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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025019799
(43)【公開日】2025-02-07
(54)【発明の名称】半導体加工用テープ
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20250131BHJP
C09J 7/30 20180101ALI20250131BHJP
C09J 163/00 20060101ALI20250131BHJP
C09J 7/38 20180101ALI20250131BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20250131BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 M
C09J7/30
C09J163/00
C09J7/38
H01L21/68 N
【審査請求】有
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023123624
(22)【出願日】2023-07-28
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2024-10-16
(71)【出願人】
【識別番号】000005290
【氏名又は名称】古河電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002631
【氏名又は名称】弁理士法人クオリオ
(74)【代理人】
【識別番号】100161469
【弁理士】
【氏名又は名称】赤羽 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100198328
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 幸恵
(72)【発明者】
【氏名】土屋 貴徳
(72)【発明者】
【氏名】石黒 邦彦
【テーマコード（参考）】
4J004
4J040
5F063
5F131
【Ｆターム（参考）】
4J004AA10
4J004AA13
4J004AB01
4J004DB02
4J004FA05
4J040EC001
4J040EE061
4J040JB09
4J040NA20
5F063AA18
5F063EE13
5F063EE18
5F063EE43
5F063EE44
5F131AA02
5F131BA53
5F131CA32
5F131EC33
5F131EC35
5F131EC44
5F131EC53
5F131EC54
5F131EC55
5F131EC63
5F131EC68
5F131EC69
(57)【要約】 （修正有）
【課題】半導体ウエハ及びリングフレームへの貼り付けの際に、貼り付け不良の生じにくい、半導体加工用テープを提供する。
【解決手段】基材２１と基材２１に接する粘着剤層２２との積層体からなるダイシングフィルム２と、粘着剤層２２に接する接着剤層３と、接着剤層３に接する剥離フィルム４と、を有する積層構造を有する半導体加工用テープ１であって、ダイシングフィルム２の面積が接着剤層３の面積よりも大きく、接着剤層３のダイシングフィルム２側の面全体がダイシングフィルム２に接し、かつ、剥離フィルム４の面積が接着剤層３の面積よりも大きく、接着剤層３の剥離フィルム４側の面全体が剥離フィルム４に接し、剥離フィルム４は接着剤層３のプリカット加工に伴う接着剤層３の周囲に沿った切り込み５を有さないか又は切り込みを有する場合は該切り込みの深さが２５μｍ以下である。
【選択図】図１
【解決手段】基材２１と基材２１に接する粘着剤層２２との積層体からなるダイシングフィルム２と、粘着剤層２２に接する接着剤層３と、接着剤層３に接する剥離フィルム４と、を有する積層構造を有する半導体加工用テープ１であって、ダイシングフィルム２の面積が接着剤層３の面積よりも大きく、接着剤層３のダイシングフィルム２側の面全体がダイシングフィルム２に接し、かつ、剥離フィルム４の面積が接着剤層３の面積よりも大きく、接着剤層３の剥離フィルム４側の面全体が剥離フィルム４に接し、剥離フィルム４は接着剤層３のプリカット加工に伴う接着剤層３の周囲に沿った切り込み５を有さないか又は切り込みを有する場合は該切り込みの深さが２５μｍ以下である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材と該基材に接する粘着剤層との積層体からなるダイシングフィルムと、該粘着剤層に接する接着剤層と、該接着剤層に接する剥離フィルムとを有する積層体からなる半導体加工用テープであって、
前記ダイシングフィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の前記ダイシングフィルム側の面全体が前記ダイシングフィルムに接し、かつ、前記剥離フィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の剥離フィルム側の面全体が前記剥離フィルムに接し、
前記剥離フィルムは前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有さず、又は、該切り込みを有する場合は該切り込みの深さが２５μｍ以下である、半導体加工用テープ。
前記ダイシングフィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の前記ダイシングフィルム側の面全体が前記ダイシングフィルムに接し、かつ、前記剥離フィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の剥離フィルム側の面全体が前記剥離フィルムに接し、
前記剥離フィルムは前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有さず、又は、該切り込みを有する場合は該切り込みの深さが２５μｍ以下である、半導体加工用テープ。
【請求項2】
前記接着剤層の厚みが１～２００μｍである請求項１に記載の半導体加工用テープ。
【請求項3】
前記切り込みの深さが５μｍ以下である、請求項１又は２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項4】
前記剥離フィルムが前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有しない、請求項１又は２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項5】
前記接着剤層がエポキシ樹脂及びフェノキシ樹脂を含有する、請求項１又は２に記載の半導体加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体加工用テープに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体ウエハの加工用テープとして、粘着剤層と基材とを有するダイシングフィルムに接着剤層を積層した半導体加工用テープが知られている。この半導体加工用テープは、通常、以下のようにして用いられる。半導体加工用テープの接着剤層の一方の面を半導体ウエハに貼り付け、接着剤層の反対側に貼合されたダイシングフィルムを土台として半導体ウエハを接着剤層ごと個別化（ダイシング）して半導体チップとする。ダイボンダー装置上のピックアップコレットを用いてダイシングフィルムから半導体チップを接着剤層ごと剥離（ピックアップ）し、次いで半導体チップを配線基板上に熱圧着（ダイアタッチ）することにより、接着剤層を介して半導体チップを配線基板上に搭載する。ダイシングフィルムと接着剤層とを有する半導体加工用テープは、ダイシングダイアタッチフィルムとも称されている。
【0003】
このような半導体加工用テープは、半導体ウエハへの貼り付け及びダイシングの際のリングフレームへの取り付けにおける作業効率を高めるなどの観点から、ダイシングフィルムや接着剤層等は、予め所望の面積にプリカット加工された形態で供給されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】国際公開第２０１９／２３００３６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
プリカット加工された半導体加工用テープの一例を図２に示す。図２（Ａ）は、プリカット加工された半導体加工用テープの平面図であり、図２（Ｂ）は半導体加工用テープの積層構造を示すＡ－Ａ線断面図である。
半導体加工用テープ１は、ダイシングフィルム２と、ダイシングフィルム２に接する接着剤層３と、接着剤層３に接する剥離フィルム４とを有する積層体からなる。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）においては省略しているが、ダイシングフィルム２は、粘着剤層及び基材を有する積層体であることが一般的であり、このような半導体加工用テープでは、粘着剤層と接着剤層とが接して配される。
図２（Ａ）において、ダイシングフィルム２は、プリカット加工により、リングフレームの形状に対応する円形部（ラベル部）２ａと周辺部２ｂとに区分されている。円形部２ａと周辺部２ｂとの間のダイシングフィルム２が配されていない部分においては、剥離フィルム４が露出している。
図２（Ａ）では、接着剤層３も、プリカット加工により、半導体ウエハの形状に対応する円形とされている。接着剤層３の形状は、ダイシングフィルム２の円形部２ａと中心が同一であり、円形部２ａよりも小さい直径の円形となっている。ダイシングフィルム２は、接着剤層３を覆い、接着剤層３の周囲において、剥離フィルム４に接している。剥離フィルム４の接着剤層３と反対側の面には、支持テープ６が２カ所に配されている。
半導体加工用テープ１は、ダイシングフィルム２と、ダイシングフィルム２に接する接着剤層３と、接着剤層３に接する剥離フィルム４とを有する積層体からなる。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）においては省略しているが、ダイシングフィルム２は、粘着剤層及び基材を有する積層体であることが一般的であり、このような半導体加工用テープでは、粘着剤層と接着剤層とが接して配される。
図２（Ａ）において、ダイシングフィルム２は、プリカット加工により、リングフレームの形状に対応する円形部（ラベル部）２ａと周辺部２ｂとに区分されている。円形部２ａと周辺部２ｂとの間のダイシングフィルム２が配されていない部分においては、剥離フィルム４が露出している。
図２（Ａ）では、接着剤層３も、プリカット加工により、半導体ウエハの形状に対応する円形とされている。接着剤層３の形状は、ダイシングフィルム２の円形部２ａと中心が同一であり、円形部２ａよりも小さい直径の円形となっている。ダイシングフィルム２は、接着剤層３を覆い、接着剤層３の周囲において、剥離フィルム４に接している。剥離フィルム４の接着剤層３と反対側の面には、支持テープ６が２カ所に配されている。
【0006】
上述の通り、半導体加工用テープ１の接着剤層３は、半導体ウエハのダイシングに先立って、半導体ウエハに貼り付けられる。半導体ウエハへの貼り付けの一実施形態（テープ貼り付け装置を使用する形態）について図３を参照しながら説明する。
半導体加工用テープ１は、リングフレームＲ及び半導体ウエハＷが吸着支持されたステージ１００上に搬送され（図３（Ａ））、剥離フィルム４を剥がして得られる、ダイシングフィルム２と接着剤層３との積層体がこれらに貼り合わされる。具体的には、テープ貼り付け装置のベロ出し治具ｔの先端で剥離フィルム４を急角度で折り返し半導体加工用テープ１を剥離フィルム４と共に示す矢印方向に搬送しながらステージ１００を図の右側に移動する。これにより、積層体の端部が剥離フィルム４から剥離されて前方に押し出される。（上記のように積層体の端部を剥離フィルムから剥離して浮き上がらせて剥離の起点とする操作を「ベロ出し（先端出し）」という。）押し出された積層体の先端を貼合ロールｒで押し付けて、積層体をリングフレームＲに貼合し（図３（Ｂ））、さらに半導体ウエハＷに貼合する（図３（Ｃ）及び（Ｄ））。このようにして、接着剤層３が半導体ウエハＷ全体に貼合され、接着剤層３に比較して面積の大きいダイシングフィルム２がリングフレームＲに貼合される。
半導体加工用テープ１は、リングフレームＲ及び半導体ウエハＷが吸着支持されたステージ１００上に搬送され（図３（Ａ））、剥離フィルム４を剥がして得られる、ダイシングフィルム２と接着剤層３との積層体がこれらに貼り合わされる。具体的には、テープ貼り付け装置のベロ出し治具ｔの先端で剥離フィルム４を急角度で折り返し半導体加工用テープ１を剥離フィルム４と共に示す矢印方向に搬送しながらステージ１００を図の右側に移動する。これにより、積層体の端部が剥離フィルム４から剥離されて前方に押し出される。（上記のように積層体の端部を剥離フィルムから剥離して浮き上がらせて剥離の起点とする操作を「ベロ出し（先端出し）」という。）押し出された積層体の先端を貼合ロールｒで押し付けて、積層体をリングフレームＲに貼合し（図３（Ｂ））、さらに半導体ウエハＷに貼合する（図３（Ｃ）及び（Ｄ））。このようにして、接着剤層３が半導体ウエハＷ全体に貼合され、接着剤層３に比較して面積の大きいダイシングフィルム２がリングフレームＲに貼合される。
【0007】
本発明者らが検討したところ、上記のようなテープ貼り付け装置を用いた貼り付けの際に、接着剤層３が剥がれたり、接着剤層３の先端部においてシワが生じたりする貼り付け不良が生じる場合があることが分かってきた。具体的には、図３（Ｂ）の状態では、積層体の端部において、接着剤層３はダイシングフィルム２に追従すべきところ、図４（Ａ）に示すように剥離フィルム４に追従してしまい、結果、接着剤層３がダイシングフィルム２から剥離してしまう不良が生じたり、図４（Ｂ）に示すように積層体の端部が剥離フィルム４からスムースに剥離されず、端部にしわを生じた状態で半導体ウエハに貼合されてしまう不良が生じたりすることが分かってきた。このような貼り付け不良が生じた場合、半導体ウエハを半導体加工用テープごと廃棄せざるを得ない。
【0008】
本発明は、半導体ウエハ及びリングフレームへの貼り付けの際に、貼り付け不良の生じにくい、半導体加工用テープを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の上記課題は下記の手段により解決される。
〔１〕
基材と該基材に接する粘着剤層との積層体からなるダイシングフィルムと、該粘着剤層に接する接着剤層と、該接着剤層に接する剥離フィルムとを有する積層体からなる半導体加工用テープであって、
前記ダイシングフィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の前記ダイシングフィルム側の面全体が前記ダイシングフィルムに接し、かつ、前記剥離フィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の剥離フィルム側の面全体が前記剥離フィルムに接し、
前記剥離フィルムは前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有さず、又は、該切り込みを有する場合は該切り込みの深さが２５μｍ以下である、半導体加工用テープ。
〔２〕
前記接着剤層の厚みが１～２００μｍである〔１〕に記載の半導体加工用テープ。
〔３〕
前記切り込みの深さが５μｍ以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の半導体加工用テープ。
〔４〕
前記剥離フィルムが前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有しない、〔１〕～〔３〕のいずれか１つに記載の半導体加工用テープ。
〔５〕
前記接着剤層がエポキシ樹脂及びフェノキシ樹脂を含有する、〔１〕～〔４〕のいずれか１つに記載の半導体加工用テープ。
〔１〕
基材と該基材に接する粘着剤層との積層体からなるダイシングフィルムと、該粘着剤層に接する接着剤層と、該接着剤層に接する剥離フィルムとを有する積層体からなる半導体加工用テープであって、
前記ダイシングフィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の前記ダイシングフィルム側の面全体が前記ダイシングフィルムに接し、かつ、前記剥離フィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の剥離フィルム側の面全体が前記剥離フィルムに接し、
前記剥離フィルムは前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有さず、又は、該切り込みを有する場合は該切り込みの深さが２５μｍ以下である、半導体加工用テープ。
〔２〕
前記接着剤層の厚みが１～２００μｍである〔１〕に記載の半導体加工用テープ。
〔３〕
前記切り込みの深さが５μｍ以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の半導体加工用テープ。
〔４〕
前記剥離フィルムが前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有しない、〔１〕～〔３〕のいずれか１つに記載の半導体加工用テープ。
〔５〕
前記接着剤層がエポキシ樹脂及びフェノキシ樹脂を含有する、〔１〕～〔４〕のいずれか１つに記載の半導体加工用テープ。
【0010】
本発明において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
【発明の効果】
【0011】
本発明の半導体加工用テープは、半導体ウエハ及びリングフレームへの貼り付けの際に、貼り付け不良を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
［半導体加工用テープ］
本発明の半導体加工用テープは、基材と該基材に接する粘着剤層との積層体からなるダイシングフィルムと、粘着剤層に接する接着剤層と、接着剤層に接する剥離フィルムとを有する積層体からなる。この半導体加工用テープにおいて、上記ダイシングフィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の前記ダイシングフィルム側の面全体が前記ダイシングフィルムに接し、かつ、前記剥離フィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の剥離フィルム側の面全体が前記剥離フィルムに接している。前記剥離フィルムは前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有さず、又は、該切り込みを有する場合は該切り込みの深さが２５μｍ以下である。
本発明の半導体加工用テープは、基材と該基材に接する粘着剤層との積層体からなるダイシングフィルムと、粘着剤層に接する接着剤層と、接着剤層に接する剥離フィルムとを有する積層体からなる。この半導体加工用テープにおいて、上記ダイシングフィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の前記ダイシングフィルム側の面全体が前記ダイシングフィルムに接し、かつ、前記剥離フィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の剥離フィルム側の面全体が前記剥離フィルムに接している。前記剥離フィルムは前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有さず、又は、該切り込みを有する場合は該切り込みの深さが２５μｍ以下である。
【0014】
本発明の半導体加工用テープは、剥離フィルムを剥離して、ダイシングフィルム及び接着剤層の積層体を被着体に貼合する際に、接着剤層が剥離フィルムの側に追従してダイシングフィルムから接着剤層が剥離したり、シワなどの不良を生じたりすることを効果的に抑制することができる。
【0015】
本発明において、「接着剤層のプリカット加工」とは、半導体加工用テープの製造過程において、接着剤層を所望の形状とするために行われる切断加工を意味する。このプリカット加工は、通常、剥離フィルム上に形成された接着剤層を押切刃等により所望の形状に切断することにより行われる。切断により得られた所望形状の接着剤層以外の接着剤層部分は剥離して除去される。プリカット加工に当たり、接着剤層を確実に切断する観点から、接着剤層のみならず剥離フィルムに対しても一定の深さまで切り込みを入れるのが通常である。このため、接着剤層のプリカット加工により、剥離フィルムにも、接着剤層の周囲に沿って切り込みが生じる。
【0016】
本発明において、ダイシングフィルムもプリカット加工されていることが好ましい。
ダイシングフィルムのプリカット加工を行う場合は、接着剤層の場合と同様に、剥離フィルムには、プリカット加工に伴うダイシングフィルムの周囲に沿った切り込みが形成される。しかし、このプリカット加工に伴う切り込みが形成されたとしても、ダイシングフィルムの端部においては、基材に十分な厚みがあるため、接着剤層の場合のような貼り付け不良は生じにくいものである。
ダイシングフィルムのプリカット加工を行う場合は、接着剤層の場合と同様に、剥離フィルムには、プリカット加工に伴うダイシングフィルムの周囲に沿った切り込みが形成される。しかし、このプリカット加工に伴う切り込みが形成されたとしても、ダイシングフィルムの端部においては、基材に十分な厚みがあるため、接着剤層の場合のような貼り付け不良は生じにくいものである。
【0017】
本発明の半導体加工用テープの好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明するが、本発明は、本発明で規定すること以外は、下記で説明する実施形態に限定されるものではない。
図１は、本発明の半導体加工用テープ１の使用前の積層構造の一実施形態の概要を示す断面図である。また、本実施形態の半導体加工用テープ１の各部材の形状及び配置は、図２に示す一般的な半導体加工用テープ１と同様とすることができる。
本実施形態の半導体加工用テープ１は、図１に示すように、基材２１と粘着剤層２２との積層体からなるダイシングフィルム２と、粘着剤層２２に接する接着剤層３と、接着剤層３に接する剥離フィルム４とを有する積層体からなる。
図１は、本発明の半導体加工用テープ１の使用前の積層構造の一実施形態の概要を示す断面図である。また、本実施形態の半導体加工用テープ１の各部材の形状及び配置は、図２に示す一般的な半導体加工用テープ１と同様とすることができる。
本実施形態の半導体加工用テープ１は、図１に示すように、基材２１と粘着剤層２２との積層体からなるダイシングフィルム２と、粘着剤層２２に接する接着剤層３と、接着剤層３に接する剥離フィルム４とを有する積層体からなる。
【0018】
本実施形態のダイシングフィルム２は、図２（Ａ）に示すように、ダイシングフィルム２を平面視した場合に、リングフレームに対応する形状を含むラベル部（図２においては、円形に描かれた２ａ）とその外側に形成されている周辺部（図２における２ｂ）とに区画されている。本実施形態では、周辺部２ｂが形成されているが、周辺部２ｂは形成せずに、ラベル部２ａのみとしてもよい。本発明において、「ダイシングフィルムの面積」は、ダイシングフィルム２を平面視した場合のこのラベル部２ａの面積を意味し、周辺部２ｂの面積は含まない意味である。ダイシングフィルム２の面積は、リングフレームに貼合可能な面積とされていればよい。また、「ダイシングフィルム２の形状」はダイシングフィルム２を平面視した場合のラベル部２ａの形状を意味する。ダイシングフィルム２の形状は、リングフレームの開口部を覆うことができる限り特に制限されず、円形状であることが好ましい。
本実施形態において、ダイシングフィルム２は、プリカット加工により一部が切断され、除去されており、この部分では剥離フィルム４が露出している。本実施形態では、このように剥離フィルム４の露出部が形成されているが、露出部は形成されていなくてもよい。
本実施形態において、ダイシングフィルム２は、プリカット加工により一部が切断され、除去されており、この部分では剥離フィルム４が露出している。本実施形態では、このように剥離フィルム４の露出部が形成されているが、露出部は形成されていなくてもよい。
【0019】
本発明において「接着剤層の面積」は、半導体加工用テープ１からダイシングフィルム２を取り除いて接着剤層３を平面視した場合の「接着剤層の面積」を意味する。接着剤層３の面積は半導体ウエハを覆うことができる面積とされている。また、「接着剤層の形状」は接着剤層３を平面視した場合の接着剤層３の形状を意味する。接着剤層３の形状は、半導体ウエハの裏面全体を覆うことができる限り特に制限されず、円形状であることが好ましい。
本実施形態の半導体加工用テープ１において、ダイシングフィルム２の面積は、接着剤層３よりも大きく、半導体加工用テープ１からフィルム４を取り除いて接着剤層３及び粘着剤層２２を平面視した場合に、接着剤層３の周囲全体に粘着剤層２２が露出した部分が生じることが好ましい。
本実施形態の半導体加工用テープ１において、ダイシングフィルム２の面積は、接着剤層３よりも大きく、半導体加工用テープ１からフィルム４を取り除いて接着剤層３及び粘着剤層２２を平面視した場合に、接着剤層３の周囲全体に粘着剤層２２が露出した部分が生じることが好ましい。
【0020】
本発明において「剥離フィルムの面積」は剥離フィルム４を平面視した場合の「剥離フィルムの面積」を意味する。本実施形態において、剥離フィルム４は、接着剤層３の面積よりも大きいものである。剥離フィルム４の面積は、ダイシングフィルム２の面積よりも大きいことが好ましい。
【0021】
本実施形態のダイシングフィルム２の面積は、図１及び図２に示すように、接着剤層３の面積よりも大きく、接着剤層３のダイシングフィルム２側の面全体がダイシングフィルム２に接している。さらに、剥離フィルム４の面積は接着剤層３の面積よりも大きく、接着剤層３の剥離フィルム４側の面全体が剥離フィルム４に接している。接着剤層３の周囲の外方においては、ダイシングフィルム２の円形部の端部と剥離フィルム４とが接している。
【0022】
本実施形態において、剥離フィルム４は、接着剤層３の周囲に沿った位置に、接着剤層３のプリカット加工に伴い、２５μｍ以下の切り込み５を有している。すなわち、剥離フィルム４は、その厚さ方向に、接着剤層３の周囲形状に沿った２５μｍ以下の切り込み５を有している。本実施形態では、２５μｍ以下の切り込み５が形成されているが、切り込み５は、形成されてないことも好ましい。
切り込み５は、通常、剥離フィルム４の接着剤層３が接している側の主平面におよそ垂直方向に形成される。
切り込み５の切り込み深さは、２２μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、６μｍ未満がさらに好ましく、５μｍ以下がさらに好ましく、４μｍ以下がさらに好ましく、３μｍ以下がさらに好ましく、２μｍ以下がさらに好ましく、１μｍ以下がさらに好ましい。
切り込み５の切り込み深さは、顕微鏡による断面観察により測定することができる。
切り込み５の切り込み深さは、プリカット加工の条件を調整することにより制御することができる。
また、剥離フィルム４は、接着剤層３のプリカット加工に伴う接着剤層３の周囲に沿った切り込みを有さない形態とすることも好ましい。このような形態の剥離フィルム４は、通常、接着剤層３を、所望の面積、形状を有する塗布層又は転写層として、剥離フィルム４上に形成することにより得ることができる。
切り込み５は、通常、剥離フィルム４の接着剤層３が接している側の主平面におよそ垂直方向に形成される。
切り込み５の切り込み深さは、２２μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、６μｍ未満がさらに好ましく、５μｍ以下がさらに好ましく、４μｍ以下がさらに好ましく、３μｍ以下がさらに好ましく、２μｍ以下がさらに好ましく、１μｍ以下がさらに好ましい。
切り込み５の切り込み深さは、顕微鏡による断面観察により測定することができる。
切り込み５の切り込み深さは、プリカット加工の条件を調整することにより制御することができる。
また、剥離フィルム４は、接着剤層３のプリカット加工に伴う接着剤層３の周囲に沿った切り込みを有さない形態とすることも好ましい。このような形態の剥離フィルム４は、通常、接着剤層３を、所望の面積、形状を有する塗布層又は転写層として、剥離フィルム４上に形成することにより得ることができる。
【0023】
剥離フィルム４の厚さに対する切り込み５の切り込み深さの比率（１００×切り込み５の切り込み深さ／剥離フィルム４の厚さ）は、切り込み深さが２５μｍ以下であれば、特に制限されない。剥離フィルム４の厚さに対する切り込み５の切り込み深さの比率は、剥離フィルム４の厚さにもよるが、６５％以下が好ましく、６１％以下がより好ましく、４５％以下がさらに好ましく、３５％以下がさらに好ましく、３０％以下がさらに好ましく、２５％以下がさらに好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１５％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。
【0024】
本実施形態において、剥離フィルム４の接着剤層３と反対側の面には、支持テープ６が２カ所に配されている。本実施形態では、支持テープ６が配されているが、支持テープ６は配されていなくてもよい。本発明の別の好ましい実施形態は、支持テープ６が配されていない形態である。支持テープ６が配されていると、支持テープ６と剥離フィルム４とが積層された部分は支持テープ６が形成されていない剥離フィルム４のみの部分に比較して厚くなる。このような積層された部分において、切り込み５が形成されると、貼り付け不良が生じやすくなる場合がある。
【0025】
本発明の半導体加工用テープ１は、ダイシングフィルム２及び接着剤層３の積層体を長尺の剥離フィルム４上に複数有する形態とすることもでき、ダイシングフィルム２及び接着剤層３の積層体を１つ剥離フィルム４上に有する形態とすることもできる。本発明の半導体加工用テープ１が長尺である場合には、通常、ロール状に巻き取られた状態で供給される。例えば、図２（Ａ）においては、ダイシングフィルム２及び接着剤層３の積層体が剥離フィルム４上に２つ形成されている。
【0026】
本発明の半導体加工用テープ１を構成する各部材についてより詳細に説明する。
【0027】
＜ダイシングフィルム２＞
本発明の半導体加工用テープ１を構成するダイシングフィルム２は、基材２１と粘着剤層２２とを有する。
本発明の半導体加工用テープ１を構成するダイシングフィルム２は、基材２１と粘着剤層２２とを有する。
【0028】
－基材２１－
基材２１は種々の樹脂材料で構成することができる。なかでも、ポリオレフィン樹脂及びポリ塩化ビニル樹脂から選択される樹脂材料で構成されたものが好ましい。これらの樹脂材料は架橋構造を有することも好ましい。架橋構造の形成に寄与する結合は共有結合でもよく、イオン性相互作用に基づく結合でもよく、水素結合であってもよい。
基材２１は種々の樹脂材料で構成することができる。なかでも、ポリオレフィン樹脂及びポリ塩化ビニル樹脂から選択される樹脂材料で構成されたものが好ましい。これらの樹脂材料は架橋構造を有することも好ましい。架橋構造の形成に寄与する結合は共有結合でもよく、イオン性相互作用に基づく結合でもよく、水素結合であってもよい。
【0029】
上記ポリオレフィン樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸アルキルエステル共重合体（エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－メタクリル酸メチル共重合体など）、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα－オレフィンの単独重合体または共重合体の樹脂あるいはこれらの混合物などが挙げられる。
【0030】
特に、金属イオンによる凝集力を利用し高分子を凝集体とした合成樹脂であるアイオノマー樹脂が好ましく、例えば、エチレン－（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン－（メタ）アクリル酸－（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を、金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂が、例示される。これらは、均一拡張性の面でエキスパンド工程に適する。上記アイオノマー樹脂に含まれる金属イオンは特に限定されないが、亜鉛イオン、ナトリウムイオン等が挙げられる。亜鉛イオンは溶出性が低く低汚染性の面から好ましい。
一般に、アイオノマー樹脂は、金属イオンのない樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きく、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えた際の収縮応力が大きい。したがって、アイオノマー樹脂は、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去し、テープを緊張させて個々の半導体チップ間の間隔を安定に保持するヒートシュリンク工程を実施できる点で好ましい。
一般に、アイオノマー樹脂は、金属イオンのない樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きく、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えた際の収縮応力が大きい。したがって、アイオノマー樹脂は、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去し、テープを緊張させて個々の半導体チップ間の間隔を安定に保持するヒートシュリンク工程を実施できる点で好ましい。
【0031】
また、上記アイオノマー樹脂の他に、比重０．９１０以上０．９３０未満の低密度ポリエチレン、比重０．９１０未満の超低密度ポリエチレン、およびエチレン－酢酸ビニル共重合体から選ばれる樹脂を架橋させた熱可塑性架橋樹脂も好適である。
架橋の方法としては、上記樹脂に対して、電子線等のエネルギー線を照射する方法が挙げられる。このような熱可塑性架橋樹脂は、架橋部位と非架橋部位が樹脂中に共存していることから、一定の均一拡張性を有する。また、このような熱可塑性架橋樹脂は、分子鎖の構成中に塩素原子をほとんど含まないので、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といった塩素化芳香族炭化水素を発生せず、環境負荷も小さい。上記ポリエチレンやエチレン－酢酸ビニル共重合体に対して照射するエネルギー線の量を適宜に調製することで、十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。
架橋の方法としては、上記樹脂に対して、電子線等のエネルギー線を照射する方法が挙げられる。このような熱可塑性架橋樹脂は、架橋部位と非架橋部位が樹脂中に共存していることから、一定の均一拡張性を有する。また、このような熱可塑性架橋樹脂は、分子鎖の構成中に塩素原子をほとんど含まないので、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といった塩素化芳香族炭化水素を発生せず、環境負荷も小さい。上記ポリエチレンやエチレン－酢酸ビニル共重合体に対して照射するエネルギー線の量を適宜に調製することで、十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。
【0032】
基材２１は、単層でもよく、複数層であってもよい。
基材２１を構成する樹脂材料は、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂であることが好ましく、エチレン－（メタ）アクリル酸－（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体のアイオノマー樹脂であることがより好ましい。
基材２１を構成する樹脂材料は、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂であることが好ましく、エチレン－（メタ）アクリル酸－（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体のアイオノマー樹脂であることがより好ましい。
【0033】
基材２１の厚さとしては、特に制限はなく、厚さ５０～２００μｍが好ましく、６０～１６０μｍがより好ましく、７０～１５０μｍがさらに好ましい。基材２１の厚さは、接着剤層３の厚さよりも厚いことが好ましい。
【0034】
－粘着剤層２２－
粘着剤層２２は、ダイシング工程において接着剤層３及びリングフレームＲとの剥離を生じない程度の保持性及びピックアップ時において接着剤層３との剥離が可能である特性を有するものであれば、特に限定されない。
粘着剤層２２を構成する粘着剤は、上記特性を示すものであれば特に限定されず、ダイシングフィルム用途に用いられる一般的な粘着剤、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を適宜に用いることができる。なかでも、エネルギー線硬化性の粘着剤が好ましい。エネルギー線硬化性粘着剤であれば、ピックアップ工程前に硬化させることにより、ピックアップが容易になる。ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線をいう。
粘着剤層２２を構成する粘着剤としては、ダイシングフィルムの粘着剤として使用されている通常の粘着剤を特に制限なく使用することができる。粘着剤の成分、特性、製造方法としては、例えば、日本国特許第６９２８８５２号公報の段落［００３９］～［００７６］、日本国特許第６９８９５６１号公報の段落［００３３］～［００５２］の記載、特開２０２３－１３０２２号公報の段落［００３１］～［００５７］の記載等を参照することができる。
粘着剤層２２は、ダイシング工程において接着剤層３及びリングフレームＲとの剥離を生じない程度の保持性及びピックアップ時において接着剤層３との剥離が可能である特性を有するものであれば、特に限定されない。
粘着剤層２２を構成する粘着剤は、上記特性を示すものであれば特に限定されず、ダイシングフィルム用途に用いられる一般的な粘着剤、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を適宜に用いることができる。なかでも、エネルギー線硬化性の粘着剤が好ましい。エネルギー線硬化性粘着剤であれば、ピックアップ工程前に硬化させることにより、ピックアップが容易になる。ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線をいう。
粘着剤層２２を構成する粘着剤としては、ダイシングフィルムの粘着剤として使用されている通常の粘着剤を特に制限なく使用することができる。粘着剤の成分、特性、製造方法としては、例えば、日本国特許第６９２８８５２号公報の段落［００３９］～［００７６］、日本国特許第６９８９５６１号公報の段落［００３３］～［００５２］の記載、特開２０２３－１３０２２号公報の段落［００３１］～［００５７］の記載等を参照することができる。
【0035】
粘着剤層２２を構成する粘着剤は、（メタ）アクリル樹脂をベースポリマーとして含有するアクリル系粘着剤等が好ましく、（メタ）アクリル酸アルキルエステル及び（メタ）アクリル酸の少なくともいずれかを構成成分として含むアクリル系粘着剤がより好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、さらに側鎖に放射線硬化性基が導入されていることが好ましく、イソシアネート基を有する（メタ）アクリル酸エステルが付加されていることがさらに好ましい。粘着剤は、さらに放射線硬化性のオリゴマーを含有していてもよく、例えば、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー等を含有していてもよい。
【0036】
粘着剤層２２は、硬化剤を含有していてもよい。硬化剤としては、ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。
また、粘着剤層２２は、光重合開始剤を含有していてもよい。
また、粘着剤層２２は、光重合開始剤を含有していてもよい。
【0037】
粘着剤層２２の厚さとしては、特に制限はないが、厚さ２～３５μｍが好ましく、５～３０μｍがより好ましく、５～２０μｍがさらに好ましい。
粘着剤層２２の厚さは、接触・リニアゲージ方式（卓上型接触式厚み計測装置）により測定することができる。
粘着剤層２２の厚さは、接触・リニアゲージ方式（卓上型接触式厚み計測装置）により測定することができる。
【0038】
＜接着剤層３＞
接着剤層３は、ダイシング後のピックアップ時において粘着剤層２２との剥離が可能である特性を有し、半導体チップを被着体に固定する際の接着剤として作用するものであれば、特に限定されない。
接着剤層３を構成する接着剤は、エポキシ樹脂及び高分子成分を含有することが好ましく、エポキシ樹脂及びウレタン樹脂、又は、エポキシ樹脂及びフェノキシ樹脂を含有することがより好ましく、エポキシ樹脂及びフェノキシ樹脂を含有することがさらに好ましい。
接着剤は、充填材を含有することができる。
接着剤は、通常は硬化剤を含有する。
本発明の半導体加工用テープ１において、接着剤層３を構成する接着剤は硬化前の状態、すなわちＢステージの状態にある。
本発明の好ましい態様において、接着剤は、エポキシ樹脂、高分子成分、充填材、及び硬化剤を含むことが好ましい。各成分について説明する。
接着剤層３は、ダイシング後のピックアップ時において粘着剤層２２との剥離が可能である特性を有し、半導体チップを被着体に固定する際の接着剤として作用するものであれば、特に限定されない。
接着剤層３を構成する接着剤は、エポキシ樹脂及び高分子成分を含有することが好ましく、エポキシ樹脂及びウレタン樹脂、又は、エポキシ樹脂及びフェノキシ樹脂を含有することがより好ましく、エポキシ樹脂及びフェノキシ樹脂を含有することがさらに好ましい。
接着剤は、充填材を含有することができる。
接着剤は、通常は硬化剤を含有する。
本発明の半導体加工用テープ１において、接着剤層３を構成する接着剤は硬化前の状態、すなわちＢステージの状態にある。
本発明の好ましい態様において、接着剤は、エポキシ樹脂、高分子成分、充填材、及び硬化剤を含むことが好ましい。各成分について説明する。
【0039】
－エポキシ樹脂－
上記エポキシ樹脂は、エポキシ基を持つ熱硬化型の樹脂であり、エポキシ当量は１０００ｇ／ｅｑ以下である。エポキシ樹脂は液体、固体又は半固体のいずれであってもよい。本発明において液体とは、軟化点が２５℃未満であることをいい、固体とは、軟化点が６０℃以上であることをいい、半固体とは、軟化点が上記液体の軟化点と固体の軟化点との間（２５℃以上６０℃未満）にあることをいう。本発明で使用するエポキシ樹脂としては、好適な温度範囲（例えば６０～１２０℃）で低溶融粘度に到達することができる接着剤を得る観点から、軟化点が１００℃以下であることが好ましい。なお、本発明において、軟化点とは、軟化点試験（環球式）法（測定条件：ＪＩＳ－Ｋ７２３４ １９８６年に準拠）により測定した値である。
上記エポキシ樹脂は、エポキシ基を持つ熱硬化型の樹脂であり、エポキシ当量は１０００ｇ／ｅｑ以下である。エポキシ樹脂は液体、固体又は半固体のいずれであってもよい。本発明において液体とは、軟化点が２５℃未満であることをいい、固体とは、軟化点が６０℃以上であることをいい、半固体とは、軟化点が上記液体の軟化点と固体の軟化点との間（２５℃以上６０℃未満）にあることをいう。本発明で使用するエポキシ樹脂としては、好適な温度範囲（例えば６０～１２０℃）で低溶融粘度に到達することができる接着剤を得る観点から、軟化点が１００℃以下であることが好ましい。なお、本発明において、軟化点とは、軟化点試験（環球式）法（測定条件：ＪＩＳ－Ｋ７２３４ １９８６年に準拠）により測定した値である。
【0040】
本発明で使用するエポキシ樹脂において、熱硬化体の架橋密度を高める観点から、エポキシ当量は１５０～８００ｇ／ｅｑであることが好ましい。なお、本発明において、エポキシ当量とは、１グラム当量のエポキシ基を含む樹脂のグラム数（ｇ／ｅｑ）をいう。
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、通常、１００００未満が好ましく、５０００以下がより好ましい。下限値に特に制限はないが、３００以上が実際的である。
重量平均分子量は、ＧＰＣ〔ゲル浸透クロマトグラフィー（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）〕分析による値である。
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、通常、１００００未満が好ましく、５０００以下がより好ましい。下限値に特に制限はないが、３００以上が実際的である。
重量平均分子量は、ＧＰＣ〔ゲル浸透クロマトグラフィー（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）〕分析による値である。
【0041】
エポキシ樹脂の骨格としては、例えば、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、クレゾールノボラック型、ジシクロペンタジエン型、ビフェニル型、フルオレンビスフェノール型、トリアジン型、ナフトール型、ナフタレンジオール型、トリフェニルメタン型、テトラフェニル型、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型、及びトリメチロールメタン型等が挙げられる。このうち、樹脂の結晶性が低く、良好な外観を有する接着剤を得る観点から、トリフェニルメタン型、ビスフェノールＡ型、クレゾールノボラック型、又はオルソクレゾールノボラック型が好ましい。これらは１種を単独で用いても、もしくは２種以上を組み合わせて用いてもよい。例えば、ビスフェノールＡ型及びビスフェノールＦ型の組合せが好ましい。
【0042】
エポキシ樹脂の含有量は、接着剤を構成する成分（具体的には、溶媒以外の成分、すなわち固形分）の総含有量１００質量部中、２５～８０質量部が好ましく、３０～８０質量部がより好ましく、３０～７０質量部がさらに好ましく、３０～６０質量部がさらに好ましい。含有量を上記好ましい範囲内とすることにより、保存安定性及び透明性を高めることができる。また、上記好ましい上限値以下とすることにより、オリゴマー成分の生成を抑え、少しの温度変化ではフィルム状態（フィルムタック性等）の変化を生じにくくすることができる。
エポキシ樹脂の含有量は、エポキシ樹脂と高分子成分の総含有量１００質量部中、３０～７０質量部が好ましく、４０～６５質量部がより好ましい。
エポキシ樹脂の含有量は、エポキシ樹脂と高分子成分の総含有量１００質量部中、３０～７０質量部が好ましく、４０～６５質量部がより好ましい。
【0043】
－高分子成分－
上記高分子成分としては、接着剤層３を形成した際に、常温（２５℃）でのフィルムタック性（少しの温度変化でもフィルム状態が変化しやすい性質）を抑制し、十分な接着性及び造膜性（フィルム形成性）を付与する成分であればよい。天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート及びポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの高分子成分は単独で用いてもよく、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。高分子成分としては、フェノキシ樹脂、及びポリウレタン樹脂の少なくとも一種が好ましい。
上記高分子成分としては、接着剤層３を形成した際に、常温（２５℃）でのフィルムタック性（少しの温度変化でもフィルム状態が変化しやすい性質）を抑制し、十分な接着性及び造膜性（フィルム形成性）を付与する成分であればよい。天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート及びポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの高分子成分は単独で用いてもよく、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。高分子成分としては、フェノキシ樹脂、及びポリウレタン樹脂の少なくとも一種が好ましい。
【0044】
高分子成分の重量平均分子量は、１００００以上である。上限値に特に制限はないが、５００００００以下が実際的である。
上記高分子成分の重量平均分子量は、ＧＰＣ〔ゲル浸透クロマトグラフィー（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）〕によるポリスチレン換算で求めた値である。以降、具体的な高分子成分の重量平均分子量の値も同義である。
また、上記高分子成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃未満が好ましく、９０℃未満がより好ましい。下限は、０℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。
上記高分子成分のガラス転移温度は、昇温速度０．１℃／分でＤＳＣ（示差走査熱量計）により測定されたガラス転移温度である。以降、具体的な高分子成分のガラス転移温度の値も同義である。
なお、本発明においてエポキシ樹脂と高分子成分のうちフェノキシ樹脂等のエポキシ基を有し得る樹脂とは、エポキシ当量が１０００ｇ／ｅｑ以下である樹脂がエポキシ樹脂に、エポキシ当量が１０００ｇ／ｅｑを越えるものが高分子成分に、それぞれ分類される。
上記高分子成分の重量平均分子量は、ＧＰＣ〔ゲル浸透クロマトグラフィー（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）〕によるポリスチレン換算で求めた値である。以降、具体的な高分子成分の重量平均分子量の値も同義である。
また、上記高分子成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃未満が好ましく、９０℃未満がより好ましい。下限は、０℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。
上記高分子成分のガラス転移温度は、昇温速度０．１℃／分でＤＳＣ（示差走査熱量計）により測定されたガラス転移温度である。以降、具体的な高分子成分のガラス転移温度の値も同義である。
なお、本発明においてエポキシ樹脂と高分子成分のうちフェノキシ樹脂等のエポキシ基を有し得る樹脂とは、エポキシ当量が１０００ｇ／ｅｑ以下である樹脂がエポキシ樹脂に、エポキシ当量が１０００ｇ／ｅｑを越えるものが高分子成分に、それぞれ分類される。
【0045】
（フェノキシ樹脂）
フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂と構造が類似していることから相溶性が良好な点で、高分子成分として好ましい。フェノキシ樹脂を含有すると、接着性にも優れた効果を発揮することができる。
フェノキシ樹脂は常法により得ることができる。例えば、フェノキシ樹脂は、ビスフェノールもしくはビフェノール化合物とエピクロルヒドリンのようなエピハロヒドリンとの反応、液状エポキシ樹脂とビスフェノールもしくはビフェノール化合物との反応で得ることができる。
フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂と構造が類似していることから相溶性が良好な点で、高分子成分として好ましい。フェノキシ樹脂を含有すると、接着性にも優れた効果を発揮することができる。
フェノキシ樹脂は常法により得ることができる。例えば、フェノキシ樹脂は、ビスフェノールもしくはビフェノール化合物とエピクロルヒドリンのようなエピハロヒドリンとの反応、液状エポキシ樹脂とビスフェノールもしくはビフェノール化合物との反応で得ることができる。
【0046】
フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、１００００以上が好ましく、１００００～１０００００がより好ましい。
また、フェノキシ樹脂中に僅かに残存するエポキシ基の量は、エポキシ当量で、５０００ｇ／ｅｑ以上が好ましい。
また、フェノキシ樹脂中に僅かに残存するエポキシ基の量は、エポキシ当量で、５０００ｇ／ｅｑ以上が好ましい。
【0047】
フェノキシ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃未満が好ましく、９０℃未満がより好ましい。下限は、０℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。
【0048】
（ポリウレタン樹脂）
ポリウレタン樹脂は、主鎖中にウレタン（カルバミド酸エステル）結合を持つ重合体である。ポリウレタン樹脂は、ポリオール由来の構成単位と、ポリイソシアネート由来の構成単位とを有し、さらにポリカルボン酸由来の構成単位を有していてもよい。ポリウレタン樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ポリウレタン樹脂のＴｇは通常は１００℃以下であり、６０℃以下が好ましく、５０℃以下がより好ましく、４５℃以下であることも好ましい。
ポリウレタン樹脂は、主鎖中にウレタン（カルバミド酸エステル）結合を持つ重合体である。ポリウレタン樹脂は、ポリオール由来の構成単位と、ポリイソシアネート由来の構成単位とを有し、さらにポリカルボン酸由来の構成単位を有していてもよい。ポリウレタン樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ポリウレタン樹脂のＴｇは通常は１００℃以下であり、６０℃以下が好ましく、５０℃以下がより好ましく、４５℃以下であることも好ましい。
【0049】
ポリウレタン樹脂の重量平均分子量は特に制限されず、通常は５０００～５０００００の範囲内にあるものが用いられる。
【0050】
ポリウレタン樹脂は、常法により合成でき、また、市場から入手することもできる。ポリウレタン樹脂として適用できる市販品として、ダイナレオＶＡ－９３２０Ｍ、ダイナレオＶＡ－９３１０ＭＦ、ダイナレオＶＡ－９３０３ＭＦ（いずれもトーヨーケム社製）などを挙げることができる。
【0051】
エポキシ樹脂１００質量部に対する高分子成分の含有量は、１～２５０質量部が好ましく、１０～１８０質量部がより好ましく、４０～１５０質量部がさらに好ましい。含有量をこのような範囲とすることで、硬化前の接着剤の剛性と柔軟性を調整することができる。フィルム状態が良好（フィルムタック性が低減）となり、フィルム脆弱性も抑制することができる。
高分子成分の含有量は、エポキシ樹脂と高分子成分の総含有量１００質量部中、３０～７０質量部が好ましく、４０～７０質量部がより好ましい。
高分子成分の含有量は、エポキシ樹脂と高分子成分の総含有量１００質量部中、３０～７０質量部が好ましく、４０～７０質量部がより好ましい。
【0052】
－硬化剤－
硬化剤として、例えば、アミン類、酸無水物類、及び多価フェノール類等が挙げられる。接着剤の保存安定性の観点からは、潜在性硬化剤を用いることが好ましい。潜在性硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド化合物、イミダゾール化合物、硬化触媒複合系多価フェノール化合物、ヒドラジド化合物、三弗化ホウ素－アミン錯体、アミンイミド化合物、ポリアミン塩、及びこれらの変性物やマイクロカプセル型のものを挙げることができ、これらは１種を単独で用いても、もしくは２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでもジシアンジアミド化合物、イミダゾール化合物、及びヒドラジド化合物の少なくとも１種を用いることが好ましい。
潜在性硬化剤は、熱カチオン重合開始剤であってもよく、カチオン成分としてスルホニウムカチオンを、アニオン成分としてＳｂＦ６ －又はＰＦ６ －を有する熱カチオン重合開始剤がより好ましい。
硬化剤として、例えば、アミン類、酸無水物類、及び多価フェノール類等が挙げられる。接着剤の保存安定性の観点からは、潜在性硬化剤を用いることが好ましい。潜在性硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド化合物、イミダゾール化合物、硬化触媒複合系多価フェノール化合物、ヒドラジド化合物、三弗化ホウ素－アミン錯体、アミンイミド化合物、ポリアミン塩、及びこれらの変性物やマイクロカプセル型のものを挙げることができ、これらは１種を単独で用いても、もしくは２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでもジシアンジアミド化合物、イミダゾール化合物、及びヒドラジド化合物の少なくとも１種を用いることが好ましい。
潜在性硬化剤は、熱カチオン重合開始剤であってもよく、カチオン成分としてスルホニウムカチオンを、アニオン成分としてＳｂＦ６ －又はＰＦ６ －を有する熱カチオン重合開始剤がより好ましい。
【0053】
エポキシ樹脂１００質量部に対する硬化剤の含有量は、十分な硬化速度を示し、かつ硬化後の透明性を確保する観点から、０．５～５０質量部が好ましく、１～４０質量部がより好ましく、１～３０質量部がさらに好ましく、１～１０質量部がさらに好ましく、１～５質量部がさらに好ましい。
【0054】
－充填材－
充填材は、半導体加工用テープの接着剤層に通常使用され得る充填材を特に制限なく用いることができる。充填材は、無機充填材であることが好ましい。
無機充填材としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ（酸化アルミニウム）、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、カーボンナノチューブ、グラフェン等のカーボン類等の種々の無機粉末が挙げられる。
充填材としてはシリカが好ましい。
充填材は、半導体加工用テープの接着剤層に通常使用され得る充填材を特に制限なく用いることができる。充填材は、無機充填材であることが好ましい。
無機充填材としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ（酸化アルミニウム）、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、カーボンナノチューブ、グラフェン等のカーボン類等の種々の無機粉末が挙げられる。
充填材としてはシリカが好ましい。
【0055】
－その他の成分－
接着剤は、エポキシ樹脂、硬化剤、高分子成分、充填材の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、イオントラップ剤（イオン捕捉剤）、硬化触媒、粘度調整剤、酸化防止剤、難燃剤、シランカップリング剤、硬化促進剤、及び着色剤等をさらに含有していてもよい。例えば、国際公開第２０１７／１５８９９４号のその他の添加物を含むことができる。
接着剤に含まれるエポキシ樹脂及び高分子成分の合計含有量は、５０質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上がさらに好ましく、８０質量％以上とすることも好ましい。
接着剤は、エポキシ樹脂、硬化剤、高分子成分、充填材の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、イオントラップ剤（イオン捕捉剤）、硬化触媒、粘度調整剤、酸化防止剤、難燃剤、シランカップリング剤、硬化促進剤、及び着色剤等をさらに含有していてもよい。例えば、国際公開第２０１７／１５８９９４号のその他の添加物を含むことができる。
接着剤に含まれるエポキシ樹脂及び高分子成分の合計含有量は、５０質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上がさらに好ましく、８０質量％以上とすることも好ましい。
【0056】
接着剤層３の厚さは特に制限されず、目的に応じて適宜に設定することができる。接着剤層３の厚さは、例えば、１～２００μｍが好ましく、５～１８０μｍがより好ましく、５～１７０μｍがさらに好ましく、５～１５０μｍがさらに好ましく、５～１４０μｍが特に好ましい。接着剤層３の厚さは、１０～１００μｍとでき、２５～１００μｍとでき、２５～８０μｍともでき、３０～５０μｍともできる。
接着剤層３の厚さは、接触・リニアゲージ方式（卓上型接触式厚み計測装置）により測定することができる。
接着剤層３の厚さは、接触・リニアゲージ方式（卓上型接触式厚み計測装置）により測定することができる。
【0057】
＜剥離フィルム４＞
剥離フィルム４は、半導体加工用テープ１の製造時及び使用前の状態において支持体及び保護フィルムとして機能する。剥離フィルム４は、接着剤層３及びダイシングフィルム２を半導体ウエハ等の被着体に貼合する際には剥離され、露出した接着剤層３及びダイシングフィルム２に被着体が貼合される。
剥離フィルム４は、半導体加工用テープ１の製造時及び使用前の状態において支持体及び保護フィルムとして機能する。剥離フィルム４は、接着剤層３及びダイシングフィルム２を半導体ウエハ等の被着体に貼合する際には剥離され、露出した接着剤層３及びダイシングフィルム２に被着体が貼合される。
【0058】
剥離フィルム４の材質としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系等のポリマーを挙げることができる。
剥離フィルム４は、離型処理されていることが好ましい。
剥離フィルム４は、離型処理されたポリエチレンテレフタレートが好ましい。
剥離フィルム４は、離型処理されていることが好ましい。
剥離フィルム４は、離型処理されたポリエチレンテレフタレートが好ましい。
【0059】
剥離フィルム４の厚さは、特に限定されず、半導体加工用テープ１の使用条件等により、適宜選択可能である。剥離フィルム４の厚さは、例えば、２５～２００μｍが挙げられる。剥離フィルム４の厚さは、２５～１５０μｍが好ましく、３８～１２０μｍがより好ましく、３８～１００μｍがより好ましく、３８～７０μｍがより好ましい。
【0060】
剥離フィルム４の形状は特に制限されず、例えば、矩形であり、好ましくは長尺の矩形である。
剥離フィルム４の幅方向の寸法は、特に限定されず、半導体ウエハの大きさ等、半導体加工用テープ１の使用条件等に応じて、適宜選択可能であり、例えば、２０～７０ｃｍが挙げられる。
剥離フィルム４の長手方向の寸法は、特に限定されない。本発明の半導体加工用テープ１がダイシングフィルム２及び接着剤層３の積層体を１つ剥離フィルム４上に有する形態であれば、剥離フィルム４の長手方向の寸法は、例えば、２０～７０ｃｍである。本発明の半導体加工用テープ１がダイシングフィルム２及び接着剤層３の積層体を長尺の剥離フィルム４上に複数有する形態であれば、剥離フィルム４の長手方向の寸法は、上記幅方向の寸法に対して十分に長ければよく、例えば、１０～１２０ｍであり、１０～５０ｍとすることもできる。
剥離フィルム４の幅方向の寸法は、特に限定されず、半導体ウエハの大きさ等、半導体加工用テープ１の使用条件等に応じて、適宜選択可能であり、例えば、２０～７０ｃｍが挙げられる。
剥離フィルム４の長手方向の寸法は、特に限定されない。本発明の半導体加工用テープ１がダイシングフィルム２及び接着剤層３の積層体を１つ剥離フィルム４上に有する形態であれば、剥離フィルム４の長手方向の寸法は、例えば、２０～７０ｃｍである。本発明の半導体加工用テープ１がダイシングフィルム２及び接着剤層３の積層体を長尺の剥離フィルム４上に複数有する形態であれば、剥離フィルム４の長手方向の寸法は、上記幅方向の寸法に対して十分に長ければよく、例えば、１０～１２０ｍであり、１０～５０ｍとすることもできる。
【0061】
本発明の半導体加工用テープ１の好ましい形態においては、粘着剤層２２と接着剤層３との剥離力は、０．０２～５．０Ｎ／２５ｍｍが好ましく、０．０３～４．０Ｎ／２５ｍｍがより好ましく、０．０３～２．０Ｎ／２５ｍｍがより好ましく、０．０３～１．０Ｎ／２５ｍｍがより好ましく、０．０３～０．４Ｎ／２５ｍｍがより好ましく、０．０３～０．３Ｎ／２５ｍｍがさらに好ましい。
剥離力は、以下のようにして測定することができる。
剥離力は、以下のようにして測定することができる。
【0062】
－剥離力の測定方法－
１）サンプルの作製方法
半導体加工用テープから剥離フィルム４を剥離して接着剤層３を露出させ、接着剤面側を上にして作業台上に置く。
作業台上において、露出した接着剤面に支持用テープ（王子タック社製、ＰＰテープ４００包装用（商品名））を重さ２ｋｇのゴムローラーを３往復させて貼合する。貼合が完了したら１時間放置する。
１時間経過後、カッターを用いて幅２５ｍｍ×長さ約１００ｍｍのサイズに切り出して測定用サンプルを作成する。
２）測定方法
測定は、万能試験機（東洋精機製作所製、ストログラフＶＧ１Ｆ（商品名））を用いたＴ字方向の引き剥がし法（ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠）によって行う。２３℃、３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で、上記測定用サンプルの粘着剤層２２と接着剤層３とを剥離したときの、最大荷重を測定する。
測定は３回行い、平均値を剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）とする。
１）サンプルの作製方法
半導体加工用テープから剥離フィルム４を剥離して接着剤層３を露出させ、接着剤面側を上にして作業台上に置く。
作業台上において、露出した接着剤面に支持用テープ（王子タック社製、ＰＰテープ４００包装用（商品名））を重さ２ｋｇのゴムローラーを３往復させて貼合する。貼合が完了したら１時間放置する。
１時間経過後、カッターを用いて幅２５ｍｍ×長さ約１００ｍｍのサイズに切り出して測定用サンプルを作成する。
２）測定方法
測定は、万能試験機（東洋精機製作所製、ストログラフＶＧ１Ｆ（商品名））を用いたＴ字方向の引き剥がし法（ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準拠）によって行う。２３℃、３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で、上記測定用サンプルの粘着剤層２２と接着剤層３とを剥離したときの、最大荷重を測定する。
測定は３回行い、平均値を剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）とする。
【0063】
＜支持テープ６＞
支持テープ６は、半導体加工用テープ１をロール状とした際に、積層体間に空間を形成して、痕付きを抑制する機能を有する。
本発明の半導体加工用テープ１は、支持テープ６が剥離フィルム４の接着剤層３とは反対側の面の幅方向両端に長手方向にわたって配されていてもよい。
支持テープ６は、半導体加工用テープ１において通常使用される支持テープを用いることができ、樹脂フィルム基材に粘接着剤を塗布した粘接着テープを好適に使用することができる。
支持テープ６は、半導体加工用テープ１をロール状とした際に、積層体間に空間を形成して、痕付きを抑制する機能を有する。
本発明の半導体加工用テープ１は、支持テープ６が剥離フィルム４の接着剤層３とは反対側の面の幅方向両端に長手方向にわたって配されていてもよい。
支持テープ６は、半導体加工用テープ１において通常使用される支持テープを用いることができ、樹脂フィルム基材に粘接着剤を塗布した粘接着テープを好適に使用することができる。
【0064】
本発明の半導体加工用テープ１は、剥離フィルム４への切り込み深さを制御すること以外は、通常の半導体加工用テープと同様にして製造することができる。
例えば、離型処理したセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、必要に応じて乾燥することにより粘着剤層２２を形成し、粘着剤層２２と基材２１とを貼り合わせることによって、基材２１、粘着剤層２２、セパレータが順に積層された積層体（ダイシングフィルム２とセパレータの積層体でもある）を得る。これとは別に、剥離フィルム４上に接着剤組成物を塗布し、必要に応じて乾燥して剥離フィルム４上に接着剤層３を有する接着フィルムを形成する。この接着フィルムにセパレータを貼り付けることにより、剥離フィルム４、接着剤層３、セパレータが順に積層された積層体を得る。次いで、これらの積層体からセパレータを剥がして、粘着剤層２２を露出させたダイシングフィルム２と接着剤層３を露出させた接着フィルムとが接するように、かつ、接着剤層３のダイシングフィルム２側の面全体が粘着剤層２２に接するようにして、ダイシングフィルム２と接着フィルムを貼り合わせることによって、基材２１、粘着剤層２２、接着剤層３、剥離フィルム４が順に積層された半導体加工用テープ１を得ることができる。
上記のダイシングフィルム２と接着フィルムとの貼り合わせは、加圧条件下で行うことが好ましい。
上記貼り合わせに先立って、接着剤層３は、所望の面積に形成される。
接着剤層３をプリカット加工により所望の面積とする場合には、プリカット加工の条件は、上述のとおりの切り込み深さとなるように設定される。プリカット加工後に、所望の形状とされた部分（半導体ウエハに対応した形状を有する部分）以外の接着剤層３は除去される。プリカット加工に用いる装置及び条件は、上述のとおりの切り込み深さとすること以外は、通常の装置及び条件とすることができる。
また、上述の通り、接着剤層３は接着剤を所望の形状に剥離フィルム４に塗布することにより、プリカット加工なしで所望の面積に形成してもよい。接着剤層３をプリカット加工なしで塗布のみにより形成する場合には、中外炉工業株式会社製のＲＳコータ（商品名）を用いることが好ましい。
また、接着剤層３は、所望の面積にセパレータ上でプリカット加工した後に、剥離フィルム４に転写して形成することもできる。
例えば、離型処理したセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、必要に応じて乾燥することにより粘着剤層２２を形成し、粘着剤層２２と基材２１とを貼り合わせることによって、基材２１、粘着剤層２２、セパレータが順に積層された積層体（ダイシングフィルム２とセパレータの積層体でもある）を得る。これとは別に、剥離フィルム４上に接着剤組成物を塗布し、必要に応じて乾燥して剥離フィルム４上に接着剤層３を有する接着フィルムを形成する。この接着フィルムにセパレータを貼り付けることにより、剥離フィルム４、接着剤層３、セパレータが順に積層された積層体を得る。次いで、これらの積層体からセパレータを剥がして、粘着剤層２２を露出させたダイシングフィルム２と接着剤層３を露出させた接着フィルムとが接するように、かつ、接着剤層３のダイシングフィルム２側の面全体が粘着剤層２２に接するようにして、ダイシングフィルム２と接着フィルムを貼り合わせることによって、基材２１、粘着剤層２２、接着剤層３、剥離フィルム４が順に積層された半導体加工用テープ１を得ることができる。
上記のダイシングフィルム２と接着フィルムとの貼り合わせは、加圧条件下で行うことが好ましい。
上記貼り合わせに先立って、接着剤層３は、所望の面積に形成される。
接着剤層３をプリカット加工により所望の面積とする場合には、プリカット加工の条件は、上述のとおりの切り込み深さとなるように設定される。プリカット加工後に、所望の形状とされた部分（半導体ウエハに対応した形状を有する部分）以外の接着剤層３は除去される。プリカット加工に用いる装置及び条件は、上述のとおりの切り込み深さとすること以外は、通常の装置及び条件とすることができる。
また、上述の通り、接着剤層３は接着剤を所望の形状に剥離フィルム４に塗布することにより、プリカット加工なしで所望の面積に形成してもよい。接着剤層３をプリカット加工なしで塗布のみにより形成する場合には、中外炉工業株式会社製のＲＳコータ（商品名）を用いることが好ましい。
また、接着剤層３は、所望の面積にセパレータ上でプリカット加工した後に、剥離フィルム４に転写して形成することもできる。
【0065】
ダイシングフィルム２は、所望の面積、形状に形成されることが好ましい。ダイシングフィルム２は、上記貼り合わせ後にプリカット加工されて所望の面積、形状とされることが好ましい。上記貼り合わせ前にプリカット加工されて所望の面積、形状とされた後に、接着剤層３と貼り合わせてもよい。ダイシングフィルム２をプリカット加工する場合には、プリカット加工の条件は、適宜設定することができる。
【0066】
本発明の半導体加工用テープ１の、構成部材の積層構造及び配置、構成部材の材質等については、剥離フィルム４における切り込み５に関する事項以外は目的に応じて通常の形態から選択することができ、例えば、国際公開第２０１９／２３００３６号等を参考にすることができる。
【実施例0067】
本発明を、実施例及び比較例に基づき、より具体的に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
下記記載において、室温とは２５℃を意味する。また、「ＭＥＫ」はメチルエチルケトン、「ＰＥＴ」はポリエチレンテレフタレートである。
下記記載において、室温とは２５℃を意味する。また、「ＭＥＫ」はメチルエチルケトン、「ＰＥＴ」はポリエチレンテレフタレートである。
【0068】
【0069】
＜基材２１ａ＞
エチレン－メタクリル酸－（アクリル酸２－メチル－プロピル）３元共重合体－Ｚｎ＋＋－アイオノマー樹脂である、ハイミランＡＭ－７３１６（商品名、三井デュポンケミカル社製）を使用し、厚さ９０μｍのフィルムを作成した。このフィルムの片面にはコロナ処理を施した。このようにして、基材２１ａを得た。
エチレン－メタクリル酸－（アクリル酸２－メチル－プロピル）３元共重合体－Ｚｎ＋＋－アイオノマー樹脂である、ハイミランＡＭ－７３１６（商品名、三井デュポンケミカル社製）を使用し、厚さ９０μｍのフィルムを作成した。このフィルムの片面にはコロナ処理を施した。このようにして、基材２１ａを得た。
【0070】
＜粘着剤組成物２２ａ＞
アクリル系粘着剤（新中村化学工業株式会社製、商品名「ＡＰ－ＦＥ２５０３」）１００質量部、硬化剤（綜研化学株式会社製、商品名「Ｌ－４５Ｅ」）３．０質量部、ポリイソシアネート化合物（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名「ＴＫＡ－１００」）９質量部を酢酸エチル中攪拌して溶解し、粘着剤組成物２２ａを調製した。
アクリル系粘着剤（新中村化学工業株式会社製、商品名「ＡＰ－ＦＥ２５０３」）１００質量部、硬化剤（綜研化学株式会社製、商品名「Ｌ－４５Ｅ」）３．０質量部、ポリイソシアネート化合物（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名「ＴＫＡ－１００」）９質量部を酢酸エチル中攪拌して溶解し、粘着剤組成物２２ａを調製した。
【0071】
＜接着剤組成物３ａ＞
エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「１００２」、ビスフェノールＡ型固体エポキシ樹脂）５０質量部、エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「８０６」、ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂）１００質量部、硬化剤（エボニックデグサ社製、商品名「Ｄｙｈａｒｄ（登録商標）１００ＳＦ」、ジシアンジアミド）５質量部、シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、商品名「ＳＯ－Ｃ２」）１５０質量部、及び、シリカフィラー（日本アエロジル株式会社製、商品名「アエロジルＲ９７２」）５質量部からなる組成物にＭＥＫを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、フェノキシ樹脂（Ｇａｂｒｉｅｌ Ｐｈｅｎｏｘｉｅｓ社製、商品名「ＰＫＨＨ」）１００質量部、シランカップリング剤（信越シリコーン株式会社製、商品名「ＫＢＭ－８０２」、メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．４質量部、並びに、硬化促進剤（四国化成工業株式会社製、商品名「キュアゾール２ＰＨＺ－ＰＷ」、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール）０．５質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物３ａのワニスを得た。
エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「１００２」、ビスフェノールＡ型固体エポキシ樹脂）５０質量部、エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「８０６」、ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂）１００質量部、硬化剤（エボニックデグサ社製、商品名「Ｄｙｈａｒｄ（登録商標）１００ＳＦ」、ジシアンジアミド）５質量部、シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、商品名「ＳＯ－Ｃ２」）１５０質量部、及び、シリカフィラー（日本アエロジル株式会社製、商品名「アエロジルＲ９７２」）５質量部からなる組成物にＭＥＫを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、フェノキシ樹脂（Ｇａｂｒｉｅｌ Ｐｈｅｎｏｘｉｅｓ社製、商品名「ＰＫＨＨ」）１００質量部、シランカップリング剤（信越シリコーン株式会社製、商品名「ＫＢＭ－８０２」、メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．４質量部、並びに、硬化促進剤（四国化成工業株式会社製、商品名「キュアゾール２ＰＨＺ－ＰＷ」、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール）０．５質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物３ａのワニスを得た。
【0072】
＜実施例１＞
離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなるセパレータＳ１（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００２（商品名）、東洋紡績株式会社製、幅：４００ｍｍ）の片面全面に粘着剤組成物２２ａを乾燥後の厚さが１５μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて粘着剤層を得た。得られた粘着剤層を上記基材２１ａと貼り合わせ、基材と粘着剤層とを有するセパレータＳ１付きのダイシングフィルムを作製した。
また、離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ１００μｍ、幅：４００ｍｍ）の片面に、接着剤組成物３ａを、乾燥後の厚さが３０μｍになるように直径３２０ｍｍの円形形状に１００箇所、離間させて塗工し、１１０℃で５分間乾燥させた。このようにして、１００個の円形の接着剤層を、剥離フィルム上に有する接着フィルムＡを得た。この接着フィルムＡの露出した接着剤層側の面に離型処理した長尺のポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなるセパレータＳ２（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００２（商品名）、東洋紡績株式会社製、幅：４００ｍｍ）を貼合した。
次に、ダイシングフィルムからセパレータＳ１を剥離し、接着フィルムＡからセパレータＳ２を剥離し、露出した粘着剤層と接着剤層とを貼り合わせて、ダイシングフィルム－接着剤層－剥離フィルムの積層体（基材－粘着剤層－接着剤層－剥離フィルムの積層体）を得た。
その後、この積層体のダイシングフィルムを、押切刃を用いて、直径３７０ｍｍの円形に、この円形の中心が接着剤層の円形の中心と同じになるように、また、この円形の外周と周辺部との隙間が３．５ｍｍになるように、１００箇所で打ち抜いた。隙間部分のダイシングフィルムは剥離除去した。
このようにして、実施例１の半導体加工用テープを作製した。
この半導体加工用テープにおいて、ダイシングフィルムと粘着剤層とは、その平面形状の中心が重なる状態で積層されている。
この半導体加工用テープの粘着剤層と接着剤層との剥離力は０．０３Ｎ／２５ｍｍであった。
離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなるセパレータＳ１（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００２（商品名）、東洋紡績株式会社製、幅：４００ｍｍ）の片面全面に粘着剤組成物２２ａを乾燥後の厚さが１５μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて粘着剤層を得た。得られた粘着剤層を上記基材２１ａと貼り合わせ、基材と粘着剤層とを有するセパレータＳ１付きのダイシングフィルムを作製した。
また、離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ１００μｍ、幅：４００ｍｍ）の片面に、接着剤組成物３ａを、乾燥後の厚さが３０μｍになるように直径３２０ｍｍの円形形状に１００箇所、離間させて塗工し、１１０℃で５分間乾燥させた。このようにして、１００個の円形の接着剤層を、剥離フィルム上に有する接着フィルムＡを得た。この接着フィルムＡの露出した接着剤層側の面に離型処理した長尺のポリエチレン－テレフタレートフィルムよりなるセパレータＳ２（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００２（商品名）、東洋紡績株式会社製、幅：４００ｍｍ）を貼合した。
次に、ダイシングフィルムからセパレータＳ１を剥離し、接着フィルムＡからセパレータＳ２を剥離し、露出した粘着剤層と接着剤層とを貼り合わせて、ダイシングフィルム－接着剤層－剥離フィルムの積層体（基材－粘着剤層－接着剤層－剥離フィルムの積層体）を得た。
その後、この積層体のダイシングフィルムを、押切刃を用いて、直径３７０ｍｍの円形に、この円形の中心が接着剤層の円形の中心と同じになるように、また、この円形の外周と周辺部との隙間が３．５ｍｍになるように、１００箇所で打ち抜いた。隙間部分のダイシングフィルムは剥離除去した。
このようにして、実施例１の半導体加工用テープを作製した。
この半導体加工用テープにおいて、ダイシングフィルムと粘着剤層とは、その平面形状の中心が重なる状態で積層されている。
この半導体加工用テープの粘着剤層と接着剤層との剥離力は０．０３Ｎ／２５ｍｍであった。
【0073】
＜実施例２＞
実施例１において、接着フィルムＡに代えて、以下のように作製した接着フィルムＢを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２の半導体加工用テープを作製した。
（接着フィルムＢの作製）
離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ１００μｍ、幅：４００ｍｍ）の片面全面に、接着剤組成物３ａを、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗工し、１１０℃で５分間乾燥させて、剥離フィルム上と接着剤層との積層体を形成した。このようにして得られた積層体の接着剤層を、押切刃を用いて直径３２０ｍｍの円形形状に１００箇所で打ち抜いた。打ち抜きは、積層体の接着剤層側から行い、剥離フィルムへの切込み深さが１０μｍとなるように行った。打ち抜き後に、接着剤層の円形部の以外の部分を剥離フィルムから剥離し取り除いた。このようにして、１００個の円形の接着剤層を、剥離フィルム上に有する接着フィルムＢを得た。
実施例１において、接着フィルムＡに代えて、以下のように作製した接着フィルムＢを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２の半導体加工用テープを作製した。
（接着フィルムＢの作製）
離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ１００μｍ、幅：４００ｍｍ）の片面全面に、接着剤組成物３ａを、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗工し、１１０℃で５分間乾燥させて、剥離フィルム上と接着剤層との積層体を形成した。このようにして得られた積層体の接着剤層を、押切刃を用いて直径３２０ｍｍの円形形状に１００箇所で打ち抜いた。打ち抜きは、積層体の接着剤層側から行い、剥離フィルムへの切込み深さが１０μｍとなるように行った。打ち抜き後に、接着剤層の円形部の以外の部分を剥離フィルムから剥離し取り除いた。このようにして、１００個の円形の接着剤層を、剥離フィルム上に有する接着フィルムＢを得た。
【0074】
＜実施例３＞
実施例２において、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを２０μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例３の半導体加工用テープを作製した。
実施例２において、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを２０μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例３の半導体加工用テープを作製した。
【0075】
＜実施例４＞
実施例２において、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを２５μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例４の半導体加工用テープを作製した。
実施例２において、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを２５μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例４の半導体加工用テープを作製した。
【0076】
＜比較例１＞
実施例２において、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３０μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例１の半導体加工用テープを作製した。
実施例２において、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３０μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例１の半導体加工用テープを作製した。
【0077】
＜比較例２＞
実施例２において、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３５μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例２の半導体加工用テープを作製した。
実施例２において、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３５μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例２の半導体加工用テープを作製した。
【0078】
＜比較例３＞
実施例２において、接着フィルム作製時の剥離フィルムを厚さ３８μｍの離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ３８μｍ、幅：４００ｍｍ）とし、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３０μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例３の半導体加工用テープを作製した。
実施例２において、接着フィルム作製時の剥離フィルムを厚さ３８μｍの離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ３８μｍ、幅：４００ｍｍ）とし、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３０μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例３の半導体加工用テープを作製した。
【0079】
＜比較例４＞
実施例２において、接着フィルム作製時の剥離フィルムを厚さ５０μｍの離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ５０μｍ、幅：４００ｍｍ）とし、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３０μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例４の半導体加工用テープを作製した。
実施例２において、接着フィルム作製時の剥離フィルムを厚さ５０μｍの離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ５０μｍ、幅：４００ｍｍ）とし、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３０μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例４の半導体加工用テープを作製した。
【0080】
＜比較例５＞
実施例２において、接着フィルム作製時の剥離フィルムを厚さ５０μｍの離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ５０μｍ、幅：４００ｍｍ）とし、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３５μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例５の半導体加工用テープを作製した。
実施例２において、接着フィルム作製時の剥離フィルムを厚さ５０μｍの離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ５０μｍ、幅：４００ｍｍ）とし、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３５μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例５の半導体加工用テープを作製した。
【0081】
＜比較例６＞
実施例２において、接着フィルム作製時の剥離フィルムを厚さ３８μｍの離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ３８μｍ、幅：４００ｍｍ）とし、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３５μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例６の半導体加工用テープを作製した。
実施例２において、接着フィルム作製時の剥離フィルムを厚さ３８μｍの離型処理した長尺のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離フィルム（東洋紡エステルフィルム Ｅ７００４（商品名）、東洋紡績株式会社製、厚さ３８μｍ、幅：４００ｍｍ）とし、接着剤層打ち抜き時の剥離フィルムへの切り込み深さを３５μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、比較例６の半導体加工用テープを作製した。
【0082】
＜ラベル剥がれ発生率＞
実施例及び比較例の半導体加工用テープを半導体ウエハに貼合して、貼合時の不具合の発生について観察した。
上記の貼合には、テープ貼り付け装置としてウエハマウンター（Ｄｉｓｃｏ社製、商品名：ＤＦＭ２７００）を用いた。半導体ウエハは、厚さ１００μｍ、直径３００ｍｍの半導体ウエハとした。リングフレームは、Ｄｉｓｃｏ社製のＤＴＦ２－１２を用いた。
実施例及び比較例の半導体加工用テープを上記ウエハマウンターにセットし、図３（Ａ）～（Ｄ）に示すように、実施例及び比較例の半導体加工用テープから剥離フィルムを剥離しながら、露出した接着剤層とダイシングフィルムとの積層体を、半導体ウエハ及びリングフレームに貼合した。この操作を各実施例及び比較例の各半導体加工用テープについて１００回実施した（各半導体加工用テープにつき１００枚の半導体ウエハとの貼合を行った）。各半導体ウエハと接着剤層とダイシングフィルムの積層体との貼合の状態を目視で観察し、接着剤層から剥離フィルムを剥がすとき（図３（Ｂ））に、接着剤層が剥離フィルムに追従して粘着剤層から接着剤層が剥がれたり、接着剤層がシワになるなどの不具合が出た場合を「ラベル剥がれ」とし、ラベル剥がれ発生率（ラベル剥がれした半導体ウエハの数／１００個×１００（％））を求めた。
実施例及び比較例の半導体加工用テープを半導体ウエハに貼合して、貼合時の不具合の発生について観察した。
上記の貼合には、テープ貼り付け装置としてウエハマウンター（Ｄｉｓｃｏ社製、商品名：ＤＦＭ２７００）を用いた。半導体ウエハは、厚さ１００μｍ、直径３００ｍｍの半導体ウエハとした。リングフレームは、Ｄｉｓｃｏ社製のＤＴＦ２－１２を用いた。
実施例及び比較例の半導体加工用テープを上記ウエハマウンターにセットし、図３（Ａ）～（Ｄ）に示すように、実施例及び比較例の半導体加工用テープから剥離フィルムを剥離しながら、露出した接着剤層とダイシングフィルムとの積層体を、半導体ウエハ及びリングフレームに貼合した。この操作を各実施例及び比較例の各半導体加工用テープについて１００回実施した（各半導体加工用テープにつき１００枚の半導体ウエハとの貼合を行った）。各半導体ウエハと接着剤層とダイシングフィルムの積層体との貼合の状態を目視で観察し、接着剤層から剥離フィルムを剥がすとき（図３（Ｂ））に、接着剤層が剥離フィルムに追従して粘着剤層から接着剤層が剥がれたり、接着剤層がシワになるなどの不具合が出た場合を「ラベル剥がれ」とし、ラベル剥がれ発生率（ラベル剥がれした半導体ウエハの数／１００個×１００（％））を求めた。
【0083】
【表1】
【0084】
比較例１～６の半導体加工用テープは、いずれも、接着剤層のプリカット加工に伴う３０μｍ以上の切り込み深さの切り込みを有する剥離フィルムを備える。比較例１～６の半導体加工用テープは、いずれも、半導体ウエハのへの貼合の際にラベル剥がれの発生率が１４％以上となり、貼り付け不良が生じやすかった。剥離がしやすくラベル剥がれがより生じにくい、薄い剥離フィルムを備える比較例３～６の半導体加工用テープであっても、その傾向は変わらなかった。
これに対し、実施例１の半導体加工用テープは、接着剤層が塗布により形成されたことにより、切り込みを有しない剥離フィルムを備える。また、実施例２～４の半導体加工用テープは、接着剤層のプリカット加工に伴う切り込みの深さが２５μｍ以下に制御された剥離フィルムを備える。実施例１～４の半導体加工用テープは、いずれも、半導体ウエハへの貼合の際にラベル剥がれの発生率が１２％以下であり、貼り付け不良が抑制されていた。切り込み深さを浅くしたことにより、剥離フィルムへの接着剤層の噛みこみが抑制されていることが、貼り付け不良が抑制できた一因と考えられる。本発明の半導体加工用テープを用いれば、貼り付け不良を抑制して、効率よく、半導体ウエハへの貼り付けを行うことができることがわかる。
これに対し、実施例１の半導体加工用テープは、接着剤層が塗布により形成されたことにより、切り込みを有しない剥離フィルムを備える。また、実施例２～４の半導体加工用テープは、接着剤層のプリカット加工に伴う切り込みの深さが２５μｍ以下に制御された剥離フィルムを備える。実施例１～４の半導体加工用テープは、いずれも、半導体ウエハへの貼合の際にラベル剥がれの発生率が１２％以下であり、貼り付け不良が抑制されていた。切り込み深さを浅くしたことにより、剥離フィルムへの接着剤層の噛みこみが抑制されていることが、貼り付け不良が抑制できた一因と考えられる。本発明の半導体加工用テープを用いれば、貼り付け不良を抑制して、効率よく、半導体ウエハへの貼り付けを行うことができることがわかる。
【符号の説明】
【0085】
１ 半導体加工用テープ
２ ダイシングフィルム
２１ 基材
２２ 粘着剤層
３ 接着剤層
４ 剥離フィルム
５ 切り込み
６ 支持テープ
Ｒ リングフレーム
Ｗ 半導体ウエハ
１００ ステージ
ｔ ベロ出し治具
ｒ 貼合ロール
２ ダイシングフィルム
２１ 基材
２２ 粘着剤層
３ 接着剤層
４ 剥離フィルム
５ 切り込み
６ 支持テープ
Ｒ リングフレーム
Ｗ 半導体ウエハ
１００ ステージ
ｔ ベロ出し治具
ｒ 貼合ロール
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【手続補正書】
【提出日】2024-01-12
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材と該基材に接する粘着剤層との積層体からなるダイシングフィルムと、該粘着剤層に接する接着剤層と、該接着剤層に接する剥離フィルムとを有する積層体からなる半導体加工用テープであって、
前記接着剤層が、プリカット加工なしで形成された円形形状の塗布層であり、
前記ダイシングフィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の前記ダイシングフィルム側の面全体が前記ダイシングフィルムに接し、かつ、前記剥離フィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の剥離フィルム側の面全体が前記剥離フィルムに接し、
前記剥離フィルムは前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有しない、半導体加工用テープ。
前記接着剤層が、プリカット加工なしで形成された円形形状の塗布層であり、
前記ダイシングフィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の前記ダイシングフィルム側の面全体が前記ダイシングフィルムに接し、かつ、前記剥離フィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の剥離フィルム側の面全体が前記剥離フィルムに接し、
前記剥離フィルムは前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有しない、半導体加工用テープ。
【請求項2】
前記接着剤層の厚みが１～２００μｍである請求項１に記載の半導体加工用テープ。
【請求項3】
前記接着剤層がエポキシ樹脂及びフェノキシ樹脂を含有する、請求項１又は２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項4】
請求項１に記載された半導体加工用テープの製造方法であって、
前記接着剤層を、前記剥離フィルム上に、塗布によりプリカット加工なしで円形形状に形成することを含む、半導体加工用テープの製造方法。
前記接着剤層を、前記剥離フィルム上に、塗布によりプリカット加工なしで円形形状に形成することを含む、半導体加工用テープの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】2024-06-05
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材と該基材に接する粘着剤層との積層体からなるダイシングフィルムと、該粘着剤層に接する接着剤層と、該接着剤層に接する剥離フィルムとを有する積層体からなる半導体加工用テープであって、
前記接着剤層が、プリカット加工なしで形成された円形形状の塗布層であり、
前記ダイシングフィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の前記ダイシングフィルム側の面全体が前記ダイシングフィルムに接し、かつ、前記剥離フィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の剥離フィルム側の面全体が前記剥離フィルムに接し、
前記剥離フィルムは前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有しない、半導体加工用テープ（ただし、前記基材の前記粘着剤層が接する側とは反対側の面が十点平均粗さで６．０μｍ以上に粗面化されている半導体加工用テープ、前記基材の前記粘着剤層が接する側とは反対側の面が十点平均粗さで５．５μｍに粗面化されている半導体加工用テープ、及び前記基材の前記粘着剤層が接する側とは反対側の面が十点平均粗さで２．５μｍに粗面化されている半導体加工用テープを除く）。
前記接着剤層が、プリカット加工なしで形成された円形形状の塗布層であり、
前記ダイシングフィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の前記ダイシングフィルム側の面全体が前記ダイシングフィルムに接し、かつ、前記剥離フィルムの面積が前記接着剤層の面積よりも大きく、前記接着剤層の剥離フィルム側の面全体が前記剥離フィルムに接し、
前記剥離フィルムは前記接着剤層のプリカット加工に伴う前記接着剤層の周囲に沿った切り込みを有しない、半導体加工用テープ（ただし、前記基材の前記粘着剤層が接する側とは反対側の面が十点平均粗さで６．０μｍ以上に粗面化されている半導体加工用テープ、前記基材の前記粘着剤層が接する側とは反対側の面が十点平均粗さで５．５μｍに粗面化されている半導体加工用テープ、及び前記基材の前記粘着剤層が接する側とは反対側の面が十点平均粗さで２．５μｍに粗面化されている半導体加工用テープを除く）。
【請求項2】
前記接着剤層の厚みが１～２００μｍである請求項１に記載の半導体加工用テープ。
【請求項3】
前記接着剤層がエポキシ樹脂及びフェノキシ樹脂を含有する、請求項１又は２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項4】
請求項１に記載された半導体加工用テープの製造方法であって、
前記接着剤層を、前記剥離フィルム上に、塗布によりプリカット加工なしで円形形状に形成することを含む、半導体加工用テープの製造方法。
前記接着剤層を、前記剥離フィルム上に、塗布によりプリカット加工なしで円形形状に形成することを含む、半導体加工用テープの製造方法。