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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025152015
(43)【公開日】2025-10-09
(54)【発明の名称】異方導電性部材及び接合体
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20251002BHJP
H05K 3/32 20060101ALN20251002BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 311S
H05K3/32 B
【審査請求】有
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024053707
(22)【出願日】2024-03-28
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2025-03-19
(71)【出願人】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100152984
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 秀明
(74)【代理人】
【識別番号】100148080
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 史生
(72)【発明者】
【氏名】黒岡 俊次
【テーマコード（参考）】
5E319
5F044
【Ｆターム（参考）】
5E319AA03
5E319AB03
5E319AC01
5E319AC11
5E319CC03
5F044KK05
5F044LL09
5F044RR17
(57)【要約】
【課題】導通路の座屈を抑制した異方導電性部材及び接合体を提供する。
【解決手段】異方導電性部材は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有する。絶縁性基材の厚み方向における断面において、導通路の突出部が突出した絶縁性基材の面は、複数の頂部と、複数の突出部が、それぞれ絶縁性基材と接触した接触部とを有する。複数の接触部と、複数の頂部との、厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍである。
【選択図】図３
【解決手段】異方導電性部材は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有する。絶縁性基材の厚み方向における断面において、導通路の突出部が突出した絶縁性基材の面は、複数の頂部と、複数の突出部が、それぞれ絶縁性基材と接触した接触部とを有する。複数の接触部と、複数の頂部との、厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍである。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気的な絶縁性を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、前記絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有し、
前記絶縁性基材の前記厚み方向における断面において、前記導通路の前記突出部が突出した前記絶縁性基材の前記面は、複数の頂部と、前記複数の突出部が、それぞれ前記絶縁性基材と接触した接触部とを有し、
前記複数の接触部と、前記複数の頂部との、前記厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍである、異方導電性部材。
前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、前記絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有し、
前記絶縁性基材の前記厚み方向における断面において、前記導通路の前記突出部が突出した前記絶縁性基材の前記面は、複数の頂部と、前記複数の突出部が、それぞれ前記絶縁性基材と接触した接触部とを有し、
前記複数の接触部と、前記複数の頂部との、前記厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍである、異方導電性部材。
【請求項2】
前記導通路は、Ｃｕ、Ａｕ又はＡｌで構成されている、請求項１に記載の異方導電性部材。
【請求項3】
前記突出部の直径をｄとし、前記突出部の前記絶縁性基材の前記厚み方向における長さをｈとするとき、ｄ／ｈが０．１～２０である、請求項１に記載の異方導電性部材。
【請求項4】
前記突出部の前記絶縁性基材の前記厚み方向における長さが６～６０００ｎｍである、請求項１に記載の異方導電性部材。
【請求項5】
異方導電性部材と、被接合部材とが接合された接合体であって、
前記異方導電性部材と前記被接合部材との間に樹脂が充填されており、
前記異方導電性部材は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、前記絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有し、
前記絶縁性基材の前記厚み方向における断面において、前記導通路の前記突出部が突出した前記絶縁性基材の前記面は、複数の頂部と、前記複数の突出部が、それぞれ前記絶縁性基材と接触した接触部とを有し、
前記複数の接触部と、前記複数の頂部との、前記厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍである、接合体。
前記異方導電性部材と前記被接合部材との間に樹脂が充填されており、
前記異方導電性部材は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、前記絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有し、
前記絶縁性基材の前記厚み方向における断面において、前記導通路の前記突出部が突出した前記絶縁性基材の前記面は、複数の頂部と、前記複数の突出部が、それぞれ前記絶縁性基材と接触した接触部とを有し、
前記複数の接触部と、前記複数の頂部との、前記厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍである、接合体。
【請求項6】
前記被接合部材は、金属層と、樹脂層とを有し、前記金属層が前記樹脂層から露出している、請求項５に記載の接合体。
【請求項7】
前記被接合部材は、前記金属層を複数有し、前記複数の金属層のうち、少なくとも１つは高さが異なる、請求項５に記載の接合体。
【請求項8】
前記被接合部材は、複数の金属層が設けられた接合面を有し、前記接合面の面積は、前記異方導電性部材の前記突出部が突出した前記面の面積よりも広い、請求項６に記載の接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられ、絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路を備える異方導電性部材及び接合体に関し、特に、突出部が突出した絶縁性基材の面は複数の頂部と、突出部が絶縁性基材と接触した複数の接触部とを有する異方導電性部材及び接合体に関する。
【背景技術】
【0002】
絶縁性基材に設けられた複数の貫通孔に金属等の導電性物質が充填された導通路を有する異方導電性部材がある。
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材、及び機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著である。従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続する方式、フリップチップボンディング、及びサーモコンプレッションボンディング等では、電子部品の電気的な接続の安定性を十分に保証することができない場合があるため、電子接続部材として異方導電性部材が注目されている。
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材、及び機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著である。従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続する方式、フリップチップボンディング、及びサーモコンプレッションボンディング等では、電子部品の電気的な接続の安定性を十分に保証することができない場合があるため、電子接続部材として異方導電性部材が注目されている。
【0003】
異方導電性部材として、例えば、特許文献１に、無機材料からなる絶縁性基材と、導電性部材からなる複数の導通路と、絶縁性基材の表面の全面に設けられた樹脂層とを具備する異方導電性接合部材が記載されている。導通路は互いに絶縁された状態で絶縁性基材を厚み方向に貫通して設けられている。導通路は、互いに平行であり、かつ絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、突出部分の端部が樹脂層に埋設している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１８－０３７５０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上述の特許文献１の異方導電性接合部材を電子接続部材に用いた場合、異方導電性接合部材の導通路と、接続対象である半導体素子の電極等とを接合する。接合時に、導通路のうち、絶縁性基材の表面から突出した突出部分が座屈してしまうことがある。
接合時に導通路の突出部分が座屈すると、導通路と、半導体素子の電極等との接合が不十分になる可能性があり、十分な接合強度が得られない可能性がある。このため、導通路が座屈することを回避することが望まれている。
本発明の目的は、導通路の座屈を抑制した異方導電性部材及び接合体を提供することにある。
接合時に導通路の突出部分が座屈すると、導通路と、半導体素子の電極等との接合が不十分になる可能性があり、十分な接合強度が得られない可能性がある。このため、導通路が座屈することを回避することが望まれている。
本発明の目的は、導通路の座屈を抑制した異方導電性部材及び接合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上述の目的を達成するために、発明［１］は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有し、絶縁性基材の厚み方向における断面において、導通路の突出部が突出した絶縁性基材の面は、複数の頂部と、複数の突出部が、それぞれ絶縁性基材と接触した接触部とを有し、複数の接触部と、複数の頂部との、厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍである、異方導電性部材である。
【0007】
発明［２］は、導通路は、Ｃｕ、Ａｕ又はＡｌで構成されている、発明［１］に記載の異方導電性部材である。
発明［３］は、突出部の直径をｄとし、突出部の絶縁性基材の厚み方向における長さをｈとするとき、ｄ／ｈが０．１～２０である、発明［１］又は［２］に記載の異方導電性部材である。
発明［４］は、突出部の絶縁性基材の厚み方向における長さが６～６０００ｎｍである、発明［１］～［３］のいずれか１つに記載の異方導電性部材である。
発明［３］は、突出部の直径をｄとし、突出部の絶縁性基材の厚み方向における長さをｈとするとき、ｄ／ｈが０．１～２０である、発明［１］又は［２］に記載の異方導電性部材である。
発明［４］は、突出部の絶縁性基材の厚み方向における長さが６～６０００ｎｍである、発明［１］～［３］のいずれか１つに記載の異方導電性部材である。
【0008】
発明［５］は、異方導電性部材と、被接合部材とが接合された接合体であって、異方導電性部材と被接合部材との間に樹脂が充填されており、異方導電性部材は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有し、絶縁性基材の厚み方向における断面において、導通路の突出部が突出した絶縁性基材の面は、複数の頂部と、複数の突出部が、それぞれ絶縁性基材と接触した接触部とを有し、複数の接触部と、複数の頂部との、厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍである、接合体である。
発明［６］は、被接合部材は、金属層と、樹脂層とを有し、金属層が樹脂層から露出している、発明［５］に記載の接合体である。
発明［７］は、被接合部材は、金属層を複数有し、複数の金属層のうち、少なくとも１つは高さが異なる、発明［５］に記載の接合体である。
発明［８］は、被接合部材は、複数の金属層が設けられた接合面を有し、接合面の面積は、異方導電性部材の突出部が突出した面の面積よりも広い、発明［６］に記載の接合体である。
発明［６］は、被接合部材は、金属層と、樹脂層とを有し、金属層が樹脂層から露出している、発明［５］に記載の接合体である。
発明［７］は、被接合部材は、金属層を複数有し、複数の金属層のうち、少なくとも１つは高さが異なる、発明［５］に記載の接合体である。
発明［８］は、被接合部材は、複数の金属層が設けられた接合面を有し、接合面の面積は、異方導電性部材の突出部が突出した面の面積よりも広い、発明［６］に記載の接合体である。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、導通路の座屈を抑制した異方導電性部材及び接合体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の実施形態の異方導電性部材の一例を示す模式的断面図である。
【図2】本発明の実施形態の異方導電性部材の一例を示す模式的平面図である。
【図3】本発明の実施形態の異方導電性部材の一例の一部を拡大して示す模式的断面図である。
【図4】本発明の実施形態の接合体の第１例を示す模式的断面図である。
【図5】本発明の実施形態の接合体の第１例の一部を拡大して示す模式的断面図である。
【図6】本発明の実施形態の接合体の第１例の製造方法を示す模式的断面図である。
【図7】本発明の実施形態の接合体の第２例の一部を拡大して示す模式的断面図である。
【図8】本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。
【図9】本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。
【図10】本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。
【図11】本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。
【図12】本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。
【図13】本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。
【図14】本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の異方導電性部材及び接合体を詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、本発明を説明するために簡略化したり、誇張している。このため、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値εα～数値εβとは、εの範囲は数値εαと数値εαを含む範囲であり、数学記号で示せばεα≦ε≦εαである。
平行及び直交については、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
温度、時間及び圧力について、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。また、「全面」等は、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
以下、異方導電性部材及び接合体について具体的に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、本発明を説明するために簡略化したり、誇張している。このため、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値εα～数値εβとは、εの範囲は数値εαと数値εαを含む範囲であり、数学記号で示せばεα≦ε≦εαである。
平行及び直交については、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
温度、時間及び圧力について、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。また、「全面」等は、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
以下、異方導電性部材及び接合体について具体的に説明する。
【0012】
［異方導電性部材の一例］
図１は本発明の実施形態の異方導電性部材の一例を示す模式的断面図である。図２は本発明の実施形態の異方導電性部材の一例を示す模式的平面図である。図３は本発明の実施形態の異方導電性部材の一例の一部を拡大して示す模式的断面図である。
図１及び図３は、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面を示している。また、図２は図１の絶縁性基材２０の表面２０ａ側から見た平面図であり、樹脂層２４がない状態を示している。
図１に示す異方導電性部材１０は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基材２０と、絶縁性基材２０を厚み方向Ｄｔに貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路２２とを有する。また、絶縁性基材２０の少なくとも一方の面を覆う樹脂層２４を有する。異方導電性部材１０は、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔに導電性を有する。
なお、異方導電性部材１０において、樹脂層２４は必ずしも必要なものではなく、樹脂層２４がない構成でもよい。
図１は本発明の実施形態の異方導電性部材の一例を示す模式的断面図である。図２は本発明の実施形態の異方導電性部材の一例を示す模式的平面図である。図３は本発明の実施形態の異方導電性部材の一例の一部を拡大して示す模式的断面図である。
図１及び図３は、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面を示している。また、図２は図１の絶縁性基材２０の表面２０ａ側から見た平面図であり、樹脂層２４がない状態を示している。
図１に示す異方導電性部材１０は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基材２０と、絶縁性基材２０を厚み方向Ｄｔに貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路２２とを有する。また、絶縁性基材２０の少なくとも一方の面を覆う樹脂層２４を有する。異方導電性部材１０は、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔに導電性を有する。
なお、異方導電性部材１０において、樹脂層２４は必ずしも必要なものではなく、樹脂層２４がない構成でもよい。
【0013】
複数の導通路２２は、絶縁性基材２０に、互いに電気的に絶縁された状態で設けられている。この場合、例えば、絶縁性基材２０は、厚み方向Ｄｔに貫通する複数の細孔２１を有する。複数の細孔２１に導通路２２が設けられている。導通路２２は、絶縁性基材２０の表面２０ａから突出している。また、導通路２２は、絶縁性基材２０の裏面２０ｂから突出している。
導通路２２は、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける一方の面から突出していればよい。例えば、導通路２２が突出している絶縁性基材２０の面に樹脂層２４が設けられる。樹脂層２４は導通路２２の突出部２２ａを覆い、突出部２２ａは樹脂層２４に埋設されている。また、樹脂層２４は導通路２２の突出部２２ｂを覆い、突出部２２ｂは樹脂層２４に埋設されている。
絶縁性基材２０は、例えば、陽極酸化膜で構成される。陽極酸化膜は、例えば、バルブ金属を陽極酸化して形成される。
絶縁性基材２０の表面２０ａと絶縁性基材２０の裏面２０ｂとは、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおいて対向する面である。
導通路２２は、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける一方の面から突出していればよい。例えば、導通路２２が突出している絶縁性基材２０の面に樹脂層２４が設けられる。樹脂層２４は導通路２２の突出部２２ａを覆い、突出部２２ａは樹脂層２４に埋設されている。また、樹脂層２４は導通路２２の突出部２２ｂを覆い、突出部２２ｂは樹脂層２４に埋設されている。
絶縁性基材２０は、例えば、陽極酸化膜で構成される。陽極酸化膜は、例えば、バルブ金属を陽極酸化して形成される。
絶縁性基材２０の表面２０ａと絶縁性基材２０の裏面２０ｂとは、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおいて対向する面である。
【0014】
異方導電性部材１０は異方導電性を有するものであり、上述のように厚み方向Ｄｔに導電性を有するが、絶縁性基材２０の表面２０ａに平行な方向ｘにおける導電性が十分に低い。方向ｘは、厚み方向Ｄｔと直交する方向である。
異方導電性部材１０は、図２に示すように、例えば、外形が円形である。なお、異方導電性部材１０の外形及びサイズは、用途等に合わせて適宜決定されるものであり、外形は、例えば、四角形でもよい。
例えば、異方導電性部材１０は、樹脂層２４がない状態、又は樹脂層２４があっても表面２４ａに何もない状態で接合される。
異方導電性部材１０は、図２に示すように、例えば、外形が円形である。なお、異方導電性部材１０の外形及びサイズは、用途等に合わせて適宜決定されるものであり、外形は、例えば、四角形でもよい。
例えば、異方導電性部材１０は、樹脂層２４がない状態、又は樹脂層２４があっても表面２４ａに何もない状態で接合される。
【0015】
図３に示すように絶縁性基材２０の表面２０ａは、平坦ではなく凹凸のある構成である。絶縁性基材２０の表面２０ａに複数の凹部２０ｄがある。導通路２２毎に凹部２０ｄが設けられている。凹部２０ｄは、導通路２２を中心として、導通路２２を囲むようにして配置されている。
図３に示す絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面において、突出部２２ａが突出した絶縁性基材２０の面、すなわち、図３では表面２０ａは、複数の頂部Ｐｃと、複数の接触部Ｖｃとを有する。
図３に示す絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面において、突出部２２ａが突出した絶縁性基材２０の面、すなわち、図３では表面２０ａは、複数の頂部Ｐｃと、複数の接触部Ｖｃとを有する。
【0016】
頂部Ｐｃは、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面において、突出部２２ａ側の絶縁性基材２０の面の高い部分である。頂部Ｐｃは、例えば、隣接する凹部２０ｄの境界部分である。
接触部Ｖｃは、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面において、複数の突出部２２ａが、それぞれ絶縁性基材２０と接触する部分である。突出部２２ａの絶縁性基材２０側の端部に接触部Ｖｃがある。より具体的には、凹部２０ｄの絶縁性基材２０の裏面２０ｂ側の底部に接触部Ｖｃがある。
異方導電性部材１０では、複数の接触部Ｖｃと、複数の頂部Ｐｃとの厚み方向Ｄｔにおける算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍであり、好ましくは、２ｎｍ～１５０ｎｍであり、より好ましくは、２０ｎｍ～１００ｎｍであり、更に好ましくは２０ｎｍ～６０ｎｍである。
接触部Ｖｃは、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面において、複数の突出部２２ａが、それぞれ絶縁性基材２０と接触する部分である。突出部２２ａの絶縁性基材２０側の端部に接触部Ｖｃがある。より具体的には、凹部２０ｄの絶縁性基材２０の裏面２０ｂ側の底部に接触部Ｖｃがある。
異方導電性部材１０では、複数の接触部Ｖｃと、複数の頂部Ｐｃとの厚み方向Ｄｔにおける算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍであり、好ましくは、２ｎｍ～１５０ｎｍであり、より好ましくは、２０ｎｍ～１００ｎｍであり、更に好ましくは２０ｎｍ～６０ｎｍである。
【0017】
異方導電性部材１０において、突出部２２ａが突出した絶縁性基材２０の表面２０ａの構成を、複数の接触部Ｖｃと、複数の頂部Ｐｃとの厚み方向Ｄｔにおける算術平均距離δを、２ｎｍ～２００ｎｍとすることにより、突出部２２ａに、厚み方向Ｄｔと平行な方向に力が作用した場合、絶縁性基材２０の表面２０ａの算術平均距離が２ｎｍ未満の平坦面の場合に比して、突出部２２ａが方向ｘに多く曲がることが許容される。すなわち、凹部２０ｄ内で、平坦面の場合に比して、突出部２２ａは側面２２ｃが方向ｘに多く変位することが許容される。これにより、突出部２２ａの座屈が抑制されるため、接続対象に対して十分な接合強度が得られ、接続対象と十分な導電性を確保できる。更には、隣接する突出部との接触もなく、短絡の発生も抑制される。
また、突出部２２ａに、厚み方向Ｄｔと平行な方向に力が作用した場合に、突出部２２ａが、方向ｘに直径が大きくなるように変形した場合、絶縁性基材２０の表面２０ａが平坦面の場合に比して、突出部２２ａが方向ｘに直径が大きくなるように変形することが許容される。この場合、凹部２０ｄ内で、突出部２２ａの直径が方向ｘに大きくなることが許容される。このため、突出部２２ａの座屈が抑制される。この場合でも、接続対象に対して十分な接合強度が得られ、接続対象と十分な導電性を確保でき、更には、隣接する突出部との接触もなく、短絡の発生も抑制される。
また、突出部２２ａに、厚み方向Ｄｔと平行な方向に力が作用した場合に、突出部２２ａが、方向ｘに直径が大きくなるように変形した場合、絶縁性基材２０の表面２０ａが平坦面の場合に比して、突出部２２ａが方向ｘに直径が大きくなるように変形することが許容される。この場合、凹部２０ｄ内で、突出部２２ａの直径が方向ｘに大きくなることが許容される。このため、突出部２２ａの座屈が抑制される。この場合でも、接続対象に対して十分な接合強度が得られ、接続対象と十分な導電性を確保でき、更には、隣接する突出部との接触もなく、短絡の発生も抑制される。
【0018】
上述の算術平均距離δが２ｎｍ未満の場合、突出部２２ａに、厚み方向Ｄｔと平行な方向に力が作用した場合、突出部２２ａが方向ｘに変位できる量が小さく、突出部２２ａが座屈する。このため、接続対象に対して十分な接合強度が得られない。突出部２２ａが座屈すると隣接する突出部と接触することがあり、接続対象と十分な導電が確保できない。
上述の算術平均距離δが２００ｎｍを超える場合、絶縁性基材２０側の端部が、より絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける中央になり、凹部２０ｄが深くなり、突出部２２ａが実質的に長くなる。このため、突出部は座屈しやすい。突出部２２ａに、厚み方向Ｄｔと平行な方向に力が作用した場合、突出部は座屈して隣接する突出部と接触して、接続対象と十分な導電性を確保できない。
上述の算術平均距離δが２００ｎｍを超える場合、絶縁性基材２０側の端部が、より絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける中央になり、凹部２０ｄが深くなり、突出部２２ａが実質的に長くなる。このため、突出部は座屈しやすい。突出部２２ａに、厚み方向Ｄｔと平行な方向に力が作用した場合、突出部は座屈して隣接する突出部と接触して、接続対象と十分な導電性を確保できない。
【0019】
上述の算術平均距離δは、例えば、以下のようにして求めることができる。
まず、異方導電性部材１０を集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工して、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面を露出させる。
絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面について、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率１５０ｋの撮影画像を取得する。
撮影画像において、絶縁性基材２０の表面２０ａの反対側にある裏面２０ｂ側の任意の位置に、基準点Ｐｂを設定する。基準点Ｐｂを通る方向ｘに平行な基準線Ｌｓを設定する。
撮影画像において、頂部Ｐｃに該当する点のうち、基準線Ｌｓに対して高い順から１０個の頂部Ｐｃを選択する。また、接触部Ｖｃに該当する点のうち、基準線Ｌｓに対して低い順から１０個の接触部Ｖｃを選択する。
撮影画像において、選択した１０個の頂部Ｐｃに該当する点について、それぞれ基準線Ｌｓから距離を求める。求めた１０個の頂部Ｐｃに該当する点と基準線Ｌｓとの、１０個の距離の平均値を、最小二乗法を用いて求める。最小二乗法を用いて求めた平均値を、撮影画像に点として示す。頂部Ｐｃの平均値を示す点を通る方向ｘに平行な線Ｌｃを求める。この平行な線Ｌｃを含む平面が、絶縁性基材２０の表面２０ａの平均面である。なお、絶縁性基材２０の表面２０ａの平均面が突出部２２ａの長さの基準となる。
撮影画像において、選択した１０個の接触部Ｖｃに該当する点について、それぞれ基準線Ｌｓから距離を求める。求めた１０個の接触部Ｖｃに該当する点と基準線Ｌｓとの、１０個の距離の平均値を、最小二乗法を用いて求める。最小二乗法を用いて求めた平均値を、撮影画像に点として示す。接触部Ｖｃの平均値を示す点を通る方向ｘに平行な線Ｌｂを求める。この平行な線Ｌｂを含む平面が、接触部Ｖｃの平均面である。
上述の算術平均距離δは、最小二乗法を用いて求めた頂部Ｐｃの平均値と、最小二乗法を用いて求めた接触部Ｖｃの平均値との差の絶対値である。すなわち、算術平均距離δは、厚み方向Ｄｔにおける平行な線Ｌｃと平行な線Ｌｂとの距離である。このため、厚み方向Ｄｔにおける平行な線Ｌｃと平行な線Ｌｂとの距離を求めて算術平均距離δを得る。
なお、詳細に図示していないが、絶縁性基材２０の裏面２０ｂも図３に示す絶縁性基材２０の表面２０ａと同様の構成である。絶縁性基材２０の裏面２０ｂについても、上述の絶縁性基材２０の表面２０ａと同様にして算術平均距離δを求める。
まず、異方導電性部材１０を集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工して、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面を露出させる。
絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面について、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率１５０ｋの撮影画像を取得する。
撮影画像において、絶縁性基材２０の表面２０ａの反対側にある裏面２０ｂ側の任意の位置に、基準点Ｐｂを設定する。基準点Ｐｂを通る方向ｘに平行な基準線Ｌｓを設定する。
撮影画像において、頂部Ｐｃに該当する点のうち、基準線Ｌｓに対して高い順から１０個の頂部Ｐｃを選択する。また、接触部Ｖｃに該当する点のうち、基準線Ｌｓに対して低い順から１０個の接触部Ｖｃを選択する。
撮影画像において、選択した１０個の頂部Ｐｃに該当する点について、それぞれ基準線Ｌｓから距離を求める。求めた１０個の頂部Ｐｃに該当する点と基準線Ｌｓとの、１０個の距離の平均値を、最小二乗法を用いて求める。最小二乗法を用いて求めた平均値を、撮影画像に点として示す。頂部Ｐｃの平均値を示す点を通る方向ｘに平行な線Ｌｃを求める。この平行な線Ｌｃを含む平面が、絶縁性基材２０の表面２０ａの平均面である。なお、絶縁性基材２０の表面２０ａの平均面が突出部２２ａの長さの基準となる。
撮影画像において、選択した１０個の接触部Ｖｃに該当する点について、それぞれ基準線Ｌｓから距離を求める。求めた１０個の接触部Ｖｃに該当する点と基準線Ｌｓとの、１０個の距離の平均値を、最小二乗法を用いて求める。最小二乗法を用いて求めた平均値を、撮影画像に点として示す。接触部Ｖｃの平均値を示す点を通る方向ｘに平行な線Ｌｂを求める。この平行な線Ｌｂを含む平面が、接触部Ｖｃの平均面である。
上述の算術平均距離δは、最小二乗法を用いて求めた頂部Ｐｃの平均値と、最小二乗法を用いて求めた接触部Ｖｃの平均値との差の絶対値である。すなわち、算術平均距離δは、厚み方向Ｄｔにおける平行な線Ｌｃと平行な線Ｌｂとの距離である。このため、厚み方向Ｄｔにおける平行な線Ｌｃと平行な線Ｌｂとの距離を求めて算術平均距離δを得る。
なお、詳細に図示していないが、絶縁性基材２０の裏面２０ｂも図３に示す絶縁性基材２０の表面２０ａと同様の構成である。絶縁性基材２０の裏面２０ｂについても、上述の絶縁性基材２０の表面２０ａと同様にして算術平均距離δを求める。
【0020】
［接合体の第１例］
図４は本発明の実施形態の接合体の第１例を示す模式的断面図である。図５は本発明の実施形態の接合体の第１例の一部を拡大して示す模式的断面図である。
なお、図４及び図５において、図１～図３に示す異方導電性部材１０の構成と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図４に示す接合体１２は、異方導電性部材１０と、被接合部材として半導体素子３０及び半導体素子３１と接合されたものである。被接合部材が接続対象である。
接合体１２は、異方導電性部材１０と被接合部材との間に樹脂４９が充填されている。
半導体素子３０は、例えば、素子基板３２の表面３２ａに、３つの電極３４と、３つの電極３４の間の導通を防ぐ絶縁層３６が設けられている。３つの電極３４は、素子基板３２の表面３２ａからの高さが同じである。
また、半導体素子３１は、例えば、素子基板３７の表面３７ａに、３つの電極３８と、３つの電極３８の間の導通を防ぐ絶縁層３９が設けられている。３つの電極３８は、素子基板３７の表面３７ａからの高さが同じである。
電極３４及び電極３８は、異方導電性部材１０の導通路２２と接合されている。例えば、図５に示すように、電極３４の表面３４ａと導通路２２の突出部２２ａとが接触した状態で接合される。このとき、電極３４の表面３４ａにより導通路２２の突出部２２ａが押圧されて突出部２２ａが変形するが、上述のように突出部２２ａの座屈が抑制される。このため、接合体１２では、半導体素子３０と半導体素子３１とに対して十分な接合強度を得ることができる。また、突出部２２ａの座屈が抑制されるため、接続対象と十分な導電性を確保でき、更には隣接する突出部との接触もなく、短絡の発生も抑制される。
図４は本発明の実施形態の接合体の第１例を示す模式的断面図である。図５は本発明の実施形態の接合体の第１例の一部を拡大して示す模式的断面図である。
なお、図４及び図５において、図１～図３に示す異方導電性部材１０の構成と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図４に示す接合体１２は、異方導電性部材１０と、被接合部材として半導体素子３０及び半導体素子３１と接合されたものである。被接合部材が接続対象である。
接合体１２は、異方導電性部材１０と被接合部材との間に樹脂４９が充填されている。
半導体素子３０は、例えば、素子基板３２の表面３２ａに、３つの電極３４と、３つの電極３４の間の導通を防ぐ絶縁層３６が設けられている。３つの電極３４は、素子基板３２の表面３２ａからの高さが同じである。
また、半導体素子３１は、例えば、素子基板３７の表面３７ａに、３つの電極３８と、３つの電極３８の間の導通を防ぐ絶縁層３９が設けられている。３つの電極３８は、素子基板３７の表面３７ａからの高さが同じである。
電極３４及び電極３８は、異方導電性部材１０の導通路２２と接合されている。例えば、図５に示すように、電極３４の表面３４ａと導通路２２の突出部２２ａとが接触した状態で接合される。このとき、電極３４の表面３４ａにより導通路２２の突出部２２ａが押圧されて突出部２２ａが変形するが、上述のように突出部２２ａの座屈が抑制される。このため、接合体１２では、半導体素子３０と半導体素子３１とに対して十分な接合強度を得ることができる。また、突出部２２ａの座屈が抑制されるため、接続対象と十分な導電性を確保でき、更には隣接する突出部との接触もなく、短絡の発生も抑制される。
【0021】
電極３４及び電極３８は、外部との信号のやり取り、又は電圧若しくは電流の授受を行うためのものであり、例えば、銅又は半田で構成される。半田で構成された電極のことを半田バンプともいう。
絶縁層３９は、電極間の導通を防ぐことができれば、その構成は、特に限定されるものではなく、半導体素子に用いられる公知の絶縁層で構成することができる。絶縁層３９は、例えば、シリコン酸化膜（Ｓｉ０２）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）、ＰＳＧ（Phospho Silicate Glass）膜、ＢＰＳＧ（Boron Phospho Silicate Glass）膜、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜で構成される。
絶縁層３９は、電極間の導通を防ぐことができれば、その構成は、特に限定されるものではなく、半導体素子に用いられる公知の絶縁層で構成することができる。絶縁層３９は、例えば、シリコン酸化膜（Ｓｉ０２）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）、ＰＳＧ（Phospho Silicate Glass）膜、ＢＰＳＧ（Boron Phospho Silicate Glass）膜、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜で構成される。
【0022】
樹脂層３３は、例えば、異方導電性部材１０の樹脂層２４により形成される。この場合、樹脂層２４を有する異方導電性部材１０を接合に用いる。
また、半導体素子３０の電極３４の表面３４ａに設けられた樹脂層（図示せず）、及び半導体素子３１の電極３８の表面３８ａに設けられた樹脂層（図示せず）により樹脂層３３を形成することもできる。
また、異方導電性部材１０の導通路２２と電極３４、３８とを接合した後に、導通路２２と電極３４との間、導通路２２と電極３８との間に樹脂剤を供給して樹脂層３３を形成することもできる。
また、半導体素子３０の電極３４の表面３４ａに設けられた樹脂層（図示せず）、及び半導体素子３１の電極３８の表面３８ａに設けられた樹脂層（図示せず）により樹脂層３３を形成することもできる。
また、異方導電性部材１０の導通路２２と電極３４、３８とを接合した後に、導通路２２と電極３４との間、導通路２２と電極３８との間に樹脂剤を供給して樹脂層３３を形成することもできる。
【0023】
（接合体の第１例の製造方法）
図４に示す接合体１２は、例えば、図６に示すように接合される。
図６は本発明の実施形態の接合体の第１例の製造方法を示す模式的断面図である。
なお、図６において、図４及び図５に示す接合体１２の構成と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図６に示すように、異方導電性部材１０を挟んで、半導体素子３０と半導体素子３１とを配置する。このとき、例えば、半導体素子３０、３１と異方導電性部材１０とに、それぞれ設けられたアライメントマーク（図示せず）を用いて位置合せを行う。
なお、アライメントマークを用いた位置合せは、例えば、アライメントマークの画像又は反射像を取得し、アライメントマークの位置情報を求めることができれば、特に限定されるものではなく、公知の位置合せの手法を適宜利用可能である。
図６に示すように異方導電性部材１０には樹脂層２４が設けられており、樹脂層２４が、図４に示す接合体１２の樹脂層３３を形成する。
図４に示す接合体１２は、例えば、図６に示すように接合される。
図６は本発明の実施形態の接合体の第１例の製造方法を示す模式的断面図である。
なお、図６において、図４及び図５に示す接合体１２の構成と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図６に示すように、異方導電性部材１０を挟んで、半導体素子３０と半導体素子３１とを配置する。このとき、例えば、半導体素子３０、３１と異方導電性部材１０とに、それぞれ設けられたアライメントマーク（図示せず）を用いて位置合せを行う。
なお、アライメントマークを用いた位置合せは、例えば、アライメントマークの画像又は反射像を取得し、アライメントマークの位置情報を求めることができれば、特に限定されるものではなく、公知の位置合せの手法を適宜利用可能である。
図６に示すように異方導電性部材１０には樹脂層２４が設けられており、樹脂層２４が、図４に示す接合体１２の樹脂層３３を形成する。
【0024】
次に、半導体素子３０と異方導電性部材１０、半導体素子３１と異方導電性部材１０と接合する。これにより、図４に示す接合体１２を製造できる。
なお、上述の半導体素子３０と異方導電性部材１０、半導体素子３１と異方導電性部材１０とを接合することが接合工程である。接合工程では、例えば、仮接合した状態で、予め定めた条件にて接合してもよいが、仮接合を省略してもよい。なお、接合工程の接合のことを本接合ともいう。
なお、上述の半導体素子３０と異方導電性部材１０、半導体素子３１と異方導電性部材１０とを接合することが接合工程である。接合工程では、例えば、仮接合した状態で、予め定めた条件にて接合してもよいが、仮接合を省略してもよい。なお、接合工程の接合のことを本接合ともいう。
【0025】
仮接合とは、半導体素子３０、３１と異方導電性部材１０とを位置合せした状態で固定することをいう。
仮接合プロセスにおける温度条件は特に限定されないが、０℃～３００℃であることが好ましく、１０℃～２００℃であることがより好ましく、常温（２３℃）～１００℃であることが特に好ましい。
同様に、仮接合プロセスにおける加圧条件は特に限定されないが、１０ＭＰａ以下であることが好ましく、５ＭＰａ以下であることがより好ましく、１ＭＰａ以下であることが特に好ましい。
仮接合プロセスにおける温度条件は特に限定されないが、０℃～３００℃であることが好ましく、１０℃～２００℃であることがより好ましく、常温（２３℃）～１００℃であることが特に好ましい。
同様に、仮接合プロセスにおける加圧条件は特に限定されないが、１０ＭＰａ以下であることが好ましく、５ＭＰａ以下であることがより好ましく、１ＭＰａ以下であることが特に好ましい。
【0026】
本接合における温度条件は特に限定されないが、仮接合の温度よりも高い温度であることが好ましく、具体的には、１２０℃～３５０℃であることがより好ましく、２００℃～３００℃であることが特に好ましい。
また、本接合における加圧条件は特に限定されないが、３０ＭＰａ以下であることが好ましく、０．１ＭＰａ～２０ＭＰａであることがより好ましい。
また、本接合の時間は特に限定されないが、１秒～６０分であることが好ましく、５秒～１０分であることがより好ましい。
上述の条件で本接合を行うことにより、導通路２２の突出部２２ａと電極３４の表面３４ａとが接合し、導通路２２の突出部２２ｂと電極３８の表面３８ａとが接合する。このとき、上述のように導通路２２の突出部２２ａ及び突出部２２ｂは、いずれも座屈が抑制され、例えば、突出部２２ａ、２２ｂが倒れて隣接する突出部２２ａ、２２ｂと接触することも抑制される。これにより、接続対象に対して十分な接合強度が確保され、接続対象と十分な導電性が確保され、かつ短絡の発生も抑制される。
また、本接合における加圧条件は特に限定されないが、３０ＭＰａ以下であることが好ましく、０．１ＭＰａ～２０ＭＰａであることがより好ましい。
また、本接合の時間は特に限定されないが、１秒～６０分であることが好ましく、５秒～１０分であることがより好ましい。
上述の条件で本接合を行うことにより、導通路２２の突出部２２ａと電極３４の表面３４ａとが接合し、導通路２２の突出部２２ｂと電極３８の表面３８ａとが接合する。このとき、上述のように導通路２２の突出部２２ａ及び突出部２２ｂは、いずれも座屈が抑制され、例えば、突出部２２ａ、２２ｂが倒れて隣接する突出部２２ａ、２２ｂと接触することも抑制される。これにより、接続対象に対して十分な接合強度が確保され、接続対象と十分な導電性が確保され、かつ短絡の発生も抑制される。
【0027】
［接合体の第２例］
図７は本発明の実施形態の接合体の第２例の一部を拡大して示す模式的断面図である。
なお、図７において、図４及び図５に示す接合体１２の構成と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図７に示す接合体１３は、図４及び図５に示す接合体１２に比して、半導体素子３０が、高さが異なる電極３５を有する点が異なり、それ以外の構成は、図４及び図５に示す接合体１２と同様の構成である。電極３５は、電極３４よりも高さが高い。
接合体１３は、電極３４と、高さが高い電極３５とが、異方導電性部材１０と接合される。接合体１３において、電極３４と電極３５とでは、電極３５の方が異方導電性部材１０に接近しており、導通路２２の突出部２２ａを多く変形させる。この場合でも、上述のように突出部２２ａの座屈が抑制される。このように半導体素子３０が相対的に高い電極３５を有する構成であっても、半導体素子３０と半導体素子３１とに対して十分な接合強度を得ることができる。また、突出部２２ａの座屈が抑制されるため、十分な導電性が確保され、かつ短絡の発生も抑制される。
図７は本発明の実施形態の接合体の第２例の一部を拡大して示す模式的断面図である。
なお、図７において、図４及び図５に示す接合体１２の構成と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図７に示す接合体１３は、図４及び図５に示す接合体１２に比して、半導体素子３０が、高さが異なる電極３５を有する点が異なり、それ以外の構成は、図４及び図５に示す接合体１２と同様の構成である。電極３５は、電極３４よりも高さが高い。
接合体１３は、電極３４と、高さが高い電極３５とが、異方導電性部材１０と接合される。接合体１３において、電極３４と電極３５とでは、電極３５の方が異方導電性部材１０に接近しており、導通路２２の突出部２２ａを多く変形させる。この場合でも、上述のように突出部２２ａの座屈が抑制される。このように半導体素子３０が相対的に高い電極３５を有する構成であっても、半導体素子３０と半導体素子３１とに対して十分な接合強度を得ることができる。また、突出部２２ａの座屈が抑制されるため、十分な導電性が確保され、かつ短絡の発生も抑制される。
【0028】
なお、接合体１２及び接合体１３においては、被接合部材は、複数の金属層が設けられた接合面を有し、接合面の面積は、異方導電性部材の突出部が突出した面の面積よりも広いことが好ましい。
ここで、上述の半導体素子３０、３１は、複数の電極が、素子基板の表面に設けられており、素子基板の表面が接合面に相当する。素子基板の表面の面積は、異方導電性部材１０の突出部２２ａ、２２ｂが突出した絶縁性基材２０の表面２０ａ及び裏面２０ｂの面積よりも広いことが好ましい。
ここで、上述の半導体素子３０、３１は、複数の電極が、素子基板の表面に設けられており、素子基板の表面が接合面に相当する。素子基板の表面の面積は、異方導電性部材１０の突出部２２ａ、２２ｂが突出した絶縁性基材２０の表面２０ａ及び裏面２０ｂの面積よりも広いことが好ましい。
【0029】
以下、異方導電性部材の構成についてより具体的に説明する。
【0030】
（絶縁性基材）
絶縁性基材２０は、電気的な絶縁性を有するものであり、導電性物質で構成された、複数の導通路２２を互いに電気的に絶縁された状態に保つ。絶縁性基材２０は、導通路２２が形成される複数の細孔２１を有する。絶縁性基材の組成等については後に説明する。
絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける長さ、すなわち、絶縁性基材２０の厚みｈｔは、１～１０００μｍの範囲内であるのが好ましく、５～５００μｍの範囲内であるのがより好ましく、１０～３００μｍの範囲内であるのが更に好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。絶縁性基材２０の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材２０の取り扱い性が良好となる。
絶縁性基材２０は、電気的な絶縁性を有するものであり、導電性物質で構成された、複数の導通路２２を互いに電気的に絶縁された状態に保つ。絶縁性基材２０は、導通路２２が形成される複数の細孔２１を有する。絶縁性基材の組成等については後に説明する。
絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける長さ、すなわち、絶縁性基材２０の厚みｈｔは、１～１０００μｍの範囲内であるのが好ましく、５～５００μｍの範囲内であるのがより好ましく、１０～３００μｍの範囲内であるのが更に好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。絶縁性基材２０の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材２０の取り扱い性が良好となる。
【0031】
絶縁性基材の厚みは、上述の線Ｌｃを、絶縁性基材２０の表面２０ａ側と裏面２０ｂ側についてそれぞれ求める。表面２０ａ側の線Ｌｃと、裏面２０ｂ側の線Ｌｃとの厚み方向Ｄｔにおける距離を絶縁性基材の厚みとする。
【0032】
絶縁性基材２０は、例えば、無機材料からなり、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材と同程度の電気抵抗率（１０14Ω・ｃｍ程度）を有するものであれば特に限定されない。
なお、「無機材料からなり」とは、後述する樹脂層を構成する高分子材料と区別するための規定であり、無機材料のみから構成された絶縁性基材に限定する規定ではなく、無機材料を主成分（５０質量％以上）とする規定である。
なお、「無機材料からなり」とは、後述する樹脂層を構成する高分子材料と区別するための規定であり、無機材料のみから構成された絶縁性基材に限定する規定ではなく、無機材料を主成分（５０質量％以上）とする規定である。
【0033】
絶縁性基材としては、例えば、金属酸化物基材、金属窒化物基材、ガラス基材、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド等のセラミックス基材、ダイヤモンドライクカーボン等のカーボン基材、ポリイミド基材、これらの複合材料等が挙げられる。絶縁性基材としては、これ以外に、例えば、貫通孔を有する有機素材上に、セラミックス材料又はカーボン材料を５０質量％以上含む無機材料で成膜したものであってもよい。
【0034】
絶縁性基材は、所望の平均開口径を有するマイクロポアが貫通孔として形成される。絶縁性基材は、導通路を形成しやすいという理由から、金属酸化物基材であることが好ましく、バルブ金属の陽極酸化膜であることがより好ましい。
ここで、バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化膜（基材）であることが好ましい。このため、アルミニウム基板を用いて、絶縁性基材である陽極酸化膜を形成し、異方導電性部材を製造することが好ましい。
陽極酸化膜の厚みは、上述の絶縁性基材２０の厚みである。
ここで、バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化膜（基材）であることが好ましい。このため、アルミニウム基板を用いて、絶縁性基材である陽極酸化膜を形成し、異方導電性部材を製造することが好ましい。
陽極酸化膜の厚みは、上述の絶縁性基材２０の厚みである。
【0035】
＜アルミニウム基板＞
絶縁性基材である陽極酸化膜を形成するためのアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハ、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。
絶縁性基材である陽極酸化膜を形成するためのアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハ、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。
【0036】
アルミニウム基板のうち、陽極酸化処理工程により陽極酸化膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、９９．５質量％以上であることが好ましく、９９．９質量％以上であることがより好ましく、９９．９９質量％以上であることが更に好ましい。アルミニウム純度が上述の範囲であると、貫通孔配列の規則性が十分となる。マイクロポアは、細孔となるものである。
アルミニウム基板は、陽極酸化膜を形成することができれば、特に限定されるものではなく、例えば、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） １０５０材が用いられる。
アルミニウム基板は、陽極酸化膜を形成することができれば、特に限定されるものではなく、例えば、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） １０５０材が用いられる。
【0037】
また、アルミニウム基板のうち陽極酸化処理工程を施す片側の表面は、あらかじめ熱処理、脱脂処理及び鏡面仕上げ処理が施されることが好ましい。
ここで、熱処理、脱脂処理及び鏡面仕上げ処理については、特開２００８－２７０１５８号公報の［００４４］～［００５４］段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
陽極酸化処理の前の鏡面仕上げ処理は、例えば、電解研磨であり、電解研磨には、例えば、リン酸を含有する電解研磨液が用いられる。
ここで、熱処理、脱脂処理及び鏡面仕上げ処理については、特開２００８－２７０１５８号公報の［００４４］～［００５４］段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
陽極酸化処理の前の鏡面仕上げ処理は、例えば、電解研磨であり、電解研磨には、例えば、リン酸を含有する電解研磨液が用いられる。
【0038】
＜細孔の平均直径＞
細孔２１の平均直径は、１μｍ以下であることが好ましく、５～５００ｎｍであることがより好ましく、２０～４００ｎｍであることが更に好ましく、４０～２００ｎｍであることがより一層好ましく、５０～１００ｎｍであることが最も好ましい。細孔２１の平均直径ｄが１μｍ以下であり、上述の範囲であると、上述の平均直径を有する導通路２２を得ることができる。
細孔２１の平均直径は、例えば、以下のように求めることができる。まず、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて絶縁性基材２０の表面を真上から倍率１００～１００００倍で撮影し撮影画像を得る。撮影画像において、周囲が環状に連なっている細孔を少なくとも２０個抽出し、その直径を測定し開口径とし、これら開口径の平均値を細孔の平均直径として算出する。
なお、倍率は、細孔を２０個以上抽出できる撮影画像が得られるように上述した範囲の倍率を適宜選択することができる。また、開口径は、細孔部分の端部間の距離の最大値を測定する。すなわち、細孔の開口部の形状は略円形状に限定はされないので、開口部の形状が非円形状の場合には、細孔部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。従って、例えば、２以上の細孔が一体化したような形状の細孔の場合にも、これを１つの細孔とみなし、細孔部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。
細孔２１の平均直径は、１μｍ以下であることが好ましく、５～５００ｎｍであることがより好ましく、２０～４００ｎｍであることが更に好ましく、４０～２００ｎｍであることがより一層好ましく、５０～１００ｎｍであることが最も好ましい。細孔２１の平均直径ｄが１μｍ以下であり、上述の範囲であると、上述の平均直径を有する導通路２２を得ることができる。
細孔２１の平均直径は、例えば、以下のように求めることができる。まず、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて絶縁性基材２０の表面を真上から倍率１００～１００００倍で撮影し撮影画像を得る。撮影画像において、周囲が環状に連なっている細孔を少なくとも２０個抽出し、その直径を測定し開口径とし、これら開口径の平均値を細孔の平均直径として算出する。
なお、倍率は、細孔を２０個以上抽出できる撮影画像が得られるように上述した範囲の倍率を適宜選択することができる。また、開口径は、細孔部分の端部間の距離の最大値を測定する。すなわち、細孔の開口部の形状は略円形状に限定はされないので、開口部の形状が非円形状の場合には、細孔部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。従って、例えば、２以上の細孔が一体化したような形状の細孔の場合にも、これを１つの細孔とみなし、細孔部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。
【0039】
＜導通路＞
複数の導通路２２は、上述のように絶縁性基材２０、例えば、陽極酸化膜において、それぞれ互いに電気的に絶縁された状態で設けられている。
複数の導通路２２は、それぞれ電気導電性を有する柱状の導電体であり、導電性物質で構成される。導電性物質は、特に限定されるものではなく、例えば、金属が挙げられる。金属の具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）及びコバルト（Ｃｏ）等が好適に例示される。導電性物質としては、電気伝導性、及びめっき法による形成の観点から、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）が好ましく、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）及びアルミニウム（Ａｌ）がより好ましく、銅（Ｃｕ）が更に好ましい。
金属は酸化物導電体に比して延性等に優れ変形しやすく、接合の際の圧縮でも変形しやすいため、導通路は金属で構成することが好ましい。
複数の導通路２２は、上述のように絶縁性基材２０、例えば、陽極酸化膜において、それぞれ互いに電気的に絶縁された状態で設けられている。
複数の導通路２２は、それぞれ電気導電性を有する柱状の導電体であり、導電性物質で構成される。導電性物質は、特に限定されるものではなく、例えば、金属が挙げられる。金属の具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）及びコバルト（Ｃｏ）等が好適に例示される。導電性物質としては、電気伝導性、及びめっき法による形成の観点から、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）が好ましく、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）及びアルミニウム（Ａｌ）がより好ましく、銅（Ｃｕ）が更に好ましい。
金属は酸化物導電体に比して延性等に優れ変形しやすく、接合の際の圧縮でも変形しやすいため、導通路は金属で構成することが好ましい。
【0040】
導通路２２の平均直径ｄは、１μｍ以下であることが好ましく、５～５００ｎｍであることがより好ましく、２０～４００ｎｍであることがさらに好ましく、４０～２００ｎｍであることがより一層好ましく、５０～１００ｎｍであることが最も好ましい。
導通路２２の密度は、２万個／ｍｍ2以上であることが好ましく、２００万個／ｍｍ2以上であることがより好ましく、１０００万個／ｍｍ2以上であることがさらに好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であることが特に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であることが最も好ましい。
さらに、隣接する各導通路２２の中心間距離ｐは、２０ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ～２００ｎｍであることがより好ましく、５０ｎｍ～１４０ｎｍであることがさらに好ましい。
導通路２２に関し、隣接する突出部との間隔ｗ（図１参照）は、２０ｎｍ～２００ｎｍであり、４０ｎｍ～１００ｎｍであることが好ましい。隣接する突出部との間隔が上述の範囲であると、導通路２２の絶縁性基材２０の表面２０ａ又は裏面２０ｂでも導通路２２の間隔を維持できる。これにより、接合時において、導通路２２の短絡が抑制され、接合時の信頼性が増す。
導通路２２の密度は、２万個／ｍｍ2以上であることが好ましく、２００万個／ｍｍ2以上であることがより好ましく、１０００万個／ｍｍ2以上であることがさらに好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であることが特に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であることが最も好ましい。
さらに、隣接する各導通路２２の中心間距離ｐは、２０ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ～２００ｎｍであることがより好ましく、５０ｎｍ～１４０ｎｍであることがさらに好ましい。
導通路２２に関し、隣接する突出部との間隔ｗ（図１参照）は、２０ｎｍ～２００ｎｍであり、４０ｎｍ～１００ｎｍであることが好ましい。隣接する突出部との間隔が上述の範囲であると、導通路２２の絶縁性基材２０の表面２０ａ又は裏面２０ｂでも導通路２２の間隔を維持できる。これにより、接合時において、導通路２２の短絡が抑制され、接合時の信頼性が増す。
【0041】
導通路の平均直径は、例えば、以下のように求めることができる。まず、走査電子顕微鏡を用いて絶縁性基材の表面を真上から倍率１００～１００００倍で撮影し撮影画像を得る。撮影画像において、周囲が環状に連なっている導通路を少なくとも２０個抽出し、その直径を測定し開口径とし、これら開口径の平均値を導通路の平均直径として算出する。
なお、倍率は、導通路を２０個以上抽出できる撮影画像が得られるように上述した範囲の倍率を適宜選択することができる。また、開口部の形状が非円形状の場合には、導通路部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。従って、例えば、２以上の導通路が一体化したような形状の導通路の場合にも、これを１つの導通路とみなし、導通路部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。導通路２２の平均直径ｄは、突出部の平均径と同じである。
導通路２２の絶縁性基材２０の表面２０ａ側における形状が円ではない場合、絶縁性基材２０の表面２０ａ側の平均直径は、円相当径の平均直径とする。また、導通路２２の絶縁性基材２０の裏面２０ｂ側における形状が円ではない場合、絶縁性基材２０の裏面２０ｂ側の平均直径は、円相当径の平均直径とする。
また、導通路２２における絶縁性基材２０の表面２０ａ側における平均直径ｄは、絶縁性基材２０の表面２０ａについての走査電子顕微鏡により得られた表面画像から測定できる。導通路２２における絶縁性基材２０の裏面２０ｂにおける平均直径ｄは、絶縁性基材２０の裏面２０ｂについての走査電子顕微鏡により得られた裏面画像から測定できる。
なお、倍率は、導通路を２０個以上抽出できる撮影画像が得られるように上述した範囲の倍率を適宜選択することができる。また、開口部の形状が非円形状の場合には、導通路部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。従って、例えば、２以上の導通路が一体化したような形状の導通路の場合にも、これを１つの導通路とみなし、導通路部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。導通路２２の平均直径ｄは、突出部の平均径と同じである。
導通路２２の絶縁性基材２０の表面２０ａ側における形状が円ではない場合、絶縁性基材２０の表面２０ａ側の平均直径は、円相当径の平均直径とする。また、導通路２２の絶縁性基材２０の裏面２０ｂ側における形状が円ではない場合、絶縁性基材２０の裏面２０ｂ側の平均直径は、円相当径の平均直径とする。
また、導通路２２における絶縁性基材２０の表面２０ａ側における平均直径ｄは、絶縁性基材２０の表面２０ａについての走査電子顕微鏡により得られた表面画像から測定できる。導通路２２における絶縁性基材２０の裏面２０ｂにおける平均直径ｄは、絶縁性基材２０の裏面２０ｂについての走査電子顕微鏡により得られた裏面画像から測定できる。
【0042】
上述のように表面画像及び裏面画像を用いる場合に、突出部により平均直径の測定を行いにくい場合、溶解等により突出部を除去する。これにより、細孔が現れる。この状態の表面画像の複数の細孔の開口径を測定して、表面の細孔の平均開口径を、表面側の平均直径の代わりに用いることができる。また、同様に、この状態の裏面画像の複数の細孔の開口径を測定して、裏面の細孔の平均開口径を、裏面側の平均直径の代わりに用いることができる。
上述の細孔の平均開口径は、例えば、以下のように測定することができる。まず、上述の表面画像において、細孔に相当するものを２０個選択し、選択した２０個の細孔に相当するものについて、細孔の開口に相当する箇所の直径を測定する。測定した細孔の開口に相当する箇所の直径の平均値を算出し、この平均値を、表面側の細孔の平均開口径とする。
また、上述の裏面画像において、細孔に相当するものを２０個選択し、選択した２０個の細孔に相当するものについて、細孔の開口に相当する箇所の直径を測定する。測定した細孔の開口に相当する箇所の直径の平均値を算出し、この平均値を、裏面側の細孔の平均開口径とする。
上述の細孔の平均開口径は、例えば、以下のように測定することができる。まず、上述の表面画像において、細孔に相当するものを２０個選択し、選択した２０個の細孔に相当するものについて、細孔の開口に相当する箇所の直径を測定する。測定した細孔の開口に相当する箇所の直径の平均値を算出し、この平均値を、表面側の細孔の平均開口径とする。
また、上述の裏面画像において、細孔に相当するものを２０個選択し、選択した２０個の細孔に相当するものについて、細孔の開口に相当する箇所の直径を測定する。測定した細孔の開口に相当する箇所の直径の平均値を算出し、この平均値を、裏面側の細孔の平均開口径とする。
【0043】
隣接する各導通路２２の中心間距離ｐは、上述のようにして得た絶縁性基材２０の撮影画像において、特定した導通路の中心位置（図示せず）を、さらに特定する。隣接する導通路の中心位置の間の距離を１０箇所に求めた。この平均値を、隣接する各導通路２２の中心間距離ｐとした。中心位置は、上述の撮影画像において導通路２２に相当する領域の中心位置である。なお、撮影画像において、領域の中心位置の算出には、公知の画像解析法が用いられる。
【0044】
＜＜突出部＞＞
突出部は導通路の一部であり、柱状である。突出部は、被接合部材との接触面積を大きくできることから、円柱状であることが好ましい。
突出部２２ａの絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける長さｈ、及び突出部２２ｂの絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける長さｈは、２ｎｍ～６０００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ～３０００ｎｍがより好ましい。長さｈが１０ｎｍ～１０００ｎｍであれば、被接合部材と良好に接合できる。
突出部２２ａの長さｈ及び突出部２２ｂの長さｈは、上述の絶縁性基材２０の表面２０ａの平均面を突出部２２ａの長さの基準とする。
上述の突出部２２ａ及び突出部２２ｂの絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける長さｈが２ｎｍ～６０００ｎｍであれば、被接合物側のバンプのバンプ高さ分布追従性が良好であり、被接合物側のバンプ面の高さ精度を要求しない。
突出部は導通路の一部であり、柱状である。突出部は、被接合部材との接触面積を大きくできることから、円柱状であることが好ましい。
突出部２２ａの絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける長さｈ、及び突出部２２ｂの絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける長さｈは、２ｎｍ～６０００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ～３０００ｎｍがより好ましい。長さｈが１０ｎｍ～１０００ｎｍであれば、被接合部材と良好に接合できる。
突出部２２ａの長さｈ及び突出部２２ｂの長さｈは、上述の絶縁性基材２０の表面２０ａの平均面を突出部２２ａの長さの基準とする。
上述の突出部２２ａ及び突出部２２ｂの絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける長さｈが２ｎｍ～６０００ｎｍであれば、被接合物側のバンプのバンプ高さ分布追従性が良好であり、被接合物側のバンプ面の高さ精度を要求しない。
【0045】
突出部２２ａの長さｈ及び突出部２２ｂの長さｈについては、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける断面について、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率１０００００倍の撮影画像を取得する。撮影画像において、絶縁性基材の表面側の線Ｌｃ及び絶縁性基材の裏面側の線Ｌｃを上述のようにして求める。
次に、撮影画像において、１０個の突出部２２ａを選択する。選択した１０個の突出部２２ａの頂部に該当する点を特定する。特定した突出部２２ａの頂部に該当する点と、絶縁性基材の表面側の線Ｌｃとの、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける距離を、１０個の突出部２２ａについてそれぞれ求める。１０個の突出部２２ａの頂部に該当する点の上述の距離の平均値を求める。この平均値を、突出部２２ａの長さｈとする。
また、撮影画像において、１０個の突出部２２ｂを選択する。選択した１０個の突出部２２ｂの頂部に該当する点を特定する。特定した突出部２２ｂの頂部に該当する点と、絶縁性基材の裏面側の線Ｌｃとの、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける距離を、１０個の突出部２２ｂについてそれぞれ求める。１０個の突出部２２ｂの頂部に該当する点の上述の距離の平均値を求める。この平均値を、突出部２２ｂの長さｈとする。
突出部の直径をｄとし、突出部の絶縁性基材の厚み方向における長さｈとするとき、アスペクト比を表すｄ／ｈが０．１～２０であることが好ましい。アスペクト比ｄ／ｈが０．１～２０であれば、安定して製造でき、かつ接合強度が優れる。
次に、撮影画像において、１０個の突出部２２ａを選択する。選択した１０個の突出部２２ａの頂部に該当する点を特定する。特定した突出部２２ａの頂部に該当する点と、絶縁性基材の表面側の線Ｌｃとの、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける距離を、１０個の突出部２２ａについてそれぞれ求める。１０個の突出部２２ａの頂部に該当する点の上述の距離の平均値を求める。この平均値を、突出部２２ａの長さｈとする。
また、撮影画像において、１０個の突出部２２ｂを選択する。選択した１０個の突出部２２ｂの頂部に該当する点を特定する。特定した突出部２２ｂの頂部に該当する点と、絶縁性基材の裏面側の線Ｌｃとの、絶縁性基材２０の厚み方向Ｄｔにおける距離を、１０個の突出部２２ｂについてそれぞれ求める。１０個の突出部２２ｂの頂部に該当する点の上述の距離の平均値を求める。この平均値を、突出部２２ｂの長さｈとする。
突出部の直径をｄとし、突出部の絶縁性基材の厚み方向における長さｈとするとき、アスペクト比を表すｄ／ｈが０．１～２０であることが好ましい。アスペクト比ｄ／ｈが０．１～２０であれば、安定して製造でき、かつ接合強度が優れる。
【0046】
〔樹脂層〕
樹脂層は、上述のように絶縁性基材の表面及び裏面のうち、少なくとも一方の面を覆うものであり、絶縁性基材及び導通路を保護する。樹脂層は、例えば、導通路が突出部を有するものであれば、突出部を埋設する。すなわち、樹脂層は、絶縁性基材から突出した導通路の端部を被覆し、突出部を保護する。
樹脂層は、上述の機能を発揮するために、例えば、５０℃～２００℃の温度範囲で流動性を示し、２００℃以上で硬化するものであることが好ましい。樹脂層は、例えば、熱可塑性樹脂等で構成される熱可塑性層であるが、樹脂層については後に詳細に説明する。
樹脂層２４の平均厚みｈｍは、１０μｍ以下が好ましく、より好ましくは５μｍ以下であり、さらに好ましくは１μｍ以下である。樹脂層２４の平均厚みｈｍが上述の１０μｍ以下であれば、導通路２２の突出部を保護し、かつ半導体デバイス等の接続対象との接合の際に電極の周囲を充填する効果を十分に発揮できる。
樹脂層２４の平均厚みｈｍは、絶縁性基材２０の表面２０ａからの平均距離、又は絶縁性基材２０の裏面２０ｂからの平均距離である。上述の樹脂層２４の平均厚みｈｍは、樹脂層を異方導電性部材１０の厚み方向Ｄｔに切断し、走査電子顕微鏡を用いて切断断面の撮影画像を取得する。撮影画像において、絶縁性基材の表面側の線Ｌｃ及び絶縁性基材の裏面側の線Ｌｃを上述のようにして求める。
次に、撮影画像において、樹脂層の表面に該当する箇所を１０箇所選択する。選択した箇所と、絶縁性基材の表面側の線Ｌｃとの距離を、１０箇所について、それぞれ求める。１０箇所の距離の平均値を求める。この平均値を、絶縁性基材２０の表面２０ａ側の樹脂層２４の平均厚みｈｍとする。
更に絶縁性基材２０の裏面２０ｂ側の樹脂層についても、同様に撮影画像において、樹脂層の表面に該当する箇所を１０箇所選択する。選択した箇所と、絶縁性基材の裏面側の線Ｌｃとの距離を、１０箇所について、それぞれ求める。１０箇所の距離の平均値を求める。この平均値を、絶縁性基材２０の裏面２０ｂ側の樹脂層２４の平均厚みｈｍとする。
樹脂層は、上述のように絶縁性基材の表面及び裏面のうち、少なくとも一方の面を覆うものであり、絶縁性基材及び導通路を保護する。樹脂層は、例えば、導通路が突出部を有するものであれば、突出部を埋設する。すなわち、樹脂層は、絶縁性基材から突出した導通路の端部を被覆し、突出部を保護する。
樹脂層は、上述の機能を発揮するために、例えば、５０℃～２００℃の温度範囲で流動性を示し、２００℃以上で硬化するものであることが好ましい。樹脂層は、例えば、熱可塑性樹脂等で構成される熱可塑性層であるが、樹脂層については後に詳細に説明する。
樹脂層２４の平均厚みｈｍは、１０μｍ以下が好ましく、より好ましくは５μｍ以下であり、さらに好ましくは１μｍ以下である。樹脂層２４の平均厚みｈｍが上述の１０μｍ以下であれば、導通路２２の突出部を保護し、かつ半導体デバイス等の接続対象との接合の際に電極の周囲を充填する効果を十分に発揮できる。
樹脂層２４の平均厚みｈｍは、絶縁性基材２０の表面２０ａからの平均距離、又は絶縁性基材２０の裏面２０ｂからの平均距離である。上述の樹脂層２４の平均厚みｈｍは、樹脂層を異方導電性部材１０の厚み方向Ｄｔに切断し、走査電子顕微鏡を用いて切断断面の撮影画像を取得する。撮影画像において、絶縁性基材の表面側の線Ｌｃ及び絶縁性基材の裏面側の線Ｌｃを上述のようにして求める。
次に、撮影画像において、樹脂層の表面に該当する箇所を１０箇所選択する。選択した箇所と、絶縁性基材の表面側の線Ｌｃとの距離を、１０箇所について、それぞれ求める。１０箇所の距離の平均値を求める。この平均値を、絶縁性基材２０の表面２０ａ側の樹脂層２４の平均厚みｈｍとする。
更に絶縁性基材２０の裏面２０ｂ側の樹脂層についても、同様に撮影画像において、樹脂層の表面に該当する箇所を１０箇所選択する。選択した箇所と、絶縁性基材の裏面側の線Ｌｃとの距離を、１０箇所について、それぞれ求める。１０箇所の距離の平均値を求める。この平均値を、絶縁性基材２０の裏面２０ｂ側の樹脂層２４の平均厚みｈｍとする。
【0047】
樹脂層は、以下に示す組成を用いることもできる。以下、樹脂層の組成について説明する。例えば、樹脂層は、高分子材料を含有するものであり、酸化防止材料を含んでもよい。
樹脂層を構成する樹脂材料としては、具体的には、例えば、エチレン系共重合体、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、アクリロニトリル系樹脂、及びセルロース系樹脂等の熱可塑性樹脂を挙げることができる。樹脂層を構成する樹脂材料として、ポリアクリロニトリルも用いることができる。樹脂層を構成する樹脂材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。なかでも、絶縁信頼性がより向上し、耐薬品性に優れる理由から、ポリイミド樹脂及び／又はエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
樹脂層としては、上述のもの以外に、例えば、国際公開第２０２２／１６３２６０号に記載のアクリルポリマーと、アクリルモノマーと、マレイミド化合物とを含む主組成物を含有するものを用いることができる。
樹脂層を構成する樹脂材料としては、具体的には、例えば、エチレン系共重合体、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、アクリロニトリル系樹脂、及びセルロース系樹脂等の熱可塑性樹脂を挙げることができる。樹脂層を構成する樹脂材料として、ポリアクリロニトリルも用いることができる。樹脂層を構成する樹脂材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。なかでも、絶縁信頼性がより向上し、耐薬品性に優れる理由から、ポリイミド樹脂及び／又はエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
樹脂層としては、上述のもの以外に、例えば、国際公開第２０２２／１６３２６０号に記載のアクリルポリマーと、アクリルモノマーと、マレイミド化合物とを含む主組成物を含有するものを用いることができる。
【0048】
（（異方導電性部材の被接合部材））
異方導電性部材を電子接続部材として用いた場合、接続対象である被接合部材は、例えば、半導体素子、電極又は素子領域を有するものである。電極を有するものとしては、例えば、単体で特定の機能を発揮する半導体素子等が例示されるが、複数のものが集まって特定の機能を発揮するものも含まれる。更には、配線部材等の電気信号を伝達するだけのものも含まれ、プリント配線板等も電極を有するものに含まれる。
素子領域とは、電子素子として機能するための各種の素子構成回路等が形成された領域である。素子領域には、例えば、フラッシュメモリ等のようなメモリ回路、マイクロプロセッサ及びＦＰＧＡ（field-programmable gate array）等のような論理回路が形成された領域、無線タグ等の通信モジュールならびに配線が形成された領域である。素子領域には、これ以外にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）が形成されてもよい。ＭＥＭＳとしては、例えば、センサー、アクチュエーター及びアンテナ等が挙げられる。センサーには、例えば、加速度、音、及び光等の各種のセンサーが含まれる。光センサーは、光を検出することができれば、特に限定されるものではなく、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサー又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサーが用いられる。
上述のように、素子領域は素子構成回路等が形成されており、半導体チップを外部と電気的に接続するために電極（図示せず）が設けられている。素子領域は電極が形成された電極領域を有する。なお、素子領域の電極とは、例えば、Ｃｕポストである。電極領域とは、基本的には、形成された全ての電極を含む領域のことである。しかしながら、電極が離散して設けられていれば、各電極が設けられている領域のことも電極領域という。
構造体の形態としては、半導体チップのように個片化されたものでも、半導体ウエハのような形態でもよく、配線層の形態でもよい。
また、構造体は、接続対象物と接合されるが、接続対象物は、上述の半導体素子等に特に限定されるものではなく、例えば、ウエハ状態の半導体素子、チップ状態の半導体素子、プリント配線板、及びヒートシンク等が接続対象物となる。
異方導電性部材を電子接続部材として用いた場合、接続対象である被接合部材は、例えば、半導体素子、電極又は素子領域を有するものである。電極を有するものとしては、例えば、単体で特定の機能を発揮する半導体素子等が例示されるが、複数のものが集まって特定の機能を発揮するものも含まれる。更には、配線部材等の電気信号を伝達するだけのものも含まれ、プリント配線板等も電極を有するものに含まれる。
素子領域とは、電子素子として機能するための各種の素子構成回路等が形成された領域である。素子領域には、例えば、フラッシュメモリ等のようなメモリ回路、マイクロプロセッサ及びＦＰＧＡ（field-programmable gate array）等のような論理回路が形成された領域、無線タグ等の通信モジュールならびに配線が形成された領域である。素子領域には、これ以外にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）が形成されてもよい。ＭＥＭＳとしては、例えば、センサー、アクチュエーター及びアンテナ等が挙げられる。センサーには、例えば、加速度、音、及び光等の各種のセンサーが含まれる。光センサーは、光を検出することができれば、特に限定されるものではなく、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサー又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサーが用いられる。
上述のように、素子領域は素子構成回路等が形成されており、半導体チップを外部と電気的に接続するために電極（図示せず）が設けられている。素子領域は電極が形成された電極領域を有する。なお、素子領域の電極とは、例えば、Ｃｕポストである。電極領域とは、基本的には、形成された全ての電極を含む領域のことである。しかしながら、電極が離散して設けられていれば、各電極が設けられている領域のことも電極領域という。
構造体の形態としては、半導体チップのように個片化されたものでも、半導体ウエハのような形態でもよく、配線層の形態でもよい。
また、構造体は、接続対象物と接合されるが、接続対象物は、上述の半導体素子等に特に限定されるものではなく、例えば、ウエハ状態の半導体素子、チップ状態の半導体素子、プリント配線板、及びヒートシンク等が接続対象物となる。
【0049】
（（半導体素子））
半導体素子は、上述のもの以外に、例えば、ロジックＬＳＩ（Large Scale Integration）（例えば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＡＳＳＰ（Application Specific Standard Product）等）、マイクロプロセッサ（例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等）、メモリ（例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＨＭＣ（Hybrid Memory Cube）、ＭＲＡＭ（Magnetic RAM：磁気メモリ）とＰＣＭ（Phase-Change Memory：相変化メモリ）、ＲｅＲＡＭ（Resistive RAM：抵抗変化型メモリ）、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric RAM：強誘電体メモリ）、フラッシュメモリ（ＮＡＮＤ（Not AND）フラッシュ）等）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、（例えば、携帯端末のマイクロフラッシュ、車載用、プロジェクタ光源、ＬＣＤバックライト、一般照明等）、パワー・デバイス、アナログＩＣ（Integrated Circuit）、（例えば、ＤＣ（Direct Current）－ＤＣ（Direct Current）コンバータ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、（例えば、加速度センサー、圧力センサー、振動子、ジャイロセンサ等）、ワイヤレス（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）、ＦＭ（Frequency Modulation）、ＮＦＣ（Nearfield communication）、ＲＦＥＭ（RF Expansion Module）、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）、ＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）等）、ディスクリート素子、ＢＳＩ（Back Side Illumination）、ＣＩＳ（Contact Image Sensor）、カメラモジュール、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、Passiveデバイス、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ、ＲＦ（Radio Frequency）フィルタ、ＲＦＩＰＤ（Radio Frequency Integrated Passive Devices）、ＢＢ（Broadband）等が挙げられる。
半導体素子は、例えば、１つで完結したものであり、半導体素子単体で、回路又はセンサー等の特定の機能を発揮するものである。半導体素子は、インターポーザー機能を有するものであってもよい。また、例えば、インターポーザー機能を有するデバイス上に、論理回路を有する論理チップ、及びメモリーチップ等の複数のデバイスを積層することも可能である。また、この場合、それぞれのデバイスごとに電極サイズが異なっていても接合することができる。
半導体素子は、上述のもの以外に、例えば、ロジックＬＳＩ（Large Scale Integration）（例えば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＡＳＳＰ（Application Specific Standard Product）等）、マイクロプロセッサ（例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等）、メモリ（例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＨＭＣ（Hybrid Memory Cube）、ＭＲＡＭ（Magnetic RAM：磁気メモリ）とＰＣＭ（Phase-Change Memory：相変化メモリ）、ＲｅＲＡＭ（Resistive RAM：抵抗変化型メモリ）、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric RAM：強誘電体メモリ）、フラッシュメモリ（ＮＡＮＤ（Not AND）フラッシュ）等）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、（例えば、携帯端末のマイクロフラッシュ、車載用、プロジェクタ光源、ＬＣＤバックライト、一般照明等）、パワー・デバイス、アナログＩＣ（Integrated Circuit）、（例えば、ＤＣ（Direct Current）－ＤＣ（Direct Current）コンバータ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、（例えば、加速度センサー、圧力センサー、振動子、ジャイロセンサ等）、ワイヤレス（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）、ＦＭ（Frequency Modulation）、ＮＦＣ（Nearfield communication）、ＲＦＥＭ（RF Expansion Module）、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）、ＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）等）、ディスクリート素子、ＢＳＩ（Back Side Illumination）、ＣＩＳ（Contact Image Sensor）、カメラモジュール、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、Passiveデバイス、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ、ＲＦ（Radio Frequency）フィルタ、ＲＦＩＰＤ（Radio Frequency Integrated Passive Devices）、ＢＢ（Broadband）等が挙げられる。
半導体素子は、例えば、１つで完結したものであり、半導体素子単体で、回路又はセンサー等の特定の機能を発揮するものである。半導体素子は、インターポーザー機能を有するものであってもよい。また、例えば、インターポーザー機能を有するデバイス上に、論理回路を有する論理チップ、及びメモリーチップ等の複数のデバイスを積層することも可能である。また、この場合、それぞれのデバイスごとに電極サイズが異なっていても接合することができる。
【0050】
（異方導電性部材の製造方法の一例）
次に、異方導電性部材の製造方法について説明する。図８～図１４は本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。なお、図８～図１４において、図１～図３に示す異方導電性部材１０の構成と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材の製造方法の一例では、図１に示す異方導電性部材１０において、絶縁性基材２０がアルミニウムの陽極酸化膜で構成されるものを例にして説明する。アルミニウムの陽極酸化膜を形成するために、アルミニウム基板を用いる。このため、異方導電性部材の製造方法の一例では、まず、図８に示すように、アルミニウム基板４０を用意する。
アルミニウム基板４０は、最終的に得られる異方導電性部材１０（図１参照）の絶縁性基材２０（図１参照）の厚み、加工する装置等に応じて大きさ及び厚みが適宜決定されるものである。アルミニウム基板４０は、例えば、外形が円形状の板材である。なお、アルミニウム基板に限定されるものではなく、電気的に絶縁な絶縁膜を形成できる金属基板を用いることができる。陽極酸化により陽極酸化膜を形成できるバルブ金属を用いることができる。
次に、異方導電性部材の製造方法について説明する。図８～図１４は本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。なお、図８～図１４において、図１～図３に示す異方導電性部材１０の構成と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材の製造方法の一例では、図１に示す異方導電性部材１０において、絶縁性基材２０がアルミニウムの陽極酸化膜で構成されるものを例にして説明する。アルミニウムの陽極酸化膜を形成するために、アルミニウム基板を用いる。このため、異方導電性部材の製造方法の一例では、まず、図８に示すように、アルミニウム基板４０を用意する。
アルミニウム基板４０は、最終的に得られる異方導電性部材１０（図１参照）の絶縁性基材２０（図１参照）の厚み、加工する装置等に応じて大きさ及び厚みが適宜決定されるものである。アルミニウム基板４０は、例えば、外形が円形状の板材である。なお、アルミニウム基板に限定されるものではなく、電気的に絶縁な絶縁膜を形成できる金属基板を用いることができる。陽極酸化により陽極酸化膜を形成できるバルブ金属を用いることができる。
【0051】
次に、アルミニウム基板４０の片側の表面４０ａ（図８参照）を陽極酸化処理する。これにより、アルミニウム基板４０の片側の表面４０ａ（図８参照）が陽極酸化されて、図９に示すように、アルミニウム基板４０の厚み方向Ｄｔに延在する複数の細孔２１を有する陽極酸化膜４４が形成される。
陽極酸化膜４４は、上述の絶縁性基材２０（図１参照）である。図９に示すように各細孔２１の底部にはバリア層４３が存在する。上述の陽極酸化する工程を陽極酸化処理工程という。
複数の細孔２１を有する陽極酸化膜４４には、上述のようにそれぞれ細孔２１の底部にバリア層４３が存在するが、バリア層４３を除去する。これにより、バリア層４３がない、複数の細孔２１を有する陽極酸化膜４４（図１０参照）を得る。なお、上述のバリア層４３を除去する工程をバリア層除去工程という。
陽極酸化膜４４は、上述の絶縁性基材２０（図１参照）である。図９に示すように各細孔２１の底部にはバリア層４３が存在する。上述の陽極酸化する工程を陽極酸化処理工程という。
複数の細孔２１を有する陽極酸化膜４４には、上述のようにそれぞれ細孔２１の底部にバリア層４３が存在するが、バリア層４３を除去する。これにより、バリア層４３がない、複数の細孔２１を有する陽極酸化膜４４（図１０参照）を得る。なお、上述のバリア層４３を除去する工程をバリア層除去工程という。
【0052】
バリア層除去工程において、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いることにより、陽極酸化膜４４のバリア層４３を除去すると同時に、細孔２１の底部４２ｃ（図１０参照）の面４２ｄ（図１０参照）に金属（金属Ｍ１）からなる金属層４５ａ（図１０参照）を形成する。これにより、細孔２１に露出したアルミニウム基板４０は金属層４５ａにより被覆される。これにより、細孔２１へめっきによる金属充填の際に、めっきが進行しやすくなり、細孔に金属が十分に充填されないことが抑制され、細孔２１への金属の未充填等が抑制され、導通路２２（図１参照）の形成不良が抑制される。
なお、上述の金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液は更にアルミニウムイオン含有化合物（アルミン酸ソーダ、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム等）を含んでもよい。アルミニウムイオン含有化合物の含有量は、アルミニウムイオンの量に換算して０．１～２０ｇ／Ｌが好ましく、０．３～１２ｇ／Ｌがより好ましく、０．５～６ｇ／Ｌが更に好ましい。
なお、上述の金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液は更にアルミニウムイオン含有化合物（アルミン酸ソーダ、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム等）を含んでもよい。アルミニウムイオン含有化合物の含有量は、アルミニウムイオンの量に換算して０．１～２０ｇ／Ｌが好ましく、０．３～１２ｇ／Ｌがより好ましく、０．５～６ｇ／Ｌが更に好ましい。
【0053】
次に、厚み方向Ｄｔに延在する複数の細孔２１を有する陽極酸化膜４４の表面４４ａからめっきを行う。この場合、金属層４５ａを電解めっきの電極として用いることができる。めっきには金属４５ｂを用い、細孔２１の底部４２ｃ（図１０参照）の面４２ｄ（図１０参照）に形成された金属層４５ａを起点にして、めっきが進行する。これにより、図１１に示すように、陽極酸化膜４４の細孔２１の内部に、導通路２２を構成する導電性物質として金属４５ｂが充填される。細孔２１の内部に金属４５ｂを充填することにより、導電性を有する導通路２２が形成される。なお、金属層４５ａと金属４５ｂとをまとめて充填した金属４５という。
陽極酸化膜４４の複数の細孔２１に金属４５ｂを充填して、複数の導通路２２を形成する工程を、金属充填工程という。上述のように導通路２２は導電性物質で構成されるものであり、金属を充填することに限定されるものではない。金属充填工程には、電解めっきが用いられ、金属充填工程については後に詳細に説明する。なお、陽極酸化膜４４の表面４４ａが絶縁性基材２０の一方の面に相当する。陽極酸化膜４４の複数の細孔２１に、金属、及び金属以外も含め導電性物質を充填して、複数の導通路２２を形成する工程を、単に充填工程という。
陽極酸化膜４４の複数の細孔２１に金属４５ｂを充填して、複数の導通路２２を形成する工程を、金属充填工程という。上述のように導通路２２は導電性物質で構成されるものであり、金属を充填することに限定されるものではない。金属充填工程には、電解めっきが用いられ、金属充填工程については後に詳細に説明する。なお、陽極酸化膜４４の表面４４ａが絶縁性基材２０の一方の面に相当する。陽極酸化膜４４の複数の細孔２１に、金属、及び金属以外も含め導電性物質を充填して、複数の導通路２２を形成する工程を、単に充填工程という。
【0054】
金属充填工程の後に、図１１に示す陽極酸化膜４４の表面４４ａを研磨して平滑化する研磨工程を実施する。研磨には、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理が用いられる。
次に、研磨工程の後に、図１２に示すように、陽極酸化膜４４のアルミニウム基板４０が設けられていない側の表面２０ａを厚み方向Ｄｔに一部除去し、金属充填工程で充填した金属４５を陽極酸化膜４４の表面４４ａよりも突出させる。すなわち、導通路２２を陽極酸化膜４４の表面４４ａよりも突出させる。これにより、突出部２２ａが得られる。導通路２２を陽極酸化膜４４の表面４４ａよりも突出させる工程を、表面突出工程という。
なお、表面突出工程では、例えば、導通路２２を構成する金属を溶解せずに陽極酸化膜４４を溶解させる溶液を用いて、陽極酸化膜４４の表面４４ａを溶解させる。このとき、溶解させる溶液を液滴状にして陽極酸化膜４４の表面４４ａに噴射するスプレーエッチング法が用いられる。これにより、図３に示す絶縁性基材２０の表面２０ａが得られる。
次に、研磨工程の後に、図１２に示すように、陽極酸化膜４４のアルミニウム基板４０が設けられていない側の表面２０ａを厚み方向Ｄｔに一部除去し、金属充填工程で充填した金属４５を陽極酸化膜４４の表面４４ａよりも突出させる。すなわち、導通路２２を陽極酸化膜４４の表面４４ａよりも突出させる。これにより、突出部２２ａが得られる。導通路２２を陽極酸化膜４４の表面４４ａよりも突出させる工程を、表面突出工程という。
なお、表面突出工程では、例えば、導通路２２を構成する金属を溶解せずに陽極酸化膜４４を溶解させる溶液を用いて、陽極酸化膜４４の表面４４ａを溶解させる。このとき、溶解させる溶液を液滴状にして陽極酸化膜４４の表面４４ａに噴射するスプレーエッチング法が用いられる。これにより、図３に示す絶縁性基材２０の表面２０ａが得られる。
【0055】
表面突出工程の後に、図１３に示すようにアルミニウム基板４０を除去する。アルミニウム基板４０を除去する工程を基板除去工程という。一方の突出部だけの構成の場合、図１３に示す状態のものを異方導電性部材１０とすることができる。この場合、図１３に示す状態で、突出部２２ａが突出している陽極酸化膜４４の表面４４ａ全面を覆う樹脂層２４（図１参照）を形成して、異方導電性部材１０とする。
【0056】
次に、図１４に示すように、基板除去工程の後に陽極酸化膜４４のアルミニウム基板４０が設けられていた側の表面、すなわち、陽極酸化膜４４の裏面４４ｂを研磨して平滑化する研磨工程を実施する。研磨には、例えば、ＣＭＰ処理が用いられる。
次に、陽極酸化膜４４の裏面４４ｂの研磨工程の後に、図１４に示すように陽極酸化膜４４の裏面４４ｂを厚み方向Ｄｔに一部除去し、金属充填工程で充填した金属４５、すなわち、導通路２２を陽極酸化膜４４の裏面４４ｂよりも突出させる。これにより、突出部２２ｂが得られる。導通路２２を陽極酸化膜４４の裏面４４ｂよりも突出させる工程を、裏面突出工程という。なお、裏面突出工程は、必ずしも実施する必要はない。裏面突出工程を実施しない場合、上述の突出部２２ｂが形成されない。
なお、裏面突出工程では、表面突出工程と同様に、例えば、導通路２２を構成する金属を溶解せずに陽極酸化膜４４を溶解させる溶液を用いて、陽極酸化膜４４の裏面４４ｂを溶解させる。このとき、溶解させる溶液を液滴状にして陽極酸化膜４４の裏面４４ｂに噴射するスプレーエッチング法が用いられる。これにより、図３に示す絶縁性基材２０の表面２０ａと同様の裏面２０ｂが得られる。
次に、陽極酸化膜４４の裏面４４ｂの研磨工程の後に、図１４に示すように陽極酸化膜４４の裏面４４ｂを厚み方向Ｄｔに一部除去し、金属充填工程で充填した金属４５、すなわち、導通路２２を陽極酸化膜４４の裏面４４ｂよりも突出させる。これにより、突出部２２ｂが得られる。導通路２２を陽極酸化膜４４の裏面４４ｂよりも突出させる工程を、裏面突出工程という。なお、裏面突出工程は、必ずしも実施する必要はない。裏面突出工程を実施しない場合、上述の突出部２２ｂが形成されない。
なお、裏面突出工程では、表面突出工程と同様に、例えば、導通路２２を構成する金属を溶解せずに陽極酸化膜４４を溶解させる溶液を用いて、陽極酸化膜４４の裏面４４ｂを溶解させる。このとき、溶解させる溶液を液滴状にして陽極酸化膜４４の裏面４４ｂに噴射するスプレーエッチング法が用いられる。これにより、図３に示す絶縁性基材２０の表面２０ａと同様の裏面２０ｂが得られる。
【0057】
上述の表面突出工程及び裏面突出工程は、両方の工程を有する態様であってもよいが、表面突出工程及び裏面突出工程のうち、一方の工程を有する態様であってもよい。表面突出工程及び裏面突出工程が「突出工程」に該当しており、表面突出工程及び裏面突出工程はいずれも突出工程である。突出工程のことをトリミング工程ともいう。
突出工程を実施する場合、突出工程後の陽極酸化膜４４の厚みが、絶縁性基材の厚みである。
突出工程を実施する場合、突出工程後の陽極酸化膜４４の厚みが、絶縁性基材の厚みである。
【0058】
次に、図１４に示すように突出部２２ａが突出している陽極酸化膜４４の表面４４ａ全面を覆う樹脂層２４（図１参照）を形成する。また、突出部２２ｂが突出している陽極酸化膜４４の裏面４４ｂ全面を覆う樹脂層２４（図１参照）を形成する。これにより、図１に示す異方導電性部材１０が製造される。
【0059】
〔陽極酸化処理工程〕
陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、構造体の異方導電性を担保する観点から、自己規則化法又は定電圧処理を用いることが好ましい。これにより、例えば、細孔及び導体が六角形状の配置となる。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法及び定電圧処理については、特開２００８－２７０１５８号公報の［００５６］～［０１０８］段落及び［図８］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、構造体の異方導電性を担保する観点から、自己規則化法又は定電圧処理を用いることが好ましい。これにより、例えば、細孔及び導体が六角形状の配置となる。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法及び定電圧処理については、特開２００８－２７０１５８号公報の［００５６］～［０１０８］段落及び［図８］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
【0060】
〔保持工程〕
異方導電性部材を製造する場合、保持工程を有してもよい。保持工程は、上述の陽極酸化処理工程の後に、１Ｖ以上かつ上述の陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される保持電圧の９５％以上１０５％以下の電圧に通算５分以上保持する工程である。言い換えると、保持工程は、上述の陽極酸化処理工程の後に、１Ｖ以上かつ上述の陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される保持電圧の９５％以上１０５％以下の電圧で通算５分以上電解処理を施す工程である。
ここで、「陽極酸化処理における電圧」とは、アルミニウム基板と対極間に印加する電圧であり、例えば、陽極酸化処理による電解時間が３０分であれば、３０分の間に保たれている電圧の平均値をいう。
異方導電性部材を製造する場合、保持工程を有してもよい。保持工程は、上述の陽極酸化処理工程の後に、１Ｖ以上かつ上述の陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される保持電圧の９５％以上１０５％以下の電圧に通算５分以上保持する工程である。言い換えると、保持工程は、上述の陽極酸化処理工程の後に、１Ｖ以上かつ上述の陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される保持電圧の９５％以上１０５％以下の電圧で通算５分以上電解処理を施す工程である。
ここで、「陽極酸化処理における電圧」とは、アルミニウム基板と対極間に印加する電圧であり、例えば、陽極酸化処理による電解時間が３０分であれば、３０分の間に保たれている電圧の平均値をいう。
【0061】
陽極酸化膜の側壁厚み、すなわち、細孔の深さに対してバリア層の厚みを適切な厚みに制御する観点から、保持工程における電圧が、陽極酸化処理における電圧の５％以上２５％以下であることが好ましく、５％以上２０％以下であることがより好ましい。
【0062】
また、面内均一性がより向上する理由から、保持工程における保持時間の合計が、５分以上２０分以下であることが好ましく、５分以上１５分以下であることがより好ましく、５分以上１０分以下であることが更に好ましい。
また、保持工程における保持時間は、通算５分以上であればよいが、連続５分以上であることが好ましい。
また、保持工程における保持時間は、通算５分以上であればよいが、連続５分以上であることが好ましい。
【0063】
更に、保持工程における電圧は、陽極酸化処理工程における電圧から保持工程における電圧まで連続的又は段階的に降下させて設定してもよいが、面内均一性が更に向上する理由から、陽極酸化処理工程の終了後、１秒以内に、上述の保持電圧の９５％以上１０５％以下の電圧に設定することが好ましい。
【0064】
上述の保持工程は、例えば、上述の陽極酸化処理工程の終了時に電解電位を降下させることにより、上述の陽極酸化処理工程と連続して行うこともできる。
上述の保持工程は、電解電位以外の条件については、上述の従来公知の陽極酸化処理と同様の電解液及び処理条件を採用することができる。
特に、保持工程と陽極酸化処理工程とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理することが好ましい。
上述の保持工程は、電解電位以外の条件については、上述の従来公知の陽極酸化処理と同様の電解液及び処理条件を採用することができる。
特に、保持工程と陽極酸化処理工程とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理することが好ましい。
【0065】
複数の細孔（マイクロポア）を有する陽極酸化膜には、上述のように細孔の底部にバリア層（図示せず）が存在する。このバリア層を除去するバリア層除去工程を有する。
【0066】
〔バリア層除去工程〕
バリア層除去工程は、例えば、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いて、陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。
上述のバリア層除去工程により、バリア層が除去され、かつ、細孔の底部に、金属Ｍ１からなる導電体層が形成されることになる。
ここで、水素過電圧（hydrogen overvoltage）とは、水素が発生するのに必要な電圧をいい、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の水素過電圧は－１．６６Ｖである（日本化学会誌，１９８２、（８），ｐ１３０５－１３１３）。なお、アルミニウムの水素過電圧よりも高い金属Ｍ１の例及びその水素過電圧の値を以下に示す。
＜金属Ｍ１及び水素（１Ｎ Ｈ2ＳＯ4）過電圧＞
・白金（Ｐｔ）：０．００Ｖ
・金（Ａｕ）：０．０２Ｖ
・銀（Ａｇ）：０．０８Ｖ
・ニッケル（Ｎｉ）：０．２１Ｖ
・銅（Ｃｕ）：０．２３Ｖ
・錫（Ｓｎ）：０．５３Ｖ
・亜鉛（Ｚｎ）：０．７０Ｖ
バリア層除去工程は、例えば、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いて、陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。
上述のバリア層除去工程により、バリア層が除去され、かつ、細孔の底部に、金属Ｍ１からなる導電体層が形成されることになる。
ここで、水素過電圧（hydrogen overvoltage）とは、水素が発生するのに必要な電圧をいい、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の水素過電圧は－１．６６Ｖである（日本化学会誌，１９８２、（８），ｐ１３０５－１３１３）。なお、アルミニウムの水素過電圧よりも高い金属Ｍ１の例及びその水素過電圧の値を以下に示す。
＜金属Ｍ１及び水素（１Ｎ Ｈ2ＳＯ4）過電圧＞
・白金（Ｐｔ）：０．００Ｖ
・金（Ａｕ）：０．０２Ｖ
・銀（Ａｇ）：０．０８Ｖ
・ニッケル（Ｎｉ）：０．２１Ｖ
・銅（Ｃｕ）：０．２３Ｖ
・錫（Ｓｎ）：０．５３Ｖ
・亜鉛（Ｚｎ）：０．７０Ｖ
【0067】
上述のバリア層除去工程において、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いてバリア層を除去することにより、バリア層４３を除去するだけでなく、細孔２１の底部に露出したアルミニウム基板４０にアルミニウムよりも水素ガスが発生しにくい金属Ｍ１の金属層４５ａが形成される。その結果、金属充填の面内均一性が良好となる。これは、めっき液による水素ガスの発生が抑制され、電解めっきによる金属充填が進行しやすくなったと考えられる。
また、バリア層除去工程において、陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される電圧（保持電圧）の９５％以上１０５％以下の電圧に通算５分以上保持する保持工程を設け、金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を適用することを組み合わせることにより、めっき処理時の金属充填の均一性が大きく良化することを見出している。このため、保持工程があることが好ましい。
詳しいメカニズムは不明だが、バリア層除去工程において、金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いることでバリア層下部に金属Ｍ１の層が形成され、これによりアルミニウム基板と陽極酸化膜との界面がダメージを受けることを抑制することができ、バリア層の溶解の均一性が向上したためと考えられる。
また、バリア層除去工程において、陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される電圧（保持電圧）の９５％以上１０５％以下の電圧に通算５分以上保持する保持工程を設け、金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を適用することを組み合わせることにより、めっき処理時の金属充填の均一性が大きく良化することを見出している。このため、保持工程があることが好ましい。
詳しいメカニズムは不明だが、バリア層除去工程において、金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いることでバリア層下部に金属Ｍ１の層が形成され、これによりアルミニウム基板と陽極酸化膜との界面がダメージを受けることを抑制することができ、バリア層の溶解の均一性が向上したためと考えられる。
【0068】
なお、バリア層除去工程において、細孔２１の底部に金属（金属Ｍ１）からなる金属層４５ａを形成したが、これに限定されるものではなく、バリア層４３だけを除去し、細孔２１の底にアルミニウム基板４０を露出させる。アルミニウム基板４０を露出させた状態で、アルミニウム基板４０を電解めっきの電極として用いてもよい。
【0069】
細孔２１は、マイクロポアを拡径し、かつバリア層を除去して形成することもできる。この場合、マイクロポアの拡径には、ポアワイド処理が用いられる。ポアワイド処理は、陽極酸化膜を、酸水溶液又はアルカリ水溶液に浸漬させることにより、陽極酸化膜を溶解させ、マイクロポアの孔径を拡大する処理である、ポアワイド処理には、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸又はこれらの混合物の水溶液、又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウム等の水溶液を用いることができる。
なお、ポアワイド処理でも、マイクロポアの底部のバリア層を除去することができ、ポアワイド処理において水酸化ナトリウム水溶液を用いることにより、マイクロポアが拡径され、かつバリア層が除去される。
なお、ポアワイド処理でも、マイクロポアの底部のバリア層を除去することができ、ポアワイド処理において水酸化ナトリウム水溶液を用いることにより、マイクロポアが拡径され、かつバリア層が除去される。
【0070】
〔充填工程〕
充填工程は、厚み方向に延在する複数の細孔を有する陽極酸化膜、すなわち、絶縁性基材に対して、細孔に導電性物質を充填して、複数の導通路を形成する工程である。導通路は、例えば、柱状の導電体である。充填工程において金属を充填する場合、金属充填工程という。
＜充填工程に用いられる金属＞
充填工程において、導通路を形成するために、上述の陽極酸化膜４４の細孔２１の内部に導電性物質として充填される金属は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。上述の金属の具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）及びコバルト（Ｃｏ）が好適に例示される。
なお、導電性物質としては、電気伝導性、及びめっき法による形成の観点から、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）が好ましく、銅（Ｃｕ）、及び金（Ａｕ）がより好ましく、銅（Ｃｕ）が更に好ましい。
充填工程は、厚み方向に延在する複数の細孔を有する陽極酸化膜、すなわち、絶縁性基材に対して、細孔に導電性物質を充填して、複数の導通路を形成する工程である。導通路は、例えば、柱状の導電体である。充填工程において金属を充填する場合、金属充填工程という。
＜充填工程に用いられる金属＞
充填工程において、導通路を形成するために、上述の陽極酸化膜４４の細孔２１の内部に導電性物質として充填される金属は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。上述の金属の具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）及びコバルト（Ｃｏ）が好適に例示される。
なお、導電性物質としては、電気伝導性、及びめっき法による形成の観点から、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）が好ましく、銅（Ｃｕ）、及び金（Ａｕ）がより好ましく、銅（Ｃｕ）が更に好ましい。
【0071】
＜めっき法＞
厚み方向Ｄｔに延在する複数の細孔２１を有する陽極酸化膜４４に対して、細孔２１の内部に金属を充填するめっき法としては、例えば、電解めっき法又は無電解めっき法を用いることができる。
ここで、着色等に用いられる従来公知の電解めっき法では、選択的に孔中に金属を高アスペクトで析出（成長）させることは困難である。これは、析出金属が孔内で消費され一定時間以上電解を行なってもめっきが成長しないためと考えられる。
そのため、電解めっき法により金属を充填する場合は、パルス電解又は定電位電解の際に休止時間をもうける必要がある。休止時間は、１０秒以上必要で、３０～６０秒であることが好ましい。
また、電解液のかくはんを促進するため、超音波を加えることも望ましい。
厚み方向Ｄｔに延在する複数の細孔２１を有する陽極酸化膜４４に対して、細孔２１の内部に金属を充填するめっき法としては、例えば、電解めっき法又は無電解めっき法を用いることができる。
ここで、着色等に用いられる従来公知の電解めっき法では、選択的に孔中に金属を高アスペクトで析出（成長）させることは困難である。これは、析出金属が孔内で消費され一定時間以上電解を行なってもめっきが成長しないためと考えられる。
そのため、電解めっき法により金属を充填する場合は、パルス電解又は定電位電解の際に休止時間をもうける必要がある。休止時間は、１０秒以上必要で、３０～６０秒であることが好ましい。
また、電解液のかくはんを促進するため、超音波を加えることも望ましい。
【0072】
更に、電解電圧は、通常２０Ｖ以下であって望ましくは１０Ｖ以下であるが、使用する電解液における目的金属の析出電位を予め測定し、その電位＋１Ｖ以内で定電位電解を行なうことが好ましい。なお、定電位電解を行なう際には、サイクリックボルタンメトリを併用できるものが望ましく、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社、ＢＡＳ株式会社、北斗電工株式会社、ＩＶＩＵＭ社等のポテンショスタット装置を用いることができる。
【0073】
（めっき液）
めっき液は、従来公知のめっき液を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、１～３００ｇ／Ｌであることが好ましく、１００～２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は１０～２０ｇ／Ｌであることが好ましい。
また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、交流電解でめっきを行なうのが望ましい。
めっき液は、従来公知のめっき液を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、１～３００ｇ／Ｌであることが好ましく、１００～２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は１０～２０ｇ／Ｌであることが好ましい。
また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、交流電解でめっきを行なうのが望ましい。
【0074】
めっき液は、界面活性剤を含むことが好ましい。
界面活性剤としては公知のものを使用することができる。従来メッキ液に添加する界面活性剤として知られているラウリル硫酸ナトリウムをそのまま使用することもできる。親水性部分がイオン性（カチオン性・アニオン性・双性）のもの、非イオン性（ノニオン性）のものいずれも利用可能であるが、メッキ対象物表面への気泡の発生等を回避する点でカチオン線活性剤が望ましい。めっき液組成における界面活性剤の濃度は１質量％以下であることが望ましい。
なお、無電解めっき法では、アスペクトの高い細孔からなる孔中に金属を完全に充填には長時間を要するので、電解めっき法を用いて細孔に金属を充填することが望ましい。
界面活性剤としては公知のものを使用することができる。従来メッキ液に添加する界面活性剤として知られているラウリル硫酸ナトリウムをそのまま使用することもできる。親水性部分がイオン性（カチオン性・アニオン性・双性）のもの、非イオン性（ノニオン性）のものいずれも利用可能であるが、メッキ対象物表面への気泡の発生等を回避する点でカチオン線活性剤が望ましい。めっき液組成における界面活性剤の濃度は１質量％以下であることが望ましい。
なお、無電解めっき法では、アスペクトの高い細孔からなる孔中に金属を完全に充填には長時間を要するので、電解めっき法を用いて細孔に金属を充填することが望ましい。
【0075】
〔基板除去工程〕
基板除去工程は、充填工程の後に、上述のアルミニウム基板を除去する工程である。アルミニウム基板を除去する方法は特に限定されず、例えば、溶解により除去する方法等が好適に挙げられる。
基板除去工程は、充填工程の後に、上述のアルミニウム基板を除去する工程である。アルミニウム基板を除去する方法は特に限定されず、例えば、溶解により除去する方法等が好適に挙げられる。
【0076】
＜アルミニウム基板の溶解＞
上述のアルミニウム基板の溶解は、陽極酸化膜を溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いることが好ましい。
このような処理液は、アルミニウムに対する溶解速度が、１μｍ／分以上であることが好ましく、３μｍ／分以上であることがより好ましく、５μｍ／分以上であることが更に好ましい。同様に、陽極酸化膜に対する溶解速度が、０．１ｎｍ／分以下となることが好ましく、０．０５ｎｍ／分以下となるのがより好ましく、０．０１ｎｍ／分以下となるのが更に好ましい。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも１種含み、かつ、ｐＨが４以下又は８以上となる処理液であることが好ましく、そのｐＨが３以下又は９以上であることがより好ましく、２以下又は１０以上であることが更に好ましい。
上述のアルミニウム基板の溶解は、陽極酸化膜を溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いることが好ましい。
このような処理液は、アルミニウムに対する溶解速度が、１μｍ／分以上であることが好ましく、３μｍ／分以上であることがより好ましく、５μｍ／分以上であることが更に好ましい。同様に、陽極酸化膜に対する溶解速度が、０．１ｎｍ／分以下となることが好ましく、０．０５ｎｍ／分以下となるのがより好ましく、０．０１ｎｍ／分以下となるのが更に好ましい。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも１種含み、かつ、ｐＨが４以下又は８以上となる処理液であることが好ましく、そのｐＨが３以下又は９以上であることがより好ましく、２以下又は１０以上であることが更に好ましい。
【0077】
アルミニウムを溶解する処理液としては、酸又はアルカリ水溶液をベースとし、例えば、マンガン、亜鉛、クロム、鉄、カドミウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、銅、水銀、銀、パラジウム、白金、金の化合物（例えば、塩化白金酸）、これらのフッ化物、これらの塩化物等を配合したものであることが好ましい。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドすることが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液（塩酸／塩化水銀）、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液（塩酸／塩化銅）が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、アルミニウムを溶解する処理液の組成は、特に限定されるものではく、例えば、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、及び王水等を用いることができる。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドすることが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液（塩酸／塩化水銀）、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液（塩酸／塩化銅）が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、アルミニウムを溶解する処理液の組成は、特に限定されるものではく、例えば、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、及び王水等を用いることができる。
【0078】
また、アルミニウムを溶解する処理液の酸又はアルカリ濃度は、０．０１～１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５～５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
更に、アルミニウムを溶解する処理液を用いた処理温度は、－１０℃～８０℃が好ましく、０℃～６０℃が好ましい。
更に、アルミニウムを溶解する処理液を用いた処理温度は、－１０℃～８０℃が好ましく、０℃～６０℃が好ましい。
【0079】
また、上述のアルミニウム基板の溶解は、上述のめっき工程後のアルミニウム基板を上述の処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸漬法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸漬法が好ましい。このときの接触時間としては、１０秒～５時間が好ましく、１分～３時間がより好ましい。
【0080】
なお、異方導電性部材を形成する際に陽極酸化膜４４に、例えば、支持基材を設けてもよい。支持基材は陽極酸化膜４４と同じ外形状であることが好ましい。支持基材を取り付けることにより、異方導電性部材を形成する際に、陽極酸化膜４４の取り扱い性が増す。
【0081】
〔突出工程〕
突出工程は、研磨工程の後に、導通路を、絶縁性基材の一方の面及び他の面のうち、少なくとも１つの面から突出させる工程である。
具体例には、上述の陽極酸化膜４４の一部を除去する。陽極酸化膜４４の一部の除去には、例えば、導通路２２を構成する金属を溶解せず、陽極酸化膜４４、すなわち、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を溶解する酸水溶液又はアルカリ水溶液が用いられる。上述の酸水溶液又はアルカリ水溶液を液滴状にして、金属が充填された細孔２１を有する陽極酸化膜４４に接触させることにより、陽極酸化膜４４を一部除去する。上述の酸水溶液又はアルカリ水溶液を液滴状にして陽極酸化膜４４に接触させる方法として、上述のように溶解させる溶液を液滴状にして絶縁性基材、すなわち、陽極酸化膜４４に噴射するスプレーエッチング法が用いられる。
突出工程は、研磨工程の後に、導通路を、絶縁性基材の一方の面及び他の面のうち、少なくとも１つの面から突出させる工程である。
具体例には、上述の陽極酸化膜４４の一部を除去する。陽極酸化膜４４の一部の除去には、例えば、導通路２２を構成する金属を溶解せず、陽極酸化膜４４、すなわち、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を溶解する酸水溶液又はアルカリ水溶液が用いられる。上述の酸水溶液又はアルカリ水溶液を液滴状にして、金属が充填された細孔２１を有する陽極酸化膜４４に接触させることにより、陽極酸化膜４４を一部除去する。上述の酸水溶液又はアルカリ水溶液を液滴状にして陽極酸化膜４４に接触させる方法として、上述のように溶解させる溶液を液滴状にして絶縁性基材、すなわち、陽極酸化膜４４に噴射するスプレーエッチング法が用いられる。
【0082】
酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸及び塩酸等の無機酸又はこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でもクロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１～１０質量％であることが好ましい。酸水溶液の温度は、２５～６０℃であることが好ましい。
また、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１～５質量％であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０～３５℃であることが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液又は０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
また、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１～５質量％であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０～３５℃であることが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液又は０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
【0083】
酸水溶液又はアルカリ水溶液への浸漬時間は、８～１２０分であることが好ましく、１０～９０分であるのがより好ましく、１５～６０分であるのが更に好ましい。ここで、浸漬時間は、短時間の浸漬処理を繰り返した場合には、各浸漬時間の合計をいう。なお、各浸漬処理の間には、洗浄処理を施してもよい。
【0084】
また、金属４５、すなわち、導通路２２を陽極酸化膜４４の表面４４ａ又は裏面４４ｂより突出させる程度であるが、上述のように導通路２２を陽極酸化膜４４の表面４４ａ又は裏面４４ｂよりも、１０ｎｍ～１０００ｎｍ突出させることが好ましい。すなわち、上述の突出部２２ａの厚み方向Ｄｔにおける長さｈは、被接合部材との接合性が良好になるため、それぞれ１０ｎｍ～１０００ｎｍであることが好ましく、５０ｎｍ～５００ｎｍがより好ましい。
【0085】
導通路２２の突出部の厚み方向Ｄｔにおける長さｈを厳密に制御する場合は、細孔２１の内部に、金属等の導電性物質を充填した後、陽極酸化膜４４と、金属等の導電性物質の端部とを同一平面状になるように加工した後、陽極酸化膜等の絶縁性基材を選択的に除去することが好ましい。
また、上述の金属の充填後、又は突出工程の後に、金属の充填に伴い発生した導通路２２内の歪みを軽減する目的で、加熱処理を施すことができる。
加熱処理は、金属の酸化を抑制する観点から還元性雰囲気で施すことが好ましく、具体的には、酸素濃度が２０Ｐａ以下で行うことが好ましく、真空下で行うことがより好ましい。ここで、真空とは、大気よりも、気体密度及び気圧のうち、少なくとも一方が低い空間の状態をいう。
また、加熱処理は、矯正の目的で、陽極酸化膜４４に応力を加えながら行うことが好ましい。
また、上述の金属の充填後、又は突出工程の後に、金属の充填に伴い発生した導通路２２内の歪みを軽減する目的で、加熱処理を施すことができる。
加熱処理は、金属の酸化を抑制する観点から還元性雰囲気で施すことが好ましく、具体的には、酸素濃度が２０Ｐａ以下で行うことが好ましく、真空下で行うことがより好ましい。ここで、真空とは、大気よりも、気体密度及び気圧のうち、少なくとも一方が低い空間の状態をいう。
また、加熱処理は、矯正の目的で、陽極酸化膜４４に応力を加えながら行うことが好ましい。
【0086】
〔樹脂層の形成工程〕
樹脂層１８の形成工程には、例えば、インクジェット法、転写法、スプレー法、又はスクリーン印刷法等を用いられる。インクジェット法は、樹脂層１８を絶縁性基材２０に直接形成するため、樹脂層１８の形成工程を簡素化することができるため、好ましい。また、樹脂層１８は、例えば、従来公知の表面保護テープ貼付装置及びラミネーターを用いて形成することができる。また、樹脂層の形成工程では、絶縁性基材の表面の全面に、樹脂層を形成する。樹脂層１８を構成する樹脂材料は、上述のとおりである。
樹脂層１８の形成工程には、例えば、インクジェット法、転写法、スプレー法、又はスクリーン印刷法等を用いられる。インクジェット法は、樹脂層１８を絶縁性基材２０に直接形成するため、樹脂層１８の形成工程を簡素化することができるため、好ましい。また、樹脂層１８は、例えば、従来公知の表面保護テープ貼付装置及びラミネーターを用いて形成することができる。また、樹脂層の形成工程では、絶縁性基材の表面の全面に、樹脂層を形成する。樹脂層１８を構成する樹脂材料は、上述のとおりである。
【0087】
樹脂層１８の形成方法としては、上述の方法以外に、例えば、後述の酸化防止材料、高分子材料、溶媒（例えば、メチルエチルケトン等）等を含有する樹脂組成物を絶縁性基材の表面の全面に塗布し、乾燥させ、必要に応じて焼成する方法等が挙げられる。
樹脂組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、エアナイフコート法、スクリーンコート法、バーコート法、及びカーテンコート法等の従来公知のコーティング方法が使用できる。
また、塗布後の乾燥方法は特に限定されず、例えば、大気下において０℃～１００℃の温度で、数秒～数十分間、加熱する処理、減圧下において０℃～８０℃の温度で、十数分～数時間、加熱する処理等が挙げられる。
また、乾燥後の焼成方法は、使用する高分子材料により異なるため特に限定されないが、ポリイミド樹脂を用いる場合には、例えば、１６０℃～２４０℃の温度で２分間～６０分間加熱する処理等が挙げられ、エポキシ樹脂を用いる場合には、例えば、３０℃～８０℃の温度で２分間～６０分間加熱する処理等が挙げられる。
樹脂組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、エアナイフコート法、スクリーンコート法、バーコート法、及びカーテンコート法等の従来公知のコーティング方法が使用できる。
また、塗布後の乾燥方法は特に限定されず、例えば、大気下において０℃～１００℃の温度で、数秒～数十分間、加熱する処理、減圧下において０℃～８０℃の温度で、十数分～数時間、加熱する処理等が挙げられる。
また、乾燥後の焼成方法は、使用する高分子材料により異なるため特に限定されないが、ポリイミド樹脂を用いる場合には、例えば、１６０℃～２４０℃の温度で２分間～６０分間加熱する処理等が挙げられ、エポキシ樹脂を用いる場合には、例えば、３０℃～８０℃の温度で２分間～６０分間加熱する処理等が挙げられる。
【0088】
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の異方導電性部材及び接合体について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良又は変更をしてもよいのはもちろんである。
【実施例0089】
以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、及び、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。
本実施例では、実施例１～１２の接合体、並びに比較例１及び２の接合体を作製した。実施例１～１２の接合体、並びに比較例１及び２の接合体のサイズ等は、下記表１に示す。
実施例１～１２の接合体、並びに比較例１及び２の接合体について、接合強度と、接合後の突出部の状態とを評価した。接合強度と、接合後の突出部の状態の評価結果を下記表２に示す。
次に、接合強度と、接合後の突出部の状態について説明する。
本実施例では、実施例１～１２の接合体、並びに比較例１及び２の接合体を作製した。実施例１～１２の接合体、並びに比較例１及び２の接合体のサイズ等は、下記表１に示す。
実施例１～１２の接合体、並びに比較例１及び２の接合体について、接合強度と、接合後の突出部の状態とを評価した。接合強度と、接合後の突出部の状態の評価結果を下記表２に示す。
次に、接合強度と、接合後の突出部の状態について説明する。
【0090】
（接合強度の評価）
接合強度は、Stellar4000 ボンドテスター（ノードソンアドバンストテクノロジー株式会社製）を用いて、各実施例及び比較例のＴＥＧチップと異方導電性部材とインターポーザーとの接合体のシェア強度を測定して評価した。
接合強度は、得られた破壊荷重からＴＥＧチップの面積当たりの接合強度値（ＭＰａ）を求めた。接合強度値を、以下に示す評価基準により評価した。評価結果を下記表２の接合強度の欄に示した。
評価基準
Ａ：１０ＭＰａ≦接合強度値
Ｂ：３ＭＰａ≦接合強度値＜１０ＭＰａ
Ｃ：接合強度値＜３ＭＰａ
接合強度は、Stellar4000 ボンドテスター（ノードソンアドバンストテクノロジー株式会社製）を用いて、各実施例及び比較例のＴＥＧチップと異方導電性部材とインターポーザーとの接合体のシェア強度を測定して評価した。
接合強度は、得られた破壊荷重からＴＥＧチップの面積当たりの接合強度値（ＭＰａ）を求めた。接合強度値を、以下に示す評価基準により評価した。評価結果を下記表２の接合強度の欄に示した。
評価基準
Ａ：１０ＭＰａ≦接合強度値
Ｂ：３ＭＰａ≦接合強度値＜１０ＭＰａ
Ｃ：接合強度値＜３ＭＰａ
【0091】
＜評価用の接合体の作製＞
Ｃｕパッドを有するＴＥＧチップ（Test Element Group chip）とインターポーザーを用意した。なお、絶縁層はＳｉＮである。絶縁層とＣｕパッド面の段差は１μｍであった。ＴＥＧチップは、チップサイズが８ｍｍ四方であり、チップ面積に対する電極面積（銅ポスト）の比率が２５％のチップを用意した。インターポーザーは周囲に取出し配線を含むためチップサイズは１０ｍｍ四方のものを用意した。異方導電性部材は、１０ｍｍ四方のものを用いた。
なお、接合に際しては、ＴＥＧチップ、異方導電性部材及びインターポーザーをこの順で積層して、常温接合装置（ＷＰ－１００（型式）、株式会社ＰＭＴ社製）を用いて、加熱温度８０℃、時間１分、圧力１０ＭＰａの仮接合プロセスの条件で仮接合した。
次いで、仮接合したサンプルについて、常温接合装置（（型式）、株式会社ＰＭＴ社製）を用いて、圧力１０ＭＰａの加圧条件で加圧した後に、加熱温度１４０℃、時間１０秒の条件で本接合した。
次いで、本接合したサンプルについて、加熱温度２５０℃、１８０秒、圧力１０ＭＰａの樹脂硬化プロセスの条件で樹脂層を硬化させ、評価用の接合体を作製した。
ＴＥＧチップ、異方導電性部材及びインターポーザーをこの順で積層したものをタイプ１の積層構成とする。
Ｃｕパッドを有するＴＥＧチップ（Test Element Group chip）とインターポーザーを用意した。なお、絶縁層はＳｉＮである。絶縁層とＣｕパッド面の段差は１μｍであった。ＴＥＧチップは、チップサイズが８ｍｍ四方であり、チップ面積に対する電極面積（銅ポスト）の比率が２５％のチップを用意した。インターポーザーは周囲に取出し配線を含むためチップサイズは１０ｍｍ四方のものを用意した。異方導電性部材は、１０ｍｍ四方のものを用いた。
なお、接合に際しては、ＴＥＧチップ、異方導電性部材及びインターポーザーをこの順で積層して、常温接合装置（ＷＰ－１００（型式）、株式会社ＰＭＴ社製）を用いて、加熱温度８０℃、時間１分、圧力１０ＭＰａの仮接合プロセスの条件で仮接合した。
次いで、仮接合したサンプルについて、常温接合装置（（型式）、株式会社ＰＭＴ社製）を用いて、圧力１０ＭＰａの加圧条件で加圧した後に、加熱温度１４０℃、時間１０秒の条件で本接合した。
次いで、本接合したサンプルについて、加熱温度２５０℃、１８０秒、圧力１０ＭＰａの樹脂硬化プロセスの条件で樹脂層を硬化させ、評価用の接合体を作製した。
ＴＥＧチップ、異方導電性部材及びインターポーザーをこの順で積層したものをタイプ１の積層構成とする。
【0092】
また、ＴＥＧチップ、異方導電性部材、ＴＥＧチップ、異方導電性部材及びインターポーザーをこの順で積層して、上述のように常温接合装置（ＷＰ－１００（型式）、株式会社ＰＭＴ社製）を用いて、加熱温度８０℃、時間１分、圧力１０ＭＰａの仮接合プロセスの条件で仮接合した。
次いで、仮接合したサンプルについて、常温接合装置（（型式）、株式会社ＰＭＴ社製）を用いて、圧力１０ＭＰａの加圧条件で加圧した後に、加熱温度１４０℃、時間１０秒の条件で本接合した。次いで、本接合したサンプルについて、加熱温度２５０℃、１８０秒、圧力１０ＭＰａの樹脂硬化プロセスの条件で樹脂層を硬化させ、評価用の接合体を作製した。
ＴＥＧチップ、異方導電性部材、ＴＥＧチップ、異方導電性部材及びインターポーザーをこの順で積層したものをタイプ２の積層構成とする。
次いで、仮接合したサンプルについて、常温接合装置（（型式）、株式会社ＰＭＴ社製）を用いて、圧力１０ＭＰａの加圧条件で加圧した後に、加熱温度１４０℃、時間１０秒の条件で本接合した。次いで、本接合したサンプルについて、加熱温度２５０℃、１８０秒、圧力１０ＭＰａの樹脂硬化プロセスの条件で樹脂層を硬化させ、評価用の接合体を作製した。
ＴＥＧチップ、異方導電性部材、ＴＥＧチップ、異方導電性部材及びインターポーザーをこの順で積層したものをタイプ２の積層構成とする。
【0093】
（接合後の突出部の状態）
接合後の突出部の状態について説明する。
各実施例及び比較例のＴＥＧチップと異方導電性部材とインターポーザーとの接合体について、陽極酸化膜を厚さ方向に対して集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工した。
次に、電界放射型走査電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製 Ｓ－４８００（型番））を用いて、倍率１０００００倍の撮影画像を取得した。
取得した撮影画像において、突出部に該当するもの１００個を特定した。特定した１００個の突出部について、隣接する突出部との接触の有無を判定した。特定した１００個の突出部について、隣接する突出部との接触の有無に基づいて、以下に示す評価基準により、接合後の突出部の状態を評価した。評価結果を下記表１の接合後の突出部の状態の欄に示した。なお、接合後の突出部の状態は、突出部の座屈の程度を評価する指標である。
評価基準
Ａ：１００個の突出部のうち、隣接突出部と接触する突出部の数が０個
Ｂ：１００個の突出部のうち、隣接突出部と接触する突出部の数が１個以上１０個未満
Ｃ：１００個の突出部のうち、隣接突出部と接触する突出部の数が１１個以上
なお、隣接する突出部との接触の有無は、隣接突出部と一部でも接触していれば、接触と判定した。
接合後の突出部の状態について説明する。
各実施例及び比較例のＴＥＧチップと異方導電性部材とインターポーザーとの接合体について、陽極酸化膜を厚さ方向に対して集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工した。
次に、電界放射型走査電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製 Ｓ－４８００（型番））を用いて、倍率１０００００倍の撮影画像を取得した。
取得した撮影画像において、突出部に該当するもの１００個を特定した。特定した１００個の突出部について、隣接する突出部との接触の有無を判定した。特定した１００個の突出部について、隣接する突出部との接触の有無に基づいて、以下に示す評価基準により、接合後の突出部の状態を評価した。評価結果を下記表１の接合後の突出部の状態の欄に示した。なお、接合後の突出部の状態は、突出部の座屈の程度を評価する指標である。
評価基準
Ａ：１００個の突出部のうち、隣接突出部と接触する突出部の数が０個
Ｂ：１００個の突出部のうち、隣接突出部と接触する突出部の数が１個以上１０個未満
Ｃ：１００個の突出部のうち、隣接突出部と接触する突出部の数が１１個以上
なお、隣接する突出部との接触の有無は、隣接突出部と一部でも接触していれば、接触と判定した。
【0094】
以下、実施例１～１２並びに比較例１及び２について説明する。
（実施例１）
実施例１の接合体について説明する。実施例１では、絶縁性基材にアルミニウムの陽極酸化膜を用いた。
［構造体］
＜アルミニウム基板の作製＞
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理及びろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ（Direct Chill）鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
アルミニウム基板を、直径２００ｍｍ（８インチ）のウエハ状に形成した後、以下に示す各処理を施した。
（実施例１）
実施例１の接合体について説明する。実施例１では、絶縁性基材にアルミニウムの陽極酸化膜を用いた。
［構造体］
＜アルミニウム基板の作製＞
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理及びろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ（Direct Chill）鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
アルミニウム基板を、直径２００ｍｍ（８インチ）のウエハ状に形成した後、以下に示す各処理を施した。
【0095】
＜電解研磨処理＞
上述のアルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／分の条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０－３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
上述のアルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／分の条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０－３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
【0096】
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（富士フイルム和光純薬株式会社製試薬） ６６０ｍＬ
・純水 １６０ｍＬ
・硫酸 １５０ｍＬ
・エチレングリコール ３０ｍＬ
・８５質量％リン酸（富士フイルム和光純薬株式会社製試薬） ６６０ｍＬ
・純水 １６０ｍＬ
・硫酸 １５０ｍＬ
・エチレングリコール ３０ｍＬ
【0097】
＜陽極酸化処理工程＞
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７－２０４８０２号公報に記載の手順に従って、自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／分の条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／分の条件で、１０時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚８０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理及び再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０－３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー ＰＳ－１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７－２０４８０２号公報に記載の手順に従って、自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／分の条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／分の条件で、１０時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚８０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理及び再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０－３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー ＰＳ－１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
【0098】
＜バリア層除去工程＞
次いで、上述の陽極酸化処理と同様の処理液及び処理条件で、電圧を４０Ｖから０Ｖまで連続的に電圧降下速度０．２Ｖ／秒で降下させながら電解処理（電解除去処理）を施した。
その後、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させるエッチング処理（エッチング除去処理）を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、マイクロポアを介してアルミニウムを露出させた。
次いで、上述の陽極酸化処理と同様の処理液及び処理条件で、電圧を４０Ｖから０Ｖまで連続的に電圧降下速度０．２Ｖ／秒で降下させながら電解処理（電解除去処理）を施した。
その後、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させるエッチング処理（エッチング除去処理）を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、マイクロポアを介してアルミニウムを露出させた。
【0099】
ここで、バリア層除去工程後の陽極酸化膜に存在するマイクロポアの平均開口径は６０ｎｍであった。なお、平均開口径は、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率５００００倍の表面画像を取得し、表面画像においてマイクロポアに相当するものを５０個選択し、選択した５０個のマイクロポアに相当するものについて、それぞれ開口に相当する箇所の直径を測定した。測定したマイクロポアの開口に相当する箇所の直径の平均値を算出した。この平均値を平均開口径とした。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは８０μｍであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対して集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工し、その断面を電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率５００００倍の断面画像を取得した。断面画像において、陽極酸化膜の厚みに相当する箇所の長さを１０箇所測定し、測定した１０箇所の長さの平均値を求めた。この平均値を、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みとした。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約１億個／ｍｍ2であった。なお、マイクロポアの密度は、特開２００８－２７０１５８号公報の［０１６８］及び［０１６９］段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、９２％であった。なお、規則化度は、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率２００００倍の表面画像を取得し、特開２００８－２７０１５８号公報の［００２４］～［００２７］段落に記載された方法を用いて測定し、算出した。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは８０μｍであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対して集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工し、その断面を電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率５００００倍の断面画像を取得した。断面画像において、陽極酸化膜の厚みに相当する箇所の長さを１０箇所測定し、測定した１０箇所の長さの平均値を求めた。この平均値を、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みとした。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約１億個／ｍｍ2であった。なお、マイクロポアの密度は、特開２００８－２７０１５８号公報の［０１６８］及び［０１６９］段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、９２％であった。なお、規則化度は、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率２００００倍の表面画像を取得し、特開２００８－２７０１５８号公報の［００２４］～［００２７］段落に記載された方法を用いて測定し、算出した。
【0100】
＜金属充填工程＞
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、細孔（マイクロポア）の内部に銅が充填されて導通路が形成された金属充填微細構造体を作製した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ－３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成及び条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ2
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、細孔（マイクロポア）の内部に銅が充填されて導通路が形成された金属充填微細構造体を作製した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ－３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成及び条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ2
【0101】
＜研磨工程＞
次いで、金属が充填されて導通路が形成された金属充填微細構造体の表面に、ＣＭＰ処理を施し表面から５μｍ研磨することにより、表面を平滑化した。ＣＭＰスラリーとしては、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ－７０００を用いた。
細孔（マイクロポア）に金属を充填した後の陽極酸化膜の表面を電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）で観察し、１０００個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率（封孔マイクロポアの個数／１０００個）を算出したところ、９６％であった。
また、細孔（マイクロポア）に金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面を電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率５００００倍で断面画像を取得し、細孔（マイクロポア）の内部を確認したところ、封孔された細孔（マイクロポア）においては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。
次いで、金属が充填されて導通路が形成された金属充填微細構造体の表面に、ＣＭＰ処理を施し表面から５μｍ研磨することにより、表面を平滑化した。ＣＭＰスラリーとしては、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ－７０００を用いた。
細孔（マイクロポア）に金属を充填した後の陽極酸化膜の表面を電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）で観察し、１０００個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率（封孔マイクロポアの個数／１０００個）を算出したところ、９６％であった。
また、細孔（マイクロポア）に金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面を電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率５００００倍で断面画像を取得し、細孔（マイクロポア）の内部を確認したところ、封孔された細孔（マイクロポア）においては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。
【0102】
＜トリミング工程＞
研磨工程後の金属充填微細構造体に対して、スプレーエッチング法を用い、陽極酸化膜の表面に、水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）を液滴状にして噴霧した。上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が１００ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導通路である銅の円柱を突出させた。その結果、上述の突出部の長さｈ（図１参照）が１０００ｎｍであった。
スプレーエッチング法には、アクテス京三株式会社製 ＡＤＥ－３０００Ｓ（製品名）を用いた。
陽極酸化膜の表面側の上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）は、上述のようにして撮影画像を用いて測定した。
研磨工程後の金属充填微細構造体に対して、スプレーエッチング法を用い、陽極酸化膜の表面に、水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）を液滴状にして噴霧した。上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が１００ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導通路である銅の円柱を突出させた。その結果、上述の突出部の長さｈ（図１参照）が１０００ｎｍであった。
スプレーエッチング法には、アクテス京三株式会社製 ＡＤＥ－３０００Ｓ（製品名）を用いた。
陽極酸化膜の表面側の上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）は、上述のようにして撮影画像を用いて測定した。
【0103】
＜基板除去工程＞
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液（昇汞）に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去することにより構造体を作製した。
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液（昇汞）に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去することにより構造体を作製した。
【0104】
＜研磨工程＞
次いで、構造体のアルミニウム基板が除去されて形成された陽極酸化膜の裏面に、ＣＭＰ処理を施し、金属充填微細構造体を平滑化した。ＣＭＰスラリーとしては、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ－７０００を用いた。
次いで、構造体のアルミニウム基板が除去されて形成された陽極酸化膜の裏面に、ＣＭＰ処理を施し、金属充填微細構造体を平滑化した。ＣＭＰスラリーとしては、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ－７０００を用いた。
【0105】
＜トリミング工程＞
研磨工程後、構造体の陽極酸化膜の裏面に、スプレーエッチング法を用い、水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）を液滴状にして噴霧した。上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が１００ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導通路である銅の円柱を突出させた。その結果、上述の突出部の長さｈ（図１参照）が１０００ｎｍであった。
スプレーエッチング法には、アクテス京三株式会社製 ＡＤＥ－３０００Ｓ（製品名）を用いた。
陽極酸化膜の裏面側の上述の厚み方向における算術平均距離δは、上述のようにして撮影画像を用いて測定した。
研磨工程後、構造体の陽極酸化膜の裏面に、スプレーエッチング法を用い、水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）を液滴状にして噴霧した。上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が１００ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導通路である銅の円柱を突出させた。その結果、上述の突出部の長さｈ（図１参照）が１０００ｎｍであった。
スプレーエッチング法には、アクテス京三株式会社製 ＡＤＥ－３０００Ｓ（製品名）を用いた。
陽極酸化膜の裏面側の上述の厚み方向における算術平均距離δは、上述のようにして撮影画像を用いて測定した。
【0106】
＜樹脂層形成工程＞
トリミング工程後の構造体に対して、陽極酸化膜の表面及び裏面に、それぞれ樹脂層を以下に示す方法で形成し、異方導電性接合部材を作製した。
樹脂層は、非導電性のエポキシ系熱硬化性樹脂（ＢＳＴ００１Ａ、硬化温度１５０℃、ナミックス株式会社製）と希釈溶媒としてのジエチレングリコールジエチルエーテルとを含有する樹脂組成物を用いて、厚みが１．５μｍとなるようにスピンコーターの回転数を調整して形成した。
次に、作製した異方導電性接合部材を１０ｍｍ四方のサイズに切断した。異方導電性部材の切断には、株式会社ディスコ社製ＤＡＤ３２３０（製品名）を使用した。
トリミング工程後の構造体に対して、陽極酸化膜の表面及び裏面に、それぞれ樹脂層を以下に示す方法で形成し、異方導電性接合部材を作製した。
樹脂層は、非導電性のエポキシ系熱硬化性樹脂（ＢＳＴ００１Ａ、硬化温度１５０℃、ナミックス株式会社製）と希釈溶媒としてのジエチレングリコールジエチルエーテルとを含有する樹脂組成物を用いて、厚みが１．５μｍとなるようにスピンコーターの回転数を調整して形成した。
次に、作製した異方導電性接合部材を１０ｍｍ四方のサイズに切断した。異方導電性部材の切断には、株式会社ディスコ社製ＤＡＤ３２３０（製品名）を使用した。
【0107】
上述の算術平均距離δは、以下のようにして求めた。
作製した異方導電性部材を、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工して、絶縁性基材である陽極酸化膜の厚み方向における断面を露出させる。
次に、陽極酸化膜の厚み方向における断面について、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率１５０ｋの撮影画像を取得する。
撮影画像において、絶縁性基材２０の表面２０ａの反対側にある裏面２０ｂ側の任意の位置に、基準点Ｐｂ（図３参照）を設定した。基準点Ｐｂを通る方向ｘに平行な基準線Ｌｓ（図３参照）を設定した。
次に、撮影画像において、頂部Ｐｃ（図３参照）に該当する点のうち、基準線Ｌｓに対して高い順から１０個の頂部Ｐｃを選択した。また、接触部Ｖｃ（図３参照）に該当する点のうち、基準線Ｌｓに対して低い順から１０個の接触部Ｖｃを選択した。
撮影画像において、選択した１０個の頂部Ｐｃに該当する点について、それぞれ基準線Ｌｓから距離を求めた。求めた１０個の頂部Ｐｃに該当する点と基準線Ｌｓとの、１０個の距離の平均値を、最小二乗法を用いて求めた。最小二乗法を用いて求めた平均値を、撮影画像に点として示す。頂部Ｐｃの平均値を示す点を通る方向ｘに平行な線Ｌｃ（図３参照）を求めた。
撮影画像において、選択した１０個の接触部Ｖｃに該当する点について、それぞれ基準線Ｌｓから距離を求めた。求めた１０個の接触部Ｖｃに該当する点と基準線Ｌｓとの、１０個の距離の平均値を、最小二乗法を用いて求めた。最小二乗法を用いて求めた平均値を、撮影画像に点として示す。接触部Ｖｃの平均値を示す点を通る方向ｘに平行な線Ｌｂ（図３参照）を求めた。
次に、厚み方向Ｄｔにおける平行な線Ｌｃと平行な線Ｌｂとの距離を求めて算術平均距離δを得た。
作製した異方導電性部材を、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工して、絶縁性基材である陽極酸化膜の厚み方向における断面を露出させる。
次に、陽極酸化膜の厚み方向における断面について、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて倍率１５０ｋの撮影画像を取得する。
撮影画像において、絶縁性基材２０の表面２０ａの反対側にある裏面２０ｂ側の任意の位置に、基準点Ｐｂ（図３参照）を設定した。基準点Ｐｂを通る方向ｘに平行な基準線Ｌｓ（図３参照）を設定した。
次に、撮影画像において、頂部Ｐｃ（図３参照）に該当する点のうち、基準線Ｌｓに対して高い順から１０個の頂部Ｐｃを選択した。また、接触部Ｖｃ（図３参照）に該当する点のうち、基準線Ｌｓに対して低い順から１０個の接触部Ｖｃを選択した。
撮影画像において、選択した１０個の頂部Ｐｃに該当する点について、それぞれ基準線Ｌｓから距離を求めた。求めた１０個の頂部Ｐｃに該当する点と基準線Ｌｓとの、１０個の距離の平均値を、最小二乗法を用いて求めた。最小二乗法を用いて求めた平均値を、撮影画像に点として示す。頂部Ｐｃの平均値を示す点を通る方向ｘに平行な線Ｌｃ（図３参照）を求めた。
撮影画像において、選択した１０個の接触部Ｖｃに該当する点について、それぞれ基準線Ｌｓから距離を求めた。求めた１０個の接触部Ｖｃに該当する点と基準線Ｌｓとの、１０個の距離の平均値を、最小二乗法を用いて求めた。最小二乗法を用いて求めた平均値を、撮影画像に点として示す。接触部Ｖｃの平均値を示す点を通る方向ｘに平行な線Ｌｂ（図３参照）を求めた。
次に、厚み方向Ｄｔにおける平行な線Ｌｃと平行な線Ｌｂとの距離を求めて算術平均距離δを得た。
【0108】
（実施例２）
実施例２は、実施例１に比して、陽極酸化膜の表面側及び裏面側の、いずれも上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が２０ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面及び裏面を選択的に溶解した点が異なる。それ以外は、実施例１と同じとした。
（実施例３）
実施例３は、実施例１に比して、陽極酸化膜の表面側及び裏面側の、いずれも上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が６０ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面及び裏面を選択的に溶解した点が異なる。それ以外は、実施例１と同じとした。
（実施例４）
実施例４は、実施例１に比して、陽極酸化膜の表面側及び裏面側の、いずれも上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が５ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面及び裏面を選択的に溶解した点が異なる。それ以外は、実施例１と同じとした。
（実施例５）
実施例５は、実施例３に比して、樹脂がＣＮＰ面にある点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。なお、樹脂がＣＮＰ面にあるとは、異方導電性部材の突出部上にエポキシ樹脂を塗布した状態である。
（実施例６）
実施例６は、実施例３に比して、樹脂が電極面にある点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。なお、樹脂が電極面にあるとは、ＴＥＧチップのＣｕパッド面上にエポキシ樹脂を塗布した状態である。
実施例２は、実施例１に比して、陽極酸化膜の表面側及び裏面側の、いずれも上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が２０ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面及び裏面を選択的に溶解した点が異なる。それ以外は、実施例１と同じとした。
（実施例３）
実施例３は、実施例１に比して、陽極酸化膜の表面側及び裏面側の、いずれも上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が６０ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面及び裏面を選択的に溶解した点が異なる。それ以外は、実施例１と同じとした。
（実施例４）
実施例４は、実施例１に比して、陽極酸化膜の表面側及び裏面側の、いずれも上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が５ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面及び裏面を選択的に溶解した点が異なる。それ以外は、実施例１と同じとした。
（実施例５）
実施例５は、実施例３に比して、樹脂がＣＮＰ面にある点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。なお、樹脂がＣＮＰ面にあるとは、異方導電性部材の突出部上にエポキシ樹脂を塗布した状態である。
（実施例６）
実施例６は、実施例３に比して、樹脂が電極面にある点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。なお、樹脂が電極面にあるとは、ＴＥＧチップのＣｕパッド面上にエポキシ樹脂を塗布した状態である。
【0109】
（実施例７）
実施例７は、実施例２に比して、導通路がＮｉで構成されている点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。
導通路は、電解液に硫酸ニッケル／塩化ニッケル／ホウ酸＝３００／６０／４０（ｇ／Ｌ）の混合溶液を使用し、ニッケル電極を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理により形成した。電解めっき処理では、電解液を温度５０℃に保持して定電流電解（５Ａ／ｄｍ２）を行った。
（実施例８）
実施例８は、実施例２に比して、上述の突出部の長さｈ（図１参照）を１００００ｎｍとした点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。
（実施例９）
実施例９は、実施例２に比して、上述の突出部の長さｈ（図１参照）を３ｎｍとした点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。
（実施例１０）
実施例１０は、実施例３に比して、ＴＥＧチップのサイズを４ｍｍ四方とした点が異なり、それ以外は、実施例３と同じとした。
（実施例１１）
実施例１１は、実施例３に比して、異方導電性部材のサイズを８ｍｍ四方とした点が異なり、それ以外は、実施例３と同じとした。
（実施例１２）
実施例１２は、実施例３に比して、ＴＥＧチップ、異方導電性部材、ＴＥＧチップ、異方導電性部材及びインターポーザーをこの順で積層したタイプ２の積層構成を用いた点と、異方導電性部材のサイズを８ｍｍ四方とした点が異なり、それ以外は、実施例３と同じとした。
実施例７は、実施例２に比して、導通路がＮｉで構成されている点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。
導通路は、電解液に硫酸ニッケル／塩化ニッケル／ホウ酸＝３００／６０／４０（ｇ／Ｌ）の混合溶液を使用し、ニッケル電極を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理により形成した。電解めっき処理では、電解液を温度５０℃に保持して定電流電解（５Ａ／ｄｍ２）を行った。
（実施例８）
実施例８は、実施例２に比して、上述の突出部の長さｈ（図１参照）を１００００ｎｍとした点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。
（実施例９）
実施例９は、実施例２に比して、上述の突出部の長さｈ（図１参照）を３ｎｍとした点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。
（実施例１０）
実施例１０は、実施例３に比して、ＴＥＧチップのサイズを４ｍｍ四方とした点が異なり、それ以外は、実施例３と同じとした。
（実施例１１）
実施例１１は、実施例３に比して、異方導電性部材のサイズを８ｍｍ四方とした点が異なり、それ以外は、実施例３と同じとした。
（実施例１２）
実施例１２は、実施例３に比して、ＴＥＧチップ、異方導電性部材、ＴＥＧチップ、異方導電性部材及びインターポーザーをこの順で積層したタイプ２の積層構成を用いた点と、異方導電性部材のサイズを８ｍｍ四方とした点が異なり、それ以外は、実施例３と同じとした。
【0110】
（比較例１）
比較例１は、実施例１に比して、上述のいずれのトリミング工程も、スプレーエッチング法ではなく、浸漬法を用いて実施した点が異なる。更に、比較例１は、仮接合したサンプルについて、常温接合装置（（型式）、株式会社ＰＭＴ社製）を用いて、圧力１０ＭＰａの加圧条件で加圧した後に、加熱温度１２０℃、時間１０秒の条件で本接合した点が異なる。これら以外は、実施例１と同じとした。
なお、比較例１は、上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が１ｎｍであった。
比較例１は、実施例１に比して、上述のいずれのトリミング工程も、スプレーエッチング法ではなく、浸漬法を用いて実施した点が異なる。更に、比較例１は、仮接合したサンプルについて、常温接合装置（（型式）、株式会社ＰＭＴ社製）を用いて、圧力１０ＭＰａの加圧条件で加圧した後に、加熱温度１２０℃、時間１０秒の条件で本接合した点が異なる。これら以外は、実施例１と同じとした。
なお、比較例１は、上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が１ｎｍであった。
【0111】
（比較例２）
比較例２は、実施例１に比して、陽極酸化膜の表面側及び裏面側の、いずれも上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が２５０ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面及び裏面を選択的に溶解した点が異なる。それ以外は、実施例１と同じとした。
比較例２は、実施例１に比して、陽極酸化膜の表面側及び裏面側の、いずれも上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が２５０ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面及び裏面を選択的に溶解した点が異なる。それ以外は、実施例１と同じとした。
【0112】
【表1】
【0113】
【表2】
【0114】
表２に示すように、実施例１～１２は、比較例１及び比較例２に比して、接合強度及び接合後の突出部の状態が良好であった。
比較例１は、算術平均距離δが短く、接合強度が低く、かつ隣接する突出部と接触する突出部も多かった。
比較例２は、算術平均距離δが長く、隣接する突出部と接触する突出部が多かった。
実施例１～１２から、実施例２、３、５、６、１０及び１１は、接合強度及び接合後の突出部の状態がより優れていた。
実施例１～４から、算術平均距離δが２０～１００ｎｍの方が、接合強度及び接合後の突出部の状態がより優れており、２０～６０ｎｍの方が、接合強度及び接合後の突出部の状態が更に優れていた。
実施例２と実施例７から、導通路はＮｉよりもＣｕの方が、接合強度及び接合後の突出部の状態がより優れていた。
実施例２と実施例８と実施例９から、突出部が３００ｎｍの実施例２の方が、接合強度及び接合後の突出部の状態がより優れていた。
比較例１は、算術平均距離δが短く、接合強度が低く、かつ隣接する突出部と接触する突出部も多かった。
比較例２は、算術平均距離δが長く、隣接する突出部と接触する突出部が多かった。
実施例１～１２から、実施例２、３、５、６、１０及び１１は、接合強度及び接合後の突出部の状態がより優れていた。
実施例１～４から、算術平均距離δが２０～１００ｎｍの方が、接合強度及び接合後の突出部の状態がより優れており、２０～６０ｎｍの方が、接合強度及び接合後の突出部の状態が更に優れていた。
実施例２と実施例７から、導通路はＮｉよりもＣｕの方が、接合強度及び接合後の突出部の状態がより優れていた。
実施例２と実施例８と実施例９から、突出部が３００ｎｍの実施例２の方が、接合強度及び接合後の突出部の状態がより優れていた。
【符号の説明】
【0115】
１０ 異方導電性部材
１２、１３ 接合体
１８ 樹脂層
２０ 絶縁性基材
２０ａ、２４ａ、４０ａ、３２ａ、３４ａ、３７ａ、４４ａ 表面
２０ｂ、４４ｂ 裏面
２０ｄ 凹部
２１ 細孔
２２ 導通路
２２ａ、２２ｂ 突出部
２２ｃ 側面
２４ 樹脂層
３０、３１ 半導体素子
３２、３７ 素子基板
３３ 樹脂層
３４、３５、３８ 電極
３６ 絶縁層 ３９ 絶縁層
４０ アルミニウム基板
４２ｃ 底部
４２ｄ 面
４３ バリア層
４４ 陽極酸化膜
４５、４５ｂ 金属
４５ａ 金属層
Ｄｔ 厚み方向
Ｌｓ 基準線
Ｐｂ 基準点
Ｐｃ 頂部
Ｖｃ 接触部
ｄ 平均直径
ｈｍ 平均厚み
ｈｔ 厚み
ｐ 中心間距離
ｘ 方向
δ 算術平均距離
ｗ 間隔
１２、１３ 接合体
１８ 樹脂層
２０ 絶縁性基材
２０ａ、２４ａ、４０ａ、３２ａ、３４ａ、３７ａ、４４ａ 表面
２０ｂ、４４ｂ 裏面
２０ｄ 凹部
２１ 細孔
２２ 導通路
２２ａ、２２ｂ 突出部
２２ｃ 側面
２４ 樹脂層
３０、３１ 半導体素子
３２、３７ 素子基板
３３ 樹脂層
３４、３５、３８ 電極
３６ 絶縁層 ３９ 絶縁層
４０ アルミニウム基板
４２ｃ 底部
４２ｄ 面
４３ バリア層
４４ 陽極酸化膜
４５、４５ｂ 金属
４５ａ 金属層
Ｄｔ 厚み方向
Ｌｓ 基準線
Ｐｂ 基準点
Ｐｃ 頂部
Ｖｃ 接触部
ｄ 平均直径
ｈｍ 平均厚み
ｈｔ 厚み
ｐ 中心間距離
ｘ 方向
δ 算術平均距離
ｗ 間隔
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【手続補正書】
【提出日】2025-01-28
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気的な絶縁性を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、前記絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有し、
前記絶縁性基材の前記厚み方向における断面において、前記導通路の前記突出部が突出した前記絶縁性基材の前記面は、複数の頂部と、前記複数の突出部が、それぞれ前記絶縁性基材と接触した接触部とを有し、
前記複数の接触部と、前記複数の頂部との、前記厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍであり、
前記導通路は、Ｃｕ、Ａｕ又はＡｌで構成されており、
前記突出部の直径をｄとし、前記突出部の前記絶縁性基材の前記厚み方向における長さをｈとするとき、ｄ／ｈが０．１～２０であり、
前記突出部の前記絶縁性基材の前記厚み方向における長さが６～６０００ｎｍである、異方導電性部材。
前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、前記絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有し、
前記絶縁性基材の前記厚み方向における断面において、前記導通路の前記突出部が突出した前記絶縁性基材の前記面は、複数の頂部と、前記複数の突出部が、それぞれ前記絶縁性基材と接触した接触部とを有し、
前記複数の接触部と、前記複数の頂部との、前記厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍであり、
前記導通路は、Ｃｕ、Ａｕ又はＡｌで構成されており、
前記突出部の直径をｄとし、前記突出部の前記絶縁性基材の前記厚み方向における長さをｈとするとき、ｄ／ｈが０．１～２０であり、
前記突出部の前記絶縁性基材の前記厚み方向における長さが６～６０００ｎｍである、異方導電性部材。
【請求項2】
異方導電性部材と、被接合部材とが接合された接合体であって、
前記異方導電性部材と前記被接合部材との間に樹脂が充填されており、
前記異方導電性部材は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、前記絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有し、
前記絶縁性基材の前記厚み方向における断面において、前記導通路の前記突出部が突出した前記絶縁性基材の前記面は、複数の頂部と、前記複数の突出部が、それぞれ前記絶縁性基材と接触した接触部とを有し、
前記複数の接触部と、前記複数の頂部との、前記厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍであり、
前記導通路は、Ｃｕ、Ａｕ又はＡｌで構成されており、
前記突出部の直径をｄとし、前記突出部の前記絶縁性基材の前記厚み方向における長さをｈとするとき、ｄ／ｈが０．１～２０であり、
前記突出部の前記絶縁性基材の前記厚み方向における長さが６～６０００ｎｍである、接合体。
前記異方導電性部材と前記被接合部材との間に樹脂が充填されており、
前記異方導電性部材は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられ、前記絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した突出部を備える複数の導通路とを有し、
前記絶縁性基材の前記厚み方向における断面において、前記導通路の前記突出部が突出した前記絶縁性基材の前記面は、複数の頂部と、前記複数の突出部が、それぞれ前記絶縁性基材と接触した接触部とを有し、
前記複数の接触部と、前記複数の頂部との、前記厚み方向における算術平均距離が２ｎｍ～２００ｎｍであり、
前記導通路は、Ｃｕ、Ａｕ又はＡｌで構成されており、
前記突出部の直径をｄとし、前記突出部の前記絶縁性基材の前記厚み方向における長さをｈとするとき、ｄ／ｈが０．１～２０であり、
前記突出部の前記絶縁性基材の前記厚み方向における長さが６～６０００ｎｍである、接合体。
【請求項3】
前記被接合部材は、金属層と、樹脂層とを有し、前記金属層が前記樹脂層から露出している、請求項２に記載の接合体。
【請求項4】
前記被接合部材は、前記金属層を複数有し、前記複数の金属層のうち、少なくとも１つは高さが異なる、請求項３に記載の接合体。
【請求項5】
前記被接合部材は、複数の金属層が設けられた接合面を有し、前記接合面の面積は、前記異方導電性部材の前記突出部が突出した前記面の面積よりも広い、請求項３に記載の接合体。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0102】
＜トリミング工程＞
研磨工程後の金属充填微細構造体に対して、スプレーエッチング法を用い、陽極酸化膜の表面に、水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）を液滴状にして噴霧した。上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が１００ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導通路である銅の円柱を突出させた。その結果、上述の突出部の長さｈ（図１参照）が３００ｎｍであった。
スプレーエッチング法には、アクテス京三株式会社製 ＡＤＥ－３０００Ｓ（製品名）を用いた。
陽極酸化膜の表面側の上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）は、上述のようにして撮影画像を用いて測定した。
研磨工程後の金属充填微細構造体に対して、スプレーエッチング法を用い、陽極酸化膜の表面に、水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）を液滴状にして噴霧した。上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が１００ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導通路である銅の円柱を突出させた。その結果、上述の突出部の長さｈ（図１参照）が３００ｎｍであった。
スプレーエッチング法には、アクテス京三株式会社製 ＡＤＥ－３０００Ｓ（製品名）を用いた。
陽極酸化膜の表面側の上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）は、上述のようにして撮影画像を用いて測定した。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0105】
＜トリミング工程＞
研磨工程後、構造体の陽極酸化膜の裏面に、スプレーエッチング法を用い、水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）を液滴状にして噴霧した。上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が１００ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導通路である銅の円柱を突出させた。その結果、上述の突出部の長さｈ（図１参照）が３００ｎｍであった。
スプレーエッチング法には、アクテス京三株式会社製 ＡＤＥ－３０００Ｓ（製品名）を用いた。
陽極酸化膜の裏面側の上述の厚み方向における算術平均距離δは、上述のようにして撮影画像を用いて測定した。
研磨工程後、構造体の陽極酸化膜の裏面に、スプレーエッチング法を用い、水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）を液滴状にして噴霧した。上述の厚み方向における算術平均距離δ（図３参照）が１００ｎｍとなるように酸化ナトリウム水溶液の噴霧量を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導通路である銅の円柱を突出させた。その結果、上述の突出部の長さｈ（図１参照）が３００ｎｍであった。
スプレーエッチング法には、アクテス京三株式会社製 ＡＤＥ－３０００Ｓ（製品名）を用いた。
陽極酸化膜の裏面側の上述の厚み方向における算術平均距離δは、上述のようにして撮影画像を用いて測定した。