特開 2025-15495 金属パターニング用材料、化合物、金属パターニング用薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、および金属パターンの形成方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025015495

(43)【公開日】2025-01-30

(54)【発明の名称】金属パターニング用材料、化合物、金属パターニング用薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、および金属パターンの形成方法

(51)【国際特許分類】

   C07D 241/46 20060101AFI20250123BHJP

   C07D 413/04 20060101ALI20250123BHJP

   C07D 265/38 20060101ALI20250123BHJP

   C07D 403/04 20060101ALI20250123BHJP

   C07D 413/14 20060101ALI20250123BHJP

   H10K 50/82 20230101ALI20250123BHJP

   H10K 71/60 20230101ALI20250123BHJP

   H10K 102/20 20230101ALN20250123BHJP

【ＦＩ】

C07D241/46

C07D413/04 CSP

C07D265/38

C07D403/04

C07D413/14

H10K50/82

H10K71/60

C07D241/46 CSP

C07D413/04

H10K102:20

【審査請求】未請求

【請求項の数】27

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024114686

(22)【出願日】2024-07-18

(31)【優先権主張番号】P 2023117128

(32)【優先日】2023-07-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000003300

【氏名又は名称】東ソー株式会社

(72)【発明者】

【氏名】小池 健仁

(72)【発明者】

【氏名】川島 弘之

(72)【発明者】

【氏名】松本 直樹

(72)【発明者】

【氏名】太田 恵理子

(72)【発明者】

【氏名】野村 真太朗

【テーマコード（参考）】

3K107

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107CC45

3K107DD26

3K107DD44Y

3K107FF09

3K107FF18

3K107GG11

(57)【要約】      （修正有）

【課題】膜表面への金属薄膜の形成を高度に抑制できる金属パターニング用材料、当該材料に好適に使用し得る化合物、当該材料または化合物を用いた金属パターニング用薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、および金属パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】具体的には、例えば下記式の反応により得られる化合物を含み、分子量が６００以上である、金属パターニング用材料を用いる。

【選択図】なし

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下記式（１０１）、または下記式（１０２）で表される骨格を部分構造として分子内に有する化合物を含み、分子量が６００以上である、金属パターニング用材料：

【化1】

式中、
Ｘ^１０１、およびＸ^１０２は、各々独立して、Ｎ、ＳもしくはОを表す；
Ｂは、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された１～１０の炭素数の炭化水素、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された６～２６の炭化水素環、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された炭素数３～２６のヘテロ環、または下記式（１１１）で表される基を表す；
ＣおよびＤは、各々独立して、置換された６～２６の炭化水素環、置換された炭素数３～２６のヘテロ環、または下記式（１１１）で表される基を表し、少なくとも１つ以上はフッ素原子または下記式（１１１）で表される基を表す；
Ｅは、置換された１～１０の炭素数の脂肪族炭化水素、置換された６～２６の脂肪族炭化水素環、置換された６～２６の芳香族炭化水素環、置換された炭素数３～２６のヘテロ環、または下記式（１１１）で表される基を表す；
Ａ^１０１、およびＡ^１０２は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、
置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環を表す；
Ｃは、Ａ^１０１で表される環のうち、１個以上の前記環の任意の位置の置換基である；
Ｄは、Ａ^１０２で表される２個の環のうち、１個以上の前記環の任意の位置の置換基である；

【化2】

Ｌ^１１１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、
О、Ｓ、または、ＳＯ_２を表す；
Ｒｆ^１１１は、各々独立して、
フッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造を表す；
ａ１０１は各々独立して、１から６の整数を表す。
ａ１０２は各々独立して、１から８の整数を表す。
ａ１０３は各々独立して、０から１の整数を表す。
ｂ１１１は各々独立して、０から１２の整数を表す。
ｃ１１１は各々独立して、１から６の整数を表す。
式（１０１）において、＊は、１個若しくは複数の結合手を表し、該結合手は、各々独立して、該結合手の一端が、Ｘ^１０１を含む六員環と、Ａ^１０１で表される環のうち、１個以上の前記環に結合している。
式（１０２）において、＊は、１個若しくは複数の結合手を表し、該結合手は、各々独立して、該結合手の一端が、Ａ^１０２で表される２個の環のうち、１個以上の前記環に結合している。
式（１１１）において、＊は、前記部分構造に結合する結合手を表す。

【請求項2】

前記フルオロアルキル構造が下記式（００１）で表される、請求項１に記載の金属パターニング用材料：

【化3】

式中、
Ｒｆ^００１は、各々独立して、
フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、または環状の脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌ^００１は、各々独立して、
О、Ｓ、ＳＯ_２もしくは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、または、
フッ素原子で置換されていてもよいビニレン基を表す；
ａ００１は、各々独立して、０から４の整数を表す；
ａ００２は、各々独立して、１から４の整数を表す；

【請求項3】

Ａ^１０１、およびＡ^１０２が、置換の炭化水素環、または置換のヘテロ環である場合、これらの環が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（００１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｌ^１１１が、置換の２価芳香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（００１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｒｆ^１１１が、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、または環状の脂肪族炭化水素基を表す構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基である、請求項１または２に記載の金属パターニング用材料。

【請求項4】

Ａ^１０１、およびＡ^１０２が、各々独立して
（ｉ）ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、ピレン環、アントラセン環、クリセン環、ペリレン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、アダマンタン環、ピリジン環、ピラジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、インドール環、カルバゾール環、ピペリジン環、ピペラジン環、ジオキシン環、ベンゾジオキシン環、もしくはジベンゾジオキシン環、または、
（ii）前記（ｉ）で示される環が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された環である、請求項１または２に記載の金属パターニング用材料。

【請求項5】

Ｌ^１１１が、各々独立して、
（iii）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、О、Ｓ、もしくは、Ｎ、または、
（iv）前記（iiｉ）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、請求項１または２に記載の金属パターニング用材料。

【請求項6】

Ｂが、各々独立して、
（v）少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された、または少なくとも１つ以上の式（１１１）を表す基で置換された、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、もしくはＲｆ^１１１、または、
（vi）前記（v）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、請求項１または２に記載の金属パターニング用材料。

【請求項7】

Ｅが、各々独立して、
（vii）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、カルバゾリル基、または、
（viii）前記（vii）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、で表される構造から群より選ばれる基で置換されてもよい、請求項１
または２に記載の金属パターニング用材料。

【請求項8】

Ａ^１０１、およびＡ^１０２が、各々独立して、
（i’）ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、アダマンタン環、ピリジン環、ピラジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、インドール環、カルバゾール環、ジオキシン環、ベンゾジオキシン環、もしくはジベンゾジオキシン環、または、
（ii’）前記（i’）で示される環が、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、および、式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された環である、請求項１または２に記載の金属パターニング用材料。

【請求項9】

Ａ^１０１が、置換されていてもよいベンゼン環であり、Ａ^１０２の少なくとも１つが、置換されていてもよいベンゼン環である、請求項１または２に記載の金属パターニング用材料。

【請求項10】

Ｂ、ＣまたはＤのそれぞれに少なくとも１つ以上の下記の（Ｚ）からなる群より選ばれる置換基を有する、請求項８に記載の金属パターニング用材料。
（Ｚ）フッ素原子、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、もしくは式（００１）で表される構造

【請求項11】

下記式（５０１）で表される化合物：

【化4】

式中、
Ｘ^５０１は、ＮもしくはＳ、Оを表す；
Ｒ^５０１、Ｒ^５０２は、各々独立して、
フッ素原子、もしくは
フッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造を表す；
Ｚ^５０１は、
置換されていてもよい１～１０の炭素数の脂肪族炭化水素、置換されていてもよい６～２６の脂肪族炭化水素環、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環、で表される基を表す；
Ｚ^５０２は、
置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素鎖、置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、
置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環を表す；
Ｒ^５０２は、ＮとＸ^５０１を含む六員環の左右に位置する２個の縮環ベンゼン環のうち、１個以上の前記縮環ベンゼン環の任意の位置の置換基である；
Ｍ^５０１は、ＮとＸ^５０１を含む六員環の左右に位置する２個の縮環ベンゼン環のうち、１個以上の前記縮環ベンゼン環の任意の位置の置換基である；
Ｍ^５０１は、下記式（５０１－Ｍ）で表される基を表す；

【化5】

Ｌ^５０１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素、
О、Ｓまたは、ＮＥ^５０１を表す；
Ｙ^５０１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の１から４価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の１から４価ヘテロ芳香族基、または
置換されていてもよい炭素数１～１８の環状の１から４価脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌｃｙ^５０１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数３～１８の環状の２価脂肪族炭化水素基、
または、単結合を表す；
Ｅ^５０１は、各々独立して、
フッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造、
または、下記式（５１１）で表される基を表す；

【化6】

式中、
Ｒｆ^５１１は、各々独立して、
フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、または環状の脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌ^５１１は、各々独立して、
О、Ｓ、ＳＯ_２もしくは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、または、
フッ素原子で置換されていてもよいビニレン基を表す；
ａ５０１は各々独立して、１から８の整数を表す。
ａ５０２は各々独立して、０から８の整数を表す。
ｂ５０１は各々独立して、０から３の整数を表す。
ｃ５０１、およびｄ５０１は各々独立して、０から３の整数を表す。
ｅ５０１は各々独立して、１から４の整数を表す。
ａ５１１は、各々独立して、０から４の整数を表す；
ｂ５１１は、各々独立して、１から４の整数を表す；

【請求項12】

前記フルオロアルキル構造が下記式（６０１）で表される、請求項１１に記載の化合物：

【化7】

式中、
Ｒｆ^６０１は、各々独立して、
フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、または環状の脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌ^６０１は、各々独立して、
О、Ｓ、ＳＯ_２もしくは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、または、
フッ素原子で置換されていてもよいビニレン基を表す；
ａ６０１は、各々独立して、１から４の整数を表す；
ｂ６０１は、各々独立して、０から４の整数を表す；

【請求項13】

Ｌ^５０１が、置換の２価炭香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価脂肪族炭化水素である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｙ^５０１が、置換の１から４価芳香族炭化水素基、置換の１から４価ヘテロ芳香族基、置換の１から４価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｌｃｙ^５０１が、置換の２価芳香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｌ^５１１が、置換の２価芳香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｒｆ^５１１が、置換の芳香族炭化水素基、置換のヘテロ芳香族基、または置換の環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基である、請求項１１または１２に記載の化合物。

【請求項14】

Ｚ^５０１が、各々独立して、
（ix）ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、または、
（x）前記（ix）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、請求項１１または１２に記載の化合物。

【請求項15】

Ｚ^５０２が、各々独立して、
（xi）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、カルバゾリル基または、
（xii）前記（xi）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、О、Ｓ、ＮもしくはＮＥ^５０１、で表される構造から群より選ばれる基で置換されてもよい、請求項１１または１２に記載の化合物。

【請求項16】

Ｌ^５０１が、各々独立して、
（xiii）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、О、Ｓ、ＮもしくはＮＥ^５０１、または、
（xiv）前記（xiii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、請求項１１または１２に記載の化合物。

【請求項17】

Ｙ^５０１が、各々独立して、１から４価の
（xv）ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、フルオレン、スピロビフルオレン、９,９－ジメチルフルオレン、９,９－ジフェニルフルオレン、ベンゾフルオレン、フェナントレン、フルオランテン、トリフェニレン、アントラセン、ピレン、クリセン、ペリレン、ベンゾクリセン、ジベンゾクリセン、トリプチセン、コラニュレン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、カルバゾール、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、チアゾール、チアジアゾール、チアントレン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾ－１,４－ジオキシン、ベンゾチアゾール、アダマンタン、ジアマンタン、ノルボルネン、もしくはシクロヘキサンに由来する基、または、
（xvi）前記（xv）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、О、Ｓ、ＮもしくはＮＥ^５０１、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、請求項１１または１２に記載の化合物。

【請求項18】

Ｌｃｙ^５０１が、各々独立して、
（xvii）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、もしくはシクロヘキサンジイル基、
（xviii）前記（xvii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基、または、
（xix）単結合である、請求項１１または１２に記載の化合物。

【請求項19】

Ｌ^５１１が、各々独立して、
（xix）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、もしくはシクロヘキサンジイル基、または、
（xxi）前記（xx）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基、または、
（xxii）単結合である、請求項１１または１２に記載の化合物。

【請求項20】

Ｒｆ^５１１が、各々独立して、
（xxiii）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ジベンゾ－１，４－ジオキシニル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、もしくはシクロヘキシル基、または、
（xxiv）前記（xxiii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、請求項１１または１２に記載の化合物。

【請求項21】

Ｘ^５０１がＮ、Ｏ、またはＳである、請求項１１または１２に記載の化合物。

【請求項22】

Ｒ^５０１とＲ^５０２がフッ素原子または式（６０１）表す基である、請求項１１または１２に記載の化合物。

【請求項23】

請求項１または２に記載の金属パターニング用材料を含み、金属膜または金属積層膜をパターニングすることができる金属パターニング用薄膜。

【請求項24】

水接触角が９０°以上である、請求項２３に記載の金属パターニング用薄膜。

【請求項25】

陰極を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陰極は、
イッテルビウム、マグネシウム、銀、アルミニウム、および、マグネシウムと銀との合金からなる群より選択される少なくとも１つを含有し、かつ、
金属パターニング用材料でパターニングされてなり、
該金属パターニング用材料は、請求項１１または１２に記載の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項26】

請求項１または２に記載の金属パターニング用材料、または、請求項１１または１２に記載の化合物を含む有機材料パターンを形成することと、
前記有機材料パターンの形成領域および前記有機材料パターンの未形成領域に金属材料を付与して、該未形成領域に金属パターンを形成すること、を含む、金属パターンの形成方法。

【請求項27】

請求項１または２に記載の金属パターニング用材料、または、請求項１１または１２に記載の化合物を含む、電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、金属パターニング用材料、当該材料に好適に使用し得る化合物、当該材料または化合物を用いた金属パターニング用薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、および金属パターンの形成方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、有機薄膜太陽電池、有機トランジスタ、有機センサーといった有機電子デバイスが広く開発されている。有機電子デバイスでは、金属薄膜を電極として用いており、金属薄膜を所望の形状にパターニングする必要がある。

【0003】

金属電極のパターニング方法としては、金属の付着を抑制し得る撥金属性が高い金属パターニング用材料を下地層としてパターニング成膜し、この下地層の上から金属を蒸着する方法が知られている。この方法では、金属パターニング用材料が成膜されていない部分に選択的に金属膜が形成されるため、所望の形状にパターニングされた金属電極を形成することができる。

【0004】

金属パターニング用材料として、特許文献１は、以下のa、b、cの特徴を持つ含窒素複素環化合物を開示している。
ａ．製膜した際の１μＬの純水に対する静的接触角（温湿度：２３℃、５０％）が８５°
以上であり、
ｂ．ガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃以下であり、
ｃ．分子量が１０００以下である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０２２－１４９０３

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、特許文献１に開示された化合物を用いる方法では、所望の箇所以外への金属の付着を高度に抑制してパターニングを形成するには、いまだ改良の余地がある。

【0007】

本発明は、以上の状況に鑑みてなされたものであり、膜表面への金属薄膜の形成を高度に抑制できる金属パターニング用材料、当該材料に好適に使用し得る化合物、当該材料または化合物を用いた金属パターニング用薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、および金属パターンの形成方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明者らは、窒素原子を含む六員環構造と、フルオロアルキル構造とを併せ持つ化合物を用いることにより、上記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。

【0009】

本開示の態様は、以下の金属パターニング用材料、化合物、金属パターニング用薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、および金属パターンの形成方法に関する。


［１］ 下記式（１０１）、または下記式（１０２）で表される骨格を部分構造として分子内に有する化合物を含み、分子量が６００以上である、金属パターニング用材料：

【0010】

【化1】

【0011】

式中、
Ｘ^１０１、およびＸ^１０２は、各々独立して、Ｎ、ＳもしくはОを表す；
Ｂは、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された１～１０の炭素数の炭化水素、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された６～２６の炭化水素環、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された炭素数３～２６のヘテロ環、または下記式（１１１）で表される基を表す；
ＣおよびＤは、各々独立して、置換された６～２６の炭化水素環、置換された炭素数３～２６のヘテロ環、または下記式（１１１）で表される基を表し、少なくとも１つ以上はフッ素原子または下記式（１１１）で表される基を表す；
Ｅは、置換された１～１０の炭素数の脂肪族炭化水素、置換された６～２６の脂肪族炭化水素環、置換された６～２６の芳香族炭化水素環、置換された炭素数３～２６のヘテロ環、または下記式（１１１）で表される基を表す；
Ａ^１０１、およびＡ^１０２は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、
置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環を表す；
Ｃは、Ａ^１０１で表される環のうち、１個以上の前記環の任意の位置の置換基である；
Ｄは、Ａ^１０２で表される２個の環のうち、１個以上の前記環の任意の位置の置換基である；

【0012】

【化2】

【0013】

Ｌ^１１１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、
О、Ｓ、または、ＳＯ_２を表す；
Ｒｆ^１１１は、各々独立して、
フッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造を表す；
ａ１０１は各々独立して、１から４の整数を表す；
ａ１０２は各々独立して、１から４の整数を表す；
ｂ１１１は各々独立して、０から１２の整数を表す；
ｃ１１１は各々独立して、１から６の整数を表す；
式（１０１）において、＊は、１個若しくは複数の結合手を表し、該結合手は、各々独立して、該結合手の一端が、Ｘ^１０１を含む六員環と、Ａ^１０１で表される環のうち、１個以上の前記環に結合している；
式（１０２）において、＊は、１個若しくは複数の結合手を表し、該結合手は、各々独立して、該結合手の一端が、Ａ^１０２で表される２個の環のうち、１個以上の前記環に結合している；
式（１１１）において、＊は、前記部分構造に結合する結合手を表す。
［２］ 前記フルオロアルキル構造が下記式（００１）で表される、［１］に記載の金属パターニング用材料：

【0014】

【化3】

【0015】

式中、
Ｒｆ^００１は、各々独立して、
フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、または環状の脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌ^００１は、各々独立して、
О、Ｓ、ＳＯ_２もしくは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、または、
フッ素原子で置換されていてもよいビニレン基を表す；
ａ００１は、各々独立して、０から４の整数を表す；
ａ００２は、各々独立して、１から４の整数を表す。
［３］ Ａ^１０１、およびＡ^１０２が、置換の炭化水素環、または置換のヘテロ環である場合、これらの環が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（００１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｌ^１１１が、置換の２価芳香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（００１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｒｆ^１１１が、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、または環状の脂肪族炭化水素基を表す構造、および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基である、［１］または［２］に記載の金属パターニング用材料。
［４］ Ａ^１０１、およびＡ^１０２が、各々独立して
（ｉ）ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、ピレン環、アントラセン環、クリセン環、ペリレン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、アダマンタン環、ピリジン環、ピラジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、インドール環、カルバゾール環、ピペリジン環、ピペラジン環、ジオキシン環、ベンゾジオキシン環、もしくはジベンゾジオキシン環、または、
（ii）前記（ｉ）で示される環が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された環である、［１］～［３］のいずれかに記載の金属パターニング用材料。
［５］ Ｌ^１１１が、各々独立して、
（iii）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、О、Ｓ、もしくは、Ｎ、または、
（iv）前記（iii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、［１］～［４］のいずれかに記載の金属パターニング用材料。
［６］ Ｂが、各々独立して、
（v）少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された、または少なくとも１つ以上の式（１１１）を表す基で置換された、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、もしくはＲｆ^１１１、または、
（vi）前記（v）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、［１］～［５］のいずれかに記載の金属パターニング用材料。
［７］ Ｅが、各々独立して、
（vii）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、カルバゾリル基または、
（viii）前記（vii）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、で表される構造から群より選ばれる基で置換されてもよい、［１］～［６］のいずれかに記載の金属パターニング用材料。
［８］ Ａ^１０１、およびＡ^１０２が、各々独立して、
（i’）ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、アダマンタン環、ピリジン環、ピラジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、インドール環、カルバゾール環、ジオキシン環、ベンゾジオキシン環、もしくはジベンゾジオキシン環、または、
（ii’）前記（i’）で示される環が、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、および、式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された環である、［１］～［７］のいずれかに記載の金属パターニング用材料。
［９］ Ａ^１０１が、置換されていてもよいベンゼン環であり、Ａ^１０２の少なくとも１つが、置換されていてもよいベンゼン環である、［１］～［８］のいずれかに記載の金属パターニング用材料。
［１０］ Ｂ、Ｃ、またはＤのそれぞれに少なくとも１つ以上の下記の（Ｚ）からなる群より選ばれる置換基を有する、［１］～［９］のいずれかに記載の金属パターニング用材料。

【0016】

（Ｚ）フッ素原子、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、もしくは式（００１）で表される構造。
［１１］ 下記式（５０１）で表される化合物：

【0017】

【化4】

【0018】

式中、
Ｘ^５０１は、ＮもしくはОを表す；
Ｒ^５０１、Ｒ^５０２は、各々独立して、
フッ素原子、もしくは
フッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造を表す；
Ｚ^５０１は、
置換されていてもよい炭素数６～２６の脂肪族炭化水素鎖、置換されていてもよい炭素数６～２６の脂肪族炭化水素環、または、
置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環を表す；
Ｚ^５０２は、
置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素鎖、置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、
置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環を表す；
Ｒ^５０２は、ＮとＸ^５０１を含む六員環の左右に位置する２個の縮環ベンゼン環のうち、１個以上の前記縮環ベンゼン環の任意の位置の置換基である；
Ｍ^５０１は、ＮとＸ^５０１を含む六員環の左右に位置する２個の縮環ベンゼン環のうち、１個以上の前記縮環ベンゼン環の任意の位置の置換基である；
Ｍ^５０１は、下記式（５０１－Ｍ）で表される基を表す；

【0019】

【化5】

【0020】

Ｌ^５０１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素、
О、Ｓまたは、ＮＥ^５０１を表す；
Ｙ^５０１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の１から４価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の１から４価ヘテロ芳香族基、または
置換されていてもよい炭素数１～１８の環状の１から４価脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌｃｙ^５０１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数３～１８の環状の２価脂肪族炭化水素基、
または、単結合を表す；
Ｅ^５０１は、各々独立して、
フッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造、
または、下記式（５１１）で表される基を表す；

【0021】

【化6】

【0022】

式中、
Ｒｆ^５１１は、各々独立して、
フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、または環状の脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌ^５１１は、各々独立して、
О、Ｓ、ＳＯ_２もしくは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、または、
フッ素原子で置換されていてもよいビニレン基を表す；
ａ５０１は各々独立して、１から８の整数を表す；
ａ５０２は各々独立して、０から１の整数を表す；
ｂ５０１は各々独立して、０から３の整数を表す；
ｃ５０１、およびｄ５０１は各々独立して、０から３の整数を表す；
ｅ５０１は各々独立して、１から４の整数を表す；
ａ５１１は各々独立して、０から４の整数を表す；
ｂ５１１は各々独立して、１から４の整数を表す；
［１２］ 前記フルオロアルキル構造が下記式（６０１）で表される、［１１］に記載の化合物：

【0023】

【化7】

【0024】

式中、
Ｒｆ^６０１は、各々独立して、
フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、または環状の脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌ^６０１は、各々独立して、
О、Ｓ、ＳＯ_２もしくは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、または、
フッ素原子で置換されていてもよいビニレン基を表す；
ａ６０１は、各々独立して、１から４の整数を表す；
ｂ６０１は、各々独立して、０から４の整数を表す。
［１３］ Ｌ^５０１が、置換の２価炭香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価脂肪族炭化水素である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｙ^５０１が、置換の１から４価芳香族炭化水素基、置換の１から４価ヘテロ芳香族基、置換の１から４価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｌｃｙ^５０１が、置換の２価芳香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｌ^５１１が、置換の２価芳香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であり；
Ｒｆ^５１１が、置換の芳香族炭化水素基、置換のヘテロ芳香族基、または置換の環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基である、［１１］または［１２］に記載の化合物。
［１４］ Ｚ^５０１が、各々独立して、
（ix）ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、または、
（x）前記（ix）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、［１１］～［１３］のいずれかに記載の化合物。
［１５］ Ｚ^５０２が、各々独立して、
（xi）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、カルバゾリル基または、
（xii）前記（xi）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、Ｏ、Ｓ、ＮもしくはＮＥ^５０１で表される構造から群より選ばれる基で置換されてもよい、［１１］～［１４］のいずれかに記載の化合物。
［１６］ Ｌ^５０１が、各々独立して、
（xiii）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、О、Ｓ、ＮもしくはＮＥ^５０１、または、
（xiv）前記（xiii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、［１１］～［１５］のいずれかに記載の化合物。
［１７］ Ｙ^５０１が、各々独立して、１から４価の
（xv）ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、フルオレン、スピロビフルオレン、９,９－ジメチルフルオレン、９,９－ジフェニルフルオレン、ベンゾフルオレン、フェナントレン、フルオランテン、トリフェニレン、アントラセン、ピレン、クリセン、ペリレン、ベンゾクリセン、ジベンゾクリセン、トリプチセン、コラニュレン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、カルバゾール、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、チアゾール、チアジアゾール、チアントレン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾ－１,４－ジオキシン、ベンゾチアゾール、アダマンタン、ジアマンタン、ノルボルネン、もしくはシクロヘキサンに由来する基、または、
（xvi）前記（xv）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、О、Ｓ、ＮもしくはＮＥ^５０１、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、［１１］～［１６］のいずれかに記載の化合物。
［１８］ Ｌｃｙ^５０１が、各々独立して、
（xvii）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、もしくはシクロヘキサンジイル基、
（xviii）前記（xvii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基、または、
（xix）単結合である、［１１］～［１７］のいずれかに記載の化合物。
［１９］ Ｌ^５１１が、各々独立して、
（xx）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、もしくはシクロヘキサンジイル基、
（xxi）前記（xx）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基、または、
（xxii）単結合である、［１１］～［１８］のいずれかに記載の化合物。
［２０］ Ｒｆ^５１１が、各々独立して、
（xxiii）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ジベンゾ－１，４－ジオキシニル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、もしくはシクロヘキシル基、または、
（xxiv）前記（xxiii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基である、［１１］～［１９］のいずれかに記載の化合物。
［２１］ Ｘ^５０１が、Ｎ、Ｏ、またはＳである、［１１］～［２０］に記載の化合物。
［２２］ Ｒ^５０１とＲ^５０２がフッ素原子または式（６０１）で表す基である、［１１］～［２１］に記載の化合物。
［２３］ ［１］～［１０］のいずれかに記載の金属パターニング用材料を含み、金属膜または金属積層膜をパターニングすることができる金属パターニング用薄膜。
［２４］ 水接触角が９０°以上である、［２３］に記載の金属パターニング用薄膜。
［２５］ 陰極を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陰極は、
イッテルビウム、マグネシウム、銀、アルミニウム、フッ化リチウムおよび、マグネシウムと銀との合金からなる群より選択される少なくとも１つを含有し、かつ、
金属パターニング用材料でパターニングされてなり、
該金属パターニング用材料は、［１１］～［２２］のいずれかに記載の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
［２６］ ［１］～［１０］のいずれかに記載の金属パターニング用材料、または、［１１］～［２２］のいずれかに記載の化合物を含む有機材料パターンを形成することと、
前記有機材料パターンの形成領域および前記有機材料パターンの未形成領域に金属材料を付与して、該未形成領域に金属パターンを形成することと、を含む、金属パターンの形成方法。
［２７］ ［１］～［１０］のいずれかに記載の金属パターニング用材料、または、［１１］～［２２］のいずれかに記載の化合物を含む、電子機器。

【発明の効果】

【0025】

本発明によれば、膜表面への金属薄膜の形成を高度に抑制できる金属パターニング用材料、当該材料に好適に使用し得る化合物、当該材料または化合物を用いた金属パターニング用薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、および金属パターンの形成方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0026】

【図1A】実施例１－３”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図1B】実施例１－３”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図2A】実施例２－４”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図2B】実施例２－４”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図3A】実施例３－３”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図3B】実施例３－３”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図4A】比較例４－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図4B】比較例４－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図5A】比較例５－４”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図5B】比較例５－４”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図6A】実施例６－２”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図6B】実施例６－２”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図7A】実施例７－４”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図7B】実施例７－４”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図8A】実施例８－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図8B】実施例８－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図9A】実施例９－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図9B】実施例９－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図10A】実施例１０－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図10B】実施例１０－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図11A】実施例１１－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図11B】実施例１１－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図12A】実施例１２－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図12B】実施例１２－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図13A】実施例１３－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図13B】実施例１３－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図14A】比較例１４－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図14B】比較例１４－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図15A】比較例１５－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図15B】比較例１５－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図16A】比較例１６－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図16B】比較例１６－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図17A】比較例１７－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図17B】比較例１７－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【図18A】比較例１８－１”における金属蒸着前の透過率測定の結果を示す図である。

【図18B】比較例１８－１”における金属蒸着後の透過率測定の結果を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下、本開示の一態様にかかる金属パターニング用材料、化合物、金属パターニング用薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、および金属パターンの形成方法について詳細に説明する。
≪金属パターニング用材料≫
本実施形態の金属パターンニング用材料は、下記式（１０１）、または下記式（１０２）で表される骨格を部分構造として分子内に有する化合物を含み、分子量が６００以上である、金属パターニング用材料：

【0028】

【化8】

【0029】

式中、
Ｘ^１０１、およびＸ^１０２は、各々独立して、Ｎ、ＳもしくはОを表す；
Ｂは、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された１～１０の炭素数の炭化水素、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された６～２６の炭化水素環、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された炭素数３～２６のヘテロ環、または下記式（１１１）で表される基を表す；
ＣおよびＤは、各々独立して、置換された６～２６の炭化水素環、置換された炭素数３～２６のヘテロ環、または下記式（１１１）で表される基を表し、少なくとも１つ以上はフッ素原子または下記式（１１１）で表される基を表す
Ｅは、置換された１～１０の炭素数の炭化水素、置換された６～２６の炭化水素環、置換された炭素数３～２６のヘテロ環、または下記式（１１１）で表される基を表す；
Ａ^１０１、およびＡ^１０２は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、
置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環を表す；
Ｃは、Ａ^１０１で表される環のうち、１個以上の前記環の任意の位置の置換基である；
Ｄは、Ａ^１０２で表される２個の環のうち、１個以上の前記環の任意の位置の置換基である；
ａ１０１は各々独立して、1から４の整数を表す；
ａ１０２は各々独立して、１から８の整数を表す；
ａ１０３は各々独立して、０から１の整数を表す；
ｂ１１１は各々独立して、０から１２の整数を表す；
ｃ１１１は各々独立して、１から６の整数を表す；
式（１０１）において、＊は、１個若しくは複数の結合手を表し、該結合手は、各々独立して、該結合手の一端が、Ｘ^１０１を含む六員環と、Ａ^１０１で表される環のうち、１個以上の前記環に結合している；
式（１０２）において、＊は、１個若しくは複数の結合手を表し、該結合手は、各々独立して、該結合手の一端が、Ａ^１０２で表される２個の環のうち、１個以上の前記環に結合している。

【0030】

金属パターンニング用材料が、上記式（１０１）で表される化合物において、窒素原子を含む六員環構造と、ＢまたはＣで表される置換基とを併せ持つことにより、膜表面への金属薄膜の形成を高度に抑制できる。

【0031】

金属パターンニング用材料が、上記式（１０２）で表される化合物において、窒素原子を含む六員環構造と、ＢまたはＤで表される置換基とを併せ持つことにより、膜表面への金属薄膜の形成を高度に抑制できる。
＜Ｘ^１０１、およびＸ^１０２について＞
Ｘ^１０１を含む六員環構造は、その構造中に二重結合を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。

【0032】

Ｘ^１０１、およびＸ^１０２は、各々独立して、ＮもしくはОかＳを表す。
＜Ａ^１０１、およびＡ^１０２について＞
Ａ^１０１、およびＡ^１０２は、各々独立して、置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環を表す。

【0033】

炭化水素環としては、例えば、単環、連結または縮環の芳香族炭化水素環；環状脂肪族炭化水素環が挙げられる。ヘテロ環としては、例えば、単環、連結、もしくは縮環のヘテロ芳香族環；単環、連結、もしくは縮環のヘテロ非芳香族環が挙げられる。

【0034】

Ａ^１０１、およびＡ^１０２で表される炭素数６～２６の炭化水素環、または、炭素数３～２６のヘテロ環が、
(i)ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、ピレン環、アントラセン環、クリセン環、ペリレン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、アダマンタン環、ピリジン環、ピラジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、インドール環、カルバゾール環、ピペリジン環、ピペラジン環、ジオキシン環、ベンゾジオキシン環、もしくはジベンゾジオキシン環、または、
(ii)上記（ｉ）で示される環が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された環であることが好ましい。

【0035】

Ａ^１０１、およびＡ^１０２で表される炭素数６～２６の炭化水素環、または、炭素数３～２６のヘテロ環が、
（i’）ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、アダマンタン環、ピリジン環、ピラジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、インドール環、カルバゾール環、ジオキシン環、ベンゾジオキシン環、もしくはジベンゾジオキシン環、または、
（ii’）前記（i’）で示される環が、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、および、式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された環であることがより好ましい。

【0036】

Ａ^１０１、およびＡ^１０２で表される炭素数６～２６の炭化水素環、または、炭素数３～２６のヘテロ環が、
（i’’）ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ピリジン環、ピラジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、カルバゾール環、ベンゾジオキシン環、もしくはジベンゾジオキシン環、または、
（ii’’）前記（i’’）で示される環が、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、および、式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された環であることがさらに好ましい。

【0037】

Ａ^１０１、およびＡ^１０２で表される炭素数６～２６の炭化水素環、または、炭素数３～２６のヘテロ環が、
（i’’’）ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、シクロヘキサン環、ピリジン環、ピラジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、カルバゾール環、ベンゾジオキシン環、もしくはジベンゾジオキシン環、または、
（ii’’’）前記（i’’’）で示される環が、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、および、式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された環であることがさらにより好ましい。

【0038】

Ａ^１０１、およびＡ^１０２が、置換の炭化水素環、または置換のヘテロ環である場合、これらの環が有する上記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（００１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であることが好ましい。

【0039】

Ａ^１０１が、置換されていてもよいベンゼン環であることが好ましい。Ａ^１０２の少なくとも１つが、置換されていてもよいベンゼン環であることが好ましく、Ａ^１０２の２つが、置換されていてもよいベンゼン環であることがより好ましい。

【0040】

Ａ^１０１、およびＡ^１０２が、各々独立して、下記の（Ｚ）からなる群より選ばれる置換基を少なくとも１つ以上有することが好ましい。

【0041】

（Ｚ）フッ素原子、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、もしくは式（００１）で表される構造。
＜Ｂについて＞
Ｂは、各々独立して、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された１～１０の炭素数の炭化水素、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された６～２６の炭化水素環、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された炭素数３～２６のヘテロ環、または式（１１１）で表される基を表し、炭化水素としては、例えば、単環、連結または縮環の芳香族炭化水素環；環状脂肪族炭化水素環が挙げられる。ヘテロ環としては、例えば、単環、連結、もしくは縮環のヘテロ芳香族環；単環、連結、もしくは縮環のヘテロ非芳香族環が挙げられる。
Ｂで表される少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された１～１０の炭素数の炭化水素、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された６～２６の炭化水素環、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された炭素数３～２６のヘテロ環が、
（ｖ）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、もしくはＲｆ^１１１、または、
（vi）前記（v）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが好ましい。
Ｂで表される少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された１～１０の炭素数の炭化水素、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された６～２６の炭化水素環、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された炭素数３～２６のヘテロ環が、
（v'）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、アントリル基、ピレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、もしくはＲｆ^１１１、または、
（vi'）前記（v'）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがより好ましい。
Ｂで表される少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された１～１０の炭素数の炭化水素、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された６～２６の炭化水素環、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された炭素数３～２６のヘテロ環が、
（v''）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、アントリル基、ピレニル基、ベンゾクリセニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、もしくはＲｆ^１１１、または、
（vi''v）前記（v''）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがさらにより好ましい。
Ｂで表される少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された１～１０の炭素数の炭化水素、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された６～２６の炭化水素環、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換された炭素数３～２６のヘテロ環が、
（v'''）フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、トリフェニリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、シクロヘキシル基、または、
（vi'''）前記（v'''）で示される基が、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが特に好ましい。
＜Ｅについて＞
Ｅで表される置換された１～１０の炭素数の炭化水素、置換された６～２６の炭化水素環、置換された６～２６の芳香族炭化水素環、置換された炭素数３～２６のヘテロ環が、
（vii）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、カルバゾリル基または、
（viii）前記（vii）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが好ましい。

【0042】

Ｅで表される置換された１～１０の炭素数の炭化水素、置換された６～２６の炭化水素環、置換された６～２６の芳香族炭化水素環、置換された炭素数３～２６のヘテロ環が、
（vii'）フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、フェナントリル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、ジベンゾクリセニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、カルバゾリル基または、
（viii'）前記（vii'）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがより好ましい。

【0043】

Ｅで表される置換された１～１０の炭素数の炭化水素、置換された６～２６の炭化水素環、置換された６～２６の芳香族炭化水素環、置換された炭素数３～２６のヘテロ環が、
（vii’’）フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、トリフェニリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、カルバゾリル基または、
（viii’’）前記（vii’’）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがさらに好ましい。
＜ＣおよびＤについて＞
Ｃ、およびＤは、各々独立して、フッ素原子または下記式（１１１）で表される基を表す；

【0044】

【化9】

【0045】

Ｌ^１１１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、
О、または、Ｓを表す；
Ｒｆ^１１１は、各々独立して、
フッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造を表す；
Ｒ^１１１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環のヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、または、
Ｒｆ^１１１を表す；
ｂ１１１は各々独立して、０から１２の整数を表す。

【0046】

ｃ１１１は各々独立して、１から６の整数を表す。

【0047】

式（１１１）において、＊は、前記部分構造に結合する結合手を表す。
＜Ｌ^１１１について＞
Ｌ^１１１で表される単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基は、フェニレン基、もしくは複数のベンゼン環を連結もしくは縮環した構造が好ましい。

【0048】

Ｌ^１１１で表される単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基は、ヘテロ原子がＮ、О、Ｓであり、５員環、６員環、もしくはそれらが縮合した構造が好ましい。

【0049】

Ｌ^１１１で表される単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基；単環、連結環、もしくは縮環のヘテロ芳香族基；または、直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基が、各々独立して、
（iii）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、О、Ｓ、Ｎもしくは、ＮＥ^２０１、または、
（iv）前記（iii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが好ましい。

【0050】

Ｌ^１１１が、置換の２価芳香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
後述する式（００１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であることが好ましい。
＜Ｒｆ^１１１について＞
Ｒｆ^１１１としてのフッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造が、下記式（００１）で表されることが好ましい。

【0051】

【化10】

【0052】

式中、
Ｒｆ^００１は、各々独立して、
フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、または環状の脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌ^００１は、各々独立して、
О、Ｓ、Ｎもしくは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、または、
フッ素原子で置換されていてもよいビニレン基を表す；
ａ００１は、各々独立して、０から４の整数を表す；
ａ００２は、各々独立して、１から４の整数を表す；
Ｒｆ^００１は、膜表面での金属膜の形成を抑制できることから、各々独立して、フルオロアルキル構造を形成している炭素原子のうち、フッ素原子と直接結合している炭素原子数の割合が３０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、７０％以上であることがさらにより好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。

【0053】

Ｒｆ^００１は、膜表面での金属膜の形成を抑制できることから、各々独立して、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換されている、
メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、およびこれらのアルキル基と構造異性の関係にあるアルキル基、ならびにシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、１－メチルシクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシル基、およびアダマンチル基であることがより好ましい。

【0054】

Ｌ^００１は、膜表面での金属膜の形成を抑制できることから、各々独立して、
О、Ｓ、Ｎもしくは、
フッ素原子で置換されていてもよい、
メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、およびこれらのアルキル基と構造異性の関係にあるアルキル基、ならびにシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、１－メチルシクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシル基、およびアダマンチル基、もしくは、
ビニレン基であることがより好ましい。

【0055】

ａ００１は各々独立して、０から３が好ましく、０から２がより好ましい。

【0056】

ａ００２は各々独立して、１から３が好ましく、１から２がより好ましい。

【0057】

フルオロアルキル構造の炭素数としては、１以上３６以下であることが好ましく、１以上３４以下であることがより好ましく、１以上３２以下であることがさらに好ましい。
［フルオロアルキル構造の具体的な例示］
フルオロアルキル構造としては、例えば下記（ＡＡＡ１）～（ＡＡＡ１２６）に示す構造をとることができる。

【0058】

なお、下記の構造に使用しているマーク「＊」は結合部位を表す。

【0059】

【化11】

【0060】

【化12】

【0061】

【化13】

【0062】

【化14】

【0063】

【化15】

【0064】

【化16】

【0065】

【化17】

【0066】

前述した金属パターニング材料の分子量は、６００以上であり、６００以上８０００以下が好ましく、６００以上６０００以下がより好ましく、６００以上５０００以下が特に好ましい。
≪化合物≫
本実施形態の化合物は、下記式（５０１）で表される。

【0067】

【化18】

【0068】

式中、
Ｘ^５０１は、ＮもしくはОを表す；
Ｚ^５０１は、
置換されていてもよい１～１０の炭素数の脂肪族炭化水素、置換されていてもよい６～２６の脂肪族炭化水素環、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環、で表される基を表す；
Ｚ^５０２は、
置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素、置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、
置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環を表す；
Ｒ^５０１、Ｒ^５０２は、各々独立して、
フッ素原子、もしくは
フッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造を表す；
Ｒ^５０２は、ＮとＸ^５０１を含む六員環の左右に位置する２個の縮環ベンゼン環のうち、１個以上の前記縮環ベンゼン環の任意の位置の置換基である；
Ｍ^５０１は、ＮとＸ^５０１を含む六員環の左右に位置する２個の縮環ベンゼン環のうち、１個以上の前記縮環ベンゼン環の任意の位置の置換基である；
Ｍ^５０１は、下記式（５０１－Ｍ）で表される基を表す；

【0069】

【化19】

【0070】

Ｌ^５０１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素、
О、Ｓまたは、ＮＥ^５０１を表す；
Ｙ^５０１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の１から４価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の１から４価ヘテロ芳香族基、または
置換されていてもよい炭素数１～１８の環状の１から４価脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌｃｙ^５０１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数３～１８の環状の２価脂肪族炭化水素基、
または、単結合を表す；
Ｅ^５０１は、各々独立して、
フッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造、
または、下記式（５１１）で表される基を表す；

【0071】

【化20】

【0072】

Ｌ^５１１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基、
置換されていてもよい炭素数３～１８の環状の２価脂肪族炭化水素、
または、単結合を表す；
Ｒｆ^５１１は、各々独立して、
置換されていてもよい炭素数６～２６の単環、連結環、もしくは縮環の芳香族炭化水素基、
置換されていてもよい炭素数３～２６の単環、連結環、もしくは縮環のヘテロ芳香族基、
または置換されていてもよい炭素数３～１８の環状の脂肪族炭化水素を表す；
＊は結合位置を表す。

【0073】

ａ５０１は各々独立して、１から８の整数を表す；
ａ５０２は各々独立して、０から８の整数を表す；
ｂ５０１は各々独立して、０から３の整数を表す；
ｃ５０１、およびｄ５０１は各々独立して、０から３の整数を表す；
ｅ５０１は各々独立して、１から４の整数を表す；
ａ５１１は、各々独立して、０から４の整数を表す；
ｂ５１１は、各々独立して、１から４の整数を表す；
ただし、Ｒ^５０１は、各々独立してフッ素原子もしくは式（６０１）を表す。

【0074】

上記式（５０１）で表される化合物が、窒素原子を含む六員環構造と、Ｒ^５０１で表されるフルオロアルキル構造とを併せ持つことにより、該化合物を含む金属パターニング材料は、膜表面への金属薄膜の形成を高度に抑制できる。このため、該化合物は、金属パターニング材料として好適に使用し得る。
＜Ｘ５０１について＞
Ｘ^５０１は、各々独立して、ＮもしくはОを表す。
＜Ｒ^５０１、Ｒ^５０２およびＲｆ^５０１について＞
Ｒ^５０１、Ｒ^５０２およびＲｆ^５０１としてのフッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造が、下記式（６０１）で表されることが好ましい。

【0075】

【化21】

【0076】

式中、
Ｒｆ^６０１は、各々独立して、
フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、または環状の脂肪族炭化水素基を表す；
Ｌ^６０１は、各々独立して、
О、Ｓ、ＳＯ２もしくは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基、または、
フッ素原子で置換されていてもよいビニレン基を表す；
ａ６０１は、各々独立して、１から４の整数を表す；
ｂ６０１は、各々独立して、０から４の整数を表す；
Ｒｆ^６０１は、膜表面での金属膜の形成を抑制できることから、各々独立して、フルオロアルキル構造を形成している炭素原子のうち、フッ素原子と直接結合している炭素原子数の割合が３０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、７０％以上であることがさらにより好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。

【0077】

Ｒｆ^６０１は、膜表面での金属膜の形成を抑制できることから、各々独立して、少なくとも１つ以上のフッ素原子で置換されている、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、およびこれらのアルキル基と構造異性の関係にあるアルキル基、ならびにシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、１－メチルシクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシル基、およびアダマンチル基であることがより好ましい。

【0078】

Ｌ^６０１は、膜表面での金属膜の形成を抑制できることから、各々独立して、
О、Ｓ、もしくは、
フッ素原子で置換されていてもよい、
メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、およびこれらのアルキル基と構造異性の関係にあるアルキル基、ならびにシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、１－メチルシクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシル基、およびアダマンチル基、もしくは、ビニレン基であることがより好ましい。

【0079】

ａ６０１は各々独立して、１から３が好ましく、１から２がより好ましい。

【0080】

ｂ６０１は各々独立して、０から３が好ましく、０から２がより好ましい。

【0081】

フルオロアルキル構造の炭素数としては、１以上３６以下であることが好ましく、１以上３４以下であることがより好ましく、１以上３２以下であることがさらに好ましい。
［フルオロアルキル構造の具体的な例示］
フルオロアルキル構造としては、例えば、前述の（ＡＡＡ１）～（ＡＡＡ１２６）に示す構造をとることができる。
＜Ｌ^５０１について＞
Ｌ^５０１で表される単環、連結、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基は、フェニレン基、もしくは複数のベンゼン環を連結もしくは縮環した構造が好ましい。

【0082】

Ｌ^５０１で表される単環、連結、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基は、ヘテロ原子がＮ、О、Ｓであり、５員環、６員環、もしくはそれらが縮合した構造が好ましい。

【0083】

Ｌ^５０１で表される単環、連結、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基；単環、連結、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基；または、直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基が、各々独立して、
（ix）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、О、Ｓ、もしくはＮＥ^５０１、または、
（x）前記（xi）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが好ましい。

【0084】

Ｌ^５０１で表される単環、連結、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基；単環、連結、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基；または、直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基が、各々独立して、
（xiii）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、О、Ｓ、ＮもしくはＮＥ^５０１、または、
（xiv）前記（xiii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがより好ましい。

【0085】

Ｌ^５０１で表される単環、連結、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基；単環、連結、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基；または、直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基が、各々独立して、
（xiii'）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、О、Ｓ、ＮもしくはＮＥ^５０１、または、
（xiv'）前記（xiii'）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがさらに好ましい。

【0086】

Ｌ^５０１で表される単環、連結、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基；単環、連結、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基；または、直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基が、各々独立して、
（xiii''）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、アダマンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、О、Ｓ、ＮもしくはＮＥ^５０１、または、
（xiv''）前記（xiii''）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがさらにより好ましい。

【0087】

Ｌ^５０１で表される単環、連結、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基；単環、連結、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基；または、直鎖、分岐、もしくは環状の２価脂肪族炭化水素基が、各々独立して、
（xiii'''）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、フェノキサジンジイル基、メチレン基、エチレン基、アダマンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、О、Ｓ、ＮもしくはＮＥ^５０１、または、
（xiv'''）前記（xiii'''）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが特に好ましい。

【0088】

Ｌ^５０１が、置換の２価炭香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価脂肪族炭化水素である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であることが好ましい。

【0089】

Ｌ^５０１が、置換の２価炭香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価脂肪族炭化水素である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１０の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であることがより好ましい。

＜Ｙ^５０１について＞
Ｙ^５０１で表される単環、連結、もしくは縮環の１から４価芳香族炭化水素基；単環、連結、もしくは縮環の１から４価ヘテロ芳香族基、または、環状の１から４価脂肪族炭化水素基が、各々独立して、１から４価の
（xv）ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、フルオレン、スピロビフルオレン、９,９－ジメチルフルオレン、９,９－ジフェニルフルオレン、ベンゾフルオレン、フェナントレン、フルオランテン、トリフェニレン、アントラセン、ピレン、クリセン、ペリレン、ベンゾクリセン、ジベンゾクリセン、トリプチセン、コラニュレン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、カルバゾール、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、チアゾール、チアジアゾール、チアントレン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾ－１,４－ジオキシン、ベンゾチアゾール、アダマンタン、ジアマンタン、ノルボルネン、もしくはシクロヘキサンに由来する基、または、
（xvi）前記（xv）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが好ましい。

【0090】

Ｙ^５０１が、置換の１から４価芳香族炭化水素基、置換の１から４価ヘテロ芳香族基、置換の１から４価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であることが好ましい。
＜Ｌｃｙ^５０１について＞
Ｌｃｙ^５０１で表される単環、連結、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基；単環、連結、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基；または、環状の２価脂肪族炭化水素基が、各々独立して、
（xvii）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、もしくはシクロヘキサンジイル基、
（xviii）前記（xvii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基、または、
（xix）単結合であることが好ましい。

【0091】

Ｌｃｙ^５０１が、置換の２価芳香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であることが好ましい。
＜Ｌ^５１１について＞
Ｌ^５１１で表される単環、連結、もしくは縮環の２価芳香族炭化水素基；単環、連結、もしくは縮環の２価ヘテロ芳香族基；または、環状の２価脂肪族炭化水素基が、各々独立して、
（xx）フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フルオレンジイル基、スピロビフルオレンジイル基、９,９－ジメチルフルオレンジイル基、９,９－ジフェニルフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、クリセンジイル基、ペリレンジイル基、ベンゾクリセンジイル基、ジベンゾクリセンジイル基、トリプチセンジイル基、コラニュレンジイル基、ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、もしくはシクロヘキサンジイル基、
（xxi）前記（xx）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基、または、
（xxii）単結合である
ことが好ましい。

【0092】

Ｌ^５１１が、置換の２価芳香族炭化水素基、置換の２価ヘテロ芳香族基、または置換の２価環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であることが好ましい。
＜Ｒｆ^５１１について＞
Ｒｆ^５１１で表される単環、連結、もしくは縮環の芳香族炭化水素基；単環、連結、もしくは縮環のヘテロ芳香族基；または、環状の脂肪族炭化水素基が、各々独立して、
（xxiii）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ジベンゾ－１，４－ジオキシニル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、もしくはシクロヘキシル基、または、
（xxiv）前記（xxiii）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（６０１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが好ましい。

【0093】

Ｒｆ^５１１が、置換の芳香族炭化水素基、置換のヘテロ芳香族基、または置換の環状脂肪族炭化水素基である場合、これらの基が有する前記置換基は、各々独立して、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状の脂肪族炭化水素基、
炭素数１～１８の直鎖、分岐、もしくは環状のアルコキシ基、
炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、
炭素数３～２０のヘテロ芳香族基、
フッ素原子、重水素原子、
式（６０１）で表される構造、
および、これらの基が組み合わされた基、からなる群より選ばれる１つ以上の基であることが好ましい。
＜Ｅ^５０１について＞
Ｅ^５０１で表されるフッ素原子を１つ以上含む炭素数１以上のフルオロアルキル構造は、Ｒ^５０１、およびＲｆ^５０１における前述のフルオロアルキル構造と同様である。
＜Ｚ^５０１について＞
Ｚ^５０１で表される
置換されていてもよい１～１０の炭素数の脂肪族炭化水素、置換されていてもよい６～２６の脂肪族炭化水素環、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環、で表される基が、
（ix）ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、チオフェンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、チアントレンジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、または、
（x）前記（ix）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾフラニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが好ましい。

Ｚ^５０１で表される
置換されていてもよい１～１０の炭素数の脂肪族炭化水素、置換されていてもよい６～２６の脂肪族炭化水素環、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環、で表される基が、
（ix'）ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、または、
（x'）前記（ix'）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、フッ素原子で置換されていてもよいジベンゾチエニル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがより好ましい。
Ｚ^５０１で表される
置換されていてもよい１～１０の炭素数の脂肪族炭化水素、置換されていてもよい６～２６の脂肪族炭化水素環、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環、で表される基が、
（ix''）ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、チアゾールジイル基、アクリジンジイル基、ジヒドロアクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、または、
（x''）前記（ix''）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがさらに好ましい。
Ｚ^５０１で表される
置換されていてもよい１～１０の炭素数の脂肪族炭化水素、置換されていてもよい６～２６の脂肪族炭化水素環、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環、で表される基が、
（ix'''）ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、ベンゾフランジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、アクリジンジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、シクロヘキサンジイル基、または、
（x'''）前記（ix'''）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいビフェニリル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがさらにより好ましい。
Ｚ^５０１で表される
置換されていてもよい１～１０の炭素数の脂肪族炭化水素、置換されていてもよい６～２６の脂肪族炭化水素環、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環、で表される基が、
（ix''''）ピリジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、カルバゾールジイル基、フランジイル基、ベンゾフランジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェン基、アクリジンジイル基、フェノチアジンジイル基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、アダマンタンジイル基、ジアマンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、または、
（x''''）前記（ix''''）で示される基が、メチル基、エチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数２～１０のパーフルオロアルキル基、炭素数２～１０のパーフルオロアルコキシ基、重水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基、フッ素原子で置換されていてもよいナフチル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェナントリル基、フッ素原子で置換されていてもよいピリジル基、フッ素原子で置換されていてもよいカルバゾリル基、および式（００１）で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが特に好ましい。
＜Ｚ^５０２について＞
Ｚ^５０２で表される置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素、置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環が、
（xi）フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾクリセニル基、トリプチセニル基、コラニュレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、アクリジル基、ジヒドロアクリジル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、カルバゾリル基または、
（xii）前記（xi）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、シアノ基、重水素原子、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることが好ましい。
Ｚ^５０２で表される置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素、置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環が、
（xi’）フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、９,９－ジフェニルフルオレニル基、フェナントリル基、トリフェニリル基、アントリル基、ピレニル基、ジベンゾクリセニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアントリル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ベンゾチアゾリル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル基、カルバゾリル基、または、
（xii’）前記（xi’）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがより好ましい。
Ｚ^５０２で表される置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素、置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環が、
（xi’’）フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、トリフェニリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、フラニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、カルバゾリル基または、
（xii’’）前記（xi’’）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがさらに好ましい。

Ｚ^５０２で表される置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素、置換されていてもよい炭素数６～２６の炭化水素環、または、置換されていてもよい炭素数３～２６のヘテロ環が、
（xi’’）フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、９,９－ジメチルフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、アダマンチル基、シクロヘキシル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、カルバゾリル基または、
（xii’’）前記（xi’’）で示される基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３～１０のアルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、カルバゾリル基、で表される構造からなる群より選ばれる１つ以上の基で置換された基であることがさらにより好ましい。

【0094】

式（５０１）で表される化合物の分子量は、６００以上８０００以下が好ましく、６００以上６０００以下がより好ましく、６００以上５０００以下がさらに好ましく、６００以上４５００以下が特に好ましい。
［金属パターニング材料、化合物の具体例］
本開示の一態様にかかる金属パターニング用材料および化合物について、以下に（Ａ０００１）から（Ａ０１３０）の化合物を例示するが、本開示はこれらの化合物に限定されるものではない。

【0095】

【化22】

【0096】

【化23】

【0097】

【化24】

【0098】

【化25】

【0099】

【化26】

【0100】

【化27】

【0101】

【化28】

【0102】

【化29】

【0103】

【化30】

【0104】

【化31】

【0105】

【化32】

【0106】

≪金属パターニング用薄膜≫
本実施形態の金属パターニング用薄膜は、前述した金属パターニング用材料を含み、金属膜または金属積層膜をパターニングすることができる金属パターニング用薄膜である。

【0107】

金属パターニング用薄膜中に含まれる金属パターニング用材料は、前述の金属パターニング用材料と同じものが使用される。

【0108】

金属パターニング用薄膜の水接触角は、順に、９０°以上、９１°以上、９２°以上、９３°以上、９４°以上、９５°以上、９６°以上、９７°以上、９８°以上、９９°以上、１００°以上、であることがより一層好ましい。

【0109】

本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
上記陰極は、
イッテルビウム、マグネシウム、銀、アルミニウム、フッ化リチウムおよび、マグネシウムと銀との合金からなる群より選択される少なくとも１つを含有し、かつ、
金属パターニング用材料でパターニングされてなり、
該金属パターニング用材料は、前述した≪化合物≫の項目に記載した化合物を含む。
≪金属パターンの形成方法≫
本実施形態の金属パターンの形成方法は、
前述の金属パターニング用材料、または、前述の化合物を含む有機材料パターンを形成することと、
上記有機材料パターンの形成領域および上記有機材料パターンの未形成領域に金属材料を付与して、該未形成領域に金属パターンを形成することと、を含む。

【0110】

金属パターニング用材料（化合物）は、金属の付着を抑制したい箇所に成膜して使用する。ここで、金属材料の付着を抑制したい箇所が、有機材料パターンの形成領域に相当する。金属材料の付着を抑制したい箇所以外の箇所が、有機材料パターンの非形成領域に相当する。有機材料パターンの非形成領域が、金属材料の付着を促す領域であって、金属パターンを形成したい箇所である。

【0111】

有機材料パターンの形成方法（成膜方法）としては特に制限はなく、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、ダイコート法、バーコード法、オフセット法、スプレーコート法、インクジェット法、スクリーン法、オフセット法、フレキソ法、グラビア法、マイクロコンタクト法等の公知の方法を適用することができる。また、成膜後に室温よりも高い温度環境下で膜をアニールしてもよい。有機材料パターンの膜厚についても特に制限はない。

【0112】

また、金属パターニング用材料には、膜表面での金属膜の形成を抑制できる範囲で任意に他の有機分子材料や、ポリマーなどを加えてもよい。

【0113】

有機材料パターンを形成する下地は、金属であっても非金属であってもよく、例えば、有機膜、金属膜、酸化物膜、無機膜等が挙げられ、特に制限はない。また、基板の材質も特に制限はなく、ガラス、プラスチック、金属、セラミック、その他あらゆる材料を用いることができる。

【0114】

金属パターニング用材料を用いて、金属パターンを形成する際の金属材料の種類としては、特に限定は無いが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属または周期表第１３族金属等が好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、金、銀、白金、銅、鉄、パラジウム、モリブデン、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、およびクロム、ならびに、これらの金属のうち１種以上を含む合金が挙げられる。合金の例としては、例えば、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、カルシウム－アルミニウム合金等が挙げられる。

【0115】

金属パターンの形成方法としては特に制限はなく、真空蒸着法、スパッタリング法等のドライプロセス；金属ナノインクを用いたインクジェット法等が挙げられる。また、金属パターンの膜厚についても特に制限はない。

【0116】

有機材料パターンの形成領域および有機材料パターンの未形成領域に金属材料を付与することで、瞬間的に双方の領域に金属材料を含む膜が形成されるが、有機材料パターンの形成領域は金属の付着が抑制されるため、自ずと有機材料パターンの未形成領域のみに金属パターンが形成される。

【0117】

金属パターンの形成方法のより具体的な方法としては、例えば、以下の１）～２）に示す方法が挙げられる。
１）上記した金属パターニング用材料をメタルマスク等を使用して、所望のパターンに蒸着成膜する。
２）その後、金属を蒸着することで、金属パターニング用材料が成膜されていない部分のみに電極が形成される。即ち、金属パターニング用材料の成膜パターンに対してネガ型の金属電極が形成される。

【0118】

なお、パターニングされた金属電極の面積や線幅は、金属パターニング用材料のパターニング形状で任意に調整することができる。

【0119】

本実施形態の金属パターニング用材料、化合物、および金属パターンの形成方法によれば、太陽電池、光センサー、イメージセンサー、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、有機太陽電池、有機センサー、有機トランジスタ等の金属電極のパターニングや、回路基板上の金属配線を形成することができる。
≪電子機器≫
本実施形態の電子機器は、前述の金属パターニング用材料、または、前述の化合物を含む。前述したように、金属パターンを形成する際に、金属パターニング用材料、または、化合物を含む有機材料パターンが形成されるため、金属パターンと共に有機材料パターンが形成される。したがって、本実施形態の電子機器は、金属パターンとともに、金属パターニング用材料、または、化合物を含む有機材料パターンを備える。

【0120】

電子機器としては、例えば、太陽電池、光センサー、イメージセンサー、有機ＥＬ素子、有機太陽電池、有機センサー、有機トランジスタ等が挙げられる。これらの電子機器は、金属電極のパターニング、または、回路基板上の金属配線等を備える。換言すると、金属電極のパターニング、または、回路基板上の金属配線を備える電子機器であれば、上述した金属パターンの形成方法を用いて、本態様にかかる電子機器を得ることができる。かかる電子機器は、高精度な金属パターンを有する。

【実施例0121】

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定して解釈されるものではない。
［化合物（Ａ０００９）の合成および金属付着性評価］
実施例１－１ 中間体（ＡＡ－１０１）の合成

【0122】

【化33】

【0123】

窒素雰囲気下、４－ブロモ－２－ヒドロキシアニリン（３．０ｍｍｏｌ）に無水酢酸（３．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で４時間撹拌した。水（３００ｍＬ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄した。５０℃で乾燥後、目的物である中間体（ＡＡ－１０１）を得た（収率９０％）。

【0124】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0125】

ＦＤＭＳ：２２８．９７

実施例１－２ 中間体（ＡＡ－１０２）の合成

【0126】

【化34】

【0127】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－１０１）（３．０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシドに溶解させ、リン酸三カリウム（７．０ｍｍｏｌ）とパーフルオロベンゼン（７．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で８時間攪拌した。析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄した。５０℃で乾燥後、目的物である中間体（ＡＡ－１０２）を得た（収率７０％）。 化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0128】

ＦＤＭＳ：３７４．９５
実施例１－３ 中間体（ＡＡ－１０３）の合成

【0129】

【化35】

【0130】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－１０２）（１１．０ｍｍｏｌ）を濃塩酸（５０ｍｌ）中に懸濁させ、１００℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に飽和重曹水（５００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、メタノール（２００ｍｌ）で洗浄することで中間体（ＡＡ－１０３）を得た（収率８０％）。

【0131】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0132】

ＦＤＭＳ：３３２．９４
実施例１－３ 中間体（ＡＡ－１０４）の合成

【0133】

【化36】

【0134】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－１０３）（５．０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム、および３，３，４，４，５，５，６，６，６―ノナフルオロヘキシル１，１，１―トリフルオロメタンスルホナート（４０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍＬ）中に懸濁させ、５０℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（２００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、ヘキサン（２００ｍｌ）で洗浄し、昇華精製することで白色固体の目的物である化合物（ＡＡ－１０４）を得た（収率７０％）。

【0135】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0136】

ＦＤＭＳ：５９４．９８
実施例１－４ Ａ０００９の合成

【0137】

【化37】

【0138】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－１０４）（５．０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム、水、ＴＨＦおよびテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（４０ｍｍｏｌ）、２，８―ビス（４，４，５，５―テトラメチル-１,３,２―ジオキシボラン－２―イル)-Ｎ－メチルカルバゾールをＴＨＦ（５０ｍＬ）中に懸濁させ、５０℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（２００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、ヘキサン（２００ｍｌ）で洗浄し、昇華精製することで白色固体の目的物である化合物（Ａ０００９）を得た（収率７０％）。

【0139】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0140】

ＦＤＭＳ：１１７９.１４
実施例１－４’ （化合物（Ａ０００９）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ０００９）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ０００９）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された
［化合物（Ａ００１９）の合成および金属付着性評価］
実施例２－１ 中間体（ＡＡ－２０１）の合成

【0141】

【化38】

【0142】

窒素雰囲気下、Ｎ,N‘－ジメチル－［１，１’－ビフェニル］－３,３‘－４，４’－テトラアミン（３．０ｍｍｏｌ）に無水酢酸（３．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で４時間撹拌した。室温まで冷却した後、水（３００ｍＬ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄した。５０℃で乾燥後、目的物である中間体（ＡＡ－２０１）を得た（収率８０％）。

【0143】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0144】

ＦＤＭＳ：３２６
実施例２－２ 中間体（ＡＡ－２０２）の合成

【0145】

【化39】

【0146】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－２０１）（３．０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシドに溶解させ、リン酸三カリウム（７．０ｍｍｏｌ）とパーフルオロベンゼン（７．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で８時間攪拌した。析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄した。５０℃で乾燥後、目的物である中間体（ＡＡ－２０２）を得た（収率５０％）。 化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0147】

ＦＤＭＳ：６１８
実施例２－３ 中間体（ＡＡ－２０３）の合成

【0148】

【化40】

【0149】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－２０２）（１１．０ｍｍｏｌ）を濃塩酸（５０ｍｌ）中に懸濁させ、１００℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に飽和重曹水（５００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、メタノール（２００ｍｌ）で洗浄することで中間体（ＡＡ－２０３）を得た（収率８０％）。

【0150】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0151】

ＦＤＭＳ：５３４
実施例２－４ 化合物（Ａ００１９）の合成

【0152】

【化41】

【0153】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－１０３）（５．０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム、および
３，３，４，４，５，５，６，６，６―ノナフルオロヘキシル１，１，１―トリフルオロメタンスルホナート（４０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍＬ）中に懸濁させ、５０℃で２４時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（２００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、ヘキサン（２００ｍｌ）で洗浄し、昇華精製することで白色固体の目的物である化合物（Ａ００１９）を得た（収率４０％）。

【0154】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0155】

ＦＤＭＳ：１０２６．１３
実施例２－４’ （化合物（Ａ００１９）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ００１９）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ００１９）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された
［化合物（Ａ００２０）の合成および金属付着性評価］
実施例３－１ 中間体（ＡＡ－３０１）の合成

【0156】

【化42】

【0157】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－１０３）（５．０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム、およびノナフルオロ-1-ブタンスルホニルフルオリド（４０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍＬ）中に懸濁させ、５０℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（２００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、ヘキサン（２００ｍｌ）で洗浄し、昇華精製することで白色固体の目的物である化合物（ＡＡ－３０１）を得た（収率７０％）。

【0158】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0159】

ＦＤＭＳ：６１４．８８
実施例３－２ 化合物（Ａ００２０）の合成

【0160】

【化43】

【0161】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－３０１）（５．０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム、およびノナフルオロ-1-ブタンスルホニルフルオリド（４０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍＬ）中に懸濁させ、５０℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（２００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、ヘキサン（２００ｍｌ）で洗浄し、昇華精製することで白色固体の目的物である化合物（Ａ００２０）を得た（収率６０％）。

【0162】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0163】

ＦＤＭＳ：１０９８
実施例３－２’ （化合物（Ａ００２０）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ００２０）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ００２０）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された。
［化合物（Ａ００２４）の合成および金属付着性評価］
実施例４－１ Ａ００２４ の合成

【0164】

【化44】

【0165】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－３０１）（５．０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム、水、ＴＨＦおよびテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（４０ｍｍｏｌ）、２，８―ビス（４，４，５，５―テトラメチル-１,３,２―ジオキシボラン－２―イル)ジベンゾフランをＴＨＦ（５０ｍＬ）中に懸濁させ、５０℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（２００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、ヘキサン（２００ｍｌ）で洗浄し、昇華精製することで白色固体の目的物である化合物（Ａ００２４）を得た（収率７０％）。

【0166】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0167】

ＦＤＭＳ：１２３７．９７
実施例４－１’ （化合物（Ａ００２４）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ００２４）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ００２４）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された。
［化合物（Ａ００３０）の合成および金属付着性評価］
実施例５－１ 中間体（ＡＡ－５０１）の合成

【0168】

【化45】

【0169】

窒素雰囲気下、３，３’－ジヒドロキシベンジジン（３．０ｍｍｏｌ）に無水酢酸（９．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で４時間撹拌した。水（３００ｍＬ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄した。５０℃で乾燥後、目的物である中間体（ＡＡ－５０１）を得た（収率９０％）。

【0170】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0171】

ＦＤＭＳ：３００
実施例５－２ 中間体（ＡＡ－５０２）の合成

【0172】

【化46】

【0173】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－５０１）（３．０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシドに溶解させ、リン酸三カリウム（７．０ｍｍｏｌ）とパーフルオロベンゼン（７．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で８時間攪拌した。析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄した。５０℃で乾燥後、目的物である中間体（ＡＡ－２０２）を得た（収率７０％）。 化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0174】

ＦＤＭＳ：５９２
実施例５－３ 中間体（ＡＡ－５０３）の合成

【0175】

【化47】

【0176】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－５０２）（１１．０ｍｍｏｌ）を濃塩酸（５０ｍｌ）中に懸濁させ、１００℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に飽和重曹水（５００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、メタノール（２００ｍｌ）で洗浄することで中間体（ＡＡ－５０３）を得た（収率８０％）。

【0177】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0178】

ＦＤＭＳ：５０８
実施例５－４ 化合物（Ａ００３０）の合成

【0179】

【化48】

【0180】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－５０３）（５．０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム、およびノナフルオロ-1-ブタンスルホニルフルオリド（４０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍＬ）中に懸濁させ、５０℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（２００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、ヘキサン（２００ｍｌ）で洗浄し、昇華精製することで白色固体の目的物である化合物（Ａ００３０）を得た（収率７０％）。

【0181】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0182】

ＦＤＭＳ：１０７２
実施例５－４’ （化合物（Ａ００３０）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ００３０）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ００３０）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された。
［化合物（Ａ００４０）の合成および金属付着性評価］
実施例６－１ 中間体（ＡＡ－６０１）の合成

【0183】

【化49】

【0184】

窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（６．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）中に懸濁させ０℃で撹拌し、その懸濁液に中間体（ＡＡ－２０３）（５．０ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。滴下終了後、室温に戻して２時間攪拌した。さらに、その懸濁液に塩化シアヌル（１２．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（２０ｍｌ）を０℃で２０分かけて滴下した。滴下終了後、６０℃で５時間攪拌した。室温まで放冷後、純水とクロロホルムを用いて分液し、さらに有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層は無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固することで、白色固体の目的物である中間体（ＡＡ－６０１）を得た（収率６７％）。
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
ＦＤＭＳ：８２８
実施例６－２ 化合物（Ａ００４０）の合成

【0185】

【化50】

【0186】

窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（６．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）中に懸濁させ０℃で撹拌し、その懸濁液に１Ｈ、１Ｈ－ノナフルオロ－１－ペンタノール（５．０ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。滴下終了後、室温に戻して２時間攪拌した。さらに、その懸濁液に中間体（ＡＡ－６０１）（６．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）を０℃で２０分かけて滴下した。滴下終了後、６０℃で５時間攪拌した。室温まで放冷後、純水とクロロホルムを用いて分液し、さらに有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層は無水硫酸マグネシウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、白色固体の目的物である化合物（Ａ００４０）を得た（収率８５％）。
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
ＦＤＭＳ：１６８４
実施例６－２’ （化合物（Ａ００４０）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ００４０）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ００４０）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された。
［化合物（Ａ００４３）の合成および金属付着性評価］
実施例７－１ 中間体（ＡＡ－７０１）の合成

【0187】

【化51】

【0188】

窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（６．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）中に懸濁させ０℃で撹拌し、その懸濁液に中間体（ＡＡ－１０３）（５．０ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。滴下終了後、室温に戻して２時間攪拌した。さらに、その懸濁液に塩化シアヌル（１２．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（２０ｍｌ）を０℃で２０分かけて滴下した。滴下終了後、６０℃で５時間攪拌した。室温まで放冷後、純水とクロロホルムを用いて分液し、さらに有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層は無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固することで、白色固体の目的物である中間体（ＡＡ－７０１）を得た（収率９０％）。
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
ＦＤＭＳ：４７９.８８

実施例７－２ 中間単（ＡＡ－７０２）の合成

【0189】

【化52】

【0190】

窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（６．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）中に懸濁させ０℃で撹拌し、その懸濁液に１Ｈ、１Ｈ－ノナフルオロ－１－ペンタノール（５．０ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。滴下終了後、室温に戻して２時間攪拌した。さらに、その懸濁液に中間体（ＡＡ－７０１）（６．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）を０℃で２０分かけて滴下した。滴下終了後、６０℃で５時間攪拌した。室温まで放冷後、純水とクロロホルムを用いて分液し、さらに有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層は無水硫酸マグネシウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、白色固体の中間体（ＡＡ－７０２）を得た（収率７２％）。
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
ＦＤＭＳ：９３５．９７

実施例７－３ 中間単（ＡＡ－７０３）の合成

【0191】

【化53】

【0192】

窒素雰囲気下、マグネシウム（１０．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）中に懸濁させ７０℃で撹拌し、その懸濁液に中間体（ＡＡ－７０２）（７．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（１００ｍＬ）を２０分かけて滴下した。さらに、その懸濁液に塩化シアヌル（３．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）を０℃で２０分かけて滴下した。滴下終了後、６０℃で５時間攪拌した。室温まで放冷後、純水とクロロホルムを用いて分液し、さらに有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層は無水硫酸マグネシウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、白色固体の中間体（ＡＡ－７０３）を得た（収率４０％）。
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
ＦＤＭＳ：１７７１．０１

実施例７－４ 化合物Ａ００４３の合成

【0193】

【化54】

【0194】

窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（６．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）中に懸濁させ０℃で撹拌し、その懸濁液にのビス（トリフルオロエチル）アミン（６．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（１００ｍＬ）を２０分かけて滴下した。さらに、その懸濁液に中間体（ＡＡ－７０３）（５．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（１０ｍｌ）を０℃で２０分かけて滴下した。滴下終了後、６０℃で５時間攪拌した。室温まで放冷後、純水とクロロホルムを用いて分液し、さらに有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層は無水硫酸マグネシウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、白色固体の化合物Ａ００４３を得た（収率７２％）。
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
ＦＤＭＳ：１９１６．０７
実施例７－４’ （化合物（Ａ００４３）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ００４３）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ００４３）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された。
［化合物（Ａ００５０）の合成および金属付着性評価］
実施例８－１ 化合物（ＡＡ－００５０）の合成

【0195】

【化55】

【0196】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－２０３）（３．０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシドに溶解させ、リン酸三カリウム（７．０ｍｍｏｌ）とパーフルオロトルエン（２０ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で８時間攪拌した。水を２００ｍｌ加え、析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄した。５０℃で乾燥後、目的物である化合物（Ａ００５０）を得た（収率８７％）。 化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0197】

ＦＤＭＳ：９６６.０７
実施例８－１’ （化合物（Ａ００５０）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ００５０）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ００５０）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された。
［化合物（Ａ００６１）の合成および金属付着性評価］
実施例９－１ 化合物（ＡＡ－００６１）の合成

【0198】

【化56】

【0199】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－５０３）（３．０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシドに溶解させ、リン酸三カリウム（７．０ｍｍｏｌ）とパーフルオロトルエン（２０ｍｍｏｌ）を加え、１２０℃で８時間攪拌した。析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄した。５０℃で乾燥後、目的物である化合物（ＡＡ－００６１）を得た（収率７０％）。 化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0200】

ＦＤＭＳ：９４０
実施例９－１’ （化合物（Ａ００６１）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ００６１）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ００６１）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された

［化合物（Ａ００６２）の合成および金属付着性評価］
実施例１０－１ 化合物（ＡＡ－００６２）の合成

【0201】

【化57】

【0202】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－５０３）（３．０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシドに溶解させ、リン酸三カリウム（７．０ｍｍｏｌ）とパーフルオロベンゼン（２０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で８時間攪拌した。析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄した。５０℃で乾燥後、目的物である化合物（ＡＡ－００６２）を得た（収率６７％）。 化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0203】

ＦＤＭＳ：８４０．０１
実施例１０－１’ （化合物（Ａ００６２）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ００６２）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ００６２）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された

［化合物（Ａ０１２１）の合成および金属付着性評価］
実施例１１－１ 化合物（ＡＡ－０１２１）の合成

【0204】

【化58】

【0205】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－５０３）（３．０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシドに溶解させ、リン酸三カリウム（７．０ｍｍｏｌ）とトリクロロピリミジン（６．４ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で８時間攪拌した。さらに１Ｈ，１Ｈ、９Ｈ―ヘキサデカフルオロ-１－ノナノール（２４ｍｍｏｌ）を加え、さらに８０℃で８時間攪拌した。反応終了後、水を加え、析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄した。５０℃で乾燥後、目的物である化合物（ＡＡ－００６２）を得た（収率６７％）。 化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0206】

ＦＤＭＳ：２３８４．０３
実施例１１－１’ （化合物（Ａ０１２１）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ０１２１）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ０１２１）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された

実施例１２－１ 化合物（Ａ０１３１）の合成

【0207】

【化59】

【0208】

窒素雰囲気下、中間体（ＡＡ－５０３）（５．０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム、およびパーフルオロピリジン（２０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍＬ）中に懸濁させ、７０℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（２００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、ヘキサン（２００ｍｌ）で洗浄し、昇華精製することで白色固体の目的物である化合物（Ａ０１３１）を得た（収率８０％）。

【0209】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0210】

ＦＤＭＳ：８０６．０２
実施例１２－１’ （化合物（Ａ０１３１）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ０１３１）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ０１３１）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された。
実施例１３－１ 化合物（Ａ０１３４）の合成

【0211】

【化60】

【0212】

窒素雰囲気下、Ａ０１３１（５．０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム、およびジフルオロエタノール（２０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍＬ）中に懸濁させ、７０℃で１２時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（２００ｍｌ）を加え、室温で３０分攪拌した。析出した固体をろ取し、エタノール（２００ｍｌ）で洗浄し、昇華精製することで白色固体の目的物である化合物（Ａ０１３４）を得た（収率９０％）。

【0213】

化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。

【0214】

ＦＤＭＳ：１０５４．０９
実施例１３－１’ （化合物（Ａ０１３４）の金属付着性評価）
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。開口部が２０ｍｍ×１０ｍｍのメタルマスクを配置したガラス基板上に化合物（Ａ０１３４）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で１００ｎｍ成膜した。その後、メタルマスクを取り除き、イッテルビウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で２ｎｍ蒸着し、その後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ蒸着した。化合物（Ａ０１３４）が蒸着されている部分にイッテルビウム、及び銀は成膜されず、２０ｍｍ×１０ｍｍ透明な領域が形成された。
比較例１４－１’ （比較化合物（Ｘ０００１）の金属付着性評価）

【0215】

【化61】

【0216】

実施例１－４’と同様の方法で、化合物（Ｘ０００１）に対する金属の付着性を評価した。化合物（Ｘ００１）の膜上にもイッテルビウム、及び銀が成膜され、透明な領域は形成されなかった。
比較例１５－１’ （比較化合物（Ｘ０００２）の金属付着性評価）

【0217】

【化62】

【0218】

実施例１－４’と同様の方法で、化合物（Ｘ０００２）に対する金属の付着性を評価した。化合物（Ｘ０００２）の膜上にもイッテルビウム、及び銀が成膜され、透明な領域は形成されなかった。
比較例１６－１’ （比較化合物（Ｘ０００３）の金属付着性評価）

【0219】

【化63】

【0220】

実施例１－４’と同様の方法で、化合物（Ｘ０００３）に対する金属の付着性を評価した。化合物（Ｘ０００３）の膜上にもイッテルビウム、及び銀が成膜され、透明な領域は形成されなかった。
比較例１７－１’ （比較化合物（Ｘ０００４）の金属付着性評価）

【0221】

【化64】

【0222】

実施例１－４’と同様の方法で、化合物（Ｘ０００４）に対する金属の付着性を評価した。化合物（Ｘ０００４）の膜上にもイッテルビウム、及び銀が成膜され、透明な領域は形成されなかった。
比較例１８－１’ （比較化合物（Ｘ０００５）の金属付着性評価）

【0223】

【化65】

【0224】

実施例１－４’と同様の方法で、化合物（Ｘ０００５）に対する金属の付着性を評価した。化合物（Ｘ０００５）の膜上にもイッテルビウム、及び銀が成膜され、透明な領域は形成されなかった。
≪透過率測定≫
金属付着性は透過率測定によって評価が可能であり、金属が付着すると透過率は低下する。また、付着量が多くなるとそれに相関して透過率も低くなる。
１－１.化合物を含む金属パターニング材料
実施例１－４” 化合物（Ａ０００９）の透過率測定
ガラス基板をイソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行い、さらに紫外線オゾン洗浄した後に、真空蒸着装置へ設置し、１．０×１０^－４Ｐａ以下になるまで真空ポンプにて排気した。ガラス基板上に金属パターニング材料である化合物（Ａ０００９）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２０ｎｍ成膜した。透過率測定の結果を図１Ａに示す。さらに化合物（Ａ０００９）の薄膜上に、銀とマグネシウム（１：１）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で１０ｎｍ蒸着した。透過率測定の結果を図１Ｂに示す。図１Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧８０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例２－４” 化合物（Ａ００１９）の透過率測定
実施例２－４”と同様の方法で、化合物（Ａ００１９）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図２Ａおよび図２Ｂに示す。

【0225】

図２Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧９０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例３－２” 化合物（Ａ００２０）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ００２０）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図３Ａおよび図３Ｂに示す。

【0226】

図３Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧８０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例４－１” 化合物（Ａ００２４）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ００２４）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図４Ａおよび図４Ｂに示す。

【0227】

図４Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧９０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例５－４” 化合物（Ａ００３０）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ００３０）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図５Ａおよび図５Ｂに示す。

【0228】

図５Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧９０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例６－２” 化合物（Ａ００４０）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ００６０）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図６Ａおよび図６Ｂに示す。

【0229】

図６Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧６０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例７－４” 化合物（Ａ００４３）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ００４３）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図７Ａおよび図７Ｂに示す。

【0230】

図７Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧７０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例８－１” 化合物（Ａ００５０）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ００５０）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図８Ａおよび図８Ｂに示す。

【0231】

図８Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧７０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例９－１” 化合物（Ａ００６１）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ００６１）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図９Ａおよび図９Ｂに示す。

【0232】

図９Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧６０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例１０－１” 化合物（Ａ００６２）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ００６２）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図１０Ａおよび図１０Ｂに示す。

【0233】

図１０Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧７０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例１１－１” 化合物（Ａ０１２１）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ０１２１）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図１１Ａおよび図１１Ｂに示す。

【0234】

図１１Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧６０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例１２－１” 化合物（Ａ０１３１）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ０１３１）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図１２Ａおよび図１２Ｂに示す。

【0235】

図１２Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧８０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
実施例１３－１” 化合物（Ａ０１３４）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ａ０１３４）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図１３Ａおよび図１３Ｂに示す。

【0236】

図１３Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧９０％」であり、金属膜の形成が抑制されていた。
比較例１４－１” 化合物（Ｘ０００１）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ｘ０００１）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図１４Ａおよび図１４Ｂに示す。

【0237】

図１４Ｂにおいて、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧４０％」であり、金属膜の形成を抑制できなかった。
比較例１５－１” 化合物（Ｘ０００２）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ｘ０００２）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図１５Ａおよび図１５Ｂに示す。

【0238】

図１５において、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧３０％」であり、金属膜の形成を抑制できなかった。
比較例１６－１” 化合物（Ｘ０００３）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ｘ０００３）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図１６Ａおよび図１６Ｂに示す。

【0239】

図１５において、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧４０％」であり、金属膜の形成を抑制できなかった。
比較例１７－１” 化合物（Ｘ０００４）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ｘ０００４）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図１７Ａおよび図１７Ｂに示す。

【0240】

図１５において、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧４０％」であり、金属膜の形成を抑制できなかった。
比較例１８－１” 化合物（Ｘ０００５）の透過率測定
実施例１－３”と同様の方法で、化合物（Ｘ０００５）の透過率を測定した。金属蒸着前および金属蒸着後の透過率測定の結果を、それぞれ図１８Ａおよび図１８Ｂに示す。

【0241】

図１５において、金属蒸着後の５５０～８００ｎｍの透過率は「≧３０％」であり、金属膜の形成を抑制できなかった。

【0242】

上記各化合物の透過率測定の結果を下記表１－１にまとめた。

【0243】

【表1-1】

【0244】

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図8A】

【図8B】

【図9A】

【図9B】

【図10A】

【図10B】

【図11A】

【図11B】

【図12A】

【図12B】

【図13A】

【図13B】

【図14A】

【図14B】

【図15A】

【図15B】

【図16A】

【図16B】

【図17A】

【図17B】

【図18A】

【図18B】