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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025020852
(43)【公開日】2025-02-13
(54)【発明の名称】発光装置及び発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10H 20/857 20250101AFI20250205BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023124464
(22)【出願日】2023-07-31
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】酒巻 聡
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA86
5F142BA32
5F142CA11
5F142CD02
5F142CG03
5F142CG24
5F142FA30
5F142FA40
5F142GA28
(57)【要約】
【課題】歩留まりがよい発光装置及び発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置の製造方法は、第１端子及び第１パッドを備えた実装基板の上に、前記第１端子と前記第１パッドとを導通する第１金属膜を前記第１端子の上面の一部及び前記第１パッドの上面の一部を覆うように形成する工程と、前記第１端子と前記第１パッドとの導通を確保しながら前記第１金属膜の表面側を絶縁化することにより第１絶縁膜を形成する工程と、第１電極を備えた発光素子を、前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、前記第１金属膜及び前記第１絶縁膜が形成された状態のまま前記第１端子及び前記第１電極の表面に第１めっき膜を形成する工程と、前記第１めっき膜を形成する工程の後、前記第１絶縁膜及び前記第１金属膜を除去する工程と、を有する。
【選択図】図８
【解決手段】発光装置の製造方法は、第１端子及び第１パッドを備えた実装基板の上に、前記第１端子と前記第１パッドとを導通する第１金属膜を前記第１端子の上面の一部及び前記第１パッドの上面の一部を覆うように形成する工程と、前記第１端子と前記第１パッドとの導通を確保しながら前記第１金属膜の表面側を絶縁化することにより第１絶縁膜を形成する工程と、第１電極を備えた発光素子を、前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、前記第１金属膜及び前記第１絶縁膜が形成された状態のまま前記第１端子及び前記第１電極の表面に第１めっき膜を形成する工程と、前記第１めっき膜を形成する工程の後、前記第１絶縁膜及び前記第１金属膜を除去する工程と、を有する。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１端子、第２端子、第１パッド及び第２パッドを備えた実装基板の上に、前記第１端子と前記第１パッドとを導通する第１金属膜を前記第１端子の上面の一部及び前記第１パッドの上面の一部を覆うように形成し、前記第２端子と前記第２パッドとを導通する第２金属膜を前記第２端子の上面の一部及び前記第２パッドの上面の一部を覆うように形成する工程と、
前記第１端子と前記第１パッドとの導通を確保しながら前記第１金属膜の表面側を絶縁化することにより第１絶縁膜を形成し、前記第２端子と前記第２パッドとの導通を確保しながら前記第２金属膜の表面側を絶縁化することにより第２絶縁膜を形成する工程と、
第１電極及び第２電極を備えた発光素子を、前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
前記第１金属膜及び前記第１絶縁膜が形成された状態のまま前記第１端子及び前記第１電極の表面に第１めっき膜を形成し、前記第２金属膜及び前記第２絶縁膜が形成された状態のまま前記第２端子及び前記第２電極の表面に第２めっき膜を形成する工程と、
前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程の後、前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程と、
を有する、発光装置の製造方法。
前記第１端子と前記第１パッドとの導通を確保しながら前記第１金属膜の表面側を絶縁化することにより第１絶縁膜を形成し、前記第２端子と前記第２パッドとの導通を確保しながら前記第２金属膜の表面側を絶縁化することにより第２絶縁膜を形成する工程と、
第１電極及び第２電極を備えた発光素子を、前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
前記第１金属膜及び前記第１絶縁膜が形成された状態のまま前記第１端子及び前記第１電極の表面に第１めっき膜を形成し、前記第２金属膜及び前記第２絶縁膜が形成された状態のまま前記第２端子及び前記第２電極の表面に第２めっき膜を形成する工程と、
前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程の後、前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程と、
を有する、発光装置の製造方法。
【請求項2】
前記第１金属膜及び前記第２金属膜を形成する工程は、
少なくとも、前記第１端子、前記第２端子、前記第１パッド、前記第２パッド、前記実装基板の表面の前記第１端子と前記第１パッドとの間に露出する第１部分、及び前記実装基板の表面の前記第２端子と前記第２パッドとの間に露出する第２部分を覆う第３金属膜を形成する工程と、
前記第３金属膜の、前記第１金属膜となる第１領域及び前記第２金属膜となる第２領域の上にマスクを形成する工程と、
前記第３金属膜の前記マスクから露出した部分を除去する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
少なくとも、前記第１端子、前記第２端子、前記第１パッド、前記第２パッド、前記実装基板の表面の前記第１端子と前記第１パッドとの間に露出する第１部分、及び前記実装基板の表面の前記第２端子と前記第２パッドとの間に露出する第２部分を覆う第３金属膜を形成する工程と、
前記第３金属膜の、前記第１金属膜となる第１領域及び前記第２金属膜となる第２領域の上にマスクを形成する工程と、
前記第３金属膜の前記マスクから露出した部分を除去する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項3】
前記第１金属膜及び前記第２金属膜を形成する工程は、
前記第１金属膜が形成される第１領域及び前記第２金属膜が形成される第２領域を除く前記実装基板の表面側にマスクを形成する工程と、
前記マスクの表面と、前記実装基板の表面の前記マスクから露出した部分と、を覆う第３金属膜を形成する工程と、
前記マスクと、前記マスクの上に形成された前記第３金属膜と、を除去する工程と、
を有する、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
前記第１金属膜が形成される第１領域及び前記第２金属膜が形成される第２領域を除く前記実装基板の表面側にマスクを形成する工程と、
前記マスクの表面と、前記実装基板の表面の前記マスクから露出した部分と、を覆う第３金属膜を形成する工程と、
前記マスクと、前記マスクの上に形成された前記第３金属膜と、を除去する工程と、
を有する、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項4】
前記第１金属膜及び前記第２金属膜を形成する工程において、
前記第１金属膜及び前記第２金属膜は、複数の層からなり、
前記第１金属膜及び前記第２金属膜の最表面側に位置する層は、アルミニウム、クロム、又は、タングステンとチタンとの合金を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記第１金属膜及び前記第２金属膜は、複数の層からなり、
前記第１金属膜及び前記第２金属膜の最表面側に位置する層は、アルミニウム、クロム、又は、タングステンとチタンとの合金を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項5】
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程において、エッチングによって前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去し、
前記第１端子、前記第２端子、前記第１電極、前記第２電極、前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜は、前記エッチングに使用するエッチャントに対して、前記第１金属膜及び前記第２金属膜よりも高い耐性を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記第１端子、前記第２端子、前記第１電極、前記第２電極、前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜は、前記エッチングに使用するエッチャントに対して、前記第１金属膜及び前記第２金属膜よりも高い耐性を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項6】
前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程において、前記第１端子の上面の一部に配置された前記第１金属膜上に前記第１めっき膜を形成するとともに、前記第２端子の上面の一部に配置された前記第２金属膜上に前記第２めっき膜を形成し、
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程において、前記第１めっき膜の側面に、前記第１端子の上面の一部を含み、前記第１電極に向かって凹んだ第１凹部を形成するとともに、前記第２めっき膜の側面に、前記第２端子の上面の一部を含み、前記第２電極に向かって凹んだ第２凹部を形成し、
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程の後、前記実装基板の上に、平面視で前記発光素子を取り囲むとともに、前記第１凹部及び前記第２凹部に配置される光反射材を形成する工程を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程において、前記第１めっき膜の側面に、前記第１端子の上面の一部を含み、前記第１電極に向かって凹んだ第１凹部を形成するとともに、前記第２めっき膜の側面に、前記第２端子の上面の一部を含み、前記第２電極に向かって凹んだ第２凹部を形成し、
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程の後、前記実装基板の上に、平面視で前記発光素子を取り囲むとともに、前記第１凹部及び前記第２凹部に配置される光反射材を形成する工程を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項7】
前記第１電極の前記第１端子に対向する面は前記第１端子に向かって凸であり、
前記第２電極の前記第２端子に対向する面は前記第２端子に向かって凸である、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記第２電極の前記第２端子に対向する面は前記第２端子に向かって凸である、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項8】
前記発光素子を前記実装基板に搭載する工程と前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程との間に、
前記第１パッドと前記第２パッドとの間に電圧を印加して前記発光素子の検査を行う工程と、
前記検査の結果に応じて前記発光素子を前記実装基板から取り外す工程と、
第１電極及び第２電極を備えた他の発光素子を、当該他の発光素子の前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記第１パッドと前記第２パッドとの間に電圧を印加して前記発光素子の検査を行う工程と、
前記検査の結果に応じて前記発光素子を前記実装基板から取り外す工程と、
第１電極及び第２電極を備えた他の発光素子を、当該他の発光素子の前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項9】
前記発光素子を前記実装基板に搭載する工程と前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程との間に、
前記発光素子に励起光を照射して前記発光素子の検査を行う工程と、
前記検査の結果に応じて前記発光素子を前記実装基板から取り外す工程と、
第１電極及び第２電極を備えた他の発光素子を、当該他の発光素子の前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
前記発光素子に励起光を照射して前記発光素子の検査を行う工程と、
前記検査の結果に応じて前記発光素子を前記実装基板から取り外す工程と、
第１電極及び第２電極を備えた他の発光素子を、当該他の発光素子の前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項10】
第１端子、第２端子、第１パッド及び第２パッドを備えた実装基板と、
第１電極及び第２電極を備え、前記第１電極が前記第１端子の上面に接触し、前記第２電極が前記第２端子の上面に接触する発光素子と、
前記第１端子及び前記第１電極の表面に形成された第１めっき膜と、
前記第２端子及び前記第２電極の表面に形成された第２めっき膜と、
前記実装基板の上に形成され、平面視で前記発光素子を取り囲む光反射材と、
を有し、
前記第１めっき膜の側面に、前記第１端子の上面の一部を含み、前記第１電極に向かって凹んだ第１凹部が形成され、
前記第２めっき膜の側面に、前記第２端子の上面の一部を含み、前記第２電極に向かって凹んだ第２凹部が形成されており、
前記第１凹部及び前記第２凹部に前記光反射材が配置されている、発光装置。
第１電極及び第２電極を備え、前記第１電極が前記第１端子の上面に接触し、前記第２電極が前記第２端子の上面に接触する発光素子と、
前記第１端子及び前記第１電極の表面に形成された第１めっき膜と、
前記第２端子及び前記第２電極の表面に形成された第２めっき膜と、
前記実装基板の上に形成され、平面視で前記発光素子を取り囲む光反射材と、
を有し、
前記第１めっき膜の側面に、前記第１端子の上面の一部を含み、前記第１電極に向かって凹んだ第１凹部が形成され、
前記第２めっき膜の側面に、前記第２端子の上面の一部を含み、前記第２電極に向かって凹んだ第２凹部が形成されており、
前記第１凹部及び前記第２凹部に前記光反射材が配置されている、発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
車両用灯具又は照明等に用いられる発光装置として、実装基板に複数の発光素子が搭載され、各発光素子を取り囲む光反射材が設けられた発光装置が知られている。このような発光装置において、実装基板に搭載された複数の発光素子に、点灯しない発光素子が含まれることがある。例えば、複数の発光素子のうちで点灯する発光素子の割合（点灯率）を基準として発光装置の良否を判断する場合、点灯率が基準値未満の発光装置は不良となる。また、実装基板に複数の発光素子が搭載された発光装置の製造過程では、実装基板に複数の発光素子をめっきにより接合していることがあり、めっきによる接合を可能とする実装基板が知られている。しかし、実装基板に発光素子をめっきによって接合する場合、接合後に、点灯しない発光素子を交換することは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開昭５２－０５５３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
点灯しない発光素子を交換可能として歩留まりを向上することが望まれる。また、発光装置においては、光反射材の発光装置からの脱離を抑制し信頼性を向上することで歩留まりを向上することが望まれる。
【0005】
本開示は、歩留まりがよい発光装置及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
開示の技術の一態様によれば、発光装置の製造方法は、第１端子、第２端子、第１パッド及び第２パッドを備えた実装基板の上に、前記第１端子と前記第１パッドとを導通する第１金属膜を前記第１端子の上面の一部及び前記第１パッドの上面の一部を覆うように形成し、前記第２端子と前記第２パッドとを導通する第２金属膜を前記第２端子の上面の一部及び前記第２パッドの上面の一部を覆うように形成する工程と、前記第１端子と前記第１パッドとの導通を確保しながら前記第１金属膜の表面側を絶縁化することにより第１絶縁膜を形成し、前記第２端子と前記第２パッドとの導通を確保しながら前記第２金属膜の表面側を絶縁化することにより第２絶縁膜を形成する工程と、第１電極及び第２電極を備えた発光素子を、前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、前記第１金属膜及び前記第１絶縁膜が形成された状態のまま前記第１端子及び前記第１電極の表面に第１めっき膜を形成し、前記第２金属膜及び前記第２絶縁膜が形成された状態のまま前記第２端子及び前記第２電極の表面に第２めっき膜を形成する工程と、前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程の後、前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程と、を有する。
【0007】
開示の技術の一態様によれば、発光装置は、第１端子、第２端子、第１パッド及び第２パッドを備えた実装基板と、第１電極及び第２電極を備え、前記第１電極が前記第１端子の上面に接触し、前記第２電極が前記第２端子の上面に接触する発光素子と、前記第１端子及び前記第１電極の表面に形成された第１めっき膜と、前記第２端子及び前記第２電極の表面に形成された第２めっき膜と、前記実装基板の上に形成され、平面視で前記発光素子を取り囲む光反射材と、を有し、前記第１めっき膜の側面に、前記第１端子の上面の一部を含み、前記第１電極に向かって凹んだ第１凹部が形成され、前記第２めっき膜の側面に、前記第２端子の上面の一部を含み、前記第２電極に向かって凹んだ第２凹部が形成されており、前記第１凹部及び前記第２凹部に前記光反射材が配置されている。
【発明の効果】
【0008】
本開示によれば、歩留まりがよい発光装置及び発光装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図2】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図3】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図4】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図5】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図6】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図7】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図8】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図9】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図10】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図11】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す上面図である。
【図12】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す上面図である。
【図13】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す上面図である。
【図14】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す上面図である。
【図15】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す上面図である。
【図16】第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す上面図である。
【図17】第２実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図18】第２実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図19】第２実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図20】第２実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図21】第２実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図22】金属膜の配置の第１例を示す上面図である。
【図23】金属膜の配置の第２例を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図面を参照しながら、本開示を実施するための実施形態を説明する。以下の説明は、本開示の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本開示を以下の記載に限定するものではない。
【0011】
各図面中、同一の機能を有する部材には、同一符号を付している場合がある。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態に分けて示す場合があるが、異なる実施形態や実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。後に示す実施形態では、先に示した実施形態との異なる事項について主に説明し、先に示した実施形態と共通の事柄について重複する説明を省略することがある。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張して示している場合がある。また、以下の説明では、ＸＹＺ直交座標系を用いるが、当該座標系は、説明のために定めるものであって、発光装置の姿勢について限定するものではない。また、任意の点からみて、＋Ｚ側を上方、上側または上ということがあり、－Ｚ側を下方、下側または下ということがある。
【0012】
（第１実施形態）
まず、第１実施形態について説明する。第１実施形態は発光装置の製造方法に関する。図１は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。図２～図１０は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。図１１～図１６は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す上面図である。図２～図１０は、図１１～図１６中のＩ－Ｉ線に沿った断面を示す。
まず、第１実施形態について説明する。第１実施形態は発光装置の製造方法に関する。図１は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。図２～図１０は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。図１１～図１６は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す上面図である。図２～図１０は、図１１～図１６中のＩ－Ｉ線に沿った断面を示す。
【0013】
まず、図２及び図１１に示すように、基材１５と、複数個のＰ端子１１Ｐと、複数個のＮ端子１１Ｎと、Ｐ給電パッド１２Ｐと、Ｎ給電パッド１２Ｎとを備えた実装基板１０を準備する工程を行う（ステップＳ１）。基材１５は、ＸＹ平面に平行な２つの主面を有し、＋Ｚ側の主面にＰ端子１１Ｐ、Ｎ端子１１Ｎ、Ｐ給電パッド１２Ｐ及びＮ給電パッド１２Ｎが設けられている。例えば、基材１５は複数の配線層を有する。Ｐ給電パッド１２Ｐ及びＮ給電パッド１２ＮはＹ軸に沿って延びる。複数個のＰ端子１１Ｐは、Ｐ給電パッド１２ＰとＮ給電パッド１２Ｎとの間でＹ軸に沿って並んでいる。複数個のＮ端子１１Ｎは、Ｐ給電パッド１２ＰとＮ給電パッド１２Ｎとの間でＹ軸に沿って並んでいる。Ｐ端子１１ＰはＰ給電パッド１２ＰとＮ端子１１Ｎとの間にあり、Ｎ端子１１ＮはＮ給電パッド１２ＮとＰ端子１１Ｐとの間にある。Ｐ端子１１ＰとＮ端子１１ＮとがＸ軸に沿って隣り合っている。Ｐ端子１１Ｐ、Ｎ端子１１Ｎ、Ｐ給電パッド１２Ｐ及びＮ給電パッド１２Ｎの材料は、表面が酸化しにくい材料を使用することができる。例えば金（Ａｕ）、または、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔなどの白金族である。Ｐ端子１１Ｐは第１端子の一例であり、Ｎ端子１１Ｎは第２端子の一例であり、Ｐ給電パッド１２Ｐは第１パッドの一例であり、Ｎ給電パッド１２Ｎは第２パッドの一例である。
【0014】
次いで、図２に示すように、Ｐ端子１１Ｐと、Ｎ端子１１Ｎと、Ｐ給電パッド１２Ｐと、Ｎ給電パッド１２Ｎと、実装基板１０の表面の第１部分１３Ｐと、実装基板１０の表面の第２部分１３Ｎとを覆う金属膜２３を形成する工程を行う（ステップＳ２）。第１部分１３Ｐは、実装基板１０の表面のＰ端子１１ＰとＰ給電パッド１２Ｐとの間に露出する部分である。第２部分１３Ｎは、実装基板１０の表面のＮ端子１１ＮとＮ給電パッド１２Ｎとの間に露出する部分である。例えば、金属膜２３は複数の層からなり、金属膜２３の最表面側に位置する層は、アルミニウム、クロム、又は、タングステンとチタンとの合金を含む。金属膜２３の形成では、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）層２１を形成し、その後にチタンタングステン層２１の上にアルミニウム（Ａｌ）層２２を形成する。チタンタングステン層２１に代えて、チタン層を形成してもよく、アルミニウム層２２に代えて、クロム層、又は、タングステンとチタンとの合金層を形成してもよい。チタンタングステン層２１を設けることで、アルミニウム層２２とＰ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎが相互に拡散することを抑制することができる。金属膜２３の比抵抗は、Ｐ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの比抵抗と同程度であることが好ましい。金属膜２３は第３金属膜の一例である。
【0015】
次いで、図３及び図１２に示すように、金属膜２３の第１領域２７Ｐ及び第２領域２７Ｎの上にマスク５１を形成する工程を行う（ステップＳ３）。金属膜２３の第１領域２７Ｐは、実装基板１０の第１部分１３Ｐと、Ｐ端子１１Ｐの上面１１ＰＡの一部分と、Ｐ給電パッド１２Ｐの上面１２ＰＡの一部分とを覆う領域である。金属膜２３の第２領域２７Ｎは、実装基板１０の第２部分１３Ｎと、Ｎ端子１１Ｎの上面１１ＮＡの一部分と、Ｎ給電パッド１２Ｎの上面１２ＮＡの一部分とを覆う領域である。マスク５１は、例えばレジストの塗布、露光及び現像によって形成する。
【0016】
次いで、図４に示すように、金属膜２３のマスク５１から露出した部分を除去する工程を行う（ステップＳ４）。この結果、金属膜２３の第１領域２７Ｐに、Ｐ端子１１ＰとＰ給電パッド１２Ｐとを導通する金属膜２０ＰがＰ端子１１Ｐの上面１１ＰＡの一部及びＰ給電パッド１２Ｐの上面１２ＰＡの一部を覆うように形成される。また、金属膜２３の第２領域２７Ｎに、Ｎ端子１１ＮとＮ給電パッド１２Ｎとを導通する金属膜２０ＮがＮ端子１１Ｎの上面１１ＮＡの一部及びＮ給電パッド１２Ｎの上面１２ＮＡの一部を覆うように形成される。例えば、金属膜２０Ｐは、チタンタングステン層２１Ｐと、チタンタングステン層２１Ｐの上のアルミニウム層２２Ｐとを有し、金属膜２０Ｎは、チタンタングステン層２１Ｎと、チタンタングステン層２１Ｎの上のアルミニウム層２２Ｎとを有する。ステップＳ３においてマスク５１を形成した、金属膜２３の第１領域２７Ｐは金属膜２０Ｐとなる領域であり、金属膜２３の第２領域２７Ｎは金属膜２０Ｎとなる領域である。金属膜２３のマスク５１から露出した部分を除去する工程では、ドライエッチングを行ってもよく、ウェットエッチングを行ってもよい。金属膜２０Ｐは第１金属膜の一例であり、金属膜２０Ｎは第２金属膜の一例である。
【0017】
次いで、図５及び図１３に示すように、マスク５１を除去する工程を行う（ステップＳ５）。更に、Ｐ端子１１ＰとＰ給電パッド１２Ｐとの導通を確保しながら金属膜２０Ｐの表面側を絶縁化することにより絶縁膜２５Ｐを形成し、Ｎ端子１１ＮとＮ給電パッド１２Ｎとの導通を確保しながら金属膜２０Ｎの表面側を絶縁化することにより絶縁膜２５Ｎを形成する工程を行う（ステップＳ６）。例えば、大気中で２００℃程度の温度での熱処理を行うことにより、アルミニウム層２２Ｐの表面に酸化アルミニウム膜を絶縁膜２５Ｐとして形成し、アルミニウム層２２Ｎの表面に酸化アルミニウム膜を絶縁膜２５Ｎとして形成する。この時、アルミニウム層２２Ｐ及びアルミニウム層２２Ｎの全体を酸化するのではなく、アルミニウム層２２ＰにＰ端子１１ＰとＰ給電パッド１２Ｐとの導通を確保する部分を確保し、アルミニウム層２２ＮにＮ端子１１ＮとＮ給電パッド１２Ｎとの導通を確保する部分を確保する。なお、絶縁化において、酸化に代えて窒化を行ってもよい。絶縁膜２５Ｐは第１絶縁膜の一例であり、絶縁膜２５Ｎは第２絶縁膜の一例である。
【0018】
次いで、図６及び図１４に示すように、基部３５、Ｐ電極３１Ｐ及びＮ電極３１Ｎを備えた発光素子３０を、Ｐ電極３１ＰをＰ端子１１Ｐの上面１１ＰＡに接触させ、Ｎ電極３１ＮをＮ端子１１Ｎの上面１１ＮＡに接触させて実装基板１０に搭載する工程を行う（ステップＳ７）。この時、複数の発光素子３０を実装基板１０に搭載する。例えば、２００℃程度の温度下で１００００個以上の発光素子３０が全体として６００Ｎの圧力で実装基板１０に熱圧着される。例えば、発光素子３０は、平面視で一辺の長さが５０μｍ以下のマイクロ発光ダイオード（light emitting diode：ＬＥＤ）である。例えば、Ｐ電極３１ＰのＰ端子１１Ｐに対向する面３１ＰＡはＰ端子１１Ｐに向かって凸であり、Ｎ電極３１ＮのＮ端子１１Ｎに対向する面３１ＮＡはＮ端子１１Ｎに向かって凸である。面３１ＰＡ及び３１ＮＡが凸状の曲面であってもよい。Ｐ電極３１Ｐは第１電極の一例であり、Ｎ電極３１Ｎは第２電極の一例である。
【0019】
次いで、発光素子３０の検査を行う（ステップＳ８）。検査としては、エレクトロルミネッセンス（electroluminescence：ＥＬ）検査及びフォトルミネッセンス（photoluminescence：ＰＬ）検査が例示される。
【0020】
ＥＬ検査は、Ｐ給電パッド１２ＰとＮ給電パッド１２Ｎとの間に電圧を印加して発光素子３０の検査を行う工程を有する。ＥＬ検査では、電圧を印加しても発光しない発光素子３０を、一定の基準を満たさない発光素子３０（以下、不良発光素子ということがある。）とする。
【0021】
ＰＬ検査は、発光素子３０に励起光を照射して発光素子３０の検査を行う工程を有する。ＰＬ検査では、Ｐ端子１１ＰとＮ端子１１Ｎとの間を非導通とし、励起光を照射しても発光しない発光素子３０を、内部でショート（短絡）が発生していると判断し、不良発光素子とする。なお、Ｐ端子１１ＰとＮ端子１１Ｎとを導通するように金属膜２０Ｐ及び２０Ｎとは別に金属膜を形成しておき、ＰＬ検査において、励起光を照射した時に発光する発光素子３０を、内部でオープン（断線）が発生していると判断し、不良発光素子とするようにしてもよい。
【0022】
次いで、ステップＳ８の検査の結果、不良発光素子があるか否かの判断を行う（ステップＳ９）。そして、不良発光素子がある場合には、図１５に示すように、不良発光素子を実装基板１０から取り外す工程を行う（ステップＳ１０）。その後、ステップＳ７に戻り、他の発光素子３０を、不良発光素子が搭載されていた部分において、Ｐ電極３１ＰをＰ端子１１Ｐの上面１１ＰＡに接触させ、Ｎ電極３１ＮをＮ端子１１Ｎの上面１１ＮＡに接触させて実装基板１０に搭載する工程を行う。
【0023】
Ｐ電極３１Ｐの面３１ＰＡがＰ端子１１Ｐに向かって凸であると、面３１ＰＡが平坦である場合よりも面３１ＰＡと上面１１ＰＡとの接触面積が小さく、Ｐ電極３１ＰをＰ端子１１Ｐから離しやすい。同様に、Ｎ電極３１Ｎの面３１ＮＡがＮ端子１１Ｎに向かって凸であると、面３１ＮＡが平坦である場合よりも面３１ＮＡと上面１１ＮＡとの接触面積が小さく、Ｎ電極３１ＮをＮ端子１１Ｎから離しやすい。従って、Ｐ電極３１Ｐの面３１ＰＡがＰ端子１１Ｐに向かって凸であり、Ｎ電極３１Ｎの面３１ＮＡがＮ端子１１Ｎに向かって凸であると、不良発光素子を実装基板１０から取り外しやすい。
【0024】
そして、不良発光素子がなくなるまでステップＳ７～Ｓ１０の処理を繰り返す。ステップＳ９において不良発光素子がなくなっていると、図７及び図８に示すように、めっき膜４１Ｐ及びめっき膜４１Ｎを形成する工程を行う（ステップＳ１１）。めっき膜４１Ｐ及びめっき膜４１Ｎの材料は、例えば金である。めっき膜４１Ｐ及びめっき膜４１Ｎの形成では、例えば、Ｐ給電パッド１２Ｐ及びＮ給電パッド１２Ｎからの給電を伴う電解金めっき処理を行う。
【0025】
具体的には、図７に示すように、金属膜２０Ｐ、金属膜２０Ｎ、絶縁膜２５Ｐ及び絶縁膜２５Ｎが形成された状態のまま、Ｐ端子１１Ｐ、Ｎ端子１１Ｎ、Ｐ電極３１Ｐ及びＮ電極３１Ｎをめっき液４７に浸漬する。めっき液４７としては、金属膜２０Ｐ及び金属膜２０Ｎが耐性を有するめっき液が用いられる。金属膜２０Ｐがチタンタングステン層２１Ｐ及びアルミニウム層２２Ｐから構成され、金属膜２０Ｎがチタンタングステン層２１Ｎ及びアルミニウム層２２Ｎから構成される場合、アルミニウムは、アルカリ性のめっき液に対して溶解してしまうため、めっき液４７は酸性又は中性であることが好ましく、酸性シアン浴であることが特に好ましい。また、めっき処理においては、カバー４６によりＰ給電パッド１２Ｐ及びＮ給電パッド１２Ｎにめっき液４７が触れないようにしておいてもよい。
【0026】
このようなめっき処理の結果、図８に示すように、金属膜２０Ｐ及び絶縁膜２５Ｐが形成された状態のままＰ端子１１Ｐ及びＰ電極３１Ｐの表面にめっき膜４１Ｐが形成され、金属膜２０Ｎ及び絶縁膜２５Ｎが形成された状態のままＮ端子１１Ｎ及びＮ電極３１Ｎの表面にめっき膜４１Ｎが形成される。めっき液４７への浸漬前の状態で発光素子３０と実装基板１０との間に空間があるため、発光素子３０と実装基板１０との間にめっき液４７が入り込みやすく、めっき膜４１Ｐ及びめっき膜４１Ｎが形成されやすい。めっき膜４１Ｐの一部は、Ｐ端子１１Ｐの上面１１ＰＡの一部に配置された金属膜２０Ｐの上に形成され、めっき膜４１Ｎの一部は、Ｎ端子１１Ｎの上面１１ＮＡの一部に配置された金属膜２０Ｎの上に形成される。また、Ｐ電極３１Ｐの面３１ＰＡがＰ端子１１Ｐに向かって凸であることで、面３１ＰＡと上面１１ＰＡとの間に隙間が存在しているが、この隙間はめっき膜４１Ｐにより充填される。従って、Ｐ電極３１ＰとＰ端子１１Ｐとの間に優れた接合強度が得られる。同様に、Ｎ電極３１Ｎの面３１ＮＡがＮ端子１１Ｎに向かって凸であることで、面３１ＮＡと上面１１ＮＡとの間に隙間が存在しているが、この隙間はめっき膜４１Ｎにより充填される。従って、Ｎ電極３１ＮとＮ端子１１Ｎとの間に優れた接合強度が得られる。めっき膜４１Ｐは第１めっき膜の一例であり、めっき膜４１Ｎは第２めっき膜の一例である。
【0027】
その一方で、金属膜２０Ｐの表面には絶縁膜２５Ｐが形成され、金属膜２０Ｎの表面には絶縁膜２５Ｎが形成されている。このため、めっき膜４１Ｐは金属膜２０Ｐから成長せず、めっき膜４１Ｎは金属膜２０Ｎから成長しない。また、アルミニウムは卑金属であるため、仮にアルミニウム層２２Ｐ又はアルミニウム層２２Ｎからめっき液へアルミニウムが混入したとしても、アルミニウムの電析が生じにくい。
【0028】
次いで、図９及び図１６に示すように、絶縁膜２５Ｐ、金属膜２０Ｐ、絶縁膜２５Ｎ及び金属膜２０Ｎを除去する工程を行う（ステップＳ１２）。絶縁膜２５Ｐ、金属膜２０Ｐ、絶縁膜２５Ｎ及び金属膜２０Ｎは、例えばウェットエッチングによって除去することができる。絶縁膜２５Ｐ、アルミニウム層２２Ｐ、絶縁膜２５Ｎ及びアルミニウム層２２Ｎのウェットエッチングでは、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）又は、リン硝酢酸の水溶液をエッチャントとして用いる。リン硝酢酸の水溶液をエッチャントとして用いる場合、例えば、リン酸、硝酸、酢酸、水の混合割合が、８０質量％のリン酸、５質量％の硝酸、５質量％の酢酸、および１０質量％の水となる水溶液を用いてもよい。チタンタングステン層２１Ｐ及びチタンタングステン層２１Ｎのウェットエッチングでは、例えば過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）の水溶液をエッチャントとして用いる。Ｐ端子１１Ｐ、Ｎ端子１１Ｎ、Ｐ電極３１Ｐ、Ｎ電極３１Ｎ、めっき膜４１Ｐ及びめっき膜４１Ｎは、絶縁膜２５Ｐ、金属膜２０Ｐ、絶縁膜２５Ｎ及び金属膜２０Ｎのエッチングに使用するエッチャントに対して、金属膜２０Ｐ及び金属膜２０Ｎよりも高い耐性を有する。よって、絶縁膜２５Ｐ、金属膜２０Ｐ、絶縁膜２５Ｎ及び金属膜２０Ｎをエッチングする際に、Ｐ端子１１Ｐ、Ｎ端子１１Ｎ、Ｐ電極３１Ｐ、Ｎ電極３１Ｎ、めっき膜４１Ｐ及びめっき膜４１Ｎは、エッチングされにくい。このため、エッチングが進行することによって発生し得る、発光装置１００における硫化起点の形成、発光素子３０と実装基板１０との接合強度の低下などを抑制することができる。
【0029】
上記のように、めっき膜４１Ｐの一部は、Ｐ端子１１Ｐの上面１１ＰＡの一部に配置された金属膜２０Ｐの上に形成されている。このため、絶縁膜２５Ｐ及び金属膜２０Ｐの除去に伴って、めっき膜４１Ｐの側面に、Ｐ端子１１Ｐの上面１１ＰＡの一部を含み、Ｐ電極３１Ｐに向かって凹んだ凹部４１ＰＡが形成される。同様に、めっき膜４１Ｎの一部は、Ｎ端子１１Ｎの上面１１ＮＡの一部に配置された金属膜２０Ｎの上に形成されている。このため、絶縁膜２５Ｎ及び金属膜２０Ｎの除去に伴って、めっき膜４１Ｎの側面に、Ｎ端子１１Ｎの上面１１ＮＡの一部を含み、Ｎ電極３１Ｎに向かって凹んだ凹部４１ＮＡが形成される。凹部４１ＰＡは第１凹部の一例であり、凹部４１ＮＡは第２凹部の一例である。
【0030】
次いで、図１０に示すように、実装基板１０の上に、平面視で発光素子３０を取り囲むとともに、凹部４１ＰＡ及び凹部４１ＮＡに配置される光反射材５０を形成する工程を行う（ステップＳ１３）。光反射材５０は、例えば酸化チタンの粉末を含有する白色の樹脂材料を用いて形成する。
【0031】
このようにして、発光装置１００を製造することができる。
【0032】
発光装置１００においては、その製造過程で不良発光素子が取り外され、一定の基準を満たす発光素子３０に交換されている。従って、高い歩留まりを得ることができる。不良発光素子の取り外しは、発光素子３０の検査に基づいて行われるが、本実施形態では、金属膜２０Ｐ及び金属膜２０Ｎが形成されるため、めっき膜４１Ｐ及びめっき膜４１Ｎの形成前に発光素子３０の検査を行うことができる。このため、不良発光素子を容易に取り外すことができる。
【0033】
また、光反射材５０が平面視で発光素子３０を取り囲むだけでなく、光反射材５０が凹部４１ＰＡ及び凹部４１ＮＡ内に配置されている。このため、アンカー効果により、光反射材５０と実装基板１０及び発光素子３０との間の密着性が向上し、光反射材５０の発光装置１００からの脱離を抑制することができる。
【0034】
更に、金属膜２０ＰがＰ端子１１Ｐの上面１１ＰＡの一部及びＰ給電パッド１２Ｐの上面１２ＰＡの一部を覆うように形成されるため、マスク５１の位置に若干の位置ずれが生じたとしても、金属膜２０ＰとＰ端子１１Ｐ及びＰ給電パッド１２Ｐとの導通を確保しやすい。同様に、金属膜２０ＮがＮ端子１１Ｎの上面１１ＮＡの一部及びＮ給電パッド１２Ｎの上面１２ＮＡの一部を覆うように形成されるため、マスク５１の位置に若干の位置ずれが生じたとしても、金属膜２０ＮとＮ端子１１Ｎ及びＮ給電パッド１２Ｎとの導通を確保しやすい。
【0035】
なお、ステップＳ９では、不良発光素子の有無を判断しているが、不良発光素子の割合が予め定められた所定値以上であれば、ステップＳ１０に進み、所定値未満であれば、ステップＳ１１に進むようにしてもよい。つまり、例えば、発光装置１００において基準値以上の点灯率が得られる場合には、点灯率が１００％でなくても、ステップＳ１０に進まず、ステップＳ１１においてめっき膜４１Ｐ及び４１Ｎを形成するようにしてもよい。
【0036】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主として金属膜２０Ｐ及び金属膜２０Ｎの形成方法の点で第１実施形態と相違する。図１７～図１９は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主として金属膜２０Ｐ及び金属膜２０Ｎの形成方法の点で第１実施形態と相違する。図１７～図１９は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【0037】
第２実施形態では、まず、第１実施形態と同様に、実装基板１０を準備する工程を行う。次いで、図１７に示すように、第１領域２７Ｐ及び第２領域２７Ｎを除く実装基板１０の表面側にマスク５２を形成する工程を行う。マスク５２は、例えばレジストの塗布、露光及び現像によって形成する。
【0038】
次いで、図１８に示すように、マスク５２の表面と、実装基板１０の表面のマスク５２から露出した部分とを覆う金属膜２３を形成する工程を行う。金属膜２３は、第１実施形態と同様の方法で形成することができる。金属膜２３は、マスク５２の上面に形成されるが、マスク５２の側面には形成されない。
【0039】
次いで、図１９に示すように、マスク５２と、マスク５２の上に形成された金属膜２３とを除去する工程を行う。つまり、リフトオフが行われる。この結果、金属膜２３の第１領域２７Ｐに、Ｐ端子１１ＰとＰ給電パッド１２Ｐとを導通する金属膜２０ＰがＰ端子１１Ｐの上面１１ＰＡの一部及びＰ給電パッド１２Ｐの上面１２ＰＡの一部を覆うように形成される。また、金属膜２３の第２領域２７Ｎに、Ｎ端子１１ＮとＮ給電パッド１２Ｎとを導通する金属膜２０ＮがＮ端子１１Ｎの上面１１ＮＡの一部及びＮ給電パッド１２Ｎの上面１２ＮＡの一部を覆うように形成される。
【0040】
その後、第１実施形態と同様に、絶縁膜２５Ｐ及び絶縁膜２５Ｎを形成する工程以降の工程を行う。
【0041】
このようにして、発光装置１００を製造することができる。
【0042】
第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、発光装置１００の製造過程で不良発光素子が取り外され、一定の基準を満たす発光素子３０に交換されるため、高い歩留まりを得ることができる。また、光反射材５０の発光装置１００からの脱離を抑制することができる。
【0043】
また、マスク５２の位置に若干の位置ずれが生じたとしても、金属膜２０ＰとＰ端子１１Ｐ及びＰ給電パッド１２Ｐとの導通を確保しやすく、金属膜２０ＮとＮ端子１１Ｎ及びＮ給電パッド１２Ｎとの導通を確保しやすい。
【0044】
（第２実施形態の変形例）
次に、第２実施形態の変形例について説明する。第２実施形態の変形例は、主としてマスクの形状の点で第２実施形態と相違する。図２０～図２１は、第２実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
次に、第２実施形態の変形例について説明する。第２実施形態の変形例は、主としてマスクの形状の点で第２実施形態と相違する。図２０～図２１は、第２実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【0045】
第２実施形態の変形例では、まず、第１実施形態と同様に、実装基板１０を準備する工程を行う。次いで、図２０に示すように、上面視において第１領域２７Ｐ及び第２領域２７Ｎを除く実装基板１０の表面側にマスク５３を形成する工程を行う。マスク５３の開口部は、実装基板１０に近づくほど広がるテーパ形状を有する。マスク５３は、例えばレジストの塗布、露光及び現像によって形成する。
【0046】
次いで、図２１に示すように、マスク５３の表面と、実装基板１０の表面のマスク５３から露出した部分とを覆う金属膜２３を形成する工程を行う。金属膜２３は、第１実施形態と同様の方法で形成することができる。金属膜２３は、マスク５２の上面に形成されるが、マスク５３の側面には形成されない。また、マスク５３の開口部がテーパ形状を有するため、Ｐ端子１１Ｐの上面１１ＰＡ、Ｎ端子１１Ｎの上面１１ＮＡ、Ｐ給電パッド１２Ｐの上面１２ＰＡ及びＮ給電パッド１２Ｎの上面１２ＮＡの上で、アルミニウム層２２はチタンタングステン層２１の上面だけでなく側面も覆う。
【0047】
次いで、第２実施形態と同様に、マスク５３と、マスク５３の上に形成された金属膜２３とを除去する工程を行う。
【0048】
その後、第１実施形態と同様に、絶縁膜２５Ｐ及び絶縁膜２５Ｎを形成する工程以降の工程を行う。
【0049】
このようにして、発光装置１００を製造することができる。
【0050】
第２実施形態の変形例では、アルミニウム層２２がチタンタングステン層２１の上面だけでなく側面も覆うように形成される。このため、チタンタングステン層２１Ｐの側面が絶縁膜２５Ｐにより覆われ、チタンタングステン層２１Ｎの側面が絶縁膜２５Ｎにより覆われる。従って、チタンタングステン層２１Ｐ及びチタンタングステン層２１Ｎはめっき液４７に接触せず、チタンタングステン層２１Ｐからのめっき膜４１Ｐの成長及びチタンタングステン層２１Ｎからのめっき膜４１Ｎの成長を抑制することができる。
【0051】
（金属膜の配置例）
次に、Ｐ端子１１Ｐに接続される金属膜及びＮ端子１１Ｎに接続される金属膜の配置の例について説明する。図２２は、金属膜の配置の第１例を示す上面図である。図２３は、金属膜の配置の第２例を示す上面図である。
次に、Ｐ端子１１Ｐに接続される金属膜及びＮ端子１１Ｎに接続される金属膜の配置の例について説明する。図２２は、金属膜の配置の第１例を示す上面図である。図２３は、金属膜の配置の第２例を示す上面図である。
【0052】
第１例では、図２２に示すように、Ｐ端子１１ＰとＮ端子１１ＮとがＸ軸に沿って交互に配置されている。Ｐ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの列は２列設けられているが、３列以上設けられていてもよい。図２２に示す例では、２列のＰ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの列はＹ軸に沿って並んでいる。Ｙ軸に沿って２個のＰ端子１１Ｐが並び、２個のＮ端子１１Ｎが並んでいる。２列のＰ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの列を間に挟んで、Ｘ軸に沿って延びるＰ給電パッド１２Ｐ及びＮ給電パッド１２Ｎが配置されている。例えば、Ｐ給電パッド１２ＰがＮ給電パッド１２Ｎの＋Ｙ側に位置する。発光素子３０は、Ｘ軸に沿って隣り合うＰ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの上に、Ｐ電極３１ＰをＰ端子１１Ｐに接触させ、Ｎ電極３１ＮをＮ端子１１Ｎに接触させて搭載される。また、第１例では、金属膜２０Ｐに代えて金属膜２０ＰＡ及び２０ＰＢが設けられ、金属膜２０Ｎに代えて金属膜２０ＮＡ及び２０ＮＢが設けられる。
【0053】
金属膜２０ＰＡは、＋Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐ及びＰ給電パッド１２Ｐに接触するように設けられる。金属膜２０ＰＢは、＋Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐ及び－Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐに接触するように設けられる。Ｐ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの列が３列以上設けられている場合、金属膜２０ＰＡは、最も＋Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐ及びＰ給電パッド１２Ｐに接触するように設けられる。金属膜２０ＰＢは、Ｙ軸に沿って隣り合う２つのＰ端子１１Ｐに接触するように設けられる。
【0054】
金属膜２０ＮＡは、－Ｙ側に位置するＮ端子１１Ｎ及びＮ給電パッド１２Ｎに接触するように設けられる。金属膜２０ＮＢは、＋Ｙ側に位置するＮ端子１１Ｎ及び－Ｙ側に位置するＮ端子１１Ｎに接触するように設けられる。Ｐ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの列が３列以上設けられている場合、金属膜２０ＮＢは、最も－Ｙ側に位置するＮ端子１１Ｎ及びＮ給電パッド１２Ｎに接触するように設けられる。金属膜２０ＮＢは、Ｙ軸に沿って隣り合う２つのＮ端子１１Ｎに接触するように設けられる。
【0055】
ＥＬ検査においてＰ給電パッド１２ＰとＮ給電パッド１２Ｎとの間に順方向の電圧、すなわちＰ給電パッド１２Ｐの電位がＮ給電パッド１２Ｎの電位よりも高くなる電圧を印加すると、すべての発光素子３０に順方向の電圧が供給される。従って、すべての発光素子３０が正常であれば、すべての発光素子３０が発光する。
【0056】
従って、第１例では、１回の電圧の印加によってすべての発光素子３０の発光状態を確認することができる。
【0057】
第２例では、図２３に示すように、Ｐ端子１１Ｐ、Ｎ端子１１Ｎ、Ｐ給電パッド１２Ｐ及びＮ給電パッド１２Ｎが第１例と同様に配置されている。第１例と同様に、Ｐ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの列が３列以上設けられていてもよい。発光素子３０は、Ｘ軸に沿って隣り合うＰ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの上に、Ｐ電極３１ＰをＰ端子１１Ｐに接触させ、Ｎ電極３１ＮをＮ端子１１Ｎに接触させて搭載される。また、第２例では、金属膜２０Ｐに代えて金属膜２０ＳＡ、２０ＳＢ、２０ＳＣ及び２０ＳＤが設けられ、金属膜２０Ｎに代えて金属膜２０ＴＡ、２０ＴＢ、２０ＴＣ及び２０ＴＤが設けられる。
【0058】
金属膜２０ＳＡは、＋Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐ及びＰ給電パッド１２Ｐに接触するように設けられる。但し、金属膜２０ＳＡは、＋Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐのすべてではなく、Ｘ軸に沿って１つおきに＋Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐに接触するように設けられる。金属膜２０ＳＢは、金属膜２０ＳＡが設けられたＰ端子１１Ｐと、その－Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐとに接触するように設けられる。金属膜２０ＳＣは、金属膜２０ＳＡが設けられたＰ端子１１Ｐと、その－Ｘ側に位置するＮ端子１１Ｎとに接触するように設けられる。金属膜２０ＳＤは、金属膜２０ＳＢが設けられ、金属膜２０ＳＡが設けられていないＰ端子１１Ｐと、その－Ｘ側に位置するＮ端子１１Ｎとに接触するように設けられる。
【0059】
Ｐ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの列が３列以上設けられている場合、金属膜２０ＳＡは、Ｘ軸に沿って１つおきに最も＋Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐ及びＰ給電パッド１２Ｐに接触するように設けられる。金属膜２０ＳＢは、Ｙ軸に沿って隣り合う２つのＰ端子１１Ｐに接触するように設けられる。金属膜２０ＳＣは、金属膜２０ＳＡが設けられたＰ端子１１Ｐと、その－Ｘ側に位置するＮ端子１１Ｎとに接触するように設けられる。金属膜２０ＳＤは、＋Ｙ側に金属膜２０ＳＢが設けられたＰ端子１１Ｐと、その－Ｘ側に位置するＮ端子１１Ｎとに接触するように設けられる。
【0060】
金属膜２０ＴＡは、－Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐ及びＮ給電パッド１２Ｎに接触するように設けられる。但し、金属膜２０ＴＡは、－Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐのすべてではなく、Ｘ軸に沿って１つおきに－Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐに接触するように設けられる。より詳細には、金属膜２０ＴＡは、金属膜２０ＳＢが接触していない、－Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐに接触するように設けられる。金属膜２０ＴＢは、金属膜２０ＴＡが設けられたＰ端子１１Ｐと、その＋Ｙ側に位置するＰ端子１１Ｐとに接触するように設けられる。金属膜２０ＴＣは、金属膜２０ＴＡが設けられたＰ端子１１Ｐと、その－Ｘ側に位置するＮ端子１１Ｎとに接触するように設けられる。金属膜２０ＴＤは、金属膜２０ＴＢが設けられ、金属膜２０ＴＡが設けられていないＰ端子１１Ｐと、その－Ｘ側に位置するＮ端子１１Ｎとに接触するように設けられる。
【0061】
Ｐ端子１１Ｐ及びＮ端子１１Ｎの列が３列以上設けられている場合、金属膜２０ＴＡは、Ｘ軸に沿って１つおきに最も－Ｙ側に位置し、金属膜２０ＳＢが接触していないＰ端子１１Ｐ及びＮ給電パッド１２Ｎに接触するように設けられる。金属膜２０ＴＢは、Ｙ軸に沿って隣り合う２つのＰ端子１１Ｐに接触するように設けられる。金属膜２０ＴＣは、金属膜２０ＴＡが設けられたＰ端子１１Ｐと、その－Ｘ側に位置するＮ端子１１Ｎとに接触するように設けられる。金属膜２０ＴＤは、－Ｙ側に金属膜２０ＴＢが設けられたＰ端子１１Ｐと、その－Ｘ側に位置するＮ端子１１Ｎとに接触するように設けられる。
【0062】
ＥＬ検査においてＰ給電パッド１２ＰとＮ給電パッド１２Ｎとの間に順方向の電圧を印加すると、金属膜２０ＳＡを通じてＰ電極３１ＰがＰ給電パッド１２Ｐに接続され、金属膜２０ＴＡを通じてＮ電極３１ＮがＮ給電パッド１２Ｎに接続された発光素子３０に順方向の電圧が供給される。一方、金属膜２０ＴＡを通じてＰ電極３１ＰがＮ給電パッド１２Ｎに接続され、金属膜２０ＳＡを通じてＮ電極３１ＮがＰ給電パッド１２Ｐに接続された発光素子３０には逆方向の電圧が供給される。従って、すべての発光素子３０が正常であっても、発光する発光素子３０は半分である。
【0063】
ＥＬ検査においてＰ給電パッド１２ＰとＮ給電パッド１２Ｎとの間に逆方向の電圧、すなわちＮ給電パッド１２Ｎの電位がＰ給電パッド１２Ｐの電位よりも高くなる電圧を印加すると、金属膜２０ＴＡを通じてＰ電極３１ＰがＮ給電パッド１２Ｎに接続され、金属膜２０ＳＡを通じてＮ電極３１ＮがＰ給電パッド１２Ｐに接続された発光素子３０に順方向の電圧が供給される。一方、金属膜２０ＳＡを通じてＰ電極３１ＰがＰ給電パッド１２Ｐに接続され、金属膜２０ＴＡを通じてＮ電極３１ＮがＮ給電パッド１２Ｎに接続された発光素子３０には逆方向の電圧が供給される。従って、この場合も、すべての発光素子３０が正常であっても、発光する発光素子３０は半分である。
【0064】
従って、第２例では、第１例と比較して全体的な発光強度が低くなり、発光しない発光素子３０を検出しやすい。
【0065】
本明細書は、下記の実施形態を含む。
１．
第１端子、第２端子、第１パッド及び第２パッドを備えた実装基板の上に、前記第１端子と前記第１パッドとを導通する第１金属膜を前記第１端子の上面の一部及び前記第１パッドの上面の一部を覆うように形成し、前記第２端子と前記第２パッドとを導通する第２金属膜を前記第２端子の上面の一部及び前記第２パッドの上面の一部を覆うように形成する工程と、
前記第１端子と前記第１パッドとの導通を確保しながら前記第１金属膜の表面側を絶縁化することにより第１絶縁膜を形成し、前記第２端子と前記第２パッドとの導通を確保しながら前記第２金属膜の表面側を絶縁化することにより第２絶縁膜を形成する工程と、
第１電極及び第２電極を備えた発光素子を、前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
前記第１金属膜及び前記第１絶縁膜が形成された状態のまま前記第１端子及び前記第１電極の表面に第１めっき膜を形成し、前記第２金属膜及び前記第２絶縁膜が形成された状態のまま前記第２端子及び前記第２電極の表面に第２めっき膜を形成する工程と、
前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程の後、前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程と、
を有する、発光装置の製造方法。
２．
前記第１金属膜及び前記第２金属膜を形成する工程は、
少なくとも、前記第１端子、前記第２端子、前記第１パッド、前記第２パッド、前記実装基板の表面の前記第１端子と前記第１パッドとの間に露出する第１部分、及び前記実装基板の表面の前記第２端子と前記第２パッドとの間に露出する第２部分を覆う第３金属膜を形成する工程と、
前記第３金属膜の、前記第１金属膜となる第１領域及び前記第２金属膜となる第２領域の上にマスクを形成する工程と、
前記第３金属膜の前記マスクから露出した部分を除去する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する、上記１に記載の発光装置の製造方法。
３．
前記第１金属膜及び前記第２金属膜を形成する工程は、
前記第１金属膜が形成される第１領域及び前記第２金属膜が形成される第２領域を除く前記実装基板の表面側にマスクを形成する工程と、
前記マスクの表面と、前記実装基板の表面の前記マスクから露出した部分と、を覆う第３金属膜を形成する工程と、
前記マスクと、前記マスクの上に形成された前記第３金属膜と、を除去する工程と、
を有する、上記１に記載の発光装置の製造方法。
４．
前記第１金属膜及び前記第２金属膜を形成する工程において、
前記第１金属膜及び前記第２金属膜は、複数の層からなり、
前記第１金属膜及び前記第２金属膜の最表面側に位置する層は、アルミニウム、クロム、又は、タングステンとチタンとの合金を含む、上記１から３のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
５．
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程において、エッチングによって前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去し、
前記第１端子、前記第２端子、前記第１電極、前記第２電極、前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜は、前記エッチングに使用するエッチャントに対して、前記第１金属膜及び前記第２金属膜よりも高い耐性を有する、上記１から４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
６．
前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程において、前記第１端子の上面の一部に配置された前記第１金属膜上に前記第１めっき膜を形成するとともに、前記第２端子の上面の一部に配置された前記第２金属膜上に前記第２めっき膜を形成し、
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程において、前記第１めっき膜の側面に、前記第１端子の上面の一部を含み、前記第１電極に向かって凹んだ第１凹部を形成するとともに、前記第２めっき膜の側面に、前記第２端子の上面の一部を含み、前記第２電極に向かって凹んだ第２凹部を形成し、
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程の後、前記実装基板の上に、平面視で前記発光素子を取り囲むとともに、前記第１凹部及び前記第２凹部に配置される光反射材を形成する工程を有する、上記１から５のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
７．
前記第１電極の前記第１端子に対向する面は前記第１端子に向かって凸であり、
前記第２電極の前記第２端子に対向する面は前記第２端子に向かって凸である、上記１から６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
８．
前記発光素子を前記実装基板に搭載する工程と前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程との間に、
前記第１パッドと前記第２パッドとの間に電圧を印加して前記発光素子の検査を行う工程と、
前記検査の結果に応じて前記発光素子を前記実装基板から取り外す工程と、
第１電極及び第２電極を備えた他の発光素子を、当該他の発光素子の前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
を有する、上記１から７のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
９．
前記発光素子を前記実装基板に搭載する工程と前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程との間に、
前記発光素子に励起光を照射して前記発光素子の検査を行う工程と、
前記検査の結果に応じて前記発光素子を前記実装基板から取り外す工程と、
第１電極及び第２電極を備えた他の発光素子を、当該他の発光素子の前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
を有する、上記１から７のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
１０．
第１端子、第２端子、第１パッド及び第２パッドを備えた実装基板と、
第１電極及び第２電極を備え、前記第１電極が前記第１端子の上面に接触し、前記第２電極が前記第２端子の上面に接触する発光素子と、
前記第１端子及び前記第１電極の表面に形成された第１めっき膜と、
前記第２端子及び前記第２電極の表面に形成された第２めっき膜と、
前記実装基板の上に形成され、平面視で前記発光素子を取り囲む光反射材と、
を有し、
前記第１めっき膜の側面に、前記第１端子の上面の一部を含み、前記第１電極に向かって凹んだ第１凹部が形成され、
前記第２めっき膜の側面に、前記第２端子の上面の一部を含み、前記第２電極に向かって凹んだ第２凹部が形成されており、
前記第１凹部及び前記第２凹部に前記光反射材が配置されている、発光装置。
１．
第１端子、第２端子、第１パッド及び第２パッドを備えた実装基板の上に、前記第１端子と前記第１パッドとを導通する第１金属膜を前記第１端子の上面の一部及び前記第１パッドの上面の一部を覆うように形成し、前記第２端子と前記第２パッドとを導通する第２金属膜を前記第２端子の上面の一部及び前記第２パッドの上面の一部を覆うように形成する工程と、
前記第１端子と前記第１パッドとの導通を確保しながら前記第１金属膜の表面側を絶縁化することにより第１絶縁膜を形成し、前記第２端子と前記第２パッドとの導通を確保しながら前記第２金属膜の表面側を絶縁化することにより第２絶縁膜を形成する工程と、
第１電極及び第２電極を備えた発光素子を、前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
前記第１金属膜及び前記第１絶縁膜が形成された状態のまま前記第１端子及び前記第１電極の表面に第１めっき膜を形成し、前記第２金属膜及び前記第２絶縁膜が形成された状態のまま前記第２端子及び前記第２電極の表面に第２めっき膜を形成する工程と、
前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程の後、前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程と、
を有する、発光装置の製造方法。
２．
前記第１金属膜及び前記第２金属膜を形成する工程は、
少なくとも、前記第１端子、前記第２端子、前記第１パッド、前記第２パッド、前記実装基板の表面の前記第１端子と前記第１パッドとの間に露出する第１部分、及び前記実装基板の表面の前記第２端子と前記第２パッドとの間に露出する第２部分を覆う第３金属膜を形成する工程と、
前記第３金属膜の、前記第１金属膜となる第１領域及び前記第２金属膜となる第２領域の上にマスクを形成する工程と、
前記第３金属膜の前記マスクから露出した部分を除去する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する、上記１に記載の発光装置の製造方法。
３．
前記第１金属膜及び前記第２金属膜を形成する工程は、
前記第１金属膜が形成される第１領域及び前記第２金属膜が形成される第２領域を除く前記実装基板の表面側にマスクを形成する工程と、
前記マスクの表面と、前記実装基板の表面の前記マスクから露出した部分と、を覆う第３金属膜を形成する工程と、
前記マスクと、前記マスクの上に形成された前記第３金属膜と、を除去する工程と、
を有する、上記１に記載の発光装置の製造方法。
４．
前記第１金属膜及び前記第２金属膜を形成する工程において、
前記第１金属膜及び前記第２金属膜は、複数の層からなり、
前記第１金属膜及び前記第２金属膜の最表面側に位置する層は、アルミニウム、クロム、又は、タングステンとチタンとの合金を含む、上記１から３のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
５．
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程において、エッチングによって前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去し、
前記第１端子、前記第２端子、前記第１電極、前記第２電極、前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜は、前記エッチングに使用するエッチャントに対して、前記第１金属膜及び前記第２金属膜よりも高い耐性を有する、上記１から４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
６．
前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程において、前記第１端子の上面の一部に配置された前記第１金属膜上に前記第１めっき膜を形成するとともに、前記第２端子の上面の一部に配置された前記第２金属膜上に前記第２めっき膜を形成し、
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程において、前記第１めっき膜の側面に、前記第１端子の上面の一部を含み、前記第１電極に向かって凹んだ第１凹部を形成するとともに、前記第２めっき膜の側面に、前記第２端子の上面の一部を含み、前記第２電極に向かって凹んだ第２凹部を形成し、
前記第１絶縁膜、前記第１金属膜、前記第２絶縁膜及び前記第２金属膜を除去する工程の後、前記実装基板の上に、平面視で前記発光素子を取り囲むとともに、前記第１凹部及び前記第２凹部に配置される光反射材を形成する工程を有する、上記１から５のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
７．
前記第１電極の前記第１端子に対向する面は前記第１端子に向かって凸であり、
前記第２電極の前記第２端子に対向する面は前記第２端子に向かって凸である、上記１から６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
８．
前記発光素子を前記実装基板に搭載する工程と前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程との間に、
前記第１パッドと前記第２パッドとの間に電圧を印加して前記発光素子の検査を行う工程と、
前記検査の結果に応じて前記発光素子を前記実装基板から取り外す工程と、
第１電極及び第２電極を備えた他の発光素子を、当該他の発光素子の前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
を有する、上記１から７のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
９．
前記発光素子を前記実装基板に搭載する工程と前記第１めっき膜及び前記第２めっき膜を形成する工程との間に、
前記発光素子に励起光を照射して前記発光素子の検査を行う工程と、
前記検査の結果に応じて前記発光素子を前記実装基板から取り外す工程と、
第１電極及び第２電極を備えた他の発光素子を、当該他の発光素子の前記第１電極を前記第１端子の上面に接触させ、前記第２電極を前記第２端子の上面に接触させて前記実装基板に搭載する工程と、
を有する、上記１から７のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
１０．
第１端子、第２端子、第１パッド及び第２パッドを備えた実装基板と、
第１電極及び第２電極を備え、前記第１電極が前記第１端子の上面に接触し、前記第２電極が前記第２端子の上面に接触する発光素子と、
前記第１端子及び前記第１電極の表面に形成された第１めっき膜と、
前記第２端子及び前記第２電極の表面に形成された第２めっき膜と、
前記実装基板の上に形成され、平面視で前記発光素子を取り囲む光反射材と、
を有し、
前記第１めっき膜の側面に、前記第１端子の上面の一部を含み、前記第１電極に向かって凹んだ第１凹部が形成され、
前記第２めっき膜の側面に、前記第２端子の上面の一部を含み、前記第２電極に向かって凹んだ第２凹部が形成されており、
前記第１凹部及び前記第２凹部に前記光反射材が配置されている、発光装置。
【符号の説明】
【0066】
１０：実装基板
１１Ｐ：Ｐ端子
１１ＰＡ：上面
１１Ｎ：Ｎ端子
１１ＮＡ：上面
１２Ｐ：Ｐ給電パッド
１２ＰＡ：上面
１２Ｎ：Ｎ給電パッド
１２ＮＡ：上面
１３Ｐ：第１部分
１３Ｎ：第２部分
２０Ｐ、２０ＰＡ、２０ＰＢ、２０Ｎ、２０ＮＡ、２０ＮＢ、２０ＳＡ、２０ＳＢ、２０ＳＣ、２０ＳＤ、２０ＴＡ、２０ＴＢ、２０ＴＣ、２０ＴＤ、２３：金属膜
２５Ｐ、２５Ｎ：絶縁膜
２７Ｐ：第１領域
２７Ｎ：第２領域
３０：発光素子
３１Ｐ：Ｐ電極
３１Ｎ：Ｎ電極
３１ＰＡ、３１ＮＡ：面
４１Ｐ、４１Ｎ：めっき膜
４１ＰＡ、４１ＮＡ：凹部
５０：光反射材
５１、５２、５３：マスク
１００：発光装置
１１Ｐ：Ｐ端子
１１ＰＡ：上面
１１Ｎ：Ｎ端子
１１ＮＡ：上面
１２Ｐ：Ｐ給電パッド
１２ＰＡ：上面
１２Ｎ：Ｎ給電パッド
１２ＮＡ：上面
１３Ｐ：第１部分
１３Ｎ：第２部分
２０Ｐ、２０ＰＡ、２０ＰＢ、２０Ｎ、２０ＮＡ、２０ＮＢ、２０ＳＡ、２０ＳＢ、２０ＳＣ、２０ＳＤ、２０ＴＡ、２０ＴＢ、２０ＴＣ、２０ＴＤ、２３：金属膜
２５Ｐ、２５Ｎ：絶縁膜
２７Ｐ：第１領域
２７Ｎ：第２領域
３０：発光素子
３１Ｐ：Ｐ電極
３１Ｎ：Ｎ電極
３１ＰＡ、３１ＮＡ：面
４１Ｐ、４１Ｎ：めっき膜
４１ＰＡ、４１ＮＡ：凹部
５０：光反射材
５１、５２、５３：マスク
１００：発光装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】