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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024091142
(43)【公開日】2024-07-04
(54)【発明の名称】セラミックス焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20240627BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240627BHJP
H05K 3/00 20060101ALI20240627BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20240627BHJP
H05K 3/12 20060101ALI20240627BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
H01L23/12 D
H05K3/00 K
H05K1/03 610D
H05K3/12 610G
H05K3/12 610H
H05K3/12 610J
【審査請求】未請求
【請求項の数】30
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022207632
(22)【出願日】2022-12-23
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001807
【氏名又は名称】弁理士法人磯野国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】長江 明子
(72)【発明者】
【氏名】勝又 雅昭
【テーマコード（参考）】
5E343
5F142
【Ｆターム（参考）】
5E343AA02
5E343AA23
5E343BB22
5E343BB24
5E343BB25
5E343BB28
5E343BB34
5E343BB38
5E343BB44
5E343BB52
5E343BB72
5E343DD02
5E343DD33
5E343EE32
5E343EE37
5E343EE42
5E343ER35
5E343FF16
5E343GG08
5F142AA54
5F142BA32
5F142CA13
5F142CD02
5F142CD18
5F142CD44
5F142CD47
5F142CG03
5F142CG04
5F142CG05
5F142FA03
5F142FA30
5F142FA42
5F142FA48
(57)【要約】
【課題】パターン精度の高いセラミックス焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ１は、セラミックス基板を準備することＳ１０と、セラミックス基板の第１面及び第２面にドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂと、露光及び現像を行うことＳ３５Ａと、所定のパターンに形成されたドライフィルムを介してエッチング又はブラストすることＳ４０と、第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部及び第２面の第２平面部よりも凹んだ第２凹部を形成することＳ４５と、ドライフィルムを剥離することＳ５０Ａと、金属ペーストを配置することＳ５０Ｂと、金属ペーストを焼成し金属部材を得ることＳ６０と、を含み、第１凹部及び第２凹部を形成する前に、第１凹部及び第２凹部となる位置に、第１面と第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、第１凹部、第２凹部及び貫通孔に金属ペーストを配置する。
【選択図】図３
【解決手段】セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ１は、セラミックス基板を準備することＳ１０と、セラミックス基板の第１面及び第２面にドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂと、露光及び現像を行うことＳ３５Ａと、所定のパターンに形成されたドライフィルムを介してエッチング又はブラストすることＳ４０と、第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部及び第２面の第２平面部よりも凹んだ第２凹部を形成することＳ４５と、ドライフィルムを剥離することＳ５０Ａと、金属ペーストを配置することＳ５０Ｂと、金属ペーストを焼成し金属部材を得ることＳ６０と、を含み、第１凹部及び第２凹部を形成する前に、第１凹部及び第２凹部となる位置に、第１面と第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、第１凹部、第２凹部及び貫通孔に金属ペーストを配置する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持つセラミックス基板を準備することと、
前記セラミックス基板の前記第１面にドライフィルムを貼り合わせることと、
前記ドライフィルムを貼り合わせた前記セラミックス基板の前記第１面にマスクを介して露光及び現像を行うことと、
前記露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して前記セラミックス基板の前記第１面をエッチング又はブラストすることと、
前記エッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部を形成することと、
前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、
前記セラミックス基板の前記第１凹部内に金属ペーストを配置することと、
前記第１凹部に配置した前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることと、を含み、
前記第１凹部を形成する前に、前記第１凹部となる位置に、前記セラミックス基板の前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記第１凹部及び前記貫通孔に前記金属ペーストを配置する、セラミックス焼結体基板の製造方法。
前記セラミックス基板の前記第１面にドライフィルムを貼り合わせることと、
前記ドライフィルムを貼り合わせた前記セラミックス基板の前記第１面にマスクを介して露光及び現像を行うことと、
前記露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して前記セラミックス基板の前記第１面をエッチング又はブラストすることと、
前記エッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部を形成することと、
前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、
前記セラミックス基板の前記第１凹部内に金属ペーストを配置することと、
前記第１凹部に配置した前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることと、を含み、
前記第１凹部を形成する前に、前記第１凹部となる位置に、前記セラミックス基板の前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記第１凹部及び前記貫通孔に前記金属ペーストを配置する、セラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項2】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持つセラミックス基板を準備することと、
前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面にドライフィルムを貼り合わせることと、
前記ドライフィルムを貼り合わせた前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面にマスクを介して露光及び現像を行うことと、
前記露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して前記セラミックス基板の前記第1面及び前記第２面をエッチング又はブラストすることと、
前記エッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部及び前記セラミックス基板の前記第２面の第２平面部よりも凹んだ第２凹部を形成することと、
前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、
前記セラミックス基板の前記第１凹部及び前記第２凹部内に金属ペーストを配置することと、
前記第１凹部及び前記第２凹部に配置した前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることと、を含み、
前記第１凹部及び前記第２凹部を形成する前に、前記第１凹部及び前記第２凹部となる位置に、前記セラミックス基板の前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に前記金属ペーストを配置する、セラミックス焼結体基板の製造方法。
前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面にドライフィルムを貼り合わせることと、
前記ドライフィルムを貼り合わせた前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面にマスクを介して露光及び現像を行うことと、
前記露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して前記セラミックス基板の前記第1面及び前記第２面をエッチング又はブラストすることと、
前記エッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部及び前記セラミックス基板の前記第２面の第２平面部よりも凹んだ第２凹部を形成することと、
前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、
前記セラミックス基板の前記第１凹部及び前記第２凹部内に金属ペーストを配置することと、
前記第１凹部及び前記第２凹部に配置した前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることと、を含み、
前記第１凹部及び前記第２凹部を形成する前に、前記第１凹部及び前記第２凹部となる位置に、前記セラミックス基板の前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に前記金属ペーストを配置する、セラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項3】
前記ドライフィルムを貼り合わせることの前に、前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方に接着層を配置し、
前記ドライフィルムを貼り合わせることにおいて、前記接着層に前記ドライフィルムを貼り合わせ、
前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方をエッチング又はブラストすることにおいて、前記接着層もエッチング又はブラストする請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
前記ドライフィルムを貼り合わせることにおいて、前記接着層に前記ドライフィルムを貼り合わせ、
前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方をエッチング又はブラストすることにおいて、前記接着層もエッチング又はブラストする請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項4】
前記接着層は、光吸収部材を含有する請求項３に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項5】
前記ドライフィルムを貼り合わせることの前に、前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方と、前記ドライフィルムと、の間に光吸収層を配置する請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項6】
前記貫通孔は、前記ドライフィルムを貼り合わせる前に形成されている請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項7】
前記貫通孔は、前記接着層を配置して前記ドライフィルムを貼り合わせた後に、前記ドライフィルム、前記接着層及び前記セラミックス基板を貫通するように形成する請求項３に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項8】
前記ドライフィルムを剥離することの前に、前記第１凹部及び前記第２凹部内の少なくとも一方に前記金属ペーストを配置することを行う請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項9】
前記金属部材を得た後に、前記金属部材を研磨することをさらに行う請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項10】
前記エッチング又はブラストすることにより、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項11】
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、少なくとも活性金属粉体を含む請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項12】
前記活性金属粉体は、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、ＭｇＨ２から選ばれる少なくとも１種である請求項１１に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項13】
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項14】
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、さらに有機バインダを含む請求項１３に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項15】
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、さらに、金属を除く複数個の無機フィラーを含む請求項１３に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項16】
前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることにおいて、焼成温度は７００℃以上１２００℃以下である請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項17】
前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることにおいて、焼成雰囲気は真空雰囲気または９９．９％以上のＡｒ雰囲気である請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項18】
前記貫通孔の直径は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下となるように形成する請求項１又は請求項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
【請求項19】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板を準備することと、
前記金属部材に発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する、発光装置の製造方法。
前記金属部材に発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する、発光装置の製造方法。
【請求項20】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板を準備することと、
前記金属部材に発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する、発光装置の製造方法。
前記金属部材に発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する、発光装置の製造方法。
【請求項21】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、
前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板。
前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板。
【請求項22】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、
前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板。
前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板。
【請求項23】
前記丸みは、前記貫通孔に沿って環状に形成されている請求項２１又は請求項２２に記載のセラミックス焼結体基板。
【請求項24】
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記丸みは、２μｍ以上１１０μｍ以下の半径を有する請求項２１又は請求項２２に記載のセラミックス焼結体基板。
【請求項25】
前記セラミックス焼結体基板の厚み方向の断面視において、前記第１凹部及び前記第２凹部の少なくとも一方は、前記貫通孔を除いて、湾曲状である請求項２１又は請求項２２に記載のセラミックス焼結体基板。
【請求項26】
前記第１凹部を画定する内面及び前記第２凹部を画定する内面の少なくとも一方は、算術平均粗さＲａが２００ｎｍ以上２μｍ以下である請求項２１又は請求項２２に記載のセラミックス焼結体基板。
【請求項27】
前記セラミックス焼結体基板の厚み方向の断面視において、前記第１凹部及び前記第２凹部の少なくとも一方に配置された金属部材は、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部及び前記第２面の第２平面部の少なくとも一方と、同一平面をなす請求項２１又は請求項２２に記載のセラミックス焼結体基板。
【請求項28】
前記金属部材と前記セラミックス基板との接触部分に金属化合物層がある請求項２１又は請求項２２に記載のセラミックス焼結体基板。
【請求項29】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板と、
前記金属部材に配置される発光素子と、を備え、
前記発光素子は、前記金属部材に直接又は間接に電気的に接続されている発光装置。
前記金属部材に配置される発光素子と、を備え、
前記発光素子は、前記金属部材に直接又は間接に電気的に接続されている発光装置。
【請求項30】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板と、
前記金属部材に配置される発光素子と、備え、
前記発光素子は、前記金属部材に直接又は間接に電気的に接続されている発光装置。
前記金属部材に配置される発光素子と、備え、
前記発光素子は、前記金属部材に直接又は間接に電気的に接続されている発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、セラミックス焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、非伝導性基材の上に高分子物質を使用してレジスト層を形成し、レーザービームを用いて微細パターン溝を形成した後、前記微細パターン溝に黒化伝導性パターンを形成している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特表２０１１－５１２６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示に係る実施形態は、パターン精度の高いセラミックス焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に開示されるセラミックス焼結体基板の製造方法は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持つセラミックス基板を準備することと、前記セラミックス基板の前記第１面にドライフィルムを貼り合わせることと、前記ドライフィルムを貼り合わせた前記セラミックス基板の前記第１面にマスクを介して露光及び現像を行うことと、前記露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して前記セラミックス基板の前記第１面をエッチング又はブラストすることと、前記エッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部を形成することと、前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、前記セラミックス基板の前記第１凹部内に金属ペーストを配置することと、前記第１凹部に配置した前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることと、を含み、前記第１凹部を形成する前に、前記第１凹部となる位置に、前記セラミックス基板の前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、前記金属ペーストを配置することにおいて、前記第１凹部及び前記貫通孔に前記金属ペーストを配置する。
【0006】
また、実施形態に開示される他のセラミックス焼結体基板の製造方法は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持つセラミックス基板を準備することと、前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面にドライフィルムを貼り合わせることと、前記ドライフィルムを貼り合わせた前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面にマスクを介して露光及び現像を行うことと、前記露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して前記セラミックス基板の前記第1面及び前記第２面をエッチング又はブラストすることと、前記エッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部及び前記セラミックス基板の前記第２面の第２平面部よりも凹んだ第２凹部を形成することと、前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、前記セラミックス基板の前記第１凹部及び前記第２凹部内に金属ペーストを配置することと、前記第１凹部及び前記第２凹部に配置した前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることと、を含み、前記第１凹部及び前記第２凹部を形成する前に、前記第１凹部及び前記第２凹部となる位置に、前記セラミックス基板の前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、前記金属ペーストを配置することにおいて、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に前記金属ペーストを配置する。
【0007】
また、実施形態に開示される発光装置の製造方法は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板を準備することと、前記金属部材に発光素子を配置することと、を含み、前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する。
【0008】
また、実施形態に開示される他の発光装置の製造方法は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板を準備することと、前記金属部材に発光素子を配置することと、を含み、前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する。
【0009】
また、実施形態に開示されるセラミックス焼結体基板は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている。
【0010】
また、実施形態に開示される他のセラミックス焼結体基板は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている。
【0011】
また、実施形態に開示される発光装置は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板と、前記金属部材に配置される発光素子と、を備え、前記発光素子は、前記金属部材に直接又は間接に電気的に接続されている。
【0012】
また、実施形態に開示される他の発光装置は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板と、前記金属部材に配置される発光素子と、備え、前記発光素子は、前記金属部材に直接又は間接に電気的に接続されている。
【発明の効果】
【0013】
本開示の実施形態によれば、パターン精度の高いセラミックス焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1A】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板を例示する概略平面図である。
【図1B】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板を例示する概略底面図である。
【図2】実施形態に係るセラミックス焼結体基板の断面の一部を拡大して例示する写真である。
【図3】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法を例示するフローチャートである。
【図4】実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法における個片化前のセラミックス焼結体基板の集合体を例示する概略平面図である。
【図5A】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、準備したセラミックス基板を例示する概略断面図である。
【図5B】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、貫通孔を形成した状態を例示する概略断面図である。
【図5C】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、ドライフィルムを貼り合わせた状態を例示する概略断面図である。
【図5D】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、ドライフィルムの露光を行った状態を例示する概略断面図である。
【図5E】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、ドライフィルムの現像を行った状態を例示する概略断面図である。
【図5F】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。
【図5G】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、ドライフィルムを剥離した状態を例示する概略断面図である。
【図5H】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、金属ペーストを配置した状態を例示する概略断面図である。
【図5I】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、焼成した金属部材を例示する概略断面図である。
【図5J】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、金属部材を研磨した状態を例示する概略断面図である。
【図5K】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、金属部材にめっき層を形成した状態を例示する概略断面図である。
【図5L】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、個片化したセラミックス焼結体基板を例示する概略断面図である。
【図6】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板を例示する概略断面図である。
【図7】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法を例示するフローチャートである。
【図8A】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。
【図8B】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、金属ペーストを配置した状態を例示する概略断面図である。
【図8C】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、焼成した金属部材を例示する概略断面図である。
【図8D】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、金属部材を研磨した状態を例示する概略断面図である。
【図8E】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、金属部材にめっき層を形成した状態を例示する概略断面図である。
【図8F】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、個片化したセラミックス焼結体基板を例示する概略断面図である。
【図9】第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板を例示する概略断面図である。
【図10】第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法を例示するフローチャートである。
【図11A】第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、ドライフィルムの現像を行った状態を例示する概略断面図である。
【図11B】第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、レーザで凹部を形成した状態を例示する概略断面図である。
【図11C】第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。
【図11D】第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、金属ペーストを配置した状態を例示する概略断面図である。
【図11E】第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、焼成した金属部材を例示する概略断面図である。
【図11F】第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、金属部材を研磨した状態を例示する概略断面図である。
【図11G】第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、金属部材にめっき層を形成した状態を例示する概略断面図である。
【図11H】第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法において、個片化したセラミックス焼結体基板を例示する概略断面図である。
【図12A】セラミックス焼結体基板の第１変形例を例示する概略断面図である。
【図12B】セラミックス焼結体基板の第２変形例を例示する概略断面図である。
【図13A】セラミックス焼結体基板の第３変形例を例示する概略断面図である。
【図13B】セラミックス焼結体基板の第４変形例を例示する概略断面図である。
【図14】セラミックス焼結体基板の第３変形例の製造方法を例示するフローチャートである。
【図15A】セラミックス焼結体基板の第３変形例の製造方法において、ドライフィルムを貼り合わせた状態を例示する概略断面図である。
【図15B】セラミックス焼結体基板の第３変形例の製造方法において、ドライフィルムにレーザでパターンを形成した状態を例示する概略断面図である。
【図15C】セラミックス焼結体基板の第３変形例の製造方法において、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。
【図16】セラミックス焼結体基板の第５変形例を例示する概略断面図である。
【図17】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例を例示するフローチャートである。
【図18A】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、貫通孔を形成した状態を例示する概略断面図である。
【図18B】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、接着層を配置した状態を例示する概略断面図である。
【図18C】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、ドライフィルムを貼り合わせた状態を例示する概略断面図である。
【図18D】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、ドライフィルムの露光を行った状態を例示する概略断面図である。
【図18E】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、ドライフィルムの現像を行った状態を例示する概略断面図である。
【図18F】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。
【図18G】第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、ドライフィルム及び接着層を剥離した状態を例示する概略断面図である。
【図19】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例を例示するフローチャートである。
【図20A】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。
【図20B】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、金属ペーストを配置した状態を例示する概略断面図である。
【図20C】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、焼成した金属部材を例示する概略断面図である。
【図20D】第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例において、金属部材を研磨した状態を例示する概略断面図である。
【図21A】実施形態に係る発光装置を例示する概略平面図である。
【図22A】実施形態に係る発光装置の発光素子を例示する概略平面図である。
【図22B】実施形態に係る発光装置の発光素子を例示する概略底面図である。
【図23】実施形態に係る発光装置の製造方法を例示するフローチャートである。
【図24】実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化前の発光装置の集合体を例示する概略平面図である。
【図25A】実施形態に係る発光装置の製造方法において、準備したセラミックス焼結体基板の集合体を例示する概略断面図である。
【図25B】実施形態に係る発光装置の製造方法において、導電性部材を配置した状態を例示する概略断面図である。
【図25C】実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を配置した状態を例示する概略断面図である。
【図25D】実施形態に係る発光装置の製造方法において、被覆部材を配置した状態を例示する概略断面図である。
【図25E】実施形態に係る発光装置の製造方法において、個片化した発光装置を例示する概略断面図である。
【図26A】発光装置の第１変形例を例示する概略断面図である。
【図26B】発光装置の第２変形例を例示する概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本開示に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本開示に係る技術的思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、発明を以下のものに限定しない。一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。また、図面は実施形態を概略的に示すものであり、説明を明確にするため、各部材のスケールや間隔、位置関係等を誇張し、あるいは、部材の一部の図示を省略している場合や断面図として切断面のみを示す端面図を用いる場合がある。各図において示す方向は、構成要素間の相対的な位置を示し、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。なお、同一の名称、符号については、原則として、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、実施形態について、「覆う」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。
【0016】
［第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板］
第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１について、図１Ａから図２を参照しながら説明する。図１Ａは、セラミックス焼結体基板１を例示する概略平面図である。図１Ｂは、セラミックス焼結体基板１を例示する概略底面図である。図１Ｃは、図１ＡのＩＣ－ＩＣ線における断面を例示する概略断面図である。図２は、セラミックス焼結体基板１の断面の一部を拡大して例示する写真である。
第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１について、図１Ａから図２を参照しながら説明する。図１Ａは、セラミックス焼結体基板１を例示する概略平面図である。図１Ｂは、セラミックス焼結体基板１を例示する概略底面図である。図１Ｃは、図１ＡのＩＣ－ＩＣ線における断面を例示する概略断面図である。図２は、セラミックス焼結体基板１の断面の一部を拡大して例示する写真である。
【0017】
セラミックス焼結体基板１は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持ち、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５があり、第１面１０Ａは貫通孔１５よりも孔径が大きく貫通孔１５と接続する第１凹部１１、及び、第２面１０Ｂは貫通孔１５よりも孔径が大きく貫通孔１５と接続する第２凹部１２、を有するセラミックス基板１０と、第１凹部１１、第２凹部１２及び貫通孔１５に配置する金属部材１６と、を有している。そして、貫通孔１５の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内面と貫通孔１５との接続部分、及び、第２凹部１２を画定する内面と貫通孔１５との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている。また、ここでは、セラミックス基板１０から露出する金属部材１６を覆うめっき層１７をさらに有している。以下、セラミックス焼結体基板１の各構成について説明する。なお、セラミックス焼結体基板は、セラミックス基板にある貫通孔に金属ペーストを配置して焼成することによってできたものを指す。
【0018】
（セラミックス基板）
セラミックス基板１０は、金属部材１６を配置する土台となる絶縁性の部材である。セラミックス基板は焼成され成形されており、焼成前の軟化状態のものではない。セラミックス基板はセラミックスを焼成して成形してもよく、市販品等を使用してもよい。セラミックス基板１０は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを有している。第１面１０Ａは、第１平面部１３と第１平面部１３よりも凹んだ２つの第１凹部１１とを有し、第２面１０Ｂは、第２平面部１４と第２平面部１４よりも凹んだ２つの第２凹部１２とを有している。第１平面部１３及び第２平面部１４は、それぞれが平らな面であり、セラミックス焼結体基板１の外表面の一部を構成している。
セラミックス基板１０は、金属部材１６を配置する土台となる絶縁性の部材である。セラミックス基板は焼成され成形されており、焼成前の軟化状態のものではない。セラミックス基板はセラミックスを焼成して成形してもよく、市販品等を使用してもよい。セラミックス基板１０は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを有している。第１面１０Ａは、第１平面部１３と第１平面部１３よりも凹んだ２つの第１凹部１１とを有し、第２面１０Ｂは、第２平面部１４と第２平面部１４よりも凹んだ２つの第２凹部１２とを有している。第１平面部１３及び第２平面部１４は、それぞれが平らな面であり、セラミックス焼結体基板１の外表面の一部を構成している。
【0019】
ここでは、第１凹部１１及び第２凹部１２は、平面視において矩形状であり、長手方向と短手方向を有している。第１凹部１１及び第２凹部１２は、それぞれ２つずつが短手方向に並び、第１凹部１１と第２凹部１２とが対向するように配置されている。なお、第１凹部１１及び第２凹部１２は、平面視において角部が丸くてもよく、長手方向の端部の全体が曲線状であってもよい。
第１凹部１１及び第２凹部１２は、板厚方向の内側面を湾曲した面とし、貫通孔１５に連続する凹部を画定する底面の一部を平面としている。セラミックス基板１０の板厚方向の断面視において、第１凹部１１及び第２凹部１２は、貫通孔１５に向かって中央側となる凹部を画定する底面の一部の平面以外では湾曲状となっている。なお、第１凹部１１及び第２凹部１２は、内側面から貫通孔１５に連続する凹部を画定する底面を湾曲状としてもよい。例えば、セラミックス焼結体基板１の厚み方向の断面視において、第１凹部１１及び第２凹部１２は湾曲状とすることができる。
第１凹部１１及び第２凹部１２は、板厚方向の内側面を湾曲した面とし、貫通孔１５に連続する凹部を画定する底面の一部を平面としている。セラミックス基板１０の板厚方向の断面視において、第１凹部１１及び第２凹部１２は、貫通孔１５に向かって中央側となる凹部を画定する底面の一部の平面以外では湾曲状となっている。なお、第１凹部１１及び第２凹部１２は、内側面から貫通孔１５に連続する凹部を画定する底面を湾曲状としてもよい。例えば、セラミックス焼結体基板１の厚み方向の断面視において、第１凹部１１及び第２凹部１２は湾曲状とすることができる。
【0020】
第１凹部１１内及び第２凹部１２を画定する内面は、粗面化されていることが好ましい。粗面化により、第１凹部１１及び第２凹部１２に配置される金属部材１６の剥がれを低減することができる。第１凹部１１を画定する内面及び第２凹部１２を画定する内面の算術平均粗さＲａは、例えば２００ｎｍ以上２μｍ以下とすることができ、３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下が好ましい。算術平均粗さＲａは、先端の曲率半径ｒが２μｍのダイヤモンドスタイラスを備える触針式の表面粗さ計（例えば、株式会社小坂研究所製ＳＥ３５００）を用い、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に準拠して測定してもよい。
なお、第１凹部１１の孔径は、第１凹部１１と第１平面部１３との境界の径であり、第２凹部１２の孔径は、第２凹部１２と第２平面部１４との境界の径である。また、第１凹部１１及び第２凹部１２は、平面視における形状が矩形である場合には、孔径というときには、対角線の長さをいうこととする。さらに、第１凹部１１の孔径は貫通孔１５の第１面１０Ａ側の孔径よりも大きく、第２凹部１２の孔径は貫通孔１５の第２面１０Ｂ側の孔径よりも大きい。
なお、第１凹部１１の孔径は、第１凹部１１と第１平面部１３との境界の径であり、第２凹部１２の孔径は、第２凹部１２と第２平面部１４との境界の径である。また、第１凹部１１及び第２凹部１２は、平面視における形状が矩形である場合には、孔径というときには、対角線の長さをいうこととする。さらに、第１凹部１１の孔径は貫通孔１５の第１面１０Ａ側の孔径よりも大きく、第２凹部１２の孔径は貫通孔１５の第２面１０Ｂ側の孔径よりも大きい。
【0021】
セラミックス基板１０は、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５を有している。貫通孔１５は、第１凹部１１内及び第２凹部１２内で第１凹部１１及び第２凹部１２と接続されている。
ここでは、一例として、第１凹部１１及び第２凹部１２の凹部を画定する底面に長手方向に３つの貫通孔１５が並んで配置されている。３つの貫通孔１５は、平面視において第２凹部１２に対しては短手方向の中央に位置し、第１凹部１１に対しては外側寄りに位置している。また、貫通孔１５は、平面視において円形状であり、第１面１０Ａ側から第２面１０Ｂ側に向かって径が小さくなっている。貫通孔１５の直径は、例えば０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とすることができる。
ここでは、一例として、第１凹部１１及び第２凹部１２の凹部を画定する底面に長手方向に３つの貫通孔１５が並んで配置されている。３つの貫通孔１５は、平面視において第２凹部１２に対しては短手方向の中央に位置し、第１凹部１１に対しては外側寄りに位置している。また、貫通孔１５は、平面視において円形状であり、第１面１０Ａ側から第２面１０Ｂ側に向かって径が小さくなっている。貫通孔１５の直径は、例えば０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とすることができる。
【0022】
貫通孔１５が配置されているセラミックス基板１０の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内面と貫通孔１５との接続部分１９Ａ、及び、第２凹部１２を画定する内面と貫通孔１５との接続部分１９Ｂは丸みを帯びている。この丸みは、２μｍ以上１１０μｍ以下の半径Ｒの円弧に相当する。この丸みは、平面視において貫通孔１５の開口に沿って環状に形成されていることが好ましい。
セラミックス基板１０の材料は、放熱性の観点から熱伝導率の大きいセラミックスが好ましく、例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などの窒化物系セラミックスが好ましいが、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化カルシウム、酸化マグネシウムなどの酸化物系セラミックスを使用してもよい。また、貫通孔１５は、レーザ加工や、機械加工等により形成することが可能となる。
セラミックス基板１０の材料は、放熱性の観点から熱伝導率の大きいセラミックスが好ましく、例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などの窒化物系セラミックスが好ましいが、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化カルシウム、酸化マグネシウムなどの酸化物系セラミックスを使用してもよい。また、貫通孔１５は、レーザ加工や、機械加工等により形成することが可能となる。
【0023】
（金属部材）
金属部材１６は、セラミックス焼結体基板１における電気的な配線を担う部材である。金属部材１６は、第１凹部１１、第２凹部１２及び貫通孔１５を満たすように配置されている。そして、セラミックス基板１０の第１面１０Ａ側において第１平面部１３と同一平面をなし、第２面１０Ｂ側において第２平面部１４と同一平面をなすように配置されている。セラミックス基板１０の厚み方向の断面視において、第１凹部１１及び第２凹部１２に配置された金属部材１６は、セラミックス基板１０の第１面１０Ａの第１平面部１３及び第２面１０Ｂの第２平面部１４と同一平面をなしている。
金属部材１６は、セラミックス焼結体基板１における電気的な配線を担う部材である。金属部材１６は、第１凹部１１、第２凹部１２及び貫通孔１５を満たすように配置されている。そして、セラミックス基板１０の第１面１０Ａ側において第１平面部１３と同一平面をなし、第２面１０Ｂ側において第２平面部１４と同一平面をなすように配置されている。セラミックス基板１０の厚み方向の断面視において、第１凹部１１及び第２凹部１２に配置された金属部材１６は、セラミックス基板１０の第１面１０Ａの第１平面部１３及び第２面１０Ｂの第２平面部１４と同一平面をなしている。
【0024】
金属部材１６は、例えばＣｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金から選ばれる少なくとも１種を含む金属を主成分としている。また、金属部材１６は、さらにＴｉ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｍｇ等の活性金属元素を含むことが好ましい。
図２に例示するように、セラミックス焼結体基板１は、金属部材１６とセラミックス基板１０との接触部分に金属化合物層１８を有している。金属化合物層１８は、金属部材１６に含まれる活性金属元素とセラミックス基板１０に含まれる非金属無機元素との化合物、例えば窒化チタンを多く含む層である。なお、図２以外では金属化合物層１８の図示を省略しているが、本開示における金属部材１６とセラミックス基板１０との接触部分には、金属化合物層１８が配置されている。
図２に例示するように、セラミックス焼結体基板１は、金属部材１６とセラミックス基板１０との接触部分に金属化合物層１８を有している。金属化合物層１８は、金属部材１６に含まれる活性金属元素とセラミックス基板１０に含まれる非金属無機元素との化合物、例えば窒化チタンを多く含む層である。なお、図２以外では金属化合物層１８の図示を省略しているが、本開示における金属部材１６とセラミックス基板１０との接触部分には、金属化合物層１８が配置されている。
【0025】
（めっき層）
セラミックス焼結体基板１は、めっき層１７を有していてもよい。めっき層１７は、セラミックス基板１０から露出する金属部材１６を覆う金属の層である。めっき層１７は金属部材１６の酸化を低減したり反射率を高めたりする。金属部材１６が配置されている領域は、めっき層１７の厚さ分だけ第１平面部１３及び第２平面部１４から突出している。
めっき層１７を介することにより、外部の回路部品や配線等と金属部材１６との接続を良好なものとすることができる。めっき層１７は、例えば、金属部材１６側からニッケル、パラジウム及び金の３層めっきや、ニッケル及び金の２層めっきとすることができる。
セラミックス焼結体基板１は、めっき層１７を有していてもよい。めっき層１７は、セラミックス基板１０から露出する金属部材１６を覆う金属の層である。めっき層１７は金属部材１６の酸化を低減したり反射率を高めたりする。金属部材１６が配置されている領域は、めっき層１７の厚さ分だけ第１平面部１３及び第２平面部１４から突出している。
めっき層１７を介することにより、外部の回路部品や配線等と金属部材１６との接続を良好なものとすることができる。めっき層１７は、例えば、金属部材１６側からニッケル、パラジウム及び金の３層めっきや、ニッケル及び金の２層めっきとすることができる。
【0026】
以上のような構成を有するセラミックス焼結体基板１は、金属部材１６が第１凹部１１及び第２凹部１２に埋め込まれて配置されていることにより、パターン精度を高めると共に放熱性の向上を図ることができる。また、第１凹部１１及び第２凹部１２の面が粗面化され、さらに金属部材１６のセラミックス基板１０との間に金属化合物層１８を有することで、金属部材１６の剥がれを低減することができる。
また、セラミックス焼結体基板１は、第１凹部１１及び第２凹部１２を画定する内側面と凹部を画定する底面との接続部分、及び、凹部を画定する底面と貫通孔１５との接続部分が湾曲していることによって、応力の集中を低減することができ、信頼性の向上を図ることができる。
また、セラミックス焼結体基板１は、第１凹部１１及び第２凹部１２を画定する内側面と凹部を画定する底面との接続部分、及び、凹部を画定する底面と貫通孔１５との接続部分が湾曲していることによって、応力の集中を低減することができ、信頼性の向上を図ることができる。
【0027】
なお、貫通孔１５の厚み方向の断面視において丸みを帯びているのは、第１凹部１１を画定する内面と貫通孔１５との接続部分、及び、第２凹部１２を画定する内面と貫通孔１５との接続部分、の一方のみであってもよい。貫通孔１５の径は、第１面１０Ａ側から第２面１０Ｂ側まで同じ径であってもよく、第１面１０Ａ側から第２面１０Ｂ側に向かって径が大きくなっていてもよい。厚み方向の中央部で径が細くなる鼓形状であってもよい。
また、セラミックス焼結体基板１は算術平均粗さＲａが２００ｎｍ以上２μｍ以下であることが好ましく、当該粗さは、第１凹部１１を画定する内面及び第２凹部１２を画定する内面の一方のみまたは両方とすることができる。
また、セラミックス焼結体基板１の厚み方向の断面視において、第１凹部１１及び第２凹部１２の一方のみまたは両方を前記した接続部分を湾曲状とすることができる。セラミックス焼結体基板１の厚み方向の断面視において、第１凹部１１及び第２凹部１２の一方のみが湾曲状であってもよい。
また、セラミックス焼結体基板１は算術平均粗さＲａが２００ｎｍ以上２μｍ以下であることが好ましく、当該粗さは、第１凹部１１を画定する内面及び第２凹部１２を画定する内面の一方のみまたは両方とすることができる。
また、セラミックス焼結体基板１の厚み方向の断面視において、第１凹部１１及び第２凹部１２の一方のみまたは両方を前記した接続部分を湾曲状とすることができる。セラミックス焼結体基板１の厚み方向の断面視において、第１凹部１１及び第２凹部１２の一方のみが湾曲状であってもよい。
【0028】
［第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１の製造方法Ｓ１について、図３から図５Ｌを参照しながら説明する。図３は、セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ１を例示するフローチャートである。図４は、個片化前のセラミックス焼結体基板１の集合体１Ｐを例示する概略平面図である。図５Ａは、準備したセラミックス基板１０を例示する概略断面図である。図５Ｂは、貫通孔１５を形成した状態を例示する概略断面図である。図５Ｃは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせた状態を例示する概略断面図である。図５Ｄは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の露光を行った状態を例示する概略断面図である。図５Ｅは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の現像を行った状態を例示する概略断面図である。図５Ｆは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。図５Ｇは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を剥離した状態を例示する概略断面図である。図５Ｈは、金属ペースト８６を配置した状態を例示する概略断面図である。図５Ｉは、焼成した金属部材１６を例示する概略断面図である。図５Ｊは、金属部材１６を研磨した状態を例示する概略断面図である。図５Ｋは、金属部材１６にめっき層１７を形成した状態を例示する概略断面図である。図５Ｌは、個片化したセラミックス焼結体基板１を例示する概略断面図である。
次に、第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１の製造方法Ｓ１について、図３から図５Ｌを参照しながら説明する。図３は、セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ１を例示するフローチャートである。図４は、個片化前のセラミックス焼結体基板１の集合体１Ｐを例示する概略平面図である。図５Ａは、準備したセラミックス基板１０を例示する概略断面図である。図５Ｂは、貫通孔１５を形成した状態を例示する概略断面図である。図５Ｃは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせた状態を例示する概略断面図である。図５Ｄは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の露光を行った状態を例示する概略断面図である。図５Ｅは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の現像を行った状態を例示する概略断面図である。図５Ｆは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。図５Ｇは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を剥離した状態を例示する概略断面図である。図５Ｈは、金属ペースト８６を配置した状態を例示する概略断面図である。図５Ｉは、焼成した金属部材１６を例示する概略断面図である。図５Ｊは、金属部材１６を研磨した状態を例示する概略断面図である。図５Ｋは、金属部材１６にめっき層１７を形成した状態を例示する概略断面図である。図５Ｌは、個片化したセラミックス焼結体基板１を例示する概略断面図である。
【0029】
セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ１は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持つセラミックス基板１０を準備することＳ１０と、セラミックス基板１０の第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂにドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂと、ドライフィルムを貼り合わせたセラミックス基板１０の第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂにマスクを介して露光及び現像を行うことＳ３５Ａと、露光及び現像を行うことＳ３５Ａにより、所定のパターンに形成されたドライフィルムを介してセラミックス基板１０の第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂをエッチング又はブラストすることＳ４０と、エッチング又はブラストすることＳ４０により、セラミックス基板１０の第１面１０Ａの第１平面部１３よりも凹んだ第１凹部１１及びセラミックス基板１０の第２面１０Ｂの第２平面部１４よりも凹んだ第２凹部１２を形成することＳ４５と、セラミックス基板１０からドライフィルムを剥離することＳ５０Ａと、セラミックス基板１０の第１凹部１１及び第２凹部１２内に金属ペースト８６を配置することＳ５０Ｂと、第１凹部１１及び第２凹部１２に配置した金属ペースト８６を焼成し金属部材１６を得ることＳ６０と、を含んでいる。そして、第１凹部１１及び第２凹部１２を形成する前に、第１凹部１１及び第２凹部１２となる位置に、セラミックス基板１０の第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５を形成し、金属ペーストを配置することＳ５０Ｂにおいて、第１凹部１１、第２凹部１２及び貫通孔１５に金属ペースト８６を配置する。また、ここでは、金属ペースト８６を焼成し金属部材１６を得ることＳ６０の後に、金属部材を研磨することＳ７０と、めっき層１７を形成することＳ８０と、個片化することＳ９０と、をさらに含んでいてもよい。以下、製造方法Ｓ１の各構成について説明する。
【0030】
なお、製造方法Ｓ１の説明では、複数のセラミックス焼結体基板１が行方向及び列方向に整列した集合体１Ｐを製造している。集合体１Ｐは、切断線ＳＬ１、ＳＬ２で切断することで、セラミックス焼結体基板１とすることができる。この点は、第２、第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法、発光装置の製造方法及びこれらの変形例についても同様である。
【0031】
（セラミックス基板を準備すること）
セラミックス基板を準備することＳ１０において、セラミックス基板１０を準備する。セラミックス基板１０は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持つ板状の部材である。セラミックス基板１０の厚さは、例えば０．０８ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましい。
セラミックス基板を準備することＳ１０において、セラミックス基板１０を準備する。セラミックス基板１０は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持つ板状の部材である。セラミックス基板１０の厚さは、例えば０．０８ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましい。
【0032】
（貫通孔を形成すること）
貫通孔を形成することＳ２０において、セラミックス基板１０の第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５を形成する。ここでは、貫通孔１５は、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせる前に形成している。
貫通孔１５は、対向する位置にある第１凹部１１と第２凹部１２との間に少なくとも１つ形成する。ここでは、第１凹部１１及び第２凹部１２のそれぞれが３個の貫通孔１５を有するように形成している。
貫通孔を形成することＳ２０において、セラミックス基板１０の第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５を形成する。ここでは、貫通孔１５は、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせる前に形成している。
貫通孔１５は、対向する位置にある第１凹部１１と第２凹部１２との間に少なくとも１つ形成する。ここでは、第１凹部１１及び第２凹部１２のそれぞれが３個の貫通孔１５を有するように形成している。
【0033】
貫通孔１５は、例えばＣＯ２レーザによって形成することができる。ＣＯ２レーザを第１面１０Ａ側から照射することで、第１面１０Ａから第２面１０Ｂに向かって径が小さくなるように形成することができる。また、ＣＯ２レーザを第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂ側の両方から照射することで、板厚方向の中央部の孔径が、第１面１０Ａの開口径及び第２面１０Ｂの開口径よりも小さくなる形成することができる。なお、貫通孔１５は、第１面１０Ａから第２面１０Ｂまで同じ径となるように形成してもよい。貫通孔１５は、ＵＶレーザやドリル加工、パンチング等によって形成してもよい。貫通孔１５の直径は、例えば０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とすることが好ましい。
【0034】
（ドライフィルムを貼り合わせること）
ドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂにおいて、セラミックス基板１０の第１面１０ＡにドライフィルムＤＦ１を、第２面１０ＢにドライフィルムＤＦ２を貼り合わせる。ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２は、シート状のフォトレジストである。ここでは、露光された領域が硬化するものを使用している。
ドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂにおいて、セラミックス基板１０の第１面１０ＡにドライフィルムＤＦ１を、第２面１０ＢにドライフィルムＤＦ２を貼り合わせる。ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２は、シート状のフォトレジストである。ここでは、露光された領域が硬化するものを使用している。
【0035】
（露光及び現像を行うこと）
露光及び現像を行うことＳ３５Ａにおいて、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の露光及び現像を行う。露光の前に、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２に重ねてマスクＰＭ１、ＰＭ２を貼付する。マスクＰＭ１は、第１凹部１１を形成する領域に遮光パターンＰ１を有している。マスクＰＭ２は、第２凹部１２を形成する領域に遮光パターンＰ２を有している。
続いて、光Ｌ１を照射して露光を行う。光Ｌ１は例えば紫外線である。遮光パターンＰ１、Ｐ２以外の領域は光Ｌ１を透過し、その位置にあるドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２は硬化される。続く現像では、マスクＰＭ１、ＰＭ２を除去し、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の硬化していない部分をアルカリ性水溶液等で溶解除去する。硬化した部分は溶解除去されずに残り、レジストＲＥ１、ＲＥ２が形成される。
露光及び現像を行うことＳ３５Ａにおいて、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の露光及び現像を行う。露光の前に、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２に重ねてマスクＰＭ１、ＰＭ２を貼付する。マスクＰＭ１は、第１凹部１１を形成する領域に遮光パターンＰ１を有している。マスクＰＭ２は、第２凹部１２を形成する領域に遮光パターンＰ２を有している。
続いて、光Ｌ１を照射して露光を行う。光Ｌ１は例えば紫外線である。遮光パターンＰ１、Ｐ２以外の領域は光Ｌ１を透過し、その位置にあるドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２は硬化される。続く現像では、マスクＰＭ１、ＰＭ２を除去し、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の硬化していない部分をアルカリ性水溶液等で溶解除去する。硬化した部分は溶解除去されずに残り、レジストＲＥ１、ＲＥ２が形成される。
【0036】
（エッチング又はブラストすること）
エッチング又はブラストすることＳ４０において、所定のパターンに形成されたドライフィルム（レジストＲＥ１、ＲＥ２）をレジストとして、セラミックス基板１０の第1面１０Ａ及び第２面１０Ｂをエッチング又はブラストする。
エッチング又はブラストすることＳ４０において、所定のパターンに形成されたドライフィルム（レジストＲＥ１、ＲＥ２）をレジストとして、セラミックス基板１０の第1面１０Ａ及び第２面１０Ｂをエッチング又はブラストする。
【0037】
（第１凹部及び第２凹部を形成すること）
第１凹部及び第２凹部を形成することＳ４５において、セラミックス基板１０の第１面１０Ａの第１平面部１３よりも凹んだ第１凹部１１及びセラミックス基板１０の第２面１０Ｂの第２平面部１４よりも凹んだ第２凹部１２を形成する。
第１凹部１１及び第２凹部１２をエッチング又はブラストによって形成することで、第１凹部１１及び第２凹部１２を画定する内側面を湾曲した形状にすることができる。
第１凹部及び第２凹部を形成することＳ４５において、セラミックス基板１０の第１面１０Ａの第１平面部１３よりも凹んだ第１凹部１１及びセラミックス基板１０の第２面１０Ｂの第２平面部１４よりも凹んだ第２凹部１２を形成する。
第１凹部１１及び第２凹部１２をエッチング又はブラストによって形成することで、第１凹部１１及び第２凹部１２を画定する内側面を湾曲した形状にすることができる。
【0038】
また、エッチング又はブラストによって、第１凹部１１内の凹部を画定する底面と貫通孔１５との接続部分１９Ａ、及び、第２凹部１２内の凹部を画定する底面と貫通孔１５との接続部分１９Ｂは、断面視において丸みを帯びた形状に形成することができる。ここでは、この丸みが２μｍ以上１１０μｍ以下の半径Ｒの円弧に相当するように形成している。接続部分１９Ａの丸みの半径Ｒ１と接続部分１９Ｂの丸みの半径Ｒ２とは、同じでもよく、異なっていてもよい。
なお、エッチング又はブラストは、これらの一方のみを行えばよく、何れによっても、湾曲した面で形成され、断面視において貫通孔１５との接続部分１９Ａ、１９Ｂが丸みを帯びた形状である第１凹部１１及び第２凹部１２を形成することができる。
また、断面視において第１凹部１１及び第２凹部１２の凹部を画定する底面では、一部に平坦な部分があってもよく、平坦な部分は接続部分１９Ａ、１９Ｂに連続する傾斜面であってもよい。
なお、エッチング又はブラストは、これらの一方のみを行えばよく、何れによっても、湾曲した面で形成され、断面視において貫通孔１５との接続部分１９Ａ、１９Ｂが丸みを帯びた形状である第１凹部１１及び第２凹部１２を形成することができる。
また、断面視において第１凹部１１及び第２凹部１２の凹部を画定する底面では、一部に平坦な部分があってもよく、平坦な部分は接続部分１９Ａ、１９Ｂに連続する傾斜面であってもよい。
【0039】
エッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチングで行うことができ、ウェットエッチングが好ましい。ウェットエッチングは、酸性やアルカリ性の薬剤、例えばＨＦ、ＮＨ４Ｆ、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＣｓＯＨなどを用いて、エッチングすることで湾曲状の第１凹部１１及び第２凹部１２や貫通孔１５の接続部分の丸みを形成することができる
ブラストは、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂのそれぞれに対し、垂直な方向から砥粒を衝突させることで、セラミックス基板１０を研磨又は研削して湾曲状の形状及び接続部分の丸みを形成することができる。
ブラストは、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂのそれぞれに対し、垂直な方向から砥粒を衝突させることで、セラミックス基板１０を研磨又は研削して湾曲状の形状及び接続部分の丸みを形成することができる。
【0040】
（ドライフィルムを剥離すること）
ドライフィルムを剥離することＳ５０Ａにおいて、セラミックス基板１０からドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を剥離する。すなわち、エッチング又はブラストの後で、レジストＲＥ１、ＲＥ２を除去する。
ドライフィルムを剥離することＳ５０Ａにおいて、セラミックス基板１０からドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を剥離する。すなわち、エッチング又はブラストの後で、レジストＲＥ１、ＲＥ２を除去する。
【0041】
（金属ペーストを配置すること）
金属ペーストを配置することＳ５０Ｂにおいて、セラミックス基板１０の第１凹部１１及び第２凹部１２内に金属ペースト８６を配置する。なお、金属ペースト８６は焼成することによって金属部材１６となる。
金属ペースト８６は流動性を有する部材であり、貫通孔１５、第１凹部１１及び第２凹部１２の面に密着するように塗布して配置することができる。ここでは、貫通孔１５、第１凹部１１及び第２凹部１２を充填し、さらに第１平面部１３及び第２平面部１４にも塗布して、表面に凹凸が生じないように金属ペースト８６を配置している。
金属ペーストを配置することＳ５０Ｂにおいて、セラミックス基板１０の第１凹部１１及び第２凹部１２内に金属ペースト８６を配置する。なお、金属ペースト８６は焼成することによって金属部材１６となる。
金属ペースト８６は流動性を有する部材であり、貫通孔１５、第１凹部１１及び第２凹部１２の面に密着するように塗布して配置することができる。ここでは、貫通孔１５、第１凹部１１及び第２凹部１２を充填し、さらに第１平面部１３及び第２平面部１４にも塗布して、表面に凹凸が生じないように金属ペースト８６を配置している。
【0042】
金属ペースト８６は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金から選ばれる少なくとも１種を含むものとすることができる。これらの中で、７８０℃以上８５０℃以下のような比較的低温で焼成できるＡｇ－Ｃｕ合金が好ましい。また高い電気伝導性を有するＣｕ、Ａｇを用いてもよい。
また、金属ペースト８６は、少なくとも活性金属粉体を含むものとしている。活性金属粉体は、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、ＭｇＨ２から選ばれる少なくとも１種とすることができる。これらの中で、ＴｉＨ２が好ましい。ＴｉＨ２を含むことで、セラミックス基板１０に含まれる窒素と反応し、セラミックス基板１０との界面において、ＴｉＮのような反応層となる金属化合物層を形成する。これにより、導電性ビアである金属部材１６とセラミックス基板１０との密着性を向上させ、金属部材１６が貫通孔１５に対して強固に密着することになる。
また、金属ペースト８６は、少なくとも活性金属粉体を含むものとしている。活性金属粉体は、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、ＭｇＨ２から選ばれる少なくとも１種とすることができる。これらの中で、ＴｉＨ２が好ましい。ＴｉＨ２を含むことで、セラミックス基板１０に含まれる窒素と反応し、セラミックス基板１０との界面において、ＴｉＮのような反応層となる金属化合物層を形成する。これにより、導電性ビアである金属部材１６とセラミックス基板１０との密着性を向上させ、金属部材１６が貫通孔１５に対して強固に密着することになる。
【0043】
金属ペースト８６は、有機バインダを含んでいてもよい。有機バインダの種類や量によって金属ペースト８６の粘度を調節することができる。有機バインダとして、例えば一般的に導電性ペーストとして使用される溶剤やアクリル、エポキシ、ウレタン、エチルセルロース、シリコーン、フェノール、ポリイミド、ポリウレタン、メラミン、ウレアなどの樹脂材料であってもよい。なお、有機バインダは、後記する焼成によって分解され、蒸発して除去される。
金属ペースト８６は、金属を除く複数個の無機フィラーを含んでいてもよい。無機フィラーを含有することで、金属ペースト８６の焼結時の体積収縮を低減することができる。無機フィラーとして、例えばＡｌＮやＳｉ３Ｎ４などを用いることができる。
重量百分率で表示すると、金属ペースト８６は、一例として、ＡｇとＣｕとの混合比が７２：２８のＡｇ－Ｃｕ合金が６０％以上９９％以下、金属活性粉体としてＴｉＨ２が０．５％以上１０％以下、有機バインダが０．１％以上１０％以下、無機フィラーとして１％以上２０％以下が好ましい。
金属ペースト８６は、金属を除く複数個の無機フィラーを含んでいてもよい。無機フィラーを含有することで、金属ペースト８６の焼結時の体積収縮を低減することができる。無機フィラーとして、例えばＡｌＮやＳｉ３Ｎ４などを用いることができる。
重量百分率で表示すると、金属ペースト８６は、一例として、ＡｇとＣｕとの混合比が７２：２８のＡｇ－Ｃｕ合金が６０％以上９９％以下、金属活性粉体としてＴｉＨ２が０．５％以上１０％以下、有機バインダが０．１％以上１０％以下、無機フィラーとして１％以上２０％以下が好ましい。
【0044】
（金属ペーストを焼成し金属部材を得ること）
金属ペーストを焼成し金属部材を得ることＳ６０において、金属ペースト８６を貫通孔１５、第１凹部１１及び第２凹部１２に配置し、金属ペースト８６を焼成して金属部材１６とする。
金属ペースト８６は焼成の過程で収縮する。収縮しようとする応力Ｆ１は、貫通孔１５の中央部から第１凹部１１及び第２凹部１２に向かう方向に働く。断面視において貫通孔１５と第１凹部１１及び第２凹部１２との接続部分１９Ａ、１９Ｂが丸みを帯びていることで、貫通孔１５の金属ペースト８６に働く応力Ｆ１の向きを分散させることができる。
金属ペーストを焼成し金属部材を得ることＳ６０において、金属ペースト８６を貫通孔１５、第１凹部１１及び第２凹部１２に配置し、金属ペースト８６を焼成して金属部材１６とする。
金属ペースト８６は焼成の過程で収縮する。収縮しようとする応力Ｆ１は、貫通孔１５の中央部から第１凹部１１及び第２凹部１２に向かう方向に働く。断面視において貫通孔１５と第１凹部１１及び第２凹部１２との接続部分１９Ａ、１９Ｂが丸みを帯びていることで、貫通孔１５の金属ペースト８６に働く応力Ｆ１の向きを分散させることができる。
【0045】
焼成温度は、７００℃以上１２００℃以下とすることができ、７５０℃以上１１００℃以下が好ましく、７８０℃以上８５０℃以下が特に好ましい。焼成雰囲気は、１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気または９９．９％以上のＡｒ雰囲気とすることが好ましい。
【0046】
（金属部材を研磨すること）
金属部材を研磨することＳ７０において、金属部材１６を研磨して、その一部を除去する。ここでは、第１平面部１３及び第２平面部１４が露出するように金属部材１６を研磨している。研磨は、金属部材１６の表面が第１平面部１３及び第２平面部１４と平行であるように進め、金属部材１６が第１平面部１３及び第２平面部１４と同一平面をなすようにすることが好ましい。その際、金属部材１６と共に第１平面部１３及び第２平面部１４の一部が研磨されてもよい。研磨は、例えば研削機や研磨機によって行うことができる。
金属部材を研磨することＳ７０において、金属部材１６を研磨して、その一部を除去する。ここでは、第１平面部１３及び第２平面部１４が露出するように金属部材１６を研磨している。研磨は、金属部材１６の表面が第１平面部１３及び第２平面部１４と平行であるように進め、金属部材１６が第１平面部１３及び第２平面部１４と同一平面をなすようにすることが好ましい。その際、金属部材１６と共に第１平面部１３及び第２平面部１４の一部が研磨されてもよい。研磨は、例えば研削機や研磨機によって行うことができる。
【0047】
（めっき層を形成すること）
めっき層を形成することＳ８０において、金属部材１６の露出する表面にめっき層１７を形成する。めっき層１７は、無電解めっきによって形成することができる。めっきはマスクを介して行ってもよい。めっき層１７の形成後、複数のセラミックス焼結体基板１が行方向及び列方向に整列した集合体１Ｐが形成されている。
めっき層を形成することＳ８０において、金属部材１６の露出する表面にめっき層１７を形成する。めっき層１７は、無電解めっきによって形成することができる。めっきはマスクを介して行ってもよい。めっき層１７の形成後、複数のセラミックス焼結体基板１が行方向及び列方向に整列した集合体１Ｐが形成されている。
【0048】
（個片化すること）
個片化することＳ９０において、集合体１Ｐを切断して、個片であるセラミックス焼結体基板１に分離する。切断の狙いとなる切断線ＳＬ１、ＳＬ２は、平面視においてセラミックス基板１０上に格子状に位置している。切断は、例えばレーザやブレードによって行うことができる。
個片化することＳ９０において、集合体１Ｐを切断して、個片であるセラミックス焼結体基板１に分離する。切断の狙いとなる切断線ＳＬ１、ＳＬ２は、平面視においてセラミックス基板１０上に格子状に位置している。切断は、例えばレーザやブレードによって行うことができる。
【0049】
以上のような構成を有するセラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ１は、貫通孔１５の金属ペースト８６に働く応力Ｆ１の向きを分散させることができる。これにより、貫通孔１５の中央部における応力が、断面視において接続部分１９Ａ、１９Ｂが丸みを帯びていない場合に比べて小さくなり、貫通孔１５の内部における金属ペースト８６の分断を低減することができる。
また、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を露光及び現像したパターンによって形成した第１凹部１１及び第２凹部１２に金属ペースト８６を配置することで、金属部材１６の形成の精度を高めることができる。また、第１平面部１３及び第２平面部１４にも金属部材１６を形成することで、金属部材１６の研磨の際の変形を低減することができる。
また、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を露光及び現像したパターンによって形成した第１凹部１１及び第２凹部１２に金属ペースト８６を配置することで、金属部材１６の形成の精度を高めることができる。また、第１平面部１３及び第２平面部１４にも金属部材１６を形成することで、金属部材１６の研磨の際の変形を低減することができる。
【0050】
なお、貫通孔１５は、第１凹部１１及び第２凹部１２を形成することＳ４５の前に形成することができる。貫通孔１５は、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせた後に、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２及びセラミックス基板１０を貫通するように形成してもよく、露光及び現像の後に形成してもよい。
【0051】
【0052】
セラミックス焼結体基板２は、金属部材１６がセラミックス基板１０の第１平面部１３及び第２平面部１４よりも突出している点がセラミックス焼結体基板１と異なっている。めっき層１７は、金属部材１６の突出している側面部にも設けられている。その他の点はセラミックス焼結体基板１と共通する。
セラミックス焼結体基板２は、金属部材１６をセラミックス基板１０から突出させて厚みを増加させ、その厚みを調節することができる。また、突出している金属部材１６の周りの第１平面部１３及び第２平面部１４に光反射性を有する樹脂等を厚く配置することができる。これにより、例えば発光装置に使用される場合、発光素子の光に対する光反射率を高め、発光装置の光取出し効率の向上を図ることができる。
セラミックス焼結体基板２は、金属部材１６をセラミックス基板１０から突出させて厚みを増加させ、その厚みを調節することができる。また、突出している金属部材１６の周りの第１平面部１３及び第２平面部１４に光反射性を有する樹脂等を厚く配置することができる。これにより、例えば発光装置に使用される場合、発光素子の光に対する光反射率を高め、発光装置の光取出し効率の向上を図ることができる。
【0053】
［第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法］
次に、第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２の製造方法Ｓ２について、図７から図８Ｆを参照しながら説明する。図７は、セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ２を例示するフローチャートである。図８Ａは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。図８Ｂは、金属ペースト８６を配置した状態を例示する概略断面図である。図８Ｃは、焼成した金属部材１６を例示する概略断面図である。図８Ｄは、金属部材１６を研磨した状態を例示する概略断面図である。図８Ｅは、金属部材１６にめっき層１７を形成した状態を例示する概略断面図である。図８Ｆは、個片化したセラミックス焼結体基板２を例示する概略断面図である。
次に、第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２の製造方法Ｓ２について、図７から図８Ｆを参照しながら説明する。図７は、セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ２を例示するフローチャートである。図８Ａは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。図８Ｂは、金属ペースト８６を配置した状態を例示する概略断面図である。図８Ｃは、焼成した金属部材１６を例示する概略断面図である。図８Ｄは、金属部材１６を研磨した状態を例示する概略断面図である。図８Ｅは、金属部材１６にめっき層１７を形成した状態を例示する概略断面図である。図８Ｆは、個片化したセラミックス焼結体基板２を例示する概略断面図である。
【0054】
製造方法Ｓ２は、金属ペーストを配置することＳ５０Ｂの前に、ドライフィルムを剥離することＳ４０を行わない点が製造方法Ｓ１と異なる。以下、エッチング又はブラストすることＳ４０を行って第１凹部１１及び第２凹部１２を形成したところから始め、製造方法Ｓ１と異なる点について説明する。
【0055】
金属ペーストを配置することＳ５０Ｂにおいて、レジストＲＥ１、ＲＥ２が除去されていない状態で、第１凹部１１及び第２凹部１２内に金属ペースト８６を配置する。金属ペースト８６は、レジストＲＥ１、ＲＥ２と同一平面となる位置まで配置されることで、第１平面部１３及び第２平面部１４から突出する厚みとすることができる。金属ペースト８６を配置した時には、レジストＲＥ１、ＲＥ２のセラミックス基板１０と反対側の面が露出して配置している。
金属ペースト８６を焼成し金属部材を得ることＳ６０において、金属ペースト８６を焼成して金属部材１６とする。この焼成において、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２は分解され蒸発して除去される。これにより、製造方法Ｓ１で行うドライフィルムを剥離することＳ５０Ａは省略することができる。
金属ペースト８６を焼成し金属部材を得ることＳ６０において、金属ペースト８６を焼成して金属部材１６とする。この焼成において、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２は分解され蒸発して除去される。これにより、製造方法Ｓ１で行うドライフィルムを剥離することＳ５０Ａは省略することができる。
【0056】
金属部材を研磨することＳ７０において、図８Ｃ及び図８Ｄに示すように、金属部材１６を研磨して、その一部を除去する。ここでは、第１平面部１３及び第２平面部１４から突出する金属部材１６の厚さを調節しながら研磨している。第１平面部１３及び第２平面部１４から突出する金属部材１６の厚さは、例えば１μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。研磨は、製造方法Ｓ１と同様に、例えば研磨機や研削機によって行うことができる。
【0057】
めっき層を形成することＳ８０において、図８Ｅに示すように、金属部材１６の露出する表面にめっき層１７を形成する。めっき層１７は、製造方法Ｓ１と同様に無電解めっきによって形成することができ、セラミックス基板１０から突出する金属部材１６の側面部も覆うように形成する。そして、個片化することＳ９０において、セラミックス焼結体基板２に分離することができる。
【0058】
セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ２は、金属部材１６をセラミックス基板１０から突出する形状に形成することができ、ドライフィルムを剥離することＳ５０Ａを省略して製造工程の短縮を図ることができる。
【0059】
［第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板］
次に、第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板３について、図９を参照しながら説明する。図９は、セラミックス焼結体基板３を例示する概略断面図である。
セラミックス焼結体基板３は、第１凹部１１及び第２凹部１２が、貫通孔１５の周りに段差部１１Ｓ、１２Ｓを有する点で、セラミックス焼結体基板２と異なっている。第１凹部１１及び第２凹部１２を画定する内面と貫通孔１５との接続部分の丸みは、段差部１１Ｓ、１２Ｓと貫通孔１５との接続部分１９Ａ、１９Ｂに形成されている。その他の点はセラミックス焼結体基板２と共通する。段差部１１Ｓ及び段差部１２Ｓは、第１凹部１１及び第２凹部１２内において曲面により接続されていることが好ましい。
セラミックス焼結体基板３は、第１凹部１１及び第２凹部１２が段差部１１Ｓ、１２Ｓを有することで、金属部材１６とセラミックス基板１０との接触する面積を大きくして、放熱性の向上を図ると共に金属部材１６の剥がれをさらに低減することができる。
なお、段差部は、第１凹部１１及び第２凹部１２の一方にのみ設けてもよい。
次に、第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板３について、図９を参照しながら説明する。図９は、セラミックス焼結体基板３を例示する概略断面図である。
セラミックス焼結体基板３は、第１凹部１１及び第２凹部１２が、貫通孔１５の周りに段差部１１Ｓ、１２Ｓを有する点で、セラミックス焼結体基板２と異なっている。第１凹部１１及び第２凹部１２を画定する内面と貫通孔１５との接続部分の丸みは、段差部１１Ｓ、１２Ｓと貫通孔１５との接続部分１９Ａ、１９Ｂに形成されている。その他の点はセラミックス焼結体基板２と共通する。段差部１１Ｓ及び段差部１２Ｓは、第１凹部１１及び第２凹部１２内において曲面により接続されていることが好ましい。
セラミックス焼結体基板３は、第１凹部１１及び第２凹部１２が段差部１１Ｓ、１２Ｓを有することで、金属部材１６とセラミックス基板１０との接触する面積を大きくして、放熱性の向上を図ると共に金属部材１６の剥がれをさらに低減することができる。
なお、段差部は、第１凹部１１及び第２凹部１２の一方にのみ設けてもよい。
【0060】
［第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法］
次に、第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板３の製造方法Ｓ３について、図１０から図１１Ｈを参照しながら説明する。図１０は、セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ３を例示するフローチャートである。図１１Ａは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の現像を行った状態を例示する概略断面図である。図１１Ｂは、レーザで凹部を形成した状態を例示する概略断面図である。図１１Ｃは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。図１１Ｄは、金属ペースト８６を配置した状態を例示する概略断面図である。図１１Ｅは、焼成した金属部材１６を例示する概略断面図である。図１１Ｆは、金属部材１６を研磨した状態を例示する概略断面図である。図１１Ｇは、金属部材１６にめっき層１７を形成した状態を例示する概略断面図である。図１１Ｈは、個片化したセラミックス焼結体基板３を例示する概略断面図である。
次に、第３実施形態に係るセラミックス焼結体基板３の製造方法Ｓ３について、図１０から図１１Ｈを参照しながら説明する。図１０は、セラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ３を例示するフローチャートである。図１１Ａは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の現像を行った状態を例示する概略断面図である。図１１Ｂは、レーザで凹部を形成した状態を例示する概略断面図である。図１１Ｃは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。図１１Ｄは、金属ペースト８６を配置した状態を例示する概略断面図である。図１１Ｅは、焼成した金属部材１６を例示する概略断面図である。図１１Ｆは、金属部材１６を研磨した状態を例示する概略断面図である。図１１Ｇは、金属部材１６にめっき層１７を形成した状態を例示する概略断面図である。図１１Ｈは、個片化したセラミックス焼結体基板３を例示する概略断面図である。
【0061】
製造方法Ｓ３は、エッチング又はブラストすることＳ４０の前に、レーザで凹部を形成することＳ３５Ｂを行う点が製造方法Ｓ２と異なる。以下、露光及び現像を行うことＳ３５Ａを行ってレジストＲＥ１、ＲＥ２を形成したところから説明する。
【0062】
レーザで凹部を形成することＳ３５Ｂにおいて、レジストＲＥ１、ＲＥ２が形成されたセラミックス基板１０に対し、レジストＲＥ１、ＲＥ２から離れた位置に、レーザ加工によって凹部１１Ｌ、１２Ｌを形成する。凹部１１Ｌ、１２Ｌは、平面視において貫通孔１５を等幅で囲むように形成することが好ましい。凹部１１Ｌ、１２Ｌの第１平面部１３又は第２平面部１４からの深さは、例えば５μｍ以上６０μｍ以下とすることができる。レーザは、例えばＣＯ２レーザを用いることができる。
【0063】
エッチング又はブラストすることＳ４０において、凹部１１Ｌ、１２Ｌが形成されたセラミックス基板１０に対してエッチング又はブラストを行う。エッチング又はブラストを行うことで、凹部１１Ｌ、１２Ｌをもとに、セラミックス基板１０の厚み方向の断面視において湾曲した形状の段差部１１Ｓ、１２Ｓを形成することができる。丸みを帯びた接続部分１９Ａ、１９Ｂは、貫通孔１５と段差部１１Ｓ、１２Ｓとの間に形成することができる。
金属ペーストを配置することＳ５０Ｂにおいて、段差部１１Ｓ、１２Ｓにも密着するように金属ペースト８６を配置する。ここでは、金属ペースト８６は、製造方法Ｓ２と同様に、レジストＲＥ１、ＲＥ２のセラミックス基板１０と反対側の面を露出させるように配置している。
金属ペーストを配置することＳ５０Ｂにおいて、段差部１１Ｓ、１２Ｓにも密着するように金属ペースト８６を配置する。ここでは、金属ペースト８６は、製造方法Ｓ２と同様に、レジストＲＥ１、ＲＥ２のセラミックス基板１０と反対側の面を露出させるように配置している。
【0064】
金属ペーストを焼成し金属部材を得ることＳ６０において、製造方法Ｓ２と同様に、金属ペースト８６は金属部材１６となり、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２は除去される。続いて、金属部材を研磨することＳ７０において、厚みを調節しながら金属部材１６を研磨し、めっき層を形成することＳ８０において、セラミックス基板１０から突出する金属部材１６の側面部を含む表面にめっき層１７を形成する。そして、個片化することＳ９０において、個片化したセラミックス焼結体基板３に分離することができる。
なお、レーザで凹部を形成することＳ３５Ｂにおいて、レーザ加工による凹部を第１平面部１３及び第２平面部１４の一方にのみ形成して、第１凹部１１及び第２凹部１２の一方にのみ段差部を形成することができる。
なお、レーザで凹部を形成することＳ３５Ｂにおいて、レーザ加工による凹部を第１平面部１３及び第２平面部１４の一方にのみ形成して、第１凹部１１及び第２凹部１２の一方にのみ段差部を形成することができる。
【0065】
（第１変形例及び第２変形例のセラミックス焼結体基板）
次に、第１変形例のセラミックス焼結体基板１Ａ及び第２変形例のセラミックス焼結体基板２Ａについて、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照しながら説明する。図１２Ａは、セラミックス焼結体基板１Ａを例示する概略断面図である。図１２Ｂは、セラミックス焼結体基板２Ａを例示する概略断面図である。
第１変形例のセラミックス焼結体基板１Ａは、第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１の第２凹部１２を有していない変形例である。第２変形例のセラミックス焼結体基板２Ａは、第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２の第２凹部１２を有していない変形例である。セラミックス焼結体基板１Ａ、２Ａは、第２凹部１２を有していない点でセラミックス焼結体基板１、２と異なり、その他の点では、セラミックス焼結体基板１、２と共通する。
セラミックス焼結体基板１Ａ、２Ａにおいて、貫通孔１５は、第２凹部１２と接続されることなく貫通孔１５の孔径で第２面１０Ｂの第２平面部１４まで貫通している。
次に、第１変形例のセラミックス焼結体基板１Ａ及び第２変形例のセラミックス焼結体基板２Ａについて、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照しながら説明する。図１２Ａは、セラミックス焼結体基板１Ａを例示する概略断面図である。図１２Ｂは、セラミックス焼結体基板２Ａを例示する概略断面図である。
第１変形例のセラミックス焼結体基板１Ａは、第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１の第２凹部１２を有していない変形例である。第２変形例のセラミックス焼結体基板２Ａは、第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２の第２凹部１２を有していない変形例である。セラミックス焼結体基板１Ａ、２Ａは、第２凹部１２を有していない点でセラミックス焼結体基板１、２と異なり、その他の点では、セラミックス焼結体基板１、２と共通する。
セラミックス焼結体基板１Ａ、２Ａにおいて、貫通孔１５は、第２凹部１２と接続されることなく貫通孔１５の孔径で第２面１０Ｂの第２平面部１４まで貫通している。
【0066】
セラミックス焼結体基板１Ａ、２Ａは、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持ち、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５があり、第１面１０Ａは貫通孔１５よりも孔径が大きく貫通孔１５と接続する第１凹部１１を有するセラミックス基板１０と、第１凹部１１及び貫通孔１５に配置する金属部材１６と、を有している。そして、貫通孔１５の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内面と貫通孔１５との接続部分は丸みを帯びている。
【0067】
［第１変形例及び第２変形例のセラミックス焼結体基板の製造方法］
次に、第１変形例のセラミックス焼結体基板１Ａの製造方法Ｓ１Ａ及び第２変形例のセラミックス焼結体基板２Ａの製造方法Ｓ２Ａについて説明する。
製造方法Ｓ１Ａは製造方法Ｓ１と同様に、製造方法Ｓ２Ａは製造方法Ｓ２と同様に行うことができる。ただし、第１凹部及び第２凹部を形成することＳ４５では、第２凹部１２を形成せず、第１凹部１１のみを形成する。貫通孔１５の第２面１０Ｂ側の孔開口は、第２面１０Ｂと同一平面に位置する状態となる。また、ドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂや露光及び現像を行うことＳ３５Ａでは、第２面１０Ｂに対するドライフィルムＤＦ２の貼合、露光及び現像を省略することができる。金属ペーストを配置することＳ５０Ｂ以降は、第２凹部１２を形成する場合と同様に行うことができる。
次に、第１変形例のセラミックス焼結体基板１Ａの製造方法Ｓ１Ａ及び第２変形例のセラミックス焼結体基板２Ａの製造方法Ｓ２Ａについて説明する。
製造方法Ｓ１Ａは製造方法Ｓ１と同様に、製造方法Ｓ２Ａは製造方法Ｓ２と同様に行うことができる。ただし、第１凹部及び第２凹部を形成することＳ４５では、第２凹部１２を形成せず、第１凹部１１のみを形成する。貫通孔１５の第２面１０Ｂ側の孔開口は、第２面１０Ｂと同一平面に位置する状態となる。また、ドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂや露光及び現像を行うことＳ３５Ａでは、第２面１０Ｂに対するドライフィルムＤＦ２の貼合、露光及び現像を省略することができる。金属ペーストを配置することＳ５０Ｂ以降は、第２凹部１２を形成する場合と同様に行うことができる。
【0068】
セラミックス焼結体基板１Ａの製造方法Ｓ１Ａは、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持つセラミックス基板１０を準備することＳ１０と、セラミックス基板１０の第１面１０ＡにドライフィルムＤＦ１を貼り合わせることと、ドライフィルムＤＦ１を貼り合わせたセラミックス基板１０の第１面１０ＡにマスクＰＭ１を介して露光及び現像を行うことと、露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成されたドライフィルムＤＦ１を介してセラミックス基板１０の第１面１０Ａをエッチング又はブラストすることと、エッチング又はブラストすることにより、セラミックス基板１０の第１面１０Ａの第１平面部１３よりも凹んだ第１凹部１１を形成することと、セラミックス基板１０からドライフィルムＤＦ１を剥離することと、セラミックス基板の第１凹部１１内に金属ペースト８６を配置することＳ５０Ｂと、第１凹部１１に配置した金属ペースト８６を焼成し金属部材を得ることＳ６０と、を含み、第１凹部１１を形成する前に、第１凹部１１となる位置に、セラミックス基板１０の第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５を形成し、金属ペーストを配置することＳ５０Ｂにおいて、第１凹部１１及び貫通孔１５に金属ペースト８６を配置する。また、第２凹部１２を形成する場合と同様に、金属ペースト８６を焼成することＳ６０の後に、金属部材１６を研磨することＳ７０と、めっき層１７を形成することＳ８０と、個片化することＳ９０と、をさらに含むことができる。
【0069】
（第３変形例及び第４変形例のセラミックス焼結体基板）
次に、第３変形例のセラミックス焼結体基板１Ｂ及び第４変形例のセラミックス焼結体基板２Ｂについて、図１３Ａ及び図１３Ｂを参照しながら説明する。図１３Ａは、セラミックス焼結体基板１Ｂを例示する概略断面図である。図１３Ｂは、セラミックス焼結体基板２Ｂを例示する概略断面図である。
第３変形例のセラミックス焼結体基板１Ｂは、第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１の変形例であり、セラミックス焼結体基板の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内側面が深さＤ１の直線状部分１１Ｗを有し、第２凹部１２を画定する内側面が深さＤ２の直線状部分１２Ｗを有している。その他の点では、セラミックス焼結体基板１と共通する。
第４変形例のセラミックス焼結体基板２Ｂは、第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２の変形例であり、セラミックス焼結体基板の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内側面が深さＤ１の直線状部分１１Ｗを有し、第２凹部１２を画定する内側面が深さＤ２の直線状部分１２Ｗを有している。その他の点では、セラミックス焼結体基板２と共通する。
次に、第３変形例のセラミックス焼結体基板１Ｂ及び第４変形例のセラミックス焼結体基板２Ｂについて、図１３Ａ及び図１３Ｂを参照しながら説明する。図１３Ａは、セラミックス焼結体基板１Ｂを例示する概略断面図である。図１３Ｂは、セラミックス焼結体基板２Ｂを例示する概略断面図である。
第３変形例のセラミックス焼結体基板１Ｂは、第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１の変形例であり、セラミックス焼結体基板の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内側面が深さＤ１の直線状部分１１Ｗを有し、第２凹部１２を画定する内側面が深さＤ２の直線状部分１２Ｗを有している。その他の点では、セラミックス焼結体基板１と共通する。
第４変形例のセラミックス焼結体基板２Ｂは、第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２の変形例であり、セラミックス焼結体基板の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内側面が深さＤ１の直線状部分１１Ｗを有し、第２凹部１２を画定する内側面が深さＤ２の直線状部分１２Ｗを有している。その他の点では、セラミックス焼結体基板２と共通する。
【0070】
（第３変形例及び第４変形例のセラミックス焼結体基板の製造方法］
次に、第３変形例のセラミックス焼結体基板１Ｂの製造方法Ｓ１Ｂ及び第４変形例のセラミックス焼結体基板２Ｂの製造方法Ｓ２Ｂについて説明する。図１４は、製造方法Ｓ１Ｂを例示するフローチャートである。図１５Ａは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせた状態を例示する概略断面図である。図１５Ｂは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２にレーザでパターンを形成した状態を例示する概略断面図である。図１５Ｃは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。
次に、第３変形例のセラミックス焼結体基板１Ｂの製造方法Ｓ１Ｂ及び第４変形例のセラミックス焼結体基板２Ｂの製造方法Ｓ２Ｂについて説明する。図１４は、製造方法Ｓ１Ｂを例示するフローチャートである。図１５Ａは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせた状態を例示する概略断面図である。図１５Ｂは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２にレーザでパターンを形成した状態を例示する概略断面図である。図１５Ｃは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。
【0071】
製造方法Ｓ１Ｂ、Ｓ２Ｂは、露光及び現像を行うことＳ３５Ａに替えて、レーザでパターンを形成することＳ３５Ｌを行う点が製造方法Ｓ１、Ｓ２と異なる。その他の点については、第３変形例の製造方法Ｓ１Ｂは製造方法Ｓ１と同様に、第４変形例の製造方法Ｓ２Ｂは製造方法Ｓ２と同様に行うことができる。以下、第３変形例の製造方法Ｓ１Ｂを例に、ドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂを行って、貫通孔１５を形成したセラミックス基板１０にドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせたところから始め、製造方法Ｓ１と異なる点について説明する。
【0072】
レーザでパターンを形成することＳ３５Ｌにおいて、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２に対し、レーザ加工によってパターンを形成する。すなわち、露光されていないドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２に、レーザ加工によってレジストＲＥ３、ＲＥ４を形成する。そして、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を除去した領域について、さらにセラミックス基板１０の一部を除去して、レーザ加工による凹部１１Ｌ、１２Ｌを形成することができる。凹部１１Ｌ、１２Ｌの深さＤ１、Ｄ２は、レーザ加工の条件によって調節することができる。
【0073】
続いて、エッチング又はブラストすることＳ４０において、セラミックス基板１０の凹部１１Ｌ、１２Ｌに対し、レジストＲＥ３、ＲＥ４をレジストとして、エッチング又はブラストする。第１凹部１１及び第２凹部１２は、少なくとも深さＤ１、Ｄ２だけ深い位置に形成され、セラミックス基板１０の厚み方向の断面視において、直線状部分１１Ｗ、１２Ｗを有している。ドライフィルムを剥離することＳ５０Ａ以降は、製造方法Ｓ１と同様に行うことができる。
【0074】
なお、レーザでパターンを形成することＳ３５Ｌにおいて、凹部１１Ｌ、１２Ｌを形成しないようにレーザ加工を行うか又は深さＤ１、Ｄ２を非常に浅く形成すれば、製造方法Ｓ１、Ｓ２と同様の第１凹部１１及び第２凹部１２とすることができる。
【0075】
製造方法Ｓ１Ｂ、Ｓ２Ｂは、露光及び現像を行う場合に比べて製造工程を簡略化することができる。また、レーザ加工による凹部１１Ｌ、１２Ｌの深さＤ１、Ｄ２によって、金属ペースト８６の厚さを調節することができる。
【0076】
なお、エッチング又はブラストは第１面１０Ａ側及び第２面１０Ｂ側の一方にのみ行ってもよい。エッチング又はブラストを行う一方の側にのみ、湾曲した面で形成され、断面視において貫通孔１５との接続部分１９Ａ、１９Ｂが丸みを帯びた形状である第１凹部１１又は第２凹部１２を形成することができる。エッチング又はブラストを行わない他方の側は、レーザでパターンを形成することＳ３５Ｌの次に、レーザ加工による凹部１１Ｌ又は凹部１２Ｌに対し、金属ペーストを配置することＳ５０Ｂを行うことができ、続いて金属ペーストを焼成し金属部材を得ることＳ６０以降を同様に行うことができる。なお、エッチング又はブラストを行わない側に対し、ドライフィルムの貼合を省略することができる。
【0077】
（第５変形例のセラミックス焼結体基板）
次に、第５変形例のセラミックス焼結体基板２Ｃについて、図１６を参照しながら説明する。図１６は、セラミックス焼結体基板２Ｃを例示する概略断面図である。
第５変形例のセラミックス焼結体基板２Ｃは、第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１と第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２とを組み合わせた変形例である。セラミックス焼結体基板２に基づいて説明すると、第２面１０Ｂ側において、金属部材１６が第２平面部１４と同一平面をなすように配置されている点がセラミックス焼結体基板２と異なる。例えば、セラミックス焼結体基板２の厚み方向の断面視において、第２凹部１２に配置された金属部材１６は、セラミックス基板１０の第２面１０Ｂの第２平面部１４と同一平面をなしている。その他の点ではセラミックス焼結体基板２と共通する。
なお、第１面１０Ａ側において金属部材１６が第１平面部１３と同一平面をなし、第２面１０Ｂ側において金属部材１６が第２平面部１４から突出していてもよい。すなわち、金属部材１６は、第１平面部１３及び第２平面部１４の少なくとも一方と同一平面をなすようにすることができる。
次に、第５変形例のセラミックス焼結体基板２Ｃについて、図１６を参照しながら説明する。図１６は、セラミックス焼結体基板２Ｃを例示する概略断面図である。
第５変形例のセラミックス焼結体基板２Ｃは、第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１と第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２とを組み合わせた変形例である。セラミックス焼結体基板２に基づいて説明すると、第２面１０Ｂ側において、金属部材１６が第２平面部１４と同一平面をなすように配置されている点がセラミックス焼結体基板２と異なる。例えば、セラミックス焼結体基板２の厚み方向の断面視において、第２凹部１２に配置された金属部材１６は、セラミックス基板１０の第２面１０Ｂの第２平面部１４と同一平面をなしている。その他の点ではセラミックス焼結体基板２と共通する。
なお、第１面１０Ａ側において金属部材１６が第１平面部１３と同一平面をなし、第２面１０Ｂ側において金属部材１６が第２平面部１４から突出していてもよい。すなわち、金属部材１６は、第１平面部１３及び第２平面部１４の少なくとも一方と同一平面をなすようにすることができる。
【0078】
第５変形例のセラミックス焼結体基板２Ｃの製造方法は、第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１の製造方法Ｓ１と第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２の製造方法Ｓ２とを組み合わせて行う。
第１凹部及び第２凹部を形成することＳ４５までは製造方法Ｓ１、Ｓ２と同様に行う。そして、金属部材１６を突出させない側に対して製造方法Ｓ１を行う。すなわち、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂの一方に対して、ドライフィルムを剥離してから金属ペースト８６を配置する。また、金属部材１６を突出させる側に対して製造方法Ｓ２を行う。すなわち、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂの他方に対してドライフィルムを剥離せずに金属ペースト８６を配置する。金属ペースト８６を焼成し金属部材１６を得ることＳ６０以降は製造方法Ｓ１、Ｓ２と同様に行うことができる。
第１凹部及び第２凹部を形成することＳ４５までは製造方法Ｓ１、Ｓ２と同様に行う。そして、金属部材１６を突出させない側に対して製造方法Ｓ１を行う。すなわち、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂの一方に対して、ドライフィルムを剥離してから金属ペースト８６を配置する。また、金属部材１６を突出させる側に対して製造方法Ｓ２を行う。すなわち、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂの他方に対してドライフィルムを剥離せずに金属ペースト８６を配置する。金属ペースト８６を焼成し金属部材１６を得ることＳ６０以降は製造方法Ｓ１、Ｓ２と同様に行うことができる。
【0079】
（第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例）
次に、セラミックス焼結体基板１の製造方法Ｓ１の変形例である製造方法ＳＡ１について、図１７から図１８Ｇを参照しながら説明する。図１７は、製造方法ＳＡ１を例示するフローチャートである。図１８Ａは、貫通孔１５を形成した状態を例示する概略断面図である。図１８Ｂは、接着層Ａ１、Ａ２を配置した状態を例示する概略断面図である。図１８Ｃは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせた状態を例示する概略断面図である。図１８Ｄは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の露光を行った状態を例示する概略断面図である。図１８Ｅは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の現像を行った状態を例示する概略断面図である。図１８Ｆは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。図１８Ｇは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２及び接着層Ａ１、Ａ２を剥離した状態を例示する概略断面図である。
次に、セラミックス焼結体基板１の製造方法Ｓ１の変形例である製造方法ＳＡ１について、図１７から図１８Ｇを参照しながら説明する。図１７は、製造方法ＳＡ１を例示するフローチャートである。図１８Ａは、貫通孔１５を形成した状態を例示する概略断面図である。図１８Ｂは、接着層Ａ１、Ａ２を配置した状態を例示する概略断面図である。図１８Ｃは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせた状態を例示する概略断面図である。図１８Ｄは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の露光を行った状態を例示する概略断面図である。図１８Ｅは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の現像を行った状態を例示する概略断面図である。図１８Ｆは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。図１８Ｇは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２及び接着層Ａ１、Ａ２を剥離した状態を例示する概略断面図である。
【0080】
製造方法ＳＡ１は、ドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂの前に、接着層又は光吸収層を配置することＳ３０Ａを行う。これにより、接着層Ａ１、Ａ２又は光吸収層に関係する点が製造方法Ｓ１と異なる。以下、貫通孔を形成することＳ２０を行ってセラミックス基板１０に貫通孔１５を形成したところから始め、製造方法Ｓ１と異なる点について説明する。
【0081】
接着層又は光吸収層を配置することＳ３０Ａにおいて、セラミックス基板１０の第１面１０Ａに接着層Ａ１を、第２面１０Ｂに接着層Ａ２を配置する。接着層Ａ１、Ａ２には、光吸収部材を含有させることができる。ここでは、光吸収部材として用いることができる、例えばアクリル、エポキシ、ウレタン、エチルセルロース、ポリビニルアルコール、シリコ―ンなどを接着層Ａ１、Ａ２の材料としている。
【0082】
ドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂにおいて、接着層Ａ１にドライフィルムＤＦ１を、接着層Ａ２にドライフィルムＤＦ２を貼り合わせる。製造方法Ｓ１と同様に露光及び現像を行い、接着層Ａ１、Ａ２上にレジストＲＥ１、ＲＥ２を形成する。
エッチング又はブラストすることＳ４０において、セラミックス基板１０と共に接着層Ａ１、Ａ２もエッチング又はブラストする。
ドライフィルムを剥離することＳ５０Ａにおいて、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２と共に接着層Ａ１、Ａ２を除去する。接着層Ａ１、Ａ２の除去は、例えばブラスト又は溶剤に溶かして行うことができる。金属ペーストを配置することＳ５０Ｂ以降は、製造方法Ｓ１と同様に行うことができる。
エッチング又はブラストすることＳ４０において、セラミックス基板１０と共に接着層Ａ１、Ａ２もエッチング又はブラストする。
ドライフィルムを剥離することＳ５０Ａにおいて、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２と共に接着層Ａ１、Ａ２を除去する。接着層Ａ１、Ａ２の除去は、例えばブラスト又は溶剤に溶かして行うことができる。金属ペーストを配置することＳ５０Ｂ以降は、製造方法Ｓ１と同様に行うことができる。
【0083】
接着層Ａ１、Ａ２は、光吸収層に置き換えることができる。すなわち、ドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂの前に、セラミックス基板１０の第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂの少なくとも一方と、ドライフィルムと、の間に光吸収層を配置してもよい。光吸収層は、例えばアクリル、エポキシ、ウレタン、エチルセルロース、ポリビニルアルコールなどとすることができ、接着層Ａ１、Ａ２と同様に扱うことができる。
【0084】
製造方法ＳＡ１は、接着層Ａ１、Ａ２又は光吸収層によって、露光時のセラミックス基板１０による光Ｌ１の反射を抑え、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２のパターン形成の精度を高めることができる。
【0085】
なお、製造方法Ｓ１と同様に、貫通孔１５は、第１凹部１１及び第２凹部１２を形成することＳ４５の前に形成すればよい。貫通孔１５は、接着層Ａ１、Ａ２又は光吸収層を配置してドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼り合わせた後に、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２、接着層Ａ１、Ａ２及びセラミックス基板１０を貫通するように形成してもよい。
接着層又は光反射層は、第１凹部１１及び第２凹部１２を形成する場合に、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂに配置され、第１凹部１１のみである場合には、第１面１０Ａの一方にのみ配置される。また、接着層又は光反射層は、第１凹部１１及び第２凹部１２の両方を形成する場合に、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂの一方にのみ配置してもよい。
接着層又は光反射層は、第１凹部１１及び第２凹部１２を形成する場合に、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂに配置され、第１凹部１１のみである場合には、第１面１０Ａの一方にのみ配置される。また、接着層又は光反射層は、第１凹部１１及び第２凹部１２の両方を形成する場合に、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂの一方にのみ配置してもよい。
【0086】
（第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板の製造方法の変形例）
次に、セラミックス焼結体基板２の製造方法Ｓ２の変形例である製造方法ＳＡ２について、図１９から図２０Ｄを参照しながら説明する。図１９は、製造方法ＳＡ２を例示するフローチャートである。図２０Ａは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。図２０Ｂは、金属ペースト８６を配置した状態を例示する概略断面図である。図２０Ｃは、焼成した金属部材１６を例示する概略断面図である。図２０Ｄは、金属部材１６を研磨した状態を例示する概略断面図である。
次に、セラミックス焼結体基板２の製造方法Ｓ２の変形例である製造方法ＳＡ２について、図１９から図２０Ｄを参照しながら説明する。図１９は、製造方法ＳＡ２を例示するフローチャートである。図２０Ａは、エッチング又はブラストした状態を例示する概略断面図である。図２０Ｂは、金属ペースト８６を配置した状態を例示する概略断面図である。図２０Ｃは、焼成した金属部材１６を例示する概略断面図である。図２０Ｄは、金属部材１６を研磨した状態を例示する概略断面図である。
【0087】
製造方法ＳＡ２は、製造方法ＳＡ１と同様に、ドライフィルムを貼り合わせることＳ３０Ｂの前に、接着層又は光吸収層を配置することＳ３０Ａを行う。そして、エッチング又はブラストすることＳ４０を行って第１凹部１１及び第２凹部１２を形成するところまでは、製造方法ＳＡ１と同様に行うことができる。一方、金属部材を研磨することＳ７０を行った後は、製造方法Ｓ２と同様に行うことができる。そこで、以下、エッチング又はブラストすることＳ４０を行って第１凹部１１及び第２凹部１２を形成したところから、金属部材を研磨することＳ７０までについて説明する。
【0088】
エッチング又はブラストすることＳ４０において、製造方法ＳＡ１と同様に、セラミックス基板１０と共に接着層Ａ１、Ａ２もエッチング又はブラストされている。そして、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２及び接着層Ａ１、Ａ２が除去されていない状態で、第１凹部１１及び第２凹部１２内に金属ペースト８６を配置する。ここでは、接着層Ａ１、Ａ２を越えて、レジストＲＥ１、ＲＥ２のセラミックス基板１０と反対側の面が露出するように金属ペースト８６を配置している。
金属ペースト８６を焼成し金属部材１６を得ることＳ６０において、金属ペースト８６、接着層Ａ１、Ａ２及びドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２（レジストＲＥ１、ＲＥ２）を焼成する。この焼成において、接着層Ａ１、Ａ２及びドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２は分解され蒸発して除去される。これにより、製造方法ＳＡ１で行うドライフィルムを剥離することＳ５０Ａは省略することができる。
金属ペースト８６を焼成し金属部材１６を得ることＳ６０において、金属ペースト８６、接着層Ａ１、Ａ２及びドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２（レジストＲＥ１、ＲＥ２）を焼成する。この焼成において、接着層Ａ１、Ａ２及びドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２は分解され蒸発して除去される。これにより、製造方法ＳＡ１で行うドライフィルムを剥離することＳ５０Ａは省略することができる。
【0089】
金属部材を研磨することＳ７０において、金属部材１６を研磨して、その一部を除去する。ここでは、製造方法Ｓ２と同様に、セラミックス基板１０から突出する金属部材１６の厚さを調節しながら研磨している。めっき層を形成することＳ８０以降の工程は、製造方法Ｓ２と同様に行うことができる。なお、製造方法ＳＡ１と同様に、製造方法ＳＡ２においても、接着層Ａ１、Ａ２を光吸収層に置き換えることができる。
【0090】
なお、セラミックス焼結体基板、セラミックス焼結体基板の製造方法及びこれらの変形例は、以上において説明した構成だけでなく、各実施形態及び各変形例を相互に組み合わせたものとすることができる。
【0091】
［発光装置］
次に、実施形態に係る発光装置１００について、図２１Ａから図２２Ｂを参照しながら説明する。図２１Ａは、発光装置１００を例示する概略平面図である。図２１Ｂは、図２１ＡのＸＸＩＢ－ＸＸＩＢ線における断面を例示する概略断面図である。図２２Ａは、発光素子２０を例示する概略平面図である。図２２Ｂは、発光素子２０を例示する概略底面図である。
次に、実施形態に係る発光装置１００について、図２１Ａから図２２Ｂを参照しながら説明する。図２１Ａは、発光装置１００を例示する概略平面図である。図２１Ｂは、図２１ＡのＸＸＩＢ－ＸＸＩＢ線における断面を例示する概略断面図である。図２２Ａは、発光素子２０を例示する概略平面図である。図２２Ｂは、発光素子２０を例示する概略底面図である。
【0092】
発光装置１００は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持ち、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５があり、第１面１０Ａは貫通孔１５よりも孔径が大きく貫通孔１５と接続する第１凹部１１、及び、第２面１０Ｂは貫通孔１５よりも孔径が大きく貫通孔１５と接続する第２凹部１２、を有するセラミックス基板１０と、第１凹部１１、第２凹部１２及び貫通孔１５に配置する金属部材１６と、を有し、貫通孔１５の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内面と貫通孔１５との接続部分１９Ａ、及び、第２凹部１２を画定する内面と貫通孔１５との接続部分１９Ｂ、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板と、金属部材１６に配置される発光素子２０と、を備え、発光素子２０は、金属部材１６に直接又は間接に電気的に接続されている。ここでは、発光装置１００は、発光素子２０の上面に配置される透光性部材３０と、透光性部材３０の上面を露出させて発光素子２０及び透光性部材３０を覆う被覆部材４０と、をさらに備えている。
発光装置１００は、一例として１個の発光素子２０を有している。以下、発光装置１００の各構成について説明する。
発光装置１００は、一例として１個の発光素子２０を有している。以下、発光装置１００の各構成について説明する。
【0093】
（セラミックス焼結体基板）
セラミックス焼結体基板は、一例として第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１とすることができ、第１面１０Ａ側を上面として、発光素子２０が配置されている。上面側の金属部材１６及びめっき層１７は、発光素子２０の素子電極２１を配置できる大きさ及び形状を有している。
セラミックス焼結体基板は、一例として第１実施形態に係るセラミックス焼結体基板１とすることができ、第１面１０Ａ側を上面として、発光素子２０が配置されている。上面側の金属部材１６及びめっき層１７は、発光素子２０の素子電極２１を配置できる大きさ及び形状を有している。
【0094】
（発光素子）
発光素子２０は、電力を供給されて発光する部材である。発光素子２０は一例として矩形状である。発光素子２０は、半導体積層体を含み、ここではサファイア、窒化ガリウム等の透光性の基板が半導体積層体の上面側に配置され、下面側に一対の素子電極２１を有している。半導体積層体としては、所望とする発光波長に応じて任意の組成を用いることができ、例えば、青色又は緑色の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）やＧａＰ、又は、赤色の発光が可能なＧａＡｌＡｓやＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。また、使用する目的に応じて発光素子２０の大きさや形状は適宜選択が可能である。
発光素子２０は、電力を供給されて発光する部材である。発光素子２０は一例として矩形状である。発光素子２０は、半導体積層体を含み、ここではサファイア、窒化ガリウム等の透光性の基板が半導体積層体の上面側に配置され、下面側に一対の素子電極２１を有している。半導体積層体としては、所望とする発光波長に応じて任意の組成を用いることができ、例えば、青色又は緑色の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）やＧａＰ、又は、赤色の発光が可能なＧａＡｌＡｓやＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。また、使用する目的に応じて発光素子２０の大きさや形状は適宜選択が可能である。
【0095】
一対の素子電極２１は一例として矩形状であり、発光素子２０の下面２０Ｂに露出している。素子電極２１は、例えば、金、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、クロム、チタン等の金属又はこれらの合金の単層膜あるいは積層膜によって構成することができる。
ここでは、素子電極２１は、導電性部材５０及びめっき層１７を介して、金属部材１６に接続されている。すなわち、素子電極２１は、間接に金属部材１６に電気的に接続されている。導電性部材５０は、例えば金やはんだ等のバンプとすることができ、バンプを設けずに、例えば電極面全体にはんだなどを印刷配置することによって素子電極２１とめっき層１７とを接続してもよい。また、めっき層１７を介さず、素子電極２１を金属部材１６にはんだ等で直接に電気的に接続してもよい。
ここでは、素子電極２１は、導電性部材５０及びめっき層１７を介して、金属部材１６に接続されている。すなわち、素子電極２１は、間接に金属部材１６に電気的に接続されている。導電性部材５０は、例えば金やはんだ等のバンプとすることができ、バンプを設けずに、例えば電極面全体にはんだなどを印刷配置することによって素子電極２１とめっき層１７とを接続してもよい。また、めっき層１７を介さず、素子電極２１を金属部材１６にはんだ等で直接に電気的に接続してもよい。
【0096】
（透光性部材）
透光性部材３０は、発光素子２０の上面２０Ａを保護し、発光装置１００の光取出し面に位置する部材である。ここでは、透光性部材３０は、一例として矩形状であり、平面視において発光素子２０と同じ大きさ及び形状を有している。透光性部材３０は、平面視において発光素子２０を包含する形状及び大きさであってもよい。
透光性部材３０は、例えば、透光性の樹脂材料からなり、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はこれらを混合した樹脂等を用いることができる。透光性部材３０は、蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子２０からの青色の光を吸収し、黄色の光を放射する蛍光体を含むことにより、発光装置１００から白色の光を出射させることができる。また、透光性部材３０は、複数種類の蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子２０からの青色の光を吸収して、緑色の光を放射する蛍光体と、赤色の光を放射する蛍光体と、を含むことによっても、発光装置１００から白色の光を出射させることができる。
透光性部材３０は、発光素子２０の上面２０Ａを保護し、発光装置１００の光取出し面に位置する部材である。ここでは、透光性部材３０は、一例として矩形状であり、平面視において発光素子２０と同じ大きさ及び形状を有している。透光性部材３０は、平面視において発光素子２０を包含する形状及び大きさであってもよい。
透光性部材３０は、例えば、透光性の樹脂材料からなり、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はこれらを混合した樹脂等を用いることができる。透光性部材３０は、蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子２０からの青色の光を吸収し、黄色の光を放射する蛍光体を含むことにより、発光装置１００から白色の光を出射させることができる。また、透光性部材３０は、複数種類の蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子２０からの青色の光を吸収して、緑色の光を放射する蛍光体と、赤色の光を放射する蛍光体と、を含むことによっても、発光装置１００から白色の光を出射させることができる。
【0097】
透光性部材３０は、蛍光体、量子ドット等の発光材料を更に含んでいてもよい。このような蛍光体としては、例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム（ガリウムドープ）・ガーネット、ユウロピウムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ストロンチウム）、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウム、βサイアロン系蛍光体等を挙げることができる。蛍光体として具体的には、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ１－ｘＡｌｘ）Ｆ６－ｘ：Ｍｎ、ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体等を挙げることができる。量子ドットとしては、ペロブスカイト構造を有する量子ドット（例えば、（Ｃｓ，ＦＡ，ＭＡ）（Ｐｂ，Ｓｎ）（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）３、ここで、ＦＡはホルムアミジニウムを、ＭＡはメチルアンモニウムを表す。）、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット（例えば、ＣｄＳｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット（例えば、ＩｎＰ）、カルコパイライト構造を有する量子ドット（例えば、（Ａｇ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２）等を挙げることができる。
【0098】
（被覆部材）
被覆部材４０は、セラミックス焼結体基板１の上面に配置され、発光素子２０及び透光性部材３０の側面を覆い、保護する部材である。被覆部材４０は、透光性部材３０の上面を露出させて配置されている。また、被覆部材４０は、発光素子２０とセラミックス焼結体基板１との間に入り込むことで、素子電極２１や導電性部材５０の側面も覆っている。
被覆部材４０は、光反射性、透光性、遮光性等を有する樹脂、これらの樹脂に光反射性物質を含有した樹脂等によって形成することができる。被覆部材４０は、光反射性及び遮光性の少なくとも何れかを有することが好ましい。樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、例えば酸化チタン、酸化珪素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。被覆部材４０は、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有してもよい。
被覆部材４０は、セラミックス焼結体基板１の上面に配置され、発光素子２０及び透光性部材３０の側面を覆い、保護する部材である。被覆部材４０は、透光性部材３０の上面を露出させて配置されている。また、被覆部材４０は、発光素子２０とセラミックス焼結体基板１との間に入り込むことで、素子電極２１や導電性部材５０の側面も覆っている。
被覆部材４０は、光反射性、透光性、遮光性等を有する樹脂、これらの樹脂に光反射性物質を含有した樹脂等によって形成することができる。被覆部材４０は、光反射性及び遮光性の少なくとも何れかを有することが好ましい。樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、例えば酸化チタン、酸化珪素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。被覆部材４０は、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有してもよい。
【0099】
発光装置１００は、駆動による温度上昇に対し、金属部材１６が第１凹部１１及び第２凹部１２に埋め込まれて配置されているセラミックス焼結体基板１によって、放熱性の向上を図ることができる。また、駆動時と非駆動時との温度差による熱応力に対し、金属化合物層１８を有するセラミックス焼結体基板１によって、金属部材１６とセラミックス基板１０との接合の信頼性の向上を図ることができる。
【0100】
［発光装置の製造方法］
次に、発光装置の製造方法Ｓ１００について、図２３から図２５Ｅを参照しながら説明する。図２３は、発光装置の製造方法Ｓ１００を例示するフローチャートである。図２４は、個片化前の発光装置１００の集合体１００Ｐを例示する概略平面図である。図２５Ａは、準備したセラミックス焼結体基板１の集合体１Ｐを例示する概略断面図である。図２５Ｂは、導電性部材５０Ａを配置した状態を例示する概略断面図である。図２５Ｃは、発光素子２０を配置した状態を例示する概略断面図である。図２５Ｄは、被覆部材４０を配置した状態を例示する概略断面図である。図２５Ｅは、個片化した発光装置１００を例示する概略断面図である。
次に、発光装置の製造方法Ｓ１００について、図２３から図２５Ｅを参照しながら説明する。図２３は、発光装置の製造方法Ｓ１００を例示するフローチャートである。図２４は、個片化前の発光装置１００の集合体１００Ｐを例示する概略平面図である。図２５Ａは、準備したセラミックス焼結体基板１の集合体１Ｐを例示する概略断面図である。図２５Ｂは、導電性部材５０Ａを配置した状態を例示する概略断面図である。図２５Ｃは、発光素子２０を配置した状態を例示する概略断面図である。図２５Ｄは、被覆部材４０を配置した状態を例示する概略断面図である。図２５Ｅは、個片化した発光装置１００を例示する概略断面図である。
【0101】
発光装置の製造方法Ｓ１００は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持ち、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５があり、第１面１０Ａは貫通孔１５よりも孔径が大きく貫通孔１５と接続する第１凹部１１、及び、第２面１０Ｂは貫通孔１５よりも孔径が大きく貫通孔１５と接続する第２凹部１２、を有するセラミックス基板１０と、第１凹部１１、第２凹部１２及び貫通孔１５に配置する金属部材１６と、を有し、貫通孔１５の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内面と貫通孔１５との接続部分１９Ａ、及び、第２凹部１２を画定する内面と貫通孔１５との接続部分１９Ｂ、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板を準備することＳ１１０と、金属部材１６に発光素子２０を配置することＳ１２０と、を含み、発光素子を配置することＳ１２０において、金属部材１６と、発光素子２０と、を直接又は間接に電気的に接続する。ここでは、導電性部材５０Ａを配置することＳ１１５と、発光素子２０の上面に配置されている透光性部材３０の上面を露出させて発光素子２０及び透光性部材３０を覆う被覆部材４０を形成することＳ１３０と、個片化することＳ１４０と、をさらに含んでいる。以下、発光装置の製造方法Ｓ１００の各構成について説明する。
【0102】
なお、発光装置の製造方法Ｓ１００の説明では、複数の発光装置１００が行方向及び列方向に整列した集合体１００Ｐを製造している。集合体１００Ｐは、切断線ＳＬ１、ＳＬ２で切断することで、発光装置１００とすることができる。
【0103】
（セラミックス焼結体基板を準備する）
セラミックス焼結体基板を準備することＳ１１０において、一例としてセラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ１によって製造されるセラミックス焼結体基板１の集合体１Ｐを準備する。セラミックス焼結体基板１は、発光素子２０を配置する第１面１０Ａ側を上面としている。また、発光素子２０の大きさや配置、一対の素子電極２１の間隔等に合わせて金属部材１６及びめっき層１７を形成する。
セラミックス焼結体基板を準備することＳ１１０において、一例としてセラミックス焼結体基板の製造方法Ｓ１によって製造されるセラミックス焼結体基板１の集合体１Ｐを準備する。セラミックス焼結体基板１は、発光素子２０を配置する第１面１０Ａ側を上面としている。また、発光素子２０の大きさや配置、一対の素子電極２１の間隔等に合わせて金属部材１６及びめっき層１７を形成する。
【0104】
（導電性部材を配置する）
導電性部材を配置することＳ１１５において、集合体１Ｐの上面側のめっき層１７に接合前の導電性部材５０Ａを配置する。
導電性部材を配置することＳ１１５において、集合体１Ｐの上面側のめっき層１７に接合前の導電性部材５０Ａを配置する。
【0105】
（発光素子を配置する）
発光素子を配置することＳ１２０において、素子電極２１を集合体１Ｐ側にして、発光素子２０を配置する。発光素子２０は、集合体１Ｐ上に行方向及び列方向に整列して配置される。素子電極２１は、導電性部材５０とめっき層１７とを介して、間接に電気的に接続することができる。
なお、めっき層１７を設けていないセラミックス焼結体基板に対して、はんだ等によって、素子電極２１と金属部材１６とを直接に電気的に接続してもよい。この場合は、導電性部材を配置することＳ１１５は省略することができる。
発光素子を配置することＳ１２０において、素子電極２１を集合体１Ｐ側にして、発光素子２０を配置する。発光素子２０は、集合体１Ｐ上に行方向及び列方向に整列して配置される。素子電極２１は、導電性部材５０とめっき層１７とを介して、間接に電気的に接続することができる。
なお、めっき層１７を設けていないセラミックス焼結体基板に対して、はんだ等によって、素子電極２１と金属部材１６とを直接に電気的に接続してもよい。この場合は、導電性部材を配置することＳ１１５は省略することができる。
【0106】
発光素子２０の上面には透光性部材３０が予め配置されている。透光性部材３０は、例えばポッティング、スプレー、インクジェット、印刷等により未硬化の透光性部材３０の材料の塗布等を行い、その後硬化させることによって配置することができる。透光性部材３０は、シート状又は板状に形成された部材を発光素子２０の上面に接着剤を介して配置してもよい。
なお、透光性部材３０が予め配置されていない発光素子２０をセラミックス焼結体基板に配置した後に、発光素子２０の上面に透光性部材３０を配置するようにしてもよい。
なお、透光性部材３０が予め配置されていない発光素子２０をセラミックス焼結体基板に配置した後に、発光素子２０の上面に透光性部材３０を配置するようにしてもよい。
【0107】
（被覆部材を配置する）
被覆部材を配置することＳ１３０において、透光性部材３０の上面を露出させるように、セラミックス焼結体基板１の集合体１Ｐの上面に被覆部材４０を配置する。被覆部材４０は、発光素子２０及び透光性部材３０の側面を覆うように配置し、発光素子２０の下面や導電性部材５０の側面も覆うように配置することが好ましい。被覆部材４０は、例えば、集合体１Ｐの上方に樹脂吐出装置のノズルを配置し、ノズルの先端から未硬化の樹脂材料を吐出させながら、ノズルを移動させることにより塗布し、その後硬化させることによって配置することができる。被覆部材４０の塗布は複数回に分けて行うことが好ましい。
被覆部材を配置することＳ１３０において、透光性部材３０の上面を露出させるように、セラミックス焼結体基板１の集合体１Ｐの上面に被覆部材４０を配置する。被覆部材４０は、発光素子２０及び透光性部材３０の側面を覆うように配置し、発光素子２０の下面や導電性部材５０の側面も覆うように配置することが好ましい。被覆部材４０は、例えば、集合体１Ｐの上方に樹脂吐出装置のノズルを配置し、ノズルの先端から未硬化の樹脂材料を吐出させながら、ノズルを移動させることにより塗布し、その後硬化させることによって配置することができる。被覆部材４０の塗布は複数回に分けて行うことが好ましい。
【0108】
被覆部材４０の上面は、透光性部材３０の上面と同一平面となるように形成することが好ましい。隣り合う発光素子２０及び透光性部材３０の間に配置する被覆部材４０は、上面が一部ひけるように、又は盛り上がるように配置してもよい。盛り上がった被覆部材４０を研磨、研削等することにより、被覆部材４０の上面を透光性部材３０の上面と同一平面となるように形成することもできる。この際、被覆部材４０の上面だけでなく、透光性部材３０の上も研磨、研削等してもよい。
被覆部材４０の配置後、複数の発光装置１００が行方向及び列方向に整列した集合体１００Ｐが形成されている。
被覆部材４０の配置後、複数の発光装置１００が行方向及び列方向に整列した集合体１００Ｐが形成されている。
【0109】
（個片化する）
個片化することＳ１４０において、発光装置の集合体１００Ｐを切断して、個片である発光装置１００に分離する。切断の狙いとなる切断線ＳＬ１、ＳＬ２は、平面視において被覆部材４０上に格子状に位置している。切断は、例えばレーザやブレードによって行うことができる。
個片化することＳ１４０において、発光装置の集合体１００Ｐを切断して、個片である発光装置１００に分離する。切断の狙いとなる切断線ＳＬ１、ＳＬ２は、平面視において被覆部材４０上に格子状に位置している。切断は、例えばレーザやブレードによって行うことができる。
【0110】
（第１変形例及び第２変形例に係る発光装置）
次に、第１変形例に係る発光装置１０１Ａ及び第２変形例に係る発光装置１０２について、図２６Ａ及び図２６Ｂを参照しながら説明する。図２６Ａは、発光装置１０１Ａを例示する概略断面図である。図２６Ｂは、発光装置１０２を例示する概略断面図である。
発光装置１０１Ａ、１０２は、セラミックス焼結体基板が発光装置１００と異なり、その他の点は発光装置１００と共通する。発光装置１０１Ａは、第１変形例に係るセラミックス焼結体基板１Ａを用いている。発光装置１０２は、第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２を用いている。
次に、第１変形例に係る発光装置１０１Ａ及び第２変形例に係る発光装置１０２について、図２６Ａ及び図２６Ｂを参照しながら説明する。図２６Ａは、発光装置１０１Ａを例示する概略断面図である。図２６Ｂは、発光装置１０２を例示する概略断面図である。
発光装置１０１Ａ、１０２は、セラミックス焼結体基板が発光装置１００と異なり、その他の点は発光装置１００と共通する。発光装置１０１Ａは、第１変形例に係るセラミックス焼結体基板１Ａを用いている。発光装置１０２は、第２実施形態に係るセラミックス焼結体基板２を用いている。
【0111】
発光装置１０１Ａは、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持ち、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５があり、第１面１０Ａは貫通孔１５よりも孔径が大きく貫通孔１５と接続する第１凹部１１を有するセラミックス基板１０と、第１凹部１１及び貫通孔１５に配置する金属部材１６と、を有し、貫通孔１５の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内面と貫通孔１５との接続部分１９Ａは丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板と、金属部材１６に配置される発光素子２０と、備え、発光素子２０は、金属部材１６に直接又は間接に電気的に接続されている。
【0112】
発光装置１０１Ａの製造方法は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持ち、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１５があり、第１面１０Ａは貫通孔１５よりも孔径が大きく貫通孔１５と接続する第１凹部１１を有するセラミックス基板１０と、第１凹部１１及び貫通孔１５に配置する金属部材１６と、を有し、貫通孔１５の厚み方向の断面視において、第１凹部１１を画定する内面と貫通孔１５との接続部分１９Ａは丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板を準備することと、金属部材１６に発光素子２０を配置することと、を含み、発光素子２０を配置することにおいて、金属部材１６と、発光素子２０と、を直接又は間接に電気的に接続する。また、導電性部材５０Ａを配置することＳ１１５と、発光素子２０の上面に透光性部材３０を配置することＳ１３０と、透光性部材３０の上面を露出させて発光素子２０及び透光性部材３０を覆う被覆部材４０を形成することＳ１４０と、個片化することＳ１５０と、をさらに含んでよい。
【0113】
なお、発光装置には、他の実施形態又は変形例に係るセラミックス焼結体基板も同様に用いることができる。発光装置の製造方法は、セラミックス焼結体基板を準備することＳ１１０において準備するセラミックス焼結体基板を他の実施形態又は変形例のものに置き換えて、発光装置の製造方法Ｓ１００と同様に行うことができる。
【0114】
本開示に係る実施形態は、次の各項を含む。
［項１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持つセラミックス基板を準備することと、
前記セラミックス基板の前記第１面にドライフィルムを貼り合わせることと、
前記ドライフィルムを貼り合わせた前記セラミックス基板の前記第１面にマスクを介して露光及び現像を行うことと、
前記露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して前記セラミックス基板の前記第１面をエッチング又はブラストすることと、
前記エッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部を形成することと、
前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、
前記セラミックス基板の前記第１凹部内に金属ペーストを配置することと、
前記第１凹部に配置した前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることと、を含み、
前記第１凹部を形成する前に、前記第１凹部となる位置に、前記セラミックス基板の前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記第１凹部及び前記貫通孔に前記金属ペーストを配置する、セラミックス焼結体基板の製造方法。
［項２］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持つセラミックス基板を準備することと、
前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面にドライフィルムを貼り合わせることと、
前記ドライフィルムを貼り合わせた前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面にマスクを介して露光及び現像を行うことと、
前記露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して前記セラミックス基板の前記第1面及び前記第２面をエッチング又はブラストすることと、
前記エッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部及び前記セラミックス基板の前記第２面の第２平面部よりも凹んだ第２凹部を形成することと、
前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、前記セラミックス基板の前記第１凹部及び前記第２凹部内に金属ペーストを配置することと、
前記第１凹部及び前記第２凹部に配置した前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることと、を含み、
前記第１凹部及び前記第２凹部を形成する前に、前記第１凹部及び前記第２凹部となる位置に、前記セラミックス基板の前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に前記金属ペーストを配置する、セラミックス焼結体基板の製造方法。
［項３］
前記ドライフィルムを貼り合わせることの前に、前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方に接着層を配置し、
前記ドライフィルムを貼り合わせることにおいて、前記接着層に前記ドライフィルムを貼り合わせ、
前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方をエッチング又はブラストすることにおいて、前記接着層もエッチング又はブラストする項１又は項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項４］
前記接着層は、光吸収部材を含有する項３に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項５］
前記ドライフィルムを貼り合わせることの前に、前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方と、前記ドライフィルムと、の間に光吸収層を配置する項１又は項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項６］
前記貫通孔は、前記ドライフィルムを貼り合わせる前に形成されている項１から項５の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項７］
前記貫通孔は、前記接着層を配置して前記ドライフィルムを貼り合わせた後に、前記ドライフィルム、前記接着層及び前記セラミックス基板を貫通するように形成する項３又は項４に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項８］
前記ドライフィルムを剥離することの前に、前記第１凹部及び前記第２凹部内の少なくとも一方に前記金属ペーストを配置することを行う項１から項７の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項９］
前記金属部材を得た後に、前記金属部材を研磨することをさらに行う項１から項８の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１０］
前記エッチング又はブラストすることにより、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている項１から項９の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１１］
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、少なくとも活性金属粉体を含む項１から項１０の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１２］
前記活性金属粉体は、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、ＭｇＨ２から選ばれる少なくとも１種である項１１に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１３］
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金から選ばれる少なくとも１種を含む項１から項１２の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１４］
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、さらに有機バインダを含む項１３に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１５］
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、さらに、金属を除く複数個の無機フィラーを含む項１３又は項１４に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１６］
前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることにおいて、焼成温度は７００℃以上１２００℃以下である項１から項１５の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１７］
前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることにおいて、焼成雰囲気は真空雰囲気または９９．９％以上のＡｒ雰囲気である項１から項１６の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１８］
前記貫通孔の直径は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下となるように形成する項１から項１７の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１９］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板を準備することと、
前記金属部材に発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する、発光装置の製造方法。
［項２０］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板を準備することと、
前記金属部材に発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する、発光装置の製造方法。
［項２１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、
前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板。
［項２２］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、
前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板。
［項２３］
前記丸みは、前記貫通孔に沿って環状に形成されている項２１又は項２２に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２４］
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記丸みは、２μｍ以上１１０μｍ以下の半径を有する項２１から項２３の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２５］
前記セラミックス焼結体基板の厚み方向の断面視において、前記第１凹部及び前記第２凹部の少なくとも一方は、前記貫通孔を除いて、湾曲状である項２１から項２４の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２６］
前記第１凹部を画定する内面及び前記第２凹部を画定する内面の少なくとも一方は、算術平均粗さＲａが２００ｎｍ以上２μｍ以下である項２１から項２５の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２７］
前記セラミックス焼結体基板の厚み方向の断面視において、前記第１凹部及び前記第２凹部の少なくとも一方に配置された金属部材は、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部及び前記第２面の第２平面部の少なくとも一方と、同一平面をなす項２１から項２６の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２８］
前記金属部材と前記セラミックス基板との接触部分に金属化合物層がある項２１から項２７の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２９］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板と、
前記金属部材に配置される発光素子と、を備え、
前記発光素子は、前記金属部材に直接又は間接に電気的に接続されている発光装置。
［項３０］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板と、
前記金属部材に配置される発光素子と、備え、
前記発光素子は、前記金属部材に直接又は間接に電気的に接続されている発光装置。
［項１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持つセラミックス基板を準備することと、
前記セラミックス基板の前記第１面にドライフィルムを貼り合わせることと、
前記ドライフィルムを貼り合わせた前記セラミックス基板の前記第１面にマスクを介して露光及び現像を行うことと、
前記露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して前記セラミックス基板の前記第１面をエッチング又はブラストすることと、
前記エッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部を形成することと、
前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、
前記セラミックス基板の前記第１凹部内に金属ペーストを配置することと、
前記第１凹部に配置した前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることと、を含み、
前記第１凹部を形成する前に、前記第１凹部となる位置に、前記セラミックス基板の前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記第１凹部及び前記貫通孔に前記金属ペーストを配置する、セラミックス焼結体基板の製造方法。
［項２］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持つセラミックス基板を準備することと、
前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面にドライフィルムを貼り合わせることと、
前記ドライフィルムを貼り合わせた前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面にマスクを介して露光及び現像を行うことと、
前記露光及び現像を行うことにより、所定のパターンに形成された前記ドライフィルムを介して前記セラミックス基板の前記第1面及び前記第２面をエッチング又はブラストすることと、
前記エッチング又はブラストすることにより、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部よりも凹んだ第１凹部及び前記セラミックス基板の前記第２面の第２平面部よりも凹んだ第２凹部を形成することと、
前記セラミックス基板から前記ドライフィルムを剥離することと、前記セラミックス基板の前記第１凹部及び前記第２凹部内に金属ペーストを配置することと、
前記第１凹部及び前記第２凹部に配置した前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることと、を含み、
前記第１凹部及び前記第２凹部を形成する前に、前記第１凹部及び前記第２凹部となる位置に、前記セラミックス基板の前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔を形成し、
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に前記金属ペーストを配置する、セラミックス焼結体基板の製造方法。
［項３］
前記ドライフィルムを貼り合わせることの前に、前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方に接着層を配置し、
前記ドライフィルムを貼り合わせることにおいて、前記接着層に前記ドライフィルムを貼り合わせ、
前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方をエッチング又はブラストすることにおいて、前記接着層もエッチング又はブラストする項１又は項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項４］
前記接着層は、光吸収部材を含有する項３に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項５］
前記ドライフィルムを貼り合わせることの前に、前記セラミックス基板の前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方と、前記ドライフィルムと、の間に光吸収層を配置する項１又は項２に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項６］
前記貫通孔は、前記ドライフィルムを貼り合わせる前に形成されている項１から項５の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項７］
前記貫通孔は、前記接着層を配置して前記ドライフィルムを貼り合わせた後に、前記ドライフィルム、前記接着層及び前記セラミックス基板を貫通するように形成する項３又は項４に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項８］
前記ドライフィルムを剥離することの前に、前記第１凹部及び前記第２凹部内の少なくとも一方に前記金属ペーストを配置することを行う項１から項７の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項９］
前記金属部材を得た後に、前記金属部材を研磨することをさらに行う項１から項８の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１０］
前記エッチング又はブラストすることにより、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている項１から項９の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１１］
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、少なくとも活性金属粉体を含む項１から項１０の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１２］
前記活性金属粉体は、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、ＭｇＨ２から選ばれる少なくとも１種である項１１に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１３］
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ－Ｃｕ合金から選ばれる少なくとも１種を含む項１から項１２の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１４］
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、さらに有機バインダを含む項１３に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１５］
前記金属ペーストを配置することにおいて、前記金属ペーストは、さらに、金属を除く複数個の無機フィラーを含む項１３又は項１４に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１６］
前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることにおいて、焼成温度は７００℃以上１２００℃以下である項１から項１５の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１７］
前記金属ペーストを焼成し金属部材を得ることにおいて、焼成雰囲気は真空雰囲気または９９．９％以上のＡｒ雰囲気である項１から項１６の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１８］
前記貫通孔の直径は、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下となるように形成する項１から項１７の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板の製造方法。
［項１９］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板を準備することと、
前記金属部材に発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する、発光装置の製造方法。
［項２０］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板を準備することと、
前記金属部材に発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記金属部材と、前記発光素子と、を直接又は間接に電気的に接続する、発光装置の製造方法。
［項２１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、
前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板。
［項２２］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、
前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板。
［項２３］
前記丸みは、前記貫通孔に沿って環状に形成されている項２１又は項２２に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２４］
前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記丸みは、２μｍ以上１１０μｍ以下の半径を有する項２１から項２３の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２５］
前記セラミックス焼結体基板の厚み方向の断面視において、前記第１凹部及び前記第２凹部の少なくとも一方は、前記貫通孔を除いて、湾曲状である項２１から項２４の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２６］
前記第１凹部を画定する内面及び前記第２凹部を画定する内面の少なくとも一方は、算術平均粗さＲａが２００ｎｍ以上２μｍ以下である項２１から項２５の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２７］
前記セラミックス焼結体基板の厚み方向の断面視において、前記第１凹部及び前記第２凹部の少なくとも一方に配置された金属部材は、前記セラミックス基板の前記第１面の第１平面部及び前記第２面の第２平面部の少なくとも一方と、同一平面をなす項２１から項２６の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２８］
前記金属部材と前記セラミックス基板との接触部分に金属化合物層がある項２１から項２７の何れか一項に記載のセラミックス焼結体基板。
［項２９］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部、及び、前記第２面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第２凹部、を有するセラミックス基板と、前記第１凹部、前記第２凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、及び、前記第２凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分、の少なくとも一方は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板と、
前記金属部材に配置される発光素子と、を備え、
前記発光素子は、前記金属部材に直接又は間接に電気的に接続されている発光装置。
［項３０］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔があり、前記第１面は前記貫通孔よりも孔径が大きく前記貫通孔と接続する第１凹部を有するセラミックス基板と、前記第１凹部及び前記貫通孔に配置する金属部材と、を有し、前記貫通孔の厚み方向の断面視において、前記第１凹部を画定する内面と前記貫通孔との接続部分は丸みを帯びている、セラミックス焼結体基板と、
前記金属部材に配置される発光素子と、備え、
前記発光素子は、前記金属部材に直接又は間接に電気的に接続されている発光装置。
【符号の説明】
【0115】
１ セラミックス焼結体基板（第１実施形態）
１Ａ セラミックス焼結体基板（第１変形例）
１Ｂ セラミックス焼結体基板（第３変形例）
２ セラミックス焼結体基板（第２実施形態）
２Ａ セラミックス焼結体基板（第２変形例）
２Ｂ セラミックス焼結体基板（第４変形例）
２Ｃ セラミックス焼結体基板（第５変形例）
３ セラミックス焼結体基板（第３実施形態）
１０ セラミックス基板
１０Ａ 第１面
１０Ｂ 第２面
１１ 第１凹部
１２ 第２凹部
１３ 第１平面部
１４ 第２平面部
１５ 貫通孔
１６ 金属部材
１７ めっき層
１８ 金属化合物層
１９Ａ 接続部分
１９Ｂ 接続部分
２０ 発光素子
２１ 素子電極
３０ 透光性部材
４０ 被覆部材
５０ 導電性部材
８６ 金属ペースト
１００ 発光装置
１０１Ａ 発光装置（第１変形例）
１０２ 発光装置（第２変形例）
Ｓ１ セラミックス焼結体基板の製造方法（第１実施形態）
Ｓ２ セラミックス焼結体基板の製造方法（第２実施形態）
Ｓ３ セラミックス焼結体基板の製造方法（第３実施形態）
ＳＡ１ セラミックス焼結体基板の製造方法の変形例
ＳＡ２ セラミックス焼結体基板の製造方法の変形例
Ｓ１００ 発光装置の製造方法
１Ａ セラミックス焼結体基板（第１変形例）
１Ｂ セラミックス焼結体基板（第３変形例）
２ セラミックス焼結体基板（第２実施形態）
２Ａ セラミックス焼結体基板（第２変形例）
２Ｂ セラミックス焼結体基板（第４変形例）
２Ｃ セラミックス焼結体基板（第５変形例）
３ セラミックス焼結体基板（第３実施形態）
１０ セラミックス基板
１０Ａ 第１面
１０Ｂ 第２面
１１ 第１凹部
１２ 第２凹部
１３ 第１平面部
１４ 第２平面部
１５ 貫通孔
１６ 金属部材
１７ めっき層
１８ 金属化合物層
１９Ａ 接続部分
１９Ｂ 接続部分
２０ 発光素子
２１ 素子電極
３０ 透光性部材
４０ 被覆部材
５０ 導電性部材
８６ 金属ペースト
１００ 発光装置
１０１Ａ 発光装置（第１変形例）
１０２ 発光装置（第２変形例）
Ｓ１ セラミックス焼結体基板の製造方法（第１実施形態）
Ｓ２ セラミックス焼結体基板の製造方法（第２実施形態）
Ｓ３ セラミックス焼結体基板の製造方法（第３実施形態）
ＳＡ１ セラミックス焼結体基板の製造方法の変形例
ＳＡ２ セラミックス焼結体基板の製造方法の変形例
Ｓ１００ 発光装置の製造方法
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図5G】
【図5H】
【図5I】
【図5J】
【図5K】
【図5L】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図8F】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図11C】
【図11D】
【図11E】
【図11F】
【図11G】
【図11H】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】
【図14】
【図15A】
【図15B】
【図15C】
【図16】
【図17】
【図18A】
【図18B】
【図18C】
【図18D】
【図18E】
【図18F】
【図18G】
【図19】
【図20A】
【図20B】
【図20C】
【図20D】
【図21A】
【図21B】
【図22A】
【図22B】
【図23】
【図24】
【図25A】
【図25B】
【図25C】
【図25D】
【図25E】
【図26A】
【図26B】