特開2025-160271バックサイド相互接続構造を備える３次元メモリデバイス

発明の名称　バックサイド相互接続構造を備える３次元メモリデバイス

出願人　長江存儲科技有限責任公司　（識別番号 519237948）

　　　　特許公開件数ランキング 501 位（16件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 477 位（14件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2025-160271

公報発行日　2025年10月22

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2025-160271

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