特開 2025-24968 ビーム位置測定方法及び荷電粒子ビーム描画方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025024968

(43)【公開日】2025-02-21

(54)【発明の名称】ビーム位置測定方法及び荷電粒子ビーム描画方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20250214BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20250214BHJP

   H01J 37/147 20060101ALI20250214BHJP

   H01J 37/22 20060101ALI20250214BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 541N

G03F7/20 504

H01L21/30 541W

H01J37/147 C

H01J37/22 502B

H01J37/22 502H

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023129380

(22)【出願日】2023-08-08

(71)【出願人】

【識別番号】504162958

【氏名又は名称】株式会社ニューフレアテクノロジー

(74)【代理人】

【識別番号】100086911

【弁理士】

【氏名又は名称】重野 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100144967

【弁理士】

【氏名又は名称】重野 隆之

(72)【発明者】

【氏名】七尾 翼

(72)【発明者】

【氏名】飯塚 修

【テーマコード（参考）】

5C101

5F056

【Ｆターム（参考）】

5C101AA27

5C101EE22

5C101EE48

5C101FF02

5C101FF48

5C101GG19

5C101HH03

5C101HH21

5C101HH23

5C101HH27

5C101JJ02

5F056AA07

5F056BA08

5F056BB07

5F056BD03

5F056BD06

5F056CB13

5F056CC04

5F056CD01

(57)【要約】

【課題】ビーム位置を正確に測定し、かつスループットの低下を抑制する。
【解決手段】本実施形態によるビーム位置測定方法は、基板が載置されるステージ上に設けられたマークを荷電粒子ビームでスキャンし、条件毎にビーム照射位置を測定し、基準条件で前記マークをスキャンし、得られた前記基準条件でのビーム照射位置の測定結果に基づいてドリフト量を算出し、前記ドリフト量を用いて、測定した条件毎の前記ビーム照射位置を補正するものである。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板が載置されるステージ上に設けられたマークを荷電粒子ビームでスキャンし、条件毎にビーム照射位置を測定し、
基準条件で前記マークをスキャンし、得られた前記基準条件でのビーム照射位置の測定結果に基づいてドリフト量を算出し、
前記ドリフト量を用いて、測定した条件毎の前記ビーム照射位置を補正する、ビーム位置測定方法。

【請求項2】

前記条件は、前記荷電粒子ビームのビーム位置又は偏向電圧である、請求項１に記載のビーム位置測定方法。

【請求項3】

前記ドリフト量の測定は、予め設定された測定間隔又は予め設定された測定頻度毎に、或いは、所定の測定時間又は所定の測定回数を超えた後、前記測定間隔又は前記測定頻度を変更して行われる、請求項１又は２に記載のビーム位置測定方法。

【請求項4】

前記条件は、前記ビーム位置であり、マルチ荷電粒子ビームを複数の領域で分割し、領域毎に前記基準条件でスキャンを行い、前記補正したビーム照射位置に基づき前記マルチ荷電粒子ビームのビームアレイ形状を算出する、請求項２に記載のビーム位置測定方法。

【請求項5】

前記条件は、偏向器に印加する偏向電圧であり、複数の異なる偏向電圧における前記補正したビーム照射位置を用いて前記荷電粒子ビームの偏向感度を算出する、請求項２に記載のビーム位置測定方法。

【請求項6】

請求項４に記載のビーム位置測定方法で算出されたビームアレイ形状に基づいて、前記マルチ荷電粒子ビームの照射条件を補正し、前記描画対象基板にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ビーム位置測定方法及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅はさらに微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ回路パターンを形成するための露光用マスク（ステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）を形成する方法として、優れた解像性を有する電子ビーム描画技術が用いられている。

【0003】

電子ビーム描画装置は、偏向器に印加する電圧を制御して電子ビームの偏向量を調整し、基板上の所望の位置に電子ビームを照射する。基板上での電子ビームの照射位置を高精度に保つためには、偏向感度を正確に把握することが重要である。そのため、偏向電圧を変えながら、複数の異なる偏向電圧でのビーム照射位置を測定し、偏向感度を算出している。ビーム位置は、ステージ上に配置されたマークをビームでスキャンし、反射電子を検出することで測定できる。

【0004】

電子ビーム描画装置として、マルチビームを使った描画装置の開発が進められている。マルチビームを用いることで、１本の電子ビームで描画する場合に比べて多くのビームを照射できるので、スループットを大幅に向上させることができる。マルチビーム描画装置では、例えば、電子源から放出された電子ビームを複数の開口が設けられた成形アパーチャアレイ基板に通してマルチビームを形成し、各ビームのブランキング制御を行い、制限アパーチャ部材で遮蔽されなかった各ビームが基板に照射される。

【0005】

マルチビーム描画装置では、複数のビームを一度に照射し、成形アパーチャアレイ基板の同じ開口又は異なる開口を通過して形成されたビーム同士をつなげていき、所望の図形形状のパターンを描画する。そのため、基板上に照射されるマルチビーム全体像の形状（ビームアレイ形状）が描画図形のつなぎ精度となって現れる。

【0006】

マルチビームによる描画精度を高く保つためには、ビームアレイ形状を正確に把握することが重要である。そのため、一部領域のビームのみオンにし、オンビームでマークをスキャンしてビーム位置を測定する処理を、オンビーム領域を切り替えながら全面にわたって行い、ビームアレイ形状を測定している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２００９－２１８４７４号公報

【特許文献2】特開２００７－４９０２４号公報

【特許文献3】特開平５－２９０７８７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

電子ビーム描画装置では、反射電子などによってビーム近傍のコンタミネーションや絶縁物に電荷がたまり、ビーム位置変動（ドリフト）が発生することがある。このようなビーム位置変動が生じると、偏向感度やビームアレイ形状を正確に測定できず、描画精度を劣化させるおそれがある。

【0009】

本発明は、ビーム位置を正確に測定し、かつスループットの低下を抑制できるビーム位置測定方法及び正確なビーム位置測定結果に基づいて補正されたビームを用いて高精度に描画を行う荷電粒子ビーム描画方法を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の一態様によるビーム位置測定方法は、基板が載置されるステージ上に設けられたマークを荷電粒子ビームでスキャンし、条件毎にビーム照射位置を測定し、基準条件で前記マークをスキャンし、得られた前記基準条件でのビーム照射位置の測定結果に基づいてドリフト量を算出し、前記ドリフト量を用いて、測定した条件毎の前記ビーム照射位置を補正するものである。

【0011】

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画方法は、本発明によるビーム位置測定方法で算出されたビームアレイ形状に基づいて、前記マルチ荷電粒子ビームの照射条件を補正し、前記描画対象基板にパターンを描画するものである。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、ビーム位置を正確に測定し、かつスループットの低下を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の実施形態によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。

【図2】成形アパーチャアレイ基板の模式図である。

【図3】反射マークの平面図である。

【図4】ビームアレイ形状測定方法を説明するフローチャートである。

【図5】ビームアレイ形状の測定方法を説明する図である。

【図6】算出されるビームアレイ形状の例を示す図である。

【図7】基準条件でのビーム位置測定と、ビームアレイ形状の測定とのタイミングの例を示す図である。

【図8】ビームアレイ形状の算出方法を説明するフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものでなく、イオンビーム等でもよい。

【0015】

図１は、本実施形態における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置は、描画部１と制御部１００を備えている。描画装置は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部１は、鏡筒２と描画室２０を備えている。鏡筒２内には、電子源４、照明レンズ６、成形アパーチャアレイ基板８、ブランキングアパーチャアレイ基板１０、縮小レンズ１２、制限アパーチャ部材１４、対物レンズ１５、コイル１６、主偏向器１７（偏向器）、及び副偏向器（図示略）が配置されている。

【0016】

描画室２０内には、ＸＹステージ２２及び検出器２６が配置される。ＸＹステージ２２上には、描画対象となる基板７０が配置される。基板７０には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、基板７０には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。

【0017】

ＸＹステージ２２上には、ＸＹステージ２２の位置測定用のミラー２４が配置される。また、ＸＹステージ２２上には、ビームキャリブレーション用の金属製の反射マークＭが設けられている。反射マークＭは、電子ビームで走査することで位置を検出しやすいように例えば十字型の形状になっている（図３参照）。検出器２６は、反射マークＭの十字を電子ビームで走査する際に、反射マークＭからの反射電子を検出する。

【0018】

制御部１００は、制御計算機１１０、偏向制御回路１３０、デジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプ１３１、コイル制御回路１３２、レンズ制御回路１３３、検出アンプ１３４、ステージ位置検出器１３５、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０を有している。

【0019】

偏向制御回路１３０、コイル制御回路１３２、レンズ制御回路１３３、検出アンプ１３４、ステージ位置検出器１３５、及び記憶装置１４０は、バスを介して制御計算機１１０に接続されている。記憶装置１４０には、描画データが外部から入力され、格納されている。

【0020】

偏向制御回路１３０には、ＤＡＣアンプ１３１が接続される。ＤＡＣアンプ１３１は主偏向器１７に接続される。コイル制御回路１３２には、コイル１６が接続されている。レンズ制御回路１３３には、対物レンズ１５が接続されている。

【0021】

制御計算機１１０は、描画データ処理部１１１、描画制御部１１２及びビームアレイ形状測定部１１３の機能を備える。制御計算機１１０の各部の機能は、ハードウェアで実現されてもよいし、ソフトウェアで実現されてもよい。ソフトウェアで構成する場合には、制御計算機１１０の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを記録媒体に収納し、電気回路を含むコンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。

【0022】

図２は、成形アパーチャアレイ基板８の構成を示す概念図である。図２に示すように、成形アパーチャアレイ基板８には、縦（ｙ方向）方向及び横（ｘ方向）に複数の開口部８０が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。各開口部８０は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。或いは、同じ径の円形であっても構わない。

【0023】

電子源４から放出された電子ビーム３０は、照明レンズ６によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ基板８全体を照明する。電子ビーム３０は、成形アパーチャアレイ基板８複数の開口部８０が含まれる領域を照明する。これらの複数の開口部８０を電子ビーム３０の一部がそれぞれ通過することで、図１に示すようなマルチビーム３０ａ～３０ｅが形成されることになる。

【0024】

ブランキングアパーチャアレイ基板１０には、図２に示した成形アパーチャアレイ基板８の各開口部８０に対応する位置にマルチビームの各ビームが通過する通過孔（開口部）が形成されている。各通過孔の近傍には、ビームを偏向するブランキング偏向用の電極（ブランカ：ブランキング偏向器）が配置されている。

【0025】

各通過孔を通過する電子ビーム３０ａ～３０ｅは、それぞれ独立に、ブランカから印加される電圧によって偏向される。この偏向によってブランキング制御が行われる。このように、複数のブランカが、成形アパーチャアレイ基板８の複数の開口部８０を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。

【0026】

ブランキングアパーチャアレイ基板１０を通過したマルチビーム３０ａ～３０ｅは、縮小レンズ１２によって、各々のビームサイズと配列ピッチが縮小され、制限アパーチャ部材１４に形成された中心の開口に向かって進む。ブランキングアパーチャアレイ基板１０のブランカにより偏向された電子ビームは、その軌道が変位し、制限アパーチャ部材１４の中心の開口から位置がはずれ、制限アパーチャ部材１４によって遮蔽される。一方、ブランキングアパーチャアレイ１０のブランカによって偏向されなかった電子ビームは、制限アパーチャ部材１４の中心の開口を通過する。

【0027】

制限アパーチャ部材１４は、ブランキングアパーチャアレイ基板１０のブランカによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各電子ビームを遮蔽する。

【0028】

制限アパーチャ部材１４を通過したマルチビーム３０ａ～３０ｅは、コイル１６によりアライメント調整され、対物レンズ１５により焦点が合わされ、基板７０上で所望の縮小率のパターン像となる。主偏向器１７は、制限アパーチャ部材１４を通過した各電子ビーム（マルチビーム全体）を同方向にまとめて偏向し、基板７０上の描画位置（照射位置）に照射する。

【0029】

ＸＹステージ２２が連続移動している時、ビームの描画位置（照射位置）がＸＹステージ２２の移動に追従するように主偏向器１７によってトラッキング制御される。ＸＹステージ２２の位置は、ステージ位置検出器１３５からＸＹステージ２２上のミラー２４に向けてレーザを照射し、その反射光を用いて測定される。

【0030】

一度に照射されるマルチビームは、理想的には成形アパーチャアレイ８の複数の開口部８０の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。この描画装置は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。

【0031】

制御計算機１１０の描画データ処理部１１１は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換を行って、ショットデータを生成する。ショットデータには、基板７０の描画面を例えばビームサイズで格子状の複数の照射領域に分割した各照射領域への照射有無、及び照射時間等が定義される。

【0032】

描画制御部１１２は、ショットデータ及びステージ位置情報に基づいて、偏向制御回路１３０に制御信号を出力する。偏向制御回路１３０は、制御信号に基づいて、ブランキングアパーチャアレイ基板１０の各ブランカの印加電圧を制御する。また、偏向制御回路１３０は、ＸＹステージ２２の移動に追従するようにビーム偏向するための偏向量データ（トラッキング偏向データ）を演算する。デジタル信号であるトラッキング偏向データは、ＤＡＣアンプ１３１に出力され、ＤＡＣアンプ１３１は、デジタル信号をアナログ信号に変換の上、増幅して、トラッキング偏向電圧として主偏向器１７に印加する。

【0033】

マルチビーム方式の描画装置では、描画対象の基板７０に、成形アパーチャアレイ基板８の複数の開口部８０の配列ピッチに所定の縮小率を乗じたピッチで並んだ多数のビームを一度に照射し、ビーム同士をつなげてビームピッチを埋めることで、所望の図形形状のパターンを描画する。そのため、描画処理前や描画処理中に、ビーム位置を検出し、ビームアレイ形状を測定して寸法を調整したり、各ビームの照射量を変調したりする必要がある。

【0034】

本実施形態に係る描画装置は、位置測定用のマークを用いてビームアレイ形状を測定する。位置測定用マークとしては、ステージ上に設けられたマルチビームを一本ずつ透過させて測定する透過マークや、ステージ上やマスク基板上に設けられた反射電子を測定する反射マークを用いることができる。本実施形態では、位置測定用マークとして、ＸＹステージ２２上に設けられた反射マークＭを用いる構成について説明する。反射マークＭは例えば図３に示すような十字形状である。一部領域のビームのみオンにし、主偏向器１７でオンビームを前後左右（ｘ方向及びｙ方向）へと偏向して、反射マークＭの十字を走査し、反射電子を検出器２６で検出し、検出アンプ１３４で増幅してデジタルデータに変換した上で、測定データを制御計算機１１０に出力する。

【0035】

ビームアレイ形状測定部１１３が、測定された反射電子を時系列で並べたプロファイル（反射電子の強度の変化）と、その時のステージ位置とから、ビームの位置（オンビーム領域の中心）を計算する。ビームアレイ形状測定部１１３は、オンビーム領域毎のビーム位置から、ビームアレイ形状を測定する。ビームアレイ形状の測定方法を図４に示すフローチャートに沿って説明する。

【0036】

ブランキングアパーチャアレイ基板１０を複数の測定領域に分割し、各測定領域に対応するビームで反射マークＭをスキャンする。言い換えれば、成形アパーチャアレイ基板８を複数の測定領域に分割し、各測定領域の開口部８０を通過したビームをオンにして反射マークＭをスキャンする。

【0037】

まず、ブランキングアパーチャアレイ基板１０の領域分割数ｎ（ｎは２以上の整数）を決定する（ステップＳ２１）。ブランキングアパーチャアレイ基板１０（成形アパーチャアレイ基板８）を複数の測定領域に分割するのは、成形アパーチャアレイ基板８の領域毎に歪みを測定するためである。また、ビームスキャンに使用する主偏向器１７の最大偏向量がブランキングアパーチャアレイ基板１０の全域をカバーできるほど大きくないため、測定に使用する偏向量はビームアレイ形状に歪みが生じない程度に小さいことが好ましい。

【0038】

まだ測定を行っていない領域を選択し、測定領域を決定する（ステップＳ２２）。ＸＹステージ２２を移動し、測定領域のビームの直下の位置に反射マークＭを配置する（ステップＳ２３）。

【0039】

例えば、測定領域のブランカの印加電圧を０Ｖ、その他の領域（非測定領域）のブランカの印加電圧を５Ｖとし、測定領域のブランカによりビームオンとされた複数のビームを主偏向器１７でＸＹ方向に偏向させて、反射マークＭをスキャンし、検出器２６が反射電子を検出する（ステップＳ２４）。

【0040】

制御計算機１１０は、検出器２６により検出された反射電子を時系列で並べたプロファイル（反射電子の強度の変化）を生成する（ステップＳ２５）。

【0041】

ビームアレイ形状測定部１１３は、ステージ位置検出器１３５により検出されたステージ位置を用いて、測定領域に対応するビーム位置（オンビーム領域の中心座標）を算出する（ステップＳ２６）。

【0042】

このようなステージ移動、反射マークＭのスキャン、及びオンビーム位置算出を、ブランキングアパーチャアレイ基板１０のｎ個の測定領域全てに対して行う（ステップＳ２２～Ｓ２７）。図５は、測定領域の切り替えに伴い、ＸＹステージ２２を移動し、測定領域のビームの直下の位置に反射マークＭを配置する例を示している。

【0043】

全ての測定領域についての測定終了後（ステップＳ２７＿Ｙｅｓ）、ビームアレイ形状測定部１１３は、各測定領域のビーム位置に基づいて、ビームアレイ形状を算出する（ステップＳ２８）。例えば、ビームアレイ形状測定部１１３は、ｎ個の測定領域に対応するオンビーム領域の中心座標を３次多項式でフィッティングし、ビームアレイ形状を表す多項式を求める。この多項式をグラフにプロットすると、例えば図６に示すようなビームアレイ形状が得られる。図６は、理想格子を設定し、そこからのズレ分をプロットしてビームアレイ形状を視覚的に捉えやすく示したものである。

【0044】

描画装置では、反射電子などによってビーム近傍のコンタミネーションや絶縁物に電荷がたまり、ビーム位置変動（ドリフト）が発生する。そのため、ビーム位置変動量を測定し、ビーム位置測定結果を補正して、ビームアレイ形状を算出することが好ましい。

【0045】

例えば、定期的に基準条件でビーム位置を測定し、位置変化量（ドリフト量）を求める。求めた位置変化量に基づいてビームアレイ形状算出に用いるビーム位置を補正する。基準条件でのビーム位置測定は、例えば、中央のビームの位置測定である。ブランキングアパーチャアレイ基板１０（成形アパーチャアレイ基板８）の中央に位置する１又は複数個のビームのみオンにし、オンビームで反射マークＭをスキャンし、反射電子の検出結果からビーム位置を測定する。そして、測定結果と設計値（理想値）との差分をドリフト量として求める。

【0046】

測定（描画）開始直後はドリフトの変動が大きいため、基準条件でのビーム位置測定（ドリフト測定）の間隔を短くする。時間の経過に伴いドリフトが収まった後は、ドリフト測定の間隔を長くする。これにより、スループットの低下を抑制できる。

【0047】

図７に、基準条件でのビーム位置測定（ドリフト測定）と、条件１～条件ｎでのビーム位置測定とのタイミングの例を示す。条件１～条件ｎは、それぞれオンビーム領域が異なる。

【0048】

測定（描画）開始直後は、ドリフト測定を第１ドリフト測定間隔ｔ１で行う。すなわち、時間ｔ１経過毎に基準条件でビーム位置を測定し、ドリフト量を求める。

【0049】

条件１～条件ｎでのビーム位置測定結果は、直前に求めたドリフト量に基づいて補正する。例えば、図７の条件３でのビーム位置測定結果は、時刻ｔ１で測定したドリフト量を用いて補正する。同様に、条件５でのビーム位置測定結果は、時刻２×ｔ１で測定したドリフト量を用いて補正する。

【0050】

条件１～条件ｎでのビーム位置測定結果の補正に用いるドリフト量を、前後のドリフト測定で求めたドリフト量を用いた内挿により算出してもよい。例えば、時刻０で測定したドリフト量及び時刻ｔ１で測定したドリフト量を用いた内挿により条件２でのビーム位置測定時におけるドリフト量を推定し、推定ドリフト量を用いて、条件２でのビーム位置測定結果を補正する。

【0051】

内挿ではなく外挿により、条件１～条件ｎでのビーム位置測定時におけるドリフト量を推定してもよい。

【0052】

測定間隔変更時間Ｔ０（Ｔ０＞ｔ１）が経過した後は、ドリフト測定の測定間隔を長くし、第２ドリフト測定間隔ｔ２（ｔ２＞ｔ１）でドリフト測定を行う。さらなる時間経過後に、ドリフト測定間隔をｔ２からｔ３（ｔ３＞ｔ２）に変更してもよい。さらに、測定間隔変更時間を、Ｔ０から、Ｔ１、Ｔ２、・・・（Ｔ０＜Ｔ１＜Ｔ２＜・・・）と徐々に変動させて（更新して）もよい。

【0053】

条件１～条件ｎでのビーム位置測定結果をドリフト量の分だけ補正し、多項式フィッティングすることで、ビームアレイ形状を求めることができる。ビーム位置測定結果をドリフト量の分だけ補正するのに代えて、条件１～条件ｎでビーム位置測定する際に、ドリフト量の分だけ偏向位置を補正して反射マークＭをスキャンしてもよい。

【0054】

図８は、ドリフト測定間隔や測定間隔変更時間の設定を更新しながらビームアレイ形状を算出する方法を説明するフローチャートである。

【0055】

基準条件でビーム位置を測定し、ドリフト量を算出する（ステップＳ１０１、Ｓ１０２）。

【0056】

測定間隔変更時間の設定を更新するタイミングの場合は（ステップＳ１０３＿Ｙｅｓ）、測定間隔変更時間を更新する（ステップＳ１０４）。例えば、測定間隔変更時間をＴ０からＴ１に更新する。測定間隔変更時間の設定を更新するタイミングは任意であり、所定時間の経過でもよいし、所定回数のドリフト測定でもよい。

【0057】

測定間隔変更時間が経過した場合は（ステップＳ１０５＿Ｙｅｓ）、ドリフト測定間隔を変更する（ステップＳ１０６）。例えば、ドリフト測定間隔をｔ１からｔ２に変更する。

【0058】

前回のドリフト測定からドリフト測定間隔の時間が経過し、ドリフト測定のタイミングになったら（ステップＳ１０７＿Ｙｅｓ）、ドリフト測定を行う（ステップＳ１０１，Ｓ１０２）。例えば、図７に示す１回目のドリフト測定（基準条件でのビーム位置測定）から時間ｔ１が経過したら、２回目のドリフト測定を行う。

【0059】

条件を切り替えて（オンビーム領域を変えて）、ビーム位置測定を行う（ステップＳ１０８）。ビーム位置測定結果は、直前のドリフト測定等で求めたドリフト量を用いて補正する。

【0060】

全条件（条件１～ｎ）でビーム位置測定を行うまで、ステップＳ１０１～Ｓ１０８を繰り返す。

【0061】

全条件でのビーム位置測定が完了すると（ステップＳ１０９＿Ｙｅｓ）、ドリフト量を用いて補正されたビーム位置測定結果に基づいて、ビームアレイ形状を算出する（ステップＳ１１０）。

【0062】

このように、本実施形態によれば、スループットの低下を抑制しつつ、ビーム位置を正確に測定し、ビームアレイ形状を高精度に求めることができる。求めたビームアレイ形状に基づいて、ビームアレイ形状の歪みの影響が出ないように、各ビームの照射量や、描画するパターンの位置や寸法、ビームの電子光学条件等のビーム照射条件を補正することで、所望のパターンを高精度に描画できる。

【0063】

上記実施形態では、測定間隔変更時間が経過すると、ドリフト測定の測定間隔を変更する例について説明したが、ドリフト測定を所定回数行うと、測定間隔を変更するとしてもよい。

【0064】

予め測定間隔や測定頻度を設定したテーブルを作成し、テーブルに基づいて測定を行ってもよい。

【0065】

上記実施形態では、測定したドリフト量を、ビームアレイ形状測定時のビーム位置補正に用いていたが、主偏向器１７や副偏向器の偏向感度測定時のビーム位置補正に用いてもよい。偏向電圧を変えながら、複数の偏向電圧でのビーム位置を測定し、ビーム位置測定結果をドリフト量の分だけ補正して、偏向感度（偏向電圧に対する偏向距離の変動率）を求める。基準条件でのビーム位置測定（ドリフト測定）では、例えば、偏向量（偏向電圧）をゼロにする。そして、求められた偏向感度に基づき偏向範囲が確認される。

【0066】

上記実施形態では、電子ビーム描画装置としてマルチビーム描画装置を用いる例について説明したが、シングルビーム描画装置の偏向感度補正等に適用することもできる。

【0067】

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

【符号の説明】

【0068】

１ 描画部
２ 鏡筒
４ 電子銃
６ 照明レンズ
８ 成形アパーチャアレイ
１０ ブランキングアパーチャアレイ
１２ 縮小レンズ
１４ 制限アパーチャ部材
１５ 対物レンズ
１６ コイル
１７ 主偏向器
２０ 描画室
２２ ＸＹステージ
５０ 電流検出器
１００ 制御部
１１０ 制御計算機

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】