特開2025-169953３次元メモリデバイスにおける階段構造の形成

発明の名称　３次元メモリデバイスにおける階段構造の形成

出願人　長江存儲科技有限責任公司　（識別番号 519237948）

　　　　特許公開件数ランキング 432 位（63件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 431 位（54件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2025-169953

公報発行日　2025年11月14

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2025-169953

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