特開 2025-22132 成膜装置、電子デバイスの製造方法及び成膜方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025022132

(43)【公開日】2025-02-14

(54)【発明の名称】成膜装置、電子デバイスの製造方法及び成膜方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/24 20060101AFI20250206BHJP

【ＦＩ】

C23C14/24 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023126420

(22)【出願日】2023-08-02

(71)【出願人】

【識別番号】591065413

【氏名又は名称】キヤノントッキ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】長岡 健

【テーマコード（参考）】

4K029

【Ｆターム（参考）】

4K029AA24

4K029AA29

4K029CA01

4K029DA03

4K029HA03

4K029HA04

4K029JA01

(57)【要約】

【課題】基板とマスクとの間にパーティクルが入り込むことを抑制することが可能な技術を提供すること。
【解決手段】複数の開口部を有するマスクを介して蒸着物資を基板の画素形成領域に成膜する成膜装置は、画素形成領域の周縁領域のうち少なくとも一部の接触領域を載置する載置部を備える。載置部は、画素形成領域と、接触領域との間で、接触領域からマスク側に画素形成領域の面が突出するように壁部が形成されている基板を載置する。
【選択図】図３Ｃ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の開口部を有するマスクを介して蒸着物資を基板の画素形成領域に成膜する成膜装置であって、
前記画素形成領域の周縁領域のうち少なくとも一部の接触領域を載置する載置部を備え、
前記載置部は、前記画素形成領域と、前記接触領域との間で、前記接触領域から前記マスク側に前記画素形成領域の面が突出するように壁部が形成されている前記基板を載置することを特徴とする成膜装置。

【請求項2】

前記壁部が形成された前記基板は、前記画素形成領域の厚さに比べて、前記接触領域の厚さが薄い段差形状を有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。

【請求項3】

前記基板はシリコンウエハであり、前記壁部は、半導体製造プロセスを用いて当該基板に形成された構造体であることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。

【請求項4】

前記画素形成領域と前記接触領域との間には、当該画素形成領域から前記マスク側に突出した突出部が設けられていることを特徴する請求項１に記載の成膜装置。

【請求項5】

前記載置部には、前記マスクの周縁領域のうち少なくとも一部の接触領域が載置され、
前記載置部は、前記画素形成領域と対向する前記マスクの面が、前記マスクの接触領域から前記基板側に突出するように壁部が形成されている前記マスクを載置することを特徴する請求項１に記載の成膜装置。

【請求項6】

前記マスクの壁部は、前記基板の壁部と前記基板の端部との距離に比べて、前記マスクの壁部と前記マスクの端部との距離が長くなる位置に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。

【請求項7】

前記壁部が形成された前記マスクは、前記画素形成領域と対向する前記マスクの領域の厚さに比べて、前記マスクの接触領域の厚さが薄い段差形状を有することを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。

【請求項8】

前記載置部には、前記接触領域と当接する載置面の近傍の位置にパーティクルを捕集する捕集部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。

【請求項9】

前記捕集部は、帯電部材を備え、所定の電圧を印加することにより帯電した前記帯電部材の静電気力によって前記パーティクルを捕集することを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。

【請求項10】

前記パーティクルの量を検出する検出部と、
前記検出部で検出された前記パーティクルの量に基づいて、所定の電圧を制御する処理部と、
を更に備えることを特徴とする請求項９に記載の成膜装置。

【請求項11】

前記載置面の近傍の位置には、前記捕集部として、粘着力により前記パーティクルを捕集する粘着部材が貼付されていることを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。

【請求項12】

請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の成膜装置を用いて基板に成膜する成膜工程を有する電子デバイスの製造方法。

【請求項13】

複数の開口部を有するマスクを介して蒸着物資を基板の画素形成領域に成膜する成膜装置の成膜方法であって、
前記画素形成領域の周縁領域のうち少なくとも一部の接触領域を、前記成膜装置の載置部に載置する載置工程を有し、
前記載置工程では、前記画素形成領域と、前記接触領域との間で、前記接触領域から前記マスク側に前記画素形成領域の面が突出するように壁部が形成されている前記基板が、前記載置部に載置されることを特徴とする成膜方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板に成膜する技術に関し、成膜装置、電子デバイスの製造方法及び成膜方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板とマスクとのアライメントを行い、その後、マスクを介して基板に対して蒸着物質を蒸着し、成膜する技術が知られている。成膜は、アライメントが行われた基板とマスクとを互いに密着した状態で行われる。例えば、特許文献１には、載置部に載置された基板とマスクとの位置合わせを行い、成膜を行う成膜装置の構成が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２―００７５３８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

基板とマスクとの密着性の向上やマスクの保護の観点で、基板と載置部との接触によって発生し得るパーティクルが、基板とマスクとの間に入り込むことを抑制することが好ましい。

【0005】

本発明は、基板とマスクとの間にパーティクルが入り込むことを抑制することが可能な技術を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一態様の成膜装置は、複数の開口部を有するマスクを介して蒸着物資を基板の画素形成領域に成膜する成膜装置であって、
前記画素形成領域の周縁領域のうち少なくとも一部の接触領域を載置する載置部を備え、前記載置部は、前記画素形成領域と、前記接触領域との間で、前記接触領域から前記マスク側に前記画素形成領域の面が突出するように壁部が形成されている前記基板を載置する。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、基板とマスクとの間にパーティクルが入り込むことを抑制することが可能な技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】電子デバイスの製造ラインの一部の模式図。

【図2】本発明の一実施形態に係る成膜装置の概略図。

【図3A】基板及びマスクの斜視図及びマスクの部分拡大図。

【図3B】基板及びマスクの部分拡大図。

【図3C】基板及びマスクの部分拡大図。

【図4】（Ａ）は図３ＡのＡ－Ａ線断面図、（Ｂ）は図３ＡのＢ－Ｂ線断面図、（Ｃ）は図３ＡのＣ－Ｃ線断面図。

【図5】（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。

【図6】（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。

【図7】（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。

【図8】（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。

【図9】（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。

【図10】（Ａ）及び（Ｂ）は基板の別の構成例の説明図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

【0010】

＜第一実施形態＞
＜電子デバイスの製造ライン＞
図１は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ライン１００の構成の一部を示す模式図である。各図において、矢印Ｘ及びＹは互いに直交する水平方向を示し、矢印Ｚは上下方向（重力方向）を示す。図１の製造ラインは、例えば、有機ＥＬ表示装置の発光素子の製造に用いられる。製造ライン１００は、平面視で八角形の形状を有する搬送室１２０を備える。搬送室１２０には搬送路１１０から基板１０１が搬入され、また、成膜済みの基板１０１は搬送室１２０から搬送路１１１へ搬出される。

【0011】

搬送室１２０の周囲には、基板１０１に対する成膜処理が行われる複数の成膜装置１が配置されている。各成膜装置１には搬送室１３０が隣接して配置されている。平面視で八角形の形状を有する搬送室１３０の周囲には、マスク１０２が収納される格納室１４０が配置されている。

【0012】

搬送室１２０には、基板１０１を搬送する搬送ユニット１２１が配置されている。本実施形態の搬送ユニット１２１は、水平多関節型のロボットであり、そのハンド部に基板１０１を水平姿勢で搭載して搬送する。搬送ユニット１２１は、搬送路１１０から搬入される基板１０１を成膜装置１へ搬送する搬入動作と、成膜装置１で成膜済みの基板１０１を成膜室１から搬送路１１１へ搬送する搬出動作とを行う。

【0013】

各搬送室１３０には、マスク１０２を搬送する搬送ユニット１３１が配置されている。本実施形態の搬送ユニット１３１は、水平多関節型のロボットであり、そのハンド部にマスク１０２を水平姿勢で搭載して搬送する。搬送ユニット１３１は、格納室１４０から成膜装置１へマスク１０２を搬送する動作、成膜装置１から格納室１４０へマスク１０２を搬送する動作を行う。

【0014】

＜成膜装置＞
図２は本発明の一実施形態に係る成膜装置１の概略図である。成膜装置１は、基板１０１に蒸着物質を成膜する装置であり、マスク１０２を用いて所定のパターンの蒸着物質の薄膜を形成する。成膜装置１で成膜が行われる基板１０１の材質は、ガラス、樹脂、金属等の材料を適宜選択可能である。特に本実施形態では、基板１０１は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたガラス基板や半導体素子が形成されたシリコンウエハである。

【0015】

蒸着物質としては、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの物質である。成膜装置１は、例えば表示装置（フラットパネルディスプレイなど）や薄膜太陽電池、有機光電変換素子（有機薄膜撮像素子）等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ＥＬパネルを製造する製造装置に適用可能である。以下の説明においては成膜装置１が真空蒸着によって基板１０１に成膜を行う例について説明するが、本発明はこれに限定はされず、スパッタやＣＶＤ等の各種成膜方法を適用可能である。

【0016】

成膜装置１は、箱型の真空チャンバ２を有する。真空チャンバ２の内部空間は、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。本実施形態では、真空チャンバ２は不図示の真空ポンプに接続されている。真空チャンバ２の内部空間には、蒸着ユニット１０が配置されている。蒸着ユニット１０は、蒸着物資（成膜材料）を上方に放出する蒸着源（成膜源）を備える。蒸着ユニット１０の上方には蒸着物質の放出の規制と規制解除を行うシャッタ１０ａが配置されている。シャッタ１０ａは不図示の開閉機構により開閉される。図２はシャッタ１０ａが閉状態の場合を示しており、蒸着ユニット１０による蒸着物質の放出が規制される。蒸着ユニット１０の上方には、また、防着板２ａが配置されている。防着板２ａは、真空チャンバ２の内部空間の上部に配置される以下の構成に、蒸着物質が不必要に付着することを防止する。

【0017】

真空チャンバ２の内部空間には、基板１０１を水平姿勢で支持する基板支持プレート３が設けられている。本実施形態の場合、基板支持プレート３は静電チャックであり、その下面に静電気力により基板１０１を吸着し、保持する。基板支持プレート３上には冷却プレート４が固定されている。冷却プレート４は例えば水冷機構等を備えており、基板支持プレート３を介して成膜時に基板１０１を冷却する。

【0018】

基板支持プレート３と冷却プレート４とは、支持部５ａを介してＺ方向に変位可能に磁石プレート５に吊り下げられている。磁石プレート１１は、磁力によってマスク１０２を引き寄せるプレートである。成膜時に基板１０１は磁石プレート１１とマスク１０２との間に磁力によって挟まれるので、基板１０１とマスク１０２の密着性を向上することができる。

【0019】

成膜装置１は、成膜時にマスク１０２を支持するマスク支持ユニット６を備える。マスク支持ユニット６は、本実施形態の場合、搬送ユニット１２１と基板支持プレート３との間の基板１０１の移載動作も行う。マスク支持ユニット６は、Ｘ方向に離間した一対の支持部材６ａを備える。各支持部材６ａは対応するアクチュエータ６ｂにより昇降される。本実施形態ではアクチュエータ６ｂを支持部材６ａ毎に設けたが、一対の支持部材６ａを一つのアクチュエータ６ｂで昇降してもよい。アクチュエータ６ｂは例えば電動シリンダや、電動ボールねじ機構である。支持部材６ａは、その下端部に爪部Ｆ１（載置部）を備えている。基板１０１やマスク１０２は、その周縁部が爪部Ｆ１上に載置される。図２の例ではマスク１０２が爪部Ｆ１上に載置されている。一対の支持部材６ａは同期的に昇降され、基板１０１やマスク１０２を昇降する。

【0020】

成膜装置１は、基板１０１とマスク１０２とのアライメントを行うアライメントユニット８を備える。アライメント装置８は、駆動機構８０と、複数の計測ユニットＳＲとを備える。駆動機構８０は、距離調整ユニット８１と、支持軸８２と、架台８３と、位置調整ユニット８４と、を備える。

【0021】

距離調整ユニット８１は、支持軸８２をＺ方向に昇降する機構であり、例えば、電動シリンダや、電動ボールねじ機構を備える。支持軸８２の下端部には磁石プレート５が固定されており、支持軸８２の昇降によって、磁石プレート５を介して基板支持プレート３が昇降される。基板支持プレート３を昇降することで、基板１０１とマスク１０２との距離を調整し、基板支持プレート３に支持された基板１０１とマスク１０２とを基板１０１の厚み方向（Ｚ方向）に接近及び離隔（離間）させる。換言すれば、距離調整ユニット８１は、基板１０１とマスク１０２とを重ね合わせる方向に接近させたり、その逆方向に離隔させたりする。なお、距離調整ユニット８１によって調整する「距離」はいわゆる垂直距離（又は鉛直距離）であり、距離調整ユニット８１は、基板１０１の垂直位置を調整するユニットであるとも言える。距離調整ユニット８１は、架台８３を介して位置調整ユニット８４に搭載されている。

【0022】

位置調整ユニット８４は、基板支持プレート３をＸ－Ｙ平面上で変位することにより、マスク１０２に対する基板１０１の相対位置を調整する。すなわち、位置調整ユニット８０は、マスク１０２と基板１０１の水平位置を調整するユニットであるとも言える。位置調整ユニット８０は、基板支持プレート６をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向の軸周りの回転方向（θ方向）に変位することができる。本実施形態では、マスク１０２の位置を固定し、基板１０１を変位してこれらの相対位置を調整するが、マスク１０２を変位させて調整してもよく、或いは、基板１０１とマスク１０２の双方を変位させてもよい。

【0023】

位置調整ユニット８４は、固定プレート２０ａと、可動プレート２０ｂとを備える。固定プレート８４ａと、可動プレート８４ｂは矩形の枠状のプレートであり、固定プレート８４ａは真空チャンバ２の上壁部２０上に固定されている。固定プレート２０ａと、可動プレート２０ｂとの間には、固定プレート２０ａに対して可動プレート２０ｂをＸ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向の軸周りの回転方向に変位させるアクチュエータが設けられている。

【0024】

可動プレート８４ｂ上には、フレーム状の架台８３が搭載されており、架台８３には距離調整ユニット８１が支持されている。可動プレート８４ｂが変位すると、架台８３及び距離調整ユニット８１が一体的に変位する。これにより基板１０１をＸ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向の軸周りの回転方向に変位させることができる。上壁部２０には、支持軸８２、支持部材６ａ及び７ａが通過する開口部が形成されている。これらの開口部は不図示のシール部材（ベローズ等）によってシールされ、真空チャンバ２内の気密性が維持される。

【0025】

計測ユニットＳＲは、基板１０１とマスク１０２の位置ずれを計測する。本実施形態の計測ユニットＳＲは画像を撮像する撮像装置（カメラ）である。計測ユニットＳＲは、上壁部２０に配置され、真空チャンバ２内の画像を撮像可能である。基板１０１とマスク１０２にはそれぞれアライメントマーク（不図示）が形成されている。計測ユニットＳＲは、基板１０１とマスク１０２の各アライメントマークを撮影する。各アライメントマークの位置により基板１０１とマスク１０２との位置ずれ量を演算し、位置調整ユニット８４によって位置ずれ量を解消するように基板１０１とマスク１０２との相対位置を調整する。

【0026】

制御装置９は、成膜装置１の全体を制御する。制御装置９は、処理部９０、記憶部９１、入出力インタフェース（Ｉ／Ｏ）９２及び通信部９３を備える。処理部９０は、ＣＰＵに代表されるプロセッサであり、記憶部９２に記憶されたプログラムを実行して成膜装置１を制御する。記憶部９１は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等の記憶デバイスであり、処理部９０が実行するプログラムの他、各種の制御情報を記憶する。Ｉ／Ｏ９２は、処理部９０と外部デバイスとの間の信号を送受信するインタフェースである。通信部９３は通信回線を介して上位装置又は他の制御装置等と通信を行う通信デバイスである。

【0027】

＜基板及びマスクの構成例＞
図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは基板１０１、マスク１０２の構成例を示す。基板１０１は円形のシリコンウエハであり、成膜等の後、複数のチップ１０１ａが基板１０１から切り出される。マスク１０２は基板１０１と同様に円形の部材であり、各チップ１０１ａに対応したマスク部１０２ｂと、マスク部１０２ｂの周囲のフレーム部１０２ａとを含む。マスク部１０２ｂには、基板１０１に蒸着される蒸着物質が通過する複数の開口部（貫通孔）１０２ｃが形成されており、開口部１０２ｃの配置によって基板１０１上の成膜パターンが規定される。

【0028】

図３Ｂは基板１０１及びマスク１０２の部分拡大図であり、図３Ｂの（Ａ）は、基板１０１をＺ方向から見た平面図（ＸＹ平面図）であり、画素形成領域３００内に複数のチップ１０１ａに対応する各画素が形成される。画素形成領域３００の周囲には、画素形成領域３００を囲む領域（周縁領域３１０）が設けられている。爪部Ｆ１（載置部）は、左右方向（Ｘ方向）に移動して、基板１０１の周縁領域３１０のうち少なくとも一部の領域（接触領域３１１）を載置する。図３Ｂの（Ａ）に示すように、基板１０１は、左右方向において、複数の接触領域３１１において爪部Ｆ１に載置される。例えば、図３Ｂの（Ａ）に示すように、左右に２箇所ずつ、合わせて４箇所の接触領域３１１で爪部Ｆ１に載置されるようにしてもよい。

【0029】

図３Ｂの（Ｂ）は、基板１０１をＹ方向から見た側面図（ＸＺ側面図）であり、画素形成領域３００と、接触領域３１１と、の間には、接触領域３１１からマスク１０２側（マスク側）に画素形成領域３００の面が突出するように壁部３１２が形成されている。図３Ｂの（Ｂ）において、壁部３１２の高さはＨ１であり、基板１０１の壁部３１２と基板１０１の端部との距離（長さ）はＬ１である。壁部３１２が形成された基板１０１は、画素形成領域３００の厚さＨ０に比べて、接触領域３１１の厚さ（Ｈ０－Ｈ１）が薄い段差形状を有する。爪部Ｆ１に載置される各接触領域３１１において、同様の壁部３１２が形成されており、同様の段差形状が設けられている。基板１０１はシリコンウエハであり、壁部３１２は、半導体製造プロセスを用いて基板１０１に形成された構造体として設けることが可能である。

【0030】

図３Ｂの（Ｃ）は、基板１０１及びマスク１０２をＹ方向から見た側面図（ＸＺ側面図）であり、基板１０１に対応する位置関係におけるマスク１０２をＹ方向から見た側面図である。複数のマスク部１０２ｂが形成されているマスク領域１０２ｅの周囲には、マスク領域１０２ｅを囲む領域（周縁領域４１０）が設けられている。爪部Ｆ１は、左右方向（Ｘ方向）に移動して、マスク１０２の周縁領域４１０のうち少なくとも一部の領域（接触領域４１１）を載置する。

【0031】

マスク１０２には、基板１０１の画素形成領域３００と対向するマスク１０２の面（マスク領域１０２ｅの面）が、接触領域４１１から基板１０１側（基板側）に突出するように壁部４１２が形成されている。図３Ｂの（Ｃ）において、壁部４１２の高さはＨ２であり、マスク１０２の壁部４１２の高さＨ２は、基板１０１の壁部３１２の高さＨ１と同じでもよいし、基板１０１の壁部３１２の高さＨ１より高く形成してもよい。壁部４１２が形成されたマスク１０２は、マスク領域１０２ｅの厚さに比べて、接触領域４１１の厚さが薄い段差形状を有する。

【0032】

マスク１０２の壁部４１２とマスク１０２の端部との距離（長さ）はＬ２である。マスク１０２の壁部４１２は、基板１０１の壁部３１２と基板１０１の端部との距離Ｌ１に比べて、マスク１０２の壁部４１２とマスク１０２の端部との距離Ｌ２が長くなる位置（Ｌ２＞Ｌ１）に形成されている。壁部４１２は、マスクの製造プロセスを用いてマスク１０２に形成することが可能である。

【0033】

図３Ｃは、基板１０１及びマスク１０２の部分拡大図であり、図３Ｃの（Ａ）は、比較例における基板１０１及びマスク１０２の部分拡大図である。比較例の構成では、基板１０１の壁部３１２、及びマスク１０２の壁部４１２は設けられていない。基板１０１やマスク１０２が爪部Ｆ１に載置される際に爪部Ｆ１と接触すると、接触の際の摩擦や摩耗により、パーティクルＰが発生し得る。比較例では、発生したパーティクルＰが画素形成領域３００側に侵入しやすい構成になっている。発生したパーティクルＰが画素形成領域３００とマスク１０２の面（マスク領域１０２ｅの面）との間に付着すると、密着性が阻害される要因になり得る。また、パーティクルＰのサイズによっては、画素形成領域３００とマスク１０２との間で、成膜時において正確な位置関係を確保することができなくなり、パターンのボケの要因になり得る。

【0034】

図３Ｃの（Ｂ）は、実施形態に係る基板１０１及びマスク１０２の部分拡大図である。基板１０１やマスク１０２が爪部Ｆ１に載置される際に爪部Ｆ１との接触により、パーティクルＰが発生した場合であっても、パーティクルＰは壁部３１２の段差形状で保持される（留まる）ため、パーティクルＰが画素形成領域３００側に侵入（混入）することを抑制することができる。本実施形態の構成によれば、画素形成領域３００内にパーティクルＰが侵入することを抑制することにより、画素形成領域３００とマスク１０２の面（マスク領域１０２ｅの面）との間の密着性を向上させることができる。これにより、画素形成領域３００とマスク１０２との間で、成膜時において正確な位置関係を確保することができ、より高精度のパターンを形成することが可能になる。

【0035】

図３Ｃの（Ｃ）は、図３Ｃの（Ｂ）の構成の変形例を示す図であり、爪部Ｆ１（載置部）には、基板１０１が載置される際に発生し得るパーティクルＰを捕集する捕集部３５０が設けられている。捕集部３５０は、爪部Ｆ１が接触領域３１１と当接する載置面ＳＦの近傍の位置に設けられている。

【0036】

捕集部３５０の構成例としては、静電気力によりパーティクルＰを捕集（引き寄せる）ことができる。例えば、捕集部３５０の筐体の内部に帯電シート（帯電部材）を備え、帯電シートに所定の電圧を印加することにより、帯電シートが帯電し、静電気力によってパーティクルを捕集するようにしてもよい。

【0037】

処理部９０は、成膜装置１の電源から帯電シートに所定の電圧を印加するように制御することができる。例えば、パーティクルＰの量（数や濃度）を検出する検出部（センサ）を成膜装置１内に設けておき、処理部９０が、検出部で検出されたパーティクルＰの量に基づいて、所定の電圧を制御するようにしてもよい。

【0038】

また、捕集部３５０の構成例として、パーティクルを粘着力によって捕集する粘着部材として構成してもよい。例えば、載置面ＳＦの近傍の位置には、捕集部３５０として、粘着力によりパーティクルＰを捕集する粘着部材を貼付してもよい。この他、静電気力を用いる構成と併せて、捕集部３５０の筐体の外部に粘着部材を貼付し、筐体の内部の帯電シート（帯電部材）によって静電気力を発生させて、粘着部材の粘着力と静電気力とに基づいてパーティクルを捕集するようにしてもよい。

【0039】

また、パーティクルＰが画素形成領域３００側に侵入することを抑制する構成として、画素形成領域３００と接触領域３１１との間に、画素形成領域３００からマスク１０２側に突出した突出部３６０を設けてもよい。突出部３６０は半導体製造プロセスにより、基板１０１と一体に形成してもよいし、別体の部材を設けてもよい。基板１０１とマスク１０２との密着性を高めるために、突出部３６０の高さは、例えば、基板１０１の壁部３１２の高さＨ１より高く、基板１０１の壁部３１２の高さＨ１とマスク１０２の壁部４１２の高さＨ２とを合わせた高さ（Ｈ１＋Ｈ２）以下であればよい。

【0040】

突出部３６０を設ける位置は、画素形成領域３００と接触領域３１１との間に限られず、画素形成領域３００を囲む領域に設けるようにしてもよい。この場合、突出部３６０とマスク１０２との接触を避けるように、マスク領域１０２ｅを囲む領域（周縁領域４１０）に凹部を設けるようにすればよい。

【0041】

図３Ｃの（Ｃ）では、突出部３６０を基板１０１側に設けている例を示しているが、この例に限られず、突出部３６０をマスク１０２側に設けてもよい。

【0042】

また、基板１０１に壁部３１２を設けずに、突出部３６０を設けてもよい。この場合、突出部３６０の高さは、基板１０１とマスク１０２との密着性を高めるために、マスク１０２の壁部４１２の高さＨ２以下であればよい。

【0043】

図４（Ａ）～図４（Ｃ）は、図３ＡのＡ－Ａ線断面図、Ｂ－Ｂ線断面図及びＣ－Ｃ線断面図である。マスク１０２は、マスク本体１０２０と、マスク本体１０２０に形成された磁性体１０２１とを備える。マスク本体１０２０は例えばシリコン（Ｓｉ）等の非磁性材料からなる。マスク本体１０２０としてシリコンウエハを用いることで、半導体製造技術の応用によりより微細で精密な開口部１０２ｃを形成することができる。フレーム部１０２ａは相対的に厚肉の厚肉部であり、マスク部１０２ｂは相対的に薄肉の薄肉部である。フレーム部１０２ａはマスク部１０２ｂよりも剛性が高い。マスク１０２の全体の剛性を大きく低下させることなく、マスク部１０２ｂを薄く形成することができる。

【0044】

マスク本体１０２の表面には、複数のスリット１０２ｄが形成されている。各スリット１０２ｄはマスク部１０２ｂ内に複数形成された、平面視で十字形状の有底溝である。スリット１０２ｄを形成したことによって、マスク本体１０２に応力が作用した場合に、スリット１０２での変形を許容してマスク本体１０２のひび割れ等の破損を防止できる。

【0045】

磁性体１０２１は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等の磁性材料の薄膜である。本実施形態では、上記の磁石プレート５の磁力によって成膜時にマスク１０２と基板１０１とを密着させる。本実施形態のようにマスク本体１０２０を非磁性体で構成した場合、そのままでは磁力による密着作用を得られない。磁性体１０２１をマスク本体１０２０に形成したことで、磁石プレート５の磁力が磁性体１０２１に作用し、磁力によるマスク１０２と基板１０１との密着作用を得られる。

【0046】

本実施形態の磁性体１０２１は、マスク本体１０２０の表面に形成されており、特に、基板１０１と重なる面に形成されている。磁力によるマスク１０２と基板１０１との密着作用を得られる。また、磁性体１０２１は個々の開口部１０２ｃを囲むように形成されており、特に本実施形態では全体として縦横の直線が互いに直交した格子状に形成されている。開口部１０２ｃの周囲において磁力による基板１０１との密着作用を向上でき、開口部１０２ｃを通って放出される蒸着物質を基板１０１の目的とする部位に的確に蒸着できる。

【0047】

＜制御例＞
制御ユニット９の処理部９０が実行する成膜装置１の制御例について説明する。図５（Ａ）～図９（Ｂ）は成膜装置１の動作説明図であり、基板１０１の搬入から、成膜し、搬出するまでの例を示す。ここで、基板１０１及びマスク１０２の構成は図３Ｂ、図３Ｃで説明したとおりである。

【0048】

図５（Ａ）は基板１０１を真空チャンバ２内に搬入した状態を示す。基板１０１は搬送ロボット１２１により基板支持プレート３の下方に搬送される。基板支持プレート３の下面の基板吸着面３ａは水平である。次にマスク支持ユニット６によって搬送ロボット１２１から基板支持プレート３へ基板１０１を移載する。図５（Ｂ）はその動作を示している。支持部材６ａを上昇することにより、基板１０１の周縁が爪部Ｆ１に載置され、基板１０１は搬送ロボット１２１から上昇し、かつ、基板支持プレート３の基板吸着面３ａに押し付けられる。基板支持プレート３の静電チャックを作動して基板１０１を吸着し、保持する。

【0049】

続いてマスク１０２を真空チャンバ２内に搬入する。図６（Ａ）はマスク１０２を真空チャンバ２内に搬入した状態を示す。マスク１０２は搬送ロボット１３１によって格納室１４０から真空チャンバ２内に搬入される。マスク１０２は基板１０１の真下に位置する。次にマスク１０２を搬送ロボット１３１からマスク支持ユニット６に移載し、アライメント位置に位置させる。図６（Ｂ）はその動作を示している。支持部材６ａを上昇することにより、マスク１０２の周縁が爪部Ｆ１に載置され、マスク１０２は搬送ロボット１３１から上昇する。マスク１０２は支持部材６ａに支持された状態となり、かつ、更に上昇することでアライメント位置に位置する。本実施形態ではマスク１０２を上昇してアライメント位置に位置させるが、基板１０１を降下して基板１０１をアライメント位置に位置させる構成でもよい。

【0050】

次にアライメント動作を行う。図７（Ａ）に示すように計測ユニットＳＲにより、基板１０１のアライメントマークとマスク１０２のアライメントマークの相対位置が計測される。計測結果（基板１０１とマスク１０２の位置ずれ量）が許容範囲内であればアライメント動作を終了する。計測結果が許容範囲外であれば、計測結果に基づいて位置ずれ量を許容範囲内に収めるための制御量（基板１０１の変位量）が設定される。

【0051】

「位置ずれ量」とは、位置ずれの距離と方向（Ｘ、Ｙ、θ）で定義される。設定された制御量に基づいて、図７（Ｂ）に示すように位置調整ユニット８０が作動される。これにより、基板支持プレート３がＸ－Ｙ平面上で変位され、マスク１０２に対する基板１０１の相対位置が調整される。

【0052】

計測結果が許容範囲内であるか否かの判定は、例えば、アライメントマーク間の距離をそれぞれ算出し、その距離の平均値や二乗和を、予め設定された閾値と比較することで行うことができる。

【0053】

相対位置の調整後、再度、計測ユニットＳＲにより、基板１０１のアライメントマークとマスク１０２のアライメントマークの相対位置が計測される。計測結果が許容範囲内であればアライメント動作を終了する。計測結果が許容範囲外であれば、マスク１０２に対する基板１０１の相対位置が再度調整される。以降、計測結果が許容範囲内となるまで、計測と相対位置調整が繰り返される。

【0054】

次に、成膜動作を行う。まず、基板１０１をマスク１０２と重ね合わせる。図８（Ａ）はその動作を示している。基板支持プレート３を降下させると、基板１０１はマスク１０２上に載置され、基板１０１は基板１０１の被処理面の全体がマスク１０２と接触する。磁石プレート５が冷却プレート４上に当接し、上から順に磁石プレート５、冷却プレート４、基板支持プレート３、基板１０１及びマスク１０２が密着した状態になる。磁石プレート５の磁力によりマスク１０２を引き寄せ、マスク１０２と基板１０１とを全体的に密着させることができる。マスク１０２には磁性体１０２１（図３Ａ、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）が形成されているため、より強い磁気吸着力を得られる。このように本実施形態によれば、非磁性体製のマスク１０２を用いつつ、基板１０１とマスク１０２の密着性を向上することができる。また、磁力の作用によりマスク本体１０２０に応力が生じても、スリット１０２ｄで変形が許容され、マスク１０２０のひび割れ等の破損を防止できる。

【0055】

以上により成膜の準備が整い、次に図８（Ｂ）に示すように、シャッタ１０ａを開状態とし、蒸着ユニット１０から蒸着物質を放出する。蒸着物質はマスク１０２を介して基板１０１に蒸着される。

【0056】

こうした成膜が完了すると、マスク１０２及び基板１０１をそれぞれ搬出する動作を行う。図９（Ａ）はマスク１０２を搬出する動作を示している。まず、磁石プレート５を上昇し、基板１０１とマスク１０２とが離間される。搬送ロボット１３１のハンド部をマスク１０２の下方に進入させた後、マスク支持ユニット６の支持部材６ａを降下して、マスク１０２を支持部材６ａから搬送ロボット１３１へ移載する。搬送ロボット１３１はマスク１０２を格納室１４０へ搬送する。

【0057】

続いて成膜済みの基板１０１を搬出する。マスク支持ユニット６の支持部材６ａを上昇して、基板１０１を爪部Ｆ１によって下側から支持する。基板１０１に対する基板支持ユニット３の吸着を解除して基板１０１が支持部材６ａに移載される。搬送ロボット１２１のハンド部を基板１０１の下方に進入させた後、図９（Ｂ）に示すようにマスク支持ユニット６の支持部材６ａを降下して、基板１０１を支持部材６ａから搬送ロボット１２１へ移載する。搬送ロボット１２１は基板１０１を搬送路１１１へ搬送する。以上により基板１０１の搬入から、成膜し、搬出するまでの動作が完了する。

【0058】

なお、図４では、磁性体１０２１がマスク本体１０２０に形成された例を説明したが、基板１０１にも磁性体を形成してもよい。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）はその一例を示す。これらの図は図４（Ｂ）の断面図に相当し、かつ、マスク１０２に対してアライメントされた基板１０１の断面図も示した図である。

【0059】

図１０（Ａ）に示すように基板１０１には、蒸着対象部位である一画素領域１０１ｂの周囲に磁性体１０１ｄが形成されている。図示の例では磁性体１０１ｄは一画素領域１０１ｂの周囲のバンク１０１ｃの表面に形成されている。磁性体１０１ｄは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等の磁性材料の薄膜である。磁性体１０１ｄと磁性体１０２１とは、基板１０１とマスク１０２とが適切にアライメントされたときに互いに重なる部位に配置されている。

【0060】

図１０（Ｂ）は基板１０１とマスク１０２とのアライメント後、基板１０１をマスク１０２と重ね合わせた状態を示している。磁石プレート５の磁力によって、磁性体１０１ｄと磁性体１０２１とが互いに引き合い、基板１０１とマスク１０２との密着性を向上する。更に、磁性体１０１ｄと磁性体１０２１とが互いに引き合うことで、開口部１０２ｃと一画素領域１０１ｂとの相対位置がセルフアライメントされ、蒸着対象部位である一画素領域１０１ｂに、開口部１０２ｃを介してより的確に蒸着物質を蒸着できる。

【0061】

＜他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

【0062】

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

【符号の説明】

【0063】

１：成膜装置、８：アライメントユニット、１０：蒸着ユニット（成膜源）、１０１：基板、１０２：マスク、３００：画素形成領域、３１０：、３１１：、３１２：壁部（基板の壁部）、４１２：壁部（マスクの壁部）

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】