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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024094183
(43)【公開日】2024-07-09
(54)【発明の名称】ワーク加工方法
(51)【国際特許分類】
   H01L 21/304 20060101AFI20240702BHJP
   H01L 21/02 20060101ALI20240702BHJP
   B24B 41/06 20120101ALI20240702BHJP
【FI】
H01L21/304 622J
H01L21/304 631
H01L21/02 C
B24B41/06 L
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2022210981
(22)【出願日】2022-12-27
(71)【出願人】
【識別番号】000151494
【氏名又は名称】株式会社東京精密
(74)【代理人】
【識別番号】100169960
【弁理士】
【氏名又は名称】清水 貴光
(72)【発明者】
【氏名】清野 悠太
(72)【発明者】
【氏名】八木 隆之
【テーマコード(参考)】
3C034
5F057
【Fターム(参考)】
3C034AA08
3C034BB73
3C034BB75
3C034DD10
5F057AA03
5F057AA31
5F057BA12
5F057BA19
5F057BA26
5F057BB03
5F057CA02
5F057CA11
5F057CA14
5F057DA01
5F057DA11
5F057EB17
5F057EB20
5F057EC03
5F057EC04
5F057EC05
5F057EC13
5F057EC14
5F057EC15
5F057FA13
5F057FA28
5F057FA30
5F057GA12
5F057GA21
5F057GB02
5F057GB13
5F057GB17
(57)【要約】      (修正有)
【課題】非同心円状の凹凸が形成されたワークを簡便に加工可能なワーク加工方法を提供する。
【解決手段】ワーク1の表面2側をチャックテーブル31で吸着保持した状態でワークの裏面5を砥石で研削するワーク加工方法であって、ワークをチャックテーブルに吸着保持させる前に、表面側に形成された凹部r1に充填物9を充填して凹部の落ち込みを減少させる。凹部が充填物で塞がれた状態でワークを研削することにより、低表面領域であるIDエリアA21が形成されたワークであっても略平坦に加工することができる。
【選択図】図4
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ワークの一方面側をチャックテーブルで吸着保持した状態で前記ワークの他方面を砥石で研削する加工方法であって、
前記ワークを前記チャックテーブルに吸着保持させる前に、前記一方面側に形成された凹部に充填物を充填して前記凹部の落ち込みを減少させることを特徴とするワーク加工方法。
【請求項2】
前記ワークの一方面には、突起電極を有するデバイスが形成されたデバイス領域と、前記突起電極より高さが相対的に低い低表面領域と、が形成され、
前記凹部は、前記一方面を覆うように貼着された保護テープの表面上に前記低表面領域に対応して形成されることを特徴とする請求項1に記載のワーク加工方法。
【請求項3】
前記低表面領域は、前記ワークを識別可能なIDがマーキングされて前記一方面より落ち込んだIDエリアであることを特徴とする請求項2に記載のワーク加工方法。
【請求項4】
前記低表面領域は、前記デバイス領域内において前記突起電極が局所的に形成されていないノンパターン領域であることを特徴とする請求項2に記載のワーク加工方法。
【請求項5】
前記低表面領域は、前記デバイス領域を囲繞するように設けられているとともに前記デバイスが形成されていないノンデバイス領域であることを特徴とする請求項2に記載のワーク加工方法。
【請求項6】
前記ワークを前記チャックテーブルに吸着保持させる前に、前記凹部に前記充填物が充填された前記保護テープの表面を覆うようにカバーテープを貼着することを特徴とする請求項2に記載のワーク加工方法。
【請求項7】
前記充填物は、液体状態で前記凹部に充填された後に固化可能な物質から成ることを特徴とする請求項1に記載のワーク加工方法。
【請求項8】
前記充填物は、UV硬化インクから成ることを特徴とする請求項7に記載のワーク加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ワークを加工するワーク加工方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ(以下、「ワーク」という)を薄く形成するために、ワークを吸着保持するチャックテーブル及び砥石をそれぞれ回転させながら、砥石をワークに押し当ててワークを所定厚みに研削するインフィード研削が行われている。このような研削方式では、砥石とワークとが接触する加工領域は平面から視て円弧状に形成されるため、ワークの厚みは同心円状で同一に研削される。
【0003】
しかしながら、近年では、バンプやパターンブランク部等の非同心円状の凹凸が形成されたワークや、貼り合わせ精度等によって表面に非同心円状の緩やかな凹凸(うねり)が生じがちな複合基板を研削したいとのニーズが存在する。
【0004】
例えば、特許文献1には、保護テープで段差を吸収しきれないハイバンプタイプの電極バンプを備えるデバイスが表面側に形成された被加工物を研削するにあたって、バンプが形成されていない被加工物の外周余剰領域に、ジェットディスペンサを用いて液状樹脂を塗布して段差解消部材を形成し、段差解消部材及び電極バンプを覆うように保護部材を貼り付ける加工方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2020-123666号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献1に記載された加工方法において、段差解消部材がUV硬化インクから成る場合には、段差解消部材と被加工物との粘着性が弱く研削時に被加工物から剥離し易く、また、段差解消部材が他種の樹脂から成る場合には、段差解消部材と被加工物との粘着性が過剰で被加工物から剥離しにくい等の問題があった。
【0007】
そこで、非同心円状の凹凸が形成されたワークを簡便に加工するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するために、本発明に係るワーク加工方法は、ワークの一方面側をチャックテーブルで吸着保持した状態で前記ワークの他方面を砥石で研削する加工方法であって、前記ワークを前記チャックテーブルに吸着保持させる前に、前記一方面側に形成された凹部に充填物を充填して前記凹部の落ち込みを減少させる。
【0009】
また、本発明に係るワーク加工方法は、前記ワークの一方面には、突起電極を有するデバイスが形成されたデバイス領域と、前記突起電極より高さが相対的に低い低表面領域と、が形成され、前記凹部は、前記一方面を覆うように貼着された保護テープの表面上に前記低表面領域に対応して形成されることが好ましい。
【0010】
また、本発明に係るワーク加工方法は、前記低表面領域が、前記ワークを識別可能なIDがマーキングされて前記一方面より落ち込んだIDエリアであることが好ましい。
【0011】
また、本発明に係るワーク加工方法は、前記低表面領域が、前記デバイス領域内において前記突起電極が局所的に形成されていないノンパターン領域であることが好ましい。
【0012】
また、本発明に係るワーク加工方法は、前記低表面領域が、前記デバイス領域を囲繞するように設けられているとともに前記デバイスが形成されていないノンデバイス領域であることが好ましい。
【0013】
また、本発明に係るワーク加工方法は、前記ワークを前記チャックテーブルに吸着保持させる前に、前記凹部に前記充填物が充填された前記保護テープの表面を覆うようにカバーテープを貼着することが好ましい。
【0014】
また、本発明に係るワーク加工方法は、前記充填物が、液体状態で前記凹部に充填された後に固化可能な物質から成ることが好ましい。
【0015】
また、本発明に係るワーク加工方法は、前記物質が、UV硬化インクであることが好ましい。
【発明の効果】
【0016】
本発明は、充填物が凹部に充填されて凹部の落ち込みが減少された状態でワークを研削することにより、非同心円状の凹凸が形成されたワークを略平坦に加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
図1】表面に非同心状の凹凸が形成されたワークを示す図であり、(a)はワークの表面側を示す平面図であり、(b)は表面側にBGテープが貼付されたワークを示す平面図であり、(c)はBGテープが貼付されたワークの縦断面図である。
図2】ワーク加工方法の手順を示すフローチャートである。
図3】ワーク加工方法の手順を示す模式図である。
図4】ワーク加工方法における要部を模式的に示す断面図である。
図5】BGテープ上に保護テープを重ねて貼付した状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。
【0019】
また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。
【0020】
また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
【0021】
図1(a)は、ワーク1の表面2側を示す平面図である。本実施形態に係るワーク1は、円板状に形成されたシリコン基板である。なお、ワーク1の材質又は形状等は、如何なるものであっても構わない。また、ワーク1は、単一の基板から成るものであっても、脆性材料から成る基板又は目標厚みが極めて薄い基板に支持基板が貼り合された複合基板等であっても構わない。
【0022】
ワーク1の表面2には、複数のデバイス3が互いに区画されて設けられたデバイス領域A1が中央付近に形成されている。各デバイス3には、突起電極である後述するバンプ4が形成されている。
【0023】
また、ワーク1の表面2には、バンプ4が形成されておらずバンプ4より高さが相対的に低い低表面領域A2が形成されている。低表面領域A2には、例えば、表面2に凹設されてワーク1を識別可能なIDがマーキングされたIDエリアA21、デバイス領域A1内においてバンプ4を含むパターンが局所的に形成されていないノンパターン領域A22、又はデバイス領域A1を囲繞するようにワーク1の周縁に沿って略環状に形成されるとともにデバイス3が形成されていないノンデバイス領域A23等が含まれる。なお、符号5は、後述する砥石33により削り取られるワーク1の裏面(被研削面)である。
【0024】
図1(b)は、表面2側に保護テープとしてのBG(バックグラインド)テープ6が貼付されたワーク1を示す平面図である。図1(c)は、BGテープ6が貼着されたワーク1の縦断面図である。ワーク1の裏面研削に先立って、ワーク1の表面2側には、デバイス3を保護するBGテープ6が全面に亘って貼り付けられる。BGテープ6は、バンプ4がめり込む程度に柔らかい。
【0025】
平面から視てBGテープ6のうちIDエリアA21に重なる部分は、バンプ4の高さに加えてIDエリアA21が凹設された深さの分だけBGテープ6のうちデバイス領域A1に重なる部分より相対的に低く、BGテープ6の表面7に凹部r1が形成される。また、平面から視てBGテープ6のうちノンパターン領域A22に重なる部分は、バンプ4の高さの分だけBGテープ6のうちデバイス領域A1に重なる部分より相対的に低く、BGテープ6の表面7に凹部r2が形成される。さらに、平面から視てBGテープ6のうちノンデバイス領域A23に重なる部分は、バンプ4の高さの分だけBGテープ6のうちデバイス領域A1に重なる部分より相対的に低く、BGテープ6の表面7に凹部r3が形成される。
【0026】
次に、ワーク1を加工する加工方法について説明する。図2は、ワーク加工方法の手順を示すフローチャートである。図3は、ワーク加工方法の手順を示す模式図である。図4は、ワーク加工方法における要部を模式的に示す断面図である。なお、以下では、表面2にIDエリアA21及びノンデバイス領域A23が形成されているワーク1を加工する場合を例に説明するが、ワーク1の形状はこれに限定されるものではない。
【0027】
<BGテープ貼着>
まず、ワーク1の表面2側にBGテープ6を貼着する(ステップS1)。具体的には、図3(a)に示すように、ワーク1の上方に繰り出されたBGテープ6を押圧ローラ10でワーク1の表面2側に貼着する。ワーク1は、図示しないチャックテーブルに吸着保持されており、チャックテーブルを水平方向にスライドさせることにより、BGテープ6が、ワーク1の全面に亘って貼り付けられる。
【0028】
BGテープ6には、一般的にUV(Ultra Violet)を照射することで固化するUV硬化タイプが用いられるが、後述する充填物9にUV硬化インク8を用いる場合、UV硬化インク8にUVを照射して硬化させる際にBGテープ6も同時に硬化して剥離する虞がある。したがって、充填物9にUV硬化インク8を用いる場合には、BGテープ6は、非UV硬化タイプが好ましい。なお、BGテープ6は、スピンコート又はスプレーコート等により形成された樹脂膜等であっても構わない。
【0029】
<テープ表面形状測定>
次に、BGテープ6の表面7側の形状を測定する(ステップS2)。具体的には、図3(b)に示すように、形状測定器11をBGテープ6の上方で走査させて、BGテープ6の表面形状を測定する。形状測定器11は、例えば触針式の段差計や光学式表面形状測定器等である。
【0030】
BGテープ6の表面7には、局所的且つ非同心円状の凹凸が形成されている。例えば、ワーク1にIDエリアA21及びノンデバイス領域A23が形成されている場合、図4(a)に示すように、表面7のうちIDエリアA21と重なる部分には、凹部r1が形成され、表面7のうちノンデバイス領域A23と重なる部分には、凹部r3が形成されている。したがって、形状測定器11は、BGテープ6の表面7の形状、特に凹部r1、r3の座標及びその深さを測定する。なお、表面7の形状が既知である場合には、本工程は省略可能である。
【0031】
<樹脂充填>
次に、BGテープ6の表面7の凹部r1、r3に、UV硬化インク8を充填する(ステップS3)。具体的には、まず、図3(c)に示すように、UVインクジェットプリンタ20のインクジェットヘッド21から液状のUV硬化インク8を凹部r1、r3に微小量吐出する。UVインクジェットプリンタ20には、形状測定器11が測定した凹部r1、r3の座標及びその深さを含むCADデータが入力され、インクジェットヘッド21は、凹部r1、r3に所定量のUV硬化インク8を吐出する。なお、UV硬化インク8は、液状のUV硬化樹脂から成る。
【0032】
次に、図3(d)に示すように、UVインクジェットプリンタ20のUV照射装置22からUV光を照射して凹部r1、r3に吐出されたUV硬化インク8を硬化定着させて充填物9を形成する。これにより、図4(b)に示すように、凹部r1、r3が充填物9で塞がれて、BGテープ6の表面7が略面一に均される。UVインクジェットプリンタ20は、公知の構成であり、例えばローランド ディー.ジー.株式会社製フラットベッドUVプリンタ(型番:Versa UV LEF2 300)等である。
【0033】
UV硬化インク8を硬化させた後にBGテープ6の表面7の形状を再測定し、必要に応じてUV硬化インク8を凹部r1、r3に再充填しても構わない。また、BGテープ6の表面7は必ずしも略面一である必要はなく、後述する研削加工に影響を及ぼさない範囲で、表面7との段差を軽減する程度に凹部r1、r3にUV硬化インク8が充填されていれば構わない。
【0034】
充填物9を充填する方法としては、UVインクジェットプリンタ20の他に、液状樹脂中に光を照射して所望の箇所のみ樹脂を硬化させて3次元構造物を得る光造形や各種リソグラフィ等も考えられるが、UVインクジェットプリンタ20は、UV硬化インク8を吐出する位置をCADデータ等で簡便に指定可能であり、また一度硬化させたUV硬化インク8上に再度UV硬化インク8を重ねる重ね打ちが可能であってBGテープ6の表面形状に細かく対応可能である点で好適である。さらに、UVインクジェットプリンタ20が吐出するインクの種類や吐出量、重ね打ち回数は任意に調整できるのが好ましい。
【0035】
なお、充填物9の材質は、UV硬化インク8に限らず、例えば光照射や加熱により急速に固化する樹脂、常温で緩やかに固化する樹脂、銀インク又は絶縁性を示す材質等であっても構わないが、光照射や加熱により急速に固化する樹脂は、重ね打ちが可能な点で好適である。
【0036】
<研削>
次に、研削装置30を用いてワーク1を薄く研削する(ステップS4)。具体的には、まず、表面2を下にした状態でワーク1をチャックテーブル31に載置させる。
【0037】
チャックテーブル31は、上面にアルミナ等の多孔質材料から成る吸着体32を備えている。チャックテーブル31は、内部を通って吸着体32に延びる管路を備えている。管路は、ロータリージョイントを介して真空源に接続されている。真空源が起動すると、チャックテーブル31上に載置されたワーク1がBGテープ6を介してチャックテーブル31に吸着保持される。
【0038】
このとき、図4(c)に示すように、BGテープ6の表面7は、チャックテーブル31に隙間なく密着している。このようにして、BGテープ6の凹部r1、r3が充填物9で塞がれていることにより、凹部r1、r3から真空リークやスラッジの吸い込みが発生することを抑制できる。
【0039】
次に、図3(e)に示すように、チャックテーブル31上に真空吸着されたワーク1の裏面5を砥石33で研削する。
【0040】
砥石33は、例えばカップ型砥石であり、チャックテーブル31の上方に設置された砥石スピンドル34の下端に取り付けられ、砥石スピンドル34によって回転軸35回りに回転駆動する。砥石33の番手は、例えば#8000である。砥石33の加工面は、略円環状に形成されている。砥石スピンドル34は、図示しないインフィード機構によって垂直方向に昇降する。インフィード機構は、例えば、砥石スピンドル34を昇降させるボールネジスライダ機構である。
【0041】
チャックテーブル31は、チャックスピンドル36によって回転軸37回りに回転駆動する。チャックスピンドル36の駆動源は、例えばサーボモータ等である。また、チャックテーブル31は、回転軸37の傾きを調整可能なチルト機構が設けられている。回転軸37の傾きを調整することにより、砥石33とワーク1との接触具合を調整して研削後のワーク1の厚みを加減することができる。
【0042】
そして、砥石33をワーク1の近傍まで下降させた後に、砥石スピンドル34及びチャックスピンドル36をそれぞれ回転させた状態でインフィード機構を駆動し、砥石33をワーク1の裏面5に押し当てることにより、ワーク1の裏面5がインフィード研削される。例えば、砥石スピンドル34の回転速度は2000rpm、チャックスピンドル36の回転速度は300rpmに設定される。また、インフィード送り機構の送り速度は0.4μm/sに設定される。
【0043】
このとき、凹部r1、r3の落ち込みを軽減することなくワーク1を研削すると凹部r1、r3周辺のワーク1の研削量が局所的に増大し、研削後のワーク1に厚みバラつきが生じ得るところ、凹部r1、r3が充填物9で塞がれることにより、研削後のワーク1の厚みバラつきを抑制できる。
【0044】
研削中のワーク1の厚みを計測するインプロセスゲージ38の計測値が目標厚みに達すると、チャックスピンドル36及び砥石スピンドル34を停止させた後に、砥石33を上方に退避させる。
【0045】
<ワーク形状測定>
次に、研削後のワーク形状を測定して、研削の適否を判定する(ステップS5)。ワーク1の形状測定は、例えばワーク1の厚みを測定する光干渉式膜厚センサを用いて行われる。研削後のワーク形状と所定の判定基準(例えば、TTV1μm)とを比較して、研削後のワーク形状が判定基準を満たさない場合には(ステップS5でNo)、ステップS3に戻り、BGテープ6の表面7上の凹部r1、r3に充填物9を再び充填する。
【0046】
一方、研削後のワーク形状が判定基準を満たす場合には(ステップS5でYes)、研削を終了し、BGテープ6をワーク1から除去する。これにより、充填物9は、BGテープ6とともにワーク1から除去されるため、充填物9がワーク1に残留することを回避できる。
【0047】
このようにして、本実施形態に係るワーク加工方法は、ワーク1の表面2側をチャックテーブル31で吸着保持した状態でワーク1の裏面5を砥石33で研削する加工方法であって、ワーク1をチャックテーブル31に吸着保持させる前に、表面2側に形成された凹部r1~r3に充填物9を充填して凹部r1、r3の落ち込みを減少させる構成とした。
【0048】
このような構成によれば、凹部r1、r3が充填物9で塞がれた状態でワーク1を研削することにより、低表面領域A2が形成されたワーク1であっても略平坦に加工することができる。
【0049】
なお、上述した実施形態では、BGテープ6の表面7上に凹部r1、r3に生じたワーク1を例に説明したが、本発明は、他種のワーク1にも適用可能である。例えば、ワーク1が複合基板の場合、支持基板の平面精度や基板同士の貼り合わせの精度によってはワーク1に緩やかな凹凸(うねり)が生じ、ワーク1に貼着されたBGテープ6の表面7にもうねりが転写されるときがある。そこで、充填物9をBGテープ6の表面7に生じたうねりの凹部に充填して凹部の落ち込みを減少させた後に、ワーク1の裏面5を研削しても構わない。
【0050】
また、半導体材料のインゴットをスライスして半導体ウェハを製造する際に、研削又は研磨を行う装置の技術的制約により平面出しが困難な場合があるところ、スライス後の半導体ウェハのうねりや傾きに応じて充填物を塗布することにより、平面出しを精度良く行うことができる。
【0051】
また、図5に示すように、BGテープ6上の凹部r1、r3に充填物9を充填した後に、BGテープ6の表面7上にさらにカバーテープ40を重ねても構わない。カバーテープ40は、BGテープ6と同様の素材から成る。これにより、充填物9がBGテープ6とカバーテープ40との間にのみ介在し、充填物9がチャックテーブル31に接触することを回避できる。
【0052】
なお、本発明は、上記した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神を逸脱しない限り、上記以外にも種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。また、各実施形態を組み合わせても構わない。
【符号の説明】
【0053】
1 :ワーク
2 :(ワークの)表面
3 :デバイス
4 :バンプ
5 :(ワークの)裏面
6 :BGテープ
7 :(BGテープの)表面
8 :UV硬化インク
9 :充填物
10 :押圧ローラ
11 :形状測定器
20 :UVインクジェットプリンタ
21 :インクジェットヘッド
22 :UV照射装置
30 :研削装置
31 :チャックテーブル
32 :吸着体
33 :砥石
34 :砥石スピンドル
35 :(砥石スピンドルの)回転軸
36 :チャックスピンドル
37 :(チャックスピンドルの)回転軸
38 :インプロセスゲージ
40 :カバーテープ
A1 :デバイス領域
A2 :低表面領域
A21:IDエリア
A22:ノンパターン領域
A23:ノンデバイス領域
r1~r3:凹部
図1
図2
図3
図4
図5