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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025111726
(43)【公開日】2025-07-30
(54)【発明の名称】シャワーヘッド分割冷却板
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20250723BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
H01L21/302 101M
【審査請求】有
【請求項の数】25
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2025075150
(22)【出願日】2025-04-30
(62)【分割の表示】P 2022575894の分割
【原出願日】2021-04-30
(31)【優先権主張番号】63/037,176
(32)【優先日】2020-06-10
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ボース・アンドリュー
(72)【発明者】
【氏名】ドネリー・ショーン・エム．
(57)【要約】 （修正有）
【課題】第１のサブアセンブリと第２のサブアセンブリとを含む冷却アセンブリを提供する。
【解決手段】冷却アセンブリ２００において、第１のサブアセンブリ２０２は、基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている。第１のサブアセンブリは、シャワーヘッドに近接し、かつ、シャワーヘッドと熱連通する複数の通路を含む。第２のサブアセンブリ２０４は、第１のサブアセンブリに取り外し可能に連結されており、それぞれ第１のサブアセンブリの複数の通路と整合する複数の突出部を含む。
【選択図】図２Ａ
【解決手段】冷却アセンブリ２００において、第１のサブアセンブリ２０２は、基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている。第１のサブアセンブリは、シャワーヘッドに近接し、かつ、シャワーヘッドと熱連通する複数の通路を含む。第２のサブアセンブリ２０４は、第１のサブアセンブリに取り外し可能に連結されており、それぞれ第１のサブアセンブリの複数の通路と整合する複数の突出部を含む。
【選択図】図２Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている第１のサブアセンブリであって、前記シャワーヘッドに近接し、かつ前記シャワーヘッドと熱連通している複数の通路を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１のサブアセンブリに取り外し可能に連結されている第２のサブアセンブリであって、前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部を備える第２のサブアセンブリと
を備える、冷却アセンブリ。
前記第１のサブアセンブリに取り外し可能に連結されている第２のサブアセンブリであって、前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部を備える第２のサブアセンブリと
を備える、冷却アセンブリ。
【請求項2】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、内径を有する中空の円筒形であり、
前記第２のサブアセンブリは、前記内径よりも小さい外径を有する中実の円筒形であり、
前記第２のサブアセンブリは、前記第１のサブアセンブリ内に挿入されている、
冷却アセンブリ。
前記第１のサブアセンブリは、内径を有する中空の円筒形であり、
前記第２のサブアセンブリは、前記内径よりも小さい外径を有する中実の円筒形であり、
前記第２のサブアセンブリは、前記第１のサブアセンブリ内に挿入されている、
冷却アセンブリ。
【請求項3】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路は、それぞれ、前記複数の突出部と接触することなく、前記複数の突出部を囲む、冷却アセンブリ。
【請求項4】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路及び前記複数の突出部は、それぞれ前記第１のサブアセンブリ及び前記第２のサブアセンブリの中心領域から半径方向に延びる、冷却アセンブリ。
【請求項5】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、前記第２のサブアセンブリは、前記複数の通路を流れる流体を受け入れるための入口と、前記複数の通路から前記流体を排出するための出口とを含む、冷却アセンブリ。
【請求項6】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、
前記複数の通路の各通路は、第１の幅及び第１の深さを有し、
前記複数の突出部の各突出部は、それぞれ前記第１の幅及び前記第１の深さよりも小さい第２の幅及び第２の高さを有する、
冷却アセンブリ。
前記複数の通路の各通路は、第１の幅及び第１の深さを有し、
前記複数の突出部の各突出部は、それぞれ前記第１の幅及び前記第１の深さよりも小さい第２の幅及び第２の高さを有する、
冷却アセンブリ。
【請求項7】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路及び前記複数の突出部は、対称形である、冷却アセンブリ。
【請求項8】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路及び前記複数の突出部は、非対称形である、冷却アセンブリ。
【請求項9】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、さらに、それぞれ前記複数の突出部及び前記複数の通路の各接触点を密封する複数のシールを備える、冷却アセンブリ。
【請求項10】
請求項５に記載の冷却アセンブリであって、前記第１のサブアセンブリ及び前記第２のサブアセンブリは第１の材料で作られており、
前記冷却アセンブリは、さらに、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ前記第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて前記流体と流体連通する導電性素子を備える、
冷却アセンブリ。
前記冷却アセンブリは、さらに、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ前記第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて前記流体と流体連通する導電性素子を備える、
冷却アセンブリ。
【請求項11】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、前記第１のサブアセンブリは、前記第１のサブアセンブリの中心を通って垂直に延び、プロセスガスを受け入れるための第1の入口に連結されている第1の端部を有し、かつ前記プロセスガスを前記シャワーヘッドに出力するための第２の端部を有する管状構造を備える、冷却アセンブリ。
【請求項12】
請求項１１に記載の冷却アセンブリであって、前記第２のサブアセンブリは、前記管状構造を取り囲み、冷却剤を受け入れるための第２の入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通する出口を有するマニホールドを備える、冷却アセンブリ。
【請求項13】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、前記第２のサブアセンブリは、パージガスを受け入れるための入口と、前記パージガスを前記シャワーヘッドに出力するための出口を備える、冷却アセンブリ。
【請求項14】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、さらに、前記第２のサブアセンブリを前記第１のサブアセンブリに固定する複数のファスナを備える、冷却アセンブリ。
【請求項15】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、さらに、前記第１のサブアセンブリ内及び前記第２のサブアセンブリ内のボアを通って延び、かつ前記冷却アセンブリを前記シャワーヘッドに固定する複数のファスナを備える、冷却アセンブリ。
【請求項16】
基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている冷却アセンブリであって、
第１の環状フランジと、
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は、前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１のベース部分は、前記基板処理システムの前記シャワーヘッドに取り付けられており、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置されており、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備える、冷却アセンブリ。
第１の環状フランジと、
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は、前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１のベース部分は、前記基板処理システムの前記シャワーヘッドに取り付けられており、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置されており、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備える、冷却アセンブリ。
【請求項17】
請求項１６に記載の冷却アセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、第１の材料で作られており、かつ、前記第１のベース部分の前記第１の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造をさらに備え、
前記第２のサブアセンブリは、前記第１の材料で作られており、かつ
冷却剤を受け入れるための第１の入口と、
前記管状構造を囲み、前記第１の入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通する出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記冷却剤を排出するための出口と
をさらに備え、
前記冷却アセンブリは、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ前記第２のサブアセンブリ内に取り外し可能に配置されて前記冷却剤と流体連通する導電性素子をさらに備える、
冷却アセンブリ。
前記第１のサブアセンブリは、第１の材料で作られており、かつ、前記第１のベース部分の前記第１の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造をさらに備え、
前記第２のサブアセンブリは、前記第１の材料で作られており、かつ
冷却剤を受け入れるための第１の入口と、
前記管状構造を囲み、前記第１の入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通する出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記冷却剤を排出するための出口と
をさらに備え、
前記冷却アセンブリは、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ前記第２のサブアセンブリ内に取り外し可能に配置されて前記冷却剤と流体連通する導電性素子をさらに備える、
冷却アセンブリ。
【請求項18】
第１の環状フランジと、
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置され、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は、前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備えるアセンブリ。
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置され、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は、前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備えるアセンブリ。
【請求項19】
請求項１８に記載のアセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、さらに、前記第1のベース部分の前記第1の中心領域から前記第1の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造を備え、
前記第２のサブアセンブリはさらに、
流体を受け入れるための入口と、
前記管状構造を囲み、前記入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通している出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記流体を排出するための出口と
を備える、
アセンブリ。
前記第１のサブアセンブリは、さらに、前記第1のベース部分の前記第1の中心領域から前記第1の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造を備え、
前記第２のサブアセンブリはさらに、
流体を受け入れるための入口と、
前記管状構造を囲み、前記入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通している出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記流体を排出するための出口と
を備える、
アセンブリ。
【請求項20】
請求項１９に記載のアセンブリと、
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されている対象物と、
前記アセンブリを横断し、かつ前記対象物を前記第１のベース部分の前記第２の側面に固定する複数のファスナと、
前記第２のサブアセンブリの前記入口に前記流体を供給するための流体供給部と
を備え、
前記流体は、前記対象物を冷却するための冷却剤又は前記対象物を加熱するための高温流体を含む、
システム。
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されている対象物と、
前記アセンブリを横断し、かつ前記対象物を前記第１のベース部分の前記第２の側面に固定する複数のファスナと、
前記第２のサブアセンブリの前記入口に前記流体を供給するための流体供給部と
を備え、
前記流体は、前記対象物を冷却するための冷却剤又は前記対象物を加熱するための高温流体を含む、
システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［関連出願の相互参照］
本出願は、２０２０年６月１０日に出願された米国仮出願第６３／０３７，１７６号の利益を主張するものである。前述の出願の全開示が、参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０２０年６月１０日に出願された米国仮出願第６３／０３７，１７６号の利益を主張するものである。前述の出願の全開示が、参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
本開示は、概して基板処理システムに関し、より詳細には、基板処理システムにおけるシャワーヘッドを冷却するための分割冷却板に関する。
【背景技術】
【0003】
ここで提供される背景技術の説明は、本開示の文脈を大まかに提示することを目的とする。現時点で名前を挙げられている発明者らによる研究は、この背景技術の欄で説明される範囲内において、出願時に先行技術として別途みなされ得ない説明の態様と同様に、明示又は暗示を問わず、本開示に対抗する先行技術として認められない。
【0004】
基板処理システムは、典型的には、半導体ウェハなどの基板の堆積、エッチング、及び他の処理を行うための複数の処理チャンバ（プロセスモジュールとも呼ばれる）を含む。基板上で実行され得るプロセスの例として、プラズマ励起化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、化学強化プラズマ気相堆積（ＣＥＰＶＤ）、スパッタリング物理気相堆積（ＰＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、及びプラズマ励起ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）が挙げられるが、これらに限定されない。基板上で実行され得るプロセスのさらなる例として、エッチング（例えば、化学エッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチングなど）及び洗浄プロセスが挙げられるが、これらに限定されない。
【0005】
処理中、基板は、基板処理システムの処理チャンバ内の台座、静電チャック（ＥＳＣ）などの基板支持体上に配置される。コンピュータ制御ロボットは通常、基板が処理される順序で、１つの処理チャンバから別の処理チャンバに基板を搬送する。堆積中に、１つ又は複数の前駆体を含むガス混合物が処理チャンバに導入され、プラズマを衝突させて化学反応を活性化させる。エッチング中に、エッチングガスを含むガス混合物が処理チャンバに導入され、プラズマを衝突させて化学反応を活性化させる。処理チャンバは、処理チャンバ内に洗浄ガスを供給し、かつプラズマを衝突させることによって、定期的に洗浄される。
【発明の概要】
【0006】
冷却アセンブリは、第1のサブアセンブリと第２のサブアセンブリを含む。第１のサブアセンブリは、基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている。第１のサブアセンブリは、シャワーヘッドに近接し、かつシャワーヘッドと熱連通している複数の通路を含む。第２のサブアセンブリは、第１のサブアセンブリに取り外し可能に連結されている。第２のサブアセンブリは、複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部を含む。
【0007】
他の特徴において、第１のサブアセンブリは、内径を有する中空の円筒形である。第２のサブアセンブリは、内径よりも小さい外径を有する中実の円筒形である。第２のサブアセンブリは、第１のサブアセンブリ内に挿入されている。
【0008】
別の特徴において、複数の通路は、それぞれ、複数の突出部と接触することなく、複数の突出部を囲む。
【0009】
別の特徴において、複数の通路及び複数の突出部は、それぞれ第１のサブアセンブリ及び第２のサブアセンブリの中心領域から半径方向に延びる。
【0010】
別の特徴において、第２のサブアセンブリは、複数の通路を流れる流体を受け入れるための入口と、複数の通路から流体を排出するための出口とを含む。
【0011】
他の特徴において、複数の通路の各通路は、第１の幅及び第１の深さを有する。複数の突出部の各突出部は、それぞれ第１の幅及び第１の深さよりも小さい第２の幅及び第２の高さを有する。
【0012】
別の特徴において、複数の通路及び複数の突出部は対称形である。
【0013】
別の特徴において、複数の通路及び複数の突出部は非対称形である。
【0014】
別の特徴において、冷却アセンブリは、それぞれ複数の突出部と複数の通路との間の接触点を密封する複数のシールをさらに含む。
【0015】
他の特徴において、第１及び第２のサブアセンブリは第１の材料で作られている。冷却アセンブリは、第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて流体と流体連通する導電性素子をさらに含む。
【0016】
別の特徴において、第１のサブアセンブリは、第１のサブアセンブリの中心を通って垂直に延び、プロセスガスを受け入れるための第1の入口に連結されている第1の端部を有し、かつプロセスガスをシャワーヘッドに出力するための第2の端部を有する管状構造を含む。
【0017】
別の特徴において、第２のサブアセンブリは、管状構造を取り囲み、冷却剤を受け入れるための第２の入口に接続され、かつ複数の通路と流体連通する出口を有するマニホールドを含む。
【0018】
別の特徴において、第２のサブアセンブリは、パージガスを受け入れるための入口と、パージガスをシャワーヘッドに出力するための出口を含む。
【0019】
別の特徴において、冷却アセンブリは、第２のサブアセンブリを第１のサブアセンブリに固定する複数のファスナをさらに含む。
【0020】
別の特徴において、冷却アセンブリは、第１及び第２のサブアセンブリ内のボアを通って延び、かつ冷却アセンブリをシャワーヘッドに固定する複数のファスナをさらに含む。
【0021】
さらに他の特徴において、冷却アセンブリは、基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている。冷却アセンブリは、第１のサブアセンブリと第２のサブアセンブリを含む。第１のサブアセンブリは、第１の環状フランジと、第１の円筒壁と、複数の通路とを含む。第１の円筒壁は、第１の環状フランジから、第１の円筒壁の遠位端を取り囲む第１のベース部分まで延びる。第１のベース部分は、基板処理システムのシャワーヘッドに取り付けられている。複数の通路は、第１の環状フランジに面する第１のベース部分の第１の側面上に配置されている。複数の通路は、第１のベース部分の第１の中心領域から第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる。第２のサブアセンブリは、第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、第２の円筒壁と、複数の突出部とを含む。第２の円筒壁は、第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる。第２の円筒壁は、第２の円筒壁の遠位端を取り囲む。第１の円筒壁は第２の円筒壁を囲む。複数の突出部は、第２の環状フランジから離れて面する第２のベース部分の第２の側面上に配置されている。複数の突出部は、第２のベース部分の第２の中心領域から第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる。複数の突出部は、複数の通路とそれぞれ整合する。
【0022】
他の特徴において、システムは、冷却アセンブリと、シャワーヘッドと、複数のファスナとを含む。シャワーヘッドは、第１のベース部分の第１の側面の反対側である第１のベース部分の第２の側面に連結されている。複数のファスナは、冷却アセンブリを横断し、かつシャワーヘッドを第1のベース部分の第2の側面に固定する。
【0023】
他の特徴において、複数の通路の第１の通路は、第１の幅及び第１の深さを有する。複数の突出部の第１の突出部は、第１の幅よりも小さい第２の幅と、第１の深さよりも小さい第２の高さを有する。
【0024】
他の特徴において、複数の通路は、それぞれ複数の突出部を囲む。
【0025】
他の特徴において、複数の通路は、それぞれ、複数の突出部と接触することなく、複数の突出部を囲む。
【0026】
他の特徴において、第１のサブアセンブリは、第１のベース部分の第１の中心領域から第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造をさらに含む。第２のサブアセンブリは、冷却剤を受け入れるための第1の入口と、第１の入口に接続されている円筒形マニホールドと、複数の通路から冷却剤を排出するための出口とをさらに含む。円筒形マニホールドは管状構造を囲む。円筒形マニホールドは、複数の通路と流体連通する出口を有する。
【0027】
他の特徴において、第１及び第２のサブアセンブリは第１の材料で作られている。冷却アセンブリは、第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて冷却剤と流体連通する導電性素子をさらに含む。
【0028】
他の特徴において、冷却アセンブリは、第２の環状フランジを第１の環状フランジに固定する複数のファスナをさらに含む。
【0029】
他の特徴において、冷却アセンブリは、それぞれ複数の突出部と複数の通路との間の接触点を密封する複数のシールをさらに含む。
【0030】
別の特徴において、管状構造は中空であり、かつ、プロセスガスを受け入れるための第２の入口に連結されている第1の端部と、プロセスガスをシャワーヘッドに出力するための第2の端部を含む。
【0031】
別の特徴において、第２のサブアセンブリは、パージガスを受け入れるための入口と、パージガスをシャワーヘッドに出力するための出口を含む。
【0032】
他の特徴において、システムは、冷却アセンブリと、シャワーヘッドと、冷却剤供給部とを含む。シャワーヘッドは、第1のベース部分の第1の側面の反対側である第1のベース部分の第2の側面に連結されている。冷却剤供給部は、第2のサブアセンブリの第1の入口に冷却剤を供給するように構成されている。
【0033】
さらに他の特徴において、アセンブリは、第１のサブアセンブリと第２のサブアセンブリを含む。第１のサブアセンブリは、第１の環状フランジと、第１の円筒壁と、複数の通路とを含む。第１の円筒壁は、第１の環状フランジから、第１の円筒壁の遠位端を取り囲む第１のベース部分まで延びる。複数の通路は、第１の環状フランジに面する第１のベース部分の第１の側面上に配置されている。複数の通路は、第１のベース部分の第１の中心領域から第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる。第２のサブアセンブリは、第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、第２の円筒壁と、複数の突出部とを含む。第２の円筒壁は、第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる。第２の円筒壁は、第２の円筒壁の遠位端を取り囲む。第１の円筒壁は第２の円筒壁を囲む。複数の突出部は、第２の環状フランジから離れて面する第２のベース部分の第２の側面上に配置されている。複数の突出部は、第２のベース部分の第２の中心領域から第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる。複数の突出部は、複数の通路とそれぞれ整合する。
【0034】
他の特徴において、複数の通路の第１の通路は、第１の幅及び第１の深さを有する。複数の突出部の第１の突出部は、第１の幅よりも小さい第２の幅と、第１の深さよりも小さい第２の高さを有する。
【0035】
他の特徴において、複数の通路は、それぞれ、複数の突出部と接触することなく、複数の突出部を囲む。
【0036】
他の特徴において、第１のサブアセンブリは、第１のベース部分の第１の中心領域から第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造をさらに含む。第２のサブアセンブリは、流体を受け入れるための入口と、入口に接続されている円筒形マニホールドと、複数の通路から流体を排出するための出口とをさらに含む。円筒形マニホールドは管状構造を囲む。円筒形マニホールドは、複数の通路と流体連通する出口を有する。
【0037】
他の特徴において、第１及び第２のサブアセンブリは第１の材料で作られている。アセンブリは、第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて流体と流体連通する導電性素子をさらに含む。
【0038】
他の特徴において、アセンブリは、第２の環状フランジを第１の環状フランジに固定する複数のファスナをさらに含む。
【0039】
他の特徴において、アセンブリは、それぞれ複数の突出部と複数の通路との間の接触点を密封する複数のシールをさらに含む。
【0040】
他の特徴において、システムは、アセンブリと、第1のベース部分の第1の側面の反対側である第1のベース部分の第2の側面に連結されている対象物とを含む。システムは、アセンブリを横断し、かつ対象物を第1のベース部分の第2の側面に固定する複数のファスナをさらに含む。システムは、第２のサブアセンブリの入口に流体を供給するための流体供給部をさらに含む。流体は、対象物を冷却するための冷却剤又は対象物を加熱するための高温流体を含む。
【0041】
本開示の応用可能性のさらなる領域は、詳細な説明、特許請求の範囲、及び図面から明らかになるであろう。詳細な説明及び具体例は、例示のみを目的とすることを意図しており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【0042】
本開示は、詳細な説明及び添付の図面からより完全に理解されるであろう。
【0043】
【0044】
【0045】
【0046】
【0047】
【0048】
【0049】
図面では、類似及び／又は同一の要素を識別するために参照符号が再使用される場合がある。
【発明を実施するための形態】
【0050】
シャワーヘッドはヒータを含むことが多い。シャワーヘッドはさらに、ＲＦ電力により動作してプラズマを発生させることもある電極を含む。その結果、基板処理中にシャワーヘッドが高温になる可能性がある。冷却板はシャワーヘッドに連結されて、シャワーヘッドを冷却する。現在、冷却板は真空ろう付けを用いて構成される。真空ろう付けは高価で、リードタイムが長く、冷却板の形状設計に制約がある。さらに、冷却板は永久構造物であるため、保守点検ができず、汚れたり腐食したりすると廃棄される。また、冷却板は製造時の残り屑を含むこともあり、屑は新しいシャワーヘッドを設置する際に検証したり除去することはできない。屑は基板にダメージを与える可能性がある。さらに、これらの冷却板のコンポーネントは、冷却効率が不十分である。
【0051】
本開示は、上記の問題を緩和する分割冷却板設計を提供する。本設計は、シールや機械加工部品を利用して、分割冷却板に複雑で高効率な複数の冷却経路を形成し、冷却経路を囲む金属と冷却経路を流れる冷却剤との間の熱交換を改善する。分割冷却板を分解できるため、汚れた際にコンポーネントを洗浄できる。本設計はまた、設置前に新しい冷却板を分解し、製造時の残り屑を取り除くことを可能にする。さらに、本設計は、ガルバニックコロージョンによる冷却板の孔食を防ぐために、犠牲アノードを組み込んでいる。
【0052】
本開示に係る分割冷却板（以下、冷却アセンブリと呼ぶ）は、雄雌構造（すなわち、一方のサブアセンブリ上の突出部と他方のサブアセンブリの凹部又は溝）を含む２つのサブアセンブリを含み、２つのサブアセンブリが結合されると、互いに嵌合して冷却アセンブリを形成する。冷却アセンブリは、冷却剤が流れる経路又は通路を含む。通路はハブアンドスポーク方式で配置され、通路がスポークを形成する。通路はシャワーヘッドからの熱を伝導し、通路を画定する金属エッジと通路を流れる冷却剤との熱交換により、通路から冷却剤へ熱が伝達される。通路の幅は狭く（横方向又はＸＹ平面に沿って円周方向に測定）、深さは深い（縦方向又はＺ軸に沿って測定）。通路の幅が狭いため、通路を囲む要素と通路を流れる冷却剤との迅速な熱交換が可能になり、効果的な冷却を提供する。通路の深さによって、通路は十分な量の冷却剤を運ぶことができ、効果的な冷却を提供する。このような狭くて深い通路は、冷却アセンブリを単一の統合装置として製造する場合、製造が困難である。しかし、以下に詳細に説明するように、本開示に従い冷却アセンブリを２つのサブアセンブリに分割すると、製造はより容易である。
【0053】
はじめに、冷却アセンブリを説明する前に、図１を参照して、処理チャンバがシャワーヘッドを含む基板処理システムの一例を説明する。本開示に係る冷却アセンブリは、この基板処理システムで、及び処理チャンバがシャワーヘッドを含む任意の他の基板処理システムで使用することができる。本開示の教示は、冷却用シャワーヘッドに限定されない。むしろ、いかなる構造や装置も冷却アセンブリを使用して冷却できる。さらに、本開示の教示は、冷却のみを提供することに限定されない。むしろ、本教示は、冷却アセンブリの分割設計によって提供される効率的な熱交換メカニズムにより、冷却の代わりに加熱を提供するために使用できる。加熱用途では、冷却剤の代わりに高温の流体をアセンブリに流し、通路の周囲の要素を加熱する。
【0054】
図１は、容量結合プラズマを生成するように構成されている処理チャンバ１０２を含む基板処理システム１００の一例を示す。処理チャンバ１０２は、基板処理システム１００の他のコンポーネントを取り囲み、ＲＦプラズマ（使用される場合）を含む。処理チャンバ１０２は、上部電極１０４と、静電チャック（ＥＳＣ）１０６又は他の種類の基板支持体とを含む。動作時には、基板１０８はＥＳＣ１０６上に配置される。
【0055】
例えば、上部電極１０４は、プロセスガスを導入して分配するシャワーヘッドなどのガス分配装置１１０を含んでもよい。ガス分配装置１１０は、処理チャンバ１０２の上面に接続される１つの端部を含むステム部分を含んでもよい。シャワーヘッドのベース部分は概して円筒形であり、処理チャンバ１０２の上面から間隔をあけた位置でステム部分の反対側の端部から半径方向外側に延びる。シャワーヘッドのベース部分の基板対向面又はフェースプレートは、気化した前駆体、プロセスガス、クリーニングガス又はパージガスが流れる複数の孔を含む。代替的に、上部電極１０４は導電性プレートを含んでもよく、ガスは別の方法で導入されてもよい。
【0056】
ＥＳＣ１０６は、下部電極として機能するベースプレート１１２を含む。ベースプレート１１２は、セラミックマルチゾーン加熱板に対応し得る加熱板１１４を支持する。熱抵抗層１１６は、加熱板１１４とベースプレート１１２との間に配置されてもよい。ベースプレート１１２は、ベースプレート１１２を通して冷却剤を流すための１つ又は複数のチャネル１１８を含んでもよい。
【0057】
プラズマを用いる場合、ＲＦ発生システム（又はＲＦ源）１２０は、上部電極１０４と下部電極（例えば、ＥＳＣ１０６のベースプレート１１２）の一方にＲＦ電圧を発生させて出力する。上部電極１０４とベースプレート１１２の他方は、ＤＣ接地、ＡＣ接地、又は非接地でもよい。例えば、ＲＦ発生システム１２０は、整合・分配ネットワーク１２４によって上部電極１０４又はベースプレート１１２に供給されるＲＦ電力を発生させるＲＦ発生器１２２を含んでもよい。他の例では、図示しないが、プラズマは誘導的に又は遠隔で生成され、その後処理チャンバ１０２に供給されてもよい。
【0058】
ガス送達システム１３０は、１つ又は複数のガス源１３２－１、１３２－２、…１３２－Ｎ（まとめてガス源１３２）を含み、ここでＮは０より大きい整数である。ガス源１３２は、バルブ１３４－１、１３４－２、…１３４－Ｎ（まとめてバルブ１３４）及びマスフローコントローラ１３６－１、１３６－２、…１３６－Ｎ（まとめてマスフローコントローラ１３６）によりマニホールド１４０に接続されている。蒸気送達システム１４２は、処理チャンバ１０２に接続されているマニホールド１４０又は別のマニホールド（図示せず）に気化した前駆体を供給する。マニホールド１４０の出力は、処理チャンバ１０２に供給される。ガス源１３２は、プロセスガス、クリーニングガス、及び／又はパージガスを供給してもよい。
【0059】
温度コントローラ１５０は、加熱板１１４に配置されている複数の熱制御素子（ＴＣＥ）１５２に接続されていてもよい。温度コントローラ１５０は、複数のＴＣＥ１５２を制御して、ＥＳＣ１０６及び基板１０８の温度を制御するために使用されてもよい。温度コントローラ１５０は、冷却剤アセンブリ１５４と通信して、チャネル１１８を通る冷却剤の流れを制御してもよい。例えば、冷却剤アセンブリ１５４は、冷却剤ポンプ、リザーバ、及び１つ又は複数の温度センサ（図示せず）を含んでもよい。温度コントローラ１５０は、冷却剤アセンブリ１５４を操作して、チャネル１１８に冷却剤を選択的に流してＥＳＣ１０６を冷却する。バルブ１５６及びポンプ１５８は、処理チャンバ１０２から反応物を排出するために使用されてもよい。システムコントローラ１６０は、基板処理システム１００のコンポーネントを制御する。
【0060】
以下で詳細に説明する冷却アセンブリ２００は、シャワーヘッド１１０に取り付けられている。冷却剤アセンブリ１５４は、以下で詳細に記載するが、冷却剤アセンブリに冷却剤を供給する。
【0061】
図２Ａ及び図２Ｂは、本開示に係る冷却アセンブリ２００を示す。冷却アセンブリは、第１のサブアセンブリ２０２と第２のサブアセンブリ２０４との２つのサブアセンブリを含む。２つのサブアセンブリ２０２及び２０４を、それぞれ図３及び図４を参照して示し、説明する。概して、第１のサブアセンブリ２０２は、内径を有する中空の円筒形である。第２のサブアセンブリ２０４は、第１のサブアセンブリ２０２の内径よりも大きい外径を有する中実の円筒形である。従って、第２のサブアセンブリ２０４は、第１のサブアセンブリ２０２内へと摺動する（すなわち、挿入できる）。ファスナ２０６は、２つのサブアセンブリ２０２及び２０４を互いに結合して、冷却アセンブリ２００を形成する。冷却アセンブリ２００は円筒形であると記載されているが、任意の他の形状も可能であり、その場合、冷却アセンブリのコンポーネントは相応の形状となる。
【0062】
冷却アセンブリ２００は、ファスナ２１０（図２Ｂに別途示すファスナ２１０のうちの１つを参照）を用いてシャワーヘッド（例えば、図１に示すシャワーヘッド１１０）に取り付けられる。ファスナ２１０は、冷却アセンブリ２００を横断して冷却アセンブリ２００の底部分まで達するボアに挿入できる。ファスナ２１０は、冷却アセンブリ２００の上部からボアを通って冷却アセンブリ２００に入り、冷却アセンブリ２００の底部分をシャワーヘッドの上部分に取り付ける。第１のサブアセンブリ２０２の通路及び第２のサブアセンブリ２０４の突出部は、後述するように、冷却アセンブリ２００のファスナ２１０及び他の要素のためのこれらのボアの周りに設計され、かつ配置されている。
【0063】
冷却アセンブリ２００は、（例えば、図１に示す冷却剤アセンブリ１５４から）冷却剤が供給され、冷却アセンブリ２００に流入する入口２１２を含む。冷却アセンブリ２００は、冷却アセンブリ２００内の通路（図３及び図４に示す）を循環して通路を囲む冷却アセンブリ２００の要素から熱を除去した後、冷却剤が冷却アセンブリ２００から出る出口２１４を含む。
【0064】
冷却アセンブリ２００は、アルミニウムなどの金属で作られている。冷却アセンブリ２００の底部分は、シャワーヘッドの上部分に熱接触している。冷却アセンブリ２００とシャワーヘッドとの間の熱勾配により、冷却アセンブリ２００の底部分の金属は、シャワーヘッドの上部分からの熱を伝導する。冷却アセンブリ２００の底部分の金属からの熱は、シャワーヘッドを冷却する、冷却アセンブリ２００内の通路を循環する冷却剤によって伝導される。
【0065】
冷却アセンブリ２００は、（例えば、図１に示すガス送達システム１３０からの）プロセスガス及びパージガスを冷却アセンブリ２００を通してシャワーヘッドに供給するための入口２２０及び２２２をそれぞれ含む。冷却アセンブリ２００は、冷却アセンブリ２００の温度又は冷却アセンブリ２００を流れる冷却剤の温度を感知するために使用できる温度センサ２２４を含む。図１に示すコントローラ１６０（又は図１に示す温度コントローラ１５０）は、温度センサ２２４によって感知された冷却アセンブリ２００又は冷却アセンブリ２００を流れる冷却剤の温度が閾値以上になった場合、基板処理システムをシャットダウンする。
【0066】
冷却アセンブリ２００は、冷却アセンブリ２００を流れる冷却剤と流体連通している犠牲アノード２２６を含む。犠牲アノード２２６は、冷却アセンブリ２００の製造に使用される金属よりも、冷却剤中に存在するあらゆる反応物に対してより大きな親和性を有する材料で作られている。冷却アセンブリ２００の製造に使用された金属の代わりに、犠牲アノード２２６は冷却剤中に存在するあらゆる反応性イオンを引き寄せる。その結果、犠牲アノード２２６は、冷却剤中に存在するあらゆる反応物への曝露及びそれらとの反応により、冷却アセンブリ２００を製造するために使用された金属の代わりに腐食する。犠牲アノード２２６は、冷却アセンブリ２００よりも取り外しや交換が容易であり、はるかに安価である。したがって、犠牲アノード２２６は、冷却アセンブリ２００の寿命を延ばすだけでなく、冷却アセンブリ２００の内部に蓄積した腐食性物質を除去するために必要とされ得る保守を減らす。
【0067】
犠牲アノード２２６は通常、ネジ付きボルト又はネジ付きロッドの形態である。例えば、犠牲アノード２２６は、ヘッドとスタッドとを含んでもよい。スタッドは、全体又は一部がねじ状になっていてもよい。例えば、ヘッド付近のスタッドの最初の部分のみが、第２のサブアセンブリ２０４にボルト締めされるようにねじ状になっている。犠牲アノード２２６は、冷却アセンブリ２００よりもはるかに安価であり、腐食時に容易に交換できる。
【0068】
概して、犠牲アノード２２６は、任意のサイズ及び形状の任意の導電性素子（例えば、金属及び合金など）を含むことができる。導電性素子は、冷却剤と流体連通するように、第２のサブアセンブリ２０４に取り外し可能に配置できる。導電性素子は、冷却アセンブリ２００の材料よりも高い電子親和力を有する。
【0069】
図３は、冷却アセンブリ２００の第１のサブアセンブリ２０２を示す。第１のサブアセンブリ２０２は、図４を参照して示し説明する冷却アセンブリ２００の雄部分（すなわち、第２のサブアセンブリ２０４）と嵌合する冷却アセンブリ２００の雌部分である。
【0070】
第１のサブアセンブリ２０２は、フランジ３０２から垂直に下降し（すなわち、下方に延び）、ベース部分３０１の外周又は外径でベース部分３０１に結合する円筒壁３００を含む中空円筒構造である。環状溝３０４は、円筒壁３００の上端部（すなわち、ベース部分３０１とは反対側の端部）に、フランジ３０２の内径に沿って形成されている。フランジ３０２及び環状溝３０４は、第２のサブアセンブリ２０４の対応する要素（図４に示す）を受け、ファスナ２０６（図２に示す）は、第１のサブアセンブリ２０２及び第２のサブアセンブリ２０４を一緒に固定する。
【0071】
管状構造３１０は、第１のサブアセンブリ２０２のベース部分３０１から垂直上方に延び、ベース部分３０１の下方に配置されているシャワーヘッドにプロセスガスを供給する入口２２０（図２に示す）に接続する。管状構造３１０は中空である。第１のサブアセンブリ２０２のベース部分３０１は、その中心に、管状構造３１０の底部分と一致する開口部を含む。入口２２０からのプロセスガスは、管状構造３１０を流れ、開口部を介してシャワーヘッドに流入する。
【0072】
シャワーヘッドから離れて面するベース部分３０１の内側面上に、ベース部分３０１は、冷却剤が流れる複数の通路を含む。２つの通路のみが３２０と識別されている。図示される他の詳細が不明瞭にならないように、全ての通路が標識されているわけではない。通路の１つ又は全ての通路を、以下では通路３２０（複数可）と呼ぶ。
【0073】
通路３２０は、ベース部分３０１の中心領域から（すなわち、管状構造３１０の外周又は外径から）、ベース部分３０１が円筒壁３００と結合するベース部分３０１の外周又は外径に向かって半径方向に延びる。このように、管状構造３１０及び通路３２０は、ハブアンドスポーク方式の配置になっている。通路３２０は、管状構造３１０の外径又はその近傍から始まり、ベース部分３０１の外径又はその近傍で終端できる。
【0074】
通路３２０は、例として、文字「Ｔ」に類似した特徴的な形状を有するものが示されている。通路３２０は、特徴的な形状である必要はない。むしろ、通路３２０の形状は、冷却アセンブリ２００が使用される用途によって規定されてよい。例えば、図示された例では、通路３２０の形状は、ファスナ２１０用のボア、管状構造３１０などの周囲の要素によって規定される。従って、通路３２０は、通路３２０を囲む要素に応じて可能な又は実用的な任意の形状にすることができる。
【0075】
例えば、いくつかの用途では、通路３２０は、線形、蛇行、ジグザグ、長方形、又は他の任意の形状であってもよい。例えば、いくつかの用途では、通路３２０は、（丸いパイ又はピザのスライスのような）三角形の形状であってもよく、三角形の底辺はベース部分３０１の外径に近接し、三角形の頂点はベース部分３０１の中心領域に近接する。いくつかの用途では、三角形が逆向きになっていてもよい。
【0076】
さらに、全ての通路３２０が同じ形状である必要はない。ここでも、周囲の要素の大きさや形状に応じて、通路３２０は様々な形状にすることができる。例えば、通路３２０のいくつかは規則的な形状を有することができ、他方で通路３２０のいくつかは不規則な形状を有してもよい。さらに、通路３２０は半径方向に配置される必要はなく、代わりに、異なる配置（例えば、円周方向）に配置することもできる。各通路３２０は、通路３２０が嵌合する第２のサブアセンブリ２０４上の対応する突出部（図４に示す）の形状に合致する形状を有する。
【0077】
通路３２０は、横方向又はＸＹ平面に沿って円周方向に測定される幅を有する。通路３２０の幅は、通路３２０と嵌合する第２のサブアセンブリ２０４上の突出部（図４に示す）の幅より大きい。通路３２０の形状が不規則であるために通路３２０の幅が不均一である場合、通路３２０の幅は、全て通路３２０に沿う対応する突出部の幅よりも大きい。
【0078】
さらに、通路３２０は、フランジ３０２から離れ、第１のサブアセンブリ２０２の底部に向かって（すなわち、シャワーヘッドに向かって）縦方向又は垂直に延び、垂直方向又はＺ軸に沿って測定される深さを有する。通路３２０の深さは、通路３２０と嵌合する第２のサブアセンブリ２０４上の突出部（図４に示す）の高さよりも大きい。
【0079】
従って、第１のサブアセンブリ２０２及び第２のサブアセンブリ２０４がファスナ２０６によって一緒に結合されるとき、通路３２０の金属エッジから通路３２０と嵌合する突出部の金属エッジまでの距離は、比較的小さい。この距離が小さいため、通路３２０の金属エッジ及び突出部から通路３２０を流れる冷却剤の中心部への迅速な熱伝達が可能になる。金属から冷却剤への迅速な熱伝達は、冷却アセンブリ２００がシャワーヘッドを冷却する効率を高める。
【0080】
逆に、冷却アセンブリ２００（代わりに加熱アセンブリ２００と呼ぶこともある）を使用して、通路３２０に加熱流体を流して対象物を加熱する加熱用途では、通路３２０を流れる加熱流体の熱が通路３２０の周囲の金属部分に迅速に伝わり、加熱アセンブリ２００に連結されている対象物が効率的に加熱される。
【0081】
図４は、冷却アセンブリ２００の第２のサブアセンブリ２０４を示す。第２のサブアセンブリ２０４は、図３を参照して示し説明した冷却アセンブリ２００の雌部分（すなわち、第１のサブアセンブリ２０２）と嵌合する冷却アセンブリ２００の雄部分である。
【0082】
第２のサブアセンブリ２０４は、その特徴を例示するために上下逆さまに示されている。第２のサブアセンブリ２０４の以下の説明において、上下方向を参照する用語は、冷却アセンブリ２００が図２に示される向きになるように、第２のサブアセンブリ２０４が図３に示される第１のサブアセンブリ２０２に（すなわち、その上に）設置されていると仮定して使用されている。
【0083】
第２のサブアセンブリ２０４は、フランジ４０２から垂直に下降し（すなわち、下方に延び）、ベース部分４０１の外周又は外径でベース部分４０１と結合する円筒壁４００を含む中実の円筒構造である。環状溝４０４は、円筒壁４００の上端部（すなわち、ベース部分４０１とは反対側の端部）に、フランジ４０２の内径に沿って形成されている。第２のサブアセンブリ２０４のフランジ４０２及び環状溝４０４は、第２のサブアセンブリ２０４が第１のサブアセンブリ２０２に（すなわち、その上に）設置され、かつ第１のサブアセンブリ２０２及び第２のサブアセンブリ２０４がファスナ２０６（図２に示す）によって一緒に固定されるとき、第１のサブアセンブリ２０２のフランジ３０２及び環状溝３０４に嵌合する。第１のサブアセンブリ２０２及び第２のサブアセンブリ２０４を密封して結合するために、１つ又は複数のＯリング（図示せず）がフランジ３０２、４０２及び／又は溝３０４、４０４に配置されてもよい。
【0084】
第２のサブアセンブリ２０４は、その中心に、第２のサブアセンブリ２０４の長さ又は高さに渡って延びる円筒形キャビティ４１０を含む。第２のサブアセンブリ２０４が第１のサブアセンブリ２０２に（すなわち、その上に）設置されると、第１のサブアセンブリ２０２の管状構造３１０は、円筒形キャビティ４１０を通って延び、入口２２０（図２に示す）と接続する。
【0085】
シャワーヘッドに面するベース部分４０１の外側面上に、ベース部分４０１は複数の突出部（すなわち、通路３２０に対応する雄部分）を含む。わずかな突出部のみが４２０として識別されている。図示される他の詳細が不明瞭にならないように、全ての突出部が標識されているわけではない。突出部の１つ又は全ての突出部を、以下では突出部４２０（複数可）と呼ぶ。
【0086】
突出部４２０は、ベース部分４０１の中心領域から（円筒形キャビティ４１０の外周又は外径から）、ベース部分４０１が円筒壁４００と結合するベース部分４０１の外周又は外径に向かって半径方向に延びる。このように、円筒形キャビティ４１０及び突出部４２０は、ハブアンドスポーク方式の配置になっている。突出部４２０は、円筒形キャビティ４１０の外径又はその近傍から始まり、ベース部分４０１の外径又はその近傍で終端できる。
【0087】
突出部４２０は、例として、文字「Ｔ」に類似した特徴的な形状を有するものが示されている。突出部４２０は、特徴的な形状である必要はない。むしろ、突出部４２０の形状は、冷却アセンブリ２００が使用される用途によって規定されてよい。例えば、図示された例では、突出部４２０の形状は、ファスナ２１０用のボア、円筒形キャビティ４１０などの周囲の要素によって規定される。従って、突出部４２０は、突出部４２０を囲む要素に応じて可能な又は実用的な任意の形状にすることができる。
【0088】
例えば、いくつかの用途では、突出部４２０は、線形、蛇行、ジグザグ、長方形、又は他の任意の形状であってもよい。例えば、いくつかの用途では、突出部４２０は、（丸いパイ又はピザのスライスのような）三角形の形状であってもよく、三角形の底辺はベース部分４０１の外径に近接し、三角形の頂点はベース部分４０１の中心領域に近接する。いくつかの用途では、三角形が逆向きになっていてもよい。
【0089】
さらに、全ての突出部４２０が同じ形状である必要はない。ここでも、周囲の要素の大きさや形状に応じて、突出部４２０は様々な形状にすることができる。例えば、突出部４２０のいくつかは規則的な形状を有することができ、他方で突出部４２０のいくつかは不規則な形状を有してもよい。さらに、突出部４２０は半径方向に配置されている必要はなく、代わりに、異なる配置（例えば、円周方向）に配置することもできる。各突出部４２０は、突出部４２０が嵌合する対応する通路３２０の形状に合致する形状を有する。
【0090】
突出部４２０は、横方向又はＸＹ平面に沿って円周方向に測定される幅を有する。突出部４２０の幅は、突出部４２０と嵌合する第１のサブアセンブリ２０２の通路３２０（図４に示す）の幅より小さい。突出部４２０の形状が不規則であるために突出部４２０の幅が不均一である場合、突出部４２０の幅は、全て突出部４２０に沿う対応する通路３２０の幅よりも小さい。
【0091】
さらに、突出部４２０は、フランジ４０２から縦方向又は垂直に離れて、第２のサブアセンブリ２０４の底部から外側に（すなわち、ベース部分４０１から離れシャワーヘッドに向かって）延び、垂直方向又はＺ軸に沿って測定される高さを有する。突出部４２０の高さは、通路３２０と嵌合する第１のサブアセンブリ２０２の通路３２０（図４に示す）の深さよりも小さい。それによると、第１のサブアセンブリ２０２及び第２のサブアセンブリ２０４がファスナ２０６によって一緒に結合されるとき、通路３２０を画定する金属エッジと突出部４２０を画定する金属エッジとの間に間隙が存在する。
【0092】
さらに、通路３２０の金属エッジから、通路３２０と嵌合する突出部４２０の金属エッジまでの距離は比較的小さい。この距離が小さいため、通路３２０の金属エッジ及び突出部４２０の金属エッジから通路３２０を流れる冷却剤の中心部への迅速な熱伝達が可能になる。金属から冷却剤への迅速な熱伝達は、冷却アセンブリ２００がシャワーヘッドを冷却する効率を高める。
【0093】
図５は、通路３２０を例示する、第１のサブアセンブリ２０２の平面図である。図６は、突出部４２０を例示する、第２のサブアセンブリ２０４の平面図である。図５において、シール５００が、各通路３２０の金属エッジに配置されている。第２のサブアセンブリ２０４が第１のサブアセンブリ２０２の上に設置されると、突出部４２０は通路３２０と嵌合し、シール５００は冷却剤が通路から周囲の領域に漏れるのを防止する。入口２１２は、管状構造４１０を囲むマニホールド５０２に接続されており、マニホールド５０２に冷却剤を供給する。通路３２０は、マニホールド５０２に接続されており、マニホールド５０２から冷却剤を受け入れる。
【0094】
第２のサブアセンブリ２０４の突出部４２０の数は、第１のサブアセンブリ２０２の通路３２０の数に等しい。冷却アセンブリの通路３２０及び突出部４２０の数は用途に依存し得る。一般に、冷却アセンブリ２００によって提供される冷却量は、冷却アセンブリ２００の通路３２０及び突出部４２０の数に正比例している。
【0095】
前述の説明は、本質的に単なる例示であり、本開示、その応用又は用途を限定することを意図しない。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施できる。したがって、本開示は特定の例を含むが、他の変形が図面、明細書、及び以下の特許請求の範囲の検討により明らかになるので、本開示の真の範囲はそれほど限定されるべきではない。
【0096】
本開示の原理を変更することなく、方法内の１つ又は複数のステップを異なる順序で（又は同時に）実行してもよいことを理解されたい。さらに、実施形態の各々は、特定の特徴を有するものとして上述されているが、本開示の任意の実施形態に関して説明されたそれらの特徴のうちの任意の１つ又は複数は、他の任意の実施形態において実装することができ、かつ／又はその組み合わせが明示的に説明されていなくても、任意の他の実施形態の特徴と組み合わせることができる。言い換えれば、記載された実施形態は、相互に排他的ではなく、１つ又は複数の実施形態を互いに入れ替えることは、本開示の範囲内である。
【0097】
要素（例えば、モジュール、回路素子、半導体層など）間の空間的及び機能的関係は、「接続されている」、「係合した」、「連結されている」、「隣接する」、「～の隣」、「～の上」、「上方」、「下方」、及び「配置されている」などの様々な用語を用いて説明される。「直接的」であると明示的に記載されていない限り、第１及び第２の要素間の関係が上記開示に記載される場合、その関係は、第１及び第２の要素間に他の介在要素が存在しない直接的関係であり得るが、第１及び第２の要素間に（空間的又は機能的に）１つ又は複数の介在要素が存在する間接的関係である可能性もある。本明細書で使用される場合、Ａ、Ｂ、及びＣの少なくとも１つというフレーズは、非排他的論理ＯＲを用いた論理（Ａ又はＢ又はＣ）を意味すると解釈されるべきであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂの少なくとも１つ、及びＣの少なくとも１つ」を意味すると解釈されるべきではない。
【0098】
いくつかの実施態様では、コントローラはシステムの一部であり、システムは上述の例の一部であり得る。このようなシステムは、１つ又は複数の処理ツール、１つ又は複数のチャンバ、１つ又は複数の処理用プラットフォーム、及び／又は特定の処理コンポーネント（ウェハ台座、ガス流システムなど）を含む半導体処理装置を含むことができる。これらのシステムは、半導体ウェハ又は基板の処理前、処理中、及び処理後にそれらの動作を制御するための電子機器と統合されてもよい。電子機器は「コントローラ」と呼ばれることもあり、１つ又は複数のシステムの様々なコンポーネント又は子部品を制御してもよい。
【0099】
コントローラは、処理要件及び／又はシステムの種類に応じて、処理ガスの送達、温度設定（例えば、加熱及び／又は冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、液体送達設定、位置及び動作設定、ツールへのウェハの搬入出、並びに、特定のシステムに接続又は連動する他の搬送ツール及び／又はロードロックへのウェハの搬入出を含む、本明細書に開示されるプロセスのいずれかを制御するようにプログラムされてもよい。
【0100】
大まかに言えば、コントローラは、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの、様々な集積回路、論理、メモリ、及び／又はソフトウェアを有する電子機器として定義され得る。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰｓ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣｓ）として定義されるチップ、及び／又はプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１つ又は複数のマイクロプロセッサ若しくはマイクロコントローラを含んでもよい。
【0101】
プログラム命令は、半導体ウェハに対して、半導体ウェハのために、又はシステムに対して、特定のプロセスを実行するための動作パラメータを定義する、様々な個々の設定（又はプログラムファイル）の形態でコントローラに通信される命令であってもよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態において、１つ又は複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、及び／又はウェハのダイの製造中に１つ又は複数の処理ステップを達成するためにプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってもよい。
【0102】
コントローラは、いくつかの実施態様において、システムに統合されている、システムに接続されている、そうでなければシステムにネットワーク接続されている、又はそれらの組み合わせであるコンピュータの一部であってもよく、又はそのようなコンピュータに接続されていてもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」、すなわちファブホストコンピュータシステムの全体又は一部であってもよく、これによりウェハ処理の遠隔アクセスが可能になる。コンピュータは、製造動作の現在の進行状況を監視し、過去の製造動作の履歴を調査し、複数の製造動作から傾向又は性能基準を調査し、現在の処理のパラメータを変更し、処理ステップを設定して現在の処理を追跡し、又は新たなプロセスを開始するために、システムへの遠隔アクセスを可能にしてもよい。
【0103】
いくつかの例では、遠隔コンピュータ（例えば、サーバ）は、ネットワークを介してシステムにプロセスレシピを提供でき、ネットワークはローカルネットワーク又はインターネットを含んでもよい。遠隔コンピュータは、パラメータ及び／又は設定の入力又はプログラミングを可能にするユーザインタフェースを含んでもよく、パラメータ及び／又は設定は次いで遠隔コンピュータからシステムへと伝達される。いくつかの例では、コントローラは、１つ又は複数の動作中に実施される処理ステップのそれぞれのパラメータを指定する、データの形式の命令を受け取る。パラメータは、実施されるプロセスの種類及びコントローラがインタフェース接続する又は制御するように構成されているツールの種類に特有のものであってもよいことを理解されたい。
【0104】
したがって、上述したように、コントローラは、共にネットワーク化され、本明細書に記載のプロセス及び制御などの共通の目的にむけて動作する１つ又は複数の個別のコントローラを含むことなどにより、分散されてもよい。そのような目的のための分散型コントローラの一例は、遠隔地に設置され（プラットフォームレベルで、又は遠隔コンピュータの一部としてなど）、チャンバでのプロセスを協同で制御する１つ又は複数の集積回路と通信するチャンバ上の１つ又は複数の集積回路である。
【0105】
システムの例は、プラズマエッチングチャンバ又はモジュール、堆積チャンバ又はモジュール、スピンリンスチャンバ又はモジュール、金属メッキチャンバ又はモジュール、洗浄チャンバ又はモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバ又はモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ又はモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ又はモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ又はモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバ又はモジュール、イオン注入チャンバ又はモジュール、トラックチャンバ又はモジュール、並びに半導体ウェハの製作及び／又は製造に関連し得る、又は使用し得る、任意の他の半導体処理システムを含んでもよいが、これらに限定されない。
【0106】
上述のように、ツールによって実行される１つ又は複数のプロセスステップに応じて、コントローラは、他のツール回路又はモジュール、他のツールコンポーネント、クラスタツール、他のツールインタフェース、隣接ツール、近隣ツール、工場全体に配置されているツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、又は半導体製造工場内のツール位置及び／又はロードポートへウェハの容器を搬入出する材料搬送に用いられるツールの、１つ又は複数と通信してもよい。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【手続補正書】
【提出日】2025-05-12
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている冷却アセンブリであって、
第１の環状フランジと、
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は、前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１のベース部分は、前記基板処理システムの前記シャワーヘッドに取り付けられており、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置されており、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備える、冷却アセンブリ。
第１の環状フランジと、
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は、前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１のベース部分は、前記基板処理システムの前記シャワーヘッドに取り付けられており、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置されており、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備える、冷却アセンブリ。
【請求項2】
請求項１に記載の冷却アセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、第１の材料で作られており、かつ、前記第１のベース部分の前記第１の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造をさらに備え、
前記第２のサブアセンブリは、前記第１の材料で作られており、かつ
冷却剤を受け入れるための第１の入口と、
前記管状構造を囲み、前記第１の入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通する出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記冷却剤を排出するための出口と
をさらに備え、
前記冷却アセンブリは、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ前記第２のサブアセンブリ内に取り外し可能に配置されて前記冷却剤と流体連通する導電性素子をさらに備える、
冷却アセンブリ。
前記第１のサブアセンブリは、第１の材料で作られており、かつ、前記第１のベース部分の前記第１の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造をさらに備え、
前記第２のサブアセンブリは、前記第１の材料で作られており、かつ
冷却剤を受け入れるための第１の入口と、
前記管状構造を囲み、前記第１の入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通する出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記冷却剤を排出するための出口と
をさらに備え、
前記冷却アセンブリは、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ前記第２のサブアセンブリ内に取り外し可能に配置されて前記冷却剤と流体連通する導電性素子をさらに備える、
冷却アセンブリ。
【請求項3】
第１の環状フランジと、
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置され、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は、前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備えるアセンブリ。
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置され、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は、前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備えるアセンブリ。
【請求項4】
請求項３に記載のアセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、さらに、前記第1のベース部分の前記第1の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造を備え、
前記第２のサブアセンブリはさらに、
流体を受け入れるための入口と、
前記管状構造を囲み、前記入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通している出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記流体を排出するための出口と
を備える、
アセンブリ。
前記第１のサブアセンブリは、さらに、前記第1のベース部分の前記第1の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造を備え、
前記第２のサブアセンブリはさらに、
流体を受け入れるための入口と、
前記管状構造を囲み、前記入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通している出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記流体を排出するための出口と
を備える、
アセンブリ。
【請求項5】
請求項４に記載のアセンブリと、
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されている対象物と、
前記アセンブリを横断し、かつ前記対象物を前記第１のベース部分の前記第２の側面に固定する複数のファスナと、
前記第２のサブアセンブリの前記入口に前記流体を供給するための流体供給部と
を備え、
前記流体は、前記対象物を冷却するための冷却剤又は前記対象物を加熱するための高温流体を含む、
システム。
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されている対象物と、
前記アセンブリを横断し、かつ前記対象物を前記第１のベース部分の前記第２の側面に固定する複数のファスナと、
前記第２のサブアセンブリの前記入口に前記流体を供給するための流体供給部と
を備え、
前記流体は、前記対象物を冷却するための冷却剤又は前記対象物を加熱するための高温流体を含む、
システム。
【請求項6】
基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている冷却アセンブリであって、
第１のサブアセンブリと第２のサブアセンブリとを備え、
前記第１のサブアセンブリは、
第１の環状フランジと、
第１の円筒壁と、前記第１の円筒壁は、前記第１の環状フランジから、前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲む第１のベース部分まで延伸し、前記第１のベース部分は、前記基板処理システムの前記シャワーヘッドに取り付けられ、
複数の通路であって、前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置され、前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延伸する記複数の通路と、を含み、
前記第２のサブアセンブリは、
前記第１の環状フランジに連結されている前記第２の環状フランジと、
第２の円筒壁と、前記第２の円筒壁は、前記第２の環状フランジから前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲む第２のベース部分まで延伸し、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
複数の突出部であって、前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延伸し、前記複数の通路とそれぞれ整合する、複数の突出部と、を含む、冷却アセンブリ。
第１のサブアセンブリと第２のサブアセンブリとを備え、
前記第１のサブアセンブリは、
第１の環状フランジと、
第１の円筒壁と、前記第１の円筒壁は、前記第１の環状フランジから、前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲む第１のベース部分まで延伸し、前記第１のベース部分は、前記基板処理システムの前記シャワーヘッドに取り付けられ、
複数の通路であって、前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置され、前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延伸する記複数の通路と、を含み、
前記第２のサブアセンブリは、
前記第１の環状フランジに連結されている前記第２の環状フランジと、
第２の円筒壁と、前記第２の円筒壁は、前記第２の環状フランジから前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲む第２のベース部分まで延伸し、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
複数の突出部であって、前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延伸し、前記複数の通路とそれぞれ整合する、複数の突出部と、を含む、冷却アセンブリ。
【請求項7】
請求項６に記載の冷却アセンブリと、
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されているシャワーヘッドと、
前記冷却アセンブリを横断し、前記シャワーヘッドを前記第１のベース部分の前記第２の側面に固定する複数のファスナと、を備えるシステム。
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されているシャワーヘッドと、
前記冷却アセンブリを横断し、前記シャワーヘッドを前記第１のベース部分の前記第２の側面に固定する複数のファスナと、を備えるシステム。
【請求項8】
請求項６に記載の冷却アセンブリにおいて、
前記複数の通路の第１の通路は、第１の幅および第１の深さを有し、
前記複数の突出部の第１の突出部は、前記第１の幅よりも小さい第２の幅と、前記第１の深さよりも小さい第２の高さを有する、冷却アセンブリ。
前記複数の通路の第１の通路は、第１の幅および第１の深さを有し、
前記複数の突出部の第１の突出部は、前記第１の幅よりも小さい第２の幅と、前記第１の深さよりも小さい第２の高さを有する、冷却アセンブリ。
【請求項9】
請求項６に記載の冷却アセンブリにおいて、
前記複数の通路は、それぞれ前記複数の突出部を囲む、冷却アセンブリ。
前記複数の通路は、それぞれ前記複数の突出部を囲む、冷却アセンブリ。
【請求項10】
請求項６に記載の冷却アセンブリにおいて、
前記複数の通路は、それぞれ、前記複数の突出部と接触することなく、前記複数の突出部を囲む、冷却アセンブリ。
前記複数の通路は、それぞれ、前記複数の突出部と接触することなく、前記複数の突出部を囲む、冷却アセンブリ。
【請求項11】
請求項６に記載の冷却アセンブリにおいて、
前記第１のサブアセンブリは、さらに、前記第１のベース部分の前記第１の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造を含み、
前記第２のサブアセンブリは、さらに、
冷却剤を受け入れるための第１の入口と、
前記管状構造を囲む円筒形マニホールドであって、前記第１の入口に接続され、前記複数の通路と流体連通する出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記冷却剤を排出するための出口とを含む、冷却アセンブリ。
前記第１のサブアセンブリは、さらに、前記第１のベース部分の前記第１の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造を含み、
前記第２のサブアセンブリは、さらに、
冷却剤を受け入れるための第１の入口と、
前記管状構造を囲む円筒形マニホールドであって、前記第１の入口に接続され、前記複数の通路と流体連通する出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記冷却剤を排出するための出口とを含む、冷却アセンブリ。
【請求項12】
請求項１１に記載の冷却アセンブリにおいて、
前記第１のサブアセンブリおよび前記第２のサブアセンブリは、第１の材料で作られており、
前記冷却アセンブリは、さらに、前記第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて前記冷却剤と流体連通する導電性素子を備え、前記導電性素子は、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られている、冷却アセンブリ。
前記第１のサブアセンブリおよび前記第２のサブアセンブリは、第１の材料で作られており、
前記冷却アセンブリは、さらに、前記第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて前記冷却剤と流体連通する導電性素子を備え、前記導電性素子は、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られている、冷却アセンブリ。
【請求項13】
請求項６に記載の冷却アセンブリは、さらに、前記第２の環状フランジを前記第１の環状フランジに固定する複数のファスナを備える、冷却アセンブリ。
【請求項14】
請求項６に記載の冷却アセンブリは、さらに、それぞれが、前記複数の突出部と前記複数の通路との間の接触点を密封する複数のシールを備える、冷却アセンブリ。
【請求項15】
請求項１１に記載の冷却アセンブリにおいて、
前記管状構造は中空であり、プロセスガスを受け入れるための第２の入口に連結されている第１の端部と、前記プロセスガスを前記シャワーヘッドに出力するための第２の端部を含む、冷却アセンブリ。
前記管状構造は中空であり、プロセスガスを受け入れるための第２の入口に連結されている第１の端部と、前記プロセスガスを前記シャワーヘッドに出力するための第２の端部を含む、冷却アセンブリ。
【請求項16】
請求項６に記載の冷却アセンブリにおいて、
前記第２のサブアセンブリは、パージガスを受け入れるための入口と、前記パージガスを前記シャワーヘッドに出力するための出口とを含む、冷却アセンブリ。
前記第２のサブアセンブリは、パージガスを受け入れるための入口と、前記パージガスを前記シャワーヘッドに出力するための出口とを含む、冷却アセンブリ。
【請求項17】
請求項１１に記載の冷却アセンブリと、
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されている前記シャワーヘッドと、
前記第２のサブアセンブリの前記第１の入口に前記冷却剤を供給するように構成されている冷却剤供給部と、を備える、システム。
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されている前記シャワーヘッドと、
前記第２のサブアセンブリの前記第１の入口に前記冷却剤を供給するように構成されている冷却剤供給部と、を備える、システム。
【請求項18】
アセンブリであって、
第１のサブアセンブリと第２のサブアセンブリと、を備え、
前記第１のサブアセンブリは、
第１の環状フランジと、
第１の円筒壁と、前記第１の円筒壁は、前記第１の環状フランジから、前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲む第１のベース部分まで延伸し、
複数の通路であって、前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置され、前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延伸する複数の通路と、を含み、
前記第２のサブアセンブリは、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
第２の円筒壁と、前記第２の円筒壁は、前記第２の環状フランジから前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲む第２のベース部分まで延伸し、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
複数の突出部であって、前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延伸し、前記複数の通路とそれぞれ整合する、複数の突出部と、を含む、アセンブリ。
第１のサブアセンブリと第２のサブアセンブリと、を備え、
前記第１のサブアセンブリは、
第１の環状フランジと、
第１の円筒壁と、前記第１の円筒壁は、前記第１の環状フランジから、前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲む第１のベース部分まで延伸し、
複数の通路であって、前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置され、前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延伸する複数の通路と、を含み、
前記第２のサブアセンブリは、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
第２の円筒壁と、前記第２の円筒壁は、前記第２の環状フランジから前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲む第２のベース部分まで延伸し、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
複数の突出部であって、前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延伸し、前記複数の通路とそれぞれ整合する、複数の突出部と、を含む、アセンブリ。
【請求項19】
請求項１８に記載のアセンブリにおいて、
前記複数の通路の第１の通路は、第１の幅および第１の深さを有し、
前記複数の突出部の第１の突出部は、前記第１の幅よりも小さい第２の幅と、前記第１の深さよりも小さい第２の高さを有する、アセンブリ。
前記複数の通路の第１の通路は、第１の幅および第１の深さを有し、
前記複数の突出部の第１の突出部は、前記第１の幅よりも小さい第２の幅と、前記第１の深さよりも小さい第２の高さを有する、アセンブリ。
【請求項20】
請求項１８に記載のアセンブリにおいて、
前記複数の通路は、それぞれ、前記複数の突出部と接触することなく、前記複数の突出部を囲む、アセンブリ。
前記複数の通路は、それぞれ、前記複数の突出部と接触することなく、前記複数の突出部を囲む、アセンブリ。
【請求項21】
請求項１８に記載のアセンブリにおいて、
前記第１のサブアセンブリは、さらに、前記第１のベース部分の前記第１の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造を含み、
前記第２のサブアセンブリは、さらに、
流体を受け入れるための入口と、
前記管状構造を囲む円筒形マニホールドであって、前記入口に接続され、前記複数の通路と流体連通する出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から流体を排出するための出口と、を含む、アセンブリ。
前記第１のサブアセンブリは、さらに、前記第１のベース部分の前記第１の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造を含み、
前記第２のサブアセンブリは、さらに、
流体を受け入れるための入口と、
前記管状構造を囲む円筒形マニホールドであって、前記入口に接続され、前記複数の通路と流体連通する出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から流体を排出するための出口と、を含む、アセンブリ。
【請求項22】
請求項２１に記載のアセンブリにおいて、
前記第１のサブアセンブリおよび前記第２のサブアセンブリは、第１の材料で作られており、
前記アセンブリは、さらに、前記第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて前記流体と流体連通する導電性素子を備え、前記導電性素子は、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られている、アセンブリ。
前記第１のサブアセンブリおよび前記第２のサブアセンブリは、第１の材料で作られており、
前記アセンブリは、さらに、前記第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて前記流体と流体連通する導電性素子を備え、前記導電性素子は、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られている、アセンブリ。
【請求項23】
請求項１８に記載のアセンブリは、さらに、
前記第２の環状フランジを前記第１の環状フランジに固定する複数のファスナを備える、アセンブリ。
前記第２の環状フランジを前記第１の環状フランジに固定する複数のファスナを備える、アセンブリ。
【請求項24】
請求項１８に記載のアセンブリは、さらに、それぞれが、前記複数の突出部と前記複数の通路との間の接触点を密封する複数のシールを備える、アセンブリ。
【請求項25】
請求項２１に記載のアセンブリと、
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されている対象物と、
前記アセンブリを横断し、前記対象物を前記第１のベース部分の前記第２の側面に固定する複数のファスナと、
前記第２のサブアセンブリの前記入口に流体を供給するための流体供給部と、を備え、 前記流体は、前記対象物を冷却するための冷却剤または前記対象物を加熱するための高温流体を含む、システム。
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されている対象物と、
前記アセンブリを横断し、前記対象物を前記第１のベース部分の前記第２の側面に固定する複数のファスナと、
前記第２のサブアセンブリの前記入口に流体を供給するための流体供給部と、を備え、 前記流体は、前記対象物を冷却するための冷却剤または前記対象物を加熱するための高温流体を含む、システム。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0106】
上述のように、ツールによって実行される１つ又は複数のプロセスステップに応じて、コントローラは、他のツール回路又はモジュール、他のツールコンポーネント、クラスタツール、他のツールインタフェース、隣接ツール、近隣ツール、工場全体に配置されているツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、又は半導体製造工場内のツール位置及び／又はロードポートへウェハの容器を搬入出する材料搬送に用いられるツールの、１つ又は複数と通信してもよい。
［適用例１］基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている第１のサブアセンブリであって、前記シャワーヘッドに近接し、かつ前記シャワーヘッドと熱連通している複数の通路を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１のサブアセンブリに取り外し可能に連結されている第２のサブアセンブリであって、前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部を備える第２のサブアセンブリと
を備える、冷却アセンブリ。
［適用例２］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、内径を有する中空の円筒形であり、
前記第２のサブアセンブリは、前記内径よりも小さい外径を有する中実の円筒形であり、
前記第２のサブアセンブリは、前記第１のサブアセンブリ内に挿入されている、
冷却アセンブリ。
［適用例３］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路は、それぞれ、前記複数の突出部と接触することなく、前記複数の突出部を囲む、冷却アセンブリ。
［適用例４］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路及び前記複数の突出部は、それぞれ前記第１のサブアセンブリ及び前記第２のサブアセンブリの中心領域から半径方向に延びる、冷却アセンブリ。
［適用例５］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記第２のサブアセンブリは、前記複数の通路を流れる流体を受け入れるための入口と、前記複数の通路から前記流体を排出するための出口とを含む、冷却アセンブリ。
［適用例６］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、
前記複数の通路の各通路は、第１の幅及び第１の深さを有し、
前記複数の突出部の各突出部は、それぞれ前記第１の幅及び前記第１の深さよりも小さい第２の幅及び第２の高さを有する、
冷却アセンブリ。
［適用例７］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路及び前記複数の突出部は、対称形である、冷却アセンブリ。
［適用例８］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路及び前記複数の突出部は、非対称形である、冷却アセンブリ。
［適用例９］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、さらに、それぞれ前記複数の突出部及び前記複数の通路の各接触点を密封する複数のシールを備える、冷却アセンブリ。
［適用例１０］適用例５に記載の冷却アセンブリであって、前記第１のサブアセンブリ及び前記第２のサブアセンブリは第１の材料で作られており、
前記冷却アセンブリは、さらに、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ前記第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて前記流体と流体連通する導電性素子を備える、
冷却アセンブリ。
［適用例１１］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記第１のサブアセンブリは、前記第１のサブアセンブリの中心を通って垂直に延び、プロセスガスを受け入れるための第１の入口に連結されている第1の端部を有し、かつ前記プロセスガスを前記シャワーヘッドに出力するための第２の端部を有する管状構造を備える、冷却アセンブリ。
［適用例１２］適用例１１に記載の冷却アセンブリであって、前記第２のサブアセンブリは、前記管状構造を取り囲み、冷却剤を受け入れるための第２の入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通する出口を有するマニホールドを備える、冷却アセンブリ。
［適用例１３］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記第２のサブアセンブリは、パージガスを受け入れるための入口と、前記パージガスを前記シャワーヘッドに出力するための出口を備える、冷却アセンブリ。
［適用例１４］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、さらに、前記第２のサブアセンブリを前記第１のサブアセンブリに固定する複数のファスナを備える、冷却アセンブリ。
［適用例１５］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、さらに、前記第１のサブアセンブリ内及び前記第２のサブアセンブリ内のボアを通って延び、かつ前記冷却アセンブリを前記シャワーヘッドに固定する複数のファスナを備える、冷却アセンブリ。
［適用例１６］基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている冷却アセンブリであって、
第１の環状フランジと、
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は、前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１のベース部分は、前記基板処理システムの前記シャワーヘッドに取り付けられており、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置されており、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備える、冷却アセンブリ。
［適用例１７］適用例１６に記載の冷却アセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、第１の材料で作られており、かつ、前記第１のベース部分の前記第１の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造をさらに備え、
前記第２のサブアセンブリは、前記第１の材料で作られており、かつ
冷却剤を受け入れるための第１の入口と、
前記管状構造を囲み、前記第１の入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通する出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記冷却剤を排出するための出口と
をさらに備え、
前記冷却アセンブリは、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ前記第２のサブアセンブリ内に取り外し可能に配置されて前記冷却剤と流体連通する導電性素子をさらに備える、
冷却アセンブリ。
［適用例１８］第１の環状フランジと、
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置され、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は、前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備えるアセンブリ。
［適用例１９］適用例１８に記載のアセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、さらに、前記第1のベース部分の前記第1の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造を備え、
前記第２のサブアセンブリはさらに、
流体を受け入れるための入口と、
前記管状構造を囲み、前記入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通している出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記流体を排出するための出口と
を備える、
アセンブリ。
［適用例２０］適用例１９に記載のアセンブリと、
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されている対象物と、
前記アセンブリを横断し、かつ前記対象物を前記第１のベース部分の前記第２の側面に固定する複数のファスナと、
前記第２のサブアセンブリの前記入口に前記流体を供給するための流体供給部と
を備え、
前記流体は、前記対象物を冷却するための冷却剤又は前記対象物を加熱するための高温流体を含む、
システム。
［適用例１］基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている第１のサブアセンブリであって、前記シャワーヘッドに近接し、かつ前記シャワーヘッドと熱連通している複数の通路を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１のサブアセンブリに取り外し可能に連結されている第２のサブアセンブリであって、前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部を備える第２のサブアセンブリと
を備える、冷却アセンブリ。
［適用例２］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、内径を有する中空の円筒形であり、
前記第２のサブアセンブリは、前記内径よりも小さい外径を有する中実の円筒形であり、
前記第２のサブアセンブリは、前記第１のサブアセンブリ内に挿入されている、
冷却アセンブリ。
［適用例３］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路は、それぞれ、前記複数の突出部と接触することなく、前記複数の突出部を囲む、冷却アセンブリ。
［適用例４］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路及び前記複数の突出部は、それぞれ前記第１のサブアセンブリ及び前記第２のサブアセンブリの中心領域から半径方向に延びる、冷却アセンブリ。
［適用例５］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記第２のサブアセンブリは、前記複数の通路を流れる流体を受け入れるための入口と、前記複数の通路から前記流体を排出するための出口とを含む、冷却アセンブリ。
［適用例６］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、
前記複数の通路の各通路は、第１の幅及び第１の深さを有し、
前記複数の突出部の各突出部は、それぞれ前記第１の幅及び前記第１の深さよりも小さい第２の幅及び第２の高さを有する、
冷却アセンブリ。
［適用例７］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路及び前記複数の突出部は、対称形である、冷却アセンブリ。
［適用例８］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記複数の通路及び前記複数の突出部は、非対称形である、冷却アセンブリ。
［適用例９］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、さらに、それぞれ前記複数の突出部及び前記複数の通路の各接触点を密封する複数のシールを備える、冷却アセンブリ。
［適用例１０］適用例５に記載の冷却アセンブリであって、前記第１のサブアセンブリ及び前記第２のサブアセンブリは第１の材料で作られており、
前記冷却アセンブリは、さらに、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ前記第２のサブアセンブリに取り外し可能に配置されて前記流体と流体連通する導電性素子を備える、
冷却アセンブリ。
［適用例１１］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記第１のサブアセンブリは、前記第１のサブアセンブリの中心を通って垂直に延び、プロセスガスを受け入れるための第１の入口に連結されている第1の端部を有し、かつ前記プロセスガスを前記シャワーヘッドに出力するための第２の端部を有する管状構造を備える、冷却アセンブリ。
［適用例１２］適用例１１に記載の冷却アセンブリであって、前記第２のサブアセンブリは、前記管状構造を取り囲み、冷却剤を受け入れるための第２の入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通する出口を有するマニホールドを備える、冷却アセンブリ。
［適用例１３］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、前記第２のサブアセンブリは、パージガスを受け入れるための入口と、前記パージガスを前記シャワーヘッドに出力するための出口を備える、冷却アセンブリ。
［適用例１４］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、さらに、前記第２のサブアセンブリを前記第１のサブアセンブリに固定する複数のファスナを備える、冷却アセンブリ。
［適用例１５］適用例１に記載の冷却アセンブリであって、さらに、前記第１のサブアセンブリ内及び前記第２のサブアセンブリ内のボアを通って延び、かつ前記冷却アセンブリを前記シャワーヘッドに固定する複数のファスナを備える、冷却アセンブリ。
［適用例１６］基板処理システムのシャワーヘッドに連結されている冷却アセンブリであって、
第１の環状フランジと、
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は、前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１のベース部分は、前記基板処理システムの前記シャワーヘッドに取り付けられており、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置されており、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備える、冷却アセンブリ。
［適用例１７］適用例１６に記載の冷却アセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、第１の材料で作られており、かつ、前記第１のベース部分の前記第１の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造をさらに備え、
前記第２のサブアセンブリは、前記第１の材料で作られており、かつ
冷却剤を受け入れるための第１の入口と、
前記管状構造を囲み、前記第１の入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通する出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記冷却剤を排出するための出口と
をさらに備え、
前記冷却アセンブリは、前記第１の材料よりも高い電子親和力を有する第２の材料で作られており、かつ前記第２のサブアセンブリ内に取り外し可能に配置されて前記冷却剤と流体連通する導電性素子をさらに備える、
冷却アセンブリ。
［適用例１８］第１の環状フランジと、
前記第１の環状フランジから第１のベース部分まで延びる第１の円筒壁と、前記第１のベース部分は前記第１の円筒壁の遠位端を取り囲み、
前記第１の環状フランジに面する前記第１のベース部分の第１の側面上に配置され、かつ前記第１のベース部分の第１の中心領域から前記第１のベース部分の外径に向かって半径方向に延びる複数の通路と
を備える第１のサブアセンブリと、
前記第１の環状フランジに連結されている第２の環状フランジと、
前記第２の環状フランジから第２のベース部分まで延びる第２の円筒壁と、前記第２のベース部分は、前記第２の円筒壁の遠位端を取り囲み、前記第１の円筒壁は前記第２の円筒壁を囲み、
前記第２の環状フランジから離れて面する前記第２のベース部分の第２の側面上に配置され、前記第２のベース部分の第２の中心領域から前記第２のベース部分の外径に向かって半径方向に延び、かつ前記複数の通路とそれぞれ整合する複数の突出部と
を備える第２のサブアセンブリと
を備えるアセンブリ。
［適用例１９］適用例１８に記載のアセンブリであって、
前記第１のサブアセンブリは、さらに、前記第1のベース部分の前記第1の中心領域から前記第１の環状フランジに向かって垂直に延びる管状構造を備え、
前記第２のサブアセンブリはさらに、
流体を受け入れるための入口と、
前記管状構造を囲み、前記入口に接続され、かつ前記複数の通路と流体連通している出口を有する円筒形マニホールドと、
前記複数の通路から前記流体を排出するための出口と
を備える、
アセンブリ。
［適用例２０］適用例１９に記載のアセンブリと、
前記第１のベース部分の前記第１の側面の反対側である前記第１のベース部分の第２の側面に連結されている対象物と、
前記アセンブリを横断し、かつ前記対象物を前記第１のベース部分の前記第２の側面に固定する複数のファスナと、
前記第２のサブアセンブリの前記入口に前記流体を供給するための流体供給部と
を備え、
前記流体は、前記対象物を冷却するための冷却剤又は前記対象物を加熱するための高温流体を含む、
システム。
【外国語明細書】