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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024089730
(43)【公開日】2024-07-04
(54)【発明の名称】支持部材の製造方法、支持部材、および発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20240627BHJP
H01L 33/58 20100101ALI20240627BHJP
H01S 5/02253 20210101ALI20240627BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 F
H01L33/58
H01S5/02253
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022205098
(22)【出願日】2022-12-22
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100101683
【弁理士】
【氏名又は名称】奥田 誠司
(74)【代理人】
【識別番号】100155000
【弁理士】
【氏名又は名称】喜多 修市
(74)【代理人】
【識別番号】100184985
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 悠
(74)【代理人】
【識別番号】100202197
【弁理士】
【氏名又は名称】村瀬 成康
(74)【代理人】
【識別番号】100218981
【弁理士】
【氏名又は名称】武田 寛之
(72)【発明者】
【氏名】竹田 英明
(72)【発明者】
【氏名】宮田 忠明
(72)【発明者】
【氏名】木村 圭宏
【テーマコード（参考）】
5F142
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F142AA51
5F142BA32
5F142DB12
5F173MA08
5F173MA10
5F173MB04
5F173MC26
5F173ME22
5F173ME32
5F173ME63
5F173ME66
5F173ME85
5F173MF03
5F173MF39
(57)【要約】
【課題】表面の一部に金属膜が設けられた支持部材を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】他の部材を支持する支持部材の製造方法は、表面および裏面を有する基板を用意する工程と、基板の表面に、複数の第１の溝と複数の第２の溝とを互いに交差するように形成する工程と、物理堆積法によって基板の表面に金属膜を形成する金属堆積工程と、複数の第１の溝および複数の第２の溝に沿って基板を複数の支持部材に個片化する工程と、を含み、複数の第２の溝の各々の幅は、複数の第１の溝の各々の幅よりも小さく、金属堆積工程は、複数の第１の溝の各々によって露出する第１表面、複数の第２の溝の各々によって露出する第２表面、ならびに第１表面および第２表面に繋がる第３表面に、金属膜を形成することを含む。
【選択図】図５Ｄ
【解決手段】他の部材を支持する支持部材の製造方法は、表面および裏面を有する基板を用意する工程と、基板の表面に、複数の第１の溝と複数の第２の溝とを互いに交差するように形成する工程と、物理堆積法によって基板の表面に金属膜を形成する金属堆積工程と、複数の第１の溝および複数の第２の溝に沿って基板を複数の支持部材に個片化する工程と、を含み、複数の第２の溝の各々の幅は、複数の第１の溝の各々の幅よりも小さく、金属堆積工程は、複数の第１の溝の各々によって露出する第１表面、複数の第２の溝の各々によって露出する第２表面、ならびに第１表面および第２表面に繋がる第３表面に、金属膜を形成することを含む。
【選択図】図５Ｄ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
他の部材を支持する支持部材の製造方法であって、
表面および裏面を有する基板を用意する工程と、
前記基板の前記表面に、第１方向に沿って延びる複数の第１の溝、および前記第１方向に交差する第２方向に沿って延びる複数の第２の溝を形成する工程と、
物理堆積法によって前記基板の前記表面に金属膜を形成する金属堆積工程と、
前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝に沿って前記基板を複数の支持部材に個片化する工程と、
を含み、
前記複数の第２の溝の各々の幅は、前記複数の第１の溝の各々の幅よりも小さく、
前記金属堆積工程は、
前記複数の第１の溝の各々によって露出する第１表面の少なくとも一部である第１領域、前記複数の第２の溝の各々によって露出する第２表面の少なくとも一部である第２領域、ならびに前記第１表面および前記第２表面に繋がる第３表面の少なくとも一部である第３領域に、前記金属膜を形成することを含み、
前記第２領域上の前記金属膜の厚さを、前記第１領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくし、かつ、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、支持部材の製造方法。
表面および裏面を有する基板を用意する工程と、
前記基板の前記表面に、第１方向に沿って延びる複数の第１の溝、および前記第１方向に交差する第２方向に沿って延びる複数の第２の溝を形成する工程と、
物理堆積法によって前記基板の前記表面に金属膜を形成する金属堆積工程と、
前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝に沿って前記基板を複数の支持部材に個片化する工程と、
を含み、
前記複数の第２の溝の各々の幅は、前記複数の第１の溝の各々の幅よりも小さく、
前記金属堆積工程は、
前記複数の第１の溝の各々によって露出する第１表面の少なくとも一部である第１領域、前記複数の第２の溝の各々によって露出する第２表面の少なくとも一部である第２領域、ならびに前記第１表面および前記第２表面に繋がる第３表面の少なくとも一部である第３領域に、前記金属膜を形成することを含み、
前記第２領域上の前記金属膜の厚さを、前記第１領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくし、かつ、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、支持部材の製造方法。
【請求項2】
前記金属堆積工程は、前記第１領域上の前記金属膜の厚さを、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、請求項１に記載の支持部材の製造方法。
【請求項3】
前記金属堆積工程は、
前記第２表面のうち、前記第３表面と前記第２領域との間の第４領域に、前記金属膜を形成することを含み、
前記第４領域上の前記金属膜の厚さを、前記第２領域上の前記金属膜の厚さよりも大きくし、かつ、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、請求項１または２に記載の支持部材の製造方法。
前記第２表面のうち、前記第３表面と前記第２領域との間の第４領域に、前記金属膜を形成することを含み、
前記第４領域上の前記金属膜の厚さを、前記第２領域上の前記金属膜の厚さよりも大きくし、かつ、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、請求項１または２に記載の支持部材の製造方法。
【請求項4】
前記複数の第１の溝の各々の幅は、１００μｍ以上５００μｍ以下であり、
前記複数の第１の溝の各々の深さは、５００μｍ以上１５００μｍ以下であり、
前記複数の第２の溝の各々の幅は、１μｍ以上８０μｍ以下であり、
前記複数の第２の溝の各々の深さは、５０μｍ以上１５００μｍ以下である、請求項１または２に記載の支持部材の製造方法。
前記複数の第１の溝の各々の深さは、５００μｍ以上１５００μｍ以下であり、
前記複数の第２の溝の各々の幅は、１μｍ以上８０μｍ以下であり、
前記複数の第２の溝の各々の深さは、５０μｍ以上１５００μｍ以下である、請求項１または２に記載の支持部材の製造方法。
【請求項5】
前記複数の第２の溝の各々の幅の、前記複数の第１の溝の各々の幅に対する比率は、０．０１以上０．６以下である、請求項４に記載の支持部材の製造方法。
【請求項6】
前記第１領域に接合材を介して前記他の部材を配置した状態で、前記第２領域にレーザ光を照射することにより、前記接合材を加熱して前記第１領域に前記他の部材を接合することが可能である、請求項１または２に記載の支持部材の製造方法。
【請求項7】
前記レーザ光の波長は、０．９μｍ以上１．２μｍ以下であり、
前記波長を有する光に対する前記第２領域の反射率は、前記波長を有する光に対する前記第１領域および前記第３領域の各々の反射率よりも低い、請求項６に記載の支持部材の製造方法。
前記波長を有する光に対する前記第２領域の反射率は、前記波長を有する光に対する前記第１領域および前記第３領域の各々の反射率よりも低い、請求項６に記載の支持部材の製造方法。
【請求項8】
前記基板を前記複数の支持部材に個片化する工程は、前記基板の前記裏面から、前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝を通って前記基板を切断することを含む、請求項１または２に記載の支持部材の製造方法。
【請求項9】
用意する前記基板は、前記第２方向に沿って延びる複数の凹部を有し、
前記基板の前記表面に前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝を形成する工程は、前記基板の前記表面に、前記凹部を横切るように前記複数の第１の溝を形成し、前記凹部の端から離れた位置を通るように前記複数の第２の溝を形成することを含み、
前記複数の支持部材の各々は、一対の柱状部分および前記一対の柱状部分の上部を連結する連結部分を有し、
前記一対の柱状部分は、前記基板における前記凹部と、前記凹部に隣り合う前記第２の溝との間に位置する部分であって、前記複数の第１の溝のうち、互いに隣り合う第１の溝の間に位置する部分から構成されており、
前記連結部分は、前記基板における前記凹部の底面と前記裏面との間に位置する部分であって、前記複数の第１の溝のうち、互いに隣り合う第１の溝の間に位置する部分から構成されており、
前記一対の柱状部分は、前記第１表面、前記第２表面、および前記第３表面を有する、請求項１または２に記載の支持部材の製造方法。
前記基板の前記表面に前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝を形成する工程は、前記基板の前記表面に、前記凹部を横切るように前記複数の第１の溝を形成し、前記凹部の端から離れた位置を通るように前記複数の第２の溝を形成することを含み、
前記複数の支持部材の各々は、一対の柱状部分および前記一対の柱状部分の上部を連結する連結部分を有し、
前記一対の柱状部分は、前記基板における前記凹部と、前記凹部に隣り合う前記第２の溝との間に位置する部分であって、前記複数の第１の溝のうち、互いに隣り合う第１の溝の間に位置する部分から構成されており、
前記連結部分は、前記基板における前記凹部の底面と前記裏面との間に位置する部分であって、前記複数の第１の溝のうち、互いに隣り合う第１の溝の間に位置する部分から構成されており、
前記一対の柱状部分は、前記第１表面、前記第２表面、および前記第３表面を有する、請求項１または２に記載の支持部材の製造方法。
【請求項10】
前記一対の柱状部分は、前記凹部の内側面であって、前記第１表面および前記第３表面に繋がる第４表面を有し、
前記金属堆積工程は、前記第４表面の少なくとも一部である第５領域に前記金属膜を堆積することを含む、請求項９に記載の支持部材の製造方法。
前記金属堆積工程は、前記第４表面の少なくとも一部である第５領域に前記金属膜を堆積することを含む、請求項９に記載の支持部材の製造方法。
【請求項11】
他の部材を支持する支持部材であって、
前記他の部材が接合される正面と、前記正面の反対側の背面と、前記正面および前記背面に繋がる底面と、前記正面および前記背面に繋がる２つの外側面とを有する本体と、
前記底面、前記正面、および前記２つの外側面の各々に設けられる金属膜と、
を備え、
前記２つの外側面の各々に設けられる前記金属膜の厚さは、前記底面に設けられる前記金属膜の厚さよりも小さく、かつ、前記正面に設けられる前記金属膜の厚さよりも小さい、支持部材。
前記他の部材が接合される正面と、前記正面の反対側の背面と、前記正面および前記背面に繋がる底面と、前記正面および前記背面に繋がる２つの外側面とを有する本体と、
前記底面、前記正面、および前記２つの外側面の各々に設けられる金属膜と、
を備え、
前記２つの外側面の各々に設けられる前記金属膜の厚さは、前記底面に設けられる前記金属膜の厚さよりも小さく、かつ、前記正面に設けられる前記金属膜の厚さよりも小さい、支持部材。
【請求項12】
前記金属膜は、前記底面から前記２つの外側面にわたって連続的に設けられており、
前記２つの外側面の各々は、前記底面および前記正面に繋がる領域と、前記底面および前記正面から離れて位置する他の領域とを有し、前記領域に設けられる前記金属膜の厚さは、前記他の領域に設けられる前記金属膜の厚さよりも大きい、請求項１１に記載の支持部材。
前記２つの外側面の各々は、前記底面および前記正面に繋がる領域と、前記底面および前記正面から離れて位置する他の領域とを有し、前記領域に設けられる前記金属膜の厚さは、前記他の領域に設けられる前記金属膜の厚さよりも大きい、請求項１１に記載の支持部材。
【請求項13】
前記本体は、前記正面および前記背面に繋がる上面を有し、
前記支持部材は、前記本体の前記上面から突出する凸部を備える、請求項１１または１２に記載の支持部材。
前記支持部材は、前記本体の前記上面から突出する凸部を備える、請求項１１または１２に記載の支持部材。
【請求項14】
前記本体は、一対の柱状部分および前記一対の柱状部分の上部を連結する連結部分を有し、
前記本体の前記２つの外側面は、前記一対の柱状部分の外側面であり、
前記本体の前記底面は、前記一対の柱状部分の各々の底面であり、
前記本体の前記正面は、前記一対の柱状部分の正面および前記連結部分の正面を有する、請求項１１または１２に記載の支持部材。
前記本体の前記２つの外側面は、前記一対の柱状部分の外側面であり、
前記本体の前記底面は、前記一対の柱状部分の各々の底面であり、
前記本体の前記正面は、前記一対の柱状部分の正面および前記連結部分の正面を有する、請求項１１または１２に記載の支持部材。
【請求項15】
前記本体は、前記一対の柱状部分の内側面である２つの内側面を有し、前記２つの内側面の各々に設けられる金属膜を備える、請求項１４に記載の支持部材。
【請求項16】
請求項１１または１２に記載の支持部材と、
前記支持部材によって支持されるレンズと、
前記レンズに向けて光を出射する半導体発光素子と、
前記支持部材および前記半導体発光素子を支持するサブマウントと、
を備える、発光装置。
前記支持部材によって支持されるレンズと、
前記レンズに向けて光を出射する半導体発光素子と、
前記支持部材および前記半導体発光素子を支持するサブマウントと、
を備える、発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、支持部材の製造方法、支持部材、および発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体発光素子を備える発光装置において、レンズのような部材を固定位置に支持することが求められる。そのような部材を支持する支持部材には、両部材を無機接合材で接合するための金属膜が設けられ得る。当該金属膜は、用途および目的によっては、支持部材の全面ではなく一部に設けられる。特許文献１には、半導体レーザ素子を支持するサブマウントの一部に金属膜を形成する方法の例が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－０７２２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
表面の一部に金属膜が設けられた支持部材を効率的に製造する方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の、他の部材を支持する支持部材の製造方法は、ある実施形態において、表面および裏面を有する基板を用意する工程と、前記基板の前記表面に、第１方向に沿って延びる複数の第１の溝、および前記第１方向に交差する第２方向に沿って延びる複数の第２の溝を形成する工程と、物理堆積法によって前記基板の前記表面に金属膜を形成する金属堆積工程と、前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝に沿って前記基板を複数の支持部材に個片化する工程と、を含み、前記複数の第２の溝の各々の幅は、前記複数の第１の溝の各々の幅よりも小さく、前記金属堆積工程は、前記複数の第１の溝の各々によって露出する第１表面の少なくとも一部である第１領域、前記複数の第２の溝の各々によって露出する第２表面の少なくとも一部である第２領域、ならびに前記第１表面および前記第２表面に繋がる第３表面の少なくとも一部である第３領域に、前記金属膜を形成することを含み、前記第２領域上の前記金属膜の厚さを、前記第１領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくし、かつ、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする。
【0006】
本開示の、他の部材を支持する支持部材は、ある実施形態において、前記他の部材が接合される正面と、前記正面の反対側の背面と、前記正面および前記背面に繋がる底面と、前記正面および前記背面に繋がる２つの外側面とを有する本体と、前記底面、前記正面、および前記２つの外側面の各々に設けられる金属膜と、を備え、前記２つの外側面の各々に設けられる前記金属膜の厚さは、前記底面に設けられる前記金属膜の厚さよりも小さく、かつ、前記正面に設けられる前記金属膜の厚さよりも小さい。
【0007】
本開示の発光装置は、ある実施形態において、前記支持部材と、前記支持部材によって支持されるレンズと、前記レンズに向けて光を出射する半導体発光素子と、前記支持部材および前記半導体発光素子を支持するサブマウントと、を備える。
【発明の効果】
【0008】
本開示によれば、表面の一部に金属膜が設けられた支持部材を効率的に製造する方法を提供することができる。また、レンズ等の他の部材を接合する際に、他の部材を接合しやすい支持部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示の実施形態による支持部材が支持する「他の部材」の一例は、レンズである。「他の部材」はレンズに限定されず、例えば、ミラー、フィルター、もしくはプリズムなどの光学部品、または半導体レーザ素子、ＬＥＤ、もしくはトランジスタなどの半導体素子であってもよい。
【0011】
以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態による発光装置、支持部材、および支持部材の製造方法の詳細をこの順に説明する。複数の図面に表れる同一符号の部分は同一または同等の部分を示す。
【0012】
さらに以下は、本発明の技術思想を具体化するために例示しているのであって、本発明を以下に限定しない。また、構成要素の寸法、材質、形状、その相対的配置などの記載は、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図している。各図面が示す部材の大きさや位置関係などは、理解を容易にするなどのために誇張している場合がある。
【0013】
本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当する構成要素が複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象や観点が異なる場合、本明細書と特許請求の範囲との間で、同一の付記が、同一の対象を指さない場合がある。 図面では、参考のために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸が模式的に示されている。本明細書において、Ｘ軸の矢印の方向を＋Ｘ方向と称し、その反対の方向を－Ｘ方向と称する。±Ｘ方向を区別しない場合、単にＸ方向と称する。Ｙ方向およびＺ方向についても同様である。また、説明のわかりやすさのため、本明細書または特許請求の範囲では、＋Ｙ方向を「上方」、－Ｙ方向を「下方」、＋Ｚ方向を「前方」、－Ｚ方向を「後方」とも表現する。参照した図面における相対的な方向または位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品、製造装置等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。
【0014】
（実施形態）
［発光装置］
まず、図１Ａから図２を参照して、本開示の実施形態による発光装置の例を説明する。図１Ａは、本開示の例示的な実施形態による発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図１Ａに示す発光装置１００は、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を収容するパッケージ５０と、半導体レーザ素子に電力を供給する２つのリード端子６０とを備える。パッケージ５０は、蓋体５０Ｌと、基体５０ｂと、透光窓５０ｗとを備える。半導体レーザ素子から出射されるレーザ光は、透光窓５０ｗからパッケージ５０の外部へ取り出される。パッケージ５０は、半導体レーザ素子を気密封止する封止空間を形成する。気密封止の必要性は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の波長が短くなるほど高くなる。気密封止されず、半導体レーザ素子の出射端面が外気に接している構成では、レーザ光の波長が短くなるほど、集塵によって動作中に出射端面の劣化が進行していく可能性が高くなるからである。
［発光装置］
まず、図１Ａから図２を参照して、本開示の実施形態による発光装置の例を説明する。図１Ａは、本開示の例示的な実施形態による発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図１Ａに示す発光装置１００は、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を収容するパッケージ５０と、半導体レーザ素子に電力を供給する２つのリード端子６０とを備える。パッケージ５０は、蓋体５０Ｌと、基体５０ｂと、透光窓５０ｗとを備える。半導体レーザ素子から出射されるレーザ光は、透光窓５０ｗからパッケージ５０の外部へ取り出される。パッケージ５０は、半導体レーザ素子を気密封止する封止空間を形成する。気密封止の必要性は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の波長が短くなるほど高くなる。気密封止されず、半導体レーザ素子の出射端面が外気に接している構成では、レーザ光の波長が短くなるほど、集塵によって動作中に出射端面の劣化が進行していく可能性が高くなるからである。
【0015】
図１Ｂは、図１Ａの発光装置１００の内部の平面構成を模式的に示す図である。図１Ｂにおいて、図１Ａに示すパッケージ５０のうち、蓋体５０Ｌが省略されている。基体５０ｂは、底板５０ｂ１と、底板５０ｂ１に設けられたステージ５０ｂ２と、ステージ５０ｂ２を囲む側壁５０ｂ３を含む。発光装置１００は、基体５０ｂの内部に、ステージ５０ｂ２によって支持されるサブマウント１０と、サブマウント１０によって支持される半導体レーザ素子２０および支持部材３０と、支持部材３０によって支持されるレンズ４０とを備える。半導体レーザ素子２０は、レンズに向けてレーザ光を出射する。本明細書において、サブマウント１０、半導体レーザ素子２０、支持部材３０、およびレンズ４０を少なくとも備える構成を「発光装置」と称する。
【0016】
発光装置１００は、さらに、基体５０ｂの内部に複数のワイヤ６０ｗを備える。複数のワイヤ６０ｗの一部は、一方のリード端子６０と半導体レーザ素子２０とに電気的に接続されており、残りの部分は、他方のリード端子６０と半導体レーザ素子２０とに電気的に接続されている。複数のワイヤ６０ｗは、２つのリード端子６０から半導体レーザ素子２０に電力を供給するために用いられる。２つのリード端子６０は、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光の出射タイミングおよび出力を調整する外部回路に電気的に接続されている。
【0017】
図２は、図１Ａの発光装置１００からパッケージ５０、リード端子６０、および内部のワイヤ６０ｗを省略した構成のより詳細を示す分解斜視図である。図２に示す破線によって囲まれた領域には、後方から見たレンズ４０が示されている。図２に示す発光装置１００Ａは、サブマウント１０と、半導体レーザ素子２０と、支持部材３０と、レンズ４０とを備える。図２では、支持部材３０およびレンズ４０が互いに分離された状態で示されているが、実際には、両者は互いに接合されている。以下に、各構成要素を説明する。各構成要素の材料および寸法などの詳細については後述する。
【0018】
サブマウント１０は、図２に示すようにＸＺ平面に対して平行である上面１０ｓ１および下面１０ｓ２を有する。図２に示す例において、サブマウント１０は直方体の形状を有するが、任意の平板形状を有していてもよい。サブマウント１０は、さらに、上面１０ｓ１および下面１０ｓ２の各々に設けられる金属膜を備える。上面１０ｓ１に設けられる金属膜は、半導体レーザ素子２０をサブマウント１０に無機接合材で接合する際に、接合強度を向上させる。上面１０ｓ１に設けられる金属膜は、さらに、半導体レーザ素子２０に電力を供給するのに用いてもよい。具体的には、半導体レーザ素子２０の下面電極および金属膜が導電性の接合材で接合され、金属膜にワイヤ６０ｗがワイヤボンディングされる。下面１０ｓ２に設けられる金属膜は、サブマウント１０を、図１Ｂに示す基体５０ｂのステージ５０ｂ２に無機接合材で接合する際に、接合強度を向上させる。
【0019】
半導体レーザ素子２０は、図２に示すように、サブマウント１０の上面１０ｓ１に設けられている。図２に示す例において、半導体レーザ素子２０は、Ｚ方向に延びる直方体の形状を有する。半導体レーザ素子２０は、Ｚ方向に交差する２つの端面を有し、この２つの端面が共振器を構成する。当該２つの端面のうち、レンズ４０の側に位置する端面２０ｅが、レーザ光を出射する端面である。端面２０ｅはＸ方向に沿って延びる矩形形状を有する。
【0020】
半導体レーザ素子２０は、端面２０ｅからレーザ光を出射する。当該レーザ光は、＋Ｚ方向に進行するにつれて、ＹＺ平面において相対的に速く広がり、ＸＺ平面において相対的に遅く広がる。その結果、当該レーザ光は、端面２０ｅに対して平行な面において、楕円形状のファーフィールドパターンを形成する。楕円の長軸はＹ方向に対して平行であり、短軸はＸ方向に対して平行である。ファーフィールドパターンとは、端面２０ｅから離れた位置における光強度分布である。当該光強度分布において、レーザ光の強度がそのピーク強度の１／ｅ２以上である部分をレーザ光の主要部分とする。ｅは自然対数の底である。
【0021】
なお、半導体レーザ素子２０の代わりに、ＬＥＤを用いてもよい。本明細書において、半導体レーザ素子およびＬＥＤをまとめて「半導体発光素子」とも称する。
【0022】
支持部材３０は、サブマウント１０の上面１０ｓ１に設けられている。支持部材３０は、レンズ４０を支持する。支持部材３０は、本体３０Ａと、本体３０Ａから突出する凸部３０Ｂとを備える。本体３０Ａは、一対の柱状部分３０ａと、一対の柱状部分３０ａの上部を連結する連結部分３０ｂとを有する。一対の柱状部分３０ａは、半導体レーザ素子２０の両側に位置し、連結部分３０ｂは、半導体レーザ素子２０の上方に位置する。言い換えれば、本体３０Ａは、半導体レーザ素子２０を跨ぐブリッジ形状を有する。ブリッジ形状を有する本体３０Ａは、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光の進行を妨げない。凸部３０Ｂは、後述する製造方法によって支持部材３０を製造する際に残る部分である。凸部３０Ｂは、上方から近づく物体がレンズ４０に接触する可能性を低減するのに役立つ。なお、支持部材３０は、凸部３０Ｂを備えていなくてもよい。
【0023】
支持部材３０は、本体３０Ａの上面以外の表面の少なくとも一部に設けられる金属膜３０ｍを備える。図２に示すハッチング部分は金属膜３０ｍを表す。金属膜３０ｍは、レンズ４０を支持部材３０に無機接合材で接合する際に、接合強度を向上させる。金属膜３０ｍは、さらに、支持部材３０をサブマウント１０に無機接合材で接合する際に、接合強度を向上させる。金属膜３０ｍは、例えば、単層または複数層を有し得る。単層の金属膜は、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、ＮｉもしくはＡｕ、またはこれらの２種類以上を含む合金から形成され得る。複数層の金属膜のうち、下地層は、例えばＣｒ、Ｔｉ、もしくはＮｉ、またはこれらの２種類以上を含む合金から形成される。中間層は、Ｐｔ、Ｐｄ、もしくはＲｕ、またはこれらの２種類以上を含む合金から形成される。最表面は、例えばＣｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、もしくはＡｕ、またはこれらの２種類以上を含む合金から形成され得る。支持部材３０の形状および金属膜３０ｍが設けられる領域については詳細を後述する。
【0024】
無機接合層３２は、支持部材３０とレンズ４０との間に位置する。無機接合層３２は、支持部材３０とレンズ４０とを接合する無機接合材を加熱することによって形成される。無機接合材は、例えば焼結材であり得る。焼結では、金属の粒子または金属の粉末を当該金属の融点よりも低い温度で加熱して焼き固めることにより、部材同士が接合される。無機接合材として、例えば金属ペーストを用いてもよい。金属ペーストは、有機バインダとその中に分散される複数の金属粒子とを有する。複数の金属粒子は、例えば、Ａｇ粒子、Ｃｕ粒子、Ａｕ粒子、およびその他の貴金属粒子からなる群から選択される少なくとも１種類の金属粒子を含む。金属ペーストは柔軟性を有するので、金属ペースト中の複数の金属粒子を加熱によって焼結して支持部材３０とレンズ４０とを接合する際に、レンズ４０の位置を微調整することができる。金属ペースト中の有機バインダは加熱中に揮発し、残りの焼結された複数の金属粒子から無機接合層３２が形成される。
【0025】
レンズ４０は、レーザ光が入射する光入射面４０ｓ１と、当該レーザ光を出射する光出射面４０ｓ２とを有する。レンズ４０は、さらに、光入射面４０ｓ１の両側に位置する２つの接合面４０ｓ３を有する。２つの接合面４０ｓ３は、それぞれ、本体３０Ａの一対の柱状部分３０ａの前方端面に対向する。
【0026】
レンズ４０は、光入射面４０ｓ１が半導体レーザ素子２０の端面２０ｅに対向するように配置されている。レンズ４０は、ＹＺ平面において曲率を有し、Ｘ方向に沿って一様に延びるコリメートレンズである。レンズ４０は、その後方の光軸上に焦点を有する。半導体レーザ素子２０の端面２０ｅの中心は、レンズ４０の焦点にほぼ一致する。したがって、レンズ４０は、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光をＹＺ平面においてコリメートして光出射面４０ｓ２から前方に向けて出射する。レンズ４０の光軸は、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光の光軸にほぼ一致する。本明細書において、「コリメートする」とは、レーザ光を平行光にすることだけではなく、レーザ光の広がり角を低減することも意味する。また、本明細書において、「レーザ光の光軸」は、レーザ光のファーフィールドパターンの中心を通過する軸を意味する。光軸上を進むレーザ光は、ファーフィールドパターンの光強度分布においてピーク強度を示す。
【0027】
なお、用途によっては、レンズ４０はＹＺ平面およびＸＺ平面において曲率を有し、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光をＹＺ平面およびＸＺ平面においてコリメートしてもよい。あるいは、レンズ４０は、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光を集光してもよい。
【0028】
レンズ４０は、２つの接合面４０ｓ３の各々に設けられる金属膜４０ｍを備える。金属膜４０ｍは、レンズ４０を支持部材３０に無機接合材で接合する際に、接合強度を向上させる。
【0029】
支持部材３０がレンズ４０を支持するので、半導体レーザ素子２０の端面２０ｅと、レンズ４０の光入射面４０ｓ１との距離は短くなる。したがって、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光が大きく広がる前に、レンズ４０によってその広がりを低減することができ、小型の発光装置１００Ａを実現することが可能になる。
【0030】
半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光の光軸方向から見て、すなわち前方から見て、レンズ４０の重心は、Ｘ方向において、本体３０Ａの一対の柱状部分３０ａの間に位置する。前方から見て、レンズ４０の重心は、さらに、Ｙ方向において、一対の柱状部分３０ａの前方端面の上辺および下辺のうち、下辺よりも高い位置にあり、上辺よりも低い位置にある。レンズ４０の重心を上記の位置とすることにより、支持部材３０はレンズ４０を安定的に支持することができる。
【0031】
［支持部材３０の形状および材料］
次に、図３Ａから図３Ｃを参照して、支持部材３０の形状および材料を説明する。図３Ａから図３Ｃは、それぞれ、図２に示す支持部材３０から金属膜３０ｍを省略した構成を正面側、背面側、および底面側から見た斜視図である。金属膜３０ｍを備えない本体３０Ａ０は、図３Ａに示すように、レンズ４０が接合される正面３０ｓ１と、２つの外側面３０ｓ２と、上面３０ｓ３とを有する。本体３０Ａ０は、さらに、図３Ｂに示すように、背面３０ｓ４を有する。本体３０Ａ０は、さらに、図３Ｃに示すように、２つの底面３０ｓ５と、２つの内側面３０ｓ６と、下面３０ｓ７とを有する。外側面３０ｓ２は、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、正面３０ｓ１、背面３０ｓ４、および底面３０ｓ５に繋がる領域３０ｒ１と、正面３０ｓ１、背面３０ｓ４、および底面３０ｓ５から離れて位置する領域３０ｒ２とを有する。凸部３０Ｂは、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、本体３０Ａ０の上面３０ｓ３から突出している。本明細書において、上記の複数の面３０ｓ１～３０ｓ７および領域３０ｒ１、３０ｒ２という用語は、金属膜３０ｍを備える本体３０Ａにも用いられる。
次に、図３Ａから図３Ｃを参照して、支持部材３０の形状および材料を説明する。図３Ａから図３Ｃは、それぞれ、図２に示す支持部材３０から金属膜３０ｍを省略した構成を正面側、背面側、および底面側から見た斜視図である。金属膜３０ｍを備えない本体３０Ａ０は、図３Ａに示すように、レンズ４０が接合される正面３０ｓ１と、２つの外側面３０ｓ２と、上面３０ｓ３とを有する。本体３０Ａ０は、さらに、図３Ｂに示すように、背面３０ｓ４を有する。本体３０Ａ０は、さらに、図３Ｃに示すように、２つの底面３０ｓ５と、２つの内側面３０ｓ６と、下面３０ｓ７とを有する。外側面３０ｓ２は、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、正面３０ｓ１、背面３０ｓ４、および底面３０ｓ５に繋がる領域３０ｒ１と、正面３０ｓ１、背面３０ｓ４、および底面３０ｓ５から離れて位置する領域３０ｒ２とを有する。凸部３０Ｂは、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、本体３０Ａ０の上面３０ｓ３から突出している。本明細書において、上記の複数の面３０ｓ１～３０ｓ７および領域３０ｒ１、３０ｒ２という用語は、金属膜３０ｍを備える本体３０Ａにも用いられる。
【0032】
２つの外側面３０ｓ２は、本体３０Ａ０の一対の柱状部分３０ａ０の外側面である。本体３０Ａ０の２つの底面３０ｓ５は、本体３０Ａ０の一対の柱状部分３０ａ０の底面である。本体３０Ａ０の正面３０ｓ１は、一対の柱状部分３０ａ０の正面および連結部分３０ｂ０の正面を有する。本体３０Ａ０の背面３０ｓ４は、一対の柱状部分３０ａ０の背面および連結部分３０ｂ０の背面を有する。２つの内側面３０ｓ６は、本体３０Ａ０の一対の柱状部分３０ａ０の内側面である。
【0033】
次に、本体３０Ａ０における複数の面の位置関係を説明する。正面３０ｓ１および背面３０ｓ４は、互いに反対側に位置する。正面３０ｓ１および背面３０ｓ４の各々は、２つの外側面３０ｓ２、上面３０ｓ３、２つの底面３０ｓ５、２つの内側面３０ｓ６、および下面３０ｓ７に繋がっている。各外側面３０ｓ２は、正面３０ｓ１、上面３０ｓ３、背面３０ｓ４、および２つの底面３０ｓ５の一方に繋がっている。上面３０ｓ３は、正面３０ｓ１、２つの外側面３０ｓ２、および背面３０ｓ４に繋がっている。各底面３０ｓ５は、正面３０ｓ１、２つの外側面３０ｓ２の一方、背面３０ｓ４、および２つの内側面３０ｓ６の一方に繋がっている。各内側面３０ｓ６は、正面３０ｓ１、背面３０ｓ４、２つの底面３０ｓ５の一方、および下面３０ｓ７に繋がっている。下面３０ｓ７は、正面３０ｓ１、背面３０ｓ４、および２つの底面３０ｓ５に繋がっている。
【0034】
図２に示す金属膜３０ｍは、本体３０Ａ０における正面３０ｓ１、２つの外側面３０ｓ２、背面３０ｓ４、２つの底面３０ｓ５、２つの内側面３０ｓ６、および下面３０ｓ７に設けられており、上面３０ｓ３には設けられていない。金属膜３０ｍは、２つの底面３０ｓ５、２つの内側面３０ｓ６、および下面３０ｓ７から、正面３０ｓ１、２つの外側面３０ｓ２、および背面３０ｓ４にわたって連続的に設けられている。
【0035】
金属膜３０ｍのうち、正面３０ｓ１に設けられる金属膜は、レンズ４０を支持部材３０に無機接合材で接合する際に、接合強度を向上させる。金属膜３０ｍのうち、底面３０ｓ５に設けられる金属膜は、支持部材３０をサブマウント１０に無機接合材で接合する際に、接合強度を向上させる。支持部材３０とサブマウント１０とを接合する無機接合材は、底面３０ｓ５に繋がる背面３０ｓ４および内側面３０ｓ６に設けられる金属膜にも回り込んでフィレットを形成する。＋Ｙ方向から見て、サブマウント１０の外形が支持部材３０の外形よりも大きい場合は、正面３０ｓ１および外側面３０ｓ２に設けられる金属膜にも回り込んでフィレットを形成する。その結果、支持部材３０とサブマウント１０との接合強度がさらに向上する。
【0036】
後述する支持部材３０の製造方法により、外側面３０ｓ２に設けられる金属膜の厚さを、正面３０ｓ１、背面３０ｓ４、底面３０ｓ５、内側面３０ｓ６、および下面３０ｓ７の各々に設けられる金属膜の厚さよりも小さくする。外側面３０ｓ２に設けられる金属膜の厚さは均一ではない。外側面３０ｓ２と、正面３０ｓ１、背面３０ｓ４、および底面３０ｓ５の各々とによって形成される稜を第１の稜、外側面３０ｓ２と上面３０ｓ３とによって形成される稜を第２の稜とする。外側面３０ｓ２に設けられる金属膜の厚さは、第１の稜から第２の稜の中点に向かうにつれて小さくする。領域３０ｒ２は、例えば、外側面３０ｓ２のうち、外側面３０ｓ２に設けられる金属膜の厚さがその最大の厚さの１／１０以下である領域であり得る。したがって、領域３０ｒ１に設けられる金属膜の厚さは、領域３０ｒ２に設けられる金属膜の厚さよりも大きい。外側面３０ｓ２の領域３０ｒ２に設けられる金属膜の厚さは十分小さいので、外側面３０ｓ２の領域３０ｒ２に設けられる金属膜は、図２において省略されている。外側面３０ｓ２の領域３０ｒ２に設けられる金属膜の厚さが十分小さいことは、支持部材３０とレンズ４０とを無機接合材で接合する際に、領域３０ｒ２にレーザ光を照射して当該無機接合材を効率的に加熱するのに役立つ。つまり、支持部材とレンズ等の他の部材を接合する際に、他の部材を接合しやすい支持部材を提供することができる。
【0037】
本体３０Ａ０は、レーザ光の照射によって加熱することが可能な材料から形成されている。本体３０Ａ０は、例えば、ガラス、シリコン、石英、合成石英、サファイア、透明セラミック、およびプラスチックからなる群から選択される少なくとも１つの透光性材料から形成され得る。あるいは、本体３０Ａ０は、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣ、およびアルミナからなる群から選択される少なくとも１つのセラミックから形成され得る。凸部３０Ｂの材料は、本体３０Ａ０の材料と同じである。
【0038】
［支持部材３０およびレンズ４０の接合方法］
次に、図４Ａおよび図４Ｂを参照して、支持部材３０およびレンズ４０の接合方法を説明する。図４Ａおよび図４Ｂは、それぞれ、支持部材３０およびレンズ４０の接合方法を説明するための上面図および側面図である。図４Ａおよび図４Ｂに示す二点鎖線によって囲まれた領域は、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光２０Ｌの主要部分を表す。図４Ａおよび図４Ｂに示す例では、支持部材３０とレンズ４０とを接合する無機接合材として、金属ペースト３２ａが用いられている。
次に、図４Ａおよび図４Ｂを参照して、支持部材３０およびレンズ４０の接合方法を説明する。図４Ａおよび図４Ｂは、それぞれ、支持部材３０およびレンズ４０の接合方法を説明するための上面図および側面図である。図４Ａおよび図４Ｂに示す二点鎖線によって囲まれた領域は、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光２０Ｌの主要部分を表す。図４Ａおよび図４Ｂに示す例では、支持部材３０とレンズ４０とを接合する無機接合材として、金属ペースト３２ａが用いられている。
【0039】
図４Ａに示すように、レンズ４０は、金属ペースト３２ａを介して支持部材３０の本体３０Ａに配置されている。図４Ａに示す白抜きの矢印は、加熱用のレーザ光が照射される方向を表す。図４Ａに示すように、支持部材３０の本体３０Ａのうち、外側面３０ｓ２の領域３０ｒ２に加熱用のレーザ光が照射される。外側面３０ｓ２の領域３０ｒ１と領域３０ｒ２とは、図４Ｂに示すように、金属膜３０ｍの厚さの差から外観によって区別することができる。したがって、外側面３０ｓ２の領域３０ｒ２は、照射ターゲットとして視認しやすい。
【0040】
外側面３０ｓ２の領域３０ｒ２に設けられる金属膜の厚さは十分小さいので、加熱用のレーザ光はほとんど反射されることなく本体３０Ａの一対の柱状部分３０ａを効率的に加熱することができる。その結果、本体３０Ａの一対の柱状部分３０ａから金属ペースト３２ａに熱が伝わり、金属ペースト３２ａ中の複数の金属粒子を焼結して支持部材３０とレンズ４０とを接合することができる。金属ペースト３２ａ中の有機バインダは加熱中に揮発する。有機バインダが揮発しきれずに残った場合には、図４Ａに示す中間生成物をオーブンによって加熱して残った有機バインダを完全に揮発させてもよい。
【0041】
仮に加熱用のレーザ光の一部が外側面３０ｓ２の領域３０ｒ２で反射されても、加熱用のレーザ光は、図４Ａに示すように、領域３０ｒ２に対して垂直ではなく斜めに入射するので、照射によって生じる反射光は、加熱用のレーザ光を出射する光源には戻らない。したがって、戻り光による当該光源の損傷を防ぐことができる。
【0042】
前述したように、図３Ｃに示す２つの内側面３０ｓ６にも金属膜が設けられている。当該金属膜は、外側面３０ｓ２の領域３０ｒ２から本体３０Ａの内部に入射した加熱用のレーザ光を反射する。したがって、加熱用のレーザ光が本体３０Ａを透過して半導体レーザ素子２０に到達する可能性を低減できる。その結果、半導体レーザ素子２０が加熱用のレーザ光で照射されて損傷する可能性を低減することが可能になる。図３Ａに示す正面３０ｓ１、図３Ｂに示す背面３０ｓ４、および図３Ｃに示す下面３０ｓ７に設けられる金属膜も、加熱用のレーザ光が本体３０Ａを透過して半導体レーザ素子２０に到達する可能性を低減できる。
【0043】
加熱用のレーザ光のパワー密度は、例えば１０ｋＷ／ｃｍ２以上１００００ｋＷ／ｃｍ２以下であり得る。レーザ光の照射時間は、例えば１ｍｓ以上５０ｍｓ以下であり得る。加熱用のレーザ光の波長に特に制限はない。加熱用のレーザ光として、例えば紫外線、青色光、緑色光、赤色光、または赤外光を用いることができる。加熱用のレーザ光が赤外光である場合、加熱用のレーザ光の波長は、例えば０．９μｍ以上１．２μｍ以下であり得る。そのような波長のレーザ光を出射する光源は、例えばＹＡＧレーザ光源であり得る。
【0044】
金属ペースト３２ａの加熱中に、支持部材３０とレンズ４０とは、図４Ａに示す太線の矢印によって表されるように、互いに反対の方向から加圧される。金属ペースト３２ａは柔軟性を有するので、レンズ４０は、加圧方向に例えば０．１μｍ以上３μｍ以下だけシフトする。半導体レーザ素子２０からレーザ光２０Ｌを出射させた状態で、加圧によるシフトによってレンズ４０の位置を微調整することができる。その結果、図４Ｂに示すように、レーザ光２０Ｌを正確にコリメートすることができる位置にレンズ４０を取り付けることが可能になる。
【0045】
［支持部材３０の製造方法］
次に、図５Ａから図５Ｇを参照して、本実施形態による支持部材３０の製造方法の例を説明する。図５Ａから図５Ｇは、本実施形態による支持部材３０の製造方法における工程の例を説明するための斜視図である。
次に、図５Ａから図５Ｇを参照して、本実施形態による支持部材３０の製造方法の例を説明する。図５Ａから図５Ｇは、本実施形態による支持部材３０の製造方法における工程の例を説明するための斜視図である。
【0046】
＜基板を用意する工程＞
最初の工程において、図５Ａに示すように、表面３０ｓａおよび裏面３０ｓｂを有する基板３０Ｓ１が用意される。基板３０Ｓ１は、例えば、前述の透光性材料またはセラミックから形成され得る。
最初の工程において、図５Ａに示すように、表面３０ｓａおよび裏面３０ｓｂを有する基板３０Ｓ１が用意される。基板３０Ｓ１は、例えば、前述の透光性材料またはセラミックから形成され得る。
【0047】
＜基板の表面に凹部を形成する工程＞
次の工程において、図５Ａに示す基板３０Ｓ１の表面３０ｓａに、図５Ｂに示すように、複数の凹部３０ｃを形成することにより、複数の凹部３０ｃを有する基板３０Ｓ２が形成される。複数の凹部３０ｃは、Ｚ方向に沿って延び、かつＸ方向に沿って並ぶ。凹部３０ｃは、例えば機械加工、レーザ加工、またはエッチングによって形成され得る。凹部３０ｃの幅（Ｘ方向における寸法）は、図３Ｃに示す２つの内側面３０ｓ６のＸ方向における距離を規定する。凹部３０ｃの深さ（Ｙ方向における寸法）は、図３Ｃに示す内側面３０ｓ６のＹ方向における寸法を規定する。凹部３０ｃの長さ（Ｚ方向における寸法）および個数は、製造する支持部材３０の数に応じて決定される。本明細書において、複数の凹部３０ｃが並ぶ方向を「第１方向」とも称し、複数の凹部３０ｃが延びる方向を「第２方向」とも称する。図５Ａに示す例において、第１方向はＸ方向であり、第２方向はＺ方向である。第１方向および第２方向は必ずしも互いに直交する必要はなく、互いに交差していればよい。
次の工程において、図５Ａに示す基板３０Ｓ１の表面３０ｓａに、図５Ｂに示すように、複数の凹部３０ｃを形成することにより、複数の凹部３０ｃを有する基板３０Ｓ２が形成される。複数の凹部３０ｃは、Ｚ方向に沿って延び、かつＸ方向に沿って並ぶ。凹部３０ｃは、例えば機械加工、レーザ加工、またはエッチングによって形成され得る。凹部３０ｃの幅（Ｘ方向における寸法）は、図３Ｃに示す２つの内側面３０ｓ６のＸ方向における距離を規定する。凹部３０ｃの深さ（Ｙ方向における寸法）は、図３Ｃに示す内側面３０ｓ６のＹ方向における寸法を規定する。凹部３０ｃの長さ（Ｚ方向における寸法）および個数は、製造する支持部材３０の数に応じて決定される。本明細書において、複数の凹部３０ｃが並ぶ方向を「第１方向」とも称し、複数の凹部３０ｃが延びる方向を「第２方向」とも称する。図５Ａに示す例において、第１方向はＸ方向であり、第２方向はＺ方向である。第１方向および第２方向は必ずしも互いに直交する必要はなく、互いに交差していればよい。
【0048】
凹部３０ｃの幅および深さは以下の通りである。凹部３０ｃの幅は、例えば１００μｍ以上１０００μｍ以下であり得る。凹部３０ｃの深さは、例えば５０μｍ以上１０００μｍ以下であり得る。
【0049】
＜基板の表面に溝を形成する工程＞
次の工程において、図５Ｂに示す基板３０Ｓ２の表面３０ｓａに、図５Ｃに示すように、複数の第１の溝３０ｇ１および複数の第２の溝３０ｇ２を形成することにより、表面３０ｓａに凹凸形状を有する基板３０Ｓ３が形成される。複数の第１の溝３０ｇ１は、Ｘ方向に沿って延び、かつＺ方向に沿って並ぶ。複数の第２の溝３０ｇ２は、Ｚ方向に沿って延び、かつＸ方向に沿って並ぶ。複数の第２の溝３０ｇ２の各々の幅（Ｘ方向における寸法）は、複数の第１の溝３０ｇ１の各々の幅（Ｚ方向における寸法）よりも小さい。第１の溝３０ｇ１および第２の溝３０ｇ２の形成には、例えば幅が互いに異なる２種類のブレードが用いられ得る。第１の溝３０ｇ１および第２の溝３０ｇ２の幅の差による効果については後述する。
次の工程において、図５Ｂに示す基板３０Ｓ２の表面３０ｓａに、図５Ｃに示すように、複数の第１の溝３０ｇ１および複数の第２の溝３０ｇ２を形成することにより、表面３０ｓａに凹凸形状を有する基板３０Ｓ３が形成される。複数の第１の溝３０ｇ１は、Ｘ方向に沿って延び、かつＺ方向に沿って並ぶ。複数の第２の溝３０ｇ２は、Ｚ方向に沿って延び、かつＸ方向に沿って並ぶ。複数の第２の溝３０ｇ２の各々の幅（Ｘ方向における寸法）は、複数の第１の溝３０ｇ１の各々の幅（Ｚ方向における寸法）よりも小さい。第１の溝３０ｇ１および第２の溝３０ｇ２の形成には、例えば幅が互いに異なる２種類のブレードが用いられ得る。第１の溝３０ｇ１および第２の溝３０ｇ２の幅の差による効果については後述する。
【0050】
複数の第１の溝３０ｇ１は、図５Ｂに示す凹部３０ｃを横切る。複数の第２の溝３０ｇ２は、図５Ｂに示す凹部３０ｃのＺ方向に沿って延びる端から離れた位置を通る。複数の第１の溝３０ｇ１のうち、互いに隣り合う２つの第１の溝３０ｇ１の中心間距離は均一ではなく、相対的に大きい中心間距離ｄ１と相対的に小さい中心間距離ｄ２とが交互に繰り返される。なお、複数の第１の溝３０ｇ１のうち、互いに隣り合う２つの第１の溝３０ｇ１の中心間距離は均一であってもよい。ｄ２／ｄ１は、例えば０．１以上１以下であり得る。複数の第２の溝３０ｇ２のうち、互いに隣り合う２つの第２の溝３０ｇ２の中心間距離は均一であってもよいし、均一でなくてもよい。
【0051】
中心間距離ｄ１を有する互いに隣り合う２つの第１の溝３０ｇ１の間の最短距離は、図３Ａおよび図３Ｂに示す外側面３０ｓ２のＺ方向における寸法を規定する。互いに隣り合う２つの第２の溝３０ｇ２の間の最短距離は、図３Ａに示す正面３０ｓ１、および図３Ｂに示す背面３０ｓ４のＸ方向における最大の寸法を規定する。
【0052】
複数の第１の溝３０ｇ１の各々の深さ（Ｙ方向における寸法）および複数の第２の溝３０ｇ２の各々の深さ（Ｙ方向における寸法）は互いに同じであり、図５Ｂに示す凹部３０ｃの深さよりも大きい。第１の溝３０ｇ１の深さは、図３Ａに示す正面３０ｓ１および図３Ｂに示す背面３０ｓ４のＹ方向における最大の寸法を規定する。第２の溝３０ｇ２の深さは、図３Ａおよび図３Ｂに示す外側面３０ｓ２のＹ方向における寸法を規定する。
【0053】
複数の第１の溝３０ｇ１および複数の第２の溝３０ｇ２を形成することにより、図３Ａから図３Ｃに示す支持部材３０の本体３０Ａ０が形成される。図５Ｃに示す太線によって囲まれた領域は、図３Ｃに示す本体３０Ａ０の底面３０ｓ５を表す。図５Ｃに示す例において、Ｘ方向およびＺ方向をそれぞれ行方向および列方向として、１５個の本体３０Ａ０が、５行３列のマトリクス状に位置する。
【0054】
本体３０Ａ０は、前述したように、一対の柱状部分３０ａ０と、一対の柱状部分３０ａ０の上部を連結する連結部分３０ｂ０とを有する。本体３０Ａ０の一対の柱状部分３０ａ０は、凹部３０ｃと、凹部３０ｃに隣り合う第２の溝３０ｇ２との間に位置する部分であって、中心間距離ｄ１を有する互いに隣り合う２つの第１の溝３０ｇ１の間に位置する部分から構成されている。本体３０Ａ０の連結部分３０ｂ０は、凹部３０ｃの底面と裏面３０ｓｂとの間に位置する部分であって、中心間距離ｄ１を有する互いに隣り合う２つの第１の溝３０ｇ１の間に位置する部分から構成されている。
【0055】
本体３０Ａ０の一対の柱状部分３０ａ０は、第１表面３０ｓａ１、第２表面３０ｓａ２、第３表面３０ｓａ３、第４表面３０ｓａ４、および第５表面３０ｓａ５を有する。第１表面３０ｓａ１は、複数の第１の溝３０ｇ１の各々によって露出する表面である。第２表面３０ｓａ２は、複数の第２の溝３０ｇ２の各々によって露出する表面である。第３表面３０ｓａ３は、第１表面３０ｓａ１および第２表面３０ｓａ２に繋がる表面である。第４表面３０ｓａ４は、図５Ｂに示す凹部３０ｃの内側面であって、第１表面３０ｓａ１および第３表面３０ｓａ３に繋がる表面である。第５表面３０ｓａ５は、図５Ｂに示す凹部３０ｃの底面である。
【0056】
第１の溝３０ｇ１および第２の溝３０ｇ２の幅および深さは以下の通りである。第１の溝３０ｇ１の幅は、例えば１００μｍ以上５００μｍ以下であり、第２の溝３０ｇ２の幅は、例えば１μｍ以上８０μｍ以下であり得る。第１の溝３０ｇ１の幅に対する第２の溝３０ｇ２の幅の比率は、０．０１以上０．６以下である。第１の溝３０ｇ１の深さは、例えば５００μｍ以上１５００μｍ以下であり、第２の溝３０ｇ２の深さは、例えば５０μｍ以上１５００μｍ以下であり得る。
【0057】
＜金属堆積工程＞
次の工程において、図５Ｃに示す基板３０Ｓ３の表面３０ｓａに対して垂直な方向から、図５Ｄに示すように、金属膜３０Ｍを物理堆積法によって形成することにより、金属膜３０Ｍを備える基板３０Ｓ４が形成される。図５Ｄに示すハッチング部分は、金属膜３０Ｍを表す。金属膜３０Ｍは、例えば、前述の単層または複数層を有し得る。
次の工程において、図５Ｃに示す基板３０Ｓ３の表面３０ｓａに対して垂直な方向から、図５Ｄに示すように、金属膜３０Ｍを物理堆積法によって形成することにより、金属膜３０Ｍを備える基板３０Ｓ４が形成される。図５Ｄに示すハッチング部分は、金属膜３０Ｍを表す。金属膜３０Ｍは、例えば、前述の単層または複数層を有し得る。
【0058】
物理堆積法は、例えば、スパッタリングまたは物理蒸着であり得る。物理蒸着では、対象物を膜材料よりも上方に配置した状態で、膜材料を加熱して蒸発させた原子を対象物に付着させることにより、当該対象物の表面に膜が形成される。スパッタリングでは、対象物を膜材料のターゲットに対向するように配置した状態で、ターゲットをスパッタして飛び出す原子を対象物に付着させることにより、当該対象物の表面に膜が形成される。物理蒸着およびスパッタリングにおいて、原子の飛来方向に対して斜めに交差する表面に形成される膜の厚さは、原子の飛来方向に対して垂直に交差する表面に形成される膜の厚さよりも小さくなる傾向にある。さらに、対象物に細くかつ深い溝がある場合、シャドウイング効果により、当該溝の側面の奥深い位置には飛来原子はほとんど到達しない。この性質を利用して、所定の箇所の金属膜の厚みが小さくなるように金属膜を形成することができる。
【0059】
金属堆積工程により、以下の複数の領域に金属膜３０Ｍが形成される。当該複数の領域は、説明の便宜上、序数によって番号付けされている。第１領域は、第１表面３０ｓａ１の少なくとも一部である領域である。第２領域は、第２表面３０ｓａ２の少なくとも一部である領域であって、前方および後方の第１表面３０ｓａ１ならびに第３表面３０ｓａ３から離れて位置する領域である。第３領域は、第３表面３０ｓａ３の少なくとも一部である領域である。第４領域は、第２表面３０ｓａ２のうち、前方および後方の第１表面３０ｓａ１ならびに第３表面３０ｓａ３を連結した表面と第２領域との間の領域である。第５領域は、第４表面３０ｓａ４の少なくとも一部である領域である。第６領域は、第５表面３０ｓａ５の少なくとも一部である領域である。
【0060】
物理堆積法において、第３領域および第６領域上の金属膜は、それぞれ、第３領域および第６領域に対して主に垂直方向から飛来する金属粒子から形成される。これに対して、第１領域および第５領域上の金属膜は、それぞれ、第１領域および第５領域に対して垂直方向ではなく主に斜め方向から飛来する金属粒子から形成される。したがって、金属堆積工程により、第１領域および第５領域の各々に形成される金属膜の厚さは、第３領域および第６領域の各々に形成される金属膜の厚さよりも小さくなる。
【0061】
第２の溝３０ｇ２の幅は第１の溝３０ｇ１の幅よりも小さく、第２領域は第２の溝３０ｇ２の奥深くに位置する。第２の溝３０ｇ２では、シャドウイング効果により、第２領域に対して斜め方向から飛来する金属粒子は、第２の溝３０ｇ２の奥深くに位置する第２領域にはほとんど到達しない。したがって、金属堆積工程により、第２領域に形成される金属膜３０Ｍの厚さは、第１領域および第５領域の各々に形成される金属膜３０Ｍの厚さよりも小さくなり、かつ、第３領域および第６領域の各々に形成される金属膜３０Ｍの厚さよりも小さくなる。
【0062】
第４領域は第２の溝３０ｇ２の開口付近に位置するので、第４領域に対して斜め方向から飛来する金属粒子は、第４領域にある程度到達する。したがって、金属堆積工程により、第４領域に形成される金属膜３０Ｍの厚さは、第２領域に形成される金属膜３０Ｍの厚さよりも大きくなり、かつ、第３領域および第６領域の各々に形成される金属膜３０Ｍの厚さよりも小さくなる。
【0063】
金属膜が形成される上記の複数の領域と、図３Ａから図３Ｃに示す本体３０Ａ０の複数の面３０ｓ１～３０ｓ７との対応関係は以下の通りである。第１領域は、図３Ａに示す本体３０Ａ０の正面３０ｓ１、および図３Ｂに示す本体３０Ａ０の背面３０ｓ４に対応する。第２領域は、図３Ａおよび図３Ｂに示す外側面３０ｓ２の領域３０ｒ２に対応する。第３領域は、図３Ｃに示す本体３０Ａ０の底面３０ｓ５に対応する。第４領域は、図３Ａおよび図３Ｂに示す外側面３０ｓ２の領域３０ｒ１に対応する。第５領域は、図３Ｃに示す本体３０Ａ０の内側面３０ｓ６に対応する。第６領域は、図３Ｃに示す本体３０Ａ０の下面３０ｓ７に対応する。
【0064】
上記の複数の領域に形成される金属膜の厚さは以下の通りである。第１領域上の金属膜の厚さは、例えば０．２μｍ以上１．６μｍ以下であり得る。第２領域上の金属膜の厚さは、例えば０．００１μｍ以上０．１μｍ以下であり得る。第３領域上の金属膜の厚さは、例えば０．４μｍ以上２μｍ以下であり得る。第４領域上の金属膜の厚さは、例えば０．２μｍ以上１．６μｍ以下であり得る。第５領域上の金属膜の厚さは、例えば０．２μｍ以上１．６μｍ以下であり得る。第６領域上の金属膜の厚さは、例えば０．４μｍ以上２μｍ以下であり得る。
【0065】
【0066】
＜基板の裏面に溝を形成して個片化する工程＞
次の工程において、図５Ｅに示す基板３０Ｓ４の裏面３０ｓｂに、図５Ｆに示すように、複数の第３の溝３０ｇ３および複数の第４の溝３０ｇ４を形成することにより、基板３０Ｓ４が切断されて複数の部分に個片化される。当該複数の部分は、図２に示す支持部材３０を一部に含む。裏面３０ｓｂに対する法線方向から見て、すなわち＋Ｙ方向から見た上面視で、複数の第３の溝３０ｇ３は、複数の第１の溝３０ｇ１を通ってそれぞれ形成される。上面視で、第３の溝３０ｇ３の一部は、第１の溝３０ｇ１の一部に重なる。上面視で、複数の第４の溝３０ｇ４は、複数の第２の溝３０ｇ２を通ってそれぞれ形成される。上面視で、第４の溝３０ｇ４の一部は、第２の溝３０ｇ２の全部に重なる。個片化された複数の部分は粘着シート３４によって固定されているので、当該複数の部分が散らばる可能性を低減できる。
次の工程において、図５Ｅに示す基板３０Ｓ４の裏面３０ｓｂに、図５Ｆに示すように、複数の第３の溝３０ｇ３および複数の第４の溝３０ｇ４を形成することにより、基板３０Ｓ４が切断されて複数の部分に個片化される。当該複数の部分は、図２に示す支持部材３０を一部に含む。裏面３０ｓｂに対する法線方向から見て、すなわち＋Ｙ方向から見た上面視で、複数の第３の溝３０ｇ３は、複数の第１の溝３０ｇ１を通ってそれぞれ形成される。上面視で、第３の溝３０ｇ３の一部は、第１の溝３０ｇ１の一部に重なる。上面視で、複数の第４の溝３０ｇ４は、複数の第２の溝３０ｇ２を通ってそれぞれ形成される。上面視で、第４の溝３０ｇ４の一部は、第２の溝３０ｇ２の全部に重なる。個片化された複数の部分は粘着シート３４によって固定されているので、当該複数の部分が散らばる可能性を低減できる。
【0067】
複数の第３の溝３０ｇ３の各々の幅（Ｚ方向における寸法）は、複数の第１の溝３０ｇ１の各々の幅よりも小さい。複数の第４の溝３０ｇ４の各々の幅（Ｘ方向における寸法）は、複数の第２の溝３０ｇ２の各々の幅よりも大きい。複数の第３の溝３０ｇ３の各々の幅は、複数の第４の溝３０ｇ４の各々の幅よりも小さい。
【0068】
複数の第３の溝３０ｇ３の各々の幅は、例えば、複数の第２の溝３０ｇ２の各々の幅と同じであり得る。複数の第４の溝３０ｇ４の各々の幅は、例えば、複数の第１の溝３０ｇ１の各々の幅と同じであり得る。第３の溝３０ｇ３は、例えば、第２の溝３０ｇ２を形成するブレードによって形成され得る。第４の溝３０ｇ４は、例えば、第１の溝３０ｇ１を形成するブレードによって形成され得る。
【0069】
複数の第３の溝３０ｇ３のうち、互いに隣り合う２つの第３の溝３０ｇ３の中心間距離は均一ではなく、中心間距離ｄ１と中心間距離ｄ２とが交互に繰り返される。中心間距離ｄ２（ｄ１）を有する互いに隣り合う２つの第３の溝３０ｇ３は、上面視で、中心間距離ｄ１（ｄ２）を有する互いに隣り合う２つの第１の溝３０ｇ１に部分的に重なる。上面視で、当該２つの第３の溝３０ｇ３の間に位置する対称線は、当該２つの第１の溝３０ｇ１の間に位置する対称線に重なる。
【0070】
複数の第４の溝３０ｇ４のうち、互いに隣り合う２つの第４の溝３０ｇ４の中心間距離は均一である。第４の溝３０ｇ４は、上面視で、第２の溝３０ｇ２に部分的に重なる。上面視で、第４の溝３０ｇ４の中心線は、第２の溝３０ｇ２の中心線に重なる。
【0071】
中心間距離ｄ２を有する互いに隣り合う２つの第３の溝３０ｇ３の間の最短距離は、図３Ａおよび図３Ｂに示す凸部３０ＢのＺ方向における寸法を規定する。互いに隣り合う２つの第４の溝３０ｇ４の間の最短距離は、図３Ａおよび図３Ｂに示す凸部３０ＢのＸ方向における寸法を規定する。
【0072】
複数の第３の溝３０ｇ３の各々の深さ（Ｙ方向における寸法）および複数の第４の溝３０ｇ４の各々の深さ（Ｙ方向における寸法）は互いに同じである。第３の溝３０ｇ３の深さおよび第４の溝３０ｇ４の深さは、図３Ａおよび図３Ｂに示す凸部３０ＢのＹ方向における寸法を規定する。
【0073】
【0074】
なお、上記の複数の溝３０ｇ１～ｇ４の各々の幅および深さはあくまで例示である。複数の溝３０ｇ１～ｇ４の各々の幅および深さは、図２に示す支持部材３０の形状に応じて、適宜設定され得る。
【0075】
＜支持部材以外の部分を除去する工程＞
次の工程において、図５Ｆに示す個片化された複数の部分のうち、支持部材３０以外の部分を粘着シート３４から除去することにより、図５Ｇに示すように、５行３列のマトリクス状に配列された１５個の支持部材３０を得ることができる。図５Ｇに示す破線によって囲まれた領域には、拡大された支持部材３０が示されている。
次の工程において、図５Ｆに示す個片化された複数の部分のうち、支持部材３０以外の部分を粘着シート３４から除去することにより、図５Ｇに示すように、５行３列のマトリクス状に配列された１５個の支持部材３０を得ることができる。図５Ｇに示す破線によって囲まれた領域には、拡大された支持部材３０が示されている。
【0076】
前述したように、上記の複数の領域に設けられる金属膜の厚さについて、第２領域に設けられる金属膜の厚さは、他の領域に設けられる金属膜の厚さよりも小さい。したがって、前述の加熱用のレーザ光に対する上記の複数の領域の反射率について、第２領域の反射率は、他の領域の反射率よりも低い。このことから、支持部材３０において、第１領域に接合材を介して他の部材を配置した状態で、第２領域にレーザ光を照射することにより、接合材を加熱して第１領域に他の部材を接合することが可能になる。
【0077】
図５Ａから図５Ｆを参照して説明した上記の工程により、一部に金属膜を備え、加熱用のレーザ光を照射する領域には金属膜を備えない支持部材３０を効率的に製造することができる。なお、図５Ｆを参照して説明した工程において、中心間距離ｄ２を有する互いに隣り合う２つの第３の溝３０ｇ３の間の部分を除去することにより、本体３０Ａを備えるが、凸部３０Ｂを備えない支持部材を形成してもよい。
【0078】
本実施形態による支持部材３０の製造方法とは異なり、金属膜３０Ｍを形成しない図５Ｃに示す基板３０Ｓ３を個片化し、本体３０Ａ０および凸部３０Ｂを備える構成に金属膜を形成する製造方法も考えられる。そのような製造方法では、本体３０Ａ０および凸部３０Ｂを備える構成のうち、加熱用のレーザ光を照射する領域に金属膜が形成されないようにマスク工程を追加する必要があり、製造工程が増えてしまう。これに対して、本実施形態による支持部材３０の製造方法では、マスク工程が必要ないという利点がある。
【0079】
さらに、本実施形態による支持部材３０の製造方法とは異なり、図５Ｄに示す基板３０Ｓ４を、金属膜３０Ｍが形成された表面３０ｓａからブレードによって切断して個片化する製造方法も考えられる。そのような製造方法では、金属膜３０Ｍの切断の際に金属バリが発生してしまう。金属バリが発生すると、図２に示す支持部材３０とレンズ４０との接合、および支持部材３０とサブマウント１０との接合において、接合不良が生じる可能性がある。これに対して、本実施形態による支持部材３０の製造方法では、図５Ｅに示す基板３０Ｓ４が、金属膜３０Ｍが形成されていない裏面３０ｓｂからブレードによって切断されて個片化される。したがって、金属バリの発生を低減でき、図２に示す支持部材３０とレンズ４０との接合、および支持部材３０とサブマウント１０との接合における接合不良を低減することが可能になる。
【0080】
本実施形態による支持部材３０の本体３０Ａがブリッジ形状を有するのは、図２に示すように、半導体レーザ素子２０を跨ぐように支持部材３０を配置するためである。用途および目的によっては、支持部材３０はブリッジ形状ではなく立方体の形状を有していてもよい。その場合、図５Ｂに示す凹部３０ｃを形成する必要はない。
【0081】
［各構成要素の材料および寸法などの詳細］
次に、図２に示す発光装置１００Ａのサブマウント１０、半導体レーザ素子２０、支持部材３０、無機接合層３２、およびレンズ４０、ならびに図１Ａに示すパッケージ５０およびリード端子６０の材料および寸法などの詳細を説明する。
次に、図２に示す発光装置１００Ａのサブマウント１０、半導体レーザ素子２０、支持部材３０、無機接合層３２、およびレンズ４０、ならびに図１Ａに示すパッケージ５０およびリード端子６０の材料および寸法などの詳細を説明する。
【0082】
＜サブマウント１０＞
サブマウント１０の一部または全体は、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣ、およびアルミナからなる群から選択される少なくとも１つのセラミックから形成され得る。あるいは、サブマウント１０の一部または全体は、例えば、ＣｕＷ、Ｃｕ、Ｃｕ／ＡｌＮ／Ｃｕの積層構造、および金属マトリクス複合材料（Ｍｅｔａｌ Ｍａｔｒｉｃｓ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ：ＭＭＣ）からなる群から選択される少なくとも１つから形成され得る。ＭＭＣは、例えば、Ｃｕ、ＡｇまたはＡｌからなる群から選択される少なくとも１つとダイヤモンドを含む。
サブマウント１０の一部または全体は、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣ、およびアルミナからなる群から選択される少なくとも１つのセラミックから形成され得る。あるいは、サブマウント１０の一部または全体は、例えば、ＣｕＷ、Ｃｕ、Ｃｕ／ＡｌＮ／Ｃｕの積層構造、および金属マトリクス複合材料（Ｍｅｔａｌ Ｍａｔｒｉｃｓ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ：ＭＭＣ）からなる群から選択される少なくとも１つから形成され得る。ＭＭＣは、例えば、Ｃｕ、ＡｇまたはＡｌからなる群から選択される少なくとも１つとダイヤモンドを含む。
【0083】
サブマウント１０の熱伝導率は、例えば１０［Ｗ／ｍ・Ｋ］以上２０００［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下であり得る。そのような熱伝導率により、サブマウント１０は、駆動時に半導体レーザ素子２０から発せられる熱を効率的にパッケージ５０に伝えることができる。
【0084】
サブマウント１０の熱膨張率は、例えば２×１０－６［１／Ｋ］以上２×１０－５［１／Ｋ］以下であり得る。そのような熱膨張率により、サブマウント１０の上に半導体レーザ素子２０を無機接合材で接合する際に加えられる熱によってサブマウント１０が変形する可能性を低減できる。
【0085】
サブマウント１０のＸ方向における寸法は、例えば１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、Ｙ方向における寸法は、例えば０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であり、Ｚ方向における寸法は、例えば１ｍｍ以上６ｍｍ以下である。
【0086】
サブマウント１０の上面１０ｓ１および下面１０ｓ２の各々に設けられる金属膜は、例えば、前述の単層または複数層を有し得る。当該金属膜のＹ方向における寸法は、例えば０．５μｍ以上１０μｍ以下であり得る。
【0087】
＜半導体レーザ素子２０＞
半導体レーザ素子２０は、Ｙ方向に沿って、ｎ型基板、ｎ型クラッド層、活性層、およびｐ型クラッド層を備える半導体積層構造を有する。ｎ型およびｐ型の関係は逆であってもよい。半導体レーザ素子２０は、さらに、半導体積層構造の上面および下面の各々に設けられる電極を備える。半導体積層構造のうち、ｐ型クラッド層に電気的に接続される電極を「ｐ側電極」と称し、ｎ型基板に電気的に接続される電極を「ｎ側電極」と称する。ｐ側電極とｎ側電極とに電圧を印加して閾値以上の電流を流すことにより、半導体レーザ素子２０は、活性層の２つの端面のうち、＋Ｚ方向側に位置する端面２０ｅからレーザ光を出射する。
半導体レーザ素子２０は、Ｙ方向に沿って、ｎ型基板、ｎ型クラッド層、活性層、およびｐ型クラッド層を備える半導体積層構造を有する。ｎ型およびｐ型の関係は逆であってもよい。半導体レーザ素子２０は、さらに、半導体積層構造の上面および下面の各々に設けられる電極を備える。半導体積層構造のうち、ｐ型クラッド層に電気的に接続される電極を「ｐ側電極」と称し、ｎ型基板に電気的に接続される電極を「ｎ側電極」と称する。ｐ側電極とｎ側電極とに電圧を印加して閾値以上の電流を流すことにより、半導体レーザ素子２０は、活性層の２つの端面のうち、＋Ｚ方向側に位置する端面２０ｅからレーザ光を出射する。
【0088】
半導体レーザ素子２０は、可視領域における紫色、青色、緑色もしくは赤色のレーザ光、または不可視領域における赤外もしくは紫外のレーザ光を出射し得る。紫色の発光ピーク波長は、３５０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、４００ｎｍ以上４１５ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。青色光の発光ピーク波長は、４２０ｎｍより大きく４９５ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、４４０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。緑色光の発光ピーク波長は、４９５ｎｍより大きく５７０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。赤色光の発光ピーク波長は、６０５ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、６１０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【0089】
紫色、青色および緑色のレーザ光を出射するレーザダイオードとしては、窒化物半導体材料を含むレーザダイオードが挙げられる。窒化物半導体材料としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、およびＡｌＧａＮを用いることができる。赤色のレーザ光を出射するレーザダイオードとしては、例えば、ＩｎＡｌＧａＰ系、ＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓ系、およびＡｌＧａＡｓ系の半導体材料を含むレーザダイオードが挙げられる。
【0090】
半導体レーザ素子２０のＸ方向における寸法は例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であり、Ｙ方向における寸法は例えば２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、Ｚ方向における寸法は例えば５０μｍ以上４ｍｍ以下であり得る。
【0091】
＜支持部材３０＞
支持部材３０の材料については、前述した通りである。支持部材３０の本体３０ＡのＸ方向における最大の寸法は、例えば０．６ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、Ｙ方向における最大の寸法は、例えば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、Ｚ方向における寸法は、例えば０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下であり得る。支持部材３０の凸部３０ＢのＸ方向における寸法は、例えば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、Ｙ方向における寸法は、例えば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、Ｚ方向における寸法は、例えば０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下であり得る。
支持部材３０の材料については、前述した通りである。支持部材３０の本体３０ＡのＸ方向における最大の寸法は、例えば０．６ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、Ｙ方向における最大の寸法は、例えば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、Ｚ方向における寸法は、例えば０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下であり得る。支持部材３０の凸部３０ＢのＸ方向における寸法は、例えば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、Ｙ方向における寸法は、例えば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、Ｚ方向における寸法は、例えば０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下であり得る。
【0092】
＜無機接合層３２＞
無機接合層３２は、前述したように、支持部材３０とレンズ４０とを接合する無機接合材を加熱することによって形成される。無機接合材は、前述の焼結材であり得る。あるいは、レンズ４０の位置を微調整する必要がない場合、無機接合材は、例えば、はんだ材またはろう材であり得る。はんだ付けまたはろう付けでは、はんだ材またはろう材を昇温によって溶融し、降温によって固化させることにより、部材同士が接合される。
無機接合層３２は、前述したように、支持部材３０とレンズ４０とを接合する無機接合材を加熱することによって形成される。無機接合材は、前述の焼結材であり得る。あるいは、レンズ４０の位置を微調整する必要がない場合、無機接合材は、例えば、はんだ材またはろう材であり得る。はんだ付けまたはろう付けでは、はんだ材またはろう材を昇温によって溶融し、降温によって固化させることにより、部材同士が接合される。
【0093】
はんだ材は、例えばＡｕＳｎ、ＳｎＣｕ、ＳｎＡｇ、およびＳｎＡｇＣｕからなる群から選択される少なくとも１つであり得る。ろう材は、例えば、金ろう材、錫ろう材、および銀ろう材からなる群から選択される少なくとも１つであり得る。
【0094】
無機接合材の厚さは、例えば１μｍ以上３０μｍ以下であり得る。そのような厚さを有する無機接合材により、接合強度を向上させることができ、かつ接合を短時間で終えることができる。
【0095】
サブマウント１０と半導体レーザ素子２０との接合、サブマウント１０と支持部材３０との接合、およびサブマウント１０と基体５０ｂのステージ５０ｂ２との接合に用いられる無機接合材は、例えば、前述の焼結材、はんだ材、またはろう材であり得る。
【0096】
＜レンズ４０＞
レンズ４０は、例えば、ガラス、シリコン、石英、合成石英、サファイア、透明セラミック、およびプラスチックからなる群から選択される少なくとも１つの透光性材料から形成され得る。レンズ４０は、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光に対して、例えば６０％以上の透過率を有し、好ましくは８０％以上の透過率を有し得る。
レンズ４０は、例えば、ガラス、シリコン、石英、合成石英、サファイア、透明セラミック、およびプラスチックからなる群から選択される少なくとも１つの透光性材料から形成され得る。レンズ４０は、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光に対して、例えば６０％以上の透過率を有し、好ましくは８０％以上の透過率を有し得る。
【0097】
レンズ４０のＸ方向における寸法は、例えば、支持部材３０のＸ方向における最大の寸法に等しくてもよいし、支持部材３０のＸ方向における最大の寸法よりも大きくてもよいし小さくてもよい。ただし、レンズ４０のＸ方向における寸法は、支持部材３０の本体３０Ａにおける２つの内側面のＸ方向における距離よりも大きい。レンズ４０のＹ方向における最大の寸法は、例えば０．２ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、Ｚ方向における最大の寸法は、例えば０．２ｍｍ以上３ｍｍ以下であり得る。
【0098】
レンズ４０の接合面４０ｓ３に設けられる金属膜４０ｍは、例えば、前述の単層または複数層を有し得る。当該金属膜のＺ方向における寸法は、例えば０．２μｍ以上２μｍ以下であり得る。
【0099】
＜パッケージ５０＞
パッケージ５０の基体５０ｂのうち、底板５０ｂ１は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｗ、およびＣｕＭｏからなる群から選択される少なくとも１つを含む金属から形成され得る。そのような金属から形成される底板５０ｂ１は高い熱伝導率を有するので、駆動時に半導体レーザ素子２０から発せられる熱を外部に効率的に伝えることができる。パッケージ５０の基体５０ｂのうち、側壁５０ｂ３は、サブマウント１０、半導体レーザ素子２０、支持部材３０、およびレンズ４０を囲む。側壁５０ｂ３は、例えばコバール（ｋｏｖａｒ）から形成され得る。コバールは、主成分である鉄にニッケルおよびコバルトを加えた合金である。
パッケージ５０の基体５０ｂのうち、底板５０ｂ１は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｗ、およびＣｕＭｏからなる群から選択される少なくとも１つを含む金属から形成され得る。そのような金属から形成される底板５０ｂ１は高い熱伝導率を有するので、駆動時に半導体レーザ素子２０から発せられる熱を外部に効率的に伝えることができる。パッケージ５０の基体５０ｂのうち、側壁５０ｂ３は、サブマウント１０、半導体レーザ素子２０、支持部材３０、およびレンズ４０を囲む。側壁５０ｂ３は、例えばコバール（ｋｏｖａｒ）から形成され得る。コバールは、主成分である鉄にニッケルおよびコバルトを加えた合金である。
【0100】
基体５０ｂの底板５０ｂ１に設けられるステージ５０ｂ２により、半導体レーザ素子２０の端面２０ｅと透光窓５０ｗとの高さを合わせることができる。ステージ５０ｂ２は、例えば、基体５０ｂの底板５０ｂ１と同じ材料から形成され得る。ステージ５０ｂ２は、例えば、基体５０ｂの底板５０ｂ１の一部が突出した部分であり得る。
【0101】
パッケージ５０に含まれる蓋体５０Ｌは、基体５０ｂと同じ材料から形成されてもよいし、異なる材料から形成されてもよい。パッケージ５０に含まれる透光窓５０ｗは、例えば、ガラス、石英、合成石英、サファイア、および透光性セラミックからなる群から選択される少なくとも１つの透光性材料から形成され得る。
【0102】
＜リード端子６０＞
２つのリード端子６０は、半導体レーザ素子２０に電流を注入する。当該２つのリード端子６０は、図１Ｂに示すように、ワイヤ６０ｗおよびサブマウント１０を介して半導体レーザ素子２０に電気的に接続されている。図１Ｂに示す例において、一方のリード端子６０は、３本のワイヤ６０ｗを介して、半導体レーザ素子２０の上面に設けられる金属膜（電極）に電気的に接続されている。他方のリード端子６０は、３本のワイヤ６０ｗを介して、サブマウント１０の上面１０ｓ１に設けられる金属膜に電気的に接続されている。１つのリード端子６０と半導体レーザ素子２０とを電気的に接続するワイヤ６０ｗの本数は３本である必要はなく、１本または２本でもよいし、４本以上でもよい。
２つのリード端子６０は、半導体レーザ素子２０に電流を注入する。当該２つのリード端子６０は、図１Ｂに示すように、ワイヤ６０ｗおよびサブマウント１０を介して半導体レーザ素子２０に電気的に接続されている。図１Ｂに示す例において、一方のリード端子６０は、３本のワイヤ６０ｗを介して、半導体レーザ素子２０の上面に設けられる金属膜（電極）に電気的に接続されている。他方のリード端子６０は、３本のワイヤ６０ｗを介して、サブマウント１０の上面１０ｓ１に設けられる金属膜に電気的に接続されている。１つのリード端子６０と半導体レーザ素子２０とを電気的に接続するワイヤ６０ｗの本数は３本である必要はなく、１本または２本でもよいし、４本以上でもよい。
【0103】
リード端子６０は、例えばＦｅ－Ｎｉ合金、またはＣｕ合金のような導電性材料から形成され得る。ワイヤ６０ｗは、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、およびＡｌからなる群から選択される少なくとも１つの金属から形成され得る。
【0104】
本開示は、以下の項目に記載の支持部材の製造方法、支持部材、および発光装置を含む。
［項目１］
他の部材を支持する支持部材の製造方法であって、
表面および裏面を有する基板を用意する工程と、
前記基板の前記表面に、第１方向に沿って延びる複数の第１の溝、および前記第１方向に交差する第２方向に沿って延びる複数の第２の溝を形成する工程と、
物理堆積法によって前記基板の前記表面に金属膜を形成する金属堆積工程と、
前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝に沿って前記基板を複数の支持部材に個片化する工程と、
を含み、
前記複数の第２の溝の各々の幅は、前記複数の第１の溝の各々の幅よりも小さく、
前記金属堆積工程は、
前記複数の第１の溝の各々によって露出する第１表面の少なくとも一部である第１領域、前記複数の第２の溝の各々によって露出する第２表面の少なくとも一部である第２領域、ならびに前記第１表面および前記第２表面に繋がる第３表面の少なくとも一部である第３領域に、前記金属膜を形成することを含み、
前記第２領域上の前記金属膜の厚さを、前記第１領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくし、かつ、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、支持部材の製造方法。
［項目２］
前記金属堆積工程は、前記第１領域上の前記金属膜の厚さを、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、項目１に記載の支持部材の製造方法。
［項目３］
前記金属堆積工程は、
前記第２表面のうち、前記第３表面と前記第２領域との間の第４領域に、前記金属膜を形成することを含み、
前記第４領域上の前記金属膜の厚さを、前記第２領域上の前記金属膜の厚さよりも大きくし、かつ、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、項目１または２に記載の支持部材の製造方法。
［項目４］
前記複数の第１の溝の各々の幅は、１００μｍ以上５００μｍ以下であり、
前記複数の第１の溝の各々の深さは、５００μｍ以上１５００μｍ以下であり、
前記複数の第２の溝の各々の幅は、１μｍ以上８０μｍ以下であり、
前記複数の第２の溝の各々の深さは、５０μｍ以上１５００μｍ以下である、項目１から３のいずれか１項に記載の支持部材の製造方法。
［項目５］
前記複数の第２の溝の各々の幅の、前記複数の第１の溝の各々の幅に対する比率は、０．０１以上０．６以下である、項目４に記載の支持部材の製造方法。
［項目６］
前記第１領域に接合材を介して前記他の部材を配置した状態で、前記第２領域にレーザ光を照射することにより、前記接合材を加熱して前記第１領域に前記他の部材を接合することが可能である、項目１から５のいずれか１項に記載の支持部材の製造方法。
［項目７］
前記レーザ光の波長は、０．９μｍ以上１．２μｍ以下であり、
前記波長を有する光に対する前記第２領域の反射率は、前記波長を有する光に対する前記第１領域および前記第３領域の各々の反射率よりも低い、項目６に記載の支持部材の製造方法。
［項目８］
前記基板を前記複数の支持部材に個片化する工程は、前記基板の前記裏面から、前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝を通って前記基板を切断することを含む、項目１から７のいずれか１項に記載の支持部材の製造方法。
［項目９］
用意する前記基板は、前記第２方向に沿って延びる複数の凹部を有し、
前記基板の前記表面に前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝を形成する工程は、前記基板の前記表面に、前記凹部を横切るように前記複数の第１の溝を形成し、前記凹部の端から離れた位置を通るように前記複数の第２の溝を形成することを含み、
前記複数の支持部材の各々は、一対の柱状部分および前記一対の柱状部分の上部を連結する連結部分を有し、
前記一対の柱状部分は、前記基板における前記凹部と、前記凹部に隣り合う前記第２の溝との間に位置する部分であって、前記複数の第１の溝のうち、互いに隣り合う第１の溝の間に位置する部分から構成されており、
前記連結部分は、前記基板における前記凹部の底面と前記裏面との間に位置する部分であって、前記複数の第１の溝のうち、互いに隣り合う第１の溝の間に位置する部分から構成されており、
前記一対の柱状部分は、前記第１表面、前記第２表面、および前記第３表面を有する、項目１から８のいずれか１項に記載の支持部材の製造方法。
［項目１０］
前記一対の柱状部分は、前記凹部の内側面であって、前記第１表面および前記第３表面に繋がる第４表面を有し、
前記金属堆積工程は、前記第４表面の少なくとも一部である第５領域に前記金属膜を堆積することを含む、項目９に記載の支持部材の製造方法。
［項目１１］
他の部材を支持する支持部材であって、
前記他の部材が接合される正面と、前記正面の反対側の背面と、前記正面および前記背面に繋がる底面と、前記正面および前記背面に繋がる２つの外側面とを有する本体と、
前記底面、前記正面、および前記２つの外側面の各々に設けられる金属膜と、
を備え、
前記２つの外側面の各々に設けられる前記金属膜の厚さは、前記底面に設けられる前記金属膜の厚さよりも小さく、かつ、前記正面に設けられる前記金属膜の厚さよりも小さい、支持部材。
［項目１２］
前記金属膜は、前記底面から前記２つの外側面にわたって連続的に設けられており、
前記２つの外側面の各々は、前記底面および前記正面に繋がる領域と、前記底面および前記正面から離れて位置する他の領域とを有し、前記領域に設けられる前記金属膜の厚さは、前記他の領域に設けられる前記金属膜の厚さよりも大きい、項目１１に記載の支持部材。
［項目１３］
前記本体は、前記正面および前記背面に繋がる上面を有し、
前記支持部材は、前記本体の前記上面から突出する凸部を備える、項目１１または１２に記載の支持部材。
［項目１４］
前記本体は、一対の柱状部分および前記一対の柱状部分の上部を連結する連結部分を有し、
前記本体の前記２つの外側面は、前記一対の柱状部分の外側面であり、
前記本体の前記底面は、前記一対の柱状部分の各々の底面であり、
前記本体の前記正面は、前記一対の柱状部分の正面および前記連結部分の正面を有する、項目１１から１３のいずれか１項に記載の支持部材。
［項目１５］
前記本体は、前記一対の柱状部分の内側面である２つの内側面を有し、前記２つの内側面の各々に設けられる金属膜を備える、項目１４に記載の支持部材。
［項目１６］
項目１１から１５のいずれか１項に記載の支持部材と、
前記支持部材によって支持されるレンズと、
前記レンズに向けて光を出射する半導体発光素子と、
前記支持部材および前記半導体発光素子を支持するサブマウントと、
を備える、発光装置。
［項目１］
他の部材を支持する支持部材の製造方法であって、
表面および裏面を有する基板を用意する工程と、
前記基板の前記表面に、第１方向に沿って延びる複数の第１の溝、および前記第１方向に交差する第２方向に沿って延びる複数の第２の溝を形成する工程と、
物理堆積法によって前記基板の前記表面に金属膜を形成する金属堆積工程と、
前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝に沿って前記基板を複数の支持部材に個片化する工程と、
を含み、
前記複数の第２の溝の各々の幅は、前記複数の第１の溝の各々の幅よりも小さく、
前記金属堆積工程は、
前記複数の第１の溝の各々によって露出する第１表面の少なくとも一部である第１領域、前記複数の第２の溝の各々によって露出する第２表面の少なくとも一部である第２領域、ならびに前記第１表面および前記第２表面に繋がる第３表面の少なくとも一部である第３領域に、前記金属膜を形成することを含み、
前記第２領域上の前記金属膜の厚さを、前記第１領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくし、かつ、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、支持部材の製造方法。
［項目２］
前記金属堆積工程は、前記第１領域上の前記金属膜の厚さを、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、項目１に記載の支持部材の製造方法。
［項目３］
前記金属堆積工程は、
前記第２表面のうち、前記第３表面と前記第２領域との間の第４領域に、前記金属膜を形成することを含み、
前記第４領域上の前記金属膜の厚さを、前記第２領域上の前記金属膜の厚さよりも大きくし、かつ、前記第３領域上の前記金属膜の厚さよりも小さくする、項目１または２に記載の支持部材の製造方法。
［項目４］
前記複数の第１の溝の各々の幅は、１００μｍ以上５００μｍ以下であり、
前記複数の第１の溝の各々の深さは、５００μｍ以上１５００μｍ以下であり、
前記複数の第２の溝の各々の幅は、１μｍ以上８０μｍ以下であり、
前記複数の第２の溝の各々の深さは、５０μｍ以上１５００μｍ以下である、項目１から３のいずれか１項に記載の支持部材の製造方法。
［項目５］
前記複数の第２の溝の各々の幅の、前記複数の第１の溝の各々の幅に対する比率は、０．０１以上０．６以下である、項目４に記載の支持部材の製造方法。
［項目６］
前記第１領域に接合材を介して前記他の部材を配置した状態で、前記第２領域にレーザ光を照射することにより、前記接合材を加熱して前記第１領域に前記他の部材を接合することが可能である、項目１から５のいずれか１項に記載の支持部材の製造方法。
［項目７］
前記レーザ光の波長は、０．９μｍ以上１．２μｍ以下であり、
前記波長を有する光に対する前記第２領域の反射率は、前記波長を有する光に対する前記第１領域および前記第３領域の各々の反射率よりも低い、項目６に記載の支持部材の製造方法。
［項目８］
前記基板を前記複数の支持部材に個片化する工程は、前記基板の前記裏面から、前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝を通って前記基板を切断することを含む、項目１から７のいずれか１項に記載の支持部材の製造方法。
［項目９］
用意する前記基板は、前記第２方向に沿って延びる複数の凹部を有し、
前記基板の前記表面に前記複数の第１の溝および前記複数の第２の溝を形成する工程は、前記基板の前記表面に、前記凹部を横切るように前記複数の第１の溝を形成し、前記凹部の端から離れた位置を通るように前記複数の第２の溝を形成することを含み、
前記複数の支持部材の各々は、一対の柱状部分および前記一対の柱状部分の上部を連結する連結部分を有し、
前記一対の柱状部分は、前記基板における前記凹部と、前記凹部に隣り合う前記第２の溝との間に位置する部分であって、前記複数の第１の溝のうち、互いに隣り合う第１の溝の間に位置する部分から構成されており、
前記連結部分は、前記基板における前記凹部の底面と前記裏面との間に位置する部分であって、前記複数の第１の溝のうち、互いに隣り合う第１の溝の間に位置する部分から構成されており、
前記一対の柱状部分は、前記第１表面、前記第２表面、および前記第３表面を有する、項目１から８のいずれか１項に記載の支持部材の製造方法。
［項目１０］
前記一対の柱状部分は、前記凹部の内側面であって、前記第１表面および前記第３表面に繋がる第４表面を有し、
前記金属堆積工程は、前記第４表面の少なくとも一部である第５領域に前記金属膜を堆積することを含む、項目９に記載の支持部材の製造方法。
［項目１１］
他の部材を支持する支持部材であって、
前記他の部材が接合される正面と、前記正面の反対側の背面と、前記正面および前記背面に繋がる底面と、前記正面および前記背面に繋がる２つの外側面とを有する本体と、
前記底面、前記正面、および前記２つの外側面の各々に設けられる金属膜と、
を備え、
前記２つの外側面の各々に設けられる前記金属膜の厚さは、前記底面に設けられる前記金属膜の厚さよりも小さく、かつ、前記正面に設けられる前記金属膜の厚さよりも小さい、支持部材。
［項目１２］
前記金属膜は、前記底面から前記２つの外側面にわたって連続的に設けられており、
前記２つの外側面の各々は、前記底面および前記正面に繋がる領域と、前記底面および前記正面から離れて位置する他の領域とを有し、前記領域に設けられる前記金属膜の厚さは、前記他の領域に設けられる前記金属膜の厚さよりも大きい、項目１１に記載の支持部材。
［項目１３］
前記本体は、前記正面および前記背面に繋がる上面を有し、
前記支持部材は、前記本体の前記上面から突出する凸部を備える、項目１１または１２に記載の支持部材。
［項目１４］
前記本体は、一対の柱状部分および前記一対の柱状部分の上部を連結する連結部分を有し、
前記本体の前記２つの外側面は、前記一対の柱状部分の外側面であり、
前記本体の前記底面は、前記一対の柱状部分の各々の底面であり、
前記本体の前記正面は、前記一対の柱状部分の正面および前記連結部分の正面を有する、項目１１から１３のいずれか１項に記載の支持部材。
［項目１５］
前記本体は、前記一対の柱状部分の内側面である２つの内側面を有し、前記２つの内側面の各々に設けられる金属膜を備える、項目１４に記載の支持部材。
［項目１６］
項目１１から１５のいずれか１項に記載の支持部材と、
前記支持部材によって支持されるレンズと、
前記レンズに向けて光を出射する半導体発光素子と、
前記支持部材および前記半導体発光素子を支持するサブマウントと、
を備える、発光装置。
【産業上の利用可能性】
【0105】
本開示の支持部材の製造方法は、例えば、光学部品または半導体素子を支持する支持部材の製造に適用され得る。本開示の支持部材は、例えば、光学部品または半導体素子を支持する部材に適用され得る。本開示の発光装置は、例えば、加工、プロジェクタ、ディスプレイ、または照明器具に用いられる光源に適用され得る。
【符号の説明】
【0106】
１０：サブマウント １０ｓ１：上面 １０ｓ２：下面 ２０：半導体レーザ素子 ２０Ｌ：レーザ光 ２０ｅ：端面 ３０：支持部材 ３０Ａ、３０Ａ０：本体 ３０Ｂ：凸部 ３０Ｍ、３０ｍ：金属膜 ３０Ｓ１、３０Ｓ２、３０Ｓ３、３０Ｓ４：基板 ３０ａ、３０ａ０：一対の柱状部分 ３０ｂ、３０ｂ０：連結部分 ３０ｃ：凹部 ３０ｇ１：第１の溝 ３０ｇ２：第２の溝 ３０ｇ３：第３の溝 ３０ｇ４：第４の溝 ３０ｒ１、３０ｒ２：領域 ３０ｓ１：正面 ３０ｓ２：外側面 ３０ｓ３：上面 ３０ｓ４：背面 ３０ｓ５：底面 ３０ｓ６ 内側面 ３０ｓ７：下面 ３０ｓａ：表面 ３０ｓａ１：第１表面 ３０ｓａ２：第２表面 ３０ｓａ３：第３表面 ３０ｓａ４：第４表面 ３０ｓａ５：第５表面 ３０ｓｂ：裏面 ３２：無機接合層 ３２ａ：金属ペースト ３４：粘着シート ４０：レンズ ４０ｍ：金属膜 ５０：パッケージ ５０Ｌ：蓋体 ５０ｂ：基体 ５０ｂ１：底板 ５０ｂ２：ステージ ５０ｂ３：側壁 ５０ｗ：透光窓 ６０：リード端子 ６０ｗ：ワイヤ １００、１００Ａ：発光装置
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図5G】