特開 2024-90550 半導体製造装置、半導体製造工場及び半導体製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024090550

(43)【公開日】2024-07-04

(54)【発明の名称】半導体製造装置、半導体製造工場及び半導体製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20240627BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 Z

【審査請求】有

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022206528

(22)【出願日】2022-12-23

(71)【出願人】

【識別番号】302006854

【氏名又は名称】株式会社ＳＵＭＣＯ

(74)【代理人】

【識別番号】110000486

【氏名又は名称】弁理士法人とこしえ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】南出 由生

(72)【発明者】

【氏名】和田 直之

(57)【要約】      （修正有）

【課題】処理すべき処理部が製造ロットごとに決められている場合でも製造時間を短縮できる半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置は、処理すべき反応炉１１Ａ、１１Ｂが製造ロット毎に決められている被処理物を製造ロット単位でロードポート１５Ｘ～１５Ｚに搬入し、被処理物の夫々を１個単位で反応炉へ搬送して処理したのち、被処理物の製造ロットを、ロードポートの夫々に搬入するとともに残りのロードポートは空席とした上で、夫々の反応炉で処理を開始し、夫々の反応炉で被処理物を処理している間に、夫々の反応炉における被処理物の製造情報に基づいて、相対的に早く処理を終了する反応炉を予測し、夫々の反応炉での処理を終了する前に、現在空席となっているロードポートに、相対的に早く処理を終了すると予測された反応炉で処理すべき製造ロットを搬入する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の処理部とそれを超える数の搬入出部を備え、処理すべき処理部が製造ロットごとに決められている被処理物を前記製造ロット単位で前記搬入出部に搬入し、当該被処理物のそれぞれを１個単位で前記処理部へ搬送して処理したのち、前記搬入出部へ搬送する半導体製造装置において、
それぞれの処理部で処理すべき被処理物の製造ロットを、前記搬入出部のそれぞれに搬入するとともに残りの搬入出部は空席とした上で、前記それぞれの処理部で処理を開始し、
前記それぞれの処理部で前記被処理物を処理している間に、前記それぞれの処理部における前記被処理物の製造情報に基づいて、相対的に早く処理を終了する処理部を予測し、
前記それぞれの処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている搬入出部に、前記相対的に早く処理を終了すると予測された処理部で処理すべき製造ロットを搬入する半導体製造装置。

【請求項2】

前記搬入出部に在席している製造ロットのうち、最後の被処理物又は最後から２番目の被処理物が前記処理部での処理を開始したときに、前記相対的に早く処理を終了する処理部を予測する請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項3】

前記被処理物の製造情報は、前記被処理物の処理時間、前記被処理物の処理順序又は前記製造ロットに含まれる被処理物の数量を含む請求項１又は２に記載の半導体製造装置。

【請求項4】

一の処理部において一の製造ロットの処理が終了した場合に、前記搬入出部のいずれかに前記一の処理部で処理すべき他の製造ロットが在席しているときは、当該他の製造ロットの処理を前記一の処理部により開始する請求項１又は２に記載の半導体製造装置。

【請求項5】

請求項１に記載の半導体製造装置が、複数設置されている半導体製造工場。

【請求項6】

複数の前記半導体装置から送信された前記処理部の製造情報を集約し、相対的に早く処理を終了する前記処理部を予測する統括コントローラと、
前記統括コントローラの予測に基づいて、それぞれの処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている搬入出部に、前記相対的に早く処理を終了すると予測された処理部で処理すべき製造ロットの搬入を、前記複数の半導体製造装置へ指示する生産管理装置と、
前記生産管理装置の指示に基づいて、製造ロットを前記複数の半導体装置に搬入する搬送装置と、を備える請求項５に記載の半導体製造工場。

【請求項7】

複数の処理部とそれを超える数の搬入出部を備える半導体製造装置を用い、処理すべき処理部が製造ロットごとに決められている被処理物を前記製造ロット単位で前記搬入出部に搬入し、当該被処理物のそれぞれを１個単位で前記処理部へ搬送して処理したのち、前記搬入出部へ搬送する半導体製造方法において、
それぞれの処理部で処理すべき被処理物の製造ロットを、前記搬入出部のそれぞれに搬入するとともに残りの搬入出部は空席とした上で、前記それぞれの処理部で処理を開始し、
前記それぞれの処理部で前記被処理物を処理している間に、前記それぞれの処理部における被処理物の製造情報に基づいて、相対的に早く処理を終了する処理部を予測し、
前記それぞれの処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている搬入出部に、前記相対的に早く処理を終了すると予測された処理部で処理すべき製造ロットを搬入する半導体製造方法。

【請求項8】

前記搬入出部に在席している製造ロットのうち、最後の被処理物又は最後から２番目の被処理物が前記処理部での処理を開始したときに、前記相対的に早く処理を終了する処理部を予測する請求項５に記載の半導体製造方法。

【請求項9】

前記被処理物の製造情報は、前記被処理物の処理時間、前記被処理物の処理順序又は前記製造ロットに含まれる被処理物の数量を含む請求項５又は６に記載の半導体製造方法。

【請求項10】

一の処理部において一の製造ロットの処理が終了した場合に、前記搬入出部のいずれかに前記一の処理部で処理すべき他の製造ロットが在席しているときは、当該他の製造ロットの処理を前記一の処理部により開始する請求項５又は６に記載の半導体製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体製造装置、半導体製造工場及び半導体製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

処理チャンバを複数備え、当該処理チャンバへの搬送制御パターンを複数設定することができる半導体製造装置に対し、現在の稼動状態および現在の在庫ロットに関するデータを収集し、半導体製造装置で処理予定の各ロットについての処理内容を示すレシピに応じたウェーハ処理時間および各ロット単位処理の間に発生するロス時間に関するデータを収集し、収集した各データに基づいて、ウェーハ搬送制御内容ごとに全在庫ロットの平均リードタイムをそれぞれ算出し、算出した各平均リードタイムの大小関係に基づいてウェーハ搬送制御内容を選択する半導体製造装置の制御システムが知られている（特許文献１参照）。これにより、ロット処理間にロス時間が存在する場合でも、半導体製造装置に対して最適なウェーハ搬送制御処理を指示することができる、とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－２５１５０７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、半導体製造工場の中で顧客の仕様などによって処理すべき処理チャンバが製造ロットごとに決められている場合、上記従来技術を適用することはできない。

【0005】

本発明が解決しようとする課題は、複数の処理部とそれを超える数の搬入出部を備える半導体製造装置につき、処理すべき処理部が製造ロットごとに決められている場合でも製造時間を短縮できる半導体製造装置、半導体製造工場及び半導体製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、複数の処理部とそれを超える数の搬入出部を備え、処理すべき処理部が製造ロットごとに決められている被処理物を前記製造ロット単位で前記搬入出部に搬入し、当該被処理物のそれぞれを１個単位で前記処理部へ搬送して処理したのち、前記搬入出部へ搬送する半導体製造装置において、
それぞれの処理部で処理すべき被処理物の製造ロットを、前記搬入出部のそれぞれに搬入するとともに残りの搬入出部は空席とした上で、前記それぞれの処理部で処理を開始し、
前記それぞれの処理部で前記被処理物を処理している間に、前記それぞれの処理部における前記被処理物の製造情報に基づいて、相対的に早く処理を終了する処理部を予測し、
前記それぞれの処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている搬入出部に、前記相対的に早く処理を終了すると予測された処理部で処理すべき製造ロットを搬入する半導体製造装置によって上記課題を解決する。

【0007】

また本発明は、複数の処理部とそれを超える数の搬入出部を備える半導体製造装置を用い、処理すべき処理部が製造ロットごとに決められている被処理物を前記製造ロット単位で前記搬入出部に搬入し、当該被処理物のそれぞれを１個単位で前記処理部へ搬送して処理したのち、前記搬入出部へ搬送する半導体製造方法において、
それぞれの処理部で処理すべき被処理物の製造ロットを、前記搬入出部のそれぞれに搬入するとともに残りの搬入出部は空席とした上で、前記それぞれの処理部で処理を開始し、
前記それぞれの処理部で前記被処理物を処理している間に、前記それぞれの処理部における被処理物の製造情報に基づいて、相対的に早く処理を終了する処理部を予測し、
前記それぞれの処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている搬入出部に、前記相対的に早く処理を終了すると予測された処理部で処理すべき製造ロットを搬入する半導体製造方法によって上記課題を解決する。

【0008】

上記本発明において、前記搬入出部に在席している製造ロットのうち、最後の被処理物又は最後から２番目の被処理物が前記処理部での処理を開始したときに、前記相対的に早く処理を終了する処理部を予測することがより好ましい。

【0009】

また上記本発明において、前記被処理物の製造情報は、前記被処理物の処理時間、前記被処理物の処理順序又は前記製造ロットに含まれる被処理物の数量を含むことができる。

【0010】

また上記本発明において、一の処理部において一の製造ロットの処理が終了した場合に、前記搬入出部のいずれかに前記一の処理部で処理すべき他の製造ロットが在席しているときは、当該他の製造ロットの処理を前記一の処理部により開始することがより好ましい。

【0011】

また本発明は、上記発明に係る半導体製造装置が、複数設置されている半導体製造工場によっても上記課題を解決する。

【0012】

上記発明において、複数の前記半導体装置から送信された前記処理部の製造情報を集約し、相対的に早く処理を終了する前記処理部を予測する統括コントローラと、
前記統括コントローラの予測に基づいて、それぞれの処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている搬入出部に、前記相対的に早く処理を終了すると予測された処理部で処理すべき製造ロットの搬入を、前記複数の半導体装置へ指示する生産管理装置と、
前記生産管理装置の指示に基づいて、製造ロットを前記複数の半導体製造装置に搬入する搬送装置と、を備えることが好ましい。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、複数の処理部とそれを超える数の搬入出部を備える半導体製造装置に対し、それぞれの処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている搬入出部に、相対的に早く処理を終了すると予測された処理部で処理すべき製造ロットを搬入する。これにより、処理部において間隔をおけることなく連続して製造でき、搬入出部において製造開始を待機する時間が短縮される。その結果、処理すべき処理部が製造ロットごとに決められている場合でも、被処理物の製造時間を短縮することができる。特に、複数の処理部を備えた半導体製造装置が半導体製造工場内に複数設置されている場合、複数台分の多数の処理部を使用して、例えば仕様の異なった多品種の半導体製品を効率よく製造することができ、効果が大きくなる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明に係る半導体製造装置の一実施の形態である気相成長装置を示す平面ブロック図である。

【図2】図１の気相成長装置を模式化したブロック図であり、製造ロット及び被処理物の取り廻しを示すブロック図である。

【図3】図２の気相成長装置を用いた製造ロット及び被処理物の取り廻しの実施例と比較例を示すタイムチャートである。

【図4A】図３の実施例の処理手順を示すタイムチャート（その１）である。

【図4B】図３の実施例の処理手順を示すタイムチャート（その２）である。

【図4C】図３の実施例の処理手順を示すタイムチャート（その３）である。

【図4D】図３の実施例の処理手順を示すタイムチャート（その４）である。

【図5】図２の気相成長装置による製造ロット及び被処理物の取り廻し手順を示すフローチャートである。

【図6】図１の半導体製造装置が複数設置された半導体製造工場の一実施形態を示すブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。本発明の半導体製造装置及び半導体製造方法は、半導体デバイスを製造するための装置及び方法を意味し、特に限定されないが、半導体の表面に薄膜を堆積する化学気相成長装置及び方法（ＣＶＤ装置）、半導体に微細な凹凸を形成するエッチング装置及び方法、半導体の表面を洗浄する洗浄装置及び方法などの装置及び方法が含まれる。以下の実施形態では、半導体製造装置及び方法の一例として、シリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンエピタキシャル膜を形成する気相成長装置及び方法を挙げ、本発明の実施形態を説明する。

【0016】

図１は、本発明の実施形態に係る気相成長装置１を示す平面ブロック図であり、中央に示す気相成長装置１の本体は、平面図で示したものである。本実施形態の気相成長装置１は、いわゆるＣＶＤ装置であり、一対の反応炉１１Ａ，１１Ｂと、シリコン単結晶ウェーハなどのウェーハＷＦをハンドリングする第１ロボット１２１が設置されたウェーハ移載室１２と、一対のロードロック室１３Ａ，１３Ｂと、ウェーハＷＦをハンドリングする第２ロボット１４１が設置されたファクトリインターフェース１４と、複数枚のウェーハＷＦを収納したウェーハ収納容器１５（カセットケース，ＦＯＵＰともいう。）を設置するロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚと、を備える。

【0017】

ファクトリインターフェース１４は、ウェーハ収納容器１５が搬入及び搬出されるロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚの部屋（クリーンルーム）と同じ大気雰囲気とされた領域である。このファクトリインターフェース１４には、ウェーハ収納容器１５に収納された処理前のウェーハＷＦを取り出してロードロック室１３へ投入する一方、ロードロック室１３へ搬送されてきた処理後のウェーハＷＦをウェーハ収納容器１５へ収納する第２ロボット１４１が設けられている。第２ロボット１４１は、第２ロボットコントローラ１４２により制御され、ロボットハンドの先端に装着された第２ブレード１４３が、予めティーチングされた所定の軌跡に沿って移動する。

【0018】

それぞれのロードロック室１３Ａ，１３Ｂとファクトリインターフェース１４との間には、気密性を有する開閉可能な第１ドア１３１Ａ，１３１Ｂが設けられ、それぞれのロードロック室１３Ａ，１３Ｂとウェーハ移載室１２との間には、同じく気密性を有する開閉可能な第２ドア１３２Ａ，１３２Ｂが設けられている。そして、それぞれのロードロック室１３Ａ，１３Ｂは、不活性ガス雰囲気とされたウェーハ移載室１２と、大気雰囲気とされたファクトリインターフェース１４との間で、雰囲気ガスを置換するスペースとして機能する。そのため、ロードロック室１３Ａ，１３Ｂの内部を真空排気する排気装置と、ロードロック室１３Ａ，１３Ｂに不活性ガスを供給する供給装置とが設けられている。

【0019】

たとえば、処理前のウェーハＷＦを、ロードロック室１３Ａを介してウェーハ収納容器１５からウェーハ移載室１２に搬送する場合には、ファクトリインターフェース１４側の第１ドア１３１Ａを閉じ、ウェーハ移載室１２側の第２ドア１３２Ａを閉じ、ロードロック室１３Ａを不活性ガス雰囲気とした状態で、第２ロボット１４１を用いて、ウェーハ収納容器１５のウェーハＷＦを取り出し、ファクトリインターフェース１４側の第１ドア１３１Ａを開け、ウェーハＷＦをロードロック室１３Ａに搬送する。次いで、ファクトリインターフェース１４側の第１ドア１３１Ａを閉じて当該ロードロック室１３Ａを再び不活性ガス雰囲気にしたのち、ウェーハ移載室１２側の第２ドア１３２Ａを開き、第１ロボット１２１を用いて、当該ウェーハＷＦをウェーハ移載室１２に搬送する。

【0020】

逆に、処理後のウェーハＷＦを、ロードロック室１３Ａを介してウェーハ移載室１２からウェーハ収納容器１５へ搬送する場合には、ファクトリインターフェース１４側の第１ドア１３１Ａを閉じ、ウェーハ移載室１２側の第２ドア１３２Ａを閉じ、ロードロック室１３Ａを不活性ガス雰囲気とした状態で、ウェーハ移載室１２側の第２ドア１３２Ａを開き、第１ロボット１２１を用いて、ウェーハ移載室１２のウェーハＷＦをロードロック室１３Ａに搬送する。次いで、ウェーハ移載室１２側の第２ドア１３２Ａを閉じて当該ロードロック室１３Ａを再び不活性ガス雰囲気にしたのち、ファクトリインターフェース１４側の第１ドア１３１Ａを開き、第２ロボット１４１を用いて、当該ウェーハＷＦをウェーハ収納容器１５に搬送する。

【0021】

ウェーハ移載室１２は、密閉されたチャンバからなり、一方がロードロック室１３Ａ，１３Ｂと開閉可能な気密性を有する第２ドア１３２Ａ，１３２Ｂを介して接続され、他方が気密性を有する開閉可能なゲートバルブ１１４Ａ，１１４Ｂを介して接続されている。ウェーハ移載室１２には、処理前のウェーハＷＦをロードロック室１３Ａ，１３Ｂから反応室１１１Ａ，１１１Ｂへ搬送するとともに、処理後のウェーハＷＦを反応室１１１Ａ，１１１Ｂからロードロック室１３Ａ，１３Ｂへ搬送する第１ロボット１２１が設置されている。第１ロボット１２１は、第１ロボットコントローラ１２２により制御され、ロボットハンドの先端に装着された第１ブレード１２３が、予めティーチングされた動作軌跡に沿って移動する。

【0022】

気相成長装置１の全体の制御を統括する１６と、第１ロボットコントローラ１２２と、第２ロボットコントローラ１４２とは、相互に制御信号を送受信する。そして、統括コントローラ１６からの動作指令信号が第１ロボットコントローラ１２２に送信されると、第１ロボットコントローラ１２２は、第１ロボット１２１の動作を制御し、当該第１ロボット１２１の動作結果が第１ロボットコントローラ１２２から統括コントローラ１６へ送信される。これにより、統括コントローラ１６は、第１ロボット１２１の動作状態を認識する。同様に、統括コントローラ１６からの動作指令信号が第２ロボットコントローラ１４２に送信されると、第２ロボットコントローラ１４２は第２ロボット１４１の動作を制御し、当該第２ロボット１４１の動作結果が第２ロボットコントローラ１４２から統括コントローラ１６へ送信される。これにより、統括コントローラ１６は、第２ロボット１４１の動作状態を認識する。

【0023】

ウェーハ移載室１２には、図示しない不活性ガス供給装置から不活性ガスが供給され、排気口に接続されたスクラバ（洗浄集塵装置）によってウェーハ移載室１２のガスが浄化されたのち、系外へ放出される。この種のスクラバは、詳細な図示は省略するが、たとえば従来公知の加圧水式スクラバを用いることができる。

【0024】

反応炉１１Ａ，１１Ｂは、ＣＶＤ法によりウェーハＷＦの表面にエピタキシャル膜を生成するための装置であって、反応室１１１Ａ，１１１Ｂを備え、当該反応室１１１Ａ，１１１Ｂの内部にウェーハＷＦを載置して回転するサセプタ１１２Ａ，１１２Ｂが設けられている、また、反応炉１１Ａ，１１Ｂには、反応室１１１Ａ，１１１Ｂに水素ガス及びＣＶＤ膜を生成するための原料ガス（ＣＶＤ膜がシリコンエピタキシャル膜の場合は、たとえば四塩化ケイ素ＳｉＣｌ４やトリクロロシランＳｉＨＣｌ３など）を供給するガス供給装置１１３Ａ，１１３Ｂが設けられている。図示は省略するが、反応室１１１Ａ，１１１Ｂの周囲には、ウェーハＷＦを所定温度に昇温するための加熱ランプが設けられている。さらに、反応室１１１Ａ，１１１Ｂとウェーハ移載室１２との間には、ゲートバルブ１１４Ａ，１１４Ｂが設けられ、ゲートバルブ１１４Ａ，１１４Ｂを閉塞することで反応室１１１Ａ，１１１Ｂのウェーハ移載室１２との気密性が確保される。これら反応炉１１Ａ，１１Ｂのサセプタ１１２Ａ，１１２Ｂの駆動、ガス供給装置１１３Ａ，１１３Ｂによるガスの供給・停止、加熱ランプのＯＮ／ＯＦＦ、ゲートバルブ１１４Ａ，１１４Ｂの開閉動作の各制御は、統括コントローラ１６からの指令信号により制御される。なお、図１に示す気相成長装置１は、一対の反応炉１１Ａ，１１Ｂを設けた例を示したが、３つ以上の反応炉でもよい。

【0025】

反応炉１１Ａ，１１Ｂにも、ウェーハ移載室１２と同様の構成を有するスクラバ（洗浄集塵装置）が設けられている。すなわち、ガス供給装置１１３Ａ，１１３Ｂから供給された水素ガス又は原料ガスは、反応室１１１Ａ，１１１Ｂに設けられた排気口に接続されたスクラバによって浄化されたのち、系外へ放出される。このスクラバについても、たとえば従来公知の加圧水式スクラバを用いることができる。

【0026】

さて、図１に示すように２つの反応炉１１Ａ，１１Ｂが設けられた気相成長装置１を用いてシリコン単結晶ウェーハにシリコンエピタキシャル膜を形成する場合に、ウェーハＷＦの製品仕様により、どちらの反応炉１１Ａ，１１Ｂで製造するかを、生産計画時に決定しておくことがある。たとえば、反応炉１１Ａ，１１Ｂに設けられたサセプタ１１２Ａ，１１２Ｂが、製品仕様に合わせて異なっている場合、ウェーハＷＦは、使用するサセプタによって製造すべき反応炉１１Ａ，１１Ｂが決められる。また、同じ製造ロットのウェーハＷＦは、同じ反応炉１１Ａ，１１Ｂで製造する方が、製造ロット間での品質が均一になるし、不具合の解析調査にも便利である。

【0027】

そのため、一つのウェーハ収納容器１５に収納された全てのウェーハＷＦは、予め決められた反応炉１１Ａ又は１１Ｂの一方に一枚ずつ搬送されて処理されたのち、元のウェーハ収納容器１５に戻される。すなわち、反応炉１１Ａで処理するウェーハＷＦが収納されたウェーハ収納容器１５が、図１のロードポート１５Ｘに搬入された場合、そのウェーハＷＦは全て反応炉１１Ａへ搬送されて処理されたのちロードポート１５Ｘのウェーハ収納容器１５に戻される。一方、反応炉１１Ｂで処理するウェーハＷＦが収納されたウェーハ収納容器１５が、図１のロードポート１５Ｙに搬入された場合、そのウェーハＷＦは全て反応炉１１Ｂへ搬送されて処理されたのちロードポート１５Ｙのウェーハ収納容器１５に戻される。

【0028】

このように、一のロードポート１５Ｘに搬入した製造ロットのウェーハＷＦを一の反応炉１１Ａでのみ処理し、他のロードポート１５Ｙに搬入した他の製造ロットのウェーハＷＦを他の反応炉１１Ｂでのみ処理するといったウェーハの搬送制御は、パラレル運転モードとも称される。これに対し、一のロードポート１５Ｘに搬入した製造ロットのウェーハＷＦを、いずれか空いている方の反応炉１１Ａ，１１Ｂで順次処理し、ロードポート１５Ｘに搬入した製造ロットのウェーハＷＦを全て処理したら、他のロードポート１５Ｙに搬入した製造ロットのウェーハをいずれか空いている方の反応炉１１Ａ，１１Ｂで順次処理するといったウェーハの搬送制御は、シリアル運転モードとも称される。

【0029】

ここで、上記パラレル運転モードの搬送制御により製造する場合に、図１に示すように、気相成長装置１が、反応炉１１Ａ，１１Ｂの数を超える数量のロードポート１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃを有するとき、すなわち反応炉の数がＮであるときに（Ｎ＋１）以上の数量のロードポートを有するとき、（Ｎ＋１）以上のロードポートに、Ｎ固の反応炉のいずれかで処理すべき製造ロットのウェーハ収納容器１５を搬入するかについて、本発明者らは鋭意検討した。ここでは、図１に示すように、反応炉１１Ａ，１１Ｂが２つ、ロードポート１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃが３つである場合を検討した。

【0030】

図２は、図１の気相成長装置１を模式化したブロック図であり、同じ製造ロットのウェーハＷＦ（被処理物）の取り廻しを示すブロック図である。図２に示す生産管理装置２は、複数の気相成長装置１を含む生産工程の全ての製造装置を統括管理する装置である。生産管理装置２は、製品の生産計画の立案を行うとともに、立案された製品の生産計画を、複数の気相成長装置１や搬送装置３を含む各製造装置へ出力し、各製造装置からの進捗情報を入力して生産計画の管理を行う。搬送装置３は、前工程の処理を終了したウェーハＷＦをウェーハ収納容器１５に収納した状態で次工程に搬送するシステムであり、生産管理装置２からの指令にしたがい、前工程の所定の製造ロットのウェーハ収納容器１５を、本実施形態の気相成長装置１のいずれかのロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚに搬入する。

【0031】

図３は、図２の気相成長装置１を用いて同じ製造ロットのウェーハＷＦを取り廻した場合の実施例と比較例を示すタイムチャートである。図３の上図は、生産管理装置２にて立案した生産計画の一例を示し、「丸数字」は生産計画の順序、「Ａ，Ｂ」は処理すべき反応炉１１Ａ，１１Ｂの特定、「枚数」は１つの製造ロットに含まれるウェーハＷＦの枚数を示す。たとえば、１番目の製造ロットには、反応炉１１Ａで処理すべき７枚のウェーハＷＦが含まれ、２番目の製造ロットには、反応炉１１Ｂで処理すべき５枚のウェーハＷＦが含まれる。本例では、１番目から１０番目までの１０の製造ロットにつき、反応炉１１Ａで３４枚のウェーハＷＦを処理し、反応炉１１Ｂで３７枚のウェーハＷＦを処理するという生産計画であるものとする。なお、生産管理装置２で立案される生産計画は、製造すべき製品の仕様に応じて任意に決められ、特段の規則性はない。

【0032】

まず、本発明者らは、図３の上図に示す生産計画の順序（丸数字）にしたがって３つのロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚにウェーハ収納容器１５を順番に搬入した場合に、生産性がどのようになるかを検討した。図３の下図に示すように、１番目の製造ロットをロードポート１５Ｘに搬入し、２番目の製造ロットをロードポート１５Ｙに搬入し、３番目の製造ロットをロードポート１５Ｚに搬入するものとした。ロードポート１５Ｘに搬入した１番目の製造ロットのウェーハＷＦは反応炉１１Ａで処理すべきものであるので、反応炉１１Ａでの処理を開始し、これと同時にロードポート１５Ｙに搬入した製造ロットのウェーハＷＦは反応炉１１Ｂで処理すべきものであるので、反応炉１１Ｂでの処理を開始するものとした。しかし、この時点では２つの反応炉１１Ａ，１１Ｂは処理中になるため、残りのロードポート１５Ｚに搬入した製造ロットのウェーハＷＦは待機状態になる。この待機状態を図３の下図に点線枠にて示す。

【0033】

図３の下図において、時間Ｔ１１になると、反応炉１１Ｂでの処理が終了し、処理後のウェーハＷＦが収納されたウェーハ収納容器１５がロードポート１５Ｙから搬出される。これにより、反応炉１１Ｂが空き状態になる。ところが、この時点で、処理を待機しているロードポート１５Ｚの製造ロットは反応炉１１Ｂではなく反応炉１１Ａで処理すべき製造ロットである。したがって、空き状態となった反応炉１１Ｂには、４番目の製造ロットが収納されたウェーハ収納容器１５をロードポート１５Ｙに搬入するほかない。そこで、４番目の製造ロットが収納されたウェーハ収納容器１５をロードポート１５Ｙに搬入したのち、この製造ロットのウェーハＷＦを反応炉１１Ｂに搬送し、処理する。この時間Ｔ１１のタイミングで、待機状態であったロードポート１５Ｚの製造ロットのウェーハＷＦは待機状態を継続せざるを得ないので、時間のロスが生じる。また、空席状態となったロードポート１５Ｙに次のウェーハ収納容器１５を搬入するまでの間も、反応炉１１Ｂでの処理は開始できないので、この間も時間のロスとなる。このような時間のロスは、図３の下図に示す時間Ｔ１２においても５番目の製造ロットに発生し，Ｔ１３においても７番目の製造ロットに発生する。

【0034】

すなわち、単純に生産計画の順序（丸数字）にしたがってウェーハ収納容器１５を３つのロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚに順次搬入すると、２つの反応炉１１Ａ，１１Ｂでの処理の終了タイミングによっては、時間Ｔ１１（３番目の製造ロット），Ｔ１２（５番目の製造ロット），Ｔ１３（７番目の製造ロット）におけるような時間のロスが発生し、これが原因で生産性が低下する。

【0035】

これに対し、本実施形態の気相成長装置１では、それぞれの反応炉１１Ａ，１１Ｂで処理すべきウェーハＷＦの製造ロットを、ロードポート１５Ｘ，１５Ｙのそれぞれに搬入するとともに残りのロードポート５Ｚにはウェーハ収納容器１５を搬入せずに空席とした上で、それぞれの反応炉１１Ａ，１１Ｂで処理を開始する。次いで、それぞれの反応炉１１Ａ，１１ＢでウェーハＷＦを処理している間に、それぞれの反応炉１１Ａ，１１ＢにおけるウェーハＷＦの製造情報に基づいて、どちらの反応炉１１Ａ，１１Ｂが相対的に早く処理を終了するかを予測する。そして、それぞれの反応炉１Ａ，１１Ｂでの処理を終了する前に、現在空席となっているロードポート１５Ｚに、相対的に早く処理を終了すると予測された反応炉１１Ａ又は１１Ｂで処理すべき製造ロットのウェーハ収納容器１５を搬入する。

【0036】

ここで、どちらの反応炉１１Ａ，１１Ｂが相対的に早く処理を終了するかを予測するタイミングは、特に限定されず、それぞれの反応炉１１Ａ，１１ＢでウェーハＷＦを処理している間であればどのタイミングでもよい。ただし、ロードポート１５Ｘ，１５Ｙに在席している製造ロットのうち、最後のウェーハＷＦ又は最後から２番目のウェーハＷＦが反応炉１１Ａ，１１Ｂでの処理を開始したときに、どちらの反応炉１１Ａ，１１Ｂが相対的に早く処理を終了するかを予測することがより好ましい。処理の終了間際であるため製造誤差が小さく、予測の精度が高くなるからである。

【0037】

また、予測に用いられるウェーハＷＦの製造情報には、ウェーハＷＦの処理時間、ウェーハの処理順序又は製造ロットに含まれるウェーハＷＦの数量が含まれる。たとえば、５枚のウェーハＷＦを含む製造ロットであり、１枚のウェーハＷＦの処理時間がｎ時間であるとの製造情報を用いると、最後又は最後から２番目のウェーハＷＦを特定できるとともに、最後のウェーハＷＦの処理が終了する時間を演算することができる。

【0038】

そして、一方の反応炉１１Ａ又は１１Ｂにおいて一の製造ロットの処理が終了した場合に、ロードポートのいずれかに一方の反応炉１１Ａ又は１１Ｂで処理すべき他の製造ロットが在席しているときは、間隔をおくことなく当該他の製造ロットの処理を当該一方の反応炉１１Ａ又は１１Ｂにより開始することがより好ましい。これにより、時間のロスを限りなくゼロに近づけることができる。

【0039】

図３の中央図は、図２の気相成長装置１を用いて同じ製造ロットのウェーハＷＦを取り廻した場合の実施例を示すタイムチャート、図４Ａ～図４Ｄは、図３の実施例の処理手順を順番に示すタイムチャートである。また、図５は、本実施形態の気相成長装置１による製造ロット及びウェーハＷＦの取り廻し手順を示すフローチャートである。図３の中央図及び図４Ａ～図４Ｄを参照しながら、図５のフローチャートにしたがって、本実施形態における製造ロット及びウェーハＷＦの取り廻し手順を説明する。

【0040】

なお、製造ロットの生産計画の具体例は、図３の上図に示すものとして以下に説明するが、気相成長装置１の統括コントローラ１６から生産管理装置２を介して搬送装置３へ指令が出されると、丸数字で示された生産計画の順序にかかわらず、所望の製造ロットのウェーハ収納容器１５を所望のロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚに搬入することができるものとする。

【0041】

まず、１日の操業開始時には、反応炉１１Ａ又は１１ＢのいずれにもウェーハＷＦはなく、またいずれのロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚにもウェーハ収納容器１５は在席していないので、ステップＳ１において、各反応炉１１Ａ，１１Ｂで処理する製造ロットのウェーハ収納容器１５をロードポート１５Ｘ，１５Ｙに搬入し、残りのロードポート１５Ｚは空席にする。この状態を図４Ａの中央図に時間Ｔ０で示す。ロードポート１５Ｘには１番目の製造ロットが搬入され、ロードポート１５Ｙには２番目の製造ロットが搬入され、ロードポート１５Ｚは空席となっている。

【0042】

次のステップＳ２では、ロードポート１５Ｘに搬入した１番目の製造ロットのウェーハＷＦを１枚ずつ反応炉１１Ａに搬送して処理を開始するとともに、ロードポート１５Ｙに搬入した２番目の製造ロットのウェーハＷＦを１枚ずつ反応炉１１Ｂに搬送して処理を開始する。

【0043】

ステップＳ３では、ロードポート１５Ｘとロードポート１５Ｙのそれぞれに搬入された製造ロットが終了するか又は終了直前（たとえば最後から２番目のウェーハ）であるかを判定する。この判定は、生産管理装置２から出力される製造ロットに含まれるウェーハＷＦの枚数（製品情報）と気相成長装置１の統括コントローラ１６で演算される現在の処理枚数とから判定することができる。ステップＳ３において、ロードポート１５Ｘとロードポート１５Ｙのそれぞれに搬入された製造ロットが終了するか又は終了直前ではない場合はステップＳ２へ戻り、反応炉１１Ａ，１１Ｂでの処理を継続する。

【0044】

ステップＳ３において、ロードポート１５Ｘとロードポート１５Ｙに搬入された製造ロットのどちらかが終了するか又は終了直前になると、ステップＳ４へ進み、現在処理中の２つの反応炉１１Ａ，１１Ｂのうちどちらが早く処理を終了するかを推定する。この状態を図４Ａの中央図に時間Ｔ１で示す。ロードポート１５Ｙに搬入された２番目の製造ロットが終了間際となったので、この時間Ｔ１において、反応炉１１Ｂでの処理が終了していないウェーハＷＦの枚数（最後のウェーハＷＦであれば１枚、最後から２番目のウェーハＷＦであれば２枚）と反応炉１１Ｂでの処理時間とから、反応炉１１Ｂの処理の終了時間を演算する。これと同時に、時間Ｔ１において、反応炉１１Ａでの処理が終了していないウェーハＷＦの枚数と１枚当たりの処理時間とから、反応炉１１Ａでの処理の終了時間を演算する。これらを比較し、２つの反応炉１１Ａ，１１Ｂのうちどちらが早く処理を終了するかを推定する。ここでは反応炉１１Ｂの方が早く処理を終了するものとする。

【0045】

ステップＳ５では、ロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚに空席があるか否かを判定し、空席がない場合はステップＳ７へ進むが、この場合、ロードポート１５Ｚが空席なので、ステップＳ６へ進む。ステップＳ６では、相対的に早く処理を終了すると推定した反応炉１１Ｂで処理すべき製造ロットのウェーハ収納容器１５を生産計画の製造ロットから選択し、ロードポート１５Ｚに搬入する。図４Ａの中央図に示すように、ロードポート１５Ｚには４番目の製造ロットが搬入される。なお、生産計画の順序は３番目であるが、３番目の製造ロットは反応炉１１Ａで処理すべき製造ロットであるので、これをロードポート１５Ｚに搬入することはしない。

【0046】

続くステップＳ７において、各ロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚに搬入された製造ロットの全てのウェーハＷＦの処理が終了したか否かを判定し、全てのウェーハＷＦの処理が終了していない製造ロットについてはステップＳ２へ戻り、処理を継続する。ステップＳ７において、全てのウェーハＷＦの処理が終了した製造ロットについてはステップＳ８へ進み、ステップＳ８において、搬送装置３により、終了した製造ロットのウェーハ収納容器１５をそのロードポートから搬出する。たとえば、図４Ａの中央図に示すように、ロードポート１５Ｙに搬入された２番目の製造ロットの全てのウェーハＷＦの処理が終了したら、搬送装置によりこのウェーハ収納容器１５をロードポート１５Ｙから搬出する。これにより、ロードポート１５Ｙが空席になると同時に、反応炉１１Ｂも在席するウェーハＷＦがない状態となる。

【0047】

続くステップＳ９では、生産計画された全ての製造ロットの搬入が終了したか否かを判定し、終了した場合は本ルーチンを終了するが、製造ロットの搬入が終了していない場合はステップＳ２へ戻り、反応炉１１Ａ，１１Ｂでの処理を継続する。ここでは、図４Ａの中央図に示すように、反応炉１１Ｂも在席するウェーハＷＦがない状態となっており、しかもロードポート１５Ｚに反応炉１１Ｂで処理すべき４番目の製造ロットが搬入されているので、この４番目の製造ロットのウェーハＷＦを１枚ずつ反応炉１１Ｂへ搬送して処理を開始する。これにより、反応炉１１Ｂにおいては、２番目の製造ロットの処理が終了してから４番の製造ロットの処理を開始するまでを連続して行うことができ、時間のロスを限りなくゼロに近づけることができる。

【0048】

反応炉１１Ｂにおいて４番目の製造ロットの処理が開始されると、続くステップＳ３にて、再び、ロードポート１５Ｘとロードポート１５Ｚのそれぞれに搬入された製造ロットが終了するか又は終了直前（たとえば最後から２番目のウェーハ）であるかを判定する。そして、ステップＳ３において、ロードポート１５Ｘとロードポート１５Ｚに搬入された製造ロットのどちらかが終了するか又は終了直前になると、ステップＳ４へ進み、現在処理中の２つの反応炉１１Ａ，１１Ｂのうちどちらが早く処理を終了するかを推定する。この状態を図４Ａの下図に時間Ｔ２で示す。ロードポート１５Ｘに搬入された１番目の製造ロットが終了間際となったので、この時間Ｔ２において、反応炉１１Ａでの処理が終了していないウェーハＷＦの枚数と反応炉１１Ａでの処理時間とから、反応炉１１Ａの処理の終了時間を演算する。これと同時に、時間Ｔ２において、反応炉１１Ｂでの処理が終了していないウェーハＷＦの枚数と１枚当たりの処理時間とから、反応炉１１Ｂでの処理の終了時間を演算する。これらを比較し、２つの反応炉１１Ａ，１１Ｂのうちどちらが早く処理を終了するかを推定する。ここでは反応炉１１Ａの方が早く処理を終了するものとする。

【0049】

ステップＳ５では、ロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚに空席があるか否かを判定し、この場合、ロードポート１５Ｙが空席なので、ステップＳ６へ進む。ステップＳ６では、相対的に早く処理を終了すると推定した反応炉１１Ａで処理すべき製造ロットのウェーハ収納容器１５を生産計画の製造ロットから選択し、ロードポート１５Ｙに搬入する。３番目の製造ロットは反応炉１１Ａで処理すべき製造ロットであるので、図４Ａの下図に示すように、ロードポート１５Ｙには３番目の製造ロットが搬入される。

【0050】

続くステップＳ７において、各ロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚに搬入された製造ロットの全てのウェーハＷＦの処理が終了したか否かを判定し、図４Ａの下図に示すように、ロードポート１５Ｘに搬入された１番目の製造ロットの全てのウェーハＷＦの処理が終了したら、搬送装置によりこのウェーハ収納容器１５をロードポート１５Ｘから搬出する。これにより、ロードポート１５Ｘが空席になると同時に、反応炉１１Ａも在席するウェーハＷＦがない状態となる。そして、反応炉１１Ａが在席するウェーハＷＦがない状態となっており、しかもロードポート１５Ｙに反応炉１１Ａで処理すべき３番目の製造ロットが搬入されているので、この３番目の製造ロットのウェーハＷＦを１枚ずつ反応炉１１Ａへ搬送して処理を開始する。これにより、反応炉１１Ａにおいては、１番目の製造ロットの処理が終了してから３番の製造ロットの処理を開始するまでを連続して行うことができ、時間のロスを限りなくゼロに近づけることができる。

【0051】

図４Ｂ～図４Ｄに示す時間Ｔ３～Ｔ８の各タイミングにおいて、同様にステップＳ４の判定を行い、２つの反応炉１１Ａ，１１Ｂのうちどちらが早く処理を終了するかを推定する。そして、早く処理を終了すると推定された反応炉１１Ａ又は１１Ｂで処理すべき製造ロットのウェーハ収納容器１５を空席となっているロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚに搬入する。これにより、反応炉１１Ａ又は１１Ｂにおいては、一の製造ロットの処理が終了してから他の製造ロットの処理を開始するまでを連続して行うことができ、時間のロスを限りなくゼロに近づけることができる。

【0052】

図６は、図１の半導体製造装置が複数設置された半導体製造工場の一実施形態を示すブロック図であり、具体的には３機の気相成長装置１０１，１０２，１０３が設置された半導体製造工場を示すブロック図である。各気相成長装置１０１，１０２，１０３は、図１及び図２に示す気相成長装置１を同じ構成を備え、気相成長装置１０１は、一方の反応炉において製品仕様Ａを製造し、他方の反応炉において製品仕様Ｂを製造し、気相成長装置１０２は、両方の反応炉において製品仕様Ｂを製造し、気相成長装置１０３は、一方の反応炉において製品仕様Ｂを製造し、他方の反応炉において製品仕様Ｃを製造するものとする。

【0053】

統括コントローラ１６は、３機の気相成長装置１０１，１０２，１０３のそれぞれの制御を統括するコンピュータであり、各気相成長装置１０１，１０２，１０３の動作を制御する。また、３機の気相成長装置１０１，１０２，１０３のそれぞれから送信された各反応炉における製造情報を集約し、相対的に早く処理を終了する反応炉を統括して予測する。たとえば、製品仕様Ｂについては、３機の気相成長装置１０１，１０２，１０３において処理が可能であることから、製品仕様Ｂが仕掛かっている反応炉の製造情報を集約し、相対的に早く処理を終了する反応炉を予測することで、製品の待機時間を短縮することができる。

【0054】

生産管理装置２は、３機の気相成長装置１０１，１０２，１０３を含む半導体製造工場の生産工程の全ての製造装置を統括管理する装置であり、統括コントローラ１６の予測に基づいて、３機それぞれの気相成長装置１０１，１０２，１０３の反応炉での処理を終了する前に、現在空席となっている搬入出部に、相対的に早く処理を終了すると予測された反応炉で処理すべき製造ロットの搬入を、３機の気相成長装置１０１，１０２，１０３へ指示する。

【0055】

搬送装置３は、前工程の処理を終了したウェーハＷＦをウェーハ収納容器１５に収納した状態で次工程に搬送するシステムであり、生産管理装置２からの指令にしたがい、前工程の所定の製造ロットのウェーハ収納容器１５を、３機の気相成長装置１０１，１０２，１０３のいずれかのロードポート１ｘ，１ｙ，１ｚ，２ｘ，２ｙ，２ｚ，３ｘ，３ｙ，３ｚに搬入する。

【0056】

上記気相成長装置１が本発明に係る半導体製造装置に相当し、上記反応炉１１Ａ，１１Ｂが本発明に係る処理部に相当し、上記ロードポート１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚが本発明に係る搬入出部に相当し、上記ウェーハＷＦが本発明に係る被処理物に相当する。

【符号の説明】

【0057】

１…気相成長装置（半導体製造装置）
１１Ａ，１１Ｂ…反応炉（処理部）
１１１Ａ，１１１Ｂ…反応室
１１２Ａ，１１２Ｂ…サセプタ
１１３Ａ，１１３Ｂ…ガス供給装置
１１４Ａ，１１４Ｂ…ゲートバルブ
１２…ウェーハ移載室
１２１…第１ロボット
１２２…第１ロボットコントローラ
１２３…第１ブレード
１３Ａ，１３Ｂ…ロードロック室
１３１Ａ，１３１Ｂ…第１ドア
１３２Ａ，１３２Ｂ…第２ドア
１４…ファクトリインターフェース
１４１…第２ロボット
１４２…第２ロボットコントローラ
１４３…第２ブレード
１５…ウェーハ収納容器
１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚ…ロードポート（搬入出部）
１６…統括コントローラ
２…生産管理装置
３…搬送装置
ＷＦ…ウェーハ（被処理物）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5】

【図6】

【手続補正書】

【提出日】2023-10-11

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の処理部とそれを超える数の搬入出部を備え、処理すべき前記処理部が製造ロットごとに決められている被処理物を前記製造ロットの単位で前記搬入出部に搬入し、前記被処理物のそれぞれを１個単位で前記処理部へ搬送して処理したのち、前記搬入出部へ搬送する半導体製造装置において、
それぞれの前記処理部で処理すべき前記被処理物の前記製造ロットを、前記搬入出部のそれぞれに搬入するとともに残りの前記搬入出部は空席とした上で、それぞれの前記処理部で処理を開始し、
それぞれの前記処理部で前記被処理物を処理している間に、それぞれの前記処理部における前記被処理物の製造情報に基づいて、相対的に早く処理を終了する前記処理部を予測し、
それぞれの前記処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている前記搬入出部に、相対的に早く処理を終了すると予測された前記処理部で処理すべき前記製造ロットを搬入する半導体製造装置。

【請求項2】

前記搬入出部に在席している前記製造ロットのうち、最後の前記被処理物又は最後から２番目の前記被処理物が前記処理部での処理を開始したときに、相対的に早く処理を終了する前記処理部を予測する請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項3】

前記被処理物の前記製造情報は、前記被処理物の処理時間、前記被処理物の処理順序又は前記製造ロットに含まれる前記被処理物の数量を含む請求項１又は２に記載の半導体製造装置。

【請求項4】

一の前記処理部において一の前記製造ロットの処理が終了した場合に、前記搬入出部のいずれかに一の前記処理部で処理すべき他の前記製造ロットが在席しているときは、他の前記製造ロットの処理を一の前記処理部により開始する請求項１又は２に記載の半導体製造装置。

【請求項5】

請求項１に記載の半導体製造装置が、複数設置されている半導体製造工場。

【請求項6】

複数の前記半導体製造装置から送信された前記処理部の前記製造情報を集約し、相対的に早く処理を終了する前記処理部を予測する統括コントローラと、
前記統括コントローラの予測に基づいて、それぞれの前記処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている前記搬入出部に、相対的に早く処理を終了すると予測された前記処理部で処理すべき前記製造ロットの搬入を、複数の前記半導体製造装置へ指示する生産管理装置と、
前記生産管理装置の指示に基づいて、前記製造ロットを複数の前記半導体製造装置に搬入する搬送装置と、を備える請求項５に記載の半導体製造工場。

【請求項7】

複数の処理部とそれを超える数の搬入出部を備える半導体製造装置を用い、処理すべき前記処理部が製造ロットごとに決められている被処理物を前記製造ロットの単位で前記搬入出部に搬入し、前記被処理物のそれぞれを１個単位で前記処理部へ搬送して処理したのち、前記搬入出部へ搬送する半導体製造方法において、
それぞれの前記処理部で処理すべき前記被処理物の前記製造ロットを、前記搬入出部のそれぞれに搬入するとともに残りの前記搬入出部は空席とした上で、それぞれの前記処理部で処理を開始し、
それぞれの前記処理部で前記被処理物を処理している間に、それぞれの前記処理部における前記被処理物の製造情報に基づいて、相対的に早く処理を終了する前記処理部を予測し、
それぞれの前記処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている前記搬入出部に、相対的に早く処理を終了すると予測された前記処理部で処理すべき前記製造ロットを搬入する半導体製造方法。

【請求項8】

前記搬入出部に在席している前記製造ロットのうち、最後の前記被処理物又は最後から２番目の前記被処理物が前記処理部での処理を開始したときに、相対的に早く処理を終了する前記処理部を予測する請求項７に記載の半導体製造方法。

【請求項9】

前記被処理物の前記製造情報は、前記被処理物の処理時間、前記被処理物の処理順序又は前記製造ロットに含まれる前記被処理物の数量を含む請求項７又は８に記載の半導体製造方法。

【請求項10】

一の前記処理部において一の前記製造ロットの処理が終了した場合に、前記搬入出部のいずれかに一の前記処理部で処理すべき他の前記製造ロットが在席しているときは、他の前記製造ロットの処理を一の前記処理部により開始する請求項７又は８に記載の半導体製造方法。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0012】

上記発明において、複数の前記半導体製造装置から送信された前記処理部の製造情報を集約し、相対的に早く処理を終了する前記処理部を予測する統括コントローラと、
前記統括コントローラの予測に基づいて、それぞれの処理部での処理を終了する前に、現在空席となっている搬入出部に、前記相対的に早く処理を終了すると予測された処理部で処理すべき製造ロットの搬入を、前記複数の半導体製造装置へ指示する生産管理装置と、
前記生産管理装置の指示に基づいて、製造ロットを前記複数の半導体製造装置に搬入する搬送装置と、を備えることが好ましい。