特開 2025-13039 表面処理剤、物品、及び物品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025013039

(43)【公開日】2025-01-24

(54)【発明の名称】表面処理剤、物品、及び物品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C09D 183/04 20060101AFI20250117BHJP

   C09D 5/16 20060101ALI20250117BHJP

【ＦＩ】

C09D183/04

C09D5/16

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023116315

(22)【出願日】2023-07-14

(71)【出願人】

【識別番号】000000044

【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】青山 元志

(72)【発明者】

【氏名】原口 将幸

【テーマコード（参考）】

4J038

【Ｆターム（参考）】

4J038DL031

4J038GA15

4J038JA11

4J038KA06

4J038NA05

4J038PB08

4J038PC03

4J038PC08

(57)【要約】

【課題】基材に対して、均一性に優れた表面処理層を形成し得る表面処理剤等を提供する。
【解決手段】オルガノポリシロキサン残基と反応性シリル基とを有する第１の化合物と、液状媒体と、を含み、液状媒体は、フッ素原子を有し、水酸基を有さず、比重１．００以上１．４０未満である第２の化合物を含む、表面処理剤及びその応用。
【選択図】なし

【特許請求の範囲】

【請求項1】

オルガノポリシロキサン残基と反応性シリル基とを有する第１の化合物と、液状媒体と、を含み、
前記液状媒体は、フッ素原子を有し、水酸基を有さず、比重１．００以上１．４０未満である第２の化合物を含む、表面処理剤。

【請求項2】

前記第２の化合物は、下記式（Ａ）で表される化合物である、請求項１に記載の表面処理剤。

【化1】

式（Ａ）中、
Ｘ^１、Ｘ^２は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、又は塩素原子であり、
Ｙ^１、Ｙ^２は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は炭素原子数１～５の脂肪族飽和炭化水素基（ただし、水素原子の一部又は全部が塩素原子又はフッ素原子で置換されてもよい。）であり、Ｙ^１とＹ^２の合計の炭素原子数は１～５であり、
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｙ^１及びＹ^２のうち少なくとも１つは、フッ素原子である。

【請求項3】

前記反応性シリル基は、下記式（Ｓ１）で表される、請求項１又は２に記載の表面処理剤。
－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ …（Ｓ１）
式（Ｓ１）中、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎは、０～２の整数である。

【請求項4】

前記オルガノポリシロキサン残基は、下記式（Ｂ１）で表される、請求項１又は２に記載の表面処理剤。

【化2】

式（Ｂ１）中、
Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
ｋ１は、１以上の数である。

【請求項5】

前記第１の化合物は、下記式（Ｃ）又は下記（Ｄ）で表される、請求項１又は２に記載の表面処理剤。

【化3】

式（Ｃ）及び式（Ｄ）中、
Ｔ^１１は、１価の基であり、
Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
ｋ１、は１以上の数であり、
Ａは、単結合又はｑ１＋１価の連結基であり、
ｑ１は、それぞれ独立に、１以上の整数であり、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎは、０～２の整数である。

【請求項6】

前記第１の化合物の含有量は、前記表面処理剤の全量に対して、０．００１～５０質量％である、請求項１又は２に記載の表面処理剤。

【請求項7】

防汚性コーティング剤である、請求項１又は２に記載の表面処理剤。

【請求項8】

基材に対して、請求項１又２に記載の表面処理剤を用いて表面処理を行い、前記基材上に表面処理層が形成された物品を製造する、物品の製造方法。

【請求項9】

基材と、前記基材上に配置され、請求項１又２に記載の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含む物品。

【請求項10】

光学部材である、請求項９に記載の物品。

【請求項11】

ディスプレイ又はタッチパネルである、請求項９に記載の物品。

【請求項12】

防汚性コーティング剤である、請求項５に記載の表面処理剤。

【請求項13】

基材に対して、請求項５に記載の表面処理剤を用いて表面処理を行い、前記基材上に表面処理層が形成された物品を製造する、物品の製造方法。

【請求項14】

基材と、前記基材上に配置され、請求項５に記載の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含む物品。

【請求項15】

光学部材である、請求項１４に記載の物品。

【請求項16】

ディスプレイ又はタッチパネルである、請求項１４に記載の物品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表面処理剤、物品、及び物品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、外観、視認性等の性能を向上させるために、物品の表面に指紋を付きにくくする技術や、汚れを落としやすくする技術が求められている。具体的な方法として、物品の表面に表面処理剤を用いて表面処理を行う方法が知られている。

【0003】

例えば、特許文献１には、ポリジアルキルシロキサン骨格を含み、Ｘ線光電子分光法で測定した炭素原子とケイ素原子の比率（Ｃ／Ｓｉ）が、モル基準で、０．９３以上、１．３８未満である皮膜が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１７－２０１０１０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

表面処理剤によって形成される表面処理層において、均一性の向上が求められている。

【0006】

本開示はこのような事情に鑑みてなされたものであり、本発明の一実施形態が解決しようとする課題は、基材に対して、均一性に優れた表面処理層を形成し得る表面処理剤を提供することにある。
本発明の一実施形態が解決しようとする課題は、均一性に優れた表面処理層を有する物品及び物品の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示は以下の態様を含む。
＜１＞
オルガノポリシロキサン残基と反応性シリル基とを有する第１の化合物と、液状媒体と、を含み、
液状媒体は、フッ素原子を有し、水酸基を有さず、比重１．００以上１．４０未満である第２の化合物を含む、表面処理剤。
＜２＞
第２の化合物は、下記式（Ａ）で表される化合物である、＜１＞に記載の表面処理剤。

【化1】

式（Ａ）中、
Ｘ^１、Ｘ^２は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、又は塩素原子であり、
Ｙ^１、Ｙ^２は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は炭素原子数１～５の脂肪族飽和炭化水素基（ただし、水素原子の一部又は全部が塩素原子又はフッ素原子で置換されてもよい。）であり、Ｙ^１とＹ^２の合計の炭素原子数は１～５であり、
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｙ^１及びＹ^２のうち少なくとも１つは、フッ素原子である。
＜３＞
反応性シリル基は、下記式（Ｓ１）で表される、＜１＞又は＜２＞に記載の表面処理剤。
－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ …（Ｓ１）
式（Ｓ１）中、
Ｒ^２はそれぞれ独立に、炭化水素基であり、
Ｌはそれぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎは０～２の整数である。
＜４＞
オルガノポリシロキサン残基は、下記式（Ｂ１）で表される、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。

【化2】

式（Ｂ１）中、
Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
ｋ１は１以上の数である。
＜５＞
第１の化合物は、下記式（Ｃ）又は下記（Ｄ）で表されるで表される、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。

【化3】

式（Ｃ）及び式（Ｄ）中、
Ｔ^１１は、１価の基であり、
Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
ｋ１は、１以上の数であり、
Ａは、単結合又はｑ１＋１価の連結基であり、
ｑ１は、それぞれ独立に、１以上の整数であり、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎは、０～２の整数である。
＜６＞
第１の化合物の含有量は、表面処理剤の全量に対して、０．００１～５０質量％である、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
＜７＞防汚性コーティング剤である、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
＜８＞
基材に対して、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の表面処理剤を用いて表面処理を行い、基材上に表面処理層が形成された物品を製造する、物品の製造方法。
＜９＞
基材と、基材上に配置され、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含む物品。
＜１０＞
光学部材である、＜９＞に記載の物品。
＜１１＞
ディスプレイ又はタッチパネルである、＜９＞に記載の物品。

【発明の効果】

【0008】

本発明の一実施形態によれば、基材に対して、均一性に優れた表面処理層を形成し得る表面処理剤が提供される。
本発明の一実施形態によれば、均一性に優れた表面処理層を有する物品及び物品の製造方法が提供される。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下
限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において、「表面処理層」とは、基材の表面に、表面処理によって形成される層を意味する。
本開示において、「均一性」とは、表面処理層の表面の平滑性を意味する。
本開示において、化合物又は基が特定の式（Ｘ）で表される場合、当該式（Ｘ）で表される化合物又は基をそれぞれ化合物（Ｘ）若しくは化合物Ｘ、及び基（Ｘ）若しくは基Ｘと記すことがある。

【0010】

［表面処理剤］
本開示の表面処理剤は、オルガノポリシロキサン残基と反応性シリル基とを有する第１の化合物と、液状媒体と、を含み、液状媒体は、フッ素原子を有し、水酸基を有さず、比重１．００以上１．４０未満である第２の化合物を含む。

【0011】

本開示の表面処理剤によれば、均一性に優れた表面処理剤を形成できる。
これは、液状媒体が、フッ素原子を有し、水酸基を有さず、比重１．００以上１．４０未満である第２の化合物を含むことで、第１の化合物との相溶性に優れるためと考えられる。

【0012】

以下、本開示の表面処理剤に含まれる各成分について、詳細に説明する。

【0013】

＜第１の化合物＞
（反応性シリル基）
本開示の表面処理剤は、オルガノポリシロキサン残基と反応性シリル基とを有する第１の化合物を含む。

【0014】

第１の化合物に含まれる反応性シリル基の数は、１以上であり、表面処理層の耐摩耗性をより向上させる観点から、２～１８が好ましく、２～１２がより好ましく、２～８がさらに好ましく、２～４が特に好ましい。反応性シリル基の数は１であってもよい。

【0015】

反応性シリル基とは、Ｓｉ原子に反応性基が結合した基を意味する。反応性基としては、加水分解性基、加水分解性、加水分解性基を有する基、又は水酸基が好ましい。

【0016】

加水分解性基は、加水分解反応により水酸基となる基である。すなわち、Ｓｉ－Ｌ^１で表される加水分解性を有するシリル基は、加水分解反応によりＳｉ－ＯＨで表されるシラノール基となる。シラノール基は、さらにシラノール基間で反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面に存在する酸化物に由来するシラノール基と脱水縮合反応して、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成できる。

【0017】

加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシアルキレンオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミノ基、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｒ _２及びイソシアナト基（－ＮＣＯ）が挙げられる。アルコキシ基は、炭素数１～４のアルコキシ基であることが好ましい。アリールオキシ基は、炭素数３～１０のアリールオキシ基であることが好ましい。ただし、アリールオキシ基のアリール基は、ヘテロアリール基を含む。ハロゲン原子は、塩素原子であることが好ましい。アシル基は、炭素数１～６のアシル基であることが好ましい。アシルオキシ基は、炭素数１～６のアシルオキシ基であることが好ましい。Ｒ^ｒはそれぞれ独立に、炭素数１～１０のアルキル基である。

【0018】

加水分解性基を有する基としては、例えば、上記で例示される加水分解性基を有する基が挙げられる。加水分解性基を有する基は、－Ｏ－Ｌ^Ａ－Ｌ^Ｂが好ましい。Ｌ^Ａはアルキレン基であり、Ｌ^Ｂは加水分解性基である。アルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましい。Ｌ^Ｂで表される加水分解性基は、上述したＬで表される加水分解性基と同義であり、好適態様も同じである。

【0019】

反応性シリル基は、下記式（Ｓ１）で表される基であることが好ましい。
－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ …（Ｓ１）

【0020】

式（Ｓ１）中、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、１価の炭化水素基であり、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎは、０～２の整数である。

【0021】

反応性シリル基が１分子中に複数ある場合、複数の反応性シリル基は、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、化合物の製造容易性の観点からは、複数の反応性シリル基は、同じであることが好ましい。

【0022】

Ｒ^２はそれぞれ独立に、１価の炭化水素基であり、１価の飽和炭化水素基が好ましい。Ｒ^２の炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。

【0023】

Ｌはそれぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基である。加水分解性基、及び加水分解性基を有する基の詳細は、上記のとおりである。

【0024】

中でも、Ｌは、化合物の製造容易性の観点から、炭素数１～４のアルコキシ基又はハロゲン原子であることが好ましい。Ｌは、塗布時のアウトガスが少なく、化合物の保存安定性がより優れる点から、炭素数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基又はメトキシ基がより好ましい。

【0025】

ｎは、０～２の整数であり、０又は１が好ましく、０がより好ましい。Ｌが複数存在することによって、表面処理層の基材への密着性がより強固になる。

【0026】

ｎが１以下である場合、１分子中に存在する複数のＬは、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、化合物の製造容易性の観点から、複数のＬは同じであることが好ましい。ｎが２である場合、１分子中に存在する複数のＲ^２は同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、化合物の製造容易性の観点から、複数のＲ^２は同じであることが好ましい。

【0027】

表面処理層の均一性及び耐久性に優れる観点から、反応性シリル基はアルコキシシリル基又はトリクロロシリル基であることが好ましい。基材との反応において生じる副生物の取り扱いやすさの観点から、反応性シリル基は、アルコキシシリル基であることがより好ましい。アルコキシシリル基としては、ジアルコキシシリル基又はトリアルコキシシリル基が好ましく、トリアルコキシシリル基がより好ましい。

【0028】

また、反応性シリル基は、下記式（Ｓ２）で表される基であってもよい。
＞ＳｉＬ_２ …（Ｓ２）
Ｌは、式（Ｓ１）におけるＬと同様である。

【0029】

（オルガノポリシロキサン残基）
第１の化合物は、オルガノポリシロキサン残基を含む。

【0030】

オルガノポリシロキサン残基としては、鎖状のオルガノポリシロキサン残基、環状のオルガノポリシロキサン残基、及びかご状のオルガノポリシロキサン残基が挙げられる。中でも、オルガノポリシロキサン残基は、鎖状のオルガノポリシロキサン残基が好ましく、２価の鎖状のオルガノポリシロキサン残基がより好ましい。

【0031】

オルガノポリシロキサン残基としては、下記式（Ｂ１）～（Ｂ３）が挙げられる。中でも、オルガノポリシロキサン残基は、式（Ｂ１）が好ましい。

【0032】

【化4】

【0033】

式（Ｂ１）～（Ｂ３）中、
Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭化水素基である。
式（Ｂ１）中、
ｋ１は、１以上の数である。
式（Ｂ２）中、
ｋ２及びｋ３は、それぞれ独立に、１以上の数である。
式（Ｂ３）中、
ｋ４は、それぞれ独立に、１～３の数である。

【0034】

Ｒ^３で表される炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭化水素基は、脂肪族炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましい。アルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、及び環状アルキル基のいずれであってもよいが、直鎖状アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、又はｎ－ブチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。また、芳香族炭化水素基としては、フェニル基が好ましい。

【0035】

ｋ１は１以上の数であり、２～６００であることが好ましく、３～５００であることがより好ましく、９～５０がさらに好ましく、１１～３０が特に好ましく、１１～２５が最も好ましい

【0036】

ｋ２は１以上の数であり、２～６００であることが好ましく、３～５００であることがより好ましい。

【0037】

ｋ３は１以上の数であり、２～６００であることが好ましく、３～５００であることがより好ましい。

【0038】

ｋ４は１～３の数であり、１又は２であることが好ましい。

【0039】

第１の化合物の好ましい態様は、以下のとおり、化合物（１）～（６）、ポリマー（Ｐ０）～（Ｐ３）である。中でも、第１の化合物は、化合物（１）、化合物（２）、化合物（３）、化合物（５Ａ）、化合物（５Ｂ）、又は化合物（６）であることが好ましい。

【0040】

・化合物（１）
下記基１ａと、オルガノポリシロキサン残基と、炭素数３以上のアルキレン鎖又はポリアルキレンオキシド鎖である部分構造と、下記基１ｂと、を含む化合物。
基１ａ：－Ｍ^１Ｔ^１ _３
基１ｂ：－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ
Ｍ^１は、Ｓｉ、Ｓｎ、又はＧｅであり、
Ｔ^１は、それぞれ独立に、炭化水素基又はトリアルキルシリルオキシ基であり、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、１価の炭化水素基であり、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎは、それぞれ独立に、０～２の整数である。
Ｒ^２、Ｌ、及びｎは、上記式（Ｓ１）におけるＲ^２、Ｌ、及びｎと同様である。

【0041】

・化合物（２）
炭素数２以上のアルキル基と、オルガノポリシロキサン残基と、反応性シリル基と、を含む化合物。

【0042】

・化合物（３）
下記基３ａと、２価のオルガノポリシロキサン残基を含む部分構造と、下記基３ｂと、をみ、前記部分構造は、２価のオルガノポリシロキサン残基であるか、又は、２価のオルガノポリシロキサン残基と、アルキレン鎖及びポリアルキレンオキシド鎖の少なくとも一方との組み合わせである、化合物。
基３ａ：１価の環状のポリシロキサン残基又は１価のかご状のポリシロキサン残基
基３ｂ：－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ
Ｒ^２は、それぞれ独立に、１価の炭化水素基であり、
Ｌはそれぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎはそれぞれ独立に、０～２の整数である。
Ｒ^２、Ｌ、及びｎは、上記式（Ｓ１）におけるＲ^２、Ｌ、及びｎと同様である。

【0043】

・化合物（４）
オルガノポリシロキサン残基と、ポリオキシアルキレン鎖と、反応性シリル基と、を含む化合物。

【0044】

・ポリマー（Ｐ０）
２価以上の連結基と、上記２価以上の連結基と結合した２以上のポリアルキレンオキシド鎖と、重合性基と、反応性シリル基と、を有する重合性化合物Ａに由来する構成単位と、オルガノポリシロキサン構造と重合性基とを有する重合性化合物Ｂに由来する構成単位と、を含む重合体。

【0045】

・ポリマー（Ｐ１）
ＡブロックとＢブロックとを有するＡＢＡトリブロックポリマーであり、
前記Ａブロックは、反応性シリル基を含む重合性モノマーに由来する構成単位と、反応性シリル基を含まない重合性モノマーに由来する構成単位と、を含むランダムポリマーであり、
前記Ｂブロックは、主鎖にポリアルキレンオキシド鎖又は２価のオルガノポリシロキサン残基を含み、
前記Ｂブロックが、主鎖にポリアルキレンオキシド鎖を含む場合には、前記Ａブロック中の前記反応性シリル基を含まない重合性モノマーに由来する構成単位は、疎水性基を含む重合性モノマーに由来する構成単位を含み、
前記Ｂブロックが、主鎖に２価のオルガノポリシロキサン残基を含む場合には、前記Ａブロック中の前記反応性シリル基を含まない重合性モノマーに由来する構成単位は、親水性基を含む重合性モノマーに由来する構成単位を含み、
前記疎水性基は、２価のオルガノポリシロキサン残基であり、
前記親水性基は、水酸基及びポリアルキレンオキシド鎖からなる群より選択される少なくとも１種の基である、
ＡＢＡトリブロックポリマー。

【0046】

・ポリマー（Ｐ２）
ＡブロックとＢブロックとを有するＡＢＡトリブロックポリマーであり、
前記Ａブロックは、反応性シリル基を含む重合性モノマーに由来する構成単位と、疎水性基を含む重合性モノマーに由来する構成単位と、を含むランダムポリマーであり、
前記Ｂブロックは、主鎖に２価のオルガノポリシロキサン残基を含む、ＡＢＡトリブロックポリマー。

【0047】

・ポリマー（Ｐ３）
反応性シリル基を含む重合性モノマーに由来する構成単位を含有するＡブロックと、２価のオルガノポリシロキサン残基を含む重合性モノマーに由来する構成単位を含有する少なくとも１種のＢブロックと、を含み、
前記Ａブロックは、ポリマーの片末端にのみ位置する、ブロックポリマー。

【0048】

・化合物（５Ａ）、（５Ｂ）
下記式（５Ａ）又は式（５Ｂ）で表される化合物
（Ｒ^Ｔ１－Ｒ^Ｓ－（－ＳｉＲ^Ｔ２ _２－）_ｑ４）_α－Ｘ^Ａ－Ｒ^Ｈ _β …（５Ａ）
Ｒ^Ｈ _γ－Ｘ^Ａ－Ｏ_ｐ４－Ｒ^Ｓ－（－ＳｉＲ^Ｔ２ _２－）_ｑ４－Ｘ^Ａ－Ｒ^Ｈ _γ …（５Ｂ）
式（５Ａ）及び式（５Ｂ）中、
Ｒ^Ｓは、それぞれ独立に、２価の直鎖オルガノシロキサン基であり、
Ｒ^Ｔ１は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
Ｒ^Ｔ２は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
ｐ４は、０又は１であり、
ｑ４は、それぞれ独立に、０又は１であり、
Ｒ^Ｈは、下記式（Ｗ１）～（Ｗ４）のいずれかで表される基であり、
上記Ｒ^Ｈ中には、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子が２つ以上存在し、
Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合又は下記式（Ｗ５）で表される基であり、
αは、１～９の整数であり、
βは、１～９の整数であり、
γは、それぞれ独立に、１～９の整数である。
－（ＣＨ_２ＣＲ^１０（Ｒ^１５）Ｘ^１１－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎ８１Ｌ_{３－ｎ８１}）_ｔ－Ｒ^１４ …（Ｗ１）
－ＳｉＲ^ａ１ _ｋ８１Ｌ_ｌ８１Ｒ^ｃ１ _ｍ８１ …（Ｗ２）
－ＣＲ^ｄ１ _ｋ８２Ｒ^ｅ１ _ｌ８２Ｒ^ｆ１ _ｍ８２ …（Ｗ３）
－ＮＲ^ｇ１Ｒ^ｈ１ …（Ｗ４）
式（Ｗ１）～（Ｗ４）中、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、１価の炭化水素基であり、
ｎ_８１は、（ＳｉＲ^２ _ｎ８１Ｌ_{３－ｎ８１}）単位毎にそれぞれ独立して、０～３の整数であり、
Ｘ^１１は、それぞれ独立に、単結合又は２価の有機基であり；
Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基であり；
ｔは、それぞれ独立に、２以上の整数であり；
Ｒ^１４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は－Ｘ^１１－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎ８１Ｌ_{３－ｎ８１}であり；
Ｒ^１５は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子、炭素数１～６のアルキレン基、又は炭素数１～６のアルキレンオキシ基であり；
Ｒ^ａ１は、それぞれ独立に、－Ｚ^８１－ＳｉＲ^２１ _ｐ８１Ｌ_ｑ８１Ｒ^２３ _ｒ８１であり；
Ｚ^８１は、それぞれ独立に、２価の有機基であり；
Ｒ^２１は、それぞれ独立に、－Ｚ^１’－ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｌ_ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’であり；
Ｒ^２３は、それぞれ独立に、１価の有機基であり；
ｐ８１は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｑ８１は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｒ８１は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｐ８１＋ｑ８１＋ｒ８１は、３であり；
Ｚ^１’は、それぞれ独立に、２価の有機基であり；
Ｒ^２１’は、それぞれ独立に、－Ｚ^１”－ＳｉＬ_ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”であり；
Ｒ^２３’は、それぞれ独立に、１価の有機基であり；
ｐ１’は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｑ１’は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｒ１’は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｐ１’＋ｑ１’＋ｒ１’は、３であり；
Ｚ^１”は、それぞれ独立に、２価の有機基であり；
Ｒ^２３”は、それぞれ独立に、１価の有機基であり；
ｑ１”は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｒ１”は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｑ１”＋ｒ１”は、３であり；
Ｒ^ｃ１は、それぞれ独立に、１価の有機基であり；
ｋ８１は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｌ８１は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｍ８１は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｋ８１＋ｌ８１＋ｍ８１は、３であり；
Ｒ^ｄ１は、それぞれ独立に、－Ｚ^８２－ＣＲ^７１ _ｐ８２Ｒ^７２ _ｑ８２Ｒ^７３ _ｒ８２であり；
Ｚ^８２は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^７１は、それぞれ独立に、－Ｚ^２’－ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’であり；
Ｒ^７２は、それぞれ独立に、－Ｚ^８３－ＳｉＬ_ｎ８２Ｒ^３５ _{３－ｎ８２}であり；
Ｒ^７３は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又は１価の有機基であり；
ｐ８２は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｑ８２は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｒ８２は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｐ８２＋ｑ８２＋ｒ８２は、３であり；
Ｚ^２’は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^３２’は、それぞれ独立に、－Ｚ^８３－ＳｉＬ_ｎ８２Ｒ^３５ _{３－ｎ８２}であり；
Ｒ^３３’は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又は１価の有機基であり；
ｑ２’は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｒ２’は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｑ２’＋ｒ２’は、３であり；
Ｚ^８３は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^３５は、それぞれ独立に、１価の有機基であり；
ｎ８２は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
Ｒ^ｅ１は、それぞれ独立に、－Ｚ^８３－ＳｉＬ_ｎ８２Ｒ^３５ _{３－ｎ８２}であり；
Ｒ^ｆ１は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又は１価の有機基であり；
ｋ８２は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｌ８２は、それぞれ独立に、０～３の整数であり；
ｍ８２は、それぞれ独立に、０～３の整数である。
ｋ８２＋ｌ８２＋ｍ８２は、３であり；
Ｒ^ｇ１及びＲ^ｈ１は、それぞれ独立に、－Ｚ^８４－ＳｉＬ_ｎ８１Ｒ^２ _{３－ｎ８１}、－Ｚ^８４－ＳｉＲ^ａ１ _ｋ８１Ｌ_ｌ８１Ｒ^ｃ１ _ｍ８１、又は－Ｚ^８４－ＣＲ^ｄ１ _ｋ８２Ｒ^ｅ１ _ｌ８２Ｒ^ｆ１ _ｍ８２であり；
Ｚ^８４は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
ただし、式（Ｗ１）、（Ｗ２）、（Ｗ３）、及び（Ｗ４）中、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基が結合したＳｉ原子が少なくとも２つ存在する。
Ｒ^２及びＬは、上記式（Ｓ１）におけるＲ^２及びＬと同様である。

【0049】

－（Ｒ^５０）_ｐ５－（Ｘ^５１）_ｑ５－ …（Ｗ５）
式（Ｗ５）中、
Ｒ^５０は、単結合、－（ＣＨ_２）_ｓ５－又はｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基であり、
ｓ５は、１～２０の整数であり、
Ｘ^５１は、－（Ｘ^５２）_ｌ５－であり、
Ｘ^５２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基、－ＣＯ－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＣＯＮＲ^５４－、－Ｏ－ＣＯＮＲ^５４－、－ＮＲ^５４－及び－（ＣＨ_２）_ｎ５－からなる群から選択される基であり、
Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、又は１価の有機基であり、
ｎ５は、各出現においてそれぞれ独立して、１～２０の整数であり、
ｌ５は、１～１０の整数であり、
ｐ５は、０又は１であり、
ｑ５は、０又は１であり、
ｐ５及びｑ５の少なくとも一方は１であり、（Ｒ^５０）_ｐ５及び（Ｘ^５１）_ｑ５の存在順序は任意である。

【0050】

Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合、炭素数１～２０のアルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－、－Ｘ^５３－（ＣＨ_２）_ｔ５－、又は－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－（ＣＨ_２）_ｔ５－であることが好ましい。
Ｘ^５３は、単結合、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＮＲ^５４－、－Ｏ－ＣＯＮＲ^５４－、－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｕ５－ＣＯＮＲ^５４－、又は－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｕ５－ＣＯ－であり、
Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～１０のオキシアルキレン含有基であり、
ｓ５は、１～２０の整数であり、
ｔ５は、１～２０の整数であり、
ｕ５は、１～２０の整数であることが好ましい。

【0051】

・化合物（６）
下記式（６）で表される化合物。

【0052】

【化5】

式（６）中、
Ｙは、単結合又は＊－Ｓｉ（Ｒ^ｓ２）_２－Ｌ^ｓ１－を表す。＊は酸素原子との結合手を表す。
Ｚは、酸素原子又は炭素数１～１０の２価の炭化水素基を表す。
Ｒ^ａ９は、それぞれ独立に、炭化水素基又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。ただし、Ｒ^ａ９の全てが炭化水素基の場合、Ｒ^ａ９で表される炭化水素基はアルキル基である。
Ｒ^ｓ１、Ｒ^ｓ２は、それぞれ独立に、炭素数１～１０のアルキル基を表す。
Ｌ^ｓ１は、炭素数１～１０の２価の炭化水素基を表す。
Ｘは、下記式（Ｘ－１）～（Ｘ－３）のいずれかで表される基を表す。
ｎ９は、１以上１５０以下の数を表す。

【0053】

【化6】

【0054】

式（Ｘ－１）～（Ｘ－３）中、
Ｌ^ｘ１及びＬ^ｘ２は、それぞれ独立に、炭素数１～２０の２価の炭化水素基を表し、該２価の炭化水素基に含まれるメチレン基（－ＣＨ_２－）は、－Ｏ－又は－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^ｘ７）_２－に置き換わっていてもよい。
Ｒ^ｘ１～Ｒ^ｘ７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１０の炭化水素基を表す。
Ｘ^ａ１は、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又はトリアルコキシシリルオキシ基を表す。
Ｘ^ａ２は、それぞれ独立に、トリアルキルシリル含有基、炭化水素鎖含有基、シロキサン骨格含有基、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又はトリアルコキシシリルオキシ基を表し、Ｘ^ａ２が加水分解性基の場合、Ｘ^ａ２とＸ^ａ１とは、同一であっても異なっていてもよい。
ｎ２は、１以上５０以下の整数を表す。
ｎ３は、２以上５以下の数を表す。
ｎ４は、０以上５以下の数を表す。
式（Ｘ－３）中、（Ｓｉ（Ｒ^ｘ４）（－Ｌ^ｘ２－Ｓｉ（Ｘ^ａ２）（Ｘ^ａ１）_２）－Ｏ－）及び（Ｓｉ（Ｒ^ｘ５）（Ｒ^ｘ６）－Ｏ－）で表される単位の順序は任意である。

【0055】

以下、化合物（１）～（６）、ポリマー（Ｐ０）～（Ｐ３）について説明する。

【0056】

＜化合物（１）＞
化合物（１）は、下記式（１Ａ）で表される化合物であることが好ましい。
［Ｔ^１ _３Ｍ^１－（Ｏ）_ｒ－Ｚ^１］_ｐ１Ａ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１ … （１Ａ）
式（１Ａ）中、
Ｍ^１は、Ｓｉ、Ｓｎ、又はＧｅであり、
Ｔ^１は、それぞれ独立に、炭化水素基又はトリアルキルシリルオキシ基であり、
ｒは、０又は１であり、
Ｚ^１は、それぞれ独立に、アルキレン鎖若しくはポリアルキレンオキシド鎖であるか、又は、アルキレン鎖と２価のオルガノポリシロキサン残基との組み合わせであり、Ａは、単結合又はｐ１＋ｑ１価の連結基であり、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、１価の炭化水素基であり、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎは、それぞれ独立に、０～２の整数であり、
ｐ１及びｑ１、はそれぞれ独立に、１以上の整数である。
ただし、Ｚ^１が、それぞれ独立に、アルキレン鎖若しくはポリアルキレンオキシド鎖である場合には、Ａは、オルガノポリシロキサン残基を含むｐ１＋ｑ１価の連結基である。

【0057】

Ｔ^１及びＭ^１は、上記基１ａにおけるＴ^１及びＭ^１と同様であるため、説明を省略する。
Ｍ^１はＳｉが好ましい。
Ｔ^１はトリアルキルシリルオキシ基が好ましく、ブチルジメチルシリルオキシ基、トリメチルシリルオキシ基又はトリエチルシリルオキシ基がより好ましい。
Ｒ^２、Ｌ、及びｎは、上記式（Ｓ１）におけるＲ^２、Ｌ、及びｎと同様である。
Ｚ^１で表される、アルキレン鎖と２価のオルガノポリシロキサン残基との組み合わせは、下記式（Ｃ１）、式（Ｃ２）、又は式（Ｃ３）で表されることが好ましい。

【0058】

【化7】

式（Ｃ１）中、Ａｋ^１及びＡｋ^２はそれぞれ独立に、アルキレン鎖を意味する。Ｒ^３は、式（Ｂ１）～（Ｂ３）におけるＲ^３と同じある。ｋ１１は１以上の数である。ｋ１２は０又は１である。
式（Ｃ２）中、Ａｋ^３はアルキレン鎖を意味する。Ｒ^３は、式（Ｂ１）～（Ｂ３）におけるＲ^３と同じある。ｋ２１及びｋ２２はそれぞれ独立に、１以上の数である。
式（Ｃ３）中、Ａｋ^４はアルキレン鎖を意味する。Ｒ^３は、式（Ｂ１）～（Ｂ３）におけるＲ^３と同じある。ｋ３１は１以上の数である。
式（Ｃ１）、（Ｃ２）、及び（Ｃ３）において、＊１は基１側と連結し、＊２は基２側と連結する。

【0059】

Ａとしては、本開示の効果を損なわない基であればよく、例えば、エーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有していてもよいアルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、及び、後述する式（３－１Ａ）、式（３－１Ｂ）、式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）からＳｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎを除いた基が挙げられる。
Ａは、トリプチセン構造を含んでいてもよい。トリプチセン構造とは、トリプチセンから２以上の水素を除いた部分構造をいう。

【0060】

また、Ａは、後述する基（ｇ２－１）～基（ｇ２－１４）であってもよい。

【0061】

ｐ１は、１以上の整数である。表面処理層の撥水性がより優れる点から、ｐ１は１～６であることが好ましく、２～４であることが好ましい。ｐ１は１であってもよい。

【0062】

ｐ１が２以上である場合、複数の［Ｔ^１ _３Ｍ^１－（Ｏ）_ｒ－Ｚ^１］は同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。

【0063】

ｑ１は、１以上の整数である。表面処理層の耐摩耗性がより優れる点から、ｑ１は、１～１５であることが好ましく、１～６であることがより好ましく、２～４であることがさらに好ましく、２又は３であることが特に好ましい。ｑ１は１であってもよい。

【0064】

ｑ１が２以上である場合、複数の［Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］は同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。

【0065】

Ａ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基は、基（３－１Ａ）又は基（３－１Ｂ）が好ましく、基（３－１Ａ）がより好ましい。

【0066】

－Ｑ^ａ－Ｘ^３１（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｈ（－Ｒ^３１）_ｉ …（３－１Ａ）
－Ｑ^ｃ－［ＣＨ_２Ｃ（Ｒ^３２）（－Ｑ^ｄ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）］_ｙ－Ｒ^３３ …（３－１Ｂ）
なお、式（３－１Ａ）及び式（３－１Ｂ）中、Ｒ^２、Ｌ、及び、ｎの定義は、上述した通りである。

【0067】

式（３－１Ａ）中、Ｑ^ａは、単結合又は２価の連結基である。
ただし、Ｚ^１のＡと結合する側の末端がアルキレン鎖の場合、Ｑ^ａのＺ^１と結合する側の末端は、アルキレン基ではない。
Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖の場合、Ｑ^ａのＺ^１と結合する側の末端は、アルキレンオキシド基ではない。
２価の連結基としては、例えば、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒ^ａ）_２－及び、これらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。
上記２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基であってもよい。２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよく、例えば、アルキレン基が挙げられる。アルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、４～２０がさらに好ましく、５～１５が特に好ましい。また、２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数５～２０のものが好ましく、例えば、フェニレン基が挙げられる。それ以外にも、炭素数２～２０のアルケニレン基、炭素数２～２０のアルキニレン基であってもよい。
上記Ｒ^ａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、又は、フェニル基である。上記Ｒ^ｄは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。
なお、上記これらを２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－Ｓ－を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、アルキレン基－Ｓｉ（Ｒ^ａ）_２－フェニレン基－Ｓｉ（Ｒ^ａ）_２が挙げられる。
中でも、Ｚ^１のＡと結合する側の末端がアルキレン鎖である場合には、Ｑ^ａは、アルキレン基以外の２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒ^ａ）_２－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－Ｓ－を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、又は－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基が好ましく、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－Ｓ－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、又は－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基がより好ましく、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基がさらに好ましい。
Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖である場合には、Ｑ^ａは、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－ＳＯ_２－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒ^ａ）_２－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、アルキレン基－Ｓｉ（Ｒ^ａ）_２－フェニレン基－Ｓｉ（Ｒ^ａ）_２が好ましく、－Ｃ（Ｏ）－がより好ましい。

【0068】

式（３－１Ａ）中、Ｘ^３１は、単結合、アルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である。
ただし、Ｚ^１のＡと結合する側の末端がアルキレン鎖、かつ、Ｑ^ａが単結合の場合、Ｘ^３１のＺ^１と結合する側の末端はアルキレン基ではない。
また、Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖、かつ、Ｑ^ａが単結合の場合、Ｘ^３１のＺ^１と結合する側の末端はポリアルキレンオキシド基ではない。上記以外の場合、Ｘ^３１の末端はアルキレン基であってもよく、アルキレンオキシド基であってもよい。
なお、上記アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基及びジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
Ｘ^３１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましい。
２～８価のオルガノポリシロキサン残基としては、２価のオルガノポリシロキサン残基、及び、後述する（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基が挙げられる。

【0069】

式（３－１Ａ）中、Ｘ^３１が（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である場合、Ｑ^ａ、（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）及びＲ^３１は、該環を構成する原子に直接結合している。ただし、該環はオルガノポリシロキサン環以外の環である。
Ｘ^３１における環は、単環、縮合多環、橋かけ環、スピロ環及び集合多環のいずれであってもよく、環を構成する原子は、炭素原子のみからなる炭素環でもよく、２価以上の原子価を有するヘテロ原子と炭素原子とからなるヘテロ環でもよい。また、環を構成する原子間の結合は、単結合であってもよく、多重結合であってもよい。さらに、環は芳香族性の環であってもよく、非芳香族性の環であってもよい。
単環としては、４員環～８員環が好ましく、５員環及び６員環がより好ましい。縮合多環としては、４員環～８員環の２以上が縮合した縮合多環が好ましく、５員環及び６員環から選ばれる環の２又は３個結合した縮合多環、及び、５員環及び６員環から選ばれる環の１又は２個と４員環１個が結合した縮合多環がより好ましい。橋かけ環としては、５員環又は６員環を最大の環とする橋かけ環が好ましく、スピロ環としては、４員環～６員環の２つからなるスピロ環が好ましい。集合多環としては、５員環及び６員環から選ばれる環の２又は３個が単結合、炭素原子の１～３個、又は原子価が２又は３のヘテロ原子１個を介して結合した集合多環が好ましい。なお、集合多環においては、各環にＱ^ａ、（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）及びＲ^３１（ｉ＝１以上の場合）のいずれかが結合していることが好ましい。
上記環を構成するヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子及びイオウ原子が好ましく、窒素原子及び酸素原子がより好ましい。環を構成するヘテロ原子の数は３個以下が好ましい。また、環を構成するヘテロ原子の数が２個以上の場合、それらのヘテロ原子は異なっていてもよい。

【0070】

Ｘ^３１における環としては、化合物が製造しやすく、表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる点から、３～８員環の脂肪族環、ベンゼン環、３～８員環のヘテロ環、これらの環のうちの２又は３個が縮合した縮合環、５員環又は６員環を最大の環とする橋かけ環、及び、これらの環のうちの２つ以上を有し、連結基が単結合、炭素数３以下のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子である集合多環からなる群から選ばれる１種が好ましい。
好ましい環は、ベンゼン環、５員又は６員の脂肪族環、窒素原子又は酸素原子を有する５員又は６員のヘテロ環、及び、５員又は６員の炭素環と４～６員のヘテロ環との縮合環である。
具体的な環としては、以下に示す環と、１，３－シクロヘキサジエン環、１，４－シクロヘキサジエン環、アントラセン環、シクロプロパン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、ノルボルナジエン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラジン環、モルホリン環、アジリジン環、イソキノリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピラン環、ピリダジン環、ピリミジン環、及びインデン環が挙げられる。なお、以下には、オキソ基（＝Ｏ）を有する環も示す。

【0071】

【化8】

【0072】

Ｘ^３１における環を構成する原子の環を構成しない結合手は、Ｑ^ａ、（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）又はＲ^３１に結合する結合手である。残余の結合手がある場合には、残余の結合手は、水素原子又は置換基に結合している。該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。）、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基（＝Ｏ）等が挙げられる。
また、環を構成する炭素原子の１個が、Ｑ^ａ、（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）又はＲ^３１に結合する結合手を２つ有する場合、その１個の炭素原子にＱ^ａと（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）とが結合していてもよく、２つの（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）が結合していてもよい。Ｑ^ａと、（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）又はＲ^３１とは別の環構成原子に結合していることが好ましい。ｈ個の（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）はそれぞれ別個の環構成原子に結合してもよく、そのうちの２個は１個の環構成炭素原子に結合してもよく、さらに２個の（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）が結合した環構成炭素原子は２個以上存在してもよい。ｉ個のＲ^３１はそれぞれ別個の環構成原子に結合してもよく、そのうちの２個は１個の環構成炭素原子に結合してもよく、さらに２個のＲ^３１が結合した環構成炭素原子は２個以上存在してもよい。

【0073】

中でも、Ｘ^３１は、表面処理層の耐摩耗性を向上させる観点から、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、４～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基が好ましく、炭素原子がより好ましい。

【0074】

式（３－１Ａ）中、Ｑ^ｂは、単結合又は２価の連結基である。
２価の連結基の定義は、上述したＱ^ａで説明した定義と同義である。
ただし、Ｚ^１のＡと結合する側の末端がアルキレン鎖、かつ、Ｑ^ａ及びＸ^３１が単結合の場合、Ｑ^ｂのＺ^１と結合する側の末端はアルキレン基ではない。
また、Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖、かつ、Ｑ^ａ及びＸ^３１が単結合の場合、Ｑ^ｂのＺ^１と結合する側の末端はアルキレンオキシド基ではない。上記以外の場合、Ｑ^ｂの末端はアルキレン基であってもよく、アルキレンオキシド基であってもよい。

【0075】

中でも、Ｑ^ｂは、エーテル性酸素原子を有してもよいアルキレン基であることが好ましい。アルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよく、２～５であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。

【0076】

式（３－１Ａ）中、Ｒ^３１は、水素原子、水酸基又はアルキル基である。
アルキル基の炭素数は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１がさらに好ましい。

【0077】

Ｘ^３１が単結合又はアルキレン基の場合、ｈは１、ｉは０であり、
Ｘ^３１が窒素原子の場合、ｈは１～２の整数であり、ｉは０～１の整数であり、ｈ＋ｉ＝２を満たし、
Ｘ^３１が炭素原子又はケイ素原子の場合、ｈは１～３の整数であり、ｉは０～２の整数であり、ｈ＋ｉ＝３を満たし、
Ｘ^３１が２～８価のオルガノポリシロキサン残基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
Ｘ^３１が（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ）_ｎＬ_３－ｎ）が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ）_ｎＬ_３－ｎ）は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^３１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ^３１）は、同一であっても異なっていてもよい。

【0078】

中でも、表面処理層の耐摩耗性を向上させる観点から、ｉは０であることが好ましい。

【0079】

式（３－１Ａ）中、Ｑ^ａ、Ｘ^３１、及びＱ^ｂが単結合の場合、［Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］は、Ｚ^１と直接結合し、Ｚ^１はアルキレン鎖である。

【0080】

式（３－１Ｂ）中、Ｑ^ｃは、単結合又は２価の連結基である。
ただし、Ｚ^１のＡと結合する側の末端がアルキレン鎖の場合、Ｑ^ｃのＺ^１と結合する側の末端は、アルキレン基ではない。
Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖の場合、Ｑ^ｃのＺ^１と結合する側の末端は、アルキレンオキシド基ではない。
２価の連結基の定義は、上述したＱ^ａで説明した定義と同義である。

【0081】

式（３－１Ｂ）中、Ｒ^３２は、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基であり、化合物を製造しやすい点から、水素原子であることが好ましい。
アルキル基としては、メチル基が好ましい。

【0082】

式（３－１Ｂ）中、Ｑ^ｄは、単結合又はアルキレン基である。アルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６がより好ましい。化合物を製造しやすい点から、Ｑ^ｄは、単結合又はＣＨ_２－であることが好ましい。

【0083】

式（３－１Ｂ）中、Ｒ^３３は、水素原子又はハロゲン原子であり、化合物を製造しやすい点から、水素原子であることが好ましい。

【0084】

ｙは、１～１０の整数であり、１～６の整数であることが好ましい。
２個以上の［ＣＨ_２Ｃ（Ｒ^３２）（－Ｑ^ｄ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）］は、同一であっても異なっていてもよい。

【0085】

基（３－１Ａ）としては、基（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）が好ましい。

【0086】

－（Ｘ^３２）_ｓ１－Ｑ^ｂ１－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ …（３－１Ａ－１）
－（Ｘ^３３）_ｓ２－Ｑ^ａ２－Ｎ［－Ｑ^ｂ２－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］_２ …（３－１Ａ－２）
－Ｑ^ａ３－Ｓｉ（Ｒ^ｇ）［－Ｑ^ｂ３－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］_２ …（３－１Ａ－３）
－［Ｑ^ｅ］_ｓ４－Ｑ^ａ４－（Ｏ）_ｔ４－Ｃ［－（Ｏ）_ｕ４－Ｑ^ｂ４－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］_３－ｗ１（－Ｒ^３１）_ｗ１ …（３－１Ａ－４）
－Ｑ^ａ５－Ｓｉ［－Ｑ^ｂ５－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］_３ …（３－１Ａ－５）
－［Ｑ^ｅ］_ｖ－Ｑ^ａ６－Ｚ^ａ［－Ｑ^ｂ６－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］_ｗ２ …（３－１Ａ－６）
－［Ｑ^ｅ］_ｓ４－Ｑ^ａ４－（Ｏ）_ｔ４－Ｚ^ｃ［－（Ｏ－Ｑ^ｂ４）_ｕ４－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］_ｗ３（－ＯＨ）_ｗ４ …（３－１Ａ－７）
なお、式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）中、Ｒ^２、Ｌ、及び、ｎの定義は、上述した通りである。
ただし、Ｚ^１のＡと結合する側の末端がアルキレン鎖の場合、基（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）のＺ^１と結合する側の末端はアルキレン基ではない。
Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖の場合、基（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）のＺ^１と結合する側の末端はアルキレンオキシド基ではない。

【0087】

中でも、基（３－１Ａ）は、基（３－１Ａ－４）が好ましい。

【0088】

基（３－１Ａ－１）において、Ｘ^３２は、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－である（ただし、式中のＮはＱ^ｂ１に結合する）。
Ｒ^ｄの定義は、上述した通りである。
ｓ１は、０又は１である。

【0089】

中でも、Ｚ^１のＡと結合する側の末端がアルキレン鎖である場合には、Ｘ^３２は、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましく、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－がより好ましく、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－がさらに好ましい。
Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖である場合には、Ｘ^３２は、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましく、－Ｃ（Ｏ）－、がより好ましい。

【0090】

Ｑ^ｂ１は、単結合又はアルキレン基である。なお、アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基及びジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
なお、アルキレン基が－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有する場合、炭素原子－炭素原子間にこれらの基を有することが好ましい。
Ｑ^ｂ１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～６が特に好ましい。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。

【0091】

中でも、Ｚ^１のＡと結合する側の末端がアルキレン鎖である場合には、ｓ１は１であることが好ましく、Ｑ^ｂ１は、炭素数２～６のアルキレン基が好ましい。
Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖である場合には、ｓ１は０であることが好ましく、Ｑ^ｂ１は、炭素数２～６のアルキレン基が好ましい。

【0092】

基（３－１Ａ－２）において、Ｘ^３３は、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－である。
Ｒ^ｄの定義は、上述した通りである。
ｓ２は、０又は１である。ｓ２は、化合物を製造しやすい点から、０が好ましい。

【0093】

中でも、Ｚ^１のＡと結合する側の末端がアルキレン鎖である場合には、Ｘ^３３は、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましい。
Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖である場合には、Ｘ^３３は、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましい。

【0094】

Ｑ^ａ２は、単結合、アルキレン基、－Ｃ（Ｏ）－、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、若しくは－ＮＨ－を有する基である。
Ｑ^ａ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。
Ｑ^ａ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６がより好ましい。

【0095】

Ｑ^ａ２は、化合物を製造しやすい点から、単結合が好ましい。

【0096】

Ｑ^ｂ２は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子若しくは－ＮＨ－を有する基である。
Ｑ^ｂ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
Ｑ^ｂ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子又は－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６がより好ましい。

【0097】

Ｑ^ｂ２としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。

【0098】

２個の［－Ｑ^ｂ２－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。

【0099】

基（３－１Ａ－３）において、Ｑ^ａ３は、単結合、又は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。化合物を製造しやすい点から、Ｑ^ａ３は、単結合が好ましい。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。

【0100】

Ｒ^ｇは、水素原子、水酸基又はアルキル基である。
Ｒ^ｇとしては、化合物を製造しやすい観点からは、水素原子又はアルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は１～１０が好ましく、１～４がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。

【0101】

Ｑ^ｂ３は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
Ｑ^ｂ３で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば、２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
Ｑ^ｂ３で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
Ｑ^ｂ３は、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、又は－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－が好ましい。

【0102】

２個の［－Ｑ^ｂ３－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。

【0103】

基（３－１Ａ－４）において、Ｑ^ｅは、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、又は、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－である。
Ｒ^３１の定義は、上述した通りである。ｗ１が１又は２である場合、Ｒ^３１は水素原子であることが好ましい。
ｓ４は、０又は１である。
Ｑ^ａ４は、単結合、又は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。
ｔ４は、０又は１（ただし、Ｑ^ａ４が単結合の場合は０である。）である。
－Ｑ^ａ４－（Ｏ）_ｔ４－としては、化合物を製造しやすい点から、ｓ４が０の場合は、単結合、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２－が好ましく（ただし、左側が（ＸＯ）_ｍに結合する。）、ｓ４が１の場合は、単結合、－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－が好ましい。

【0104】

Ｑ^ｂ４は、アルキレン基であり、上記アルキレン基は－Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－（Ｒ^ｄの定義は、上述した通りである。）、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。
なお、アルキレン基が－Ｏ－又はシルフェニレン骨格基を有する場合、炭素原子－炭素原子間に－Ｏ－又はシルフェニレン骨格基を有することが好ましい。また、アルキレン基が－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、ジアルキルシリレン基又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する場合、炭素原子－炭素原子間又は（Ｏ）_ｕ４と結合する側の末端にこれらの基を有することが好ましい。
Ｑ^ｂ４で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば、２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。

【0105】

ｕ４は、０又は１である。
－（Ｏ）_ｕ４－Ｑ^ｂ４－としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＰｈＳｉ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２ＣＨ_２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。

【0106】

ｗ１は、０～２の整数であり、０又は１が好ましく、０が特に好ましい。
［－（Ｏ）_ｕ４－Ｑ^ｂ４－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ）_ｕ４－Ｑ^ｂ４－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ^３１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ^３１）は、同一であっても異なっていてもよい。

【0107】

基（３－１Ａ－５）において、Ｑ^ａ５は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑ^ａ５としては、化合物を製造しやすい点から、－ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。

【0108】

Ｑ^ｂ５は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
Ｑ^ｂ５で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば、２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
Ｑ^ｂ５で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～２０が好まし
く、２～１０がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
Ｑ^ｂ５としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－が好ましい（ただし、右側がＳｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎに結合する。）。

【0109】

３個の［－Ｑ^ｂ５－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。

【0110】

基（３－１Ａ－６）中のＱ^ｅの定義は、上述の基（３－１Ａ－４）において定義した通りである。
ｖは、０又は１である。

【0111】

Ｑ^ａ６は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑ^ａ６としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－が好ましい（ただし、右側がＺ^ａに結合する。）。

【0112】

Ｚ^ａは、（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基、又は、（ｗ２＋１）価であって、オルガノポリシロキサン残基とオルガノポリシロキサン残基との間にアルキレン基を有する基である。
ｗ２は、２～７の整数である。
（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基、及び、（ｗ２＋１）価であって、オルガノポリシロキサン残基とオルガノポリシロキサン残基との間にアルキレン基を有する基としては、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^ａは、上述の通りである。＊は、結合部位を示す。

【化9】

【0113】

Ｑ^ｂ６は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
Ｑ^ｂ６で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば、２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
Ｑ^ｂ６で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
Ｑ^ｂ６としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－が好ましい。
ｗ２個の［－Ｑ^ｂ６－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。

【0114】

基（３－１Ａ－７）において、Ｚ^ｃは（ｗ３＋ｗ４＋１）価の炭化水素基である。
ｗ３は、４以上の整数である。
ｗ４は、０以上の整数である。
Ｑ^ｅ、ｓ４、Ｑ^ａ４、ｔ４、Ｑ^ｂ４、及びｕ４の定義及び好ましい範囲は基（３－１Ａ－４）中の各符号の定義と同じである。

【0115】

Ｚ^ｃは炭化水素鎖からなってもよく、炭化水素鎖の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有してもよく、炭化水素鎖からなることが好ましい。
Ｚ^ｃの価数は５～２０価が好ましく、５～１０価がより好ましく、５～８価がさらに好ましく、５～６価が特に好ましい。
Ｚ^ｃの炭素数は３～５０が好ましく、４～４０がより好ましく、５～３０がさらに好ましい。
ｗ３は、４～２０が好ましく、４～１６がより好ましく、４～８がさらに好ましく、４～５が特に好ましい。
ｗ４は、０～１０が好ましく、０～８がより好ましく、０～６がさらに好ましく、０～３が特に好ましく、０～１が最も好ましい。
［－（Ｏ－Ｑ^ｂ４）_ｕ４－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ－Ｑ^ｂ４）_ｕ４－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。

【0116】

式（１Ａ）におけるＡは、基（ｇ２－１）（ただし、ｊ１＝ｄ１＋ｄ３、ｇ１＝ｄ２＋ｄ４である。）、基（ｇ２－２）（ただし、ｊ１＝ｅ１、ｇ１＝ｅ２である。）、基（ｇ２－３）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝２である。）、基（ｇ２－４）（ただし、ｊ１＝ｈ１、ｇ１＝ｈ２である。）、基（ｇ２－５）（ただし、ｊ１＝ｉ１、ｇ１＝ｉ２である。）、基（ｇ２－６）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝１である。）、又は、基（ｇ２－７）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｉ３である。）であってもよい。

【0117】

【化10】

【0118】

（－Ａ^１－Ｑ^１２－）_ｅ１Ｃ（Ｒ^ｅ２）_{４－ｅ１－ｅ２}（－Ｑ^２２－）_ｅ２ …（ｇ２－２）
－Ａ^１－Ｑ^１３－Ｎ（－Ｑ^２３－）_２ …（ｇ２－３）
（－Ａ^１－Ｑ^１４－）_ｈ１Ｚ^４（－Ｑ^２４－）_ｈ２ …（ｇ２－４）
（－Ａ^１－Ｑ^１５－）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^ｅ３）_{４－ｉ１－ｉ２}（－Ｑ^２５－）_ｉ２ …（ｇ２－５）
－Ａ^１－Ｑ^２６－ （ｇ２－６）
－Ａ^１－Ｑ^１２－ＣＨ（－Ｑ^２２－）－Ｓｉ（Ｒ^ｅ３）_３－ｉ３（－Ｑ^２５－）_ｉ３ …（ｇ２－７）

【0119】

ただし、式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）においては、Ａ^１側がＺ^１と結合し、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５又はＱ^２６側が［－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］と結合する。
Ｚ^１のＡ^１と結合する側の末端がアルキレン鎖の場合、Ａ^１のＺ^１と結合する側の末端はアルキレン基ではない。
Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖の場合、Ａ^１のＺ^１と結合する側の末端はアルキレンオキシド基ではない。
Ａ^１は、単結合、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又はＳＯ_２ＮＲ^６－である。
Ｑ^１１は、単結合、－Ｏ－、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有する基である。
Ｑ^１２は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有する基であり、ＡがＱ^１２を２以上有する場合、２以上のＱ^１２は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ^１３は、単結合（ただし、Ａ^１は－Ｃ（Ｏ）－である。）、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有する基、又はアルキレン基のＮ側の末端に－Ｃ（Ｏ）－を有する基である。
Ｑ^１４は、Ｑ^１４が結合するＺ^４における原子が炭素原子の場合、Ｑ^１２であり、Ｑ^１４が結合するＺ^４における原子が窒素原子の場合、Ｑ^１３であり、ＡがＱ^１４を２以上有する場合、２以上のＱ^１４は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ^１５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有する基であり、ＡがＱ^１５を２以上有する場合、２以上のＱ^１５は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ^２２は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有しかつＳｉに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有する基であり、ＡがＱ^２２を２以上有する場合、２以上のＱ^２２は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ^２３は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有する基であり、２個のＱ^２３は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ^２４は、Ｑ^２４が結合するＺ^４における原子が炭素原子の場合、Ｑ^２２であり、Ｑ^２４が結合するＺ^４における原子が窒素原子の場合、Ｑ^２３であり、ＡがＱ^２４を２以上有する場合、２以上のＱ^２４は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ^２５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有する基であり、ＡがＱ^２５を２以上有する場合、２以上のＱ^２５は同一であっても異なっていてもよい。
Ｑ^２６は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又はＯ－を有する基である。
Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５、Ｑ^２６がアルキレン基の場合、炭素数は１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましい。
Ｚ^４は、Ｑ^１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ^２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有するｈ１＋ｈ２価の環構造を有する基である。
Ｒ^ｅ１は、水素原子又はアルキル基であり、ＡがＲ^ｅ１を２以上有する場合、２以上のＲ^ｅ１は同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ^ｅ２は、水素原子、水酸基、アルキル基又はアシルオキシ基である。
Ｒ^ｅ３は、アルキル基である。Ｒ^６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基である。

【0120】

ｄ１は、０～３の整数であり、１又は２であることが好ましい。
ｄ２は、０～３の整数であり、１又は２であることが好ましい。
ｄ１＋ｄ２は、１～３の整数である。
ｄ３は、０～３の整数であり、０又は１であることが好ましい。
ｄ４は、０～３の整数であり、２又は３であることが好ましい。
ｄ３＋ｄ４は、１～３の整数である。
ｄ１＋ｄ３は、１～５の整数であり、１又は２であることが好ましい。
ｄ２＋ｄ４は、１～５の整数であり、４又は５であることが好ましい。
ｅ１＋ｅ２は、３又は４である。
ｅ１は、１～３の整数であり、１又は２であることが好ましい。
ｅ２は、１～３の整数であり、２又は３であることが好ましい。
ｈ１は、１以上の整数であり、１又は２であることが好ましい。
ｈ２は、１以上の整数であり、２又は３であることが好ましい。
ｉ１＋ｉ２は、３又は４である。
ｉ１は、１～３の整数であり、１又は２であることが好ましい。
ｉ２は、１～３の整数であり、２又は３であることが好ましい。
ｉ３は、２又は３である。

【0121】

Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４、Ｑ^１５、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５及びＱ^２６のアルキレン基の炭素数は、化合物を製造しやすい点、及び表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる点から、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０でもよく、１～６でもよく、１～４でもよい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。

【0122】

Ｚ^４における環構造としては、上述した環構造が挙げられ、好ましい形態も同様である。なお、Ｚ^４における環構造にはＱ^１４やＱ^２４が直接結合するため、例えば、環構造にアルキレン基が連結して、そのアルキレン基にＱ^１４やＱ^２４が連結することはない。

【0123】

Ｒ^ｅ１、Ｒ^ｅ２又はＲ^ｅ３のアルキル基の炭素数は、化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
Ｒ^ｅ２のアシルオキシ基のアルキル基部分の炭素数は、化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｈ１は、化合物を製造しやすい点、並びに、表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる点から、１～６が好ましく、１～４がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１が特に好ましい。
ｈ２としては、化合物を製造しやすい点、並びに、表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる点から、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３が特に好ましい。

【0124】

Ａの他の形態としては、基（ｇ２－８）（ただし、ｊ１＝ｄ１＋ｄ３、ｇ１＝ｄ２×ｋ３＋ｄ４×ｋ３である。）、基（ｇ２－９）（ただし、ｊ１＝ｅ１、ｇ１＝ｅ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１０）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１１）（ただし、ｊ１＝ｈ１、ｇ１＝ｈ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１２）（ただし、ｊ１＝ｉ１、ｇ１＝ｉ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１３）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｋ３である。）、又は基（ｇ２－１４）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｉ３×ｋ３である。）が挙げられる。

【0125】

【化11】

【0126】

（－Ａ^１－Ｑ^１２－）_ｅ１Ｃ（Ｒ^ｅ２）_{４－ｅ１－ｅ２}（－Ｑ^２２－Ｇ^１）_ｅ２ …（ｇ２－９）
－Ａ^１－Ｑ^１３－Ｎ（－Ｑ^２３－Ｇ^１）_２ …（ｇ２－１０）
（－Ａ^１－Ｑ^１４－）_ｈ１Ｚ^４（－Ｑ^２４－Ｇ^１）_ｈ２ …（ｇ２－１１）
（－Ａ^１－Ｑ^１５－）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^ｅ３）_{４－ｉ１－ｉ２}（－Ｑ^２５－Ｇ^１）_ｉ２ …（ｇ２－１２）
－Ａ^１－Ｑ^２６－Ｇ^１ …（ｇ２－１３）
－Ａ^１－Ｑ^１２－ＣＨ（－Ｑ^２２－Ｇ^１）－Ｓｉ（Ｒ^ｅ３）_３－ｉ３（－Ｑ^２５－Ｇ^１）_ｉ３ …（ｇ２－１４）

【0127】

ただし、式（ｇ２－８）～（ｇ２－１４）においては、Ａ^１側がＺ^１と結合し、Ｇ^１側が［－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］と結合する。
Ｚ^１のＡと結合する側の末端がアルキレン鎖の場合、Ａ^１のＺ^１と結合する側の末端はアルキレン基ではない。
Ｚ^１がポリアルキレンオキシド鎖の場合、Ａ^１のＺ^１と結合する側の末端はアルキレンオキシド基ではない。

【0128】

Ｇ^１は、下記基（ｇ３）であり、Ａが有する２以上のＧ^１は同一であっても異なっていてもよい。Ｇ^１以外の符号は、式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）における符号と同じである。
－Ｓｉ（Ｒ^１３）_３－ｋ３（－Ｑ^３－）_ｋ３ …（ｇ３）
ただし、基（ｇ３）においては、Ｓｉ側がＱ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５及びＱ^２６に接続し、Ｑ^３側が［－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］に接続する。Ｒ^１３は、アルキル基である。Ｑ^３は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－若しくは－Ｏ－を有する基、又は（ＯＳｉ（Ｒ^９）_２）_ｐ－Ｏ－であり、２以上のＱ^３は同一であっても異なっていてもよい。ｋ３は、２又は３である。Ｒ^６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基である。Ｒ^９は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２個のＲ^９は同一であっても異なっていてもよい。ｐは、０～５の整数であり、ｐが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ^９）_２）は同一であっても異なっていてもよい。

【0129】

Ｑ^３のアルキレン基の炭素数は、化合物を製造しやすい点、並びに、表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる点から、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってよく、１～６であってよく、１～４であってよい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。
Ｒ^１３のアルキル基の炭素数は、化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
Ｒ^９のアルキル基の炭素数は、化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
Ｒ^９のアルコキシ基の炭素数は、化合物の保存安定性に優れる点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｐは、０又は１が好ましい。

【0130】

化合物（１）は、下記式（１Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。

【0131】

【化12】

【0132】

式（１Ｂ）中、Ｔ^１は、基１ａにおけるＴ^１と同じある。
Ｒ^３は、式（Ｂ１）におけるＲ^３と同じある。ｋ３１は、式（Ｃ３）におけるｋ３１と同じである。
Ａ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基は、式（１Ａ）におけるＡ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基と同じである。
Ａｋ^４は、式（Ｃ３）におけるＡｋ^４と同じである。

【0133】

化合物（１）は、下記式（１Ｃ）、式（１Ｄ）、又は式（１Ｅ）で表される化合物であることが好ましい。

【0134】

【化13】

【0135】

【化14】

【0136】

【化15】

【0137】

式（１Ｃ）、式（１Ｄ）、及び式（１Ｅ）中、Ｒ^３は、式（Ｂ１）におけるＲ^３と同じある。ｋ３１は、式（Ｃ３）におけるｋ３１と同じである。
Ａ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基は、式（１Ａ）におけるＡ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基と同じである。
Ａｋ^４は、式（Ｃ３）におけるＡｋ^４と同じである。

【0138】

化合物（１）の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。

【0139】

【化16】

【0140】

下記式中、ｎは９～５０が好ましく、１１～３０がより好ましく、１１～２５が特に好ましい。

【0141】

【化17】

【0142】

下記式中、ｋは１～８０が好ましく、３～５０がより好ましく、３～３０がさらに好ましい。ｍは１～３０が好ましく、３～２０がより好ましく、３～１０がさらに好ましい。ｔは１～３０が好ましく、３～２０がより好ましく、３～１０がさらに好ましい。
下記式中、ｎは９～５０が好ましく、１１～３０がより好ましく、１１～２５が特に好ましい。

【0143】

【化18】

【0144】

＜化合物（２）＞
化合物（２）において、アルキル基とは、非置換のアルキル基を意味する。アルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、及び環状アルキル基のいずれであってもよいが、直鎖状アルキル基又は分岐鎖状アルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は２～３０であることが好ましく、３～２８であることがより好ましく、４～２２であることがさらに好ましい。
化合物中、アルキル基は１つのみ含まれていてもよく、２つ以上含まれていてもよい。
アルキル基は１価の基であるため、化合物の末端に位置する。

【0145】

化合物（２）は、下記式（２Ａ）で表される化合物であることが好ましい。
（Ｔ^２－Ｚ^２）_ｐ１Ａ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１ … （２Ａ）
式（２Ａ）中、
Ｔ^２は、炭素数２以上のアルキル基であり、
Ｚ^２は、２価のオルガノポリシロキサン残基であり、
Ａは、単結合又はｐ１＋ｑ１価の連結基であり、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、１価の炭化水素基であり、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎは、０～２の整数であり、
ｐ１及びｑ１は、それぞれ独立に、１以上の整数である。

【0146】

Ｔ^２で表される炭素数２以上のアルキル基の好ましい態様は、上記のとおりである。
Ｚ^２で表される２価のオルガノポリシロキサン残基は、上記式（Ｂ１）で表される基が好ましい。
Ｒ^２、Ｌ、及びｎは、上記式（Ｓ１）におけるＲ^２、Ｌ、及びｎと同様である。
Ａ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基は、下記に示す内容以外、上記式（１Ａ）におけるＡ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基と同様である。
ｐ１及びｑ１は、上記式（１Ａ）におけるｐ１及びｑ１と同様である。

【0147】

Ａ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基は、基（３－１Ａ）又は基（３－１Ｂ）が好ましく、基（３－１Ａ）がより好ましい。
式（３－１Ａ）中、Ｑ^ａは、単結合又は２価の連結基である。
ただし、Ｑ^ａのＺ^２と結合する側の末端は、オキシシリル基ではない。

【0148】

式（３－１Ａ）中、Ｘ^３１は、単結合、アルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である。
ただし、Ｑ^ａが単結合の場合、Ｘ^３１のＺ^２と結合する側の末端は、オキシシリル基ではない。上記以外の場合、Ｘ^３１の末端は、オキシシリル基であってもよい。

【0149】

式（３－１Ａ）中、Ｑ^ｂは、単結合又は２価の連結基である。
ただし、Ｑ^ａ及びＸ^３１が単結合の場合、Ｑ^ｂのＺ^２と結合する側の末端はオキシシリル基ではない。上記以外の場合、Ｑ^ｂの末端は、オキシシリル基であってもよい。
また、ｈが１であって、Ｑ^ｂがアルキレン基である場合、Ｑ^ａ－Ｘ^３１のＱ^ｂ側末端はアルキレン基ではない。

【0150】

式（３－１Ｂ）中、Ｑ^ｃは、単結合又は２価の連結基である。
ただし、Ｑ^ｃのＺ^２と結合する側の末端は、オキシシリル基ではない。

【0151】

基（３－１Ａ）としては、基（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）が好ましい。
ただし、基（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）のＺ^２と結合する側の末端は、オキシシリル基ではない。

【0152】

基（３－１Ａ－１）において、Ｘ^３２は、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましく、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－がより好ましい。
ｓ１は０であることが好ましく、Ｑ^ｂ１は、炭素数２～６のアルキレン基が好ましい。

【0153】

基（３－１Ａ－２）において、Ｘ^３３は、－Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましい。

【0154】

式（２Ａ）におけるＡは、基（ｇ２－１）（ただし、ｊ１＝ｄ１＋ｄ３、ｇ１＝ｄ２＋ｄ４である。）、基（ｇ２－２）（ただし、ｊ１＝ｅ１、ｇ１＝ｅ２である。）、基（ｇ２－３）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝２である。）、基（ｇ２－４）（ただし、ｊ１＝ｈ１、ｇ１＝ｈ２である。）、基（ｇ２－５）（ただし、ｊ１＝ｉ１、ｇ１＝ｉ２である。）、基（ｇ２－６）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝１である。）、又は、基（ｇ２－７）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｉ３である。）であってもよい。

【0155】

ただし、式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）においては、Ａ^１側がＺ^２と結合し、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５又はＱ^２６側が［－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］と結合する。

【0156】

Ａの他の形態としては、基（ｇ２－８）（ただし、ｊ１＝ｄ１＋ｄ３、ｇ１＝ｄ２×ｋ３＋ｄ４×ｋ３である。）、基（ｇ２－９）（ただし、ｊ１＝ｅ１、ｇ１＝ｅ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１０）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１１）（ただし、ｊ１＝ｈ１、ｇ１＝ｈ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１２）（ただし、ｊ１＝ｉ１、ｇ１＝ｉ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１３）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｋ３である。）、又は基（ｇ２－１４）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｉ３×ｋ３である。）が挙げられる。

【0157】

ただし、式（ｇ２－８）～（ｇ２－１４）においては、Ａ^１側がＺ^２と結合し、Ｇ^１側が［－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］と結合する。

【0158】

化合物（２）は、下記式（２Ｂ)で表される化合物であることが好ましい。

【化19】

【0159】

式（２Ｂ)中、Ｒ^５１は、炭素数２以上のアルキル基である。
Ｒ^５２及びＲ^５４はそれぞれ独立に、アルキレン基である。
Ｒ^５３は、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、又は、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－である。
Ｒ^３は、式（Ｂ１）におけるＲ^３と同じある。ｋ１は、式（Ｂ１）におけるｋ１と同じである。
Ｘ^３１（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｈ（－Ｒ^３１）_ｉで表される基は、式（３－１Ａ）におけるＸ^３１（－Ｑ^ｂ－Ｓｉ（Ｒ^３）_ｎＬ_３－ｎ）_ｈ（－Ｒ^３１）_ｉで表される基と同じである。
ｔ１は、０又は１である。

【0160】

Ｒ^５１で表されるアルキル基の好ましい態様は、上記アルキル基の欄で説明したとおりである。
Ｒ^５２で表されるアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよい。アルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、４～２０がさらに好ましく、５～１５が特に好ましい。
Ｒ^５４で表されるアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよい。アルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。

【0161】

化合物（２）としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。下記式中、ｎは９～５０が好ましく、１１～３０がより好ましく、１１～２５がさらに好ましい。

【0162】

【化20】

【0163】

【化21】

【0164】

【化22】

【0165】

【化23】

【0166】

＜化合物（３）＞
化合物（３）は、下記式（３Ａ）で表される化合物であることが好ましい。
［Ｔ^３－（Ｏ）_ｒ－Ｚ^３］_ｐ１Ａ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１ …（３Ａ）
式（３Ａ）中、
Ｔ^３は、１価の環状のポリシロキサン残基又は１価のかご状のポリシロキサン残基であり、
ｒは、０又は１であり、
Ｚ^３は、２価のオルガノポリシロキサン残基であるか、又は、２価のオルガノポリシロキサン残基と、アルキレン鎖及びポリアルキレンオキシド鎖の少なくとも一方との組み合わせであり、
Ａは、単結合又はｐ１＋ｑ１価の連結基であり、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、１価の炭化水素基であり、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎは、０～２の整数であり、
ｐ１及びｑ１は、それぞれ独立に、１以上の整数である。

【0167】

Ｒ^２、Ｌ、及びｎは、上記式（Ｓ１）におけるＲ^２、Ｌ、及びｎと同様である。
Ａ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基は、下記に示す内容以外、上記式（１Ａ）におけるＡ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基と同様である。
ｐ１及びｑ１は、上記式（１Ａ）におけるｐ１及びｑ１と同様である。

【0168】

１価の環状のポリシロキサン残基は、下記式（Ｔ１）で表される基が好ましい。
式（Ｔ１）中、
Ｒ^Ｔは、それぞれ独立に、炭化水素基又は置換基を有する炭化水素基であり、
ｓは、１～４の整数である。

【化24】

【0169】

Ｒ^Ｔで表される炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭化水素基は、脂肪族炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましい。

【0170】

アルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、及び環状アルキル基のいずれであってもよいが、直鎖状アルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は１～１０であることが好ましく、１～８であることがより好ましく、１～４であることがさらに好ましい。具体的に、Ｒ^３で表されるアルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、又はｎ－ブチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

【0171】

Ｒ^Ｔで表される置換基を有する炭化水素基に含まれる炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭化水素基は、脂肪族炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましい。アルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、及び環状アルキル基のいずれであってもよいが、直鎖状アルキル基が好ましい。置換アルキル基に含まれるアルキル基の炭素数は１～１０であることが好ましく、１～８であることがより好ましく、２～４であることがさらに好ましい。

【0172】

Ｒ^Ｔで表される置換基を有する炭化水素基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、トリアルキルシリルエーテル基、トリアルキルシリル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、スルホニル基、及びトリフルオロメチル基が挙げられる。

【0173】

複数のＲ^Ｔは同一であってもよく、互いに異なっていてもよいが、製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。

【0174】

１価の環状のポリシロキサン残基としては、例えば、以下の基が挙げられる。

【0175】

【化25】

【0176】

１価のかご状のポリシロキサン残基は下記式（Ｔ２）で表される基が好ましい。
式（Ｔ２）中、
Ｒ^４はそれぞれ独立に、炭化水素基、トリアルキルシリルオキシ基である。

【0177】

【化26】

【0178】

Ｒ^４で表される炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭化水素基は、脂肪族炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましい。アルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、及び環状アルキル基のいずれであってもよいが、直鎖状アルキル基又は分岐鎖状アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、又は、イソブチル基がより好ましく、イソブチル基がさらに好ましい。

【0179】

Ｒ^４で表されるトリアルキルシリルオキシ基に含まれるアルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、及び環状アルキル基のいずれであってもよいが、直鎖状アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、又はｎ－ブチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ^４がトリアルキルシリルオキシ基である場合、３つのアルキルシリルオキシ基は同一であってもよく、互いに異なっていてもよいが、製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。

【0180】

１価のかご状のポリシロキサン残基としては、例えば、以下の基が挙げられる。

【0181】

【化27】

【0182】

Ａ（Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ）_ｑ１で表される基は、基（３－１Ａ）又は基（３－１Ｂ）が好ましく、基（３－１Ａ）がより好ましい。

【0183】

式（３－１Ａ）中、Ｑ^ａは、単結合又は２価の連結基である。
ただし、Ｑ^ａのＺ^３と結合する側の末端は、アルキレン基、ポリアルキレンオキシド鎖、及び２価のオルガノポリシロキサン残基のいずれでもない。
Ｚ^３のＡ側末端がアルキレン鎖である場合には、Ｑ^ａは、アルキレン基以外の２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒ^ａ）_２－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－Ｓ－を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、又は－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基が好ましく、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－Ｓ－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、又は－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基がより好ましく、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基がさらに好ましい。
Ｚ^３のＡ側末端がポリアルキレンオキシド鎖である場合には、Ｑ^ａは、アルキレン基以外の２価の炭化水素基、２価の複素環基、－ＳＯ_２－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒ^ａ）_２－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、又は－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基が好ましく、－Ｃ（Ｏ）－がより好ましい。
Ｚ^３のＡ側末端が２価のオルガノポリシロキサン残基である場合には、Ｑ^ａは、アルキレン基以外の２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒ^ａ）_２－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－Ｓ－を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基、又は－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－を有するアルキレン基が好ましい。

【0184】

式（３－１Ａ）中、Ｘ^３１は、単結合、アルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である。
ただし、Ｑ^ａが単結合の場合、Ｘ^３１のＺ^３と結合する側の末端は、アルキレン基、ポリアルキレンオキシド鎖、及び２価のオルガノポリシロキサン残基のいずれでもない。上記以外の場合、Ｘ^３１の末端は、アルキレン基、ポリアルキレンオキシド鎖、及び２価のオルガノポリシロキサン残基のいずれであってもよい。

【0185】

式（３－１Ａ）中、Ｑ^ｂは、単結合又は２価の連結基である。
ただし、Ｑ^ａ及びＸ^３１が単結合の場合、Ｑ^ｂのＺ^３と結合する側の末端はアルキレン基、ポリアルキレンオキシド鎖、及び２価のオルガノポリシロキサン残基のいずれでもない。上記以外の場合、Ｑ^ｂの末端は、アルキレン基、ポリアルキレンオキシド鎖、及び２価のオルガノポリシロキサン残基のいずれであってもよい。

【0186】

式（３－１Ａ）中、Ｑ^ａ、Ｘ^３１、及びＱ^ｂが単結合の場合、［Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］は、Ｚ^３と直接結合し、Ｚ^３はアルキレン鎖である。

【0187】

式（３－１Ｂ）中、Ｑ^ｃは、単結合又は２価の連結基である。
ただし、Ｑ^ｃのＺ^３と結合する側の末端は、アルキレン基、ポリアルキレンオキシド鎖、及び２価のオルガノポリシロキサン残基のいずれでもない。

【0188】

基（３－１Ａ）としては、基（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）が好ましい。
ただし、基（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）のＺ^３と結合する側の末端は、アルキレン基、ポリアルキレンオキシド鎖、及び２価のオルガノポリシロキサン残基のいずれでもない。

【0189】

基（３－１Ａ－１）において、Ｚ^３のＡ側末端がアルキレン鎖である場合には、Ｘ^３２は、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましく、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－がより好ましく、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－又は－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－がさらに好ましい。
Ｚ^３のＡ側末端がポリアルキレンオキシド鎖である場合には、Ｘ^３２は、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましく、－Ｃ（Ｏ）－がより好ましい。
Ｚ^３のＡ側末端が２価のオルガノポリシロキサン残基である場合には、Ｘ^３２は、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましく、－Ｏ－がより好ましい。

【0190】

Ｚ^３のＡ側末端がアルキレン鎖である場合には、ｓ１が０であって、Ｑ^ｂ１が単結合であるか、又は、ｓ１が１であって、Ｑ^ｂ１が、炭素数２～６のアルキレン基であることが好ましい。
Ｚ^３のＡ側末端がポリアルキレンオキシド鎖である場合には、ｓ１が１であって、Ｑ^ｂ１が炭素数２～６のアルキレン基であることが好ましい。
Ｚ^３のＡ側末端が２価のオルガノポリシロキサン残基である場合には、ｓ１が１であって、Ｑ^ｂ１が単結合であることが好ましい。

【0191】

基（３－１Ａ－２）において、Ｚ^３のＡ側末端がアルキレン鎖又は２価のオルガノポリシロキサン残基である場合には、Ｘ^３３は、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましい。
Ｚ^３のＡ側末端がポリアルキレンオキシド鎖である場合には、Ｘ^３３は、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－ＳＯ_２Ｎ（Ｒ^ｄ）－、又は－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ^ｄ）－が好ましい。

【0192】

式（３Ａ）におけるＡは、基（ｇ２－１）（ただし、ｊ１＝ｄ１＋ｄ３、ｇ１＝ｄ２＋ｄ４である。）、基（ｇ２－２）（ただし、ｊ１＝ｅ１、ｇ１＝ｅ２である。）、基（ｇ２－３）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝２である。）、基（ｇ２－４）（ただし、ｊ１＝ｈ１、ｇ１＝ｈ２である。）、基（ｇ２－５）（ただし、ｊ１＝ｉ１、ｇ１＝ｉ２である。）、基（ｇ２－６）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝１である。）、又は、基（ｇ２－７）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｉ３である。）であってもよい。

【0193】

ただし、式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）においては、Ａ^１側がＺ^３と結合し、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５又はＱ^２６側が［－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］と結合する。

【0194】

Ａの他の形態としては、基（ｇ２－８）（ただし、ｊ１＝ｄ１＋ｄ３、ｇ１＝ｄ２×ｋ３＋ｄ４×ｋ３である。）、基（ｇ２－９）（ただし、ｊ１＝ｅ１、ｇ１＝ｅ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１０）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１１）（ただし、ｊ１＝ｈ１、ｇ１＝ｈ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１２）（ただし、ｊ１＝ｉ１、ｇ１＝ｉ２×ｋ３である。）、基（ｇ２－１３）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｋ３である。）、又は基（ｇ２－１４）（ただし、ｊ１＝１、ｇ１＝ｉ３×ｋ３である。）が挙げられる。

【0195】

ただし、式（ｇ２－８）～（ｇ２－１４）においては、Ａ^１側がＺ^３と結合し、Ｇ^１側が［－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］と結合する。

【0196】

化合物（３）の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。

【0197】

【化28】

【0198】

＜化合物（４）＞
化合物（４）は、下記式（４Ａ）で表される化合物であることが好ましい。

【0199】

【化29】

式（４Ａ）中、
Ｔ^４１及びＴ^４２は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の基であり、
Ｚ^４１は、それぞれ独立に、オルガノポリシロキサン残基又は炭素数１０以上のアルキレン鎖であり、
Ｚ^４２は、それぞれ独立に、ポリオキシアルキレン鎖であり、
Ａ^４は、（ｐ＋ｑ＋ｇ）価の連結基であり、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、１価の炭化水素基であり、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｐは、１～３の整数であり、
ｑは、１～３の整数であり、
ｎは、０～２の整数であり、
ｇは、１以上の整数である。
ただし、全てのＺ^４１が炭素数１０以上のアルキレン鎖である場合、Ａ^４はオルガノポリシロキサン残基を含む（ｐ＋ｑ＋ｇ）価の連結基である。

【0200】

Ｚ^４１で表されるオルガノポリシロキサン残基は、上記式（Ｂ１）で表される基が好ましい。
Ｒ^２、Ｌ、及びｎは、上記式（Ｓ１）におけるＲ^２、Ｌ、及びｎと同様である。

【0201】

化合物（４）の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。

【0202】

【化30】

【0203】

＜ポリマーＰ０＞
重合性化合物Ａとしては、例えば、グリセリンのエチレンオキシド付加体に対して、２－イソシアネートエチルメタクリレート及び３－イソシアネートプロピルトリメトキシシランを反応させることにより得られる化合物が挙げられる。この化合物は、具体的には、グリセリン残基と、グリセリン残基と結合した３つのポリエチレンオキシド鎖と、を有し、かつ、２つのトリメトキシシリル基及び１つのメタクリロイル基を有する。

【0204】

重合性化合物Ｂとしては、例えば、片末端メタクリロイル基含有ポリジメチルシロキサンが挙げられる。

【0205】

＜ポリマー（Ｐ１）＞
ポリマー（Ｐ１）～（Ｐ３）において、重合性モノマーとは、重合性基を有するモノマーを意味する。

【0206】

Ｂブロックに含まれていてもよい２価のオルガノポリシロキサン残基は、上記式（Ｂ１）で表される基が好ましい。

【0207】

ポリマー（Ｐ１）の具体例として、以下のＡＢＡトリブロックポリマーが挙げられる。
・Ａブロックが、ヒドロキシエチルメタクリレートに由来する構成単位と、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシランに由来する構成単位と、を含み、Ｂブロックが、主鎖にジメチルポリシロキサン残基を含む重合開始剤に由来する構造を含む、ＡＢＡトリブロックポリマー。
・Ａブロックが、片末端メタクリロイル基含有ポリジメチルシロキサンに由来する構成単位と、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシランに由来する構成単位と、を含み、Ｂブロックが、主鎖にポリアルキレンオキシド鎖を含む重合開始剤に由来する構造を含む、ＡＢＡトリブロックポリマー。

【0208】

＜ポリマー（Ｐ２）＞
ポリマー（Ｐ２）において、Ｂブロックに含まれる２価のオルガノポリシロキサン残基は、上記式（Ｂ１）で表される基が好ましい。

【0209】

ポリマー（Ｐ２）の具体例として、以下のＡＢＡトリブロックポリマーが挙げられる。
・Ａブロックが、ステアリルアクリレートに由来する構成単位と、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシランに由来する構成単位と、を含み、Ｂブロックが、主鎖にジメチルポリシロキサン残基を含む重合開始剤に由来する構造を含む、ＡＢＡトリブロックポリマー。

【0210】

＜ポリマー（Ｐ３）＞
ポリマー（Ｐ３）において、Ｂブロックに含まれる２価のオルガノポリシロキサン残基は、上記式（Ｂ１）で表される基が好ましい。

【0211】

ポリマー（Ｐ３）の具体例として、以下のブロックポリマーが挙げられる。
・ステアリルアクリレートに由来する構成単位と、片末端メタクリロイル基含有ポリジメチルシロキサンに由来する構成単位と、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシランに由来する構成単位と、からなるトリブロックポリマー。

【0212】

＜化合物（５Ａ）、（５Ｂ）＞
化合物（５Ａ）及び（５Ｂ）において、
Ｘ^Ａは、それぞれ独立に、
－（ＣＨ_２）_ｓ７－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｔ７－、
－（ＣＨ_２）_ｓ７－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_ｔ７－、
－（ＣＨ_２）_ｓ７－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｕ７－ＣＯ－、又は
－（ＣＨ_２）_ｓ７－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｕ７－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_ｔ７－
であることがより好ましい。

【0213】

Ｒ^５４は、それぞれ独立に、水素原子、フェニル基、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～１０のオキシアルキレン含有基であり、
ｓ７は、１～２０の整数であり、
ｔ７は、１～２０の整数であり、
ｕ７は、１～２０の整数である。

【0214】

Ｘ^Ａは、それぞれ独立に、下記式（Ｗ６）で表される基であることが好ましい。
式（Ｗ６）中、Ｘ^ａは、それぞれ独立に、単結合又は２価の有機基である。

【0215】

【化31】

【0216】

化合物（５Ａ）の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
・（ＣＨ_３）_３Ｓｉ－（ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２）_１９－（ＣＨ_２）_１０－ＣＯＮＨ－ＣＨ_２Ｃ｛ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３｝_３
・ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２）_５７－（ＣＨ_２）_３－ＯＣＨ_２－ＣＯＮＨ－ＣＨ_２Ｃ｛ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３｝_３

【0217】

＜化合物（６）＞
本開示の表面処理剤が化合物（６）を含む場合、本開示の表面処理剤は、さらに金属化合物を含むことが好ましい。

【0218】

金属化合物は、下記式（Ｍ６ａ）又は（Ｍ６ｂ）で表される化合物であることが好ましい。

【0219】

【化32】

【0220】

式（Ｍ６ａ）中、
Ｒ^ｋ１は、シロキサン骨格含有基、炭化水素鎖含有基、又は加水分解性基を表し、
複数のＸ^ｋ１は、それぞれ独立に、加水分解性基を表す。
Ｘ^ｋ２は、シロキサン骨格含有基、炭化水素鎖含有基又は加水分解性基を表す。
Ｒ^ｋ１及びＸ^ｋ１におけるシロキサン骨格含有基の元素数は、化合物（１４）の（Ｒ^ａ９）_３Ｓｉ－Ｚ－（Ｓｉ（Ｒ^ｓ１）_２－Ｏ－）_ｎ９－Ｙ－で表されるトリアルキルシリル基含有分子鎖の元素数より少なく、Ｒ^ｋ１及びＸ^ｋ１における炭化水素鎖含有基に含まれる炭化水素鎖の最長直鎖の炭素数は、化合物（１４）の（Ｒ^ａ９）_３Ｓｉ－Ｚ－（Ｓｉ（Ｒ^ｓ１）_２－Ｏ－）_ｎ９－Ｙ－で表されるトリアルキルシリル基含有分子鎖の元素数より少ない。
Ｒ^ｋ１及びＸ^ｋ２がシロキサン骨格含有基又は炭化水素鎖含有基の場合、Ｒ^ｋ１とＸ^ｋ２とは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ^ｋ２が加水分解性基の場合、Ｘ^ｋ２とＸ^ｋ１とは同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^ｋ１とＸ^ｋ２は同一であっても異なっていてもよい。Ｍ^４は、金属アルコキシドを形成しうる３価又は４価の金属原子を表す。ｍ１４は、Ｍ^４に応じて、０又は１の整数を表す。

【0221】

【化33】

【0222】

式（Ｍ６ｂ）中、
Ｒ^ｋ３は、加水分解性シランオリゴマー残基を表し、
Ｘ^ｋ３は、加水分解性基、炭素数１～４の含フッ素アルキル基又は炭素数１～４のアルキル基を表す。

【0223】

化合物（６）の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。

【0224】

【化34】

【0225】

また、第１の化合物は、下記式（Ｃ）又は式（Ｄ）で表されることが好ましい。

【0226】

【化35】

式（Ｃ）及び式（Ｄ）中、
Ｔ^１１は、１価の基であり、
Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
ｋ１は、１以上の数であり、
Ａは、単結合又はｑ１＋１価の連結基であり、
ｑ１は、それぞれ独立に、１以上の整数であり、
Ｒ^２は、それぞれ独立に、炭化水素基であり、
Ｌは、それぞれ独立に、加水分解性基、加水分解性基を有する基、又は水酸基であり、
ｎは、０～２の整数である。

【0227】

Ｒ^３及びｋ１は、式（Ｂ１）におけるＲ^３及びｋ１と同様である。
Ｒ^２、Ｌ、及びｎは、上記式（Ｓ１）におけるＲ^２、Ｌ、及びｎと同様である。
Ａは、上記式（１Ａ）におけるＡと同様である。

【0228】

式（Ｃ）において、ｑ１は、１～１５であることが好ましく、１～６であることがより好ましく、２～４であることがさらに好ましく、２又は３であることが特に好ましい。ｑ１は１であってもよい。
式（Ｄ）において、ｑ１はそれぞれ独立に、１～１５であることが好ましく、１～６であることがより好ましく、２～４であることがさらに好ましく、２又は３であることが特に好ましい。ｑ１は１であってもよい。

【0229】

Ｔ^１１としては、例えば、式（１Ａ）におけるＴ^１ _３Ｍ^１、式（２Ａ）におけるＴ^２、及び式（３Ａ）におけるＴ^３が挙げられる。

【0230】

Ｍ^１は、Ｓｉ、Ｓｎ、又はＧｅであり、
Ｔ^１は、それぞれ独立に、炭化水素基又はトリアルキルシリルオキシ基である。
Ｔ^１及びＭ^１の好ましい態様は、上記のとおりである。
Ｔ^２は、炭素数２以上のアルキル基である。
Ｔ^２の好ましい態様は、上記のとおりである。
Ｔ^３は、１価の環状のポリシロキサン残基又は１価のかご状のポリシロキサン残基である。１価の環状のポリシロキサン残基及び１価のかご状のポリシロキサン残基の好ましい態様は、上記のとおりである。

【0231】

第１の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、５００～２０，０００であることが好ましく、６００～１８，０００であることがより好ましく、７００～１５，０００であることがさらに好ましい。

【0232】

Ｍｎが５００以上であれば、表面処理層の耐摩耗性がより優れる。Ｍｎが２０，０００以下であれば、粘性を適切な範囲内に調節しやすく、また溶解性が向上するので、成膜時のハンドリング性が優れる。

【0233】

本開示の表面処理剤は、第１の化合物と、後述する液状媒体とを含んでいればよく、第１の化合物及び液状媒体以外の成分は特に限定されない。
本開示の表面処理剤は、反応性基を有する化合物を１種のみ含んでいてもよく、２種以上含んでいてもよい。

【0234】

本開示の表面処理剤は、第１の化合物の製造工程で生成した副生物等の不純物を含んでもよい。

【0235】

第１の化合物の含有量は、本開示の表面処理剤の全量に対して、０．００１～５０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％がより好ましく、０．１～１０質量％がさらに好ましい。ウェットコーティング法に使用する本開示の表面処理剤の場合には、第１の化合物の含有量は、本開示の表面処理剤の全量に対して、０．０１～１０質量％であってもよく、０．０２～５質量％であってもよく、０．０３～３質量％であってもよく、０．０５～２質量％であってもよい。

【0236】

＜液状媒体＞
本開示の表面処理剤は、液状媒体を含み、液状媒体は、フッ素原子を有し、水酸基を有さず、比重１．００以上１．４０未満である第２の化合物を含む。液状媒体は、第２の化合物のみであってもよく、第２の化合物以外の液状媒体を含んでいてもよい。

【0237】

本開示において、比重は、ＪＩＳ Ｚ ８８０４ ２０１２に基づいてを用いて測定される。

【0238】

表面処理層の均一性を向上させる観点から、第２の化合物は、下記式（Ａ）で表される化合物であることが好ましい。

【化36】

Ｘ^１、Ｘ^２は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、又は塩素原子である。
Ｙ^１、Ｙ^２は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は炭素原子数１～５の脂肪族飽和炭化水素基（ただし、水素原子の一部又は全部が塩素原子又はフッ素原子で置換されてもよい。）であり、Ｙ^１とＹ^２の合計の炭素原子数は１～５である。
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｙ^１及びＹ^２のうち少なくとも１つは、フッ素原子である。

【0239】

中でも、第２の化合物は、１－クロロ－２，３，３－トリフルオロ－１－プロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ）、１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロぺン（ＨＦＯ－１２３３ｚｄ）、又は１，１－ジクロロ－２，３，３，３－テトラフルオロプロペン（ＣＦＯ－１２１４ｙａ）が好ましい。ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄは、（Ｅ）－１－クロロ－２，３，３－トリフルオロ－１－プロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｅ））であってもよく、（Ｚ）－１－クロロ－２，３，３－トリフルオロ－１－プロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｚ））であってもよく、ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｅ）とＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｚ）との混合物であってもよい。ＨＦＯ－１２３３ｚｄは、（Ｅ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロぺン（ＨＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ））であってもよく、（Ｚ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロぺン（ＨＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ））であってもよく、ＨＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）とＨＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の混合物であってもよい。

【0240】

第２の化合物以外の液状媒体は１種のみであってもよく、２種以上であってもよい。

【0241】

第２の化合物以外の液状媒体は、有機溶媒が好ましい。

【0242】

有機溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物、並びに、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が挙げられ、具体的には、炭化水素系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒、グリコール系有機溶媒、及びアルコール系有機溶媒が挙げられる。
炭化水素系有機溶媒の具体例としては、ペンタン、ヘキサン、へプタン、オクタン、ヘキサデカン、イソヘキサン、イソオクタン、イソノナン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、ｏ－ジエチルベンゼン、ｍ－ジエチルベンゼン、ｐ－ジエチルベンゼン、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンが挙げられる。
ケトン系有機溶媒の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、４－ヘプタノン、３，５，５－トリメチル－２－シクロヘキセン－１－オン、及び３，３，５－トリメチルシクロヘキサノン、イソホロンが挙げられる。
エーテル系有機溶媒の具体例としては、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサンが挙げられる。
エステル系有機溶媒の具体例としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｔｅｒｔ‐ブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、３－エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチルエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、３－メトキシ－３－メチルブチルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルアセテート、プロピレングリコールジメチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノールアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコ－ルメチルエ－テルアセテ－ト、１，３－ブチレングリコールジアセテート、１，４－ブタンジオールジアセテート、１，３－ブチレングリコールジアセテート、１，６－ヘキサンジオールジアセテート、γ－ブチロラクトン、トリアセチン、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチレートが挙げられる。
グリコール系有機溶媒の具体例としては、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｔｅｒｔ－ブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、１，３－ブチレングリコール、プロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ－ブチルエ－テル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテルペンタン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。
アルコール系有機溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブタノール、ジアセトンアルコール、イソブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ペンタノール、３－メチル－１，３－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，３－ブチレングリコール、オクタンジオール、２，４－ジエチルペンタンジオール、ブチルエチルプロパンジオール、２－メチル－１，３－プロパンジオール、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン、２－エチル－１－ヘキサノール、３，５，５－トリメチル－１－ヘキサノール、イソデカノール、イソトリデカノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、２－メトキシブタノール、３－メトキシブタノール、シクロヘキサノール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ベンジルアルコール、及びメチルシクロヘキサノールが挙げられる。

【0243】

また、有機溶媒としては、ハロゲン系有機溶媒、含窒素化合物、含硫黄化合物、シロキサン化合物、及び含フッ素有機溶媒が挙げられる。

【0244】

ハロゲン系有機溶媒の具体例としては、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－クロロトルエン、ｍ－クロロトルエン、ｐ－クロロトルエン、ｍ－ジクロロベンゼン、１，２，３－トリクロロプロパンが挙げられる。

【0245】

含窒素化合物としては、ニトロベンゼン、アセトニトリル、ベンゾニトリル、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンが挙げられる。

【0246】

含硫黄化合物としては、二硫化炭素、ジメチルスルホキシドが挙げられる。

【0247】

シロキサン化合物としては、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、オクタエチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ヘキサエチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、オクタエチルシクロテトラシロキサン、デカメチルテトラシロキサンが挙げられる。

【0248】

含フッ素有機溶媒としては、ポリフルオロ芳香族炭化水素（例えば、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン）；ポリフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_３（例えば、ＡＧＣ社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン（例えば、日本ゼオン株式会社製のゼオローラ（登録商標）Ｈ）；ヒドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）（例えば、パーフルオロプロピルメチルエーテル（Ｃ_３Ｆ_７ＯＣＨ_３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７０００）、パーフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７１００）、パーフルオロブチルエチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７２００）、パーフルオロヘキシルメチルエーテル（Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７３００）等のアルキルパーフルオロアルキルエーテル（パーフルオロアルキル基及びアルキル基は直鎖又は分枝状であってよい）、並びにＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２（例えば、ＡＧＣ社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００））が挙げられる。

【0249】

液状媒体の含有量は、本開示の表面処理剤の全量に対して、５０～９９．９９９質量％が好ましく、８０～９９．９９質量％がより好ましく、９０～９９．９質量％がさらに好ましい。ウェットコーティング法に使用する本開示の表面処理剤の場合には、液状媒体の含有量は、本開示の組成物の全量に対して、９０～９９．９９質量％であってもよく、９５～９９．９８質量％であってもよく、９７～９９．９７質量％であってもよく、９８～９９．９５質量％であってもよい。

【0250】

本開示の表面処理剤は、液状媒体以外に、本開示の効果を損なわない範囲で他の成分を含んでいてもよい。
他の成分としては、例えば、反応性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒、塩基性触媒等の公知の添加剤が挙げられる。

【0251】

触媒としては、任意の適切な酸又は塩基、遷移金属（例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｂ等）、分子構造内に非共有電子対を有する含硫黄化合物、含窒素化合物（例えばスルホキシド化合物、脂肪族アミン化合物、芳香族アミン化合物、リン酸アミド化合物、アミド化合物、尿素化合物）等を使用できる。
酸触媒としては、例えば、酢酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、及びｐ－トルエンスルホン酸が挙げられる。
また、塩基触媒としては、例えば、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム；及びトリエチルアミン、ジエチルアミン等の有機アミンが挙げられる。

【0252】

また、他の成分としては、加水分解性基を有する金属化合物（以下、加水分解性基を有する金属化合物を「特定金属化合物」とも記す。）も挙げられる。本開示の組成物が特定
金属化合物を含むと、表面処理層の滑り性及び防汚性をより向上しうる。特定金属化合物としては、下記式（Ｍ１）～（Ｍ３）が挙げられる。

【0253】

Ｍ（Ｘ^ｂ１）_ｍ１１（Ｘ^ｂ２）_ｍ１２（Ｘ^ｂ３）_ｍ１３ …（Ｍ１）
Ｓｉ（Ｘ^ｂ４）（Ｘ^ｂ５）_３ …（Ｍ２）
（Ｘ^ｂ６）_３Ｓｉ－（Ｙ^ｂ１）－Ｓｉ（Ｘ^ｂ７）_３ …（Ｍ３）

【0254】

式（Ｍ１）中、
Ｍは、３価又は４価の金属原子を表す。
Ｘ^ｂ１はそれぞれ独立に、加水分解性基を表す。
Ｘ^ｂ２はそれぞれ独立に、シロキサン骨格含有基を表す。
Ｘ^ｂ３はそれぞれ独立に、炭化水素鎖含有基を表す。
ｍ１１は２～４の整数であり、
ｍ１２及びｍ１３はそれぞれ独立に、０～２の整数であり、
Ｍが３価の金属原子の場合、ｍ１１＋ｍ１２＋ｍ１３は３であり、Ｍが４価の金属原子の場合、ｍ１１＋ｍ１２＋ｍ１３は４である。

【0255】

式（Ｍ２）中、
Ｘ^ｂ４は、加水分解性シランオリゴマー残基を表す。
Ｘ^ｂ５は、それぞれ独立に、加水分解性基又は炭素数１～４のアルキル基を表す。

【0256】

式（Ｍ３）中、
Ｘ^ｂ６及びＸ^ｂ７は、それぞれ独立に、加水分解性基又は水酸基を表す。
Ｙ^ｂ１は、２価の有機基を表す。

【0257】

式（Ｍ１）中、Ｍで表される金属には、Ｓｉ、Ｇｅ等の半金属も包含される。Ｍとしては、３価金属及び４価金属が好ましく、Ａｌ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、及びＺｒがより好ましく、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及びＺｒがさらに好ましく、Ｓｉが特に好ましい。

【0258】

式（Ｍ１）中、Ｘ^ｂ１で表される加水分解性基としては、上記反応性シリル基における［－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］中のＬで示される加水分解性基と同様のものが挙げられる。

【0259】

Ｘ^ｂ２で表されるシロキサン骨格含有基は、シロキサン単位（－Ｓｉ－Ｏ－）を有し、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。シロキサン単位としては、ジアルキルシリルオキシ基が好ましく、ジメチルシリルオキシ基、ジエチルシリルオキシ基等が挙げられる。シロキサン骨格含有基におけるシロキサン単位の繰り返し数は、１以上であり、１～５が好ましく、１～４がより好ましく、１～３がさらに好ましい。
シロキサン骨格含有基は、シロキサン骨格の一部に２価の炭化水素基を含んでいてもよい。具体的には、シロキサン骨格の一部の酸素原子が２価の炭化水素基で置き換わっていてもよい。前記２価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
シロキサン骨格含有基の末端のケイ素原子には、加水分解性基、炭化水素基（好ましくはアルキル基）等が結合していてもよい。
シロキサン骨格含有基の元素数は、１００以下が好ましく、５０以下がより好ましく、３０以下がさらに好ましい。前記元素数は１０以上が好ましい。
シロキサン骨格含有基としては、^＊－（Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２）_ｎＣＨ_３で表される基が好ましく、ここで、ｎは１～５の整数であり、＊は隣接原子との結合部位を表す。

【0260】

Ｘ^ｂ３で表される炭化水素鎖含有基は、炭化水素鎖のみからなる基でもよく、炭化水素鎖の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する基でもよい。炭化水素鎖は直鎖でも分岐鎖でもよく、直鎖が好ましい。炭化水素鎖は飽和炭化水素鎖でも不飽和炭化水素鎖でもよく、飽和炭化水素鎖が好ましい。炭化水素鎖含有基の炭素数は、１～３が好ましく、１～２がより好ましく、１がさらに好ましい。炭化水素鎖含有基としては、アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、又はプロピル基がより好ましい。

【0261】

ｍ１は３又は４であることが好ましい。

【0262】

式（Ｍ１）で表される化合物としては、ＭがＳｉである下記式（Ｍ１－１）～（Ｍ１－５）で表される化合物が好ましく、式（Ｍ１－１）で表される化合物がより好ましい。式（Ｍ１－１）で表される化合物としては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、トリエトキシメチルシランが好ましい。

【0263】

Ｓｉ（Ｘ^ｂ１）_４ …（Ｍ１－１）
ＣＨ_３－Ｓｉ（Ｘ^ｂ１）_３ …（Ｍ１－２）
Ｃ_２Ｈ_５－Ｓｉ（Ｘ^ｂ１）_３ …（Ｍ１－３）
ｎ－Ｃ_３Ｈ_７－Ｓｉ（Ｘ^ｂ１）_３ …（Ｍ１－４）
（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｓｉ（Ｘ^ｂ１）_３ …（Ｍ１－５）

【0264】

式（Ｍ２）中、Ｘ^ｂ４で表される加水分解性シランオリゴマー残基に含まれるケイ素原子の数は、３以上が好ましく、５以上がより好ましく、７以上がさらに好ましい。前記ケイ素原子の数は、１５以下が好ましく、１３以下がより好ましく、１０以下がさらに好ましい。
加水分解性シランオリゴマー残基は、ケイ素原子に結合するアルコキシ基を有していてもよい。前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられ、メトキシ基及びエトキシ基が好ましい。加水分解性シランオリゴマー残基は、これらアルコキシ基の１種又は２種以上を有してもよく、１種を有することが好ましい。
加水分解性シランオリゴマー残基としては、（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_３Ｓｉ－（ＯＳｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_２）_４Ｏ－^＊等が挙げられる。ここで、＊は隣接原子との結合部位を表す。

【0265】

式（Ｍ２）中、Ｘ^ｂ５で表される加水分解性基としては、上記反応性シリル基における［－Ｓｉ（Ｒ^２）_ｎＬ_３－ｎ］中のＬで示される加水分解性基と同様のもの、シアノ基、水素原子、アリル基が挙げられ、アルコキシ基又はイソシアナト基が好ましい。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。
Ｘ^ｂ５としては、加水分解性基が好ましい。

【0266】

式（Ｍ２）で表される化合物としては、（Ｈ_５Ｃ_２Ｏ）_３－Ｓｉ－（ＯＳｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_２）_４ＯＣ_２Ｈ_５等が挙げられる。

【0267】

式（Ｍ３）で表される化合物は、２価の有機基の両末端に反応性シリル基を有する化合物、すなわち、ビスシランである。
式（Ｍ３）中、Ｘ^ｂ６及びＸ^ｂ７で表される加水分解性基としては、アルコキシ基、アシロキシ基、ケトオキシム基、アルケニルオキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、イソシアナト基、ハロゲン原子が挙げられ、アルコキシ基、イソシアナト基が好ましい。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。
式（Ｍ３）において、Ｘ^ｂ６及びＸ^ｂ７は互いに同じ基でもよく、互いに異なる基でもよい。入手しやすさの点で、Ｘ^ｂ６及びＸ^ｂ７は互いに同じ基であることが好ましい。

【0268】

式（Ｍ３）中、Ｙ^ｂ１は、両末端の反応性シリル基を連結する２価の有機基である。２価の有機基のＹ^ｂ１の炭素数は１～８が好ましく、１～３がより好ましい。
Ｙ^ｂ１としては、アルキレン基、フェニレン基、炭素原子間にエーテル性酸素原子を有するアルキレン基が挙げられる。例えば、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ_６Ｈ_４－が挙げられる。

【0269】

式（Ｍ３）で表される化合物としては、（ＣＨ_３Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３、（ＯＣＮ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＮＣＯ）_３、Ｃｌ_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_２ＳｉＣｌ_３、（ＣＨ_３Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_６Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_６Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３が挙げられる。

【0270】

本開示の表面処理剤に含まれてもよい他の成分の含有量は、本開示の表面処理剤の全量に対して、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。本開示の組成物が特定金属化合物を含む場合、特定金属化合物の含有量は本開示の組成物の全量に対して０．０１～３０質量％が好ましく、０．０１～１０質量％がより好ましく、０．０５～５質量％がさらに好ましい。

【0271】

第１の化合物と他の成分の合計含有量（以下、「固形分濃度」ともいう。）は、本開示の表面処理剤の全量に対して、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％がより好ましく、０．１～１０質量％がさらに好ましい。本開示の表面処理剤の固形分濃度は、加熱前の質量と、１２０℃の対流式乾燥機にて４時間加熱した後の質量とから算出される値である。

【0272】

本開示の表面処理剤は、防汚性コーティング剤として有用である。

【0273】

［物品］
一態様において、本開示の物品は、基材と、基材上に配置され、本開示の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含む。

【0274】

表面処理層は、基材の表面の一部に形成されてもよく、基材の表面全体に形成されてもよい。表面処理層は、基材の表面に膜状に拡がっていてもよく、ドット状に点在していてもよい。
表面処理層において、本開示の化合物は、反応性シリル基の一部又は全部の加水分解が進行し、かつ、シラノール基の脱水縮合反応が進行した状態で含まれる。

【0275】

表面処理層の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍがより好ましい。表面処理層の厚さが１ｎｍ以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。表面処理層の厚さが１００ｎｍ以下であれば、利用効率が高い。表面処理層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計（製品名「ＡＴＸ－Ｇ」、ＲＩＧＡＫＵ社製）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。

【0276】

基材の種類は特に限定されず、例えば、撥水性の付与が求められている基材が挙げられる。基材として、例えば、他の物品（例えば、スタイラス）又は人の手指を接触させて使用することがある基材；操作時に人の手指で持つことがある基材；及び、他の物品（例えば、載置台）の上に置くことがある基材が挙げられる。
基材の材料としては、金属、樹脂、ガラス、サファイア、セラミック、半導体、石、繊維、不織布、紙、木、毛皮、天然皮革、人工皮革、陶磁器、及びこれらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。

【0277】

基材としては、建材、装飾建材、インテリア用品、輸送機器（例えば、自動車）、看板、掲示板、飲用器、食器、水槽、観賞用器具（例えば、額、箱）、実験器具、家具、繊維製品、包装容器；アート、スポーツ、ゲーム等に使用する、ガラス又は樹脂；携帯電話（例えば、スマートフォン）、携帯情報端末、ゲーム機、リモコン等の機器における外装部分（表示部を除く）に使用する、ガラス又は樹脂が挙げられる。基材の形状は、板状であってもよく、フィルム状であってもよい。

【0278】

基材としては、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、メガネレンズが好適であり、タッチパネル用基材が特に好適である。タッチパネル用基材の材料としては、ガラス又は透明樹脂が好ましい。

【0279】

基材は、一方の表面又は両面が、コロナ放電処理、プラズマ処理、プラズマグラフト重合処理等の表面処理が施された基材であってもよい。表面処理が施された基材は、表面処理層との密着性がより優れ、表面処理層の耐摩耗性がより向上する。そのため、基材の表面処理層と接する側の表面に表面処理を施すことが好ましい。また、表面処理が施された基材は、後述する下地層が設けられる場合には、下地層との密着性がより優れ、表面処理層の耐摩耗性がより向上する。そのため、下地層が設けられる場合には、基材の下地層と接する側の表面に表面処理を施すことが好ましい。

【0280】

表面処理層は、基材の表面上に直接設けられていてもよく、基材と表面処理層との間に下地層が設けられていてもよい。表面処理層の撥水性及び耐摩耗性をより向上させる観点から、本開示の物品は、基材と、基材上に配置された下地層と、下地層上に配置された本開示の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含むことが好ましい。

【0281】

下地層は、ケイ素と、周期表の第１族元素、第２族元素、第４族元素、第５族元素、第１３族元素、及び第１５族元素からなる群から選択される少なくとも１つの特定元素とを含む酸化物を含む層が好ましい。

【0282】

周期表の第１族元素（以下、「第１族元素」ともいう。）とは、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムを意味する。第１族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、リチウム、ナトリウム、カリウムが好ましく、ナトリウム、カリウムがより好ましい。下地層には、第１族元素が２種以上含まれていてもよい。

【0283】

周期表の第２族元素（以下、「第２族元素」ともいう。）とは、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムを意味する。第２族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、マグネシウム、カルシウム、バリウムが好ましく、マグネシウム、カルシウムがより好ましい。下地層には、第２族元素が２種以上含まれていてもよい。

【0284】

周期表の第４族元素（以下、「第４族元素」ともいう。）とは、チタン、ジルコニウム、及びハフニウムを意味する。第４族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、チタン、ジルコニウムが好ましく、チタンがより好ましい。下地層には、第４族元素が２種以上含まれていてもよい。

【0285】

周期表の第５族元素（以下、「第５族元素」ともいう。）とは、バナジウム、ニオブ及びタンタルを意味する。第５族元素としては、表面処理層の耐摩耗性がより優れる観点から、バナジウムが特に好ましい。下地層には、第５族元素が２種以上含まれていてもよい。

【0286】

周期表の第１３族元素（以下、「第１３族元素」ともいう。）とは、ホウ素、アルミニウム、ガリウム及びインジウムを意味する。第１３族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、ホウ素、アルミニウム、ガリウムが好ましく、ホウ素、アルミニウムがより好ましい。下地層には、第１３族元素が２種以上含まれていてもよい。

【0287】

周期表の第１５族元素（以下、「第１５族元素」ともいう。）とは、窒素、リン、ヒ素、アンチモン及びビスマスを意味する。第１５族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、リン、アンチモン、ビスマスが好ましく、リン、ビスマスがより好ましい。下地層には、第１５族元素が２種以上含まれていてもよい。

【0288】

下地層に含まれる特定元素としては、第１族元素、第２族元素、第１３族元素が表面処理層の耐摩耗性がより優れるため好ましく、第１族元素、第２族元素がより好ましく、第１族元素がさらに好ましい。
特定元素として、１種のみの元素が含まれていても２種以上の元素が含まれていてもよい。

【0289】

下地層に含まれる酸化物は、上記元素（ケイ素及び特定元素）単独の酸化物の混合物（例えば、酸化ケイ素と、特定元素の酸化物と、の混合物）であってもよいし、上記元素を２種以上含む複合酸化物であってもよいし、上記元素単独の酸化物と複合酸化物との混合物であってもよい。

【0290】

下地層中のケイ素のモル濃度に対する、下地層中の特定元素の合計モル濃度の比（特定元素／ケイ素）は、表面処理層の耐摩耗性がより優れる観点から、０．０２～２．９０であるのが好ましく、０．１０～２．００であるのがより好ましく、０．２０～１．８０であるのがさらに好ましい。
下地層中の各元素のモル濃度（モル％）は、例えば、イオンスパッタリングを用いたＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による深さ方向分析によって測定できる。

【0291】

下地層は、単層であっても複層であってもよい。下地層は、表面に凹凸を有していてもよい。
下地層の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍがより好ましく、２～２０ｎｍがさらに好ましい。下地層の厚さが上記下限値以上であれば、下地層による表面処理層の密着性がより向上して、表面処理層の耐摩耗性がより優れる。下地層の厚さが上記上限値以下であれば、下地層自体の耐摩耗性が優れる。
下地層の厚さは、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による下地層の断面観察によって測定される。

【0292】

下地層は、例えば、蒸着材料を用いた蒸着法、又は、ウェットコーティング法により形成できる。

【0293】

蒸着法で用いる蒸着材料は、ケイ素及び特定元素を含む酸化物を含有することが好ましい。
蒸着材料の形態の具体例としては、粉体、溶融体、焼結体、造粒体、破砕体が挙げられ、取り扱い性の観点から、溶融体、焼結体、造粒体が好ましい。
ここで、溶融体とは、蒸着材料の粉体を高温で溶融させた後、冷却固化して得られた固形物を意味する。焼結体とは、蒸着材料の粉体を焼成して得られた固形物を意味し、必要に応じて、蒸着材料の粉体の代わりに、粉体をプレス形成して成形体を用いてもよい。造粒体とは、蒸着材料の粉体と液状媒体（例えば、水、有機溶媒）とを混練して粒子を得た後、粒子を乾燥させて得られた固形物を意味する。

【0294】

蒸着材料は、例えば、以下の方法で製造できる。
・酸化ケイ素の粉体と、特定元素の酸化物の粉体と、を混合して、蒸着材料の粉体を得る方法。
・上記蒸着材料の粉体及び水を混練して粒子を得た後、粒子を乾燥させて、蒸着材料の造粒体を得る方法。
・ケイ素を含む粉体（例えば、酸化ケイ素からなる粉体、珪砂、シリカゲル）と、特定元素を含む粉体（例えば、特定元素の酸化物の粉体、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物）と、水と、を混合した混合物を乾燥させた後、乾燥後の混合物又はこれをプレス成形した成形体を焼成して、焼結体を得る方法。
・ケイ素を含む粉体（例えば、酸化ケイ素からなる粉体、珪砂、シリカゲル）と、特定元素を含む粉体（例えば、特定元素の酸化物の粉体、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物）と、を高温で溶融させた後、溶融物を冷却固化して、溶融体を得る方法。

【0295】

蒸着材料を用いた蒸着法の具体例としては、真空蒸着法が挙げられる。真空蒸着法は、蒸着材料を真空槽内で蒸発させ、基材の表面に付着させる方法である。
蒸着時の温度（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を配置するボートの温度）としては、１００～３，０００℃が好ましく、５００～３，０００℃がより好ましい。
蒸着時の圧力（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を配置する槽内の圧力）としては、１Ｐａ以下が好ましく、０．１Ｐａ以下がより好ましい。
蒸着材料を用いて下地層を形成する場合、１つの蒸着材料を用いてもよいし、異なる元素を含む２つ以上の蒸着材料を用いてもよい。

【0296】

蒸着材料の蒸発方法の具体例としては、高融点金属製抵抗加熱用ボート上で蒸着材料を溶融し、蒸発させる抵抗加熱法、電子ビームを蒸着材料に照射し、蒸着材料を直接加熱して表面を溶融し、蒸発させる電子銃法が挙げられる。蒸着材料の蒸発方法としては、局所的に加熱できるため高融点物質も蒸発できる点、電子ビームが当たっていないところは低温であるため容器との反応や不純物の混入のおそれがない観点から、電子銃法が好ましい。
蒸着材料の蒸発方法としては、複数のボートを用いてもよく、単独のボートに全ての蒸着材料を入れて用いてもよい。蒸着方法は、共蒸着であってもよく、交互蒸着等でもよい。具体的には、シリカと特定源を同一のボートに混合して用いる例、シリカと特定元素源とを別々のボートに入れて共蒸着する例、同様に別々のボートに入れて交互蒸着する例が挙げられる。蒸着の条件、順番等は下地層の構成により適宜選択される。

【0297】

ウェットコーティング法では、ケイ素を含む化合物と、特定元素を含む化合物と、液状媒体と、を含むコーティング液を用いたウェットコーティング法によって、基材上に下地層を形成することが好ましい。

【0298】

ケイ素化合物の具体例としては、酸化ケイ素、ケイ酸、ケイ酸の部分縮合物、アルコキシシラン、アルコキシシランの部分加水分解縮合物が挙げられる。

【0299】

特定元素を含む化合物の具体例としては、特定元素の酸化物、特定元素のアルコキシド、特定元素の炭酸塩、特定元素の硫酸塩、特定元素の硝酸塩、特定元素のシュウ酸塩、特定元素の水酸化物が挙げられる。

【0300】

液状媒体としては、本開示の表面処理剤に含まれていてもよい液状媒体と同様のものが挙げられる。

【0301】

液状媒体の含有量は、下地層の形成に使用するコーティング液の全量に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。

【0302】

下地層を形成するためのウェットコーティング法の具体例としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法が挙げられる。

【0303】

コーティング液をウェットコーティングした後、塗膜を乾燥させるのが好ましい。塗膜の乾燥温度としては、２０～２００℃が好ましく、８０～１６０℃がより好ましい。

【0304】

本開示の物品は、表面処理層を最外層に有する光学材料であってもよい。
光学材料としては、ディスプレイ等に関する光学材料のほか、多種多様な光学材料が好ましく挙げられる。
光学材料としては、例えば、陰極線管（ＣＲＴ；例えば、パソコンモニター）、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、無機薄膜ＥＬドットマトリクスディスプレイ、背面投写型ディスプレイ、蛍光表示管（ＶＦＤ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ；Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）等のディスプレイ又はそれらのディスプレイの保護板、又はそれらの表面に反射防止膜処理を施したものが挙げられる。

【0305】

本開示の物品は、光学部材であることが好ましい。光学部材としては、例えば、カーナビゲーション、携帯電話、スマートフォン、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ＰＤＡ、ポータブルオーディオプレーヤー、カーオーディオ、ゲーム機器、眼鏡レンズ、カメラレンズ、レンズフィルター、サングラス、胃カメラ等の医療用器機、複写機、ＰＣ、ディスプレイ（例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルディスプレイ）、タッチパネル、保護フィルム、及び反射防止フィルムが挙げられる。
また、光学部材としては、ＰＤＰ、ＬＣＤ等のディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板；ブルーレイ（Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標））ディスク、ＤＶＤディスク、ＣＤ－Ｒ、ＭＯ等の光ディスクのディスク面；光ファイバー；時計の表示面も挙げられる。
特に、本開示の物品は、ディスプレイ又はタッチパネルであることが好ましい。

【0306】

本開示の物品は、医療機器又は医療材料であってもよい。また、本開示の物品は、自動車内外装部材であってもよい。外装材としては、例えば、ウィンドウ、ライトカバー、社外カメラカバーが挙げられる。内装材としては、例えば、インパネカバー、ナビゲーションシステムタッチパネル、加飾内装材が挙げられる。

【0307】

本開示の物品が光学部材である場合、基材の表面を構成する材料は、光学部材用材料、例えば、ガラス又は透明プラスチックである。また、本開示の物品が光学部材である場合、基材の表面（最外層）に、ハードコート層、反射防止層等の機能性層が形成されていてもよい。反射防止層は、単層反射防止層及び多層反射防止層のいずれであってもよい。
反射防止層に使用可能な無機物の例としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＴｉＯ、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔａ_３Ｏ_５，Ｎｂ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＣｅＯ_２、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＭｇＦ_２、及びＷＯ_３が挙げられる。これらの無機物は、単独で、又はこれらの２種以上を組み合わせて（例えば混合物として）使用してもよい。多層反射防止層とする場合、その最外層にはＳｉＯ_２及び／又はＳｉＯを用いることが好ましい。本開示の物品が、タッチパネル用の光学ガラス部品である場合、透明電極、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛等を用いた薄膜を、基材（ガラス）の表面の一部に有していてもよい。また、基材は、その具体的仕様等に応じて、絶縁層、粘着層、保護層、装飾枠層（Ｉ－ＣＯＮ）、霧化膜層、ハードコーティング膜層、偏光フィルム、相位差フィルム、液晶表示モジュール等を有していてもよい。

【0308】

［物品の製造方法］
本開示の物品の製造方法は、例えば、基材に対して、本開示の表面処理剤を用いて表面処理を行い、基材上に表面処理層が形成された物品を製造するという方法である。表面処理としては、ドライコーティング法及びウェットコーティング法が挙げられる。

【0309】

ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。ドライコーティング法としては、化合物の分解を抑える点、及び装置の簡便さの観点から、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着時には、鉄、鋼等の金属多孔体に、本開示の化合物を含浸させたペレット状物質を用いてもよい。本開示の化合物及び液状媒体を含む組成物を、鉄、鋼等の金属多孔体に含浸させ、液状媒体を乾燥させて、本開示の化合物を含浸させたペレット状物質を用いてもよい。

【0310】

ウェットコーティング法としては、例えば、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法が挙げられる。

【0311】

表面処理層の耐摩耗性を向上させるために、必要に応じて、本開示の化合物と基材との反応を促進させるための操作を行ってもよい。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。
例えば、水分を有する大気中で表面処理層が形成された基材を加熱して、加水分解性基の加水分解反応、基材の表面の水酸基等とシラノール基との反応、シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合の生成、等の反応を促進できる。
表面処理後、表面処理層中の化合物であって、他の化合物又は基材と化学結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。除去する方法としては、例えば、表面処理層に溶媒をかけ流す方法、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法等が挙げられる。

【実施例0312】

以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【0313】

［化合物１１の合成］
特開２０１７－２０１０１０号公報の合成例２の方法にしたがい、化合物１１を合成した。繰り返し数ｎの平均値は８であった。

【0314】

【化37】

【0315】

［化合物１２の合成］
国際公開第２０２０－０２６７２９号の実施例４に従って、化合物１２を合成した。

【0316】

【化38】

【0317】

［化合物１４の合成］
窒素雰囲気下、カルボン酸末端ポリジメチルシロキサン（ｎの平均値は１６、カルボン酸に連結するアルキレン基の炭素数は１０。Ｇｅｌｅｓｔ社製、製品番号：ＭＣＲ－Ｂ１２）（５．０ｇ）に塩化メチレン（２０ｍＬ）、塩化オキサリル（１．３ｇ）を加え、２５℃で２時間攪拌した。溶媒と低沸点成分を減圧留去した後、２－（ウンデカ－１０－エン－１－イル）トリデカ－１２－エン－１－アミン（２．３ｇ）と塩化メチレン（２０ｍＬ）、トリエチルアミン（０．７０ｇ）を加え、２５℃で２時間攪拌した。溶媒と低沸点成分を減圧留去した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル）を行うことで、化合物１３を２．８ｇ得た。化合物１３の構造は、以下のＮＭＲデータより確認した。化合物１３中、ｎの平均値は１６であった。

【0318】

^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ ＭＨｚ， Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ ５．７４ （ｄｄｔ， Ｊ ＝ １６．９， １０．２， ６．７ Ｈｚ， ２Ｈ）， ５．２４ （ｔ， Ｊ ＝ ５．７ Ｈｚ， １Ｈ）， ５．０４‐４．７６ （ｍ， ４Ｈ）， ３．１１ （ｔ， Ｊ ＝ ６．０ Ｈｚ， ２Ｈ）， ２．１７‐２．０４ （ｍ， ２Ｈ）， ２．０４‐１．８７ （ｍ， ４Ｈ）， １．６１‐１．５１ （ｍ， ２Ｈ）， １．４７‐１．０４ （ｍ， ５１Ｈ）， ０．９３‐０．７５ （ｍ， ３Ｈ）， ０．５５‐０．３６ （ｍ， ４Ｈ）， ０．０７ （ｓ， １０２Ｈ）．

【0319】

【化39】

【0320】

１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２．０ｍＬ）に化合物１３（１．０ｇ）を溶解し、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液（白金含有量：３質量％、１５μＬ）、アニリン（４．８μＬ）、トリメトキシシラン（０．３１ｇ）を加え、４０℃で２時間攪拌した後、溶媒を減圧留去することで、化合物Ｃ３を１．１ｇ得た。化合物１４の構造は、以下のＮＭＲデータより確認した。化合物１４中、ｎの平均値は１６であった。

【0321】

^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ ＭＨｚ， Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ ５．３１‐５．１６ （ｍ， １Ｈ）， ３．５０ （ｓ， １８Ｈ）， ３．１１ （ｔ， Ｊ ＝ ６．０ Ｈｚ， ２Ｈ）， ２．１５‐２．０２ （ｍ， ２Ｈ）， １．６６‐０．８９ （ｍ， ６１Ｈ）， ０．９０‐０．７３ （ｍ， ３Ｈ）， ０．６６‐０．５２ （ｍ， ４Ｈ）， ０．４６ （ｄｄｄ， Ｊ ＝ １２．６， ７．０， ３．２ Ｈｚ， ４Ｈ）， ０．０７ （ｓ， １０２Ｈ）．

【0322】

【化40】

【0323】

［液状媒体の準備］
・ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｚ）：ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｅ）＝９０：１０
ＡＧＣ社製のＡＳ－３００を準備した。ＧＣ分析したところ、ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｚ）とＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｅ）との質量比（ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｚ）：ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｅ））は９０：１０であった。
・酢酸ブチル
関東化学より入手した。
・ＭＥＫ（メチルエチルケトン）
関東化学より入手した。
・Ｎｏｖｅｃ７２００：Ｃ_２Ｈ_５ＯＣ_４Ｆ_９
３Ｍジャパンより入手した。

【0324】

［表面処理剤の調製］
表１に記載の各化合物と表１に記載の溶剤とを混合し、固形分濃度が０．１質量％である表面処理剤を得た。
基材に対して、表面処理剤を用いて表面処理を行った。表面処理方法としては、ウェットコーティング法を用いた。

【0325】

＜ウェットコーティング法＞
真空蒸着装置（アルバック機工社製ＶＴＲ－３５０Ｍ）内の銅製ハースに蒸着源として酸化ケイ素の３０ｇを配置した。真空蒸着装置内にガラス基材を配置し、真空蒸着装置内を５×１０^－３Ｐａ以下の圧力になるまで排気した。上記ハースを約２，０００℃になるまで加熱し、基材の表面に酸化ケイ素を真空蒸着させた。これにより、基材上に、厚さ約２０ｎｍの酸化ケイ素層が形成された。

【0326】

酸化ケイ素層が形成された基材を酸化ケイ素層が表面になるように、スプレーコーター（株式会社アピロス製ＡＰＩ―９０ＲＳ）のサンプルステージ上に設置した。次に、調製した表面処理剤１３ｇをスプレーコーター内のシリンジに投入し、霧化圧１３０ｋＰａ、ノズル―サンプル表面間の距離５０ｍｍ、走査速度３００ｍｍ／秒でスプレー塗布した。その後、塗布された基材を１４０℃で３０分間加熱処理した。これにより、酸化ケイ素層の表面に表面処理層を有する物品を得た。

【0327】

次に、得られた物品の表面処理層の均一性に関する評価を行った。

【0328】

原子間力顕微鏡(製品名「ＡＦＭ５５００Ｍ」、日立ハイテクサイエンス社製)を用いて、表面処理層の表面の算術平均高さＳａを測定した。評価基準は以下のとおりである。
なお、「面の算術平均粗さ（Ｓａ）」は、Ｒａ（線の算術平均粗さ）を面に拡張したパラメータであり、表面の平均面に対して、各点の高さの差の絶対値の平均を表す。算出方法はＩＳＯ ２５１７８：２０１０に準拠する。
Ａ：Ｓａが１０ｎｍ以下である。
Ｂ：Ｓａが１０ｎｍ超２０ｎｍ以下である。
Ｃ：Ｓａが２０ｎｍ超である。

【0329】

評価結果を表１に示す。例１～３は実施例であり、例４～６は比較例である。

【0330】

【表1】

【0331】

表１に示すように、例１～３では、第１の化合物と、第２の化合物と、を含み、基材に対して、均一性に優れた表面処理層を形成できることが分かった。

【産業上の利用可能性】

【0332】

本開示の表面処理剤は、例えば、タッチパネルディスプレイ等の表示装置、光学素子、半導体素子、建築材料、自動車部品、ナノインプリント技術等における基材に対して用いることができる。また、表面処理剤は、電車、自動車、船舶、航空機等の輸送機器におけるボディー、窓ガラス（フロントガラス、サイドガラス、リアガラス）、ミラー、バンパー等に対して用いることができる。さらに、表面処理剤は、建築物外壁、テント、太陽光発電モジュール、遮音板、コンクリート等の屋外物品；漁網、虫取り網、水槽に対して用いることができる。また、表面処理剤は、台所、風呂場、洗面台、鏡、トイレ周辺部品；シャンデリア、タイル等の陶磁器；人工大理石、エアコン等の各種屋内設備に対して用いることができる。また、表面処理剤は、工場内の治具、内壁、配管等の防汚処理としても用いることができる。また、表面処理剤は、ゴーグル、眼鏡、ヘルメット、パチンコ、繊維、傘、遊具、サッカーボールに対して用いることができる。また、表面処理剤は、食品用包材、化粧品用包材、ポットの内部等の各種包材の付着防止剤としても用いることができる。また、表面処理剤は、カーナビゲーション、携帯電話、スマートフォン、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ＰＤＡ、ポータブルオーディオプレーヤー、カーオーディオ、ゲーム機器、眼鏡レンズ、カメラレンズ、レンズフィルター、サングラス、胃カメラ等の医療用器機、複写機、ＰＣ、ディスプレイ（例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルディスプレイ）、タッチパネル、保護フィルム、及び反射防止フィルム等の光学部材に対して用いることができる。