特開2024-91016IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

窒化物半導体基板の製造方法、および、窒化物半導体基板

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】窒化ガリウム等の窒化物半導体を高速にスライスし、窒化物半導体基板を効率よく製造できる技術を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなる被加工物を準備する工程と、被加工物の主面の中心を回転軸として、被加工物を回転速度Ｎ１で回転させる工程と、被加工物を回転させる方向と同じ方向に、内周刃を有するブレードを回転速度Ｎ２で回転させる工程と、被加工物を回転軸と交差する方向にブレードに対する相対速度ｖで相対移動させ、ブレードによって被加工物を主面と平行な方向にスライスする工程と、を有し、スライスにより被加工物の側面に形成される円環状の切削溝内において、ブレードが入っていない領域Ｚ１と、ブレードが入っている領域Ｚ２との内圧のバランスを保つように、回転速度Ｎ１、回転速度Ｎ２、相対速度ｖ、加工液の供給量Ｌ、および、加工液の粘度ηの少なくともいずれかを制御する、窒化物半導体基板の製造方法。
【選択図】図１

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の目的は、窒化ガリウム等の窒化物半導体を、割れやクラックを抑制しつつ高速にスライスし、窒化物半導体基板を効率よく製造できる技術を提供することである。本明細書で述べる「割れ」とは半導体結晶が割れて分離・分割する事であり、「クラック」とは分割迄には至っていないが半導体結晶内部に亀裂が入っている事を表している。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、 窒化物半導体からなる被加工物を準備する工程と、 前記被加工物の主面の中心を回転軸として、前記被加工物を回転速度Ｎ１で回転させる工程と、 前記被加工物を回転させる方向と同じ方向に、内周刃を有するブレードを回転速度Ｎ２で回転させる工程と、 前記被加工物を前記回転軸と交差する方向に前記ブレードに対する相対速度ｖで相対移動させ、前記ブレードによって前記被加工・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、窒化ガリウム等の窒化物半導体を、割れやクラックを抑制しつつ高速にスライスし、窒化物半導体基板を効率よく製造できる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本発明の第１実施形態の窒化物半導体基板１００の製造方法の一例を示すフロー図である。
【図2】 図２は、本発明の第１実施形態のスライス工程Ｓ１０４を説明する模式図である。
【図3】 図３（ａ）は、本発明の第１実施形態のスライス工程Ｓ１０４におけるスライス途中の被加工物１０を示す平面模式図であり、図３（ｂ）は、スライス途中の被加工物１０を示す側面断面図である。
【図4】 図４は、本発明の第１、時間Ｔｅの算出方法を説明するための平面模式図である。
【図5】 図５は、本発明の第１、被加工物１０の未切断半径Ｒと、時間Ｔｅとの関係を示すグラフである。
【図6】 図６（ａ）は、本発明の第１実施形態の窒化物半導体基板１００の平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。
【図7】 図７は、本発明の第１実施形態の窒化物半導体基板１００が有するソーマークを示す模式図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

１０ 被加工物 １１ 切削溝 ２０ ブレード １００ 窒化物半導体基板 １０１ 微小凸部 １０２ 微小凹部 １０３、１０４ ソーマーク Ｓ１０１ 被加工物準備工程 Ｓ１０２ 被加工物回転工程 Ｓ１０３ ブレード回転工程 Ｓ１０４ スライス工程

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