特開2025-87745半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法

発明の名称　半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法

出願人　バーサム　マテリアルズ　ユーエス，リミティド　ライアビリティ　カンパニー　（識別番号 517114182）

　　　　特許公開件数ランキング 807 位（10件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 792 位（9件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2025-87745

公報発行日　2025年6月10

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2025-87745

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特開-2025-87745「半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録