ホーム > 特許ランキング > 東京エレクトロン株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024093553
(43)【公開日】2024-07-09
(54)【発明の名称】エッチング方法及びプラズマ処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240702BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 105A
H01L21/302 101B
H01L21/302 101C
H01L21/302 101D
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022210014
(22)【出願日】2022-12-27
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126480
【弁理士】
【氏名又は名称】佐藤 睦
(74)【代理人】
【識別番号】100140431
【弁理士】
【氏名又は名称】大石 幸雄
(74)【代理人】
【識別番号】100135677
【弁理士】
【氏名又は名称】澤井 光一
(74)【代理人】
【識別番号】100131598
【弁理士】
【氏名又は名称】高村 和宗
(72)【発明者】
【氏名】向山 広記
(72)【発明者】
【氏名】澤野 拓哉
【テーマコード（参考）】
5F004
【Ｆターム（参考）】
5F004AA16
5F004BA04
5F004BB12
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB25
5F004BB26
5F004BB29
5F004CA02
5F004CA04
5F004CA06
5F004CA08
5F004DA22
5F004DA23
5F004DA24
5F004DA25
5F004DA26
5F004DB02
5F004DB03
5F004DB07
5F004DB08
5F004DB10
5F004EA05
5F004EA06
5F004EA28
(57)【要約】
【課題】ボーイングを抑制する技術を提供する。
【解決手段】エッチング方法が提供される。この方法は、（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜とエッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、（ｂ）エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程であって、チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、基板支持部の温度が第１の温度に制御される、工程と、（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、チャンバ内の圧力が第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、基板支持部の温度が第１の温度以下の第２の温度に制御される、工程と、を含む。
【選択図】図４
【解決手段】エッチング方法が提供される。この方法は、（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜とエッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、（ｂ）エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程であって、チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、基板支持部の温度が第１の温度に制御される、工程と、（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、チャンバ内の圧力が第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、基板支持部の温度が第１の温度以下の第２の温度に制御される、工程と、を含む。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
エッチング方法であって、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、工程と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、工程と、を含む
エッチング方法。
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、工程と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、工程と、を含む
エッチング方法。
【請求項2】
前記（ｃ）の工程において、前記金属含有膜は、前記凹部の底部側の側壁に形成される、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項3】
前記（ｃ）の工程において、前記金属含有膜は、前記凹部の底部及び当該底部近傍に形成される、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項4】
前記（ｃ）の工程において、前記金属含有膜は、前記凹部の深さの半分の位置よりも深い位置にある側壁に形成される、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項5】
前記（ｃ）の工程中に、前記金属含有膜は前記凹部の底部から上方に向かって形成されていく、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項6】
前記（ｂ）の工程の終了時において、前記凹部のアスペクト比は２０以上である、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項7】
（ｄ）前記（ｃ）の工程の後に、前記凹部をさらにエッチングする工程をさらに含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項8】
前記（ｃ）の工程と前記（ｄ）の工程とを交互に複数回繰り返す、請求項７に記載のエッチング方法。
【請求項9】
前記（ｂ）の工程の終了時における前記凹部の深さは、エッチング終了時の前記凹部の深さの３０％以上である、請求項７又は請求項８に記載のエッチング方法。
【請求項10】
前記処理ガスは、還元性ガスを更に含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項11】
前記金属含有ガスは、タングステン、チタン及びモリブデンからなる群から選択される金属の少なくとも１種を含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項12】
前記金属含有ガスは、ハロゲンをさらに含む、請求項１１に記載のエッチング方法。
【請求項13】
前記第２の温度は、０℃未満である、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項14】
前記第２の圧力は、１５０ｍＴｏｒｒ以上である、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項15】
前記エッチング対象膜は炭素を含み、前記マスクはシリコン又は金属を含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項16】
前記（ｂ）の工程において、酸素含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて、前記エッチング対象膜をエッチングする、請求項１５に記載のエッチング方法。
【請求項17】
前記エッチング対象膜はシリコンを含み、前記マスクは炭素又は金属を含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項18】
前記（ｂ）の工程において、フッ素含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて、前記エッチング対象膜をエッチングする、請求項１７に記載のエッチング方法。
【請求項19】
エッチング方法であって、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する工程と、
（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が０℃未満に制御される、工程と、を含む
エッチング方法。
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する工程と、
（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が０℃未満に制御される、工程と、を含む
エッチング方法。
【請求項20】
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
（ａ）前記チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する制御と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、制御と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、制御と、を実行する
プラズマ処理装置。
前記制御部は、
（ａ）前記チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する制御と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、制御と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、制御と、を実行する
プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の例示的実施形態は、エッチング方法及びプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、シリコン含有膜を途中までプラズマによりエッチングした後で、当該シリコン含有膜上にプラズマを生成せずにカーボン含有膜を成膜することで、ボーイングを抑制してエッチングを行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－２１５４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、ボーイングを抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一つの例示的実施形態において、エッチング方法であって、（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、工程と、（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、工程と、を含むエッチング方法が提供される。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一つの例示的実施形態によれば、ボーイングを抑制する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】プラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【図2】誘導結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【図3】ボーイングの一例を説明するための図である。
【図4】本方法を示すフローチャートである。
【図5】工程ＳＴ１で提供される基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。
【図6】工程ＳＴ２の処理後の基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。
【図7】工程ＳＴ３における金属含有膜の形成過程の一例を示す図である。
【図8】工程ＳＴ４の処理後の基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の各実施形態について説明する。
【0009】
一つの例示的実施形態において、エッチング方法であって、（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜とエッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、（ｂ）エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程であって、チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、基板支持部の温度が第１の温度に制御される、工程と、（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、チャンバ内の圧力が第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、基板支持部の温度が第１の温度以下の第２の温度に制御される、工程と、を含むエッチング方法が提供される。
【0010】
一つの例示的実施形態において、（ｃ）の工程において、金属含有膜は、凹部の底部側の側壁に形成される。
【0011】
一つの例示的実施形態において、（ｃ）の工程において、金属含有膜は、凹部の底部及び底部近傍に形成される。
【0012】
一つの例示的実施形態において、（ｃ）の工程において、金属含有膜は、凹部の深さの半分の位置よりも深い位置にある側壁に形成される。
【0013】
一つの例示的実施形態において、（ｃ）の工程中に、金属含有膜は凹部の底部から上方に向かって形成されていく。
【0014】
一つの例示的実施形態において、（ｂ）の工程の終了時において、凹部のアスペクト比は２０以上である。
【0015】
一つの例示的実施形態において、（ｄ）（ｃ）の工程の後に、凹部をさらにエッチングする工程をさらに含む。
【0016】
一つの例示的実施形態において、（ｃ）の工程と（ｄ）の工程とを交互に複数回繰り返す。
【0017】
一つの例示的実施形態において、（ｂ）の工程の終了時における凹部の深さは、エッチングの終了時の凹部の深さの３０％以上である。
【0018】
一つの例示的実施形態において、処理ガスは、還元性ガスを更に含む。
【0019】
一つの例示的実施形態において、金属含有ガスは、タングステン、チタン及びモリブデンからなる群から選択される金属の少なくとも１種を含む。
【0020】
一つの例示的実施形態において、金属含有ガスは、ハロゲンをさらに含む。
【0021】
一つの例示的実施形態において、第２の温度は、０℃未満である。
【0022】
一つの例示的実施形態において、第２の圧力は、１５０ｍＴｏｒｒ以上である。
【0023】
一つの例示的実施形態において、エッチング対象膜は炭素を含み、マスクはシリコン又は金属を含む。
【0024】
一つの例示的実施形態において、（ｂ）の工程において、酸素含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて、エッチング対象膜をエッチングする。
【0025】
一つの例示的実施形態において、エッチング対象膜はシリコンを含み、マスクは炭素又は金属を含む。
【0026】
一つの例示的実施形態において、（ｂ）の工程において、フッ素含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて、エッチング対象膜をエッチングする。
【0027】
一つの例示的実施形態において、エッチング方法であって、（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する工程と、（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、基板支持部の温度が０℃未満に制御される、工程と、を含むエッチング方法が提供される。
【0028】
一つの例示的実施形態において、チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置であって、制御部は、（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜とエッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する制御と、（ｂ）エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する制御であって、チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、基板支持部の温度が第１の温度に制御される、制御と、（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、チャンバ内の圧力が第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、基板支持部の温度が第１の温度以下の第２の温度に制御される、制御と、を実行するプラズマ処理装置が提供される。
【0029】
以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。
【0030】
＜プラズマ処理装置の構成例＞
図１は、プラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、制御部２、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
図１は、プラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、制御部２、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
【0031】
プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
【0032】
制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１の外部のシステムとして構成されてよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ ＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１の各要素との間で通信してもよい。
【0033】
以下に、プラズマ処理装置１の一例としての誘導結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、誘導結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【0034】
誘導結合型のプラズマ処理装置１は、制御部２、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、誘電体窓１０１を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１、ガス導入部及びアンテナ１４を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０（以下、「チャンバ１０」ともいう。）内に配置される。アンテナ１４は、プラズマ処理チャンバ１０上又はその上方（すなわち誘電体窓１０１上又はその上方）に配置される。プラズマ処理チャンバ１０は、誘電体窓１０１、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０２及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。
【0035】
基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
【0036】
一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材はバイアス電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がバイアス電極として機能する。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数のバイアス電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂがバイアス電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つのバイアス電極を含む。
【0037】
リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
【0038】
また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
【0039】
ガス導入部は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。一実施形態において、ガス導入部は、中央ガス注入部（ＣＧＩ：Ｃｅｎｔｅｒ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）１３を含む。中央ガス注入部１３は、基板支持部１１の上方に配置され、誘電体窓１０１に形成された中央開口部に取り付けられる。中央ガス注入部１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス流路１３ｂ、及び少なくとも１つのガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス流路１３ｂを通過してガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。なお、ガス導入部は、中央ガス注入部１３に加えて又はその代わりに、側壁１０２に形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
【0040】
ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してガス導入部に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
【0041】
電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つのバイアス電極及びアンテナ１４に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つのバイアス電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオンを基板Ｗに引き込むことができる。
【0042】
一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してアンテナ１４に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、アンテナ１４に供給される。
【0043】
第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つのバイアス電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つのバイアス電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
【0044】
また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、バイアスＤＣ生成部３２ａを含む。一実施形態において、バイアスＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つのバイアス電極に接続され、バイアスＤＣ信号を生成するように構成される。生成されたバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つのバイアス電極に印加される。
【0045】
種々の実施形態において、バイアスＤＣ信号は、パルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つのバイアス電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部がバイアスＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つのバイアス電極との間に接続される。従って、バイアスＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、バイアスＤＣ生成部３２ａは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
【0046】
アンテナ１４は、１又は複数のコイルを含む。一実施形態において、アンテナ１４は、同軸上に配置された外側コイル及び内側コイルを含んでもよい。この場合、ＲＦ電源３１は、外側コイル及び内側コイルの双方に接続されてもよく、外側コイル及び内側コイルのうちいずれか一方に接続されてもよい。前者の場合、同一のＲＦ生成部が外側コイル及び内側コイルの双方に接続されてもよく、別個のＲＦ生成部が外側コイル及び内側コイルに別々に接続されてもよい。
【0047】
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
【0048】
＜ボーイングの一例＞
プラズマエッチングにおける形状異常の１つとしてボーイングが知られている。ボーイングは、エッチングにより形成される凹部の側壁の一部の開口幅が、凹部の頂部の開口幅より大きくなる現象である。ボーイングが発生した部分は、断面視で例えば樽状の形状になる。ボーイングは、マスク等で反跳したイオン等により凹部の側壁の一部が削られることで発生し得ると考えられる。
プラズマエッチングにおける形状異常の１つとしてボーイングが知られている。ボーイングは、エッチングにより形成される凹部の側壁の一部の開口幅が、凹部の頂部の開口幅より大きくなる現象である。ボーイングが発生した部分は、断面視で例えば樽状の形状になる。ボーイングは、マスク等で反跳したイオン等により凹部の側壁の一部が削られることで発生し得ると考えられる。
【0049】
図３は、ボーイングの一例を説明するための図である。図３は、基板Ｗのエッチング対象膜ＥＦを、開口ＯＰを有するマスクＭＫを介して、凹部ＲＣの底部が下地膜ＵＦに達するまでプラズマエッチングした場合の断面構造の一例である。
【0050】
図３に示す例では、凹部ＲＣの上部側（低～中アスペクト領域）に開口寸法ＣＤＢ１（＞開口寸法ＣＤＴ）の第１のボーイングＢ１が発生している。また凹部の底部側（高アスペクト領域）には、開口寸法ＣＤＢ２（＞開口寸法ＣＤＴ）の第２のボーイングＢ２が発生している。なお、第１のボーイングＢ１はトップボーイング、第２のボーイングＢ２はミドルボーイング又はセカンドボーイングと呼ばれる場合もある。第２のボーイングＢ２は、凹部ＲＣの底部側の高アスペクト領域で生じるものであり、従来、このようなボーイングを抑制することは、困難であった。
【0051】
【0052】
＜エッチング方法の一例＞
図４は、１つの例示的実施形態にかかるエッチング方法（以下「本方法」ともいう。）の一例を示すフローチャートである。図４に示すように、本方法は、基板を提供する工程ＳＴ１と、基板をエッチングして凹部を形成する工程ＳＴ２と、凹部に金属含有膜を形成する工程ＳＴ３と、凹部をさらにエッチングする工程ＳＴ４とを含む。各工程における処理は、上述したプラズマ処理装置１で実行されてよい。以下では、制御部２が誘導結合型のプラズマ処理装置１（図２参照）の各部を制御して、基板Ｗに対して本方法を実行する場合を例に説明する。
図４は、１つの例示的実施形態にかかるエッチング方法（以下「本方法」ともいう。）の一例を示すフローチャートである。図４に示すように、本方法は、基板を提供する工程ＳＴ１と、基板をエッチングして凹部を形成する工程ＳＴ２と、凹部に金属含有膜を形成する工程ＳＴ３と、凹部をさらにエッチングする工程ＳＴ４とを含む。各工程における処理は、上述したプラズマ処理装置１で実行されてよい。以下では、制御部２が誘導結合型のプラズマ処理装置１（図２参照）の各部を制御して、基板Ｗに対して本方法を実行する場合を例に説明する。
【0053】
（工程ＳＴ１：基板の提供）
工程ＳＴ１において、基板Ｗがプラズマ処理装置１のプラズマ処理空間１０ｓ内に提供される。基板Ｗは、搬送アームによりチャンバ１０内に搬入され、基板支持部１１の中央領域１１１ａに載置される。基板Ｗは、静電チャック１１１１により、基板支持部１１上に吸着保持される
工程ＳＴ１において、基板Ｗがプラズマ処理装置１のプラズマ処理空間１０ｓ内に提供される。基板Ｗは、搬送アームによりチャンバ１０内に搬入され、基板支持部１１の中央領域１１１ａに載置される。基板Ｗは、静電チャック１１１１により、基板支持部１１上に吸着保持される
【0054】
図５は、工程ＳＴ１で提供される基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。基板Ｗは、エッチング対象膜ＥＦ及びマスクＭＫを有する。基板Ｗは、下地膜ＵＦをさらに含んでよい。基板Ｗは、半導体デバイスの製造に用いられてよい。半導体デバイスは、例えば、ＤＲＡＭ、３Ｄ－ＮＡＮＤフラッシュメモリ等の半導体メモリデバイスを含む。
【0055】
一実施形態において、下地膜ＵＦは、シリコンウェハやシリコンウェハ上に形成された有機膜、誘電体膜、金属膜、半導体膜又はこれらの積層膜である。一実施形態において、下地膜ＵＦは、シリコン含有膜、炭素含有膜及び金属含有膜からなる群から選択される少なくとも一種を含む。
【0056】
エッチング対象膜ＥＦは、本方法においてエッチングされる膜である。エッチング対象膜ＥＦは、一つの膜で構成されてよく、また複数の膜が積層されて構成されてもよい。
【0057】
一実施形態において、エッチング対象膜ＥＦは、炭素又はシリコンを含む膜である。一実施形態において、エッチング対象膜ＥＦは、シリコン含有膜である。シリコン含有膜は、一例では、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン炭窒化膜、多結晶シリコン膜又はこれらの膜を２以上含む積層膜である。例えば、シリコン含有膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが交互に積層されて構成されてよい。例えば、シリコン含有膜は、シリコン酸化膜と多結晶シリコン膜とが交互に積層されて構成されてよい。例えば、シリコン含有膜は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜及び多結晶シリコン膜を含む積層膜でもよい。一実施形態において、エッチング対象膜ＥＦは、炭素含有膜である。炭素含有膜は、一例では、アモルファスカーボン（ＡＣＬ）膜、スピンオンカーボン（ＳＯＣ）膜、又はフォトレジスト膜である。なお、アモルファスカーボン（ＡＣＬ）膜は、ホウ素等の元素がドープされてよく、例えば、ホウ素含有アモルファスカーボン膜（Ｂ－ｄｏｐｅｄ ＡＣＬ）、ヒ素含有アモルファスカーボン膜（Ａｓ－ｄｏｐｅｄ ＡＣＬ）、タングステン含有アモルファスカーボン膜（Ｗ－ｄｏｐｅｄ ＡＣＬ）、キセノン含有アモルファスカーボン膜（Ｘｅ－ｄｏｐｅｄ ＡＣＬ）であってよい。
【0058】
一実施形態において、エッチング対象膜ＥＦは、金属含有膜を含んでよい。金属含有膜は、一例では、タングステン、チタン及びモリブデンからなる群から選択される少なくとも１種を含む膜であってよい。
【0059】
マスクＭＫは、エッチングによってエッチング対象膜ＥＦに転写されるパターンを有してよい。マスクＭＫは、１つの層からなる単層マスクでよく、また２つ以上の層からなる多層マスクであってもよい。図５に示すとおり、マスクＭＫは、エッチング対象膜ＥＦ上において少なくとも一つの開口ＯＰを規定する。開口ＯＰは、エッチング対象膜ＥＦ上の空間であって、マスクＭＫの側壁に囲まれている。すなわち、エッチング対象膜ＥＦの上面は、マスクＭＫによって覆われた領域と、開口ＯＰの底部において露出した領域とを有する。
【0060】
開口ＯＰは、基板Ｗの平面視、すなわち、基板Ｗを図５の上から下に向かう方向に見た場合において、任意の形状を有してよい。当該形状は、例えば、円、楕円、矩形、線やこれらの１種類以上を組み合わせた形状であってよい。マスクＭＫは、複数の側壁を有し、複数の側壁が複数の開口ＯＰを規定してもよい。複数の開口ＯＰは、それぞれ線形状を有し、一定の間隔で並んでライン＆スペースのパターンを構成してもよい。また、複数の開口ＯＰは、それぞれ穴形状を有し、アレイパターンを構成してもよい。
【0061】
マスクＭＫは、工程ＳＴ２や工程ＳＴ４で生成されるプラズマに対するエッチングレートがエッチング対象膜ＥＦよりも低い材料から形成されてよい。すなわち、マスクＭＫは、エッチング対象膜ＥＦの材料に応じて適宜選択されてよい。
【0062】
例えば、エッチング対象膜ＥＦがシリコン含有膜である場合、マスクＭＫは炭素含有マスク又は金属含有マスクであってよい。炭素含有マスクは、アモルファスカーボン膜、フォトレジスト膜又はスピンオンカーボン（ＳＯＣ）膜であってよい。一例では、マスクＭＫはアモルファスカーボン膜である。金属含有マスクはタングステン、チタン及びモリブデンからなる群から選択される少なくとも１種を含む膜であってよい。一例では、金属含有マスクは、タングステンシリサイド膜である。
【0063】
例えば、エッチング対象膜ＥＦが炭素含有膜である場合、マスクＭＫはシリコン含有マスク又は金属含有マスクであってよい。シリコン含有マスクは、シリコン酸窒化膜、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であってよい。金属含有マスクはタングステン、チタン及びモリブデンからなる群から選択される少なくとも１種を含む膜であってよい。一例では、金属含有マスクは、タングステンシリサイド膜である。
【0064】
例えば、エッチング対象膜ＥＦが金属含有膜である場合、マスクＭＫは、シリコン酸化膜等のシリコン含有マスクであってよい。
【0065】
基板Ｗを構成する各膜（下地膜ＵＦ、エッチング対象膜ＥＦ又はマスクＭＫ）は、それぞれ、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、スピンコート法等により形成されてよい。マスクＭＫの開口ＯＰは、マスクＭＫをエッチングすることで形成されてよく、またリソグラフィによって形成されてもよい。各膜は、それぞれ、平坦な膜であってよく、また凹凸を有する膜であってもよい。基板Ｗは、下地膜ＵＦの下に他の膜をさらに有してよい。この場合、エッチング対象膜ＥＦ及び下地膜ＵＦに開口ＯＰに対応する形状の凹部を形成し、当該他の膜をエッチングするためのマスクとして用いてもよい。
【0066】
基板Ｗの各膜を形成するプロセスの少なくとも一部は、チャンバ１０の空間内で行われてよい。一例では、マスクＭＫをエッチングして開口ＯＰを形成する工程は、チャンバ１０で実行されてよい。すなわち、開口ＯＰ及び後述する工程ＳＴ２のエッチング対象膜ＥＦのエッチングは、同一のチャンバ内で連続して実行されてよい。また、基板Ｗの各膜の全部がプラズマ処理装置１の外部の装置やチャンバで形成された後、基板Ｗがプラズマ処理装置１のプラズマ処理空間１０ｓ内に搬入され、基板支持部１１の中央領域１１１ａに配置されることで、基板Ｗが提供されてもよい。
【0067】
一実施形態において、基板Ｗが基板支持部１１の中央領域１１１ａに提供された後、基板支持部１１が温調モジュールにより第１の温度に制御される。一例では、基板支持部１１の温度を第１の温度に制御することは、流路１１１０ａを流れる伝熱流体の温度やヒータ温度を第１の温度にすること、又は、第１の温度とは異なる温度にすることを含む。なお、流路１１１０ａに伝熱流体が流れ始めるタイミングは、基板Ｗが基板支持部１１に載置される前でも後でもよく、また同時でもよい。また、基板支持部１１の温度は、工程ＳＴ１の前に第１の温度に制御されてよい。すなわち、基板支持部１１の温度が第１の温度に制御された後に、基板支持部１１に基板Ｗが提供されてよい。
【0068】
第１の温度は、エッチング対象膜ＥＦや工程ＳＴ２で用いる処理ガス（第１の処理ガス）の種類に応じて適宜設定されてよい。一実施形態において、第１の温度は０℃未満である。一例では、第１の温度は、－１０℃以下、－２０℃以下、－３０℃以下、－４０度以下、－５０℃以下、－６０℃以下又は－７０℃以下である。
【0069】
一実施形態において、基板支持部１１を第１の温度に制御することに代えて、基板Ｗを第１の温度に制御してもよい。基板Ｗの温度を第１の温度に制御することは、基板支持部１１、流路１１１０ａを流れる伝熱流体の温度及び／又はヒータ温度を第１の温度にすること、又は、第１の温度とは異なる温度にすることを含む。
【0070】
（工程ＳＴ２：凹部の形成）
工程ＳＴ２において、基板Ｗのエッチング対象膜ＥＦがエッチングされ凹部が形成される。
工程ＳＴ２において、基板Ｗのエッチング対象膜ＥＦがエッチングされ凹部が形成される。
【0071】
まず、ガス供給部２０から第１の処理ガスがプラズマ処理空間１０ｓ内に供給される。第１の処理ガスは、エッチング対象膜ＥＦがマスクＭＫに対して十分な選択比をもってエッチングされるように適宜選択されてよい。例えば、エッチング対象膜ＥＦがシリコン含有膜である場合、第１の処理ガスは、フッ素含有ガスを含んでよい。フッ素含有ガスは、一例では、フッ化水素ガス（ＨＦガス）、フルオロカーボンガス又はハイドロフルオロカーボンガスである。また例えば、エッチング対象膜が炭素含有膜である場合、第１の処理ガスは、酸素含有ガスを含んでよい。酸素含有ガスは、一例では、Ｏ２ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス又はＣＯＳガスである。例えば、エッチング対象膜が金属含有膜である場合、第１の処理ガスは、ハロゲン含有ガス（一例では、ＢＣｌ３ガス、ＳｉＣｌ４ガス、ＮＦ３ガス等）と酸素含有ガス（一例では、Ｏ２ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス）とを含んでよい。なお、ハロゲン含有ガスと酸素含有ガスは、プラズマ処理空間１０ｓに同時に供給されてよく、また交互に供給されてもよい。
【0072】
なお、工程ＳＴ２における処理の間、第１の処理ガスに含まれるガスやその流量（分圧）は、変更されてもされなくてもよい。例えば、エッチング対象膜ＥＦが異なる種類の膜からなる積層膜で構成される場合、処理ガスの構成や各ガスの流量（分圧）は、エッチングの進行に伴って（すなわちエッチングする膜の種類に応じて）変更されてよい。
【0073】
次に、アンテナ１４にソースＲＦ信号が供給される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓ内に高周波電界が生成され、第１の処理ガスからプラズマが生成され、エッチング対象膜ＥＦがエッチングされる。基板支持部１１の下部電極にバイアス信号が供給されてよい。この場合、プラズマと基板Ｗとの間にバイアス電位が発生し、プラズマ中のイオン、ラジカル等の活性種が基板Ｗに引きよせられ、エッチング対象膜ＥＦのエッチングが促進され得る。バイアス信号は、第２のＲＦ生成部３１ｂから供給されるバイアスＲＦ信号であってよい。またバイアス信号は、ＤＣ生成部３２ａから供給されるバイアスＤＣ信号であってもよい。
【0074】
ソースＲＦ信号及びバイアス信号は、双方が連続波又はパルス波でよく、また一方が連続波で他方がパルス波でもよい。ソースＲＦ信号及びバイアス信号の双方がパルス波である場合、双方のパルス波の周期は同期してよく、また同期しなくてもよい。ソースＲＦ信号及び／又はバイアス信号パルス波のデューティ比は適宜設定してよく、例えば、１～８０％でよく、また５～５０％でよい。またバイアス信号として、バイアスＤＣ信号を用いる場合、パルス波は、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせの波形を有してよい。バイアスＤＣ信号の極性は、プラズマと基板との間に電位差を与えてイオンを引き込むように基板Ｗの電位が設定されれば、負であっても正であってもよい。
【0075】
工程ＳＴ２において、ソースＲＦ信号及びバイアス信号の少なくとも一方の供給と停止とが交互に繰り返されてよい。例えば、ソースＲＦ信号が連続して供給される間に、バイアス信号の供給と停止とが交互に繰り返されてよい。また例えば、ソースＲＦ信号の供給と停止とが交互に繰り返される間に、バイアス信号が連続して供給されてもよい。また例えば、ソースＲＦ信号及びバイアス信号の双方の供給と停止とが交互に繰り返されてもよい。
【0076】
工程ＳＴ２における処理の間、基板支持部１１の温度は、工程ＳＴ１で設定した第１の温度に制御される。一実施形態において、基板支持部１１の温度に代えて、基板Ｗの温度が第１の温度に制御されてもよい。
【0077】
工程ＳＴ２における処理の間、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力は、第１の圧力に制御される。一実施形態において、第１の圧力は、１５０ｍＴｏｒｒ（２０Ｐａ）未満である。一例では、第１の圧力は、１００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ）以下でよく、また５０ｍＴｏｒｒ（６．７Ｐａ）以下である。
【0078】
図６は、工程ＳＴ２の処理後の基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。図６に示すように、工程ＳＴ２におけるエッチングにより、エッチング対象膜ＥＦのうち、開口ＯＰにおいて露出した部分が深さ方向（図６で上から下に向かう方向）にエッチングされる。これによりエッチング対象膜ＥＦに凹部ＲＣが形成される。
【0079】
工程ＳＴ２における処理により、エッチング対象膜ＥＦのうち、マスクＭＫにより覆われていない部分（開口ＯＰにおいて露出した部分）がエッチングされ凹部ＲＣが形成される。凹部ＲＣは、側壁ＳＳと底部ＢＴにより画定される空間である。
【0080】
一実施形態において、工程ＳＴ２の処理後の凹部ＲＣのアスペクト比（図６に示す例では凹部ＲＣの深さＤ１に対する凹部頂部の開口寸法ＣＤＴの比）は、２０以上、４０以上、５０以上、又は、６０以上であってよい。一例では、工程ＳＴ２の処理後の凹部ＲＣのアスペクト比は４０以上である。
【0081】
一実施形態において、工程ＳＴ２の処理後の凹部ＲＣの深さ（図６に示す例では凹部ＲＣの深さＤ１）は、最終エッチング深さ（図６に示す例では、下地膜ＵＦまでの深さＤ２）の３０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、又は、９０％以上であってよい。
【0082】
（工程ＳＴ３：金属含有膜の形成）
工程ＳＴ３において、エッチング対象膜ＥＦの凹部ＲＣに金属含有膜が形成される。まず、ガス供給部２０から金属含有ガスを含む第２の処理ガスがプラズマ処理空間１０ｓ内に供給される。
工程ＳＴ３において、エッチング対象膜ＥＦの凹部ＲＣに金属含有膜が形成される。まず、ガス供給部２０から金属含有ガスを含む第２の処理ガスがプラズマ処理空間１０ｓ内に供給される。
【0083】
一実施形態において、金属含有ガスは、タングステン、チタン及びモリブデンからなる群から選択される金属の少なくとも１種を含む。一実施形態において、金属含有ガスは、ハロゲンをさらに含んでよい。
【0084】
一実施形態において、金属含有ガスは、タングステンとハロゲンとを含有するガスでよく、一例では、ＷＦｘＣｌｙガスである（ｘ及びｙはそれぞれ０以上６以下の整数であり、ｘとｙとの和は２以上６以下である）。具体的には、タングステン含有ガスとしては、２フッ化タングステン（ＷＦ２）ガス、４フッ化タングステン（ＷＦ４）ガス、５フッ化タングステン（ＷＦ５）ガス、６フッ化タングステン（ＷＦ６）ガス等のタングステンとフッ素とを含有するガス、２塩化タングステン（ＷＣｌ２）ガス、４塩化タングステン（ＷＣｌ４）ガス、５塩化タングステン（ＷＣｌ５）ガス、６塩化タングステン（ＷＣｌ６）ガス等のタングステンと塩素とを含有するガスであってよい。これらの中でも、ＷＦ６ガス及びＷＣｌ６ガスの少なくともいずれかのガスであってよい。一実施形態において、金属含有ガスは、モリブデン又はチタンとハロゲンとを含有するガスでよく、例えば、ＭｏＦ４ガス、ＭｏＣｌ６ガス、ＴｉＣｌ４ガス等でよい。
【0085】
一実施形態において、第２の処理ガスにおける金属含有ガスの流量は、第２の処理ガスの総流量（第２の処理ガスが不活性ガスを含む場合、不活性ガスの流量は除く）の５０体積％以下、４０体積％以下、３０体積％以下、２０体積％以下、１０体積％以下、５体積％以下、又は３体積％以下でよい。
【0086】
一実施形態において、金属含有ガスは、低蒸気圧のガスであってよい。低蒸気圧のガスは、一例では、Ｃ４Ｆ８の温度－蒸気圧曲線が示す温度と同じ温度又はそれ以上の温度にて蒸気圧になるガスである。
【0087】
一実施形態において、第２の処理ガスは還元性ガスをさらに含んでよい。還元性ガスは、例えば、Ｈ２ガス、ＳｉＨ４ガス、ＣＨ４ガス、Ｃ２Ｈ２ガス、Ｃ２Ｈ４ガス、Ｃ３Ｈ６ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス及びＣＯＳガスからなる群から選択される少なくとも一種を含んでよい。
【0088】
一実施形態において、第２の処理ガスは、不活性ガスをさらに含んでよい。不活性ガスは、一例では、Ａｒガス、Ｈｅガス及びＫｒガス等の貴ガス又は窒素ガスでよい。
【0089】
次に、アンテナ１４にソースＲＦ信号が供給される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓ内に高周波電界が生成され、第２の処理ガスからプラズマが生成される。これにより、エッチング対象膜ＥＦの凹部ＲＣに金属含有膜が形成される。このとき、基板支持部１１の下部電極にバイアス信号は供給されなくてよい。なお、基板支持部１１の下部電極にバイアス信号が供給されてもよい。その場合、当該バイアス信号のレベル（電力レベル又は電圧レベル）は、工程ＳＴ２や工程ＳＴ４において基板支持部１１に供給されるバイアス信号のレベルより低くてよい。
【0090】
工程ＳＴ３における処理の間、基板支持部１１の温度は、第２の温度に制御される。第２の温度は、第１の温度以下の温度である。一実施形態において、第２の温度は０℃未満である。一例では、第２の温度は、－１０℃以下、－２０℃以下、－３０℃以下、－４０度以下、－５０℃以下、－６０℃以下又は－７０℃以下である。なお、一実施形態において、基板支持部１１の温度に代えて、基板Ｗの温度が第２の温度に制御されてもよい。
【0091】
工程ＳＴ３における処理の間、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力は、第２の圧力に制御される。第２の圧力は、第１の圧力よりも高い圧力である。一実施形態において、第２の圧力は、１５０ｍＴｏｒｒ（２０Ｐａ）以上である。一例では、第２の圧力は、２００ｍＴｏｒｒ（２６．７Ｐａ）以上、３００ｍＴｏｒｒ（４０Ｐａ）以上、４００ｍＴｏｒｒ（５３．３Ｐａ）以上である。
【0092】
工程ＳＴ３において、金属含有ガスを含む第２の処理ガスから生成したプラズマにより凹部ＲＣに金属含有膜ＭＤが形成される。一実施形態において、金属含有膜ＭＤは凹部ＲＣの底部側の側壁ＳＳに形成される。一実施形態において、金属含有膜は、当該底部側の側壁ＳＳから凹部ＲＣの頂部側の側壁ＳＳの一部にわたって連続的に形成されてよく、また凹部ＲＣの頂部側の側壁ＳＳには形成されなくてもよい。なお、「底部側」は凹部ＲＣの深さＤ１（図６参照）の半分よりも下方の（深い）位置でよく、「頂部側」は、凹部ＲＣの深さＤ１の半分よりも上方の（浅い）位置でよい。一実施形態において、金属含有膜ＭＤは、凹部ＲＣの底部ＢＴに形成されてよい。金属含有膜ＭＤは凹部ＲＣの底部ＢＴと底部ＢＴの近傍の側壁ＳＳにわたって連続的に形成されてもよい。金属含有膜ＭＤは、工程ＳＴ４における凹部ＲＣのさらなるエッチングにおいて、当該金属含有膜ＭＤが形成された側壁ＳＳに対する保護を提供し得る。
【0093】
図７は、工程ＳＴ３における金属含有膜の形成過程の一例を示す図である。図７において（Ａ）～（Ｃ）はそれぞれ工程ＳＴ３の初期、中期及び終期における基板Ｗの断面状態の一例を示す。図７の（Ａ）から（Ｃ）に順に示すように、金属含有膜ＭＤは、凹部ＲＣの底部ＢＴから上方に向かって側壁ＳＳにボトムアップで形成されてよい。工程ＳＴ３の終了時（図７の（Ｃ））においては、金属含有膜ＭＤは、底部ＢＴ及び深さＤ３よりも下方の（深い）位置の側壁ＳＳにわたって形成されている。一実施形態において、深さＤ３は凹部ＲＣの深さＤ１の５０％（半分）でよく、また６０％、７０％、８０％又は９０％でもよい。
【0094】
（工程ＳＴ４：凹部のエッチング）
工程ＳＴ４において、エッチング対象膜ＥＦの凹部ＲＣがさらにエッチングされる。工程ＳＴ４は、上述した工程ＳＴ２におけるエッチングと同様に行ってよい。なお、工程ＳＴ４において、エッチング条件（処理ガスの種類、チャンバ１０内の圧力、基板支持部１１の温度、ソースＲＦ信号のレベル、バイアス信号の有無又はそのレベル等）の少なくとも一部が、工程ＳＴ２から変更されてよい。
工程ＳＴ４において、エッチング対象膜ＥＦの凹部ＲＣがさらにエッチングされる。工程ＳＴ４は、上述した工程ＳＴ２におけるエッチングと同様に行ってよい。なお、工程ＳＴ４において、エッチング条件（処理ガスの種類、チャンバ１０内の圧力、基板支持部１１の温度、ソースＲＦ信号のレベル、バイアス信号の有無又はそのレベル等）の少なくとも一部が、工程ＳＴ２から変更されてよい。
【0095】
工程ＳＴ４のエッチングにおいて、金属含有膜ＭＤは当該金属含有膜ＭＤが形成された側壁ＳＳに対する保護を提供し得る。すなわち、当該部分の側壁ＳＳが幅方向に広がること、すなわちボーイングが発生することが抑制され得る。
【0096】
図８は、工程ＳＴ４の処理後の基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。図８に示すように、工程ＳＴ４の処理により、凹部ＲＣが深さ方向にさらに深さＤ２までエッチングされ、底部ＢＴが下地膜ＵＦに到達している。図８に示す例では、金属含有膜ＭＤは、エッチングの進行に伴い除去される一方で、当該金属含有膜ＭＤによる保護効果により、高アスペクト領域も含め凹部ＲＣの側壁ＳＳにボーイングが生じることが抑制されている。
【0097】
本方法によれば、工程ＳＴ３において凹部ＲＣの少なくとも底部側の側壁ＳＳに金属含有膜が形成される。これにより工程ＳＴ４における凹部のエッチングにおいて凹部ＲＣの底部側（高アスペクト領域）においてボーイングが発生することが抑制し得る。すなわち、図３に示すような第２のボーイング（ミドルボーイング、セカンドボーイング）についてもその発生が抑制され得る。
【0098】
＜変形例＞
本方法は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。一実施形態において、本方法に係る処理は、同一のチャンバ１０で実行されなくてもよい。例えば、工程ＳＴ２と工程ＳＴ３とは異なるプラズマ処理チャンバで実行されてよい。また例えば、工程ＳＴ３と工程ＳＴ４とは、異なるプラズマ処理チャンバで実行されてよい。
本方法は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。一実施形態において、本方法に係る処理は、同一のチャンバ１０で実行されなくてもよい。例えば、工程ＳＴ２と工程ＳＴ３とは異なるプラズマ処理チャンバで実行されてよい。また例えば、工程ＳＴ３と工程ＳＴ４とは、異なるプラズマ処理チャンバで実行されてよい。
【0099】
一実施形態において、工程ＳＴ３と工程ＳＴ４とを繰り返してよい。すなわち、工程ＳＴ３と工程ＳＴ４とを１つのサイクルとして、当該サイクルを複数回繰り返し、金属含有膜の形成と、凹部のエッチングとを交互に繰り返してよい。
【0100】
＜実施例＞
次に、本方法の実施例について説明する。本開示は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
次に、本方法の実施例について説明する。本開示は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
【0101】
（実施例１）
図２に示すプラズマ処理装置１を用いて、図４で説明したフローチャートに沿って、図５に示す基板Ｗと同様の構造を有する基板をエッチングした。マスクＭＫはシリコン酸窒化膜であり、エッチング対象膜ＥＦはアモルファスカーボン膜であった。マスクＭＫの開口ＯＰはホール形状を有し、開口径は８０ｎｍであっった。
図２に示すプラズマ処理装置１を用いて、図４で説明したフローチャートに沿って、図５に示す基板Ｗと同様の構造を有する基板をエッチングした。マスクＭＫはシリコン酸窒化膜であり、エッチング対象膜ＥＦはアモルファスカーボン膜であった。マスクＭＫの開口ＯＰはホール形状を有し、開口径は８０ｎｍであっった。
【0102】
実施例１では、工程ＳＴ２において、第１の処理ガスはＯ２ガス及びＣＯＳガスを含んでいた。工程ＳＴ２においては、ソースＲＦ信号に加えて、バイアスＲＦ信号が供給された。工程ＳＴ２において、チャンバ１０内の圧力は３０ｍＴｏｒｒに制御され、基板支持部１１の温度は－６０℃に制御された。工程ＳＴ２は２４０秒間実行された。
【0103】
実施例１では、工程ＳＴ３において、第２の処理ガスは、ＷＦ６ガス（金属含有ガス）、Ｈ２ガス（還元性ガス）及びＡｒガス（不活性ガス）を含んでいた。工程ＳＴ３においては、ソースＲＦ信号のみが供給され、バイアス信号は供給されなかった。工程ＳＴ３において、チャンバ１０内の圧力は２００ｍＴｏｒｒに制御され、基板支持部１１の温度は－６０℃に制御された。工程ＳＴ３は６０秒間実行された。
【0104】
実施例１では、工程ＳＴ４は、工程ＳＴ２と同一の条件で実行された。工程ＳＴ４は、１８０秒間実行された。
【0105】
実施例１による処理により、エッチング対象膜ＥＦに略３．５μｍの凹部ＲＣが形成された。凹部ＲＣの断面を観察したところ、深さ２μｍ以下の高アスペクト領域においても、ボーイングの発生はみられなかった。
【0106】
＜実験＞
次に工程ＳＴ２における金属含有膜ＭＤの形成について時間依存性、温度依存性及び圧力依存性を検証する実験を行った。本開示は、以下の実験によって何ら限定されるものではない。
次に工程ＳＴ２における金属含有膜ＭＤの形成について時間依存性、温度依存性及び圧力依存性を検証する実験を行った。本開示は、以下の実験によって何ら限定されるものではない。
【0107】
（時間依存性）
実施例１と同様の基板に対し、実施例１と同一の条件で工程ＳＴ２をそれぞれ１０秒間、２０秒間、６０秒間実行し、金属含有膜ＭＤの成膜状況を観察した。工程ＳＴ２を１０秒間実行した基板では、凹部の底部及び底部の上方５３ｎｍまでの側壁に金属含有膜ＭＤが形成されていた。工程ＳＴ２を２０秒間実行した基板では、凹部の底部及び底部の上方６４ｎｍまでの側壁に金属含有膜ＭＤが形成されていた。工程ＳＴ２を６０間秒実行した基板では、凹部の底部及び底部の上方２４９ｎｍまでの側壁に金属含有膜ＭＤが形成されていた。すなわち、工程ＳＴ２の処理時間を長くすることで、金属含有膜ＭＤは底部からより上方まで形成された。
実施例１と同様の基板に対し、実施例１と同一の条件で工程ＳＴ２をそれぞれ１０秒間、２０秒間、６０秒間実行し、金属含有膜ＭＤの成膜状況を観察した。工程ＳＴ２を１０秒間実行した基板では、凹部の底部及び底部の上方５３ｎｍまでの側壁に金属含有膜ＭＤが形成されていた。工程ＳＴ２を２０秒間実行した基板では、凹部の底部及び底部の上方６４ｎｍまでの側壁に金属含有膜ＭＤが形成されていた。工程ＳＴ２を６０間秒実行した基板では、凹部の底部及び底部の上方２４９ｎｍまでの側壁に金属含有膜ＭＤが形成されていた。すなわち、工程ＳＴ２の処理時間を長くすることで、金属含有膜ＭＤは底部からより上方まで形成された。
【0108】
（温度依存性）
実施例１と同様の基板に対し、基板支持部１１の温度を変更した点を除き、実施例１と同一の条件で工程ＳＴ２を６０秒間実行し、金属含有膜ＭＤの成膜状況を観察した。基板支持部１１の温度を－６０℃とした基板では、金属含有膜ＭＤが底部及び底部近傍の側壁に形成された。これに対し、基板支持部１１の温度を０℃とした基板では、金属含有膜ＭＤの形成は確認されなかった。
実施例１と同様の基板に対し、基板支持部１１の温度を変更した点を除き、実施例１と同一の条件で工程ＳＴ２を６０秒間実行し、金属含有膜ＭＤの成膜状況を観察した。基板支持部１１の温度を－６０℃とした基板では、金属含有膜ＭＤが底部及び底部近傍の側壁に形成された。これに対し、基板支持部１１の温度を０℃とした基板では、金属含有膜ＭＤの形成は確認されなかった。
【0109】
（圧力依存性）
実施例１と同様の基板に対し、チャンバ１０内の圧力を変更した点を除き、実施例１と同一の条件で工程ＳＴ２を６０秒間実行し、金属含有膜ＭＤの成膜状況を観察した。チャンバ１０内の圧力を１５０ｍＴｏｒｒ、２００ｍＴｏｒｒ、３００ｍＴｏｒｒ、４００ｍＴｏｒｒとした基板では、いずれも、金属含有膜ＭＤが底部及び底部近傍の側壁に形成された。これに対し、チャンバ１０内の圧力を１００ｍＴｏｒｒとした基板では、金属含有膜ＭＤの形成は確認されなかった。
実施例１と同様の基板に対し、チャンバ１０内の圧力を変更した点を除き、実施例１と同一の条件で工程ＳＴ２を６０秒間実行し、金属含有膜ＭＤの成膜状況を観察した。チャンバ１０内の圧力を１５０ｍＴｏｒｒ、２００ｍＴｏｒｒ、３００ｍＴｏｒｒ、４００ｍＴｏｒｒとした基板では、いずれも、金属含有膜ＭＤが底部及び底部近傍の側壁に形成された。これに対し、チャンバ１０内の圧力を１００ｍＴｏｒｒとした基板では、金属含有膜ＭＤの形成は確認されなかった。
【0110】
本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。
【0111】
（付記１）
エッチング方法であって、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、工程と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、工程と、を含む
エッチング方法。
エッチング方法であって、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、工程と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、工程と、を含む
エッチング方法。
【0112】
（付記２）
前記（ｃ）の工程において、前記金属含有膜は、前記凹部の底部側の側壁に形成される、付記１に記載のエッチング方法。
前記（ｃ）の工程において、前記金属含有膜は、前記凹部の底部側の側壁に形成される、付記１に記載のエッチング方法。
【0113】
（付記３）
前記（ｃ）の工程において、前記金属含有膜は、前記凹部の底部及び当該底部近傍に形成される、付記１又は付記２に記載のエッチング方法。
前記（ｃ）の工程において、前記金属含有膜は、前記凹部の底部及び当該底部近傍に形成される、付記１又は付記２に記載のエッチング方法。
【0114】
（付記４）
前記（ｃ）の工程において、前記金属含有膜は、前記凹部の深さの半分の位置よりも深い位置にある側壁に形成される、付記１から付記３のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記（ｃ）の工程において、前記金属含有膜は、前記凹部の深さの半分の位置よりも深い位置にある側壁に形成される、付記１から付記３のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0115】
（付記５）
前記（ｃ）の工程中に、前記金属含有膜は前記凹部の底部から上方に向かって形成されていく、付記１から付記４のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記（ｃ）の工程中に、前記金属含有膜は前記凹部の底部から上方に向かって形成されていく、付記１から付記４のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0116】
（付記６）
前記（ｂ）の工程の終了時において、前記凹部のアスペクト比は２０以上である、付記１から付記５のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記（ｂ）の工程の終了時において、前記凹部のアスペクト比は２０以上である、付記１から付記５のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0117】
（付記７）
（ｄ）前記（ｃ）の工程の後に、前記凹部をさらにエッチングする工程をさらに含む、付記１から付記６のいずれか１つに記載のエッチング方法。
（ｄ）前記（ｃ）の工程の後に、前記凹部をさらにエッチングする工程をさらに含む、付記１から付記６のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0118】
（付記８）
前記（ｃ）の工程と前記（ｄ）の工程とを交互に複数回繰り返す、付記７に記載のエッチング方法。
前記（ｃ）の工程と前記（ｄ）の工程とを交互に複数回繰り返す、付記７に記載のエッチング方法。
【0119】
（付記９）
前記（ｂ）の工程の終了時における前記凹部の深さは、エッチング終了時の前記凹部の深さの３０％以上である、付記７又は付記８に記載のエッチング方法。
前記（ｂ）の工程の終了時における前記凹部の深さは、エッチング終了時の前記凹部の深さの３０％以上である、付記７又は付記８に記載のエッチング方法。
【0120】
（付記１０）
前記処理ガスは、還元性ガスを更に含む、付記１から付記９のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記処理ガスは、還元性ガスを更に含む、付記１から付記９のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0121】
（付記１１）
前記金属含有ガスは、タングステン、チタン及びモリブデンからなる群から選択される金属の少なくとも１種を含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記金属含有ガスは、タングステン、チタン及びモリブデンからなる群から選択される金属の少なくとも１種を含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0122】
（付記１２）
前記金属含有ガスは、ハロゲンをさらに含む、付記１１に記載のエッチング方法。
前記金属含有ガスは、ハロゲンをさらに含む、付記１１に記載のエッチング方法。
【0123】
（付記１３）
前記第２の温度は、０℃未満である、付記１から付記１２のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記第２の温度は、０℃未満である、付記１から付記１２のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0124】
（付記１４）
前記第２の圧力は、１５０ｍＴｏｒｒ以上である、付記１から付記１３のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記第２の圧力は、１５０ｍＴｏｒｒ以上である、付記１から付記１３のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0125】
（付記１５）
前記エッチング対象膜は炭素を含み、前記マスクはシリコン又は金属を含む、付記１から付記１４のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記エッチング対象膜は炭素を含み、前記マスクはシリコン又は金属を含む、付記１から付記１４のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0126】
（付記１６）
前記（ｂ）の工程において、酸素含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて、前記エッチング対象膜をエッチングする、付記１５に記載のエッチング方法。
前記（ｂ）の工程において、酸素含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて、前記エッチング対象膜をエッチングする、付記１５に記載のエッチング方法。
【0127】
（付記１７）
前記エッチング対象膜はシリコンを含み、前記マスクは炭素又は金属を含む、付記１から付記１４のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記エッチング対象膜はシリコンを含み、前記マスクは炭素又は金属を含む、付記１から付記１４のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0128】
（付記１８）
前記（ｂ）の工程において、フッ素含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて、前記エッチング対象膜をエッチングする、付記１７に記載のエッチング方法。
前記（ｂ）の工程において、フッ素含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて、前記エッチング対象膜をエッチングする、付記１７に記載のエッチング方法。
【0129】
（付記１９）
エッチング方法であって、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する工程と、
（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が０℃未満に制御される、工程と、を含む
エッチング方法。
エッチング方法であって、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する工程と、
（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が０℃未満に制御される、工程と、を含む
エッチング方法。
【0130】
（付記２０）
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
（ａ）前記チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する制御と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、制御と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、制御と、を実行する
プラズマ処理装置。
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
（ａ）前記チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する制御と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、制御と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、制御と、を実行する
プラズマ処理装置。
【0131】
（付記２１）
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する制御と、
（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が０℃未満に制御される、制御と、を実行する
プラズマ処理装置。
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する制御と、
（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が０℃未満に制御される、制御と、を実行する
プラズマ処理装置。
【0132】
（付記２２）
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置において実行されるデバイス製造方法であって、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、工程と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、工程と、を含む
デバイス製造方法。
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置において実行されるデバイス製造方法であって、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、工程と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、工程と、を含む
デバイス製造方法。
【0133】
（付記２３）
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置において実行されるデバイス製造方法であって、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する工程と、
（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が０℃未満に制御される、工程と、を含む
デバイス製造方法。
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置において実行されるデバイス製造方法であって、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する工程と、
（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する工程であって、前記チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が０℃未満に制御される、工程と、を含む
デバイス製造方法。
【0134】
（付記２４）
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置のコンピュータに、
（ａ）前記チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する制御と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、制御と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、制御と、を実行させる
プログラム。
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置のコンピュータに、
（ａ）前記チャンバ内の基板支持部上に、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する制御と、
（ｂ）前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が第１の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が第１の温度に制御される、制御と、
（ｃ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が前記第１の温度以下の第２の温度に制御される、制御と、を実行させる
プログラム。
【0135】
（付記２５）
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置のコンピュータに、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する制御と、
（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が０℃未満に制御される、制御と、を実行させる
プログラム。
チャンバと制御部とを有するプラズマ処理装置のコンピュータに、
（ａ）チャンバ内の基板支持部上に、凹部を有する基板を提供する制御と、
（ｂ）金属含有ガスを含む処理ガスから生成したプラズマを用いて前記凹部の側壁の一部に金属含有膜を形成する制御であって、前記チャンバ内の圧力が１５０ｍＴｏｒｒ以上に制御され、かつ、前記基板支持部の温度が０℃未満に制御される、制御と、を実行させる
プログラム。
【0136】
（付記２６）
付記２４又は付記２５のいずれかに記載のプログラムを格納した、記憶媒体。
付記２４又は付記２５のいずれかに記載のプログラムを格納した、記憶媒体。
【0137】
以上の各実施形態は、説明の目的で記載されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。以上の各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。
【符号の説明】
【0138】
１……プラズマ処理装置、２……制御部、１０……プラズマ処理チャンバ、１０ｓ……プラズマ処理空間、１１……基板支持部、１４……アンテナ、２０……ガス供給部、３１ａ……第１のＲＦ生成部、３１ｂ……第２のＲＦ生成部、３２ａ……第１のＤＣ生成部、ＥＦ……エッチング対象膜、ＭＤ……金属含有膜、ＭＫ……マスク、ＯＰ……開口、ＲＣ……凹部、ＵＦ……下地膜、Ｗ……基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】