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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025068579
(43)【公開日】2025-04-28
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20250421BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20250421BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 562
H01L21/68 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024130942
(22)【出願日】2024-08-07
(31)【優先権主張番号】P 2023178375
(32)【優先日】2023-10-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】中島 清次
(72)【発明者】
【氏名】渡邊 剛史
(72)【発明者】
【氏名】大薗 啓
(72)【発明者】
【氏名】榎木田 卓
【テーマコード（参考）】
5F131
5F146
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131BA12
5F131BA14
5F131BB02
5F131BB03
5F131CA32
5F131CA38
5F131DA32
5F131DA33
5F131DA36
5F131DA42
5F131DB02
5F131DB52
5F131DB62
5F131DB72
5F131DB76
5F131JA16
5F131JA28
5F131JA32
5F146JA27
5F146KA07
5F146LA11
(57)【要約】
【課題】高スループット化に伴う基板処理装置の大型化を抑制する。
【解決手段】基板を収容可能に構成された容器が複数載置される容器載置部を有する搬入出ブロックと、前記搬入出ブロックと幅方向に隣接するように設けられ、前記基板に処理を施す処理ユニットを複数有する処理ブロックと、を備え、前記搬入出ブロックは、前記基板を受け渡すための受け渡しユニットが積層された受け渡しブロックが、前記処理ブロックとの間での受け渡し用に、当該処理ブロック側に設けられ、、前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間で前記基板を搬送する第１搬送機構をさらに有し、前記処理ブロックは、前記受け渡しブロックと前記処理ユニットとの間で前記基板を搬送する第２搬送機構をさらに有し、前記第１搬送機構は、前記基板を支持する支持部を有し、前記支持部に支持された基板が、平面視で、前記受け渡しブロックを、前記幅方向と交差する奥行き方向に通り過ぎることが可能に構成されている、基板処理装置である。
【選択図】図１
【解決手段】基板を収容可能に構成された容器が複数載置される容器載置部を有する搬入出ブロックと、前記搬入出ブロックと幅方向に隣接するように設けられ、前記基板に処理を施す処理ユニットを複数有する処理ブロックと、を備え、前記搬入出ブロックは、前記基板を受け渡すための受け渡しユニットが積層された受け渡しブロックが、前記処理ブロックとの間での受け渡し用に、当該処理ブロック側に設けられ、、前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間で前記基板を搬送する第１搬送機構をさらに有し、前記処理ブロックは、前記受け渡しブロックと前記処理ユニットとの間で前記基板を搬送する第２搬送機構をさらに有し、前記第１搬送機構は、前記基板を支持する支持部を有し、前記支持部に支持された基板が、平面視で、前記受け渡しブロックを、前記幅方向と交差する奥行き方向に通り過ぎることが可能に構成されている、基板処理装置である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を収容可能に構成された容器が複数載置される容器載置部を有する搬入出ブロックと、
前記搬入出ブロックと幅方向に隣接するように設けられ、前記基板に処理を施す処理ユニットを複数有する処理ブロックと、を備え、
前記搬入出ブロックは、
前記基板を受け渡すための受け渡しユニットが積層された受け渡しブロックが、前記処理ブロックとの間での受け渡し用に、当該処理ブロック側に設けられ、
前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間で前記基板を搬送する第１搬送機構をさらに有し、
前記処理ブロックは、前記受け渡しブロックと前記処理ユニットとの間で前記基板を搬送する第２搬送機構をさらに有し、
前記第１搬送機構は、
前記基板を支持する支持部を有し、
前記支持部に支持された基板が、平面視で、前記受け渡しブロックを、前記幅方向と交差する奥行き方向に通り過ぎることが可能に構成されている、基板処理装置。
前記搬入出ブロックと幅方向に隣接するように設けられ、前記基板に処理を施す処理ユニットを複数有する処理ブロックと、を備え、
前記搬入出ブロックは、
前記基板を受け渡すための受け渡しユニットが積層された受け渡しブロックが、前記処理ブロックとの間での受け渡し用に、当該処理ブロック側に設けられ、
前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間で前記基板を搬送する第１搬送機構をさらに有し、
前記処理ブロックは、前記受け渡しブロックと前記処理ユニットとの間で前記基板を搬送する第２搬送機構をさらに有し、
前記第１搬送機構は、
前記基板を支持する支持部を有し、
前記支持部に支持された基板が、平面視で、前記受け渡しブロックを、前記幅方向と交差する奥行き方向に通り過ぎることが可能に構成されている、基板処理装置。
【請求項2】
前記第１搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記奥行き方向からのみ行う、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記搬入出ブロックにおける前記第１搬送機構が設けられた第１搬送空間に、上方から清浄気体を供給する第１送風ユニットをさらに備え、
前記第１搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記奥行き方向の一方側からのみ行い、
前記第１送風ユニットは、前記第１搬送空間のうち前記受け渡しブロックより前記奥行き方向の前記一方側にのみ前記清浄気体を供給するように構成され、
前記第１搬送空間のうち、前記受け渡しブロックより前記奥行き方向の他方側は、電装品を収納する収納部で埋められている、請求項２に記載の基板処理装置。
前記第１搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記奥行き方向の一方側からのみ行い、
前記第１送風ユニットは、前記第１搬送空間のうち前記受け渡しブロックより前記奥行き方向の前記一方側にのみ前記清浄気体を供給するように構成され、
前記第１搬送空間のうち、前記受け渡しブロックより前記奥行き方向の他方側は、電装品を収納する収納部で埋められている、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記容器載置部は、前記搬入出ブロックにおいて、前記幅方向にかかる前記処理ブロック側とは反対側に設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第１搬送機構は、前記容器載置部との間での前記基板の受け渡しを、前記幅方向にかかる前記処理ブロック側から行う、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記第１搬送機構は、前記支持部の鉛直方向への移動をガイドする第１ガイド部と、前記第１ガイド部の前記奥行き方向への移動をガイドする第２ガイド部と、をさらに有し、
前記幅方向について、前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間の隙間の大きさは、前記第１ガイド部の長さより大きく、且つ、前記支持部の長さよりも小さい、請求項４に記載の基板処理装置。
前記幅方向について、前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間の隙間の大きさは、前記第１ガイド部の長さより大きく、且つ、前記支持部の長さよりも小さい、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記第２搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記幅方向から行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記処理ブロックは、鉛直方向に複数のブロックに分割され、
前記複数のブロックそれぞれに前記第２搬送機構が設けられ、
前記受け渡しブロックは、前記複数のブロック全ての前記第２搬送機構との間で前記基板を受け渡しが可能に設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記複数のブロックそれぞれに前記第２搬送機構が設けられ、
前記受け渡しブロックは、前記複数のブロック全ての前記第２搬送機構との間で前記基板を受け渡しが可能に設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記処理ブロックにおける前記幅方向にかかる前記搬入出ブロックと反対側に設けられた他のブロックと、
前記処理ブロックにおける前記第２搬送機構が設けられた空間である第２搬送空間に上方から清浄気体を送る第２送風ユニットと、をさらに備え、
前記第２送風ユニットは、その一部が前記他のブロックの上に重ねられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記処理ブロックにおける前記第２搬送機構が設けられた空間である第２搬送空間に上方から清浄気体を送る第２送風ユニットと、をさらに備え、
前記第２送風ユニットは、その一部が前記他のブロックの上に重ねられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記処理ブロックは、前記幅方向に複数の分割ブロックに分割されており、
前記分割ブロック毎に、
複数の前記処理ユニットと、
前記幅方向に直線的にのみ前記基板を搬送するシャトル搬送機構と、が設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記分割ブロック毎に、
複数の前記処理ユニットと、
前記幅方向に直線的にのみ前記基板を搬送するシャトル搬送機構と、が設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記処理ブロックは、互いに隣り合う前記分割ブロックの間に中間ブロックをさらに有し、
前記中間ブロックは、前記受け渡しブロックを有し、
前記シャトル搬送機構は、前記受け渡しブロック間で、前記基板を前記幅方向に直線的に搬送する、請求項１０に記載の基板処理装置。
前記中間ブロックは、前記受け渡しブロックを有し、
前記シャトル搬送機構は、前記受け渡しブロック間で、前記基板を前記幅方向に直線的に搬送する、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記複数の前記分割ブロックは、前記幅方向に連なっており、
前記シャトル搬送機構は、当該シャトル搬送機構が設けられた前記分割ブロック内の前記受け渡しユニットと、当該分割ブロックに隣接する他の前記分割ブロック内の前記受け渡しユニットとの間で、前記基板を前記幅方向に直線的に搬送する、請求項１０に記載の基板処理装置。
前記シャトル搬送機構は、当該シャトル搬送機構が設けられた前記分割ブロック内の前記受け渡しユニットと、当該分割ブロックに隣接する他の前記分割ブロック内の前記受け渡しユニットとの間で、前記基板を前記幅方向に直線的に搬送する、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記シャトル搬送機構による直線的なウェハＷの搬送経路及び当該シャトル搬送機構が前記基板を搬送する前記受け渡しユニットは、平面視で前記処理ユニットに重なる、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記第１搬送機構は、前記幅方向にかかる前記搬入出ブロック側の前記分割ブロック内の、前記シャトル搬送機構が前記基板を搬送する前記受け渡しユニットに対しても、前記基板を搬送する、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記第１搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記奥行き方向の一方側からのみ行い、
前記幅方向にかかる前記搬入出ブロック側の前記分割ブロック内の、前記シャトル搬送機構が前記基板を搬送する前記受け渡しユニットは、前記奥行き方向について、前記搬入出ブロックの前記受け渡しブロックよりも前記一方側に設けられている、請求項１４に記載の基板処理装置。
前記幅方向にかかる前記搬入出ブロック側の前記分割ブロック内の、前記シャトル搬送機構が前記基板を搬送する前記受け渡しユニットは、前記奥行き方向について、前記搬入出ブロックの前記受け渡しブロックよりも前記一方側に設けられている、請求項１４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に開示の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対してレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理してキャリアブロックに受け渡す。この塗布、現像装置は処理ブロックを含む。処理ブロックは、塗布膜形成用の単位ブロックと、塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を含む。各単位ブロックは、液処理ユニットと、加熱ユニットと、冷却ユニットと、ユニット間で基板を搬送する搬送手段を備える。また、単位ブロックには、キャリアブロックとインターフェイスブロックとをつなぐための基板の搬送領域が形成されている。搬送領域のキャリアブロックと隣接する領域は、基板の受け渡し領域となっている。この受け渡し領域には、１個以上の受け渡しステージを備える棚ユニットが設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００６－２０３０７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、高スループット化に伴う基板処理装置の大型化を抑制する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、基板を収容可能に構成された容器が複数載置される容器載置部を有する搬入出ブロックと、前記搬入出ブロックと幅方向に隣接するように設けられ、前記基板に処理を施す処理ユニットを複数有する処理ブロックと、を備え、前記搬入出ブロックは、前記基板を受け渡すための受け渡しユニットが積層された受け渡しブロックが、前記処理ブロックとの間での受け渡し用に、当該処理ブロック側に設けられ、前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間で前記基板を搬送する第１搬送機構をさらに有し、前記処理ブロックは、前記受け渡しブロックと前記処理ユニットとの間で前記基板を搬送する第２搬送機構をさらに有し、前記第１搬送機構は、前記基板を支持する支持部を有し、前記支持部に支持された基板が、平面視で、前記受け渡しブロックを、前記幅方向と交差する奥行き方向に通り過ぎることが可能に構成されている、基板処理装置である。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、高スループット化に伴う基板処理装置の大型化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置の構成の概略を示す説明図である。
【図3】処理ブロックの構成の概略を模式的に示す説明図である。
【図4】カセットブロックにおける処理ブロック側の構成の説明図である。
【図5】カセットブロックのサイズの説明図である。
【図6】インターフェイスブロックの構成の説明図である。
【図7】カセットブロックが有する受け渡しブロックの変形例の説明図である。
【図8】処理ブロックの上側サブブロックが有する上側の層の具体例の説明図である。
【図9】処理ブロックの上側サブブロックが有する上側の層の具体例の説明図である。
【図10】処理ブロックの上側サブブロックが有する上側の層の具体例の説明図である。
【図11】処理ブロックの上側サブブロックが有する上側の層の具体例の説明図である。
【図12】処理ブロックの変形例１の構成の概略を示す説明図である。
【図14】分割ブロックの構成の概略を模式的に示す説明図である。
【図15】中間ブロックの構成の説明図である。
【図16】処理ブロックの変形例２の構成の概略を示す説明図である。
【図18】処理ブロックの変形例３の構成の概略を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
半導体デバイス等の製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板上にレジストパターンを形成するために所定の処理が行われる。この所定の処理には、例えば基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等である。これらの処理のうち、レジスト塗布処理や現像処理等は、基板に各種処理を施す各種処理ユニットや基板を搬送する搬送ユニット等を搭載した基板処理装置である塗布現像装置で行われている。
【0009】
基板処理装置には高スループットが求められる。高スループット化を達成するためには、基板処理装置への各処理ユニットの搭載数を多くする必要がある。しかし、このように搭載数を多くすると、装置が大型化してしまう。具体的には、装置の占有床面積が大きくなってしまう。
【0010】
そこで、本開示にかかる技術は、高スループット化に伴う基板処理装置の大型化を抑制する。
【0011】
以下、本実施形態にかかる基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0012】
＜塗布現像装置＞
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置の構成の概略を示す説明図である。図２は、図１の塗布現像装置の手前側の構成の概略を示す説明図である。図３は、後述の処理ブロックの構成の概略を模式的に示す説明図である。なお、図２では、後述の収納部５０の図示を省略している。
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置の構成の概略を示す説明図である。図２は、図１の塗布現像装置の手前側の構成の概略を示す説明図である。図３は、後述の処理ブロックの構成の概略を模式的に示す説明図である。なお、図２では、後述の収納部５０の図示を省略している。
【0013】
図１及び図２に示すように、塗布現像装置１は、搬入出ブロックとしてのカセットブロック１０と、処理ブロック１１と、他のブロックとしてのインターフェイスブロック１２とを備え、露光装置（図示せず）と連結される。カセットブロック１０と、処理ブロック１１と、インターフェイスブロック１２とは、水平方向の一方向である幅方向（図のＹ方向）にこの順で並ぶように設けられ、一体に接続されている。また、インターフェイスブロック１２における処理ブロック１１と反対側に露光装置が連結される。なお、露光装置は、ウェハＷに、露光処理を施すものである。
【0014】
カセットブロック１０には、ウェハＷを収容可能に構成された容器であるカセットＣが搬入出される。
カセットブロック１０は、カセットＣが複数載置される容器載置部としてのカセット載置台２０を有する。カセットブロック１０において、カセット載置台２０は、例えば、幅方向一方側（図のＹ方向負側）の端部に設けられ、すなわち、幅方向にかかる処理ブロック１１側とは反対側の端部に設けられている。
カセットブロック１０は、カセットＣが複数載置される容器載置部としてのカセット載置台２０を有する。カセットブロック１０において、カセット載置台２０は、例えば、幅方向一方側（図のＹ方向負側）の端部に設けられ、すなわち、幅方向にかかる処理ブロック１１側とは反対側の端部に設けられている。
【0015】
カセット載置台２０には、カセットＣが、奥行き方向（図のＸ方向）に複数並ぶように載置される。具体的には、カセット載置台２０上に、奥行き方向に一列に並べて、複数（例えば４つ）の載置板２１が設けられ、各載置板２１には、塗布現像装置１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。なお、奥行き方向は、平面視で幅方向（図のＹ方向）と交差する方向であり、具体的には、平面視で幅方向と直交する方向である。
【0016】
載置板２１は、昇降板（図示せず）を含む。昇降板は、載置板２１に載置されたカセットＣ内のウェハＷを、複数まとめて昇降させ、カセット載置台２０内に移動させ、後述の第１搬送機構４０との間でのウェハＷの受け渡しを可能とする。昇降板は、例えば、昇降機構（図示せず）により、上側の第１位置と下側の第２位置との間で昇降する。第１位置は、昇降板上のウェハＷがカセットＣ内に位置する位置であり、第２位置は、昇降板と第１搬送機構４０との間でウェハＷの受け渡しが行われる位置である。
なお、ウェハＷの直径によっては、上述のような昇降板を介して、カセットＣと第１搬送機構４０との間でウェハＷを受け渡すことが、規格で定められている。
なお、ウェハＷの直径によっては、上述のような昇降板を介して、カセットＣと第１搬送機構４０との間でウェハＷを受け渡すことが、規格で定められている。
【0017】
また、カセットブロック１０は、受け渡しブロック３０を有する。受け渡しブロック３０は、ウェハＷを受け渡すための受け渡しユニット３１が積層されたものである。カセットブロック１０において、受け渡しブロック３０は、処理ブロック１１との間での受け渡し用に、幅方向の処理ブロック１１側（図のＹ方向正側）に設けられる。具体的には、カセットブロック１０における、処理ブロック１１の後述の第２搬送空間Ｋ２と幅方向（図のＹ方向）で隣接する部分に、受け渡しブロック３０は設けられる。
【0018】
さらに、カセットブロック１０は、カセット載置台２０と受け渡しブロック３０との間でウェハＷを搬送する第１搬送機構４０を有する。第１搬送機構４０は、ウェハＷを支持する支持部としてのフォーク４１を有する。フォーク４１は、鉛直方向（図のＺ方向）、鉛直軸周りの方向、奥行き方向（図のＸ方向）及び幅方向（図のＹ方向）に移動自在に構成されている。
そして、第１搬送機構４０は、図１において、黒色の太線矢印で示すように、フォーク４１に支持されたウェハＷが、平面視で、受け渡しブロック３０を奥行き方向（図のＸ方向）に通り過ぎることが可能に構成されている。
そして、第１搬送機構４０は、図１において、黒色の太線矢印で示すように、フォーク４１に支持されたウェハＷが、平面視で、受け渡しブロック３０を奥行き方向（図のＸ方向）に通り過ぎることが可能に構成されている。
【0019】
また、カセットブロック１０は、後述するように、収納部５０を有する。さらに、カセットブロック１０に対しては、後述するように、第１送風ユニット６０（図４参照）が設けられている。
カセットブロック１０の詳細な構成については後述する。
カセットブロック１０の詳細な構成については後述する。
【0020】
処理ブロック１１は、現像処理等の所定の処理を施す各種処理ユニットを複数有するものであり、カセットブロック１０と幅方向（図のＹ方向）に隣接するように設けられている。
【0021】
また、処理ブロック１１は第２搬送機構７０をさらに有する。
第２搬送機構７０は、受け渡しブロック３０と処理ブロック１１内の処理ユニットとの間でウェハＷを搬送する。第２搬送機構７０は、処理ブロック１１内の処理ユニット間でウェハＷを搬送してもよい。また、本例において、第２搬送機構７０は、処理ブロック１１内の処理ユニットとインターフェイスブロック１２の後述の受け渡しブロック１１０との間でも、ウェハＷを搬送する。
この第２搬送機構７０は、受け渡しブロック３０との間でのウェハＷの受け渡しを、幅方向（図のＹ方向）から行う。
第２搬送機構７０は、受け渡しブロック３０と処理ブロック１１内の処理ユニットとの間でウェハＷを搬送する。第２搬送機構７０は、処理ブロック１１内の処理ユニット間でウェハＷを搬送してもよい。また、本例において、第２搬送機構７０は、処理ブロック１１内の処理ユニットとインターフェイスブロック１２の後述の受け渡しブロック１１０との間でも、ウェハＷを搬送する。
この第２搬送機構７０は、受け渡しブロック３０との間でのウェハＷの受け渡しを、幅方向（図のＹ方向）から行う。
【0022】
例えば、処理ブロック１１では、図３に示すように、第２搬送機構７０がそれぞれ設けられたサブブロックＢＬが鉛直方向に積層され、図の例では、２つのサブブロックＢＬが鉛直方向に積層されている。以下では、上側のサブブロックＢＬを上側サブブロックＢＬ１、下側のサブブロックＢＬを下側サブブロックＢＬ２ということがある。
【0023】
各サブブロックＢＬにおける奥行き方向（図のＸ方向）中央には、第２搬送機構７０が設けられた第２搬送空間Ｋ２が、平面視で幅方向（図のＹ方向）に延びるように形成されている。
【0024】
また、各サブブロックＢＬにおける、第２搬送空間Ｋ２の手前側（図のＸ方向負側）の空間と奥側（図のＸ方向正側）の空間それぞれに、処理ユニットが鉛直方向（図のＺ方向）及び幅方向（図のＹ方向）の両方に沿って複数設けられている。
【0025】
上側サブブロックＢＬ１における第２搬送空間Ｋ２の手前側（図のＸ方向負側）は、上側の層ＢＬ１１と下側の層ＢＬ１２に分割されている。層ＢＬ１１、ＢＬ１２それぞれに、図２に示すように、幅方向（図のＹ方向）に沿って、現像ユニットＤＥＶが複数（図の例では２つ）設けられている。
【0026】
現像ユニットＤＥＶは、露光後のウェハＷに現像処理を施し、ウェハＷ上のレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する。各現像ユニットＤＥＶは、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック８１と、スピンチャック８１上のウェハＷを囲みウェハＷから飛散等した処理液を回収するカップ８２と、を有する。また、図１に示すように、スピンチャック８１に保持されたウェハＷに、現像液を処理液として吐出するノズル８３が設けられている。このノズル８３は、例えば、層ＢＬ１１、ＢＬ１２それぞれに１つ設けられ、同じ層の現像ユニットＤＥＶ間で共有される。
【0027】
下側サブブロックＢＬ２における第２搬送空間Ｋ２の手前側も、図２に示すように、上側サブブロックＢＬ１と同様、上側の層ＢＬ２１と下側の層ＢＬ２２に分割されている。ただし、下側サブブロックＢＬ２では、層ＢＬ２１、ＢＬ２２それぞれに、幅方向（図のＹ方向）に沿って、レジスト膜形成ユニットＣＯＴが複数（図の例では２つ）設けられている。
【0028】
レジスト膜形成ユニットＣＯＴは、ウェハＷにレジスト膜形成処理を施し、ウェハＷ上にレジスト膜を形成する。各レジスト膜形成ユニットＣＯＴは、現像ユニットＤＥＶと同様、スピンチャック８１とカップ８２とを有する。また、同じ層のレジスト膜形成ユニットＣＯＴ間で共有されるノズル８３が設けられている。なお、レジスト膜形成ユニットＣＯＴに対するノズル８３からは、レジスト膜形成用のレジスト液が処理液として吐出される。
【0029】
図１及び図３に示すように、各サブブロックＢＬにおける第２搬送空間Ｋ２の奥側（図のＸ方向正側）の上部には、熱処理ユニットＨＴが、鉛直方向（図のＺ方向）に沿って複数（図３の例では４つ）設けられ、また、幅方向（図のＹ方向）に沿っても複数（図１の例では３つ）設けられている。各熱処理ユニットＨＴは、例えば、ウェハＷに加熱処理を施す。各熱処理ユニットＨＴは、ウェハＷに加熱処理及び冷却処理の両方を施してもよい。
なお、各サブブロックＢＬにおける第２搬送空間Ｋ２の奥側下部には、収納部９０が設けられている。収納部９０には、熱処理ユニットＨＴ用の電装品（例えば熱処理ユニットＨＴを制御するドライバ等）が収納される。
なお、各サブブロックＢＬにおける第２搬送空間Ｋ２の奥側下部には、収納部９０が設けられている。収納部９０には、熱処理ユニットＨＴ用の電装品（例えば熱処理ユニットＨＴを制御するドライバ等）が収納される。
【0030】
さらに処理ブロック１１では、下側サブブロックＢＬ２の下側にユーティリティ部Ｕが設けられている。ユーティリティ部Ｕは、例えば、収納部として機能し、レジスト膜形成ユニットＣＯＴへのレジスト液の供給に関する部材（レジスト液の貯留ボトル等）が収納される。
【0031】
さらに、処理ブロック１１では、サブブロックＢＬ毎に、第２送風ユニット１００のフィルタ１０２が設けられている。
第２送風ユニット１００は、第２搬送空間Ｋ２に上方から、清浄気体を供給する。第２送風ユニット１００は、フィルタ１０２に加え、ファンユニット１０１（図６参照）を含む。
第２送風ユニット１００は、第２搬送空間Ｋ２に上方から、清浄気体を供給する。第２送風ユニット１００は、フィルタ１０２に加え、ファンユニット１０１（図６参照）を含む。
【0032】
ファンユニット１０１は、気体をフィルタ１０２に送る。具体的には、例えば、ファンユニット１０１は、当該ファンユニット１０１に気体を取り込むと共に、取り込まれた気体を、ダクト（図示せず）を介して、フィルタ１０２に送る。ファンユニット１０１は、サブブロックＢＬ間で共有される。ファンユニット１０１の配設位置は、インターフェイスブロック１２上であってもよい。すなわち、ファンユニット１０１は、インターフェイスブロック１２の上に重ねられてもよい。
【0033】
フィルタ１０２は、ファンユニット１０１から送られた気体を清浄化すると共に、すなわち、上記気体中のパーティクルをフィルタリングすると共に、清浄化された気体（清浄気体）を、下方の第２搬送空間Ｋ２に向けて吹き出す。
フィルタ１０２は、対応する第２搬送空間Ｋ２の上方に設けられている。
フィルタ１０２は、対応する第２搬送空間Ｋ２の上方に設けられている。
【0034】
このように、第２送風ユニット１００の一部（具体的にはファンユニット１０１）が、インターフェイスブロック１２の上に重ねられている。
【0035】
インターフェイスブロック１２は、処理ブロック１１と露光装置（図示せず）との間に設けられ、これらの間でウェハＷを中継する。
インターフェイスブロック１２は、図１及び図２に示すように、受け渡しブロック１１０を有する。受け渡しブロック１１０は、ウェハＷを受け渡すための受け渡しユニット１１１が積層されたものである。インターフェイスブロック１２において、受け渡しブロック１１０は、処理ブロック１１との間でのウェハＷの受け渡し用に、幅方向の処理ブロック１１側（図のＹ方向負側）に設けられる。具体的には、インターフェイスブロック１２における、処理ブロック１１の第２搬送空間Ｋ２と幅方向（図のＹ方向）で隣接する位置に、受け渡しブロック１１０は設けられている。
インターフェイスブロック１２は、図１及び図２に示すように、受け渡しブロック１１０を有する。受け渡しブロック１１０は、ウェハＷを受け渡すための受け渡しユニット１１１が積層されたものである。インターフェイスブロック１２において、受け渡しブロック１１０は、処理ブロック１１との間でのウェハＷの受け渡し用に、幅方向の処理ブロック１１側（図のＹ方向負側）に設けられる。具体的には、インターフェイスブロック１２における、処理ブロック１１の第２搬送空間Ｋ２と幅方向（図のＹ方向）で隣接する位置に、受け渡しブロック１１０は設けられている。
【0036】
また、インターフェイスブロック１２は、受け渡しブロック１１０と露光装置との間でウェハＷを搬送する第３搬送機構１２０を有する。第３搬送機構１２０は、ウェハＷを支持するフォーク１２１を有する。フォーク１２１は、鉛直方向（図のＺ方向）、鉛直軸周りの方向、奥行き方向（図のＸ方向）及び幅方向（図のＹ方向）に移動自在に構成されている。
【0037】
さらに、インターフェイスブロック１２に対しては、後述するように、第３送風ユニット１３０が設けられている。
インターフェイスブロック１２の詳細な構成については後述する。
インターフェイスブロック１２の詳細な構成については後述する。
【0038】
また、塗布現像装置１は、第１～第３搬送機構４０、７０、１２０の制御を含む当該塗布現像装置１を構成する部分の制御を行う制御部２００を有している。制御部２００は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリを備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、塗布現像装置１による処理を制御する指令を含むプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。
制御部２００は、カセットブロック１０の後述の収納部５１または収納部５２に収納されてもよい。
制御部２００は、カセットブロック１０の後述の収納部５１または収納部５２に収納されてもよい。
【0039】
＜カセットブロック１０＞
次に、カセットブロック１０のより詳細な構成について、図１及び図２を参照し、図４及び図５を用いて、説明する。図４は、カセットブロック１０における処理ブロック１１側の構成の説明図である。図５は、カセットブロック１０のサイズの説明図である。
次に、カセットブロック１０のより詳細な構成について、図１及び図２を参照し、図４及び図５を用いて、説明する。図４は、カセットブロック１０における処理ブロック１１側の構成の説明図である。図５は、カセットブロック１０のサイズの説明図である。
【0040】
カセットブロック１０は前述のように第１搬送機構４０を有する。
第１搬送機構４０は、図４に示すように、フォーク４１に加えて、第１ガイド部４２と第２ガイド部４３とを有する。
第１搬送機構４０は、図４に示すように、フォーク４１に加えて、第１ガイド部４２と第２ガイド部４３とを有する。
【0041】
第１ガイド部４２は、フォーク４１の鉛直方向（図のＺ方向）への移動をガイドする。具体的には、第１ガイド部４２は、例えば、当該第１ガイド部４２に沿って昇降体４４を移動させる。昇降体４４には、回動体４５を介してフォーク４１が支持される。回動体４５は、昇降体４４上を回動する。フォーク４１は、回動体４５に対して水平に進退する。
【0042】
第２ガイド部４３は、第１ガイド部４２の奥行き方向（図のＸ方向）への移動をガイドする。具体的には、第２ガイド部４３は、以下のように第１ガイド部４２が移動するのをガイドする。すなわち、図１及び図２に示すように、第１搬送機構４０が設けられた第１搬送空間Ｋ１における、平面視でカセット載置台２０と幅方向（図のＹ方向）に隣接する領域を、第１ガイド部４２が奥行き方向に移動するのを、第２ガイド部４３はガイドする。
【0043】
カセットブロック１０では、幅方向（図のＹ方向）について、以下の条件（Ａ）を満たす。
（Ａ）図５に示すように、カセット載置台２０と受け渡しブロック３０との間の隙間ｈ１の大きさ（幅）Ｗ１は、第１ガイド部４２の長さ（幅）Ｗ２よりも大きく、且つ、フォーク４１の長さ（幅）よりも小さい。
（Ａ）図５に示すように、カセット載置台２０と受け渡しブロック３０との間の隙間ｈ１の大きさ（幅）Ｗ１は、第１ガイド部４２の長さ（幅）Ｗ２よりも大きく、且つ、フォーク４１の長さ（幅）よりも小さい。
【0044】
なお、条件（Ａ）における「フォーク４１の長さ」とは、奥行き方向（図のＸ方向）に移動する時の、フォーク４１の幅方向（図のＹ方向）にかかる大きさを意味する。
【0045】
前述のように、カセットブロック１０において、第１搬送機構４０は、フォーク４１に支持されたウェハＷが、平面視で、受け渡しブロック３０を奥行き方向（図のＸ方向）に通り過ぎることが可能に構成されている。このように通り過ぎる際、カセットブロック１０が上記条件（Ａ）を満たすため、第１ガイド部４２は、上記隙間ｈ１を通過することができる。
【0046】
なお、上記条件（Ａ）を満たす場合、フォーク４１が奥行き方向（図のＸ方向）に移動したときに、第１ガイド部４２は上記隙間ｈ１を通過することができるが、フォーク４１に支持されたウェハＷは上記隙間ｈ１を通過することはできない。
【0047】
また、第１搬送機構４０は、カセット載置台２０との間でのウェハＷの受け渡しを、幅方向（図のＹ方向）にかかる処理ブロック１１側から行う。
【0048】
一方、第１搬送機構４０は、受け渡しブロック３０との間でのウェハＷの受け渡し（すなわち受け渡しブロック３０に対するウェハＷの搬送）を、奥行き方向（図のＸ方向）からのみ行い、幅方向（図のＹ方向）からは行わない。具体的には、第１搬送機構４０は、図１において白抜き点線矢印で示すように、受け渡しブロック３０との間でのウェハＷの受け渡しを、奥側（図のＸ方向正側）からのみ行い、幅方向（図のＹ方向）及び手前側（図のＸ方向負側）からは行わない。
【0049】
また、カセットブロック１０では、第１搬送空間Ｋ１内に受け渡しブロック３０が設けられる。
【0050】
第１搬送空間Ｋ１内において、受け渡しブロック３０は、処理ブロック１１が含む全てのサブブロックＢＬの第２搬送機構７０との間でウェハＷが受け渡し可能に設けられている。具体的には、例えば、受け渡しブロック３０は、図２に示すように、鉛直方向（図のＸ方向）に連続し、幅方向（図のＹ方向）視で上側サブブロックＢＬ１と下側サブブロックＢＬ２の両方と重なるように設けられている。
【0051】
受け渡しブロック３０の上端の高さは、例えば、第１搬送空間Ｋ１を画成するカセットブロック１０の筐体１０ａの天井面の高さと略一致する。すなわち、受け渡しブロック３０は、筐体１０ａの天井面との間に隙間が殆ど生じないように設けられる。
また、受け渡しブロック３０の下端の高さは、下側サブブロックＢＬ２の第２搬送機構７０と受け渡しブロック３０との間でもウェハＷが受け渡し可能な高さであり、例えば、層ＢＬ２１の下端の高さと略一致する。
また、受け渡しブロック３０の下端の高さは、下側サブブロックＢＬ２の第２搬送機構７０と受け渡しブロック３０との間でもウェハＷが受け渡し可能な高さであり、例えば、層ＢＬ２１の下端の高さと略一致する。
【0052】
図４に示すように、筐体１０ａにより画成される第１搬送空間Ｋ１のうち、受け渡しブロック３０より手前側（図のＸ方向負側）は、各種電装品を収納する収納部５０で埋められている。具体的には、図１及び図４に示すように、第１搬送空間Ｋ１のうち、受け渡しブロック３０より手前側であって処理ブロック１１側（図のＹ方向正側）且つ上側の部分は、収納部５０で埋められている。収納部５０は、鉛直方向（図のＺ方向）について、受け渡しブロック３０と略同じ範囲に存在する。すなわち、収納部５０の上端部と下端部の高さは、受け渡しブロック３０のものと略一致する。
【0053】
また、カセットブロック１０に対しては、第１送風ユニット６０が設けられている。
第１送風ユニット６０は、第１搬送空間Ｋ１に上方から、清浄気体を供給する。第１送風ユニット６０は、ファンユニット６１及びフィルタ６２を含む。
ファンユニット６１は、気体をフィルタ６２に送る。具体的には、例えば、ファンユニット６１は、当該ファンユニット６１に気体を取り込むと共に、取り込んだ気体をフィルタ６２に送る。
フィルタ６２は、ファンユニット６１から送られた気体を清浄化すると共に、すなわち、上記気体中のパーティクルをフィルタリングすると共に、清浄化された気体（清浄気体）を下方の第１搬送空間Ｋ１に向けて吹き出す。
第１送風ユニット６０は、第１搬送空間Ｋ１に上方から、清浄気体を供給する。第１送風ユニット６０は、ファンユニット６１及びフィルタ６２を含む。
ファンユニット６１は、気体をフィルタ６２に送る。具体的には、例えば、ファンユニット６１は、当該ファンユニット６１に気体を取り込むと共に、取り込んだ気体をフィルタ６２に送る。
フィルタ６２は、ファンユニット６１から送られた気体を清浄化すると共に、すなわち、上記気体中のパーティクルをフィルタリングすると共に、清浄化された気体（清浄気体）を下方の第１搬送空間Ｋ１に向けて吹き出す。
【0054】
第１送風ユニット６０は、例えば、第１搬送空間Ｋ１のうち、収納部５０で埋められていない受け渡しブロック３０より奥側（図のＸ方向正側）にのみ、清浄気体を供給する。
具体的には、第１搬送空間Ｋ１における受け渡しブロック３０より奥側の部分の上方にのみ、フィルタ６２が設けられている。
具体的には、第１搬送空間Ｋ１における受け渡しブロック３０より奥側の部分の上方にのみ、フィルタ６２が設けられている。
【0055】
なお、第１送風ユニット６０から第１搬送空間Ｋ１に供給された清浄気体が、ウェハＷが通過し得る収納部５０の下方も流れるように、カセットブロック１０の底側からの排気が、手前側と奥側（図のＸ方向正側と負側）の両方から行われてもよい。すなわち、カセットブロック１０の底部における。手前側と奥側に、第１搬送空間Ｋ１から排気する排気口（図示せず）が設けられていてもよい。
【0056】
なお、カセットブロック１０の上部に、各種電装品を収納する収納部５１、５２がさらに設けられていてもよい。ただし、収納部５１、５２の上端の高さは、処理ブロック１１の上端の高さ以下とされる。例えば、収納部５１は、フィルタ６２の上方に設けられ、収納部５２は、受け渡しブロック３０の上方と収納部５０の上方とに跨るように設けられる。
【0057】
また、第１送風ユニット６０のファンユニット６１は、第１搬送空間Ｋ１より高い位置であって第１搬送空間Ｋ１より奥側（図のＸ方向正側）に設けられていてもよい。この場合、ファンユニット６１の下側の部分が、各種電装品を収納する収納部５３となっていてもよい。収納部５３は、上面視でカセット載置台２０と重なる領域まで延びていてもよい。
【0058】
【0059】
インターフェイスブロック１２は前述のように第３搬送機構１２０を有する。
第３搬送機構１２０は、例えば、フォーク１２１が受け渡しブロック１１０の手前側（図６等のＸ方向負側）の空間のみを移動すると共に、フォーク１２１が受け渡しブロック１１０との間でのウェハＷの受け渡しを手前側からのみ行う、ように構成されている。
第３搬送機構１２０は、例えば、フォーク１２１が受け渡しブロック１１０の手前側（図６等のＸ方向負側）の空間のみを移動すると共に、フォーク１２１が受け渡しブロック１１０との間でのウェハＷの受け渡しを手前側からのみ行う、ように構成されている。
【0060】
また、インターフェイスブロック１２では、第３搬送機構１２０が設けられた第３搬送空間Ｋ３内に受け渡しブロック１１０が設けられる。
【0061】
第１搬送空間Ｋ１内において、受け渡しブロック１１０は、処理ブロック１１が含む全てのサブブロックＢＬの第２搬送機構７０との間でウェハＷが受け渡し可能に設けられている。具体的には、例えば、受け渡しブロック１１０は、図２に示すように、鉛直方向（図のＺ方向）に連続し、幅方向（図のＹ方向）視で上側サブブロックＢＬ１と下側サブブロックＢＬ２の両方と重なっている。
【0062】
受け渡しブロック１１０は、例えば、図６に示すように、第３搬送空間Ｋ３を画成するインターフェイスブロック１２の筐体１２ａの天井面との間に隙間を空けて設けられる。
【0063】
第３搬送空間Ｋ３における奥側（図のＸ方向正側）且つ上側の端部には、各種電装品を収納する収納部１４０が設けられている。収納部１４０は、受け渡しブロック１１０と間を空けて設けられている。
【0064】
また、第３搬送空間Ｋ３を画成する筐体１２ａの奥行き（図のＸ方向の長さ）は、処理ブロック１１の奥行きよりも小さい。そのため、筐体１２ａと処理ブロック１１とは、正面側（図のＸ方向正側）端が略一致するが、奥側（図のＹ方向負側）端が一致せず、奥側端は、処理ブロック１１の方が奥側に位置する。
【0065】
さらに、インターフェイスブロック１２に対しては、第３送風ユニット１３０が設けられている。
第３送風ユニット１３０は、第３搬送空間Ｋ３に上方から、清浄気体を供給する。第３送風ユニット１３０は、ファンユニット１３１及びフィルタ１３２を含む。
ファンユニット１３１は、気体をフィルタ１３２に送る。具体的には、例えば、ファンユニット１３１は、当該ファンユニット１３１に気体を取り込むと共に、取り込んだ気体を、ダクト１３３を介して、フィルタ１３２に送る。
フィルタ１３２は、ファンユニット１３１から送られた気体を清浄化すると共に、すなわち、上記気体中のパーティクルをフィルタリングすると共に、清浄化された気体（清浄気体）を下方の第３搬送空間Ｋ３に向けて吹き出す。
第３送風ユニット１３０は、第３搬送空間Ｋ３に上方から、清浄気体を供給する。第３送風ユニット１３０は、ファンユニット１３１及びフィルタ１３２を含む。
ファンユニット１３１は、気体をフィルタ１３２に送る。具体的には、例えば、ファンユニット１３１は、当該ファンユニット１３１に気体を取り込むと共に、取り込んだ気体を、ダクト１３３を介して、フィルタ１３２に送る。
フィルタ１３２は、ファンユニット１３１から送られた気体を清浄化すると共に、すなわち、上記気体中のパーティクルをフィルタリングすると共に、清浄化された気体（清浄気体）を下方の第３搬送空間Ｋ３に向けて吹き出す。
【0066】
第３送風ユニット１３０は、例えば、第３搬送空間Ｋ３のうち以下の部分に清浄気体を供給する。
・ウェハＷが通過し得る受け渡しブロック１１０より手前側（図のＸ方向負側）の空間
・受け渡しブロック１１０と上面視で重なる空間
・受け渡しブロック１１０と収納部１４０との間の空間
・ウェハＷが通過し得る受け渡しブロック１１０より手前側（図のＸ方向負側）の空間
・受け渡しブロック１１０と上面視で重なる空間
・受け渡しブロック１１０と収納部１４０との間の空間
【0067】
具体的には、フィルタ１３２が、筐体１２ａの手前側（図のＸ方向負側）端から、受け渡しブロック１１０と収納部１４０との間の部分に至るまで、設けられている。
【0068】
また、第３送風ユニット１３０のファンユニット１３１は、筐体１２ａより奥側（図のＸ方向正側）に設けられていてもよい。ただし、この場合、ファンユニット１３１は、その奥側端が、処理ブロック１１の奥側端より奥側に位置しないように設けられる。
【0069】
前述のように、処理ブロック１１に用いられる第２送風ユニット１００のファンユニット１０１が、インターフェイスブロック１２の上に重ねられてもよい。具体的には、ファンユニット１０１は、フィルタ１３２の上に重ねられてもよい。ただし、ファンユニット１０１の上端の高さは、処理ブロック１１の上端の高さ以下とされる。このようにファンユニット１０１を設けることによって、塗布現像装置１の全体的な高さを抑えることができる。
【0070】
また、インターフェイスブロック１２におけるファンユニット１０１より手前側（図のＸ方向負側）の部分の上方及び奥側（図のＸ方向正側）の部分の上方のそれぞれに、収納部１４１、１４２が設けられてもよい。ただし、収納部１４１、１４２の上端の高さは、処理ブロック１１の上端の高さ以下とされる。収納部１４１、１４２には、例えば、従来処理ブロック１１の上方に搭載されていた物（例えばレジスト膜形成ユニットＣＯＴ用の電装品や第２搬送機構７０用の電装品）が収納される。このように収納部１４１、１４２を設けることによっても、塗布現像装置１の全体的な高さを抑えることができる。
【0071】
＜塗布現像装置１による処理の例＞
次に、塗布現像装置１による処理の一例について説明する。なお、以下の各工程は、プログラム格納部（図示せず）に格納されたプログラムに基づく制御部２００の制御の下、実行される。
次に、塗布現像装置１による処理の一例について説明する。なお、以下の各工程は、プログラム格納部（図示せず）に格納されたプログラムに基づく制御部２００の制御の下、実行される。
【0072】
（ステップＳ１）
まず、塗布現像装置１の受け渡しブロック３０内にウェハＷが搬入される。
まず、塗布現像装置１の受け渡しブロック３０内にウェハＷが搬入される。
【0073】
具体的には、例えば、まず、カセット載置台２０の手前側（図４等のＸ方向負側）の載置板２１の昇降板（図示せず）が、前述の第２位置に移動された状態で、昇降板上のウェハＷが、第１搬送機構４０のフォーク４１に受け渡される。
【0074】
次に、フォーク４１に支持されたウェハＷが、平面視で、奥側（図４等のＸ方向正側）に向けて移動され、受け渡しブロック３０を通り過ぎる。
具体的には、第１ガイド部４２が、奥行き方向に沿って奥側に移動し、フォーク４１に支持されたウェハＷが、受け渡しブロック３０の下方を通過して、受け渡しブロック３０より奥側まで移動される。
一実施形態において、ウェハＷの高さは、載置板２１の昇降板からフォーク４１に受け渡される時と、受け渡しブロック３０を平面視で通り過ぎる時とで、略等しい。
具体的には、第１ガイド部４２が、奥行き方向に沿って奥側に移動し、フォーク４１に支持されたウェハＷが、受け渡しブロック３０の下方を通過して、受け渡しブロック３０より奥側まで移動される。
一実施形態において、ウェハＷの高さは、載置板２１の昇降板からフォーク４１に受け渡される時と、受け渡しブロック３０を平面視で通り過ぎる時とで、略等しい。
【0075】
その後、フォーク４１に支持されたウェハＷが、受け渡しブロック３０の奥側（図４等のＸ方向正側）から当該受け渡しブロック３０に、受け渡される。
具体的には、フォーク４１が、受け渡しブロック３０における下側サブブロックＢＬ２に対応する受け渡しユニット３１内に奥側から進入し、フォーク４１から当該受け渡しユニット３１にウェハＷが受け渡される。
具体的には、フォーク４１が、受け渡しブロック３０における下側サブブロックＢＬ２に対応する受け渡しユニット３１内に奥側から進入し、フォーク４１から当該受け渡しユニット３１にウェハＷが受け渡される。
【0076】
（ステップＳ２）
次に、ウェハＷにレジスト膜塗布処理が施され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される
具体的には、例えば、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、受け渡しブロック３０における下側サブブロックＢＬ２に対応する受け渡しユニット３１から、下側サブブロックＢＬ２のレジスト膜形成ユニットＣＯＴに、搬送される、そして、レジスト液が、ウェハＷの表面に回転塗布され、ウェハＷの表面を覆うように、レジスト膜が形成される。
次に、ウェハＷにレジスト膜塗布処理が施され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される
具体的には、例えば、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、受け渡しブロック３０における下側サブブロックＢＬ２に対応する受け渡しユニット３１から、下側サブブロックＢＬ２のレジスト膜形成ユニットＣＯＴに、搬送される、そして、レジスト液が、ウェハＷの表面に回転塗布され、ウェハＷの表面を覆うように、レジスト膜が形成される。
【0077】
（ステップＳ３）
続いて、ウェハＷに露光前加熱（ＰＡＢ：Pre-Applied
Bake）処理が施される。
具体的には、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、ＰＡＢ処理用の熱処理ユニットＨＴに搬送され、当該ウェハＷに対し、ＰＡＢ処理が施される。その後、ウェハＷが、インターフェイスブロック１２の受け渡しブロック１１０における下側サブブロックＢＬ２に対応する受け渡しユニット１１１に搬送される。
続いて、ウェハＷに露光前加熱（ＰＡＢ：Pre-Applied
Bake）処理が施される。
具体的には、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、ＰＡＢ処理用の熱処理ユニットＨＴに搬送され、当該ウェハＷに対し、ＰＡＢ処理が施される。その後、ウェハＷが、インターフェイスブロック１２の受け渡しブロック１１０における下側サブブロックＢＬ２に対応する受け渡しユニット１１１に搬送される。
【0078】
（ステップＳ４）
次に、ウェハＷに露光処理が施される。
具体的には、例えば、ウェハＷが、第３搬送機構１２０によって、受け渡しブロック１１０における下側サブブロックＢＬ２に対応する受け渡しユニット１１１から、露光装置に搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜が、所定のパターンに露光される。その後、ウェハＷが、第３搬送機構１２０によって、受け渡しブロック１１０における上側サブブロックＢＬ１に対応する受け渡しユニット１１１に搬送される。
次に、ウェハＷに露光処理が施される。
具体的には、例えば、ウェハＷが、第３搬送機構１２０によって、受け渡しブロック１１０における下側サブブロックＢＬ２に対応する受け渡しユニット１１１から、露光装置に搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜が、所定のパターンに露光される。その後、ウェハＷが、第３搬送機構１２０によって、受け渡しブロック１１０における上側サブブロックＢＬ１に対応する受け渡しユニット１１１に搬送される。
【0079】
（ステップＳ５）
次いで、ウェハＷにＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理が施される。
具体的には、例えば、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、受け渡しブロック１１０における上側サブブロックＢＬ１に対応する受け渡しユニット１１１から、上側サブブロックＢＬ１のＰＥＢ処理用の熱処理ユニットＨＴに搬送され、当該ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理が施される。
次いで、ウェハＷにＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理が施される。
具体的には、例えば、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、受け渡しブロック１１０における上側サブブロックＢＬ１に対応する受け渡しユニット１１１から、上側サブブロックＢＬ１のＰＥＢ処理用の熱処理ユニットＨＴに搬送され、当該ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理が施される。
【0080】
（ステップＳ６）
続いて、ウェハＷに現像処理が施される。
具体的には、例えば、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、現像ユニットＤＥＶに搬送され、当該ウェハＷに対して、現像液を用いた現像処理が施される。
続いて、ウェハＷに現像処理が施される。
具体的には、例えば、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、現像ユニットＤＥＶに搬送され、当該ウェハＷに対して、現像液を用いた現像処理が施される。
【0081】
（ステップＳ７）
次に、ウェハＷに、ポストベーク処理が施される。
具体的には、例えば、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、ポストベーク処理用の熱処理ユニットＨＴに搬送され、当該ウェハＷに対し、ポストベーク処理が施される。その後、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、カセットブロック１０の受け渡しブロック３０における上側サブブロックＢＬ１に対応する受け渡しユニット３１に搬送される。
次に、ウェハＷに、ポストベーク処理が施される。
具体的には、例えば、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、ポストベーク処理用の熱処理ユニットＨＴに搬送され、当該ウェハＷに対し、ポストベーク処理が施される。その後、ウェハＷが、第２搬送機構７０によって、カセットブロック１０の受け渡しブロック３０における上側サブブロックＢＬ１に対応する受け渡しユニット３１に搬送される。
【0082】
（ステップＳ８）
そして、ウェハＷが塗布現像装置１から搬出される。
具体的には、ウェハＷが、ステップＳ１とは逆の手順で、前述の第２位置に位置する、カセット載置台２０の手前側（図４等のＸ方向負側）の載置板２１の昇降板（図示せず）上に戻される。
そして、ウェハＷが塗布現像装置１から搬出される。
具体的には、ウェハＷが、ステップＳ１とは逆の手順で、前述の第２位置に位置する、カセット載置台２０の手前側（図４等のＸ方向負側）の載置板２１の昇降板（図示せず）上に戻される。
【0083】
これで塗布現像装置１による処理は完了する。
【0084】
＜本実施形態の主な効果＞
以上のように、塗布現像装置１では、カセットブロック１０と処理ブロック１１との間でウェハＷを受け渡すための受け渡しユニット３１が積層された受け渡しブロック３０を、カセットブロック１０が有する。そのため、受け渡しブロック３０を処理ブロック１１が有する場合に比べて、処理ブロック１１の占有床面積を変更せずに、高スループット化のために処理ブロック１１への処理ユニットの搭載数を多くすることができる。
また、塗布現像装置１では、カセットブロック１０が、カセット載置台２０と受け渡しブロック３０との間でウェハＷを搬送する第１搬送機構４０を有する。そして、第１搬送機構４０が、フォーク４１を有すると共に、フォーク４１に支持されたウェハＷが、平面視で、受け渡しブロック３０を、奥行き方向（図４等のＸ方向）に通り過ぎることが可能に構成されている。そのため、このように通り過ぎることが不可能な場合に比べて、すなわち、フォーク４１に支持されたウェハＷが、奥行き方向に移動する際に、平面視で受け渡しブロック３０と重ならない領域を通過する場合に比べて、以下の効果がある。すなわち、受け渡しブロック３０をカセットブロック１０に設けたことによるカセットブロック１０の占有床面積の大型化を抑えることができる。
したがって、本実施形態によれば、高スループット化に伴う装置の大型化を抑制することができる。すなわち、本実施形態によれば、装置サイズを大幅に拡大することなく、処理ユニットの搭載数を増やし生産性向上を達成することができる。
以上のように、塗布現像装置１では、カセットブロック１０と処理ブロック１１との間でウェハＷを受け渡すための受け渡しユニット３１が積層された受け渡しブロック３０を、カセットブロック１０が有する。そのため、受け渡しブロック３０を処理ブロック１１が有する場合に比べて、処理ブロック１１の占有床面積を変更せずに、高スループット化のために処理ブロック１１への処理ユニットの搭載数を多くすることができる。
また、塗布現像装置１では、カセットブロック１０が、カセット載置台２０と受け渡しブロック３０との間でウェハＷを搬送する第１搬送機構４０を有する。そして、第１搬送機構４０が、フォーク４１を有すると共に、フォーク４１に支持されたウェハＷが、平面視で、受け渡しブロック３０を、奥行き方向（図４等のＸ方向）に通り過ぎることが可能に構成されている。そのため、このように通り過ぎることが不可能な場合に比べて、すなわち、フォーク４１に支持されたウェハＷが、奥行き方向に移動する際に、平面視で受け渡しブロック３０と重ならない領域を通過する場合に比べて、以下の効果がある。すなわち、受け渡しブロック３０をカセットブロック１０に設けたことによるカセットブロック１０の占有床面積の大型化を抑えることができる。
したがって、本実施形態によれば、高スループット化に伴う装置の大型化を抑制することができる。すなわち、本実施形態によれば、装置サイズを大幅に拡大することなく、処理ユニットの搭載数を増やし生産性向上を達成することができる。
【0085】
また、本実施形態では、第１搬送機構４０が、受け渡しブロック３０との間でのウェハＷの受け渡しを、奥行き方向（図４等のＸ方向）からのみ行い、幅方向（図４等のＹ方向）からは行わない。そのため、幅方向について、平面視でカセット載置台２０と重ならない部分の大きさを極力小さくすることができる。具体的には、幅方向について、カセット載置台２０と受け渡しブロック３０との間の隙間ｈ１を極力小さくすることができる。したがって、本実施形態によれば、装置の大型化を抑制することができる。
【0086】
さらに、本実施形態では、第１搬送機構４０が、受け渡しブロック３０との間でのウェハＷの受け渡しを、奥側（図４等のＸ方向正側）からのみ行い、幅方向（図４等のＹ方向）及び手前側（図４等のＸ方向負側）からは行わない。それに加えて、第１送風ユニット６０が、第１搬送空間Ｋ１のうち、収納部５０で埋められていない受け渡しブロック３０より奥側にのみ、清浄気体を供給する。したがって、第１送風ユニット６０のサイズを抑えながら、第１搬送空間Ｋ１内で気体が滞留するのを抑制することができる。
【0087】
また、本実施形態では、処理ブロック１１用の第２送風ユニット１００のファンユニット１０１が、上端が処理ブロック１１より低いインターフェイスブロック１２の上に設けられている。したがって、ファンユニット１０１が処理ブロック１１の上に設けられている場合に比べて、塗布現像装置１の高さを抑えることができる。
【0088】
＜受け渡しブロックの高さの具体例及び変形例＞
図７は、カセットブロック１０が有する受け渡しブロックの変形例の説明図である。
以上の例では、カセットブロック１０の受け渡しブロック３０が、鉛直方向に連続し、幅方向（図２等のＹ方向）視で上側サブブロックＢＬ１と下側サブブロックＢＬ２の両方と重なっていた。すなわち、受け渡しブロック３０が、上側サブブロックＢＬ１用のブロック３２と下側サブブロックＢＬ２用のブロック３３とを有し、これらブロック３２、３３が鉛直方向に連続していた。
これに代えて、図７の受け渡しブロック３０Ａのように、上側サブブロックＢＬ１用のブロック３２Ａと下側サブブロックＢＬ２用のブロック３３Ａとの間に隙間ｈ２が設けられてもよい。この場合、第１搬送機構４０のフォーク４１に支持されたウェハＷは、平面視で受け渡しブロック３０を奥行き方向に通り過ぎる際、上記隙間ｈ２を通過する。
図７は、カセットブロック１０が有する受け渡しブロックの変形例の説明図である。
以上の例では、カセットブロック１０の受け渡しブロック３０が、鉛直方向に連続し、幅方向（図２等のＹ方向）視で上側サブブロックＢＬ１と下側サブブロックＢＬ２の両方と重なっていた。すなわち、受け渡しブロック３０が、上側サブブロックＢＬ１用のブロック３２と下側サブブロックＢＬ２用のブロック３３とを有し、これらブロック３２、３３が鉛直方向に連続していた。
これに代えて、図７の受け渡しブロック３０Ａのように、上側サブブロックＢＬ１用のブロック３２Ａと下側サブブロックＢＬ２用のブロック３３Ａとの間に隙間ｈ２が設けられてもよい。この場合、第１搬送機構４０のフォーク４１に支持されたウェハＷは、平面視で受け渡しブロック３０を奥行き方向に通り過ぎる際、上記隙間ｈ２を通過する。
【0089】
＜処理ブロック内の液処理層の具体例＞
図８は、処理ブロック１１の上側サブブロックＢＬ１が有する上側の層ＢＬ１１の具体例の説明図である。なお、上側サブブロックＢＬ１が有する下側の層ＢＬ１２、下側サブブロックＢＬ２が有する上側の層ＢＬ２１及び下側の層ＢＬ２２の構成は、上側サブブロックＢＬ１が有する上側の層ＢＬ１１の構成と同様である。
図８は、処理ブロック１１の上側サブブロックＢＬ１が有する上側の層ＢＬ１１の具体例の説明図である。なお、上側サブブロックＢＬ１が有する下側の層ＢＬ１２、下側サブブロックＢＬ２が有する上側の層ＢＬ２１及び下側の層ＢＬ２２の構成は、上側サブブロックＢＬ１が有する上側の層ＢＬ１１の構成と同様である。
【0090】
上側の層ＢＬ１１は、図８に示すように、気流形成ユニット３００を有する。気流形成ユニット３００は、スピンチャック８１とカップ８２が設けられた処理空間Ｋ１１に、カップ８２の上方から下方に向かう気流を発生させる。
【0091】
気流形成ユニット３００は、処理空間Ｋ１１に上側から清浄気体を供給する第４送風ユニットしてのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）３０１を含む。
【0092】
気流形成ユニット３００は、ＦＦＵ３０１に加えて、整流板３０２を有する。
整流板３０２は、カップ８２とＦＦＵ３０１との間に設けられ、ＦＦＦＵ３０１から吹き出された気体から、下向きの気流を形成する。
整流板３０２は、カップ８２とＦＦＵ３０１との間に設けられ、ＦＦＦＵ３０１から吹き出された気体から、下向きの気流を形成する。
【0093】
整流板３０２は、スピンチャック８１毎に、すなわち、カップ８２毎に、開口３０３を有する。各開口３０３は、対応するスピンチャック８１と対向する位置に設けられ、対応するスピンチャック８１に保持されたウェハＷに向かう気流を形成する。
【0094】
また、整流板３０２は、開口３０３毎に、平面視で対応する開口３０３の外周を囲う領域Ｒ１に、外側の領域Ｒ２よりも強い気流を形成する。以下、領域Ｒ１、Ｒ２をそれぞれ強気流形成領域Ｒ１、弱気流形成領域Ｒ２ということがある。
【0095】
整流板３０２は、ＦＦＵ３０１からの気体を通過させて下方に吐出する吐出孔（図示せず）を含む。吐出孔は、整流板３０２における強気流形成領域Ｒ１と対向する領域と弱気流形成領域Ｒ２と対向する領域との両方に、複数形成されている。強気流形成領域Ｒ１と対向する整流板３０２の領域において吐出孔が占める割合である第１開口率は、弱気流形成領域Ｒ２と対向する領域において吐出孔が占める割合である第２開口率よりも低い。これにより、強気流形成領域Ｒ１と対向する領域の吐出孔から吐出された気体が形成する気流の流速が、弱気流形成領域Ｒ２と対向する領域の吐出孔から吐出された気体が形成する気流の流速よりも速くなる。すなわち、強気流形成領域Ｒ１に弱気流形成領域Ｒ２よりも強い気流を形成することができる。
【0096】
強気流形成領域Ｒ１に形成された強い気流は、エアカーテンとして機能する。そのため、弱気流形成領域Ｒ２に存在する外乱因子の影響が、強気流形成領域Ｒ１よりも内側のカップ８２の上方の領域にまで及ぶのを抑制することができる。具体的には、弱気流形成領域Ｒ２中のパーティクルが、開口３０３から下方に向かう気流すなわちウェハＷに向かう気流に含まれてしまうのを抑制することができる。
【0097】
図９に示すように、上側の層ＢＬ１１には、処理空間Ｋ１１の側方を覆う側壁３１０に、開口３１１が設けられていてもよい。開口３１１は、処理空間Ｋ１１に隣接する空間（例えば第１搬送空間Ｋ１または第３搬送空間Ｋ３）と処理空間Ｋ１１とを連通させる。このような開口３１１を設けることにより、処理空間Ｋ１１内の気体を、上記隣接する空間に逃がすことができる。
【0098】
開口３１１は、例えば、側壁３１０の下部に設けられ、具体的には、側壁３１０におけるカップ８２の上端より下側に設けられる。これにより、上記隣接する空間内の気体が、開口３１１を介して、処理空間Ｋ１１内に戻ったときに、当該気体内に含まれたパーティクルがカップ８２内に到達するのを抑制することができる。
【0099】
また、開口３１１は、側壁３１０の上部に設けられてもよい。具体的には、側壁３１０におけるカップ８２の上端より上側に設けられてもよい。これにより、処理空間Ｋ１１内の圧力が突然上昇したり、処理空間Ｋ１１内の気流が突然強くなったりした場合に、処理空間Ｋ１１内の気体を、開口３１１を介して、上記隣接する空間に逃がすことができる。
【0100】
図１０に示すように、幅方向（図のＹ方向）についてカップ８２間を隔てる隔壁３２０が設けられてもよい。これにより、処理空間Ｋ１１における一方のカップ８２が設けられた部分と、処理空間Ｋ１１における他方のカップ８２が設けられた部分とで、以下が互いに影響し合うのを抑制することができる。
・気流形成ユニット３００が形成する気流すなわちダウンフロー
・カップ８２の外側からの排気
・気流形成ユニット３００が形成する気流すなわちダウンフロー
・カップ８２の外側からの排気
【0101】
なお、隔壁３２０の高さ幅は、例えば処理空間Ｋ１１の高さ幅（整流板３０２が設けられている場合は層ＢＬ１１の底壁３３０から整流板３０２までの高さ幅）に等しい。この場合、隔壁３２０には、ノズル８３が幅方向（図のＹ方向）に移動する時にノズル８３等が通過する開口３２１が形成される。
【0102】
図１１に示すように、カップ８２と側壁３１０Ａとの間に、整流部材３４０が設けられてもよい。整流部材３４０は、処理空間Ｋ１１の下部であってカップ８２の外側に設けられた排気口３３１に、ＦＦＵ３０１からの気体が向かうようガイドする。
排気口３３１は、カップ８２毎に設けられ、例えば、対応するカップ８２と側壁３１０との間に設けられる。整流部材３４０の少なくとも下端部が、カップ８２と排気口３３１との間に位置し、整流部材３４０の他の部分が、排気口３３１と側壁３１０との間に位置してもよい。
排気口３３１は、カップ８２毎に設けられ、例えば、対応するカップ８２と側壁３１０との間に設けられる。整流部材３４０の少なくとも下端部が、カップ８２と排気口３３１との間に位置し、整流部材３４０の他の部分が、排気口３３１と側壁３１０との間に位置してもよい。
【0103】
また、カップ８２間を隔てる隔壁３２０Ａの上端の高さは、カップ８２の上端の高さよりも低くてもよい。この場合、カップ８２毎に、隔壁３２０Ａとカップ８２との間に、カップ８２の外側から処理空間Ｋ１１を排気する排気口３３２が設けられてもよい。これにより、処理空間Ｋ１１における一方のカップ８２が設けられた部分と、処理空間Ｋ１１における他方のカップ８２が設けられた部分とで、個別に圧力や気流を制御するのを、容易にすることができる。
【0104】
なお、図の例では、排気口３３１、３３２は底壁３３０に設けられている。ただし、排気口３３１、３３２は、カップ８２の外側且つカップ８２の上端より低い、底壁３３０以外の部分に設けられてもよい。
【0105】
＜処理ブロックの変形例１＞
図１２は、処理ブロックの変形例１の構成の概略を示す説明図である。図１３は、図１２の処理ブロックの手前側の構成の概略を示す説明図である。図１４は、後述の分割ブロックの構成の概略を模式的に示す説明図である。図１５は、後述の中間ブロックの構成の説明図である。
図１２及び図１３の塗布現像装置１Ａは、図１等に示した塗布現像装置１と、処理ブロックの構成が異なる。具体的には、塗布現像装置１Ａの処理ブロック１１Ａは、幅方向（図のＹ方向）に複数の分割ブロックＤＢＬに分割されている。図１２の例では、処理ブロック１１Ａは、２つの分割ブロックＤＢＬに分割され、互いに隣り合う２つの分割ブロックＤＢＬの間に中間ブロックＣＢＬが設けられている。以下では、幅方向負側（図の左側）の分割ブロックＤＢＬを左側分割ブロックＤＢＬ１、幅方向正側（図の右側）の分割ブロックＤＢＬを右側分割ブロックＤＢＬ２ということがある。
図１２は、処理ブロックの変形例１の構成の概略を示す説明図である。図１３は、図１２の処理ブロックの手前側の構成の概略を示す説明図である。図１４は、後述の分割ブロックの構成の概略を模式的に示す説明図である。図１５は、後述の中間ブロックの構成の説明図である。
図１２及び図１３の塗布現像装置１Ａは、図１等に示した塗布現像装置１と、処理ブロックの構成が異なる。具体的には、塗布現像装置１Ａの処理ブロック１１Ａは、幅方向（図のＹ方向）に複数の分割ブロックＤＢＬに分割されている。図１２の例では、処理ブロック１１Ａは、２つの分割ブロックＤＢＬに分割され、互いに隣り合う２つの分割ブロックＤＢＬの間に中間ブロックＣＢＬが設けられている。以下では、幅方向負側（図の左側）の分割ブロックＤＢＬを左側分割ブロックＤＢＬ１、幅方向正側（図の右側）の分割ブロックＤＢＬを右側分割ブロックＤＢＬ２ということがある。
【0106】
分割ブロックＤＢＬそれぞれは、図１等を用いて説明した処理ブロック１１と同様に構成される。
以下、分割ブロックＤＢＬ及び中間ブロックＣＢＬについて説明するが、分割ブロックＤＢＬについては処理ブロック１１との相違点を中心に説明する。
以下、分割ブロックＤＢＬ及び中間ブロックＣＢＬについて説明するが、分割ブロックＤＢＬについては処理ブロック１１との相違点を中心に説明する。
【0107】
分割ブロックＤＢＬのうち、左側分割ブロックＤＢＬ１では、図１４に示すように、上側サブブロックＢＬ１Ａと、下側サブブロックＢＬ２とが上からこの順で積層されると共に、上側サブブロックＢＬ１Ａと下側サブブロックＢＬ２との間に、シャトル層ＢＬ３が設けられている。
【0108】
左側分割ブロックＤＢＬ１の上側サブブロックＢＬ１Ａ及び下側サブブロックＢＬ２それぞれには、前述の処理ブロック１１の上側サブブロックＢＬ１と同様、第２搬送機構７０が設けられている。ただし、左側分割ブロックＤＢＬ１に設けられた第２搬送機構７０は、受け渡しブロック３０と左側分割ブロックＤＢＬ１内の処理ユニットとの間、及び、左側分割ブロックＤＢＬ１内の処理ユニット間に加えて、左側分割ブロックＤＢＬ１内の処理ユニットと中間ブロックＣＢＬの後述の受け渡しブロック１７０との間でも、ウェハＷを搬送する。
【0109】
また、左側分割ブロックＤＢＬ１では、上側サブブロックＢＬ１Ａにおける第２搬送空間Ｋ２の手前側（図のＸ方向負側）が、前述の処理ブロック１１と異なり、下側サブブロックＢＬ２と同様、レジスト膜形成ユニットＣＯＴが設けられた上側の層ＢＬ２１と下側の層ＢＬ２２に分割されている。すなわち、左側分割ブロックＤＢＬ１では、レジスト膜形成ユニットＣＯＴが設けられた層が４段積層されている。
【0110】
左側分割ブロックＤＢＬ１の上側サブブロックＢＬ１Ａ及び下側サブブロックＢＬ２のその他の構成はそれぞれ、前述の処理ブロック１１の上側サブブロックＢＬ１及び下側サブブロックＢＬ２と同様である。
【0111】
シャトル層ＢＬ３には、シャトル搬送機構１５０が設けられている。シャトル搬送機構１５０は、幅方向（図のＹ方向）に直線的にのみウェハＷを搬送する。本例において、シャトル搬送機構１５０は、カセットブロック１０の受け渡しブロック３０と中間ブロックＢＬＣの受け渡しブロック１７０との間で、ウェハＷを幅方向（図のＹ方向）に直線的に搬送する。すなわち、シャトル搬送機構１５０は、受け渡しブロック間で、ウェハＷを幅方向に直線的に搬送する。そのため、シャトル搬送機構１５０は、処理ブロック１１内の処理ユニットにウェハＷを搬送しない。
【0112】
シャトル搬送機構１５０による直線的なウェハＷの搬送経路は、平面視で、左側分割ブロックＤＢＬ１内の処理ユニットに重ならず、第２搬送機構７０が設けられた第２搬送空間Ｋ２上と重なる。
【0113】
一方、右側分割ブロックＤＢＬ２では、図１３に示すように、上側サブブロックＢＬ１と、下側サブブロックＢＬ２Ａとが上からこの順で積層される。また、図示は省略するが、右側分割ブロックＤＢＬ２では、左側分割ブロックＤＢＬ１と同様、上側サブブロックＢＬ１と、下側サブブロックＢＬ２Ａとの間に、シャトル層ＢＬ３が設けられている。
【0114】
右側分割ブロックＤＢＬ２の上側サブブロックＢＬ１及び下側サブブロックＢＬ２Ａそれぞれには、搬送機構１６０（図１２参照）が設けられている。搬送機構１６０は、左側分割ブロックＤＢＬ１に設けられた第２搬送機構７０と同様、右側分割ブロックＤＢＬ２内の処理ユニットにウェハＷを搬送する。具体的には、搬送機構１６０は、中間ブロックＣＢＬの受け渡しブロック１７０と右側分割ブロックＤＢＬ２内の処理ユニットとの間、及び、右側分割ブロックＤＢＬ２内の処理ユニット間、右側分割ブロックＤＢＬ２内の処理ユニットと後述のインターフェイスブロック１２Ａの受け渡しブロック１１０との間で、ウェハＷを搬送する。
【0115】
また、右側分割ブロックＤＢＬ２では、下側サブブロックＢＬ２Ａにおける第２搬送空間Ｋ２の手前側（図のＸ方向負側）が、前述の処理ブロック１１と異なり、上側サブブロックＢＬ１と同様、現像ユニットＤＥＶが設けられた上側の層ＢＬ１１と下側の層ＢＬ１２に分割されている。すなわち、右側分割ブロックＤＢＬ２では、現像ユニットＤＥＶが設けられた層が４段積層されている。
【0116】
右側分割ブロックＤＢＬ２の上側サブブロックＢＬ１及び下側サブブロックＢＬ２Ａのその他の構成はそれぞれ、前述の処理ブロック１１の上側サブブロックＢＬ１及び下側サブブロックＢＬ２と同様である。
【0117】
右側分割ブロックＤＢＬ２のシャトル層ＢＬ３にも、シャトル搬送機構１５０が設けられている。ただし、右側分割ブロックＤＢＬ２のシャトル搬送機構１５０は、中間ブロックＢＬＣの受け渡しブロック１７０とインターフェイスブロック１２Ａの受け渡しブロック１１０の間で、ウェハＷを幅方向（図のＹ方向）に直線的に搬送する。
【0118】
右側分割ブロックＤＢＬ２のシャトル層ＢＬ３において、シャトル搬送機構１５０は、平面視で、ウェハＷが、右側分割ブロックＤＢＬ２内の処理ユニットに重なる領域上を通過せず、搬送機構１６０が設けられた搬送空間Ｋ４上を通過するよう、ウェハＷの直線的な搬送を行う。
【0119】
中間ブロックＣＢＬは、図１２に示すように、幅方向に並ぶ２つの分割ブロックＤＢＬの間に設けられ、これらの間でウェハＷを中継する。
中間ブロックＣＢＬは、図１５に示すように、受け渡しブロック１７０を有する。受け渡しブロック１７０は、ウェハＷを受け渡すための受け渡しユニット１７１が積層されたものである。中間ブロックＣＢＬにおいて、受け渡しブロック１７０は、左側分割ブロックＤＢＬ１の第２搬送空間Ｋ２と右側分割ブロックＤＢＬ２の搬送空間Ｋ４とに挟まれる位置に、設けられている。
中間ブロックＣＢＬは、図１５に示すように、受け渡しブロック１７０を有する。受け渡しブロック１７０は、ウェハＷを受け渡すための受け渡しユニット１７１が積層されたものである。中間ブロックＣＢＬにおいて、受け渡しブロック１７０は、左側分割ブロックＤＢＬ１の第２搬送空間Ｋ２と右側分割ブロックＤＢＬ２の搬送空間Ｋ４とに挟まれる位置に、設けられている。
【0120】
受け渡しブロック１７０に含まれる受け渡しユニット１７１のうち、シャトル搬送機構１５０がアクセスするものは、左側分割ブロックＤＢＬ１のシャトル搬送機構１５０用と右側分割ブロックＤＢＬ２のシャトル搬送機構１５０用とで別々に設けられていてもよい。これにより一方のシャトル搬送機構１５０による搬送が、他方のシャトル搬送機構１５０による搬送によって妨げられることがない。
このように別々に設けられる場合、図１２に示すように、左側分割ブロックＤＢＬ１のシャトル搬送機構１５０用の受け渡しユニット１７１ａと、右側分割ブロックＤＢＬ２のシャトル搬送機構１５０用の受け渡しユニット１７１ｂとが、同じ段で幅方向（図のＹ方向）に並べられていてもよい。これにより、左側分割ブロックＤＢＬ１と右側分割ブロックＤＢＬ２とでシャトル層ＢＬ３を同じ高さに設けることができるため、シャトル層ＢＬ３を設けたときの装置高さを抑えることができる。
このように別々に設けられる場合、図１２に示すように、左側分割ブロックＤＢＬ１のシャトル搬送機構１５０用の受け渡しユニット１７１ａと、右側分割ブロックＤＢＬ２のシャトル搬送機構１５０用の受け渡しユニット１７１ｂとが、同じ段で幅方向（図のＹ方向）に並べられていてもよい。これにより、左側分割ブロックＤＢＬ１と右側分割ブロックＤＢＬ２とでシャトル層ＢＬ３を同じ高さに設けることができるため、シャトル層ＢＬ３を設けたときの装置高さを抑えることができる。
【0121】
また、同様に、受け渡しブロック１７０において、シャトル搬送機構１５０用の受け渡しユニット１７１が設けられた段以外の段についても、左側分割ブロックＤＢＬ１用と右側分割ブロックＤＢＬ２用とで、受け渡しユニット１７１が別々に設けられ、幅方向（図のＹ方向）に並べられていてもよい。
【0122】
さらに、中間ブロックＣＢＬは、受け渡しブロック１７０のシャトル搬送機構１５０用の受け渡しユニット１７１と他の受け渡しユニット１７１との間でウェハＷを搬送する搬送機構１８０を有する。搬送機構１８０は、ウェハＷを支持するフォーク１８１を有する。フォーク１８１は、鉛直方向（図のＺ方向）、鉛直軸周りの方向、奥行き方向（図のＸ方向）及び幅方向（図のＹ方向）に移動自在に構成されている。
【0123】
中間ブロックＣＢＬでは、搬送機構１８０が設けられた搬送空間Ｋ５内に前述の受け渡しブロック１７０が設けられる。受け渡しブロック１７０は、例えば、搬送空間Ｋ５を画成する中間ブロックＣＢＬ１の筐体ＣＢＬａの天井面との間に隙間を空けて設けられる。
搬送空間Ｋ５における手前側（図のＸ方向負側）には、レジスト膜形成ユニットＣＯＴで用いられる塗布液（具体的にはレジスト液）を貯留するボトルや、塗布液をレジスト膜形成ユニットＣＯＴに圧送するポンプ等が収納されるケミカル部ＣＨＥが設けられている。
搬送空間Ｋ５における手前側（図のＸ方向負側）には、レジスト膜形成ユニットＣＯＴで用いられる塗布液（具体的にはレジスト液）を貯留するボトルや、塗布液をレジスト膜形成ユニットＣＯＴに圧送するポンプ等が収納されるケミカル部ＣＨＥが設けられている。
【0124】
また、搬送空間Ｋ５を画成する筐体ＣＢＬａの奥行き（図のＸ方向の長さ）は、分割ブロックＤＢＬの奥行きよりも小さい。そのため、筐体１２ａと分割ブロックＤＢＬとは、正面側（図のＸ方向正側）端が略一致するが、奥側（図のＹ方向負側）端が一致せず、奥側端は、分割ブロックＤＢＬの方が奥側に位置する。
【0125】
さらに、中間ブロックＣＢＬに対しては、送風ユニット１９０が設けられている。
送風ユニット１９０は、搬送空間Ｋ５に上方から、清浄気体を供給する。送風ユニット１９０は、ファンユニット１９１及びフィルタ１９２を含む。
ファンユニット１９１は、気体をフィルタ１９２に送る。具体的には、例えば、ファンユニット１９１は、当該ファンユニット１９１に気体を取り込むと共に、取り込んだ気体を、ダクト１９３を介して、フィルタ１９２に送る。
フィルタ１９２は、ファンユニット１９１から送られた気体を清浄化すると共に、すなわち、上記気体中のパーティクルをフィルタリングすると共に、清浄化された気体（清浄気体）を下方の搬送空間Ｋ５に向けて吹き出す。
送風ユニット１９０は、搬送空間Ｋ５に上方から、清浄気体を供給する。送風ユニット１９０は、ファンユニット１９１及びフィルタ１９２を含む。
ファンユニット１９１は、気体をフィルタ１９２に送る。具体的には、例えば、ファンユニット１９１は、当該ファンユニット１９１に気体を取り込むと共に、取り込んだ気体を、ダクト１９３を介して、フィルタ１９２に送る。
フィルタ１９２は、ファンユニット１９１から送られた気体を清浄化すると共に、すなわち、上記気体中のパーティクルをフィルタリングすると共に、清浄化された気体（清浄気体）を下方の搬送空間Ｋ５に向けて吹き出す。
【0126】
送風ユニット１９０は、例えば、搬送空間Ｋ５のうち以下の部分に清浄気体を供給する。
・ウェハＷが通過し得る受け渡しブロック１７０より奥側（図のＸ方向正側）の空間
・受け渡しブロック１７０と上面視で重なる空間
・ウェハＷが通過し得る受け渡しブロック１７０より奥側（図のＸ方向正側）の空間
・受け渡しブロック１７０と上面視で重なる空間
【0127】
また、送風ユニット１９０のファンユニット１９１は、筐体ＣＢＬａより奥側（図のＸ方向正側）に設けられていてもよい。ただし、この場合、ファンユニット１９１は、その奥側端が、分割ブロックＤＢＬの奥側端より奥側に位置しないように設けられる。
【0128】
中間ブロックＣＢＬの上に、左側分割ブロックＤＢＬ１に用いられる第２送風ユニット１００のファンユニット１０１が重ねられてもよい。具体的には、ファンユニット１０１は、フィルタ１９２の上に重ねられてもよい。ただし、ファンユニット１０１の上端の高さは、分割ブロックＤＢＬの上端の高さ以下とされる。このようにファンユニット１０１を設けることによって、塗布現像装置１Ａの全体的な高さを抑えることができる。
【0129】
また、中間ブロックＣＢＬにおけるファンユニット１０１より手前側（図のＸ方向負側）の部分及び奥側（図のＸ方向正側）の部分それぞれの上方に、前述の収納部１４１、１４２が設けられてもよい。ただし、収納部１４１、１４２の上端の高さは、処理ブロック１１の上端の高さ以下とされる。
【0130】
さらに、図１２の塗布現像装置１Ａは、図１等に示した塗布現像装置１と、インターフェイスブロックの構成が異なる。具体的には、塗布現像装置１Ａのインターフェイスブロック１２Ａは、受け渡しブロック１１０における、シャトル搬送機構１５０がアクセスする受け渡しユニット１７１と、他の受け渡しユニット１７１との間でウェハＷを搬送する搬送機構１２５が設けられている。この搬送機構１２５は、例えば、受け渡しブロック１１０の奥側（図のＸ方向正側）に設けられる。
インターフェイスブロック１２Ａのその他の構成は、インターフェイスブロック１２と同様である。
インターフェイスブロック１２Ａのその他の構成は、インターフェイスブロック１２と同様である。
【0131】
また、塗布現像装置１Ａでは、ウェハＷは例えば以下の順で支持され、当該ウェハＷに対し、レジスト膜塗布処理、露光処理等が施される。なお、以下では、受け渡しユニットのうち、シャトル搬送機構のいずれかがアクセスするものをシャトル用受け渡しユニット、シャトル搬送機構のいずれもがアクセスしないものを非シャトル用受け渡しユニットという。
【0132】
第１搬送機構４０→受け渡しブロック３０の非シャトル用受け渡しユニット３１→第２搬送機構７０→左側分割ブロックＤＢＬ１のレジスト膜形成ユニットＣＯＴ→第２搬送機構７０→左側分割ブロックＤＢＬ１のＰＡＢ処理用の熱処理ユニットＨＴ→第２搬送機構７０→中間ブロックＣＢＬの非シャトル用受け渡しユニット１７１→搬送機構１８０→中間ブロックＣＢＬの受け渡しユニット１７１ｂ→右側分割ブロックＤＢＬ２のシャトル搬送機構１５０→インターフェイスブロック１２Ａのシャトル用受け渡しユニット１１１→搬送機構１２５→受け渡しブロック１１０の非シャトル用受け渡しユニット１１１→第３搬送機構１２０→露光装置
【0133】
さらに、ウェハＷは例えば以下の順で支持され、当該ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理、現像処理等が施される。
【0134】
露光装置→第３搬送機構１２０→インターフェイスブロック１２の非シャトル用受け渡しユニット１１１→搬送機構１６０→右側分割ブロックＤＢＬ２のＰＥＢ処理用の熱処理ユニットＨＴ→搬送機構１６０→右側分割ブロックＤＢＬ２の現像ユニットＤＥＶ→搬送機構１６０→右側分割ブロックＤＢＬ２のポストベーク処理用の熱処理ユニットＨＴ→搬送機構１６０→中間ブロックＣＢＬの非シャトル用の受け渡しユニット１７１→搬送機構１８０→中間ブロックＣＢＬの受け渡しユニット１７１ａ→左側分割ブロックＤＢＬ１のシャトル搬送機構１５０→受け渡しブロック３０のシャトル用受け渡しユニット３１→第１搬送機構４０
【0135】
上述のような処理ブロック１１Ａを用いることで、処理ブロック１１Ａに搭載する処理ユニットの数を増やすことができる。
【0136】
＜処理ブロックの変形例２＞
図１６は、処理ブロックの変形例２の構成の概略を示す説明図である。図１７は、中間ブロックＣＢＬＢの構成の説明図である。
図１６の塗布現像装置１Ｂは、図１２等に示した塗布現像装置１Ａと同様、処理ブロック１１Ｂが幅方向（図のＸ方向）に分割されている。ただし、塗布現像装置１Ｂでは、塗布現像装置１Ａと異なり、収納部１４１が、左側分割ブロックＤＢＬ１と右側分割ブロックＤＢＬ２の上方に設けられている。また、図１７に示すように、中間ブロックＣＢＬＢの上方には、収納部１４１、１４２が設けられていない。
図１６は、処理ブロックの変形例２の構成の概略を示す説明図である。図１７は、中間ブロックＣＢＬＢの構成の説明図である。
図１６の塗布現像装置１Ｂは、図１２等に示した塗布現像装置１Ａと同様、処理ブロック１１Ｂが幅方向（図のＸ方向）に分割されている。ただし、塗布現像装置１Ｂでは、塗布現像装置１Ａと異なり、収納部１４１が、左側分割ブロックＤＢＬ１と右側分割ブロックＤＢＬ２の上方に設けられている。また、図１７に示すように、中間ブロックＣＢＬＢの上方には、収納部１４１、１４２が設けられていない。
【0137】
そのため、中間ブロックＣＢＬＢの上端の高さを、分割ブロックＤＢＬの上端の高さまで高くすることができる。このように中間ブロックＣＢＬＢを高くすることにより、分割ブロックＤＢＬの最上段の処理ユニットのメンテナンス等のために、作業者が、中間ブロックＣＢＬＢを介して、分割ブロックＤＢＬの最上段に容易にアクセスすることができる。すなわち、メンテナンスが容易となる。
【0138】
また、中間ブロックＣＢＬＢの上端の高さを上述のように高くしても、中間ブロックＣＢＬＢの上端から分割ブロックＤＢＬ上の収納部１４１の上端までは離れているため、中間ブロックＣＢＬの上方に、送風ユニット１９０のファンユニット１９１及びフィルタ１９２の両方を設けることができる。
【0139】
さらに、ファンユニット１９１を、中間ブロックＣＢＬＢ（の筐体ＣＢＬＢａ）より奥側ではなく、中間ブロックＣＢＬＢの上方に設けると、筐体ＣＢＬＢａの奥側端（図のＸ方向正側端）を、分割ブロックＤＢＬの奥側端まで広げることができる。その結果、中間ブロックＣＢＬＢにおける搬送機構１８０より奥側に処理ユニットを設けることができる。なお、中間ブロックＣＢＬＢにおける搬送機構１８０より奥側には、例えば、分割ブロックＤＢＬに設けられた熱処理ユニットＨＴよりも小型の処理ユニットが設けられる。より具体的には、例えば、熱処理ユニットＨＴが熱板と冷却板の両方を有する場合、中間ブロックＣＢＬＢにおける搬送機構１８０より奥側には、熱板のみを有する熱処理ユニットＨＴが設けられる。
【0140】
また、中間ブロックＣＢＬＢの上端の高さを上述のように高くすることにより、中間ブロックＣＢＬＢの手前側（図のＸ方向負側）におけるケミカル部ＣＨＥが存在しない領域に、奥行き方向（図のＸ方向）にかかる寸法が熱処理ユニットＨＴ等と等しいユニット（例えば検査用の撮像ユニット）を設けることができる。
【0141】
なお、インターフェイスブロック１２Ａについても、その上方に、収納部１４１、１４２が設けられていない場合、同様にインターフェイスブロック１２Ａの上端の高さを高くしつつ、第３送風ユニット１３０のファンユニット１３１及びフィルタ１３２の両方をインターフェイスブロック１２Ａの上方に設けてもよい。
【0142】
＜処理ブロックの変形例３＞
図１８は、処理ブロックの変形例３の構成の概略を示す説明図である。図１９は、分割ブロックＤＢＬＣの構成の説明図である。
図１８の塗布現像装置１Ｃは、図１２等に示した塗布現像装置１Ａと同様、処理ブロック１１Ｃが、幅方向（図のＹ方向）に複数の分割ブロックＤＢＬＣに分割されている。ただし、塗布現像装置１Ａと異なり、隣り合う分割ブロックＤＢＬＣの間に中間ブロックが設けられておらず、処理ブロック１１Ｃを構成する複数の分割ブロックＤＢＬＣは、幅方向（図のＹ方向）に連なっている。図１８の例では、処理ブロック１１Ｃは、２つの分割ブロックＤＢＬＣに分割され、互いに隣り合う２つの分割ブロックＤＢＬＣの間には中間ブロックが設けられていない。以下では、幅方向負側（図の左側）の分割ブロックＤＢＬを左側分割ブロックＤＢＬＣ１、幅方向正側（図の右側）の分割ブロックＤＢＬＣを右側分割ブロックＤＢＬＣ２ということがある。
図１８は、処理ブロックの変形例３の構成の概略を示す説明図である。図１９は、分割ブロックＤＢＬＣの構成の説明図である。
図１８の塗布現像装置１Ｃは、図１２等に示した塗布現像装置１Ａと同様、処理ブロック１１Ｃが、幅方向（図のＹ方向）に複数の分割ブロックＤＢＬＣに分割されている。ただし、塗布現像装置１Ａと異なり、隣り合う分割ブロックＤＢＬＣの間に中間ブロックが設けられておらず、処理ブロック１１Ｃを構成する複数の分割ブロックＤＢＬＣは、幅方向（図のＹ方向）に連なっている。図１８の例では、処理ブロック１１Ｃは、２つの分割ブロックＤＢＬＣに分割され、互いに隣り合う２つの分割ブロックＤＢＬＣの間には中間ブロックが設けられていない。以下では、幅方向負側（図の左側）の分割ブロックＤＢＬを左側分割ブロックＤＢＬＣ１、幅方向正側（図の右側）の分割ブロックＤＢＬＣを右側分割ブロックＤＢＬＣ２ということがある。
【0143】
分割ブロックＤＢＬＣのうち、左側分割ブロックＤＢＬＣ１では、図１９に示すように、上側サブブロックＢＬ１Ｃと、下側サブブロックＢＬ２Ｃとが上からこの順で積層されると共に、上側サブブロックＢＬ１Ｃと下側サブブロックＢＬ２Ｃそれぞれに、シャトル層ＢＬ３Ｃが設けられている。
【0144】
左側分割ブロックＤＢＬＣ１の上側サブブロックＢＬ１Ｃ及び下側サブブロックＢＬ２Ｃそれぞれには、前述の処理ブロック１１の上側サブブロックＢＬ１と同様、第２搬送機構７０が設けられている。ただし、左側分割ブロックＤＢＬＣ１に設けられた第２搬送機構７０は、受け渡しブロック３０と左側分割ブロックＤＢＬＣ１内の処理ユニットとの間、及び、左側分割ブロックＤＢＬＣ１内の処理ユニット間に加えて、左側分割ブロックＤＢＬＣ１内の処理ユニットと後述の受け渡しユニットＴＲＳ３との間でも、ウェハＷを搬送する。
【0145】
また、左側分割ブロックＤＢＬＣ１では、上側サブブロックＢＬ１Ｃ及び下側サブブロックＢＬ２Ｃそれぞれにおける第２搬送空間Ｋ２の手前側（図のＸ方向負側）が、前述の下側サブブロックＢＬ２と同様、レジスト膜形成ユニットＣＯＴが設けられた上側の層ＢＬ２１と下側の層ＢＬ２２に分割されている。
【0146】
一方、分割ブロックＤＢＬＣのうち、右側分割ブロックＤＢＬＣ２では、図示は省略するが、上側サブブロックＢＬ１Ｄと、下側サブブロックＢＬ２Ｄとが上からこの順で積層されると共に、上側サブブロックＢＬ１Ｄと下側サブブロックＢＬ２Ｄそれぞれに、シャトル層ＢＬ３Ｄが設けられている。
【0147】
右側分割ブロックＤＢＬＣ２の上側サブブロックＢＬ１Ｄ及び下側サブブロックＢＬ２Ｄそれぞれには、前述の右側分割ブロックＤＢＬ２の上側サブブロックＢＬ１等と同様、搬送機構１６０（図１８参照）が設けられている。ただし、右側分割ブロックＤＢＬＣ２に設けられた搬送機構１６０は、前述の右側分割ブロックＤＢＬ２に設けられたものと異なり、インターフェイスブロック１２Ａの受け渡しブロック１１０と右側分割ブロックＤＢＬＣ２内の処理ユニットとの間、及び、右側分割ブロックＤＢＬＣ２内の処理ユニット間に加えて、右側分割ブロックＤＢＬＣ２内の処理ユニットと後述の受け渡しユニットＴＲＳ２との間でも、ウェハＷを搬送する。
【0148】
また、右側分割ブロックＤＢＬＣ２では、上側サブブロックＢＬ１Ｄ及び下側サブブロックＢＬ２Ｄそれぞれにおける搬送空間Ｋ４の手前側（図のＸ方向負側）が、前述の上側サブブロックＢＬ１と同様、現像ユニットＤＥＶが設けられた上側の層ＢＬ１１と下側の層ＢＬ１２に分割されている。
【0149】
左側分割ブロックＤＢＬＣ１の説明に戻る。
左側分割ブロックＤＢＬＣ１では、上側サブブロックＢＬ１Ｃ及び下側サブブロックＢＬ２Ｃそれぞれにおける第２搬送空間Ｋ２の奥側（図のＸ方向正側）に、熱処理ユニットＨＴに積層される形態で、シャトル層ＢＬ３Ｃが設けられている。
左側分割ブロックＤＢＬＣ１では、上側サブブロックＢＬ１Ｃ及び下側サブブロックＢＬ２Ｃそれぞれにおける第２搬送空間Ｋ２の奥側（図のＸ方向正側）に、熱処理ユニットＨＴに積層される形態で、シャトル層ＢＬ３Ｃが設けられている。
【0150】
シャトル層ＢＬ３Ｃには、シャトル搬送機構１５０Ｃが設けられている。以下では、上側サブブロックＢＬ１Ｃのシャトル層ＢＬ３Ｃに設けられたシャトル搬送機構１５０Ｃを上側シャトル搬送機構１５０Ｃａ、下側サブブロックＢＬ２Ｃのシャトル層ＢＬ３Ｃに設けられたシャトル搬送機構１５０Ｃを下側シャトル搬送機構１５０Ｃｂということがある。
【0151】
シャトル搬送機構１５０Ｃは、前述のシャトル搬送機構１５０と同様、幅方向（図のＹ方向）に直線的にのみウェハＷを搬送する。本例において、シャトル搬送機構１５０Ｃは、左側分割ブロックＤＢＬ１内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ１と、右側分割ブロックＤＢＬ２内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ２との間で、ウェハＷを幅方向（図のＹ方向）に直線的に搬送する。
具体的には、上側シャトル搬送機構１５０Ｃａは、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の上側サブブロックＢＬ１Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ１と、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の上側サブブロックＢＬ１Ｄ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ２との間で
ウェハＷを幅方向に直線的に搬送する。また、下側シャトル搬送機構１５０Ｃｂは、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の下側サブブロックＢＬ２Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ１と、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の下側サブブロックＢＬ２Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ２との間で、ウェハＷを幅方向に直線的に搬送する。
以下では、上側サブブロックＢＬ１Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ１を上側受け渡しユニットＴＲＳ１ａ、上側サブブロックＢＬ１Ｄ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ２を上側受け渡しユニットＴＲＳ２ａ、ということがある。
具体的には、上側シャトル搬送機構１５０Ｃａは、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の上側サブブロックＢＬ１Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ１と、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の上側サブブロックＢＬ１Ｄ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ２との間で
ウェハＷを幅方向に直線的に搬送する。また、下側シャトル搬送機構１５０Ｃｂは、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の下側サブブロックＢＬ２Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ１と、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の下側サブブロックＢＬ２Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ２との間で、ウェハＷを幅方向に直線的に搬送する。
以下では、上側サブブロックＢＬ１Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ１を上側受け渡しユニットＴＲＳ１ａ、上側サブブロックＢＬ１Ｄ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ２を上側受け渡しユニットＴＲＳ２ａ、ということがある。
【0152】
シャトル搬送機構１５０Ｃによる直線的なウェハＷの搬送経路及び受け渡しユニットＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、平面視で、処理ブロック１１Ｃ内の処理ユニットに重なるように設けられている。例えば、熱処理ユニットＨＴが熱板と冷却板の両方を有する場合、シャトル搬送機構１５０Ｃによる直線的なウェハＷの搬送経路及び受け渡しユニットＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、平面視で、熱処理ユニットＨＴの熱板に重ならず、冷却板にのみ重なるように設けられている。
【0153】
受け渡しユニットＴＲＳ１は、例えば、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の第２搬送空間Ｋ２より奥側（図のＸ方向正側）の領域におけるカセットブロック１０側の端部に設けられている。
また、受け渡しユニットＴＲＳ２は、例えば、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の搬送空間Ｋ４より奥側（図のＸ方向正側）の領域におけるカセットブロック１０側の端部に設けられている。
また、受け渡しユニットＴＲＳ２は、例えば、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の搬送空間Ｋ４より奥側（図のＸ方向正側）の領域におけるカセットブロック１０側の端部に設けられている。
【0154】
一方、右側分割ブロックＤＢＬＣ２では、上側サブブロックＢＬ１Ｄ及び下側サブブロックＢＬ２Ｄそれぞれにおける搬送空間Ｋ４の奥側（図のＸ方向正側）に、熱処理ユニットＨＴに積層される形態で、シャトル層ＢＬ３Ｄが設けられている。
【0155】
シャトル層ＢＬ３Ｄには、シャトル搬送機構１５０Ｄが設けられている。以下では、上側サブブロックＢＬ１Ｄのシャトル層ＢＬ３Ｄに設けられたシャトル搬送機構１５０Ｄを上側シャトル搬送機構１５０Ｄａ、下側サブブロックＢＬ２Ｄのシャトル層ＢＬ３Ｄに設けられたシャトル搬送機構１５０Ｄを下側シャトル搬送機構１５０Ｄｂということがある。
【0156】
シャトル搬送機構１５０Ｄは、前述のシャトル搬送機構１５０と同様、幅方向（図のＹ方向）に直線的にのみウェハＷを搬送する。本例において、シャトル搬送機構１５０Ｄは、右側分割ブロックＤＢＬＣ２内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ３と、左側分割ブロックＤＢＬＣ１内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ４との間で、ウェハＷを幅方向（図のＹ方向）に直線的に搬送する。
具体的には、上側シャトル搬送機構１５０Ｄａは、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の上側サブブロックＢＬ１Ｄ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ３と、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の上側サブブロックＢＬ１Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ４との間でウェハＷを幅方向に直線的に搬送する。また、下側シャトル搬送機構１５０Ｄｂは、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の下側サブブロックＢＬ２Ｄ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ３と、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の下側サブブロックＢＬ２Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ４との間でウェハＷを幅方向に直線的に搬送する。
以下では、上側サブブロックＢＬ１Ｄ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ３を上側受け渡しユニットＴＲＳ３ａ、上側サブブロックＢＬ１Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ４を上側受け渡しユニットＴＲＳ４ａということがある。
具体的には、上側シャトル搬送機構１５０Ｄａは、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の上側サブブロックＢＬ１Ｄ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ３と、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の上側サブブロックＢＬ１Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ４との間でウェハＷを幅方向に直線的に搬送する。また、下側シャトル搬送機構１５０Ｄｂは、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の下側サブブロックＢＬ２Ｄ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ３と、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の下側サブブロックＢＬ２Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ４との間でウェハＷを幅方向に直線的に搬送する。
以下では、上側サブブロックＢＬ１Ｄ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ３を上側受け渡しユニットＴＲＳ３ａ、上側サブブロックＢＬ１Ｃ内に設けられた受け渡しユニットＴＲＳ４を上側受け渡しユニットＴＲＳ４ａということがある。
【0157】
シャトル搬送機構１５０Ｄによる直線的なウェハＷの搬送経路及び受け渡しユニットＴＲＳ３、ＴＲＳ４は、平面視で、処理ブロック１１Ｃ内の処理ユニットに重なるように設けられている。例えば、熱処理ユニットＨＴが熱板と冷却板の両方を有する場合、シャトル搬送機構１５０Ｄによる直線的なウェハＷの搬送経路及び受け渡しユニットＴＲＳ３、ＴＲＳ４は、平面視で、熱処理ユニットＨＴの熱板に重ならず、冷却板にのみ重なるように設けられている。
【0158】
受け渡しユニットＴＲＳ３は、例えば、右側分割ブロックＤＢＬＣ２の搬送空間Ｋ４より奥側（図のＸ方向正側）の領域におけるインターフェイスブロック１２Ａ側の端部に設けられている。
また、受け渡しユニットＴＲＳ４は、例えば、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の第２搬送空間Ｋ２より奥側（図のＸ方向正側）の領域におけるインターフェイスブロック１２Ａ側の端部に設けられている。
また、受け渡しユニットＴＲＳ４は、例えば、左側分割ブロックＤＢＬＣ１の第２搬送空間Ｋ２より奥側（図のＸ方向正側）の領域におけるインターフェイスブロック１２Ａ側の端部に設けられている。
【0159】
処理ブロック１１Ｃが上述のように構成される場合、インターフェイスブロック１２Ａの搬送機構１２５は、受け渡しユニットＴＲＳ４と受け渡しブロック１１０との間でウェハＷを搬送する。
【0160】
また、処理ブロック１１Ｃが上述のように構成される場合、カセットブロック１０の第１搬送機構４０は、受け渡しユニットＴＲＳ１に対してもウェハＷを搬送可能に構成される。
【0161】
そして、処理ブロック１１Ｃが上述のように構成される場合、ウェハＷは例えば以下の順で支持され、当該ウェハＷに対し、レジスト膜塗布処理、露光処理等が施される。
【0162】
第１搬送機構４０→受け渡しブロック３０の受け渡しユニット３１→第２搬送機構７０→上側サブブロックＢＬ１Ｃのレジスト膜形成ユニットＣＯＴ→第２搬送機構７０→上側サブブロックＢＬ１ＣのＰＡＢ処理用の熱処理ユニットＨＴ→第２搬送機構７０→上側受け渡しユニットＴＲＳ４ａ→上側シャトル搬送機構１５０Ｄａ→上側受け渡しユニットＴＲＳ３ａ→搬送機構１２５→インターフェイスブロック１２の受け渡しユニット１１１→第３搬送機構１２０→露光装置
【0163】
さらに、ウェハＷは例えば以下の順で支持され、当該ウェハＷに対し、ＰＥＢ処理、現像処理等が施される。
【0164】
露光装置→第３搬送機構１２０→インターフェイスブロック１２の受け渡しユニット１１１→搬送機構１６０→上側サブブロックＢＬ１ＤのＰＥＢ処理用の熱処理ユニットＨＴ→搬送機構１６０→上側サブブロックＢＬ１ＤのＰＥＢ処理用の熱処理ユニットＨＴ→搬送機構１６０→上側サブブロックＢＬ１Ｄの現像ユニットＤＥＶ→搬送機構１６０→上側サブブロックＢＬ１Ｄのポストベーク処理用の熱処理ユニットＨＴ→搬送機構１６０→上側受け渡しユニットＴＲＳ２ａ→上側シャトル搬送機構１５０Ｃａ→上側受け渡しユニットＴＲＳ１ａ→第１搬送機構４０
【0165】
上述のような処理ブロック１１Ｃを用いることで、処理ブロック１１Ｃに搭載する処理ユニットの数を増やすことができる。
【0166】
また、第１搬送機構４０が、受け渡しブロック３０だけでなく受け渡しユニットＴＲＳ１に対してもウェハの搬送を行う場合において、以下のように構成するとよい。すなわち、第１搬送機構４０が、受け渡しブロック３０との間でのウェハＷの受け渡しを、奥行き方向（図のＸ方向）の一方側（具体的には奥側）からのみ行い、受け渡しユニットＴＲＳ１が受け渡しブロック３０よりも上記一方側（具体的には奥側）に設けられているとよい。これにより、第１搬送機構４０による受け渡しブロック３０に対するウェハＷの搬送と、第１搬送機構４０による受け渡しユニットＴＲＳ１に対するウェハＷの搬送とを、短時間で連続して行うことができ、スループットを向上させることができる。
【0167】
本開示にかかる基板処理装置は、半導体ウェハ以外の処理対象基板、例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板の処理装置にも適用できる。
また、基板処理装置が備える処理ユニットがウェハＷに施す処理は、検査のために画像を取得することであってもよい。
また、基板処理装置が備える処理ユニットがウェハＷに施す処理は、検査のために画像を取得することであってもよい。
【0168】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。
【0169】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
【0170】
なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板を収容可能に構成された容器が複数載置される容器載置部を有する搬入出ブロックと、
前記搬入出ブロックと幅方向に隣接するように設けられ、前記基板に処理を施す処理ユニットを複数有する処理ブロックと、を備え、
前記搬入出ブロックは、
前記処理ブロックとの間で前記基板を受け渡すための受け渡しユニットが積層され、前記処理ブロック側に設けられた受け渡しブロックと、
前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間で前記基板を搬送する第１搬送機構と、をさらに有し、
前記処理ブロックは、前記受け渡しブロックと前記処理ユニットとの間で前記基板を搬送する第２搬送機構をさらに有し、
前記第１搬送機構は、
前記基板を支持する支持部を有し、
前記支持部に支持された基板が、平面視で、前記受け渡しブロックを、前記幅方向と交差する奥行き方向に通り過ぎることが可能に構成されている、基板処理装置。
（２）前記第１搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記奥行き方向からのみ行う、前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記搬入出ブロックにおける前記第１搬送機構が設けられた第１搬送空間に、上方から清浄気体を供給する第１送風ユニットをさらに備え、
前記第１搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記奥行き方向の一方側からのみ行い、
前記第１送風ユニットは、前記第１搬送空間のうち前記受け渡しブロックより前記奥行き方向の前記一方側にのみ前記清浄気体を供給するように構成され、
前記第１搬送空間のうち、前記受け渡しブロックより前記奥行き方向の他方側は、電装品を収納する収納部で埋められている、前記（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記容器載置部は、前記搬入出ブロックにおいて、前記幅方向にかかる前記処理ブロック側とは反対側に設けられている、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（５）前記第１搬送機構は、前記容器載置部との間での前記基板の受け渡しを、前記幅方向にかかる前記処理ブロック側から行う、前記（４）に記載の基板処理装置。
（６）前記第１搬送機構は、前記支持部の鉛直方向への移動をガイドする第１ガイド部と、前記第１ガイド部の前記奥行き方向への移動をガイドする第２ガイド部と、をさらに有し、
前記幅方向について、前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間の隙間の大きさは、前記第１ガイド部の長さより大きく、且つ、前記支持部の長さよりも小さい、前記（４）または（５）に記載の基板処理装置。
（７）前記第２搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記幅方向から行う、前記（１）～（６）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（８）前記処理ブロックは、鉛直方向に複数のブロックに分割され、
前記複数のブロックそれぞれに前記第２搬送機構が設けられ、
前記受け渡しブロックは、前記複数のブロック全ての前記第２搬送機構との間で前記基板を受け渡しが可能に設けられている、前記（１）～（７）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（９）前記処理ブロックにおける前記幅方向にかかる前記搬入出ブロックと反対側に設けられた他のブロックと、
前記処理ブロックにおける前記第２搬送機構が設けられた空間である第２搬送空間に上方から清浄気体を送る第２送風ユニットと、をさらに備え、
前記第２送風ユニットは、その一部が前記他のブロックの上に重ねられている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１０）前記処理ブロックは、前記幅方向に複数の分割ブロックに分割されており、
前記分割ブロック毎に、
複数の前記処理ユニットと、
前記幅方向に直線的にのみ前記基板を搬送するシャトル搬送機構と、が設けられている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１１）前記処理ブロックは、互いに隣り合う前記分割ブロックの間に中間ブロックをさらに有し、
前記中間ブロックは、前記受け渡しブロックを有し、
前記シャトル搬送機構は、前記受け渡しブロック間で、前記基板を前記幅方向に直線的に搬送する、前記（１０）に記載の基板処理装置。
（１２）前記複数の前記分割ブロックは、前記幅方向に連なっており、
前記シャトル搬送機構は、当該シャトル搬送機構が設けられた前記分割ブロック内の前記受け渡しユニットと、当該分割ブロックに隣接する他の前記分割ブロック内の前記受け渡しユニットとの間で、前記基板を前記幅方向に直線的に搬送する、前記（１０）に記載の基板処理装置。
（１３）前記シャトル搬送機構による直線的なウェハＷの搬送経路及び当該シャトル搬送機構が前記基板を搬送する前記受け渡しユニットは、平面視で前記処理ユニットに重なる、前記（１２）に記載の基板処理装置。
（１４）前記第１搬送機構は、前記幅方向にかかる前記搬入出ブロック側の前記分割ブロック内の、前記シャトル搬送機構が前記基板を搬送する前記受け渡しユニットに対しても、前記基板を搬送する、前記（１２）または（１３）に記載の基板処理装置。
（１５）前記第１搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記奥行き方向の一方側からのみ行い、
前記幅方向にかかる前記搬入出ブロック側の前記分割ブロック内の、前記シャトル搬送機構が前記基板を搬送する前記受け渡しユニットは、前記奥行き方向について、前記搬入出ブロックの前記受け渡しブロックよりも前記一方側に設けられている、前記（１４）に記載の基板処理装置。
（１）基板を収容可能に構成された容器が複数載置される容器載置部を有する搬入出ブロックと、
前記搬入出ブロックと幅方向に隣接するように設けられ、前記基板に処理を施す処理ユニットを複数有する処理ブロックと、を備え、
前記搬入出ブロックは、
前記処理ブロックとの間で前記基板を受け渡すための受け渡しユニットが積層され、前記処理ブロック側に設けられた受け渡しブロックと、
前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間で前記基板を搬送する第１搬送機構と、をさらに有し、
前記処理ブロックは、前記受け渡しブロックと前記処理ユニットとの間で前記基板を搬送する第２搬送機構をさらに有し、
前記第１搬送機構は、
前記基板を支持する支持部を有し、
前記支持部に支持された基板が、平面視で、前記受け渡しブロックを、前記幅方向と交差する奥行き方向に通り過ぎることが可能に構成されている、基板処理装置。
（２）前記第１搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記奥行き方向からのみ行う、前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記搬入出ブロックにおける前記第１搬送機構が設けられた第１搬送空間に、上方から清浄気体を供給する第１送風ユニットをさらに備え、
前記第１搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記奥行き方向の一方側からのみ行い、
前記第１送風ユニットは、前記第１搬送空間のうち前記受け渡しブロックより前記奥行き方向の前記一方側にのみ前記清浄気体を供給するように構成され、
前記第１搬送空間のうち、前記受け渡しブロックより前記奥行き方向の他方側は、電装品を収納する収納部で埋められている、前記（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記容器載置部は、前記搬入出ブロックにおいて、前記幅方向にかかる前記処理ブロック側とは反対側に設けられている、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（５）前記第１搬送機構は、前記容器載置部との間での前記基板の受け渡しを、前記幅方向にかかる前記処理ブロック側から行う、前記（４）に記載の基板処理装置。
（６）前記第１搬送機構は、前記支持部の鉛直方向への移動をガイドする第１ガイド部と、前記第１ガイド部の前記奥行き方向への移動をガイドする第２ガイド部と、をさらに有し、
前記幅方向について、前記容器載置部と前記受け渡しブロックとの間の隙間の大きさは、前記第１ガイド部の長さより大きく、且つ、前記支持部の長さよりも小さい、前記（４）または（５）に記載の基板処理装置。
（７）前記第２搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記幅方向から行う、前記（１）～（６）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（８）前記処理ブロックは、鉛直方向に複数のブロックに分割され、
前記複数のブロックそれぞれに前記第２搬送機構が設けられ、
前記受け渡しブロックは、前記複数のブロック全ての前記第２搬送機構との間で前記基板を受け渡しが可能に設けられている、前記（１）～（７）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（９）前記処理ブロックにおける前記幅方向にかかる前記搬入出ブロックと反対側に設けられた他のブロックと、
前記処理ブロックにおける前記第２搬送機構が設けられた空間である第２搬送空間に上方から清浄気体を送る第２送風ユニットと、をさらに備え、
前記第２送風ユニットは、その一部が前記他のブロックの上に重ねられている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１０）前記処理ブロックは、前記幅方向に複数の分割ブロックに分割されており、
前記分割ブロック毎に、
複数の前記処理ユニットと、
前記幅方向に直線的にのみ前記基板を搬送するシャトル搬送機構と、が設けられている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１１）前記処理ブロックは、互いに隣り合う前記分割ブロックの間に中間ブロックをさらに有し、
前記中間ブロックは、前記受け渡しブロックを有し、
前記シャトル搬送機構は、前記受け渡しブロック間で、前記基板を前記幅方向に直線的に搬送する、前記（１０）に記載の基板処理装置。
（１２）前記複数の前記分割ブロックは、前記幅方向に連なっており、
前記シャトル搬送機構は、当該シャトル搬送機構が設けられた前記分割ブロック内の前記受け渡しユニットと、当該分割ブロックに隣接する他の前記分割ブロック内の前記受け渡しユニットとの間で、前記基板を前記幅方向に直線的に搬送する、前記（１０）に記載の基板処理装置。
（１３）前記シャトル搬送機構による直線的なウェハＷの搬送経路及び当該シャトル搬送機構が前記基板を搬送する前記受け渡しユニットは、平面視で前記処理ユニットに重なる、前記（１２）に記載の基板処理装置。
（１４）前記第１搬送機構は、前記幅方向にかかる前記搬入出ブロック側の前記分割ブロック内の、前記シャトル搬送機構が前記基板を搬送する前記受け渡しユニットに対しても、前記基板を搬送する、前記（１２）または（１３）に記載の基板処理装置。
（１５）前記第１搬送機構は、前記受け渡しブロックとの間での前記基板の受け渡しを、前記奥行き方向の一方側からのみ行い、
前記幅方向にかかる前記搬入出ブロック側の前記分割ブロック内の、前記シャトル搬送機構が前記基板を搬送する前記受け渡しユニットは、前記奥行き方向について、前記搬入出ブロックの前記受け渡しブロックよりも前記一方側に設けられている、前記（１４）に記載の基板処理装置。
【符号の説明】
【0171】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 塗布現像装置
１０ カセットブロック
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ 処理ブロック
２０ カセット載置台
３０ 受け渡しブロック
３１ 受け渡しユニット
４０ 第１搬送機構
４１ フォーク
７０ 第２搬送機構
Ｃ カセット
ＣＯＴ レジスト膜形成ユニット
ＤＥＶ 現像ユニット
ＨＴ 熱処理ユニット
Ｗ ウェハ
１０ カセットブロック
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ 処理ブロック
２０ カセット載置台
３０ 受け渡しブロック
３１ 受け渡しユニット
４０ 第１搬送機構
４１ フォーク
７０ 第２搬送機構
Ｃ カセット
ＣＯＴ レジスト膜形成ユニット
ＤＥＶ 現像ユニット
ＨＴ 熱処理ユニット
Ｗ ウェハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】