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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025012722
(43)【公開日】2025-01-24
(54)【発明の名称】支持基体分離方法、及び電子部品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20250117BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023115783
(22)【出願日】2023-07-14
(71)【出願人】
【識別番号】000220239
【氏名又は名称】東京応化工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100165179
【弁理士】
【氏名又は名称】田▲崎▼ 聡
(74)【代理人】
【識別番号】100189337
【弁理士】
【氏名又は名称】宮本 龍
(74)【代理人】
【識別番号】100178847
【弁理士】
【氏名又は名称】服部 映美
(74)【代理人】
【識別番号】100211122
【弁理士】
【氏名又は名称】白石 卓也
(72)【発明者】
【氏名】今井 洋文
(72)【発明者】
【氏名】鵜野 和英
(72)【発明者】
【氏名】丸山 貴史
(72)【発明者】
【氏名】中村 有希
(57)【要約】
【課題】基板に支持基体を貼り合わせた積層体を使用し、光の照射により支持基体を積層体から分離可能であり、かつ、支持基体と基板との密着性を高められる支持基体分離方法を提供する。
【解決手段】本発明は、光を透過する支持基体１１、分離層１２、接着層１４及び基板１６がこの順に積み重ねられた積層体１０から、支持基体１１を分離する支持基体分離方法であって、支持基体１１側から層周縁部１２Ｂに光を照射することで、層周縁部１２Ｂを変質させることにより、積層体１０から支持基体１１を分離する工程を含む。分離層１２の少なくとも一方の面は、平面視で、接着力が異なる層中央部１２Ａと層周縁部１２Ｂとからなる。層周縁部１２Ｂは、層中央部１２Ａに比べて接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域である。支持基体１１と接着層１４とは、層周縁部１２Ｂを介して貼り合わされている。
【選択図】図１Ｄ
【解決手段】本発明は、光を透過する支持基体１１、分離層１２、接着層１４及び基板１６がこの順に積み重ねられた積層体１０から、支持基体１１を分離する支持基体分離方法であって、支持基体１１側から層周縁部１２Ｂに光を照射することで、層周縁部１２Ｂを変質させることにより、積層体１０から支持基体１１を分離する工程を含む。分離層１２の少なくとも一方の面は、平面視で、接着力が異なる層中央部１２Ａと層周縁部１２Ｂとからなる。層周縁部１２Ｂは、層中央部１２Ａに比べて接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域である。支持基体１１と接着層１４とは、層周縁部１２Ｂを介して貼り合わされている。
【選択図】図１Ｄ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光を透過する支持基体、分離層、接着層及び基板がこの順に積み重ねられた積層体から、前記支持基体を分離する支持基体分離方法であって、
前記分離層の少なくとも一方の面は、平面視で、前記支持基体又は前記接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなり、
前記層周縁部は、前記層中央部に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域であり、
前記支持基体と前記接着層とは、前記層周縁部を介して貼り合わされており、
前記支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する工程を含む、支持基体分離方法。
前記分離層の少なくとも一方の面は、平面視で、前記支持基体又は前記接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなり、
前記層周縁部は、前記層中央部に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域であり、
前記支持基体と前記接着層とは、前記層周縁部を介して貼り合わされており、
前記支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する工程を含む、支持基体分離方法。
【請求項2】
前記分離層において、前記層周縁部が、前記層中央部の外周に面一に配置されている、請求項１に記載の支持基体分離方法。
【請求項3】
下記［接着強度の測定方法（ｉ）］により測定される、前記層中央部と前記接着層との界面のピール強度が２．５Ｎ以下である、請求項２に記載の支持基体分離方法。
［接着強度の測定方法（ｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板上に、前記層中央部を形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、前記層中央部と前記接着層との界面のピール強度とする。
［接着強度の測定方法（ｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板上に、前記層中央部を形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、前記層中央部と前記接着層との界面のピール強度とする。
【請求項4】
前記分離層は、第１分離層と第２分離層とが積層し、かつ、前記第２分離層が前記第１分離層の側面を覆う層であり、
前記第１分離層が、前記層中央部を構成し、
前記第１分離層の側面を覆う前記第２分離層部分が、前記層周縁部を構成し、
前記第２分離層は、前記第１分離層に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する層であり、
前記第１分離層は、前記第２分離層と前記支持基体との間に配置されており、
前記支持基体と前記接着層とは、前記第１分離層の側面を覆う前記第２分離層部分を介して貼り合わされている、請求項１に記載の支持基体分離方法。
前記第１分離層が、前記層中央部を構成し、
前記第１分離層の側面を覆う前記第２分離層部分が、前記層周縁部を構成し、
前記第２分離層は、前記第１分離層に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する層であり、
前記第１分離層は、前記第２分離層と前記支持基体との間に配置されており、
前記支持基体と前記接着層とは、前記第１分離層の側面を覆う前記第２分離層部分を介して貼り合わされている、請求項１に記載の支持基体分離方法。
【請求項5】
下記［接着強度の測定方法（ｉｉ）］により測定される、前記第１分離層と前記支持基体との界面のピール強度が２．５Ｎ以下である、請求項４に記載の支持基体分離方法。
［接着強度の測定方法（ｉｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍの前記支持基体上に、前記第１分離層を形成する組成物を用いて製膜し、前記第１分離層を形成する。
（２）前記第１分離層上に、接着層形成用組成物を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）支持基体と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、前記支持基体から前記第１分離層が剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、前記支持基体と前記第１分離層との界面のピール強度とする。
［接着強度の測定方法（ｉｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍの前記支持基体上に、前記第１分離層を形成する組成物を用いて製膜し、前記第１分離層を形成する。
（２）前記第１分離層上に、接着層形成用組成物を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）支持基体と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、前記支持基体から前記第１分離層が剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、前記支持基体と前記第１分離層との界面のピール強度とする。
【請求項6】
前記分離層は、第３分離層と第４分離層とが、平面視で前記第４分離層の外周に前記第３分離層が露出するように積層した層であり、
前記第４分離層が、前記層中央部を構成し、
平面視で前記第４分離層の外周に露出した前記第３分離層部分が、前記層周縁部を構成し、
前記第３分離層は、前記第４分離層に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する層であり、
前記第４分離層は、前記第３分離層と前記接着層との間に配置されており、
前記支持基体と前記接着層とは、平面視で前記第４分離層の外周に露出した前記第３分離層部分を介して貼り合わされている、請求項１に記載の支持基体分離方法。
前記第４分離層が、前記層中央部を構成し、
平面視で前記第４分離層の外周に露出した前記第３分離層部分が、前記層周縁部を構成し、
前記第３分離層は、前記第４分離層に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する層であり、
前記第４分離層は、前記第３分離層と前記接着層との間に配置されており、
前記支持基体と前記接着層とは、平面視で前記第４分離層の外周に露出した前記第３分離層部分を介して貼り合わされている、請求項１に記載の支持基体分離方法。
【請求項7】
下記［接着強度の測定方法（ｉｉｉ）］により測定される、前記第４分離層と前記接着層との界面のピール強度が２．５Ｎ以下である、請求項６に記載の支持基体分離方法。
［接着強度の測定方法（ｉｉｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板上に、前記第４分離層を形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、前記層中央部と前記接着層との界面のピール強度とする。
［接着強度の測定方法（ｉｉｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板上に、前記第４分離層を形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、前記層中央部と前記接着層との界面のピール強度とする。
【請求項8】
請求項１～７のいずれか一項に記載の支持基体分離方法を使用することにより、前記積層体から前記支持基体を分離する分離工程と、
前記分離工程の後、前記基板に付着する前記接着層を除去する除去工程と、
を有する、電子部品の製造方法。
前記分離工程の後、前記基板に付着する前記接着層を除去する除去工程と、
を有する、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、支持基体分離方法、及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体素子を含む半導体パッケージ（電子部品）においては、よりいっそうの高集積化、薄型化及び小型化等が要求されている。
半導体パッケージの小型化を図るためには、組み込まれる素子における基板の厚さを薄くすることが重要となる。しかしながら、基板の厚さを薄くすると、その強度が低下し、半導体パッケージ製造の際に基板の破損を生じやすくなる。
半導体パッケージの小型化を図るためには、組み込まれる素子における基板の厚さを薄くすることが重要となる。しかしながら、基板の厚さを薄くすると、その強度が低下し、半導体パッケージ製造の際に基板の破損を生じやすくなる。
【0003】
これに対し、基板に支持基体を貼り合わせた積層体が採用されている。最終的には、この積層体から支持基体を分離して、電子部品が製造される。
例えば、従来、基板と、光を透過する支持基体とを、光を照射することにより変質する分離層を少なくとも介して積層してなる積層体から、前記支持基体を分離する方法が提案されている。
例えば、従来、基板と、光を透過する支持基体とを、光を照射することにより変質する分離層を少なくとも介して積層してなる積層体から、前記支持基体を分離する方法が提案されている。
【0004】
図５Ａから図５Ｃは、積層体の製造方法の一例を示す図である。図５Ｄは、積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
まず、光を透過する支持基体５１上に、光を照射することにより変質する性質を有する分離層５２を一様に形成する（図５Ａ）。
次いで、分離層５２上に、接着層５４及び基板５６をこの順に積層して、支持基体５１と基板５６とを、分離層５２及び接着層５４を介して貼り合わせる（図５Ｂ）。
次いで、基板５６を加工処理して積層体５０を得る。ここでは、基板５６全体を覆うように封止材層５８が設けられている（図５Ｃ）。
次いで、図５Ｃに示す状態の積層体５０を、上下反転させて、支持基体５１側から分離層５２の全面に放射光（矢印）を照射する（図５Ｄ）。これにより、分離層５２が変質して分解するため、加工処理後の基板５６と支持基体５１とが分離する。
まず、光を透過する支持基体５１上に、光を照射することにより変質する性質を有する分離層５２を一様に形成する（図５Ａ）。
次いで、分離層５２上に、接着層５４及び基板５６をこの順に積層して、支持基体５１と基板５６とを、分離層５２及び接着層５４を介して貼り合わせる（図５Ｂ）。
次いで、基板５６を加工処理して積層体５０を得る。ここでは、基板５６全体を覆うように封止材層５８が設けられている（図５Ｃ）。
次いで、図５Ｃに示す状態の積層体５０を、上下反転させて、支持基体５１側から分離層５２の全面に放射光（矢印）を照射する（図５Ｄ）。これにより、分離層５２が変質して分解するため、加工処理後の基板５６と支持基体５１とが分離する。
【0005】
例えば、特許文献１には、積層体から支持基体を分離するときに、基板及び支持基体を破損することなく短時間で首尾よく分離する方法等が開示されている。
この特許文献１に記載された方法等は、一様に形成された前記分離層における周縁部分の少なくとも一部の領域に、前記支持体を介して光を照射することで、光が照射された領域の分離層を変質させる光照射工程と、前記支持体における前記分離層が変質した領域に対向する面の裏面から、当該支持体を保持して持ち上げることで、変質した分離層を介して積層されている前記基板と前記支持体との間に隙間を形成し、当該隙間から前記積層体の内部に向かって流体を噴射することで、前記積層体から前記支持体を分離する分離工程と、を包含していることを特徴としている。
この特許文献１に記載された方法等は、一様に形成された前記分離層における周縁部分の少なくとも一部の領域に、前記支持体を介して光を照射することで、光が照射された領域の分離層を変質させる光照射工程と、前記支持体における前記分離層が変質した領域に対向する面の裏面から、当該支持体を保持して持ち上げることで、変質した分離層を介して積層されている前記基板と前記支持体との間に隙間を形成し、当該隙間から前記積層体の内部に向かって流体を噴射することで、前記積層体から前記支持体を分離する分離工程と、を包含していることを特徴としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特許第６４７０４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、特許文献１に記載された方法等においては、基板と支持体との密着が悪く、加工の途中で基板から支持体が剥離しやすいという問題がある。
一方で、前記問題に対し、分離層を形成する材料を選択して、基板と支持体との密着性を高めようとすると、分離工程で、積層体から支持体が分離しにくくなってしまう。
一方で、前記問題に対し、分離層を形成する材料を選択して、基板と支持体との密着性を高めようとすると、分離工程で、積層体から支持体が分離しにくくなってしまう。
【0008】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板に支持基体を貼り合わせた積層体を使用し、光の照射により支持基体を積層体から分離可能であり、かつ、支持基体と基板との密着性を高められる支持基体分離方法、及びこの方法を使用した電子部品の製造方法を提供すること、を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
【0010】
本発明の第１の態様は、光を透過する支持基体、分離層、接着層及び基板がこの順に積み重ねられた積層体から、前記支持基体を分離する支持基体分離方法であって、前記分離層の少なくとも一方の面は、平面視で、前記支持基体又は前記接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなり、前記層周縁部は、前記層中央部に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域であり、前記支持基体と前記接着層とは、前記層周縁部を介して貼り合わされており、前記支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する工程を含む、支持基体分離方法である。
【0011】
本発明の第２の態様は、前記第１の態様に係る支持基体分離方法を使用することにより、前記積層体から前記支持基体を分離する分離工程と、前記分離工程の後、前記基板に付着する前記接着層を除去する除去工程と、を有する、電子部品の製造方法である。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、基板に支持基体を貼り合わせた積層体を使用し、光の照射により支持基体を積層体から分離可能であり、かつ、支持基体と基板との密着性を高められる支持基体分離方法、及びこの方法を使用した電子部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1A】分離層の形成方法を説明する図である。
【図1B】分離層の平面図である。
【図1C】第１実施形態で準備される積層体の一例を示す図である。
【図1D】積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
【図2A】分離層の形成方法を説明する図である。
【図2B】分離層の形成方法を説明する図である。
【図2C】支持基体側から見た、分離層の平面図である。
【図2D】第２実施形態で準備される積層体の一例を示す図である。
【図2E】積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
【図3A】分離層の形成方法を説明する図である。
【図3B】分離層側の支持基体の上方から見た、分離層の平面図である。
【図3C】第３実施形態で準備される積層体の一例を示す図である。
【図3D】積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
【図4A】半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一例を示し、分離工程を説明する図である。
【図4B】半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一例を示し、除去工程を説明する図である。
【図5A】分離層の形成方法を説明する図である。
【図5B】積層体の製造方法の一例を示す図である。
【図5C】積層体の一例を示す図である。
【図5D】積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
本発明は、積層体において支持基体と接着層との間に配置される分離層に特徴があり、当該分離層以外の構成については公知の技術を適用できる。
【0015】
（第１の態様：支持基体分離方法）
本発明の第１の態様に係る支持基体分離方法は、光を透過する支持基体、分離層、接着層及び基板がこの順に積み重ねられた積層体から、前記支持基体を分離する方法である。
前記分離層の少なくとも一方の面は、平面視で、前記支持基体又は前記接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなる。前記層周縁部は、前記層中央部に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域である。
前記支持基体と前記接着層とは、前記層周縁部を介して貼り合わされている。
本態様に係る支持基体分離方法は、前記支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する工程を含む。
本発明の第１の態様に係る支持基体分離方法は、光を透過する支持基体、分離層、接着層及び基板がこの順に積み重ねられた積層体から、前記支持基体を分離する方法である。
前記分離層の少なくとも一方の面は、平面視で、前記支持基体又は前記接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなる。前記層周縁部は、前記層中央部に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域である。
前記支持基体と前記接着層とは、前記層周縁部を介して貼り合わされている。
本態様に係る支持基体分離方法は、前記支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する工程を含む。
【0016】
・積層体について
本態様に係る支持基体分離方法において、積層体は、支持基体、分離層、接着層及び基板がこの順に積み重ねられたものである。
前記支持基体と前記接着層とは、前記分離層における前記層周縁部を介して貼り合わされている。
本態様に係る支持基体分離方法において、積層体は、支持基体、分離層、接着層及び基板がこの順に積み重ねられたものである。
前記支持基体と前記接着層とは、前記分離層における前記層周縁部を介して貼り合わされている。
【0017】
・・支持基体
支持基体は、光を透過する特性を有する。支持基体は、基板を支持する部材であり、分離層を介して基板に貼り合わされる。そのため、支持基体としては、封止体の薄化、基板の搬送、基板への実装等の際に、基板の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していることが好ましい。また、支持基体は、分離層を変質させることができる波長の光を透過するものが好ましい。
支持基体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等が用いられる。支持基体の形状としては、例えば矩形、円形等が挙げられるが、これに限定されない。
また、支持基体としては、さらなる高密度集積化や生産効率の向上のために、円形である支持基体のサイズを大型化したもの、上面視における形状が四角形である大型パネルを用いることもできる。
支持基体は、光を透過する特性を有する。支持基体は、基板を支持する部材であり、分離層を介して基板に貼り合わされる。そのため、支持基体としては、封止体の薄化、基板の搬送、基板への実装等の際に、基板の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していることが好ましい。また、支持基体は、分離層を変質させることができる波長の光を透過するものが好ましい。
支持基体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等が用いられる。支持基体の形状としては、例えば矩形、円形等が挙げられるが、これに限定されない。
また、支持基体としては、さらなる高密度集積化や生産効率の向上のために、円形である支持基体のサイズを大型化したもの、上面視における形状が四角形である大型パネルを用いることもできる。
【0018】
・・分離層
分離層の少なくとも一方の面は、平面視で、層中央部と層周縁部とからなる。
層中央部と層周縁部とは、互いに、前記支持基体又は前記接着層に対する接着力が異なる。前記層周縁部は、前記層中央部に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域である。
分離層の少なくとも一方の面は、平面視で、層中央部と層周縁部とからなる。
層中央部と層周縁部とは、互いに、前記支持基体又は前記接着層に対する接着力が異なる。前記層周縁部は、前記層中央部に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域である。
【0019】
ここでいう「層周縁部」とは、分離層の外周端部から、分離層の中央に向かって、０．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下の範囲である領域、好ましくは１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の範囲である領域をいう。
【0020】
分離層は、支持基体を透過して照射される光を吸収することによって好適に変質する。
なお、分離層は、本質的な特性を損なわない範囲で、光を吸収する構造を有していない材料が配合された層であってもよいが、光反応性、分離性の観点から、光を吸収する材料のみから形成されていることが好ましい。
分離層が「変質する」とは、分離層が外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態になる現象をいう。分離層は、光を吸収することによって脆くなり、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。分離層の変質は、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることで起こる。
なお、分離層は、本質的な特性を損なわない範囲で、光を吸収する構造を有していない材料が配合された層であってもよいが、光反応性、分離性の観点から、光を吸収する材料のみから形成されていることが好ましい。
分離層が「変質する」とは、分離層が外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態になる現象をいう。分離層は、光を吸収することによって脆くなり、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。分離層の変質は、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることで起こる。
【0021】
分離層の厚さは、例えば、０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、０．３μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。
分離層の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内であることが特に好ましい。
分離層の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内であることが特に好ましい。
【0022】
分離層の具体的な形態については後述する。
【0023】
・・接着層
接着層は、支持基体と基板とを貼り合わせるための層であり、接着層形成用組成物を用いて形成することができる。
前記接着層形成用組成物は、例えば熱可塑性樹脂、希釈剤、及び、添加剤等のその他成分を含有しているものが挙げられる。この熱可塑性樹脂としては、接着力を発現するものであればよく、炭化水素樹脂（好ましくはシクロオレフィンポリマー等）、アクリル－スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサルホン系樹脂等の１種又は２種以上が挙げられる。希釈剤としては、有機溶剤成分が挙げられる。その他成分としては、接着層の性能を改良するための付加的樹脂、硬化性モノマー、光重合開始剤、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤、界面活性剤等が挙げられる。
接着層は、支持基体と基板とを貼り合わせるための層であり、接着層形成用組成物を用いて形成することができる。
前記接着層形成用組成物は、例えば熱可塑性樹脂、希釈剤、及び、添加剤等のその他成分を含有しているものが挙げられる。この熱可塑性樹脂としては、接着力を発現するものであればよく、炭化水素樹脂（好ましくはシクロオレフィンポリマー等）、アクリル－スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサルホン系樹脂等の１種又は２種以上が挙げられる。希釈剤としては、有機溶剤成分が挙げられる。その他成分としては、接着層の性能を改良するための付加的樹脂、硬化性モノマー、光重合開始剤、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤、界面活性剤等が挙げられる。
【0024】
接着層厚さは、例えば、０．１μｍ以上、１００μｍ以下の範囲内であることが好ましく、１μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。
接着層の厚さが０．１μｍ以上、１００μｍ以下の範囲内であれば、支持基体と基板とをより良好に貼り合わせることができる。また、接着層の厚さが１μｍ以上であることにより、基板を支持基体上に充分に固定することができ、接着層の厚さが５０μｍ以下であることにより、後工程において接着層を容易に除去することができる。
接着層の厚さが０．１μｍ以上、１００μｍ以下の範囲内であれば、支持基体と基板とをより良好に貼り合わせることができる。また、接着層の厚さが１μｍ以上であることにより、基板を支持基体上に充分に固定することができ、接着層の厚さが５０μｍ以下であることにより、後工程において接着層を容易に除去することができる。
【0025】
・・基板
基板は、支持基体に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供される。基板には、例えば集積回路や金属バンプ等の構造物が実装される。
基板としては、典型的には、シリコンウェーハ基板が用いられるが、これに限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等を用いてもよい。
基板は、支持基体に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供される。基板には、例えば集積回路や金属バンプ等の構造物が実装される。
基板としては、典型的には、シリコンウェーハ基板が用いられるが、これに限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等を用いてもよい。
【0026】
・・その他層
本態様に係る支持基体分離方法において、積層体は、支持基体、分離層、接着層及び基板に加え、これら以外の層（その他層）をさらに備えていてもよい。
本態様に係る支持基体分離方法において、積層体は、支持基体、分離層、接着層及び基板に加え、これら以外の層（その他層）をさらに備えていてもよい。
【0027】
積層体は、支持基体と分離層との間に、他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は、光を透過する材料から構成されていればよい。これによれば、分離層への光の入射を妨げることなく、積層体に好ましい性質等を付与する層を適宜追加できる。分離層を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、全ての波長の光を透過させる必要はなく、分離層を構成する材料を変質させ得る波長の光（例えば、５３２ｎｍ）を透過する材料から適宜選択し得る。
【0028】
また、積層体は、分離層及び接着層を介して支持基体に貼り合わされた基板を、封止材層により封止した封止体でもよい。封止材層は、例えば、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂を含有する組成物を用いて形成することができる。ここでの封止体は、個々の基板が封止されているものではなく、接着層上の基板全部が覆うように封止されているものが好ましい。
【0029】
また、積層体は、前記封止材層による封止の後、封止材層を、基板の一部が露出するように研削したことにより露出した基板上に、再配線層が形成されたものでもよい。再配線層は、例えば、誘電体（酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂など）に、導電体（アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金、銀等の金属及び銀－錫合金等の合金）によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
このような支持基体と、分離層と、接着層と、基板と、基板を覆う封止材層と、再配線層と、がこの順に積層されてなる積層体は、基板に設けられた端子がチップエリア外に広がる再配線層に実装される、ファンアウト型技術に基づく過程において作製される積層体である。
このような支持基体と、分離層と、接着層と、基板と、基板を覆う封止材層と、再配線層と、がこの順に積層されてなる積層体は、基板に設けられた端子がチップエリア外に広がる再配線層に実装される、ファンアウト型技術に基づく過程において作製される積層体である。
【0030】
第１の態様に係る支持基体分離方法について、以下に示す第１～３実施形態が好適に挙げられる。各実施形態を、図面を参照しながら説明する。
なお、図面では、各構成要素を見やすくするため、構成要素を模式的に示している場合があり、構成要素によっては寸法の縮尺を異ならせて示すこともある。
なお、図面では、各構成要素を見やすくするため、構成要素を模式的に示している場合があり、構成要素によっては寸法の縮尺を異ならせて示すこともある。
【0031】
＜第１実施形態＞
第１実施形態の支持基体分離方法は、積層体を準備する工程（１－１）と、積層体から支持基体を分離する工程（１－２）と、を含む方法である。
図１Ａは、分離層の形成方法を説明する図である。
図１Ｂは、分離層の平面図である。
図１Ｃは、第１実施形態で準備される積層体の一例を示す図である。
図１Ｄは、積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
第１実施形態では、積層体を構成する分離層を、層周縁部が層中央部の外周に面一に配置されている形態としている。
第１実施形態の支持基体分離方法は、積層体を準備する工程（１－１）と、積層体から支持基体を分離する工程（１－２）と、を含む方法である。
図１Ａは、分離層の形成方法を説明する図である。
図１Ｂは、分離層の平面図である。
図１Ｃは、第１実施形態で準備される積層体の一例を示す図である。
図１Ｄは、積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
第１実施形態では、積層体を構成する分離層を、層周縁部が層中央部の外周に面一に配置されている形態としている。
【0032】
［積層体を準備する工程（１－１）］
積層体は、一例として、分離層を形成した支持基体と、基板とを、分離層及び接着層を介して積層することにより得ることができる。
積層体は、一例として、分離層を形成した支持基体と、基板とを、分離層及び接着層を介して積層することにより得ることができる。
【0033】
図１Ａ及び図１Ｂでは、支持基体１１上に、層中央部１２Ａと層周縁部１２Ｂとからなる分離層１２が形成されている。層周縁部１２Ｂは、層中央部１２Ａの外周に配置されており、層中央部１２Ａと層周縁部１２Ｂとは面一に形成されている。
層周縁部１２Ｂは、分離層１２の外周端部から、分離層１２の中央に向かって、長さ（Ｌ１）までの範囲である領域となる。この長さ（Ｌ１）は、０．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下であり、好ましくは１ｍｍ以上、５ｍｍ以下である。
層周縁部１２Ｂは、分離層１２の外周端部から、分離層１２の中央に向かって、長さ（Ｌ１）までの範囲である領域となる。この長さ（Ｌ１）は、０．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下であり、好ましくは１ｍｍ以上、５ｍｍ以下である。
【0034】
層中央部１２Ａと層周縁部１２Ｂとは、支持基体１１又は接着層１４に対する接着力が異なる。層周縁部１２Ｂは、層中央部１２Ａに比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域である。
分離層１２は、接着力が異なる材料を用いる方法、硬化条件を変える方法などを使用することにより形成できる。
例えば、分離層１２は、層中央部形成用組成物を塗布して、層中央部１２Ａを形成した後、層中央部１２Ａの外周に、層周縁部形成用組成物を塗布して硬化させることにより形成することができる。分離層を構成する材料（組成物）については後述する。
あるいは、分離層１２は、同一の組成物を用いて、層中央部１２Ａを形成する際の硬化温度を相対的に高く設定し、層周縁部１２Ｂを形成する際の硬化温度を相対的に低く設定することにより形成することができる。
分離層１２は、接着力が異なる材料を用いる方法、硬化条件を変える方法などを使用することにより形成できる。
例えば、分離層１２は、層中央部形成用組成物を塗布して、層中央部１２Ａを形成した後、層中央部１２Ａの外周に、層周縁部形成用組成物を塗布して硬化させることにより形成することができる。分離層を構成する材料（組成物）については後述する。
あるいは、分離層１２は、同一の組成物を用いて、層中央部１２Ａを形成する際の硬化温度を相対的に高く設定し、層周縁部１２Ｂを形成する際の硬化温度を相対的に低く設定することにより形成することができる。
【0035】
次いで、支持基体１１上に形成した分離層１２上に、接着層形成用組成物を塗布して加熱することにより接着層１４を形成し、その後、支持基体１１と基板１６とを貼り合わせる。支持基体１１と基板１６とを貼り合わせる方法は、例えば、接着層１４上の所定位置に基板１６を配置し、真空下で加熱しつつ、ダイボンダー等によって圧着することにより行う。
図１Ｃでは、分離層１２が形成された支持基体１１と、基板１６とが、分離層１２及び接着層１４とを介して積層され、支持基体１１、分離層１２、接着層１４、基板１６の順に積み重なった積層体１０が得られている。支持基体１１と接着層１４とは、層周縁部１２Ｂを介して貼り合わされている。
さらに、積層体１０においては、接着層１４上の基板１６を覆うように封止材層１８が設けられている。
図１Ｃでは、分離層１２が形成された支持基体１１と、基板１６とが、分離層１２及び接着層１４とを介して積層され、支持基体１１、分離層１２、接着層１４、基板１６の順に積み重なった積層体１０が得られている。支持基体１１と接着層１４とは、層周縁部１２Ｂを介して貼り合わされている。
さらに、積層体１０においては、接着層１４上の基板１６を覆うように封止材層１８が設けられている。
【0036】
［積層体から支持基体を分離する工程（１－２）］
工程（１－２）では、支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する。
工程（１－２）では、支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する。
【0037】
図１Ｄに示すように、本工程（１－２）では、支持基体１１を介して、分離層１２の層周縁部１２Ｂに光（矢印）を照射することで、層周縁部１２Ｂのみを変質させる。
【0038】
層周縁部１２Ｂを変質させ得る波長としては、例えば６００ｎｍ以下の範囲（例えば、５３２ｎｍ）が挙げられる。
照射する光の種類及び波長は、支持基体１１の透過性、及び層周縁部１２Ｂの材料に応じて適宜選択すればよく、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、非レーザ光を用いることができる。
照射する光の種類及び波長は、支持基体１１の透過性、及び層周縁部１２Ｂの材料に応じて適宜選択すればよく、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、非レーザ光を用いることができる。
【0039】
レーザ光を照射する場合、レーザ光照射条件の一例として、以下の条件を挙げることができる。
レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下が好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下がより好ましい。レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下が好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下がより好ましい。レーザ光の走査速度は、１００ｍｍ／ｓ以上、１００００ｍｍ／ｓ以下が好ましい。
レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下が好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下がより好ましい。レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下が好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下がより好ましい。レーザ光の走査速度は、１００ｍｍ／ｓ以上、１００００ｍｍ／ｓ以下が好ましい。
【0040】
次いで、層周縁部１２Ｂに光（矢印）を照射して層周縁部１２Ｂを変質させた後、積層体１０から支持基体１１を分離する。
積層体１０から支持基体１１を分離する操作は、支持基体１１と基板１６とが互いに離れる方向に力を加える方法等が挙げられる。例えば、支持基体１１側又は基板１６側の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより真空吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持基体１１と基板１６とを分離することができる。その際、支持基体１１と基板１６との間に形成される隙間に、流体を噴射して、その噴射された流体の圧力により、支持基体１１と基板１６とを分離するようにしてもよい。
積層体１０から支持基体１１を分離する操作は、支持基体１１と基板１６とが互いに離れる方向に力を加える方法等が挙げられる。例えば、支持基体１１側又は基板１６側の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより真空吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持基体１１と基板１６とを分離することができる。その際、支持基体１１と基板１６との間に形成される隙間に、流体を噴射して、その噴射された流体の圧力により、支持基体１１と基板１６とを分離するようにしてもよい。
【0041】
噴射する流体としては、例えば、気体、液体、及び、気体と液体とを含む混合流体が挙げられ、気体を用いることが好ましい。気体には、例えば、空気、ドライエアー、窒素及びアルゴンからなる群より選択される少なくとも１つが挙げられる。
【0042】
以上説明した第１実施形態の支持基体分離方法によれば、分離層１２において、層周縁部１２Ｂが層中央部１２Ａに比べて接着力が高くされているため、支持基体１１と基板１６との密着性を、層中央部１２Ａのみからなる分離層を備える場合よりも高められる。
【0043】
第１実施形態で使用される積層体１０において、層中央部１２Ａと接着層１４との界面のピール強度は、３．０Ｎ以下であることが好ましく、２．５Ｎ以下であることがより好ましい。界面のピール強度が、前記の好ましい範囲であれば、光照射による積層体１０からの支持基体１１の分離性がより良好となる。
【0044】
層中央部１２Ａと接着層１４との界面のピール強度は、下記［接着強度の測定方法（ｉ）］により測定される。
【0045】
［接着強度の測定方法（ｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板上に、層中央部１２Ａを形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物（＊）を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（＊）ここでの接着層形成用組成物としては、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物を含むエラストマー接着剤を使用する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、層中央部１２Ａと接着層１４との界面のピール強度とする。
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板上に、層中央部１２Ａを形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物（＊）を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（＊）ここでの接着層形成用組成物としては、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物を含むエラストマー接着剤を使用する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、層中央部１２Ａと接着層１４との界面のピール強度とする。
【0046】
また、第１実施形態の支持基体分離方法によれば、分離層１２において、層周縁部１２Ｂは、光の照射により変質する領域であるため、光の照射により支持基体１１を積層体１０から容易に分離可能である。
さらに、第１実施形態の支持基体分離方法においては、光を照射する範囲が、分離層１２の外周の領域（層周縁部１２Ｂ）のみであることから、光を照射する範囲が分離層１２全面の場合に比べて、基板１６及び支持基体１１を破損することなく、支持基体１１を積層体１０から短時間で首尾よく分離することができる。
さらに、第１実施形態の支持基体分離方法においては、光を照射する範囲が、分離層１２の外周の領域（層周縁部１２Ｂ）のみであることから、光を照射する範囲が分離層１２全面の場合に比べて、基板１６及び支持基体１１を破損することなく、支持基体１１を積層体１０から短時間で首尾よく分離することができる。
【0047】
＜第２実施形態＞
第２実施形態の支持基体分離方法は、積層体を準備する工程（２－１）と、積層体から支持基体を分離する工程（２－２）と、を含む方法である。
図２Ａは、分離層の形成方法を説明する図である。
図２Ｂは、分離層の形成方法を説明する図である。
図２Ｃは、支持基体側から見た、分離層の平面図である。
図２Ｄは、第２実施形態で準備される積層体の一例を示す図である。
図２Ｅは、積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
第２実施形態では、積層体を構成する分離層を、第１分離層と第２分離層とが積層し、かつ、前記第２分離層が前記第１分離層の側面を覆う層とされている形態としている。
第２実施形態の支持基体分離方法は、積層体を準備する工程（２－１）と、積層体から支持基体を分離する工程（２－２）と、を含む方法である。
図２Ａは、分離層の形成方法を説明する図である。
図２Ｂは、分離層の形成方法を説明する図である。
図２Ｃは、支持基体側から見た、分離層の平面図である。
図２Ｄは、第２実施形態で準備される積層体の一例を示す図である。
図２Ｅは、積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
第２実施形態では、積層体を構成する分離層を、第１分離層と第２分離層とが積層し、かつ、前記第２分離層が前記第１分離層の側面を覆う層とされている形態としている。
【0048】
［積層体を準備する工程（２－１）］
積層体は、一例として、分離層を形成した支持基体と、基板とを、分離層及び接着層を介して積層することにより得ることができる。
積層体は、一例として、分離層を形成した支持基体と、基板とを、分離層及び接着層を介して積層することにより得ることができる。
【0049】
図２Ａでは、支持基体２１上に、層中央部２２Ａを構成する第１分離層２２ａが形成されている。
図２Ｂでは、支持基体２１上に、第１分離層２２ａと第２分離層２２ｂとが積層した分離層２２が形成されている。第１分離層２２ａは、第２分離層２２ｂと支持基体２１との間に配置されている。
第２分離層２２ｂは、第１分離層２２ａの全体を覆うように形成されており、第１分離層２２ａの上面及び側面が、第２分離層２２ｂにより覆われている。
支持基体２１側から見た平面視で、第１分離層２２ａが、層中央部２２Ａを構成し、第１分離層２２ａの側面を覆う第２分離層部分２２ｂ１が、層周縁部２２Ｂを構成している。
層周縁部２２Ｂ（第２分離層部分２２ｂ１）は、分離層２２の外周端部から、分離層２２の中央に向かって、長さ（Ｌ２）までの範囲である領域となる。この長さ（Ｌ２）は、０．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下であり、好ましくは１ｍｍ以上、５ｍｍ以下である。
図２Ｂでは、支持基体２１上に、第１分離層２２ａと第２分離層２２ｂとが積層した分離層２２が形成されている。第１分離層２２ａは、第２分離層２２ｂと支持基体２１との間に配置されている。
第２分離層２２ｂは、第１分離層２２ａの全体を覆うように形成されており、第１分離層２２ａの上面及び側面が、第２分離層２２ｂにより覆われている。
支持基体２１側から見た平面視で、第１分離層２２ａが、層中央部２２Ａを構成し、第１分離層２２ａの側面を覆う第２分離層部分２２ｂ１が、層周縁部２２Ｂを構成している。
層周縁部２２Ｂ（第２分離層部分２２ｂ１）は、分離層２２の外周端部から、分離層２２の中央に向かって、長さ（Ｌ２）までの範囲である領域となる。この長さ（Ｌ２）は、０．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下であり、好ましくは１ｍｍ以上、５ｍｍ以下である。
【0050】
層中央部２２Ａと層周縁部２２Ｂとは、支持基体２１又は接着層２４に対する接着力が異なる。層周縁部２２Ｂは、層中央部２２Ａに比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域である。
第１分離層２２ａ及び第２分離層２２ｂは、互いに接着力が異なる材料を用いる方法、硬化条件を変える方法などを使用することにより形成できる。
例えば、分離層２２は、第１分離層形成用組成物を塗布して、第１分離層２２ａ（層中央部２２Ａ）を形成した後、第１分離層２２ａの全体を覆うように、第２分離層形成用組成物を塗布して硬化させることにより形成することができる。各分離層を構成する材料（組成物）については後述する。
あるいは、分離層２２は、同一の組成物を用いて、第１分離層２２ａ（層中央部２２Ａ）を形成する際の硬化温度を相対的に低く設定し、第２分離層２２ｂを形成する際の硬化温度を相対的に高く設定することにより形成することができる。
第１分離層２２ａ及び第２分離層２２ｂは、互いに接着力が異なる材料を用いる方法、硬化条件を変える方法などを使用することにより形成できる。
例えば、分離層２２は、第１分離層形成用組成物を塗布して、第１分離層２２ａ（層中央部２２Ａ）を形成した後、第１分離層２２ａの全体を覆うように、第２分離層形成用組成物を塗布して硬化させることにより形成することができる。各分離層を構成する材料（組成物）については後述する。
あるいは、分離層２２は、同一の組成物を用いて、第１分離層２２ａ（層中央部２２Ａ）を形成する際の硬化温度を相対的に低く設定し、第２分離層２２ｂを形成する際の硬化温度を相対的に高く設定することにより形成することができる。
【0051】
次いで、支持基体２１上に形成した分離層２２上に、接着層形成用組成物を塗布して加熱することにより接着層２４を形成し、その後、支持基体２１と基板２６とを貼り合わせる。支持基体２１と基板２６とを貼り合わせる方法は、例えば、接着層２４上の所定位置に基板２６を配置し、真空下で加熱しつつ、ダイボンダー等によって圧着することにより行う。
図２Ｄでは、分離層２２が形成された支持基体２１と、基板２６とが、分離層２２及び接着層２４とを介して積層され、支持基体２１、分離層２２、接着層２４、基板２６の順に積み重なった積層体２０が得られている。支持基体２１と接着層２４とは、層周縁部２２Ｂ（第２分離層部分２２ｂ１）を介して貼り合わされている。
さらに、積層体２０においては、接着層２４上の基板２６を覆うように封止材層２８が設けられている。
図２Ｄでは、分離層２２が形成された支持基体２１と、基板２６とが、分離層２２及び接着層２４とを介して積層され、支持基体２１、分離層２２、接着層２４、基板２６の順に積み重なった積層体２０が得られている。支持基体２１と接着層２４とは、層周縁部２２Ｂ（第２分離層部分２２ｂ１）を介して貼り合わされている。
さらに、積層体２０においては、接着層２４上の基板２６を覆うように封止材層２８が設けられている。
【0052】
［積層体から支持基体を分離する工程（２－２）］
工程（２－２）では、支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する。
工程（２－２）では、支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する。
【0053】
図２Ｅに示すように、本工程（２－２）では、支持基体２１を介して、分離層２２の層周縁部２２Ｂ（第２分離層部分２２ｂ１）に光（矢印）を照射することで、層周縁部２２Ｂのみを変質させる。
【0054】
層周縁部２２Ｂを変質させ得る波長としては、例えば６００ｎｍ以下の範囲（例えば、５３２ｎｍ）が挙げられる。
照射する光の種類及び波長、レーザ光照射条件についての説明は、第１実施形態の支持基体分離方法の中での説明と同様である。
照射する光の種類及び波長、レーザ光照射条件についての説明は、第１実施形態の支持基体分離方法の中での説明と同様である。
【0055】
次いで、層周縁部２２Ｂに光（矢印）を照射して層周縁部２２Ｂを変質させた後、積層体２０から支持基体２１を分離する。
積層体２０から支持基体２１を分離する操作についての説明は、第１実施形態の支持基体分離方法の中での説明（積層体１０から支持基体１１を分離する操作）と同様である。
積層体２０から支持基体２１を分離する操作についての説明は、第１実施形態の支持基体分離方法の中での説明（積層体１０から支持基体１１を分離する操作）と同様である。
【0056】
以上説明した第２実施形態の支持基体分離方法によれば、分離層２２において、層周縁部２２Ｂ（第２分離層部分２２ｂ１）が層中央部２２Ａ（第１分離層２２ａ）に比べて接着力が高くされているため、支持基体２１と基板２６との密着性を、層中央部２２Ａのみからなる分離層を備える場合よりも高められる。
【0057】
第２実施形態で使用される積層体２０において、第１分離層２２ａと支持基体２１との界面のピール強度は、２．５Ｎ以下であることが好ましく、１．０Ｎ以下であることがより好ましい。界面のピール強度が、前記の好ましい範囲であれば、光照射による積層体２０からの支持基体２１の分離性がより良好となる。
【0058】
第１分離層２２ａと支持基体２１との界面のピール強度は、下記［接着強度の測定方法（ｉｉ）］により測定される。
【0059】
［接着強度の測定方法（ｉｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍの支持基体２１上に、第１分離層２２ａを形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物（＊）を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（＊）ここでの接着層形成用組成物としては、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物を含むエラストマー接着剤を使用する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）支持基体２１と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、支持基体２１に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、支持基体２１から第１分離層２２ａが剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、支持基体２１と第１分離層２２ａとの界面のピール強度とする。
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍの支持基体２１上に、第１分離層２２ａを形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物（＊）を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（＊）ここでの接着層形成用組成物としては、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物を含むエラストマー接着剤を使用する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）支持基体２１と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、支持基体２１に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、支持基体２１から第１分離層２２ａが剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、支持基体２１と第１分離層２２ａとの界面のピール強度とする。
【0060】
また、第２実施形態の支持基体分離方法によれば、分離層２２において、層周縁部２２Ｂ（第２分離層部分２２ｂ１）は、光の照射により変質する領域であるため、光の照射により支持基体２１を積層体２０から容易に分離可能である。
さらに、第２実施形態の支持基体分離方法においては、光を照射する範囲が、分離層２２の外周の領域（層周縁部２２Ｂ）のみであることから、光を照射する範囲が分離層２２全面の場合に比べて、基板２６及び支持基体２１を破損することなく、支持基体２１を積層体２０から短時間で首尾よく分離することができる。
さらに、第２実施形態の支持基体分離方法においては、光を照射する範囲が、分離層２２の外周の領域（層周縁部２２Ｂ）のみであることから、光を照射する範囲が分離層２２全面の場合に比べて、基板２６及び支持基体２１を破損することなく、支持基体２１を積層体２０から短時間で首尾よく分離することができる。
【0061】
また、第２実施形態の支持基体分離方法において、分離層２２は、第１分離層２２ａの全体を覆うように、第１分離層２２ａと第２分離層２２ｂとが積層している。このような分離層２２を形成する際、第１分離層形成用組成物と第２分離層形成用組成物とを重ねて塗布すればよく、第２実施形態によれば、接着力が異なる層中央部２２Ａと層周縁部２２Ｂとからなる分離層２２を容易に形成することができる。
【0062】
＜第３実施形態＞
第３実施形態の支持基体分離方法は、積層体を準備する工程（３－１）と、積層体から支持基体を分離する工程（３－２）と、を含む方法である。
図３Ａは、分離層の形成方法を説明する図である。
図３Ｂは、分離層側の支持基体の上方から見た、分離層の平面図である。
図３Ｃは、第３実施形態で準備される積層体の一例を示す図である。
図３Ｄは、積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
第３実施形態では、積層体を構成する分離層を、第３分離層と第４分離層とが、平面視で前記第４分離層の外周に前記第３分離層が露出するように積層した層である形態としている。
第３実施形態の支持基体分離方法は、積層体を準備する工程（３－１）と、積層体から支持基体を分離する工程（３－２）と、を含む方法である。
図３Ａは、分離層の形成方法を説明する図である。
図３Ｂは、分離層側の支持基体の上方から見た、分離層の平面図である。
図３Ｃは、第３実施形態で準備される積層体の一例を示す図である。
図３Ｄは、積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
第３実施形態では、積層体を構成する分離層を、第３分離層と第４分離層とが、平面視で前記第４分離層の外周に前記第３分離層が露出するように積層した層である形態としている。
【0063】
［積層体を準備する工程（３－１）］
積層体は、一例として、分離層を形成した支持基体と、基板とを、分離層及び接着層を介して積層することにより得ることができる。
積層体は、一例として、分離層を形成した支持基体と、基板とを、分離層及び接着層を介して積層することにより得ることができる。
【0064】
図３Ａ及び図３Ｂでは、支持基体３１上に、第３分離層３２ａと第４分離層３２ｂとがこの順に積層した分離層３２が形成されている。
第３分離層３２ａと第４分離層３２ｂとは、支持基体３１の上方から見た平面視で、第４分離層３２ｂの外周に第３分離層３２ａが露出するように積層している。
分離層３２においては、第４分離層３２ｂが、層中央部３２Ａを構成し、第４分離層３２ｂの外周に露出する第３分離層部分３２ａ１が、層周縁部３２Ｂを構成している。
層周縁部３２Ｂ（第３分離層部分３２ａ１）は、分離層３２の外周端部から、分離層３２の中央に向かって、長さ（Ｌ３）までの範囲である領域となる。この長さ（Ｌ３）は、０．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下であり、好ましくは１ｍｍ以上、５ｍｍ以下である。
第３分離層３２ａと第４分離層３２ｂとは、支持基体３１の上方から見た平面視で、第４分離層３２ｂの外周に第３分離層３２ａが露出するように積層している。
分離層３２においては、第４分離層３２ｂが、層中央部３２Ａを構成し、第４分離層３２ｂの外周に露出する第３分離層部分３２ａ１が、層周縁部３２Ｂを構成している。
層周縁部３２Ｂ（第３分離層部分３２ａ１）は、分離層３２の外周端部から、分離層３２の中央に向かって、長さ（Ｌ３）までの範囲である領域となる。この長さ（Ｌ３）は、０．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下であり、好ましくは１ｍｍ以上、５ｍｍ以下である。
【0065】
層中央部３２Ａと層周縁部３２Ｂとは、支持基体３１又は接着層３４に対する接着力が異なる。層周縁部３２Ｂ（第３分離層部分３２ａ１）は、層中央部３２Ａ（第４分離層３２ｂ）に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域である。
第３分離層３２ａ及び第４分離層３２ｂは、互いに接着力が異なる材料を用いる方法、硬化条件を変える方法などを使用することにより形成できる。
例えば、分離層３２は、第３分離層形成用組成物を塗布して、第３分離層３２ａを形成した後、第３分離層３２ａ上に、第４分離層形成用組成物を塗布して第４分離層３２ｂを形成し、第４分離層３２ｂの外周に第３分離層３２ａが露出するように積層させることにより形成することができる。各分離層を構成する材料（組成物）については後述する。
あるいは、分離層３２は、同一の組成物を用いて、第３分離層３２ａを形成する際の硬化温度を相対的に低く設定し、第４分離層３２ｂを形成する際の硬化温度を相対的に高く設定することにより形成することができる。
第３分離層３２ａ及び第４分離層３２ｂは、互いに接着力が異なる材料を用いる方法、硬化条件を変える方法などを使用することにより形成できる。
例えば、分離層３２は、第３分離層形成用組成物を塗布して、第３分離層３２ａを形成した後、第３分離層３２ａ上に、第４分離層形成用組成物を塗布して第４分離層３２ｂを形成し、第４分離層３２ｂの外周に第３分離層３２ａが露出するように積層させることにより形成することができる。各分離層を構成する材料（組成物）については後述する。
あるいは、分離層３２は、同一の組成物を用いて、第３分離層３２ａを形成する際の硬化温度を相対的に低く設定し、第４分離層３２ｂを形成する際の硬化温度を相対的に高く設定することにより形成することができる。
【0066】
次いで、支持基体３１上に形成した分離層３２上に、接着層形成用組成物を塗布して加熱することにより接着層３４を形成し、その後、支持基体３１と基板３６とを貼り合わせる。支持基体３１と基板３６とを貼り合わせる方法は、例えば、接着層３４上の所定位置に基板３６を配置し、真空下で加熱しつつ、ダイボンダー等によって圧着することにより行う。
図３Ｃでは、分離層３２が形成された支持基体３１と、基板３６とが、分離層３２及び接着層３４とを介して積層され、支持基体３１、分離層３２、接着層３４、基板３６の順に積み重なった積層体３０が得られている。第４分離層３２ｂ（層中央部３２Ａ）は、第３分離層３２ａと接着層３４との間に配置されている。支持基体３１と接着層３４とは、層周縁部３２Ｂ（第３分離層部分３２ａ１）を介して貼り合わされている。
さらに、積層体３０においては、接着層３４上の基板３６を覆うように封止材層３８が設けられている。
図３Ｃでは、分離層３２が形成された支持基体３１と、基板３６とが、分離層３２及び接着層３４とを介して積層され、支持基体３１、分離層３２、接着層３４、基板３６の順に積み重なった積層体３０が得られている。第４分離層３２ｂ（層中央部３２Ａ）は、第３分離層３２ａと接着層３４との間に配置されている。支持基体３１と接着層３４とは、層周縁部３２Ｂ（第３分離層部分３２ａ１）を介して貼り合わされている。
さらに、積層体３０においては、接着層３４上の基板３６を覆うように封止材層３８が設けられている。
【0067】
［積層体から支持基体を分離する工程（３－２）］
工程（３－２）では、支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する。
工程（３－２）では、支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する。
【0068】
図３Ｄに示すように、本工程（３－２）では、支持基体３１を介して、分離層３２の層周縁部３２Ｂ（第３分離層部分３２ａ１）に光（矢印）を照射することで、層周縁部３２Ｂのみを変質させる。
【0069】
層周縁部３２Ｂを変質させ得る波長としては、例えば６００ｎｍ以下の範囲（例えば、５３２ｎｍ）が挙げられる。
照射する光の種類及び波長、レーザ光照射条件についての説明は、第１実施形態の支持基体分離方法の中での説明と同様である。
照射する光の種類及び波長、レーザ光照射条件についての説明は、第１実施形態の支持基体分離方法の中での説明と同様である。
【0070】
次いで、層周縁部３２Ｂに光（矢印）を照射して層周縁部３２Ｂを変質させた後、積層体３０から支持基体３１を分離する。
積層体３０から支持基体３１を分離する操作についての説明は、第１実施形態の支持基体分離方法の中での説明（積層体１０から支持基体１１を分離する操作）と同様である。
積層体３０から支持基体３１を分離する操作についての説明は、第１実施形態の支持基体分離方法の中での説明（積層体１０から支持基体１１を分離する操作）と同様である。
【0071】
以上説明した第３実施形態の支持基体分離方法によれば、分離層３２において、層周縁部３２Ｂ（第３分離層部分３２ａ１）が層中央部３２Ａ（第４分離層３２ｂ）に比べて接着力が高くされているため、支持基体３１と基板３６との密着性を、層中央部３２Ａのみからなる分離層を備える場合よりも高められる。
【0072】
第３実施形態で使用される積層体３０において、第４分離層３２ｂと接着層３４との界面のピール強度は、２．５Ｎ以下であることが好ましく、１．０Ｎ以下であることがより好ましい。界面のピール強度が、前記の好ましい範囲であれば、光照射による積層体３０からの支持基体３１の分離性がより良好となる。
【0073】
第４分離層３２ｂと接着層３４との界面のピール強度は、下記［接着強度の測定方法（ｉｉｉ）］により測定される。
【0074】
［接着強度の測定方法（ｉｉｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板上に、第４分離層３２ｂを形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物（＊）を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（＊）ここでの接着層形成用組成物としては、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物を含むエラストマー接着剤を使用する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、第４分離層３２ｂと接着層３４との界面のピール強度とする。
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板上に、第４分離層３２ｂを形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物（＊）を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（＊）ここでの接着層形成用組成物としては、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物を含むエラストマー接着剤を使用する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、第４分離層３２ｂと接着層３４との界面のピール強度とする。
【0075】
また、第３実施形態の支持基体分離方法によれば、分離層３２において、層周縁部３２Ｂ（第３分離層部分３２ａ１）は、光の照射により変質する領域であるため、光の照射により支持基体３１を積層体３０から容易に分離可能である。
さらに、第３実施形態の支持基体分離方法においては、光を照射する範囲が、分離層３２の外周の領域（層周縁部３２Ｂ）のみであることから、光を照射する範囲が分離層３２全面の場合に比べて、基板３６及び支持基体３１を破損することなく、支持基体３１を積層体３０から短時間で首尾よく分離することができる。
さらに、第３実施形態の支持基体分離方法においては、光を照射する範囲が、分離層３２の外周の領域（層周縁部３２Ｂ）のみであることから、光を照射する範囲が分離層３２全面の場合に比べて、基板３６及び支持基体３１を破損することなく、支持基体３１を積層体３０から短時間で首尾よく分離することができる。
【0076】
また、第３実施形態の支持基体分離方法において、分離層３２は、第３分離層３２ａ上に第４分離層３２ｂが積層している。このような分離層３２を形成する際、第４分離層３２ｂの外周に第３分離層が露出するように、第３分離層３２ａと第４分離層３２ｂとを積層すればよく、第３実施形態によれば、接着力が異なる層中央部３２Ａと層周縁部３２Ｂとからなる分離層３２を容易に形成することができる。
【0077】
＜その他実施形態＞
本態様に係る支持基体分離方法は、上述した第１～３実施形態に限定されず、その他実施形態でもよい。例えば、第３実施形態における第４分離層３２ｂを、離型層に置き換えた積層体を使用する実施形態としてもよい。
第３実施形態で、第４分離層３２ｂを離型層に置き換えた場合、この離型層が、分離層３２における層中央部３２Ａを構成する。
本態様に係る支持基体分離方法は、上述した第１～３実施形態に限定されず、その他実施形態でもよい。例えば、第３実施形態における第４分離層３２ｂを、離型層に置き換えた積層体を使用する実施形態としてもよい。
第３実施形態で、第４分離層３２ｂを離型層に置き換えた場合、この離型層が、分離層３２における層中央部３２Ａを構成する。
【0078】
離型層を形成する材料としては、シリコーン系樹脂を使用した離型剤、フッ素系樹脂を使用した離型剤、アクリル系樹脂を使用した離型剤、高級脂肪酸を使用した離型剤を含み、その他の成分として熱硬化性樹脂、架橋剤、硬化剤等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、従来から公知の硬化架橋できる被膜形成性樹脂を用いることができ、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン樹脂等であって、水酸基、カルボキシ基、アルコキシシリル基等の架橋性官能基を有している熱硬化性樹脂が挙げられる。
架橋剤としては、加熱により前記熱硬化性樹脂の架橋性官能基と反応して架橋硬化を生じるものであれば特に制限なく使用することができる。このような架橋剤としては、例えば、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂等のアミノ樹脂、ポリイソシアネート化合物、金属キレート化合物、エポキシ樹脂等を挙げることができ、なかでもメラミン樹脂、ポリイソシアネート化合物、金属キレート化合物、ベンゾグアナミン樹脂が好適に用いられる。
硬化剤としては、例えば、架橋剤がポリイソシアネート化合物の場合、ウレタン硬化触媒として公知のもの（有機錫化合物、アミン化合物、有機酸など）が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、従来から公知の硬化架橋できる被膜形成性樹脂を用いることができ、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン樹脂等であって、水酸基、カルボキシ基、アルコキシシリル基等の架橋性官能基を有している熱硬化性樹脂が挙げられる。
架橋剤としては、加熱により前記熱硬化性樹脂の架橋性官能基と反応して架橋硬化を生じるものであれば特に制限なく使用することができる。このような架橋剤としては、例えば、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂等のアミノ樹脂、ポリイソシアネート化合物、金属キレート化合物、エポキシ樹脂等を挙げることができ、なかでもメラミン樹脂、ポリイソシアネート化合物、金属キレート化合物、ベンゾグアナミン樹脂が好適に用いられる。
硬化剤としては、例えば、架橋剤がポリイソシアネート化合物の場合、ウレタン硬化触媒として公知のもの（有機錫化合物、アミン化合物、有機酸など）が挙げられる。
【0079】
以上説明したその他実施形態の支持基体分離方法によれば、分離層において、層周縁部が層中央部（離型層）に比べて接着力が高くされているため、支持基体と基板との密着性を、層中央部（離型層）のみからなる分離層を備える場合よりも高められる。
加えて、第３実施形態における第４分離層３２ｂを、離型層に置き換えることにより、離型剤の添加量を調整することにより、支持基体と基板との密着性を容易にコントロールできる。
加えて、第３実施形態における第４分離層３２ｂを、離型層に置き換えることにより、離型剤の添加量を調整することにより、支持基体と基板との密着性を容易にコントロールできる。
【0080】
第３実施形態における第４分離層３２ｂを、離型層に置き換えた積層体において、離型層と接着層３４との界面のピール強度は、２．５Ｎ以下であることが好ましく、１．０Ｎ以下であることがより好ましい。界面のピール強度が、前記の好ましい範囲であれば、光照射による積層体からの支持基体３１の分離性がより良好となる。
【0081】
離型層と接着層３４との界面のピール強度は、下記［接着強度の測定方法（ｉｖ）］により測定される。
【0082】
［接着強度の測定方法（ｉｖ）］
（１）１２インチのガラス基板上に、第３分離層３２ａを形成する組成物を用いて製膜する。次いで、第３分離層３２ａ上に、離型層を形成する組成物を用いて膜厚２μｍとなるように製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物（＊）を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（＊）ここでの接着層形成用組成物としては、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物を含むエラストマー接着剤を使用する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、離型層と接着層３４との界面のピール強度とする。
（１）１２インチのガラス基板上に、第３分離層３２ａを形成する組成物を用いて製膜する。次いで、第３分離層３２ａ上に、離型層を形成する組成物を用いて膜厚２μｍとなるように製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物（＊）を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（＊）ここでの接着層形成用組成物としては、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物を含むエラストマー接着剤を使用する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、離型層と接着層３４との界面のピール強度とする。
【0083】
≪分離層を構成する材料（組成物）≫
分離層を構成する材料（組成物）は、光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えた積層体において、前記支持基体側からの光の照射により変質して、前記積層体から前記支持基体を分離可能とする前記分離層を形成するためのものである。
分離層を構成する材料（組成物）の一実施形態は、樹脂成分（Ｐ）を含有する。
以下、分離層を構成する材料（組成物）を、「分離層形成用組成物」ともいうことがある。
分離層を構成する材料（組成物）は、光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えた積層体において、前記支持基体側からの光の照射により変質して、前記積層体から前記支持基体を分離可能とする前記分離層を形成するためのものである。
分離層を構成する材料（組成物）の一実施形態は、樹脂成分（Ｐ）を含有する。
以下、分離層を構成する材料（組成物）を、「分離層形成用組成物」ともいうことがある。
【0084】
・樹脂成分（Ｐ）
樹脂成分（Ｐ）（以下「（Ｐ）成分」ともいう。）は、分離層形成用組成物の樹脂成分として、従来公知のものを特に制限なく用いることができる。（Ｐ）成分としては、焼成により、光吸収性を有する構造に変化するものが好ましい。（Ｐ）成分は、例えば、本実施形態の分離層形成用組成物を焼成（例えば、２００～３００℃）したときに、波長５３２ｎｍの光に対して吸収性を有する構造に変化するものが好ましい。
樹脂成分（Ｐ）（以下「（Ｐ）成分」ともいう。）は、分離層形成用組成物の樹脂成分として、従来公知のものを特に制限なく用いることができる。（Ｐ）成分としては、焼成により、光吸収性を有する構造に変化するものが好ましい。（Ｐ）成分は、例えば、本実施形態の分離層形成用組成物を焼成（例えば、２００～３００℃）したときに、波長５３２ｎｍの光に対して吸収性を有する構造に変化するものが好ましい。
【0085】
・・（Ｐ１）成分
（Ｐ）成分としては、下記一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂成分（以下、「（Ｐ１）成分」ともいう）が挙げられる。
（Ｐ）成分としては、下記一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂成分（以下、「（Ｐ１）成分」ともいう）が挙げられる。
【0086】
【化1】
【0087】
前記式（ｐ１）中、ＬＰ１における２価の連結基は、芳香環を含んでいてもよく、複数種類の芳香環を含んでいてもよいし、芳香環と脂肪環とが縮合した環構造を含んでいてもよい。
ＬＰ１における２価の連結基が芳香環を含む場合、この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は、５～３０であることが好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
２価の連結基が含む芳香環は、１つでもよいし、２つ以上でもよく、光反応性により優れることから、２つ以上が好ましい。
ＬＰ１における２価の連結基が芳香環を含む場合、この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は、５～３０であることが好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
２価の連結基が含む芳香環は、１つでもよいし、２つ以上でもよく、光反応性により優れることから、２つ以上が好ましい。
【0088】
あるいは、前記式（ｐ１）中、ＬＰ１における２価の連結基は、ヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましい。Ｌｐ１としては、所望の特性を付与するため、種々の骨格を導入した連結基が挙げられる。
前記「種々の骨格を導入した連結基」における骨格としては、例えば、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、キサンテン骨格、フルオレン骨格、ビスフェノールＡ骨格などが挙げられる。
前記「種々の骨格を導入した連結基」における骨格としては、例えば、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、キサンテン骨格、フルオレン骨格、ビスフェノールＡ骨格などが挙げられる。
【0089】
Ｌｐ１としては、例えば、ビスフェノール類のエーテル結合基、ジオール類のエーテル結合基、ジカルボン酸類のエステル結合基、Ｓｉ－Ｏ結合基又はこれら結合基の繰り返し構造などが挙げられる。
【0090】
当該ビスフェノール類としては、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、ビフェノール又はこれらの重合体などが挙げられる。
当該ジオール類としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，６－ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ナフタレンジオール（ジヒドロキシナフタレン）、アントラセンジオール（ジヒドロキシアントラセン）、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン又はこれらの重合体などが挙げられる。
当該ジカルボン酸類としては、マレイン酸、フタル酸、水添型フタル酸、テレフタル酸などが挙げられる。
当該ジオール類としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，６－ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ナフタレンジオール（ジヒドロキシナフタレン）、アントラセンジオール（ジヒドロキシアントラセン）、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン又はこれらの重合体などが挙げられる。
当該ジカルボン酸類としては、マレイン酸、フタル酸、水添型フタル酸、テレフタル酸などが挙げられる。
【0091】
Ｌｐ１として、ビスフェノール類のエーテル結合基を選択した場合、（Ｐ）成分製フィルムの屈曲性を高められやすくなる。
Ｌｐ１として、ジオール類のエーテル結合基を選択した場合、（Ｐ）成分のアルカリ溶解性を容易に調整できる。ジオール類のエーテル結合基としては、グリコール骨格を導入した連結基が好ましい。グリコール骨格としては、例えば、プロピレングリコール骨格が挙げられる。
Ｌｐ１として、Ｓｉ－Ｏ結合基を選択した場合、（Ｐ）成分成形体の低誘電化を図りやすくなる。
Ｌｐ１として、ジオール類のエーテル結合基を選択した場合、（Ｐ）成分のアルカリ溶解性を容易に調整できる。ジオール類のエーテル結合基としては、グリコール骨格を導入した連結基が好ましい。グリコール骨格としては、例えば、プロピレングリコール骨格が挙げられる。
Ｌｐ１として、Ｓｉ－Ｏ結合基を選択した場合、（Ｐ）成分成形体の低誘電化を図りやすくなる。
【0092】
以下に、前記式（ｐ１）中のＬＰ１（２価の連結基）についての好適な具体例を示す。
以下の式中、＊は、メチレン基（ＣＨ２）と結合する結合手であることを示す。化学式（ＬＰ１－９）のｎは、オキシプロピレン基の繰り返し数を表す。
以下の式中、＊は、メチレン基（ＣＨ２）と結合する結合手であることを示す。化学式（ＬＰ１－９）のｎは、オキシプロピレン基の繰り返し数を表す。
【0093】
【化2】
【0094】
前記式（ｐ１）中、ＲＰ１における有機基は、特に限定されず、例えば、置換基を有していてもよい炭化水素基が挙げられる。
ＲＰ１における炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、鎖状もしくは環状のアルケニル基、又は環状の炭化水素基が挙げられる。
ＲＰ１における炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、鎖状もしくは環状のアルケニル基、又は環状の炭化水素基が挙げられる。
【0095】
ＲＰ１における、直鎖状のアルキル基は、炭素原子数が１～５であることが好ましい。ＲＰ１として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。
ＲＰ１における、分岐鎖状のアルキル基は、炭素原子数が３～１０であることが好ましく、３～５がより好ましい。ＲＰ１として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基等が挙げられる。
ＲＰ１における、分岐鎖状のアルキル基は、炭素原子数が３～１０であることが好ましく、３～５がより好ましい。ＲＰ１として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基等が挙げられる。
【0096】
ＲＰ１における、鎖状もしくは環状のアルケニル基は、炭素原子数２～１０のアルケニル基が好ましい。
【0097】
ＲＰ１における、環状の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよいし、また、多環式基でも単環式基でもよい。
単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
【0098】
ＲＰ１における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５～３０であることが好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２つ以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、炭素原子数１～２であることがより好ましく、炭素原子数１であることが特に好ましい。
【0099】
ＲＰ１における芳香族炭化水素基は、縮合多環芳香族基でもよい。縮合多環芳香族基は、縮合多環芳香族環から水素原子１個を除いた基である。この縮合多環芳香族環は、複数の芳香環が縮合した環構造でもよいし、芳香環と脂肪環とが縮合した環構造でもよい。芳香環と脂肪環とが縮合した環構造においては、芳香環の個数が複数でもよいし、脂肪環の個数が複数でもよいし、芳香環と脂肪環とが１つずつでもよい。
この縮合多環芳香族環を構成する環数は、好ましくは２～５個、より好ましくは２～３個、さらに好ましくは３個である。
この縮合多環芳香族環を構成する環数は、好ましくは２～５個、より好ましくは２～３個、さらに好ましくは３個である。
【0100】
ＲＰ１における縮合多環芳香族基としては、例えば、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、ペリレン環、アントラキノン環、又はナフトキノン環から水素原子１個を除いた基が挙げられる。
これらの中でも、アントラキノン環又はナフトキノン環から水素原子１個を除いた基が好ましく、アントラキノン環から水素原子１個を除いた基がより好ましい。
これらの中でも、アントラキノン環又はナフトキノン環から水素原子１個を除いた基が好ましく、アントラキノン環から水素原子１個を除いた基がより好ましい。
【0101】
上記のＲＰ１で表される炭化水素基が置換されている場合、その置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
ＲＰ１で表される炭化水素基は、その炭化水素鎖の途中にエーテル結合を有していてもよい。
ＲＰ１で表される炭化水素基は、その炭化水素鎖の途中にエーテル結合を有していてもよい。
【0102】
以下に、一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位についての具体例を示すが、これらに限定されない。
【0103】
【化3】
【0104】
【化4】
【0105】
【化5】
【0106】
【化6】
【0107】
（Ｐ１）成分は、膜形成能を有し、好ましくは分子量が１０００以上である。（Ｐ１）成分の分子量が１０００以上であることにより、膜形成能が向上する。（Ｐ１）成分の分子量は、１０００～３００００がより好ましく、１５００～２５０００がさらに好ましく、１５００～２００００が特に好ましく、２０００～１５０００が最も好ましい。
（Ｐ１）成分の分子量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であることにより、分離層形成用組成物の溶媒に対する溶解性が高められる。
尚、樹脂成分の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）を用いるものとする。
（Ｐ１）成分の分子量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であることにより、分離層形成用組成物の溶媒に対する溶解性が高められる。
尚、樹脂成分の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）を用いるものとする。
【0108】
（Ｐ１）成分としては、例えば、商品名がＧＳＰ－０１、ＧＳＰ－０２、ＧＳＰ－０３、ＧＳＰ－１０６、ＧＳＰ－１１２、ＧＳＰ－１１３、ＧＳＰ－１１７、ＧＳＰ－１１９のＧＳＰシリーズ（群栄化学工業株式会社製）等を用いることができる。
【0109】
また、（Ｐ１）成分として、アミノフェノール類、アミノナフトール類又はアニリン類と、１分子中にエポキシ基を２つ有する化合物と、を反応させて生成する樹脂を用いることもできる。
アミノフェノール類としては、２－アミノフェノール、３－アミノフェノール、４－アミノフェノール、４－アミノ－３－メチルフェノール、２－アミノ－４－メチルフェノール、３－アミノ－２－メチルフェノール、５－アミノ－２－メチルフェノール等が挙げられる。アミノナフトール類としては、１－アミノ－２－ナフトール、３－アミノ－２－ナフトール、５－アミノ－１－ナフトール等が挙げられる。
１分子中にエポキシ基を２つ有する化合物としては、例えば商品名がＥＰＩＣＬＯＮ８５０、ＥＰＩＣＬＯＮ８３０（ＤＩＣ株式会社製）、ｊＥＲＹＸ－４０００（三菱化学株式会社製）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－２１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－２１２、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－８１０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－８３０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－９１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－９２０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－９３０（ナガセケムテックス株式会社製）などのジオール型エポキシ樹脂；ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－７１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－７２１（ナガセケムテックス株式会社製）、ｊＥＲ１９１Ｐ（三菱化学株式会社製）などのジカルボン酸エステル型エポキシ樹脂； Ｘ－２２－１６３、ＫＦ－１０５（信越化学工業株式会社製）などのシリコーン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
かかる反応の際の加熱処理温度は、６０℃以上２５０℃以下とすることが好ましく、８０℃以上１８０℃以下とすることがより好ましい。
アミノフェノール類としては、２－アミノフェノール、３－アミノフェノール、４－アミノフェノール、４－アミノ－３－メチルフェノール、２－アミノ－４－メチルフェノール、３－アミノ－２－メチルフェノール、５－アミノ－２－メチルフェノール等が挙げられる。アミノナフトール類としては、１－アミノ－２－ナフトール、３－アミノ－２－ナフトール、５－アミノ－１－ナフトール等が挙げられる。
１分子中にエポキシ基を２つ有する化合物としては、例えば商品名がＥＰＩＣＬＯＮ８５０、ＥＰＩＣＬＯＮ８３０（ＤＩＣ株式会社製）、ｊＥＲＹＸ－４０００（三菱化学株式会社製）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－２１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－２１２、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－８１０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－８３０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－９１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－９２０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－９３０（ナガセケムテックス株式会社製）などのジオール型エポキシ樹脂；ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－７１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ－７２１（ナガセケムテックス株式会社製）、ｊＥＲ１９１Ｐ（三菱化学株式会社製）などのジカルボン酸エステル型エポキシ樹脂； Ｘ－２２－１６３、ＫＦ－１０５（信越化学工業株式会社製）などのシリコーン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
かかる反応の際の加熱処理温度は、６０℃以上２５０℃以下とすることが好ましく、８０℃以上１８０℃以下とすることがより好ましい。
【0110】
（Ｐ１）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【0111】
・・（Ｐ２）成分
（Ｐ）成分は、上記（Ｐ１）成分以外の樹脂成分（以下、「（Ｐ２）成分」ともいう）でもよい。（Ｐ２）成分としては、ベンゾオキサジン樹脂、フェノール誘導体、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ヒドロキシフェニルシルセスキオキサン樹脂、ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン樹脂、フェノール骨格含有アクリル樹脂等が挙げられる。
（Ｐ）成分は、上記（Ｐ１）成分以外の樹脂成分（以下、「（Ｐ２）成分」ともいう）でもよい。（Ｐ２）成分としては、ベンゾオキサジン樹脂、フェノール誘導体、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ヒドロキシフェニルシルセスキオキサン樹脂、ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン樹脂、フェノール骨格含有アクリル樹脂等が挙げられる。
【0112】
ベンゾオキサジン樹脂：
ベンゾオキサジン樹脂は、ベンゾオキサジン骨格を含む樹脂である。ベンゾオキサジン樹脂としては、下記一般式（ｐ２－１）で表される樹脂が挙げられる。
ベンゾオキサジン樹脂は、ベンゾオキサジン骨格を含む樹脂である。ベンゾオキサジン樹脂としては、下記一般式（ｐ２－１）で表される樹脂が挙げられる。
【0113】
【化7】
【0114】
前記一般式（ｐ２－１）中、Ｌｂ１は、炭素原子数１～１０の脂肪族炭化水素基を表す。Ｌｂ１における脂肪族炭化水素基は、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよく、環状構造を有してもよい。Ｌｂ１における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基でもよく、不飽和脂肪族炭化水素基でもよいが、飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。
【0115】
直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数１～８が好ましく、炭素原子数１～６がより好ましく、炭素原子数１～４がさらに好ましく、炭素原子数１、２、又は３が特に好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基は、直鎖状のアルキレン基が好ましい。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数２～８が好ましく、炭素原子数２～６がより好ましく、炭素原子数２～４がさらに好ましく、炭素原子数２又は３が特に好ましい。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数２～８が好ましく、炭素原子数２～６がより好ましく、炭素原子数２～４がさらに好ましく、炭素原子数２又は３が特に好ましい。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。
【0116】
前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。構造中に環を含む脂肪族炭化水素基における直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、上述の直鎖状の脂肪族炭化水素基または前記分岐鎖状の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素原子数が３～１０が好ましく、炭素原子数３～８がより好ましく、炭素原子数３～６がさらに好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式でもよく、単環式でもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素原子数３～６が好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素原子数７～１０が好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン等が挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素原子数が３～１０が好ましく、炭素原子数３～８がより好ましく、炭素原子数３～６がさらに好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式でもよく、単環式でもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素原子数３～６が好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素原子数７～１０が好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン等が挙げられる。
【0117】
Ｌｂ１としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、炭素原子数１～８が好ましく、炭素原子数１～６がより好ましく、炭素原子数１～４がさらに好ましく、炭素原子数１、２又は３が特に好ましい。
【0118】
一般式（ｐ２－１）中、Ｒｂ１及びＲｂ２は、それぞれ独立に、炭素原子数１２～２４の炭化水素基を表す。Ｒｂ１及びＲｂ２における炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でもよく、芳香族炭化水素基でもよい。
【0119】
Ｒｂ１及びＲｂ２における脂肪族炭化水素基は、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよく、環状構造を有してもよい。Ｒｂ１及びＲｂ２における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基でもよく、不飽和脂肪族炭化水素基でもよい。Ｒｂ１及びＲｂ２における脂肪族炭化水素基は、炭素原子数１２～２０が好ましく、炭素原子数１２～１８がより好ましく、炭素原子数１４～１６がさらに好ましい。
【0120】
Ｒｂ１及びＲｂ２における構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を１個除いた基）、脂環式炭化水素基が直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
【0121】
Ｒｂ１及びＲｂ２における芳香族炭化水素基は、単環式でもよく、多環式でもよい。前記芳香族炭化水素基が含む芳香環は、炭素原子数５～２０が好ましく、炭素原子数６～１５がより好ましく、炭素原子数６～１２がさらに好ましい。芳香環としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環が挙げられる。芳香族炭化水素基の具体例としては、前記芳香族炭化水素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２つ以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環に結合するアルキレン基は、炭素原子数１～１２が好ましく、炭素原子数１～１０がより好ましい。
【0122】
Ｒｂ１及びＲｂ２は、直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和若しくは不飽和の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状の飽和若しくは不飽和の脂肪族炭化水素基がより好ましい。Ｒｂ１及びＲｂ２が不飽和脂肪族炭化水素基である場合、不飽和結合の数は、特に限定されないが、例えば、１～５個、１～４個、１～３個、又は１個若しくは２個が挙げられる。中でも、Ｒｂ１及びＲｂ２は、直鎖状のアルキル基、直鎖状のアルケニル基、直鎖状のアルカジエン基、又は直鎖状のアルカトリエン基が好ましい。
【0123】
Ｒｂ１及びＲｂ２の具体例を以下に示すが、これらに限定されない。
【0124】
【化8】
【0125】
前記式（ｐ２－１）中、Ｒｂ３～Ｒｂ６は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｒｂ３～Ｒｂ６における置換基は、特に限定されない。Ｒｂ３～Ｒｂ６における置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基、ニトロ基、及びアミノ基、並びこれらの基を置換基として有してもよいアルキル基等が挙げられる。
Ｒｂ３～Ｒｂ６におけるアルキル基としては、炭素原子数１～６が好ましく、炭素原子数１～４がより好ましく、炭素原子数１～３がさらに好ましく、炭素原子数１又は２が特に好ましい。アルキル基は、置換基を有してもよく、有しなくてもよいが、有しないことが好ましい。
Ｒｂ３～Ｒｂ６におけるアルコキシ基としては、炭素原子数１～６が好ましく、炭素原子数１～４がより好ましく、炭素原子数１～３がさらに好ましく、炭素原子数１又は２が特に好ましい。
Ｒｂ３～Ｒｂ６におけるアルキル基又はアルコキシ基は、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよいが、直鎖状が好ましい。
Ｒｂ３～Ｒｂ６におけるアルキル基としては、炭素原子数１～６が好ましく、炭素原子数１～４がより好ましく、炭素原子数１～３がさらに好ましく、炭素原子数１又は２が特に好ましい。アルキル基は、置換基を有してもよく、有しなくてもよいが、有しないことが好ましい。
Ｒｂ３～Ｒｂ６におけるアルコキシ基としては、炭素原子数１～６が好ましく、炭素原子数１～４がより好ましく、炭素原子数１～３がさらに好ましく、炭素原子数１又は２が特に好ましい。
Ｒｂ３～Ｒｂ６におけるアルキル基又はアルコキシ基は、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよいが、直鎖状が好ましい。
【0126】
Ｒｂ３～Ｒｂ６は、水素原子又はアルキル基が好ましく、水素原子又は炭素原子数１～３のアルキル基がより好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基が特に好ましい。
【0127】
ベンゾオキサジン樹脂の具体例を以下に示すが、これに限定されない。
【0128】
【化9】
【0129】
ベンゾオキサジン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。ベンゾオキサジン樹脂は、前記式（ｐ２－１－１）中のＲが互いに異なる化合物の混合物であってもよい。
【0130】
ベンゾオキサジン樹脂以外の（Ｐ２）成分の具体例を以下に示すが、これに限定されない。
【0131】
【化10】
【0132】
（Ｐ）成分は、芳香環を含む樹脂が好ましい。前記芳香環は、芳香族炭化水素環でもよく、芳香族複素環でもよい。前記芳香環は、単環でもよく、多環でもよい。前記芳香環は、芳香環と脂肪族環との縮合環でもよい。芳香環と縮合環を形成する脂肪族環は、脂肪族炭化水素環でもよく、脂肪族複素環でもよい。（Ｐ）成分としては、（Ｐ１）成分、ベンゾオキサジン樹脂、又は前記式（ｐ２－２）で表される樹脂が好ましい。
【0133】
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する（Ｐ）成分は、１種でもよく２種以上でもよい。
本実施形態の分離層形成用組成物中の（Ｐ）成分の含有量は、形成しようとする分離層の厚さ等に応じて調整すればよい。分離層形成用組成物中の（Ｐ）成分の含有量は、例えば、当該組成物（１００質量％）に対して、１～１００質量％が挙げられる。（Ｐ）成分の含有量は、１～７０質量％が好ましく、５～５０質量％がより好ましく、１０～５０質量％がさらに好ましく、１０～３０質量％が特に好ましい。
（Ｐ）成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、分離層の光反応性をより高められやすくなる。加えて、密着性も高められやすくなる。一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の成分とのバランスが取りやすくなる。
本実施形態の分離層形成用組成物中の（Ｐ）成分の含有量は、形成しようとする分離層の厚さ等に応じて調整すればよい。分離層形成用組成物中の（Ｐ）成分の含有量は、例えば、当該組成物（１００質量％）に対して、１～１００質量％が挙げられる。（Ｐ）成分の含有量は、１～７０質量％が好ましく、５～５０質量％がより好ましく、１０～５０質量％がさらに好ましく、１０～３０質量％が特に好ましい。
（Ｐ）成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、分離層の光反応性をより高められやすくなる。加えて、密着性も高められやすくなる。一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の成分とのバランスが取りやすくなる。
【0134】
・その他成分
本実施形態の分離層形成用組成物は、上述した（Ｐ）成分に加えて、他の成分（任意成分）を含有してもよい。
かかる任意成分としては、フルオロカーボン、熱酸発生剤成分、光酸発生剤成分、感光剤成分、有機溶剤成分、界面活性剤、増感剤などが挙げられる。
本実施形態の分離層形成用組成物は、上述した（Ｐ）成分に加えて、他の成分（任意成分）を含有してもよい。
かかる任意成分としては、フルオロカーボン、熱酸発生剤成分、光酸発生剤成分、感光剤成分、有機溶剤成分、界面活性剤、増感剤などが挙げられる。
【0135】
本実施形態における、分離層を構成する材料（組成物）は、フルオロカーボンを含有してもよい。フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。フルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。
分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。
分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。
【0136】
・・熱酸発生剤
本実施形態の分離層形成用組成物は、熱酸発生剤（以下「（Ｔ）成分」ともいう。）を含有してもよい。
本実施形態の分離層形成用組成物は、熱酸発生剤（以下「（Ｔ）成分」ともいう。）を含有してもよい。
【0137】
（Ｔ）成分には、公知のものから適宜選択して用いることができる。（Ｔ）成分は、酸を発生させるための温度が、分離層形成用組成物を塗布した支持基体をプリベークする際の温度以上であるものが好ましく、１１０℃以上であるものがより好ましく、１３０℃以上であるものがさらに好ましい。
かかる（Ｔ）成分としては、例えば、トリフルオロメタンスルホン酸塩、六フッ化リン酸塩、パーフルオロブタンスルホン酸塩、三フッ化ホウ素塩、三フッ化ホウ素エーテル錯化合物等が挙げられる。好ましい（Ｔ）成分として、以下に示すカチオン部とアニオン部とからなる化合物が挙げられる。
かかる（Ｔ）成分としては、例えば、トリフルオロメタンスルホン酸塩、六フッ化リン酸塩、パーフルオロブタンスルホン酸塩、三フッ化ホウ素塩、三フッ化ホウ素エーテル錯化合物等が挙げられる。好ましい（Ｔ）成分として、以下に示すカチオン部とアニオン部とからなる化合物が挙げられる。
【0138】
【化11】
【0139】
・・・（Ｔ）成分のカチオン部について
前記式（Ｔ－ｃａ－１）中、Ｒｈ０１～Ｒｈ０４におけるアルキル基は、炭素原子数が１～２０であり、炭素原子数１～１０が好ましく、炭素原子数１～５がより好ましく、炭素原子数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、これらの中でも、メチル基、エチル基が好ましい。
前記式（Ｔ－ｃａ－１）中、Ｒｈ０１～Ｒｈ０４におけるアルキル基は、炭素原子数が１～２０であり、炭素原子数１～１０が好ましく、炭素原子数１～５がより好ましく、炭素原子数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、これらの中でも、メチル基、エチル基が好ましい。
【0140】
Ｒｈ０１～Ｒｈ０４におけるアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、環式基等が挙げられる。
【0141】
アルキル基の置換基としてのアルコキシ基は、炭素原子数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基がさらに好ましい。
アルキル基の置換基としてのハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
アルキル基の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、炭素原子数１～５のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
アルキル基の置換基としてのカルボニル基は、アルキル基を構成するメチレン基（－ＣＨ２－）を置換する基（＞Ｃ＝Ｏ）である。
アルキル基の置換基としての環式基は、芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基（多環式であってもよく、単環式であってもよい）が挙げられる。ここでの芳香族炭化水素基は、後述のＲｈ０１～Ｒｈ０４におけるアリール基と同様のものが挙げられる。ここでの脂環式炭化水素基において、単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～３０のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン；ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。
アルキル基の置換基としてのハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
アルキル基の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、炭素原子数１～５のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
アルキル基の置換基としてのカルボニル基は、アルキル基を構成するメチレン基（－ＣＨ２－）を置換する基（＞Ｃ＝Ｏ）である。
アルキル基の置換基としての環式基は、芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基（多環式であってもよく、単環式であってもよい）が挙げられる。ここでの芳香族炭化水素基は、後述のＲｈ０１～Ｒｈ０４におけるアリール基と同様のものが挙げられる。ここでの脂環式炭化水素基において、単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～３０のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン；ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。
【0142】
前記式（Ｔ－ｃａ－１）中、Ｒｈ０１～Ｒｈ０４におけるアリール基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５～３０であることが好ましく、５～２０がより好ましく、６～１５がさらに好ましく、６～１２が特に好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
Ｒｈ０１～Ｒｈ０４におけるアリール基として具体的には、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基；２つ以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。これらの中でも、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基がより好ましく、前記芳香族炭化水素環から水素原子を１つ除いた基、前記芳香族炭化水素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基がさらに好ましい。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５～３０であることが好ましく、５～２０がより好ましく、６～１５がさらに好ましく、６～１２が特に好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
Ｒｈ０１～Ｒｈ０４におけるアリール基として具体的には、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基；２つ以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。これらの中でも、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基がより好ましく、前記芳香族炭化水素環から水素原子を１つ除いた基、前記芳香族炭化水素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基がさらに好ましい。
【0143】
Ｒｈ０１～Ｒｈ０４におけるアリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、環式基、アルキルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【0144】
アリール基の置換基としてのアルキル基は、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることが好ましい。
アリール基の置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、環式基についての説明は、上述したアルキル基の置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、環式基についての説明と同様である。
アリール基の置換基としてのアルキルカルボニルオキシ基において、アルキル部分の炭素原子数は１～５が好ましく、アルキル部分はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられ、これらの中でも、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
アリール基の置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、環式基についての説明は、上述したアルキル基の置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、環式基についての説明と同様である。
アリール基の置換基としてのアルキルカルボニルオキシ基において、アルキル部分の炭素原子数は１～５が好ましく、アルキル部分はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられ、これらの中でも、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【0145】
但し、前記式（Ｔ－ｃａ－１）中、Ｒｈ０１～Ｒｈ０４のうちの少なくとも１つは、置換基を有していてもよいアリール基である。
以下に、前記式（Ｔ－ｃａ－１）で表されるカチオンの具体例を示す。
以下に、前記式（Ｔ－ｃａ－１）で表されるカチオンの具体例を示す。
【0146】
【化12】
【0147】
前記式（Ｔ－ｃａ－２）中、Ｒｈ０５～Ｒｈ０７におけるアルキル基、アリール基についての説明は、それぞれ、上述したＲｈ０１～Ｒｈ０４におけるアルキル基、アリール基についての説明と同様である。
【0148】
但し、前記式（Ｔ－ｃａ－２）中、Ｒｈ０５～Ｒｈ０７のうちの少なくとも１つは、置換基を有していてもよいアリール基である。
以下に、前記式（Ｔ－ｃａ－２）で表されるカチオンの具体例を示す。
以下に、前記式（Ｔ－ｃａ－２）で表されるカチオンの具体例を示す。
【0149】
【化13】
【0150】
・・・（Ｔ）成分のアニオン部について
（Ｔ）成分のアニオン部としては、例えば、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸アニオン等が挙げられる。
これらの中でも、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオンが好ましく、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオンがより好ましい。
（Ｔ）成分のアニオン部としては、例えば、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸アニオン等が挙げられる。
これらの中でも、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオンが好ましく、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオンがより好ましい。
【0151】
本実施形態の分離層形成用組成物においては、（Ｔ）成分として、例えば商品名がサンエイドＳＩ－４５、ＳＩ－４７、ＳＩ－６０、ＳＩ－６０Ｌ、ＳＩ－８０、ＳＩ－８０Ｌ、ＳＩ－１００、ＳＩ－１００Ｌ、ＳＩ－１１０、ＳＩ－１１０Ｌ、ＳＩ－１４５、Ｉ－１５０、ＳＩ－１６０、ＳＩ－１８０Ｌ、ＳＩ－Ｂ３、ＳＩ－Ｂ２Ａ、ＳＩ－Ｂ３Ａ、ＳＩ－Ｂ４、ＳＩ－３００（以上、三新化学工業株式会社製）；ＣＩ－２９２１、ＣＩ－２９２０、ＣＩ－２９４６、ＣＩ－３１２８、ＣＩ－２６２４、ＣＩ－２６３９、ＣＩ－２０６４（日本曹達株式会社製）；ＣＰ－６６、ＣＰ－７７（株式会社ＡＤＥＫＡ製）；ＦＣ－５２０（３Ｍ社製）；Ｋ―ＰＵＲＥ ＴＡＧ－２３９６、ＴＡＧ－２７１３Ｓ、ＴＡＧ－２７１３、ＴＡＧ－２１７２、ＴＡＧ－２１７９、ＴＡＧ－２１６８Ｅ、ＴＡＧ－２７２２、ＴＡＧ－２５０７、ＴＡＧ－２６７８、ＴＡＧ－２６８１、ＴＡＧ－２６７９、ＴＡＧ－２６８９、ＴＡＧ－２６９０、ＴＡＧ－２７００、ＴＡＧ－２７１０、ＴＡＧ－２１００、ＣＤＸ－３０２７、ＣＸＣ－１６１５、ＣＸＣ－１６１６、ＣＸＣ－１７５０、ＣＸＣ－１７３８、ＣＸＣ－１６１４、ＣＸＣ－１７４２、ＣＸＣ－１７４３、ＣＸＣ－１６１３、ＣＸＣ－１７３９、ＣＸＣ－１７５１、ＣＸＣ－１７６６、ＣＸＣ－１７６３、ＣＸＣ－１７３６、ＣＸＣ－１７５６、ＣＸＣ－１８２１、ＣＸＣ－１８０２－
６０、ＣＸＣ－２６８９（以上、ＫＩＮＧ ＩＮＤＵＳＴＲＹ社製）等の市販品を用いることができる。
６０、ＣＸＣ－２６８９（以上、ＫＩＮＧ ＩＮＤＵＳＴＲＹ社製）等の市販品を用いることができる。
【0152】
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する（Ｔ）成分は、１種でもよく２種以上でもよい。
本実施形態の分離層形成用組成物においては、上記の中でも、（Ｔ）成分として六フッ化リン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、パーフルオロブタンスルホン酸塩が好ましく、トリフルオロメタンスルホン酸塩がより好ましく、トリフルオロメタンスルホン酸の第４級アンモニウム塩がさらに好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物が（Ｔ）成分を含有する場合、（Ｔ）成分の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、０．０１～２０質量部であることが好ましく、１～１５質量部がより好ましく、２～１０質量部がさらに好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物は、（Ｔ）成分を含有しないことが好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物においては、上記の中でも、（Ｔ）成分として六フッ化リン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、パーフルオロブタンスルホン酸塩が好ましく、トリフルオロメタンスルホン酸塩がより好ましく、トリフルオロメタンスルホン酸の第４級アンモニウム塩がさらに好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物が（Ｔ）成分を含有する場合、（Ｔ）成分の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、０．０１～２０質量部であることが好ましく、１～１５質量部がより好ましく、２～１０質量部がさらに好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物は、（Ｔ）成分を含有しないことが好ましい。
【0153】
・・光酸発生剤
本実施形態の分離層形成用組成物は、光酸発生剤を含有してもよい。
光酸発生剤としては、例えば、スルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤が好適に挙げられる。
本実施形態の分離層形成用組成物は、光酸発生剤を含有してもよい。
光酸発生剤としては、例えば、スルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤が好適に挙げられる。
【0154】
オニウム塩系酸発生剤における、好ましいカチオン部としては、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが挙げられる。
【0155】
オニウム塩系酸発生剤における、好ましいアニオン部としては、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］－）；テトラキス［（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート（［Ｂ（Ｃ６Ｈ４ＣＦ３）４］－）；ジフルオロビス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［（Ｃ６Ｆ５）２ＢＦ２］－）；トリフルオロ（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［（Ｃ６Ｆ５）ＢＦ３］－）；テトラキス（ジフルオロフェニル）ボレート（［Ｂ（Ｃ６Ｈ３Ｆ２）４］－）等が挙げられる。また、下記一般式（ｂ０－２ａ）で表されるアニオンも好ましい。
【0156】
【化14】
【0157】
前記式（ｂ０－２ａ）中、Ｒｂｆ０５におけるフッ素化アルキル基は、炭素原子数が１～１０であることが好ましく、炭素原子数１～８であることがより好ましく、炭素原子数１～５であることがさらに好ましい。なかでもＲｂｆ０５としては、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基が好ましく、炭素原子数１～５のパーフルオロアルキル基がより好ましく、トリフルオロメチル基又はペンタフルオロエチル基がさらに好ましい。
前記式（ｂ０－２ａ）中、ｎｂ１は、１～４の整数が好ましく、２～４の整数がより好ましく、３が最も好ましい。
ｎｂ１が２以上の場合、複数のＲｂｆ０５は、同一であってもよく、それぞれ異なっていてもよい。
前記式（ｂ０－２ａ）中、ｎｂ１は、１～４の整数が好ましく、２～４の整数がより好ましく、３が最も好ましい。
ｎｂ１が２以上の場合、複数のＲｂｆ０５は、同一であってもよく、それぞれ異なっていてもよい。
【0158】
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する光酸発生剤は、１種でもよく２種以上でもよい。
本実施形態の分離層形成用組成物が光酸発生剤を含有する場合、光酸発生剤の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、０．０１～２０質量部であることが好ましく、１～１５質量部がより好ましく、２～１０質量部がさらに好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物は、光酸発生剤を含有しないことが好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物が光酸発生剤を含有する場合、光酸発生剤の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、０．０１～２０質量部であることが好ましく、１～１５質量部がより好ましく、２～１０質量部がさらに好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物は、光酸発生剤を含有しないことが好ましい。
【0159】
・・感光剤成分
本実施形態の分離層形成用組成物は、感光剤成分を含有してもよい。
感光剤成分（以下「（Ｃ）成分」ともいう。）としては、例えば、下記化学式（ｃ１）で表されるフェノール性水酸基含有化合物と、１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物と、のエステル化反応生成物（以下「（Ｃ１）成分」ともいう。）が好適なものとして挙げられる。
本実施形態の分離層形成用組成物は、感光剤成分を含有してもよい。
感光剤成分（以下「（Ｃ）成分」ともいう。）としては、例えば、下記化学式（ｃ１）で表されるフェノール性水酸基含有化合物と、１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物と、のエステル化反応生成物（以下「（Ｃ１）成分」ともいう。）が好適なものとして挙げられる。
【0160】
【化15】
【0161】
１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物としては、１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホニル化合物、１，２－ナフトキノンジアジド－４－スルホニル化合物等が挙げられ、１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホニル化合物が好ましい。
【0162】
以下に、（Ｃ１）成分の好適な具体例を示す。
【0163】
【化16】
【0164】
前記（Ｃ１）成分のエステル化率は、５０～７０％であることが好ましく、５５～６５％であることがより好ましい。該エステル化率が５０％以上であると、アルカリ現像後の膜減りがより抑制され、残膜率が高まる。該エステル化率が７０％以下であれば、保存安定性がより向上する。
ここでいう「エステル化率」とは、前記式（ｃ１－１）で表される化合物については、式（ｃ１－１）中のＤ１～Ｄ４が１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホニル基で置換されている割合を示す。
前記（Ｃ１）成分は、非常に安価でありながら、高感度化を図れる点からも好ましい。
ここでいう「エステル化率」とは、前記式（ｃ１－１）で表される化合物については、式（ｃ１－１）中のＤ１～Ｄ４が１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホニル基で置換されている割合を示す。
前記（Ｃ１）成分は、非常に安価でありながら、高感度化を図れる点からも好ましい。
【0165】
また、（Ｃ）成分としては、前記（Ｃ１）成分以外のその他感光剤成分（以下これを「（Ｃ２）成分」ともいう。）を用いることができる。
（Ｃ２）成分としては、例えば、下記のフェノール性水酸基含有化合物（（ｃ２－ｐｈｅ）成分）と、１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物（好ましくは、１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホニル化合物、又は、１，２－ナフトキノンジアジド－４－スルホニル化合物）と、のエステル化反応生成物が好適なものとして挙げられる。
（Ｃ２）成分としては、例えば、下記のフェノール性水酸基含有化合物（（ｃ２－ｐｈｅ）成分）と、１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物（好ましくは、１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホニル化合物、又は、１，２－ナフトキノンジアジド－４－スルホニル化合物）と、のエステル化反応生成物が好適なものとして挙げられる。
【0166】
前記（ｃ２－ｐｈｅ）成分としては、例えば、トリス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－２，３，５－トリメチルフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）－４－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）－３－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－２，５－ジメチルフェニル）－４－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－２，５－ジメチルフェニル）－３－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－２，５－ジメチルフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）－３，４－ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－２，５－ジメチルフェニル）－３，４－ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－２，５－ジメチルフェニル）－２，４－ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３－メトキシ－４－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－４－ヒドロキシ－２－メチルフェニル）－４－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－４－ヒドロキシ－２－メチルフェニル）－３－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－４－ヒドロキシ－２－メチルフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－４－ヒドロキシ－２－メチルフェニル）－３，４－ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（２，３，５－トリメチル－４－ヒドロキシフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、１－［１－（４－ヒドロキシフェニル）イソプロピル］－４－［１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１－［１－（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）イソプロピル］－４－［１，１－ビス（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２－（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）－２－（２’，３’，４’－トリヒドロキシフェニル）プロパン、２－（２，４－ジヒドロキシフェニル）－２－（２’，４’－ジヒドロキシフェニル）プロパン、２－（４－ヒドロキシフェニル）－２－（４’－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－（３－フルオロ－４－ヒドロキシフェニル）－２－（３’－フルオロ－４’－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－（２，４－ジヒドロキシフェニル）－２－（４’－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）－２－（４’－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）－２－（４’－ヒドロキシ－３’，５’－ジメチルフェニル）プロパン、ビス（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４－ジヒドロキシフェニル）メタン、２，３，４－トリヒドロキシフェニル－４’－ヒドロキシフェニルメタン、１，１－ジ（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，４－ビス［１－（４－ヒドロキシフェニル）イソプロピル］－５－ヒドロキシフェノール等が挙げられる。
【0167】
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する（Ｃ）成分は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本実施形態の分離層形成用組成物においては、上記の中でも、（Ｃ）成分として（Ｃ１）成分を用いることが好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物が（Ｃ）成分を含有する場合、（Ｃ）成分の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、９５質量部以下であることが好ましく、５０～９５質量部がより好ましく、６０～９０質量部がさらに好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物は、（Ｃ）成分を含有しないことが好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物が（Ｃ）成分を含有する場合、（Ｃ）成分の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、９５質量部以下であることが好ましく、５０～９５質量部がより好ましく、６０～９０質量部がさらに好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物は、（Ｃ）成分を含有しないことが好ましい。
【0168】
・・有機溶剤成分
本実施形態の分離層形成用組成物は、塗布作業性等を調整するため、有機溶剤成分（以下「（Ｓ）成分」ともいう。）を含有してもよい。
（Ｓ）成分としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素；炭素原子数４から１５の分岐鎖状の炭化水素；シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素；ｐ－メンタン、ｏ－メンタン、ｍ－メンタン、ジフェニルメンタン、１，４－テルピン、１，８－テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α－テルピネオール、β－テルピネオール、γ－テルピネオール、テルピネン－１－オール、テルピネン－４－オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４－シネオール、１，８－シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ－リモネン、ｌ－リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシプロピルアセテート、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等が挙げられる。
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する（Ｓ）成分は、１種でもよく２種以上でもよい。
本実施形態の分離層形成用組成物は、塗布作業性等を調整するため、有機溶剤成分（以下「（Ｓ）成分」ともいう。）を含有してもよい。
（Ｓ）成分としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素；炭素原子数４から１５の分岐鎖状の炭化水素；シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素；ｐ－メンタン、ｏ－メンタン、ｍ－メンタン、ジフェニルメンタン、１，４－テルピン、１，８－テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α－テルピネオール、β－テルピネオール、γ－テルピネオール、テルピネン－１－オール、テルピネン－４－オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４－シネオール、１，８－シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ－リモネン、ｌ－リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシプロピルアセテート、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等が挙げられる。
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する（Ｓ）成分は、１種でもよく２種以上でもよい。
【0169】
本実施形態の分離層形成用組成物において、（Ｓ）成分の使用量は、特に限定されず、支持基体等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚や塗布性に応じて適宜設定される。好ましくは、分離層形成用組成物中の上記（Ｐ）成分の総量が、該組成物の全質量（１００質量％）に対して、７０質量％以下、好ましくは５～５０質量％の範囲内、より好ましくは１０～５０質量％の範囲内となるように（Ｓ）成分は用いられる。
【0170】
・・界面活性剤
本実施形態の分離層形成用組成物は、塗布作業性等を調整するため、界面活性剤を含有してもよい。
界面活性剤としては、例えば、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤が挙げられる。シリコーン系界面活性剤には、例えばＢＹＫ－０７７、ＢＹＫ－０８５、ＢＹＫ－３００、ＢＹＫ－３０１、ＢＹＫ－３０２、ＢＹＫ－３０６、ＢＹＫ－３０７、ＢＹＫ－３１０、ＢＹＫ－３２０、ＢＹＫ－３２２、ＢＹＫ－３２３、ＢＹＫ－３２５、ＢＹＫ－３３０、ＢＹＫ－３３１、ＢＹＫ－３３３、ＢＹＫ－３３５、ＢＹＫ－３４１、ＢＹＫ－３４４、ＢＹＫ－３４５、ＢＹＫ－３４６、ＢＹＫ－３４８、ＢＹＫ－３５４、ＢＹＫ－３５５、ＢＹＫ－３５６、ＢＹＫ－３５８、ＢＹＫ－３６１、ＢＹＫ－３７０、ＢＹＫ－３７１、ＢＹＫ－３７５、ＢＹＫ－３８０、ＢＹＫ－３９０（以上、ＢＹＫ Ｃｈｅｍｉｅ社製）等を用いることができる。フッ素系界面活性剤としては、例えばＦ－１１４、Ｆ－１７７、Ｆ－４１０、Ｆ－４１１、Ｆ－４５０、Ｆ－４９３、Ｆ－４９４、Ｆ－４４３、Ｆ－４４４、Ｆ－４４５、Ｆ－４４６、Ｆ－４７０、Ｆ－４７１、Ｆ－４７２ＳＦ、Ｆ－４７４、Ｆ－４７５、Ｆ－４７７、Ｆ－４７８、Ｆ－４７９、Ｆ－４８０ＳＦ、Ｆ－４８２、Ｆ－４８３、Ｆ－４８４、Ｆ－４８６、Ｆ－４８７、Ｆ－１７２Ｄ、ＭＣＦ－３５０ＳＦ、ＴＦ－１０２５ＳＦ、ＴＦ－１１１７ＳＦ、ＴＦ－１０２６ＳＦ、ＴＦ－１１２８、ＴＦ－１１２７、ＴＦ－１１２９、ＴＦ－１１２６、ＴＦ－１１３０、ＴＦ－１１１６ＳＦ、ＴＦ－１１３１、ＴＦ－１１３２、ＴＦ－１０２７ＳＦ、ＴＦ－１４４１、ＴＦ－１４４２（以上、ＤＩＣ株式会社製）；ポリフォックスシリーズのＰＦ－６３６、ＰＦ－６３２０、ＰＦ－６５６、ＰＦ－６５２０（以上、オムノバ社製）等を用いることができる。
本実施形態の分離層形成用組成物は、塗布作業性等を調整するため、界面活性剤を含有してもよい。
界面活性剤としては、例えば、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤が挙げられる。シリコーン系界面活性剤には、例えばＢＹＫ－０７７、ＢＹＫ－０８５、ＢＹＫ－３００、ＢＹＫ－３０１、ＢＹＫ－３０２、ＢＹＫ－３０６、ＢＹＫ－３０７、ＢＹＫ－３１０、ＢＹＫ－３２０、ＢＹＫ－３２２、ＢＹＫ－３２３、ＢＹＫ－３２５、ＢＹＫ－３３０、ＢＹＫ－３３１、ＢＹＫ－３３３、ＢＹＫ－３３５、ＢＹＫ－３４１、ＢＹＫ－３４４、ＢＹＫ－３４５、ＢＹＫ－３４６、ＢＹＫ－３４８、ＢＹＫ－３５４、ＢＹＫ－３５５、ＢＹＫ－３５６、ＢＹＫ－３５８、ＢＹＫ－３６１、ＢＹＫ－３７０、ＢＹＫ－３７１、ＢＹＫ－３７５、ＢＹＫ－３８０、ＢＹＫ－３９０（以上、ＢＹＫ Ｃｈｅｍｉｅ社製）等を用いることができる。フッ素系界面活性剤としては、例えばＦ－１１４、Ｆ－１７７、Ｆ－４１０、Ｆ－４１１、Ｆ－４５０、Ｆ－４９３、Ｆ－４９４、Ｆ－４４３、Ｆ－４４４、Ｆ－４４５、Ｆ－４４６、Ｆ－４７０、Ｆ－４７１、Ｆ－４７２ＳＦ、Ｆ－４７４、Ｆ－４７５、Ｆ－４７７、Ｆ－４７８、Ｆ－４７９、Ｆ－４８０ＳＦ、Ｆ－４８２、Ｆ－４８３、Ｆ－４８４、Ｆ－４８６、Ｆ－４８７、Ｆ－１７２Ｄ、ＭＣＦ－３５０ＳＦ、ＴＦ－１０２５ＳＦ、ＴＦ－１１１７ＳＦ、ＴＦ－１０２６ＳＦ、ＴＦ－１１２８、ＴＦ－１１２７、ＴＦ－１１２９、ＴＦ－１１２６、ＴＦ－１１３０、ＴＦ－１１１６ＳＦ、ＴＦ－１１３１、ＴＦ－１１３２、ＴＦ－１０２７ＳＦ、ＴＦ－１４４１、ＴＦ－１４４２（以上、ＤＩＣ株式会社製）；ポリフォックスシリーズのＰＦ－６３６、ＰＦ－６３２０、ＰＦ－６５６、ＰＦ－６５２０（以上、オムノバ社製）等を用いることができる。
【0171】
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する界面活性剤は、１種でもよく２種以上でもよい。
本実施形態の分離層形成用組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、０．０１～１０質量部であることが好ましく、０．０２～２質量部がより好ましく、０．０３～１質量部がさらに好ましい。
界面活性剤の含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、分離層形成用組成物を支持基体上に塗布した際に、平坦性の高い分離層を容易に形成することができる。
本実施形態の分離層形成用組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、０．０１～１０質量部であることが好ましく、０．０２～２質量部がより好ましく、０．０３～１質量部がさらに好ましい。
界面活性剤の含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、分離層形成用組成物を支持基体上に塗布した際に、平坦性の高い分離層を容易に形成することができる。
【0172】
本実施形態の分離層形成用組成物において、層周縁部を構成する材料としては、光吸収性樹脂が好ましく、主鎖もしくは側鎖に芳香環又は縮合多環骨格を含む樹脂が好適に挙げられる。縮合多環骨格としては、芳香環と芳香環との縮合環構造、芳香環と脂肪族環との縮合環構造が好ましい。層周縁部を構成する材料の中では、例えば、上述した一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂成分（（Ｐ１）成分）がより好ましい。
層中央部を構成する材料としては、フルオロカーボンを含む材料が好ましい。
本明細書において「光吸収性樹脂」とは、波長１９０～１３００ｎｍの範囲の光を吸収する特性を持つ樹脂をいう。
層中央部を構成する材料としては、フルオロカーボンを含む材料が好ましい。
本明細書において「光吸収性樹脂」とは、波長１９０～１３００ｎｍの範囲の光を吸収する特性を持つ樹脂をいう。
【0173】
（第２の態様：電子部品の製造方法）
本発明の第２の態様に係る電子部品の製造方法は、上述した第１の態様に係る支持基体分離方法を使用することにより、前記積層体から前記支持基体を分離する分離工程と、前記分離工程の後、前記基板に付着する前記接着層を除去する除去工程と、を有する製造方法である。
図４Ａ及び図４Ｂは、半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一例を説明する概略図である。図４Ａは、分離工程を説明する図である。図４Ｂは、除去工程を説明する図である。
本発明の第２の態様に係る電子部品の製造方法は、上述した第１の態様に係る支持基体分離方法を使用することにより、前記積層体から前記支持基体を分離する分離工程と、前記分離工程の後、前記基板に付着する前記接着層を除去する除去工程と、を有する製造方法である。
図４Ａ及び図４Ｂは、半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一例を説明する概略図である。図４Ａは、分離工程を説明する図である。図４Ｂは、除去工程を説明する図である。
【0174】
［分離工程］
分離工程では、例えば上述した第１～３実施形態の支持基体分離方法を使用することにより、前記積層体から前記支持基体を分離する。
図４Ａは、第１実施形態の支持基体分離方法を使用して、積層体１０から支持基体１１を分離した後の状態を示している。
分離工程では、例えば上述した第１～３実施形態の支持基体分離方法を使用することにより、前記積層体から前記支持基体を分離する。
図４Ａは、第１実施形態の支持基体分離方法を使用して、積層体１０から支持基体１１を分離した後の状態を示している。
【0175】
［除去工程］
除去工程では、前記分離工程の後、基板に付着する接着層及び分離層を除去する。
図４Ａでは、分離工程の後、基板１６に接着層１４及び分離層１２が付着している。
本実施形態では、除去工程において、基板１６に付着する接着層１４及び分離層１２を除去することにより、図４Ｂに示す電子部品４０が得られている。
除去工程では、前記分離工程の後、基板に付着する接着層及び分離層を除去する。
図４Ａでは、分離工程の後、基板１６に接着層１４及び分離層１２が付着している。
本実施形態では、除去工程において、基板１６に付着する接着層１４及び分離層１２を除去することにより、図４Ｂに示す電子部品４０が得られている。
【0176】
基板１６に付着する接着層１４等を除去する方法としては、例えば、洗浄液を用いて接着層１４及び分離層１２の残渣を除去する方法、又はプラズマを照射する方法が挙げられる。洗浄液には、有機溶剤を含有する洗浄液が好適に用いられる。有機溶剤としては、分離層形成用組成物に配合の有機溶剤、接着層形成用組成物に配合の有機溶剤を用いることが好ましい。
【0177】
本実施形態の電子部品の製造方法は、上記の除去工程の後、さらに、電子部品に対してソルダーボール形成、ダイシング又は酸化膜形成等の処理を行う工程を有してもよい。
【実施例0178】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【0179】
＜積層体からの支持基体の分離性についての評価（１）＞
基板に支持基体を貼り合わせた積層体を使用して、光の照射による、積層体からの支持基体の分離性について評価した。
支持基体として、ガラス基板を用いた。
分離層形成用組成物として、フルオロカーボンを含む材料（商品名：ＵＳ２４４、東京応化工業株式会社製）、一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂ＧＳＰ－０１及びＧＳＰ―０２を含む材料（商品名：ＣＴＲＬ９、群栄化学工業株式会社製）を用いた。
接着層形成用組成物として、Ｈ１０５１（旭化成株式会社製）及びＳｅｐｔｏｎ２００２（株式会社クラレ製）を含むエラストマー接着剤［商品名：ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７（東京応化工業株式会社製）］を用いた。Ｈ１０５１は、スチレン－エチレン／ブチレン－スチレンのトリブロック共重合体である。Ｓｅｐｔｏｎ２００２は、ポリスチレン－ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマーである。
支持体分離装置として、特許第６４７０４１４号公報に開示される、図１の（ａ）に示す支持体分離装置１００と同一形態のものを用いた。
基板に支持基体を貼り合わせた積層体を使用して、光の照射による、積層体からの支持基体の分離性について評価した。
支持基体として、ガラス基板を用いた。
分離層形成用組成物として、フルオロカーボンを含む材料（商品名：ＵＳ２４４、東京応化工業株式会社製）、一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂ＧＳＰ－０１及びＧＳＰ―０２を含む材料（商品名：ＣＴＲＬ９、群栄化学工業株式会社製）を用いた。
接着層形成用組成物として、Ｈ１０５１（旭化成株式会社製）及びＳｅｐｔｏｎ２００２（株式会社クラレ製）を含むエラストマー接着剤［商品名：ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７（東京応化工業株式会社製）］を用いた。Ｈ１０５１は、スチレン－エチレン／ブチレン－スチレンのトリブロック共重合体である。Ｓｅｐｔｏｎ２００２は、ポリスチレン－ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマーである。
支持体分離装置として、特許第６４７０４１４号公報に開示される、図１の（ａ）に示す支持体分離装置１００と同一形態のものを用いた。
【0180】
（実施例１）
・積層体の作製
上述の第１実施形態における分離層と同一の形態、すなわち、層周縁部が層中央部の外周に面一に配置されている形態とした分離層を備えた積層体、を以下のようにして作製した。
ガラス基板上に、ＵＳ２４４を塗布して製膜し、層中央部を形成した。
次いで、層中央部の外周の長さ（Ｌ１）５ｍｍまでの範囲である領域に、ＣＴＲＬ９を塗布した。その後、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、層中央部の外周に面一に層周縁部を形成した。次いで、層中央部と層周縁部とからなる分離層の全面に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を塗布して接着層を形成し、その後、被加工基板と貼り付けを行い、積層体を得た。
・積層体の作製
上述の第１実施形態における分離層と同一の形態、すなわち、層周縁部が層中央部の外周に面一に配置されている形態とした分離層を備えた積層体、を以下のようにして作製した。
ガラス基板上に、ＵＳ２４４を塗布して製膜し、層中央部を形成した。
次いで、層中央部の外周の長さ（Ｌ１）５ｍｍまでの範囲である領域に、ＣＴＲＬ９を塗布した。その後、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、層中央部の外周に面一に層周縁部を形成した。次いで、層中央部と層周縁部とからなる分離層の全面に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を塗布して接着層を形成し、その後、被加工基板と貼り付けを行い、積層体を得た。
【0181】
・積層体から支持基体を分離する工程
前記の支持体分離装置を用い、得られた積層体に対し、ガラス基板側から層周縁部にレーザ光を照射した。レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚに設定した。
その後、クランプによりガラス基板を持ち上げ、基板とガラス基板との間に形成された隙間にドライエアーを吹き付けた。これにより、積層体からガラス基板が分離した。そのときの剥離界面はＵＳ２４４／接着層であった。
前記の支持体分離装置を用い、得られた積層体に対し、ガラス基板側から層周縁部にレーザ光を照射した。レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚに設定した。
その後、クランプによりガラス基板を持ち上げ、基板とガラス基板との間に形成された隙間にドライエアーを吹き付けた。これにより、積層体からガラス基板が分離した。そのときの剥離界面はＵＳ２４４／接着層であった。
【0182】
（実施例２）
・積層体の作製
上述の第２実施形態における分離層と同一の形態、すなわち、第１分離層と第２分離層とが積層し、かつ、前記第２分離層が前記第１分離層の側面を覆う層とされている形態とした分離層を備えた積層体、を以下のようにして作製した。
ガラス基板上に、層周縁部となる領域（長さ（Ｌ２）５ｍｍまでの範囲である領域）を除いてＣＴＲＬ９を塗布し、３５０℃／１ｈｒで硬化を行い、層中央部を構成する第１分離層を形成した。次いで、第１分離層の全体を覆うように、層周縁部となる領域までＣＴＲＬ９を塗布した。その後、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、第１分離層の上面及び側面を覆う第２分離層を形成した（ガラス基板側から見た平面視で、第１分離層が、層中央部を構成し、第１分離層の側面を覆う第２分離層部分が、層周縁部を構成している）。
次いで、分離層におけるガラス基板と反対側の全面、すなわち、第２分離層の全面に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を塗布して接着層を形成し、その後、被加工基板と貼り付けを行い、積層体を得た。
・積層体の作製
上述の第２実施形態における分離層と同一の形態、すなわち、第１分離層と第２分離層とが積層し、かつ、前記第２分離層が前記第１分離層の側面を覆う層とされている形態とした分離層を備えた積層体、を以下のようにして作製した。
ガラス基板上に、層周縁部となる領域（長さ（Ｌ２）５ｍｍまでの範囲である領域）を除いてＣＴＲＬ９を塗布し、３５０℃／１ｈｒで硬化を行い、層中央部を構成する第１分離層を形成した。次いで、第１分離層の全体を覆うように、層周縁部となる領域までＣＴＲＬ９を塗布した。その後、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、第１分離層の上面及び側面を覆う第２分離層を形成した（ガラス基板側から見た平面視で、第１分離層が、層中央部を構成し、第１分離層の側面を覆う第２分離層部分が、層周縁部を構成している）。
次いで、分離層におけるガラス基板と反対側の全面、すなわち、第２分離層の全面に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を塗布して接着層を形成し、その後、被加工基板と貼り付けを行い、積層体を得た。
【0183】
・積層体から支持基体を分離する工程
前記の支持体分離装置を用い、得られた積層体に対し、ガラス基板側から層周縁部にレーザ光を照射した。レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚに設定した。
その後、クランプによりガラス基板を持ち上げ、基板とガラス基板との間に形成された隙間にドライエアーを吹き付けた。これにより、積層体からガラス基板が分離した。そのときの剥離界面はガラス基板／第１分離層（ＣＴＲＬ９（３５０℃／１ｈｒ硬化））であった。
前記の支持体分離装置を用い、得られた積層体に対し、ガラス基板側から層周縁部にレーザ光を照射した。レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚに設定した。
その後、クランプによりガラス基板を持ち上げ、基板とガラス基板との間に形成された隙間にドライエアーを吹き付けた。これにより、積層体からガラス基板が分離した。そのときの剥離界面はガラス基板／第１分離層（ＣＴＲＬ９（３５０℃／１ｈｒ硬化））であった。
【0184】
（実施例３）
・積層体の作製
上述の第３実施形態における分離層と同一の形態、すなわち、第３分離層と第４分離層とが、平面視で前記第４分離層の外周に前記第３分離層が露出するように積層した層である形態とした分離層を備えた積層体、を以下のようにして作製した。
ガラス基板の全面に、ＣＴＲＬ９を塗布し、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、第３分離層を形成した。次いで、第３分離層上に、ＵＳ２４４を塗布して製膜し、層周縁部となる領域（長さ（Ｌ３）５ｍｍまでの範囲である領域）をＳＬ－Ｒｅｍｏｖｅｒでエッジカットして、第４分離層を形成した（分離層側のガラス基板の上方から見た平面視で、第４分離層が層中央部を構成し、第４分離層の外周に露出する第３分離層部分が、層周縁部を構成している）。
次いで、分離層におけるガラス基板と反対側の全面、すなわち、第４分離層及び第３分離層部分に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を塗布して接着層を形成し、その後、被加工基板と貼り付けを行い、積層体を得た。
・積層体の作製
上述の第３実施形態における分離層と同一の形態、すなわち、第３分離層と第４分離層とが、平面視で前記第４分離層の外周に前記第３分離層が露出するように積層した層である形態とした分離層を備えた積層体、を以下のようにして作製した。
ガラス基板の全面に、ＣＴＲＬ９を塗布し、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、第３分離層を形成した。次いで、第３分離層上に、ＵＳ２４４を塗布して製膜し、層周縁部となる領域（長さ（Ｌ３）５ｍｍまでの範囲である領域）をＳＬ－Ｒｅｍｏｖｅｒでエッジカットして、第４分離層を形成した（分離層側のガラス基板の上方から見た平面視で、第４分離層が層中央部を構成し、第４分離層の外周に露出する第３分離層部分が、層周縁部を構成している）。
次いで、分離層におけるガラス基板と反対側の全面、すなわち、第４分離層及び第３分離層部分に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を塗布して接着層を形成し、その後、被加工基板と貼り付けを行い、積層体を得た。
【0185】
・積層体から支持基体を分離する工程
前記の支持体分離装置を用い、得られた積層体に対し、ガラス基板側から層周縁部（第３分離層部分）にレーザ光を照射した。レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚに設定した。
その後、クランプによりガラス基板を持ち上げ、基板とガラス基板との間に形成された隙間にドライエアーを吹き付けた。これにより、積層体からガラス基板が分離した。そのときの剥離界面は第４分離層（ＵＳ２４４）／接着層であった。
前記の支持体分離装置を用い、得られた積層体に対し、ガラス基板側から層周縁部（第３分離層部分）にレーザ光を照射した。レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚに設定した。
その後、クランプによりガラス基板を持ち上げ、基板とガラス基板との間に形成された隙間にドライエアーを吹き付けた。これにより、積層体からガラス基板が分離した。そのときの剥離界面は第４分離層（ＵＳ２４４）／接着層であった。
【0186】
（比較例１）
ガラス基板の全面に、ＣＴＲＬ９を塗布し、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、ＣＴＲＬ９層を形成した。
次いで、ＣＴＲＬ９層上に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を塗布して接着層を形成し、その後、被加工基板と貼り付けを行い、積層体を得た。
前記の支持体分離装置を用い、得られた積層体に対し、ガラス基板側からＣＴＲＬ９層にレーザ光を照射した。レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚに設定した。
その後、クランプによりガラス基板を持ち上げようとしたができなかった。
ガラス基板の全面に、ＣＴＲＬ９を塗布し、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、ＣＴＲＬ９層を形成した。
次いで、ＣＴＲＬ９層上に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を塗布して接着層を形成し、その後、被加工基板と貼り付けを行い、積層体を得た。
前記の支持体分離装置を用い、得られた積層体に対し、ガラス基板側からＣＴＲＬ９層にレーザ光を照射した。レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚに設定した。
その後、クランプによりガラス基板を持ち上げようとしたができなかった。
【0187】
＜支持基体と基板との密着性についての評価（１）：試験例１～６＞
サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのＥＸＧガラス基板上に、表１に示すように硬化条件を変えて各分離層を製膜した。
次いで、製膜した膜上に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を、膜厚５０μｍになるようにスピン塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成した。
次いで、前記接着層を、カッターにより１０ｍｍ幅の帯状にカットした。
次いで、ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離した。このときの接着強度（Ｎ）を測定して、そのときの剥離界面のピール強度を求めた。この結果を表１に示した。
サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのＥＸＧガラス基板上に、表１に示すように硬化条件を変えて各分離層を製膜した。
次いで、製膜した膜上に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を、膜厚５０μｍになるようにスピン塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成した。
次いで、前記接着層を、カッターにより１０ｍｍ幅の帯状にカットした。
次いで、ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離した。このときの接着強度（Ｎ）を測定して、そのときの剥離界面のピール強度を求めた。この結果を表１に示した。
【0188】
【表1】
【0189】
上述の実施例１～３における分離層において、層周縁部は、いずれも、材料としてＣＴＲＬ９が用いられ、３００℃／１０ｍｉｎの硬化条件で形成されている（試験例２に相当）。
実施例１における層中央部は、材料としてＵＳ２４４が用いられている（試験例１に相当）。実施例２における層中央部は、材料としてＣＴＲＬ９が用いられ、３５０℃／１ｈｒの硬化条件で形成されている（試験例３に相当）。実施例３における層中央部は、材料としてＵＳ２４４が用いられている（試験例１に相当）。
表１に示す結果から、実施例１～３における分離層は、支持基体又は接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなること；層周縁部は、層中央部に比べて前記接着力が高いこと；を確認することができる。
実施例１における層中央部は、材料としてＵＳ２４４が用いられている（試験例１に相当）。実施例２における層中央部は、材料としてＣＴＲＬ９が用いられ、３５０℃／１ｈｒの硬化条件で形成されている（試験例３に相当）。実施例３における層中央部は、材料としてＵＳ２４４が用いられている（試験例１に相当）。
表１に示す結果から、実施例１～３における分離層は、支持基体又は接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなること；層周縁部は、層中央部に比べて前記接着力が高いこと；を確認することができる。
【0190】
＜積層体からの支持基体の分離性についての評価（２）＞
基板に支持基体を貼り合わせた積層体を使用して、光の照射による、積層体からの支持基体の分離性について評価した。
支持基体として、ガラス基板を用いた。
分離層形成用組成物として、ＣＴＲＬ９を用いた。
離型層形成用組成物として、シリコーン系樹脂を使用した離型層コーティング剤ＴＯＭＡＸ ＦＳ９３０９Ｌ（日本化工塗料株式会社製）と、硬化剤との混合物（質量比１００／４）を用いた。
接着層形成用組成物として、ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７（東京応化工業株式会社製）を用いた。
支持体分離装置として、特許第６４７０４１４号公報に開示される、図１の（ａ）に示す支持体分離装置１００と同一形態のものを用いた。
基板に支持基体を貼り合わせた積層体を使用して、光の照射による、積層体からの支持基体の分離性について評価した。
支持基体として、ガラス基板を用いた。
分離層形成用組成物として、ＣＴＲＬ９を用いた。
離型層形成用組成物として、シリコーン系樹脂を使用した離型層コーティング剤ＴＯＭＡＸ ＦＳ９３０９Ｌ（日本化工塗料株式会社製）と、硬化剤との混合物（質量比１００／４）を用いた。
接着層形成用組成物として、ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７（東京応化工業株式会社製）を用いた。
支持体分離装置として、特許第６４７０４１４号公報に開示される、図１の（ａ）に示す支持体分離装置１００と同一形態のものを用いた。
【0191】
（実施例４）
・積層体の作製
上述のその他実施形態における分離層と同一の形態、すなわち、第３分離層と離型層とが、平面視で前記離型層の外周に前記第３分離層が露出するように積層した層である形態とした分離層を備えた積層体、を以下のようにして作製した。
ガラス基板の全面に、ＣＴＲＬ９を塗布し、９０℃／２ｍｉｎで乾燥させた後、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、第３分離層を形成した。次いで、第３分離層上に、前記離型層形成用組成物を塗布して製膜し、層周縁部となる領域（長さ（Ｌ３）５ｍｍまでの範囲である領域）をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）でエッジカットし、１５０℃／５ｍｉｎで硬化を行い、離型層を形成した（分離層側のガラス基板の上方から見た平面視で、離型層が層中央部を構成し、離型層の外周に露出する第３分離層部分が、層周縁部を構成している）。
次いで、分離層におけるガラス基板と反対側の全面、すなわち、離型層及び第３分離層部分に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を塗布して接着層を形成し、その後、被加工基板と貼り付けを行い、積層体を得た。
・積層体の作製
上述のその他実施形態における分離層と同一の形態、すなわち、第３分離層と離型層とが、平面視で前記離型層の外周に前記第３分離層が露出するように積層した層である形態とした分離層を備えた積層体、を以下のようにして作製した。
ガラス基板の全面に、ＣＴＲＬ９を塗布し、９０℃／２ｍｉｎで乾燥させた後、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、第３分離層を形成した。次いで、第３分離層上に、前記離型層形成用組成物を塗布して製膜し、層周縁部となる領域（長さ（Ｌ３）５ｍｍまでの範囲である領域）をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）でエッジカットし、１５０℃／５ｍｉｎで硬化を行い、離型層を形成した（分離層側のガラス基板の上方から見た平面視で、離型層が層中央部を構成し、離型層の外周に露出する第３分離層部分が、層周縁部を構成している）。
次いで、分離層におけるガラス基板と反対側の全面、すなわち、離型層及び第３分離層部分に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を塗布して接着層を形成し、その後、被加工基板と貼り付けを行い、積層体を得た。
【0192】
・積層体から支持基体を分離する工程
前記の支持体分離装置を用い、得られた積層体に対し、ガラス基板側から層周縁部（第３分離層部分）にレーザ光を照射した。レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚに設定した。
その後、クランプによりガラス基板を持ち上げ、基板とガラス基板との間に形成された隙間にドライエアーを吹き付けた。これにより、積層体からガラス基板が分離した。そのときの剥離界面は離型層／接着層であった。
前記の支持体分離装置を用い、得られた積層体に対し、ガラス基板側から層周縁部（第３分離層部分）にレーザ光を照射した。レーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚに設定した。
その後、クランプによりガラス基板を持ち上げ、基板とガラス基板との間に形成された隙間にドライエアーを吹き付けた。これにより、積層体からガラス基板が分離した。そのときの剥離界面は離型層／接着層であった。
【0193】
＜支持基体と基板との密着性についての評価（２）：試験例７＞
１２インチのガラス基板上に、ＣＴＲＬ９を塗布し、９０℃／２ｍｉｎで乾燥させた後、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、第３分離層であるＣＴＲＬ９層を形成した。
ＣＴＲＬ９層上に、前記離型層形成用組成物を、膜厚２μｍとなるようにスピン塗布を行い、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）でエッジ５ｍｍがカットできるようにエッジリンスを行った後、１５０℃／５ｍｉｎで硬化を行うことにより、離型層を製膜した。
次いで、製膜した分離層上に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を、膜厚５０μｍになるようにスピン塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成した。
次いで、前記接着層を、カッターにより１０ｍｍ幅の帯状にカットした。
次いで、ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離した。このときの接着強度（Ｎ）を測定して、そのときの剥離界面のピール強度を求めた。この結果を表２に示した。
１２インチのガラス基板上に、ＣＴＲＬ９を塗布し、９０℃／２ｍｉｎで乾燥させた後、３００℃／１０ｍｉｎで硬化を行い、第３分離層であるＣＴＲＬ９層を形成した。
ＣＴＲＬ９層上に、前記離型層形成用組成物を、膜厚２μｍとなるようにスピン塗布を行い、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）でエッジ５ｍｍがカットできるようにエッジリンスを行った後、１５０℃／５ｍｉｎで硬化を行うことにより、離型層を製膜した。
次いで、製膜した分離層上に、接着層形成用組成物（ＴＺＮＲ（登録商標）－Ａ４０１７）を、膜厚５０μｍになるようにスピン塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成した。
次いで、前記接着層を、カッターにより１０ｍｍ幅の帯状にカットした。
次いで、ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離した。このときの接着強度（Ｎ）を測定して、そのときの剥離界面のピール強度を求めた。この結果を表２に示した。
【0194】
【表2】
【0195】
上述の実施例４における積層体において、層周縁部は、材料としてＣＴＲＬ９が用いられ、３００℃／１０ｍｉｎの硬化条件で形成されている（試験例２に相当）。層中央部は、材料として離型剤が用いられている（試験例７に相当）。
表２に示す結果から、実施例４における分離層は、接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなること；層周縁部は、層中央部に比べて前記接着力が高いこと；を確認することができる。
表２に示す結果から、実施例４における分離層は、接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなること；層周縁部は、層中央部に比べて前記接着力が高いこと；を確認することができる。
【0196】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれら実施例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。本発明は前述した説明によって限定されることはなく、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
【符号の説明】
【0197】
１０，２０，３０，５０ 積層体
１１，２１，３１，５１ 支持基体
１２，２２，３２，５２ 分離層
１２Ａ，２２Ａ，３２Ａ 層中央部
１２Ｂ，２２Ｂ，３２Ｂ 層周縁部
１４，２４，３４，５４ 接着層
１６，２６，３６，５６ 基板
１８，２８，３８，５８ 封止材層
４０ 電子部品
１１，２１，３１，５１ 支持基体
１２，２２，３２，５２ 分離層
１２Ａ，２２Ａ，３２Ａ 層中央部
１２Ｂ，２２Ｂ，３２Ｂ 層周縁部
１４，２４，３４，５４ 接着層
１６，２６，３６，５６ 基板
１８，２８，３８，５８ 封止材層
４０ 電子部品
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】