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特開2025-4728集積回路パッケージ内の材料をフォトリソグラフィでパターン化する方法および装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025004728
(43)【公開日】2025-01-15
(54)【発明の名称】集積回路パッケージ内の材料をフォトリソグラフィでパターン化する方法および装置
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20250107BHJP
G03F 1/68 20120101ALI20250107BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 521
G03F7/20 501
G03F1/68
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023195492
(22)【出願日】2023-11-16
(31)【優先権主張番号】18/341,137
(32)【優先日】2023-06-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】591003943
【氏名又は名称】インテル・コーポレーション
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】川田 翔
【テーマコード（参考）】
2H195
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H195BA07
2H195BC24
2H197BA05
2H197BA11
2H197CA05
2H197HA03
(57)【要約】 （修正有）
【課題】集積回路パッケージ内で材料をフォトリソグラフィでパターン化するシステム、装置、製品および方法の提供。
【解決手段】フォトリソグラフィマスク２１２は：透明基板、および、透明基板によって支持される不透明材料を含む。不透明材料は、透明基板の第１の領域を覆う。フォトリソグラフィマスクは更に、透明基板によって支持される光学フィルタを含む。光学フィルタは、透明基板の第２の領域を覆う。第２の領域は、第１の領域とは別個である。不透明材料および光学材料の両方が、透明基板の第３の領域から離間されている。
【選択図】図２
【解決手段】フォトリソグラフィマスク２１２は：透明基板、および、透明基板によって支持される不透明材料を含む。不透明材料は、透明基板の第１の領域を覆う。フォトリソグラフィマスクは更に、透明基板によって支持される光学フィルタを含む。光学フィルタは、透明基板の第２の領域を覆う。第２の領域は、第１の領域とは別個である。不透明材料および光学材料の両方が、透明基板の第３の領域から離間されている。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
透明基板；
前記透明基板によって支持されている不透明材料、前記不透明材料は前記透明基板の第１の領域を覆う；および、
前記透明基板によって支持されている光学フィルタ、前記光学フィルタは前記透明基板の第２の領域を覆う、前記第２の領域は前記第１の領域とは別個である、前記不透明材料および前記光学フィルタの両方が前記透明基板の第３の領域から離間されている、
を備えるフォトリソグラフィマスク。
前記透明基板によって支持されている不透明材料、前記不透明材料は前記透明基板の第１の領域を覆う；および、
前記透明基板によって支持されている光学フィルタ、前記光学フィルタは前記透明基板の第２の領域を覆う、前記第２の領域は前記第１の領域とは別個である、前記不透明材料および前記光学フィルタの両方が前記透明基板の第３の領域から離間されている、
を備えるフォトリソグラフィマスク。
【請求項2】
前記光学フィルタは、前記透明基板の表面に沿って前記不透明材料に直接隣接している、請求項１に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項3】
前記不透明材料は前記透明基板および前記光学フィルタの間にある、請求項１または２に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項4】
前記光学フィルタは前記透明基板および前記不透明材料の間にある、請求項１または２に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項5】
前記光学フィルタを通過できるよりも多くの波長の光が前記透明基板を通過でき、前記不透明材料を通過できるよりも多くの波長の光が前記光学フィルタを通過できる、請求項１または２に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項6】
前記透明基板は、ｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方の通過を可能にし、前記光学フィルタは、ｉ－ライン光の通過を可能にするがｈ－ライン光はフィルタリングする、請求項５に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項7】
前記第１の領域は第１の直径の円形を有し、前記第２の領域は第２の直径の円形を有し、前記第２の直径は前記第１の直径よりも大きく、前記第１の領域は前記第２の領域の中央に配置される、請求項１または２に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項8】
前記不透明材料は第１の厚さを有し、前記光学フィルタは第２の厚さを有し、前記第２の厚さは前記第１の厚さよりも厚い、請求項１または２に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項9】
前記透明基板は第１波長および第２波長を含む光の通過を許容し、前記光学フィルタは前記第１波長に対応する光の第１の部分の通過を許容し且つ前記第２波長に対応する光の第２の部分をフィルタリングし、前記第１波長はほぼ３６５ナノメートルであり、前記第２波長はほぼ４０５ナノメートルである、請求項１または２に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項10】
前記光学フィルタは干渉フィルタである、請求項１または２に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項11】
前記光学フィルタは吸収フィルタである、請求項１または２に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項12】
前記不透明材料は前記透明基板の第１の表面上にあり、前記光学フィルタは前記透明基板の第２の表面上にあり、前記第１の表面は前記第２の表面の反対にある、請求項１または２に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項13】
光の通過を妨げる手段；
光をフィルタリングする手段；および、
前記妨げる手段に隣接する前記フィルタリングする手段を支持する手段
を備え、
前記支持する手段の一部分は前記妨げる手段から離間され且つ前記フィルタリングする手段から離間されている、
フォトリソグラフィマスク。
光をフィルタリングする手段；および、
前記妨げる手段に隣接する前記フィルタリングする手段を支持する手段
を備え、
前記支持する手段の一部分は前記妨げる手段から離間され且つ前記フィルタリングする手段から離間されている、
フォトリソグラフィマスク。
【請求項14】
前記フィルタリングする手段は前記妨げる手段のエッジに接触している、請求項１３に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項15】
前記フィルタリングする手段は、前記支持する手段の表面に対して前記妨げる手段を囲む、請求項１３または１４に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項16】
前記支持する手段の一部分は前記フィルタリングする手段によってフィルタリングされる光の通過を許容し、前記フィルタリングする手段は前記妨げる手段によって妨げられる光の通過を許容する、請求項１３または１４に記載のフォトリソグラフィマスク。
【請求項17】
フォトリソグラフィマスクを製造する方法であって：
ガラスパネル上に不透明材料を堆積する段階；および、
前記ガラスパネル上に光学フィルタを設ける段階
を備え、
前記光学フィルタは前記不透明材料のエッジから外側に延びており、前記ガラスパネルは前記光学フィルタのエッジを越えて延びている、
方法。
ガラスパネル上に不透明材料を堆積する段階；および、
前記ガラスパネル上に光学フィルタを設ける段階
を備え、
前記光学フィルタは前記不透明材料のエッジから外側に延びており、前記ガラスパネルは前記光学フィルタのエッジを越えて延びている、
方法。
【請求項18】
前記ガラスパネル上に前記光学フィルタを設ける段階は、前記不透明材料の上に前記光学フィルタ用の材料を堆積する段階を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項19】
光学的吸収材と感光性材料との混合物を生成する段階；
前記不透明材料を覆う前記ガラスパネル上に前記混合物を堆積する段階；
前記混合物の保持される第１の部分、および、前記混合物の除去される第２の部分を画定するべく前記混合物をリソグラフィパターニングする段階、前記第１の部分は前記不透明材料と位置合わせされてそれを越えて延びる；および、
前記混合物の前記第２の部分を除去する段階
を更に備える、請求項１７または１８に記載の方法。
前記不透明材料を覆う前記ガラスパネル上に前記混合物を堆積する段階；
前記混合物の保持される第１の部分、および、前記混合物の除去される第２の部分を画定するべく前記混合物をリソグラフィパターニングする段階、前記第１の部分は前記不透明材料と位置合わせされてそれを越えて延びる；および、
前記混合物の前記第２の部分を除去する段階
を更に備える、請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項20】
前記不透明材料を覆う前記ガラスパネル上にフォトレジストを堆積する段階；
前記不透明材料を露出させ且つ前記不透明材料に隣接する前記ガラスパネルの一部分を露出させるべく前記フォトレジストに開口部を設ける段階；および、
前記開口部に複数の薄膜層を堆積することによって前記光学フィルタを設ける段階
を更に備え、
前記複数の薄膜層は干渉フィルタを実現する、
請求項１７または１８に記載の方法。
前記不透明材料を露出させ且つ前記不透明材料に隣接する前記ガラスパネルの一部分を露出させるべく前記フォトレジストに開口部を設ける段階；および、
前記開口部に複数の薄膜層を堆積することによって前記光学フィルタを設ける段階
を更に備え、
前記複数の薄膜層は干渉フィルタを実現する、
請求項１７または１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、概して半導体デバイス製造に関するものであり、より具体的には、集積回路パッケージ内の材料をフォトリソグラフィでパターン化する方法および装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイス製造は、集積回路またはチップを製造するべく様々なプロセスを含む。半導体デバイス製造に含まれる多くのプロセスは、フォトリソグラフィの使用を含む。フォトリソグラフィは、制御された方法で感光性材料（例えば、フォトレジスト、場合により単にレジストとも称される）の層上に光を当てて、材料の層のある部分を保持して他の部分を除去するよう、材料の層にパターンを生成することを含む。含まれる特定の材料および技術に応じて、保持される部分は、材料の層の、光に曝された領域に対応し得、除去される部分は、光に曝されなかった領域に対応する。しかしながら、他の状況では、保持される部分は、光に曝されなかった領域に対応し得、除去される部分は、光に曝された領域に対応する。しばしば、フォトレジスト上への光の露光は、光源およびフォトレジストの間でフォトリソグラフィマスク（例えば、フォトマスクまたは単にマスク）を使用することによって制御される。
【図面の簡単な説明】
【0003】
【図1】本明細書において開示される教示に従って構築される例示的集積回路（ＩＣ）パッケージを図示する。
【0004】
【0005】
【図3】フォトマスクを通過した後にはんだレジスト上へ曝されるｉ－ライン光を図示する。
【0006】
【0007】
【図5】フォトマスクを通じてｉ－ライン光に曝された後、はんだレジストの上に位置合わせされるフォトマスクを示す。
【0008】
【図6】フォトマスクを通じてｈ－ライン光に曝された後、別のはんだレジストの上に位置合わせされる別のフォトマスクを示す。
【0009】
【図7】本明細書において開示される教示に従って構築される例示的なフォトマスクの側断面図である。
【0010】
【0011】
【0012】
【図10】例示的なフォトマスクを通るｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方に同時に曝された後に、はんだレジストの上に位置合わせされる例示的なフォトマスクを図示する。
【0013】
【図11】本明細書において開示される教示に従って構築される、異なる例示的なフォトマスクを図示する。
【図12】本明細書において開示される教示に従って構築される、異なる例示的なフォトマスクを図示する。
【図13】本明細書において開示される教示に従って構築される、異なる例示的なフォトマスクを図示する。
【図14】本明細書において開示される教示に従って構築される、異なる例示的なフォトマスクを図示する。
【図15】本明細書において開示される教示に従って構築される、異なる例示的なフォトマスクを図示する。
【図16】本明細書において開示される教示に従って構築される、異なる例示的なフォトマスクを図示する。
【図17】本明細書において開示される教示に従って構築される、異なる例示的なフォトマスクを図示する。
【図18】本明細書において開示される教示に従って構築される、異なる例示的なフォトマスクを図示する。
【図19】本明細書において開示される教示に従って構築される、異なる例示的なフォトマスクを図示する。
【0014】
【図20】フォトマスク用の透明基板に不透明材料の別個の領域を追加する製造プロセスにおける例示的な段階を図示する。
【図21】フォトマスク用の透明基板に不透明材料の別個の領域を追加する製造プロセスにおける例示的な段階を図示する。
【図22】フォトマスク用の透明基板に不透明材料の別個の領域を追加する製造プロセスにおける例示的な段階を図示する。
【図23】フォトマスク用の透明基板に不透明材料の別個の領域を追加する製造プロセスにおける例示的な段階を図示する。
【図24】フォトマスク用の透明基板に不透明材料の別個の領域を追加する製造プロセスにおける例示的な段階を図示する。
【0015】
【0016】
【0017】
【図33】本明細書において開示される複数の例示的なフォトマスクのうちの何れかを製造する例示的な方法を示すフローチャートである。
【図34】本明細書において開示される複数の例示的なフォトマスクのうちの何れかを製造する例示的な方法を示すフローチャートである。
【図35】本明細書において開示される複数の例示的なフォトマスクのうちの何れかを製造する例示的な方法を示すフローチャートである。
【0018】
概して、図面およびそれに付随する書面による説明全体にわたって、同じまたは同様の部分を指すために同じ参照番号が使用される。図は必ずしも正確な縮尺ではない。代わりに、層または領域の厚さが、図面において拡大されていることがある。明確な線および境界を有する層および領域が図に示されているが、これらの線および／または境界の幾つかまたはすべては、理想化されていることがある。実際には、境界および／または線は観察できない、混ざり合っている、および／または、不規則である場合がある。
【発明を実施するための形態】
【0019】
図１は、本明細書において開示される教示に従って構築される例示的集積回路（ＩＣ）パッケージ１００を図示する。図示の例では、ＩＣパッケージ１００は、パッケージ１００の実装面（例えば、外面）１０６から突出するバンプまたはボール１０４のアレイ（例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ））を介して回路基板１０２に電気的に結合される。この例では、バンプ１０４は、回路基板１０２の対向する実装面（例えば、上面）１１０上の対応するコンタクトまたはランディングパッド１０８に電気的に結合される。この例では、ランディングパッド１０８は回路基板１０２の上面１１０と同一平面である。他の例では、ランディングパッド１０８は上面１１０に対して填め込まれている。他の例では、ランディングパッド１０８は上面１１０を越えて突出する。この例では、パッケージ１００は、パッケージ基板１１４に搭載され、パッケージ蓋またはモールドコンパウンド１１６によって包囲される半導体（例えば、シリコン）ダイ１１２を含む。図１の例示的なＩＣパッケージ１００は単一のダイ１１２を含むが、他の例では、パッケージ１００は複数のダイ（例えば、パッケージ基板１１４上に並べて位置決めされた２つまたはそれよりも多く、および／または、互いの頂部にスタックされた２つまたはそれよりも多く）を有してもよい。ダイ１１２は、任意の好適なタイプの機能性（例えば、データプロセス、メモリ容量、など）を提供し得る。
【0020】
図示の例に示されるように、ダイ１１２は、対応するバンプまたはボール１１８のアレイを介してパッケージ基板１１４に電気的および機械的に結合される。ダイ１１２とパッケージ基板１１４（例えば、バンプ１１８）との間の電気的接続は、場合により、第１レベルの相互接続１２０と称される。対照的に、ＩＣパッケージ１００と回路基板１０２との間の電気的接続（例えば、バンプ１０４）は、場合により、第２レベルの相互接続１２２と称される。幾つかの例において、パッケージ１００内に複数のダイが含まれる場合、ダイは、１又は複数の他のダイおよび／またはインタポーザの頂部にスタックされ得る。そのような例では、ダイは、第１レベルの相互接続の第１セットを介して、下にあるダイおよび／またはインタポーザに結合され、下にあるダイおよび／またはインタポーザは、下にあるダイおよび／またはインタポーザに関連付けられた第１レベルの相互接続の別個のセットを介してパッケージ基板１１４に接続され得る。従って、本明細書において使用されるように、第１レベルの相互接続は、ダイとパッケージ基板との間、または、ダイと下にあるダイおよび／またはインタポーザとの間の、バンプまたはボール、または他のタイプの相互接続を指す。
【0021】
図１に示されるように、第１レベルの相互接続１２０のバンプ１１８は、基板１１４の内側面１２６上のコンタクトパッド１２４に物理的に接続され且つ電気的に結合される。例示の目的で、コンタクトパッド１２４は、基板１１４の内側面１２６と同一平面になるように示されている。しかしながら、幾つかの例において、コンタクトパッド１２４は、内側面１２６に対して填め込まれている。具体的には、幾つかのそのような例では、内側面１２６は、（図２に示す）はんだレジスト２０２によって画定され、複数のコンタクトパッド１２４のうちの対応するものを露出させる複数の開口部を含む。パッケージ基板１１４の内側面１２６に沿ったコンタクトパッド１２４は、基板１１４内の内部相互接続１２８を介して、基板１１４の底（外）面１０６（例えば、内側面１２６の反対側の表面）上のバンプ１０４に電気的に結合される。その結果として、ダイ１１２のバンプ１１８および回路基板１０２上のランディングパッド１０８の間に、コンタクトパッド１２４、相互接続１２８、およびそれらの間に設けられたバンプ１０４を通過する完全な信号経路が存在する。相互接続１２８は、図１の図示の例では例示の目的で単純な線として示されている。しかしながら、内部相互接続１２８は、誘電体材料の層によって分離された基板１１４内の異なる金属層内のトレースまたは電気配線によって実装され得る。異なる金属層におけるトレースは、誘電体材料の層を貫通して延びる金属ビアによって電気的に結合されている。
【0022】
図２は、図１のＩＣパッケージ１００における材料をフォトリソグラフィでパターン化する例示的なシステム２００を図示する。説明の目的で、図２は、図１のパッケージ基板１１４の内側面１２６上におけるはんだレジスト２０２のパターニングに関して説明される。しかしながら、本明細書において開示される例示的な方法および装置は、パッケージ基板１１４内の他の層における材料をフォトリソグラフィでパターン化することに適切に適応され得る。更に、本明細書において開示される教示はまた、ダイ１１２における材料をフォトリソグラフィでパターン化することにも用いられ得る。
【0023】
図２に表される製造段階において、図１のパッケージ基板１１４のコンタクトパッド１２４ははんだレジストで覆われる。従って、図２に図示されるフォトリソグラフィプロセスは、はんだレジスト２０２をパターン化してコンタクトパッド１２４を露出させる開口部を画定し、図１に示すようにダイ１１２上のバンプ１１８との電気的および機械的な結合を可能にすることである。
【0024】
図２の例示的なシステム２００は、特定のスペクトルプロファイルを有する光２０６（例えば、フィルター処理されていない光）を生成する光源２０４を含む。この例では、光源２０４は、高圧水銀ランプである。水銀ランプによって生成される光のスペクトルは、特定の波長で比較的高強度の光のスパイクを幾つか含む。水銀ランプからの高強度の光の、複数のスパイクのうちの異なるものは、本明細書において、ｉ－ライン光、ｈ－ライン光、およびｇ－ライン光を含む異なるラインと称される。本明細書において使用されるように、ｉ－ライン光は、約３６５ナノメートル（ｎｍ）の波長を有する光であり、ｈ－ライン光は約４０５ｎｍの波長を有する光であり、ｇ－ライン光は約４３５ｎｍの波長を有する光である。
【0025】
図示の例に示されるように、光源２０４から発せられる光２０６（例えば、フィルタ処理されていない光）は、光学フィルタ２０８（カットフィルタとも称される）を通過して、フィルタリングされた光２１０を生成する。多くの既知のリソグラフィ技術は、単一の特定の光線を除くすべての光（例えば、ｉ－ライン光を除くすべて、またはｈ－ライン光を除くすべて）をフィルタリングまたはカットする光学フィルタを採用している。これらの既存のアプローチとは異なり、図２の光学フィルタ２０８は、ｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方の通過を許容するが、ｇ－ライン光および他の波長の光をフィルタリングまたはカットするように構築されている。
【0026】
図示の例に示されるように、フィルタリングされた光２１０は、フォトマスク２１２（または単にマスク）および投影レンズ２１４を通過して、パッケージ基板１１４のはんだレジスト２０２上に照射されるマスクされた光２１６を生成する。通常、フォトマスクは、透明なベースまたは基板を含む。幾つかの例において、透明基板は、固体のガラス片（例えば、ガラスペイン、パネル、またはシート）である。幾つかの例において、透明な（例えば、ガラスの）基板は：アルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、シリカ、および／または溶融シリカのうちの少なくとも１つを含む。幾つかの例において、透明な（例えば、ガラスの）基板は：酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、三酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化マグネシア（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、化学量論的酸化ケイ素（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、ニッケル合金（Ｎａ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）、三酸化リン（Ｐ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、および／または亜鉛（Ｚｎ）を含む１又は複数の添加物を含む。幾つかの例において、透明な（例えば、ガラスの）基板はシリコンまたは酸素を含む。幾つかの例において、透明な（例えば、ガラスの）基板は、シリコンと、酸素と、および／または、アルミニウム、ホウ素、マグネシウム、カルシウム、バリウム、スズ、ナトリウム、カリウム、ストロンチウム、リン、ジルコニウム、リチウム、チタニウム、および／または、亜鉛のうちの１又は複数とを含む。幾つかの例において、透明な（例えば、ガラスの）基板は、少なくとも２３重量パーセントのシリコン、および、少なくとも２６重量パーセントの酸素を含む。幾つかの例において、透明な（例えば、ガラスの）基板は、シリコン、酸素およびアルミニウムを含むガラスの層である。幾つかの例において、透明な（例えば、ガラスの）基板は、少なくとも２３重量パーセントのシリコン、少なくとも２６重量パーセントの酸素、および、少なくとも５重量パーセントのアルミニウムを含む。幾つかの例において、透明な（例えば、ガラスの）基板は、アモルファス固体ガラス層である。
【0027】
透明な（例えば、ガラスの）基板に加えて、フォトマスクは通常、はんだレジスト２０２に転写されるパターンに対応する領域で透明基板を部分的に覆う不透明材料を含む。すなわち、不透明材料に対応する領域は、フィルタリングされた光２１０がはんだレジスト２０２に達するのを妨げるが、不透明材料が無い領域は、光が通過してはんだレジスト２０２を照らすことを許容する。はんだレジストは感光性材料であり、その結果として、はんだレジスト２０２の、マスクされた光２１６に曝される部分は、光に反応して特性を変化させることになる。具体的には、幾つかの例において、光に曝されるはんだレジスト２０２は硬化し、その結果として、はんだレジスト２０２に現像液が塗布された場合に、比較的軟らかいままの部分（例えば、光に曝されなかった部分）は除去されるが、硬化された部分は残ることになる。このようにして、フォトマスク２１２上の不透明領域によって画定されたパターンは、はんだレジスト２０２に転写される。
【0028】
既知のフォトマスクは通常、（例えば、不透明材料によって）光を妨げること、または、（例えば、不透明材料が無い場所で）光が通過することを許容すること、のいずれかによって、二値的に光を修正する。既知のフォトマスクとは異なり、図２の例示的なフォトマスク２１２は、バイナリではないが、選択的に、幾つかの領域では特定波長の光を許容し、他の領域では他の波長の光を許容する。より具体的には、図２においてラベルで示すように、図示の例におけるマスクされた光２１６は、ｈ－ライン光が部分的にフィルタリングされた、フィルタリングされた光２１０からのｉ－ライン光を含む。すなわち、この例では、フォトマスク２１２は、幾つかの領域でｈ－ライン光をフィルタリングまたは妨げるが、ｉ－ライン光がこれらの同じ領域を通過することを許容する。しかしながら、ｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方（例えば、ｉ－ラインおよびｈ－ライン光のすべて）がマスク２１２を通過することを許容される他の領域が存在する。更に、幾つかの例において、フォトマスク２１２は、ｉ－ライン光もｈ－ライン光も通過できない不透明材料によって妨げられる領域を含む。従って、図示の例のフォトマスク２１２は、大部分（例えば、すべて）の光の透過を許容する第１の領域、および、光を妨げる第２の領域を二値的に含むが、第１の領域を通過した光は更に、異なる波長の光が通過することを許容された複数のサブ領域へと分割される（例えば、幾つかのサブ領域はｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方を許容するが、他のサブ領域はｉ－ライン光のみを許容する）。
【0029】
図２は、ｈ－ライン光を部分的にフィルタリングするがｉ－ライン光が特定の位置でフォトマスク２１２を通過することを許容するように示され且つ説明されるが、他の例では、ｈ－ライン光は不透明材料が無い場所であればどこでも許容され、ｉ－ライン光は、ｈ－ライン光が通過することを許容されている特定の位置で選択的にフィルタリングされる。更に、幾つかの例において、ｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方が、光の他のラインが通過することを許容されている特定の領域においてフィルタリングされてもよい（例えば、妨げられてもよい）。更に、図２に示される例はｉ－ライン光およびｈ－ライン光にフォーカスされているが、本明細書において開示される教示は、任意の他の波長の光に適用され得る。例えば、幾つかの例において、光学フィルタ２０８は、ｇ－ライン光（または任意の他の好適な波長の光）が通過すること及びフィルタリングされた光２１０に含まれること、を許容するよう修正される。幾つかのそのような例では、フォトマスク２１２は、他の波長の光がまだ通過することを許容されている場所でｇ－ライン光を選択的にフィルタリングするよう構築される。更に、幾つかの例において、上記で説明された水銀ランプとは異なる波長の光（例えば、異なるスペクトルプロファイルを有する）を放出する、異なるタイプの光源２０４が用いられてもよい。そのような例では、本明細書において開示されるように、フォトマスク２１２は、特定波長の光が通過することを選択的にフィルタリングし得るが、他の波長の光は許容する。幾つかの例において、フォトマスク２１２のフィルタリング機能は、特定波長の光を完全にフィルタリングしつつもまだ、他の波長の光が通過することを許容することによって、光学フィルタ２０８の機能を果たすことができる。そのため、幾つかのそのような例では、光学フィルタ２０８は省略される。
【0030】
本明細書に開示される教示は、任意の波長の光に適用され得るが、フォトマスク２１２に入射するフィルタリングされた光２１０がｉ－ライン光およびｈ－ライン光を含む、図２に示す例を、説明の目的で詳細に説明する。ｉ－ライン光およびｈ－ライン光は、フォトリソグラフィで用いられる２つの一般的な波長の光であり、それぞれ、図３から６を参照して示される利点および欠点を有する。図３は、フォトマスク３０６を通過した後ではんだレジスト３０４上に曝されるｉ－ライン光３０２を図示する。図４は、図３のと同じフォトマスク３０６を通過した後で、図３のと同じはんだレジスト３０４上に曝されるｈ－ライン光４０２を図示する。例示の目的で、ｉ－ライン光３０２は、明るい陰影で、短い破線および開いた山形の頭を持つ矢印によって表される。対照的に、ｈ－ライン光４０２は、より暗い陰影で、長い破線および閉じた山形の頭を持つ矢印によって表される。
【0031】
図３および４に示すように、フォトマスク３０６は、不透明材料３１０を支持する、透明なベースまたは基板３０８を含む。多くの既知のフォトマスクでは、透明基板３０８は、ガラスペイン（例えば、ガラスパネル、ガラスシート）に対応し、不透明材料３１０はクロムから構成される。不透明材料３１０は、その名前が示すように、そこに入射する光３０２、４０２がフォトマスク３０６を通過するのを防止または妨げる。しかしながら、簡単にする目的で、不透明材料３１０に入射する光３０２、４０２は、図３および４において図示していない。
【0032】
図３および４の比較により示される通り、ｉ－ライン光３０２（図３）およびｈ－ライン光４０２（図４）の間には２つの主な相違点が存在する。第１の相違点は、各波長の光がはんだレジスト３０４内へと入り込む深さである。具体的には、ｉ－ライン光３０２はｈ－ライン光４０２より短い波長を有する（例えば、ｈ－ライン光の４０５ｎｍと比較して、ｉ－ライン光は３６５ｎｍである）。より短い波長に起因して、ｉ－ライン光３０２は、ｈ－ライン光４０２が達する第２の深さ４０４より浅い第１の深さ３１２に達する。ｉ－ライン光３０２は、はんだレジスト３０４による、比較的短い波長の光の吸収および／または散乱に起因して、比較的浅い深さに限定される。ｉ－ライン光３０２およびｈ－ライン光４０２の間の第２の相違点は、これもまた異なる波長に基づいており、不透明材料３１０のエッジでの光の回折角である。図２および３に図示するように、ｉ－ライン光３０２は、ｈ－ライン光４０２が達する第２の角度４０６より小さい第１の角度３１４で回析する。
【0033】
上記で留意されたｉ－ライン光３０２およびｈ－ライン光４０２の間の２つの相違点は、各波長の光の、他のものに対する、利点および欠点を表す。特に、ｉ－ライン光３０２が浅く達すること（例えば、比較的浅い深さ）は、はんだレジスト３０４をパターニングできる深さの限界を表す。対照的に、ｈ－ライン光４０２は、はんだレジスト３０４のより深い開口部のより信頼性の高いパターニングのために、より深い深さ４０４まで延びる。従って、露光の深さの観点では、ｈ－ライン光４０２は概して、ｉ－ライン光３０２よりも好ましい。一方で、ｉ－ライン光３０２のより小さな回折角３１４は、より小さな角度３１４が、マスク上のパターン（例えば、フォトマスク３０６上の不透明材料３１０のパターン）をはんだレジスト３０４に転写する際のより高い分解能をもたらす結果になるため、ｈ－ライン光４０２のより大きな回折角４０６よりも有利である。より高い分解能は、ｈ－ライン光４０２を用いて可能になるものよりも、ｉ－ライン光３０２に曝されるはんだレジスト３０４内に、より微細なフィーチャを作成し、および／または、複数の開口部を一緒に近くに位置決めすることが可能であることを意味する。要するに、２つの光線３０２、４０２の間にはトレードオフがあり、それぞれが他方に比べて利点を有する。これらの利点（および／または対応する不利益）の重要性は、図５および６を参照して示される。
【0034】
図５は、マスク５０２を通じてｉ－ライン光（例えば、図３に表されるｉ－ライン光３０２）に曝された後、はんだレジスト５０４の上に位置合わせされるフォトマスク５０２を示す。図６は、マスク６０２を通じてｈ－ライン光（例えば、図４に表されるｈ－ライン光４０２）に曝された後、別のはんだレジスト６０４の上に位置合わせされる別のフォトマスク６０２を示す。示されるように、図５および６のそれぞれにおけるフォトマスク５０２、６０２は、それぞれ不透明材料５０８、５１０、６０８、６１０の第１および第２の領域を支持する、同様の透明基板５０６、６０６を含む。不透明材料５０８、５１０、６０８、６１０の領域は、下にあるコンタクトパッド５１６、５１８、６１６、６１８（例えば、図２に示すはんだレジスト２０２のベースにおけるコンタクトパッド１２４と同様のもの）を露出または明らかにするためにフォトリソグラフィプロセスを通じて生成された、はんだレジスト５０４、６０４内の対応する開口部５１２、５１４、６１２、６１４と位置合わせされ、その寸法および形状を画定する。具体的には、はんだレジスト５０４、６０４は、不透明材料５０８、５１０、６０８、６１０の領域間でフォトマスク５０２、６０２を通過する光（例えば、図５のようなｉ－ライン光または図６のようなｈ－ライン光のいずれか）に選択的に曝される。はんだレジスト５０４、６０４の、光に曝される部分は、光に曝されなかった部分と比較して、硬化により光に反応する。結果として、現像液がはんだレジスト５０４、６０４に塗布された場合、硬化していない部分（例えば、光に曝されていない部分）は除去されるが、硬化された部分（例えば、光に曝された部分）は残る。換言すると、開口部５１２、５１４、６１２、６１４は、はんだレジスト５０４、６０４の光に曝されなかった部分に対応する。従って、図５および６の間における、開口部５１２、５１４、６１２、６１４の形状の違いは、異なる波長の光（例えば、ｉ－ライン光（図５）またはｈ－ライン光（図６）のいずれか）を用いることの効果に基づく。
【0035】
図５および６において、はんだレジスト５０４、６０４の第１の開口部５１２、６１２の最も内側の寸法５２０、６２０が、下にあるコンタクトパッド５１６、６１６が露出する程度と関連付けられる臨界寸法に対応するので、第１の開口部５１２、６１２（図の左側）は、ソルダマスク限定型（ＳＭＤ）開口部である。対照的に、第２の開口部５１４、６１４の最も内側の寸法５２２、６２２が、関連付けられるコンタクトパッド５１８、６１８よりも広いため（従って、コンタクトパッド５１８、６１８の寸法に対応する臨界寸法を画定するものではないため）、第２の開口部５１４、６１４（図の右側）は、ソルダマスク非限定型（ＮＳＭＤ）開口部である。
【0036】
図５および６では、第１の開口部５１２、６１２の最も内側の寸法５２０、６２０が同じとなり、第２の開口部５１４、６１４の最も内側の寸法５２２、６２２が同じとなるように、フォトマスク５０２、６０２が構築される。これは、図５および図６の間のように、不透明材料５０８、５１０、６０８、６１０の領域を、異なる寸法５２４、５２６、６２４、６２６で設計することにより達成される。具体的には、図５における不透明材料５０８、５１０の寸法５２４、５２６は、図６における不透明材料６０８、６１０の寸法６２４、６２６よりも小さい。図５における不透明材料５０８、５１０の寸法５２４、５２６は、図６における対応する寸法６２４、６２６よりも小さいものであり得、ｉ－ライン光（図５）およびｈ－ライン光（図６）と関連付けられる異なる波長の光の異なる回折の角度３１４、４０６のために、尚も同じ最も内側の寸法５２０、５２２、６２０、６２２を生成し得る。特に、光の回折の角度は、図５および６の各開口部５１２、５１４、６１２、６１４の壁の角度５２８、６２８に対応する。すなわち、（図５において用いられる）ｉ－ライン光３０２のより小さな回折角３１４に起因して、図５の開口部５１２、５１４の最も内側の寸法５２０、５２２、および、（不透明材料５０８、５１０の寸法５２４、５２６に対応する）図５の開口部５１２、５１４のリムにおける最も上側の（例えば、頂部の）寸法の間の差異は、図６の開口部６１２、６１４の最も内側の寸法および最も上側の（例えば、頂部の）寸法の間の差異よりも少ない。結果として、図５のフォトマスク５０２上の不透明材料５０８、５１０は、より小さいものであり得るが、尚も、ＳＭＤ開口部の同じ臨界寸法を達成し、それにより、複数の開口部が一緒に近くに（例えば、より高い分解能で）作られることを可能にできる。
【0037】
ｉ－ライン光は、ｈ－ライン光よりも、より小さくおよび／またはより近いフィーチャ（例えば、開口部）により高い分解能を提供するが、ｉ－ライン光の不利益は、図５および６の（右側の）ＮＳＭＤ開口部５１４、６１４を参照すると明確になる。上記で説明されたように、ｉ－ライン光は、はんだレジスト５０４内へと深く達することができない。結果として、はんだレジスト５０４の上側部分のみが光に曝されて硬化され、より深い深さにあるソルダレジスト材料は軟らかいままである（硬化されていない）。結果として、現像液が塗布されて露光深さより下の硬化されていないはんだレジストを除去する場合に、現像液は、硬化されたソルダレジスト材料の真下にあるソルダレジスト材料を侵食または除去し始める可能性がある。結果として、現像液は、図５における第２の開口部５１４の側壁上において、突出している変曲点５３２（例えば、オーバーハングまたは露頭）の下にアンダーカット５３０を生成し得る。突出している変曲点５３２は概して、図３に示されるｉ－ライン光３０２が達する深さ３１２に配置される。図６におけるＮＳＭＤ開口部（例えば、第２の開口部６１４）はまた、開口部６１４の側壁上における突出している変曲点６３２の下のアンダーカット６３０によって画定される。しかしながら、（図６で用いられる）ｈ－ライン光ははんだレジスト６０４内へとより遥か深くに達して、ソルダレジスト材料をより深い深さまで（例えば、変曲点６３２の下まで）硬化させ、その結果として、変曲点６３２の下の位置で現像液により除去されるはんだレジストはより少なくなるので、図６のアンダーカット６３０は、図５のアンダーカット５３０よりも遥かに小さい。重要なことに、図６のより小さなアンダーカット６３０は、図５のコンタクトパッド５１６、５１８間のはんだレジスト５０４の残りの範囲５３４よりも、対応するＮＳＭＤ開口部６１４内のコンタクトパッド６１８および隣接するコンタクトパッド６１６の間に残るはんだレジスト６０４の範囲６３４が大きくなるという結果をもたらす。コンタクトパッド６１６、６１８間のはんだレジスト６０４のより大きな範囲６３４は、短絡が発生する可能性を減らし、および／または、ＮＳＭＤ開口部（例えば、図６の第２の開口部６１４）が、隣接するコンタクトパッドおよび／または他の電気的に導電性のコンポーネントの近くに位置決めされることを可能にする。
【0038】
本明細書に開示される例示的なフォトマスクは、（より小さい／より近いフィーチャを可能にする、より高い分解能パターンを有する）ｉ－ライン光、および、（フォトレジスト材料のより深くまで到達して任意のアンダーカットの程度を低減する）ｈ－ライン光の両方の利点を可能にする。更に、本明細書で開示される例は、単一の露光プロセス中に、これらの利点の両方を捕捉する。すなわち、ｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方が、処理されるフォトレジスト（例えば、図２から６）のはんだレジスト２０２、３０４、５０４、６０４）に同時に適用される。これは、フォトマスクの複数の領域に光学フィルタを追加して、それらの領域において特定波長の光を妨げ、カットし、またはフィルタリングすることによって可能になるが、尚も、それらの領域において他の波長は許容する。しかしながら、他の領域では、光学フィルタに起因して第１の領域で妨げられた波長を許容するべく光学フィルタが省略される。更に、例示的なフォトマスクはまた、光が通過しない不透明材料の領域を含む。
【0039】
図７は、本明細書において開示される教示に従って構築される例示的なフォトマスク７００の側断面図である。例示的なフォトマスク７００は、図３から６に示されるフォトマスク３０６、５０２、６０２と同様の不透明材料７０４を支持する透明なベースまたは基板７０２（例えば、ガラスパネル、ガラスペイン、ガラスシート）を含む。幾つかの例において、不透明材料７０４はクロムである。しかしながら、任意の他の不透明材料が付加的に又は代替的に用いられてもよい。
【0040】
図３から６のフォトマスク３０６、５０２、６０２とは異なり、図７の例示的なフォトマスク７００の透明基板７０２は、光学フィルタ７０６も支持する。図示の例に示されるように、光学フィルタ７０６は、不透明材料７０４を覆って延在し（例えば、横切って延在し）、その結果として、不透明材料７０４は透明基板７０２および光学フィルタ７０６の間にある。更に、図示の例では、光学フィルタ７０６は、不透明材料の側部またはエッジ７０８に沿って延び、透明基板７０２の表面に対して不透明材料を包み込む又は囲う。従って、幾つかの例において、不透明材料７０４および光学フィルタ７０６の両方が、透明基板７０２の同じ表面に接触し、その結果として、不透明材料７０４および光学フィルタ７０６は基板７０２の表面に沿って互いに隣接する。
【0041】
図８は、図７の例示的なフォトマスク７００の底面図である。従って、図８において、不透明材料７０４および光学フィルタ７０６の両方が、透明基板７０２を通して視認可能である。この例では、不透明材料７０４は、透明基板７０２の第１の領域８０２を覆い、光学フィルタ７０６は、透明基板７０２の第２の領域８０４を覆う。図８に示されるように、第１の領域８０２は、第１の直径を有する円形を備え、第２の領域は、第１の直径よりも大きな第２の直径を有する円形（例えば、環状リング）を備える。この例では、第１の領域８０２は、第２の領域が第１の領域を囲う（例えば、光学フィルタ７０６が不透明材料７０４を囲う）ように、第２の領域８０４の中央に配置される。幾つかの例において、（光学フィルタ７０６と関連付けられる）第２の領域８０４は、（不透明材料７０４と関連付けられる）第１の領域８０２を完全には囲わないが、代わりに、第１の領域８０２の一部分に隣接する、および／または、そこに沿って延在する。第１及び第２の領域８０２、８０４は、下にあるフォトレジストに丸い開口部（例えば、図５および６における開口部５１２、５１４、６１２、６１４）を作成するのに好適な円形を備えるように示されているが、その領域のうちの一方又は両方は、任意の他の好適な形状を備え得る。例えば、幾つかの例において、第１および／または第２の領域８０２、８０４は、フォトレジストに細長いトレンチをパターン化するために実装され得る細長い線またはストリップに対応する。更に、不透明材料７０４の１つの領域および光学フィルタ７０６の１つの領域のみが示されているが、透明基板７０２上の任意の好適な数の領域が、不透明材料７０４および光学フィルタ７０６のうちの一方又は両方を含み得る。
【0042】
第１及び第２の領域８０２、８０４に加えて、例示的な透明基板７０２は、不透明材料７０４によって覆われていない、且つ、光学フィルタ７０６によって覆われていない、第３の領域８０６を含む。光学フィルタ７０６を通過できるよりも多くの波長の光が透明基板７０２を通過でき、不透明材料７０４を通過できるよりも多くの波長の光が光学フィルタ７０６を通過できる。幾つかの例において、不透明材料７０４は、（不透明であるため）如何なる波長の光の通過も許容しないが、すべての波長の光が透明基板７０２を通過できる（透明であるため）。しかしながら、特定波長のみが、光学フィルタ７０６を通過でき、他の波長は光学フィルタによってフィルタリング又は妨げられる。具体的には、この例では、透明基板７０２は、ｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方の通過を可能にし、光学フィルタ７０６は、ｉ－ライン光の通過を可能にするがｈ－ライン光はフィルタリングする。他の例では、異なる波長の光が光学フィルタ７０６によってフィルタリングされる。
【0043】
幾つかの例において、光学フィルタ７０６は、他の波長が通過することを可能にしながら光を吸収することによって、選択された波長の光をフィルタリングまたはカットする吸収フィルタである。吸収フィルタは、吸収および／または透過する波長の光に基づいて選択された染料で着色することにより、これらの光学フィルタの特性を達成する。そのようなフィルタは、任意の好適な材料（例えば、ガラス、ポリマ、など）から作成され得る。他の例では、光学フィルタ７０６は、他の波長が通過することを可能にしながら、光源からの選択された波長を、これらの波長を反射することによってフィルタリングまたはカットする干渉フィルタ（例えば、ダイクロイックフィルタ）である。干渉フィルタは、フィルタリング機能をもたらす結果となる選択された波長に対して干渉を生成する、異なる屈折率の異なる誘電体および／または金属材料で作成された複数の薄膜層によって実装される。干渉フィルタで使用される特定の材料、および／または、層の設計および厚さは、フィルタリングされてフィルタを通過可能にされる特定の波長に依存する。
【0044】
不透明材料７０４は光の通過を妨げるので、不透明材料７０４は光の通過を妨げる例示的手段である。光学フィルタ７０６は光をフィルタリングする（例えば、幾つかは妨げるがすべての波長の光ではない）ので、光学フィルタ７０６は光をフィルタリングする例示的手段である。透明基板７０２は不透明材料７０４および光学フィルタ７０６の両方を支持する（例えば、保持する）ので、透明基板７０２は、妨げる手段に隣接し、フィルタリングする手段を支持する、例示的手段である。
【0045】
図９は、図２のフィルタリングされた光２１６で図３および４のはんだレジスト３０４をパターニングするのに用いられる、図７および８の例示的なフォトマスク７００を図示する。上記で説明されたように、フィルタリングされた光２１６は、図３および４に関連して示され説明された、ｉ－ライン光３０２およびｈ－ライン光４０２の両方を含む。従って、図９は、両方の波長の光が同時にマスク７００に適用される点を除いて図３および４と同様である。図３および４に関連して上記で説明されたように、例示の目的で、ｉ－ライン光３０２は、明るい陰影で、短い破線および開いた山形の頭を持つ矢印によって表される。対照的に、ｈ－ライン光４０２は、より暗い陰影で、長い破線および閉じた山形の頭を持つ矢印によって表される。両方の波長が輝いている領域は、より暗い陰影で表される。図９の第１の領域９０２は、図８に示されるような不透明材料７０４によって覆われる透明基板７０２の第１の領域８０２に対応する。上記で説明され、図９に表されるように、不透明材料７０４を通過する光は無い。明確かつ簡単にする目的で、不透明材料７０４に入射する（例えば、上記の）光は、図９において図示していない。（第１の領域９０２を囲う）第２の領域９０４は、図８に示されるような光学フィルタ７０６によって覆われる透明基板７０２の第２の領域８０４に対応する。上記で説明され、図９に表されるように、光学フィルタ７０６は、ｉ－ライン光３０２が通過することを可能にするが、（吸収または反射／干渉のいずれかによって）ｈ－ライン光４０２を妨げるまたはフィルタリングする。最後に、（第２の領域９０４を囲う）第３の領域９０６は、図８に示されるような透明基板７０２の覆われていない第３の領域８０６に対応する。上記で説明され、図９に表されるように、ｉ－ライン光３０２およびｈ－ライン光４０２の両方が、第３の領域９０４において透明基板７０２を通過できる。
【0046】
光学フィルタ７０６はｉ－ライン光３０２の通過を可能にするので、ｉ－ライン光３０２は、（図３のように）光学フィルタが省略された場合と実質的に同じ方法で、図９のフォトマスク７００を通過する。すなわち、ｉ－ライン光３０２は尚も、はんだレジスト３０４内へと第１の深さ３１２だけ延び、ｉ－ライン光３０２は尚も、図３に関連して上記で説明されたものと同じ回折角３１４だけ回析する。更に、光学フィルタ７０６はｈ－ライン光４０２の通過を妨げるので、ｈ－ライン光４０２は、光学フィルタが省略されて不透明材料７０４が光学フィルタ７０６の範囲まで拡張された場合と実質的に同じ方法で、図９のフォトマスク７００を通過する。すなわち、ｈ－ライン光４０２は尚も、はんだレジスト３０４内へと第２の深さ４０４だけ延び、ｈ－ライン光４０２は尚も、図４に関連して上記で説明されたものと同じ回折角４０６だけ回析する。しかしながら、ｈ－ライン光４０２の回折の起点は、（不透明材料７０４のアウターエッジにおける）ｉ－ライン光３０２の回折の起点と比較して（光学フィルタ７０６のアウターエッジへと）外側にシフトされている。この例では、このシフトの量（例えば、光学フィルタ７０６が不透明材料７０４の境界、エッジ、または周囲を越えて延びる量）は、光学フィルタ７０６の対向する側におけるｈ－ライン光４０２の回折された部分間の最も近い寸法９０８が、不透明材料７０４の対向する側におけるｉ－ライン光３０２の回折された部分間の最も近い寸法９１０とほぼ同じとなるように画定される。結果として、図１０に示されるように、両方の光での露光を同時に実行して、図５および６に関連して上記で説明された両方の波長の光の利点を達成できる。
【0047】
図１０は、例示的なマスク１０００を通る（図３および４に表されるような）ｉ－ライン光３０２およびｈ－ライン光４０２の両方に同時に曝された後に、はんだレジスト１００４の上に位置合わせされる例示的なフォトマスク１０００を図示する。図１０の例示的なフォトマスク１０００は、不透明材料１００８、１０１０の第１および第２の領域および対応する光学フィルタ１０１２、１０１４をそれぞれ支持する透明基板１００６を備えた、図９のフォトマスク７００と同様に構築される。この例では、不透明材料１００８、１０１０は、図５の不透明材料５０８、５１０と同様の寸法に形作られる。すなわち、図５および１０における不透明材料５０８、１００８の第１の領域の両方が、同じ寸法５２４を有し、図５および１０における不透明材料５１０、１０１０の第２の領域の両方が、同じ寸法５２６を有する。更に、この例では、光学フィルタ１０１２、１０１４は、図６における不透明材料６０８、６１０と同様の寸法に形作られる。すなわち、図６の第１の不透明材料６０８および図１０の第１の光学フィルタ１０１２の両方が同じ寸法６２４を有し、図６の第２の不透明材料６１０および図１０の第２の光学フィルタ１０１４の両方が同じ寸法６２６を有する。
【0048】
上記で概説した寸法で構築された図１０の不透明材料１００８、１０１０および光学フィルタ１０１２、１０１４は、図５に表されるｉ－ライン光３０２の露光結果を、図６に表されるｈ－ライン光４０２の露光結果と効果的に結合する。特に、ＳＭＤ開口部１０１６（図１０の左側）は、図５の第１の開口部５１２と同じ最も内側の寸法５２０を有し、開口部１０１６のリムにおける狭い最上（頂部）寸法は、不透明材料１００８の寸法５２４に対応する。従って、ｉ－ライン光３０２によって達成される、（より小さくおよび／またはより近いフィーチャの）より高い分解能が達成される。更に、ＮＳＭＤ開口部１０１８（図１０の右側）は、第１および第２の突出している変曲点１０２２、１０２４の間の第１のアンダーカット１０２０と、第２（下側）変曲点１０２４の下の第２のアンダーカット１０２６とを有する側壁によって画定される。この例では、第１の（上側の）変曲点１０２２は、図５の突出している変曲点５３２と同様に、ｉ－ライン光３０２によって提供される。更に、図１０の第１のアンダーカット１０２０は、図５の対応する変曲点５３２の下に生じるアンダーカット５３０と同様である。しかしながら、第２の変曲点１０２２は図６の突出している変曲点６３２と同様にｈ－ライン光４０２によって提供されるので、第１のアンダーカット１０２０は、図５のアンダーカット５３０と比べて、図１０の図示の例では、さほど延びていない。従って、第２の変曲点１０２４の下の第２のアンダーカット１０２６は、図６のアンダーカット６３０と同様である。結果として、はんだレジスト１００４は、図６のはんだレジスト６０４と同じ程度６３４だけ、コンタクトパッド１０３０、１０３２間に延びており、それにより、図６に関連して上記で説明されたように、短絡の可能性を低減し、および／または、コンタクトパッドが一緒に近くに配置されることを可能にする。更に、不透明材料１０１０のアウターエッジに対応する場所のはんだレジスト１００４の頂部でのｉ－ライン光３０２の露光の結果として、図５の開口部５１４のリムと同じ寸法５２６である、不透明材料１０１０と同じ寸法５２６である、開口部１０１８のリムにおける最も上側の（例えば、頂部の）寸法がもたらされる。結果として、開口部５１４の上部寸法は、（図６に示されるように）ｈ－ライン光のみが用いられる場合よりも小さく、それにより、一緒に近くに位置決めされ得る、より小さな（より高い分解能の）フィーチャを可能にする。
【0049】
図７から１０の例示的なフォトマスク７００、１０００が詳細に説明された。一方で、多くの他の実装が可能である。特に、図１１から１９は、本明細書において開示される教示に従って構築される異なる例示的なフォトマスクを図示する。例えば、図１１は、不透明材料１１０２の２つの領域が透明基板１１０４上に支持されているが、その一方のみが光学フィルタ１１０６に囲まれ、および／または、そうでなければそれに隣接し、その一方で、不透明材料１１０２の他方の領域は何れの光学フィルタ１１０６からも離間されている、例示的なフォトマスク１１００を図示している。換言すると、幾つかの例において、光学フィルタ１１０６は必ずしも、フォトマスク１１００上の不透明材料１１０２のすべての領域に関連して含まれるわけではない。同様に、図１２の例示的なフォトマスク１２００に示されるように、不透明材料１１０２は必ずしも、光学フィルタ１１０６に関連付けられたすべての領域に関連して含まれるわけではない。具体的には、図１２に示されるように、フォトマスク１２００は、何れの不透明材料１１０２からも離間されている（右側の）光学フィルタ１１０６を含む。更に、幾つかの例において、不透明材料１１０２の複数の領域は、単一の（例えば、一体型の）光学フィルタ１１０６に関連付けられ、それに隣接し、それに覆われ、および／または、それに接触し得る。例えば、図１３の例示的なフォトマスク１３００は、不透明材料１１０２の２つの隣接領域の間を、および／または、それらを横切って、連続的に延びている単一の光学フィルタ１１０６を含む。
【0050】
前述の例では、光学フィルタ１１０６は、不透明材料１１０２の上まで延びており、その結果として、（透明基板１１０４と組み合わせられた）光学フィルタ１１０６は不透明材料１１０２を囲う、および／または、それを包み込む。しかしながら、幾つかの例において、光学フィルタ１１０６は、図１４の図示の例に示されるように、不透明材料１１０２の上面（例えば、透明基板１１０４から離れる方向に向いている表面）から離間され得る。具体的には、図１４の例示的なフォトマスク１４００は、不透明材料１１０２のアウターエッジおよび／または周縁に横方向に隣接するよう制限されている光学フィルタ１１０６を含む。幾つかの例において、光学フィルタ１１０６は、透明基板１１０４から離れる方向に向いている対応する不透明材料１１０２の表面を部分的に（完全ではなく）覆う。図１４の図示の例では、光学フィルタ１１０６は、不透明材料１１０２の厚さとほぼ等しい厚さを有する。しかしながら、図１５の例示的なフォトマスク１５００は、不透明材料１１０２の厚さよりも厚い厚さを有する光学フィルタ１１０６を含む。他の例では、光学フィルタ１１０６は、不透明材料１１０２の厚さより薄い厚さを有する。幾つかの例において、光学フィルタ１１０６および／または不透明材料１１０２の厚さは、透明基板１１０４上の異なる位置の間で異なり得る。幾つかの例において、光学フィルタ１１０６の厚さは、光学フィルタ１１０６の意図されたフィルタリング特性によって決定される。例えば、光学フィルタ１１０６が吸収フィルタとして実装されるならば、光学フィルタ１１０６は、露光中にフィルタリングされる関連波長を適切に吸収するのに十分厚く設計されてもよい。同様に、光学フィルタ１１０６が干渉フィルタとして実装されるならば、光学フィルタ１１０６は、露光中に結果として関連波長がフィルタリングされる干渉効果を生成するべく、薄膜層の数（およびそれらに関連付けられた厚さ）によって画定される厚さで設計され得る。
【0051】
幾つかの例において、透明基板１１０４、不透明材料１１０２および光学フィルタ１１０６のスタックされた関係は異なり得る。例えば、図１６は、光学フィルタ１１０６が透明基板１１０４および不透明材料１１０２の間にある別の例示的なフォトマスク１６００を図示する。更に、図１７は、不透明材料１１０２および光学フィルタ１１０６が透明基板１１０４の対向する側にある（例えば、透明基板１１０４が不透明材料１１０２および光学フィルタ１１０６）の間にある）別の例示的なフォトマスク１７００を図示する。
【0052】
幾つかの例において、複数のタイプの光学フィルタが、異なる波長の光を選択的にフィルタリングするべく、同じ透明基板上に採用されてもよい。例えば、図１８は、（右側にある）不透明材料１１０２の第１の領域が、第１波長の光（例えば、ｈ－ライン光）をフィルタリングする第１の光学フィルタ１１０６と関連付けられている（例えば、それによって覆われている）別の例示的なフォトマスク１８００を図示する。図１８の例示的なフォトマスク１８００は更に、第１波長の光（例えば、ｉ－ライン光）とは異なる第２波長の光をフィルタリングする第２の光学フィルタ１１０６と関連付けられている（例えば、それによって覆われている）、不透明材料１１０２の第２の領域を（左側に）含む。付加的または代替的に、幾つかの例において、別個の光学フィルタが、透明基板１１０４の表面を横切って延びて、その表面を横切る特定の波長をフィルタリングするが、尚も、他の光学フィルタに基づいて、他のものが選択的に通過する又はフィルタリングされことを可能にする。特に、図１９は、第３の光学フィルタ１９０２が、第１及び第２の光学フィルタ１１０６、１８０２の両方を横切って、かつ第１及び第２の光学フィルタ１１０６、１８０２の間のギャップ内の透明基板１１０４の露出部分を横切って連続的に延びている点を除いて、図１８のフォトマスク１８００と同一の別の例示的なフォトマスク１９００を示す。幾つかの例において、第３の光学フィルタ１９０２は、図２の光学フィルタ２０８と同様に機能して、リソグラフィ処理される下にある基板に達することが決して意図されていない波長の光をフィルタリングし得る。従って、幾つかのそのような例では、図２の光学フィルタ２０８は、省略され得る。
【0053】
図７から１９のフォトマスク７００、１０００、１１００、１２００、１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００の前述の例は、異なる特徴を教え又は提案する。上記で開示された各例示的なフォトマスク７００、１０００、１１００、１２００、１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００は特定の特徴を有するが、１つの例の特定の特徴がその例で排他的に用いられる必要はないことを理解されるべきである。代わりに、上記で説明された、および／または、図面で描かれた、複数の特徴のうちの何れも、これらの例の他の複数の特徴のうちの何れかに加えて、またはその代わりに、複数の例の何れかと結合され得る。１つの例の複数の特徴は、別の例の特徴と相互に排他的ではない。代わりに、本開示の範囲は、複数の特徴の何れかのうちの、何れかの組み合わせを包含する。
【0054】
図２０から２４は、透明基板（例えば、ガラスパネル、ガラスペイン、ガラスシート）に不透明材料の別個の領域を追加する製造プロセスにおける例示的な段階を図示する。図２０は、透明基板２００４上に不透明材料２００２の層を堆積させた後、および不透明材料２００２の層上に感光性材料（例えば、フォトレジスト）２００６の層を堆積させた後の製造段階を表す。図２１は、（例えば、レーザによる）光２１０２に対するフォトレジスト２００６の選択的露出を表す。幾つかの例において、フォトレジスト２００６の、光２１０２に曝される部分は、除去される部分である。図２２は、フォトレジスト２００６の、光２１０２に曝される部分の（例えば、現像プロセスによる）除去を表し、それにより、不透明材料２００２の下にある部分が露出する。図２３は、不透明材料２００２の露出部分の（例えば、エッチングによる）除去を表す。図２４は、フォトレジスト２００６の残存する部分の（例えば、ストリッピングによる）除去を表し、これにより、不透明材料２００２の最後の別個の領域が明らかになる。幾つかの例において、不透明材料２００２の別個の領域は、図７および８の例示的なフォトマスク７００の不透明材料７０４に対応する。
【0055】
図２５から２７は、図２４に示される不透明材料２００２の別個の領域に隣接する光学フィルタを追加する、製造プロセスにおける例示的な段階を図示する。すなわち、図２５から２７は、図２０から２４に表される製造プロセスの続きである。図２５は、透明基板２００４、および、不透明材料２００２の別個の領域を横切る光学フィルタ用の材料２５０２の層の堆積（例えば、蒸着（例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ））および／または任意の他の好適な蒸着技術による）を表す。この例では、材料２５０２の層は、光吸収材および感光性材料の混合物である。光吸収材は、フィルタリングまたはカットされるべき特定の波長の光を吸収可能な、任意の好適な材料であり得る。例えば、幾つかの例において、（例えば、好適な色に染められることによって）ｈ－ライン光を吸収する光吸収材が選択される。図２６は、材料２５０２の層の、（例えば、レーザによる）光２６０２への選択的露出を表す。材料２５０２の層は感光性材料を含むので、材料２５０２の層は光２６０２に反応することになる。この例では、材料２５０２の層の、光２６０２に曝される部分は、材料２５０２の、保持される部分に対応する。図２７は、材料の層２５０２の、光２１０２に曝されなかった部分の除去（例えば、現像プロセスによる）を表し、それにより、不透明材料２００２に隣接する最終の光学フィルタ２７０２に対応する部分が残される。幾つかの例において、図２７に表される製造プロセスの最終結果は、図７および８の例示的なフォトマスク７００である。
【0056】
図２８から３２は、図２４に示される不透明材料２００２の別個の領域に隣接する光学フィルタを追加する、製造プロセスにおける代替の例示的な段階を図示する。すなわち、図２８から３２は、図２５から２７に関連して詳細に説明されたプロセスの代わりに実装され得る、図２０から２４に表された製造プロセスの続きである。図２８は、透明基板２００４、および、不透明材料２００２の別個の領域を横切るフォトレジスト２８０２の堆積（例えば、蒸着（例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ））および／または任意の他の好適な蒸着技術による）を表す。図２９は、（例えば、レーザによる）光２９０２に対するフォトレジスト２８０２の選択的露出を表す。この例では、フォトレジスト２８０２の、光２９０２に曝される部分は、フォトレジスト２８０２の、保持される部分に対応する。図３０は、フォトレジスト２８０２の、光２９０２に曝されなかった部分の（例えば、現像プロセスによる）除去を表し、それにより、不透明材料２００２の別個の領域を含む開口部３００２が画定される。図示の例に示されるように、開口部３００２は、不透明材料２００２に隣接する透明基板２００４の下にある部分を明らかにするべく、不透明材料２００２の別個の領域よりも大きい。図３１は、開口部３００２内に干渉フィルタを生成するための、複数の薄膜層３１０２の堆積（例えば、蒸着（例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ））、スパッタリング、および／または任意の他の好適な蒸着技術による）を表す。図３２は、透明基板２００４を露出させるための、フォトレジスト２８０２の残存する部分の除去（例えば、剥離による）を表す。幾つかの例において、薄膜層３１０２の残存する構成は、図７および８の例示的なフォトマスク７００の光学フィルタ７０６に対応する。
【0057】
図３３から３５は、図７および８の例示的なフォトマスク７００、および、図２７および３２に示される対応するフォトマスク、を製造することの例示的な方法を示すフローチャートである。しかしながら、当該方法は、本明細書に開示される他の例示的なフォトマスク１０００、１１００、１２００、１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００のうちの何れか１つを製造するのに好適に適応され得る。幾つかの例において、例示的な方法において概説される動作の幾つかまたはすべては、動作を実行するようプログラムされている製造設備によって自動的に実行される。製造の例示的な方法が図３３から３５に図示されるフローチャートを参照して説明されるが、奥の他の方法が代替的に用いられてもよい。例えば、複数のブロックの実行順序は変更されてもよく、および／または、説明される複数のブロックの幾つかは、結合されてもよく、分割されてもよく、再構成されてもよく、省略されてもよく、削除されてもよく、および／または、任意の他の態様で実装されてもよい。
【0058】
図３３の例示的な方法３３００は、ブロック３３０２において、透明基板（例えば、図２０の透明基板２００４）上に不透明材料（例えば、図２０の不透明材料２００２）の層を堆積することによって開始する。ブロック３３０４において、例示的な方法は、不透明材料２００２をパターニングして不透明材料２００２の別個の領域にすることを含む。幾つかの例において、ブロック３３０４の実装は、図２０から２４に関連して詳細に説明された処理を含む。ブロック３３０６において、例示的な方法は、不透明材料２００２の別個の領域に隣接する光学フィルタを追加することを含む。ブロック３３０６を実装することの異なる方法が、図３４および３５のそれぞれに関連して以下で更に詳細を説明される。具体的には、図３４は、図２５から２７に関連して詳細に説明された処理に概して対応するフローチャートであり、図３５は、図２８から３２に関連して詳細に説明された処理に概して対応するフローチャートである。
【0059】
図３４は、図３３のブロック３３０６を実装する例示的な方法３４００を表すフローチャートである。図３４の例示的な方法３４００は、ブロック３４０２で、光学的吸収材と感光性材料との混合物を生成することによって開始する。ブロック３４０４において、方法は、（図２５に表されるような）不透明材料２００２の領域を含む透明基板２００４上に混合物層を堆積することを含む。ブロック３４０６において、方法は、（図２６に表されるような）不透明材料２００２の領域と位置合わせされ且つそれを越えて延在する複数の位置において、混合物層を光に曝すことを含む。ブロック３４０８において、方法は、（図２７に表されるような）混合物層の余分な部分を除去することを含む。
【0060】
図３５は、図３３のブロック３３０６を実装するための別の例示的な方法３５００を表すフローチャートである。図３５の例示的な方法３５００は、ブロック３５０２において、不透明材料２００２の領域を含む透明基板２００４上にフォトレジスト（例えば、図２８のフォトレジスト２８０２）を堆積することによって開始する。ブロック３５０４において、方法は、（図２９および３０に表されるように）不透明材料２００２の複数の領域を露出させるべく、且つ、不透明材料２００２の複数の領域に隣接する透明基板２００４の複数の部分を露出させるべく、フォトレジスト２８０２に複数の開口部（例えば、図３０の開口部３００２）を提供することを含む。ブロック３５０６において、方法は、開口部３００２内に光学フィルタ用の材料を堆積することを含む。幾つかの例において、材料は、（図３１に表されるような）干渉フィルタを生成するための複数の薄膜層に対応する。他の例では、開口部３００２は、吸収フィルタを生成するべく吸収材料で充填され得る。ブロック３５０８において、方法は、（図３２に表されるように）フォトレジスト２８０２の残存する部分を除去することを含む。
【0061】
「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」（およびそれらのすべての形態および時制）は本明細書においてオープンエンド用語として用いられる。従って、請求項が、任意の形態の「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」または「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」（例えば、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」など）を前文としてまたは任意の種類の請求項の列挙の中で使用する場合はいつでも、追加の要素、用語などが、対応する請求項または列挙の範囲から外れることなく存在してもよいことを理解されたい。本明細書において使用される場合、「少なくとも」という語句が、例えば請求項のプリアンブルにおける転換後として使用されるとき、「含む」及び「備える」という用語がオープンエンドであるのと同じような方式でオープンエンドである。「及び／又は」という用語が、例えば、Ａ、Ｂ、及び／又はＣなどの形式で使用されるとき、（１）Ａ単独、（２）Ｂ単独、（３）Ｃ単独、（４）Ａ及びＢ、（５）Ａ及びＣ、（６）Ｂ及びＣ、又は、（７）Ａ及びＢ及びＣなど、Ａ、Ｂ、Ｃの任意の組み合わせ又はサブセットを指す。構造、コンポーネント、アイテム、物体、及び／又は、ものを説明する文脈で本明細書において使用される場合、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」という語句は、（１）少なくとも１つのＡ、（２）少なくとも１つのＢ、又は、（３）少なくとも１つのＡ及び少なくとも１つのＢのいずれかを含む実装を指すことが意図される。同様に、構造、コンポーネント、アイテム、物体、及び／又は、ものを説明する文脈で本明細書において使用される場合、「Ａ又はＢのうちの少なくとも１つ」という語句は、（１）少なくとも１つのＡ、（２）少なくとも１つのＢ、又は（３）少なくとも１つのＡ及び少なくとも１つのＢのいずれかを含む実装を指すことが意図される。プロセス、命令、動作、アクティビティ、及び／又は段階の遂行又は実行を説明する文脈で本明細書において使用される場合、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」という語句は、（１）少なくとも１つのＡ、（２）少なくとも１つのＢ、又は、（３）少なくとも１つのＡ及び少なくとも１つのＢのいずれかを含む実装を指すことが意図される。同様に、プロセス、命令、動作、アクティビティ、及び／又は段階の遂行又は実行を説明する文脈で本明細書において使用される場合、「Ａ又はＢのうちの少なくとも１つ」という語句は、（１）少なくとも１つのＡ、（２）少なくとも１つのＢ、又は、（３）少なくとも１つのＡ及び少なくとも１つのＢのいずれかを含む実装を指すことが意図される。
【0062】
本明細書で用いられる、単一の言及（例えば、「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、「第１（ｆｉｒｓｔ）」、第２（ｓｅｃｏｎｄ）」等）は、複数を除外しない。 本明細書で使用される「１つの（ａ）」もしくは「１つの（ａｎ）」オブジェクトという用語は、そのオブジェクトのうち１つまたは複数を指す。「１つの（ａ）」（または「１つの（ａｎ）」）、「１つまたは複数（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ）」、および「少なくとも１つ（ａｔ ｌｅａｓｔ ｏｎｅ）」という用語は、本明細書では互換的に使用される。更に、個々に列挙されるが、複数の手段、要素、又は動作は、例えば、同一のエンティティ又は物体によって実装され得る。追加的に、異なる実施例または異なる請求項内に個々の特徴が含まれてよいものの、これらは可能性として組み合わされて、異なる実施例または異なる請求項内にこれらが含まれることは、特徴の組み合わせが実現可能ではない、および／または、有利ではないことを暗示するものではない。
【0063】
本明細書において使用される場合、別段の定めが無い限り、「上」という用語は、地球に対する２つの部分の関係を説明する。第２の部分が地球と第１の部分との間に少なくとも１つの部分を有する場合、第１の部分は第２の部分の上方にある。同様に、本明細書で使用される場合、第１の部分が第２の部分よりも地球に近い場合、第１の部分は第２の部分の「下方（ｂｅｌｏｗ）」にある。上に記載された通り、第１部分は、第２部分の上又は下にあり得：その間の他の部分を伴う、その間の他の部分を伴わない、第１及び第２部分が接触していることを伴う、又は、第１及び第２部分が互いに直接接触していることを伴わない、のうちの１又は複数である。
【0064】
上記にもかかわらず、製作または製造中に、半導体デバイス（例えば、トランジスタ）、半導体デバイスを含む半導体ダイ、および／または半導体ダイを含む集積回路（ＩＣ）パッケージに言及する場合、「～の上」とは、地球に関するものではないが、代わりに、関連するコンポーネントが作られ、組み立てられ、搭載され、支持され、またはその他の方法で提供される下にある基板に関するものである。従って、本明細書において使用されるように、違うように述べられない又は文脈から暗示されない限り、半導体ダイ内の第１のコンポーネント（例えば、トランジスタまたは他の半導体デバイス）は、製作／製造中に、第１のコンポーネントが、第２のコンポーネントよりも、２つのコンポーネントが上に作られる又は他の方法で提供される基板（例えば、半導体ウェハ）からより遠くに離れている場合、半導体ダイ内の第２のコンポーネント「の上」にある。同様に、違うように述べられない又は文脈から暗示されない限り、ＩＣパッケージ内の第１のコンポーネント（例えば、半導体ダイ）は、製造中に、ＩＣパッケージが搭載される又は取り付けられることになるプリント回路基板（ＰＣＢ）から第１のコンポーネントがより遠くに離れている場合、ＩＣパッケージ内の第２のコンポーネント「の上」にある。半導体デバイスはしばしば、製造中のその方向とは異なる方向に使用されることが理解される。従って、半導体デバイス（例えば、トランジスタ）、半導体デバイスを含む半導体ダイ、および／または、使用中に半導体ダイを含む集積回路（ＩＣ）パッケージに言及する場合、前の段落の「～の上」の定義（すなわち、「～の上」という用語は、地球を基準とした２つの部分の関係を説明する）は、使用の文脈に基づいて決定される可能性がある。
【0065】
本特許において使用される場合、任意の部分（例えば、層、フィルム、エリア、領域、又はプレート）が任意の方式で別の部分上にある（例えば、上に位置決めされる、上に位置する、上に配置される、又は上に形成される、など）という説明は、参照された部分が、他の部分と接触していること、又は、参照された部分が他の部分の上にあり、その間に配置された１又は複数の中間部分を伴うことのいずれかであることを示す。
【0066】
本明細書において使用される場合、別段の定めが無い限り、接続の参照（例えば、取り付けられる、結合される、接続される、及び連結される）は、接続の参照によって参照される要素の間の中間のメンバ、及び／又は、それらの要素の間の相対的な移動を含み得る。このように、接続についての言及は、２つの要素が直接接続されていること、及び／又は互いに固定された関係にあることを必ずしも暗示するものではない。本明細書において使用される場合、いずれかの部分が他の部分と「接触」しているという表現は、２つの部分の間に中間部分が存在しないことを意味すると定義されている。
【0067】
特に明記しない限り、「第１」、「第２」、「第３」などの記述子は、本明細書では、優先順位、物理的順序、リスト内の配置及び／又は何らかの方法での順序付けのいかなる意味も否定するか又は他の態様で示すことなく使用されるが、開示された例を理解しやすくするために、要素を区別するためのラベル及び／又は任意の名称として使用されるにすぎない。いくつかの例において、「第１」という記述子は、詳細な説明における要素を参照するために使用され得るが、請求項において同一の要素が「第２」又は「第３」などの異なる記述子を用いて参照され得る。そのような事例において、そのような記述子は単に、（例えば、請求項において）説明の文脈の中でそれらの要素を別に識別するために使用される（さもなければ、それらの要素は、例えば同一の名称を共有し得る）ことが理解されるべきである。
【0068】
本明細書において使用される場合、「およそ」及び「約」は、現実世界の適用において発生する潜在的な変動の存在を認識するために、それらの対象／値を修飾する。例えば、「およそ」及び「約」は、当業者によって理解されるように、製造許容差及び／又は他の現実世界の不完全性に起因する、厳密でないことがあり得る寸法を修飾し得る。例えば、「およそ」及び「約」は、下の説明において別段の定めが無い限り、そのような寸法が、±１０％の許容差範囲内であり得ることを示し得る。
【0069】
本明細書において使用される場合、「通信する」という語句（その変形を含む）は、直接通信、及び／又は、１又は複数の中間コンポーネントを通じた間接通信を包含し、直接の物理的（例えば、有線）通信及び／又は定常的通信を必要とせず、追加的に、周期的間隔、スケジュールされた間隔、非周期的間隔、及び／又は、１回のイベントの選択的通信を含む。
【0070】
本明細書において使用される場合、「プログラマブル回路構成」は、（ｉ）特定の動作を遂行する構造を有し、１又は複数の半導体ベースのロジックデバイス（例えば、１又は複数のトランジスタによって実装される電気ハードウェア）を含む１又は複数の特殊目的用電気回路（例えば、特定用途向け回路（ＡＳＩＣ））、及び／又は、（ｉｉ）特定の機能及び／又は動作を遂行するための命令でプログラム可能であり、１又は複数の半導体ベースのロジックデバイス（例えば、１又は複数のトランジスタによって実装される電気ハードウェア）を含む、１又は複数の汎用半導体ベースの電気回路を含むものとして定義される。プログラマブル回路構成の例は、１又は複数の動作及び／又は機能を遂行するために第１命令を実行し得る中央プロセッサユニット（ＣＰＵ）、ＦＰＧＡの構成及び／又は構造に、第１命令に対応する１又は複数の動作及び／又は機能をインスタンス化させるための第２命令でプログラムされ得るフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、１又は複数の動作及び／又は機能を遂行するための第１命令を実行し得るグラフィックスプロセッサユニット（ＧＰＵ）、１又は複数の動作及び／又は機能を遂行するための第１命令を実行し得るデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ＸＰＵ、ネットワーク処理ユニット（ＮＰＵ）、１又は複数の動作及び／又は機能を遂行するための第１命令を実行し得る１又は複数のマイクロコントローラ、及び／又は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）などの集積回路などのプログラマブルマイクロプロセッサを含む。例えば、ＸＰＵは、複数のタイプのプログラマブル回路構成（例えば、１又は複数のＦＰＧＡ、１又は複数のＣＰＵ、１又は複数のＧＰＵ、１又は複数のＮＰＵ、１又は複数のＤＳＰなど、及び／又は、それらの任意の組み合わせ）を含むヘテロジニアスなコンピューティングシステム、及び、オーケストレーション技術（例えば、コンピューティングタスクを遂行するために好適及び利用可能である複数のタイプのプログラマブル回路構成のうちどれか１つにコンピューティングタスクを割り振り得るアプリケーションプログラミングインタフェース（ＡＰＩ））によって実装され得る。
【0071】
本明細書において使用される場合、集積回路／回路構成は、トランジスタ、キャパシタ、インダクタ、抵抗器、電流経路、ダイオードなどの１又は複数の回路要素を含む、１又は複数の半導体パッケージとして定義される。例えば、集積回路は、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、チップ、マイクロチップ、プログラマブル回路構成、複数の回路要素を結合する半導体基板、システムオンチップ（ＳｏＣ）などのうちの１又は複数として実装され得る。
【0072】
以上のことから、光学フィルタをフォトマスクに組み込んで、フォトマスクの特定の領域を通る特定波長の光の選択的フィルタリングを可能にしつつ、他の波長の光がフォトマスクを通過することを可能にする、例示的なシステム、装置、製品、および方法が開示されたことが理解されるであろう。複数の波長の光を同時に使用すると、比較的長い波長の光を使用する利点を活かすだけでなく、比較的短い波長の光を使用する利点も活かすフォトリソグラフィプロセスが可能になる。具体的には、より短い波長の光ほど、より小さな回折角を有し、従って、より小さい、および／または、より近いフィーチャのためにより高い分解能のパターニングを可能にするという利点を有する。光の波長が長くなると、感光性材料（例えば、はんだレジスト）のより深くまで到達し得、光が到達する感光性材料の深さ以下で発生するアンダーカットのサイズとそれに伴う影響を軽減できる。開示されるシステム、装置、製品、及び方法は、従って、コンピュータ又は他の電子及び／又は機械デバイスなどの機械の動作における１又は複数の改善に関連する。
【0073】
更なる例及びその組み合わせは、以下を含む。
【0074】
例１は、透明基板、透明基板によって支持されている不透明材料、不透明材料は透明基板の第１の領域を覆う、および、透明基板によって支持されている光学フィルタ、光学フィルタは透明基板の第２の領域を覆う、第２の領域は第１の領域とは別個であり、不透明材料および光学フィルタの両方が透明基板の第３の領域から離間されている、を備えるフォトリソグラフィマスクを含む。
【0075】
例２は、例１のフォトリソグラフィマスクを含み、光学フィルタは、透明基板の表面に沿って不透明材料に直接隣接している。
【0076】
例３は、例１のフォトリソグラフィマスクを含み、不透明材料は透明基板および光学フィルタの間にある。
【0077】
例４は例１のフォトリソグラフィマスクを含み、光学フィルタは透明基板および不透明材料の間にある。
【0078】
例５は例１のフォトリソグラフィマスクを含み、光学フィルタを通過できるよりも多くの波長の光が透明基板を通過でき、不透明材料を通過できるよりも多くの波長の光が光学フィルタを通過できる。
【0079】
例６は例５のフォトリソグラフィマスクを含み、透明基板は、ｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方の通過を可能にし、光学フィルタは、ｉ－ライン光の通過を可能にするがｈ－ライン光はフィルタリングする。
【0080】
例７は例１のフォトリソグラフィマスクを含み、第１の領域は第１の直径の円形を有し、第２の領域は第２の直径の円形を有し、第２の直径は第１の直径よりも大きく、第１の領域は第２の領域の中央に配置される。
【0081】
例８は例１のフォトリソグラフィマスクを含み、不透明材料は第１の厚さを有し、光学フィルタは第２の厚さを有し、第２の厚さは第１の厚さよりも厚い。
【0082】
例９は例１のフォトリソグラフィマスクを含み、透明基板は第１波長および第２波長を含む光の通過を許容し、光学フィルタは第１波長に対応する光の第１の部分の通過を許容し且つ第２波長に対応する光の第２の部分をフィルタリングし、第１波長はほぼ３６５ナノメートルであり、第２波長はほぼ４０５ナノメートルである。
【0083】
例１０は例１のフォトリソグラフィマスクを含み、光学フィルタは干渉フィルタである。
【0084】
例１１は例１のフォトリソグラフィマスクを含み、光学フィルタは吸収フィルタである。
【0085】
例１２は例１のフォトリソグラフィマスクを含み、不透明材料は透明基板の第１の表面上にあり、光学フィルタは透明基板の第２の表面上にあり、第１の表面は第２の表面の反対にある。
【0086】
例１３は、光の通過を妨げる手段、光をフィルタリングする手段、および、妨げる手段に隣接するフィルタリングする手段を支持する手段を備え、支持する手段の一部分は妨げる手段から離間され且つフィルタリングする手段から離間されている、フォトリソグラフィマスクを含む。
【0087】
例１４は例１３のフォトリソグラフィマスクを含み、フィルタリングする手段は妨げる手段のエッジに接触している。
【0088】
例１５は例１３のフォトリソグラフィマスクを含み、フィルタリングする手段は、支持する手段の表面に対して妨げる手段を囲む。
【0089】
例１６は例１３のフォトリソグラフィマスクを含み、支持する手段の一部分はフィルタリングする手段によってフィルタリングされる光の通過を許容し、フィルタリングする手段は妨げる手段によって妨げられる光の通過を許容する。
【0090】
例１７はフォトリソグラフィマスクを製造する方法を含み、方法は、ガラスパネル上に不透明材料を堆積する段階、および、ガラスパネル上に光学フィルタを設ける段階を備え、光学フィルタは不透明材料のエッジから外側に延びており、ガラスパネルは光学フィルタのエッジを越えて延びている。
【0091】
例１８は例１７の方法を含み、ガラスパネル上に光学フィルタを設ける段階は、不透明材料の上に光学フィルタ用の材料を堆積する段階を含む。
【0092】
例１９は例１７の方法を含み、更に、光学的吸収材と感光性材料との混合物を生成する段階、不透明材料を覆うガラスパネル上に混合物を堆積する段階、混合物の保持される第１の部分、および、混合物の除去される第２の部分を画定するべく混合物をリソグラフィパターニングする段階、第１の部分は不透明材料と位置合わせされてそれを越えて延び、混合物の第２の部分を除去する段階、を備える。
【0093】
例２０は例１７の方法を含み、更に、不透明材料を覆うガラスパネル上にフォトレジストを堆積する段階、不透明材料を露出させ且つ不透明材料に隣接するガラスパネルの一部分を露出させるべくフォトレジストに開口部を設ける段階、および、開口部に複数の薄膜層を堆積することによって光学フィルタを設ける段階、を備え、複数の薄膜層は干渉フィルタを実現する。
【0094】
以下の請求項は、本明細書において、この参照によってこの詳細な説明に組み込まれる。特定の例示的なシステム、装置、製品及び方法が本明細書において開示されているが、この特許の包含の範囲は、これに限定されない。反対に、この特許は、この特許請求の範囲内にわずかでも属するシステム、装置、製品、及び方法のすべてを包含する。
［他の考え得る項目］
［項目１］
透明基板；
透明基板によって支持されている不透明材料、不透明材料は透明基板の第１の領域を覆う；および、
透明基板によって支持されている光学フィルタ、光学フィルタは透明基板の第２の領域を覆う、第２の領域は第１の領域とは別個である、不透明材料および光学フィルタの両方が透明基板の第３の領域から離間されている、
を備えるフォトリソグラフィマスク。
［項目２］
光学フィルタは、透明基板の表面に沿って不透明材料に直接隣接している、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目３］
不透明材料は透明基板および光学フィルタの間にある、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目４］
光学フィルタは透明基板および不透明材料の間にある、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目５］
光学フィルタを通過できるよりも多くの波長の光が透明基板を通過でき、不透明材料を通過できるよりも多くの波長の光が光学フィルタを通過できる、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目６］
透明基板は、ｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方の通過を可能にし、光学フィルタは、ｉ－ライン光の通過を可能にするがｈ－ライン光はフィルタリングする、項目５に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目７］
第１の領域は第１の直径の円形を有し、第２の領域は第２の直径の円形を有し、第２の直径は第１の直径よりも大きく、第１の領域は第２の領域の中央に配置される、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目８］
不透明材料は第１の厚さを有し、光学フィルタは第２の厚さを有し、第２の厚さは第１の厚さよりも厚い、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目９］
透明基板は第１波長および第２波長を含む光の通過を許容し、光学フィルタは第１波長に対応する光の第１の部分の通過を許容し且つ第２波長に対応する光の第２の部分をフィルタリングし、第１波長はほぼ３６５ナノメートルであり、第２波長はほぼ４０５ナノメートルである、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１０］
光学フィルタは干渉フィルタである、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１１］
光学フィルタは吸収フィルタである、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１２］
不透明材料は透明基板の第１の表面上にあり、光学フィルタは透明基板の第２の表面上にあり、第１の表面は第２の表面の反対にある、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１３］
光の通過を妨げる手段；
光をフィルタリングする手段；および、
妨げる手段に隣接するフィルタリングする手段を支持する手段
を備え、
支持する手段の一部分は妨げる手段から離間され且つフィルタリングする手段から離間されている、
フォトリソグラフィマスク。
［項目１４］
フィルタリングする手段は妨げる手段のエッジに接触している、項目１３に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１５］
フィルタリングする手段は、支持する手段の表面に対して妨げる手段を囲む、項目１３に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１６］
支持する手段の一部分はフィルタリングする手段によってフィルタリングされる光の通過を許容し、フィルタリングする手段は妨げる手段によって妨げられる光の通過を許容する、項目１３に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１７］
フォトリソグラフィマスクを製造する方法であって：
ガラスパネル上に不透明材料を堆積する段階；および、
ガラスパネル上に光学フィルタを設ける段階
を備え、
光学フィルタは不透明材料のエッジから外側に延びており、ガラスパネルは光学フィルタのエッジを越えて延びている、
方法。
［項目１８］
ガラスパネル上に光学フィルタを設ける段階は、不透明材料の上に光学フィルタ用の材料を堆積する段階を含む、項目１７に記載の方法。
［項目１９］
光学的吸収材と感光性材料との混合物を生成する段階；
不透明材料を覆うガラスパネル上に混合物を堆積する段階；
混合物の保持される第１の部分、および、混合物の除去される第２の部分を画定するべく混合物をリソグラフィパターニングする段階、第１の部分は不透明材料と位置合わせされてそれを越えて延びる；および、
混合物の第２の部分を除去する段階
を更に備える、項目１７に記載の方法。
［項目２０］
不透明材料を覆うガラスパネル上にフォトレジストを堆積する段階；
不透明材料を露出させ且つ不透明材料に隣接するガラスパネルの一部分を露出させるべくフォトレジストに開口部を設ける段階；および、
開口部に複数の薄膜層を堆積することによって光学フィルタを設ける段階
を更に備え、
複数の薄膜層は干渉フィルタを実現する、
項目１７に記載の方法。
［他の考え得る項目］
［項目１］
透明基板；
透明基板によって支持されている不透明材料、不透明材料は透明基板の第１の領域を覆う；および、
透明基板によって支持されている光学フィルタ、光学フィルタは透明基板の第２の領域を覆う、第２の領域は第１の領域とは別個である、不透明材料および光学フィルタの両方が透明基板の第３の領域から離間されている、
を備えるフォトリソグラフィマスク。
［項目２］
光学フィルタは、透明基板の表面に沿って不透明材料に直接隣接している、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目３］
不透明材料は透明基板および光学フィルタの間にある、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目４］
光学フィルタは透明基板および不透明材料の間にある、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目５］
光学フィルタを通過できるよりも多くの波長の光が透明基板を通過でき、不透明材料を通過できるよりも多くの波長の光が光学フィルタを通過できる、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目６］
透明基板は、ｉ－ライン光およびｈ－ライン光の両方の通過を可能にし、光学フィルタは、ｉ－ライン光の通過を可能にするがｈ－ライン光はフィルタリングする、項目５に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目７］
第１の領域は第１の直径の円形を有し、第２の領域は第２の直径の円形を有し、第２の直径は第１の直径よりも大きく、第１の領域は第２の領域の中央に配置される、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目８］
不透明材料は第１の厚さを有し、光学フィルタは第２の厚さを有し、第２の厚さは第１の厚さよりも厚い、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目９］
透明基板は第１波長および第２波長を含む光の通過を許容し、光学フィルタは第１波長に対応する光の第１の部分の通過を許容し且つ第２波長に対応する光の第２の部分をフィルタリングし、第１波長はほぼ３６５ナノメートルであり、第２波長はほぼ４０５ナノメートルである、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１０］
光学フィルタは干渉フィルタである、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１１］
光学フィルタは吸収フィルタである、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１２］
不透明材料は透明基板の第１の表面上にあり、光学フィルタは透明基板の第２の表面上にあり、第１の表面は第２の表面の反対にある、項目１に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１３］
光の通過を妨げる手段；
光をフィルタリングする手段；および、
妨げる手段に隣接するフィルタリングする手段を支持する手段
を備え、
支持する手段の一部分は妨げる手段から離間され且つフィルタリングする手段から離間されている、
フォトリソグラフィマスク。
［項目１４］
フィルタリングする手段は妨げる手段のエッジに接触している、項目１３に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１５］
フィルタリングする手段は、支持する手段の表面に対して妨げる手段を囲む、項目１３に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１６］
支持する手段の一部分はフィルタリングする手段によってフィルタリングされる光の通過を許容し、フィルタリングする手段は妨げる手段によって妨げられる光の通過を許容する、項目１３に記載のフォトリソグラフィマスク。
［項目１７］
フォトリソグラフィマスクを製造する方法であって：
ガラスパネル上に不透明材料を堆積する段階；および、
ガラスパネル上に光学フィルタを設ける段階
を備え、
光学フィルタは不透明材料のエッジから外側に延びており、ガラスパネルは光学フィルタのエッジを越えて延びている、
方法。
［項目１８］
ガラスパネル上に光学フィルタを設ける段階は、不透明材料の上に光学フィルタ用の材料を堆積する段階を含む、項目１７に記載の方法。
［項目１９］
光学的吸収材と感光性材料との混合物を生成する段階；
不透明材料を覆うガラスパネル上に混合物を堆積する段階；
混合物の保持される第１の部分、および、混合物の除去される第２の部分を画定するべく混合物をリソグラフィパターニングする段階、第１の部分は不透明材料と位置合わせされてそれを越えて延びる；および、
混合物の第２の部分を除去する段階
を更に備える、項目１７に記載の方法。
［項目２０］
不透明材料を覆うガラスパネル上にフォトレジストを堆積する段階；
不透明材料を露出させ且つ不透明材料に隣接するガラスパネルの一部分を露出させるべくフォトレジストに開口部を設ける段階；および、
開口部に複数の薄膜層を堆積することによって光学フィルタを設ける段階
を更に備え、
複数の薄膜層は干渉フィルタを実現する、
項目１７に記載の方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【外国語明細書】