特開 2024-99471 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024099471

(43)【公開日】2024-07-25

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240718BHJP

   H01L 21/306 20060101ALI20240718BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20240718BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 643A

H01L21/304 648G

H01L21/306 R

H01L21/304 651B

H01L21/30 569C

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023181905

(22)【出願日】2023-10-23

(31)【優先権主張番号】P 2023003074

(32)【優先日】2023-01-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(74)【代理人】

【識別番号】100153969

【弁理士】

【氏名又は名称】松澤 寿昭

(72)【発明者】

【氏名】木下 貴文

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 優樹

(72)【発明者】

【氏名】齊木 大輔

(72)【発明者】

【氏名】橋本 知幸

(72)【発明者】

【氏名】天野 嘉文

(72)【発明者】

【氏名】相浦 一博

(72)【発明者】

【氏名】藤田 陽

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼橋 周平

【テーマコード（参考）】

5F043

5F146

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F043DD13

5F043EE07

5F043EE08

5F043EE09

5F146LA02

5F146LA05

5F157AA03

5F157AA12

5F157AA15

5F157AB02

5F157AB13

5F157AB33

5F157AB90

5F157AC01

5F157BB52

5F157CF22

5F157CF32

5F157DB02

5F157DB51

5F157DC90

(57)【要約】

【課題】本開示は、基板の周縁部の上面に対する異物の付着を抑制することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を説明する。
【解決手段】基板処理装置は、支持部と、供給部と、環状部材と、回転部と、カバー部材と、カバー部材の上方に配置された環状の整流部材とを備える。環状部材は、環状部材の径方向において、環状部材の中心側に向かうにつれて下方に傾く傾斜面を含む。整流部材は、ベース部と、支持部に支持されている基板の周縁部と対面し、且つ、基板の周縁部に向けてベース部から突出する突出部を含む。突出部は、上下方向から見たときに支持部と重なり合っている。突出部の下面は、支持部に支持されている基板の上面よりも上方で、且つ、環状部材の上面よりも下方に位置している。突出部の内周面は、上方から下方に向かうにつれて、径方向外方に向けて傾斜している。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の裏面と当接して前記基板を支持するように構成された支持部と、
前記支持部に支持されている前記基板の裏面に向けて処理液を供給するように構成された供給部と、
前記支持部に支持されている前記基板の周囲を外側から取り囲むように配置された環状部材と、
前記支持部及び前記環状部材を回転させるように構成された回転部と、
前記環状部材を外側から取り囲むように配置された環状のカバー部材と、
前記カバー部材の上方に配置された環状の整流部材とを備え、
前記環状部材は、前記環状部材の径方向において、前記環状部材の中心側に向かうにつれて下方に傾く傾斜面を含み、
前記整流部材は、
ベース部と、
前記支持部に支持されている前記基板の周縁部と正対し、且つ、前記基板の周縁部に向けて前記ベース部から突出する突出部を含み、
前記突出部は、上下方向から見たときに前記支持部と重なり合っており、
前記突出部の下面は、前記支持部に支持されている前記基板の上面よりも上方で、且つ、前記環状部材の上面よりも下方に位置しており、
前記突出部の内周面は、上方から下方に向かうにつれて、径方向外方に向けて傾斜している、基板処理装置。

【請求項2】

前記整流部材は、
前記基板を前記支持部に対して搬入出するための上昇位置と、前記基板を処理するために前記カバー部材の上壁部の近傍に位置する処理位置との間で上下動可能に構成されており、
前記整流部材が前記処理位置に位置するときに、前記ベース部のうち前記突出部よりも径方向外方に位置する部分と、前記カバー部材の上壁部との間を封止するように構成された、環状のシール部材をさらに含む、請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記シール部材は、可撓性を有する材料によって構成されており、前記ベース部のうち前記突出部よりも径方向外方に位置する部分の下面に設けられており、上方から下方に向かうにつれて径方向外方に拡径する筒状の錐台形状を呈する、請求項２に記載の装置。

【請求項4】

前記整流部材が前記処理位置よりも下方に移動することを制止するように構成された制止部材をさらに備える、請求項２に記載の装置。

【請求項5】

前記突出部の内周面は、円錐台形状の面、又は、ラッパ状の湾曲面である、請求項１に記載の装置。

【請求項6】

前記突出部の外周面は、上方から下方に向かうにつれて、径方向内方に向けて傾斜している、請求項１に記載の装置。

【請求項7】

前記突出部の外周面は、前記環状部材の前記傾斜面と略平行に延びている、請求項６に記載の装置。

【請求項8】

前記環状部材の下面の高さ位置は、前記支持部に支持されている前記基板の上面の高さ位置と同等かそれよりも高い、請求項１～７のいずれか一項に記載の装置。

【請求項9】

前記支持部に支持されている前記基板の上面のうち、上下方向から見たときに、前記整流部材の最も内側の周面よりも前記基板の外周縁側の領域に向けて洗浄液を供給するように構成された別の供給部をさらに備える、請求項１に記載の装置。

【請求項10】

前記支持部に支持されている前記基板の上方において前記別の供給部を移動させるように構成された駆動部をさらに備える、請求項９に記載の装置。

【請求項11】

基板の裏面と当接することにより前記基板を支持する支持部と、前記基板の周囲を取り囲むように配置された環状部材とが回転すると共に、前記環状部材を外側から取り囲む環状のカバー部材の上方に環状の整流部材が配置されている状態で、前記基板の裏面に洗浄液を供給することを含み、
前記整流部材は、
ベース部と、
前記支持部に支持されている前記基板の周縁部と正対し、且つ、前記基板の周縁部に向けて前記ベース部から突出する突出部を含み、
前記突出部は、上下方向から見たときに前記支持部と重なり合っており、
前記突出部の下面は、前記支持部に支持されている前記基板の上面よりも上方で、且つ、前記環状部材の上面よりも下方に位置しており、
前記突出部の内周面は、上方から下方に向かうにつれて、径方向外方に向けて傾斜している、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、基板の裏面を処理液（例えば、薬液、リンス液など）で処理するように構成された液処理装置を開示している。当該装置は、基板を支持する支持部と、支持部に支持された基板を回転させる回転部と、支持部に支持された基板の裏面に洗浄液を供給する供給部と、支持部に支持される基板の周囲を取り囲むように配置されたカップとを備える。回転注の基板の裏面に対して供給部から洗浄液が供給されると、洗浄液は、遠心力によって基板の裏面の中心部から周縁部に向かって流れる。これにより、基板の裏面が処理される。基板から振り切られた洗浄液は、カップに向けて飛散し、カップにて集液された後、液処理装置の外部に排出される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－０２１２７９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、基板の周縁部の上面に対する異物（例えば、パーティクル、薬液残渣など）の付着を抑制することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を説明する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

基板処理装置の一例は、基板の裏面と当接して基板を支持するように構成された支持部と、支持部に支持されている基板の裏面に向けて処理液を供給するように構成された供給部と、支持部に支持されている基板の周囲を外側から取り囲むように配置された環状部材と、支持部及び環状部材を回転させるように構成された回転部と、環状部材を外側から取り囲むように配置された環状のカバー部材と、カバー部材の上方に配置された環状の整流部材とを備える。環状部材は、環状部材の径方向において、環状部材の中心側に向かうにつれて下方に傾く傾斜面を含む。整流部材は、ベース部と、支持部に支持されている基板の周縁部と対面し、且つ、基板の周縁部に向けてベース部から突出する突出部を含む。突出部は、上下方向から見たときに支持部と重なり合っている。突出部の下面は、支持部に支持されている基板の上面よりも上方で、且つ、環状部材の上面よりも下方に位置している。突出部の内周面は、上方から下方に向かうにつれて、径方向外方に向けて傾斜している。

【発明の効果】

【0006】

本開示に係る基板処理装置及び基板処理方法によれば、基板の周縁部の上面に対する異物の付着を抑制することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、基板洗浄装置の一例を示す概略断面図である。

【図2】図２は、図１の基板洗浄装置における整流部材の近傍を部分的に示す概略断面図である。

【図3】図３は、図１の基板洗浄装置の主要部の一例を示すブロック図である。

【図4】図４は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す概略図である。

【図5】図５は、基板の洗浄処理の一例を説明するための図である。

【図6】図６は、図５に例示される基板洗浄装置における整流部材の近傍を部分的に示す概略断面図である。

【図7】図７は、図６に例示される基板洗浄装置における整流部材の近傍を部分的に示す概略断面図である。

【図8】図８（ａ）は、図１の基板洗浄装置における整流部材の近傍での気流の様子を示すシミュレーション結果の一例を示す図であり、図８（ｂ）は、図１の基板洗浄装置において整流部材がない場合の基板の周縁部近傍での気流の様子を示すシミュレーション結果の一例を示す図である。

【図9】図９は、基板洗浄装置の他の例を示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。なお、本明細書において、図の上、下、右、左というときは、図中の符号の向きを基準とすることとする。

【0009】

［基板洗浄装置の構成］
まず、図１～図４を参照して、基板洗浄装置１（基板処理装置）の一例の構成について説明する。基板洗浄装置１は、基板Ｗの裏面Ｗｂを洗浄液（処理液）で洗浄するように構成されている。基板Ｗは、例えば、半導体基板（シリコンウエハ）であってもよい。基板Ｗの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。基板Ｗは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。基板Ｗは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。

【0010】

基板洗浄装置１は、図１に例示されるように、筐体１０と、回転部２０と、昇降部３０と、カバー部材４０と、供給部５０と、整流部材６０と、昇降部７０と、ブロアＢと、コントローラＣｔｒ（制御部）とを含む。

【0011】

筐体１０は、主として、回転部２０、昇降部３０、カバー部材４０、整流部材６０、昇降部７０及びブロアＢを内部に収容している。筐体１０の側壁１１には、搬入出口１２が形成されている。基板Ｗは、図示しない搬送機構（例えばロボットアームなど）により、搬入出口１２を通じて、筐体１０の内部に搬入され、また、筐体１０から外部に搬出される。筐体１０の底壁１３には、下方に向けて延びる排気管Ｈ１が設けられている。排気管Ｈ１は、図示しない吸引ポンプに接続されており、カバー部材４０内の気体を筐体１０の外部に排出するための排気流路として機能する。

【0012】

回転部２０は、回転軸２１と、駆動機構２２と、支持プレート２３と、複数の支持ピン２４（支持部）と、環状部材２５とを含む。回転軸２１は、鉛直方向に沿って延びる中空の管状部材である。回転軸２１は、中心軸Ａｘ周りにおいて回転可能となるように、筐体１０の底壁１３に対して取り付けられている。

【0013】

駆動機構２２は、回転軸２１に接続されている。駆動機構２２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、回転軸２１を回転させるように構成されている。駆動機構２２は、例えば電動モータ等の動力源であってもよい。

【0014】

支持プレート２３は、例えば円環状を呈する平板であり、水平に沿って延びている。すなわち、支持プレート２３の中央部には、貫通孔が形成されている。支持プレート２３の内周部は、回転軸２１の先端部に接続されている。そのため、支持プレート２３は、回転軸２１の中心軸Ａｘ周りに、回転軸２１の回転に伴って回転するように構成されている。

【0015】

複数の支持ピン２４は、支持プレート２３の上面から上方に向けて突出するように支持プレート２３に設けられている。複数の支持ピン２４は、これらの先端と基板Ｗの裏面Ｗｂとが当接することで、基板Ｗを略水平に支持するように構成されている。複数の支持ピン２４は、例えば、円柱形状を呈していてもよいし、錐台状を呈していてもよい。複数の支持ピン２４は、支持プレート２３の外周部の近傍において、上方から見て全体として円形状をなすように略等間隔に配置されていてもよい。例えば、複数の支持ピン２４が１２個の場合、複数の支持ピン２４は、略３０°間隔で配置されていてもよい。

【0016】

環状部材２５は、円環状を呈しており、支持プレート２３の外周部を取り囲むように配置されている。すなわち、環状部材２５は、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの周囲を外側から取り囲むように構成されている。環状部材２５は、複数の接続部材２６によって、支持プレート２３の外周部に接続されている。そのため、環状部材２５は、回転軸２１の中心軸Ａｘ周りに、回転軸２１の回転に伴って回転するように構成されている。

【0017】

環状部材２５は、図１及び図２に示されるように、上壁部２５ａと、側壁部２５ｂとを含んでいてもよい。上壁部２５ａは、例えば円環状を呈する板状体であり、水平に沿って延びている。上壁部２５ａの内周面は、水平に対して傾斜した傾斜面Ｓ１となっている。傾斜面Ｓ１は、環状部材２５の径方向において、環状部材２５の中心側に向かうにつれて下方に傾いている。換言すれば、傾斜面Ｓ１は、径方向内方に向かうにつれて下方へと傾斜している。上壁部２５ａの下面Ｓ２の高さ位置は、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの上面Ｗａの高さ位置よりも高くてもよいし、同等でもよいし、低くてもよい。

【0018】

上壁部２５ａの内周部は、傾斜面Ｓ１及び下面Ｓ２の存在により、径方向内方に向かうにつれて窄まる先細り形状とされていてもよい。傾斜面Ｓ１及び下面Ｓ２はそれぞれ、平坦面であってもよいし、非平坦面（例えば、湾曲面）であってもよい。洗浄液Ｌ１，Ｌ２（後述する）の流動性を高める目的で、傾斜面Ｓ１及び下面Ｓ２を含む環状部材２５の表面が、例えば、ディンプル加工及び／又はエンボス加工により多数の凹凸を含んでいてもよいし、径方向に沿って延びる溝又は突条を含んでいてもよい。あるいは、洗浄液Ｌ１，Ｌ２の流動性を高める目的で、傾斜面Ｓ１及び下面Ｓ２を含む環状部材２５の表面に対して、表面処理が施されていてもよいし、被膜が形成されていてもよい。

【0019】

側壁部２５ｂは、例えば、円筒状を呈していてもよい。側壁部２５ｂの上端部は、上壁部２５ａの外周部と一体的に接続されていてもよい。側壁部２５ｂは、下方に向かうにつれて窄まる先細り形状とされていてもよい。

【0020】

昇降部３０は、図１に示されるように、軸部材３１と、駆動機構３２と、複数の支持ピン３３とを含む。軸部材３１は、鉛直方向に沿って延びる中空の管状部材である。軸部材３１は、中心軸Ａｘ周りにおいて回転可能であると共に、上下方向に昇降可能に構成されている。軸部材３１は、回転軸２１の内部に挿通されている。

【0021】

駆動機構３２は、軸部材３１に接続されている。駆動機構３２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、軸部材３１を昇降させるように構成されている。駆動機構３２が軸部材３１を昇降させることにより、軸部材３１は、複数の支持ピン３３が複数の支持ピン２４よりも上方に位置する上昇位置（図示せず）と、複数の支持ピン３３が複数の支持ピン２４よりも下方に位置する降下位置（図１参照）との間で上下動してもよい。駆動機構２２は、例えばリニアアクチュエータ等の動力源であってもよい。

【0022】

複数の支持ピン３３は、軸部材３１の上端から上方に向けて突出するように軸部材３１に設けられている。複数の支持ピン３３は、これらの先端と基板Ｗの裏面Ｗｂとが当接することで、基板Ｗを支持するように構成されている。複数の支持ピン３３は、例えば、円柱形状を呈していてもよいし、錐台状を呈していてもよい。複数の支持ピン３３は、上方から見て全体として円形状をなすように略等間隔に配置されていてもよい。

【0023】

カバー部材４０は、全体として円環状を呈しており、環状部材２５及び支持プレート２３を外側から取り囲むように設けられている。カバー部材４０は、基板Ｗの裏面Ｗｂに供給されて、基板Ｗから振り切られた洗浄液Ｌ１，Ｌ２を受け止める集液容器として機能する。

【0024】

カバー部材４０は、図１及び図２に示されるように、上壁部４１と、側壁部４２と、底壁部４３とを含んでいてもよい。上壁部４１は、例えば円環状を呈する板状体であり、水平に沿って延びている。上壁部４１は、上方から見たときに、傾斜面Ｓ１と重なり合っていてもよいし、重なり合っていなくてもよい。例えば、上壁部４１の内周面は、傾斜面Ｓ１よりも径方向外方に位置していてもよい。換言すれば、傾斜面Ｓ１は、上壁部４１の内周面よりも、環状部材２５の中心側に位置していてもよい。上壁部４１は、上方から見たときに、複数の支持ピン２４に支持された状態の基板Ｗとは重なり合わない。

【0025】

側壁部４２は、例えば、円筒状を呈していてもよい。側壁部４２の上端部は、上壁部４１の外周部と一体的に接続されていてもよい。側壁部４２の下端部は、底壁部４３の外周部と一体的に接続されていてもよい。底壁部４３は、径方向内方に向かうにつれて上方へと傾斜していてもよい。底壁部４３の底部には、貫通孔Ｈ２が設けられている。貫通孔Ｈ２は、カバー部材４０において捕集された洗浄液Ｌ１，Ｌ２を筐体１０の外部に排出するための排液流路として機能する。

【0026】

供給部５０は、図１に示されるように、軸部材３１の内部を通じて洗浄液Ｌ１，Ｌ２を基板Ｗの裏面Ｗｂに供給するように構成されている。すなわち、軸部材３１は、洗浄液Ｌ１，Ｌ２を基板Ｗの裏面Ｗｂに供給するためのノズルとして機能する。供給部５０は、液源５１Ａ，５１Ｂと、ポンプ５２Ａ，５２Ｂと、バルブ５３Ａ，５３Ｂと、配管５４Ａ，５４Ｂとを含む。

【0027】

液源５１Ａは、洗浄液Ｌ１の供給源として機能する。洗浄液Ｌ１は、例えば、基板Ｗの裏面Ｗｂに付着したＳｉＮなどの不要な膜を除去するための洗浄用薬液であってもよい。当該洗浄用薬液は、例えば、ＤＨＦ液（希フッ酸）、ＳＣ－１液（アンモニア、過酸化水素及び純水の混合液）、過酸化水素水などを含んでいてもよい。ポンプ５２Ａは、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源５１Ａから洗浄液Ｌ１を吸引し、バルブ５３Ａ及び配管５４Ａを介して洗浄液Ｌ１を軸部材３１に送り出すように構成されている。バルブ５３Ａは、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、バルブ５３Ａの前後において配管５４Ａを開放及び閉塞させるように構成されている。配管５４Ａは、上流側から順に、液源５１Ａ、ポンプ５２Ａ及びバルブ５３Ａを接続している。

【0028】

液源５１Ｂは、洗浄液Ｌ２の供給源として機能する。洗浄液Ｌ２は、例えば、異物（例えば、パーティクル、薬液残渣など）を洗い流すためのリンス液であってもよい。当該リンス液は、例えば、純水（ＤＩＷ：deionized water）などを含んでいてもよい。ポンプ５２Ｂは、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源５１Ｂから洗浄液Ｌ２を吸引し、バルブ５３Ｂ及び配管５４Ａ，５４Ｂを介して洗浄液Ｌ２を軸部材３１に送り出すように構成されている。バルブ５３Ｂは、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、バルブ５３Ｂの前後において配管５４Ｂを開放及び閉塞させるように構成されている。配管５４Ｂは、上流側から順に、液源５１Ｂ、ポンプ５２Ｂ及びバルブ５３Ｂを接続している。配管５４Ｂの下流端は、バルブ５３Ａと軸部材３１との間において配管５４Ａと接続されている。

【0029】

整流部材６０は、カバー部材４０の上方に配置されている。整流部材６０は、ベース部６１と、突出部６２と、シール部材６３とを含む。ベース部６１は、例えば円環状を呈する板状体であり、水平に沿って延びている。ベース部６１の外周部は、上方から見たときに、上壁部４１と重なり合っている。ベース部６１の外周部は、ベース部６１のうち突出部６２よりも径方向外方に位置する部分である。一方、ベース部６１の内周部は、上方から見たときに、上壁部４１と重なり合っておらず、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの周縁部Ｗｃと重なり合っている。

【0030】

突出部６２は、ベース部６１の内周部の下面から下方に向けて突出するように設けられている。そのため、突出部６２は、上方から見たときに、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの周縁部Ｗｃと重なり合う（正対している）と共に、複数の支持ピン２４と重なり合っている。

【0031】

図２に例示されるように、突出部６２の下面Ｓ４は、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの上面Ｗａよりも上方で、且つ、環状部材２５の上壁部２５ａの上面Ｓ３よりも下方に位置していてもよい。換言すれば、突出部６２の下面Ｓ４の高さ位置は、水平方向から見て、傾斜面Ｓ１と重なり合っていてもよい。

【0032】

突出部６２の下面Ｓ４と、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの上面Ｗａとの直線距離ｔ１は、例えば、１ｍｍ～２ｍｍ程度であってもよい。突出部６２の下面Ｓ４と、環状部材２５の上壁部２５ａの上面Ｓ３との直線距離ｔ２は、例えば、０．５ｍｍ～２．５ｍｍ程度であってもよいし、１．６ｍｍ～１．８ｍｍ程度であってもよい。

【0033】

突出部６２の内周面Ｓ５は、上方から下方に向かうにつれて、径方向外方に向けて傾斜している。突出部６２の内周面Ｓ５は、図２に例示されるように、ラッパ状の湾曲面であってもよい。当該湾曲面は、整流部材６０の中心部に向けて突出していてもよい。図示されてはいないが、突出部６２の内周面Ｓ５は、円錐台形状の面であってもよい。すなわち、突出部６２の断面を水平方向から見たときに、突出部６２の内周面Ｓ５は、平坦状に延びていてもよい。

【0034】

突出部６２の外周面Ｓ６は、上方から下方に向かうにつれて、径方向内方に向けて傾斜していてもよい。図２に例示されるように、突出部６２の断面を水平方向から見たときに、突出部６２の外周面Ｓ６は、平坦状に延びていてもよい。突出部６２の下端部近傍における外周面Ｓ６は、整流部材６０が処理位置（後述する）に位置するとき（図２参照）、水平方向において、環状部材２５の上壁部２５ａの傾斜面Ｓ１と対面していてもよい。例えば、突出部６２の下端部近傍における外周面Ｓ６は、整流部材６０が処理位置に位置するとき、環状部材２５の上壁部２５ａの傾斜面Ｓ１と略平行に延びていてもよい。

【0035】

シール部材６３は、環状を呈する筒状体である。シール部材６３は、図２に例示されるように、上方から下方に向かうにつれて径方向外方に拡径する筒状の錐台形状を呈していてもよい。シール部材６３は、図２に例示されるように、ベース部６１の外周部の下面から下方に向けて突出するように、当該下面に設けられていてもよい。図示されてはいないが、シール部材６３は、上壁部４１の上面から上方に向けて突出するように、当該上面に設けられていてもよい。

【0036】

シール部材６３は、整流部材６０が処理位置に位置するとき（図２参照）、ベース部６１の外周部の下面と、上壁部４１の上面とで挟持される。これにより、シール部材６３は、ベース部６１の外周部の下面と、上壁部４１の上面との間の空間Ｖ１（図２参照）を封止する。シール部材６３は、可撓性を有する材料（例えば、フッ素ゴム、シリコーンゴム、エチレンプロピレンゴムなど）によって構成されていてもよい。この場合、シール部材６３が空間Ｖ１を封止する際に、シール部材６３が変形してベース部６１及び／又は上壁部４１が高まるので、シール性が向上する。

【0037】

昇降部７０は、図１に例示されるように、コントローラＣｔｒからの指示に基づいて、整流部材６０を上下方向に移動させるように構成されている。具体的には、昇降部７０は、基板Ｗを複数の支持ピン２４に対して搬入出するための上昇位置と、基板Ｗを処理するために整流部材６０がカバー部材４０の上壁部４１の近傍に位置する処理位置との間で、整流部材６０を上下動させるように構成されている。

【0038】

昇降部７０は、例えば、直動シリンダであってもよい。昇降部７０は、ベース部材７１（制止部材）と、ロッド７２と、スライダ７３（制止部材）とを含んでいてもよい。ロッド７２は、ベース部材７１から上方に向けて直線状に延びている。スライダ７３は、整流部材６０と接続されており、コントローラＣｔｒからの指示に基づいて、ロッド７２の延在方向（上下方向）に沿って上下動するように構成されている。スライダ７３は、ロッド７２の下端まで下降すると、ベース部材７１と当接して停止する。そのため、ベース部材７１及びスライダ７３は、整流部材６０が処理位置よりも下方に移動することを制止する機能を有している。

【0039】

ブロアＢは、筐体１０内において、回転部２０、昇降部３０、カバー部材４０及び整流部材６０の上方に配置されている。ブロアＢは、コントローラＣｔｒからの信号に基づいて動作し、整流部材６０の内側空間を通って基板Ｗの上面Ｗａに向かう下降流を形成するように構成されている。

【0040】

コントローラＣｔｒは、図３に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラＣｔｒの機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｔｒを構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

【0041】

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取るように構成されている。記録媒体ＲＭは、基板洗浄装置１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。

【0042】

記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶するように構成されている。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データなどを記憶してもよい。

【0043】

処理部Ｍ３は、各種データを処理するように構成されている。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、基板洗浄装置１の各部（例えば、駆動機構２２，３２、ポンプ５２Ａ，５２Ｂ及びバルブ５３Ａ，５３Ｂ、昇降部７０、ブロアＢ等）を動作させるための動作信号を生成するように構成されていてもよい。

【0044】

指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を基板洗浄装置１の各部に送信するように構成されている。

【0045】

指示部Ｍ４は、駆動機構３２によって軸部材３１を上昇位置に上昇させ、複数の支持ピン３３によって基板Ｗを支持させる第１の処理を実行してもよい。指示部Ｍ４は、第１の処理の後に、基板Ｗが複数の支持ピン３３によって支持されている状態で、駆動機構３２によって軸部材３１を降下位置まで下降させる第２の処理を実行してもよい。このとき、基板Ｗは、複数の支持ピン２４に載置される。指示部Ｍ４は、第２の処理の後に、回転部２０によって基板Ｗを回転させ、その状態で、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの裏面Ｗｂに向けて軸部材３１から洗浄液Ｌ１，Ｌ２を供給するように供給部５０を制御する第３の処理を実行してもよい。

【0046】

コントローラＣｔｒのハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成されていてもよい。コントローラＣｔｒは、ハードウェア上の構成として、例えば図４に示される回路Ｃ１を含んでいてもよい。回路Ｃ１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路Ｃ１は、例えば、プロセッサＣ２と、メモリＣ３（記憶部）と、ストレージＣ４（記憶部）と、ドライバＣ５と、入出力ポートＣ６とを含んでいてもよい。プロセッサＣ２は、メモリＣ３及びストレージＣ４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポートＣ６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリＣ３及びストレージＣ４は、記憶部Ｍ２として機能する。ドライバＣ５は、基板洗浄装置１の各部をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポートＣ６は、ドライバＣ５と基板洗浄装置１の各部との間で、信号の入出力を行う。

【0047】

基板洗浄装置１は、一つのコントローラＣｔｒを備えていてもよいし、複数のコントローラＣｔｒで構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。後者の場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラＣｔｒによって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラＣｔｒの組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒが複数のコンピュータ（回路Ｃ１）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路Ｃ１）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路Ｃ１）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒは、複数のプロセッサＣ２を含んでいてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサＣ２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサＣ２の組み合わせによって実現されていてもよい。

【0048】

［洗浄処理］
続いて、図５～図７を参照して、基板洗浄装置１における基板Ｗの洗浄処理について説明する。

【0049】

まず、図示しない搬送機構により、基板Ｗを筐体１０内に搬入する。このとき、コントローラＣｔｒは、駆動機構３２を制御して、軸部材３１を上昇位置に位置させておく。また、コントローラＣｔｒは、昇降部７０を制御して、整流部材６０を上昇位置に位置させておく。搬入出口１２を通じて筐体１０内に搬入された基板Ｗは、搬送機構から支持ピン３３に受け渡される。これにより、裏面Ｗｂが支持ピン３３と当接するように、基板Ｗが支持ピン３３上（昇降部３０）に載置される。

【0050】

次に、コントローラＣｔｒは、駆動機構３２を制御して、軸部材３１を降下位置まで降下させる。軸部材３１が降下する過程で、基板Ｗが、支持ピン３３から支持ピン２４に受け渡される。これにより、裏面Ｗｂが支持ピン２４と当接するように、基板Ｗが支持ピン２４上（回転部２０）に載置される。

【0051】

次に、コントローラＣｔｒは、昇降部７０を制御して、整流部材６０を処理位置まで降下させる。これにより、シール部材６３が、ベース部６１の外周部の下面と、上壁部４１の上面とで挟持され、空間Ｖ１が封止される。

【0052】

次に、コントローラＣｔｒは、駆動機構２２を制御して、所定の回転数で回転軸２１を回転させる。このとき、回転軸２１を介して支持プレート２３及び環状部材２５が回転すると共に、支持ピン２４に載置されている基板Ｗも回転する。また、コントローラＣｔｒは、ブロアＢを制御して、整流部材６０の内側空間を通って基板Ｗの上面Ｗａに向かう下降流を形成する。

【0053】

次に、コントローラＣｔｒは、供給部５０を制御して、回転中の基板Ｗの裏面Ｗｂに向けて軸部材３１を通じて洗浄液Ｌ１，Ｌ２を供給させる。これにより、図５～図７に例示されるように、洗浄液Ｌ１，Ｌ２は、遠心力によって基板Ｗの外周縁に向けて裏面Ｗｂに沿って流れた後、基板Ｗの外周縁から外方に振り切られる（図５～図７の矢印Ａｒ１を参照）。その結果、裏面Ｗｂの全体が洗浄液Ｌ１，Ｌ２によって洗浄される。

【0054】

一方、図６及び図７に例示されるように、ブロアＢによって形成された下降流は、突出部６２の内周面Ｓ５に沿って流れ、突出部６２の下面Ｓ４と基板Ｗの上面Ｗａとの間に流れていく（図６及び図７の矢印Ａｒ２を参照）。その後、気流は、第１の分岐流（図６及び図７の矢印Ａｒ３を参照）と、第２の分岐流（図６及び図７の矢印Ａｒ４を参照）とに分岐する。第１の分岐流は、環状部材２５の上壁部２５ａの傾斜面Ｓ１と基板Ｗの周縁部Ｗｃとの間に向かって流れている。第２の分岐流は、環状部材２５の上壁部２５ａの傾斜面Ｓ１と突出部６２の外周面Ｓ６との間に向かって流れている。そのため、基板Ｗから振り切られた洗浄液Ｌ１，Ｌ２は、図６及び図７に例示されるように、主として第１の分岐流に阻まれ、基板Ｗの上面Ｗａに回り込むことが抑制される。また、基板Ｗから振り切られた洗浄液Ｌ１，Ｌ２の水滴が上壁部２５ａなどに衝突して跳ね返ったり、ミストとなったとしても、突出部６２の存在により基板Ｗの中心側に到達することが阻まれると共に、第２の分岐流に随伴して傾斜面Ｓ１と外周面Ｓ６との間を流れていく。

【0055】

次に、コントローラＣｔｒは、所定時間の経過後に供給部５０を制御して、洗浄液Ｌ１，Ｌ２の供給を停止させる。次に、コントローラＣｔｒは、駆動機構２２を制御して、回転軸２１の回転を停止させる。

【0056】

次に、コントローラＣｔｒは、昇降部７０を制御して、整流部材６０を上昇位置まで上昇させる。次に、コントローラＣｔｒは、駆動機構３２を制御して、軸部材３１を上昇位置まで上昇させる。軸部材３１が上昇する過程で、基板Ｗが、支持ピン２４から支持ピン３３に受け渡されつつ、基板Ｗも上昇する。これにより、裏面Ｗｂが支持ピン３３と当接するように、基板Ｗが支持ピン３３上に載置される。

【0057】

その後、図示しない搬送機構が基板Ｗを支持ピン３３から受け取り、基板Ｗを筐体１０から搬出する。以上により、基板Ｗの裏面Ｗｂの洗浄処理が完了する。

【0058】

［作用］
以上の例によれば、整流部材６０の突出部６２の内周面Ｓ５が、上方から下方に向かうにつれて、径方向外方に向けて傾斜している。そのため、上方から基板Ｗの上面Ｗａに向けて下降する気流が、内周面Ｓ５に沿って円滑に基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａへと流れる。加えて、突出部６２が、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの周縁部Ｗｃと対面しているので、突出部６２と、基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａとの間の間隔が狭められている。そのため、突出部６２の内周面Ｓ５によって基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａへと円滑に導かれた気流は、突出部６２の下面Ｓ４と、基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａとの間に形成される狭隘流路において高速に流れる（図６及び図７の矢印Ａｒ２を参照）。

【0059】

ここで、当該狭隘流路において気流が高速に流れる点を確認するために、コンピュータを用いたシミュレーションを行った。計算例１では、上述した基板洗浄装置１において、ブロアＢは動作させずに、筐体１０内の雰囲気を排気圧２００Ｐａ相当で排気管Ｈ１を通じて吸引ポンプにより排気するとの条件のもとで、整流部材６０及び基板Ｗの周縁部Ｗｃの近傍での気流の様子を計算した。計算例２では、整流部材６０を設けず、筐体１０内の雰囲気を排気圧２４０Ｐａ相当で排気した以外は、計算例１と同じ条件のもとで、基板Ｗの周縁部Ｗｃの近傍での気流の様子を計算した。

【0060】

計算例１の結果を図８（ａ）に示し、計算例２の結果を図８（ｂ）に示す。図８では、気流の向きを矢印の向きで概略的に示しており、気流の強さを矢印の大きさで概略的に示している。計算例１では、狭隘流路を流れる気流（図８（ａ）の矢印Ａｒ５を参照）の最大速度が、２３．６ｍ／ｓｅｃであった。一方、計算例２では、環状部材２５の上壁部２５ａの傾斜面Ｓ１と基板Ｗの周縁部Ｗｃとの間を流れる気流（図８（ｂ）の矢印Ａｒ６を参照）の最大速度が、５．２ｍ／ｓｅｃであった。そのため、計算例１では、計算例２と比較して、狭隘流路における気流の速度が約４．５倍を超える結果となった。

【0061】

このように、以上の例では、狭隘流路において気流が高速に流れるため、供給部５０によって基板Ｗの裏面Ｗｂに供給された洗浄液Ｌ１，Ｌ２は、基板Ｗの周縁に到達したときに高速の気流に阻まれ、基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａに回り込むことが抑制される。その結果、洗浄液Ｌ１，Ｌ２が基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａに回り込むことに伴う液滴の飛散などが発生し難くなるので、基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａに対する異物の付着を抑制することが可能となる。また、突出部６２と、基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａとの間において流れる高速の気流は、基板処理時の基板Ｗの回転数には依存しない。そのため、基板処理時の基板Ｗの回転数が低速から高速に至るまで幅広い範囲において、基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａに対する異物の付着を抑制することが可能となる。

【0062】

以上の例によれば、整流部材６０が、基板Ｗの周縁部Ｗｃに向けてベース部６１から突出する突出部６２を含んでいる。そのため、基板Ｗの周縁近傍において洗浄液Ｌ１，Ｌ２の液滴、ミスト等の飛散が発生した場合であっても、飛散物の多くが突出部６２の外周面Ｓ６に付着する。したがって、突出部６２の存在によって、基板Ｗの中心側に飛散物が移動することが抑制される。その結果、基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａに対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0063】

以上の例によれば、整流部材６０の突出部６２が、上下方向から見たときに複数の支持ピン２４と重なり合っている。そのため、狭隘流路を流れる高速の気流によって、基板Ｗが複数の支持ピン２４に押し付けられる。したがって、洗浄液Ｌ１，Ｌ２による基板Ｗの処理に際して、基板Ｗの撓みが抑制される。その結果、基板Ｗをより均一に処理することが可能となる。

【0064】

以上の例によれば、環状部材２５が傾斜面Ｓ１を含んでいるので、突出部６２と、基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａとの間を流れた高速の気流が、傾斜面Ｓ１に沿って円滑に下流側に導かれる（図６及び図７の矢印Ａｒ４を参照）。そのため、環状部材２５と整流部材６０との間において、高速の気流の流れが乱れ難い。したがって、基板Ｗの周縁近傍において洗浄液Ｌ１，Ｌ２の液滴、ミスト等の飛散が発生した場合であっても、飛散物は、高速の気流に随伴して下流側に流れていき、基板Ｗの上面Ｗａに付着し難い。その結果、基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａに対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0065】

以上の例によれば、整流部材６０が処理位置に位置するときに、整流部材６０とカバー部材４０との隙間が、シール部材６３によって封止される。そのため、当該隙間を通じた、外部からの、整流部材６０とカバー部材４０及び環状部材２５との間の内側空間への気体の流入が防止されると共に、当該隙間を通じた、当該内側空間からの、外部への気体の排出が防止される。したがって、当該内部空間が清浄に保たれやすくなるので、当該内部空間において処理される基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａに対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0066】

以上の例によれば、整流部材６０が上昇位置から処理位置に降下する際に、シール部材６３が径方向外方に拡がるように変形しながらカバー部材４０の上壁部４１に当接する。そのため、整流部材６０のカバー部材４０に対する水平方向及び上下方向の位置決めが厳格でなくても、整流部材６０とカバー部材４０との隙間をシール部材６３によって封止できる。したがって、簡易な装置構成により、整流部材６０とカバー部材４０との隙間の封止を実現することが可能となる。

【0067】

以上の例によれば、ベース部材７１及びスライダ７３によって、整流部材６０が処理位置よりも下方に移動することが制止されている。そのため、整流部材６０とカバー部材４０との接触を避けつつ、整流部材６０を所定の処理位置に位置させることが可能となる。

【0068】

以上の例によれば、突出部６２の内周面Ｓ５は、円錐台形状の面、又は、ラッパ状の湾曲面であってもよい。この場合、上方から基板Ｗの上面Ｗａに向けて下降する気流が、内周面Ｓ５に沿ってより円滑に基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａへと流れるようになる。

【0069】

以上の例によれば、突出部６２の外周面Ｓ６は、上方から下方に向かうにつれて、径方向内方に向けて傾斜していてもよい。この場合、突出部６２の外周面Ｓ６が、環状部材２５の傾斜面Ｓ１に沿って延びた状態となるので、突出部６２の外周面Ｓ６と環状部材２５の傾斜面Ｓ１との間に形成される下流側流路の幅が変動し難い。そのため、下流側流路が極端に狭くなることで圧力損失が過大となることを抑制しつつ、高速の気流を生成するための所定の長さの狭隘流路を確保することが可能となる。

【0070】

以上の例によれば、突出部６２の外周面Ｓ６は、整流部材６０が処理位置に位置するときに、環状部材２５の傾斜面Ｓ１と略平行に延びるように対面していてもよい。この場合、下流側流路の幅が略一定となる。そのため、下流側流路の所定幅及び狭隘流路の所定長さをより効果的に確保することが可能となる。

【0071】

以上の例によれば、環状部材２５の下面Ｓ２の高さ位置は、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの上面Ｗａの高さ位置と同等かそれよりも高くてもよい。この場合、狭隘流路において生成された高速の気流が、突出部６２の外周面Ｓ６と環状部材２５の傾斜面Ｓ１との間に形成される下流側流路を流れる気流（第２の分岐流）と、基板Ｗの周縁と環状部材２５の上壁部２５ａとの間に形成される別の下流側流路を流れる気流（第１の分岐流）とに分岐して流れやすくなる。そのため、洗浄液Ｌ１，Ｌ２が基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａに回り込むことに伴う液滴の飛散などがより発生し難くなるので、基板Ｗの周縁部Ｗｃの上面Ｗａに対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0072】

［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。

【0073】

（１）図９に例示されるように、基板洗浄装置１は、供給部８０（別の供給部）と、駆動機構９０（駆動部）とをさらに備えていてもよい。供給部８０は、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの上面Ｗａのうち、上下方向から見たときに、整流部材６０の最も内側の周面Ｓ７よりも基板Ｗの外周縁側の領域に向けて洗浄液を供給するように構成されている。換言すれば、図９の例において、供給部８０は、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの上面Ｗａのうち、上下方向から見たときに、整流部材６０と重なり合う領域に向けて洗浄液を供給するように構成されていてもよい。供給部８０は、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの上面Ｗａのうち周縁部Ｗｃに向けて洗浄液を供給するように構成されていてもよい。洗浄液は、例えば、純水などのリンス液であってもよい。

【0074】

供給部８０は、整流部材６０に部分的に設けられたスリットＳＴ内に配置されていてもよい。すなわち、整流部材６０は、供給部８０の大きさに対応する幅が切りかかれたＣ字形状（優弧状）を呈していてもよい。供給部８０は、本体部８１と、ノズル８２とを含む。

【0075】

本体部８１は、図示しない液源からの洗浄液をノズル８２に供給するように構成されている。ノズル８２は、基板Ｗの上面Ｗａに対して洗浄液を吐出するように構成されている。ノズル８２の吐出口は、上方から見たときに、基板Ｗの外周縁の接線に沿う方向に向いていてもよい。当該接線は、上方から見たときに、基板Ｗの中心とノズル８２の吐出口とを結ぶ仮想線が基板Ｗの外周縁と交差する交点を通るものであってもよい。ノズル８２の吐出口は、当該接線よりも基板Ｗの径方向外方に向いていてもよい。ノズル８２の吐出口は、基板Ｗの回転方向と同じ方向に向いていてもよい。

【0076】

供給部８０による洗浄液の基板Ｗの上面Ｗａへの吐出開始は、供給部５０による基板Ｗの裏面Ｗｂへの洗浄液Ｌ１の吐出開始前であってもよい。供給部８０による洗浄液の基板Ｗの上面Ｗａへの吐出停止は、供給部５０による基板Ｗの裏面Ｗｂへの洗浄液Ｌ１の吐出完了後で、さらに、供給部５０による基板Ｗの裏面Ｗｂへの洗浄液Ｌ２の吐出開始後であってもよい。

【0077】

駆動機構９０は、複数の支持ピン２４に支持されている基板Ｗの上方において、供給部８０を移動させるように構成されている。駆動機構９０は、図９に例示されるように、接続部材９１を介して本体部８１に接続されていてもよい。駆動機構９０は、上方から見たときに、供給部８０を基板Ｗの径方向に沿って移動させるように構成されていてもよい。駆動機構９０は、供給部８０を上下方向に沿って移動させるように構成されていてもよい。

【0078】

図９の例によれば、供給部８０によって供給される洗浄液により、基板Ｗの裏面Ｗｂに供給された洗浄液Ｌ１が基板Ｗの外周縁を回り込んで基板Ｗの上面Ｗａに到達することが、抑制される。そのため、基板Ｗの上面Ｗａの周縁部における異物の発生を抑制することが可能となる。また、狭隘流路において気流が高速に流れているので、供給部８０から供給された洗浄液が基板Ｗに衝突した際にミストが発生したとしても、基板Ｗの上面Ｗａの中心側にミストが飛散することが抑制される。さらに、供給部８０によって供給される洗浄液により、基板Ｗの上面Ｗａの周縁部に付着したミストが除去される。その結果、基板Ｗの上面Ｗａに対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0079】

図９の例において、例えば、駆動機構９０が供給部８０を、基板Ｗの外周縁の外側から基板Ｗの中心部側へと移動させてもよい（いわゆる、スキャンイン動作）。この場合、供給部８０がスキャンイン動作することにより、供給部８０から供給される洗浄液が基板Ｗの上面Ｗａに着液する際に、液が周囲への飛散を抑制することが可能となる。

【0080】

図９の例において、駆動機構９０が供給部８０を上下方向に移動させうる。この場合、基板Ｗに反りなどの変形があったとしても、供給部８０からの洗浄液の吐出口（ノズル８２の吐出口）と、当該洗浄液の基板Ｗの上面Ｗａへの着液点との離隔距離を、基板Ｗの反りなどによらず一定の大きさとしうる。したがって、供給部８０から供給された洗浄液が基板Ｗに衝突した際のミストの飛散が抑制される。その結果、基板Ｗに反りなどの変形があった場合でも、基板Ｗの上面Ｗａに対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0081】

［他の例］
例１．基板処理装置の一例は、基板の裏面と当接して基板を支持するように構成された支持部と、支持部に支持されている基板の裏面に向けて処理液を供給するように構成された供給部と、支持部に支持されている基板の周囲を外側から取り囲むように配置された環状部材と、支持部及び環状部材を回転させるように構成された回転部と、環状部材を外側から取り囲むように配置された環状のカバー部材と、カバー部材の上方に配置された環状の整流部材とを備える。環状部材は、環状部材の径方向において、環状部材の中心側に向かうにつれて下方に傾く傾斜面を含む。整流部材は、ベース部と、支持部に支持されている基板の周縁部と対面し、且つ、基板の周縁部に向けてベース部から突出する突出部を含む。突出部は、上下方向から見たときに支持部と重なり合っている。突出部の下面は、支持部に支持されている基板の上面よりも上方で、且つ、環状部材の上面よりも下方に位置している。突出部の内周面は、上方から下方に向かうにつれて、径方向外方に向けて傾斜している。

【0082】

この場合、整流部材の突出部の内周面が、上方から下方に向かうにつれて、径方向外方に向けて傾斜している。そのため、上方から基板の上面に向けて下降する気流が、当該内周面に沿って円滑に基板の周縁部の上面へと流れる。加えて、突出部が、支持部に支持されている基板の周縁部と対面しているので、突出部と、基板の周縁部の上面との間の間隔が狭められている。そのため、突出部の内周面によって基板の周縁部の上面へと円滑に導かれた気流は、突出部の下面と、基板の周縁部の上面との間に形成される狭隘流路において高速に流れる。したがって、供給部によって基板の裏面に供給された処理液は、基板の周縁に到達したときに高速の気流に阻まれ、基板の周縁部の上面に回り込むことが抑制される。その結果、処理液が基板の周縁部の上面に回り込むことに伴う液滴の飛散などが発生し難くなるので、基板の周縁部の上面に対する異物の付着を抑制することが可能となる。また、突出部と、基板の周縁部の上面との間において流れる高速の気流は、基板処理時の基板の回転数には依存しない。そのため、基板処理時の基板の回転数が低速から高速に至るまで幅広い範囲において、基板の周縁部の上面に対する異物の付着を抑制することが可能となる。

【0083】

また、例１によれば、整流部材が、基板の周縁部に向けてベース部から突出する突出部を含んでいる。そのため、基板の周縁近傍において処理液の液滴、ミスト等の飛散が発生した場合であっても、飛散物の多くが突出部の外周面に付着する。したがって、突出部の存在によって、基板の中心側に飛散物が移動することが抑制される。その結果、基板の周縁部の上面に対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0084】

さらに、例１によれば、整流部材の突出部が、上下方向から見たときに支持部と重なり合っている。そのため、狭隘流路を流れる高速の気流によって、基板が支持部に押し付けられる。したがって、処理液による基板の処理に際して、基板の撓みが抑制される。その結果、基板をより均一に処理することが可能となる。

【0085】

またさらに、例１によれば、環状部材が上記の傾斜面を含んでいるので、突出部と、基板の周縁部の上面との間を流れた高速の気流が、当該傾斜面に沿って円滑に下流側に導かれる。そのため、環状部材と整流部材との間において、高速の気流の流れが乱れ難い。したがって、基板の周縁近傍において処理液の液滴、ミスト等の飛散が発生した場合であっても、飛散物は、高速の気流に随伴して下流側に流れていき、基板の上面に付着し難い。その結果、基板の周縁部の上面に対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0086】

例２．例１の装置において、整流部材は、基板を支持部に対して搬入出するための上昇位置と、基板を処理するためにカバー部材の上壁部の近傍に位置する処理位置との間で上下動可能に構成されており、整流部材が処理位置に位置するときに、ベース部のうち突出部よりも径方向外方に位置する部分と、カバー部材の上壁部との間を封止するように構成された、環状のシール部材をさらに含んでいてもよい。この場合、整流部材が処理位置に位置するときに、整流部材とカバー部材との隙間が、シール部材によって封止される。そのため、当該隙間を通じた、外部からの、整流部材とカバー部材及び環状部材との間の内側空間への気体の流入が防止されると共に、当該隙間を通じた、当該内側空間からの、外部への気体の排出が防止される。したがって、当該内部空間が清浄に保たれやすくなるので、当該内部空間において処理される基板の周縁部の上面に対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0087】

例３．例２の装置において、シール部材は、可撓性を有する材料によって構成されており、ベース部のうち突出部よりも径方向外方に位置する部分の下面に設けられており、上方から下方に向かうにつれて径方向外方に拡径する筒状の錐台形状を呈していてもよい。この場合、整流部材が上昇位置から処理位置に降下する際に、シール部材が径方向外方に拡がるように変形しながらカバー部材の上壁部に当接する。そのため、整流部材のカバー部材に対する水平方向及び上下方向の位置決めが厳格でなくても、整流部材とカバー部材との隙間をシール部材によって封止できる。したがって、簡易な装置構成により、整流部材とカバー部材との隙間の封止を実現することが可能となる。

【0088】

例４．例２又は例３の装置は、整流部材が処理位置よりも下方に移動することを制止するように構成された制止部材をさらに備えていてもよい。この場合、整流部材とカバー部材との接触を避けつつ、整流部材を所定の処理位置に位置させることが可能となる。

【0089】

例５．例１～例４のいずれかに記載の装置において、突出部の内周面は、円錐台形状の面、又は、ラッパ状の湾曲面であってもよい。この場合、上方から基板の上面に向けて下降する気流が、当該内周面に沿ってより円滑に基板の周縁部の上面へと流れるようになる。

【0090】

例６．例１～例５のいずれかの装置において、突出部の外周面は、上方から下方に向かうにつれて、径方向内方に向けて傾斜していてもよい。この場合、突出部の外周面が、環状部材の傾斜面に沿って延びた状態となるので、突出部の外周面と環状部材の傾斜面との間に形成される下流側流路の幅が変動し難い。そのため、下流側流路が極端に狭くなることで圧力損失が過大となることを抑制しつつ、高速の気流を生成するための所定の長さの狭隘流路を確保することが可能となる。

【0091】

例７．例６の装置において、突出部の外周面は、環状部材の傾斜面と略平行に延びていてもよい。この場合、下流側流路の幅が略一定となる。そのため、下流側流路の所定幅及び狭隘流路の所定長さをより効果的に確保することが可能となる。

【0092】

例８．例１～例７のいずれかの装置において、環状部材の下面の高さ位置は、支持部に支持されている基板の上面の高さ位置と同等かそれよりも高くてもよい。この場合、狭隘流路において生成された高速の気流が、突出部の外周面と環状部材の傾斜面との間に形成される下流側流路と、基板の周縁と環状部材との間に形成される別の下流側流路とに分岐して流れやすくなる。そのため、処理液が基板の周縁部の上面に回り込むことに伴う液滴の飛散などがより発生し難くなるので、基板の周縁部の上面に対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0093】

例９．例１～例８のいずれかの装置は、支持部に支持されている基板の上面のうち、上下方向から見たときに、整流部材の最も内側の周面よりも基板の外周縁側の領域に向けて洗浄液を供給するように構成された別の供給部をさらに備えていてもよい。この場合、別の供給部によって供給される洗浄液により、基板の裏面に供給された処理液が基板の外周縁を回り込んで基板の上面に到達することが、抑制される。そのため、基板の上面の周縁部における異物の発生を抑制することが可能となる。また、狭隘流路において気流が高速に流れているので、別の供給部から供給された洗浄液が基板に衝突した際にミストが発生したとしても、基板の上面の中心側にミストが飛散することが抑制される。さらに、別の供給部によって供給される洗浄液により、基板の上面の周縁部に付着したミストが除去される。その結果、基板の上面に対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0094】

例１０．例９の装置は、支持部に支持されている基板の上方において別の供給部を移動させるように構成された駆動部をさらに備えていてもよい。例１０の場合、駆動部が別の供給部を基板の径方向に移動させてもよい。例えば、駆動部が別の供給部を、基板の外周縁の外側から基板の中心部側へと移動させてもよい（いわゆる、スキャンイン動作）。別の供給部がスキャンイン動作することにより、別の供給部から供給される洗浄液が基板の上面に着液する際に、液が周囲への飛散を抑制することが可能となる。また、例１０の場合、駆動部が別の供給部を上下方向に移動させてもよい。そのため、基板に反りなどの変形があったとしても、別の供給部からの洗浄液の吐出口と、当該洗浄液の基板の上面への着液点との離隔距離を、基板の反りなどによらず一定の大きさとしうる。したがって、別の供給部から供給された洗浄液が基板に衝突した際のミストの飛散が抑制される。その結果、基板に反りなどの変形があった場合でも、基板の上面に対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0095】

例１１．基板処理方法の一例は、基板の裏面と当接することにより基板を支持する支持部と、基板の周囲を取り囲むように配置された環状部材とが回転すると共に、環状部材を外側から取り囲む環状のカバー部材の上方に環状の整流部材が配置されている状態で、基板の裏面に洗浄液を供給することを含む。整流部材は、ベース部と、支持部に支持されている基板の周縁部と対面し、且つ、基板の周縁部に向けてベース部から突出する突出部を含む。突出部は、上下方向から見たときに支持部と重なり合っている。突出部の下面は、支持部に支持されている基板の上面よりも上方で、且つ、環状部材の上面よりも下方に位置している。突出部の内周面は、上方から下方に向かうにつれて、径方向外方に向けて傾斜している。この場合、例１の装置と同様の作用効果が得られる。

【符号の説明】

【0096】

１…基板洗浄装置（基板処理装置）、２０…回転部、２４…支持ピン（支持部）、２５…環状部材、４０…カバー部材、４１…上壁部、５０…供給部、６０…整流部材、６１…ベース部、６２…突出部、６３…シール部材、７０…昇降部、７１…ベース部材（制止部材）、７３…スライダ（制止部材）、８０…供給部（別の供給部）、９０…駆動機構（駆動部）、Ｃｔｒ…コントローラ（制御部）、Ｓ１…傾斜面、Ｓ２…下面、Ｓ３…上面、Ｓ４…下面、Ｓ５…内周面、Ｓ６…外周面、Ｓ７…周面、Ｗ…基板、Ｗａ…上面、Ｗｂ…裏面、Ｗｃ…周縁部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】