特開 2025-8736 発光素子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025008736

(43)【公開日】2025-01-20

(54)【発明の名称】発光素子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H10H 20/00 20250101AFI20250109BHJP

【ＦＩ】

H01L33/00 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023111163

(22)【出願日】2023-07-06

(71)【出願人】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】古波 直人

【テーマコード（参考）】

5F241

【Ｆターム（参考）】

5F241CA74

5F241CA75

5F241CA76

(57)【要約】

【課題】設計上の発光素子領域の形状と得られる発光素子領域の形状との間の誤差を小さくすることができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、基板と、前記基板上に配置された半導体構造体とを有するウェハを準備する工程と、前記半導体構造体を分割して複数の発光素子領域を形成する工程と、を有し、前記発光素子領域を形成する工程は、前記半導体構造体の上に複数の第１マスクを形成する工程と、前記半導体構造体の前記第１マスクから露出する部分を除去して前記基板を前記半導体構造体から露出させる工程と、を有し、前記第１マスクを形成する工程において、前記複数の第１マスクの各々は、前記複数の発光素子領域のうちの１つを形成する予定の第１領域を覆うとともに、平面視で前記第１領域よりも大きい面積を有する。
【選択図】図１０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、前記基板上に配置された半導体構造体とを有するウェハを準備する工程と、
前記半導体構造体を分割して複数の発光素子領域を形成する工程と、
を有し、
前記発光素子領域を形成する工程は、
前記半導体構造体の上に複数の第１マスクを形成する工程と、
前記半導体構造体の前記第１マスクから露出する部分を除去して前記基板を前記半導体構造体から露出させる工程と、
を有し、
前記第１マスクを形成する工程において、前記複数の第１マスクの各々は、前記複数の発光素子領域のうちの１つを形成する予定の第１領域を覆うとともに、平面視で前記第１領域よりも大きい面積を有する、発光素子の製造方法。

【請求項2】

平面視における前記第１領域の形状は、互いに平行な２つの第１辺と、前記第１辺よりも長く互いに平行な２つの第２辺とを有する形状であり、
平面視における前記第１マスクの形状は、前記第１領域と重なり、前記第１辺に平行な２つの第３辺と、前記第３辺よりも長く前記第２辺に平行な２つの第４辺とを有する形状である基部と、前記第１領域の前記第２辺の外側に位置する第１部分と、前記第１領域の前記第１辺の外側に位置する第２部分と、を有し、
平面視で、前記第１部分の外縁と前記基部の前記第４辺との間の最大距離は、前記第２部分の外縁と前記基部の前記第３辺との間の最大距離よりも大きい、請求項１に記載の発光素子の製造方法。

【請求項3】

前記半導体構造体は、前記基板の上に配置されたｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の上に配置された活性層と、前記活性層の上に配置されたｐ側半導体層と、を有し、
前記発光素子領域を形成する工程は、前記第１マスクを形成する工程の前に、
前記半導体構造体の上に複数の第２マスクを形成する工程と、
前記半導体構造体の前記第２マスクから露出する部分を、前記ｐ側半導体層及び前記活性層の総厚さよりも大きく、前記ｎ側半導体層の厚さよりも小さい厚さで除去して、前記ｎ側半導体層を前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出させる工程と、
を有する、請求項１又は２に記載の発光素子の製造方法。

【請求項4】

前記複数の第２マスクを形成する工程において、平面視で、前記複数の第２マスクの各々の外縁は、前記ｐ側半導体層及び前記活性層を残す予定の第２領域の外縁と一致し、
前記ｎ側半導体層を前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出させる工程において、前記第２マスクが前記第２領域を覆う状態が維持される、請求項３に記載の発光素子の製造方法。

【請求項5】

前記第１マスクの厚さは、前記第２マスクの厚さよりも大きい、請求項３に記載の発光素子の製造方法。

【請求項6】

平面視で、前記第１部分の外縁と前記基部の前記第４辺との間の最大距離は、前記第２部分の外縁と前記基部の前記第３辺との間の最大距離の１．２倍以上２．０倍以下である、請求項２に記載の発光素子の製造方法。

【請求項7】

平面視において、前記第１部分の外縁の一部は、前記基部の前記第４辺を二等分する垂直二等分線上において前記基部の前記第４辺から外側に凸である弧状である、請求項２に記載の発光素子の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、発光素子の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、基板上に複数の発光セルが配置された発光素子が提案されている。このような発光素子の製造過程では、基板上に配置された半導体構造体を分割して複数の発光セルを形成している。半導体構造体の分割の際には、半導体構造体の発光セルを形成しようとする部分を覆い、他の部分を露出するレジストマスクを用いたエッチングが行われる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－１９５３７０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

従来の発光素子の製造方法のように、比較的厚い半導体構造をエッチングする場合、設計上の発光素子領域の形状と得られる発光素子領域の形状との間の誤差が大きくなりやすい。

【0005】

本開示は、設計上の発光素子領域の形状と得られる発光素子領域の形状との間の誤差を小さくすることができる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

開示の技術の一態様によれば、発光素子の製造方法は、基板と、前記基板上に配置された半導体構造体とを有するウェハを準備する工程と、前記半導体構造体を分割して複数の発光素子領域を形成する工程と、を有し、前記発光素子領域を形成する工程は、前記半導体構造体の上に複数の第１マスクを形成する工程と、前記半導体構造体の前記第１マスクから露出する部分を除去して前記基板を前記半導体構造体から露出させる工程と、を有し、前記第１マスクを形成する工程において、前記複数の第１マスクの各々は、前記複数の発光素子領域のうちの１つを形成する予定の第１領域を覆うとともに、平面視で前記第１領域よりも大きい面積を有する。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、設計上の発光素子領域の形状と得られる発光素子領域の形状との間の誤差を小さくすることができる発光素子の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その１）である。

【図2】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その２）である。

【図3】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その３）である。

【図4】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その４）である。

【図5】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その５）である。

【図6】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その６）である。

【図7】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その７）である。

【図8】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その８）である。

【図9】発光素子領域を形成する予定の第１領域を示す上面図である。

【図10】第１マスクを示す上面図である。

【図11】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図12】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図13】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図14】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図15】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図16】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その６）である。

【図17】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その７）である。

【図18】実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その８）である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照しながら、本開示を実施するための実施形態を説明する。以下の説明は、本開示の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本開示を以下の記載に限定するものではない。

【0010】

各図面中、同一の機能を有する部材には、同一符号を付している場合がある。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態に分けて示す場合があるが、異なる実施形態や実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。後に示す実施形態では、先に示した実施形態との異なる事項について主に説明し、先に示した実施形態と共通の事柄について重複する説明を省略することがある。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張して示している場合がある。図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略したり、断面図として切断面のみを示す端面図を用いたりする場合がある。また、以下の説明では、ＸＹＺ直交座標系を用いるが、当該座標系は、説明のために定めるものであって、基板等の姿勢について限定するものではない。また、任意の点からみて、＋Ｚ側を上方、上側または上ということがあり、－Ｚ側を下方、下側または下ということがある。

【0011】

本実施形態は発光素子の製造方法に関する。図１～図８は、実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図である。図９は、発光素子領域を形成する予定の第１領域を示す上面図である。図１０は、第１マスクを示す上面図である。図１１～図１８は、実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図である。図１１～図１８は、それぞれ図１～図８中のＸＩ－ＸＩ線、ＸＩＩ－ＸＩＩ線、ＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線、ＸＩＶ－ＸＩＶ線、ＸＶ－ＸＶ線、ＸＶＩ－ＸＶＩ線、ＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線、ＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿った断面図に相当する。本実施形態では、図８及び図１８に示す発光素子１を製造する。発光素子１は、Ｘ方向に並ぶ２つの発光素子領域４０を有する。

【0012】

本実施形態では、まず、図１及び図１１に示すように、基板２０と、半導体構造体３０とを有するウェハ１０を準備する工程を行う。基板２０は、例えばサファイア基板等の絶縁基板である。半導体構造体３０は基板２０上に配置される。半導体構造体３０は、ｎ側半導体層３１と、活性層３２と、ｐ側半導体層３３とを有する。ｎ側半導体層３１は基板２０の上に配置され、活性層３２はｎ側半導体層３１の上に配置され、ｐ側半導体層３３は活性層３２の上に配置される。ｎ側半導体層３１の厚さＴ１は、ｐ側半導体層３３及び活性層３２の総厚さＴ２より大きい。例えば、ｎ側半導体層３１の厚さＴ１は５．０μｍ以上１５．０μｍ以下であり、ｐ側半導体層３３及び活性層３２の総厚さＴ２は０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。例えば、半導体構造体３０の材料には、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体又はＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等の化合物半導体が用いられる。半導体構造体３０には、例えば、窒化物半導体が用いられる。

【0013】

ウェハ１０は、発光素子１とする予定の複数のチップ領域５を有する。平面視におけるチップ領域５の形状は、例えば各辺の長さが１００μｍ以上２０００μｍ以下、好ましくは５００μｍ以上２０００μｍ以下の矩形状である。複数のチップ領域５はＸ方向及びＹ方向に一定の間隔で配置される。例えば、隣り合う２つのチップ領域５の間の距離は、例えば５μｍ以上３０μｍ以下である。図１には、Ｘ方向に並ぶ２つのチップ領域５を示す。チップ領域５の各々は、図６に示す発光素子領域４０を形成する予定の２つの第１領域４１を有する。２つの第１領域４１はＸ方向に並ぶ。平面視における第１領域４１の形状は、Ｘ方向に平行な短辺と、Ｙ方向に平行な長辺とを有する長方形状である。長方形状を有する第１領域４１の角部は、丸みを有する形状であってよい。図８に示すように、発光素子１の各々は２つの発光素子領域４０を有する。

【0014】

図９に示すように、第１領域４１は、互いに平行な２つの第１辺４１Ｓと、第１辺４１Ｓよりも長く互いに平行な２つの第２辺４１Ｌとを有する。第１辺４１ＳはＸ方向に平行であり、第２辺４１ＬはＹ方向に平行である。第１領域４１は、ｐ側半導体層３３及び活性層３２が除去されてｎ側半導体層３１が露出する予定の第３領域４３と、ｐ側半導体層３３及び活性層３２が除去されずに残る予定の第２領域４２とを有する。

【0015】

次いで、図２及び図１２に示すように、半導体構造体３０の上に複数の第２マスク６０を形成する工程を行う。第２マスク６０は、半導体構造体３０の第２領域４２の上に形成され、第２マスク６０から半導体構造体３０の他の部分（第３領域４３を含む）が露出する。この時、平面視で、複数の第２マスク６０の各々の外縁６０Ｅは、第２領域４２の外縁４２Ｅと一致する。第２マスク６０は、例えばレジストマスクである。

【0016】

次いで、図３及び図１３に示すように、半導体構造体３０の第２マスク６０から露出する部分を、ｐ側半導体層３３及び活性層３２の総厚さＴ２よりも大きく、ｎ側半導体層３１の厚さＴ１よりも小さい厚さＴ３で除去して、ｎ側半導体層３１をｐ側半導体層３３及び活性層３２から露出させる工程を行う。この結果、半導体構造体３０の第２マスク６０から露出していた部分に凹部７０が形成される。厚さＴ３、すなわち凹部７０の深さは、例えば０．５μｍ以上１．５μｍ以下である。ｐ側半導体層３３及び活性層３２から露出した部分のｎ側半導体層３１の厚さは、例えば５．０μｍ以上１５．０μｍ以下である。半導体構造体３０を除去する工程は、例えば反応性イオンエッチング（reactive ion etching：ＲＩＥ）により行われ、ウェハ１０の温度は１００℃程度となる。

【0017】

次いで、図４及び図１４に示すように、第２マスク６０を除去し、半導体構造体３０の上に複数の第１マスク５０を形成する工程を行う。第１マスク５０は、第１領域４１を覆うとともに、平面視で第１領域４１よりも大きい面積を有する。

【0018】

図１０に示すように、平面視における第１マスク５０の形状は、基部５３と、２つの第１部分５１と、２つの第２部分５２とを有する。基部５３の形状は、平面視で、第１領域４１と重なり、第１領域４１の第１辺４１Ｓに平行な２つの第３辺５３Ｓと、第３辺５３Ｓよりも長く第１領域４１の第２辺４１Ｌに平行な２つの第４辺５３Ｌとを有する形状である。第３辺５３ＳはＸ方向に平行であり、第４辺５３ＬはＹ方向に平行である。第１部分５１は、平面視で第１領域４１の第２辺４１Ｌの外側に位置し、第２部分５２は、平面視で第１領域４１の第１辺４１Ｓの外側に位置する。

【0019】

第１部分５１の外縁５１Ｅは、Ｙ方向で２つの第２部分５２の中間に近い部分ほど、基部５３から離れるように湾曲した形状を有する。平面視において、第１部分５１の外縁５１Ｅの一部は、基部５３の第４辺５３Ｌを二等分する垂直二等分線５５上において基部５３の第４辺５３Ｌから外側に凸である弧状である。また、第２部分５２の外縁５２Ｅは、Ｙ方向で２つの第１部分５１の中間に近い部分ほど、基部５３から離れるように湾曲した形状を有する。平面視において、第２部分５２の外縁５２Ｅの一部は、基部５３の第３辺５３Ｓを二等分する垂直二等分線５６上において基部５３の第３辺５３Ｓから外側に凸である弧状である。

【0020】

例えば、平面視で、第１部分５１の外縁５１Ｅと基部５３の第４辺５３Ｌとの間の最大距離Ｌ１は、第２部分５２の外縁５２Ｅと基部５３の第３辺５３Ｓとの間の最大距離Ｌ２よりも大きい。最大距離Ｌ１は最大距離Ｌ２の、好ましくは１．２倍以上２．０倍以下であり、より好ましくは１．３倍以上１．８倍以下であり、更に好ましくは１．４倍以上１．６倍以下である。例えば、最大距離Ｌ１は１．０μｍ以上２．０μｍ以下であり、最大距離Ｌ２は０．５μｍ以上１．５μｍ以下である。

【0021】

次いで、図５及び図１５に示すように、半導体構造体３０の第１マスク５０から露出する部分を除去して基板２０を半導体構造体３０から露出させる工程を行う。半導体構造体３０を除去する工程は、上記したように、例えばＲＩＥにより行われる。ＲＩＥの際に、ウェハ１０の温度は１００℃程度となり、第１マスク５０にウェハ１０の熱が伝わる。このため、ＲＩＥを行っている間に、第１マスク５０の温度が上昇し、第１マスク５０が徐々に収縮する。収縮の量は第１マスク５０の体積が大きいほど大きい。第１マスク５０の厚さは、比較的厚い半導体層を除去する場合、半導体層の厚さに応じて厚くする必要がある。上記のように、第１マスク５０から露出していた部分のｎ側半導体層３１の厚さは、例えば１０．０μｍ以上１５．０μｍ以下であり、第１マスク５０は、この厚さに応じた厚さＴ５０を有する。例えば、厚さＴ５０は１０μｍ以上２０μｍ以下である。従って、第１マスク５０は、比較的厚さが薄いマスクに比べて収縮しやすい。この時、平面視における第１マスク５０の形状において、第１部分５１と第２部分５２とを比べると第１部分５１の方が第２部分５２よりも収縮し、垂直二等分線５５の近傍において第１部分５１が大きく収縮する。この結果、第１マスク５０を用いて半導体構造体３０を除去する工程の前では、第１マスク５０が、平面視で第１領域４１からはみ出た第１部分５１及び第２部分５２を有していても、第１マスク５０を用いて半導体構造体３０を除去する工程の後には、第１マスク５０の基部５３、第１部分５１、及び第２部分５２がそれぞれ収縮することにより第１マスク５０の全体が概ね第１領域４１と重なるようになる。また、ＲＩＥにより第１マスク５０の厚さは若干薄くなる。

【0022】

次いで、図６及び図１６に示すように、第１マスク５０を除去する。このように、半導体構造体３０を分割することにより複数の発光素子領域４０が形成される。発光素子領域４０は、概ね第１領域４１と重なるように形成される。発光素子領域４０において、ｐ側半導体層３３からｎ側半導体層３１の一部が露出する。また、発光素子領域４０の周囲に基板２０が露出する。例えば、チップ領域５内で隣り合う２つの発光素子領域４０の間の距離は５μｍ以上２０μｍである。

【0023】

次いで、図７及び図１７に示すように、発光素子領域４０及び基板２０を覆う絶縁膜８１を形成する。次いで、絶縁膜８１に、ｎ側半導体層３１を露出する開口部８１ｎと、ｐ側半導体層３３を露出する開口部（図示せず）とを形成する。次いで、ｎ側半導体層３１を露出する開口部８１ｎを通じてｎ側半導体層３１に電気的に接続されるｎ側電極８２ｎと、ｐ側半導体層３３を露出する開口部を通じてｐ側半導体層３３に電気的に接続されるｐ側電極８２ｐとを形成する。例えば、絶縁膜８１は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物の膜である。例えば、ｎ側電極８２ｎ及びｐ側電極８２ｐの材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属、またはこれら金属の合金が用いられる。また、ｎ側電極８２ｎ及びｐ側電極８２ｐが、単層膜から構成されていてよく、積層膜から構成されていてもよい。

【0024】

次いで、図８及び図１８に示すように、基板２０を分割することで複数のチップ領域５を互いに分離する。このようにして、複数の発光素子１を製造することができる。

【0025】

このように、本実施形態では、第１マスク５０が基部５３、第１部分５１及び第２部分５２を有している。このため、半導体構造体３０の第１マスク５０から露出する部分を除去するＲＩＥの際に第１マスク５０が収縮するものの、ＲＩＥの終了時には、第１マスク５０の収縮により第１マスク５０の全体が概ね第１領域４１と重なるようになる。従って、発光素子領域４０を形成する予定の第１領域４１の形状と、ＲＩＥを通じて得られる発光素子領域４０の形状との間の誤差を小さくすることができる。第１領域４１は設計上の発光素子領域４０に相当するため、本実施形態によれば、設計上の発光素子領域４０の形状と得られる発光素子領域４０の形状との間の誤差を小さくすることができる。

【0026】

なお、半導体構造体３０の第２マスク６０から露出する部分を除去するＲＩＥの際にも第２マスク６０にウェハ１０の熱が伝わり収縮するが、第２マスク６０は実質的に収縮せず、この工程では、第２マスク６０が第２領域４２を覆う状態が維持されやすい。これは、この工程で除去する部分の厚さＴ３が、例えば０．５μｍ以上１．５μｍ以下であり、第２マスク６０は、この厚さＴ３に応じた厚さＴ６０を有すればよく、第２マスク６０の体積が、収縮の量を無視できる程度に小さいためである。すなわち、第２マスク６０の厚さＴ６０は第１マスク５０の厚さＴ５０よりも小さくてよい。

【0027】

また、第１マスク５０は、平面視における第１マスク５０の４つの隅部から離れた部分が大きく収縮しやすい。本実施形態では、最大距離Ｌ１が最大距離Ｌ２よりも大きいため、第１部分５１が第２部分５２よりも大きく収縮しやすく、第１マスク５０の収縮により第１マスク５０の全体が第１領域４１と重なりやすい。最大距離Ｌ１が最大距離Ｌ２の１．２倍以上２．０倍以下であると、第１マスク５０の収縮により第１マスク５０の全体が第１領域４１と特に重なりやすい。

【0028】

また、平面視において、第１部分５１の外縁５１Ｅの一部は、垂直二等分線５５上において基部５３の第４辺５３Ｌから外側に凸である弧状であるため、平面視で、第１部分５１の外縁５１Ｅは第１マスク５０の収縮により第１領域４１の第２辺４１Ｌに重なりやすい。

【0029】

本明細書は、下記の実施形態を含む。
１．
基板と、前記基板上に配置された半導体構造体とを有するウェハを準備する工程と、
前記半導体構造体を分割して複数の発光素子領域を形成する工程と、
を有し、
前記発光素子領域を形成する工程は、
前記半導体構造体の上に複数の第１マスクを形成する工程と、
前記半導体構造体の前記第１マスクから露出する部分を除去して前記基板を前記半導体構造体から露出させる工程と、
を有し、
前記第１マスクを形成する工程において、前記複数の第１マスクの各々は、前記複数の発光素子領域のうちの１つを形成する予定の第１領域を覆うとともに、平面視で前記第１領域よりも大きい面積を有する、発光素子の製造方法。
２．
平面視における前記第１領域の形状は、互いに平行な２つの第１辺と、前記第１辺よりも長く互いに平行な２つの第２辺とを有する形状であり、
平面視における前記第１マスクの形状は、前記第１領域と重なり、前記第１辺に平行な２つの第３辺と、前記第３辺よりも長く前記第２辺に平行な２つの第４辺とを有する形状である基部と、前記第１領域の前記第２辺の外側に位置する第１部分と、前記第１領域の前記第１辺の外側に位置する第２部分と、を有し、
平面視で、前記第１部分の外縁と前記基部の前記第４辺との間の最大距離は、前記第２部分の外縁と前記基部の前記第３辺との間の最大距離よりも大きい、上記１に記載の発光素子の製造方法。
３．
前記半導体構造体は、前記基板の上に配置されたｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の上に配置された活性層と、前記活性層の上に配置されたｐ側半導体層と、を有し、
前記発光素子領域を形成する工程は、前記第１マスクを形成する工程の前に、
前記半導体構造体の上に複数の第２マスクを形成する工程と、
前記半導体構造体の前記第２マスクから露出する部分を、前記ｐ側半導体層及び前記活性層の総厚さよりも大きく、前記ｎ側半導体層の厚さよりも小さい厚さで除去して、前記ｎ側半導体層を前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出させる工程と、
を有する、上記１又は２に記載の発光素子の製造方法。
４．
前記複数の第２マスクを形成する工程において、平面視で、前記複数の第２マスクの各々の外縁は、前記ｐ側半導体層及び前記活性層を残す予定の第２領域の外縁と一致し、
前記ｎ側半導体層を前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出させる工程において、前記第２マスクが前記第２領域を覆う状態が維持される、上記３に記載の発光素子の製造方法。
５．
前記第１マスクの厚さは、前記第２マスクの厚さよりも大きい、上記３又は４に記載の発光素子の製造方法。
６．
平面視で、前記第１部分の外縁と前記基部の前記第４辺との間の最大距離は、前記第２部分の外縁と前記基部の前記第３辺との間の最大距離の１．２倍以上２．０倍以下である、上記２に記載の発光素子の製造方法。
７．
平面視において、前記第１部分の外縁の一部は、前記基部の前記第４辺を二等分する垂直二等分線上において前記基部の前記第４辺から外側に凸である弧状である、上記２に記載の発光素子の製造方法。

【符号の説明】

【0030】

１：発光素子
１０：ウェハ
２０：基板
３０：半導体構造体
３１：ｎ側半導体層
３２：活性層
３３：ｐ側半導体層
４０：発光素子領域
４１：第１領域
４１Ｓ：第１辺
４１Ｌ：第２辺
４２：第２領域
４２Ｅ：外縁
４３：第３領域
５０：第１マスク
５１：第１部分
５２：第２部分
５１Ｅ、５２Ｅ：外縁
５３：基部
５３Ｓ：第３辺
５３Ｌ：第４辺
５５、５６：垂直二等分線
６０：第２マスク
６０Ｅ：外縁

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】