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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025028699
(43)【公開日】2025-03-03
(54)【発明の名称】発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10H 20/857 20250101AFI20250221BHJP
H10H 20/831 20250101ALI20250221BHJP
H10H 20/814 20250101ALI20250221BHJP
H10H 20/84 20250101ALI20250221BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
H01L33/38
H01L33/10
H01L33/44
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023133664
(22)【出願日】2023-08-18
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004026
【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ
(72)【発明者】
【氏名】川口 浩史
(72)【発明者】
【氏名】馬場 健
(72)【発明者】
【氏名】島田 幸治
【テーマコード（参考）】
5F142
5F241
【Ｆターム（参考）】
5F142AA58
5F142BA32
5F142CA11
5F142CB12
5F142CD02
5F142FA30
5F142GA29
5F241CA04
5F241CA40
5F241CA65
5F241CA74
5F241CA77
5F241CA85
5F241CA88
5F241CA93
5F241CA98
5F241CB15
(57)【要約】
【課題】発光素子を基板に接合する際の信頼性を向上可能な発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板の上面に配置された半導体構造体と、を有する第１支持基板を準備する工程と、前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、前記反射膜上に、第１接合部材と第２接合部材と、を形成する工程と、を備える。前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚い。前記第１接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第１端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第２端部と、を有する。前記第１端部の厚さは前記第２端部の厚さよりも薄い。
【選択図】図２１
【解決手段】発光装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板の上面に配置された半導体構造体と、を有する第１支持基板を準備する工程と、前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、前記反射膜上に、第１接合部材と第２接合部材と、を形成する工程と、を備える。前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚い。前記第１接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第１端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第２端部と、を有する。前記第１端部の厚さは前記第２端部の厚さよりも薄い。
【選択図】図２１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板と、前記第１基板の上面に配置され、第１導電型の第１半導体層、活性層及び第２導電型の第２半導体層とを含む半導体構造体と、を有する第１支持基板を準備する工程と、
前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続された第１接合部材と、前記第２半導体層に接続され、平面視で前記第１接合部材と離隔して配置された第２接合部材と、を形成する工程と、
第２基板と、前記第２基板の上面に配置された第１接続部及び第２接続部と、を有する第２支持基板を準備する工程と、
前記第１接続部に前記第１接合部材を接合し、前記第２接続部に前記第２接合部材を接合する工程と、
を備え、
前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚く、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、
前記第１接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第１端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第２端部と、を有し、前記第１端部の厚さは前記第２端部の厚さよりも薄く、
前記第２接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第３端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第４端部と、を有し、前記第３端部の厚さは前記第４端部の厚さよりも薄い発光装置の製造方法。
前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続された第１接合部材と、前記第２半導体層に接続され、平面視で前記第１接合部材と離隔して配置された第２接合部材と、を形成する工程と、
第２基板と、前記第２基板の上面に配置された第１接続部及び第２接続部と、を有する第２支持基板を準備する工程と、
前記第１接続部に前記第１接合部材を接合し、前記第２接続部に前記第２接合部材を接合する工程と、
を備え、
前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚く、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、
前記第１接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第１端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第２端部と、を有し、前記第１端部の厚さは前記第２端部の厚さよりも薄く、
前記第２接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第３端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第４端部と、を有し、前記第３端部の厚さは前記第４端部の厚さよりも薄い発光装置の製造方法。
【請求項2】
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記第１接合部材は前記第１接続部と接触する第１面を有し、前記第２接合部材は前記第２接続部と接触する第２面を有し、前記第１面と前記第２面とは同一平面上に位置する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項3】
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続される第１導電膜と、前記第２半導体層に接続される第２導電膜と、を形成する工程をさらに備え、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、２つの前記第１接合部材を前記第１導電膜上に形成し、２つの前記第２接合部材を前記第２導電膜上に形成する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、２つの前記第１接合部材を前記第１導電膜上に形成し、２つの前記第２接合部材を前記第２導電膜上に形成する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項4】
第１基板と、前記第１基板の上面に配置され、第１導電型の第１半導体層、活性層及び第２導電型の第２半導体層とを含む半導体構造体と、を有する第１支持基板を準備する工程と、
前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続された複数の第１接合部材と、前記第２半導体層に接続され、平面視で前記第１接合部材と離隔して配置された複数の第２接合部材と、を形成する工程と、
第２基板と、前記第２基板の上面に配置された第１接続部及び第２接続部と、を有する第２支持基板を準備する工程と、
前記第１接続部に前記複数の第１接合部材を接合し、前記第２接続部に前記複数の第２接合部材を接合する工程と、
を備え、
前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚く、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記複数の第１接合部材のうち、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第１接合部材の厚さは、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第１接合部材の厚さよりも薄く、前記複数の第２接合部材のうち、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第２接合部材の厚さは、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第２接合部材の厚さよりも薄い発光装置の製造方法。
前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続された複数の第１接合部材と、前記第２半導体層に接続され、平面視で前記第１接合部材と離隔して配置された複数の第２接合部材と、を形成する工程と、
第２基板と、前記第２基板の上面に配置された第１接続部及び第２接続部と、を有する第２支持基板を準備する工程と、
前記第１接続部に前記複数の第１接合部材を接合し、前記第２接続部に前記複数の第２接合部材を接合する工程と、
を備え、
前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚く、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記複数の第１接合部材のうち、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第１接合部材の厚さは、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第１接合部材の厚さよりも薄く、前記複数の第２接合部材のうち、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第２接合部材の厚さは、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第２接合部材の厚さよりも薄い発光装置の製造方法。
【請求項5】
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第１接合部材が前記第１接続部と接触する第１接合面と、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第１接合部材が前記第１接続部と接触する第２接合面と、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第２接合部材が前記第２接続部と接触する第３接合面と、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第２接続部材が前記第２接続部と接触する第４接合面と、は同一平面上に位置する請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項6】
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程は、
前記反射膜上に、前記第１接合部材が形成される領域に位置する第１孔と、前記第２接合部材が形成される領域に位置する第２孔と、を有するマスクを形成する工程と、
前記第１孔内及び前記第２孔内に導電性材料を配置する工程と、
前記導電性材料の上面と前記第１基板の前記上面とを平行に近付ける工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する請求項１または４に記載の発光装置の製造方法。
前記反射膜上に、前記第１接合部材が形成される領域に位置する第１孔と、前記第２接合部材が形成される領域に位置する第２孔と、を有するマスクを形成する工程と、
前記第１孔内及び前記第２孔内に導電性材料を配置する工程と、
前記導電性材料の上面と前記第１基板の前記上面とを平行に近付ける工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する請求項１または４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項7】
前記反射膜を形成する工程は、
前記絶縁膜上に、前記反射膜が形成される予定の領域の周囲に配置される第１部分と、前記第１部分の上部から前記周辺部分が形成される予定の領域上に延出し、前記絶縁膜から離れた第２部分とを有し、前記中央部分が形成される予定の領域上には配置されないマスクを形成する工程と、
前記マスク上と前記絶縁膜上とに反射性材料を配置する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する請求項１または４に記載の発光装置の製造方法。
前記絶縁膜上に、前記反射膜が形成される予定の領域の周囲に配置される第１部分と、前記第１部分の上部から前記周辺部分が形成される予定の領域上に延出し、前記絶縁膜から離れた第２部分とを有し、前記中央部分が形成される予定の領域上には配置されないマスクを形成する工程と、
前記マスク上と前記絶縁膜上とに反射性材料を配置する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する請求項１または４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項8】
前記第１支持基板と前記第２支持基板とを接合する工程の後に、
前記第１接続部と前記第１接合部材が接合されて形成された第１導電部材の表面、及び、前記第２接続部と前記第２接合部材が接合されて形成された第２導電部材の表面に、導電層を無電解めっきにより形成する工程をさらに備えた請求項１または４に記載の発光装置の製造方法。
前記第１接続部と前記第１接合部材が接合されて形成された第１導電部材の表面、及び、前記第２接続部と前記第２接合部材が接合されて形成された第２導電部材の表面に、導電層を無電解めっきにより形成する工程をさらに備えた請求項１または４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項9】
前記第１接合部材及び前記第２接合部材、並びに、前記第１接続部及び前記第２接続部は金を含む請求項１または４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項10】
前記第１接合部材及び前記第２接合部材の厚さは、２μｍ以上３０μｍ以下である請求項１または４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項11】
平面視で、前記半導体構造体の形状は矩形であり、前記半導体構造体の一辺の長さは５０μｍ以下である請求項１または４に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施形態は、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、多数の小型化した発光素子を１枚の基板に搭載した発光装置が開発されている。発光素子が小さくなると、発光素子を基板に確実に接合することが困難になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－０９０００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の一実施形態は、発光素子を基板に接合する際の信頼性を向上可能な発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板の上面に配置され、第１導電型の第１半導体層、活性層及び第２導電型の第２半導体層とを含む半導体構造体と、を有する第１支持基板を準備する工程と、前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続された第１接合部材と、前記第２半導体層に接続され、平面視で前記第１接合部材と離隔して配置された第２接合部材と、を形成する工程と、第２基板と、前記第２基板の上面に配置された第１接続部及び第２接続部と、を有する第２支持基板を準備する工程と、前記第１接続部に前記第１接合部材を接合し、前記第２接続部に前記第２接合部材を接合する工程と、を備える。前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚い。前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記第１接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第１端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第２端部と、を有し、前記第１端部の厚さは前記第２端部の厚さよりも薄く、前記第２接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第３端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第４端部と、を有し、前記第３端部の厚さは前記第４端部の厚さよりも薄い。
【0006】
本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板の上面に配置され、第１導電型の第１半導体層、活性層及び第２導電型の第２半導体層とを含む半導体構造体と、を有する第１支持基板を準備する工程と、前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続された複数の第１接合部材と、前記第２半導体層に接続され、平面視で前記第１接合部材と離隔して配置された複数の第２接合部材と、を形成する工程と、第２基板と、前記第２基板の上面に配置された第１接続部及び第２接続部と、を有する第２支持基板を準備する工程と、前記第１接続部に前記複数の第１接合部材を接合し、前記第２接続部に前記複数の第２接合部材を接合する工程と、を備える。前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚い。前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記複数の第１接合部材のうち、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第１接合部材の厚さは、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第１接合部材の厚さよりも薄く、前記複数の第２接合部材のうち、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第２接合部材の厚さは、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第２接合部材の厚さよりも薄い。
【発明の効果】
【0007】
本発明の一実施形態によれば、発光素子を基板に接合する際の信頼性を向上可能な発光装置の製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、適宜簡略化及び強調されている。例えば、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。さらに、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図面は模式的または概念的なものであり、適宜簡略化及び強調されている。例えば、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。さらに、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0010】
＜第１の実施形態＞
図１～図６は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図７は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。
図７は図６と同じ工程を示し、図６は図７に示すVI－VI線による断面図である。
図８～図１９は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図１～図６は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図７は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。
図７は図６と同じ工程を示し、図６は図７に示すVI－VI線による断面図である。
図８～図１９は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【0011】
（第１支持基板を準備する工程）
図１に示すように、第１支持基板１００を準備する。第１支持基板１００は、第１基板１１０と、第１基板１１０の上面１１０ａに配置された半導体構造体１０と、を有する。なお、図１～図１９に示す工程の説明においては、図１～図６、図８～図１５に倣い、第１基板１１０側を「下」といい、半導体構造体１０側を「上」という。
図１に示すように、第１支持基板１００を準備する。第１支持基板１００は、第１基板１１０と、第１基板１１０の上面１１０ａに配置された半導体構造体１０と、を有する。なお、図１～図１９に示す工程の説明においては、図１～図６、図８～図１５に倣い、第１基板１１０側を「下」といい、半導体構造体１０側を「上」という。
【0012】
半導体構造体１０は、第１導電型の第１半導体層１１、活性層１３、及び、第２導電型の第２半導体層１２を含む。半導体構造体１０は、例えば、窒化物半導体からなる。「窒化物半導体」とは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。例えば、第１導電型はｎ型であり、第２導電型はｐ型である。
【0013】
第１支持基板１００は、例えば、第１基板１１０の上面１１０ａに、第１半導体層１１、活性層１３及び第２半導体層１２をこの順に形成することで準備することができる。半導体構造体１０の各層は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長法）を用いて形成することができる。この場合は、第１基板１１０は半導体構造体１０の結晶成長用基板であり、例えば、サファイア基板である。また、第１支持基板１００は、購入することにより準備してもよい。
【0014】
平面視で、半導体構造体１０には、後の工程で発光素子１９０となる予定の領域Ｒ１と、領域Ｒ１の内側に位置し、後の工程で反射膜４０が形成される予定の領域Ｒ２と、領域Ｒ２の内側であって半導体構造体１０の中央部に位置する領域Ｒ３と、が設定されている。領域Ｒ２の内部であって領域Ｒ３の外部に位置する領域を領域Ｒ４とする。半導体構造体１０の中央部とは、平面視で半導体構造体１０の中心を含み外縁から離れた領域である。図７に示すように、平面視における領域Ｒ２の形状は、対向する２辺に凹部を有する略矩形である。なお、第１支持基板１００を準備した段階において、領域Ｒ１、領域Ｒ２、領域Ｒ３に対応した構造は存在しなくてもよい。
【0015】
次に、領域Ｒ１の一部において、第２半導体層１２及び活性層１３を除去する。これにより、第１半導体層１１に第２半導体層１２及び活性層１３から露出する表面１１ｂが形成される。但し、図１に示す断面には、第１半導体層１１の表面１１ｂは位置していないため、表面１１ｂは図示されていない。図７に示すように、第１半導体層１１の表面１１ｂは、領域Ｒ１から半導体構造体１０の中央部に向かって延在し、後述する第１電極１９１が形成される。半導体構造体１０の除去には、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いることができる。
【0016】
（透光性電極を形成する工程）
図２に示すように、半導体構造体１０上に、透光性電極２０を形成する。透光性電極２０は、半導体構造体１０の上面のうち、上述の領域Ｒ１の内側に形成する。透光性電極２０は、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide：酸化インジウムスズ）により形成する。透光性電極２０は第２半導体層１２に接し、第２半導体層１２に接続される。透光性電極２０は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法）又はスパッタ法により形成する。なお、本明細書において「接続」とは電気的な接続を意味する。
図２に示すように、半導体構造体１０上に、透光性電極２０を形成する。透光性電極２０は、半導体構造体１０の上面のうち、上述の領域Ｒ１の内側に形成する。透光性電極２０は、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide：酸化インジウムスズ）により形成する。透光性電極２０は第２半導体層１２に接し、第２半導体層１２に接続される。透光性電極２０は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法）又はスパッタ法により形成する。なお、本明細書において「接続」とは電気的な接続を意味する。
【0017】
次に、領域Ｒ１内において、第１半導体層１１上に第１電極１９１を形成し、透光性電極２０上に第２電極１９２を形成する。第１電極１９１は第１半導体層１１に接続され、第２電極１９２は透光性電極２０を介して第２半導体層１２に接続される。但し、図２に示す断面には、第１電極１９１及び第２電極１９２は位置していないため、第１電極１９１及び第２電極１９２は図示されていない。図７に示すように、第１電極１９１および第２電極１９２は、領域Ｒ２の凹部に位置する半導体構造体１０上に形成される。
【0018】
（絶縁膜を形成する工程）
次に、半導体構造体１０上に絶縁膜３０を形成する。絶縁膜３０は、透光性電極２０、第１電極１９１及び第２電極１９２を覆う。絶縁膜３０は光反射性であることが好ましい。絶縁膜３０は、例えば、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射膜）により形成する。絶縁膜３０は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法）又はスパッタ法により形成する。
次に、半導体構造体１０上に絶縁膜３０を形成する。絶縁膜３０は、透光性電極２０、第１電極１９１及び第２電極１９２を覆う。絶縁膜３０は光反射性であることが好ましい。絶縁膜３０は、例えば、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射膜）により形成する。絶縁膜３０は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法）又はスパッタ法により形成する。
【0019】
次に、図３に示すように、半導体構造体１０のうち、領域Ｒ１の外周領域に溝１０ｂを形成する。平面視において、溝１０ｂの形状は略格子状である。溝１０ｂは半導体構造体１０を厚さ方向に貫通しないようにする。つまり、溝部１０ｂと第１基板１１０との間に、半導体構造体１０の一部が残存するように溝部１０ｂを形成する。これにより、第１半導体層１１の最下部を除く部分、活性層１３の全体、及び、第２半導体層１２の全体が、領域Ｒ１毎に区画化される。
【0020】
（反射膜を形成する工程）
次に、図４に示すように、絶縁膜３０上に、例えばフォトリソグラフィ法によりマスク１５０を形成する。マスク１５０は、第１部分１５１と、第２部分１５２を有する。例えば、半導体構造体１０上にレジストマスクを形成した後、レジストマスク上に開口部を形成する領域を露出させる遮光マスクを形成する。その後、レジストマスクに対して露光処理、現像処理を行うことで、第１部分１５１及び第２部分１５２を有するマスク１５０を形成することができる。平面視で、第１部分１５１は、反射膜４０が形成される予定の領域Ｒ２の周囲に配置される。第１部分１５１の下面は絶縁膜３０に接している。平面視で、第１部分１５１の形状は例えば略格子状であり、領域Ｒ２毎に開口部が形成されている。第２部分１５２は、第１部分１５１の上部から開口部の内側に向けて延出している。第２部分１５２は、第１部分１５１から領域Ｒ２の内部であって領域Ｒ３の外部に位置する略枠状の領域Ｒ４に延出している。第１部分１５１からの第２部分１５２の延出量は、略一定である。第２部分１５２は領域Ｒ３上には配置されない。
次に、図４に示すように、絶縁膜３０上に、例えばフォトリソグラフィ法によりマスク１５０を形成する。マスク１５０は、第１部分１５１と、第２部分１５２を有する。例えば、半導体構造体１０上にレジストマスクを形成した後、レジストマスク上に開口部を形成する領域を露出させる遮光マスクを形成する。その後、レジストマスクに対して露光処理、現像処理を行うことで、第１部分１５１及び第２部分１５２を有するマスク１５０を形成することができる。平面視で、第１部分１５１は、反射膜４０が形成される予定の領域Ｒ２の周囲に配置される。第１部分１５１の下面は絶縁膜３０に接している。平面視で、第１部分１５１の形状は例えば略格子状であり、領域Ｒ２毎に開口部が形成されている。第２部分１５２は、第１部分１５１の上部から開口部の内側に向けて延出している。第２部分１５２は、第１部分１５１から領域Ｒ２の内部であって領域Ｒ３の外部に位置する略枠状の領域Ｒ４に延出している。第１部分１５１からの第２部分１５２の延出量は、略一定である。第２部分１５２は領域Ｒ３上には配置されない。
【0021】
次に、図５に示すように、マスク１５０上と絶縁膜３０上とに反射性材料４０ａを形成する。例えば、ＣＶＤ法又はスパッタ法により反射性材料４０ａを堆積させる。これにより、マスク１５０上と絶縁膜３０上に反射性材料４０ａが配置される。絶縁膜３０上における領域Ｒ３及びマスク１５０上には、反射性材料４０ａが相対的に厚く配置され、絶縁膜３０上における領域Ｒ４には、反射性材料４０ａが領域Ｒ３から遠ざかるにしたがって薄くなるように配置される。これは、例えば、反射性材料４０ａをスパッタ法で形成する際、平面視において第２部分１５２と重なる部分は、マスク１５０で覆われていない部分よりも反射性材料４０ａが形成されにくいためである。絶縁膜３０上における領域Ｒ２の外側はマスク１５０の第１部分１５１に接しているため、反射性材料４０ａは配置されない。
【0022】
次に、図６に示すように、マスク１５０を除去する。これにより、マスク１５０上に配置された反射性材料４０ａも除去される。この結果、絶縁膜３０上の領域Ｒ２に反射性材料４０ａからなる反射膜４０が形成される。反射膜４０は、例えば、チタン（Ｔｉ）層と、アルミニウム銅合金（ＡｌＣｕ）層を含む積層膜である。反射膜４０は、第１半導体層１１及び第２半導体層１２の双方から絶縁膜３０によって絶縁されている。なお、反射膜４０は、第１半導体層１１及び第２半導体層１２のうちの一方に接続されていてもよい。マスク１５０の除去には、例えば、マスク１５０を溶解させる剥離液などを用いることができる。
【0023】
反射膜４０は、半導体構造体１０の中央部上、すなわち、領域Ｒ３に配置される中央部分４１と、半導体構造体１０の周辺部上、すなわち、領域Ｒ４に配置される周辺部分４２と、を有する。中央部分４１の厚さは周辺部分４２の厚さよりも厚い。周辺部分４２における中央部分４１との境界に位置する厚さは中央部分４１の厚さと略等しいが、中央部分４１から遠ざかるにつれて薄くなる。例えば、中央部分４１の上面と周辺部分４２の上面との境界には稜線は形成されるが段差は形成されない。一例では、反射膜４０の中央部分４１の最大厚さは２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下程度とし、周辺部分４２の最小厚さは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度とする。
【0024】
図７に示すように、平面視で、領域Ｒ２は、例えば正方形の角部が丸められ、相互に対向する２辺に凹部が形成されたＨ字形の形状である。領域Ｒ３は領域Ｒ２内に位置し、領域Ｒ２よりも一回り小さい形状である。領域Ｒ２の外縁と領域Ｒ３の外縁との距離、すなわち、領域Ｒ４の幅は略一定である。反射膜４０の中央部分４１は領域Ｒ３に配置され、反射膜４０の周辺部分４２は領域Ｒ４に配置される。
【0025】
なお、反射膜４０の形成方法は上述の方法には限定されない。また、中央部分４１の上面と周辺部分４２の上面との境界には段差が形成されてもよく、稜線も段差も形成されない連続的な曲面になっていてもよい。
【0026】
次に、絶縁膜３０に、第１開口部３１及び第２開口部３２を形成する。第１開口部３１は第１電極１９１の直上の領域に形成し、第１開口部３１において第１電極１９１を露出させる。第２開口部３２は第２電極１９２の直上の領域に形成し、第２開口部３２において第２電極１９２を露出させる。第１開口部３１及び第２開口部３２は、絶縁膜３０の一部を除去することで形成する。絶縁膜３０は、例えば、ＲＩＥ法又はウェットエッチングにより除去することができる。
【0027】
（第１接合部材と第２接合部材を形成する工程）
次に、図８に示すように、半導体構造体１０上の全面に絶縁膜５０を形成する。絶縁膜５０は、例えば、二酸化珪素（ＳｉＯ２）により形成する。絶縁膜５０の上面は、反射膜４０の形状及び溝１０ｂの形状を反映した形状になる。すなわち、絶縁膜５０の上面のうち、反射膜４０の中央部分４１の直上の領域に位置する領域は第１基板１１０の上面に対して略平行になり、反射膜４０の周辺部分４２の直上の領域に位置する領域は周辺部分４２の上面に沿って傾斜する。絶縁膜５０の上面のうち、溝１０ｂ内に位置する領域は溝１０ｂの側面に沿って傾斜する。絶縁膜５０は、例えば、ＣＶＤ法又はスパッタ法により形成する。
次に、図８に示すように、半導体構造体１０上の全面に絶縁膜５０を形成する。絶縁膜５０は、例えば、二酸化珪素（ＳｉＯ２）により形成する。絶縁膜５０の上面は、反射膜４０の形状及び溝１０ｂの形状を反映した形状になる。すなわち、絶縁膜５０の上面のうち、反射膜４０の中央部分４１の直上の領域に位置する領域は第１基板１１０の上面に対して略平行になり、反射膜４０の周辺部分４２の直上の領域に位置する領域は周辺部分４２の上面に沿って傾斜する。絶縁膜５０の上面のうち、溝１０ｂ内に位置する領域は溝１０ｂの側面に沿って傾斜する。絶縁膜５０は、例えば、ＣＶＤ法又はスパッタ法により形成する。
【0028】
また、絶縁膜５０に、開口部５１及び５２を形成する。図２３に示すように、開口部５１は絶縁膜３０の第１開口部３１内に位置し、開口部５２は絶縁膜３０の第２開口部３２内に位置する。これにより、開口部５１において第１電極１９１が露出し、開口部５２において第２電極１９２が露出する。なお、図８に示す断面には、開口部５１及び５２は位置していない。開口部５１及び開口部５２は、絶縁膜５０の一部を除去することで形成する。絶縁膜５０は、例えば、ＲＩＥ法又はウェットエッチングにより除去することができる。
【0029】
次に、図９に示すように、絶縁膜５０上に、例えばフォトリソグラフィ法により、マスク１６０を形成する。マスク１６０は、導電膜６０のうち第１導電膜６１とする部分の直上の領域を含む領域に配置された第１開口部１６１と、導電膜６０のうち第２導電膜６２とする部分の直上の領域を含む領域に配置された第２開口部１６２とを有する。次に、絶縁膜５０上とマスク１６０上とに導電性材料を、例えばスパッタ法により形成する。これにより、絶縁膜５０上及びマスク１６０上の全面に、導電膜６０が形成される。一例では、導電膜６０は、チタン層、ロジウム（Ｒｈ）層、チタン層が積層された積層構造とする。後述する工程において、導電膜６０の一部が第１導電膜６１及び第２導電膜６２となる。すなわち、導電膜６０は第１導電膜６１及び第２導電膜６２を相互に分離されていない状態で含んでいる。
【0030】
次に、図１０に示すように、導電膜６０上に、例えばフォトリソグラフィ法により、マスク１７０を形成する。マスク１７０は、第１孔１７１と第２孔１７２を有する。平面視で、第１孔１７１はマスク１６０の第１開口部１６１内に位置し、第２孔１７２はマスク１６０の第２開口部１６２内に位置する。第１孔１７１及び第２孔１７２において、導電膜６０が露出する。平面視で、第１孔１７１は領域Ｒ３と領域Ｒ４にわたって配置される。第１孔１７１と同様に、第２孔１７２も領域Ｒ３と領域Ｒ４にわたって配置される。
【0031】
次に、図１１に示すように、導電膜６０を起点として導電性材料を例えば電解めっきにより形成する。これにより、第１孔１７１内に導電性材料７１ａが配置され、第２孔１７２内に導電性材料７２ａが配置される。導電材料７１ａ及び７２ａの上面の一部は、反射膜４０の形状に対応し、反射膜４０の中央部分４１から反射膜４０の周辺部分４２に向かって傾斜している。導電性材料７１ａ及び７２ａは例えば金（Ａｕ）である。なお、図１１において、導電性材料７１ａ及び７２ａの一部は、第１孔１７１と第２孔１７２の外側まで形成されているが、第１孔１７１と第２孔１７２の外側に形成されず、第１孔１７１と第２孔１７２内に形成されるようにしてもよい。
【0032】
次に、図１２に示すように、導電性材料７１ａ及び７２ａの上面と第１基板１１０の上面とを平行に近付ける。例えば、マスク１７０の上面と、導電性材料７１ａ及び７２ａの上面を研削及び／又は研磨により平坦化する。
【0033】
次に、図１３に示すように、マスク１７０及びマスク１６０を除去する。これにより、導電膜６０のうち、マスク１６０上に配置された部分も除去される。導電膜６０のうち、第１開口部１６１内に配置されていた部分が第１導電膜６１となり、第２開口部１６２内に配置されていた部分が第２導電膜６２となる。第１導電膜６１は第１電極１９１に接続され、第２導電膜６２は第２電極１９２に接続される。
【0034】
また、導電性材料７１ａが露出して第１接合部材７１となり、導電性材料７２ａが露出して第２接合部材７２となる。第１接合部材７１は第１導電膜６１上に形成され、第２接合部材７２は第２導電膜６２上に形成される。第１接合部材７１は第１導電膜６１及び第１電極１９１を介して第１半導体層１１に接続され、第２接合部材７２は第２導電膜６２、第２電極１９２及び透光性電極２０を介して、第２半導体層１２に接続される。このようにして、中間体１８０が作製される。
【0035】
第１導電膜６１と第２導電膜６２は相互に離れている。第１導電膜６１及び第２導電膜６２はそれぞれ、絶縁膜５０の上面における領域Ｒ３から領域Ｒ４にわたって配置される。このため、第１導電膜６１の上面及び第２導電膜６２の上面も平坦ではなく、反射膜４０の形状に対応した形状となっている。すなわち、第１導電膜６１の上面及び第２導電膜６２の上面は、領域Ｒ３では反射膜４０の中央部分４１の上面に沿って平坦に近く、領域Ｒ４では反射膜４０の周辺部分４２に沿って、領域Ｒ３から離れるにつれて位置が低くなるように傾斜している。
【0036】
第１接合部材７１は、その上面として、第１面７１ｂを有している。第２接合部材７２は、その上面として、第２面７２ｂを有している。第１面７１ｂと第２面７２ｂは同一平面上に位置する。平面視における第１接合部材７１及び第２接合部材７２の形状は、例えば、矩形であり、第１接合部材７１及び第２接合部材７２の一辺の長さは例えば５μｍ以上２０μｍ以下である。
【0037】
第１接合部材７１は、反射膜４０の中央部分４１上、すなわち、領域Ｒ３に位置する第１端部７１ｄと、反射膜４０の周辺部分４２上、すなわち、領域Ｒ４に位置する第２端部７１ｅと、を有する。第１接合部材７１の下面７１ｃは第１導電膜６１の上面と接しているため、断面視における第１接合部材７１の下面７１ｃの形状は第１導電膜６１の形状を反映した形状となっている。中央部分４１上に位置する下面７１ｃは平坦に近い面である一方、周辺部分４２上に位置する下面７１ｃは、中央部分４１上に位置する下面７１ｃに対して傾斜している。一方、第１接合部材７１の上面である第１面７１ｂは平坦に近い面である。このため、上下方向において、第１端部７１ｄの厚さは第２端部７１ｅの厚さよりも薄い。第１端部７１ｄの厚さと第２端部７１ｅの厚さの差は、例えば、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。
【0038】
同様に、第２接合部材７２は、反射膜４０の中央部分４１上、すなわち、領域Ｒ３に位置する第３端部７２ｄと、反射膜４０の周辺部分４２上、すなわち、領域Ｒ４に位置する第４端部７２ｅと、を有する。第２接合部材７２の下面７２ｃは第２導電膜６２の上面と接しているため、断面視における第２接合部材７２の下面７２ｃの形状は第２導電膜６２の形状を反映した形状となっている。中央部分４１上に位置する下面７２ｃは平坦に近い面である一方、周辺部分４２上に位置する下面７２ｃは、中央部分４１上に位置する下面７２ｃに対して傾斜している。一方、第２接合部材７２の上面である第２面７２ｂは平坦に近い面である。このため、上下方向において、第３端部７２ｄの厚さは第４端部７２ｅの厚さよりも薄い。第３端部７２ｄの厚さと第４端部７２ｅの厚さの差は、例えば、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。第１接合部材７１及び第２接合部材７２の厚さは、２μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【0039】
次に、図１４に示すように、中間体１８０上に樹脂層１８１を形成する。次に、樹脂層１８１を支持基板１８２に押し当てることで接合する。次に、中間体１８０から第１基板１１０を剥離する。これにより、第１半導体層１１の下面が露出する。樹脂層１８１は、例えば、ディスペンサー等を用いて中間体１８０上に樹脂材料を塗布することで形成する。第１基板１１０は、例えば、ＬＬＯ（Laser Lift off:レーザリフトオフ）法により中間体１８０から剥離する。
【0040】
次に、図１５に示すように、第１半導体層１１を薄膜化し、図１４に示す溝部１０ｂの下方に位置する第１半導体層１１を除去する。これにより、半導体構造体１０が領域Ｒ１毎に個片化される。平面視で、個片化された半導体構造体１０の形状は矩形であり、半導体構造体１０の一辺の長さは例えば１０μｍ以上１００μｍ以下である。第１半導体層１１は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）等により薄膜化することができる。
【0041】
次に、絶縁膜５０の端部を保護する保護膜８１を形成する。保護膜８１は、絶縁膜５０上と第１半導体層１１の表面１１ａの外周部上とに連続して形成される。保護膜８１は、例えば二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンにより形成する。次に、第１半導体層１１の表面１１ａに微細な凹凸構造を形成し粗面化する。これは、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＨＡ）処理によって行う。次に、第１半導体層１１の表面１１ａ上と、保護膜８１上とを覆うように保護膜８２を形成する。保護膜８２のうち粗面化された第１半導体層１１の表面１１ａ上に形成される保護膜８２の下面は、保護膜８２のうち保護膜８１上に形成される保護膜８２の下面よりも表面粗さが大きくなる。保護膜８２は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンにより形成する。絶縁膜８１、８２は、例えば、ＣＶＤ法又はスパッタ法により形成する。保護膜８１の厚さは、例えば、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。保護膜８２の厚さは、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下である。
【0042】
図１６～図１９においては、図１～図１５に対して、図示の上下を反転させている。図１６に示すように、半導体構造体１０、第１接合部材７１及び第２接合部材７２等を含む発光素子１９０を、接着層１８４を介して支持基板１８５に配置する。また、樹脂層１８１を除去する。発光素子１９０の詳細な構成については、後述する。
【0043】
（第２支持基板を準備する工程）
一方、図１７に示すように、第２支持基板２００を準備する。第２支持基板２００は、第２基板２１０と、第２基板２１０の上面に配置された第１接続部２２１及び第２接続部２２２と、を有する。第１接続部２２１及び第２接続部２２２は、金を含む。第１接続部２２１及び第２接続部２２２のうち、第１接合部材７１及び第２接合部材７２が接触する上面は金である。
一方、図１７に示すように、第２支持基板２００を準備する。第２支持基板２００は、第２基板２１０と、第２基板２１０の上面に配置された第１接続部２２１及び第２接続部２２２と、を有する。第１接続部２２１及び第２接続部２２２は、金を含む。第１接続部２２１及び第２接続部２２２のうち、第１接合部材７１及び第２接合部材７２が接触する上面は金である。
【0044】
（第１接続部に第１接合部材を接合し、第２接続部に第２接合部材を接合する工程）
次に、図１８に示すように、第２支持基板２００の第１接続部２２１に発光素子１９０の第１接合部材７１を接合すると共に、第２支持基板２００の第２接続部２２２に発光素子１９０の第２接合部材７２を接合する。接合は、例えば、支持基板１８５を第２基板２１０に向かう方向に付勢して、第１接続部２２１と第１接合部材７１に押し付け合う力を印加し、第２接続部２２２と第２接合部材７２に押し付け合う力を印加しながら、全体を加熱する。また、必要に応じて、超音波を印加してもよい。
次に、図１８に示すように、第２支持基板２００の第１接続部２２１に発光素子１９０の第１接合部材７１を接合すると共に、第２支持基板２００の第２接続部２２２に発光素子１９０の第２接合部材７２を接合する。接合は、例えば、支持基板１８５を第２基板２１０に向かう方向に付勢して、第１接続部２２１と第１接合部材７１に押し付け合う力を印加し、第２接続部２２２と第２接合部材７２に押し付け合う力を印加しながら、全体を加熱する。また、必要に応じて、超音波を印加してもよい。
【0045】
これにより、第１接続部２２１と第１接合部材７１が接合されて第１導電部材２３１が形成されると共に、第２接続部２２２と第２接合部材７２が接合されて第２導電部材２３２が形成される。
【0046】
なお、接合を仮接合工程と本接合工程の２回に分けて行い、仮接合工程と本接合工程の間に発光素子１９０の検査及び不良と判定された発光素子１９０の交換を行ってもよい。より詳細に説明すると、仮接合工程においては、全ての発光素子１９０を一括で、第１接合部材７１及び第２接合部材７２を第１接続部２２１及び第２接続部２２２に本接合工程よりも弱く接合される条件で接合する。例えば、仮接合工程において印加する押圧力は、本接合工程において印加する押圧力よりも小さい。これにより、発光素子１９０が第２支持基板２００に本接合工程よりも弱く接合される。
【0047】
次に、各発光素子１９０を検査する。例えば、発光素子１９０が第２支持基板２００の所定の位置に配置されているか否かを外観によって評価したり、発光素子１９０に対して第２支持基板２００を介して電力を供給して発光特性を評価したりする。そして、不良と判定された発光素子１９０を第２支持基板２００から除去し、不良と判定された発光素子１９０を除去した位置に新たな発光素子１９０を接合し、仮接合する。その後、第１接合部材７１及び第２接合部材７２が仮接合工程よりも強く接合される条件で、本接合工程を実施する。このようにすることにより、不良と判定された発光素子１９０を効率的に除去できる。なお、仮接合工程を実施せず、本接合工程のみで接合工程を行う場合、発光素子１９０と第２支持基板２００との接合力が高く、不良と判定された発光素子１９０を効率よく除去することが難しい。
【0048】
（無電解めっきする工程）
次に、図１９に示すように、第１導電部材２３１及び第１導電膜６１からなる構造体、並びに、第２導電部材２３２及び第２導電膜６２からなる構造体の表面に、導電層２４０を電解めっきにより形成する。導電層２４０は、例えば、金である。なお、導電層２４０を形成する工程は、省略してもよい。
このようにして、第２基板２１０に複数の発光素子１９０が接合された発光装置が製造される。
次に、図１９に示すように、第１導電部材２３１及び第１導電膜６１からなる構造体、並びに、第２導電部材２３２及び第２導電膜６２からなる構造体の表面に、導電層２４０を電解めっきにより形成する。導電層２４０は、例えば、金である。なお、導電層２４０を形成する工程は、省略してもよい。
このようにして、第２基板２１０に複数の発光素子１９０が接合された発光装置が製造される。
【0049】
（発光素子）
次に、第２支持基板２００に接合する前、すなわち、図１６に示す工程における発光素子１９０の構成について説明する。
図２０は、本実施形態における発光素子を示す平面図である。
図２１は、図２０に示すXXI－XXI線による断面図である。
図２２は、図２０に示すXXII－XXII線による断面図である。
以下の説明においては、図２１及び図２２に倣い、第１接合部材７１及び第２接合部材７２側を「下」といい、半導体構造体１０側を「上」という。図２０は発光素子を下方から見た図である。
次に、第２支持基板２００に接合する前、すなわち、図１６に示す工程における発光素子１９０の構成について説明する。
図２０は、本実施形態における発光素子を示す平面図である。
図２１は、図２０に示すXXI－XXI線による断面図である。
図２２は、図２０に示すXXII－XXII線による断面図である。
以下の説明においては、図２１及び図２２に倣い、第１接合部材７１及び第２接合部材７２側を「下」といい、半導体構造体１０側を「上」という。図２０は発光素子を下方から見た図である。
【0050】
図２０～図２２に示すように、発光素子１９０は、半導体構造体１０を含む。半導体構造体１０は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含んでいる。半導体構造体１０においては、下から上に向かって、第２半導体層１２、活性層１３、第１半導体層１１がこの順に積層されている。一例では、第２半導体層１２はアクセプタとなる不純物、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）を含み、導電型はｐ型である。第１半導体層１１はドナーとなる不純物、例えば、シリコン（Ｓｉ）を含み、導電型はｎ型である。
【0051】
半導体構造体１０の第１半導体層１１の表面１１ａは、凹凸構造を有する。表面１１ａは発光素子１９０からの光が主に取り出される出射面である。第１半導体層１１は、第２半導体層１２及び活性層１３が形成されていない表面１１ｂを有する。表面１１ｂには、第１電極１９１が配置されており、第１半導体層１１に接続されている。第２半導体層１２の下面には、透光性電極２０が配置されている。透光性電極２０の下面には、第２電極１９２が配置されている。第２電極１９２は透光性電極２０を介して第２半導体層１２に接続されている。
【0052】
半導体構造体１０の下面には、透光性電極２０、第１電極１９１及び第２電極１９２を覆うように、絶縁膜３０が配置されている。絶縁膜３０は、例えば、ＤＢＲである。絶縁膜３０には、第１開口部３１及び第２開口部３２を有する。第１開口部３１内には第１電極１９１が露出しており、第２開口部３２内には第２電極１９２が露出している。
【0053】
絶縁膜３０の下面には、反射膜４０が配置されている。反射膜４０は、例えば、チタン（Ｔｉ）層と、アルミニウム銅合金（ＡｌＣｕ）層を含む積層膜である。反射膜４０は、半導体構造体１０の中央部上、すなわち、領域Ｒ３に配置される中央部分４１と、半導体構造体１０の周辺部上、すなわち、領域Ｒ４に配置される周辺部分４２と、を有する。中央部分４１の厚さは周辺部分４２の厚さよりも厚い。周辺部分４２の厚さは中央部分４１から遠ざかるにつれて薄くなっている。
【0054】
半導体構造体１０の側面及び下面には、絶縁膜５０が配置されている。絶縁膜５０は、透光性電極２０、第１電極１９１、第２電極１９２、絶縁膜３０及び反射膜４０を覆っている。絶縁膜５０は、開口部５１及び５２を有する。平面視で、開口部５１内には絶縁膜３０の第１開口部３１が位置し、開口部５２内には絶縁膜３０の第２開口部３２が位置している。第１半導体層１１の表面１１ａの外周部には、保護膜８１が配置されている。半導体構造体１０の上面上には、保護膜８１を覆うように、保護膜８２が配置されている。
【0055】
絶縁膜５０の下面上には、第１導電膜６１及び第２導電膜６２が相互に離隔して配置されている。第１導電膜６１は、絶縁膜５０の開口部５１及び絶縁膜３０の第１開口部３１を介して、第１電極１９１に接続されている。第２導電膜６２は、絶縁膜５０の開口部５２及び絶縁膜３０の第２開口部３２を介して、第２電極１９２に接続されている。
【0056】
第１導電膜６１の下面には２つの第１接合部材７１が配置されており、第２導電膜６２の下面には２つの第２接合部材７２が配置されている。各第１接合部材７１及び各第２接合部材７２の形状は略直方体状である。
【0057】
各第１接合部材７１は、第１端部７１ｄと第２端部７１ｅを有する。第１端部７１ｄは反射膜４０の中央部分４１の直下の領域、すなわち、領域Ｒ３に位置する。第２端部７１ｅは反射膜４０の周辺部分４２上、すなわち、領域Ｒ４に位置する。第１端部７１ｄの厚さは第２端部７１ｅの厚さよりも薄い。
【0058】
各第２接合部材７２は、第３端部７２ｄと第４端部７２ｅを有する。第３端部７２ｄは反射膜４０の中央部分４１の直下の領域、すなわち、領域Ｒ３に位置する。第４端部７２ｅは反射膜４０の周辺部分４２上、すなわち、領域Ｒ４に位置する。第３端部７２ｄの厚さは第４端部７２ｅの厚さよりも薄い。
【0059】
第１接合部材７１の下面である第１面７１ｂは、図１８に示す工程において、第２支持基板２００の第１接続部２２１と接触する面である。第２接合部材７２の下面である第２面７２ｂは、図１８に示す工程において、第２支持基板２００の第２接続部２２２と接触する面である。２つの第１面７１ｂと２つの第２面７２ｂは、同一平面上に位置している。換言すれば、２つの第１面７１ｂと２つの第２面７２ｂは、仮想的な平面７０ｐの一部である。このような第１面７１ｂ及び第２面７２ｂを形成することで、第１接合部材７１と第１接続部２２１との接合性及び第２接合部材７２と第２接続部２２２との接合性を向上させることができる。この結果、発光素子１９０と第２支持基板２００との接合性が向上する。
【0060】
（効果）
本実施形態によれば、第１接合部材７１において、平面視で発光素子１９０の内周部に位置する第１端部７１ｄの厚さが、外周部に位置する第２端部７１ｅの厚さよりも薄い。同様に、第２接合部材７２において、平面視で発光素子１９０の内周部に位置する第３端部７２ｄの厚さが、外周部に位置する第４端部７２ｅの厚さよりも薄い。これにより、図１８に示す工程において、第１接合部材７１と第２接合部材７２が接合したときに、第１接合部材７１の第２接合部材７２側への延出と、第２接合部材７２の第１接合部材７１側への延出とを抑えることができる。この結果、接合後の第１接合部材７１と第２接合部材７２が相互に接触し、短絡することを低減できる。このため、発光素子１９０を第２支持基板２００に接合する際の信頼性が向上する。
本実施形態によれば、第１接合部材７１において、平面視で発光素子１９０の内周部に位置する第１端部７１ｄの厚さが、外周部に位置する第２端部７１ｅの厚さよりも薄い。同様に、第２接合部材７２において、平面視で発光素子１９０の内周部に位置する第３端部７２ｄの厚さが、外周部に位置する第４端部７２ｅの厚さよりも薄い。これにより、図１８に示す工程において、第１接合部材７１と第２接合部材７２が接合したときに、第１接合部材７１の第２接合部材７２側への延出と、第２接合部材７２の第１接合部材７１側への延出とを抑えることができる。この結果、接合後の第１接合部材７１と第２接合部材７２が相互に接触し、短絡することを低減できる。このため、発光素子１９０を第２支持基板２００に接合する際の信頼性が向上する。
【0061】
【0062】
図２３に示すように、本実施形態に係る発光素子１９０ａにおいては、第１の実施形態に係る発光素子１９０と比較して、第１接合部材７１と第２接合部材７２との距離が大きい。例えば、平面視で、第１端部７１ｄと第３端部７２ｄとの距離を、第２端部７１ｅと半導体構造体１０の外縁との間の距離または第４端部７２ｅと半導体構造体１０の外縁との間の距離よりも大きくする。これにより、第１接合部材７１及び第２接合部材７２が接合したときに、第１接合部材７１と第２接合部材７２が相互に接触することをより低減できる。本実施形態における上記以外の方法及び効果は、第１の実施形態と同様である。
【0063】
＜第３の実施形態＞
図２４～図２５は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図２６は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。
図２６は、第２支持基板２００に接合する前の発光素子１９０ｂを示している。
図２４～図２５は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図２６は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。
図２６は、第２支持基板２００に接合する前の発光素子１９０ｂを示している。
【0064】
本実施形態においては、先ず、図１～図９に示す工程を実施する。
次に、図２４に示すように、導電膜６０上に、マスク１７０を形成する。マスク１７０には、例えば、フォトリソグラフィ法により、複数の第１孔１７１ａ及び１７１ｂと、複数の第２孔１７２ａ及び１７２ｂを形成する。平面視で、第１孔１７１ａ及び第２孔１７２ａは領域Ｒ３に配置し、第１孔１７１ｂ及び第２孔１７２ｂは領域Ｒ４に配置する。
次に、図２４に示すように、導電膜６０上に、マスク１７０を形成する。マスク１７０には、例えば、フォトリソグラフィ法により、複数の第１孔１７１ａ及び１７１ｂと、複数の第２孔１７２ａ及び１７２ｂを形成する。平面視で、第１孔１７１ａ及び第２孔１７２ａは領域Ｒ３に配置し、第１孔１７１ｂ及び第２孔１７２ｂは領域Ｒ４に配置する。
【0065】
次に、図１１及び図１２に示す工程と同様な工程を実施する。
次に、図２５に示すように、マスク１７０及びマスク１６０を除去する。これにより、導電膜６０の一部が除去されて、導電膜６０の残部が第１導電膜６１及び第２導電膜６２となる。また、第１孔１７１ａ内に第１接合部材７１ｆが形成され、第１孔１７１ｂ内に第１接合部材７１ｇが形成され、第２孔１７２ａ内に第２接合部材７２ｆが形成され、第２孔１７２ｂ内に第２接合部材７２ｇが形成される。このようにして、反射膜４０上に、第１半導体層１１に接続された複数の第１接合部材７１ｆ及び７１ｇと、第２半導体層１２に接続され、平面視で第１接合部材７１ｆ及び７１ｇと離隔して配置された複数の第２接合部材７２ｆ及び７２ｇと、を形成する。
次に、図２５に示すように、マスク１７０及びマスク１６０を除去する。これにより、導電膜６０の一部が除去されて、導電膜６０の残部が第１導電膜６１及び第２導電膜６２となる。また、第１孔１７１ａ内に第１接合部材７１ｆが形成され、第１孔１７１ｂ内に第１接合部材７１ｇが形成され、第２孔１７２ａ内に第２接合部材７２ｆが形成され、第２孔１７２ｂ内に第２接合部材７２ｇが形成される。このようにして、反射膜４０上に、第１半導体層１１に接続された複数の第１接合部材７１ｆ及び７１ｇと、第２半導体層１２に接続され、平面視で第１接合部材７１ｆ及び７１ｇと離隔して配置された複数の第２接合部材７２ｆ及び７２ｇと、を形成する。
【0066】
平面視における第１接合部材７１ｆ及び７１ｇと第２接合部材７２ｆ及び７２ｇの形状は、例えば、長方形である。平面視において、第１接合部材７１ｆ及び第２接合部材７２ｆは領域Ｒ３内に位置し、第１接合部材７１ｇ及び第２接合部材７２ｇは領域Ｒ３よりも広い領域Ｒ４に位置するため、第２接合部材７２ｆ及び７２ｇの面積は、第１接合部材７１ｆ及び７１ｇの面積よりも大きくしてよい。これにより、第１接合部材７１及び第２接合部材７２の面積を増加させ、発光素子１９０ｂと第２支持基板２００との接合性を向上させることができる。
【0067】
平面視で、第１接合部材７１ｆ及び第２接合部材７２ｆは領域Ｒ３に位置し、第１接合部材７１ｇ及び第２接合部材７２ｇは領域Ｒ４に位置する。第１接合部材７１ｆの厚さは第１接合部材７１ｇの厚さよりも薄い。第２接合部材７２ｆの厚さは第２接合部材７２ｇの厚さよりも薄い。第１接合部材７１ｆの厚さと第１接合部材７１ｇの厚さの差、及び第２接合部材７２ｆの厚さと第２接合部材７２ｇの厚さの差は、例えば、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。
【0068】
次に、図１４～図１６に示す工程と同様な工程を実施する。
これにより、図２６に示すように、発光素子１９０ｂが作製される。発光素子１９０ｂにおいては、第１導電膜６１上に、第１接合部材７１ｆ及び７１ｇがそれぞれ２つずつ配置されている。また、第２導電膜６２上に、第２接合部材７２ｆ及び７２ｇがそれぞれ２つずつ配置されている。
これにより、図２６に示すように、発光素子１９０ｂが作製される。発光素子１９０ｂにおいては、第１導電膜６１上に、第１接合部材７１ｆ及び７１ｇがそれぞれ２つずつ配置されている。また、第２導電膜６２上に、第２接合部材７２ｆ及び７２ｇがそれぞれ２つずつ配置されている。
【0069】
図２５に示すように、第１接合部材７１ｆの上面、すなわち、図１８に示す工程において第１接合部材７１ｆが第２支持基板２００の第１接続部２２１と接触する面を第１接合面７３ｆとする。第１接合部材７１ｇの上面、すなわち、図１８に示す工程において第１接合部材７１ｇが第１接続部２２１と接触する面を第２接合面７３ｇとする。第２接合部材７２ｆの上面、すなわち、図１８に示す工程において第２接合部材７２ｆが第２支持基板２００の第２接続部２２２と接触する面を第３接合面７４ｆとする。第２接合部材７２ｇの上面、すなわち、図１８に示す工程において第２接合部材７２ｇが第２接続部２２２と接触する面を第４接合面７４ｇとする。第１接合面７３ｆ、第２接合面７３ｇ、第３接合面７４ｆ及び第４接合面７４ｇは、同一平面上に位置する。換言すると、第１接合面７３ｆ、第２接合面７３ｇ、第３接合面７４ｆ及び第４接合面７４ｇは、仮想的な平面７５ｐの一部である。このような第１接合面７３ｆ、第２接合面７３ｇ、第３接合面７４ｆ及び第４接合面７４ｇを形成することで、発光素子１９０ｂと第２支持基板２００との接合性を向上することができる。以後の工程は、図１７～図１９に示す工程と同様である。
【0070】
本実施形態によれば、図１８に示す工程において、第１接合部材と第２接合部材が接触することを低減しつつ、各第１接合部材及び各第２接合部材に印加される単位面積当たりの荷重を増加させることができる。これにより、第１接合部材及び第２接合部材が接合しやすくなり、発光素子１９０ｂと第２支持基板２００との接合性が向上する。本実施形態における上記以外の方法及び効果は、第１の実施形態と同様である。
【0071】
本発明は、以下の態様を含む。
【0072】
（付記１）
第１基板と、前記第１基板の上面に配置され、第１導電型の第１半導体層、活性層及び第２導電型の第２半導体層とを含む半導体構造体と、を有する第１支持基板を準備する工程と、
前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続された第１接合部材と、前記第２半導体層に接続され、平面視で前記第１接合部材と離隔して配置された第２接合部材と、を形成する工程と、
第２基板と、前記第２基板の上面に配置された第１接続部及び第２接続部と、を有する第２支持基板を準備する工程と、
前記第１接続部に前記第１接合部材を接合し、前記第２接続部に前記第２接合部材を接合する工程と、
を備え、
前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚く、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、
前記第１接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第１端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第２端部と、を有し、前記第１端部の厚さは前記第２端部の厚さよりも薄く、
前記第２接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第３端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第４端部と、を有し、前記第３端部の厚さは前記第４端部の厚さよりも薄い発光装置の製造方法。
第１基板と、前記第１基板の上面に配置され、第１導電型の第１半導体層、活性層及び第２導電型の第２半導体層とを含む半導体構造体と、を有する第１支持基板を準備する工程と、
前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続された第１接合部材と、前記第２半導体層に接続され、平面視で前記第１接合部材と離隔して配置された第２接合部材と、を形成する工程と、
第２基板と、前記第２基板の上面に配置された第１接続部及び第２接続部と、を有する第２支持基板を準備する工程と、
前記第１接続部に前記第１接合部材を接合し、前記第２接続部に前記第２接合部材を接合する工程と、
を備え、
前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚く、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、
前記第１接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第１端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第２端部と、を有し、前記第１端部の厚さは前記第２端部の厚さよりも薄く、
前記第２接合部材は、前記反射膜の中央部分上に位置する第３端部と、前記反射膜の周辺部分上に位置する第４端部と、を有し、前記第３端部の厚さは前記第４端部の厚さよりも薄い発光装置の製造方法。
【0073】
（付記２）
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記第１接合部材は前記第１接続部と接触する第１面を有し、前記第２接合部材は前記第２接続部と接触する第２面を有し、前記第１面と前記第２面とは同一平面上に位置する付記１に記載の発光装置の製造方法。
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記第１接合部材は前記第１接続部と接触する第１面を有し、前記第２接合部材は前記第２接続部と接触する第２面を有し、前記第１面と前記第２面とは同一平面上に位置する付記１に記載の発光装置の製造方法。
【0074】
（付記３）
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続される第１導電膜と、前記第２半導体層に接続される第２導電膜と、を形成する工程をさらに備え、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、２つの前記第１接合部材を前記第１導電膜上に形成し、２つの前記第２接合部材を前記第２導電膜上に形成する付記１または２に記載の発光装置の製造方法。
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続される第１導電膜と、前記第２半導体層に接続される第２導電膜と、を形成する工程をさらに備え、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、２つの前記第１接合部材を前記第１導電膜上に形成し、２つの前記第２接合部材を前記第２導電膜上に形成する付記１または２に記載の発光装置の製造方法。
【0075】
（付記４）
第１基板と、前記第１基板の上面に配置され、第１導電型の第１半導体層、活性層及び第２導電型の第２半導体層とを含む半導体構造体と、を有する第１支持基板を準備する工程と、
前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続された複数の第１接合部材と、前記第２半導体層に接続され、平面視で前記第１接合部材と離隔して配置された複数の第２接合部材と、を形成する工程と、
第２基板と、前記第２基板の上面に配置された第１接続部及び第２接続部と、を有する第２支持基板を準備する工程と、
前記第１接続部に前記複数の第１接合部材を接合し、前記第２接続部に前記複数の第２接合部材を接合する工程と、
を備え、
前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚く、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記複数の第１接合部材のうち、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第１接合部材の厚さは、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第１接合部材の厚さよりも薄く、前記複数の第２接合部材のうち、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第２接合部材の厚さは、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第２接合部材の厚さよりも薄い発光装置の製造方法。
第１基板と、前記第１基板の上面に配置され、第１導電型の第１半導体層、活性層及び第２導電型の第２半導体層とを含む半導体構造体と、を有する第１支持基板を準備する工程と、
前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上に、前記第１半導体層に接続された複数の第１接合部材と、前記第２半導体層に接続され、平面視で前記第１接合部材と離隔して配置された複数の第２接合部材と、を形成する工程と、
第２基板と、前記第２基板の上面に配置された第１接続部及び第２接続部と、を有する第２支持基板を準備する工程と、
前記第１接続部に前記複数の第１接合部材を接合し、前記第２接続部に前記複数の第２接合部材を接合する工程と、
を備え、
前記反射膜は、前記半導体構造体の中央部上に配置される中央部分と、前記半導体構造体の周辺部上に配置される周辺部分と、を有し、前記中央部分の厚さは前記周辺部分の厚さよりも厚く、
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記複数の第１接合部材のうち、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第１接合部材の厚さは、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第１接合部材の厚さよりも薄く、前記複数の第２接合部材のうち、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第２接合部材の厚さは、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第２接合部材の厚さよりも薄い発光装置の製造方法。
【0076】
（付記５）
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第１接合部材が前記第１接続部と接触する第１接合面と、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第１接合部材が前記第１接続部と接触する第２接合面と、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第２接合部材が前記第２接続部と接触する第３接合面と、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第２接続部材が前記第２接続部と接触する第４接合面と、は同一平面上に位置する付記４に記載の発光装置の製造方法。
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程において、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第１接合部材が前記第１接続部と接触する第１接合面と、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第１接合部材が前記第１接続部と接触する第２接合面と、前記反射膜の前記中央部分上に配置された前記第２接合部材が前記第２接続部と接触する第３接合面と、前記反射膜の前記周辺部分上に配置された前記第２接続部材が前記第２接続部と接触する第４接合面と、は同一平面上に位置する付記４に記載の発光装置の製造方法。
【0077】
（付記６）
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程は、
前記反射膜上に、前記第１接合部材が形成される領域に位置する第１孔と、前記第２接合部材が形成される領域に位置する第２孔と、を有するマスクを形成する工程と、
前記第１孔内及び前記第２孔内に導電性材料を配置する工程と、
前記導電性材料の上面と前記第１基板の前記上面とを平行に近付ける工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する付記１～５のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
前記第１接合部材及び前記第２接合部材を形成する工程は、
前記反射膜上に、前記第１接合部材が形成される領域に位置する第１孔と、前記第２接合部材が形成される領域に位置する第２孔と、を有するマスクを形成する工程と、
前記第１孔内及び前記第２孔内に導電性材料を配置する工程と、
前記導電性材料の上面と前記第１基板の前記上面とを平行に近付ける工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する付記１～５のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【0078】
（付記７）
前記反射膜を形成する工程は、
前記絶縁膜上に、前記反射膜が形成される予定の領域の周囲に配置される第１部分と、前記第１部分の上部から前記周辺部分が形成される予定の領域上に延出し、前記絶縁膜から離れた第２部分とを有し、前記中央部分が形成される予定の領域上には配置されないマスクを形成する工程と、
前記マスク上と前記絶縁膜上とに反射性材料を配置する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する付記１～６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
前記反射膜を形成する工程は、
前記絶縁膜上に、前記反射膜が形成される予定の領域の周囲に配置される第１部分と、前記第１部分の上部から前記周辺部分が形成される予定の領域上に延出し、前記絶縁膜から離れた第２部分とを有し、前記中央部分が形成される予定の領域上には配置されないマスクを形成する工程と、
前記マスク上と前記絶縁膜上とに反射性材料を配置する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有する付記１～６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【0079】
（付記８）
前記第１支持基板と前記第２支持基板とを接合する工程の後に、
前記第１接続部と前記第１接合部材が接合されて形成された第１導電部材の表面、及び、前記第２接続部と前記第２接合部材が接合されて形成された第２導電部材の表面に、導電層を無電解めっきにより形成する工程をさらに備えた付記１～７のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
前記第１支持基板と前記第２支持基板とを接合する工程の後に、
前記第１接続部と前記第１接合部材が接合されて形成された第１導電部材の表面、及び、前記第２接続部と前記第２接合部材が接合されて形成された第２導電部材の表面に、導電層を無電解めっきにより形成する工程をさらに備えた付記１～７のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【0080】
（付記９）
前記第１接合部材及び前記第２接合部材、並びに、前記第１接続部及び前記第２接続部は金を含む付記１～８のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
前記第１接合部材及び前記第２接合部材、並びに、前記第１接続部及び前記第２接続部は金を含む付記１～８のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【0081】
（付記１０）
前記第１接合部材及び前記第２接合部材の厚さは、２μｍ以上３０μｍ以下である付記１～９のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
前記第１接合部材及び前記第２接合部材の厚さは、２μｍ以上３０μｍ以下である付記１～９のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【0082】
（付記１１）
平面視で、前記半導体構造体の形状は矩形であり、前記半導体構造体の一辺の長さは５０μｍ以下である付記１～１０のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
平面視で、前記半導体構造体の形状は矩形であり、前記半導体構造体の一辺の長さは５０μｍ以下である付記１～１０のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【0083】
本発明は、例えば、自動車のヘッドランプの光源等に利用することができる。
【符号の説明】
【0084】
１０ 半導体構造体
１０ｂ 溝
１１ 第１半導体層
１１ａ 表面
１１ｂ 表面
１２ 第２半導体層
１３ 活性層
２０ 透光性電極
３０ 絶縁膜
３１ 第１開口部
３２ 第２開口部
４０ 反射膜
４０ａ 反射性材料
４１ 中央部分
４２ 周辺部分
５０ 絶縁膜
５１、５２ 開口部
６０ 導電膜
６１ 第１導電膜
６２ 第２導電膜
７０ｐ 平面
７１、７１ｆ、７１ｇ 第１接合部材
７１ａ 導電性材料
７１ｂ 第１面
７１ｃ 下面
７１ｄ 第１端部
７１ｅ 第２端部
７２、７２ｆ、７２ｇ 第２接合部材
７２ａ 導電性材料
７２ｂ 第２面
７２ｃ 下面
７２ｄ 第３端部
７２ｅ 第４端部
７３ｆ 第１接合面
７３ｇ 第２接合面
７４ｆ 第３接合面
７４ｇ 第４接合面
７５ｐ 平面
８０ 保護膜
８１ 保護膜
８２ 保護膜
１００ 第１支持基板
１１０ 第１基板
１１０ａ 上面
１５０ マスク
１５１ 第１部分
１５２ 第２部分
１６０ マスク
１６１ 第１開口部
１６２ 第２開口部
１７０ マスク
１７１、１７１ａ、１７１ｂ 第１孔
１７２、１７２ａ、１７２ｂ 第２孔
１８０ 中間体
１８１ 樹脂層
１８２ 支持基板
１８４ 接着層
１８５ 支持基板
１９０、１９０ａ、１９０ｂ 発光素子
１９１ 第１電極
１９２ 第２電極
２００ 第２支持基板
２１０ 第２基板
２２１ 第１接続部
２２２ 第２接続部
２３１ 第１導電部材
２３２ 第２導電部材
２４０ 導電層
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ 領域
１０ｂ 溝
１１ 第１半導体層
１１ａ 表面
１１ｂ 表面
１２ 第２半導体層
１３ 活性層
２０ 透光性電極
３０ 絶縁膜
３１ 第１開口部
３２ 第２開口部
４０ 反射膜
４０ａ 反射性材料
４１ 中央部分
４２ 周辺部分
５０ 絶縁膜
５１、５２ 開口部
６０ 導電膜
６１ 第１導電膜
６２ 第２導電膜
７０ｐ 平面
７１、７１ｆ、７１ｇ 第１接合部材
７１ａ 導電性材料
７１ｂ 第１面
７１ｃ 下面
７１ｄ 第１端部
７１ｅ 第２端部
７２、７２ｆ、７２ｇ 第２接合部材
７２ａ 導電性材料
７２ｂ 第２面
７２ｃ 下面
７２ｄ 第３端部
７２ｅ 第４端部
７３ｆ 第１接合面
７３ｇ 第２接合面
７４ｆ 第３接合面
７４ｇ 第４接合面
７５ｐ 平面
８０ 保護膜
８１ 保護膜
８２ 保護膜
１００ 第１支持基板
１１０ 第１基板
１１０ａ 上面
１５０ マスク
１５１ 第１部分
１５２ 第２部分
１６０ マスク
１６１ 第１開口部
１６２ 第２開口部
１７０ マスク
１７１、１７１ａ、１７１ｂ 第１孔
１７２、１７２ａ、１７２ｂ 第２孔
１８０ 中間体
１８１ 樹脂層
１８２ 支持基板
１８４ 接着層
１８５ 支持基板
１９０、１９０ａ、１９０ｂ 発光素子
１９１ 第１電極
１９２ 第２電極
２００ 第２支持基板
２１０ 第２基板
２２１ 第１接続部
２２２ 第２接続部
２３１ 第１導電部材
２３２ 第２導電部材
２４０ 導電層
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ 領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】