ホーム > 特許ランキング > 日亜化学工業株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024089433
(43)【公開日】2024-07-03
(54)【発明の名称】焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20240626BHJP
H05K 1/02 20060101ALI20240626BHJP
H05K 3/40 20060101ALI20240626BHJP
H05K 1/11 20060101ALI20240626BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
H05K1/02 Q
H05K3/40 K
H05K1/11 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】22
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022204788
(22)【出願日】2022-12-21
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001807
【氏名又は名称】弁理士法人磯野国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】笹岡 典史
(72)【発明者】
【氏名】勝又 雅昭
【テーマコード（参考）】
5E317
5E338
5F142
【Ｆターム（参考）】
5E317AA24
5E317BB04
5E317BB11
5E317BB12
5E317BB13
5E317BB14
5E317BB15
5E317BB18
5E317CC25
5E317CD21
5E317GG20
5E338AA02
5E338AA18
5E338BB14
5E338BB25
5E338CC08
5E338EE02
5F142AA42
5F142BA32
5F142CA13
5F142CD02
5F142CD18
5F142CD44
5F142CD49
5F142CG03
5F142CG04
5F142CG05
5F142CG24
5F142DA14
5F142FA03
5F142FA30
(57)【要約】
【課題】放熱性の高い焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】焼結体基板１０は、第１面１Ａ及び第１面１Ａの反対側となる第２面１Ｂを持ち、第１面１Ａと第２面１Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔２を有し、第１面の貫通孔２の開口面積が第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積よりも大きいセラミックス基板１と、貫通孔内に配置されたビア３と、を備え、ビア３は、第１金属４と、第１金属４よりも融点の低い第２金属５と、貫通孔２を画定する内壁に配置される金属化合物６と、を含み、セラミックス基板１における第１面１Ａの貫通孔２の形状は、平面視において多角形であり、第１金属４及び第２金属５は、セラミックス基板１よりも熱伝導率が高い。
【選択図】図１
【解決手段】焼結体基板１０は、第１面１Ａ及び第１面１Ａの反対側となる第２面１Ｂを持ち、第１面１Ａと第２面１Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔２を有し、第１面の貫通孔２の開口面積が第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積よりも大きいセラミックス基板１と、貫通孔内に配置されたビア３と、を備え、ビア３は、第１金属４と、第１金属４よりも融点の低い第２金属５と、貫通孔２を画定する内壁に配置される金属化合物６と、を含み、セラミックス基板１における第１面１Ａの貫通孔２の形状は、平面視において多角形であり、第１金属４及び第２金属５は、セラミックス基板１よりも熱伝導率が高い。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有し、前記第１面の前記貫通孔の開口面積が前記第２面の前記貫通孔の開口面積よりも大きいセラミックス基板と、
前記貫通孔内に配置されたビアと、を備え、
前記ビアは、第１金属と、前記第１金属よりも融点の低い第２金属と、前記貫通孔を画定する内壁に配置される金属化合物と、を含み、
前記セラミックス基板における前記第１面の前記貫通孔の形状は、平面視において多角形であり、
前記第１金属及び前記第２金属は、前記セラミックス基板よりも熱伝導率が高い、焼結体基板。
前記貫通孔内に配置されたビアと、を備え、
前記ビアは、第１金属と、前記第１金属よりも融点の低い第２金属と、前記貫通孔を画定する内壁に配置される金属化合物と、を含み、
前記セラミックス基板における前記第１面の前記貫通孔の形状は、平面視において多角形であり、
前記第１金属及び前記第２金属は、前記セラミックス基板よりも熱伝導率が高い、焼結体基板。
【請求項2】
前記セラミックス基板における前記第２面の前記貫通孔の形状は、底面視において、前記第1面の前記貫通孔と相似形である請求項１に記載の焼結体基板。
【請求項3】
前記金属化合物は、層状であり、
前記セラミックス基板の平均厚みと、前記貫通孔の最大径と、の比であるアスペクト比が０．５の場合、前記金属化合物の平均厚みが、１５μｍ以上２０μｍ以下となり、前記アスペクト比が１．０のときに前記金属化合物の平均厚みが、７．５μｍ以上１０μｍ以下となる請求項１に記載の焼結体基板。
前記セラミックス基板の平均厚みと、前記貫通孔の最大径と、の比であるアスペクト比が０．５の場合、前記金属化合物の平均厚みが、１５μｍ以上２０μｍ以下となり、前記アスペクト比が１．０のときに前記金属化合物の平均厚みが、７．５μｍ以上１０μｍ以下となる請求項１に記載の焼結体基板。
【請求項4】
前記セラミックス基板の平均厚みと、前記貫通孔の最大径と、の比であるアスペクト比が２．０の場合、前記金属化合物の平均厚みが、５μｍ以上１０μｍ以下となる請求項１に記載の焼結体基板。
【請求項5】
前記第１金属は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくともいずれか１種を含む請求項１に記載の焼結体基板。
【請求項6】
前記第２金属は、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金の少なくともいずれか１種を含む請求項１に記載の焼結体基板。
【請求項7】
前記セラミックス基板は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素の少なくとも１種を含む請求項１に記載の焼結体基板。
【請求項8】
前記貫通孔の最大径は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である請求項１に記載の焼結体基板。
【請求項9】
前記セラミックス基板において、前記貫通孔は最大径の異なる大きさごとに貫通孔群が複数ある請求項１に記載の焼結体基板。
【請求項10】
前記焼結体基板は、実装部品電極を持つ実装部品に配置されており、
前記セラミックス基板の前記第２面側における前記ビアの面積は、前記実装部品電極の面積に対して６０％以上２００％以下である請求項１に記載の焼結体基板。
前記セラミックス基板の前記第２面側における前記ビアの面積は、前記実装部品電極の面積に対して６０％以上２００％以下である請求項１に記載の焼結体基板。
【請求項11】
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の焼結体基板と、
素子電極を持つ発光素子と、を備え、
前記焼結体基板の前記ビアと、前記素子電極と、を電気的に接続し、
底面視において、前記焼結体基板における前記第２面の前記貫通孔の開口面積と、前記素子電極の面積と、は±１０％以内である発光装置。
素子電極を持つ発光素子と、を備え、
前記焼結体基板の前記ビアと、前記素子電極と、を電気的に接続し、
底面視において、前記焼結体基板における前記第２面の前記貫通孔の開口面積と、前記素子電極の面積と、は±１０％以内である発光装置。
【請求項12】
前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面に向かって傾斜する傾斜面を有し、
前記傾斜面の少なくとも一部が、前記素子電極の間の直下となる請求項１１に記載の発光装置。
前記傾斜面の少なくとも一部が、前記素子電極の間の直下となる請求項１１に記載の発光装置。
【請求項13】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有し、前記第１面の前記貫通孔の開口面積が前記第２面の前記貫通孔の開口面積よりも大きいセラミックス基板を準備することと、
前記貫通孔にビアペーストを充填することと、
前記ビアペーストを焼成することと、を含み、
前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記セラミックス基板における前記第１面の前記貫通孔の形状は、平面視において多角形であり、
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、複数個の第１金属粉体と、複数個の第２金属粉体と、複数個の活性金属粉体と、を含み、前記第１金属粉体及び前記第２金属粉体の熱伝導率は、前記セラミックス基板の熱伝導率よりも高く、
前記ビアペーストを焼成することにおいて、焼成温度は、前記第１金属粉体の融点以下であり前記第２金属粉体の融点以上である、焼結体基板の製造方法。
前記貫通孔にビアペーストを充填することと、
前記ビアペーストを焼成することと、を含み、
前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記セラミックス基板における前記第１面の前記貫通孔の形状は、平面視において多角形であり、
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、複数個の第１金属粉体と、複数個の第２金属粉体と、複数個の活性金属粉体と、を含み、前記第１金属粉体及び前記第２金属粉体の熱伝導率は、前記セラミックス基板の熱伝導率よりも高く、
前記ビアペーストを焼成することにおいて、焼成温度は、前記第１金属粉体の融点以下であり前記第２金属粉体の融点以上である、焼結体基板の製造方法。
【請求項14】
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記活性金属粉体の含有量は、３重量部以上である請求項１３に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項15】
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記第１金属粉体は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくともいずれか１種を含む請求項１３に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項16】
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記第２金属粉体は、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金粉末の少なくともいずれか１種を含む請求項１３に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項17】
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記活性金属粉体は、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、ＭｇＨ２の少なくともいずれか１種を含む請求項１３に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項18】
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、さらに有機バインダを含む請求項１３に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項19】
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、さらに、金属を除く複数個の無機フィラーを含む請求項１３に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項20】
前記ビアペーストを焼成することにおいて、焼成雰囲気は９９．９％以上のＡｒ雰囲気または１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気である請求項１３に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項21】
前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記セラミックス基板の前記第１面側からレーザ光を照射して前記貫通孔を形成する請求項１３に記載の焼結体基板の製造方法。
【請求項22】
請求項１３から請求項２１のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法により製造した焼結体基板を準備することと、
前記焼結体基板に、素子電極を持つ発光素子を配置することと、を含み、
前記焼結体基板を準備することにおいて、前記貫通孔に充填されたビアペーストを焼成することにより、ビアとなり、
前記発光素子を配置することにおいて、前記ビアと、前記素子電極と、を電気的に接続する、発光装置の製造方法。
前記焼結体基板に、素子電極を持つ発光素子を配置することと、を含み、
前記焼結体基板を準備することにおいて、前記貫通孔に充填されたビアペーストを焼成することにより、ビアとなり、
前記発光素子を配置することにおいて、前記ビアと、前記素子電極と、を電気的に接続する、発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、セラミックス基板に使用されるビア材は低融点金属粉と高融点金属粉と活性金属粉とからなることが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第６１２２５６１号公報
【特許文献2】特許第５９２２７３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示に係る実施形態は、放熱性の高い焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に開示される焼結体基板は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有し、前記第１面の前記貫通孔の開口面積が前記第２面の前記貫通孔の開口面積よりも大きいセラミックス基板と、前記貫通孔内に配置されたビアと、を備え、前記ビアは、第１金属と、前記第１金属よりも融点の低い第２金属と、前記貫通孔を画定する内壁に配置される金属化合物と、を含み、前記セラミックス基板における前記第１面の前記貫通孔の形状は、平面視において多角形であり、前記第１金属及び前記第２金属は、前記セラミックス基板よりも熱伝導率が高い。
【0006】
実施形態に開示される発光装置は、前記した焼結体基板と、素子電極を持つ発光素子と、を備え、前記焼結体基板の前記ビアと、前記素子電極と、を電気的に接続し、底面視において、前記焼結体基板における前記第２面の前記貫通孔の開口面積と、前記素子電極の面積と、は±１０％以内である。
【0007】
また、実施形態に開示される焼結体基板の製造方法は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有し、前記第１面の前記貫通孔の開口面積が前記第２面の前記貫通孔の開口面積よりも大きいセラミックス基板を準備することと、前記貫通孔にビアペーストを充填することと、前記ビアペーストを焼成することと、を含み、前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記セラミックス基板における前記第１面の前記貫通孔の形状は、平面視において多角形であり、前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、複数個の第１金属粉体と、複数個の第２金属粉体と、複数個の活性金属粉体と、を含み、前記第１金属粉体及び前記第２金属粉体の熱伝導率は、前記セラミックス基板の熱伝導率よりも高く、前記ビアペーストを焼成することにおいて、焼成温度は、前記第１金属粉体の融点以下であり前記第２金属粉体の融点以上である。
【0008】
また、実施形態に開示されるセ発光装置の製造方法は、前記した焼結体基板の製造方法により製造した焼結体基板を準備することと、前記焼結体基板に、素子電極を持つ発光素子を配置することと、を含み、前記焼結体基板を準備することにおいて、前記貫通孔に充填されたビアペーストを焼成することにより、ビアとなり、前記発光素子を配置することにおいて、前記ビアと、前記素子電極と、を電気的に接続する
【発明の効果】
【0009】
本開示の実施形態によれば、放熱性の高い焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施形態に係る焼結体基板を模式的に示す斜視断面図である。
【図2】実施形態に係る焼結体基板を模式的に示す平面図である。
【図4A】実施形態に係る焼結体基板の一部の貫通孔内を例示する断面図である。
【図4B】実施形態に係る焼結体基板の一部の貫通孔を例示する平面図である。
【図5】実施形態に係る焼結体基板の製造方法を例示するフローチャートである。
【図6A】実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板を模式的に示す断面図である。
【図6B】実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板に貫通孔を形成した状態を模式的に示す断面図である。
【図6C】実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板の貫通孔にビアペーストを充填する状態を模式的に示す断面図である。
【図6D】実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、導電ペーストを配置した状態を模式的に示す断面図である。
【図6E】実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、ビアペーストを焼成した状態を模式的に示す断面図である。
【図7】実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。
【図8】実施形態に係る発光装置の断面図である。
【図9】実施形態に係る発光素子と焼結体基板の貫通孔の傾斜面との関係を示す説明図である。
【図10】実施形態に係る発光装置の製造方法を例示するフローチャートである。
【図11A】実施形態に係る発光装置の製造方法において焼結体基板に接合部材を配置した状態を例示する断面図である。
【図11B】実施形態に係る発光装置の製造方法において発光素子を配置した状態を示す断面図である。
【図11C】実施形態に係る発光装置の製造方法において光反射部材を配置した状態を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本開示に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本開示に係る技術的思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、発明を以下のものに限定しない。一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。また、図面は実施形態を概略的に示すものであり、説明を明確にするため、各部材のスケールや間隔、位置関係等を誇張し、あるいは、部材の一部の図示を省略している場合がある。各図において示す方向は、構成要素間の相対的な位置を示し、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。なお、同一の名称、符号については、原則として、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、実施形態について、「覆う」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。
【0012】
［焼結体基板］
実施形態に係る焼結体基板１０を、図１Ａから図４を参照しながら説明する。なお、図１は、実施形態に係る焼結体基板を模式的に示す斜視断面図である。図２は、実施形態に係る焼結体基板を模式的に示す平面図である。図３Ａは、図２のＩＩＩＡ－ＩＩＩＡ線における断面図である。図３Ｂは、図２のＩＩＩＢ－ＩＩＩＢ線における断面図である。図４Ａは、実施形態に係る焼結体基板の一部の貫通孔内を例示する断面図である。図４Ｂは、実施形態に係る焼結体基板の一部の貫通孔を例示する平面図である。
実施形態に係る焼結体基板１０を、図１Ａから図４を参照しながら説明する。なお、図１は、実施形態に係る焼結体基板を模式的に示す斜視断面図である。図２は、実施形態に係る焼結体基板を模式的に示す平面図である。図３Ａは、図２のＩＩＩＡ－ＩＩＩＡ線における断面図である。図３Ｂは、図２のＩＩＩＢ－ＩＩＩＢ線における断面図である。図４Ａは、実施形態に係る焼結体基板の一部の貫通孔内を例示する断面図である。図４Ｂは、実施形態に係る焼結体基板の一部の貫通孔を例示する平面図である。
【0013】
焼結体基板１０は、第１面１Ａ及び第１面１Ａの反対側となる第２面１Ｂを持ち、第１面１Ａと第２面１Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔２を有し、第１面１Ａの貫通孔２の開口面積が第２面１Ｂの前記貫通孔２の開口面積よりも大きいセラミックス基板１と、貫通孔２内に配置されたビア３と、を備えている。そして、ビア３は、第１金属４と、第１金属４よりも融点の低い第２金属５と、貫通孔２を画定する内壁に配置される金属化合物６と、を含んでいる。また、セラミックス基板１における第１面１Ａの貫通孔２の形状は、平面視において多角形としている。さらに、第１金属４及び第２金属５は、セラミックス基板１よりも熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・ｋ以上１３０Ｗ／ｍ・ｋ以下程度高い。
【0014】
なお、焼結体基板１０では、セラミックス基板１に実装する発光素子２０の大きさの種類が複数となる前提で説明する。ここでは、一例として、発光素子２０の大きさが２種類である場合のセラミックス基板１の構成である場合について説明する。もちろん、焼結体基板１０は、セラミックス基板１に実装する発光素子２０の大きさの種類が１種類であっても、３種類以上であっても構わない。
以下、焼結体基板１０の各構成について説明する。
以下、焼結体基板１０の各構成について説明する。
【0015】
（セラミックス基板）
セラミックス基板１は、焼結体基板１０の基礎となる板状の部材である。セラミックス基板１の平面視形状は、例えば矩形状である。なお、セラミックス基板１の平面視形状は特に限定されない。セラミックス基板１は、既に焼成されたものが使用される。セラミックス基板１は、一例として、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素の少なくとも１種を含むものであることが好ましい。なお、セラミックス基板１は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などの窒化物系セラミックスが好ましいが、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化カルシウム、酸化マグネシウムなどの酸化物系セラミックスを使用してもよい。また、セラミックス基板１は、酸化ベリリウム、炭化ケイ素、ムライト、ホウケイ酸ガラス等も使用してもよい。
セラミックス基板１は、焼結体基板１０の基礎となる板状の部材である。セラミックス基板１の平面視形状は、例えば矩形状である。なお、セラミックス基板１の平面視形状は特に限定されない。セラミックス基板１は、既に焼成されたものが使用される。セラミックス基板１は、一例として、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素の少なくとも１種を含むものであることが好ましい。なお、セラミックス基板１は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などの窒化物系セラミックスが好ましいが、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化カルシウム、酸化マグネシウムなどの酸化物系セラミックスを使用してもよい。また、セラミックス基板１は、酸化ベリリウム、炭化ケイ素、ムライト、ホウケイ酸ガラス等も使用してもよい。
【0016】
セラミックス基板１は、第１面１Ａと第２面１Ｂとを繋ぐように貫通するように板厚方向に貫通孔２が所定位置に設置され、貫通孔２の内部にビア３が配置される。セラミックス基板１の貫通孔２は、内部に配置されるビア３を介して発光素子２０の素子電極２４と、セラミックス基板１の外部に配置される外部電極と、を電気的に接続するためのビアホールである。セラミックス基板１では、一例として貫通孔２の最大径の異なる大きさごとに貫通孔群が２種類ある。すなわち、セラミックス基板１は、貫通孔２として、基板中央に整列する第１貫通孔群となる第１貫通孔２Ａと、第１貫通孔２Ａの左右に配列して第２貫通孔群となる第２貫通孔２Ｂとを備えている。なお、一例として２種類の貫通孔２を備えたセラミックス基板１を用いて説明しているが、これに限定されない。また、第１貫通孔群及び第２貫通孔群において、第１貫通孔２Ａ及び第２貫通孔２Ｂが、大きさが異なるのみで構成される形状や条件は共通するため、以下では貫通孔２として説明する。明細書において、貫通孔の最大径とは、多角形である貫通孔における対角線のうち最も長いものを指す。貫通孔の最大径は０．０５ｍｍ以上０.５ｍｍ以下である。
【0017】
貫通孔２は、一例として複数有り、いずれもセラミックス基板１の第１面１Ａの開口面積が、セラミックス基板１の第２面１Ｂの開口面積よりも大きくなっている。貫通孔２は多角形に形成されており、一例として、長方形や正方形などの四角形である矩形に形成されている。そして、第２面１Ｂの貫通孔２の形状は、底面視において、第１面１Ａの貫通孔２と相似形であることが好ましい。つまり、貫通孔２の第１面１Ａの開口形状が矩形であったとき、貫通孔２の第２面１Ｂの開口形状も大きさの異なる同じ矩形である。貫通孔２の開口形状は、多角形であることが好ましく、正多角形であることが特に好ましい。貫通孔２の開口形状は、平面視において四角形であれば台形の形状や平行四辺形の形状を採ることができる。また、貫通孔２の開口形状は、四角形の他、三角形や五角形や六角形であってもよい。貫通孔２の開口形状が多角形であることで、第１面１Ａ側の開口面積を大きくすることができる。なお、貫通孔２の開口形状は、実装部品電極の形状や面積に対応させて形成されることが好ましい。なお、多角形の貫通孔２は、二つの連続する辺の頂角が、厳密に直線同士が接続して構成されるもの以外でもよく、例えば、小さな円弧で直線同士が接続されるような角が丸みを帯びている状態の多角形様の形状であってもよい。また、貫通孔２は、中央の貫通孔群と、その左右の貫通孔群とにおいて、貫通孔群ごとに同じ孔径となるように図示しているが、貫通孔群が異なる孔径の貫通孔２を配置する構成であっても構わない。
【0018】
貫通孔２は、セラミックス基板１に対して垂直方向に切断した際に、その形状が略台形であることが好ましい。つまり、第１面１Ａから第２面１Ｂに亘る方向に切断したときに、貫通孔２の形状が第１面１Ａに向かって末広がりとなる台形形状になっていることが好ましい。そして、貫通孔２の最大径は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。貫通孔２が０．０５ｍｍ以上であると、焼成前のビアペースト３Ａの充填が的確に行いやすくなる。また、貫通孔２が０．５ｍｍ以下であると、強度を高く維持することができ、充填されるビアペースト３Ａの量の無駄を減らすことができる。
【0019】
さらに、貫通孔２の第２面１Ｂ側の開口面積は、実装される実装部品電極（例えば素子電極）の面積に対して６０％以上２００％以下であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがさらに好ましい。そして、第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積は、実装される実装部品電極（例えば素子電極）の面積に対して１９０％以下であることがより好ましく、１８０％以下であることがさらに好ましい。第２面１Ｂの開口面積が実装部品電極の面積に対して６０％以上であると、放熱性を高めることができる。また、第２面１Ｂの開口面積が実装部品電極の面積に対して２００％以下であることで基板の剛性を保ち強度を維持することができる。
【0020】
また、焼結体基板１０における第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積と、後記する素子電極２４の面積と、は±１０％以内であることが好ましい。なお、第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積と、素子電極２４の面積と、の前記した関係は、第１面１Ａの貫通孔２の開口面積が第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積より広いことが前提である。また、第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積が素子電極２４の面積に対して６０％以上２００％以下である場合においても、第１面１Ａの貫通孔２の開口面積が第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積より大きいことが前提である。さらに、第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積と、素子電極２４の面積と、は±１０％以内である関係では、第１面１Ａの貫通孔２の開口面積が素子電極２４の面積に対して６０％以上２００％以下である場合おいて、第１面１Ａの貫通孔２の開口面積が第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積より広いことが前提である。
【0021】
貫通孔２は、実装部品電極が接合される側となる第２面１Ｂの開口面積より外部配線基板５０等と接続される第１面１Ａの開口面積を広くすることで、焼結体基板１０の熱伝導率を向上させ放熱性を高めることができる。また、強度を保って剛性を維持した上での薄型化、信頼性等の性能向上が可能となる。貫通孔２は、一例として、レーザ加工で形成することや、機械的な加工で形成することや、エッチング等の化学的な加工で形成することができる。
貫通孔２には、内部にビア３が配置され、ビア３の少なくとも一部が接触するようにセラミックス基板１上に配線８が配置される。なお、配線８は、ここでは、発光素子２０と電気的な接続を行うための配線、配線パッドあるいは外部接続電極部分として用いられる。
貫通孔２には、内部にビア３が配置され、ビア３の少なくとも一部が接触するようにセラミックス基板１上に配線８が配置される。なお、配線８は、ここでは、発光素子２０と電気的な接続を行うための配線、配線パッドあるいは外部接続電極部分として用いられる。
【0022】
（ビア）
ビア３は、セラミックス基板１の貫通孔２内に配置されるものである。ビア３は、単独で、あるいは、配線８と共に、発光素子２０と電気的な接続を行う部材である。ビア３は、一例として、複数個の第１金属粉体４Ａと、複数個の第２金属粉体５Ａと、複数個の活性金属粉体６Ａと、を含んだ状態で焼成されることで、第１金属４と、第２金属５と、金属化合物の反応層６ａが貫通孔２の内側面に形成されていると共に、第２金属５の表面に金属化合物６の反応物６ｂが形成されている。なお、ビア３は、ここでは、焼成前のビアペースト３Ａでは、有機バインダ７Ｂ及び金属を除く無機フィラー７Ａ（図６Ｄ参照）を含んでおり、焼成後において、金属を除く無機フィラー７を含むものである。また、ここでいう「複数個」とは、粉体の数が複数あることを示している。
ビア３は、セラミックス基板１の貫通孔２内に配置されるものである。ビア３は、単独で、あるいは、配線８と共に、発光素子２０と電気的な接続を行う部材である。ビア３は、一例として、複数個の第１金属粉体４Ａと、複数個の第２金属粉体５Ａと、複数個の活性金属粉体６Ａと、を含んだ状態で焼成されることで、第１金属４と、第２金属５と、金属化合物の反応層６ａが貫通孔２の内側面に形成されていると共に、第２金属５の表面に金属化合物６の反応物６ｂが形成されている。なお、ビア３は、ここでは、焼成前のビアペースト３Ａでは、有機バインダ７Ｂ及び金属を除く無機フィラー７Ａ（図６Ｄ参照）を含んでおり、焼成後において、金属を除く無機フィラー７を含むものである。また、ここでいう「複数個」とは、粉体の数が複数あることを示している。
【0023】
ビア３は、セラミックス基板１の第２面１Ｂ側におけるビア３の面積が、実装部品電極である発光素子２０の素子電極２４の面積に対して６０％以上２００％以下であることが好ましい。ビア３は、貫通孔２の形状に沿って断面視形状が台形であるため、ビア３の素子電極２４の面積に対して６０以上であることで放熱性を向上させる。ビア３の素子電極２４の面積に対して２００％以下であることで、セラミックス基板１の強度を維持することができる。ビア３は、素子電極２４の面積に対して７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがさらに好ましく、９０％以上であることがより好ましく、１００％であることが最も好ましい。また、ビア３は、素子電極２４の面積に対して１９０％以下であることが好ましく、１８０％以下であることがさらに好ましく、１７０％以下であることがより好ましい。なお、図面では、ビア３の面積は、素子電極２４の面積に対して１００％として示している。
【0024】
ビア３は、一例として、焼成前の状態として、ビアペースト３Ａにおいて第１金属４となる第１金属粉体４Ａ、第２金属５となる第２金属粉体５Ａが合わせて６３質量％以上８５質量％以下、溶剤である有機バインダ７Ｂを５質量％以上１５質量％以下、金属を除く無機フィラー７を許容範囲の質量％で含み、それらの合計量に対して、活性金属粉体６Ａが３重量部以上を含むようにしている。活性金属粉体６Ａは、前記した合計量に対して５重量部以上であることがさらに好ましく、７重量部以上であることがより好ましい。活性金属粉体６Ａが３重量部以上であることで、貫通孔２の内側面に形成される反応層６ａと、反応物６ｂを確保することができる。そして、ビア３は、焼成後において、第１金属４が６０質量％以上８０質量％以下、第２金属５が３質量％以上２５質量％以下、金属化合物６が１質量％以上１５質量％以下として含まれる。そして、金属化合物６は、反応物６ｂとして第２金属５の周囲に配置されると共に、貫通孔２の内側面に金属化合物６の反応層６ａが偏析している状態で貫通孔２内に配置される。なお、活性金属粉体６Ａは、前記したように３重量部以上含むことで、金属化合物６の反応層６ａ及び金属化合物６の反応物６ｂを無機フィラー７Ａと共に、ビア３内に分散した状態とする。
【0025】
（第１金属）
第１金属４は、焼成前において第１金属粉体４Ａとして貫通孔２内に充填され焼成されることで、他の部材と共にビア３を構成する。第１金属４は、セラミックス基板１の熱伝導率よりも１０Ｗ／ｍ・ｋ以上１３０Ｗ／ｍ・ｋ以下程度高いものである。第１金属４は、一例として、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくともいずれか１種を含むことが好ましい。第１金属４は、特に、ＣｕあるいはＣｕ合金であることが好ましい。また、第２金属５にＡｇを使用せず、Ａｇよりも融点の低い第２金属５を使用する場合は、第１金属４にＡｇを使用してもよい。また、焼成前の第１金属粉体４Ａである場合、第１金属４の粒子径（メジアン径）が、０．０１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。特に小粒子径の銅粉の粒子径（メジアン径）は０．１μｍ以上０．５μｍ以下が好ましく、大粒子径の銅粉の粒子径（メジアン径）は２．０μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましい。明細書において特に断りのない限り、粒子径はメジアン径（Ｄ５０）のことを示しており、粒子径分布の測定方法はレーザ回折・散乱法で行っており、粒子径分布測定装置はマイクロトラック・ベル社製ＭＴ３３００ＩＩなどを使用することができる。また、第１金属粉体４Ａの融点は、１０５０℃以上２５００℃以下であることが好ましい。
第１金属４は、焼成前において第１金属粉体４Ａとして貫通孔２内に充填され焼成されることで、他の部材と共にビア３を構成する。第１金属４は、セラミックス基板１の熱伝導率よりも１０Ｗ／ｍ・ｋ以上１３０Ｗ／ｍ・ｋ以下程度高いものである。第１金属４は、一例として、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくともいずれか１種を含むことが好ましい。第１金属４は、特に、ＣｕあるいはＣｕ合金であることが好ましい。また、第２金属５にＡｇを使用せず、Ａｇよりも融点の低い第２金属５を使用する場合は、第１金属４にＡｇを使用してもよい。また、焼成前の第１金属粉体４Ａである場合、第１金属４の粒子径（メジアン径）が、０．０１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。特に小粒子径の銅粉の粒子径（メジアン径）は０．１μｍ以上０．５μｍ以下が好ましく、大粒子径の銅粉の粒子径（メジアン径）は２．０μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましい。明細書において特に断りのない限り、粒子径はメジアン径（Ｄ５０）のことを示しており、粒子径分布の測定方法はレーザ回折・散乱法で行っており、粒子径分布測定装置はマイクロトラック・ベル社製ＭＴ３３００ＩＩなどを使用することができる。また、第１金属粉体４Ａの融点は、１０５０℃以上２５００℃以下であることが好ましい。
【0026】
（第２金属）
第２金属５は、焼成前において第２金属粉体５Ａとして貫通孔２に充填され焼成されることで、他の部材と共にビア３を構成する。第２金属５は、セラミックス基板１の熱伝導率よりも１０Ｗ／ｍ・ｋ以上１３０Ｗ／ｍ・ｋ以下程度高いものである。また、第２金属５は、第１金属４よりも融点が低く、一例として、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金粉末の少なくとも１種を含むことが好ましい。第２金属５は、溶融前の状態において第１金属粉体４Ａの直径又は長径に対して、３％以上３０％以下の平均厚みを有するように第１金属粉体４Ａの周りに配置されており、焼成により溶融して第１金属４の周囲に位置している。
第２金属５は、焼成前において第２金属粉体５Ａとして貫通孔２に充填され焼成されることで、他の部材と共にビア３を構成する。第２金属５は、セラミックス基板１の熱伝導率よりも１０Ｗ／ｍ・ｋ以上１３０Ｗ／ｍ・ｋ以下程度高いものである。また、第２金属５は、第１金属４よりも融点が低く、一例として、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金粉末の少なくとも１種を含むことが好ましい。第２金属５は、溶融前の状態において第１金属粉体４Ａの直径又は長径に対して、３％以上３０％以下の平均厚みを有するように第１金属粉体４Ａの周りに配置されており、焼成により溶融して第１金属４の周囲に位置している。
【0027】
第２金属５は、焼成後において、セラミックス基板１が窒素を含有する、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素から選ばれる少なくとも１種である場合には、焼成後において、第１金属４の周囲に配置される部分の表面側に金属化合物６として窒化物金属の反応物６ｂを形成している。また、第２金属５は、金属化合物６としての窒化物金属である場合で、セラミックス基板１が窒化物を含む場合では、窒化物金属の成分と併せて、貫通孔２の内側面に窒化物金属の反応層６ａを形成する。
【0028】
（金属化合物）
金属化合物６は、焼成前では活性金属粉体６Ａであり、焼成後において、層状の反応層６ａを貫通孔２の内側面に配置すると共に、一部が金属化合物６の反応物６ｂとして第２金属５の周囲に配置することになる。そして、金属化合物６の反応層６ａは、セラミックス基板１の平均厚みと、貫通孔２の最大径と、の比であるアスペクト比が０．５の場合、金属化合物６の反応層６ａの平均厚みとして、１５μｍ以上２０μｍ以下となることが好ましい。さらに、アスペクト比が１．０のときに金属化合物６の反応層６ａの平均厚みは、７．５μｍ以上１０μｍ以下となることが好ましい。また、アスペクト比が２．０の場合、金属化合物６の反応層６ａの平均厚みは、５μｍ以上１０μｍ以下となることが好ましい。
金属化合物６は、焼成前では活性金属粉体６Ａであり、焼成後において、層状の反応層６ａを貫通孔２の内側面に配置すると共に、一部が金属化合物６の反応物６ｂとして第２金属５の周囲に配置することになる。そして、金属化合物６の反応層６ａは、セラミックス基板１の平均厚みと、貫通孔２の最大径と、の比であるアスペクト比が０．５の場合、金属化合物６の反応層６ａの平均厚みとして、１５μｍ以上２０μｍ以下となることが好ましい。さらに、アスペクト比が１．０のときに金属化合物６の反応層６ａの平均厚みは、７．５μｍ以上１０μｍ以下となることが好ましい。また、アスペクト比が２．０の場合、金属化合物６の反応層６ａの平均厚みは、５μｍ以上１０μｍ以下となることが好ましい。
【0029】
金属化合物６は、一例として、焼成前の活性金属粉体６Ａ（図６Ｄ参照）が、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、ＭｇＨ２の少なくともいずれか１種を含む材料であることが好ましい。また、金属化合物６は、特に、ＴｉＨ２が使用されることが好ましく、ＴｉＨ２（水素化チタン）を含むことで、セラミックス基板１の窒素を含む場合のセラミックス成分の窒素と反応し、セラミックス基板１との界面において、活性層となる反応層６ａを形成し、ビア３とセラミックス基板１との密着性を向上させ、ビア３が貫通孔２に対して強固に密着することになる。
金属化合物６の反応層６ａは、セラミックス基板１の平均厚みに対するアスペクト比において、前記したような平均厚みの範囲であることで、セラミックス基板１の厚みを薄くすると共に、ビア３の接合強度を向上させることができる。
金属化合物６の反応層６ａは、セラミックス基板１の平均厚みに対するアスペクト比において、前記したような平均厚みの範囲であることで、セラミックス基板１の厚みを薄くすると共に、ビア３の接合強度を向上させることができる。
【0030】
（無機フィラー）
無機フィラー７は、ビア３内に分散してクラックの発生を抑制する。焼成前の無機フィラー７Ａ（図６Ｄ参照）は、一例として、金属を除く複数個の粒状の部材であり、セラミックスフィラーとして、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などの無機フィラー、ガラスフィラーなどが挙げられる。なお、焼成前の無機フィラー７Ａは、ビアペースト３Ａに、他の含有物の効果を妨げない範囲の含有量で含有される。
無機フィラー７は、ビア３内に分散してクラックの発生を抑制する。焼成前の無機フィラー７Ａ（図６Ｄ参照）は、一例として、金属を除く複数個の粒状の部材であり、セラミックスフィラーとして、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などの無機フィラー、ガラスフィラーなどが挙げられる。なお、焼成前の無機フィラー７Ａは、ビアペースト３Ａに、他の含有物の効果を妨げない範囲の含有量で含有される。
【0031】
（有機バインダ）
有機バインダ７Ｂは、焼成前のビアペースト３Ａに含有される部材である。この有機バインダ７Ｂは、焼成後には蒸発してビア３内には残留していない状態となる。有機バインダ７Ｂは、一例として、一般的にビア材として使用される溶剤及び樹脂材料であってもよい。
有機バインダ７Ｂは、焼成前のビアペースト３Ａに含有される部材である。この有機バインダ７Ｂは、焼成後には蒸発してビア３内には残留していない状態となる。有機バインダ７Ｂは、一例として、一般的にビア材として使用される溶剤及び樹脂材料であってもよい。
【0032】
（配線）
配線８は、予め設定されたセラミックス基板１に配置される配線パターンであり、配線パッドあるいは外部接続電極等を形成する導電性の部材である。配線８は、例えば、焼成前は導電ペースト８Ａ（図６Ｄ参照）として配置される。配線８は、ビア３の少なくとも一部に接するように配置され、ここでは、セラミックス基板１の第１面１Ａ側及び第２面１Ｂ側のそれぞれのビア３の端面に接触して覆うように配置されている。配線の厚さは、例えば１２μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましい。配線８は、例えば、エッチングによって形成することができる。なお、配線８は、一例として、矩形のビア３の端面全部に接するように、矩形として図示しているが、その形状や配置は任意であり限定されるものではない。
配線８は、予め設定されたセラミックス基板１に配置される配線パターンであり、配線パッドあるいは外部接続電極等を形成する導電性の部材である。配線８は、例えば、焼成前は導電ペースト８Ａ（図６Ｄ参照）として配置される。配線８は、ビア３の少なくとも一部に接するように配置され、ここでは、セラミックス基板１の第１面１Ａ側及び第２面１Ｂ側のそれぞれのビア３の端面に接触して覆うように配置されている。配線の厚さは、例えば１２μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましい。配線８は、例えば、エッチングによって形成することができる。なお、配線８は、一例として、矩形のビア３の端面全部に接するように、矩形として図示しているが、その形状や配置は任意であり限定されるものではない。
【0033】
この配線８は、例えば、ビア３と同じ部材を使用してもよく、又は、金属部材として銅箔を使用してもよい。さらに、配線８の材料は、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム等の単体若しくはその合金や混合粉末と樹脂バインダとの混合物であってもよい。樹脂バインダは、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。また、配線８には有機酸等の還元剤を含むことが好ましい。これにより接続における電気抵抗を小さくすることができる。
【0034】
上記のような構成を備える焼結体基板１０は、貫通孔２は、第１面１Ａの開口面積よりも第２面１Ｂの開口面積が大きく、第２金属５が第１金属４よりも融点が低く、さらに、第１金属４及び第２金属５がセラミックス基板１よりも熱伝導率が高い。そのため、焼結体基板１０は、熱伝導率を向上させ放熱性を高め、かつ、強度を保って剛性を維持した上での薄型化、信頼性等の性能アップが可能となる。
【0035】
［セラミック焼結体基板の製造方法］
次に、実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法を、図５から図６Ｅを参照しながら説明する。図５は、実施形態に係る焼結体基板の製造方法を例示するフローチャートである。図６Ａは、実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板を模式的に示す断面図である。図６Ｂは、実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板に貫通孔を形成した状態を模式的に示す断面図である。図６Ｃは、実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板の貫通孔にビアペーストを充填する状態を模式的に示す断面図である。図６Ｄは、実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、導電ペーストを配置した状態を模式的に示す断面図である。図６Ｅは、実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、ビアペーストを焼成した状態を模式的に示す断面図である。
次に、実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法を、図５から図６Ｅを参照しながら説明する。図５は、実施形態に係る焼結体基板の製造方法を例示するフローチャートである。図６Ａは、実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板を模式的に示す断面図である。図６Ｂは、実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板に貫通孔を形成した状態を模式的に示す断面図である。図６Ｃは、実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、セラミックス基板の貫通孔にビアペーストを充填する状態を模式的に示す断面図である。図６Ｄは、実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、導電ペーストを配置した状態を模式的に示す断面図である。図６Ｅは、実施形態に係る焼結体基板の製造方法において、ビアペーストを焼成した状態を模式的に示す断面図である。
【0036】
セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ１０は、第１面１Ａ及び第１面１Ａの反対側となる第２面１Ｂを持ち、第１面１Ａと第２面１Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔２を有し、第１面１Ａの貫通孔２の開口面積が第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積よりも大きいセラミックス基板を準備することＳ１１と、貫通孔にビアペーストを充填することＳ１２と、ビアペーストを焼成することＳ１４と、を含んでいる。そして、セラミックス基板１を準備することＳ１１において、セラミックス基板１における第１面１Ａの貫通孔２の形状は、平面視において多角形であり、ビアペーストを充填することＳ１２において、ビアペースト３Ａは、複数個の第１金属粉体４Ａと、複数個の第２金属粉体５Ａと、複数個の活性金属粉体６Ａと、を含み、第１金属粉体４Ａ及び第２金属粉体５Ａの熱伝導率は、セラミックス基板１の熱伝導率よりも高く、ビアペーストを焼成することＳ１４において、焼成温度は、第１金属粉体４Ａの融点以下であり第２金属粉体５Ａの融点以上である。例えば、焼成温度は、第２金属粉体５ＡにＡｇ－Ｃｕを使用する場合は７８０℃以上、好ましくは８００℃以上、更に好ましくは８５０℃以上が好ましい。また、第１金属粉体４ＡにＣｕを使用し、第２金属粉体５ＡにＡｇを使用する場合は、９７０℃以上であることが好ましい。なお、貫通孔にビアペーストを充填することＳ１２の後でビアペーストに接触するように導電ペーストを配置することＳ１３を、ビアペーストを焼成することＳ１４の前に行うこととしている。
【0037】
（セラミックス基板を準備すること）
セラミックス基板を準備することＳ１１（以下、工程Ｓ１１という）は、第１面１Ａと第２面１Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔２を有するセラミックス基板を準備する。この工程Ｓ１１では、準備するセラミックス基板１において、第１面の貫通孔２の開口面積が第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積よりも大きく形成されている。工程Ｓ１１では、例えば、既に焼成されたセラミックス基板が使用される。工程Ｓ１１では、一例として、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素の少なくともいずれか１種を含む材料の平板状の基板が使用している。この工程Ｓ１１において、準備されたセラミックス基板１は、例えば、セラミックス基板１の第１面１Ａ側からレーザ光を照射するレーザ加工等により後記する発光素子２０の素子電極２４等の接続部分に対応した数の貫通孔２が形成されている。セラミックス基板１は、発光素子２０を一つ配置する場合には、一例として、２か所に貫通孔２が形成される。なお、セラミックス基板１は、複数の発光素子２０を配置する面積の大きさ、及び、素子電極２４の数に対応した数の貫通孔２を形成した状態で準備されることや、所定の数の発光素子２０を配置する大きさに切断されて準備されることとしてもよい。
セラミックス基板を準備することＳ１１（以下、工程Ｓ１１という）は、第１面１Ａと第２面１Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔２を有するセラミックス基板を準備する。この工程Ｓ１１では、準備するセラミックス基板１において、第１面の貫通孔２の開口面積が第２面１Ｂの貫通孔２の開口面積よりも大きく形成されている。工程Ｓ１１では、例えば、既に焼成されたセラミックス基板が使用される。工程Ｓ１１では、一例として、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素の少なくともいずれか１種を含む材料の平板状の基板が使用している。この工程Ｓ１１において、準備されたセラミックス基板１は、例えば、セラミックス基板１の第１面１Ａ側からレーザ光を照射するレーザ加工等により後記する発光素子２０の素子電極２４等の接続部分に対応した数の貫通孔２が形成されている。セラミックス基板１は、発光素子２０を一つ配置する場合には、一例として、２か所に貫通孔２が形成される。なお、セラミックス基板１は、複数の発光素子２０を配置する面積の大きさ、及び、素子電極２４の数に対応した数の貫通孔２を形成した状態で準備されることや、所定の数の発光素子２０を配置する大きさに切断されて準備されることとしてもよい。
【0038】
また、この工程Ｓ１１において、セラミックス基板１に形成された貫通孔２は、平面視の形状が多角形に形成され、セラミックス基板１に対して垂直方向に切断した際に、貫通孔２は台形であり、貫通孔２の最大径が、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。貫通孔２は、後記するビアペースト３Ａが充填されるため、貫通孔２の最大径が０．０５ｍｍ以上になると、ビアペースト３Ａの粘性やフィラー粒形との関係で、充填がし易くなる。また、貫通孔２の最大径が０．５ｍｍ以下であると、ビアペースト３Ａの充填量を減らすことができる。このため、貫通孔２を形成する場合には、形成する貫通孔２の最大径は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であるのが好ましい。また、この工程Ｓ１１で準備されるセラミックス基板１は、一例として、貫通孔２が最大径の異なる大きさの貫通孔群を、２種類備えるように形成している。貫通孔２は、一例として、図２、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、セラミックス基板１の中央に一定の間隔を空けて整列する第１貫通孔２Ａを形成した第１貫通孔群と、第１貫通孔２Ａの左右に一定の間隔を空けて整列する第２貫通孔を形成した第２貫通孔群とを備えている。貫通孔の大きさおよび貫通孔群の数は、後記するように実装する実装部品の電極の大きさいに対応して形成される。また、貫通孔２は、一例として、第１面１Ａの開口形状と第２面の開口形状とが矩形で相似形となるように形成されている。
【0039】
（ビアペーストを充填すること）
ビアペーストを充填することＳ１２（以下、工程Ｓ１２という）は、セラミックス基板１に形成された貫通孔２にビアペースト３Ａを充填することである。この工程Ｓ１２では、例えば、スクリーン印刷やノズルにより注入することにより、貫通孔２にビアペースト３Ａを充填している。充填するビアペースト３Ａは、一例として、第１金属粉体４Ａ及び第２金属粉体５Ａが６３質量％以上８５質量％以下、活性金属粉体６Ａが１質量％以上１５質量％以下と、溶剤である有機バインダ７Ｂを５質量％以上１５質量％以下含み、金属を除く無機フィラー７Ａを許容範囲の質量％で含むものである。なお、活性金属粉体６Ａは、他の部材の全体を１００としたときに３重量部以上となるように含んでいることが好ましい。
ビアペーストを充填することＳ１２（以下、工程Ｓ１２という）は、セラミックス基板１に形成された貫通孔２にビアペースト３Ａを充填することである。この工程Ｓ１２では、例えば、スクリーン印刷やノズルにより注入することにより、貫通孔２にビアペースト３Ａを充填している。充填するビアペースト３Ａは、一例として、第１金属粉体４Ａ及び第２金属粉体５Ａが６３質量％以上８５質量％以下、活性金属粉体６Ａが１質量％以上１５質量％以下と、溶剤である有機バインダ７Ｂを５質量％以上１５質量％以下含み、金属を除く無機フィラー７Ａを許容範囲の質量％で含むものである。なお、活性金属粉体６Ａは、他の部材の全体を１００としたときに３重量部以上となるように含んでいることが好ましい。
【0040】
この工程Ｓ１２において、第１金属粉体４Ａは、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくともいずれか１種を含むことが好ましく、一例として、Ｃｕの粉体を用いることとする。ただし、第２金属粉体５ＡにＡｇを使用せず、Ａｇよりも融点の低い第２金属粉体５Ａを使用する場合は、第１金属粉体４ＡにＡｇを使用してもよい。また、第２金属粉体５Ａは、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金粉末の少なくともいずれか１種を含むことが好ましく、一例として、Ａｇ－Ｃｕ合金粉末を用いている。そして、第２金属粉体５Ａの融点は、２００℃以上１０００℃以下であることが好ましい。この工程Ｓ１２において、第１金属粉体４Ａのメジアン径は、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。さらに、第１金属粉体４Ａの融点は、１０５０℃以上２５００℃以下であることが好ましい。
【0041】
この工程Ｓ１２において、活性金属粉体６Ａは、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、ＭｇＨ２の少なくともいずれか１種を含むことが好ましく、一例として、ＴｉＨ２を用いることとする。なお、工程Ｓ１２では、ビアペースト３Ａを貫通孔２に充填する場合、セラミックス基板１の一方の面である第１面１Ａから、例えば、スクリーン印刷に使用される工具であるスキージを用いてビアペースト３Ａを貫通孔２に充填し、さらに、セラミックス基板１の他方の面である第２面１Ｂから、第１面１Ａと同様にスキージを用いてビアペースト３Ａを貫通孔２に充填することが好ましい。
【0042】
（導電ペーストを配置すること）
次に、導電ペースト８Ａを配置することＳ１３（以下、工程Ｓ１３という）を行う。この工程Ｓ１３は、貫通孔２に充填したビアペースト３Ａと少なくとも一部が接触するようにセラミックス基板１上に配線８となる導電ペースト８Ａを配置することである。この工程Ｓ１３では、セラミックス基板１の貫通孔２から露出しているビアペースト３Ａの全面に接触するように導電ペースト８Ａが配置される。導電ペースト８Ａは、一例として、セラミックス基板１の第１面に２か所、セラミックス基板１の第２面に２か所の合計４箇所に、矩形に配置される。そして、導電ペースト８Ａは、スクリーン印刷、メタルマスク印刷等によりマスクを介して矩形の配線あるいは配線パッドを、セラミックス基板１の第１面１Ａ上及び第２面１Ｂ上に形成している。
なお、工程Ｓ１２及び工程Ｓ１３で使用されるビアペースト３Ａ及び導電ペースト８Ａは、流動性を有しており、任意の形状の貫通孔２に充填が自在でできると共に、任意の形状、厚みに塗布した後に硬化させることで配置することができる。また、導電ペースト８Ａの面積は、ビアペースト３Ａの第１面１Ａ及び第２面１Ｂでの面積と同等の広さとなるように配置している。
次に、導電ペースト８Ａを配置することＳ１３（以下、工程Ｓ１３という）を行う。この工程Ｓ１３は、貫通孔２に充填したビアペースト３Ａと少なくとも一部が接触するようにセラミックス基板１上に配線８となる導電ペースト８Ａを配置することである。この工程Ｓ１３では、セラミックス基板１の貫通孔２から露出しているビアペースト３Ａの全面に接触するように導電ペースト８Ａが配置される。導電ペースト８Ａは、一例として、セラミックス基板１の第１面に２か所、セラミックス基板１の第２面に２か所の合計４箇所に、矩形に配置される。そして、導電ペースト８Ａは、スクリーン印刷、メタルマスク印刷等によりマスクを介して矩形の配線あるいは配線パッドを、セラミックス基板１の第１面１Ａ上及び第２面１Ｂ上に形成している。
なお、工程Ｓ１２及び工程Ｓ１３で使用されるビアペースト３Ａ及び導電ペースト８Ａは、流動性を有しており、任意の形状の貫通孔２に充填が自在でできると共に、任意の形状、厚みに塗布した後に硬化させることで配置することができる。また、導電ペースト８Ａの面積は、ビアペースト３Ａの第１面１Ａ及び第２面１Ｂでの面積と同等の広さとなるように配置している。
【0043】
（ビアペーストを焼成すること）
次に、ビアペーストを焼成することＳ１４（以下、工程Ｓ１４という）を行う。この工程Ｓ１４では、焼成温度は、第１金属粉体４Ａの融点以下であり第２金属粉体５Ａの融点以上であればよく、例えば７８０℃以上の温度で行うことが好ましい。なお、この工程Ｓ１４では、焼成作業を行う場合、焼成雰囲気は９９．９％以上のＡｒ雰囲気または１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気であることが好ましい。そして、この工程Ｓ１４において、焼成温度は、８５０℃以上であることが好ましく、９００℃以上であることがより好ましい。焼成温度は、第１金属粉体４Ａが溶融せず、第２金属粉体５Ａが溶融する温度である。これにより熱伝導率の高い金属、例えば、ＣｕやＡｇを使用することができる。なお、この工程Ｓ１４では、セラミックス基板１のビアペースト３Ａ及び導電ペースト８Ａを焼成するために、セラミックス基板１を電気炉等に入れ、前記した雰囲気中で焼成作業を行っている。
次に、ビアペーストを焼成することＳ１４（以下、工程Ｓ１４という）を行う。この工程Ｓ１４では、焼成温度は、第１金属粉体４Ａの融点以下であり第２金属粉体５Ａの融点以上であればよく、例えば７８０℃以上の温度で行うことが好ましい。なお、この工程Ｓ１４では、焼成作業を行う場合、焼成雰囲気は９９．９％以上のＡｒ雰囲気または１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気であることが好ましい。そして、この工程Ｓ１４において、焼成温度は、８５０℃以上であることが好ましく、９００℃以上であることがより好ましい。焼成温度は、第１金属粉体４Ａが溶融せず、第２金属粉体５Ａが溶融する温度である。これにより熱伝導率の高い金属、例えば、ＣｕやＡｇを使用することができる。なお、この工程Ｓ１４では、セラミックス基板１のビアペースト３Ａ及び導電ペースト８Ａを焼成するために、セラミックス基板１を電気炉等に入れ、前記した雰囲気中で焼成作業を行っている。
【0044】
工程Ｓ１４により、焼結体基板１０を製造することができる。焼結体基板１０では、ビアペースト３Ａが焼成されることでビア３となる。そして、ビア３において、金属化合物６の反応層６ａが貫通孔２の内側面に形成され、金属化合物６の反応物６ｂが、第２金属粉体５Ａが焼成された第２金属５の周囲に位置するようになる。また、第１金属粉体４Ａが第１金属４として第２金属５と共にビア３の全体の構成となる。
【0045】
焼結体基板１０では、セラミックス基板１の平均厚みと、貫通孔２の最大径と、の比であるアスペクト比が０．５の場合、金属化合物６の反応層６ａの平均厚みとして、１５μｍ以上２０μｍ以下となり、アスペクト比が１．０のときに金属化合物６の反応層６ａの平均厚みは、７．５μｍ以上１０μｍ以下となり、また、アスペクト比が２．０の場合、金属化合物６の反応層６ａの平均厚みは、５μｍ以上１０μｍ以下となることが好ましい。このようなアスペクト比における金属化合物６の反応層６ａの平均厚みを備えることで、ビア３の貫通孔２における接合強度をより確実に高めることができる。
なお、金属化合物６は、例えば、窒化物化合物として反応層６ａ及び反応物６ｂを形成することが好ましい。ビアペースト３Ａにより焼成後に窒化物金属の反応層６ａが形成されることで、ビア３が貫通孔２に強度に接合した状態となる。そして、第１金属４及び第２金属５がセラミックス基板１よりも熱伝導率が高く、貫通孔２の第１面１Ａの開口面積が第２面１Ｂの開口面積よりも大きいため、放熱性に優れる。したがって、焼結体基板１０は、放熱性を高め、かつ、強度を維持して、信頼性が高い構成を実現できる。
なお、金属化合物６は、例えば、窒化物化合物として反応層６ａ及び反応物６ｂを形成することが好ましい。ビアペースト３Ａにより焼成後に窒化物金属の反応層６ａが形成されることで、ビア３が貫通孔２に強度に接合した状態となる。そして、第１金属４及び第２金属５がセラミックス基板１よりも熱伝導率が高く、貫通孔２の第１面１Ａの開口面積が第２面１Ｂの開口面積よりも大きいため、放熱性に優れる。したがって、焼結体基板１０は、放熱性を高め、かつ、強度を維持して、信頼性が高い構成を実現できる。
【0046】
［発光装置］
次に、実施形態に係る発光装置１００を、図７から図９を参照しながら説明する。図７は、実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。図８は、実施形態に係る発光装置の断面図である。図９は、実施形態に係る発光素子と焼結体基板の貫通孔の傾斜面との関係を示す説明図である。
発光装置１００は、焼結体基板１０に発光素子２０を配置して発光するようにした装置であり、図面では大きさの異なる２種類の発光素子２０が全部で１５個を配置した例としているが、発光素子２０の数は１つでも、また、同じ大きさでも、２種類以上の異なる大きさでもよく、その配置も一列状にすること等、特に限定されるもではない。
発光装置１００は、既に説明した焼結体基板１０と、焼結体基板１０の配線８に電気的に接続される発光素子２０と、を備えている。なお、発光装置１００は、発光素子２０側面及び焼結体基板１０上を覆う光反射部材３０を一例として配置しているものとして説明する。また、発光装置１００は、焼結体基板１０のビア３に電気的に接続されると共に、外部配線基板５０と焼結体基板１０とを電気的に接続した構成として説明する。
次に、実施形態に係る発光装置１００を、図７から図９を参照しながら説明する。図７は、実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。図８は、実施形態に係る発光装置の断面図である。図９は、実施形態に係る発光素子と焼結体基板の貫通孔の傾斜面との関係を示す説明図である。
発光装置１００は、焼結体基板１０に発光素子２０を配置して発光するようにした装置であり、図面では大きさの異なる２種類の発光素子２０が全部で１５個を配置した例としているが、発光素子２０の数は１つでも、また、同じ大きさでも、２種類以上の異なる大きさでもよく、その配置も一列状にすること等、特に限定されるもではない。
発光装置１００は、既に説明した焼結体基板１０と、焼結体基板１０の配線８に電気的に接続される発光素子２０と、を備えている。なお、発光装置１００は、発光素子２０側面及び焼結体基板１０上を覆う光反射部材３０を一例として配置しているものとして説明する。また、発光装置１００は、焼結体基板１０のビア３に電気的に接続されると共に、外部配線基板５０と焼結体基板１０とを電気的に接続した構成として説明する。
【0047】
発光装置１００では、実装部品電極である素子電極２４を持つ実装部品である発光素子２０が配置されており、セラミックス基板１の第２面１Ｂ側におけるビア３の面積は、素子電極２４の面積に対して６０％以上２００％以下であるようになっている。つまり、素子電極２４は、ビア３に接触している面積が、最小でも６０％であり、最大で１００％を超えるようになる。そのため、発光装置１００では、ビア３が第１面１Ａに向かって面積が大きくなるので、発光素子２０の点灯により生じる熱を放熱し易い状態になっている。なお、図９では、一例として、素子電極２４の電極幅Ｌ１１がビア３の第２面１Ｂ側での幅Ｄ１１と同等であり、それぞれの面積が同等（１００％）である状態を示している。そして、ビア３は、第１面１Ａ側の幅Ｄ１２が第２面１Ｂ側の幅Ｄ１１よりも広くなっており、ビア３の面積は、第２面１Ｂ側よりも第１面１Ａ側が大きくなっている。
【0048】
（発光素子）
発光素子２０は、一対の素子電極２４と、発光素子２０の光取出し面側に配置される透光性部材２３と、素子基板２２と、半導体積層体２１と、を有している。
発光素子２０は、一例として素子基板２２に半導体積層体２１を有し、本実施形態においては透光性部材２３が素子基板２２の光取出し面となる上面側に配置され、素子基板２２の下面側に半導体積層体２１を備え、半導体積層体２１側に一対の素子電極２４を有している。半導体積層体２１としては、所望とする発光波長に応じて任意の組成を用いることができるが、例えば、青色又は緑色の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）やＧａＰ、又は、赤色の発光が可能なＧａＡｌＡｓやＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。また、使用する目的に応じて発光素子２０の大きさや形状は適宜選択が可能である。
発光素子２０は、一対の素子電極２４と、発光素子２０の光取出し面側に配置される透光性部材２３と、素子基板２２と、半導体積層体２１と、を有している。
発光素子２０は、一例として素子基板２２に半導体積層体２１を有し、本実施形態においては透光性部材２３が素子基板２２の光取出し面となる上面側に配置され、素子基板２２の下面側に半導体積層体２１を備え、半導体積層体２１側に一対の素子電極２４を有している。半導体積層体２１としては、所望とする発光波長に応じて任意の組成を用いることができるが、例えば、青色又は緑色の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）やＧａＰ、又は、赤色の発光が可能なＧａＡｌＡｓやＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。また、使用する目的に応じて発光素子２０の大きさや形状は適宜選択が可能である。
【0049】
素子基板２２は、一例として、サファイア基板あるいはシリコン基板が使用される。素子基板２２の厚みは、例えば、２０μｍから２ｍｍが挙げられ、５０μｍから５００μｍが好ましく、８０μｍから１６０μｍがより好ましい。
【0050】
透光性部材２３は、例えば、透光性の樹脂材料からなり、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はこれらを混合した樹脂等を用いることができる。透光性部材２３は、蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子２０からの青色の光を吸収し、黄色の光を放射する蛍光体を含むことにより、白色の光を出射させることができる。また、透光性部材２３は、複数種類の蛍光体を含んでいてもよく、例えば、半導体積層体２１からの青色の光を吸収して、緑色の光を放射する蛍光体と、赤色の光を放射する蛍光体と、を含むことによっても、発光素子２０から白色の光を出射させることができる。
【0051】
このような蛍光体としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、βサイアロン蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）、αサイアロン蛍光体（例えば、Ｍｚ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素））、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ，Ａｌ）Ｆ６：Ｍｎ）、若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、又は、ペロブスカイト、カルコパイライト等の量子ドット蛍光体等を用いることができる。
【0052】
素子電極２４は、接合部材１１を介して焼結体基板１０の配線８に接続されている。素子電極２４は、一方がｐ電極であり、他方のｎ電極と電気的に短絡しない距離を保って配置されている。素子電極２４は、一例として、ｐ電極とｎ電極とをそれぞれ一か所ずつ配置する構成としているが、いずれか一方を２か所とし、他方を一か所に配置するような構成としても構わない。
なお、焼結体基板１０の貫通孔の開口面積と、素子電極の面積と、は±１０％以内であるようにすることが好ましい。ここでは、一例として、貫通孔２の最大径が０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であったときに、その±１０％の範囲内にあることが好ましい。
また、貫通孔２は、第１面１Ａから第２面1Ｂに向かって傾斜する傾斜面２ａを有し、傾斜面２ａの少なくとも一部が、素子電極２４の間の直下となる。貫通孔２の傾斜面２ａが素子電極２４の間の直下、つまり、発光素子２０の直下となることで、発光素子２０の下方に出た光を取り出し易くなる。
なお、焼結体基板１０の貫通孔の開口面積と、素子電極の面積と、は±１０％以内であるようにすることが好ましい。ここでは、一例として、貫通孔２の最大径が０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であったときに、その±１０％の範囲内にあることが好ましい。
また、貫通孔２は、第１面１Ａから第２面1Ｂに向かって傾斜する傾斜面２ａを有し、傾斜面２ａの少なくとも一部が、素子電極２４の間の直下となる。貫通孔２の傾斜面２ａが素子電極２４の間の直下、つまり、発光素子２０の直下となることで、発光素子２０の下方に出た光を取り出し易くなる。
【0053】
金属バンプ又は接合部材１１は、素子電極２４と配線８とを電気的に接続させるものである。金属バンプは、素子電極２４側に配置されることや、配線８側に配置されることのいずれであってもよい。また、金属バンプは、その形状、大きさ、数は、いずれも、素子電極２４の範囲で配置できる限り、適宜設定することができる。また、金属バンプの大きさは、半導体積層体の大きさ、求められる発光素子の発光出力等によって適宜調整することができ、例えば、最大直径が数十μｍから数百μｍ程度の大きさが挙げられる。
【0054】
金属バンプは、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、錫、白金、亜鉛、ニッケル又はこれらの合金により形成することができ、例えば当該分野で公知のスタッドバンプにより形成することができる。スタッドバンプは、スタッドバンプボンダー、ワイヤボンディング装置等により形成することができる。また、金属バンプは、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等の当該分野において公知の方法によって形成してもよい。
【0055】
接合部材１１は、例えば、錫－ビスマス系、錫－銅系、錫－銀系、金－錫系などの半田、金と錫とを主成分とする合金、金とケイ素とを主成分とする合金、金とゲルマニウムとを主成分とする合金等の共晶合金、あるいは、銀、金、パラジウムなどのペースト材、ＡＣＰ、ＡＣＦ等の異方性導電材、低融点金属のろう材、これらを組み合わせた導電性接着材、導電性複合接着材等が挙げられる。接合部材１１は、例えば、鍍金により配線８を配置した場合には配線８の上に、あるいは、配線８を配置しなかった場合にはビア３の上に塗布される。
【0056】
（光反射部材）
光反射部材３０は、光反射性を有する部材である。光反射部材３０は、焼結体基板１０における第１面上を覆うと共に、発光素子２０の側面を覆うように配置されている。また、光反射部材３０は、発光素子２０の光取出し面を露出するように配置され、発光素子２０の透光性部材２３と同一平面となるように配置されている。なお、光反射部材３０は、一例として、発光素子２０の下面と焼結体基板１０の上面（第１面）との間にも配置されている。
光反射部材３０は、光反射性を有する部材である。光反射部材３０は、焼結体基板１０における第１面上を覆うと共に、発光素子２０の側面を覆うように配置されている。また、光反射部材３０は、発光素子２０の光取出し面を露出するように配置され、発光素子２０の透光性部材２３と同一平面となるように配置されている。なお、光反射部材３０は、一例として、発光素子２０の下面と焼結体基板１０の上面（第１面）との間にも配置されている。
【0057】
光反射部材３０は、発光素子２０からの光を有効に利用するために、高い反射率を有し、白色であることが好ましい。光反射部材３０の反射率は、発光素子２０の発する光の波長において、例えば９０％以上であることが好ましく、９４％以上がより好ましい。
光反射部材３０は、樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂若しくはポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂、又は、エポキシ樹脂若しくはシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、光拡散材としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛又はガラス等の公知の材料を用いることができる。
光反射部材３０は、樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂若しくはポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂、又は、エポキシ樹脂若しくはシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、光拡散材としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛又はガラス等の公知の材料を用いることができる。
【0058】
セラミックス基板１は、一例として、外部配線基板５０に接続されている。外部配線基板５０は、板厚方向に貫通する貫通孔に導電部材が配置され、その導電部材とセラミックス基板の第１面１Ａに配置した配線８が接合部材１１を介して電気的に接続されている。
外部配線基板５０は、この種の発光装置１００で使用されるものであれば、特にその構成を限定されるものではない。
外部配線基板５０は、この種の発光装置１００で使用されるものであれば、特にその構成を限定されるものではない。
【0059】
上記のような構成を備える発光装置１００は、焼結体基板１０における貫通孔２の第１面１Ａの開口面積が第２面１Ｂの開口面積よりも大きくすることで、焼結体基板１０の強度をも確保して放熱性を高め信頼性を向上することができる。
なお、発光装置１００は、１５個の発光素子２０を１個のユニットとして明るさ及び点消灯の制御単位としているが、１個のユニットに含まれる発光素子２０ごとに点消灯の制御単位とすることや、発光素子２０の大きさや個数は、１個で１種類あるいは、複数個で３種類以上でもよい。例えば、１個の発光素子を１ユニットすることや、同じ大きさの発光素子２０を１行４列、あるいは、２行２列の４個の発光素子２０や３行３列の９個の発光素子２０を１個のユニットとすることができる。また、大きさの異なる発光素子２０を大きさごとに整列させて任意の配置にする構成を１個のユニットとしてもよい。
なお、発光装置１００は、１５個の発光素子２０を１個のユニットとして明るさ及び点消灯の制御単位としているが、１個のユニットに含まれる発光素子２０ごとに点消灯の制御単位とすることや、発光素子２０の大きさや個数は、１個で１種類あるいは、複数個で３種類以上でもよい。例えば、１個の発光素子を１ユニットすることや、同じ大きさの発光素子２０を１行４列、あるいは、２行２列の４個の発光素子２０や３行３列の９個の発光素子２０を１個のユニットとすることができる。また、大きさの異なる発光素子２０を大きさごとに整列させて任意の配置にする構成を１個のユニットとしてもよい。
【0060】
［発光装置の製造方法］
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法を図１０から図１１Ｃを参照して説明する。図１０は、実施形態に係る発光装置の製造方法を例示するフローチャートである。図１１Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において焼結体基板に接合部材を配置した状態を例示する断面図である。図１１Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において発光素子を配置した状態を示す断面図である。図１１Ｃは、実施形態に係る発光装置の製造方法において光反射部材を配置した状態を例示する断面図である。
発光装置の製造方法Ｓ２０は、既に説明した焼結体基板の製造方法Ｓ１０により製造した焼結体基板を準備することＳ２１と、焼結体基板に、素子電極を持つ発光素子を配置することＳ２２と、を含む。そして、焼結体基板を準備することＳ２１において、貫通孔２に充填されたビアペースト３Ａは、ビアペースト３Ａを焼成することにより、ビア３となり、発光素子を配置することＳ２２において、ビア３と、素子電極２４と、を電気的に接続している。なお、発光素子を配置することＳ２２の後に、一例として、発光素子２０側面及び焼結体基板１０上を覆う光反射部材を配置することＳ２３を行うものとして説明する。
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法を図１０から図１１Ｃを参照して説明する。図１０は、実施形態に係る発光装置の製造方法を例示するフローチャートである。図１１Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において焼結体基板に接合部材を配置した状態を例示する断面図である。図１１Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において発光素子を配置した状態を示す断面図である。図１１Ｃは、実施形態に係る発光装置の製造方法において光反射部材を配置した状態を例示する断面図である。
発光装置の製造方法Ｓ２０は、既に説明した焼結体基板の製造方法Ｓ１０により製造した焼結体基板を準備することＳ２１と、焼結体基板に、素子電極を持つ発光素子を配置することＳ２２と、を含む。そして、焼結体基板を準備することＳ２１において、貫通孔２に充填されたビアペースト３Ａは、ビアペースト３Ａを焼成することにより、ビア３となり、発光素子を配置することＳ２２において、ビア３と、素子電極２４と、を電気的に接続している。なお、発光素子を配置することＳ２２の後に、一例として、発光素子２０側面及び焼結体基板１０上を覆う光反射部材を配置することＳ２３を行うものとして説明する。
【0061】
（焼結体基板を準備すること）
焼結体基板を準備することＳ２１（以下、工程Ｓ２１という）とは、既に説明した焼結体基板の製造方法Ｓ１０によって製造した焼結体基板１０を準備することである。焼結体基板１０は、その第１面１Ａの開口面積が第２面１Ｂの開口面積よりも大きな貫通孔２に配置されたビア３と同じ面積の大きさの配線８がビア３ごとに配置されている。なお、焼結体基板１０は、発光素子２０を配置する領域が複数あり、後記する光反射部材３０を配置した後に、発光装置１００ごとに個片化する大きさとすることや、一つの発光装置１００ごとの大きさとすることであっても構わない。
焼結体基板を準備することＳ２１（以下、工程Ｓ２１という）とは、既に説明した焼結体基板の製造方法Ｓ１０によって製造した焼結体基板１０を準備することである。焼結体基板１０は、その第１面１Ａの開口面積が第２面１Ｂの開口面積よりも大きな貫通孔２に配置されたビア３と同じ面積の大きさの配線８がビア３ごとに配置されている。なお、焼結体基板１０は、発光素子２０を配置する領域が複数あり、後記する光反射部材３０を配置した後に、発光装置１００ごとに個片化する大きさとすることや、一つの発光装置１００ごとの大きさとすることであっても構わない。
【0062】
（発光素子を配置すること）
発光素子を配置することＳ２２（以下、工程Ｓ２２という）とは、発光素子２０を焼結体基板１０に配置することである。なお、発光素子２０は、予め透光性部材２３が素子基板２２に接続された状態のものが配置される。透光性部材２３を素子基板２２に接合する場合には、透光性の接合材料を使用している。この工程Ｓ２２では、発光素子２０の素子電極２４を、配線８に配置した接合部材１１を介して接続している。また、発光素子２０は、素子電極２４が配線８を設けることなく直接、ビア３に接続するようにしても構わない。つまり、焼結体基板１０を準備するときに、配線８を配置しない状態で準備することであってもよい。
発光素子を配置することＳ２２（以下、工程Ｓ２２という）とは、発光素子２０を焼結体基板１０に配置することである。なお、発光素子２０は、予め透光性部材２３が素子基板２２に接続された状態のものが配置される。透光性部材２３を素子基板２２に接合する場合には、透光性の接合材料を使用している。この工程Ｓ２２では、発光素子２０の素子電極２４を、配線８に配置した接合部材１１を介して接続している。また、発光素子２０は、素子電極２４が配線８を設けることなく直接、ビア３に接続するようにしても構わない。つまり、焼結体基板１０を準備するときに、配線８を配置しない状態で準備することであってもよい。
【0063】
（光反射部材を配置すること）
光反射部材を配置することＳ２３（以下、工程Ｓ２３という）とは、焼結体基板１０の上面である第２面１Ｂを覆うと共に、発光素子２０の側面を覆うように光反射部材３０を配置することである。この工程Ｓ２３では、光反射部材３０は、発光素子２０を囲み発光素子２０の光取出し面となる各透光性部材２３の上面を露出するように焼結体基板１０の上に配置される。光反射部材３０は、平面視において矩形となるように配置される。
光反射部材を配置することＳ２３（以下、工程Ｓ２３という）とは、焼結体基板１０の上面である第２面１Ｂを覆うと共に、発光素子２０の側面を覆うように光反射部材３０を配置することである。この工程Ｓ２３では、光反射部材３０は、発光素子２０を囲み発光素子２０の光取出し面となる各透光性部材２３の上面を露出するように焼結体基板１０の上に配置される。光反射部材３０は、平面視において矩形となるように配置される。
【0064】
なお、発光装置の製造方法Ｓ２０では、工程Ｓ２３の作業が終了した後に、必要に応じて個片化作業が行われる。発光装置１００は、使用されている発光素子２０の数で予め発光装置１００の１つの単位が設定されている。そのため、発光装置１００をまとめて複数製造している場合には、個片化作業が行われる。個片化作業を行う場合には、格子状に切断することで、複数の発光装置１００を作製する。また、切断する方法としては、例えば、円盤状の回転刃、超音波カッター、レーザ光照射等を用いることができる。
【0065】
上記のような構成を備える発光装置の製造方法Ｓ２０は、セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ１０によって、セラミックス基板１の貫通孔２が第１面１Ａの開口面積が第２面１Ｂの開口面積より大きく、その貫通孔２に配置するビア３により放熱性が高く、また、ビア３と貫通孔２との接合強度を向上させることで信頼性を図り、発光素子２０の安定した制御をすることが可能となる。
【0066】
なお、本願発明では、以下のような構成となる各項の関係であってもよい。
［項１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有し、前記第１面の前記貫通孔の開口面積が前記第２面の前記貫通孔の開口面積よりも大きいセラミックス基板と、
前記貫通孔内に配置されたビアと、を備え、
前記ビアは、第１金属と、前記第１金属よりも融点の低い第２金属と、前記貫通孔を画定する内壁に配置される金属化合物と、を含み、
前記セラミックス基板における前記第１面の前記貫通孔の形状は、平面視において多角形であり、
前記第１金属及び前記第２金属は、前記セラミックス基板よりも熱伝導率が高い焼結体基板。
［項２］
前記セラミックス基板における前記第２面の前記貫通孔の形状は、底面視において、前記第1面の前記貫通孔と相似形である項１に記載の焼結体基板。
［項３］
前記金属化合物は、層状であり、
前記セラミックス基板の平均厚みと、前記貫通孔の最大径と、の比であるアスペクト比が０．５の場合、前記金属化合物の平均厚みが、１５μｍ以上２０μｍ以下となり、前記アスペクト比が１．０のときに前記金属化合物の平均厚みが、７．５μｍ以上１０μｍ以下となる項１又は項２に記載の焼結体基板。
［項４］
前記セラミックス基板の平均厚みと、前記貫通孔の最大径と、の比であるアスペクト比が２．０の場合、前記金属化合物の平均厚みが、５μｍ以上１０μｍ以下となる項１から項３のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項５］
前記第１金属は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくともいずれか１種を含む項１から項４のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項６］
前記第２金属は、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金の少なくともいずれか１種を含む項１から項５のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項７］
前記セラミックス基板は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素の少なくとも１種を含む項１から項６のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項８］
前記貫通孔の最大径は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である項１から項７のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項９］
前記セラミックス基板において、前記貫通孔は最大径の異なる大きさごとに貫通孔群が複数ある項１から項８のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項１０］
前記焼結体基板は、実装部品電極を持つ実装部品に配置されており、
前記セラミックス基板の前記第２面側における前記ビアの面積は、前記実装部品電極の面積に対して６０％以上２００％以下である項１から項９のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項１１］
項１から項１０のいずれか一項に記載の焼結体基板と、
素子電極を持つ発光素子と、を備え、
前記焼結体基板の前記ビアと、前記素子電極と、を電気的に接続し、
底面視において、前記焼結体基板における前記第２面の前記貫通孔の開口面積と、前記素子電極の面積と、は±１０％以内である発光装置。
［項１２］
前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面に向かって傾斜する傾斜面を有し、
前記傾斜面の少なくとも一部が、前記素子電極の間の直下となる項１１に記載の発光装置。
［項１３］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有し、前記第１面の前記貫通孔の開口面積が前記第２面の前記貫通孔の開口面積よりも大きいセラミックス基板を準備することと、
前記貫通孔にビアペーストを充填することと、
前記ビアペーストを焼成することと、を含み、
前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記セラミックス基板における前記第１面の前記貫通孔の形状は、平面視において多角形であり、
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、複数個の第１金属粉体と、複数個の第２金属粉体と、複数個の活性金属粉体と、を含み、前記第１金属粉体及び前記第２金属粉体の熱伝導率は、前記セラミックス基板の熱伝導率よりも高く、
前記ビアペーストを焼成することにおいて、焼成温度は、前記第１金属粉体の融点以下であり前記第２金属粉体の融点以上である、焼結体基板の製造方法。
［項１４］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記活性金属粉体の含有量は、３重量部以上である項１３に記載の焼結体基板の製造方法。
［項１５］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記第１金属粉体は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくともいずれか１種を含む項１３又は項１４に記載の焼結体基板の製造方法。
［項１６］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記第２金属粉体は、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金粉末の少なくともいずれか１種を含む項１３から項１５のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項１７］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記活性金属粉体は、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、ＭｇＨ２の少なくともいずれか１種を含む項１３から項１６のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項１８］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、さらに有機バインダを含む項１３から項１７のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項１９］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、さらに、金属を除く複数個の無機フィラーを含む項１３から項１８のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項２０］
前記ビアペーストを焼成することにおいて、焼成雰囲気は９９．９％以上のＡｒ雰囲気または１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気である項１３から項１９のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項２１］
前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記セラミックス基板の前記第１面側からレーザ光を照射して前記貫通孔を形成する項１３から項２０のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項２２］
項１３から項２１のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法により製造した焼結体基板を準備することと、
前記焼結体基板に、素子電極を持つ発光素子を配置することと、を含み、
前記焼結体基板を準備することにおいて、前記貫通孔に充填されたビアペーストを焼成することにより、ビアとなり、
前記発光素子を配置することにおいて、前記ビアと、前記素子電極と、を電気的に接続する、発光装置の製造方法。
［項１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有し、前記第１面の前記貫通孔の開口面積が前記第２面の前記貫通孔の開口面積よりも大きいセラミックス基板と、
前記貫通孔内に配置されたビアと、を備え、
前記ビアは、第１金属と、前記第１金属よりも融点の低い第２金属と、前記貫通孔を画定する内壁に配置される金属化合物と、を含み、
前記セラミックス基板における前記第１面の前記貫通孔の形状は、平面視において多角形であり、
前記第１金属及び前記第２金属は、前記セラミックス基板よりも熱伝導率が高い焼結体基板。
［項２］
前記セラミックス基板における前記第２面の前記貫通孔の形状は、底面視において、前記第1面の前記貫通孔と相似形である項１に記載の焼結体基板。
［項３］
前記金属化合物は、層状であり、
前記セラミックス基板の平均厚みと、前記貫通孔の最大径と、の比であるアスペクト比が０．５の場合、前記金属化合物の平均厚みが、１５μｍ以上２０μｍ以下となり、前記アスペクト比が１．０のときに前記金属化合物の平均厚みが、７．５μｍ以上１０μｍ以下となる項１又は項２に記載の焼結体基板。
［項４］
前記セラミックス基板の平均厚みと、前記貫通孔の最大径と、の比であるアスペクト比が２．０の場合、前記金属化合物の平均厚みが、５μｍ以上１０μｍ以下となる項１から項３のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項５］
前記第１金属は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくともいずれか１種を含む項１から項４のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項６］
前記第２金属は、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金の少なくともいずれか１種を含む項１から項５のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項７］
前記セラミックス基板は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素の少なくとも１種を含む項１から項６のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項８］
前記貫通孔の最大径は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である項１から項７のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項９］
前記セラミックス基板において、前記貫通孔は最大径の異なる大きさごとに貫通孔群が複数ある項１から項８のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項１０］
前記焼結体基板は、実装部品電極を持つ実装部品に配置されており、
前記セラミックス基板の前記第２面側における前記ビアの面積は、前記実装部品電極の面積に対して６０％以上２００％以下である項１から項９のいずれか一項に記載の焼結体基板。
［項１１］
項１から項１０のいずれか一項に記載の焼結体基板と、
素子電極を持つ発光素子と、を備え、
前記焼結体基板の前記ビアと、前記素子電極と、を電気的に接続し、
底面視において、前記焼結体基板における前記第２面の前記貫通孔の開口面積と、前記素子電極の面積と、は±１０％以内である発光装置。
［項１２］
前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面に向かって傾斜する傾斜面を有し、
前記傾斜面の少なくとも一部が、前記素子電極の間の直下となる項１１に記載の発光装置。
［項１３］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を有し、前記第１面の前記貫通孔の開口面積が前記第２面の前記貫通孔の開口面積よりも大きいセラミックス基板を準備することと、
前記貫通孔にビアペーストを充填することと、
前記ビアペーストを焼成することと、を含み、
前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記セラミックス基板における前記第１面の前記貫通孔の形状は、平面視において多角形であり、
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、複数個の第１金属粉体と、複数個の第２金属粉体と、複数個の活性金属粉体と、を含み、前記第１金属粉体及び前記第２金属粉体の熱伝導率は、前記セラミックス基板の熱伝導率よりも高く、
前記ビアペーストを焼成することにおいて、焼成温度は、前記第１金属粉体の融点以下であり前記第２金属粉体の融点以上である、焼結体基板の製造方法。
［項１４］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記活性金属粉体の含有量は、３重量部以上である項１３に記載の焼結体基板の製造方法。
［項１５］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記第１金属粉体は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉの少なくともいずれか１種を含む項１３又は項１４に記載の焼結体基板の製造方法。
［項１６］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記第２金属粉体は、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金粉末の少なくともいずれか１種を含む項１３から項１５のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項１７］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記活性金属粉体は、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、ＭｇＨ２の少なくともいずれか１種を含む項１３から項１６のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項１８］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、さらに有機バインダを含む項１３から項１７のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項１９］
前記ビアペーストを充填することにおいて、前記ビアペーストは、さらに、金属を除く複数個の無機フィラーを含む項１３から項１８のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項２０］
前記ビアペーストを焼成することにおいて、焼成雰囲気は９９．９％以上のＡｒ雰囲気または１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気である項１３から項１９のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項２１］
前記セラミックス基板を準備することにおいて、前記セラミックス基板の前記第１面側からレーザ光を照射して前記貫通孔を形成する項１３から項２０のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法。
［項２２］
項１３から項２１のいずれか一項に記載の焼結体基板の製造方法により製造した焼結体基板を準備することと、
前記焼結体基板に、素子電極を持つ発光素子を配置することと、を含み、
前記焼結体基板を準備することにおいて、前記貫通孔に充填されたビアペーストを焼成することにより、ビアとなり、
前記発光素子を配置することにおいて、前記ビアと、前記素子電極と、を電気的に接続する、発光装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【0067】
本開示の実施形態に係る発光装置は、携帯電話やカメラのフラッシュ、配光可変型ヘッドランプ光源に利用することができる。その他、本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等に利用することができる。
【符号の説明】
【0068】
１ セラミックス基板
１Ａ 第１面
１Ｂ 第２面
２ 貫通孔
２ａ 傾斜面
３ ビア
３Ａ ビアペースト
４ 第１金属
４Ａ 第１金属粉体
５ 第２金属
５Ａ 第２金属粉体
６ 金属化合物
６Ａ 活性金属粉体
６ａ 反応層
６ｂ 反応物
７ 無機フィラー：焼成後
７Ａ 無機フィラー：焼成前
７Ｂ 有機バインダ
８ 配線
８Ａ 導電ペースト
１０ 焼結体基板
１１ 接合部材
１２ 金属バンプ
２０ 発光素子
２１ 半導体層
２２ 素子基板
２３ 透光性部材
２４ 素子電極
３０ 光反射部材
１００ 発光装置
Ｓ１０ 焼結体基板の製造方法
Ｓ１１ セラミックス基板を準備すること
Ｓ１２ ビアペーストを充填すること
Ｓ１３ 導電ペーストを配置すること
Ｓ１４ ビアペーストを焼成すること
Ｓ２０ 発光装置の製造方法
Ｓ２１ 焼結体基板を準備すること
Ｓ２２ 発光素子を配置すること
Ｓ２３ 光反射部材を配置すること
１Ａ 第１面
１Ｂ 第２面
２ 貫通孔
２ａ 傾斜面
３ ビア
３Ａ ビアペースト
４ 第１金属
４Ａ 第１金属粉体
５ 第２金属
５Ａ 第２金属粉体
６ 金属化合物
６Ａ 活性金属粉体
６ａ 反応層
６ｂ 反応物
７ 無機フィラー：焼成後
７Ａ 無機フィラー：焼成前
７Ｂ 有機バインダ
８ 配線
８Ａ 導電ペースト
１０ 焼結体基板
１１ 接合部材
１２ 金属バンプ
２０ 発光素子
２１ 半導体層
２２ 素子基板
２３ 透光性部材
２４ 素子電極
３０ 光反射部材
１００ 発光装置
Ｓ１０ 焼結体基板の製造方法
Ｓ１１ セラミックス基板を準備すること
Ｓ１２ ビアペーストを充填すること
Ｓ１３ 導電ペーストを配置すること
Ｓ１４ ビアペーストを焼成すること
Ｓ２０ 発光装置の製造方法
Ｓ２１ 焼結体基板を準備すること
Ｓ２２ 発光素子を配置すること
Ｓ２３ 光反射部材を配置すること
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図11C】