特開 2024-97250 静電チャック、基板処理装置、および静電チャックの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024097250

(43)【公開日】2024-07-18

(54)【発明の名称】静電チャック、基板処理装置、および静電チャックの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240710BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240710BHJP

   C23C 14/50 20060101ALI20240710BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20240710BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101L

H01L21/302 101G

C23C14/50 A

C23C16/458

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023000700

(22)【出願日】2023-01-05

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】南 雅人

(72)【発明者】

【氏名】渡邉 知弥

【テーマコード（参考）】

4K029

4K030

5F004

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K029BD01

4K029JA01

4K029JA06

4K030GA02

4K030JA03

5F004AA01

5F004BA20

5F004BB13

5F004BB22

5F004BB29

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA32

5F131BA04

5F131BA19

5F131CA03

5F131EA03

5F131EB11

5F131EB54

5F131EB82

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】基板処理のムラを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】静電チャックは、基板を支持する支持面を備える。前記支持面は、同じ高さに形成された複数の突起部が面方向に並ぶことにより構成される。相互に隣接し合う前記複数の突起部同士の間隔は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍの範囲である。また前記支持面の平面視で、前記支持面の１ｍｍ^２単位に占める前記複数の突起部の面積の占有率は、３％乃至４０％の範囲である。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を支持する支持面を備える静電チャックであって、
前記支持面は、同じ高さに形成された複数の突起部が面方向に並ぶことにより構成され、
相互に隣接し合う前記複数の突起部同士の間隔は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍの範囲であり、
かつ前記支持面の平面視で、前記支持面の１ｍｍ^２単位に占める前記複数の突起部の面積の占有率は、３％乃至４０％の範囲である、
静電チャック。

【請求項2】

前記支持面の平面視で、前記複数の突起部の間隔に対する前記複数の突起部の最大幅の倍率は、０．２倍乃至０．７倍の範囲である、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項3】

前記複数の突起部は、前記支持面の平面視で円形状に形成され、
前記複数の突起部の直径は、０．１ｍｍ乃至０．３ｍｍの範囲である、
請求項２に記載の静電チャック。

【請求項4】

前記複数の突起部の高さは、０．０１ｍｍ乃至０．０５ｍｍの範囲である、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の静電チャック。

【請求項5】

前記静電チャックは、前記基板としてフラットパネルディスプレイ用基板を支持するものであり、
前記支持面は、当該支持面の平面視で方形状に形成され、第１方向の寸法が１４９０ｍｍ以上であり、第１方向と直交する第２方向の寸法が１７９０ｍｍ以上である、
請求項１乃至３のいずか１項に記載の静電チャック。

【請求項6】

前記静電チャックは、アルミナにより形成された下層および上層と、前記下層および前記上層の間で電極を構成する中間層と、を有し、
前記複数の突起部は、前記上層に一体形成されて、当該上層から突出している、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の静電チャック。

【請求項7】

フラットパネルディスプレイ用基板に対して基板処理を行う処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記フラットパネルディスプレイ用基板を支持する支持面を備える静電チャックと、を含むフラットパネルディスプレイ用の基板処理装置であって、
前記支持面は、同じ高さに形成された複数の突起部が面方向に並ぶことにより構成され、
相互に隣接し合う前記複数の突起部同士の間隔は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍの範囲であり、
かつ前記支持面の平面視で、前記支持面の１ｍｍ^２単位に占める前記複数の突起部の面積の占有率は、３％乃至４０％の範囲である、
基板処理装置。

【請求項8】

基板を支持する支持面を備える静電チャックの製造方法であって、
前記支持面は、同じ高さに形成された複数の突起部が面方向に並ぶことにより構成され、
（Ａ）前駆体の表面を平坦化する工程と、
（Ｂ）平坦化した前記前駆体の表面に点状の複数のマスクを形成する工程と、
（Ｃ）ブラスト加工を行うことで前記複数のマスクの間に隙間を形成した後に、前記マスクを除去する工程と、をこの順に行うことで、前記複数の突起部を形成する、
静電チャックの製造方法。

【請求項9】

前記（Ｂ）の工程では、スクリーン印刷により前記前駆体の表面に点状の複数のインクを塗布し、その後に前記複数のインクに紫外線を照射して硬化させることで前記複数のマスクを形成する、
請求項８に記載の静電チャックの製造方法。

【請求項10】

前記（Ｃ）の工程では、前記複数のマスクを有する前記前駆体にブラスト材を吹き付けることで前記前駆体を彫り込み、その後に前記前駆体の表面を研磨することで前記マスクを除去する、
請求項８に記載の静電チャックの製造方法。

【請求項11】

相互に隣接し合う前記複数の突起部同士の間隔は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍの範囲であり、
かつ前記支持面の平面視で、前記支持面の１ｍｍ^２単位に占める前記複数の突起部の面積の占有率は、３％乃至４０％の範囲である、
請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の静電チャックの製造方法。

【請求項12】

前記支持面の平面視で、前記複数の突起部の間隔に対する前記複数の突起部の最大幅の倍率は、０．２倍乃至０．７倍の範囲である、
請求項１１に記載の静電チャックの製造方法。

【請求項13】

前記複数の突起部は、前記支持面の平面視で円形状に形成され、
前記複数の突起部の直径は、０．１ｍｍ乃至０．３ｍｍの範囲である、
請求項１２に記載の静電チャックの製造方法。

【請求項14】

前記複数の突起部の高さは、０．０１ｍｍ乃至０．０５ｍｍの範囲である、
請求項１１に記載の静電チャックの製造方法。

【請求項15】

前記静電チャックは、前記基板としてフラットパネルディスプレイ用基板を支持するものであり、
前記支持面は、当該支持面の平面視で方形状に形成され、第１方向の寸法が１４９０ｍｍ以上であり、第１方向と直交する第２方向の寸法が１７９０ｍｍ以上である、
請求項１１に記載の静電チャックの製造方法。

【請求項16】

前記静電チャックは、アルミナにより形成された下層および上層と、前記下層および前記上層の間で電極を構成する中間層と、を有し、
前記複数の突起部は、前記上層に一体形成されて、当該上層から突出している、
請求項１１に記載の静電チャックの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、静電チャック、基板処理装置、および静電チャックの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、真空容器（処理容器）の内部において、基板を支持する静電チャックが開示されている。この静電チャックのチャックプレートは、シリコーン等の誘電体樹脂からなる弾性体に構成されている。また、チャックプレートの上面は、エンボス加工が施されることで、複数の凸部（突起部）を有している。

【0003】

あるいは、基板処理装置は、複数の突起部を備えずに、平坦状の支持面を有する静電チャックを適用する場合もある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】国際公開第２０２０／１１５９５２号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、静電チャックにより支持している基板に対する基板処理のムラを抑制することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様によれば、基板を支持する支持面を備える静電チャックであって、前記支持面は、同じ高さに形成された複数の突起部が面方向に並ぶことにより構成され、相互に隣接し合う前記複数の突起部同士の間隔は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍの範囲であり、かつ前記支持面の平面視で、前記支持面の１ｍｍ^２単位に占める前記複数の突起部の面積の占有率は、３％乃至４０％の範囲である、静電チャックが提供される。

【発明の効果】

【0007】

一態様によれば、静電チャックにより支持している基板に対する基板処理のムラを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す側面断面図である。

【図2】図２（Ａ）は、静電チャックの一部を拡大して示す側面断面図である。図２（Ｂ）は、一構成例の支持面を拡大して示す平面図である。図２（Ｃ）は、他の構成例の支持面を拡大して示す平面図である。

【図3】静電チャックの複数の突起部を拡大して示す側面断面図である。

【図4】静電チャックの製造方法を示すフローチャートである。

【図5】図５（Ａ）～図５（Ｄ）は、静電チャックの製造方法を示す第１説明図～第４説明図である。

【図6】図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、静電チャックの製造方法を示す第５説明図および第６説明図である。図６（Ｃ）は、製造方法の研磨ステップにより研磨される各突起部を拡大して示す図である。

【図7】図７（Ａ）は、本実施形態に係る静電チャックによる基板の支持状態を示す拡大断面図である。図７（Ｂ）は、第１比較例に係る静電チャックによる基板の支持状態を示す拡大断面図である。図７（Ｃ）は、第２比較例に係る静電チャックによる基板の支持状態を示す拡大断面図である。

【図8】静電チャックの所定方向に沿った電界のシミュレーション結果を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す側面断面図である。図１に示すように、一実施形態に係る静電チャック６７は、基板処理装置の一例であるフラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display：ＦＰＤ）用のプラズマ処理装置１００に適用される。ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）やエレクトロルミネセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）等があげられる。以下、本発明の理解の容易化のため、このプラズマ処理装置１００の構成について、先に説明していく。

【0011】

プラズマ処理装置１００は、平面視で方形状のフラットパネルディスプレイ用基板（以下、単に基板Ｇと言う）に対して、各種の基板処理を行う誘導結合型プラズマ（Inductive Coupled Plasma: ＩＣＰ）の装置に構成される。基板の材料としては、ガラス、または透明な合成樹脂等があげられる。各種の基板処理としては、エッチング処理、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いた成膜処理等があげられる。

【0012】

プラズマ処理装置１００によって処理される基板Ｇの平面寸法は、例えば、第６世代の１５００ｍｍ×１８００ｍｍ程度～第１０世代の２８００ｍｍ×３１００ｍｍ程度の範囲を少なくとも含む。基板Ｇの厚みは、例えば、０．３ｍｍ～数ｍｍ程度である。

【0013】

図１に示すプラズマ処理装置１００は、直方体形状の箱型の処理容器１０と、処理容器１０内に収容されて基板Ｇが載置される基板載置台６０と、を備える。また、プラズマ処理装置１００は、装置の各種の構成を制御する制御部９０を有する。

【0014】

処理容器１０は、誘電体板１１と、誘電体板１１の鉛直方向上側に設置されるアンテナ容器１２と、誘電体板１１の鉛直方向下側に設置される処理容器本体１３と、を含み、誘電体板１１により内部が上下２つの空間に区画されている。アンテナ容器１２は、誘電体板１１と共にアンテナ室を形成している。処理容器本体１３は、誘電体板１１と共に処理室Ｓを形成している。

【0015】

また、処理容器１０は、アンテナ容器１２と処理容器本体１３との間に、方形枠状の支持枠１４を挟んでいる。支持枠１４は、処理容器１０の内側に突出する部分を有し、この部分により誘電体板１１を支持している。処理容器１０は、接地線１３ｃを介して接地されている。

【0016】

アンテナ容器１２および処理容器本体１３は、アルミニウム等の金属により形成されている。誘電体板１１は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等のセラミックスや石英により形成されている。

【0017】

処理容器本体１３の側壁１３ａには、処理容器本体１３の内部に基板Ｇを搬入出可能にする搬入出口１３ｂが設けられている。搬入出口１３ｂは、ゲートバルブ２０により開閉される。ゲートバルブ２０の開放時に、図示しない搬送装置が、搬入出口１３ｂを介して処理容器本体１３の内部に基板Ｇを搬入または搬出する。

【0018】

また、処理容器本体１３の底部には、ガス排気部５０に接続される複数の排気口１３ｄが設けられている。ガス排気部５０は、複数の排気口１３ｄに接続される複数のガス排気管５１と、各ガス排気管５１の排気路を開閉する開閉弁５２と、各ガス排気管５１が接続される排気装置５３と、を備える。排気装置５３は、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプを有し、基板処理時に処理容器本体１３の内部を真空引きする。

【0019】

誘電体板１１の下面には、シャワーヘッド３０が設けられている。シャワーヘッド３０は、誘電体板１１を支持するための支持梁を兼ねている。シャワーヘッド３０は、アルミニウム等の金属により形成されている。シャワーヘッド３０の表面は、陽極酸化処理等が施されてもよい。シャワーヘッド３０は、水平方向に延在するガス流路３１と、このガス流路３１とシャワーヘッド３０の鉛直方向下側にある処理室Ｓとの間を連通する複数のガス吐出孔３２とを有する。

【0020】

シャワーヘッド３０には、ガス流路３１にガスを供給する処理ガス供給部４０が接続されている。処理ガス供給部４０は、ガス供給管４１と、ガス供給管４１の途中位置に設けられる開閉バルブ４２および流量制御器４３と、ガス供給管４１の端部に設けられる処理ガス供給源４４と、を含む。なお、複数種類のガスを供給する場合、ガス供給管４１は、途中位置で分岐して、それぞれに開閉バルブ、流量制御器および処理ガス供給源を備えるとよい。プラズマ処理装置１００は、プラズマ処理時に、処理ガス供給源４４からガス供給管４１を介してシャワーヘッド３０のガス流路３１にガスを供給し、各ガス吐出孔３２から処理室Ｓにガスを吐出する。

【0021】

処理容器１０は、アンテナ容器１２の内部に高周波アンテナ１５を備える。高周波アンテナ１５は、銅やアルミニウム等の導電性を有する金属から形成されるアンテナ線１５ａを、環状もしくは渦巻き状に配線することにより構成される。

【0022】

アンテナ線１５ａの端子には、アンテナ容器１２の上方に延びる給電部材１６が接続されている。給電部材１６の上端には、給電線１７が接続され、給電線１７は、インピーダンス整合を行う整合器１８を介して高周波電源１９に接続されている。例えば、プラズマ処理装置１００は、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、高周波電源１９から高周波アンテナ１５に印加することで、処理容器本体１３内に誘導電界を形成する。この誘導電界により、シャワーヘッド３０から処理室Ｓに供給された処理ガスがプラズマ化され、プラズマ中のイオンおよびラジカルが基板Ｇに提供される。高周波電源１９は、プラズマ発生用のソース源となり、基板載置台６０に接続されている後記の高周波電源７３（電源の一例）は、発生したイオンを引き付けて運動エネルギを付与するバイアス電源となる。このように、イオンソース源では誘導結合を利用してプラズマを生成する一方で、別電源であるバイアス電源を基板載置台６０に接続してイオンエネルギの制御を行うことで、プラズマの生成とイオンエネルギを独立して制御でき、基板処理の自由度が高められる。なお、高周波電源１９から出力される高周波電力の周波数は、０．１ＭＨｚ～５００ＭＨｚの範囲内で適宜設定されることが好ましい。

【0023】

一方、処理容器１０（処理容器本体１３）内に設置される基板載置台６０は、温調エリアを形成する基材６１を有する。また、基板載置台６０は、基板Ｇを直接支持する静電チャック６７を、基材６１の上面に備える。

【0024】

基材６１は、平面視で方形に形成され、基板載置台６０に載置される基板Ｇと同程度の平面寸法を有する。例えば、基材６１の短辺（第１方向）の長さは１５００ｍｍ～３０００ｍｍ程度の範囲であり、基材６１の長辺（第２方向）の長さは１８００ｍｍ～３４００ｍｍ程度の範囲である。また、静電チャック６７の支持面６７ｓも、基板Ｇに応じて平面視で方形状に形成され、例えば、短辺（第１方向）の寸法が１４００ｍｍ以上、長辺（第２方向）の寸法が１７９０ｍｍ以上に設定される。

【0025】

基材６１は、高い熱伝導率を有する金属製プレートであり、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼等から形成され、絶縁材料からなる矩形部材６８に載置されている。矩形部材６８は、処理容器本体１３の底板に固定されている。

【0026】

基材６１は、温調媒体流路６２を内部に有する。なお、基板載置台６０は、温調媒体流路６２に限らず種々の温調手段を有してよい。例えば、基材６１の温調エリアは、ヒータのみを有する形態、温調媒体流路６２とヒータの双方を有する形態等でもよい。

【0027】

温調媒体流路６２の両端には、温調媒体を供給する送り配管６４ａと、温調媒体流路６２を流通して昇温された温調媒体を排出する戻り配管６４ｂとが接続される。送り配管６４ａと戻り配管６４ｂには、送り流路８２と戻り流路８３がそれぞれ接続されており、送り流路８２と戻り流路８３はチラー８１に接続されている。チラー８１は、温調媒体の温度や吐出流量を制御すると共に、温調媒体を圧送する。チラー８１と、送り流路８２および戻り流路８３とにより、基材６１に固有の温調源８０が形成される。

【0028】

プラズマ処理装置１００は、静電チャック６７もしくは基材６１に熱電対等の図示しない温度センサを備え、基板Ｇの温度を監視する構成としてもよい。温度センサの検出情報が制御部９０に送信されると、制御部９０は、検出情報に基づいてチラー８１を制御して、基板載置台６０および基板Ｇの温度調整を行う。なお、基材６１は、複数の温調エリアを設定してよく、この場合、各々の温調エリアに対応して異なる温調媒体流路、チラー、温調源を備えることが好ましい。

【0029】

また、基板載置台６０は、静電チャック６７と基板Ｇの間に、例えば、Ｈｅガス等の伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部（不図示）を備える。伝熱ガス供給部は、静電チャック６７内および基材６１内に設けられる多数の貫通孔（不図示）を介して、基板Ｇの下面に伝熱ガスを供給する。これにより、温調制御される基板載置台６０の温度が伝熱ガスを介して基板Ｇに速やかに熱伝達され、基板Ｇの温調制御が行われる。

【0030】

さらに、基板載置台６０は、複数のリフトピン（不図示）を備える。リフトピンは、図示しない昇降機構により鉛直方向に沿って昇降し、静電チャック６７の支持面６７ｓから上方に突出して、搬送装置との間で基板Ｇの受け取りおよび受け渡しを行う。

【0031】

また、静電チャック６７および基材６１の外周と、矩形部材６８の上面とにより段部が形成され、この段部には、方形枠状のフォーカスリング６９が載置される。フォーカスリング６９の設置状態で、フォーカスリング６９の上面は、静電チャック６７の上面よりも低くなる。フォーカスリング６９は、アルミナ等のセラミックスもしくは石英等から形成される。基板Ｇが静電チャック６７の支持面６７ｓに載置された状態において、フォーカスリング６９の上端面の内側端部は基板Ｇの外周縁部に覆われる。

【0032】

基材６１には貫通孔６３ａが設けられており、給電部材７０は、貫通孔６３ａを貫通して基材６１の温調エリアの下面に接続されている。給電部材７０の下端には給電線７１が接続されている。給電線７１は、インピーダンス整合を行う整合器７２を介してバイアス電源である高周波電源７３に接続されている。すなわち、基材６１を構成する温調エリアが高周波電源７３に対して電気的に接続されている。プラズマ処理装置１００は、高周波電源７３から基板載置台６０に、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加することにより、高周波電源１９により生成されたイオンを基板Ｇに引き付けることができる。なお、基材６１の下面に給電部材７０が接続され、基材６１に高周波電力が印加される形態であってもよい。

【0033】

基板載置台６０の静電チャック６７は、誘電体６７１と、誘電体６７１の内部に埋め込まれる電極６７２と、を含む。電極６７２は、給電線７４を介して直流電源７５に接続されている。制御部９０は、給電線７４に設けられる図示しないスイッチをオンすることで、直流電源７５から電極６７２に直流電圧を印加して、誘電体６７１に静電力（クーロン力）を生じさせる。この静電力により、静電チャック６７の支持面６７ｓに基板Ｇが静電吸着された状態となる。

【0034】

以下、この静電チャック６７の構成について、さらに具体的に説明していく。図２（Ａ）は、静電チャック６７の一部を拡大して示す側面断面図である。図２（Ｂ）は、一構成例の支持面６７ｓを拡大して示す平面図である。図２（Ｃ）は、他の構成例の支持面６７ｓを拡大して示す平面図である。なお、図２（Ａ）、および後記の図３、図５～図７は、発明の理解の容易化のために、水平方向の寸法に対して鉛直方向の寸法を大きく誇張して図示している。

【0035】

図２（Ａ）に示すように、静電チャック６７は、母材に対して複数の材料を溶射して積層していくことにより、下層６７３、中間層６７４および上層６７５を有する３層構造に形成される。母材は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼等からなるプレートを適用できる。この母材として、上記した基材６１を使用してもよく、基材６１とは異なる部材を適用してもよい。

【0036】

下層６７３および上層６７５は、静電チャック６７の誘電体６７１を構成する。下層６７３および上層６７５を形成する材料としては、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材料があげられる。一方、中間層６７４は、静電チャック６７の電極６７２を構成する。中間層６７４を形成する材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）等の導電性を有する材料があげられる。すなわち、３層構造は、アルミナを母材に最初に溶射して下層６７３を形成し、次にタングステンを下層６７３に溶射して中間層６７４を形成し、最後に再びアルミナを中間層６７４に溶射して上層６７５を形成することで製造される。

【0037】

そして、本実施形態に係る静電チャック６７の上層６７５の表面（基準面６７５ａ）には、静電チャック６７の製造においてエンボス加工が施されることで、複数の突起部６７６が設けられる。特に本実施形態において、複数の突起部６７６は、０．３ｍｍ以下の最大幅を有するマイクロエンボスに形成される。複数の突起部６７６の各々は、上層６７５と同じ材料（アルミナ等）にからなり、当該上層６７５に一体成形されている。各突起部６７６は、基準面６７５ａから鉛直方向上側に向かって同じ高さで突出している。相互に隣接し合う２つの突起部６７６の間には、一定の幅の隙間６７６ｃが介在している。

【0038】

各突起部６７６は、図２（Ｂ）に示すように平面視で、静電チャック６７の短辺に平行な第１方向に沿って等間隔に並ぶ突起列を形成し、さらに静電チャック６７の長辺に平行な第２方向に沿って突起列を等間隔に配置したマトリックス状を呈している。なお、図２（Ｃ）に示すように、隣り合う２つ突起列の各突起部６７６は、千鳥状にずれて形成されてもよい。

【0039】

各突起部６７６は、平面視で正円形状に形成されている。ただし、各突起部６７６の平面視の形状は、正円形状に限定されず、楕円形状、方形状を含む多角形状等に形成されてもよい。例えば、正方形の複数の突起部６７６がマトリックス状に配置されることで、各突起部６７６同士の間に格子状の隙間６７６ｃが形成されてもよい。

【0040】

図３は、静電チャック６７の複数の突起部６７６を拡大して示す側面断面図である。図３に示すように、各突起部６７６は、上層６７５の基準面６７５ａに連結される基部６７７と、基部６７７の上部に連なる頭部６７８と、を有する。各突起部６７６の頭部６７８が、基板Ｇを支持する支持面６７ｓを構成している。

【0041】

基部６７７は、基準面６７５ａから鉛直方向上側に向かって徐々に小径となる円錘形状に形成されている。なお、基部６７７は、鉛直方向に沿って一定の外径を有する柱状に形成されてもよい。

【0042】

頭部６７８は、基部６７７の外周面に対して滑らかに連続しており、半球状の曲面に形成されている。頭部６７８の曲率半径は、基部６７７の半径よりも小さく設定されている。頭部６７８において最も鉛直方向上側に位置する最頂部６７８ａが、基板Ｇに直接接触する部分となる。

【0043】

頭部６７８において少なくとも最頂部６７８ａは、後述する静電チャック６７の製造方法の研磨工程によって、鏡面磨きされた研磨部６７９となっている。研磨部６７９は、最頂部６７８ａのみに限定されず、最頂部６７８ａの周囲を囲う頭部６７８の曲面周辺部６７８ｂに連続していてよい。研磨部６７９の表面粗さＲａとしては、例えば、０．１乃至０．５の範囲に設定することがあげられる。一方、基部６７７の外周面は、研磨部６７９を備えていなくてもよく、この外周面の表面粗さＲａは、例えば、０．５乃至１．０の範囲となっている。研磨部６７９により滑らかな曲面を呈していることで、各突起部６７６は、基板Ｇの対向面（下面）を傷つけることなく支持することが可能となる。

【0044】

あるいは、頭部６７８の最頂部６７８ａは、水平方向に沿って平坦に形成されてもよい。この場合、最頂部６７８ａと曲面周辺部６７８ｂは、研磨部６７９により形成されたＲ状の境界を介して連続しているとよい。

【0045】

基準面６７５ａに対する各突起部６７６の高さＨは、各突起部６７６の耐久性や静電チャック６７と基板Ｇの間を流れる伝熱ガスの流通性等を考慮して適切に設定されることが好ましく、例えば、０．０１ｍｍ乃至０．０５ｍｍの範囲に設定されるとよい。本実施形態では、各突起部６７６の高さＨを０．０２ｍｍ（＝２０μｍ）としている。

【0046】

また、複数の突起部６７６同士の間隔Ｄは、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍの範囲に設定されることが好ましい。本実施形態では、複数の突起部６７６同士の間隔Ｄを０．３５ｍｍ（＝３５０μｍ）としている。なお、本明細書において、複数の突起部６７６同士の間隔Ｄとは、隣り合う突起部６７６の最頂部６７８ａ同士の距離を指している。

【0047】

そして、各突起部６７６の直径φ（最大幅）は、後述する複数の突起部６７６同士の間隔Ｄに応じて適宜設定されることが好ましい。例えば、複数の突起部６７６同士の間隔Ｄに対して、各突起部６７６の直径φは０．２倍～０．７倍の倍率に設定されるとよい。このような倍率を採用することで、静電チャック６７は、各突起部６７６により基板Ｇを安定的に支持しつつ、隙間６７６ｃを通して伝熱ガスをスムーズに流通させることができる。なお、本実施形態において、突起部６７６の直径φとは、基準面６７５ａと接する箇所の基部６７７の直径に相当する。したがって、突起部６７６の頭部６７８の直径は、基部６７７の直径よりもさらに小さい。また、各突起部６７６が方形である場合、各突起部６７６の最大幅は、対角線の長さとなる。

【0048】

ただし、各突起部６７６の直径φが０．１ｍｍ未満の場合には、突起部６７６の製造の困難性、突起部６７６の耐久性の低下等の懸念がある。このため、各突起部６７６の直径φの下限は０．１ｍｍにするとよい。また、各突起部６７６の直径φが０．３ｍｍを超える場合には、突起部６７６が基板Ｇに近接する箇所が増大して後述する電界にムラが生じ易くなる可能性がある。したがって、各突起部６７６の直径φとしては、０．１ｍｍ乃至０．３ｍｍの範囲に設定することがより好ましい。本実施形態では、突起部６７６の直径φは、０．１７５ｍｍ（＝１７５μｍ）としている。

【0049】

静電チャック６７は、以上の各突起部６７６の設計を採ることで、１ｍｍ^２単位当たりの突起部６７６の数を増やしつつ、隙間６７６ｃ（間隔Ｄ）を充分に確保することができる。１ｍｍ^２単位当たりにおいて多数の突起部６７６が基板Ｇに接触することで、基板Ｇを安定して支持することが可能となる。

【0050】

より詳細には、静電チャック６７は、支持面６７ｓの平面視で、支持面６７ｓの１ｍｍ^２単位に占める複数の突起部６７６の面積の占有率を、３％乃至４０％の範囲に設定することが好ましい。占有率が３％未満の場合には、基板Ｇの支持が不安定になる一方で、占有率が４０％を超える場合には、反応副生成物の堆積時に温度ムラが生じ易くなる可能性がある。なお、複数の突起部６７６の面積とは、支持面６７ｓの１ｍｍ^２単位において、基準面６７５ａに連結している箇所の基部６７７の面積を合算したものを言う。

【0051】

各突起部６７６の形状および各突起部６７６同士の間隔Ｄが微小であることで、本実施形態に係る静電チャック６７は、従来の製造方法によりエンボス加工を行うことが難しくなる。従来の製造方法とは、静電チャック６７の上層６７５に複数の貫通孔を有する金属製のマスクプレート（不図示）を載せて、このマスクプレートの載置状態で、突起部６７６の材料であるアルミナを溶射で吹き付ける方法である。そこで、本実施形態に係る静電チャック６７は、従来と異なる製造方法によりエンボス加工を行い、各突起部６７６を形成する。

【0052】

次に、突起部６７６を有する静電チャック６７の製造方法について、図４～図６を参照しながら説明する。図４は、静電チャック６７の製造方法を示すフローチャートである。図５（Ａ）～図５（Ｄ）は、静電チャック６７の製造方法を示す第１説明図～第４説明図である。図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、静電チャック６７の製造方法を示す第５説明図および第６説明図である。図６（Ｃ）は、製造方法の研磨ステップにより研磨される各突起部６７６を拡大して示す図である。

【0053】

図４に示すように、静電チャック６７の製造方法では、３層構造形成工程（Ｓ１）、平面研削盤加工工程（Ｓ２）、スクリーン印刷工程（Ｓ３）およびブラスト加工工程（Ｓ４）を、この順に実施する。

【0054】

３層構造形成工程（Ｓ１）は、上記したように、静電チャック６７の下層６７３、中間層６７４、上層６７５からなる３層構造を母材（例えば、基材６１）に積層する。なお、３層構造形成工程（Ｓ１）では、後に上層６７５を削って各突起部６７６を生成可能とするために、上層６７５の肉厚を下層６７３の肉厚よりも厚く形成する。

【0055】

平面研削盤加工工程（Ｓ２）は、３層構造形成工程（Ｓ１）により形成された前駆体Ｐ１の上層６７５の表面を平坦状に加工する。この平面研削盤加工工程（Ｓ２）では、図５（Ａ）に示すような平面研削盤２００を使用する。例えば、平面研削盤２００は、前駆体Ｐ１の表面に沿って回転しながら水平方向に移動する砥石２０１と、前駆体Ｐ１を支持する支持台（不図示）とを有する。平面研削盤２００は、砥石２０１の動作下に上層６７５を研削することで、上層６７５の表面を平坦状にする。

【0056】

図４のスクリーン印刷工程（Ｓ３）は、平面研削盤加工工程（Ｓ２）により形成された前駆体Ｐ２に対して、スクリーン印刷を行うことでマスクを形成する。詳細には、スクリーン印刷工程（Ｓ３）では、インクＩを塗布するスクリーン印刷ステップ（Ｓ３１）と、塗布されたインクＩを硬化する硬化ステップ（Ｓ３２）と、を順に行う。

【0057】

スクリーン印刷ステップ（Ｓ３１）では、図５（Ｂ）に示すようなスクリーン印刷装置３００を使用する。スクリーン印刷装置３００は、方形枠状のフレーム３０１と、このフレーム３０１の内側にセットされる製版３０２と、製版３０２の鉛直方向下側において前駆体Ｐ２を支持する支持台（不図示）とを有する。製版３０２には、静電チャック６７の各突起部６７６の平面形状、および各突起部６７６同士の間隔Ｄに対応した複数の孔３０２ｈが形成されている。つまり、各孔３０２ｈの直径は、各突起部６７６の直径φと略同一に設定されており、各孔３０２ｈ同士の間隔は、各突起部６７６同士の間隔Ｄと略同一に設定されている。

【0058】

スクリーン印刷ステップ（Ｓ３１）では、印刷の前に、この製版３０２の上面に、マスクＭに適用されるインクＩが充填される。インクＩは、紫外線ＵＶの照射により硬化可能、かつ後記のブラスト加工工程（Ｓ４）での除去が抑制される材料が適宜選択されることが好ましい。例えば、インクＩの材料としては、ポリエステル、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート等の樹脂材料があげられる。

【0059】

図５（Ｃ）に示すように、スクリーン印刷において、スクリーン印刷装置３００は、スキージ３０３により製版３０２にインクＩを押し付けながら、製版３０２の上面に沿ってスキージ３０３をスライドさせる。これにより、製版３０２が下方の前駆体Ｐ２に接触すると共に、製版３０２の各孔３０２ｈを介して、インクＩが前駆体Ｐ２に点状（ドット状）に塗布される。

【0060】

その後、図４の硬化ステップ（Ｓ３２）では、スクリーン印刷装置３００から前駆体Ｐ２を取り出して、点状に塗布されたインクＩを硬化させる。図５（Ｄ）に示すように、この硬化ステップ（Ｓ３２）では、インクＩを有する前駆体Ｐ２の上方に紫外線照射装置３１０を配置して、紫外線照射装置から紫外線ＵＶを照射する。これにより、インクＩが硬化して、点状の複数のマスクＭを平坦状の表面に有する前駆体Ｐ３が形成される。なお、マスクＭの作成はインクジェット印刷等でも形成できるが、粘着不足なくマイクロサイズにインクを点状印刷する上で、スクリーン印刷であることが好ましい。

【0061】

そして、図４のブラスト加工工程（Ｓ４）は、点状の複数のマスクＭを有する前駆体Ｐ３に対してブラスト加工を行うことで、各突起部６７６を形成する。詳細には、ブラスト加工工程では、ブラスト材を吹き付けてマスクＭ以外の前駆体Ｐ３を彫り込むエンボス形成ステップ（Ｓ４１）と、マスクＭを有する各突起部６７６を研磨する研磨ステップ（Ｓ４２）と、を順に行う。

【0062】

エンボス形成ステップでは、図６（Ａ）に示すようなブラスト装置４００を使用する。ブラスト装置４００は、ブラスト材を吹き付けながら移動するノズル４０１と、前駆体Ｐ３を支持する支持台（不図示）とを有する。このブラスト材は、硬化したマスクＭの研削を抑制しながら、上層６７５（アルミナ）を研削可能な材料が適用される。例えば、ブラスト材としては、粒状のガラスビーズ、アルミナ、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ジルコニア（ＺｒО_２）等があげられる。

【0063】

ブラスト装置４００は、ノズル４０１と前駆体Ｐ３を相対移動させながらブラスト材を吹き付けることで、マスクＭの周囲の上層６７５全体を彫り込んでいく。例えば、ブラスト装置４００は、上層６７５の表面に対してブラスト材を吹き付ける単位作業時間を均一にすることで、同じ深さの隙間４６６ｃを上層６７５に形成することができる。これにより、頭部６７８の上にマスクＭが残った状態の各突起部６７６を有する前駆体Ｐ４が形成される。このようにブラストによる掘り込みでエンボス形成することで、従来の溶射による製法よりも最頂部６７８aの高さが揃い、かつエンボスが脱落し難くなる。

【0064】

研磨ステップ（Ｓ４２）では、各突起部６７６上のマスクＭを除去しつつ、各突起部６７６にバフ研磨を行うことで、上記した研磨部６７９を形成する。例えば、研磨ステップ（Ｓ４２）では、図６（Ｂ）に示すような研磨装置４１０を使用する。研磨装置４１０は、バフ４１２を回転させなら移動する研磨体４１１と、前駆体Ｐ４を支持する支持台（不図示）とを有する。バフ４１２は、マスクＭを除去可能かつ各突起部６７６を研磨可能なものが適用される。このバフ４１２としては、例えば、麻、綿等の布材や、ナイロン等のスポンジ材があげられる。研磨装置４１０は、先にマスクＭを除去する専用の研磨体４１１を使用し、その後に各突起部６７６の頭部６７８が半球状となるように研磨を行う別の研磨体４１１を使用してもよい。

【0065】

図６（Ｃ）に示すように、平面研削盤加工工程（Ｓ２）により平坦状を呈していた各突起部６７６の上端は、上記のバフ研磨によって、半球状に研磨される。すなわち、本実施形態に係る各突起部６７６は、バフ４１２の回転下に、頭部６７８（最頂部６７８ａおよび曲面周辺部６７８ｂ）全体が鏡面磨きされて、研磨部６７９を有した状態となる。

【0066】

以上の製造方法により製造された静電チャック６７の支持面６７ｓは、エンボス加工された同じ高さの複数の突起部６７６により基板Ｇの重量を分散して支持することができる。特に、基板Ｇと直接接触する各突起部６７６の最頂部６７８ａに研磨部６７９を有することで、各突起部６７６は、基板Ｇの損傷を抑制して基板Ｇを支持することが可能となる。

【0067】

次に、複数の突起部６７６を有する静電チャック６７により基板Ｇを支持した際の効果について、図７および図８を参照しながら説明する。図７（Ａ）は、本実施形態に係る静電チャック６７による基板Ｇの支持状態を示す拡大断面図である。図７（Ｂ）は、第１比較例に係る静電チャックＣ１による基板Ｇの支持状態を示す拡大断面図である。図７（Ｃ）は、第２比較例に係る静電チャックＣ２による基板Ｇの支持状態を示す拡大断面図である。

【0068】

第１比較例に係る静電チャックＣ１は、エンボス加工を行わずに、溶射（または研削）により略平坦状の支持面６７ｓを形成したものである。ただし図７（Ｂ）に示すように、平坦状の支持面６７ｓであってもｍｍ単位に拡大して見た場合は、多数の鋸歯状の凹凸が形成された状態となっている。すなわち、静電チャックＣ１は、支持面６７ｓを構成する複数の鋸歯状の凸において基板Ｇを支持する。

【0069】

プラズマ処理装置１００のプラズマ処理等に伴ってデポＤＰが生じた場合、この静電チャックＣ１の支持面６７ｓでは、複数の鋸歯状の凹の箇所にデポＤＰが溜まるようになる。そして、このようにデポＤＰが溜まっていくことで、静電チャックＣ１がデポＤＰを介して基板Ｇに多く接触する部分と、デポＤＰがないことで基板Ｇに殆ど接触しない部分とが生じるようになる。換言すれば、基板Ｇに多く接触する部分と、基板Ｇに殆ど接触しない部分とでは、静電チャックＣ１を温度調整した際の熱伝達にムラが発生するようになる。そして、基板Ｇの面内温度分布にムラが生じることで、基板処理にもムラが出るようになり、フラットパネルディスプレイの表示ムラにつながる。

【0070】

一方、第２比較例に係る静電チャックＣ２は、エンボス加工を行うことで支持面６７ｓを形成したものである。ただし、第２比較例に係るエンボス加工は、上記した溶射によって上層６７５に各突起部６７６を形成したものである。そのため、図７（Ｃ）に示すようにｍｍ単位に拡大して見た場合、各突起部６７６の頭部にも、複数（多数）の鋸歯状の凹凸が形成された状態となっている。したがって、静電チャックＣ２も、各突起部６７６における複数の鋸歯状の凸において基板Ｇを支持する。

【0071】

プラズマ処理装置１００のプラズマ処理等に伴ってデポＤＰが生じた場合、この静電チャックＣ２の支持面６７ｓでは、複数の突起部６７６間の隙間６７６ｃにデポＤＰが溜まるようになる。このため、静電チャックＣ２がデポＤＰを介して基板Ｇに多く接触する部分が抑制される。ただし、各突起部６７６においては、デポＤＰを介して基板Ｇに多く接触する部分が発生し、デポＤＰがない時の支持状態と、デポＤＰがある時の支持状態とでは、各突起部６７６の熱伝達特性に多少の違いが生じることになる。

【0072】

これに対して、本実施形態に係る静電チャック６７の支持面６７ｓは、上記した製造方法によって、マイクロエンボス（複数の突起部６７６）を形成している。しかも図７（Ａ）に示すようにｍｍ単位に拡大して見た場合、各突起部６７６は、鏡面磨きされた最頂部６７８ａ（研磨部６７９）において基板Ｇを支持する。

【0073】

プラズマ処理装置１００のプラズマ処理等に伴ってデポＤＰが生じると、この静電チャック６７の支持面６７ｓでは、複数の突起部６７６間の隙間６７６ｃにデポＤＰが溜まり、各突起部６７６の最頂部６７８ａには殆ど溜まらないことになる。その結果、静電チャック６７がデポＤＰを介して基板Ｇに多く接触する部分が抑制されると共に、各突起部６７６においてもデポＤＰの堆積による熱伝達特性の変化が可及的に抑えられる。したがって、静電チャック６７は、基板処理を複数繰り返しても基板Ｇの面内温度分布を継続的に均一に保つことができると言え、基板処理のムラを低減することが可能となる。

【0074】

図８は、静電チャック６７、Ｃ２の所定方向に沿った電界のシミュレーション結果を示すグラフである。図８中の実線は、本実施形態に係る静電チャック６７による基板Ｇの支持時の電界である一方で、図８中の２点鎖線は、第２比較例に係る静電チャックＣ２による基板Ｇの支持時の電界である。なお、静電チャック６７、Ｃ２の電界とは、高周波電源７３から基材６１に所定の高周波電圧を印加することで生じる電界である。

【0075】

第２比較例に係る静電チャックＣ２において複数の突起部６７６は、概ね５ｍｍ程度離れた位置に配置されている。静電チャックＣ２の各突起部６７６は、上記したように溶射によって形成されるためである。そのため、静電チャックＣ２の電界は、図８に示すように、複数の凸形状を有するように形成される。電界の各凸形状の箇所は、静電チャックＣ２の各突起部６７６が基板Ｇを支持している位置に一致する。換言すれば、静電チャックＣ２では、各突起部６７６によって、基板Ｇにかかる電界にムラがある（電界の変化が大きい）と見なすことができる。

【0076】

これに対して、本実施形態に係る静電チャック６７において、複数の突起部６７６同士の間隔は０．２乃至０．５ｍｍであり、また支持面６７ｓの１ｍｍ^２単位に占める複数の突起部６７６の面積の占有率が３％乃至４０％の範囲である。すなわち、第２比較例に係る静電チャックＣ２に対して、静電チャック６７は、非常に小さい多数の突起部６７６により基板Ｇを支持しているため、実質的に平坦な支持面６７ｓによって基板Ｇを支持している状態と言える。

【0077】

そのため、静電チャック６７の電界は、概ね平坦状に変化するように形成される。換言すれば、静電チャック６７は、基板Ｇの面内における電界の分布を概ね均一にした（電界の変化が小さい）状態で基板Ｇを支持することができる。これにより、静電チャック６７は、支持している基板Ｇに対する基板処理のムラを一層低減することが可能となる。なお、基板処理のムラとは、基板処理の内容にもよるが、基板Ｇに対する処理量の変化のことである。例えば、基板処理がエッチングの場合には、エッチングレートの面内均一性が大きく変化することを言い、あるいは基板処理が成膜の場合には、膜厚の面内均一性が大きく変化することを言う。換言すれば、本実施形態に係る静電チャック６７は、マイクロエンボス加工した各突起部６７６によって、基板処理の面内均一性を大幅に高めることができる。

【0078】

以上の実施形態で説明した本開示の技術的思想および効果について以下に記載する。

【0079】

本開示の第１の態様は、基板Ｇを支持する支持面６７ｓを備える静電チャック６７であって、支持面６７ｓは、同じ高さに形成された複数の突起部６７６が面方向に並ぶことにより構成され、相互に隣接し合う複数の突起部６７６同士の間隔は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍの範囲であり、かつ支持面６７ｓの平面視で、支持面６７ｓの１ｍｍ^２単位に占める複数の突起部６７６の面積の占有率は、３％乃至４０％の範囲である。

【0080】

上記によれば、静電チャック６７は、可及的に小さな形状でかつ隙間をあけて並んだ複数の突起部６７６により基板Ｇを安定して支持することができる。これにより、デポＤＰが各突起部６７６にまばらに堆積することで、デポＤＰを介して基板Ｇの面内温度分布にムラが生じることを抑制できる。しかも、支持面６７ｓは、各突起部６７６にとり実質的に平坦状に形成されていることで、電界が局所的に高く変化することを回避して、基板Ｇに対する電界のムラを抑えることができる。これらによって、静電チャック６７は、支持している基板Ｇに対する基板処理のムラが大幅に抑制され、フラットパネルディスプレイの表示ムラを抑えることができる。

【0081】

また、支持面６７ｓの平面視で、複数の突起部６７６の間隔Ｄに対する複数の突起部６７６の最大幅の倍率は、０．２倍乃至０．７倍の範囲である。これにより、静電チャック６７は、充分に小さな複数の突起部６７６により支持面６７ｓを形成することになり、基板Ｇを良好に支持しつつ、デポＤＰが堆積可能な隙間６７６ｃを確保できる。

【0082】

また、複数の突起部６７６は、支持面６７ｓの平面視で円形状に形成され、複数の突起部６７６の直径は、０．１ｍｍ乃至０．３ｍｍの範囲である。これにより、静電チャック６７は、基板Ｇをさらに安定して支持することができる。

【0083】

また、複数の突起部６７６の高さは、０．０１ｍｍ乃至０．０５ｍｍの範囲である。これにより、静電チャック６７は、基板Ｇの下面における伝熱ガスの流通性を維持しつつ、各突起部６７６の耐久性を高めることができる。

【0084】

また、静電チャック６７は、基板Ｇとしてフラットパネルディスプレイ用基板を支持するものであり、支持面６７ｓは、当該支持面６７ｓの平面視で方形状に形成され、第１方向の寸法が１４９０ｍｍ以上であり、第１方向と直交する第２方向の寸法が１７９０ｍｍ以上である。このように、重量を有するフラットパネルディスプレイ用基板に対して複数の突起部６７６からなる支持面６７ｓによって支持することで、温度や電界のムラを効果的に抑えることができる。

【0085】

また、静電チャック６７は、アルミナにより形成された下層６７３および上層６７５と、下層６７３および上層６７５の間で電極６７２を構成する中間層６７４と、を有し、複数の突起部６７６は、上層６７５に一体形成されて、当該上層６７５から突出している。これにより、静電チャック６７は、複数の突起部６７６による温度や電界の伝達特性の均一化をより促進することができる。

【0086】

また、本開示の第２の態様は、フラットパネルディスプレイ用基板（基板Ｇ）に対して基板処理を行う処理容器１０と、処理容器１０の内部に設けられ、フラットパネルディスプレイ用基板を支持する支持面６７ｓを備える静電チャック６７と、を含むフラットパネルディスプレイ用の基板処理装置（プラズマ処理装置１００）であって、支持面６７ｓは、同じ高さに形成された複数の突起部６７６が面方向に並ぶことにより構成され、相互に隣接し合う複数の突起部６７６同士の間隔は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍの範囲であり、かつ支持面６７ｓの平面視で、支持面６７ｓの１ｍｍ^２単位に占める複数の突起部６７６の面積の占有率は、３％乃至４０％の範囲である。この場合でも、基板処理装置は、基板処理のムラを抑制することができる。

【0087】

また、本開示の第３の態様は、基板Ｇを支持する支持面６７ｓを備える静電チャック６７の製造方法であって、支持面６７ｓは、同じ高さに形成された複数の突起部６７６が面方向に並ぶことにより構成され、（Ａ）前駆体の表面を平坦化する工程と、（Ｂ）平坦化した前駆体の表面に点状の複数のマスクＭを形成する工程と、（Ｃ）ブラスト加工を行うことで複数のマスクＭの間に隙間６７６ｃを形成した後に、マスクＭを除去する工程と、をこの順に行うことで、複数の突起部６７６を形成する。この場合でも、静電チャック６７の製造方法は、基板処理のムラを抑制することができる。

【0088】

また、（Ｂ）の工程では、スクリーン印刷により前駆体の表面に点状の複数のインクＩを塗布し、その後に複数のインクＩに紫外線を照射して硬化させることで複数のマスクＭを形成する。これにより、製造方法は、各突起部６７６のサイズに対応したマスクＭを良好に形成できる。

【0089】

また、（Ｃ）の工程では、複数のマスクＭを有する前駆体にブラスト材を吹き付けることで前駆体を彫り込み、その後に前駆体の表面を研磨することでマスクＭを除去する。これにより、製造方法は、各突起部６７６および隙間６７６ｃを精度よく形成することができる。

【0090】

また、相互に隣接し合う複数の突起部６７６同士の間隔Ｄは、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍの範囲であり、かつ支持面６７ｓの平面視で、支持面の１ｍｍ^２単位に占める複数の突起部６７６の面積の占有率は、３％乃至４０％の範囲である。

【0091】

また、支持面６７ｓの平面視で、複数の突起部６７６の間隔に対する複数の突起部６７６の最大幅の倍率は、０．２倍乃至０．７倍の範囲である。

【0092】

また、複数の突起部６７６は、支持面６７ｓの平面視で円形状に形成され、複数の突起部６７６の直径は、０．１ｍｍ乃至０．３ｍｍの範囲である。

【0093】

また、複数の突起部６７６の高さは、０．０１ｍｍ乃至０．０５ｍｍの範囲である。

【0094】

また、静電チャック６７は、基板Ｇとしてフラットパネルディスプレイ用基板を支持するものであり、支持面６７ｓは、当該支持面６７ｓの平面視で方形状に形成され、第１方向の寸法が１４９０ｍｍ以上であり、第１方向と直交する第２方向の寸法が１７９０ｍｍ以上である。

【0095】

また、静電チャック６７は、アルミナにより形成された下層６７３および上層６７５と、下層６７３および上層６７５の間で電極６７２を構成する中間層６７４と、を有し、複数の突起部６７６は、上層６７５に一体形成されて、当該上層６７５から突出している。

【0096】

今回開示された実施形態に係る静電チャック６７、基板処理装置（プラズマ処理装置１００）、静電チャック６７の製造方法は、すべての点において例示であって制限的なものではない。実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形および改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

【0097】

本開示の静電チャック６７は、Atomic Layer Deposition(ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。

【符号の説明】

【0098】

１０ 処理容器
６７ 静電チャック
６７ｓ 支持面
６７６ 突起部
１００ プラズマ処理装置（基板処理装置）
Ｇ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】