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特開2024-97002シャワーヘッド、電極ユニット、ガス供給ユニット、基板処理装置及び基板処理システム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024097002
(43)【公開日】2024-07-17
(54)【発明の名称】シャワーヘッド、電極ユニット、ガス供給ユニット、基板処理装置及び基板処理システム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240709BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
【審査請求】有
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024068499
(22)【出願日】2024-04-19
(62)【分割の表示】P 2022080141の分割
【原出願日】2022-05-16
(31)【優先権主張番号】P 2021092921
(32)【優先日】2021-06-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126480
【弁理士】
【氏名又は名称】佐藤 睦
(74)【代理人】
【識別番号】100140431
【弁理士】
【氏名又は名称】大石 幸雄
(74)【代理人】
【識別番号】100135677
【弁理士】
【氏名又は名称】澤井 光一
(74)【代理人】
【識別番号】100131598
【弁理士】
【氏名又は名称】高村 和宗
(72)【発明者】
【氏名】須田 隆太郎
(72)【発明者】
【氏名】戸村 幕樹
(72)【発明者】
【氏名】野上 達
(72)【発明者】
【氏名】藥師寺 秀明
(72)【発明者】
【氏名】村上 貴宏
(72)【発明者】
【氏名】若生 悠輔
(57)【要約】 （修正有）
【課題】処理ガスに対する腐食耐性を高めるシャワーヘッド、電極ユニット、ガス供給ユニット、基板処理装置及び基板処理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理用のシャワーヘッドにおいて、第１の面ＢＤ１と、第１の面と反対側の第２の面ＢＤ２と、複数の内側面ＢＤ３とを有する本体部ＢＤは、複数の内側面が、第１の面から第２の面に亘って本体部を貫通する複数のガス孔を規定する。第２の面は、第１の耐腐食性材料で構成されている。
【選択図】図１Ｂ
【解決手段】プラズマ処理用のシャワーヘッドにおいて、第１の面ＢＤ１と、第１の面と反対側の第２の面ＢＤ２と、複数の内側面ＢＤ３とを有する本体部ＢＤは、複数の内側面が、第１の面から第２の面に亘って本体部を貫通する複数のガス孔を規定する。第２の面は、第１の耐腐食性材料で構成されている。
【選択図】図１Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
プラズマ処理用のシャワーヘッドであって、
第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面と、複数の内側面とを有する本体部であ
って、前記複数の内側面は、前記第１の面から前記第２の面に亘って前記本体部を貫通す
る複数のガス孔を規定する、本体部を備え、
前記第２の面は、第1の耐腐食性材料で構成されている、
シャワーヘッド。
第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面と、複数の内側面とを有する本体部であ
って、前記複数の内側面は、前記第１の面から前記第２の面に亘って前記本体部を貫通す
る複数のガス孔を規定する、本体部を備え、
前記第２の面は、第1の耐腐食性材料で構成されている、
シャワーヘッド。
【請求項2】
前記第１の耐腐食性材料は、前記本体部を構成する材料よりも、Ｆ2、ＸｅＦ2、ＷＦ6
、ＭｏＦ6、ＩＦ7、ＨＦ及びＣｌＦ3からなる群から選択される少なくとも１種を含むガ
スに対する腐食耐性が高い材料である、請求項１に記載のシャワーヘッド。
、ＭｏＦ6、ＩＦ7、ＨＦ及びＣｌＦ3からなる群から選択される少なくとも１種を含むガ
スに対する腐食耐性が高い材料である、請求項１に記載のシャワーヘッド。
【請求項3】
前記第１の耐腐食性材料は、前記本体部を構成する材料よりもフッ化水素ガスに対する
腐食耐性が高い材料である、請求項１に記載のシャワーヘッド。
腐食耐性が高い材料である、請求項１に記載のシャワーヘッド。
【請求項4】
前記第２の面に、前記第１の耐腐食性材料からなる膜を有する、請求項１に記載のシャ
ワーヘッド。
ワーヘッド。
【請求項5】
前記複数の内側面に、前記膜をさらに有する、請求項４に記載のシャワーヘッド。
【請求項6】
前記膜が前記第１の面に形成されていない、請求項４に記載のシャワーヘッド。
【請求項7】
前記本体部が、前記第１の耐腐食性材料で構成されている、請求項１に記載のシャワー
ヘッド。
ヘッド。
【請求項8】
前記第１の耐腐食性材料は、炭素含有材料又は金属含有材料である、請求項１乃至請求
項７のいずれか１項に記載のシャワーヘッド。
項７のいずれか１項に記載のシャワーヘッド。
【請求項9】
前記第１の耐腐食性材料は、フッ化炭素樹脂、カーボン、フッ素添加カーボン、ポリイ
ミド樹脂及びシリコンカーバイドからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求
項８に記載のシャワーヘッド。
ミド樹脂及びシリコンカーバイドからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求
項８に記載のシャワーヘッド。
【請求項10】
前記第１の耐腐食性材料は、金属、金属窒化物、金属炭化物、金属酸化物及び合金から
なる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項８に記載のシャワーヘッド。
なる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項８に記載のシャワーヘッド。
【請求項11】
前記本体部は、シリコン含有材料で構成されている、請求項１乃至請求項６のいずれか
１項に記載のシャワーヘッド。
１項に記載のシャワーヘッド。
【請求項12】
前記シリコン含有材料は、導電性のシリコン含有材料である、請求項１１に記載のシャ
ワーヘッド。
ワーヘッド。
【請求項13】
前記シリコン含有材料は、シリコン酸化物である、請求項１１に記載のシャワーヘッド
。
。
【請求項14】
前記本体部は、カーボンを含む基材と、前記基材の表面を覆うシリコンカーバイド膜と
から構成される、請求項１１に記載のシャワーヘッド。
から構成される、請求項１１に記載のシャワーヘッド。
【請求項15】
前記本体部は、略円板状であり、前記第１の面が円板の一方の面を構成し、前記第２の
面が当該円板の他方の面を構成する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のシャ
ワーヘッド。
面が当該円板の他方の面を構成する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のシャ
ワーヘッド。
【請求項16】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドの前記第２の面側に配置され、前記シャワーヘッドの前記複数のガ
ス孔に処理ガスを供給するためのガス供給路を有する導電性の支持体と、を備える電極ユ
ニット。
前記シャワーヘッドの前記第２の面側に配置され、前記シャワーヘッドの前記複数のガ
ス孔に処理ガスを供給するためのガス供給路を有する導電性の支持体と、を備える電極ユ
ニット。
【請求項17】
前記支持体の、前記シャワーヘッドの前記第２の面に対向する第３の面は第２の耐腐食
性材料で構成されている、請求項１６に記載の電極ユニット。
性材料で構成されている、請求項１６に記載の電極ユニット。
【請求項18】
前記第２の耐腐食性材料は、半封孔処理された陽極酸化皮膜である、請求項１７に記載
の電極ユニット。
の電極ユニット。
【請求項19】
プラズマ処理用のガス供給ユニットであって、
環状の本体部と、前記本体部の半径方向内側に、周方向に沿って複数設けられたガス孔
と、前記本体部の内部に設けられ、前記複数のガス孔に連通するガス供給路と、を備え、
前記ガス供給路は、少なくとも内周面が第１の耐腐食性材料で構成されている、
ガス供給ユニット。
環状の本体部と、前記本体部の半径方向内側に、周方向に沿って複数設けられたガス孔
と、前記本体部の内部に設けられ、前記複数のガス孔に連通するガス供給路と、を備え、
前記ガス供給路は、少なくとも内周面が第１の耐腐食性材料で構成されている、
ガス供給ユニット。
【請求項20】
プラズマ処理用のチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記基板支持器に前記シャワーヘッドの前記第１の面が対向するように前記チャンバの
上部に配置された請求項１６に記載の電極ユニットと、
プラズマ生成部と、
制御部と、
を備える基板処理装置。
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記基板支持器に前記シャワーヘッドの前記第１の面が対向するように前記チャンバの
上部に配置された請求項１６に記載の電極ユニットと、
プラズマ生成部と、
制御部と、
を備える基板処理装置。
【請求項21】
プラズマ処理用のチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記チャンバの内壁に沿って取り付けられた請求項１９に記載のガス供給ユニットと、
プラズマ生成部と、
制御部と、
を備える基板処理装置。
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記チャンバの内壁に沿って取り付けられた請求項１９に記載のガス供給ユニットと、
プラズマ生成部と、
制御部と、
を備える基板処理装置。
【請求項22】
前記チャンバは、フッ化水素ガスを含む処理ガスを供給するためのガスソース群と接続
しており、
前記制御部は、
前記支持体の、前記シャワーヘッドの前記第２の面に対向する第３の面の温度を２２０
℃以下に制御する工程と、
前記基板支持器上に、シリコン含有膜を有する基板を配置する工程と、
前記ガスソース群から前記チャンバ内に、前記処理ガスを供給する工程と、
前記プラズマ生成部により、前記処理ガスからプラズマを生成して、前記シリコン含有
膜をエッチングする工程と、
を含む処理を実行するように構成される、請求項２０に記載の基板処理装置。
しており、
前記制御部は、
前記支持体の、前記シャワーヘッドの前記第２の面に対向する第３の面の温度を２２０
℃以下に制御する工程と、
前記基板支持器上に、シリコン含有膜を有する基板を配置する工程と、
前記ガスソース群から前記チャンバ内に、前記処理ガスを供給する工程と、
前記プラズマ生成部により、前記処理ガスからプラズマを生成して、前記シリコン含有
膜をエッチングする工程と、
を含む処理を実行するように構成される、請求項２０に記載の基板処理装置。
【請求項23】
請求項２０に記載の基板処理装置と、
ガスソース群と
前記ガスソース群から前記基板処理装置に処理ガスを供給するためのガス供給管と、
を含み、
前記ガス供給管は、少なくとも内周面が耐腐食性材料で構成されている、
基板処理システム。
ガスソース群と
前記ガスソース群から前記基板処理装置に処理ガスを供給するためのガス供給管と、
を含み、
前記ガス供給管は、少なくとも内周面が耐腐食性材料で構成されている、
基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の例示的実施形態は、シャワーヘッド、電極ユニット、ガス供給ユニット、基板
処理装置及び基板処理システムに関する。
処理装置及び基板処理システムに関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、特許文献１にはプラズマを処理するチャンバの内側をコーティングする技術が
開示されている。
開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－２０８０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、処理ガスに対する腐食耐性を高める技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一つの例示的実施形態において、プラズマ処理用のシャワーヘッドであって、
第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面と、複数の内側面とを有する本体部であっ
て、前記複数の内側面は、前記第１の面から前記第２の面に亘って前記本体部を貫通する
複数のガス孔を規定する、本体部を備え、前記第２の面は、第１の耐腐食性材料で構成さ
れている、シャワーヘッドが提供される。
第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面と、複数の内側面とを有する本体部であっ
て、前記複数の内側面は、前記第１の面から前記第２の面に亘って前記本体部を貫通する
複数のガス孔を規定する、本体部を備え、前記第２の面は、第１の耐腐食性材料で構成さ
れている、シャワーヘッドが提供される。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一つの例示的実施形態によれば、処理ガスに対する腐食耐性を高める技術を提
供することができる。
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1A】シャワーヘッドＳＨの平面図である。
【図2A】膜ＣＲとして、ポリイミド膜が形成された場合の耐腐食効果を説明するための概念図である。
【図2B】本体ＢＤがシリコンカーバイドで構成された場合の耐腐食効果を説明するための概念図である。
【図3】基板処理装置１を概略的に示す図である。
【図4】基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。
【図5】基板処理装置１における基板処理方法の一例を示すフローチャートである。
【図6】上部電極における処理ガスの流れを説明するための図である。
【図7A】ガス供給ユニットＧＵの斜視図である。
【図7B】ガス供給ユニットＧＵの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の各実施形態について説明する。
【0009】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理用のシャワーヘッドであって、第１の面
と、第１の面と反対側の第２の面と、複数の内側面とを有する本体部であって、複数の内
側面は、第１の面から第２の面に亘って本体部を貫通する複数のガス孔を規定する、本体
部を備え、第２の面は、第１の耐腐食性材料で構成されているシャワーヘッドが提供され
る。
と、第１の面と反対側の第２の面と、複数の内側面とを有する本体部であって、複数の内
側面は、第１の面から第２の面に亘って本体部を貫通する複数のガス孔を規定する、本体
部を備え、第２の面は、第１の耐腐食性材料で構成されているシャワーヘッドが提供され
る。
【0010】
一つの例示的実施形態において、第１の耐腐食性材料は、本体部を構成する材料よりも
、Ｆ2、ＸｅＦ2、ＷＦ6、ＭｏＦ6、ＩＦ7、ＨＦ及びＣｌＦ3からなる群から選択される少
なくとも１種を含むフッ素含有ガスに対する腐食耐性が高い材料である。
、Ｆ2、ＸｅＦ2、ＷＦ6、ＭｏＦ6、ＩＦ7、ＨＦ及びＣｌＦ3からなる群から選択される少
なくとも１種を含むフッ素含有ガスに対する腐食耐性が高い材料である。
【0011】
一つの例示的実施形態において、第１の耐腐食性材料は、本体部を構成する材料よりも
フッ化水素ガスに対する腐食耐性が高い材料である。
フッ化水素ガスに対する腐食耐性が高い材料である。
【0012】
一つの例示的実施形態において、第２の面に、第１の耐腐食性材料からなる膜を有する
。
。
【0013】
一つの例示的実施形態において、複数の内側面に、膜をさらに有する。
【0014】
一つの例示的実施形態において、膜が第１の面に形成されていない。
【0015】
一つの例示的実施形態において、本体部が、第１の耐腐食性材料で構成されている。
【0016】
一つの例示的実施形態において、第１の耐腐食性材料は、炭素含有材料又は金属含有材
料である。
料である。
【0017】
一つの例示的実施形態において、第１の耐腐食性材料は、フッ化炭素樹脂、カーボン、
フッ素添加カーボン、ポリイミド樹脂及びシリコンカーバイドからなる群から選択される
少なくとも１種を含む。
フッ素添加カーボン、ポリイミド樹脂及びシリコンカーバイドからなる群から選択される
少なくとも１種を含む。
【0018】
一つの例示的実施形態において、第１の耐腐食性材料は、金属、金属窒化物、金属炭化
物、金属酸化物及び合金からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
物、金属酸化物及び合金からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
【0019】
一つの例示的実施形態において、本体部は、シリコン含有材料で構成されている。
【0020】
一つの例示的実施形態において、シリコン含有材料は、導電性のシリコン含有材料であ
る。
る。
【0021】
一つの例示的実施形態において、シリコン含有材料は、シリコン酸化物である。
【0022】
一つの例示的実施形態において、本体部は、カーボンを含む基材と、基材の表面を覆う
シリコンカーバイド膜とから構成されている。
シリコンカーバイド膜とから構成されている。
【0023】
一つの例示的実施形態において、本体部は、略円板状であり、第１の面が円板の一方の
面を構成し、第２の面が円板の他方の面を構成する。
面を構成し、第２の面が円板の他方の面を構成する。
【0024】
一つの例示的実施形態において、シャワーヘッドと、シャワーヘッドの第２の面側に配
置され、シャワーヘッドの複数のガス孔に処理ガスを供給するためのガス供給路を有する
導電性の支持体と、を備える電極ユニットが提供される。
置され、シャワーヘッドの複数のガス孔に処理ガスを供給するためのガス供給路を有する
導電性の支持体と、を備える電極ユニットが提供される。
【0025】
一つの例示的実施形態において、支持体の、シャワーヘッドの第２の面に対向する第３
の面は第２の耐腐食性材料で構成されている。
の面は第２の耐腐食性材料で構成されている。
【0026】
一つの例示的実施形態において、第２の耐腐食性材料は、半封孔処理された陽極酸化皮
膜である。
膜である。
【0027】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理用のガス供給ユニットであって、環状の
本体部と、本体部の半径方向内側に、周方向に沿って複数設けられたガス孔と、本体部の
内部に設けられ、複数のガス孔に連通するガス供給路と、を備え、ガス供給路は、少なく
とも内周面が第１の耐腐食性材料で構成されている、ガス供給ユニットが提供される。
本体部と、本体部の半径方向内側に、周方向に沿って複数設けられたガス孔と、本体部の
内部に設けられ、複数のガス孔に連通するガス供給路と、を備え、ガス供給路は、少なく
とも内周面が第１の耐腐食性材料で構成されている、ガス供給ユニットが提供される。
【0028】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理用のチャンバと、チャンバ内に設けられ
た基板支持器と、基板支持器にシャワーヘッドの第１の面が対向するようにチャンバの上
部に配置された電極ユニットと、プラズマ生成部と、制御部と、を備える基板処理装置が
提供される。
た基板支持器と、基板支持器にシャワーヘッドの第１の面が対向するようにチャンバの上
部に配置された電極ユニットと、プラズマ生成部と、制御部と、を備える基板処理装置が
提供される。
【0029】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理用のチャンバと、チャンバ内に設けられ
た基板支持器と、チャンバの内壁に沿って取り付けられたガス供給ユニットと、プラズマ
生成部と、制御部と、を備える基板処理装置が提供される。
た基板支持器と、チャンバの内壁に沿って取り付けられたガス供給ユニットと、プラズマ
生成部と、制御部と、を備える基板処理装置が提供される。
【0030】
一つの例示的実施形態において、基板処理装置において、チャンバは、フッ化水素ガス
を含む処理ガスを供給するためのガスソース群と接続されている。制御部は、支持体の、
シャワーヘッドの第２の面に対向する第３の面の温度を２２０℃以下に制御する工程と、
基板支持器上に、シリコン含有膜を有する基板を配置する工程と、ガスソース群から前記
チャンバ内に、処理ガスを供給する工程と、プラズマ生成部により、処理ガスからプラズ
マを生成して、シリコン含有膜をエッチングする工程と、を含む処理を実行するように構
成されている。
を含む処理ガスを供給するためのガスソース群と接続されている。制御部は、支持体の、
シャワーヘッドの第２の面に対向する第３の面の温度を２２０℃以下に制御する工程と、
基板支持器上に、シリコン含有膜を有する基板を配置する工程と、ガスソース群から前記
チャンバ内に、処理ガスを供給する工程と、プラズマ生成部により、処理ガスからプラズ
マを生成して、シリコン含有膜をエッチングする工程と、を含む処理を実行するように構
成されている。
【0031】
一つの例示的実施形態において、基板処理装置と、ガスソース群とガスソース群から基
板処理装置に処理ガスを供給するためのガス供給管と、を含み、ガス供給管は、少なくと
も内周面が第３の耐腐食性材料で構成されている基板処理システムが提供される。
板処理装置に処理ガスを供給するためのガス供給管と、を含み、ガス供給管は、少なくと
も内周面が第３の耐腐食性材料で構成されている基板処理システムが提供される。
【0032】
以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面に
おいて同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断ら
ない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法
比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるもので
はない。
おいて同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断ら
ない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法
比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるもので
はない。
【0033】
＜シャワーヘッドＳＨの構成＞
図１Ａは、一つの例示的実施形態に係るシャワーヘッドＳＨの平面図である。図１Ｂは
、図１ＡのシャワーヘッドＳＨのＡ－Ａ断面図である。シャワーヘッドＳＨは、プラズマ
処理用のシャワーヘッドである。シャワーヘッドＳＨは、例えば、プラズマを生成するよ
うに構成されたチャンバ（以下、単に「チャンバ」ともいう。）に取り付けられ、このチ
ャンバの内部空間にプラズマ生成用の処理ガスを供給する部材として用いられ得る。
図１Ａは、一つの例示的実施形態に係るシャワーヘッドＳＨの平面図である。図１Ｂは
、図１ＡのシャワーヘッドＳＨのＡ－Ａ断面図である。シャワーヘッドＳＨは、プラズマ
処理用のシャワーヘッドである。シャワーヘッドＳＨは、例えば、プラズマを生成するよ
うに構成されたチャンバ（以下、単に「チャンバ」ともいう。）に取り付けられ、このチ
ャンバの内部空間にプラズマ生成用の処理ガスを供給する部材として用いられ得る。
【0034】
シャワーヘッドＳＨは、略円板状の本体ＢＤを有する。本体ＢＤは、円板の一方の面を
構成する第１の面ＢＤ１、円板の他方の面を構成し、第１の面ＢＤ２の反対側の第２の面
ＢＤ２、及び、複数の内側面ＢＤ３を有する。複数の内側面ＢＤ３は、第１の面ＢＤ１及
び第２の面ＢＤ２に連続した面である。複数の内側面ＢＤ３は、第１の面ＢＤ１から第２
の面ＢＤ２に亘って本体ＢＤを貫通する複数のガス孔（貫通孔）ＧＨを規定する。第１の
面ＢＤ１は、シャワーヘッドＳＨがチャンバに取り付けられた場合に、チャンバの内部空
間に面し、チャンバで生成されるプラズマに暴露される部分になり得る。第２の面ＢＤ２
は、シャワーヘッドＳＨがチャンバに取り付けられた場合に、チャンバの内部空間に面せ
ず、チャンバで生成されるプラズマに暴露されない部分になり得る。複数の内側面ＢＤ３
の全部又は一部は、シャワーヘッドＳＨがチャンバに取り付けられた場合に、プラズマに
暴露されない部分になり得る。内側面ＢＤ３の一部、例えば、第１の面ＢＤ１の近傍は、
プラズマに暴露される部分になり得る。複数のガス孔ＧＨは、チャンバに取り付けられた
場合に、チャンバへ処理ガスを供給する流路の一部を構成し得る。
構成する第１の面ＢＤ１、円板の他方の面を構成し、第１の面ＢＤ２の反対側の第２の面
ＢＤ２、及び、複数の内側面ＢＤ３を有する。複数の内側面ＢＤ３は、第１の面ＢＤ１及
び第２の面ＢＤ２に連続した面である。複数の内側面ＢＤ３は、第１の面ＢＤ１から第２
の面ＢＤ２に亘って本体ＢＤを貫通する複数のガス孔（貫通孔）ＧＨを規定する。第１の
面ＢＤ１は、シャワーヘッドＳＨがチャンバに取り付けられた場合に、チャンバの内部空
間に面し、チャンバで生成されるプラズマに暴露される部分になり得る。第２の面ＢＤ２
は、シャワーヘッドＳＨがチャンバに取り付けられた場合に、チャンバの内部空間に面せ
ず、チャンバで生成されるプラズマに暴露されない部分になり得る。複数の内側面ＢＤ３
の全部又は一部は、シャワーヘッドＳＨがチャンバに取り付けられた場合に、プラズマに
暴露されない部分になり得る。内側面ＢＤ３の一部、例えば、第１の面ＢＤ１の近傍は、
プラズマに暴露される部分になり得る。複数のガス孔ＧＨは、チャンバに取り付けられた
場合に、チャンバへ処理ガスを供給する流路の一部を構成し得る。
【0035】
本体ＢＤは、任意の形状を有し得る。例えば、第１の面や第２の面は、平坦な面でなく
てもよく、例えば、曲面でもよいし、凹凸を有してもよい。第１の面及び第２の面は、平
面視円形でなくてもよく、任意の形状（例えば円形、楕円、長円形、長方形等）でよい。
第１の面と第２の面は互いに同一又は相似形でもよいし、互いに異なってもよい。また、
複数のガス孔ＧＨは、それぞれ任意の形状（例えば、円形、楕円、長円形、長方形等）で
よい。複数のガス孔ＧＨは、任意の配置（等距離に配置、特定の範囲が密になるように配
置、中心から螺旋状に配置等）をとり得る。
てもよく、例えば、曲面でもよいし、凹凸を有してもよい。第１の面及び第２の面は、平
面視円形でなくてもよく、任意の形状（例えば円形、楕円、長円形、長方形等）でよい。
第１の面と第２の面は互いに同一又は相似形でもよいし、互いに異なってもよい。また、
複数のガス孔ＧＨは、それぞれ任意の形状（例えば、円形、楕円、長円形、長方形等）で
よい。複数のガス孔ＧＨは、任意の配置（等距離に配置、特定の範囲が密になるように配
置、中心から螺旋状に配置等）をとり得る。
【0036】
本体ＢＤは、例えば、シリコン含有材料で構成されてよい。シリコン含有材料は、例え
ば、シリコンや炭化シリコン等の導電性材料でも、シリコン酸化物（例えば石英）等の絶
縁性材料でもよい。また、本体ＢＤは、カーボンを含む基材（芯材）と、基材（芯材）の
表面を覆うシリコンカーバイド膜とから構成されてもよい。
ば、シリコンや炭化シリコン等の導電性材料でも、シリコン酸化物（例えば石英）等の絶
縁性材料でもよい。また、本体ＢＤは、カーボンを含む基材（芯材）と、基材（芯材）の
表面を覆うシリコンカーバイド膜とから構成されてもよい。
【0037】
本体ＢＤの第２の面ＢＤは、第１の耐腐食性材料で構成されている。一例では、本体Ｂ
Ｄの第２の面ＢＤ２には、第１の耐腐食性材料からなる膜ＣＲが形成されている。膜ＣＲ
は複数の内側面ＢＤ３にも形成されてよい。膜ＣＲの厚みは例えば、１０ｎｍ～１００μ
ｍである。なお、膜ＣＲは本体ＢＤの第１の面ＢＤ１には形成されても、形成されなくて
もよい。
Ｄの第２の面ＢＤ２には、第１の耐腐食性材料からなる膜ＣＲが形成されている。膜ＣＲ
は複数の内側面ＢＤ３にも形成されてよい。膜ＣＲの厚みは例えば、１０ｎｍ～１００μ
ｍである。なお、膜ＣＲは本体ＢＤの第１の面ＢＤ１には形成されても、形成されなくて
もよい。
【0038】
膜ＣＲを構成する第１の耐腐食性材料は、ガス孔ＢＨを流れ得る処理ガスに対して腐食
耐性が高くてよい。このような処理ガスとしては、チャンバでプラズマ化される前の段階
（たとえば常温条圧の段階）で高い腐食性を有するガス、例えば、Ｆ2、ＣＦ4、ＳＦ6、
ＮＦ3、ＸｅＦ2、ＷＦ6、ＳｉＦ4、ＴａＦ5、ＩＦ7、ＨＦ、ＣｌＦ3、ＣｌＦ5、ＢｒＦ5
、ＡｓＦ5、ＮＦ5、ＰＦ5、ＮｂＦ5、ＢｉＦ5、ＵＦ5などのフッ素含有ガスが含まれ得る
。これらの中でも、フッ素含有ガスは、Ｆ2、ＸｅＦ2、ＷＦ6、ＭｏＦ6、ＩＦ7、ＨＦ及
びＣｌＦ3からなる群から選択される少なくとも１種のガスであってよく、一例では、フ
ッ化水素（ＨＦ）ガスであってよい。膜ＣＲを構成する第１の耐腐食性材料は、本体ＢＤ
を構成する材料よりも腐食耐性が高くてよい。
耐性が高くてよい。このような処理ガスとしては、チャンバでプラズマ化される前の段階
（たとえば常温条圧の段階）で高い腐食性を有するガス、例えば、Ｆ2、ＣＦ4、ＳＦ6、
ＮＦ3、ＸｅＦ2、ＷＦ6、ＳｉＦ4、ＴａＦ5、ＩＦ7、ＨＦ、ＣｌＦ3、ＣｌＦ5、ＢｒＦ5
、ＡｓＦ5、ＮＦ5、ＰＦ5、ＮｂＦ5、ＢｉＦ5、ＵＦ5などのフッ素含有ガスが含まれ得る
。これらの中でも、フッ素含有ガスは、Ｆ2、ＸｅＦ2、ＷＦ6、ＭｏＦ6、ＩＦ7、ＨＦ及
びＣｌＦ3からなる群から選択される少なくとも１種のガスであってよく、一例では、フ
ッ化水素（ＨＦ）ガスであってよい。膜ＣＲを構成する第１の耐腐食性材料は、本体ＢＤ
を構成する材料よりも腐食耐性が高くてよい。
【0039】
第１の耐腐食性材料は、例えば、炭素含有材料又は金属含有材料でよい。炭素含有材料
は、例えば、カーボン（例えばアモルファスカーボン、ダイヤモンド、ダイヤモンドライ
クカーボン又はグラファイト）、フッ素添加カーボン、フッ化炭素樹脂（例えばポリテト
ラフルオロエチレン）、ポリイミド樹脂及びシリコンカーバイドからなる群から選択され
る少なくとも１種でよく、一例では、ポリイミド樹脂又はシリコンカーバイドでよい。金
属含有材料は、金属（例えば、白金、金又はタングステン）、金属窒化物（例えば窒化鉄
）、金属炭化物（例えば炭化タングステン）、金属酸化物（例えば酸化クロム、酸化イッ
トリア又はアルミナ）又は合金（例えばハステロイ）でよい。
は、例えば、カーボン（例えばアモルファスカーボン、ダイヤモンド、ダイヤモンドライ
クカーボン又はグラファイト）、フッ素添加カーボン、フッ化炭素樹脂（例えばポリテト
ラフルオロエチレン）、ポリイミド樹脂及びシリコンカーバイドからなる群から選択され
る少なくとも１種でよく、一例では、ポリイミド樹脂又はシリコンカーバイドでよい。金
属含有材料は、金属（例えば、白金、金又はタングステン）、金属窒化物（例えば窒化鉄
）、金属炭化物（例えば炭化タングステン）、金属酸化物（例えば酸化クロム、酸化イッ
トリア又はアルミナ）又は合金（例えばハステロイ）でよい。
【0040】
膜ＣＲを形成する方法は特に限定はない。例えば、ＣＶＤ法を用いて、本体ＢＤの第２
の面ＢＤ２及び複数の内側面ＢＤ３側の母材上に第１の耐腐食性材料を成膜することで膜
ＣＲを形成してよい。なお、本体ＢＤの第１の面ＢＤ１側の母材上にも膜ＣＲを形成し、
その後、第１の面ＢＤ１の膜ＣＲを除去することで、本体ＢＤの第２の面ＢＤ２及び内側
面ＢＤ３のみに膜ＣＲが残るようにしてもよい。第１の面ＢＤの膜ＣＲの除去は、例えば
、シャワーヘッドＳＨをチャンバへ取り付けた後、チャンバ内で生成したプラズマに第１
の面ＢＤを暴露することで行ってよい。また、膜ＣＲは、本体ＢＤを構成する材料（例え
ば、本体ＢＤがシリコン含有材料である場合はシリコン）を窒化又は炭化することにより
不動態化して形成してもよい。すなわち、膜ＣＲは不動態膜でもよい。
の面ＢＤ２及び複数の内側面ＢＤ３側の母材上に第１の耐腐食性材料を成膜することで膜
ＣＲを形成してよい。なお、本体ＢＤの第１の面ＢＤ１側の母材上にも膜ＣＲを形成し、
その後、第１の面ＢＤ１の膜ＣＲを除去することで、本体ＢＤの第２の面ＢＤ２及び内側
面ＢＤ３のみに膜ＣＲが残るようにしてもよい。第１の面ＢＤの膜ＣＲの除去は、例えば
、シャワーヘッドＳＨをチャンバへ取り付けた後、チャンバ内で生成したプラズマに第１
の面ＢＤを暴露することで行ってよい。また、膜ＣＲは、本体ＢＤを構成する材料（例え
ば、本体ＢＤがシリコン含有材料である場合はシリコン）を窒化又は炭化することにより
不動態化して形成してもよい。すなわち、膜ＣＲは不動態膜でもよい。
【0041】
一例では、膜ＣＲを形成することに加えて又は代えて、本体ＢＤを構成する材料を上述
した第１の耐腐食性材料で構成してよい。この場合、膜ＣＲを形成しなくても、第２の面
ＢＤ２を含む本体ＢＤの表面は第１の耐腐食性材料で構成されることになる。
した第１の耐腐食性材料で構成してよい。この場合、膜ＣＲを形成しなくても、第２の面
ＢＤ２を含む本体ＢＤの表面は第１の耐腐食性材料で構成されることになる。
【0042】
図２Ａ及び図２Ｂは、第１の耐腐食性材料の効果について説明する図である。本体ＢＤ
がシリコン（単結晶シリコン）で構成されている場合、第２の面ＢＤ２には自然酸化膜が
存在する。このため、第２の面ＢＤ２がフッ化水素等のフッ素含有ガスに暴露されると、
自然酸化膜を構成するＳｉ－Ｏ結合が破壊され、腐食が進行する。図２Ａは、本体ＢＤの
第２の面ＢＤ２に、膜ＣＲとしてポリイミド膜が形成された例を示す。ポリイミド膜は共
役構造かつイミド結合の高い分子間力を有する。このため、フッ素含有ガスに対して腐食
耐性が高く、第２の面ＢＤ２の腐食を抑制することができる。また、図２Ｂは、本体ＢＤ
がシリコンカーバイド（ＳｉＣ）で構成された例を示す。この場合、第２の面ＢＤ２には
自然酸化膜ＯＦが存在する。このため、第２の面ＢＤ２がフッ化水素等のフッ素含有ガス
に暴露されると、自然酸化膜ＯＦを構成するＳｉ－Ｏ結合が破壊される。しかしながら、
本体ＢＤが炭素原子を含むことに起因して、Ｓｉ－Ｏ結合の破壊は限定的なものとなり、
第２の面ＢＤ２の腐食を抑制することができる。
がシリコン（単結晶シリコン）で構成されている場合、第２の面ＢＤ２には自然酸化膜が
存在する。このため、第２の面ＢＤ２がフッ化水素等のフッ素含有ガスに暴露されると、
自然酸化膜を構成するＳｉ－Ｏ結合が破壊され、腐食が進行する。図２Ａは、本体ＢＤの
第２の面ＢＤ２に、膜ＣＲとしてポリイミド膜が形成された例を示す。ポリイミド膜は共
役構造かつイミド結合の高い分子間力を有する。このため、フッ素含有ガスに対して腐食
耐性が高く、第２の面ＢＤ２の腐食を抑制することができる。また、図２Ｂは、本体ＢＤ
がシリコンカーバイド（ＳｉＣ）で構成された例を示す。この場合、第２の面ＢＤ２には
自然酸化膜ＯＦが存在する。このため、第２の面ＢＤ２がフッ化水素等のフッ素含有ガス
に暴露されると、自然酸化膜ＯＦを構成するＳｉ－Ｏ結合が破壊される。しかしながら、
本体ＢＤが炭素原子を含むことに起因して、Ｓｉ－Ｏ結合の破壊は限定的なものとなり、
第２の面ＢＤ２の腐食を抑制することができる。
【0043】
＜基板処理装置１の構成＞
図３は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置１を概略的に示す図である。図１Ａ
及び図１Ｂに示すシャワーヘッドＳＨは、基板処理装置１に取り付けられ得る。以下で説
明する基板処理装置１は、シャワーヘッドＳＨを上部電極３０の天板３４として用いた例
である。
図３は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置１を概略的に示す図である。図１Ａ
及び図１Ｂに示すシャワーヘッドＳＨは、基板処理装置１に取り付けられ得る。以下で説
明する基板処理装置１は、シャワーヘッドＳＨを上部電極３０の天板３４として用いた例
である。
【0044】
図３に示す基板処理装置１は、チャンバ１０を備える。チャンバ１０は、その中に内部
空間１０ｓを提供する。チャンバ１０はチャンバ本体１２を含む。チャンバ本体１２は、
略円筒形状を有する。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから形成される。チャン
バ本体１２の内壁面上には、耐腐食性を有する膜が設けられている。耐腐食性を有する膜
は、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどのセラミックから形成され得る。
空間１０ｓを提供する。チャンバ１０はチャンバ本体１２を含む。チャンバ本体１２は、
略円筒形状を有する。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから形成される。チャン
バ本体１２の内壁面上には、耐腐食性を有する膜が設けられている。耐腐食性を有する膜
は、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどのセラミックから形成され得る。
【0045】
チャンバ本体１２の側壁には、通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、通路１２ｐを
通して内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送される。通路１２ｐは、ゲート
バルブ１２ｇにより開閉される。ゲートバルブ１２ｇは、チャンバ本体１２の側壁に沿っ
て設けられる。
通して内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送される。通路１２ｐは、ゲート
バルブ１２ｇにより開閉される。ゲートバルブ１２ｇは、チャンバ本体１２の側壁に沿っ
て設けられる。
【0046】
チャンバ本体１２の底部上には、支持部１３が設けられている。支持部１３は、絶縁材
料から形成される。支持部１３は、略円筒形状を有する。支持部１３は、内部空間１０ｓ
の中で、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。支持部１３は、基板支持器１
４を支持している。基板支持器１４は、内部空間１０ｓの中で基板Ｗを支持するように構
成されている。
料から形成される。支持部１３は、略円筒形状を有する。支持部１３は、内部空間１０ｓ
の中で、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。支持部１３は、基板支持器１
４を支持している。基板支持器１４は、内部空間１０ｓの中で基板Ｗを支持するように構
成されている。
【0047】
基板支持器１４は、下部電極１８及び静電チャック２０を有する。基板支持器１４は、
電極プレート１６を更に有し得る。電極プレート１６は、アルミニウムなどの導体から形
成されており、略円盤形状を有する。下部電極１８は、電極プレート１６上に設けられて
いる。下部電極１８は、アルミニウムなどの導体から形成されており、略円盤形状を有す
る。下部電極１８は、電極プレート１６に電気的に接続されている。
電極プレート１６を更に有し得る。電極プレート１６は、アルミニウムなどの導体から形
成されており、略円盤形状を有する。下部電極１８は、電極プレート１６上に設けられて
いる。下部電極１８は、アルミニウムなどの導体から形成されており、略円盤形状を有す
る。下部電極１８は、電極プレート１６に電気的に接続されている。
【0048】
静電チャック２０は、下部電極１８上に設けられている。基板Ｗは、静電チャック２０
の上面の上に載置される。静電チャック２０は、本体及び電極を有する。静電チャック２
０の本体は、略円盤形状を有し、誘電体から形成される。静電チャック２０の電極は、膜
状の電極であり、静電チャック２０の本体内に設けられている。静電チャック２０の電極
は、スイッチ２０ｓを介して直流電源２０ｐに接続されている。静電チャック２０の電極
に直流電源２０ｐからの電圧が印加されると、静電チャック２０と基板Ｗとの間に静電引
力が発生する。基板Ｗは、その静電引力によって静電チャック２０に引き付けられて、静
電チャック２０によって保持される。
の上面の上に載置される。静電チャック２０は、本体及び電極を有する。静電チャック２
０の本体は、略円盤形状を有し、誘電体から形成される。静電チャック２０の電極は、膜
状の電極であり、静電チャック２０の本体内に設けられている。静電チャック２０の電極
は、スイッチ２０ｓを介して直流電源２０ｐに接続されている。静電チャック２０の電極
に直流電源２０ｐからの電圧が印加されると、静電チャック２０と基板Ｗとの間に静電引
力が発生する。基板Ｗは、その静電引力によって静電チャック２０に引き付けられて、静
電チャック２０によって保持される。
【0049】
基板支持器１４上には、エッジリング２５が配置される。エッジリング２５は、リング
状の部材である。エッジリング２５は、シリコン、炭化シリコン、又は石英などから形成
され得る。基板Ｗは、静電チャック２０上、且つ、エッジリング２５によって囲まれた領
域内に配置される。
状の部材である。エッジリング２５は、シリコン、炭化シリコン、又は石英などから形成
され得る。基板Ｗは、静電チャック２０上、且つ、エッジリング２５によって囲まれた領
域内に配置される。
【0050】
下部電極１８の内部には、流路１８ｆが設けられている。流路１８ｆには、チャンバ１
０の外部に設けられているチラーユニットから配管２２ａを介して熱交換媒体（例えば冷
媒）が供給される。流路１８ｆに供給された熱交換媒体は、配管２２ｂを介してチラーユ
ニットに戻される。基板処理装置１では、静電チャック２０上に載置された基板Ｗの温度
が、熱交換媒体と下部電極１８との熱交換により、調整される。
０の外部に設けられているチラーユニットから配管２２ａを介して熱交換媒体（例えば冷
媒）が供給される。流路１８ｆに供給された熱交換媒体は、配管２２ｂを介してチラーユ
ニットに戻される。基板処理装置１では、静電チャック２０上に載置された基板Ｗの温度
が、熱交換媒体と下部電極１８との熱交換により、調整される。
【0051】
基板処理装置１には、ガス供給ライン２４が設けられている。ガス供給ライン２４は、
伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を、静電チャック２０の上面と基板
Ｗの裏面との間の間隙に供給する。
伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を、静電チャック２０の上面と基板
Ｗの裏面との間の間隙に供給する。
【0052】
基板処理装置１は、上部電極３０を更に備える。上部電極３０は、基板支持器１４の上
方に設けられている。上部電極３０は、部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支
持されている。部材３２は、絶縁性を有する９材料から形成される。上部電極３０と部材
３２は、チャンバ本体１２の上部開口を閉じている。
方に設けられている。上部電極３０は、部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支
持されている。部材３２は、絶縁性を有する９材料から形成される。上部電極３０と部材
３２は、チャンバ本体１２の上部開口を閉じている。
【0053】
上部電極３０は、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）及び支持体３６を含み得る。天板３
４（シャワーヘッドＳＨ）及び支持体３６は、一例の電極ユニットを構成する。天板３４
（シャワーヘッドＳＨ）の下面（第１の面ＢＤ１）は、内部空間１０ｓの側の面であり、
内部空間１０ｓを画成する。天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の上面（第２の面ＢＤ２）
は、内部空間１０ｓに面しない（すなわちプラズマに暴露されない）面である。天板３４
（シャワーヘッドＳＨ）の上面（第２の面ＢＤ２）には、耐腐食性の膜ＣＲ（図１参照）
が形成されている。天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の母材は、例えばシリコンや炭化シ
リコン等の導電性材料や、シリコン酸化物（例えばクォーツ）等の絶縁性材料から構成さ
れ得る。天板３４（シャワーヘッドＳＨ）は、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）をその板
厚方向に貫通する複数のガス吐出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）を有する。ガス吐出孔３４ａ（
ガス孔ＧＨ）を規定する天板３４の内側面（内側面ＢＤ３）には、耐腐食性の膜ＣＲ（図
１参照）が形成されている。
４（シャワーヘッドＳＨ）及び支持体３６は、一例の電極ユニットを構成する。天板３４
（シャワーヘッドＳＨ）の下面（第１の面ＢＤ１）は、内部空間１０ｓの側の面であり、
内部空間１０ｓを画成する。天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の上面（第２の面ＢＤ２）
は、内部空間１０ｓに面しない（すなわちプラズマに暴露されない）面である。天板３４
（シャワーヘッドＳＨ）の上面（第２の面ＢＤ２）には、耐腐食性の膜ＣＲ（図１参照）
が形成されている。天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の母材は、例えばシリコンや炭化シ
リコン等の導電性材料や、シリコン酸化物（例えばクォーツ）等の絶縁性材料から構成さ
れ得る。天板３４（シャワーヘッドＳＨ）は、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）をその板
厚方向に貫通する複数のガス吐出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）を有する。ガス吐出孔３４ａ（
ガス孔ＧＨ）を規定する天板３４の内側面（内側面ＢＤ３）には、耐腐食性の膜ＣＲ（図
１参照）が形成されている。
【0054】
支持体３６は、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の上面（第２の面）上に当該天板３４
と対向するようにして配置される。支持体３６は、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の周
縁部を例えばボルトで締結する又はクランプ部材で挟み込む等により着脱自在に支持する
。一例では、支持体３６の下面（天板３４と対向する面）に静電チャックを設けて、当該
静電チャックにより天板３４の上面を吸着して保持してよい。静電チャックは、導電膜か
らなる電極板を一対の誘電膜の間に挟み込み、当該電極板に印加される電圧により静電力
を発生させるように構成してよい。支持体３６は、例えば、陽極酸化処理がされたアルミ
ニウムやアルミニウム合金などの導電性材料から形成される。支持体３６の内部には、ガ
ス拡散室３６ａが設けられている。支持体３６は、ガス拡散室３６ａから下方に延びる複
数のガス孔３６ｂを有する。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ
連通している。支持体３６には、ガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃ
は、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入口３６ｃには、基板処理装置１の外部に
設けられたガス供給管３８が接続されている。ガス拡散室３６ａ、複数のガス孔３６ｂ及
びガス導入口３６ｃは、一例のガス供給路を構成する。
と対向するようにして配置される。支持体３６は、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の周
縁部を例えばボルトで締結する又はクランプ部材で挟み込む等により着脱自在に支持する
。一例では、支持体３６の下面（天板３４と対向する面）に静電チャックを設けて、当該
静電チャックにより天板３４の上面を吸着して保持してよい。静電チャックは、導電膜か
らなる電極板を一対の誘電膜の間に挟み込み、当該電極板に印加される電圧により静電力
を発生させるように構成してよい。支持体３６は、例えば、陽極酸化処理がされたアルミ
ニウムやアルミニウム合金などの導電性材料から形成される。支持体３６の内部には、ガ
ス拡散室３６ａが設けられている。支持体３６は、ガス拡散室３６ａから下方に延びる複
数のガス孔３６ｂを有する。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ
連通している。支持体３６には、ガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃ
は、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入口３６ｃには、基板処理装置１の外部に
設けられたガス供給管３８が接続されている。ガス拡散室３６ａ、複数のガス孔３６ｂ及
びガス導入口３６ｃは、一例のガス供給路を構成する。
【0055】
ガス供給管３８には、流量制御器群４１及びバルブ群４２を介して、ガスソース群４０
が接続されている。なお、ガス供給管３８と同様、流量制御器群４１、バルブ群４２及び
ガスソース群４０は、基板処理装置１の外部に設けられている。ガスソース群４０は、複
数のガスソースを含む。複数のガスソースは、処理ガスのソースを含む。流量制御器群４
１は、複数の流量制御器を含む。流量制御器群４１の複数の流量制御器の各々は、マスフ
ローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。バルブ群４２は、複数の開閉バル
ブを含む。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、流量制御器群４１の対応の流
量制御器及びバルブ群４２の対応の開閉バルブを介して、ガス供給管３８に接続されてい
る。ガス供給管３８、流量制御器群４１、バルブ群４２及びガスソース群４０は、基板処
理装置１とともに基板処理システムを構成する。
が接続されている。なお、ガス供給管３８と同様、流量制御器群４１、バルブ群４２及び
ガスソース群４０は、基板処理装置１の外部に設けられている。ガスソース群４０は、複
数のガスソースを含む。複数のガスソースは、処理ガスのソースを含む。流量制御器群４
１は、複数の流量制御器を含む。流量制御器群４１の複数の流量制御器の各々は、マスフ
ローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。バルブ群４２は、複数の開閉バル
ブを含む。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、流量制御器群４１の対応の流
量制御器及びバルブ群４２の対応の開閉バルブを介して、ガス供給管３８に接続されてい
る。ガス供給管３８、流量制御器群４１、バルブ群４２及びガスソース群４０は、基板処
理装置１とともに基板処理システムを構成する。
【0056】
基板処理装置１では、チャンバ本体１２の内壁面及び支持部１３の外周に沿って、シー
ルド４６が着脱自在に設けられている。シールド４６は、チャンバ本体１２に反応副生物
が付着することを防止する。シールド４６は、例えば、アルミニウムから形成された母材
の表面に耐腐食性を有する膜を形成することにより構成される。耐腐食性を有する膜は、
酸化イットリウムなどのセラミックから形成され得る。
ルド４６が着脱自在に設けられている。シールド４６は、チャンバ本体１２に反応副生物
が付着することを防止する。シールド４６は、例えば、アルミニウムから形成された母材
の表面に耐腐食性を有する膜を形成することにより構成される。耐腐食性を有する膜は、
酸化イットリウムなどのセラミックから形成され得る。
【0057】
支持部１３とチャンバ本体１２の側壁との間には、バッフルプレート４８が設けられて
いる。バッフルプレート４８は、例えば、アルミニウムから形成された部材の表面に耐腐
食性を有する膜（酸化イットリウムなどの膜）を形成することにより構成される。バッフ
ルプレート４８には、複数の貫通孔が形成されている。バッフルプレート４８の下方、且
つ、チャンバ本体１２の底部には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、
排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びタ
ーボ分子ポンプなどの真空ポンプを含む。
いる。バッフルプレート４８は、例えば、アルミニウムから形成された部材の表面に耐腐
食性を有する膜（酸化イットリウムなどの膜）を形成することにより構成される。バッフ
ルプレート４８には、複数の貫通孔が形成されている。バッフルプレート４８の下方、且
つ、チャンバ本体１２の底部には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、
排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びタ
ーボ分子ポンプなどの真空ポンプを含む。
【0058】
基板処理装置１は、高周波電源６２及びバイアス電源６４を備えている。高周波電源６
２は、高周波電力ＨＦを発生する電源である。高周波電力ＨＦは、プラズマの生成に適し
た第１の周波数を有する。第１の周波数は、例えば２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の
周波数である。高周波電源６２は、整合器６６及び電極プレート１６を介して下部電極１
８に接続されている。整合器６６は、高周波電源６２の負荷側（下部電極１８側）のイン
ピーダンスを高周波電源６２の出力インピーダンスに整合させるための回路を有する。な
お、高周波電源６２は、整合器６６を介して、上部電極３０に接続されていてもよい。高
周波電源６２は、一例のプラズマ生成部を構成している。
２は、高周波電力ＨＦを発生する電源である。高周波電力ＨＦは、プラズマの生成に適し
た第１の周波数を有する。第１の周波数は、例えば２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の
周波数である。高周波電源６２は、整合器６６及び電極プレート１６を介して下部電極１
８に接続されている。整合器６６は、高周波電源６２の負荷側（下部電極１８側）のイン
ピーダンスを高周波電源６２の出力インピーダンスに整合させるための回路を有する。な
お、高周波電源６２は、整合器６６を介して、上部電極３０に接続されていてもよい。高
周波電源６２は、一例のプラズマ生成部を構成している。
【0059】
バイアス電源６４は、電気バイアスを発生する電源である。バイアス電源６４は、下部
電極１８に電気的に接続されている。電気バイアスは、第２の周波数を有する。第２の周
波数は、第１の周波数よりも低い。第２の周波数は、例えば４００ｋＨｚ～１３．５６Ｍ
Ｈｚの範囲内の周波数である。電気バイアスは、高周波電力ＨＦと共に用いられる場合に
は、基板Ｗにイオンを引き込むために基板支持器１４に与えられる。一例では、電気バイ
アスは、下部電極１８に与えられる。電気バイアスが下部電極１８に与えられると、基板
支持器１４上に載置された基板Ｗの電位は、第２の周波数で規定される周期内で変動する
。なお、電気バイアスは、静電チャック２０内に設けられたバイアス電極に与えられても
よい。
電極１８に電気的に接続されている。電気バイアスは、第２の周波数を有する。第２の周
波数は、第１の周波数よりも低い。第２の周波数は、例えば４００ｋＨｚ～１３．５６Ｍ
Ｈｚの範囲内の周波数である。電気バイアスは、高周波電力ＨＦと共に用いられる場合に
は、基板Ｗにイオンを引き込むために基板支持器１４に与えられる。一例では、電気バイ
アスは、下部電極１８に与えられる。電気バイアスが下部電極１８に与えられると、基板
支持器１４上に載置された基板Ｗの電位は、第２の周波数で規定される周期内で変動する
。なお、電気バイアスは、静電チャック２０内に設けられたバイアス電極に与えられても
よい。
【0060】
基板処理装置１においてプラズマ処理が行われる場合には、ガスが内部空間１０ｓに供
給される。また、高周波電力ＨＦ及び／又は電気バイアスが供給されることにより、上部
電極３０と下部電極１８との間で高周波電界が生成される。生成された高周波電界が内部
空間１０ｓの中のガスからプラズマを生成する。
給される。また、高周波電力ＨＦ及び／又は電気バイアスが供給されることにより、上部
電極３０と下部電極１８との間で高周波電界が生成される。生成された高周波電界が内部
空間１０ｓの中のガスからプラズマを生成する。
【0061】
基板処理装置１は、電源７０を更に備えている。電源７０は、上部電極３０に接続され
ている。一例において、電源７０は、プラズマ処理中、上部電極３０に直流電圧又は低周
波電力を供給するように構成されてよい。例えば、電源７０は、上部電極３０に負極性の
直流電圧を供給してもよく、低周波電力を周期的に供給してもよい。直流電圧又は低周波
電力はパルス波として供給してもよく、連続波として供給してもよい。
ている。一例において、電源７０は、プラズマ処理中、上部電極３０に直流電圧又は低周
波電力を供給するように構成されてよい。例えば、電源７０は、上部電極３０に負極性の
直流電圧を供給してもよく、低周波電力を周期的に供給してもよい。直流電圧又は低周波
電力はパルス波として供給してもよく、連続波として供給してもよい。
【0062】
基板処理装置１は、制御部８０を更に備え得る。制御部８０は、プロセッサ、メモリな
どの記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュー
タであり得る。制御部８０は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部８０では、入力
装置を用いて、オペレータが基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行
うことができる。また、制御部８０では、表示装置により、基板処理装置１の稼働状況を
可視化して表示することができる。さらに、記憶部には、制御プログラム及びレシピデー
タが格納されている。制御プログラムは、基板処理装置１で各種処理を実行するために、
プロセッサによって実行される。プロセッサは、制御プログラムを実行し、レシピデータ
に従って基板処理装置１の各部を制御する。一つの例示的実施形態において、制御部８０
の一部又は全てが基板処理装置１の外部の装置の構成の一部として設けられてよい。
どの記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュー
タであり得る。制御部８０は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部８０では、入力
装置を用いて、オペレータが基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行
うことができる。また、制御部８０では、表示装置により、基板処理装置１の稼働状況を
可視化して表示することができる。さらに、記憶部には、制御プログラム及びレシピデー
タが格納されている。制御プログラムは、基板処理装置１で各種処理を実行するために、
プロセッサによって実行される。プロセッサは、制御プログラムを実行し、レシピデータ
に従って基板処理装置１の各部を制御する。一つの例示的実施形態において、制御部８０
の一部又は全てが基板処理装置１の外部の装置の構成の一部として設けられてよい。
【0063】
＜基板Ｗの一例＞
図４は、基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。基板Ｗは、基板処理装置１で処理さ
れる基板の一例である。基板Ｗは、例えば、下地膜ＵＦ、被エッチング膜ＥＦ及びマスク
膜ＭＫがこの順で積層されて形成されてよい。
図４は、基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。基板Ｗは、基板処理装置１で処理さ
れる基板の一例である。基板Ｗは、例えば、下地膜ＵＦ、被エッチング膜ＥＦ及びマスク
膜ＭＫがこの順で積層されて形成されてよい。
【0064】
下地膜ＵＦは、例えば、シリコンウェハやシリコンウェハ上に形成された有機膜、誘電
体膜、金属膜、半導体膜等でよい。下地膜ＵＦは、複数の膜が積層されて構成されてよい
。
体膜、金属膜、半導体膜等でよい。下地膜ＵＦは、複数の膜が積層されて構成されてよい
。
【0065】
被エッチング膜ＥＦは、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜
（ＳｉＯＮ膜）、Ｓｉ－ＡＲＣ膜等のシリコン含有膜でよい。シリコン含有膜は、多結晶
シリコン膜を含んでよい。被エッチング膜ＥＦは、複数の膜が積層されて構成されてよい
。例えば、被エッチング膜ＥＦは、シリコン酸化膜、多結晶シリコン膜及びシリコン窒化
膜からなる群から選択される少なくとも２種が積層した積層膜であってよい。一例では、
被エッチング膜ＥＦは、シリコン酸化膜と多結晶シリコン膜とが交互に積層されて構成さ
れてよい。また、一例では、被エッチング膜ＥＦは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜と
が交互に積層されて構成されてよい。
（ＳｉＯＮ膜）、Ｓｉ－ＡＲＣ膜等のシリコン含有膜でよい。シリコン含有膜は、多結晶
シリコン膜を含んでよい。被エッチング膜ＥＦは、複数の膜が積層されて構成されてよい
。例えば、被エッチング膜ＥＦは、シリコン酸化膜、多結晶シリコン膜及びシリコン窒化
膜からなる群から選択される少なくとも２種が積層した積層膜であってよい。一例では、
被エッチング膜ＥＦは、シリコン酸化膜と多結晶シリコン膜とが交互に積層されて構成さ
れてよい。また、一例では、被エッチング膜ＥＦは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜と
が交互に積層されて構成されてよい。
【0066】
下地膜ＵＦ及び／又は被エッチング膜ＥＦは、ＣＶＤ法、スピンコート法等により形成
されてよい。下地膜ＵＦ及び／又は被エッチング膜ＥＦは、平坦な膜であってよく、また
、凹凸を有する膜であってもよい。
されてよい。下地膜ＵＦ及び／又は被エッチング膜ＥＦは、平坦な膜であってよく、また
、凹凸を有する膜であってもよい。
【0067】
マスク膜ＭＫは、被エッチング膜ＥＦ上に形成されている。マスク膜ＭＫは、被エッチ
ング膜ＥＦ上において少なくとも１つの開口ＯＰを規定する。開口ＯＰは、被エッチング
膜ＥＦ上の空間であって、マスク膜ＭＫの側壁Ｓ１に囲まれている。すなわち、図４にお
いて、被エッチング膜ＥＦは、マスク膜ＭＫによって覆われた領域と、開口ＯＰの底部に
おいて露出した領域とを有する。
ング膜ＥＦ上において少なくとも１つの開口ＯＰを規定する。開口ＯＰは、被エッチング
膜ＥＦ上の空間であって、マスク膜ＭＫの側壁Ｓ１に囲まれている。すなわち、図４にお
いて、被エッチング膜ＥＦは、マスク膜ＭＫによって覆われた領域と、開口ＯＰの底部に
おいて露出した領域とを有する。
【0068】
開口ＯＰは、基板Ｗの平面視（基板Ｗを図４の上から下に向かう方向に見た場合）にお
いて、任意の形状を有してよい。当該形状は、例えば、穴形状や線形状、穴形状と線形状
との組み合わせであってよい。マスク膜ＭＫは、複数の側壁Ｓ１を有し、複数の側壁Ｓ１
が複数の開口ＯＰを規定してもよい。複数の開口ＯＰは、それぞれ線形状を有し、一定の
間隔で並んでライン＆スペースのパターンを構成してもよい。また、複数の開口ＯＰは、
それぞれ穴形状を有し、アレイパターンを構成してもよい。
いて、任意の形状を有してよい。当該形状は、例えば、穴形状や線形状、穴形状と線形状
との組み合わせであってよい。マスク膜ＭＫは、複数の側壁Ｓ１を有し、複数の側壁Ｓ１
が複数の開口ＯＰを規定してもよい。複数の開口ＯＰは、それぞれ線形状を有し、一定の
間隔で並んでライン＆スペースのパターンを構成してもよい。また、複数の開口ＯＰは、
それぞれ穴形状を有し、アレイパターンを構成してもよい。
【0069】
マスク膜ＭＫは、例えば、有機膜や金属含有膜である。有機膜は、例えば、スピンオン
カーボン膜（ＳＯＣ）、アモルファスカーボン膜、フォトレジスト膜でよい。金属含有膜
は、例えば、タングステン、タングステンカーバイド、タングステンシリサイド、窒化チ
タンを含んでよい。マスク膜ＭＫは、ＣＶＤ法、スピンコート法等により形成されてよい
。開口ＯＰは、マスク膜ＭＫをエッチングすることで形成されてよい。マスク膜ＭＫは、
リソグラフィによって形成されてもよい。
カーボン膜（ＳＯＣ）、アモルファスカーボン膜、フォトレジスト膜でよい。金属含有膜
は、例えば、タングステン、タングステンカーバイド、タングステンシリサイド、窒化チ
タンを含んでよい。マスク膜ＭＫは、ＣＶＤ法、スピンコート法等により形成されてよい
。開口ＯＰは、マスク膜ＭＫをエッチングすることで形成されてよい。マスク膜ＭＫは、
リソグラフィによって形成されてもよい。
【0070】
＜基板処理方法の一例＞
図５は、基板処理装置１における基板処理方法の一例（以下「本処理方法」という。）
を示すフローチャートである。本処理方法は、基板Ｗの被エッチング膜ＥＦをエッチング
するために、基板Ｗが配置されたチャンバ内に処理ガスを供給してプラズマを生成する例
である。本処理方法は、基板を準備する工程（ステップＳＴ１）と、処理ガスの供給をす
る工程（ステップＳＴ２）と、プラズマを生成する工程（ステップＳＴ３）とを含む。以
下では、図３に示す制御部８０が基板処理装置１の各部を制御して、図４に示す基板Ｗに
対して本処理方法を実行する場合を図例に説明する。
図５は、基板処理装置１における基板処理方法の一例（以下「本処理方法」という。）
を示すフローチャートである。本処理方法は、基板Ｗの被エッチング膜ＥＦをエッチング
するために、基板Ｗが配置されたチャンバ内に処理ガスを供給してプラズマを生成する例
である。本処理方法は、基板を準備する工程（ステップＳＴ１）と、処理ガスの供給をす
る工程（ステップＳＴ２）と、プラズマを生成する工程（ステップＳＴ３）とを含む。以
下では、図３に示す制御部８０が基板処理装置１の各部を制御して、図４に示す基板Ｗに
対して本処理方法を実行する場合を図例に説明する。
【0071】
（ステップＳＴ１：基板の準備）
ステップＳＴ１において、基板Ｗをチャンバ１０の内部空間１０ｓ内に準備する。内部
空間１０ｓ内において、基板Ｗは、基板支持器１４の上面に配置され、静電チャック２０
により保持される。基板Ｗの各構成を形成するプロセスの少なくとも一部は、内部空間１
０ｓ内で行われてよい。また、基板Ｗの各構成の全部又は一部が基板処理装置１の外部の
装置又はチャンバで形成された後、基板Ｗが内部空間１０ｓ内に搬入され、基板支持器１
４の上面に配置されてもよい。
ステップＳＴ１において、基板Ｗをチャンバ１０の内部空間１０ｓ内に準備する。内部
空間１０ｓ内において、基板Ｗは、基板支持器１４の上面に配置され、静電チャック２０
により保持される。基板Ｗの各構成を形成するプロセスの少なくとも一部は、内部空間１
０ｓ内で行われてよい。また、基板Ｗの各構成の全部又は一部が基板処理装置１の外部の
装置又はチャンバで形成された後、基板Ｗが内部空間１０ｓ内に搬入され、基板支持器１
４の上面に配置されてもよい。
【0072】
（ステップＳＴ２：処理ガスの供給）
ステップＳＴ２において、ガス供給部から内部空間１０ｓ内に処理ガスを供給する。処
理ガスは、フッ素含有ガスを含んでよい。フッ素含有ガスは、Ｆ2、ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3
、ＸｅＦ2、ＷＦ6、ＳｉＦ4、ＴａＦ5、ＩＦ7、ＨＦ、ＣｌＦ3、ＣｌＦ5、ＢｒＦ5、Ａｓ
Ｆ5、ＮＦ5、ＰＦ5、ＮｂＦ5、ＢｉＦ5、ＵＦ5などのガスであってよく、Ｆ2、ＸｅＦ2、
ＷＦ6、ＭｏＦ6、ＩＦ7、ＨＦ、ＣｌＦ3などのガスであってよい。また、フッ素含有ガス
は、プラズマ処理中に、チャンバ１０内でフッ化水素（ＨＦ）種を生成可能なガスであっ
てよい。ＨＦ種は、フッ化水素のガス、ラジカル及びイオンの少なくともいずれかを含む
。一例では、フッ素含有ガスは、ＨＦガス又はハイドロフルオロカーボンガスであってよ
い。また、フッ素含有ガスは、水素源及びフッ素源を含む混合ガスであってもよい。水素
源は、例えば、Ｈ2、ＮＨ3、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2又はハイドロカーボン（ＣＨ4、Ｃ3Ｈ6等）で
あってよい。フッ素源は、ＮＦ3、ＳＦ6、ＷＦ6、ＸｅＦ2、フルオロカーボン又はハイド
ロフルオロカーボンであってよい。以下、これらのフッ素含有ガスを「ＨＦ系ガス」とも
いう。ＨＦ系ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマは、ＨＦ種（エッチャント）を
多く含む。ＨＦ系ガスは、主エッチャントガスでもよい。ＨＦ系ガスは、処理ガス中の反
応ガスの総流量に占める流量割合が最も大きくてよく、例えば、反応ガスの総流量に対し
て５０体積％以上、６０体積％以上、７０体積％以上、８０体積％以上、９０体積％以上
でよい。また、ＨＦ系ガスは、反応ガスの総流量に対して９６体積％以下でよい。本実施
形態においては、反応ガスには、Ａｒ等の貴ガスは含まれない。別の例では処理ガスは、
反応ガスに加えて貴ガスを含んでよい。
ステップＳＴ２において、ガス供給部から内部空間１０ｓ内に処理ガスを供給する。処
理ガスは、フッ素含有ガスを含んでよい。フッ素含有ガスは、Ｆ2、ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3
、ＸｅＦ2、ＷＦ6、ＳｉＦ4、ＴａＦ5、ＩＦ7、ＨＦ、ＣｌＦ3、ＣｌＦ5、ＢｒＦ5、Ａｓ
Ｆ5、ＮＦ5、ＰＦ5、ＮｂＦ5、ＢｉＦ5、ＵＦ5などのガスであってよく、Ｆ2、ＸｅＦ2、
ＷＦ6、ＭｏＦ6、ＩＦ7、ＨＦ、ＣｌＦ3などのガスであってよい。また、フッ素含有ガス
は、プラズマ処理中に、チャンバ１０内でフッ化水素（ＨＦ）種を生成可能なガスであっ
てよい。ＨＦ種は、フッ化水素のガス、ラジカル及びイオンの少なくともいずれかを含む
。一例では、フッ素含有ガスは、ＨＦガス又はハイドロフルオロカーボンガスであってよ
い。また、フッ素含有ガスは、水素源及びフッ素源を含む混合ガスであってもよい。水素
源は、例えば、Ｈ2、ＮＨ3、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2又はハイドロカーボン（ＣＨ4、Ｃ3Ｈ6等）で
あってよい。フッ素源は、ＮＦ3、ＳＦ6、ＷＦ6、ＸｅＦ2、フルオロカーボン又はハイド
ロフルオロカーボンであってよい。以下、これらのフッ素含有ガスを「ＨＦ系ガス」とも
いう。ＨＦ系ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマは、ＨＦ種（エッチャント）を
多く含む。ＨＦ系ガスは、主エッチャントガスでもよい。ＨＦ系ガスは、処理ガス中の反
応ガスの総流量に占める流量割合が最も大きくてよく、例えば、反応ガスの総流量に対し
て５０体積％以上、６０体積％以上、７０体積％以上、８０体積％以上、９０体積％以上
でよい。また、ＨＦ系ガスは、反応ガスの総流量に対して９６体積％以下でよい。本実施
形態においては、反応ガスには、Ａｒ等の貴ガスは含まれない。別の例では処理ガスは、
反応ガスに加えて貴ガスを含んでよい。
【0073】
内部空間１０ｓ内に供給された処理ガスの圧力は、チャンバ本体１２に接続された排気
装置５０の圧力調整弁を制御することで調整される。処理ガスの圧力は、例えば、５ｍＴ
ｏｒｒ（０．７Ｐａ）以上１００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ）以下、１０ｍＴｏｒｒ（１
．３Ｐａ）以上６０ｍＴｏｒｒ（８．０Ｐａ）以下、又は２０ｍＴｏｒｒ（２．７Ｐａ）
以上４０ｍＴｏｒｒ（５．３Ｐａ）以下でよい。
装置５０の圧力調整弁を制御することで調整される。処理ガスの圧力は、例えば、５ｍＴ
ｏｒｒ（０．７Ｐａ）以上１００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ）以下、１０ｍＴｏｒｒ（１
．３Ｐａ）以上６０ｍＴｏｒｒ（８．０Ｐａ）以下、又は２０ｍＴｏｒｒ（２．７Ｐａ）
以上４０ｍＴｏｒｒ（５．３Ｐａ）以下でよい。
【0074】
（ステップＳＴ３：プラズマの生成）
次に、ステップＳＴ３において、プラズマ生成部（高周波電源６２及び／又はバイアス
電源６４）から高周波電力及び／又は電気バイアスを供給する。これにより、上部電極３
０と基板支持器１４との間で高周波電界が生成され、内部空間１０ｓ内の処理ガスからプ
ラズマが生成される。生成されたプラズマ中のイオン、ラジカルといった活性種が基板Ｗ
に引き寄せられて、基板Ｗの被エッチング膜ＥＦがエッチングされる。
次に、ステップＳＴ３において、プラズマ生成部（高周波電源６２及び／又はバイアス
電源６４）から高周波電力及び／又は電気バイアスを供給する。これにより、上部電極３
０と基板支持器１４との間で高周波電界が生成され、内部空間１０ｓ内の処理ガスからプ
ラズマが生成される。生成されたプラズマ中のイオン、ラジカルといった活性種が基板Ｗ
に引き寄せられて、基板Ｗの被エッチング膜ＥＦがエッチングされる。
【0075】
なお、プラズマ生成中、支持体３６の下面（第３の面）３６１（図６参照）の温度は、
２２０℃以下に制御してよく、２００℃以下に制御してよく、１８０℃以下に制御してよ
く、１６０℃以下に制御してよい。これにより、フッ素含有ガスによる支持体３６の下面
（第３の面）３６１の腐食をより効果的に抑制することができる。支持体３６の下面（第
３の面）３６１の温度は、例えば、支持体３６内に設けた流路に、熱交換媒体（例えば冷
媒）を供給することにより制御することができる。
２２０℃以下に制御してよく、２００℃以下に制御してよく、１８０℃以下に制御してよ
く、１６０℃以下に制御してよい。これにより、フッ素含有ガスによる支持体３６の下面
（第３の面）３６１の腐食をより効果的に抑制することができる。支持体３６の下面（第
３の面）３６１の温度は、例えば、支持体３６内に設けた流路に、熱交換媒体（例えば冷
媒）を供給することにより制御することができる。
【0076】
＜上部電極における処理ガスの流れ＞
図６は、上部電極３０における処理ガスの流れを説明するための図である。ステップＳ
Ｔ２において、ガスソース群４０及びガス供給管３８から上部電極３０を介して、内部空
間１０ｓ内に処理ガスが供給される。このとき、上部電極３０では、支持体３６のガス供
給路（ガス導入口３６ｃ、ガス拡散室３６ａ、複数のガス孔３６ｂ）から天板３４（シャ
ワーヘッドＳＨ）のガス吐出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）に向かって処理ガスが流れる（図６
の矢印Ａ１）。
図６は、上部電極３０における処理ガスの流れを説明するための図である。ステップＳ
Ｔ２において、ガスソース群４０及びガス供給管３８から上部電極３０を介して、内部空
間１０ｓ内に処理ガスが供給される。このとき、上部電極３０では、支持体３６のガス供
給路（ガス導入口３６ｃ、ガス拡散室３６ａ、複数のガス孔３６ｂ）から天板３４（シャ
ワーヘッドＳＨ）のガス吐出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）に向かって処理ガスが流れる（図６
の矢印Ａ１）。
【0077】
図６に示すように、支持体３６と天板３４（シャワーヘッドＳＨ）との間に隙間ＧＰが
生じている場合がある。この場合、支持体３６のガス孔３６ｂから天板３４（シャワーヘ
ッドＳＨ）のガス吐出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）に向かって流れる処理ガスの一部は、この
隙間ＧＰに向かって流れ得る（図６の矢印Ｂ１及びＢ２）。
生じている場合がある。この場合、支持体３６のガス孔３６ｂから天板３４（シャワーヘ
ッドＳＨ）のガス吐出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）に向かって流れる処理ガスの一部は、この
隙間ＧＰに向かって流れ得る（図６の矢印Ｂ１及びＢ２）。
【0078】
すなわち、図６に示すように、処理ガスは、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）のガス吐
出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）内と、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の上面（第２の面ＢＤ
２）上とを流れ得る。ここで、天板３４の上面（第２の面ＢＤ２）は、膜ＣＲが形成され
、第１の耐腐食性材料により構成されている。そのため、処理ガスが腐食性のガス（例え
ば、プラズマ化される前でも高い反応性を有するＨＦ系ガス）を含む場合であっても、天
板３４の上面の腐食を抑制し得る。図６に示すように、ガス吐出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）
を規定する側面（内側面ＢＤ３）にも膜ＣＲが形成されている場合、当該側面の腐食も抑
制し得る。これにより、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の腐食に伴う上部電極３０の導
電不良やパーティクルの発生（内部空間１０ｓの汚染）を抑制することができる。
出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）内と、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の上面（第２の面ＢＤ
２）上とを流れ得る。ここで、天板３４の上面（第２の面ＢＤ２）は、膜ＣＲが形成され
、第１の耐腐食性材料により構成されている。そのため、処理ガスが腐食性のガス（例え
ば、プラズマ化される前でも高い反応性を有するＨＦ系ガス）を含む場合であっても、天
板３４の上面の腐食を抑制し得る。図６に示すように、ガス吐出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）
を規定する側面（内側面ＢＤ３）にも膜ＣＲが形成されている場合、当該側面の腐食も抑
制し得る。これにより、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の腐食に伴う上部電極３０の導
電不良やパーティクルの発生（内部空間１０ｓの汚染）を抑制することができる。
【0079】
一方、天板３４（シャワーヘッドＳＨ）の下面（第１の面ＢＤ１）は、第１の耐腐食性
材料からなる膜は形成されていなくてもよい。当該下面（第１の面ＢＤ１）は、内部空間
１０ｓに面しており、内部空間１０ｓ内で生成されたプラズマに暴露される。そのため、
当該下面（第１の面ＢＤ１）が処理ガスにより腐食したとしても、当該腐食箇所は、例え
ばチャンバ１０のクリーニング時にプラズマに暴露することで比較的容易に除去し得る。
これに対し、天板３４の上面（第２の面ＢＤ２）は、チャンバ内で生成されるプラズマに
直接暴露される面ではなく、かかる除去手段はとり得ない上、腐食され得る面積が大きく
、上述した導電不良やパーティクルの問題を生じやすい。そのため、天板３４の上面（第
２の面ＢＤ２）を第１の耐腐食性材料により構成し、表面の腐食自体を抑制することが有
効である。また、ガス吐出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）を規定する側面（内側面ＢＤ３）の一
部（内部空間１０ｓの近傍）は、プラズマに暴露され得るとしても、当該側面全部につい
て上記除去手段は取りえないため、当該側面を第１の耐腐食性材料により構成し、腐食自
体を抑制することが有効である。なお、本体ＢＤ自体を第１の耐腐食性材料で構成した場
合や、本体ＢＤを、カーボンを含む基材と、当該基材の表面を覆うシリコンカーバイド膜
とから構成した場合には、第１の面ＢＤ１及び内側面ＢＤ３は、第１の耐腐食性材料から
構成されることとなる。
材料からなる膜は形成されていなくてもよい。当該下面（第１の面ＢＤ１）は、内部空間
１０ｓに面しており、内部空間１０ｓ内で生成されたプラズマに暴露される。そのため、
当該下面（第１の面ＢＤ１）が処理ガスにより腐食したとしても、当該腐食箇所は、例え
ばチャンバ１０のクリーニング時にプラズマに暴露することで比較的容易に除去し得る。
これに対し、天板３４の上面（第２の面ＢＤ２）は、チャンバ内で生成されるプラズマに
直接暴露される面ではなく、かかる除去手段はとり得ない上、腐食され得る面積が大きく
、上述した導電不良やパーティクルの問題を生じやすい。そのため、天板３４の上面（第
２の面ＢＤ２）を第１の耐腐食性材料により構成し、表面の腐食自体を抑制することが有
効である。また、ガス吐出孔３４ａ（ガス孔ＧＨ）を規定する側面（内側面ＢＤ３）の一
部（内部空間１０ｓの近傍）は、プラズマに暴露され得るとしても、当該側面全部につい
て上記除去手段は取りえないため、当該側面を第１の耐腐食性材料により構成し、腐食自
体を抑制することが有効である。なお、本体ＢＤ自体を第１の耐腐食性材料で構成した場
合や、本体ＢＤを、カーボンを含む基材と、当該基材の表面を覆うシリコンカーバイド膜
とから構成した場合には、第１の面ＢＤ１及び内側面ＢＤ３は、第１の耐腐食性材料から
構成されることとなる。
【0080】
本開示の各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし
得る。例えば、図６に示す支持体３６の下面（第３の面）３６１（隙間ＧＰを規定する面
）やガス供給路（ガス導入口３６ｃ、ガス拡散室３６ａ、複数のガス孔３６ｂ）の内周面
及び図６に示すガス供給管３８の内周面は、いずれも、処理ガスによって腐食され得る一
方で、チャンバ内で生成されるプラズマに暴露される部分ではなく、プラズマによる腐食
の除去が困難な部分である。そのため、これらの面ないし内周面の少なくとも一部を耐腐
食性材料で構成し、腐食自体を抑制するようにしてよい。この場合、耐腐食性材料は、第
１の耐腐食性材料と同一であってもよく、異なってもよい。例えば、支持体３６の下面（
第３の面）３６１に第２の耐腐食性材料の膜を形成してもよく、また支持体３６自体を第
２の耐腐食性材料で構成してもよい。第２の耐腐食性材料は、半封孔処理された陽極酸化
皮膜であってよい。陽極酸化皮膜は、一例では、アルミニウム製の支持体３６の下面（第
３の面）３６１を陽極酸化処理した後、半封孔処理することにより形成される酸化アルミ
ニウム膜であってよい。半空孔処理の条件は、特に限定されることなく、水蒸気や沸騰水
を用いた化学的封孔処理であってもよく、有機物質や無機物質を用いた電解処理により行
われる電気化学的封孔処理であってもよい。なお、半封孔処理は、陽極酸化処理後に処理
面に生じるボア（空孔）を不完全に封孔する処理である。半封孔処理では、処理面の酸化
物が膨張しても、膨張した酸化物の逃げ場を確保することができる。このため、プラズマ
からの入熱により、支持体３６が熱膨張した場合であっても支持体３６にクラックが発生
することを抑制できる。半封孔処理後における支持体３６の下面（第３の面）３６１の空
孔率は、５％以上であってよく、１０％以上であってよく、１５％以上であってよい。空
孔率が１０％未満では、プラズマ処理中、プラズマからの入熱により、支持体３６にクラ
ックが発生しやすくなる場合がある。また、支持体３６の下面（第３の面）３６１の空孔
率は、５０％以下であってよく、４０％以下であってよく、３０％以下であってよい。空
孔率が５０％を超えると、支持体３６の下面（第３の面）３６１の物理的強度が低下する
場合がある。なお、空孔率は、走査型電子顕微鏡を用いて支持体３６を断面観察した場合
に、空孔の開口面積を、支持体３６の下面（第３の面）３６１の表面積で除することによ
り求めることができる。
得る。例えば、図６に示す支持体３６の下面（第３の面）３６１（隙間ＧＰを規定する面
）やガス供給路（ガス導入口３６ｃ、ガス拡散室３６ａ、複数のガス孔３６ｂ）の内周面
及び図６に示すガス供給管３８の内周面は、いずれも、処理ガスによって腐食され得る一
方で、チャンバ内で生成されるプラズマに暴露される部分ではなく、プラズマによる腐食
の除去が困難な部分である。そのため、これらの面ないし内周面の少なくとも一部を耐腐
食性材料で構成し、腐食自体を抑制するようにしてよい。この場合、耐腐食性材料は、第
１の耐腐食性材料と同一であってもよく、異なってもよい。例えば、支持体３６の下面（
第３の面）３６１に第２の耐腐食性材料の膜を形成してもよく、また支持体３６自体を第
２の耐腐食性材料で構成してもよい。第２の耐腐食性材料は、半封孔処理された陽極酸化
皮膜であってよい。陽極酸化皮膜は、一例では、アルミニウム製の支持体３６の下面（第
３の面）３６１を陽極酸化処理した後、半封孔処理することにより形成される酸化アルミ
ニウム膜であってよい。半空孔処理の条件は、特に限定されることなく、水蒸気や沸騰水
を用いた化学的封孔処理であってもよく、有機物質や無機物質を用いた電解処理により行
われる電気化学的封孔処理であってもよい。なお、半封孔処理は、陽極酸化処理後に処理
面に生じるボア（空孔）を不完全に封孔する処理である。半封孔処理では、処理面の酸化
物が膨張しても、膨張した酸化物の逃げ場を確保することができる。このため、プラズマ
からの入熱により、支持体３６が熱膨張した場合であっても支持体３６にクラックが発生
することを抑制できる。半封孔処理後における支持体３６の下面（第３の面）３６１の空
孔率は、５％以上であってよく、１０％以上であってよく、１５％以上であってよい。空
孔率が１０％未満では、プラズマ処理中、プラズマからの入熱により、支持体３６にクラ
ックが発生しやすくなる場合がある。また、支持体３６の下面（第３の面）３６１の空孔
率は、５０％以下であってよく、４０％以下であってよく、３０％以下であってよい。空
孔率が５０％を超えると、支持体３６の下面（第３の面）３６１の物理的強度が低下する
場合がある。なお、空孔率は、走査型電子顕微鏡を用いて支持体３６を断面観察した場合
に、空孔の開口面積を、支持体３６の下面（第３の面）３６１の表面積で除することによ
り求めることができる。
【0081】
また例えば、支持体３６のガス供給路及び／又はガス供給管３８の内周面に第３の耐腐
食性材料の膜を形成してもよく、また支持体３６のガス供給路及び／又はガス供給管３８
自体を第３の耐腐食性材料で構成してもよい。この場合、第３の耐腐食性材料は、第１の
耐腐食性材料又は第２の耐腐食性材料と同一であってもよく、異なってもよい。
食性材料の膜を形成してもよく、また支持体３６のガス供給路及び／又はガス供給管３８
自体を第３の耐腐食性材料で構成してもよい。この場合、第３の耐腐食性材料は、第１の
耐腐食性材料又は第２の耐腐食性材料と同一であってもよく、異なってもよい。
【0082】
また例えば、基板処理装置１は、シャワーヘッドＳＨに加えて、次述するガス供給ユニ
ットＧＵを備えてもよい。なお、ガス供給ユニットＧＵは、上述の容量結合型の基板処理
装置１のほか、誘導結合型プラズマやマイクロ波プラズマ等、任意のプラズマ源を用いた
他の基板処理装置に適用可能である。
ットＧＵを備えてもよい。なお、ガス供給ユニットＧＵは、上述の容量結合型の基板処理
装置１のほか、誘導結合型プラズマやマイクロ波プラズマ等、任意のプラズマ源を用いた
他の基板処理装置に適用可能である。
【0083】
図７Ａは、一つの例示的実施形態にかかるガス供給ユニットＧＵを示す斜視図である。
図７Ｂはガス供給ユニットＧＵの平面図である。図７Ｃは、図７Ｂのガス供給ユニットＧ
ＵのＡ－Ａ'断面図である。ガス供給ユニットＧＵは、チャンバ内にガスを供給するため
のガス供給手段の一例である。ガス供給ユニットＧＵは、チャンバの内壁に沿ってチャン
バ取り付け可能である。ガス供給ユニットＧＵは、チャンバに複数個設けてもよい。
図７Ｂはガス供給ユニットＧＵの平面図である。図７Ｃは、図７Ｂのガス供給ユニットＧ
ＵのＡ－Ａ'断面図である。ガス供給ユニットＧＵは、チャンバ内にガスを供給するため
のガス供給手段の一例である。ガス供給ユニットＧＵは、チャンバの内壁に沿ってチャン
バ取り付け可能である。ガス供給ユニットＧＵは、チャンバに複数個設けてもよい。
【0084】
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、ガス供給ユニットＧＵは、環状の本体部１００を有し
ている。本体部１００は、例えば、シリコン含有材料で構成されてよい。シリコン含有材
料は、例えば、シリコンや炭化シリコン等の導電性材料でも、シリコン酸化物（例えばク
ォーツ）等の絶縁性材料でもよい。本体部１００は、半径方向内側の側面１００Ａと、半
径方向外側の側面１００Ｂとを有し、側面１００Ｂ側がチャンバの内壁に取り付けられる
と、側面１００Ａ側がチャンバ内の処理空間に面するようになっている。
ている。本体部１００は、例えば、シリコン含有材料で構成されてよい。シリコン含有材
料は、例えば、シリコンや炭化シリコン等の導電性材料でも、シリコン酸化物（例えばク
ォーツ）等の絶縁性材料でもよい。本体部１００は、半径方向内側の側面１００Ａと、半
径方向外側の側面１００Ｂとを有し、側面１００Ｂ側がチャンバの内壁に取り付けられる
と、側面１００Ａ側がチャンバ内の処理空間に面するようになっている。
【0085】
図７Ｃに示すように、本体部１００は、中空体であり、本体部１００の内部を周方向に
１周するようにガス供給路１０２が設けられている。ガス供給路１０２は、小径のガス孔
１０４と連通している。ガス孔１０４は、本体部１００の半径方向内側の側面１００Ａに
向かって開口している。ガス孔１０４は、本体部１００の周方向に沿って所定の間隔で複
数個設けられている。
１周するようにガス供給路１０２が設けられている。ガス供給路１０２は、小径のガス孔
１０４と連通している。ガス孔１０４は、本体部１００の半径方向内側の側面１００Ａに
向かって開口している。ガス孔１０４は、本体部１００の周方向に沿って所定の間隔で複
数個設けられている。
【0086】
ガス供給路１０２は、ガス導入口（図示せず）を少なくとも一つ有している。ガス導入
口は、外部のガスソース群からガス供給管を介してチャンバに供給される処理ガスが導入
される。ガス導入口を介してガス供給路１０２内に流入する処理ガスは、ガス供給路１０
２内を周方向に沿って流れ、複数のガス孔１０４のいずれかから吐出される図７Ｃに示す
例では、ガス孔１０４が設けられた側面１００Ａの下部は傾斜を有しているため、ガス孔
１０４から吐出される処理ガスは斜め下方向に吐出される。
口は、外部のガスソース群からガス供給管を介してチャンバに供給される処理ガスが導入
される。ガス導入口を介してガス供給路１０２内に流入する処理ガスは、ガス供給路１０
２内を周方向に沿って流れ、複数のガス孔１０４のいずれかから吐出される図７Ｃに示す
例では、ガス孔１０４が設けられた側面１００Ａの下部は傾斜を有しているため、ガス孔
１０４から吐出される処理ガスは斜め下方向に吐出される。
【0087】
本体部１００の内周面１００Ｃは、第１の耐腐食性材料で構成されている。図７Cに示
すように、本体部１００の内周面１００Ｃは、上述した第１の耐腐食性材料からなる膜Ｃ
Ｒが形成されている。一例では、膜ＣＲを形成することに代えて又は加えて本体部１００
自体を第１の耐腐食性材料で構成してよい。本体部１００の内周面１００Ｃは、処理ガス
によって腐食され得る一方で、チャンバ内で生成されるプラズマに暴露される部分ではな
く、プラズマによる腐食の除去が困難な部分である。そのため、本体部１００の内周面１
００Ｃを第１の耐腐食性材料により構成し、腐食自体を抑制することが有効である。なお
、ガス孔１０４を第１の耐腐食性材料で構成してよい。
すように、本体部１００の内周面１００Ｃは、上述した第１の耐腐食性材料からなる膜Ｃ
Ｒが形成されている。一例では、膜ＣＲを形成することに代えて又は加えて本体部１００
自体を第１の耐腐食性材料で構成してよい。本体部１００の内周面１００Ｃは、処理ガス
によって腐食され得る一方で、チャンバ内で生成されるプラズマに暴露される部分ではな
く、プラズマによる腐食の除去が困難な部分である。そのため、本体部１００の内周面１
００Ｃを第１の耐腐食性材料により構成し、腐食自体を抑制することが有効である。なお
、ガス孔１０４を第１の耐腐食性材料で構成してよい。
【0088】
本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。
【0089】
（付記１）
プラズマ処理用のシャワーヘッドであって、
第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面と、複数の内側面とを有する本体部であ
って、前記複数の内側面は、前記第１の面から前記第２の面に亘って前記本体部を貫通す
る複数のガス孔を規定する、本体部を備え、
前記第２の面は、第1の耐腐食性材料で構成されている、
シャワーヘッド。
プラズマ処理用のシャワーヘッドであって、
第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面と、複数の内側面とを有する本体部であ
って、前記複数の内側面は、前記第１の面から前記第２の面に亘って前記本体部を貫通す
る複数のガス孔を規定する、本体部を備え、
前記第２の面は、第1の耐腐食性材料で構成されている、
シャワーヘッド。
【0090】
（付記２）
前記第１の耐腐食性材料は、前記本体部を構成する材料よりも、Ｆ2、ＸｅＦ2、ＷＦ6
、ＭｏＦ6、ＩＦ7、ＨＦ、ＣｌＦ3からなる群から選択される少なくとも１種を含むフッ
素含有ガスに対する腐食耐性が高い材料である、付記１に記載のシャワーヘッド。
前記第１の耐腐食性材料は、前記本体部を構成する材料よりも、Ｆ2、ＸｅＦ2、ＷＦ6
、ＭｏＦ6、ＩＦ7、ＨＦ、ＣｌＦ3からなる群から選択される少なくとも１種を含むフッ
素含有ガスに対する腐食耐性が高い材料である、付記１に記載のシャワーヘッド。
【0091】
（付記３）
前記第１の耐腐食性材料は、前記本体部を構成する材料よりもフッ化水素ガスに対する
腐食耐性が高い材料である、付記１に記載のシャワーヘッド。
前記第１の耐腐食性材料は、前記本体部を構成する材料よりもフッ化水素ガスに対する
腐食耐性が高い材料である、付記１に記載のシャワーヘッド。
【0092】
（付記４）
前記第２の面に、前記第１の耐腐食性材料からなる膜を有する、付記１乃至付記３のい
ずれか１項に記載のシャワーヘッド。
前記第２の面に、前記第１の耐腐食性材料からなる膜を有する、付記１乃至付記３のい
ずれか１項に記載のシャワーヘッド。
【0093】
（付記５）
前記複数の内側面に、前記膜をさらに有する、付記４に記載のシャワーヘッド。
前記複数の内側面に、前記膜をさらに有する、付記４に記載のシャワーヘッド。
【0094】
（付記６）
前記膜が前記第１の面に形成されていない、付記４又は付記５に記載のシャワーヘッド
。
前記膜が前記第１の面に形成されていない、付記４又は付記５に記載のシャワーヘッド
。
【0095】
（付記７）
前記本体部が、前記第１の耐腐食性材料で構成されている、付記１に記載のシャワーヘ
ッド。
前記本体部が、前記第１の耐腐食性材料で構成されている、付記１に記載のシャワーヘ
ッド。
【0096】
（付記８）
前記第１の耐腐食性材料は、炭素含有材料又は金属含有材料である、付記１乃至付記７
のいずれか１項に記載のシャワーヘッド。
前記第１の耐腐食性材料は、炭素含有材料又は金属含有材料である、付記１乃至付記７
のいずれか１項に記載のシャワーヘッド。
【0097】
（付記９）
前記第１の耐腐食性材料は、フッ化炭素樹脂、カーボン、フッ素添加カーボン、ポリイ
ミド樹脂及びシリコンカーバイドからなる群から選択される少なくとも１種を含む、付記
８に記載のシャワーヘッド。
前記第１の耐腐食性材料は、フッ化炭素樹脂、カーボン、フッ素添加カーボン、ポリイ
ミド樹脂及びシリコンカーバイドからなる群から選択される少なくとも１種を含む、付記
８に記載のシャワーヘッド。
【0098】
（付記１０）
前記第１の耐腐食性材料は、金属、金属窒化物、金属炭化物、金属酸化物及び合金から
なる群から選択される少なくとも１種を含む、付記８に記載のシャワーヘッド。
前記第１の耐腐食性材料は、金属、金属窒化物、金属炭化物、金属酸化物及び合金から
なる群から選択される少なくとも１種を含む、付記８に記載のシャワーヘッド。
【0099】
（付記１１）
前記本体部は、シリコン含有材料で構成されている、付記１乃至付記１０のいずれか１
項に記載のシャワーヘッド。
前記本体部は、シリコン含有材料で構成されている、付記１乃至付記１０のいずれか１
項に記載のシャワーヘッド。
【0100】
（付記１２）
前記シリコン含有材料は、導電性のシリコン含有材料である、付記１１に記載のシャワ
ーヘッド。
前記シリコン含有材料は、導電性のシリコン含有材料である、付記１１に記載のシャワ
ーヘッド。
【0101】
（付記１３）
前記シリコン含有材料は、シリコン酸化物である、付記１１に記載のシャワーヘッド。
前記シリコン含有材料は、シリコン酸化物である、付記１１に記載のシャワーヘッド。
【0102】
（付記１４）
前記本体部は、カーボンを含む基材と、前記基材の表面を覆うシリコンカーバイド膜と
から構成される、付記１１に記載のシャワーヘッド。
前記本体部は、カーボンを含む基材と、前記基材の表面を覆うシリコンカーバイド膜と
から構成される、付記１１に記載のシャワーヘッド。
【0103】
（付記１５）
前記本体部は、略円板状であり、前記第１の面が円板の一方の面を構成し、前記第２の
面が当該円板の他方の面を構成する、付記１乃至付記１４のいずれか１項に記載のシャワ
ーヘッド。
前記本体部は、略円板状であり、前記第１の面が円板の一方の面を構成し、前記第２の
面が当該円板の他方の面を構成する、付記１乃至付記１４のいずれか１項に記載のシャワ
ーヘッド。
【0104】
（付記１６）
付記１乃至付記１５のいずれか１項に記載のシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドの前記第２の面側に配置され、前記シャワーヘッドの前記複数のガ
ス孔に処理ガスを供給するためのガス供給路を有する導電性の支持体と、を備える電極ユ
ニット。
付記１乃至付記１５のいずれか１項に記載のシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドの前記第２の面側に配置され、前記シャワーヘッドの前記複数のガ
ス孔に処理ガスを供給するためのガス供給路を有する導電性の支持体と、を備える電極ユ
ニット。
【0105】
（付記１７）
前記支持体の、前記シャワーヘッドの前記第２の面に対向する第３の面は第２の耐腐食
性材料で構成されている、付記１６に記載の電極ユニット。
前記支持体の、前記シャワーヘッドの前記第２の面に対向する第３の面は第２の耐腐食
性材料で構成されている、付記１６に記載の電極ユニット。
【0106】
（付記１８）
前記第２の耐腐食性材料は、半封孔処理された陽極酸化皮膜である、付記１７に記載の
電極ユニット。
前記第２の耐腐食性材料は、半封孔処理された陽極酸化皮膜である、付記１７に記載の
電極ユニット。
【0107】
（付記１９）
プラズマ処理用のガス供給ユニットであって、
環状の本体部と、前記本体部の半径方向内側に、周方向に沿って複数設けられたガス孔
と、前記本体部の内部に設けられ、前記複数のガス孔に連通するガス供給路と、を備え、
前記ガス供給路は、少なくとも内周面が第１の耐腐食性材料で構成されている、
ガス供給ユニット。
プラズマ処理用のガス供給ユニットであって、
環状の本体部と、前記本体部の半径方向内側に、周方向に沿って複数設けられたガス孔
と、前記本体部の内部に設けられ、前記複数のガス孔に連通するガス供給路と、を備え、
前記ガス供給路は、少なくとも内周面が第１の耐腐食性材料で構成されている、
ガス供給ユニット。
【0108】
（付記２０）
プラズマ処理用のチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記基板支持器に前記シャワーヘッドの前記第１の面が対向するように前記チャンバの
上部に配置された付記１６又は付記１７に記載の電極ユニットと、
プラズマ生成部と、
制御部と、
を備える基板処理装置。
プラズマ処理用のチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記基板支持器に前記シャワーヘッドの前記第１の面が対向するように前記チャンバの
上部に配置された付記１６又は付記１７に記載の電極ユニットと、
プラズマ生成部と、
制御部と、
を備える基板処理装置。
【0109】
（付記２１）
プラズマ処理用のチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記チャンバの内壁に沿って取り付けられた付記１９に記載のガス供給ユニットと、
プラズマ生成部と、
制御部と、
を備える基板処理装置。
プラズマ処理用のチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記チャンバの内壁に沿って取り付けられた付記１９に記載のガス供給ユニットと、
プラズマ生成部と、
制御部と、
を備える基板処理装置。
【0110】
（付記２２）
前記チャンバは、フッ化水素ガスを含む処理ガスを供給するためのガスソース群と接続
しており、
前記制御部は、
前記支持体の、前記シャワーヘッドの前記第２の面に対向する第３の面の温度を２００
℃以下に制御する工程と、
前記基板支持器上に、シリコン含有膜を有する基板を配置する工程と、
前記ガスソース群から前記チャンバ内に、前記処理ガスを供給する工程と、
前記プラズマ生成部により、前記処理ガスからプラズマを生成して、前記シリコン含有
膜をエッチングする工程と、
を含む処理を実行するように構成される、付記２０又は付記２１に記載の基板処理装置。
前記チャンバは、フッ化水素ガスを含む処理ガスを供給するためのガスソース群と接続
しており、
前記制御部は、
前記支持体の、前記シャワーヘッドの前記第２の面に対向する第３の面の温度を２００
℃以下に制御する工程と、
前記基板支持器上に、シリコン含有膜を有する基板を配置する工程と、
前記ガスソース群から前記チャンバ内に、前記処理ガスを供給する工程と、
前記プラズマ生成部により、前記処理ガスからプラズマを生成して、前記シリコン含有
膜をエッチングする工程と、
を含む処理を実行するように構成される、付記２０又は付記２１に記載の基板処理装置。
【0111】
（付記２３）
付記２０又は付記２１に記載の基板処理装置値と、
ガスソース群と、
前記ガスソース群から前記基板処理装置に処理ガスを供給するためのガス供給管と、
を含み、
前記ガス供給管は、少なくとも内周面が第３の耐腐食性材料で構成されている、
基板処理システム。
付記２０又は付記２１に記載の基板処理装置値と、
ガスソース群と、
前記ガスソース群から前記基板処理装置に処理ガスを供給するためのガス供給管と、
を含み、
前記ガス供給管は、少なくとも内周面が第３の耐腐食性材料で構成されている、
基板処理システム。
【0112】
（付記２４）
プラズマ処理装置のシャワーヘッドを支持するための支持体であって、
前記支持体は、前記シャワーヘッドに処理ガスを供給するためのガス供給路を有し、
前記シャワーヘッドを支持する支持面は、第２の耐腐食性材料で構成されている、
支持体。
プラズマ処理装置のシャワーヘッドを支持するための支持体であって、
前記支持体は、前記シャワーヘッドに処理ガスを供給するためのガス供給路を有し、
前記シャワーヘッドを支持する支持面は、第２の耐腐食性材料で構成されている、
支持体。
【0113】
（付記２５）
前記第２の耐腐食性材料は、半封孔処理された陽極酸化皮膜である、付記２４に記載の
支持体。
前記第２の耐腐食性材料は、半封孔処理された陽極酸化皮膜である、付記２４に記載の
支持体。
【符号の説明】
【0114】
１……基板処理装置、１０……チャンバ、１０ｓ……内部空間、１２……チャンバ本体、
１４……基板支持器、１６……電極プレート、１８……下部電極、２０……静電チャック
、３０……上部電極、３４……天板、３４ａ……ガス吐出孔、３６……支持体、３８……
ガス供給管、５０……排気装置、６２……高周波電源、６４……バイアス電源、８０……
制御部、ＣＴ……制御部、ＥＦ……被エッチング膜、ＭＫ……マスク膜、ＯＰ……開口、
ＵＦ……下地膜、Ｗ……基板、ＳＨ……天板、ＣＲ……耐腐食性の膜、ＢＤ……本体部、
ＢＤ１……第１の面、ＢＤ２……第２の面、ＢＤ３……内側面、ＧＨ……ガス孔、ＧＨ…
…ガス供給ユニット
１４……基板支持器、１６……電極プレート、１８……下部電極、２０……静電チャック
、３０……上部電極、３４……天板、３４ａ……ガス吐出孔、３６……支持体、３８……
ガス供給管、５０……排気装置、６２……高周波電源、６４……バイアス電源、８０……
制御部、ＣＴ……制御部、ＥＦ……被エッチング膜、ＭＫ……マスク膜、ＯＰ……開口、
ＵＦ……下地膜、Ｗ……基板、ＳＨ……天板、ＣＲ……耐腐食性の膜、ＢＤ……本体部、
ＢＤ１……第１の面、ＢＤ２……第２の面、ＢＤ３……内側面、ＧＨ……ガス孔、ＧＨ…
…ガス供給ユニット
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【手続補正書】
【提出日】2024-06-10
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
プラズマ処理装置のシャワーヘッドを支持するための支持体であって、
前記支持体は、前記シャワーヘッドに処理ガスを供給するためのガス供給路と、熱交換媒体が供給される流路と、を内部に備え、
前記シャワーヘッドを支持する支持面は、第２の耐腐食性材料から構成され、前記流路に供給される前記熱交換媒体により温度が２００度以下に制御されるように構成される、支持体。
前記支持体は、前記シャワーヘッドに処理ガスを供給するためのガス供給路と、熱交換媒体が供給される流路と、を内部に備え、
前記シャワーヘッドを支持する支持面は、第２の耐腐食性材料から構成され、前記流路に供給される前記熱交換媒体により温度が２００度以下に制御されるように構成される、支持体。
【請求項2】
前記第２の耐腐食性材料は、半封孔処理された陽極酸化皮膜である、請求項１に記載の支持体。
【請求項3】
前記陽極酸化皮膜は、酸化アルミニウム膜である、請求項２に記載の支持体。
【請求項4】
前記陽極酸化皮膜は、空孔を備える、請求項２に記載の支持体。
【請求項5】
前記陽極酸化皮膜の空孔率は、５％以上である、請求項４に記載の支持体。
【請求項6】
前記陽極酸化皮膜の空孔率は、５０％以下である、請求項４に記載の支持体。
【請求項7】
前記支持体は、前記第２の耐腐食性材料から構成される、請求項１に記載の支持体。
【請求項8】
前記支持体は、導電性材料から構成される、請求項１に記載の支持体。
【請求項9】
前記支持体は、アルミニウム又はアルミニウム合金から構成される、請求項８に記載の支持体。
【請求項10】
前記ガス供給路は、
ガス導入口と、
前記ガス導入口と接続するガス拡散室と、
前記ガス拡散室と接続し、前記シャワーヘッドが有する複数のガス吐出孔とそれぞれ接続する複数のガス孔と、
を備える、請求項１に記載の支持体。
ガス導入口と、
前記ガス導入口と接続するガス拡散室と、
前記ガス拡散室と接続し、前記シャワーヘッドが有する複数のガス吐出孔とそれぞれ接続する複数のガス孔と、
を備える、請求項１に記載の支持体。
【請求項11】
前記ガス導入口、前記ガス拡散室及び前記複数のガス孔の内周面の少なくとも一部が第３の耐腐食性材料で構成される、請求項１０に記載の支持体。
【請求項12】
前記第３の耐腐食性材料は、前記第２の耐腐食性材料と同じ材料である、請求項１１に記載の支持体。
【請求項13】
前記第３の耐腐食性材料は、前記第２の耐腐食性材料と異なる材料である、請求項１１に記載の支持体。
【請求項14】
請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の支持体と、
前記支持体の前記支持面に対向する面が第１の耐腐食性材料で構成されるシャワーヘッドと、を備える電極ユニット。
前記支持体の前記支持面に対向する面が第１の耐腐食性材料で構成されるシャワーヘッドと、を備える電極ユニット。
【請求項15】
プラズマ処理用のチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記基板支持器に前記シャワーヘッドが対向するように、前記チャンバの上部に配置された請求項１４に記載の電極ユニットと、
プラズマ生成部と、
制御部と、
を備える基板処理装置。
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記基板支持器に前記シャワーヘッドが対向するように、前記チャンバの上部に配置された請求項１４に記載の電極ユニットと、
プラズマ生成部と、
制御部と、
を備える基板処理装置。
【請求項16】
プラズマ処理装置のシャワーヘッドの支持体の製造方法であって、
、前記シャワーヘッドを支持するための支持面と前記シャワーヘッドに処理ガスを供給するためのガス供給路とを備えるアルミニウム製の支持体を提供する工程と、
前記支持体の前記支持面を陽極酸化処理して当該支持面に酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記酸化アルミニウム膜を半封孔処理する工程と、を含む、
支持体の製造方法。
、前記シャワーヘッドを支持するための支持面と前記シャワーヘッドに処理ガスを供給するためのガス供給路とを備えるアルミニウム製の支持体を提供する工程と、
前記支持体の前記支持面を陽極酸化処理して当該支持面に酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記酸化アルミニウム膜を半封孔処理する工程と、を含む、
支持体の製造方法。
【請求項17】
前記半封孔処理は、化学的封孔処理又は電気化学的封孔処理である、請求項１６に記載の支持体の製造方法。