円筒対称要素を回動させるロータリモータと、を有するものとすることができる
。ある実施形態に係る装置は、ステータ体に対する円筒対称要素の軸沿い並進を受容する
ベロウズを備える。
【0021】
また、本態様におけるプラズマ形成ターゲット素材は、これに限られるものではないが
キセノンアイスとすることができる。また、一例としては、その第２軸受けアセンブリが
気体軸受けアセンブリである実施形態での軸受け気体を、窒素、酸素、浄化空気、キセノ
ン、アルゴン又はそれら気体の組合せとすることができる。加えて、同じく一例としては
、遮断気体をキセノン、アルゴン又はそれらの組合せとすることができる。
キセノンアイスとすることができる。また、一例としては、その第２軸受けアセンブリが
気体軸受けアセンブリである実施形態での軸受け気体を、窒素、酸素、浄化空気、キセノ
ン、アルゴン又はそれら気体の組合せとすることができる。加えて、同じく一例としては
、遮断気体をキセノン、アルゴン又はそれらの組合せとすることができる。
【0022】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照
射を受けプラズマを生成するプラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する円
筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステ
ムと、その円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成
ターゲット素材を築くよう配置された鋸歯状ワイパと、を備える。
射を受けプラズマを生成するプラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する円
筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステ
ムと、その円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成
ターゲット素材を築くよう配置された鋸歯状ワイパと、を備える。
【0023】
本態様のある格別な実施形態ではそのドライブレーザがパルスドライブレーザとされ、
最大直径Ｄを有するクレータがパルス照射を経て円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲッ
ト素材中に生じ、鋸歯状ワイパが少なくとも２本の歯を有し、上記軸に平行な方向に沿い
個々の歯がＬ＞３＊Ｄなる長さＬを有する。
最大直径Ｄを有するクレータがパルス照射を経て円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲッ
ト素材中に生じ、鋸歯状ワイパが少なくとも２本の歯を有し、上記軸に平行な方向に沿い
個々の歯がＬ＞３＊Ｄなる長さＬを有する。
【0024】
本態様のある実施形態に係る装置は、また、上記表面に重なるハウジングであり、ドラ
イブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材をさらすための開口が形成されてい
るハウジングと、ハウジング・プラズマ形成ターゲット素材間シールを成立させるワイパ
と、を備える。
イブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材をさらすための開口が形成されてい
るハウジングと、ハウジング・プラズマ形成ターゲット素材間シールを成立させるワイパ
と、を備える。
【0025】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成タ
ーゲット素材を補充するサブシステムと、その円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット
素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築くよう配置されたワイパと、上記
表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材をさらし
プラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、ワイパをハウジングに
装着するため及びそのハウジングを円筒対称要素に対し動かすことなくそのワイパを交換
可能にするための実装システムと、を備える。
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成タ
ーゲット素材を補充するサブシステムと、その円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット
素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築くよう配置されたワイパと、上記
表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材をさらし
プラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、ワイパをハウジングに
装着するため及びそのハウジングを円筒対称要素に対し動かすことなくそのワイパを交換
可能にするための実装システムと、を備える。
【0026】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成タ
ーゲット素材を補充するサブシステムと、ワイパエッジにてその円筒対称要素上のプラズ
マ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築くよう配置され
たワイパと、上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲ
ット素材をさらしプラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、ワイ
パエッジ・上記軸間の径方向距離を調整する調整システムでありハウジングの露出面上に
アクセスポイントを有する調整システムと、を備える。
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成タ
ーゲット素材を補充するサブシステムと、ワイパエッジにてその円筒対称要素上のプラズ
マ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築くよう配置され
たワイパと、上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲ
ット素材をさらしプラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、ワイ
パエッジ・上記軸間の径方向距離を調整する調整システムでありハウジングの露出面上に
アクセスポイントを有する調整システムと、を備える。
【0027】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成タ
ーゲット素材を補充するサブシステムと、ワイパエッジにてその円筒対称要素上のプラズ
マ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築くよう配置され
たワイパと、上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲ
ット素材をさらしプラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、ワイ
パエッジ・上記軸間の径方向距離を調整する調整システムであり制御信号に応じワイパを
動かすアクチュエータを有する調整システムと、を備える。
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成タ
ーゲット素材を補充するサブシステムと、ワイパエッジにてその円筒対称要素上のプラズ
マ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築くよう配置され
たワイパと、上記表面に重なっており、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲ
ット素材をさらしプラズマを生成させるための開口が形成されているハウジングと、ワイ
パエッジ・上記軸間の径方向距離を調整する調整システムであり制御信号に応じワイパを
動かすアクチュエータを有する調整システムと、を備える。
【0028】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成タ
ーゲット素材を補充するサブシステムと、ワイパエッジにてその円筒対称要素上のプラズ
マ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築くよう配置され
たワイパと、ワイパエッジ・上記軸間の径方向距離を示す信号を出力する計測システムと
、を備える。
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成タ
ーゲット素材を補充するサブシステムと、ワイパエッジにてその円筒対称要素上のプラズ
マ形成ターゲット素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築くよう配置され
たワイパと、ワイパエッジ・上記軸間の径方向距離を示す信号を出力する計測システムと
、を備える。
【0029】
本態様のある実施形態ではその計測システムが発光器及び光センサを備える。
【0030】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成タ
ーゲット素材を補充するサブシステムと、ワイパマウントと、そのワイパマウントを整列
させるマスタワイパと、ワイパエッジにてその円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット
素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築くよう整列済ワイパマウント内に
配置可能な稼働ワイパと、を備える。
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成タ
ーゲット素材を補充するサブシステムと、ワイパマウントと、そのワイパマウントを整列
させるマスタワイパと、ワイパエッジにてその円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット
素材を削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築くよう整列済ワイパマウント内に
配置可能な稼働ワイパと、を備える。
【0031】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照
射を受けプラズマを生成するプラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する円
筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステ
ムと、第１個所にてその円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を拭い均一厚みの
プラズマ形成ターゲット素材を築く第１加熱ワイパと、円筒対称要素を挟み第１個所とは
径方向逆側にある第２個所にてその円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を拭い
均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築く第２加熱ワイパと、を備える。
射を受けプラズマを生成するプラズマ形成ターゲット素材の帯で覆われた表面を有する円
筒対称要素と、その円筒対称要素上にプラズマ形成ターゲット素材を補充するサブシステ
ムと、第１個所にてその円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を拭い均一厚みの
プラズマ形成ターゲット素材を築く第１加熱ワイパと、円筒対称要素を挟み第１個所とは
径方向逆側にある第２個所にてその円筒対称要素上のプラズマ形成ターゲット素材を拭い
均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材を築く第２加熱ワイパと、を備える。
【0032】
本態様のある実施形態では、第１及び第２加熱ワイパが柔順(compliant)素材製の接触
面を有し、或いは柔順形態で実装されたワイパを有する。
面を有し、或いは柔順形態で実装されたワイパを有する。
【0033】
本態様のある格別な実施形態に係る装置は、更に、第１加熱ワイパの温度を示す第１信
号を出力する第１熱電対と、第２加熱ワイパの温度を示す第２信号を出力する第２熱電対
と、を備える。
号を出力する第１熱電対と、第２加熱ワイパの温度を示す第２信号を出力する第２熱電対
と、を備える。
【0034】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動であり、キセノンターゲット素材
の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、そのキセノンターゲット素材を７０ケルビ
ン未満の温度まで可制御的に冷やすことでその円筒対称要素上の均一なキセノンターゲッ
ト素材層を保つクリオスタットシステムと、を備える。
の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、そのキセノンターゲット素材を７０ケルビ
ン未満の温度まで可制御的に冷やすことでその円筒対称要素上の均一なキセノンターゲッ
ト素材層を保つクリオスタットシステムと、を備える。
【0035】
ある実施形態ではそのクリオスタットシステムが液体ヘリウムクリオスタットシステム
とされる。
とされる。
【0036】
ある格別な実施形態によれば、本装置に、更に、その円筒対称要素内に位置し円筒対称
要素の温度を示す出力をもたらすセンサ例えば熱電対と、そのセンサの出力に応じ円筒対
称要素の温度を制御するシステムと、を設けることができる。
要素の温度を示す出力をもたらすセンサ例えば熱電対と、そのセンサの出力に応じ円筒対
称要素の温度を制御するシステムと、を設けることができる。
【0037】
本態様のある実施形態によれば、本装置に、排出された冷却剤をリサイクルに備え冷や
す冷却装置をも設けることができる。
す冷却装置をも設けることができる。
【0038】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動で中空であり、プラズマ形成ター
ゲット素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素内に位置し円
筒対称要素の温度を示す出力をもたらすセンサと、そのセンサの出力に応じ円筒対称要素
の温度を制御するシステムと、を備える。
ゲット素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、その円筒対称要素内に位置し円
筒対称要素の温度を示す出力をもたらすセンサと、そのセンサの出力に応じ円筒対称要素
の温度を制御するシステムと、を備える。
【0039】
本態様のある実施形態に係る装置は、そのキセノンターゲット素材を７０ケルビン未満
の温度まで可制御的に冷やすことでその円筒対称要素上の均一なキセノンターゲット素材
層を保つ液体ヘリウムクリオスタットシステムを備える。
の温度まで可制御的に冷やすことでその円筒対称要素上の均一なキセノンターゲット素材
層を保つ液体ヘリウムクリオスタットシステムを備える。
【0040】
本態様のある実施形態ではそのセンサが熱電対とされる。
【0041】
本態様のある格別な実施形態に係る装置は、排出された冷却剤をリサイクルに備え冷や
す冷却装置を備える。
す冷却装置を備える。
【0042】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動で中空であり、プラズマ形成ター
ゲット素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、閉ループ流路内を循環する冷却
流体を有し、プラズマ形成ターゲット素材を冷やすべくその流路がその円筒対称要素内へ
と延設されている冷却システムと、を備える。
ゲット素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、閉ループ流路内を循環する冷却
流体を有し、プラズマ形成ターゲット素材を冷やすべくその流路がその円筒対称要素内へ
と延設されている冷却システムと、を備える。
【0043】
本態様のある格別な実施形態に係る装置は、その円筒対称要素内に位置し円筒対称要素
の温度を示す出力をもたらすセンサ例えば熱電対と、そのセンサの出力に応じその円筒対
称要素の温度を制御するシステムと、を備える。
の温度を示す出力をもたらすセンサ例えば熱電対と、そのセンサの出力に応じその円筒対
称要素の温度を制御するシステムと、を備える。
【0044】
本態様のある実施形態ではその冷却システムが閉ループ流路上に冷却装置を備える。
【0045】
本態様のある実施形態ではその冷却流体がヘリウムを含む。
【0046】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、上記表面に重なっており、ドライブレ
ーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材をさらしプラズマを生成させるための開口
が形成されており、その内部流路内に冷却流体を流すことで自ハウジングが冷やされるよ
うに内部流路が形成されているハウジングと、を備える。
素材の帯で覆われた表面を有する円筒対称要素と、上記表面に重なっており、ドライブレ
ーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材をさらしプラズマを生成させるための開口
が形成されており、その内部流路内に冷却流体を流すことで自ハウジングが冷やされるよ
うに内部流路が形成されているハウジングと、を備える。
【0047】
本態様における冷却流体は、空気、水、清浄乾燥空気（ＣＤＡ）、窒素、アルゴン、円
筒対称要素内を通った冷却剤例えばヘリウム又は窒素、或いは冷凍器により（例．０℃未
満の温度まで）冷やされ又は機械的運動及びレーザ照射に由来する余分な熱を除くのに（
例．周囲より低いがＸｅの凝結点より高い温度例えば１０～３０℃まで冷やすのに）十分
な容量を有する液体冷却剤とすることができる。
筒対称要素内を通った冷却剤例えばヘリウム又は窒素、或いは冷凍器により（例．０℃未
満の温度まで）冷やされ又は機械的運動及びレーザ照射に由来する余分な熱を除くのに（
例．周囲より低いがＸｅの凝結点より高い温度例えば１０～３０℃まで冷やすのに）十分
な容量を有する液体冷却剤とすることができる。
【0048】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動であり、プラズマ形成ターゲット
素材の層で覆われており、その軸に沿い並進可能であり、ターゲット素材からなり帯高ｈ
を有しドライブレーザによる照射を受ける稼働帯(operational band)がその並進により画
定される円筒対称要素と、その円筒対称要素に対し固定されている個所から、プラズマ形
成ターゲット素材のスプレイであり上記軸に対し平行に測ったスプレイ高ＨがＨ＜ｈであ
るスプレイを出射することで、ドライブレーザからの照射によりプラズマ形成ターゲット
素材中に生じたクレータを補填する注入システムと、を備える。
素材の層で覆われており、その軸に沿い並進可能であり、ターゲット素材からなり帯高ｈ
を有しドライブレーザによる照射を受ける稼働帯(operational band)がその並進により画
定される円筒対称要素と、その円筒対称要素に対し固定されている個所から、プラズマ形
成ターゲット素材のスプレイであり上記軸に対し平行に測ったスプレイ高ＨがＨ＜ｈであ
るスプレイを出射することで、ドライブレーザからの照射によりプラズマ形成ターゲット
素材中に生じたクレータを補填する注入システムと、を備える。
【0049】
本態様のある実施形態に係る装置は、更に、プラズマ形成ターゲット素材の層に重なっ
たハウジングを備え、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材をさらす
ための開口がそのハウジングに形成されており、注入システムがそのハウジング上に実装
されたインジェクタを有する。
たハウジングを備え、ドライブレーザによる照射にプラズマ形成ターゲット素材をさらす
ための開口がそのハウジングに形成されており、注入システムがそのハウジング上に実装
されたインジェクタを有する。
【0050】
本態様のある実施形態ではその注入システムが複数個のスプレイポートを有し、ある格
別な実施形態ではそれらスプレイポートが上記軸に対し平行な方向に沿い整列される。
別な実施形態ではそれらスプレイポートが上記軸に対し平行な方向に沿い整列される。
【0051】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動で、プラズマ形成ターゲット素材
の層で覆われており、その軸に沿い並進可能な円筒対称要素と、上記軸に対し平行な方向
に沿い並進可能な少なくとも１個のインジェクタを有し、プラズマ形成ターゲット素材の
スプレイを出射することで、ドライブレーザからの照射によりプラズマ形成ターゲット素
材中に生じたクレータを補填する注入システムと、を備える。
の層で覆われており、その軸に沿い並進可能な円筒対称要素と、上記軸に対し平行な方向
に沿い並進可能な少なくとも１個のインジェクタを有し、プラズマ形成ターゲット素材の
スプレイを出射することで、ドライブレーザからの照射によりプラズマ形成ターゲット素
材中に生じたクレータを補填する注入システムと、を備える。
【0052】
本態様のある実施形態ではそれらインジェクタ及び円筒対称要素の軸沿い並進が同期す
る。
る。
【0053】
本態様のある実施形態ではその注入システムが複数個のスプレイポートを有し、ある格
別な実施形態ではそれらスプレイポートが上記軸に対し平行な方向に沿い整列される。
別な実施形態ではそれらスプレイポートが上記軸に対し平行な方向に沿い整列される。
【0054】
本件開示の他態様に係る装置は、ある軸周りで可回動で、プラズマ形成ターゲット素材
の層で覆われており、その軸に沿い並進可能な円筒対称要素と、上記軸に対し平行な方向
に沿い整列している複数個のスプレイポート並びにアパーチャが形成されているプレート
を有し、そのアパーチャがその軸に対し平行な方向に沿い並進可能であり、その並進によ
り少なくとも１個のスプレイポートの覆いを選択的に外しプラズマ形成ターゲット素材の
スプレイを出射させることで、ドライブレーザからの照射によりその外面上のプラズマ形
成ターゲット素材中に生じたクレータを補填する注入システムと、を備える。
の層で覆われており、その軸に沿い並進可能な円筒対称要素と、上記軸に対し平行な方向
に沿い整列している複数個のスプレイポート並びにアパーチャが形成されているプレート
を有し、そのアパーチャがその軸に対し平行な方向に沿い並進可能であり、その並進によ
り少なくとも１個のスプレイポートの覆いを選択的に外しプラズマ形成ターゲット素材の
スプレイを出射させることで、ドライブレーザからの照射によりその外面上のプラズマ形
成ターゲット素材中に生じたクレータを補填する注入システムと、を備える。
【0055】
本態様のある実施形態ではそのアパーチャの動きが円筒対称要素の軸沿い並進と同期す
る。
る。
【0056】
幾つかの実施形態によれば、本願記載の光源を検査システム、例えばブランクマスク又
はパターニング済マスク検査システムに組み込むことができる。ある実施形態によれば、
例えば、中間個所に輻射を送給する光源と、その輻射で以てサンプルを照明するよう構成
された光学システムと、そのサンプルにより反射、散乱又は輻射された照明をイメージン
グ路に沿い受光するよう構成された検出器とを、検査システムに設けることができる。そ
の検出器と通信する情報処理システムをその検査システムに設け、検出された照明に係る
信号に基づきそのサンプルにおける少なくとも１個の欠陥の所在を特定し又はその欠陥を
計測するよう構成することもできる。
はパターニング済マスク検査システムに組み込むことができる。ある実施形態によれば、
例えば、中間個所に輻射を送給する光源と、その輻射で以てサンプルを照明するよう構成
された光学システムと、そのサンプルにより反射、散乱又は輻射された照明をイメージン
グ路に沿い受光するよう構成された検出器とを、検査システムに設けることができる。そ
の検出器と通信する情報処理システムをその検査システムに設け、検出された照明に係る
信号に基づきそのサンプルにおける少なくとも１個の欠陥の所在を特定し又はその欠陥を
計測するよう構成することもできる。
【0057】
幾つかの実施形態によれば、本願記載の光源をリソグラフィシステムに組み込むことが
できる。例えば、レジスト被覆済ウェハをパターン化輻射ビームにさらすためその光源を
リソグラフィシステムにて用いることが可能である。ある実施形態によれば、例えば、中
間個所に輻射を送給する光源と、その輻射を受光しパターン化輻射ビームを発生させる光
学システムと、そのパターン化ビームをレジスト被覆済ウェハに送給する光学システムと
を、リソグラフィシステムに設けることができる。
できる。例えば、レジスト被覆済ウェハをパターン化輻射ビームにさらすためその光源を
リソグラフィシステムにて用いることが可能である。ある実施形態によれば、例えば、中
間個所に輻射を送給する光源と、その輻射を受光しパターン化輻射ビームを発生させる光
学システムと、そのパターン化ビームをレジスト被覆済ウェハに送給する光学システムと
を、リソグラフィシステムに設けることができる。
【0058】
ご理解頂けるように、上掲の概略記述及び後掲の詳細記述は共に専ら例示的且つ説明的
なものであり、本件開示を必ずしも限定するものではない。添付図面は、本明細書に組み
込まれその一部を形成するものであり、本件開示の主題を描出している。明細書及び図面
は相俟って本件開示の諸原理を説明する役を負っている。
なものであり、本件開示を必ずしも限定するものではない。添付図面は、本明細書に組み
込まれその一部を形成するものであり、本件開示の主題を描出している。明細書及び図面
は相俟って本件開示の諸原理を説明する役を負っている。
【0059】
本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）であれば、以下の如き添付図面を参照す
ることによって、本件開示に多々備わる長所をより良好に理解できよう。
ることによって、本件開示に多々備わる長所をより良好に理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【0060】
【図1】本件開示の実施形態に係り、可回動な円筒対称要素上を覆うターゲット素材を有するＬＰＰ光源を示す概略模式図である。
【図2】ターゲット素材送給システムのうち駆動側気体軸受け及び端側気体軸受けを有する部分の断面図である。
【図3】円筒対称要素を回動及び軸沿い並進させる駆動ユニットの斜視断面図である。
【図5】ターゲット素材送給システムのうち磁気又は機械軸受けたる端側軸受け及び駆動側気体軸受けを有する部分の断面図である。
【図8】ターゲット素材送給システムのうち、スピンドルをステータに連結する駆動側磁気流体ロータリシールを有する部分の概略断面図である。
【図9】円筒対称要素を冷やすシステムの模式図である。
【図10】ハウジングを冷やすシステムの斜視図である。
【図12】円筒対称要素上にターゲット素材をスプレイするシステムの概略断面図であり、第１ポジションにある円筒対称要素が示されている。
【図13】円筒対称要素上にターゲット素材をスプレイするシステムの概略断面図であり、第１ポジションから第２ポジションへの軸沿い並進を経た円筒対称要素が示されている。
【図14】軸沿い可動インジェクタを有し円筒対称要素上にターゲット素材をスプレイするシステムの概略断面図であり、各々第１ポジションにある円筒対称要素及びインジェクタが示されている。
【図15】軸沿い可動インジェクタを有し円筒対称要素上にターゲット素材をスプレイするシステムの概略断面図であり、各々の第１ポジションから各々の第２ポジションへの軸沿い並進を経た円筒対称要素及びインジェクタが示されている。
【図16】アパーチャ付の軸沿い可動プレートを有し円筒対称要素上にターゲット素材をスプレイするシステムの概略断面図であり、各々の第１ポジションにある円筒対称要素及びプレートが示されている。
【図17】アパーチャ付の軸沿い可動プレートを有し円筒対称要素上にターゲット素材をスプレイするシステムの概略断面図であり、各々の第１ポジションから各々の第２ポジションへの軸沿い並進を経た円筒対称要素及びプレートが示されている。
【図18】ワイパシステムの斜視断面図である。
【図19】３本の歯を有する鋸歯状ワイパの斜視図である。
【図20B】ドラムに対するワイパの位置を判別する計測システムの断面図である。
【図21】ワイパを動かすアクチュエータを有するワイパ調整システムの模式的断面図である。
【図22】マスタワイパを用いたワイパ整列技術に関わる諸工程を示すフローチャートである。
【図23】柔順ワイパシステムの断面図である。
【図24】ターゲット素材で覆われたドラムに対し稼働位置を占める柔順ワイパを示す断面図である。
【図25A】柔順ワイパシステムにおけるドラム上でのターゲット素材の成長を示す図である。
【図25B】柔順ワイパシステムにおけるドラム上でのターゲット素材の成長を示す図である。
【図25C】柔順ワイパシステムにおけるドラム上でのターゲット素材の成長を示す図である。
【図26】熱カートリッジ及び熱電対を有する柔順ワイパの斜視図である。
【図27】本願記載の光源が組み込まれた検査システムを示す概略模式図である。
【図28】本願記載の光源が組み込まれたリソグラフィシステムを示す概略模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0061】
以下、添付図面に示す開示主題を詳細に参照する。
【0062】
図１に、一実施形態に係りＥＵＶ光をもたらす光源（その全体を１００で示す）及びタ
ーゲット素材送給システム１０２を示す。光源１００は、例えば、インバンドＥＵＶ光（
例．１３．５ｎｍの波長及び２％の帯域幅を有する光）をもたらすよう構成することがで
きる。図示の通り光源１００は励起源１０４例えばドライブレーザを有しており、照射サ
イト１０８にあるターゲット素材１０６を照らすよう、ひいてはＥＵＶ光放射性プラズマ
をレーザ生成プラズマチャンバ１１０内にもたらすよう、その励起源１０４が構成されて
いる。場合にもよるが、ターゲット素材１０６にまず第１パルス（予パルス）、次いで第
２パルス（主パルス）を照射してプラズマを発生させればよい。一例として、化学線マス
ク検査行為向けに構成された光源１００向けなら、固体利得媒質例えばＮｄ：ＹＡＧを有
し約１μｍの光を出射するパルスドライブレーザで励起源１０４を構成し、ターゲット素
材１０６をキセノン含有のものにすることで、化学線マスク検査に役立つ比較的高輝度な
ＥＵＶ光源の提供という確かな利点を提供することができる。他種ドライブレーザ、例え
ばその固体利得媒質がＥｒ：ＹＡＧ、Ｙｂ：ＹＡＧ、Ｔｉ：サファイア、Ｎｄ：バナジン
酸塩等であるものが適することもあろう。ガス放電レーザ例えばエキシマレーザも、所要
波長で十分な出力が得られるのなら使用できる。ＥＵＶマスク検査システムでは約１０Ｗ
域のＥＵＶ光しか必要とされない場合があるが、それにしても小エリア内で高輝度が必要
とされよう。この場合、マスク検査システム向けに十分なパワー及び輝度のＥＵＶ光を発
生させるには、総レーザ出力を数ｋＷ域内とし、同出力を小さなターゲットスポット上、
典型的にはその直径が約１００μｍ未満のそれに集束させるのが適しているであろう。他
方、大量生産（ＨＶＭ）行為例えばフォトリソグラフィ向けには、複数個の増幅段を伴う
ハイパワーガス放電ＣＯ２レーザシステムを有し約１０．６μｍの光を出射するドライブ
レーザで励起源１０４を構成し、ターゲット素材１０６をスズ含有のものにすることで、
良好な変換効率で以て比較的ハイパワーなインバンドＥＵＶ光を発生させる等、確かな利
点を提供することができる。
ーゲット素材送給システム１０２を示す。光源１００は、例えば、インバンドＥＵＶ光（
例．１３．５ｎｍの波長及び２％の帯域幅を有する光）をもたらすよう構成することがで
きる。図示の通り光源１００は励起源１０４例えばドライブレーザを有しており、照射サ
イト１０８にあるターゲット素材１０６を照らすよう、ひいてはＥＵＶ光放射性プラズマ
をレーザ生成プラズマチャンバ１１０内にもたらすよう、その励起源１０４が構成されて
いる。場合にもよるが、ターゲット素材１０６にまず第１パルス（予パルス）、次いで第
２パルス（主パルス）を照射してプラズマを発生させればよい。一例として、化学線マス
ク検査行為向けに構成された光源１００向けなら、固体利得媒質例えばＮｄ：ＹＡＧを有
し約１μｍの光を出射するパルスドライブレーザで励起源１０４を構成し、ターゲット素
材１０６をキセノン含有のものにすることで、化学線マスク検査に役立つ比較的高輝度な
ＥＵＶ光源の提供という確かな利点を提供することができる。他種ドライブレーザ、例え
ばその固体利得媒質がＥｒ：ＹＡＧ、Ｙｂ：ＹＡＧ、Ｔｉ：サファイア、Ｎｄ：バナジン
酸塩等であるものが適することもあろう。ガス放電レーザ例えばエキシマレーザも、所要
波長で十分な出力が得られるのなら使用できる。ＥＵＶマスク検査システムでは約１０Ｗ
域のＥＵＶ光しか必要とされない場合があるが、それにしても小エリア内で高輝度が必要
とされよう。この場合、マスク検査システム向けに十分なパワー及び輝度のＥＵＶ光を発
生させるには、総レーザ出力を数ｋＷ域内とし、同出力を小さなターゲットスポット上、
典型的にはその直径が約１００μｍ未満のそれに集束させるのが適しているであろう。他
方、大量生産（ＨＶＭ）行為例えばフォトリソグラフィ向けには、複数個の増幅段を伴う
ハイパワーガス放電ＣＯ２レーザシステムを有し約１０．６μｍの光を出射するドライブ
レーザで励起源１０４を構成し、ターゲット素材１０６をスズ含有のものにすることで、
良好な変換効率で以て比較的ハイパワーなインバンドＥＵＶ光を発生させる等、確かな利
点を提供することができる。
【0063】
同じく図１に示すように、光源１００の励起源１０４は、照射サイト１０８にあるター
ゲット素材１０６をレーザ入射窓１１２越しに集束照明ビーム又は光パルス列で照らすよ
う構成することができる。やはり図示の通り、その照射サイト１０８から放射された光の
うち幾ばくかが集光光学系１１４（例．近垂直入射鏡）へと伝搬し、端部光線１１６ａ及
び１１６ｂで明定の如く中間個所１１８へと反射される。集光光学系１１４は２個の焦点
を有する偏長回転楕円体のセグメント、特に多層鏡（例．Ｍｏ／Ｓｉ又はＮｂＣ／Ｓｉ）
で覆われていてインバンドＥＵＶ反射向けに最適化されている高品質研磨面を有するもの
とすることができる。幾つかの実施形態では、集光光学系１１４の反射面の表面積が約１
００～１００００ｃｍ２の範囲内とされ、照射サイト１０８から約０．１～２ｍのところ
に配置されることとなろう。いわゆる当業者には明らかな通り上掲の範囲は例示であるし
、偏長回転楕円体鏡に代え又は加え様々な光学系を、光を集め中間個所１１８に差し向け
てＥＵＶ照明利用装置、例えば検査システム又はフォトリソグラフィシステムへと引き続
き送給するのに用いることができる。
ゲット素材１０６をレーザ入射窓１１２越しに集束照明ビーム又は光パルス列で照らすよ
う構成することができる。やはり図示の通り、その照射サイト１０８から放射された光の
うち幾ばくかが集光光学系１１４（例．近垂直入射鏡）へと伝搬し、端部光線１１６ａ及
び１１６ｂで明定の如く中間個所１１８へと反射される。集光光学系１１４は２個の焦点
を有する偏長回転楕円体のセグメント、特に多層鏡（例．Ｍｏ／Ｓｉ又はＮｂＣ／Ｓｉ）
で覆われていてインバンドＥＵＶ反射向けに最適化されている高品質研磨面を有するもの
とすることができる。幾つかの実施形態では、集光光学系１１４の反射面の表面積が約１
００～１００００ｃｍ２の範囲内とされ、照射サイト１０８から約０．１～２ｍのところ
に配置されることとなろう。いわゆる当業者には明らかな通り上掲の範囲は例示であるし
、偏長回転楕円体鏡に代え又は加え様々な光学系を、光を集め中間個所１１８に差し向け
てＥＵＶ照明利用装置、例えば検査システム又はフォトリソグラフィシステムへと引き続
き送給するのに用いることができる。
【0064】
光源１００のＬＰＰチャンバ１１０は低圧容器であり、その内部では、ＥＵＶ光源とし
て働くプラズマが生成され帰結たるＥＵＶ光が集光及び集束される。ＥＵＶ光は気体によ
って強く吸収されるので、ＬＰＰチャンバ１１０内の圧力を低くすることで、光源内部で
のＥＵＶ光の減衰を抑えることができる。通常は、ＬＰＰチャンバ１１０内環境を４０ｍ
Ｔｏｒｒ未満の総圧及び５ｍＴｏｒｒ未満のキセノン分圧に保つことで、実質的な吸収無
しでＥＵＶ光を伝搬させることが可能となる。緩衝気体例えば水素、ヘリウム、アルゴン
その他の不活性ガスをその真空チャンバ内で用いてもよい。
て働くプラズマが生成され帰結たるＥＵＶ光が集光及び集束される。ＥＵＶ光は気体によ
って強く吸収されるので、ＬＰＰチャンバ１１０内の圧力を低くすることで、光源内部で
のＥＵＶ光の減衰を抑えることができる。通常は、ＬＰＰチャンバ１１０内環境を４０ｍ
Ｔｏｒｒ未満の総圧及び５ｍＴｏｒｒ未満のキセノン分圧に保つことで、実質的な吸収無
しでＥＵＶ光を伝搬させることが可能となる。緩衝気体例えば水素、ヘリウム、アルゴン
その他の不活性ガスをその真空チャンバ内で用いてもよい。
【0065】
やはり図１に示すように、中間個所１１８にてＥＵＶビームを内部フォーカスモジュー
ル１２２内に入射させること及びそれをダイナミックガスロックとして働かせることがで
きるので、ＬＰＰチャンバ１１０内低圧環境を保全すること、並びに生じたＥＵＶ光を用
いるシステムをプラズマ生成プロセスにより生じるあらゆるデブリ（破片）から守ること
ができる。
ル１２２内に入射させること及びそれをダイナミックガスロックとして働かせることがで
きるので、ＬＰＰチャンバ１１０内低圧環境を保全すること、並びに生じたＥＵＶ光を用
いるシステムをプラズマ生成プロセスにより生じるあらゆるデブリ（破片）から守ること
ができる。
【0066】
光源１００には制御システム１２０と通信する気体供給システム１２４をも設けること
ができ、それによって、ＬＰＰチャンバ１１０内に保護緩衝気体（群）を導入すること、
緩衝気体を供給して内部フォーカスモジュール１２２のダイナミックガスロック機能を守
ること、ターゲット素材例えばキセノン（の気体又は液体）をターゲット素材送給システ
ム１０２に供給すること、並びに遮断気体をターゲット素材送給システム１０２に供給す
ることができる（後掲の更なる記述を参照）。制御システム１２０と通信する真空システ
ム１２８（例．１個又は複数個のポンプを有するもの）を設けることができ、それによっ
て、ＬＰＰチャンバ１１０の低圧環境を樹立及び維持すること、並びに図中のターゲット
素材送給システム１０２をポンピングすることができる（後掲の更なる記述を参照）。場
合にもよるが、真空システム１２８により回収されたターゲット素材及び／又は緩衝気体
（群）を再循環させることができる。
ができ、それによって、ＬＰＰチャンバ１１０内に保護緩衝気体（群）を導入すること、
緩衝気体を供給して内部フォーカスモジュール１２２のダイナミックガスロック機能を守
ること、ターゲット素材例えばキセノン（の気体又は液体）をターゲット素材送給システ
ム１０２に供給すること、並びに遮断気体をターゲット素材送給システム１０２に供給す
ることができる（後掲の更なる記述を参照）。制御システム１２０と通信する真空システ
ム１２８（例．１個又は複数個のポンプを有するもの）を設けることができ、それによっ
て、ＬＰＰチャンバ１１０の低圧環境を樹立及び維持すること、並びに図中のターゲット
素材送給システム１０２をポンピングすることができる（後掲の更なる記述を参照）。場
合にもよるが、真空システム１２８により回収されたターゲット素材及び／又は緩衝気体
（群）を再循環させることができる。
【0067】
同じく図１から読み取れるように、ＥＵＶプラズマをイメージングする診断ツール１３
４を光源１００に設けることや、ＥＵＶ光パワー出力を計測すべくＥＵＶパワー計１３６
を設けることができる。ＬＰＰチャンバ１１０内気体の温度及び圧力を計測すべく気体監
視センサ１３８を設けることができる。上掲のセンサはいずれも制御システム１２０と通
信可能であり、それによって、リアルタイムデータ捕捉及び分析を制御し、データロギン
グを制御し、また励起源１０４及びターゲット素材送給システム１０２を含め様々なＥＵ
Ｖ光源サブシステムをリアルタイムに制御することができる。
４を光源１００に設けることや、ＥＵＶ光パワー出力を計測すべくＥＵＶパワー計１３６
を設けることができる。ＬＰＰチャンバ１１０内気体の温度及び圧力を計測すべく気体監
視センサ１３８を設けることができる。上掲のセンサはいずれも制御システム１２０と通
信可能であり、それによって、リアルタイムデータ捕捉及び分析を制御し、データロギン
グを制御し、また励起源１０４及びターゲット素材送給システム１０２を含め様々なＥＵ
Ｖ光源サブシステムをリアルタイムに制御することができる。
【0068】
同じく図１に示すように、ターゲット素材送給システム１０２は円筒対称要素１４０を
有している。ある実施形態では、この可回動円筒対称要素１４０が図１に示す如く円筒を
有するものとなる。他の諸実施形態では、可回動円筒対称要素１４０が、本件技術分野で
既知な何らかの円筒対称形状を有するものとされる。例えば、可回動円筒対称要素１４０
を、これに限られるものではないが円筒、円錐、球、楕円体等を有するものとすることが
できる。更に、円筒対称要素１４０を、複数通りの形状で構成される複合形状を有するも
のとしてもよい。ある実施形態によれば、横方向に沿い円筒対称要素１４０の周縁を巡り
延びるキセノンアイスターゲット素材１０６の帯で可回動円筒対称要素１４０を覆い、そ
の帯で以て可回動円筒対称要素１４０を冷却することができる。いわゆる当業者には明ら
かな通り、様々なターゲット素材及び堆積技術を、本件開示の技術的範囲から離隔するこ
となく用いることができる。ターゲット素材送給システム１０２には、円筒対称要素１４
０の表面に重なりその面に概ね倣うハウジング１４２をも、設けることができる。このハ
ウジング１４２は、ターゲット素材１０６の帯を保護するよう、また円筒対称要素１４０
の表面上でのターゲット素材１０６の初期生成、保全及び補充に役立つよう、機能させる
ことができる。図示の通りハウジング１４２には開口が形成されているので、プラズマ形
成ターゲット素材１０６を励起源１０４からのビームによる照射にさらし、照射サイト１
０８にてプラズマを発生させることができる。ターゲット素材送給システム１０２は駆動
ユニット１４４をも有しており、それによって、静止ハウジング１４２に対し軸１４６周
りで円筒対称要素１４０を回動させることや、静止ハウジング１４２に対し軸１４６に沿
い前後に円筒対称要素１４０を並進させることができる。駆動側軸受け１４８及び端部軸
受け１５０によって円筒対称要素１４０と静止ハウジング１４２とが連結されているので
、静止ハウジング１４２に対し円筒対称要素１４０を回動させることができる。この構成
によれば、ドライブレーザの合焦スポットに対しターゲット素材の帯を動かすこと、ひい
ては一連の新規なターゲット素材スポットを照射に順次供することができる。可回動円筒
対称要素を有するターゲット素材サポートシステムに関してはその更なる詳細が「極端紫
外光生成システム及び方法」(System And Method For Generation Of Extreme Ultraviol
et Light)と題しＢｙｋａｎｏｖ ｅｔ ａｌ．を発明者とする２０１４年７月１８日付
米国特許出願第１４／３３５４４２号、並びに「ＥＵＶ光源用気体軸受けアセンブリ」(G
as Bearing Assembly for an EUV Light Source)と題しＣｈｉｌｅｓｅ ｅｔ ａｌ．を
発明者とする２０１４年６月２０日付米国特許出願第１４／３１０６３２号にて提供され
ているので、この参照を以てそれら出願それぞれの全容を本願に繰り入れることにする。
有している。ある実施形態では、この可回動円筒対称要素１４０が図１に示す如く円筒を
有するものとなる。他の諸実施形態では、可回動円筒対称要素１４０が、本件技術分野で
既知な何らかの円筒対称形状を有するものとされる。例えば、可回動円筒対称要素１４０
を、これに限られるものではないが円筒、円錐、球、楕円体等を有するものとすることが
できる。更に、円筒対称要素１４０を、複数通りの形状で構成される複合形状を有するも
のとしてもよい。ある実施形態によれば、横方向に沿い円筒対称要素１４０の周縁を巡り
延びるキセノンアイスターゲット素材１０６の帯で可回動円筒対称要素１４０を覆い、そ
の帯で以て可回動円筒対称要素１４０を冷却することができる。いわゆる当業者には明ら
かな通り、様々なターゲット素材及び堆積技術を、本件開示の技術的範囲から離隔するこ
となく用いることができる。ターゲット素材送給システム１０２には、円筒対称要素１４
０の表面に重なりその面に概ね倣うハウジング１４２をも、設けることができる。このハ
ウジング１４２は、ターゲット素材１０６の帯を保護するよう、また円筒対称要素１４０
の表面上でのターゲット素材１０６の初期生成、保全及び補充に役立つよう、機能させる
ことができる。図示の通りハウジング１４２には開口が形成されているので、プラズマ形
成ターゲット素材１０６を励起源１０４からのビームによる照射にさらし、照射サイト１
０８にてプラズマを発生させることができる。ターゲット素材送給システム１０２は駆動
ユニット１４４をも有しており、それによって、静止ハウジング１４２に対し軸１４６周
りで円筒対称要素１４０を回動させることや、静止ハウジング１４２に対し軸１４６に沿
い前後に円筒対称要素１４０を並進させることができる。駆動側軸受け１４８及び端部軸
受け１５０によって円筒対称要素１４０と静止ハウジング１４２とが連結されているので
、静止ハウジング１４２に対し円筒対称要素１４０を回動させることができる。この構成
によれば、ドライブレーザの合焦スポットに対しターゲット素材の帯を動かすこと、ひい
ては一連の新規なターゲット素材スポットを照射に順次供することができる。可回動円筒
対称要素を有するターゲット素材サポートシステムに関してはその更なる詳細が「極端紫
外光生成システム及び方法」(System And Method For Generation Of Extreme Ultraviol
et Light)と題しＢｙｋａｎｏｖ ｅｔ ａｌ．を発明者とする２０１４年７月１８日付
米国特許出願第１４／３３５４４２号、並びに「ＥＵＶ光源用気体軸受けアセンブリ」(G
as Bearing Assembly for an EUV Light Source)と題しＣｈｉｌｅｓｅ ｅｔ ａｌ．を
発明者とする２０１４年６月２０日付米国特許出願第１４／３１０６３２号にて提供され
ているので、この参照を以てそれら出願それぞれの全容を本願に繰り入れることにする。
【0069】
図２に、光源１００にて用いられるターゲット素材送給システムのうち、駆動側気体軸
受け１４８ａ及び端部気体軸受け１５０ａを有する部分１０２ａ、即ち静止ハウジング１
４２ａに対し円筒対称要素１４０ａを回動させうるようそれら軸受けにより円筒対称要素
１４０ａと静止ハウジング１４２ａとが連結される部分を示す。より具体的には、図示の
通り、気体軸受け１４８ａによりスピンドル１５２（これは円筒対称要素１４０ａに装着
されている）がステータ１５４ａ（これは静止ハウジング１４２ａに装着されている）に
連結されている。図３に示すように、スピンドル１５２は、静止ハウジング１４２ａに対
しスピンドル１５２及び円筒対称要素１４０ａ（図２参照）を回動させるロータリモータ
１５６に、装着されている。同じく図３に示すように、スピンドル１５２は、リニアモー
タ１６０によって軸沿い並進させうる並進ハウジング１５８に装着されている。円筒対称
要素１４０ａの両側で軸受け（即ち駆動側気体軸受け１４８ａ及び端部気体軸受け１５０
ａ）を用いることで、場合にもよるが、ターゲット素材送給システム１０２（図１）の機
械的安定性を増し、ターゲット素材１０６の位置的安定性を増し、且つ光源１００の効率
を高めることができる。加えて、空気軸受けを１個備えるだけの（即ち端側軸受けがない
）システムでは、キセノンアイス層で覆われた極低温冷却ドラム上にワイパが及ぼす力が
、空気軸受けについて定められている最大剛性を上回りその空気軸受けの破損につながり
かねない。軸受けにおけるカウンタバランス力（平衡力）は、ドラムのシャフトが枢動す
る際（空気軸受けの中庸部付近での一次近似にて）一方の側で気体圧が上昇し他方の側で
は気体圧が下降する、という事実に由来している。その結果生じる復元力の働きでドラム
が平衡ポジションに戻ろうとする。しかしながら、ワイパからの衝撃力が空気軸受けの最
大剛性を上回るようではいけない。例えば、空気軸受けで受け止めうる最大の力がおよそ
１０００Ｎであり、且つワイパトルクのレベルアームがその軸受けによりもたらされるカ
ウンタバランストルクに係るアームより約１０倍大きいのなら、それらワイパからの合計
力が１０倍未満の小ささ（１００Ｎ未満）でなければならない。状況にもよるが、ワイパ
によりキセノンアイスが円筒表面に対し径方向に圧縮されることから、ワイパによっても
たらされる力はより大きくなりうる。後述の通り、鋸歯状ワイパによって、或いは２個の
相対向する柔順ワイパの使用によって、ワイパシステムにより生成される力を減らすこと
ができる。
受け１４８ａ及び端部気体軸受け１５０ａを有する部分１０２ａ、即ち静止ハウジング１
４２ａに対し円筒対称要素１４０ａを回動させうるようそれら軸受けにより円筒対称要素
１４０ａと静止ハウジング１４２ａとが連結される部分を示す。より具体的には、図示の
通り、気体軸受け１４８ａによりスピンドル１５２（これは円筒対称要素１４０ａに装着
されている）がステータ１５４ａ（これは静止ハウジング１４２ａに装着されている）に
連結されている。図３に示すように、スピンドル１５２は、静止ハウジング１４２ａに対
しスピンドル１５２及び円筒対称要素１４０ａ（図２参照）を回動させるロータリモータ
１５６に、装着されている。同じく図３に示すように、スピンドル１５２は、リニアモー
タ１６０によって軸沿い並進させうる並進ハウジング１５８に装着されている。円筒対称
要素１４０ａの両側で軸受け（即ち駆動側気体軸受け１４８ａ及び端部気体軸受け１５０
ａ）を用いることで、場合にもよるが、ターゲット素材送給システム１０２（図１）の機
械的安定性を増し、ターゲット素材１０６の位置的安定性を増し、且つ光源１００の効率
を高めることができる。加えて、空気軸受けを１個備えるだけの（即ち端側軸受けがない
）システムでは、キセノンアイス層で覆われた極低温冷却ドラム上にワイパが及ぼす力が
、空気軸受けについて定められている最大剛性を上回りその空気軸受けの破損につながり
かねない。軸受けにおけるカウンタバランス力（平衡力）は、ドラムのシャフトが枢動す
る際（空気軸受けの中庸部付近での一次近似にて）一方の側で気体圧が上昇し他方の側で
は気体圧が下降する、という事実に由来している。その結果生じる復元力の働きでドラム
が平衡ポジションに戻ろうとする。しかしながら、ワイパからの衝撃力が空気軸受けの最
大剛性を上回るようではいけない。例えば、空気軸受けで受け止めうる最大の力がおよそ
１０００Ｎであり、且つワイパトルクのレベルアームがその軸受けによりもたらされるカ
ウンタバランストルクに係るアームより約１０倍大きいのなら、それらワイパからの合計
力が１０倍未満の小ささ（１００Ｎ未満）でなければならない。状況にもよるが、ワイパ
によりキセノンアイスが円筒表面に対し径方向に圧縮されることから、ワイパによっても
たらされる力はより大きくなりうる。後述の通り、鋸歯状ワイパによって、或いは２個の
相対向する柔順ワイパの使用によって、ワイパシステムにより生成される力を減らすこと
ができる。
【0070】
また、図２及び図４を併せ参照することで読み取れるように、気体軸受け１４８ａは軸
受け気体の（例．図１に示したＬＰＰチャンバ１１０内への）漏れを減らすシステムを有
しており、ステータ１５４ａの表面上に形成された一組の溝１６２，１６４，１６６によ
りそのシステムが構成されている。図示の通り、スピンドル１５２・ステータ体１５４ａ
間には圧力Ｐ１の軸受け気体流１６８を受け入れる空間１６７がある。環状溝１６２はス
テータ体１５４ａに形成され空間１６７と通流しており、空間１６７の一部分１７０から
軸受け気体流１６８を排出させる機能を有している。環状溝１６４はステータ体１５４ａ
に形成され第１空間１６７と通流しており、気体供給システム１２４から空間１６７の一
部分１７４へと圧力Ｐ２の遮断気体流１７２を運ぶ機能を有している。例示されている実
施形態では、環状溝１６４が、軸１４６（図１参照）に対し平行な軸方向においてＬＰＰ
チャンバ１１０寄りに位置している。遮断気体はアルゴンやキセノンで組成することがで
き、ＬＰＰチャンバ１１０内受け入れ性を踏まえ選定される。環状溝１６６はステータ体
１５４ａ内に配列され空間１６７と通流しており、図示の如く環状溝１６２・環状溝１６
４間に位置している。環状溝１６６は軸受け気体及び遮断気体を真空システム１２８の働
きで空間１６７の部分１７６外に運び、第１圧力Ｐ１未満且つ第２圧力Ｐ２未満の圧力Ｐ
３を部分１７６内に発生させる機能を有している。これら３本の環状溝によって軸受け気
体を順次取りだし阻止することで、ＬＰＰチャンバ１１０に進入する軸受け気体の量をか
なり減らすことができる。寸法及び作動圧の例を含め、図４に示した構成に関する更なる
詳細を、「ＥＵＶ光源用気体軸受けアセンブリ」(Gas Bearing Assembly for an EUV Lig
ht Source)と題しＣｈｉｌｅｓｅ ｅｔ ａｌ．を発明者とし先の参照によりその全容が
本願に繰り入れられている２０１４年６月２０日付米国特許出願第１４／３１０６３２号
中に、見いだすことができる。
受け気体の（例．図１に示したＬＰＰチャンバ１１０内への）漏れを減らすシステムを有
しており、ステータ１５４ａの表面上に形成された一組の溝１６２，１６４，１６６によ
りそのシステムが構成されている。図示の通り、スピンドル１５２・ステータ体１５４ａ
間には圧力Ｐ１の軸受け気体流１６８を受け入れる空間１６７がある。環状溝１６２はス
テータ体１５４ａに形成され空間１６７と通流しており、空間１６７の一部分１７０から
軸受け気体流１６８を排出させる機能を有している。環状溝１６４はステータ体１５４ａ
に形成され第１空間１６７と通流しており、気体供給システム１２４から空間１６７の一
部分１７４へと圧力Ｐ２の遮断気体流１７２を運ぶ機能を有している。例示されている実
施形態では、環状溝１６４が、軸１４６（図１参照）に対し平行な軸方向においてＬＰＰ
チャンバ１１０寄りに位置している。遮断気体はアルゴンやキセノンで組成することがで
き、ＬＰＰチャンバ１１０内受け入れ性を踏まえ選定される。環状溝１６６はステータ体
１５４ａ内に配列され空間１６７と通流しており、図示の如く環状溝１６２・環状溝１６
４間に位置している。環状溝１６６は軸受け気体及び遮断気体を真空システム１２８の働
きで空間１６７の部分１７６外に運び、第１圧力Ｐ１未満且つ第２圧力Ｐ２未満の圧力Ｐ
３を部分１７６内に発生させる機能を有している。これら３本の環状溝によって軸受け気
体を順次取りだし阻止することで、ＬＰＰチャンバ１１０に進入する軸受け気体の量をか
なり減らすことができる。寸法及び作動圧の例を含め、図４に示した構成に関する更なる
詳細を、「ＥＵＶ光源用気体軸受けアセンブリ」(Gas Bearing Assembly for an EUV Lig
ht Source)と題しＣｈｉｌｅｓｅ ｅｔ ａｌ．を発明者とし先の参照によりその全容が
本願に繰り入れられている２０１４年６月２０日付米国特許出願第１４／３１０６３２号
中に、見いだすことができる。
【0071】
更に、図２に示すように、端部気体軸受け１５０ａによりスピンドルの一部分１５２ｂ
（これは円筒対称要素１４０ａに装着されている）がステータ１５４ｂ（これは静止ハウ
ジング１４２ａに装着されている）に連結されている。これもまた読み取れるように、気
体軸受け１５０ａは（例．図１に示すＬＰＰチャンバ１１０内への）軸受け気体の漏れを
減らすシステムを有しており、ステータ１５４ｂの表面上に形成された一組の溝１６２ａ
，１６４ａ，１６６ａによりそのシステムが形成されている。例えば溝１６２ａはいわゆ
る「ベント溝」、溝１６４ａはいわゆる「シールドガス溝」、溝１６６ａはいわゆる「ス
カベンジャ溝」とすることができる。察知頂けるように、溝１６２ａ，１６４ａ，１６６
ａの機能は図４に示した上述の溝１６２，１６４，１６６のうち対応するものと同じであ
り、溝１６２ａが排出を担当、溝１６４ａが遮断気体供給器１２４と通流、そして溝１６
６ａが真空システム１２８と通流している。
（これは円筒対称要素１４０ａに装着されている）がステータ１５４ｂ（これは静止ハウ
ジング１４２ａに装着されている）に連結されている。これもまた読み取れるように、気
体軸受け１５０ａは（例．図１に示すＬＰＰチャンバ１１０内への）軸受け気体の漏れを
減らすシステムを有しており、ステータ１５４ｂの表面上に形成された一組の溝１６２ａ
，１６４ａ，１６６ａによりそのシステムが形成されている。例えば溝１６２ａはいわゆ
る「ベント溝」、溝１６４ａはいわゆる「シールドガス溝」、溝１６６ａはいわゆる「ス
カベンジャ溝」とすることができる。察知頂けるように、溝１６２ａ，１６４ａ，１６６
ａの機能は図４に示した上述の溝１６２，１６４，１６６のうち対応するものと同じであ
り、溝１６２ａが排出を担当、溝１６４ａが遮断気体供給器１２４と通流、そして溝１６
６ａが真空システム１２８と通流している。
【0072】
図５及び図６に、光源１００にて用いられるターゲット素材送給システム１０２ｃのう
ち、スピンドル１５２ｃ（これは円筒対称要素１４０ｃに装着されている）をステータ１
５４ｃに連結する駆動側気体軸受け１４８ｃと、軸受け表面シャフト１８０（これは静止
ハウジング１４２ｃに装着されている）及び軸受け連結シャフト１７８（これは円筒対称
要素１４０ｃに装着されている）を連結する磁気又は機械（即ちグリース封入）軸受け１
５０ｃと、を有する部分を示す。これもまた見て取れるように、気体軸受け１４８ｃは（
例．図１に示すＬＰＰチャンバ１１０内への）軸受け気体の漏れを減らすシステムを有し
ており、ステータ１５４ｃの表面上に形成された一組の溝１６２ｃ，１６４ｃ，１６６ｃ
によりそのシステムが形成されている。察知頂けるように、溝１６２ｃ，１６４ｃ，１６
６ｃの機能は図４に示した上述の溝１６２，１６４，１６６のうち対応するものと同じで
あり、溝１６２ｃが排出を担当、溝１６４ｃが遮断気体供給器１２４と通流、そして溝１
６６ｃが真空システム１２８と通流している。
ち、スピンドル１５２ｃ（これは円筒対称要素１４０ｃに装着されている）をステータ１
５４ｃに連結する駆動側気体軸受け１４８ｃと、軸受け表面シャフト１８０（これは静止
ハウジング１４２ｃに装着されている）及び軸受け連結シャフト１７８（これは円筒対称
要素１４０ｃに装着されている）を連結する磁気又は機械（即ちグリース封入）軸受け１
５０ｃと、を有する部分を示す。これもまた見て取れるように、気体軸受け１４８ｃは（
例．図１に示すＬＰＰチャンバ１１０内への）軸受け気体の漏れを減らすシステムを有し
ており、ステータ１５４ｃの表面上に形成された一組の溝１６２ｃ，１６４ｃ，１６６ｃ
によりそのシステムが形成されている。察知頂けるように、溝１６２ｃ，１６４ｃ，１６
６ｃの機能は図４に示した上述の溝１６２，１６４，１６６のうち対応するものと同じで
あり、溝１６２ｃが排出を担当、溝１６４ｃが遮断気体供給器１２４と通流、そして溝１
６６ｃが真空システム１２８と通流している。
【0073】
図６及び図７を併せ参照することで読み取れるように、磁気又は機械（即ちグリース封
入）軸受け１５０ｃは、（図１に示した）ＬＰＰチャンバ１１０内への汚染物質の漏れを
減らすシステムを有している。その汚染物質に含まれうるものとしては微粒子及び／又は
軸受け１５０ｃにて生じたグリースオフガスがある。図示の通り、この汚染物質漏洩低減
システムは静止ハウジング１４２ｃの表面上に形成された一組の溝１６２ｃ，１６４ｃ，
１６６ｃを有している。図示の通り、軸受け連結シャフト１７８・静止ハウジング１４２
ｃ間には、圧力Ｐ１の気体流１６８ｃを汚染物質込みで受け入れる空間１６７ｃがある。
環状溝１６２ｃは静止ハウジング１４２ｃに形成され空間１６７ｃと通流しており、空間
１６７ｃの一部分１７０ｃから気体流１６８ｃを排出させる機能を有している。環状溝１
６４ｃは静止ハウジング１４２ｃに形成され第１空間１６７ｃと通流しており、気体供給
システム１２４から空間１６７ｃの一部分１７４ｃへと圧力Ｐ２の遮断気体流１７２ｃを
運ぶ機能を有している。例示されている実施形態では、環状溝１６４ｃが、軸１４６（図
１参照）に対し平行な軸方向においてＬＰＰチャンバ１１０寄りに位置している。遮断気
体はアルゴンやキセノンで組成することができ、ＬＰＰチャンバ１１０内受け入れ性を踏
まえ選定される。環状溝１６６ｃは静止ハウジング１４２ｃ内に配列され空間１６７ｃと
通流しており、図示の如く環状溝１６２ｃ・環状溝１６４ｃ間に位置している。環状溝１
６６ｃは、汚染物質及び遮断気体を真空システム１２８の働きで空間１６７ｃの部分１７
６ｃ外に運び、第１圧力Ｐ１未満且つ第２圧力Ｐ２未満の圧力Ｐ３を部分１７６ｃ内に発
生させる機能を有している。これら３本の環状溝によって汚染物質含有気体を順次取りだ
し阻止することで、ＬＰＰチャンバ１１０に進入する汚染物質の量をかなり減らすことが
できる。
入）軸受け１５０ｃは、（図１に示した）ＬＰＰチャンバ１１０内への汚染物質の漏れを
減らすシステムを有している。その汚染物質に含まれうるものとしては微粒子及び／又は
軸受け１５０ｃにて生じたグリースオフガスがある。図示の通り、この汚染物質漏洩低減
システムは静止ハウジング１４２ｃの表面上に形成された一組の溝１６２ｃ，１６４ｃ，
１６６ｃを有している。図示の通り、軸受け連結シャフト１７８・静止ハウジング１４２
ｃ間には、圧力Ｐ１の気体流１６８ｃを汚染物質込みで受け入れる空間１６７ｃがある。
環状溝１６２ｃは静止ハウジング１４２ｃに形成され空間１６７ｃと通流しており、空間
１６７ｃの一部分１７０ｃから気体流１６８ｃを排出させる機能を有している。環状溝１
６４ｃは静止ハウジング１４２ｃに形成され第１空間１６７ｃと通流しており、気体供給
システム１２４から空間１６７ｃの一部分１７４ｃへと圧力Ｐ２の遮断気体流１７２ｃを
運ぶ機能を有している。例示されている実施形態では、環状溝１６４ｃが、軸１４６（図
１参照）に対し平行な軸方向においてＬＰＰチャンバ１１０寄りに位置している。遮断気
体はアルゴンやキセノンで組成することができ、ＬＰＰチャンバ１１０内受け入れ性を踏
まえ選定される。環状溝１６６ｃは静止ハウジング１４２ｃ内に配列され空間１６７ｃと
通流しており、図示の如く環状溝１６２ｃ・環状溝１６４ｃ間に位置している。環状溝１
６６ｃは、汚染物質及び遮断気体を真空システム１２８の働きで空間１６７ｃの部分１７
６ｃ外に運び、第１圧力Ｐ１未満且つ第２圧力Ｐ２未満の圧力Ｐ３を部分１７６ｃ内に発
生させる機能を有している。これら３本の環状溝によって汚染物質含有気体を順次取りだ
し阻止することで、ＬＰＰチャンバ１１０に進入する汚染物質の量をかなり減らすことが
できる。
【0074】
図８に、（図１に示した）光源１００にて用いられるターゲット素材送給システム１０
２ｄのうち、ベロウズ１８４と協働しスピンドル１５２ｄ（これは円筒対称要素１４０ｄ
に装着されている）をステータ１５４ｄに連結する磁気液体ロータリシール１８２を有す
る部分を示す。シール１８２は、例えば、米国カリフォルニア州サンタクララを本拠とす
るＦｅｒｒｏｔｅｃ（ＵＳＡ）Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより製造された磁気液体ロータ
リ封止機構、即ち永久磁石を用い強磁性流体をその場に懸架する形態の物理障壁により気
密封止を維持する機構とすることができる。本実施形態における端側軸受け１５０’（図
８では模式的に示されている）は、図２に示した気体軸受け１５０ａ（軸受け気体の漏れ
を減らすシステムを有するもの）とすることや、図６に示した磁気又は機械（即ちグリー
ス封入）軸受け１５０ｃ（汚染物質例えば微粒子及び／又はグリースオフガスの漏れを減
らすシステムを有するもの）とすることができる。
２ｄのうち、ベロウズ１８４と協働しスピンドル１５２ｄ（これは円筒対称要素１４０ｄ
に装着されている）をステータ１５４ｄに連結する磁気液体ロータリシール１８２を有す
る部分を示す。シール１８２は、例えば、米国カリフォルニア州サンタクララを本拠とす
るＦｅｒｒｏｔｅｃ（ＵＳＡ）Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより製造された磁気液体ロータ
リ封止機構、即ち永久磁石を用い強磁性流体をその場に懸架する形態の物理障壁により気
密封止を維持する機構とすることができる。本実施形態における端側軸受け１５０’（図
８では模式的に示されている）は、図２に示した気体軸受け１５０ａ（軸受け気体の漏れ
を減らすシステムを有するもの）とすることや、図６に示した磁気又は機械（即ちグリー
ス封入）軸受け１５０ｃ（汚染物質例えば微粒子及び／又はグリースオフガスの漏れを減
らすシステムを有するもの）とすることができる。
【0075】
図９に、円筒対称要素１４０ｅ上を覆っているターゲット素材例えば氷結キセノン１０
６ｅを約７０ケルビン未満（即ち窒素の沸点未満）の温度まで冷やすことで、その円筒対
称要素１４０ｅ上にあるキセノンターゲット素材１０６ｅの均一層を保つシステム２００
を示す。本システム２００は、例えば液体ヘリウムクリオスタットシステムを有するもの
とすることができる。図示の通り、冷却剤源２０２により冷却剤（例．ヘリウム）が閉ル
ープ流路２０４に供給されており、その流路が中空な円筒対称要素１４０ｅ内へと延びて
いるので、プラズマ形成ターゲット素材１０６ｅを冷やすことができる。流路２０４上の
ポート２０５を通り円筒対称要素１４０ｅを脱した冷却剤は冷却装置２０６に送られ、そ
の冷却装置２０６によって冷やされ、そしてその冷却・再生済冷却剤がその冷却装置２０
６によって円筒対称要素１４０ｅへと返送される。これもまた図９に示すように、本シス
テム２００を、センサ２０８付の温度制御システムを有し、そのセンサ２０８が例えば中
空な円筒対称要素１４０ｅの表面又は内部に配置された１個又は複数個の熱電対を含み、
そのセンサ２０８によって円筒対称要素１４０ｅの温度を示す出力がもたらされるものに
、することができる。コントローラ２１０はセンサ２０８の出力を受け取り、またユーザ
入力２１２から温度設定点を受け取る。コントローラを用いることで、例えば、液体ヘリ
ウム温度を下限とする全範囲で温度設定点を選択することが可能になる。本願記載の諸装
置におけるコントローラ２１０は、図１に示した上述の制御システム１２０の一部をなし
又はそれと通信する構成にすることができる。コントローラ２１０は、センサ２０８の出
力及び温度設定点を用いて制御信号を発生させ、その制御信号をライン２１４経由で冷却
装置２０６に送ることで、円筒対称要素１４０ｅ及びキセノンターゲット素材１０６ｅの
温度を制御する。
６ｅを約７０ケルビン未満（即ち窒素の沸点未満）の温度まで冷やすことで、その円筒対
称要素１４０ｅ上にあるキセノンターゲット素材１０６ｅの均一層を保つシステム２００
を示す。本システム２００は、例えば液体ヘリウムクリオスタットシステムを有するもの
とすることができる。図示の通り、冷却剤源２０２により冷却剤（例．ヘリウム）が閉ル
ープ流路２０４に供給されており、その流路が中空な円筒対称要素１４０ｅ内へと延びて
いるので、プラズマ形成ターゲット素材１０６ｅを冷やすことができる。流路２０４上の
ポート２０５を通り円筒対称要素１４０ｅを脱した冷却剤は冷却装置２０６に送られ、そ
の冷却装置２０６によって冷やされ、そしてその冷却・再生済冷却剤がその冷却装置２０
６によって円筒対称要素１４０ｅへと返送される。これもまた図９に示すように、本シス
テム２００を、センサ２０８付の温度制御システムを有し、そのセンサ２０８が例えば中
空な円筒対称要素１４０ｅの表面又は内部に配置された１個又は複数個の熱電対を含み、
そのセンサ２０８によって円筒対称要素１４０ｅの温度を示す出力がもたらされるものに
、することができる。コントローラ２１０はセンサ２０８の出力を受け取り、またユーザ
入力２１２から温度設定点を受け取る。コントローラを用いることで、例えば、液体ヘリ
ウム温度を下限とする全範囲で温度設定点を選択することが可能になる。本願記載の諸装
置におけるコントローラ２１０は、図１に示した上述の制御システム１２０の一部をなし
又はそれと通信する構成にすることができる。コントローラ２１０は、センサ２０８の出
力及び温度設定点を用いて制御信号を発生させ、その制御信号をライン２１４経由で冷却
装置２０６に送ることで、円筒対称要素１４０ｅ及びキセノンターゲット素材１０６ｅの
温度を制御する。
【0076】
場合にもよるが、冷却剤を用い円筒対称要素１４０ｅを約７０ケルビン未満（即ち窒素
の沸点未満）の温度まで冷やすことで、窒素による冷却に比しキセノンアイス層の安定性
を増すことができる。キセノンアイス層の安定性は安定なＥＵＶ光出力及びデブリ発生防
止にとり重要たりうる。この点に関して言えば、窒素冷却を用い実行された試験で判明し
ている通り、光源の連続動作中にキセノンアイスの安定性が下がることがある。その原因
の一つかもしれないのが微細粉体であり、レーザアブレーションの結果として円筒表面上
に形成されることが判明している。これが生じるとアイス付着が減りかねず、アイス・円
筒間熱伝導率の低下及びキセノンアイス層の経時的不安定化が生じうる。アイスが劣化し
始めると、それを維持するのにかなり多量のキセノン流が必要になりうるので、ＥＵＶ吸
収損失が増大すること、更には動作コストが顕著に増大することとなりかねない。キセノ
ンアイスがより低温であればキセノンの消費を減らせるであろう。液体ヘリウムを円筒の
冷却に用いることで、キセノンアイスの温度を下げ、アイスの安定性を増し、及び／又は
、動作マージンを大きくすることができる。
の沸点未満）の温度まで冷やすことで、窒素による冷却に比しキセノンアイス層の安定性
を増すことができる。キセノンアイス層の安定性は安定なＥＵＶ光出力及びデブリ発生防
止にとり重要たりうる。この点に関して言えば、窒素冷却を用い実行された試験で判明し
ている通り、光源の連続動作中にキセノンアイスの安定性が下がることがある。その原因
の一つかもしれないのが微細粉体であり、レーザアブレーションの結果として円筒表面上
に形成されることが判明している。これが生じるとアイス付着が減りかねず、アイス・円
筒間熱伝導率の低下及びキセノンアイス層の経時的不安定化が生じうる。アイスが劣化し
始めると、それを維持するのにかなり多量のキセノン流が必要になりうるので、ＥＵＶ吸
収損失が増大すること、更には動作コストが顕著に増大することとなりかねない。キセノ
ンアイスがより低温であればキセノンの消費を減らせるであろう。液体ヘリウムを円筒の
冷却に用いることで、キセノンアイスの温度を下げ、アイスの安定性を増し、及び／又は
、動作マージンを大きくすることができる。
【0077】
図１０及び図１１に、円筒対称要素例えば図１に示した円筒対称要素１４０の表面上の
ターゲット素材（例．氷結キセノン）に重なるハウジング１４２ｂを冷やすシステム２２
０を示す。図１０に示すように、ハウジング１４２ｂの円筒壁２２２は円筒対称要素保持
空間２２４を囲んでおり、また輻射ビームがその壁２２２を通り円筒対称要素表面上のタ
ーゲット素材に到達できるようにする開口２２６を有している。その壁２２２には入口ポ
ート２３０ａ，２３０ｂ及び出口ポート２３２を有する内部流路２２８が形成されている
。この構成によれば、冷却流体を入口ポート２３０ａ，２３０ｂにて壁２２２内に導入し
、内部流路２２８内に流し、そして出口ポート２３２を介し壁２２２から出すことができ
る。その冷却流体は、例えば、水、ＣＤＡ、窒素、アルゴン、或いは冷凍器により０℃未
満の温度まで冷やされた液体冷却剤とすることができる。これに代え、円筒対称要素を通
り抜けた冷却剤例えばヘリウム又は窒素を用いることも可能である。例えば、図９中のポ
ート２０５を抜け円筒対称要素１４０ｅから出てくる冷却剤を、ハウジング１４２ｂ上の
入口ポート２３０ａ，２３０ｂへとルーティングすることが可能である。場合にもよるが
、ハウジング１４２ｂを冷やすことでキセノンアイスの安定性を増すことができる。ハウ
ジング１４２ｂは、レーザ及びプラズマ輻射にさらされるため光源１００の動作につれだ
んだん熱くなっていく。場合にもよるが、外界との界面が真空であるため発熱が十分迅速
に放散されないことがある。この温度上昇によりキセノンアイス及び円筒の放射加熱が強
まり、その寄与でアイス層の不安定性が増す可能性がある。加えて、開ループＬＮ２冷却
ドラムターゲットを対象に本願出願人が実施した試験で観測されたところによれば、ハウ
ジングを冷やすことでＬＮ２消費の低減ももたらされうる。
ターゲット素材（例．氷結キセノン）に重なるハウジング１４２ｂを冷やすシステム２２
０を示す。図１０に示すように、ハウジング１４２ｂの円筒壁２２２は円筒対称要素保持
空間２２４を囲んでおり、また輻射ビームがその壁２２２を通り円筒対称要素表面上のタ
ーゲット素材に到達できるようにする開口２２６を有している。その壁２２２には入口ポ
ート２３０ａ，２３０ｂ及び出口ポート２３２を有する内部流路２２８が形成されている
。この構成によれば、冷却流体を入口ポート２３０ａ，２３０ｂにて壁２２２内に導入し
、内部流路２２８内に流し、そして出口ポート２３２を介し壁２２２から出すことができ
る。その冷却流体は、例えば、水、ＣＤＡ、窒素、アルゴン、或いは冷凍器により０℃未
満の温度まで冷やされた液体冷却剤とすることができる。これに代え、円筒対称要素を通
り抜けた冷却剤例えばヘリウム又は窒素を用いることも可能である。例えば、図９中のポ
ート２０５を抜け円筒対称要素１４０ｅから出てくる冷却剤を、ハウジング１４２ｂ上の
入口ポート２３０ａ，２３０ｂへとルーティングすることが可能である。場合にもよるが
、ハウジング１４２ｂを冷やすことでキセノンアイスの安定性を増すことができる。ハウ
ジング１４２ｂは、レーザ及びプラズマ輻射にさらされるため光源１００の動作につれだ
んだん熱くなっていく。場合にもよるが、外界との界面が真空であるため発熱が十分迅速
に放散されないことがある。この温度上昇によりキセノンアイス及び円筒の放射加熱が強
まり、その寄与でアイス層の不安定性が増す可能性がある。加えて、開ループＬＮ２冷却
ドラムターゲットを対象に本願出願人が実施した試験で観測されたところによれば、ハウ
ジングを冷やすことでＬＮ２消費の低減ももたらされうる。
【0078】
図１２及び図１３に、プラズマ形成ターゲット素材１０６ｆの層で覆われていて軸１４
６ｆ周りで可回動な円筒対称要素１４０ｆを有するシステム２３４を示す。図１２を図１
３と比べることで見て取れるように、円筒対称要素１４０ｆは軸１４６ｆに沿い且つハウ
ジング１４２ｆに対し並進可能であり、ターゲット素材１０６ｆで形成され帯高ｈを有す
る稼働帯、即ちドライブレーザによる照射に係るレーザ軸２３６上に稼働帯内ターゲット
素材１０６ｆを位置決めしうる稼働帯を、その並進によって定めることができる。注入シ
ステム２３８は（図１に示した）気体供給システム１２４からターゲット素材１０６ｆを
受け取るインジェクタ２３９を有しており、それには複数個のスプレイポート２４０ａ～
ｃが備わっている。３個のスプレイポート２４０ａ～ｃが示されているが、ご理解頂ける
ように、用いるスプレイポートを３個超にしてもよいし１個まで少なくしてもよい。図示
の通り、スプレイポート２４０ａ～ｃが軸１４６ｆに対し平行な方向に沿い整列している
ので、レーザ軸２３６に対しインジェクタ２３９を心揃えして動作させることで、プラズ
マ形成ターゲット素材１０６ｆからなりＨ＜ｈなるスプレイ高Ｈを有するスプレイ２４２
を出射させること、ひいてはドライブレーザからの照射によりプラズマ形成ターゲット素
材１０６ｆに形成されたクレータを補填することができる。より具体的には、見て取れる
ように、ハウジング１４２ｆの内面上にあり、円筒対称要素１４０ｆ上のターゲット素材
１０６ｆと重なるある固定個所に、インジェクタ２３９を実装することができる。図示さ
れている例示的実施形態では、レーザ軸上に心が揃ったスプレイ２４２をもたらすよう、
インジェクタ２３９がハウジング１４２ｆ上に実装されている。円筒対称要素１４０ｆが
軸１４６ｆに沿い並進すると、ターゲット素材１０６ｆで形成される稼働帯の別部分がス
プレイ２４２からターゲット素材を受け取ることとなるので、稼働帯全体を被覆させるこ
とが可能である。
６ｆ周りで可回動な円筒対称要素１４０ｆを有するシステム２３４を示す。図１２を図１
３と比べることで見て取れるように、円筒対称要素１４０ｆは軸１４６ｆに沿い且つハウ
ジング１４２ｆに対し並進可能であり、ターゲット素材１０６ｆで形成され帯高ｈを有す
る稼働帯、即ちドライブレーザによる照射に係るレーザ軸２３６上に稼働帯内ターゲット
素材１０６ｆを位置決めしうる稼働帯を、その並進によって定めることができる。注入シ
ステム２３８は（図１に示した）気体供給システム１２４からターゲット素材１０６ｆを
受け取るインジェクタ２３９を有しており、それには複数個のスプレイポート２４０ａ～
ｃが備わっている。３個のスプレイポート２４０ａ～ｃが示されているが、ご理解頂ける
ように、用いるスプレイポートを３個超にしてもよいし１個まで少なくしてもよい。図示
の通り、スプレイポート２４０ａ～ｃが軸１４６ｆに対し平行な方向に沿い整列している
ので、レーザ軸２３６に対しインジェクタ２３９を心揃えして動作させることで、プラズ
マ形成ターゲット素材１０６ｆからなりＨ＜ｈなるスプレイ高Ｈを有するスプレイ２４２
を出射させること、ひいてはドライブレーザからの照射によりプラズマ形成ターゲット素
材１０６ｆに形成されたクレータを補填することができる。より具体的には、見て取れる
ように、ハウジング１４２ｆの内面上にあり、円筒対称要素１４０ｆ上のターゲット素材
１０６ｆと重なるある固定個所に、インジェクタ２３９を実装することができる。図示さ
れている例示的実施形態では、レーザ軸上に心が揃ったスプレイ２４２をもたらすよう、
インジェクタ２３９がハウジング１４２ｆ上に実装されている。円筒対称要素１４０ｆが
軸１４６ｆに沿い並進すると、ターゲット素材１０６ｆで形成される稼働帯の別部分がス
プレイ２４２からターゲット素材を受け取ることとなるので、稼働帯全体を被覆させるこ
とが可能である。
【0079】
図１４及び図１５に、プラズマ形成ターゲット素材１０６ｇの層で覆われており軸１４
６ｇ周りで可回動な円筒対称要素１４０ｇを有するシステム２４４を示す。図１４を図１
５と比べることで見て取れるように、円筒対称要素１４０ｇは軸１４６ｇに沿い且つハウ
ジング１４２ｇに対し並進可能であり、ターゲット素材１０６ｇで形成され帯高ｈを有す
る稼働帯、即ちドライブレーザによる照射に係るレーザ軸２３６ｇ上に稼働帯内ターゲッ
ト素材１０６ｇを位置決めしうる稼働帯を、その並進によって定めることができる。注入
システム２３８ｇは（図１に示した）気体供給システム１２４からターゲット素材１０６
ｇを受け取るインジェクタ２３９ｇを有しており、それには複数個のスプレイポート２４
０ａ’～ｆ’が備わっている。６個のスプレイポート２４０ａ’～ｆ’が示されているが
、ご理解頂けるように、用いるスプレイポートを３個超にしてもよいし１個まで少なくし
てもよい。図示の通り、スプレイポート２４０ａ’～ｆ’が軸１４６ｇに対し平行な方向
に沿い整列しているので、プラズマ形成ターゲット素材１０６からなりスプレイ高Ｈを有
するスプレイ２４２ｇをその動作により出射させること、ひいてはドライブレーザからの
照射により円筒対称要素１４０ｇ上のプラズマ形成ターゲット素材１０６に形成されたク
レータを補填することができる（即ち注入システム２３８ｇにより稼働帯の全長に沿い一
気にスプレイすることができる）。更に、見て取れるように、ハウジング１４２ｇの内面
上にあり、円筒対称要素１４０ｇ上のターゲット素材１０６ｇと重なるところに、インジ
ェクタ２３９ｇを実装することができる。図１４及び図１５を比較することで見て取れる
ように、インジェクタ２３９ｇをハウジング１４２ｇに対し並進させることができ、また
ある実施形態によれば、そのインジェクタ２３９ｇの動きを円筒対称要素１４０ｇの軸沿
い並進と同期させる（即ちインジェクタ２３９ｇ及び円筒対称要素１４０ｇが一緒に動き
それらインジェクタ２３９ｇ及び円筒対称要素１４０ｇが互いにいつも同じ位置となるよ
うにする）ことができる。インジェクタ２３９ｇ及び円筒対称要素１４０ｇは、例えば、
一緒に動くよう電子的に又は（例．共通ギアを用い）機械的に連結することが可能である
。
６ｇ周りで可回動な円筒対称要素１４０ｇを有するシステム２４４を示す。図１４を図１
５と比べることで見て取れるように、円筒対称要素１４０ｇは軸１４６ｇに沿い且つハウ
ジング１４２ｇに対し並進可能であり、ターゲット素材１０６ｇで形成され帯高ｈを有す
る稼働帯、即ちドライブレーザによる照射に係るレーザ軸２３６ｇ上に稼働帯内ターゲッ
ト素材１０６ｇを位置決めしうる稼働帯を、その並進によって定めることができる。注入
システム２３８ｇは（図１に示した）気体供給システム１２４からターゲット素材１０６
ｇを受け取るインジェクタ２３９ｇを有しており、それには複数個のスプレイポート２４
０ａ’～ｆ’が備わっている。６個のスプレイポート２４０ａ’～ｆ’が示されているが
、ご理解頂けるように、用いるスプレイポートを３個超にしてもよいし１個まで少なくし
てもよい。図示の通り、スプレイポート２４０ａ’～ｆ’が軸１４６ｇに対し平行な方向
に沿い整列しているので、プラズマ形成ターゲット素材１０６からなりスプレイ高Ｈを有
するスプレイ２４２ｇをその動作により出射させること、ひいてはドライブレーザからの
照射により円筒対称要素１４０ｇ上のプラズマ形成ターゲット素材１０６に形成されたク
レータを補填することができる（即ち注入システム２３８ｇにより稼働帯の全長に沿い一
気にスプレイすることができる）。更に、見て取れるように、ハウジング１４２ｇの内面
上にあり、円筒対称要素１４０ｇ上のターゲット素材１０６ｇと重なるところに、インジ
ェクタ２３９ｇを実装することができる。図１４及び図１５を比較することで見て取れる
ように、インジェクタ２３９ｇをハウジング１４２ｇに対し並進させることができ、また
ある実施形態によれば、そのインジェクタ２３９ｇの動きを円筒対称要素１４０ｇの軸沿
い並進と同期させる（即ちインジェクタ２３９ｇ及び円筒対称要素１４０ｇが一緒に動き
それらインジェクタ２３９ｇ及び円筒対称要素１４０ｇが互いにいつも同じ位置となるよ
うにする）ことができる。インジェクタ２３９ｇ及び円筒対称要素１４０ｇは、例えば、
一緒に動くよう電子的に又は（例．共通ギアを用い）機械的に連結することが可能である
。
【0080】
図１６及び図１７に、プラズマ形成ターゲット素材１０６ｈの層で覆われており軸１４
６ｈ周りで可回動な円筒対称要素１４０ｈを有するシステム２４６を示す。図１６を図１
７と比べることで見て取れるように、円筒対称要素１４０ｈは軸１４６ｈに沿い且つハウ
ジング１４２ｈに対し並進可能であり、ターゲット素材１０６ｈで形成され帯高ｈを有す
る稼働帯、即ちドライブレーザによる照射に係るレーザ軸２３６ｈ上に稼働帯内ターゲッ
ト素材１０６ｈを位置決めしうる稼働帯を、その並進により定めることができる。注入シ
ステム２３８ｈは（図１に示した）気体供給システム１２４からターゲット素材１０６ｈ
を受け取るインジェクタ２３９ｈを有しており、それには複数個のスプレイポート２４０
ａ”～ｄ”が備わっている。４個のスプレイポート２４０ａ”～ｄ”が示されているが、
ご理解頂けるように、用いるスプレイポートを４個超にしてもよいし２個まで少なくして
もよい。
６ｈ周りで可回動な円筒対称要素１４０ｈを有するシステム２４６を示す。図１６を図１
７と比べることで見て取れるように、円筒対称要素１４０ｈは軸１４６ｈに沿い且つハウ
ジング１４２ｈに対し並進可能であり、ターゲット素材１０６ｈで形成され帯高ｈを有す
る稼働帯、即ちドライブレーザによる照射に係るレーザ軸２３６ｈ上に稼働帯内ターゲッ
ト素材１０６ｈを位置決めしうる稼働帯を、その並進により定めることができる。注入シ
ステム２３８ｈは（図１に示した）気体供給システム１２４からターゲット素材１０６ｈ
を受け取るインジェクタ２３９ｈを有しており、それには複数個のスプレイポート２４０
ａ”～ｄ”が備わっている。４個のスプレイポート２４０ａ”～ｄ”が示されているが、
ご理解頂けるように、用いるスプレイポートを４個超にしてもよいし２個まで少なくして
もよい。
【0081】
同じく図１６及び図１７を参照することで見て取れるように、スプレイポート２４０ａ
”～ｄ”は軸１４６ｈに対し平行な方向に沿い整列している。やはり図示の通り、ハウジ
ング１４２ｈの内面上にあり、円筒対称要素１４０ｈ上のターゲット素材１０６ｈと重な
るある固定個所に、インジェクタ２３９ｈを実装することができる。ある実施形態によれ
ば、図１６に示す如くインジェクタ２３９ｈをレーザ軸２３６ｈ上に芯揃えすることがで
きる。本システム２４６には、アパーチャ２５０が形成されているプレート２４８をも設
けることができる。図１６及び図１７を比べることで見て取れるように、その阻止プレー
ト２４８（及びアパーチャ２５０）をハウジング１４２ｈに対し並進させることができ、
またある実施形態によれば、そのプレート２４８の動きを円筒対称要素１４０ｈの軸沿い
並進と同期させる（即ちプレート２４８及び円筒対称要素１４０ｈが一緒に動きそれらプ
レート２４８及び円筒対称要素１４０ｈが互いにいつも同じ位置となるようにする）こと
ができる。プレート２４８及び円筒対称要素１４０ｈは、例えば、一緒に動くよう電子的
に又は（例．共通ギアを用い）機械的に連結することが可能である。より具体的には、プ
レート２４８及びアパーチャ２５０を軸１４６ｈに対し平行な方向に沿い並進させること
で、スプレイポート２４０ａ”～ｄ”を選択的に被覆及び暴露することができる。例えば
、図１６から見て取れるように、スプレイポート２４０ａ”，ｂ”をプレート２４８によ
り被覆しスプレイポート２４０ｃ”，ｄ”を暴露することで、プラズマ形成ターゲット素
材１０６ｈからなりスプレイ高ｈを有するスプレイ２４２ｈをスプレイポート２４０ｃ”
，ｄ”から出射させること、ひいてはドライブレーザからの照射により円筒対称要素１４
０ｈ上のプラズマ形成ターゲット素材１０６ｈに形成されたクレータを補填することがで
きる（即ち注入システム２３８ｈにより稼働帯の全長に沿い一気にスプレイすることがで
きる）。これもまた図１６及び図１７から見て取れるように、プレート２４８、アパーチ
ャ２５０及び円筒対称要素１４０ｈを並進させると（図１７参照）スプレイポート２４０
ｃ”，ｄ”がプレート２４８により被覆されスプレイポート２４０ａ”，ｂ”が暴露され
るので、（やはりスプレイ高Ｈを有し）プラズマ形成ターゲット素材１０６ｈからなるス
プレイ２４２ｈをスプレイポート２４０ａ”，ｂ”から出射させることができる。
”～ｄ”は軸１４６ｈに対し平行な方向に沿い整列している。やはり図示の通り、ハウジ
ング１４２ｈの内面上にあり、円筒対称要素１４０ｈ上のターゲット素材１０６ｈと重な
るある固定個所に、インジェクタ２３９ｈを実装することができる。ある実施形態によれ
ば、図１６に示す如くインジェクタ２３９ｈをレーザ軸２３６ｈ上に芯揃えすることがで
きる。本システム２４６には、アパーチャ２５０が形成されているプレート２４８をも設
けることができる。図１６及び図１７を比べることで見て取れるように、その阻止プレー
ト２４８（及びアパーチャ２５０）をハウジング１４２ｈに対し並進させることができ、
またある実施形態によれば、そのプレート２４８の動きを円筒対称要素１４０ｈの軸沿い
並進と同期させる（即ちプレート２４８及び円筒対称要素１４０ｈが一緒に動きそれらプ
レート２４８及び円筒対称要素１４０ｈが互いにいつも同じ位置となるようにする）こと
ができる。プレート２４８及び円筒対称要素１４０ｈは、例えば、一緒に動くよう電子的
に又は（例．共通ギアを用い）機械的に連結することが可能である。より具体的には、プ
レート２４８及びアパーチャ２５０を軸１４６ｈに対し平行な方向に沿い並進させること
で、スプレイポート２４０ａ”～ｄ”を選択的に被覆及び暴露することができる。例えば
、図１６から見て取れるように、スプレイポート２４０ａ”，ｂ”をプレート２４８によ
り被覆しスプレイポート２４０ｃ”，ｄ”を暴露することで、プラズマ形成ターゲット素
材１０６ｈからなりスプレイ高ｈを有するスプレイ２４２ｈをスプレイポート２４０ｃ”
，ｄ”から出射させること、ひいてはドライブレーザからの照射により円筒対称要素１４
０ｈ上のプラズマ形成ターゲット素材１０６ｈに形成されたクレータを補填することがで
きる（即ち注入システム２３８ｈにより稼働帯の全長に沿い一気にスプレイすることがで
きる）。これもまた図１６及び図１７から見て取れるように、プレート２４８、アパーチ
ャ２５０及び円筒対称要素１４０ｈを並進させると（図１７参照）スプレイポート２４０
ｃ”，ｄ”がプレート２４８により被覆されスプレイポート２４０ａ”，ｂ”が暴露され
るので、（やはりスプレイ高Ｈを有し）プラズマ形成ターゲット素材１０６ｈからなるス
プレイ２４２ｈをスプレイポート２４０ａ”，ｂ”から出射させることができる。
【0082】
図１２～図１７に示した最適化キセノン注入方式によりアイス成長／補充向けのキセノ
ン消費を減らすことができ、またそれを用いることで、レーザによりターゲット素材アイ
ス層に形成されたクレータを確と迅速に埋めることができる。
ン消費を減らすことができ、またそれを用いることで、レーザによりターゲット素材アイ
ス層に形成されたクレータを確と迅速に埋めることができる。
【0083】
図１８に、プラズマ形成ターゲット素材１０６ｉの層で覆われていて軸１４６ｉ周りで
可回動な円筒対称要素１４０ｉを有するシステム２５２を示す。円筒対称要素１４０ｉ上
にプラズマ形成ターゲット素材１０６ｉを補充するサブシステム（例えば図１２～図１７
に示したシステムのうち一つ）を設けることができる。図１８、図１９及び図２０Ａを併
せ参照することで読み取れるように、円筒対称要素１４０ｉ上のプラズマ形成ターゲット
素材１０６ｉを削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材１０６ｉを築くよう、一対の
鋸歯状ワイパ２５４ａ，２５４ｂを配置することができる。例えば、ワイパ２５４ａを先
行ワイパ、ワイパ２５４ｂを後続ワイパとし、軸１４６ｉに対し先行ワイパのエッジの方
が後続ワイパのエッジよりも僅かに近くなるようにすればよい。先行ワイパ２５４ａが、
ポート２５５を介し付加された新規付加ターゲット素材（例．キセノン）に最初に接する
ワイパとなる。本願では２個のワイパ２５４ａ，２５４ｂが図示及び記述されているが、
ご理解頂けるように、用いるワイパを２個超にしてもよいし１個まで少なくしてもよい。
更に、図示の如く円筒対称要素１４０ｉの縁を巡りワイパを等間隔配置してもよいが、そ
れ以外の配置（例．２個のワイパが互いのそばにあるもの）を採用してもかまわない。
可回動な円筒対称要素１４０ｉを有するシステム２５２を示す。円筒対称要素１４０ｉ上
にプラズマ形成ターゲット素材１０６ｉを補充するサブシステム（例えば図１２～図１７
に示したシステムのうち一つ）を設けることができる。図１８、図１９及び図２０Ａを併
せ参照することで読み取れるように、円筒対称要素１４０ｉ上のプラズマ形成ターゲット
素材１０６ｉを削ぎ均一厚みのプラズマ形成ターゲット素材１０６ｉを築くよう、一対の
鋸歯状ワイパ２５４ａ，２５４ｂを配置することができる。例えば、ワイパ２５４ａを先
行ワイパ、ワイパ２５４ｂを後続ワイパとし、軸１４６ｉに対し先行ワイパのエッジの方
が後続ワイパのエッジよりも僅かに近くなるようにすればよい。先行ワイパ２５４ａが、
ポート２５５を介し付加された新規付加ターゲット素材（例．キセノン）に最初に接する
ワイパとなる。本願では２個のワイパ２５４ａ，２５４ｂが図示及び記述されているが、
ご理解頂けるように、用いるワイパを２個超にしてもよいし１個まで少なくしてもよい。
更に、図示の如く円筒対称要素１４０ｉの縁を巡りワイパを等間隔配置してもよいが、そ
れ以外の配置（例．２個のワイパが互いのそばにあるもの）を採用してもかまわない。
【0084】
個々の鋸歯状ワイパ、例えば図１８及び図２０に示す鋸歯状ワイパ２５４ａには、軸１
４６ｉに対し平行な方向に沿い間隔配置及び軸沿い整列された態で３本の切歯２５６ａ～
ｃを設けることができる。本願では３本の歯２５６ａ～ｃが図示及び記述されているが、
ご理解頂けるように、用いる切歯を３本超にしてもよいし１本まで少なくしてもよい。図
２０Ａに、歯２５６ｂ、すくい角２５７、逃げ角２５９及び逃げ２６１を示す。また、図
２０Ｂから見て取れるように個々の歯２５６ａ～ｃは長さＬを有している。大略、レーザ
パルスをターゲット素材１０６ｉに照射したとき生じるクレータよりも大きな長さＬを有
することとなるよう歯２５６ａ～ｃのサイズを定めることで、そのクレータを適切にカバ
ーすることが可能となる。ある実施形態によれば、少なくとも２本の歯を有する鋸歯状ワ
イパであり、軸１４６ｉに対し平行な方向に沿った個々の歯の長さＬが、レーザパルスを
ターゲット素材１０６ｉに照射したとき生じるクレータの最大直径Ｄに対しＬ＞３＊Ｄと
なるものを、用いることができる。鋸歯状ワイパなら円筒対称要素１４０ｉ及びシャフト
に作用する荷重を軽減することができる。ある実施形態では、その総接触面積が、極力小
さくなるよう且つシステムの最大剛性を上回らないよう定められる。本願出願人が実施し
た実験的計測で示されたところによれば、鋸歯状ワイパからの荷重は従来の非鋸歯状ワイ
パでのそれより５倍超（＞５ｘ）小さくすることができる。ある実施形態では、良好な機
械的支持状態を確保し損傷を防ぐため歯の厚みを歯の長さより小さなサイズとし、歯同士
の間隔よりも小さくなるようその長さを定める。ある実施形態では、キセノンアイスのう
ちレーザ照射を受けたエリア全体を、ターゲットが上下に並進する間に歯で削ぐことがで
きるよう、ワイパが設計される。ワイパに更なる歯を設け、露出エリア外に所在するアイ
スに接触させることで、露出エリア外アイス蓄積を防ぐようにしてもよい。当該更なる歯
は、キセノンアイスのうちレーザによる照射を受けたエリアを削ぐのに用いられる歯より
も、小さめにするとよい。
４６ｉに対し平行な方向に沿い間隔配置及び軸沿い整列された態で３本の切歯２５６ａ～
ｃを設けることができる。本願では３本の歯２５６ａ～ｃが図示及び記述されているが、
ご理解頂けるように、用いる切歯を３本超にしてもよいし１本まで少なくしてもよい。図
２０Ａに、歯２５６ｂ、すくい角２５７、逃げ角２５９及び逃げ２６１を示す。また、図
２０Ｂから見て取れるように個々の歯２５６ａ～ｃは長さＬを有している。大略、レーザ
パルスをターゲット素材１０６ｉに照射したとき生じるクレータよりも大きな長さＬを有
することとなるよう歯２５６ａ～ｃのサイズを定めることで、そのクレータを適切にカバ
ーすることが可能となる。ある実施形態によれば、少なくとも２本の歯を有する鋸歯状ワ
イパであり、軸１４６ｉに対し平行な方向に沿った個々の歯の長さＬが、レーザパルスを
ターゲット素材１０６ｉに照射したとき生じるクレータの最大直径Ｄに対しＬ＞３＊Ｄと
なるものを、用いることができる。鋸歯状ワイパなら円筒対称要素１４０ｉ及びシャフト
に作用する荷重を軽減することができる。ある実施形態では、その総接触面積が、極力小
さくなるよう且つシステムの最大剛性を上回らないよう定められる。本願出願人が実施し
た実験的計測で示されたところによれば、鋸歯状ワイパからの荷重は従来の非鋸歯状ワイ
パでのそれより５倍超（＞５ｘ）小さくすることができる。ある実施形態では、良好な機
械的支持状態を確保し損傷を防ぐため歯の厚みを歯の長さより小さなサイズとし、歯同士
の間隔よりも小さくなるようその長さを定める。ある実施形態では、キセノンアイスのう
ちレーザ照射を受けたエリア全体を、ターゲットが上下に並進する間に歯で削ぐことがで
きるよう、ワイパが設計される。ワイパに更なる歯を設け、露出エリア外に所在するアイ
スに接触させることで、露出エリア外アイス蓄積を防ぐようにしてもよい。当該更なる歯
は、キセノンアイスのうちレーザによる照射を受けたエリアを削ぐのに用いられる歯より
も、小さめにするとよい。
【0085】
図１８に示すように、ワイパ２５４ａ，２５４ｂを対応するモジュール２５８ａ，ｂに
実装すること、並びにそのモジュール２５８ａ，ｂでハウジング例えば図１に示したハウ
ジング１４２のモジュール状可着脱部分を形成することができる。この構成によれば、ハ
ウジング全体及び／又は他のハウジング関連部材例えば図１２～図１７に示したインジェ
クタを必ずしも分解、除去することなく、モジュール２５８ａ，２５８ｂを外しワイパを
交換することができる。そのハウジングモジュールの露出面上にアクセスポイントを有す
る調整ネジ２６０ａ，２６０ｂを用いワイパ２５４ａ，２５４ｂを対応するモジュール２
５８ａ，ｂに実装することで、円筒対称要素１４０ｉを回動させ（真空条件下で）ターゲ
ット素材１０６１により覆いつつ調整を行うことが可能となる。上述のモジュール状設計
及び露出面アクセスポイントは非鋸歯状ワイパ（即ちその切削エッジが単一で連続的なワ
イパ）にも適用可能である。場合にもよるが、ハウジング・プラズマ形成ターゲット素材
間ガスシールをワイパにより成立させること、ひいてはＬＰＰチャンバ内へのターゲット
素材ガス放出を減らすことが可能である。ワイパによりキセノンアイスの厚みを制御でき
るだけでなく部分堰を形成することができ、円筒の非露出側に注入された補充キセノンの
うちその円筒の周囲を流れ同円筒の露出側に脱するキセノンの量をその部分堰により減ら
すことができる。それらワイパは全長に亘る一定高さのワイパでも鋸歯状ワイパでもかま
わない。いずれにしても、そのワイパマウント内でワイパ位置を調整することで、それら
を円筒に対し適正位置に置くことができる。より具体的には、図１８に示すように、ワイ
パ２５４ａをターゲット素材補充ポート２５５の第１側、ポート２５５・ハウジング開口
２２６ｉ間に配置することで、ハウジング開口２２６ｉを介したターゲット素材（例．キ
セノンガス）の漏れを防ぐことができ、ワイパ２５４ｂをターゲット素材補充ポート２５
５の第２側（第１側とは逆の側）、ポート２５５・ハウジング開口２２６ｉ間に配置する
ことで、ハウジング開口２２６ｉを介したターゲット素材（例．キセノンガス）の漏れを
防ぐことができる。
実装すること、並びにそのモジュール２５８ａ，ｂでハウジング例えば図１に示したハウ
ジング１４２のモジュール状可着脱部分を形成することができる。この構成によれば、ハ
ウジング全体及び／又は他のハウジング関連部材例えば図１２～図１７に示したインジェ
クタを必ずしも分解、除去することなく、モジュール２５８ａ，２５８ｂを外しワイパを
交換することができる。そのハウジングモジュールの露出面上にアクセスポイントを有す
る調整ネジ２６０ａ，２６０ｂを用いワイパ２５４ａ，２５４ｂを対応するモジュール２
５８ａ，ｂに実装することで、円筒対称要素１４０ｉを回動させ（真空条件下で）ターゲ
ット素材１０６１により覆いつつ調整を行うことが可能となる。上述のモジュール状設計
及び露出面アクセスポイントは非鋸歯状ワイパ（即ちその切削エッジが単一で連続的なワ
イパ）にも適用可能である。場合にもよるが、ハウジング・プラズマ形成ターゲット素材
間ガスシールをワイパにより成立させること、ひいてはＬＰＰチャンバ内へのターゲット
素材ガス放出を減らすことが可能である。ワイパによりキセノンアイスの厚みを制御でき
るだけでなく部分堰を形成することができ、円筒の非露出側に注入された補充キセノンの
うちその円筒の周囲を流れ同円筒の露出側に脱するキセノンの量をその部分堰により減ら
すことができる。それらワイパは全長に亘る一定高さのワイパでも鋸歯状ワイパでもかま
わない。いずれにしても、そのワイパマウント内でワイパ位置を調整することで、それら
を円筒に対し適正位置に置くことができる。より具体的には、図１８に示すように、ワイ
パ２５４ａをターゲット素材補充ポート２５５の第１側、ポート２５５・ハウジング開口
２２６ｉ間に配置することで、ハウジング開口２２６ｉを介したターゲット素材（例．キ
セノンガス）の漏れを防ぐことができ、ワイパ２５４ｂをターゲット素材補充ポート２５
５の第２側（第１側とは逆の側）、ポート２５５・ハウジング開口２２６ｉ間に配置する
ことで、ハウジング開口２２６ｉを介したターゲット素材（例．キセノンガス）の漏れを
防ぐことができる。
【0086】
図１９に、調整ネジ２６２ａ，２６２ｂを用いハウジング１４２ｊに可調装着されてお
り鋸歯状又は非鋸歯状ワイパたりうるワイパ２５４を示す。図１９には、更に、ビーム２
６６を光センサ２６８に送る発光器２６４を有し、ワイパエッジ２７０と円筒対称要素１
４０ｊの回動軸（例．図１０中の軸１４６ｉ）との間の径方向距離を示す信号をライン２
６９経由で光センサ２６８から出力させうる計測システムが、示されている。そのライン
２６９により、例えば、図１に示した制御システム１２０との通信向けにこの計測システ
ムを接続することができる。
り鋸歯状又は非鋸歯状ワイパたりうるワイパ２５４を示す。図１９には、更に、ビーム２
６６を光センサ２６８に送る発光器２６４を有し、ワイパエッジ２７０と円筒対称要素１
４０ｊの回動軸（例．図１０中の軸１４６ｉ）との間の径方向距離を示す信号をライン２
６９経由で光センサ２６８から出力させうる計測システムが、示されている。そのライン
２６９により、例えば、図１に示した制御システム１２０との通信向けにこの計測システ
ムを接続することができる。
【0087】
図２１に、ハウジング１４２ｋに可調装着されており鋸歯状又は非鋸歯状ワイパたりう
るワイパ２５４’を示す。図２１には、更に、ワイパエッジ２７０’と回動軸（例．図１
０中の円筒対称要素１４０ｉの軸１４６ｉ）との間の径方向距離を調整する調整システム
が示されている。図示の通り、この調整システムは、ライン２７９を介し受信した制御信
号に応じワイパ２５４’を動かすアクチュエータ２７２（これは、例えば、リードスクリ
ュ、ステッパモータ、サーボモータ等々のリニアアクチュエータとすることができる）を
有している。ライン２７９により、例えば、図１に示した制御システム１２０との通信向
けにこの調整システムを接続することができる。
るワイパ２５４’を示す。図２１には、更に、ワイパエッジ２７０’と回動軸（例．図１
０中の円筒対称要素１４０ｉの軸１４６ｉ）との間の径方向距離を調整する調整システム
が示されている。図示の通り、この調整システムは、ライン２７９を介し受信した制御信
号に応じワイパ２５４’を動かすアクチュエータ２７２（これは、例えば、リードスクリ
ュ、ステッパモータ、サーボモータ等々のリニアアクチュエータとすることができる）を
有している。ライン２７９により、例えば、図１に示した制御システム１２０との通信向
けにこの調整システムを接続することができる。
【0088】
図２２にワイパ実装システムが使用される諸工程を示す。図中のボックス２７６に示さ
れているのは、厳格な公差を呈するよう製作されたマスタワイパを準備する工程である。
次に、ボックス２７８に示すように、マスタワイパがワイパマウント内に実装され、その
整列具合が例えば調整ネジを用い調整される。その上でそのネジ位置（例．回した回数）
が記録される（ボックス２８０）。そして、そのマスタワイパが、標準的な（例．良好な
）機械加工公差を呈するよう製作された稼働ワイパで以て置き換えられる（ボックス２８
２）。
れているのは、厳格な公差を呈するよう製作されたマスタワイパを準備する工程である。
次に、ボックス２７８に示すように、マスタワイパがワイパマウント内に実装され、その
整列具合が例えば調整ネジを用い調整される。その上でそのネジ位置（例．回した回数）
が記録される（ボックス２８０）。そして、そのマスタワイパが、標準的な（例．良好な
）機械加工公差を呈するよう製作された稼働ワイパで以て置き換えられる（ボックス２８
２）。
【0089】
図２３に、プラズマ形成ターゲット素材１０６ｍの層で覆われていて軸１４６ｍ周りで
可回動な円筒対称要素１４０ｍを有するシステム２８４を示す。円筒対称要素１４０ｍ上
にプラズマ形成ターゲット素材１０６ｍを補充するサブシステム（例えば図１２～図１７
に示したシステムのうち一つ）を設けることができる。図２３には、更に、円筒対称要素
１４０ｍ上のプラズマ形成ターゲット素材１０６ｍと接触するよう一対の柔順ワイパ２８
６ａ，２８８ｂを配置しうること、ひいては比較的円滑な表面を有する均一厚みのプラズ
マ形成ターゲット素材１０６ｍを築けることが、示されている。より具体的には、図示の
通り、円筒対称要素１４０ｍを挟みワイパ２８６ｂの位置とは径方向逆側にある個所に、
ワイパ２８６ａを配置することができる。機能的には、これら加熱ワイパ２８６ａ，２８
６ｂをそれぞれアイススケートの刃のように動作させ、局所的に圧力やアイス内に向かう
熱流を増大させることができる。柔順ワイパの対向対を用いることで、円筒対称要素１４
０ｍの二側面からの力が効果的に整合し、円筒対称要素１４０ｍに作用する総不均衡力が
低減されることとなる。これにより軸受けシステム、例えば上述の空気軸受けシステムが
損傷するリスクを減らすことができ、場合にもよるが第２軸受けたる端側軸受けの必要性
を解消することができる。
可回動な円筒対称要素１４０ｍを有するシステム２８４を示す。円筒対称要素１４０ｍ上
にプラズマ形成ターゲット素材１０６ｍを補充するサブシステム（例えば図１２～図１７
に示したシステムのうち一つ）を設けることができる。図２３には、更に、円筒対称要素
１４０ｍ上のプラズマ形成ターゲット素材１０６ｍと接触するよう一対の柔順ワイパ２８
６ａ，２８８ｂを配置しうること、ひいては比較的円滑な表面を有する均一厚みのプラズ
マ形成ターゲット素材１０６ｍを築けることが、示されている。より具体的には、図示の
通り、円筒対称要素１４０ｍを挟みワイパ２８６ｂの位置とは径方向逆側にある個所に、
ワイパ２８６ａを配置することができる。機能的には、これら加熱ワイパ２８６ａ，２８
６ｂをそれぞれアイススケートの刃のように動作させ、局所的に圧力やアイス内に向かう
熱流を増大させることができる。柔順ワイパの対向対を用いることで、円筒対称要素１４
０ｍの二側面からの力が効果的に整合し、円筒対称要素１４０ｍに作用する総不均衡力が
低減されることとなる。これにより軸受けシステム、例えば上述の空気軸受けシステムが
損傷するリスクを減らすことができ、場合にもよるが第２軸受けたる端側軸受けの必要性
を解消することができる。
【0090】
図２４に、円筒対称要素１４０ｍに対するワイパ２８６ｂの湾曲を示す。具体的には、
図示の通りワイパ２８６ｂが湾曲柔順面２８８を有しており、その形状が、ワイパ２８６
ｂの中央部２９０にて円筒対称要素１４０ｍ上のターゲット素材１０６ｍと接触し、且つ
ワイパ２８６ｂの端部２９２にて湾曲柔順面２８８と円筒対称要素１４０ｍ上のターゲッ
ト素材１０６ｍとの間にギャップが形成される形状となっている。柔順ワイパ２８６ｂの
表面２８８を形成するのに用いる素材は、例えば、幾種類かある硬化性ステンレス鋼、チ
タン及びチタン合金のうち一つとすることができる。
図示の通りワイパ２８６ｂが湾曲柔順面２８８を有しており、その形状が、ワイパ２８６
ｂの中央部２９０にて円筒対称要素１４０ｍ上のターゲット素材１０６ｍと接触し、且つ
ワイパ２８６ｂの端部２９２にて湾曲柔順面２８８と円筒対称要素１４０ｍ上のターゲッ
ト素材１０６ｍとの間にギャップが形成される形状となっている。柔順ワイパ２８６ｂの
表面２８８を形成するのに用いる素材は、例えば、幾種類かある硬化性ステンレス鋼、チ
タン及びチタン合金のうち一つとすることができる。
【0091】
図２５Ａ～図２５Ｃはターゲット素材１０６ｍの成長を示す図であり、図２５Ａに示す
初期成長状態では柔順ワイパ２８６ｂに接触していない。その後、図２５ｂに示すように
、ターゲット素材１０６ｍは成長が進んでワイパ２８６ｂに初期接触する。更にその後は
、ターゲット素材１０６ｍの更なる成長によりそのターゲット素材１０６ｍがワイパ表面
と接触して弾性変形し、平衡状態に達するまでそのターゲット素材層が押し戻され、その
時点でワイパからの圧力により層素材が局所的に融け、再流動して均一面が形成される。
言い換えれば、湾曲ワイパは撓ませることが可能であり、撓むとキセノンアイスの厚みが
増し、キセノンアイスの円筒上にワイパが及ぼす力とキセノンアイスの補充により引き起
こされた力との間で平衡に達したときにその撓みが止まる。それら湾曲ワイパを対象にサ
ーボ機能を用いることで、ワイパの温度制御に対処することができる。例えば、カメラを
設けてアイス厚みを監視すること、個々のワイパにヒータ及び温度センサを組み込むこと
、並びに温度を固定値に保持し平衡厚みのキセノンアイスを築くことができる。
初期成長状態では柔順ワイパ２８６ｂに接触していない。その後、図２５ｂに示すように
、ターゲット素材１０６ｍは成長が進んでワイパ２８６ｂに初期接触する。更にその後は
、ターゲット素材１０６ｍの更なる成長によりそのターゲット素材１０６ｍがワイパ表面
と接触して弾性変形し、平衡状態に達するまでそのターゲット素材層が押し戻され、その
時点でワイパからの圧力により層素材が局所的に融け、再流動して均一面が形成される。
言い換えれば、湾曲ワイパは撓ませることが可能であり、撓むとキセノンアイスの厚みが
増し、キセノンアイスの円筒上にワイパが及ぼす力とキセノンアイスの補充により引き起
こされた力との間で平衡に達したときにその撓みが止まる。それら湾曲ワイパを対象にサ
ーボ機能を用いることで、ワイパの温度制御に対処することができる。例えば、カメラを
設けてアイス厚みを監視すること、個々のワイパにヒータ及び温度センサを組み込むこと
、並びに温度を固定値に保持し平衡厚みのキセノンアイスを築くことができる。
【0092】
図２６に、ワイパ２８６ｂを可制御的に加熱するためのヒータカートリッジ２９４及び
熱電対２９６を柔順ワイパ２８６ｂに設けうることを示す。例えば、図１に示した制御シ
ステム１２０との通信向けにヒータカートリッジ２９４及び熱電対２９６を接続すること
、ひいてはワイパ２８６ｂを指定温度に保つことができる。
熱電対２９６を柔順ワイパ２８６ｂに設けうることを示す。例えば、図１に示した制御シ
ステム１２０との通信向けにヒータカートリッジ２９４及び熱電対２９６を接続すること
、ひいてはワイパ２８６ｂを指定温度に保つことができる。
【0093】
光源照明は半導体処理アプリケーション、例えば検査、フォトリソグラフィ又は計量用
に用いることができる。例えば、図２７に示すように、本願記載のターゲット送給システ
ムのうち１個を有する光源例えば上述の光源１００が組み込まれた照明源３０２を、検査
システム３００に設けることができる。更に、半導体ウェハ、ブランクマスク又はパター
ニング済マスク等、少なくとも１個のサンプル３０４を支持するよう構成されたステージ
３０６を、その検査システム３００に設けることができる。照明源３０２は照明路を介し
サンプル３０４を照明するよう構成することができ、またそのサンプル３０４にて反射、
散乱又は輻射された照明をイメージング路に沿い少なくとも１個の検出器３１０（例．カ
メラ又はフォトセンサアレイ）へと差し向けることができる。その検出器３１０が可通信
結合されている情報処理システム３１２は、検出された照明信号に係る信号を、非一時的
キャリア媒体３１４上にあり情報処理システム３１２のプロセッサにより実行可能なプロ
グラム命令３１６に埋め込まれている検査アルゴリズムに従い処理することで、サンプル
３０４が有している１個又は複数個の欠陥の所在を特定し及び／又はその欠陥の諸属性を
計測するよう、構成することができる。
に用いることができる。例えば、図２７に示すように、本願記載のターゲット送給システ
ムのうち１個を有する光源例えば上述の光源１００が組み込まれた照明源３０２を、検査
システム３００に設けることができる。更に、半導体ウェハ、ブランクマスク又はパター
ニング済マスク等、少なくとも１個のサンプル３０４を支持するよう構成されたステージ
３０６を、その検査システム３００に設けることができる。照明源３０２は照明路を介し
サンプル３０４を照明するよう構成することができ、またそのサンプル３０４にて反射、
散乱又は輻射された照明をイメージング路に沿い少なくとも１個の検出器３１０（例．カ
メラ又はフォトセンサアレイ）へと差し向けることができる。その検出器３１０が可通信
結合されている情報処理システム３１２は、検出された照明信号に係る信号を、非一時的
キャリア媒体３１４上にあり情報処理システム３１２のプロセッサにより実行可能なプロ
グラム命令３１６に埋め込まれている検査アルゴリズムに従い処理することで、サンプル
３０４が有している１個又は複数個の欠陥の所在を特定し及び／又はその欠陥の諸属性を
計測するよう、構成することができる。
【0094】
更なる例として、図２８に、本願記載のターゲット送給システムのうち１個を有する光
源例えば上述の光源１００が組み込まれた照明源４０２を有するフォトリソグラフィシス
テム４００のあらましを示す。このフォトリソグラフィシステムには、リソグラフィ処理
に備え少なくとも１枚の基板４０４例えば半導体ウェハを支持するよう構成されたステー
ジ４０６を、設けることができる。照明源４０２は、自照明源４０２により出射される照
明で以て、基板４０４上にて或いはその基板４０４上に位置する層上にてフォトリソグラ
フィを実行するよう、構成することができる。例えば、その出射照明をレティクル４０８
に差し向け、そのレティクル４０８から基板４０４へと差し向けることで、基板４０４の
表面又はその基板４０４の層を、照明されているレティクルのパターンに従いパターニン
グすることができる。図２７及び図２８に示した例示的実施形態は総じて上述した光源の
用途を示すものであるが、いわゆる当業者には明らかな通り、それら光源は本件開示の技
術的範囲から離隔することなく様々な状況に適用することができる。
源例えば上述の光源１００が組み込まれた照明源４０２を有するフォトリソグラフィシス
テム４００のあらましを示す。このフォトリソグラフィシステムには、リソグラフィ処理
に備え少なくとも１枚の基板４０４例えば半導体ウェハを支持するよう構成されたステー
ジ４０６を、設けることができる。照明源４０２は、自照明源４０２により出射される照
明で以て、基板４０４上にて或いはその基板４０４上に位置する層上にてフォトリソグラ
フィを実行するよう、構成することができる。例えば、その出射照明をレティクル４０８
に差し向け、そのレティクル４０８から基板４０４へと差し向けることで、基板４０４の
表面又はその基板４０４の層を、照明されているレティクルのパターンに従いパターニン
グすることができる。図２７及び図２８に示した例示的実施形態は総じて上述した光源の
用途を示すものであるが、いわゆる当業者には明らかな通り、それら光源は本件開示の技
術的範囲から離隔することなく様々な状況に適用することができる。
【0095】
更に、いわゆる当業者にはご承知頂けるように、本願記載のプロセス及び／又はシステ
ム及び／又はその他のテクノロジを実行可能な手段は種々あるし（例．ハードウェア、ソ
フトウェア及び／又はファームウェア）、どの手段が相応しいかは当該プロセス及び／又
はシステム及び／又はその他のテクノロジが利用される状況によって変わるであろう。幾
つかの実施形態では、諸ステップ、機能及び／又は動作が、電子回路、論理ゲート、マル
チプレクサ、プログラマブル論理デバイス、ＡＳＩＣ、アナログ又はディジタルコントロ
ーラ／スイッチ、マイクロコントローラ及び情報処理システムのうち１個又は複数個によ
り実行される。情報処理システムには、これに限られるものではないが、パーソナル情報
処理システム、メインフレーム情報処理システム、ワークステーション、イメージコンピ
ュータ、並列プロセッサその他、本件技術分野で既知なあらゆる装置が包括されうる。一
般に、語「情報処理システム」は、キャリア媒体から得た命令を実行するプロセッサを１
個又は複数個有するデバイス全てが包括されるよう、広く定義することができる。方法例
えば本願記載のそれを実行するためのプログラム命令をキャリア媒体上で伝送することが
可能である。キャリア媒体としうるものとしては伝送媒体、例えばワイヤ、ケーブル又は
無線伝送リンクがある。キャリア媒体としうるものとしては格納媒体、例えばリードオン
リメモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気ディスク、光ディスク又は磁気テープもある。
ム及び／又はその他のテクノロジを実行可能な手段は種々あるし（例．ハードウェア、ソ
フトウェア及び／又はファームウェア）、どの手段が相応しいかは当該プロセス及び／又
はシステム及び／又はその他のテクノロジが利用される状況によって変わるであろう。幾
つかの実施形態では、諸ステップ、機能及び／又は動作が、電子回路、論理ゲート、マル
チプレクサ、プログラマブル論理デバイス、ＡＳＩＣ、アナログ又はディジタルコントロ
ーラ／スイッチ、マイクロコントローラ及び情報処理システムのうち１個又は複数個によ
り実行される。情報処理システムには、これに限られるものではないが、パーソナル情報
処理システム、メインフレーム情報処理システム、ワークステーション、イメージコンピ
ュータ、並列プロセッサその他、本件技術分野で既知なあらゆる装置が包括されうる。一
般に、語「情報処理システム」は、キャリア媒体から得た命令を実行するプロセッサを１
個又は複数個有するデバイス全てが包括されるよう、広く定義することができる。方法例
えば本願記載のそれを実行するためのプログラム命令をキャリア媒体上で伝送することが
可能である。キャリア媒体としうるものとしては伝送媒体、例えばワイヤ、ケーブル又は
無線伝送リンクがある。キャリア媒体としうるものとしては格納媒体、例えばリードオン
リメモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気ディスク、光ディスク又は磁気テープもある。
【0096】
本願記載の方法は、皆、それら方法実施形態を構成する１個又は複数個のステップの結
果を格納媒体に格納するステップを、有するものとすることができる。それら結果が本願
記載のどの実行結果を含んでいてもよいし、本件技術分野で既知ないずれの要領でその結
果が格納されるのでもよい。その格納媒体には本願記載のあらゆる格納媒体が、また本件
技術分野において既知で好適な他のあらゆる格納媒体が包含されうる。結果格納後は、そ
の格納媒体内の結果にアクセスすること、並びにそれを本願記載の方法又はシステム実施
形態のうち任意のもので用いること、ユーザへの表示向けにフォーマットすること、他の
ソフトウェアモジュール、方法又はシステムで用いること等々ができる。更に、それら結
果の格納は、「恒久的」なもの、「半恒久的」なもの、一時的なもの、或いは一定期間に
亘るもののいずれでもよい。例えば、その格納媒体がランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）
であってもよいし、結果がその格納媒体内に必ずしも永久には存在しないのでもかまわな
い。
果を格納媒体に格納するステップを、有するものとすることができる。それら結果が本願
記載のどの実行結果を含んでいてもよいし、本件技術分野で既知ないずれの要領でその結
果が格納されるのでもよい。その格納媒体には本願記載のあらゆる格納媒体が、また本件
技術分野において既知で好適な他のあらゆる格納媒体が包含されうる。結果格納後は、そ
の格納媒体内の結果にアクセスすること、並びにそれを本願記載の方法又はシステム実施
形態のうち任意のもので用いること、ユーザへの表示向けにフォーマットすること、他の
ソフトウェアモジュール、方法又はシステムで用いること等々ができる。更に、それら結
果の格納は、「恒久的」なもの、「半恒久的」なもの、一時的なもの、或いは一定期間に
亘るもののいずれでもよい。例えば、その格納媒体がランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）
であってもよいし、結果がその格納媒体内に必ずしも永久には存在しないのでもかまわな
い。
【0097】
本発明の格別な諸実施形態を示してきたが、明らかな通り、いわゆる当業者であれば、
以上の開示の技術的範囲及び神髄から離隔することなく本発明につき様々な修正及び実施
形態を実現することができよう。従って、本発明の技術的範囲は本明細書に添付する特許
請求の範囲によってのみ限定されるべきである。
以上の開示の技術的範囲及び神髄から離隔することなく本発明につき様々な修正及び実施
形態を実現することができよう。従って、本発明の技術的範囲は本明細書に添付する特許
請求の範囲によってのみ限定されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20A】
【図20B】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25A】
【図25B】
【図25C】
【図26】
【図27】
【図28】
【手続補正書】
【提出日】2024-04-08
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ステータ体と、
軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を有し、第１端から第２端へと延びる円筒対称要素と、
上記円筒対称要素の第１端をステータ体に連結する磁気液体ロータリシールと、
円筒対称要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリであり、軸受けに通流している空間内に遮断気体を導入することで当該軸受けからＬＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らす２つ以上の溝を有する軸受けアセンブリと、
を備える装置。
軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を有し、第１端から第２端へと延びる円筒対称要素と、
上記円筒対称要素の第１端をステータ体に連結する磁気液体ロータリシールと、
円筒対称要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリであり、軸受けに通流している空間内に遮断気体を導入することで当該軸受けからＬＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らす２つ以上の溝を有する軸受けアセンブリと、
を備える装置。
【請求項2】
請求項１に記載の装置であって、円筒対称要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリが磁気軸受けである装置。
【請求項3】
請求項１に記載の装置であって、円筒対称要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリがグリース封入軸受けである装置。
【請求項4】
請求項１に記載の装置であって、円筒対称要素がスピンドル上に実装されており、上記２以上の溝が、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上記空間と通流しており且つ上記空間の第１部分から汚染物質を排出するよう構成されている第１環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上記空間と通流しており且つ上記空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸送するよう構成されている第２環状溝と、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上記空間と通流しており上記軸に対し平行な軸方向において第１環状溝と第２環状溝との間に位置する第３環状溝であり、上記空間の第３部分から汚染物質及び遮断気体を輸送することで上記第２圧力より低い第３圧力を第３部分内に発生させるよう構成されている第３環状溝と、を有する装置。
【請求項5】
請求項１に記載の装置であって、更に、円筒対称要素の第１端に駆動ユニットを備え、上記駆動ユニットが、上記軸に沿い円筒対称要素を並進させるリニアモータアセンブリと、上記軸周りで円筒対称要素を回動させるロータリモータと、を有し、更に、上記ステータに対する円筒対称要素の軸沿い並進を受容するベロウズを有する装置。
【請求項6】
請求項１に記載の装置であって、プラズマ形成ターゲット素材がキセノンアイスである装置。
【請求項7】
請求項１に記載の装置であって、軸受けアセンブリが気体軸受けアセンブリであり、上記汚染物質が軸受け気体である装置。
【請求項8】
請求項７に記載の装置であって、軸受け気体が、窒素、酸素、浄化空気、キセノン及びアルゴンの中の少なくとも１つを含む装置。
【請求項9】
請求項１に記載の装置であって、遮断気体が、キセノン及びアルゴンで構成される気体の集合から選択されている装置。
【請求項10】
ステータ体と、
軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を有し、第１端から第２端へと延びるドラム要素と、
上記ドラム要素の第１端をステータ体に連結する磁気液体ロータリシールと、
ドラム要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリであり、軸受けに通流している空間内に遮断気体を導入することでＬＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らす第１溝、第２溝及び第３溝を含む軸受けアセンブリと、
を備える装置。
軸周りで可回動であり、ドライブレーザによる照射を受けレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ形成ターゲット素材で覆われた表面を有し、第１端から第２端へと延びるドラム要素と、
上記ドラム要素の第１端をステータ体に連結する磁気液体ロータリシールと、
ドラム要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリであり、軸受けに通流している空間内に遮断気体を導入することでＬＰＰチャンバ内への汚染物質の漏れを減らす第１溝、第２溝及び第３溝を含む軸受けアセンブリと、
を備える装置。
【請求項11】
請求項１０に記載の装置であって、上記要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリが磁気軸受けである装置。
【請求項12】
請求項１０に記載の装置であって、上記要素の第２端をステータ体に連結する軸受けアセンブリがグリース封入軸受けである装置。
【請求項13】
請求項１０に記載の装置であって、ドラム要素がスピンドル上に実装されており、上記第１溝が、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上記空間と通流しており且つ上記空間の第１部分から第１圧力にて汚染物質を排出するよう構成されている第１環状溝を含み、上記第２溝が、ステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上記空間と通流しており且つ上記空間の第２部分内へと第２圧力にて遮断気体を輸送するよう構成されている第２環状溝を含み、上記第３溝がステータ体及びスピンドルのうち一方にあり上記空間と通流しており上記軸に対し平行な軸方向において第１環状溝と第２環状溝との間に位置する第３環状溝であり、上記空間の第３部分から上記汚染物質及び遮断気体を輸送することで上記第１圧力及び第２圧力より低い第３圧力を第３部分内に発生させるよう構成されている第３環状溝を含む、装置。
【請求項14】
請求項１０に記載の装置であって、更に、ドラム要素の第１端に駆動ユニットを備え、上記駆動ユニットが、上記軸に沿い円筒対称要素を並進させるリニアモータアセンブリと、上記軸周りで円筒対称要素を回動させるロータリモータと、を有し、更に、上記ステータに対する円筒対称要素の軸沿い並進を受容するベロウズを有する装置。
【請求項15】
請求項１０に記載の装置であって、プラズマ形成ターゲット素材がキセノンアイスである装置。
【請求項16】
請求項１０に記載の装置であって、軸受けアセンブリが気体軸受けアセンブリであり、上記汚染物質が軸受け気体である装置。
【請求項17】
請求項１６に記載の装置であって、軸受け気体が、窒素、酸素、浄化空気、キセノン及びアルゴンの中の少なくとも１つを含む装置。
【請求項18】
請求項１０に記載の装置であって、遮断気体が、キセノン及びアルゴンで構成される気体の集合から選択されている装置。