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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7588206 | メモリ及びメモリをプログラムする方法 | 2024年11月21日 | |
特許 7585362 | 三次元メモリのためのコンタクト構造 | 2024年11月18日 | |
特許 7584615 | メモリデバイスおよびその消去動作 | 2024年11月15日 | |
特許 7577183 | メモリデバイスの読み出し動作におけるオープンブロックベースの読み出しオフセット補償 | 2024年11月 1日 | |
特許 7575496 | 3次元メモリおよびその制御方法 | 2024年10月29日 | |
特許 7573537 | 再構成可能電圧レギュレータ | 2024年10月25日 | |
特許 7566944 | メモリデバイスおよびその形成方法 | 2024年10月15日 | |
特許 7565933 | 新規なシリコン貫通コンタクト構造およびそれを形成する方法 | 2024年10月11日 | |
特許 7566052 | 半導体ウエハを処理する方法 | 2024年10月11日 | |
特許 7547514 | 半導体デバイス用パッド構造 | 2024年 9月 9日 | |
特許 7546703 | 基板内の埋め込み停止層を利用して三次元半導体デバイスを製作するための方法 | 2024年 9月 6日 | |
特許 7542659 | 三次元メモリデバイスのコンタクトパッドおよびその製造方法 | 2024年 8月30日 | |
特許 7542049 | 半導体デバイス | 2024年 8月29日 | |
特許 7541156 | 不揮発性メモリデバイスおよび制御方法 | 2024年 8月27日 | |
特許 7539901 | プログラマブルロジックデバイスおよび異種メモリを有するユニファイド半導体デバイス、および、それを形成するための方法 | 2024年 8月26日 |
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7588206 7585362 7584615 7577183 7575496 7573537 7566944 7565933 7566052 7547514 7546703 7542659 7542049 7541156 7539901
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12月1日(日) -
12月1日(日) -
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