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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024098615
(43)【公開日】2024-07-24
(54)【発明の名称】基板処理方法及び基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H10K 71/20 20230101AFI20240717BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20240717BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20240717BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20240717BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240717BHJP
【ＦＩ】
H10K71/20
H10K59/35
H10K71/16
H10K50/844
H10K59/10
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023002207
(22)【出願日】2023-01-11
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】里吉 務
(72)【発明者】
【氏名】神戸 喬史
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 晋也
【テーマコード（参考）】
3K107
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC23
3K107CC45
3K107DD22
3K107DD90
3K107FF13
3K107FF15
3K107GG04
3K107GG12
3K107GG13
3K107GG28
3K107GG33
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ファインメタルマスクを用いずに有機材料からなる発光層を形成する。
【解決手段】基板処理方法であって、（Ａ）複数の電極が配列された電極アレイが形成された基板を準備する工程と、（Ｂ）電極アレイの全体を覆うように特定の発光層を形成する工程と、（Ｃ）発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜を形成する工程と、（Ｄ）仮封止膜上に第１マスクを形成する工程と、（Ｅ）仮封止膜及び発光層が積層された積層体が特定の電極上にのみ形成された積層体アレイを、第１マスクを用いて形成する工程と、（Ｆ）積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する工程と、（Ｇ）第２無機絶縁膜上に第２マスクを形成する工程と、（Ｈ）特定の電極以外の電極に対応する部分の第２無機絶縁膜を、第２マスクを用いて、積層体アレイが露出しないように除去する工程と、を含み、（Ｂ）～（Ｈ）工程を、発光層にかかる複数種類について行う。
【選択図】図３
【解決手段】基板処理方法であって、（Ａ）複数の電極が配列された電極アレイが形成された基板を準備する工程と、（Ｂ）電極アレイの全体を覆うように特定の発光層を形成する工程と、（Ｃ）発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜を形成する工程と、（Ｄ）仮封止膜上に第１マスクを形成する工程と、（Ｅ）仮封止膜及び発光層が積層された積層体が特定の電極上にのみ形成された積層体アレイを、第１マスクを用いて形成する工程と、（Ｆ）積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する工程と、（Ｇ）第２無機絶縁膜上に第２マスクを形成する工程と、（Ｈ）特定の電極以外の電極に対応する部分の第２無機絶縁膜を、第２マスクを用いて、積層体アレイが露出しないように除去する工程と、を含み、（Ｂ）～（Ｈ）工程を、発光層にかかる複数種類について行う。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
（Ａ）複数の電極が配列された電極アレイが基板表面上に形成された基板を準備する工程と、
（Ｂ）前記電極アレイの全体を覆うように特定の種類の発光層を形成する工程と、
（Ｃ）前記発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜を形成する工程と、
（Ｄ）前記仮封止膜上に第１マスクを形成する工程と、
（Ｅ）前記仮封止膜及び前記発光層が積層された積層体が前記特定の種類にかかる前記電極上にのみ形成された積層体アレイを、前記第１マスクを用いて形成する工程と、
（Ｆ）その後、前記積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する工程と、
（Ｇ）前記第２無機絶縁膜上に第２マスクを形成する工程と、
（Ｈ）前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分の前記第２無機絶縁膜を、前記第２マスクを用いて、前記積層体アレイが露出しないように除去する工程と、を含み、
前記（Ｂ）～前記（Ｈ）工程を、前記発光層にかかる複数種類について行う、基板処理方法。
（Ｂ）前記電極アレイの全体を覆うように特定の種類の発光層を形成する工程と、
（Ｃ）前記発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜を形成する工程と、
（Ｄ）前記仮封止膜上に第１マスクを形成する工程と、
（Ｅ）前記仮封止膜及び前記発光層が積層された積層体が前記特定の種類にかかる前記電極上にのみ形成された積層体アレイを、前記第１マスクを用いて形成する工程と、
（Ｆ）その後、前記積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する工程と、
（Ｇ）前記第２無機絶縁膜上に第２マスクを形成する工程と、
（Ｈ）前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分の前記第２無機絶縁膜を、前記第２マスクを用いて、前記積層体アレイが露出しないように除去する工程と、を含み、
前記（Ｂ）～前記（Ｈ）工程を、前記発光層にかかる複数種類について行う、基板処理方法。
【請求項2】
前記複数種類は、３種類である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
前記複数種類は、赤色、緑色及び青色である、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項4】
前記（Ｅ）工程後、前記基板を大気に曝さずに、前記（Ｆ）工程を行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項5】
前記第１マスクは、フォトレジストのマスクである、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項6】
前記仮封止膜は、前記第１無機絶縁膜、有機絶縁膜及び第３無機絶縁膜が下から順に積層されたものである、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項7】
前記有機絶縁膜は、前記発光層よりも厚い、請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項8】
前記（Ｅ）工程は、
（ａ）前記第１マスクを介して、前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分の前記仮封止膜をその一部が残るよう除去する工程と、
（ｂ）その後、前記第１マスクをアッシングする工程と、
（ｃ）その後、前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分について、前記残った前記仮封止膜及び前記発光層を除去する工程と、を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
（ａ）前記第１マスクを介して、前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分の前記仮封止膜をその一部が残るよう除去する工程と、
（ｂ）その後、前記第１マスクをアッシングする工程と、
（ｃ）その後、前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分について、前記残った前記仮封止膜及び前記発光層を除去する工程と、を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項9】
基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板は、
複数の電極が配列された電極アレイがベース基板の上面に形成されたものであり、
前記電極アレイの全体を覆うように特定の種類の発光層が形成され、
前記発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜が形成され、
前記仮封止膜上にマスクが形成されており、
前記仮封止膜及び前記発光層が積層された積層体が前記特定の種類にかかる前記電極上にのみ形成された積層体アレイを、前記マスクを用いて形成する除去部と、
前記積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する成膜部と、を備える、基板処理装置。
前記基板は、
複数の電極が配列された電極アレイがベース基板の上面に形成されたものであり、
前記電極アレイの全体を覆うように特定の種類の発光層が形成され、
前記発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜が形成され、
前記仮封止膜上にマスクが形成されており、
前記仮封止膜及び前記発光層が積層された積層体が前記特定の種類にかかる前記電極上にのみ形成された積層体アレイを、前記マスクを用いて形成する除去部と、
前記積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する成膜部と、を備える、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、各色成分に対応したパターニング成膜によって各有機ＥＬ素子を形成することが開示されている。特許文献１において、パターニング成膜は、平板状に形成され鉄等の強磁性体からなるメタルマスクを用いて行われる。
【0003】
特許文献２に開示の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、絶縁基板の上方に形成された第１及び第２画素電極を含んだ電極アレイの上方にホスト材料とドーパント材料との混合物を含んだ第１ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜として第１発光層を形成する工程を含む。また、この製造方法は、第１発光層のうち第１画素電極の上方に位置した部分に紫外光を照射することなしに、第１発光層のうち第２画素電極の上方に位置した部分に紫外光を照射する工程を含む。さらに、この製造方法は、第１発光層上にホスト材料とドーパント材料との混合物を含み且つ第１ルミネッセンス性有機材料とは異なる第２ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第２発光層を表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、第２発光層の上方に対向電極を形成する工程とを含む。
【0004】
特許文献３には、有機発光ダイオード（OLED: Organic Light-Emitting Diode）ディスプレイに用いられるデバイスの形成方法が開示されている。上記デバイスは複数のサブピクセルを含み、複数のサブピクセルのそれぞれは、隣接するＰＤＬ（Pixel-Defining Layer）構造によって区画され、ＰＤＬ構造上にはオーバーハング構造が形成されており、サブピクセルは、アノードと、アノード上に堆積されたＯＬＥＤ材料と、ＯＬＥＤ材料上に堆積されたカソードと、を有する。ＯＬＥＤ材料とカソードを堆積する工程と、カソード上に堆積されるカプセル化層を形成する工程とを含むプロセスから、上記デバイスは作製される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００３－１５７９７３号公報
【特許文献2】特開２０１２－１６０４７３号公報
【特許文献3】米国特許出願公開２０２２－７７２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本開示にかかる技術は、ファインメタルマスクを用いずに有機材料からなる発光層を適切に形成する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一態様は、基板処理方法であって、（Ａ）複数の電極が配列された電極アレイが基板表面上に形成された基板を準備する工程と、（Ｂ）前記電極アレイの全体を覆うように特定の種類の発光層を形成する工程と、（Ｃ）前記発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜を形成する工程と、（Ｄ）前記仮封止膜上に第１マスクを形成する工程と、（Ｅ）前記仮封止膜及び前記発光層が積層された積層体が前記特定の種類にかかる前記電極上にのみ形成された積層体アレイを、前記第１マスクを用いて形成する工程と、（Ｆ）その後、前記積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する工程と、（Ｇ）前記第２無機絶縁膜上に第２マスクを形成する工程と、（Ｈ）前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分の前記第２無機絶縁膜を、前記第２マスクを用いて、前記積層体アレイが露出しないように除去する工程と、を含み、前記（Ｂ）～前記（Ｈ）工程を、前記発光層にかかる複数種類について行う。
【発明の効果】
【0008】
本開示によれば、ファインメタルマスクを用いずに有機材料からなる発光層を適切に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図2】処理モジュールの構成の概略を示す縦断面図である。
【図3】基板処理シーケンスの一例を説明するためのフローチャートである。
【図4】基板処理シーケンスの各工程後における基板の状態を示す模式部分断面図である。
【図5】基板処理シーケンスの各工程後における基板の状態を示す模式部分断面図である。
【図6】基板処理シーケンスの各工程後における基板の状態を示す模式部分断面図である。
【図7】基板処理シーケンスの各工程後における基板の状態を示す模式部分断面図である。
【図8】積層体アレイの形成工程の他の例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
近年、表示装置として、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置が注目を集めている。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を複数有しており、各有機ＥＬ素子は、発光層を含む有機ＥＬ層と電極層等が積層されたものである。
【0011】
また、有機ＥＬ表示装置として、複数種類の有機ＥＬ素子を有するものがある。具体的には、例えば、有機ＥＬ表示装置として、赤色に発光する有機ＥＬ素子、緑色に発光する有機ＥＬ素子及び青色に発光する有機ＥＬ素子それぞれが配列された、フルカラーの表示装置がある。
【0012】
このような表示装置の場合、各種類（具体的には例えば赤色、緑色、青色の各色）に対応した有機ＥＬ層を、それぞれ異なる位置に形成する必要がある。例えば、特許文献１に記載のように、ファインメタルマスクを用いた真空蒸着法により、各種類の有機ＥＬ層が形成される。ファインメタルマスクは微細な穴が配列された金属薄板である。
しかし、ファインメタルマスクを用いる手法は、高精細化や大型化に限界がある等、改善の余地がある。
しかし、ファインメタルマスクを用いる手法は、高精細化や大型化に限界がある等、改善の余地がある。
【0013】
そこで、本開示にかかる技術は、ファインメタルマスクを用いずに有機ＥＬ層を適切に形成する。
【0014】
以下、本実施形態にかかる基板処理方法及び基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0015】
＜基板処理装置１＞
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置１の構成の概略を示す平面図である。
図１の基板処理装置１は、複数種類の有機ＥＬ素子を基板Ｇ上に形成するための処理を行うものであり、具体的には、種類毎に互いに異なる色に発光する複数種類の有機ＥＬ層を同一基板Ｇ上に形成するための処理を行うものである。
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置１の構成の概略を示す平面図である。
図１の基板処理装置１は、複数種類の有機ＥＬ素子を基板Ｇ上に形成するための処理を行うものであり、具体的には、種類毎に互いに異なる色に発光する複数種類の有機ＥＬ層を同一基板Ｇ上に形成するための処理を行うものである。
【0016】
基板処理装置１は、複数の基板Ｇを収容可能なキャリアＣが搬入出されるキャリアステーション１０と、減圧下で基板Ｇに所定の処理を施す複数の処理モジュール４０を備えた処理ステーション１１とを一体に接続した構成を有している。キャリアステーション１０と処理ステーション１１は、ロードロックモジュール１２を介して連結されている。
【0017】
ロードロックモジュール１２は、室内を大気圧状態と真空状態とに切り替えられるように構成されたロードロック室１３を有する。
【0018】
キャリアステーション１０は搬送機構２０を有している。
搬送機構２０は、キャリア載置台２１に載置されたキャリアＣとロードロックモジュール１２（具体的にはロードロック室１３）との間での基板Ｇの搬送を大気圧下で行う。この搬送機構２０は、基板Ｇを搬送時に支持する搬送アーム２０ａを有している。
搬送機構２０は、キャリア載置台２１に載置されたキャリアＣとロードロックモジュール１２（具体的にはロードロック室１３）との間での基板Ｇの搬送を大気圧下で行う。この搬送機構２０は、基板Ｇを搬送時に支持する搬送アーム２０ａを有している。
【0019】
処理ステーション１１は、真空搬送モジュール３０と処理モジュール４０を有している。処理ステーション１１に設けられている処理モジュール４０の数は複数（図の例では３つ）設けられている。
【0020】
真空搬送モジュール３０は、室内が減圧状態（真空状態）に保たれる真空搬送室３１を有する。真空搬送室３１は、ロードロックモジュール１２のロードロック室１３とゲートバルブＧ１を介して接続されている。なお、ロードロック室１３の搬送機構２０側にもゲートバルブＧ２が設けられている。
【0021】
また、真空搬送室３１は、後述の真空処理室４１それぞれとゲートバルブＧ３を介して接続されている。真空搬送室３１内には、基板Ｇを搬送する搬送機構３２が設けられている。搬送機構３２は、処理モジュール４０（具体的には真空処理室４１）及びロードロックモジュール１２（具体的にはロードロック室１３）に対して基板Ｇを搬入出する。搬送機構３２は、基板Ｇを搬送時に支持する搬送アーム３２ａを有している。
【0022】
本実施形態において、処理モジュール４０それぞれは、後述の仮封止膜のエッチングや、有機ＥＬ層のエッチング、後述の第２無機絶縁膜の形成等を行う。すなわち、本実施形態において、処理モジュール４０それぞれは、本開示にかかる除去部及び成膜部として機能する。
処理モジュール４０はそれぞれ、減圧下の室内で基板Ｇに対して上述のエッチングや成膜等が行われる真空処理室４１を有する。
処理モジュール４０はそれぞれ、減圧下の室内で基板Ｇに対して上述のエッチングや成膜等が行われる真空処理室４１を有する。
【0023】
さらに、基板処理装置１は制御部５０を備える。
制御部５０は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータを含み、各種情報を記憶する記憶部（図示せず）を有している。上記記憶部には、基板処理装置１により実行される処理シーケンスのための指令を含むプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部５０にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体は、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。
制御部５０は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータを含み、各種情報を記憶する記憶部（図示せず）を有している。上記記憶部には、基板処理装置１により実行される処理シーケンスのための指令を含むプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部５０にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体は、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。
【0024】
＜処理モジュール４０＞
図２は、処理モジュール４０の構成の概略を示す縦断面図である。
処理モジュール４０は、例えば、基板Ｇに対してプラズマを用いた処理すなわちプラズマ処理を行うプラズマ処理装置として構成され、図示するように、有底の角筒形状の容器本体１００を備える。
図２は、処理モジュール４０の構成の概略を示す縦断面図である。
処理モジュール４０は、例えば、基板Ｇに対してプラズマを用いた処理すなわちプラズマ処理を行うプラズマ処理装置として構成され、図示するように、有底の角筒形状の容器本体１００を備える。
【0025】
容器本体１００は、導電性材料、例えばアルミニウムから形成され、電気的に接地されている。プラズマ処理にはしばしば腐食性のガスが用いられるため、容器本体１００の内壁面は、耐腐食性を向上させる目的で、陽極酸化処理等の耐腐食コーティング処理が施されていてもよい。また、容器本体１００の上面には開口が形成されている。この開口は、容器本体１００と絶縁されて設けられた矩形状の金属窓１２０によって気密に塞がれ、具体的には、金属窓１２０及び後述の金属枠１１０よって気密に塞がれる。容器本体１００及び金属窓１２０によって囲まれた空間は、処理対象の基板Ｇがプラズマ処理時に位置する処理空間Ｋ１となり、金属窓１２０の上方側の空間は、後述の高周波アンテナ（プラズマアンテナ）１９０が配置されるアンテナ室Ｋ２となる。容器本体１００の真空搬送室３１（図１参照）側の側壁には、処理空間Ｋ１内に基板Ｇを搬入出するための搬入出口（図示せず）及び搬入出口を開閉するゲートバルブＧ３（図１参照）が設けられている。
【0026】
処理空間Ｋ１の下部側には、金属窓１２０と対向するように、載置台１３０が設けられている。載置台１３０は、その上面が、基板Ｇが載置される基板載置面となる台本体１３１を有し、台本体１３１が脚部１３２を介して容器本体１００の底面上に設置されている。
【0027】
台本体１３１は、導電性材料、例えばアルミニウムで構成された基部１３１ａと、基板Ｇを静電吸着により保持する静電チャック１３１ｂが設けられている。
基部１３１ａには、整合器１４０を介して高周波電源１４１が接続されている。高周波電源１４１は、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が３．２ＭＨｚの高周波電力を基部１３１ａに供給する。これにより、処理空間Ｋ１内に生成されたプラズマ中のイオンを基板Ｇに引き込むことができる。
基部１３１ａには、整合器１４０を介して高周波電源１４１が接続されている。高周波電源１４１は、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が３．２ＭＨｚの高周波電力を基部１３１ａに供給する。これにより、処理空間Ｋ１内に生成されたプラズマ中のイオンを基板Ｇに引き込むことができる。
【0028】
容器本体１００の底壁には、排気口１０１が形成され、この排気口１０１には真空ポンプ等を有する排気部１５０が接続されている。処理空間Ｋ１は、この排気部１５０によって減圧される。
【0029】
容器本体１００の側壁の上面側には、アルミニウム等の金属材料から形成された矩形状の枠体である金属枠１１０が設けられている。容器本体１００と金属枠１１０との間には、処理空間Ｋ１を気密に保つためのシール部材１１１が設けられている。また、容器本体１００と金属枠１１０と金属窓１２０とが、減圧可能に構成され載置台１３０を収容する処理容器を構成し、また、前述の真空処理室４１を構成する。
【0030】
金属窓１２０は、例えば平面視矩形状に形成されている。また、金属窓１２０は、処理空間Ｋ１に処理ガスを供給するシャワーヘッドとして機能する。例えば、金属窓１２０には、処理ガスを下方に吐出する多数のガス吐出孔１２１と、処理ガスを拡散させる拡散室１２２が形成されており、ガス吐出孔１２１と拡散室１２２とが連通している。
なお、金属窓１２０は、絶縁部材１２３によって金属枠１１０から電気的に絶縁されている。
なお、金属窓１２０は、絶縁部材１２３によって金属枠１１０から電気的に絶縁されている。
【0031】
拡散室１２２には、供給管２１０を介して、エッチングガス供給ユニット２００～２０２、アッシングガス供給ユニット２０３、成膜ガス供給ユニット２０４が接続されている。
【0032】
エッチングガス供給ユニット２００は、無機絶縁膜用のエッチングガスを供給する。
エッチングガス供給ユニット２０１は、カソード用のエッチングガスを供給する。
エッチングガス供給ユニット２０２は、有機ＥＬ層用のエッチングガスを供給する。
アッシングガス供給ユニット２０３は、レジストのマスク用のアッシングガスを供給する。
成膜ガス供給ユニット２０４は、無機絶縁膜用の成膜ガスを供給する。
エッチングガス供給ユニット２００～２０２、アッシングガス供給ユニット２０３、成膜ガス供給ユニット２０４はそれぞれ、ガス供給の開始・停止を切り換える開閉弁（図示せず）、供給するガス流量を調整する流量制御器（図示せず）等を有する。エッチングガス供給ユニット２００～２０２、アッシングガス供給ユニット２０３、成膜ガス供給ユニット２０４は、複数種類のガスが混合された混合ガスを供給する場合、混合比を調整可能に構成されている。
エッチングガス供給ユニット２０１は、カソード用のエッチングガスを供給する。
エッチングガス供給ユニット２０２は、有機ＥＬ層用のエッチングガスを供給する。
アッシングガス供給ユニット２０３は、レジストのマスク用のアッシングガスを供給する。
成膜ガス供給ユニット２０４は、無機絶縁膜用の成膜ガスを供給する。
エッチングガス供給ユニット２００～２０２、アッシングガス供給ユニット２０３、成膜ガス供給ユニット２０４はそれぞれ、ガス供給の開始・停止を切り換える開閉弁（図示せず）、供給するガス流量を調整する流量制御器（図示せず）等を有する。エッチングガス供給ユニット２００～２０２、アッシングガス供給ユニット２０３、成膜ガス供給ユニット２０４は、複数種類のガスが混合された混合ガスを供給する場合、混合比を調整可能に構成されている。
【0033】
なお、拡散室１２２には、不活性ガス等のパージガスを供給するパージガス供給ユニット（図示せず）も接続されている。
【0034】
上述の金属窓１２０、側壁部１８１及び天板部１８０にて囲まれた空間はアンテナ室Ｋ２を構成し、アンテナ室Ｋ２の内部には、金属窓１２０に面するように高周波アンテナ１９０が配置されている。
【0035】
高周波アンテナ１９０は、例えば、絶縁材料から形成されるスペーサ（図示せず）を介して金属窓１２０から離間して配置される。
【0036】
高周波アンテナ１９０には、整合器１４２を介して高周波電源１４３が接続されている。高周波アンテナ１９０には、高周波電源１４３から整合器１４２を介して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。これにより、プラズマ処理の間、金属窓１２０を介して、処理空間Ｋ１の内部に誘導電界が形成され、ガス吐出孔１２１から吐出された処理ガスが誘導電界によってプラズマ化される。
【0037】
＜基板処理＞
次に、基板処理装置１により実行される処理シーケンスを含む基板処理シーケンスの一例について説明する。図３は、基板処理シーケンスの一例を説明するためのフローチャートである。図４及び図５は、基板処理シーケンスの各工程後における基板Ｇの状態を示す模式部分断面図である。
次に、基板処理装置１により実行される処理シーケンスを含む基板処理シーケンスの一例について説明する。図３は、基板処理シーケンスの一例を説明するためのフローチャートである。図４及び図５は、基板処理シーケンスの各工程後における基板Ｇの状態を示す模式部分断面図である。
【0038】
（ステップＳ１）
まず、図３に示すように、以下の基板Ｇが準備される。
まず、図３に示すように、以下の基板Ｇが準備される。
【0039】
本ステップＳ１で準備される基板Ｇは、図４（Ａ）に示すように、電極としてのアノードＣａが複数配列された電極アレイＣＡｒが基板表面上に形成されている。また、本ステップＳ１で準備される基板Ｇには、画素定義（Pixel Defining Layer）層ＰＤＬが形成されている。画素定義層ＰＤＬは、画素を区画すると共に、隣り合うアノードＣａ間を電気的に絶縁する。
基板Ｇは、例えばガラス板であるが、セラミックス板、プラスチック板、金属板等であってもよい。
基板Ｇは、例えばガラス板であるが、セラミックス板、プラスチック板、金属板等であってもよい。
【0040】
本ステップＳ１は、電極アレイＣＡｒが形成される工程を含んでもよい。電極アレイＣＡｒの形成には例えば蒸着法が用いられる。電極アレイＣＡｒを構成するアノードＣａの材料には例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が用いられる。
【0041】
また、本ステップＳ１は、画素定義層ＰＤＬが形成される工程を含んでもよい。画素定義層ＰＤＬはレジストを用いたリソグラフィ処理（例えばフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ処理等）によって形成される。なお、画素定義層ＰＤＬは、電極アレイＣＡｒのアノードＣａそれぞれの一部が露出するように形成される。
【0042】
（ステップＳ２）
次いで、図４（Ｂ）に示すように、電極アレイＣＡｒの全体を覆うように、特定の種類の、発光層を含む有機ＥＬ層ＥＬが形成される。
次いで、図４（Ｂ）に示すように、電極アレイＣＡｒの全体を覆うように、特定の種類の、発光層を含む有機ＥＬ層ＥＬが形成される。
【0043】
具体的には、例えば、特定の色の有機ＥＬ層ＥＬが形成され、より具体的には、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうちの特定の１色について、有機ＥＬ層が形成される。
有機ＥＬ層ＥＬは連続膜として形成される。また、有機ＥＬ層ＥＬは、発光層以外に電子輸送層等の他の層を有していてもよい。有機ＥＬ層ＥＬの発光層は、電極から電子及び正孔が注入されることが可能であり、注入された電荷が移動して正孔と電子が再結合して発光する有機発光物質が材料として用いられる。有機ＥＬ層ＥＬの形成手法や材料には公知のものを用いることができる。有機ＥＬ層ＥＬの厚さは例えば０．１μｍ～０．５μｍである。
有機ＥＬ層ＥＬは連続膜として形成される。また、有機ＥＬ層ＥＬは、発光層以外に電子輸送層等の他の層を有していてもよい。有機ＥＬ層ＥＬの発光層は、電極から電子及び正孔が注入されることが可能であり、注入された電荷が移動して正孔と電子が再結合して発光する有機発光物質が材料として用いられる。有機ＥＬ層ＥＬの形成手法や材料には公知のものを用いることができる。有機ＥＬ層ＥＬの厚さは例えば０．１μｍ～０．５μｍである。
【0044】
また、本ステップＳ２では、有機ＥＬ層ＥＬ全体を覆うように、当該有機ＥＬ層ＥＬ上に重ねて、カソードＣｃが形成される。
カソードＣｃは、有機ＥＬ層ＥＬと同様、連続膜として形成される。カソードＣｃの形成には例えば蒸着法が用いられる。カソードＣｃの材料には公知のものを用いることができる。カソードＣｃの厚さは例えば０．０１μｍ～０．１μｍである。
カソードＣｃは、有機ＥＬ層ＥＬと同様、連続膜として形成される。カソードＣｃの形成には例えば蒸着法が用いられる。カソードＣｃの材料には公知のものを用いることができる。カソードＣｃの厚さは例えば０．０１μｍ～０．１μｍである。
【0045】
（ステップＳ３）
続いて、図４（Ｃ）に示すように、有機ＥＬ層ＥＬの全体を覆うように、仮封止膜としての第１無機絶縁膜ＺＩ１が形成される。具体的には、有機ＥＬ層ＥＬ及びカソードＣｃを封止するように、第１無機絶縁膜ＺＩ１が形成される。
続いて、図４（Ｃ）に示すように、有機ＥＬ層ＥＬの全体を覆うように、仮封止膜としての第１無機絶縁膜ＺＩ１が形成される。具体的には、有機ＥＬ層ＥＬ及びカソードＣｃを封止するように、第１無機絶縁膜ＺＩ１が形成される。
【0046】
第１無機絶縁膜ＺＩ１は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）及び酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）のいずれか又はこれらの組み合わせにより形成される。また、第１無機絶縁膜ＺＩ１は、基板Ｇの表面全面に形成されている。第１無機絶縁膜ＺＩ１の厚さは、例えば０．１μｍ～１．５μｍである。
【0047】
（ステップＳ４）
その後、図４（Ｄ）に示すように、仮封止膜上（本例では第１無機絶縁膜ＺＩ１上）に第１マスクＰＲＭ１が形成される。
その後、図４（Ｄ）に示すように、仮封止膜上（本例では第１無機絶縁膜ＺＩ１上）に第１マスクＰＲＭ１が形成される。
【0048】
第１マスクＰＲＭ１は、リソグラフィ処理用のレジストから形成され、具体的には、例えば、フォトリソグラフィ用のフォトレジストから形成される。
第１マスクＰＲＭ１の形成は、例えば、仮封止膜すなわち第１無機絶縁膜ＺＩ１を覆うようにレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜を露光、現像することにより行われる。第１マスクＰＲＭ１は、第１無機絶縁膜ＺＩ１のうち、特定の種類（具体的には例えばＲ、Ｇ、Ｂのうちの特定の１色）にかかるアノードＣａに対応する部分を覆い、それ以外のアノードＣａに対応する部分を露出させる。
また、第１マスクＰＲＭ１は、有機ＥＬ層よりも厚く、例えば、厚さが０．５μｍ～２．５μｍである。
第１マスクＰＲＭ１の形成は、例えば、仮封止膜すなわち第１無機絶縁膜ＺＩ１を覆うようにレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜を露光、現像することにより行われる。第１マスクＰＲＭ１は、第１無機絶縁膜ＺＩ１のうち、特定の種類（具体的には例えばＲ、Ｇ、Ｂのうちの特定の１色）にかかるアノードＣａに対応する部分を覆い、それ以外のアノードＣａに対応する部分を露出させる。
また、第１マスクＰＲＭ１は、有機ＥＬ層よりも厚く、例えば、厚さが０．５μｍ～２．５μｍである。
【0049】
（ステップＳ５）
次いで、図４（Ｅ）に示すように、第１マスクＰＲＭ１が用いられ、積層体が配列された積層体アレイＬａが形成される。上記積層体は、仮封止膜としての第１無機絶縁膜ＺＩ１及び有機ＥＬ層ＥＬが積層されたものであり、具体的には、カソードＣｃ、有機ＥＬ層ＥＬ及び第１無機絶縁膜ＺＩ１が下からこの順で積層されたものである。また、積層体アレイＬａは、電極アレイＣＡｒを構成するアノードＣａのうち、特定の種類（具体的には例えばＲ、Ｇ、Ｂのうちの特定の１色）に対応するアノードＣａ上にのみ、上記積層体が形成されてなる。
次いで、図４（Ｅ）に示すように、第１マスクＰＲＭ１が用いられ、積層体が配列された積層体アレイＬａが形成される。上記積層体は、仮封止膜としての第１無機絶縁膜ＺＩ１及び有機ＥＬ層ＥＬが積層されたものであり、具体的には、カソードＣｃ、有機ＥＬ層ＥＬ及び第１無機絶縁膜ＺＩ１が下からこの順で積層されたものである。また、積層体アレイＬａは、電極アレイＣＡｒを構成するアノードＣａのうち、特定の種類（具体的には例えばＲ、Ｇ、Ｂのうちの特定の１色）に対応するアノードＣａ上にのみ、上記積層体が形成されてなる。
【0050】
本ステップＳ５では、具体的には、基板処理装置１により、第１マスクＰＲＭ１を介して、仮封止膜（本例では第１無機絶縁膜ＺＩ１）、カソードＣｃ及び有機ＥＬ層ＥＬが除去される。
【0051】
より具体的には、例えば、ステップＳ４後の基板Ｇすなわち第１マスクＰＲＭ１が形成された基板Ｇが、搬送機構２０の搬送アーム２０ａによって、キャリアＣから取り出されると共に、ゲートバルブＧ２が開状態とされる。その後、基板Ｇが、搬送アーム２０ａによって、ロードロックモジュール１２内（具体的にはロードロック室１３内）に搬入される。続いて、ゲートバルブＧ２が閉状態とされてロードロック室１３内が密閉され、減圧される。ロードロック室１３内の圧力が所定の圧力以下となると、ゲートバルブＧ１が開状態とされ、基板Ｇが、搬送機構３２の搬送アーム３２ａによって、ロードロック室１３から取り出され、真空搬送室３１に搬入される。次に、ゲートバルブＧ１が閉状態とされた後、所望の処理モジュール４０に対するゲートバルブＧ３が開状態とされる。続いて、搬送アーム３２ａによって当該処理モジュール４０内（具体的には真空処理室４１内）に基板Ｇが搬入され、載置台１３０の台本体１３１の上面上に載置される。その後、ゲートバルブＧ３が閉状態とされる。そして、処理空間Ｋ１内が予め定められた圧力になるまで、排気部１５０による処理空間Ｋ１の排気が行われる。
【0052】
次いで、第１マスクＰＲＭ１を介して第１無機絶縁膜ＺＩ１が除去される。
具体的には、例えば、排気部１５０による処理空間Ｋ１の排気を継続した状態で、処理ガスとして無機絶縁膜用のエッチングガスが、エッチングガス供給ユニット２００から、拡散室１２２及びガス吐出孔１２１を介して処理空間Ｋ１内に供給される。その後、処理空間Ｋ１内が所望の圧力になると、高周波電源１４３から高周波アンテナ１９０に高周波電力が供給され、これにより、金属窓１２０を介して処理空間Ｋ１内に誘導電界が生じる。また、誘導電界によって、処理空間Ｋ１内のエッチングガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、高周波電源１４１から載置台１３０の台本体１３１に供給されたバイアス用の高周波電力により、プラズマ中のイオンが基板Ｇに引き込まれる。その結果、第１マスクＰＲＭ１を介して第１無機絶縁膜ＺＩ１が除去される。
具体的には、例えば、排気部１５０による処理空間Ｋ１の排気を継続した状態で、処理ガスとして無機絶縁膜用のエッチングガスが、エッチングガス供給ユニット２００から、拡散室１２２及びガス吐出孔１２１を介して処理空間Ｋ１内に供給される。その後、処理空間Ｋ１内が所望の圧力になると、高周波電源１４３から高周波アンテナ１９０に高周波電力が供給され、これにより、金属窓１２０を介して処理空間Ｋ１内に誘導電界が生じる。また、誘導電界によって、処理空間Ｋ１内のエッチングガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、高周波電源１４１から載置台１３０の台本体１３１に供給されたバイアス用の高周波電力により、プラズマ中のイオンが基板Ｇに引き込まれる。その結果、第１マスクＰＲＭ１を介して第１無機絶縁膜ＺＩ１が除去される。
【0053】
なお、この除去すなわちエッチングは、例えば、第１無機絶縁膜ＺＩ１における第１マスクＰＲＭ１から露出した部分が消失するまで行われる。
第１無機絶縁膜ＺＩ１の除去の終了後、高周波電源１４１、１４３からの電力供給、エッチングガス供給ユニット２００からのエッチングガスの供給が停止されると共に、処理空間Ｋ１のパージが行われる。
第１無機絶縁膜ＺＩ１の除去の終了後、高周波電源１４１、１４３からの電力供給、エッチングガス供給ユニット２００からのエッチングガスの供給が停止されると共に、処理空間Ｋ１のパージが行われる。
【0054】
続いて、第１マスクＰＲＭ１を介してカソードＣｃが除去される。
具体的には、例えば、排気部１５０による処理空間Ｋ１の排気を継続した状態で、処理ガスとしてカソード用のエッチングガスが、エッチングガス供給ユニット２０１から、拡散室１２２及びガス吐出孔１２１を介して処理空間Ｋ１内に供給される。その後、処理空間Ｋ１内が所望の圧力になると、高周波電源１４３から高周波アンテナ１９０に高周波電力が供給され、これにより、金属窓１２０を介して処理空間Ｋ１内に誘導電界が生じる。また、誘導電界によって、処理空間Ｋ１内のエッチングガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、高周波電源１４１から載置台１３０の台本体１３１に供給されたバイアス用の高周波電力により、プラズマ中のイオンが基板Ｇに引き込まれる。その結果、第１マスクＰＲＭ１を介してカソードＣｃが除去される。
具体的には、例えば、排気部１５０による処理空間Ｋ１の排気を継続した状態で、処理ガスとしてカソード用のエッチングガスが、エッチングガス供給ユニット２０１から、拡散室１２２及びガス吐出孔１２１を介して処理空間Ｋ１内に供給される。その後、処理空間Ｋ１内が所望の圧力になると、高周波電源１４３から高周波アンテナ１９０に高周波電力が供給され、これにより、金属窓１２０を介して処理空間Ｋ１内に誘導電界が生じる。また、誘導電界によって、処理空間Ｋ１内のエッチングガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、高周波電源１４１から載置台１３０の台本体１３１に供給されたバイアス用の高周波電力により、プラズマ中のイオンが基板Ｇに引き込まれる。その結果、第１マスクＰＲＭ１を介してカソードＣｃが除去される。
【0055】
なお、この除去すなわちエッチングは、カソードＣｃにおける第１マスクＰＲＭ１から露出した部分が消失するまで行われる。
カソードＣｃの除去の終了後、高周波電源１４１、１４３からの電力供給、エッチングガス供給ユニット２０１からのエッチングガスの供給が停止されると共に、処理空間Ｋ１のパージが行われる。
カソードＣｃの除去の終了後、高周波電源１４１、１４３からの電力供給、エッチングガス供給ユニット２０１からのエッチングガスの供給が停止されると共に、処理空間Ｋ１のパージが行われる。
【0056】
その後、第１マスクＰＲＭ１を介して有機ＥＬ層ＥＬが除去され、積層体アレイＬａが形成される。
具体的には、例えば、排気部１５０による処理空間Ｋ１の排気を継続した状態で、処理ガスとして有機ＥＬ層用のエッチングガスが、エッチングガス供給ユニット２０２から、拡散室１２２及びガス吐出孔１２１を介して処理空間Ｋ１内に供給される。その後、処理空間Ｋ１内が所望の圧力になると、高周波電源１４３から高周波アンテナ１９０に高周波電力が供給され、これにより、金属窓１２０を介して処理空間Ｋ１内に誘導電界が生じる。また、誘導電界によって、処理空間Ｋ１内のエッチングガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、高周波電源１４１から載置台１３０の台本体１３１に供給されたバイアス用の高周波電力により、プラズマ中のイオンが基板Ｇに引き込まれる。その結果、第１マスクＰＲＭ１を介して有機ＥＬ層ＥＬが除去され、積層体アレイＬａが形成される。
具体的には、例えば、排気部１５０による処理空間Ｋ１の排気を継続した状態で、処理ガスとして有機ＥＬ層用のエッチングガスが、エッチングガス供給ユニット２０２から、拡散室１２２及びガス吐出孔１２１を介して処理空間Ｋ１内に供給される。その後、処理空間Ｋ１内が所望の圧力になると、高周波電源１４３から高周波アンテナ１９０に高周波電力が供給され、これにより、金属窓１２０を介して処理空間Ｋ１内に誘導電界が生じる。また、誘導電界によって、処理空間Ｋ１内のエッチングガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、高周波電源１４１から載置台１３０の台本体１３１に供給されたバイアス用の高周波電力により、プラズマ中のイオンが基板Ｇに引き込まれる。その結果、第１マスクＰＲＭ１を介して有機ＥＬ層ＥＬが除去され、積層体アレイＬａが形成される。
【0057】
なお、この除去すなわちエッチングは、有機ＥＬ層ＥＬにおける第１マスクＰＲＭ１から露出した部分が消失するまで行われる。
有機ＥＬ層ＥＬの除去の終了後、高周波電源１４１、１４３からの電力供給、エッチングガス供給ユニット２０２からのエッチングガスの供給が停止されると共に、処理空間Ｋ１のパージが行われる。
有機ＥＬ層ＥＬの除去の終了後、高周波電源１４１、１４３からの電力供給、エッチングガス供給ユニット２０２からのエッチングガスの供給が停止されると共に、処理空間Ｋ１のパージが行われる。
【0058】
また、有機ＥＬ層ＥＬの除去すなわち積層体アレイＬａの形成が終了した段階では、積層体アレイＬａを構成する積層体それぞれにおいて、有機ＥＬ層ＥＬ及びカソードＣｃの側端は第１無機絶縁膜ＺＩ１等によって覆われておらず、露出している。
【0059】
（ステップＳ６）
続いて、図５（Ａ）に示すように、第１マスクＰＲＭ１が除去される。
具体的には、基板ＧがステップＳ５後に大気に暴露されることなく、ステップＳ５を行った基板処理装置１により、第１マスクＰＲＭ１が除去される。
続いて、図５（Ａ）に示すように、第１マスクＰＲＭ１が除去される。
具体的には、基板ＧがステップＳ５後に大気に暴露されることなく、ステップＳ５を行った基板処理装置１により、第１マスクＰＲＭ１が除去される。
【0060】
より具体的には、例えば、排気部１５０による処理空間Ｋ１の排気を継続した状態で、処理ガスとしてレジストのマスク用のアッシングガスが、アッシングガス供給ユニット２０３から、拡散室１２２及びガス吐出孔１２１を介して処理空間Ｋ１内に供給される。その後、処理空間Ｋ１内が所望の圧力になると、高周波電源１４３から高周波アンテナ１９０に高周波電力が供給され、これにより、金属窓１２０を介して処理空間Ｋ１内に誘導電界が生じる。また、誘導電界によって、処理空間Ｋ１内のエッチングガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、プラズマ中のイオンやラジカルにより、第１マスクＰＲＭ１を介して第１マスクＰＲＭ１が除去される。
【0061】
なお、この除去すなわちアッシングは、第１マスクＰＲＭ１が消失するまで行われる。
第１マスクＰＲＭ１の除去の終了後、高周波電源１４１からの電力供給、アッシングガス供給ユニット２０３からのアッシングガスの供給が停止されると共に、処理空間Ｋ１のパージが行われる。
第１マスクＰＲＭ１の除去の終了後、高周波電源１４１からの電力供給、アッシングガス供給ユニット２０３からのアッシングガスの供給が停止されると共に、処理空間Ｋ１のパージが行われる。
【0062】
（ステップＳ７）
その後、図５（Ｂ）に示すように、積層体アレイＬａの全体を覆うように、第２無機絶縁膜ＺＩ２が形成される。
具体的には、基板ＧがステップＳ５後に大気に暴露されることなく、ステップＳ５及びステップＳ６を行った基板処理装置１によって、積層体アレイＬａを構成する積層体それぞれを封止するように、第２無機絶縁膜ＺＩ２がＣＶＤ法により形成される。これにより、積層体アレイＬａを構成する積層体の、露出していた有機ＥＬ層ＥＬ及びカソードＣｃの側端が、第２無機絶縁膜ＺＩ２によって覆われる。
その後、図５（Ｂ）に示すように、積層体アレイＬａの全体を覆うように、第２無機絶縁膜ＺＩ２が形成される。
具体的には、基板ＧがステップＳ５後に大気に暴露されることなく、ステップＳ５及びステップＳ６を行った基板処理装置１によって、積層体アレイＬａを構成する積層体それぞれを封止するように、第２無機絶縁膜ＺＩ２がＣＶＤ法により形成される。これにより、積層体アレイＬａを構成する積層体の、露出していた有機ＥＬ層ＥＬ及びカソードＣｃの側端が、第２無機絶縁膜ＺＩ２によって覆われる。
【0063】
第２無機絶縁膜ＺＩ２は、連続膜として形成される。また、第２無機絶縁膜ＺＩ２は、例えば、第１無機絶縁膜ＺＩ１と同様、ＳｉＮ、ＳｉＯ及びＳｉＯＮのいずれか又はこれらの組み合わせにより形成される。
【0064】
本ステップＳ７では、具体的には、例えば、排気部１５０による処理空間Ｋ１の排気を継続した状態で、処理ガスとして無機絶縁膜用の成膜ガスが、成膜ガス供給ユニット２０４から、拡散室１２２及びガス吐出孔１２１を介して処理空間Ｋ１内に供給される。その後、処理空間Ｋ１内が所望の圧力になると、高周波電源１４３から高周波アンテナ１９０に高周波電力が供給され、これにより、金属窓１２０を介して処理空間Ｋ１内に誘導電界が生じる。また、誘導電界によって、処理空間Ｋ１内の成膜ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、高周波電源１４１から載置台１３０の台本体１３１に供給されたバイアス用の高周波電力により、プラズマ中のイオンが基板Ｇに引き込まれる。その結果、基板Ｇの表面全面に第２無機絶縁膜ＺＩ２が形成される。
【0065】
第２無機絶縁膜ＺＩ２の形成は、所望の厚さの第２無機絶縁膜ＺＩ２が形成されるまで行われる。
第２無機絶縁膜ＺＩ２の形成の終了後、高周波電源１４１、１４３からの電力供給、成膜ガス供給ユニット２０４からの成膜ガスの供給が停止されると共に、処理空間Ｋ１のパージが行われる。
その後、基板Ｇが搬出される。
具体的には、処理モジュール４０への基板Ｇの搬入時と逆の手順で、処理モジュール４０からキャリア載置台２１上のキャリアＣへ基板Ｇが搬出される。
第２無機絶縁膜ＺＩ２の形成の終了後、高周波電源１４１、１４３からの電力供給、成膜ガス供給ユニット２０４からの成膜ガスの供給が停止されると共に、処理空間Ｋ１のパージが行われる。
その後、基板Ｇが搬出される。
具体的には、処理モジュール４０への基板Ｇの搬入時と逆の手順で、処理モジュール４０からキャリア載置台２１上のキャリアＣへ基板Ｇが搬出される。
【0066】
なお、上述のステップＳ５～ステップＳ７は、制御部５０の制御の下、行われる。
【0067】
（ステップＳ８）
次いで、図５（Ｃ）に示すように、第２無機絶縁膜ＺＩ２上に第２マスクＰＲＭ２が形成される。
次いで、図５（Ｃ）に示すように、第２無機絶縁膜ＺＩ２上に第２マスクＰＲＭ２が形成される。
【0068】
第２マスクＰＲＭ２は、リソグラフィ処理用のレジストから形成され、具体的には、例えば、フォトリソグラフィ用のフォトレジストから形成される。
第２マスクＰＲＭ２の形成は、例えば、第２無機絶縁膜ＺＩ２を覆うようにレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜を露光、現像することにより行われる。第２マスクＰＲＭ２は、第１マスクＰＲＭ１と同様、第２無機絶縁膜ＺＩ２のうち、特定の種類（具体的には例えばＲ、Ｇ、Ｂのうちの特定の１色）にかかるアノードＣａに対応する部分を覆い、それ以外のアノードＣａに対応する部分を露出させる。
第２マスクＰＲＭ２の形成は、例えば、第２無機絶縁膜ＺＩ２を覆うようにレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜を露光、現像することにより行われる。第２マスクＰＲＭ２は、第１マスクＰＲＭ１と同様、第２無機絶縁膜ＺＩ２のうち、特定の種類（具体的には例えばＲ、Ｇ、Ｂのうちの特定の１色）にかかるアノードＣａに対応する部分を覆い、それ以外のアノードＣａに対応する部分を露出させる。
【0069】
（ステップＳ９）
続いて、図５（Ｄ）に示すように、第２マスクＰＲＭ２が用いられ、特定の種類にかかるアノードＣａ以外のアノードＣａに対応する部分の第２無機絶縁膜ＺＩ２が除去される。この除去は、特定の種類にかかるアノードＣａに対応する部分上に形成された積層体が露出しないように行われる。すなわち、ステップＳ７で第２無機絶縁膜ＺＩ２により覆った、積層体アレイＬａを構成する積層体の有機ＥＬ層ＥＬ及びカソードＣｃの側端が、再び露出しないように、第２無機絶縁膜ＺＩ２の除去は行われる。
続いて、図５（Ｄ）に示すように、第２マスクＰＲＭ２が用いられ、特定の種類にかかるアノードＣａ以外のアノードＣａに対応する部分の第２無機絶縁膜ＺＩ２が除去される。この除去は、特定の種類にかかるアノードＣａに対応する部分上に形成された積層体が露出しないように行われる。すなわち、ステップＳ７で第２無機絶縁膜ＺＩ２により覆った、積層体アレイＬａを構成する積層体の有機ＥＬ層ＥＬ及びカソードＣｃの側端が、再び露出しないように、第２無機絶縁膜ＺＩ２の除去は行われる。
【0070】
なお、この除去すなわちエッチングは、第２無機絶縁膜ＺＩ２における第２マスクＰＲＭ２から露出した部分が消失するまで行われる。
【0071】
（ステップＳ１０）
その後、図５（Ｅ）に示すように、第２マスクＰＲＭ２が除去される。
その後、図５（Ｅ）に示すように、第２マスクＰＲＭ２が除去される。
【0072】
そして、上述のステップＳ２～ステップＳ１０は、有機ＥＬ層にかかる複数の種類それぞれについて、行われる。
具体的には、例えば、上述のステップＳ２～ステップＳ１０が、Ｒについて行われた後、Ｇ、Ｂそれぞれについて順に行われる。
これにより、各種類の有機ＥＬ層ＥＬが、対応するアノードＣａ上に形成され、且つ、封止される。
具体的には、例えば、上述のステップＳ２～ステップＳ１０が、Ｒについて行われた後、Ｇ、Ｂそれぞれについて順に行われる。
これにより、各種類の有機ＥＬ層ＥＬが、対応するアノードＣａ上に形成され、且つ、封止される。
【0073】
＜本実施形態の主な効果＞
以上の基板処理シーケンスにしたがって形成された有機ＥＬ層ＥＬは、封止され周囲に対して露出しない。そのため、以上の基板処理シーケンスによれば、形成された有機ＥＬ層ＥＬが、他の種類の有機ＥＬ層ＥＬをその後に形成する際及び封止する際に、周囲の影響で劣化するのを抑制することができる。具体的には、例えば、先に形成されたＲの有機ＥＬ層が、Ｇ、Ｂの有機ＥＬ層をその後に形成する際及び封止する際に、基板Ｇが曝される大気中の水分や第１マスクＰＲＭ１の形成時の現像液等の影響で劣化するのを抑制することができる。
また、以上の基板処理シーケンスによれば、ステップＳ５の有機ＥＬ層ＥＬのエッチング後、すなわち、有機ＥＬ層ＥＬを含む積層体アレイＬａの形成後、基板Ｇが大気に曝されることなく、同一の基板処理装置１内で、ステップＳ７の第２無機絶縁膜ＺＩ２の形成を行うことができる。そのため、積層体アレイＬａの形成後、当該積層体アレイＬａの封止までの間に、当該積層体アレイＬａを構成する積層体の有機ＥＬ層ＥＬが、大気中の水分等の影響で劣化するのを抑制することができる。
そして、以上の基板処理シーケンスではファインメタルマスクが用いられていない。
すなわち、本実施形態によれば、ファインメタルマスクを用いずに有機ＥＬ層ＥＬを適切に形成することができる。
以上の基板処理シーケンスにしたがって形成された有機ＥＬ層ＥＬは、封止され周囲に対して露出しない。そのため、以上の基板処理シーケンスによれば、形成された有機ＥＬ層ＥＬが、他の種類の有機ＥＬ層ＥＬをその後に形成する際及び封止する際に、周囲の影響で劣化するのを抑制することができる。具体的には、例えば、先に形成されたＲの有機ＥＬ層が、Ｇ、Ｂの有機ＥＬ層をその後に形成する際及び封止する際に、基板Ｇが曝される大気中の水分や第１マスクＰＲＭ１の形成時の現像液等の影響で劣化するのを抑制することができる。
また、以上の基板処理シーケンスによれば、ステップＳ５の有機ＥＬ層ＥＬのエッチング後、すなわち、有機ＥＬ層ＥＬを含む積層体アレイＬａの形成後、基板Ｇが大気に曝されることなく、同一の基板処理装置１内で、ステップＳ７の第２無機絶縁膜ＺＩ２の形成を行うことができる。そのため、積層体アレイＬａの形成後、当該積層体アレイＬａの封止までの間に、当該積層体アレイＬａを構成する積層体の有機ＥＬ層ＥＬが、大気中の水分等の影響で劣化するのを抑制することができる。
そして、以上の基板処理シーケンスではファインメタルマスクが用いられていない。
すなわち、本実施形態によれば、ファインメタルマスクを用いずに有機ＥＬ層ＥＬを適切に形成することができる。
【0074】
また、特許文献２に開示の手法は、適用可能な有機ＥＬ層の材料が限定されるが、本実施形態にかかる基板処理シーケンスは、有機ＥＬ層の材料によらず適用することができる。
さらに、特許文献３に開示のようにオーバーハング構造を用いる場合、制御が困難なオーバーハング量を適切にする必要がある。それに対し、基板処理シーケンスは、オーバーハング構造のような複雑な構造が必要ないため、容易に行うことができる。
さらに、特許文献３に開示のようにオーバーハング構造を用いる場合、制御が困難なオーバーハング量を適切にする必要がある。それに対し、基板処理シーケンスは、オーバーハング構造のような複雑な構造が必要ないため、容易に行うことができる。
【0075】
（仮封止膜の他の例）
以上の例では、仮封止膜は、第１無機絶縁膜ＺＩ１の１層から構成されていたが、複数層から構成されていてもよい。図６及び図７は、基板処理シーケンスの各工程後における基板Ｇの状態を示す模式部分断面図であって、仮封止膜が複数層から構成される場合の状態を示している。
以上の例では、仮封止膜は、第１無機絶縁膜ＺＩ１の１層から構成されていたが、複数層から構成されていてもよい。図６及び図７は、基板処理シーケンスの各工程後における基板Ｇの状態を示す模式部分断面図であって、仮封止膜が複数層から構成される場合の状態を示している。
【0076】
この場合も、例えば、前述の例の基板処理シーケンスのステップＳ１及びステップＳ２が行われ、基板Ｇ上に有機ＥＬ層ＥＬ及びカソードＣｃが形成される。
【0077】
続いて、例えば、図６（Ａ）に示すように、有機ＥＬ層ＥＬの全体を覆うように、仮封止膜として、第１無機絶縁膜ＺＩ１、有機絶縁膜ＺＯ及び第３無機絶縁膜ＺＩ３が下からこの順で積層された膜（以下、積層封止膜ＬＳ）が形成される。
【0078】
有機絶縁膜ＺＯは、例えば、湿式成膜法により形成され、具体的には、インクジェット法により形成され、より具体的には、インクジェット装置により材料の液滴を吐出して、硬化させることにより、形成される。有機絶縁膜ＺＯは、例えばアクリル及びポリウレアのいずれか又はこれらの組み合わせにより形成される。有機絶縁膜ＺＯは、有機ＥＬ層より厚く、例えば厚さが例えば８μｍ～１０μｍである。また、有機絶縁膜ＺＯは、その上面が平坦になるように形成される。
【0079】
第３無機絶縁膜ＺＩ３は、例えば、第１無機絶縁膜ＺＩ１と同様、ＳｉＮ、ＳｉＯ及びＳｉＯＮのいずれか又はこれらの組み合わせにより形成される。第３無機絶縁膜ＺＩ３の厚さは例えば０．１μｍ～１．５μｍである。
【0080】
また、有機絶縁膜ＺＯ及び第３無機絶縁膜ＺＩ３は、第１無機絶縁膜ＺＩ１と同様、基板Ｇの表面塩面に形成されている。
【0081】
その後、例えば、図６（Ｂ）に示すように、前述のステップＳ４と同様、仮封止膜上（本例では上記積層封止膜上）に第１マスクＰＲＭ１が形成される。
【0082】
次いで、図６（Ｃ）に示すように、前述のステップＳ５と同様、第１マスクＰＲＭ１が用いられ、積層体が配列された積層体アレイＬａａが形成される。上記積層体は、仮封止膜としての積層封止膜ＬＳ及び有機ＥＬ層ＥＬが積層されたものであり、具体的には、有機ＥＬ層ＥＬ、カソードＣｃ及び積層封止膜ＬＳが下からこの順で積層されたものである。また、積層体アレイＬａａは、電極アレイＣＡｒを構成するアノードＣａのうち、特定の種類（具体的には例えばＲ、Ｇ、Ｂのうちの特定の１色）に対応するアノードＣａ上にのみ、上記積層体が形成されてなる。
【0083】
この工程では、具体的には、基板処理装置１により、第１マスクＰＲＭ１を介して、仮封止膜（本例では積層封止膜ＬＳ）、カソードＣｃ及び有機ＥＬ層ＥＬが除去される。なお、第１マスクＰＲＭ１は、フォトリソグラフィ用のフォトレジストから形成されたもの以外に、ＣＶＤ法による無機絶縁膜によるマスクでもよく、またフォトレジストと無機絶縁膜を組み合わせたものでもよい。
【0084】
続いて、図６（Ｄ）に示すように、前述のステップＳ６と同様、第１マスクＰＲＭ１が除去される。
【0085】
その後、図７（Ａ）に示すように、前述のステップＳ７と同様、積層体アレイＬａａの全体を覆うように、第２無機絶縁膜ＺＩ２が形成される。
具体的には、積層体アレイＬａａの形成後に基板Ｇが大気に暴露されることなく、積層体アレイＬａａの形成等を行った基板処理装置１により、第２無機絶縁膜ＺＩ２が形成される。
具体的には、積層体アレイＬａａの形成後に基板Ｇが大気に暴露されることなく、積層体アレイＬａａの形成等を行った基板処理装置１により、第２無機絶縁膜ＺＩ２が形成される。
【0086】
次いで、図７（Ｂ）に示すように、前述のステップＳ８と同様、第２無機絶縁膜ＺＩ２上に第２マスクＰＲＭ２が形成される。
【0087】
続いて、図７（Ｃ）に示すように、前述のステップＳ９と同様、第２マスクＰＲＭ２が用いられ、特定の種類にかかるアノードＣａ以外のアノードＣａに対応する部分の第２無機絶縁膜ＺＩ２が除去される。この除去は、特定の種類にかかるアノードＣａに対応する部分上に形成された積層体が露出しないように行われる。
また、前述のステップＳ１０と同様、第２マスクＰＲＭ２が除去される。
また、前述のステップＳ１０と同様、第２マスクＰＲＭ２が除去される。
【0088】
（積層体アレイＬａの形成工程の他の例）
図８は、積層体アレイＬａの形成工程の他の例を説明するための図である。
以上の例では、第１マスクＰＲＭ１を用いた積層体アレイＬａの形成時に、第１マスクＰＲＭ１を介した第１無機絶縁膜ＺＩ１の除去を当該第１無機絶縁膜ＺＩ１における第１マスクＰＲＭ１から露出した部分が消失するまで行われていたが、以下のようにしてもよい。
図８は、積層体アレイＬａの形成工程の他の例を説明するための図である。
以上の例では、第１マスクＰＲＭ１を用いた積層体アレイＬａの形成時に、第１マスクＰＲＭ１を介した第１無機絶縁膜ＺＩ１の除去を当該第１無機絶縁膜ＺＩ１における第１マスクＰＲＭ１から露出した部分が消失するまで行われていたが、以下のようにしてもよい。
【0089】
すなわち、例えば、まず、図８（Ａ）に示すように、第１マスクＰＲＭ１を介した第１無機絶縁膜ＺＩ１の除去が、第１無機絶縁膜ＺＩ１における第１マスクＰＲＭ１から露出した部分の一部が残るよう行われる。すなわち、第１マスクＰＲＭ１を介して、特定の種類にかかるアノードＣａ以外のアノードＣａに対応する部分の仮封止膜が、その一部が残るよう除去される。
【0090】
次いで、図８（Ｂ）に示すように、前述のステップＳ６と同様、第１マスクＰＲＭ１が、アッシングにより除去される。
【0091】
続いて、図８（Ｃ）に示すように、特定の種類にかかるアノードＣａに対応する部分を含む第１無機絶縁膜ＺＩ１全体がエッチングされる。
このエッチングは、特定の種類にかかるアノードＣａ以外のアノードＣａに対応する部分の第１無機絶縁膜ＺＩ１が消失するまで行われる。
このエッチングは、特定の種類にかかるアノードＣａ以外のアノードＣａに対応する部分の第１無機絶縁膜ＺＩ１が消失するまで行われる。
【0092】
その後、図８（Ｄ）に示すように、残った第１無機絶縁膜ＺＩ１をマスクとして、カソードＣｃ及び有機ＥＬ層ＥＬが除去され、積層体アレイＬａが形成される。
【0093】
すなわち、第１マスクＰＲＭ１のアッシング後、特定の種類にかかるアノードＣａ以外のアノードＣａに対応する部分について、一部残った第１無機絶縁膜ＺＩ１、カソードＣｃ及び有機ＥＬ層ＥＬが除去され、積層体アレイＬａが形成される。
【0094】
このように積層体アレイＬａが形成されることにより、第１マスクＰＲＭ１のアッシング時に有機ＥＬ層ＥＬが損傷するのを抑制することができる。また、第１マスクＰＲＭ１のアッシング時にカソードＣｃが損傷するのを抑制することができる。
【0095】
（変形例）
以上の例では、積層体アレイの形成及び第２無機絶縁膜の形成を、１つの処理モジュール４０で行っていたが、一部を他の１または複数の処理モジュール４０で行ってもよい。例えば、積層体アレイの形成及び第２無機絶縁膜の形成に含まれる各工程を、別々の処理モジュール４０で行ってもよい。
ただし、積層体アレイの形成及び第２無機絶縁膜の全工程を、１つの処理モジュール４０で行うことにより、すなわち、１つの真空処理室４１で行うことにより、工程間で基板Ｇを搬送する必要がなくなる。そのため、新規な工程を導入することによる生産性の低下や搬送時における基板Ｇへの異物の付着を抑制することができる。
以上の例では、積層体アレイの形成及び第２無機絶縁膜の形成を、１つの処理モジュール４０で行っていたが、一部を他の１または複数の処理モジュール４０で行ってもよい。例えば、積層体アレイの形成及び第２無機絶縁膜の形成に含まれる各工程を、別々の処理モジュール４０で行ってもよい。
ただし、積層体アレイの形成及び第２無機絶縁膜の全工程を、１つの処理モジュール４０で行うことにより、すなわち、１つの真空処理室４１で行うことにより、工程間で基板Ｇを搬送する必要がなくなる。そのため、新規な工程を導入することによる生産性の低下や搬送時における基板Ｇへの異物の付着を抑制することができる。
【0096】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。
【0097】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
【0098】
なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）（Ａ）複数の電極が配列された電極アレイが基板表面上に形成された基板を準備する工程と、
（Ｂ）前記電極アレイの全体を覆うように特定の種類の発光層を形成する工程と、
（Ｃ）前記発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜を形成する工程と、
（Ｄ）前記仮封止膜上に第１マスクを形成する工程と、
（Ｅ）前記仮封止膜及び前記発光層が積層された積層体が前記特定の種類にかかる前記電極上にのみ形成された積層体アレイを、前記第１マスクを用いて形成する工程と、
（Ｆ）その後、前記積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する工程と、
（Ｇ）前記第２無機絶縁膜上に第２マスクを形成する工程と、
（Ｈ）前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分の前記第２無機絶縁膜を、前記第２マスクを用いて、前記積層体アレイが露出しないように除去する工程と、を含み、
前記（Ｂ）～前記（Ｈ）工程を、前記発光層にかかる複数種類について行う、基板処理方法。
（２）前記複数種類は、３種類である、前記（１）に記載の基板処理方法。
（３）前記複数種類は、赤色、緑色及び青色である、前記（１）または（２）に記載の基板処理方法。
（４）前記（Ｅ）工程後、前記基板を大気に曝さずに、前記（Ｆ）工程を行う、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（５）前記第１マスクは、フォトレジストのマスクである、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（６）前記仮封止膜は、前記第１無機絶縁膜、有機絶縁膜及び第３無機絶縁膜が下から順に積層されたものである、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（７）前記有機絶縁膜は、前記発光層よりも厚い、前記（６）に記載の基板処理方法。
（８）前記（Ｅ）工程は、
（ａ）前記第１マスクを介して、前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分の前記仮封止膜をその一部が残るよう除去する工程と、
（ｂ）その後、前記第１マスクをアッシングする工程と、
（ｃ）その後、前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分について、前記残った前記仮封止膜及び前記発光層を除去する工程と、を含む、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（９）基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板は、
複数の電極が配列された電極アレイがベース基板の上面に形成されたものであり、
前記電極アレイの全体を覆うように特定の種類の発光層が形成され、
前記発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜が形成され、
前記仮封止膜上にマスクが形成されており、
前記仮封止膜及び前記発光層が積層された積層体が前記特定の種類にかかる前記電極上にのみ形成された積層体アレイを、前記マスクを用いて形成する除去部と、
前記積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する成膜部と、を備える、基板処理装置。
（１）（Ａ）複数の電極が配列された電極アレイが基板表面上に形成された基板を準備する工程と、
（Ｂ）前記電極アレイの全体を覆うように特定の種類の発光層を形成する工程と、
（Ｃ）前記発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜を形成する工程と、
（Ｄ）前記仮封止膜上に第１マスクを形成する工程と、
（Ｅ）前記仮封止膜及び前記発光層が積層された積層体が前記特定の種類にかかる前記電極上にのみ形成された積層体アレイを、前記第１マスクを用いて形成する工程と、
（Ｆ）その後、前記積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する工程と、
（Ｇ）前記第２無機絶縁膜上に第２マスクを形成する工程と、
（Ｈ）前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分の前記第２無機絶縁膜を、前記第２マスクを用いて、前記積層体アレイが露出しないように除去する工程と、を含み、
前記（Ｂ）～前記（Ｈ）工程を、前記発光層にかかる複数種類について行う、基板処理方法。
（２）前記複数種類は、３種類である、前記（１）に記載の基板処理方法。
（３）前記複数種類は、赤色、緑色及び青色である、前記（１）または（２）に記載の基板処理方法。
（４）前記（Ｅ）工程後、前記基板を大気に曝さずに、前記（Ｆ）工程を行う、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（５）前記第１マスクは、フォトレジストのマスクである、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（６）前記仮封止膜は、前記第１無機絶縁膜、有機絶縁膜及び第３無機絶縁膜が下から順に積層されたものである、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（７）前記有機絶縁膜は、前記発光層よりも厚い、前記（６）に記載の基板処理方法。
（８）前記（Ｅ）工程は、
（ａ）前記第１マスクを介して、前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分の前記仮封止膜をその一部が残るよう除去する工程と、
（ｂ）その後、前記第１マスクをアッシングする工程と、
（ｃ）その後、前記特定の種類にかかる前記電極以外の前記電極に対応する部分について、前記残った前記仮封止膜及び前記発光層を除去する工程と、を含む、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（９）基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板は、
複数の電極が配列された電極アレイがベース基板の上面に形成されたものであり、
前記電極アレイの全体を覆うように特定の種類の発光層が形成され、
前記発光層の全体を覆う第１無機絶縁膜を含む仮封止膜が形成され、
前記仮封止膜上にマスクが形成されており、
前記仮封止膜及び前記発光層が積層された積層体が前記特定の種類にかかる前記電極上にのみ形成された積層体アレイを、前記マスクを用いて形成する除去部と、
前記積層体アレイの全体を覆うように第２無機絶縁膜を形成する成膜部と、を備える、基板処理装置。
【符号の説明】
【0099】
１ 基板処理装置
４０ 処理モジュール
Ｃａ アノード
ＣＡｒ 電極アレイ
ＥＬ 有機ＥＬ層
Ｇ 基板
Ｌａ、Ｌａａ 積層体アレイ
ＬＳ 積層封止膜
ＰＲＭ１ 第１マスク
ＰＲＭ２ 第２マスク
ＺＩ１ 第１無機絶縁膜
ＺＩ２ 第２無機絶縁膜
４０ 処理モジュール
Ｃａ アノード
ＣＡｒ 電極アレイ
ＥＬ 有機ＥＬ層
Ｇ 基板
Ｌａ、Ｌａａ 積層体アレイ
ＬＳ 積層封止膜
ＰＲＭ１ 第１マスク
ＰＲＭ２ 第２マスク
ＺＩ１ 第１無機絶縁膜
ＺＩ２ 第２無機絶縁膜
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】