特開 2025-9241 光モジュール及び光モジュールの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025009241

(43)【公開日】2025-01-20

(54)【発明の名称】光モジュール及び光モジュールの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/30 20060101AFI20250110BHJP

   G02B 6/122 20060101ALI20250110BHJP

   G02B 6/42 20060101ALI20250110BHJP

【ＦＩ】

G02B6/30

G02B6/122

G02B6/42

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023112106

(22)【出願日】2023-07-07

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】柳沢 賢司

【テーマコード（参考）】

2H137

2H147

【Ｆターム（参考）】

2H137AB05

2H137AB06

2H137AB08

2H137BA03

2H137BA31

2H137BA53

2H137BB02

2H137BB12

2H137BC73

2H137BC76

2H137CA13B

2H137CA34

2H137CA75

2H137CB03

2H137CB24

2H137CB25

2H137CB32

2H137CC02

2H137CC03

2H137EA03

2H137EA05

2H137HA01

2H147AB04

2H147AB05

2H147CA01

2H147CA28

2H147CA30

2H147CC02

2H147CC07

2H147CC12

2H147CC13

2H147EA13A

2H147FC09

2H147GA19

2H147GA26

(57)【要約】

【課題】簡易に調芯できる光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール２０は、基板３０上に形成された第１クラッド層５０と、第１クラッド層５０を厚さ方向に貫通する第１溝部５１と、第１クラッド層５０の上面に形成された第２クラッド層６０とを有する。光モジュール２０は、第１クラッド層５０及び第２クラッド層６０を厚さ方向に貫通する第２溝部６２と、第１クラッド層５０の上面に搭載されたシリコンフォトニクス部品７０と、第２溝部６２に嵌合されたシングルモードファイバ８０とを有する。シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１の下面よりも下方に位置する光軸Ａ１を有する。本体部７１の下面は、第１クラッド層５０の上面に接触している。光軸Ａ１は、第１溝部５１に収容されている。シングルモードファイバ８０の外周面は、第２溝部６２の底面に接触するとともに、第２溝部６２の内壁面６４に接触している。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に形成された第１クラッド層と、
前記第１クラッド層を厚さ方向に貫通する第１溝部と、
前記第１クラッド層の上面に形成された第２クラッド層と、
前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層を厚さ方向に貫通するとともに、前記第１溝部に連通する第２溝部と、
前記第２クラッド層から露出する前記第１クラッド層の上面に搭載されたシリコンフォトニクス部品と、
前記第２溝部に嵌合されたシングルモードファイバと、を有し、
前記シリコンフォトニクス部品は、本体部と、前記本体部の下面よりも下方に突出した位置に設けられる光軸とを有し、
前記本体部の下面は、前記第１クラッド層の上面に接触しており、
前記本体部の側面は、前記第２クラッド層の側面に接触しており、
前記光軸は、前記第１溝部に収容されており、
前記シングルモードファイバの外周面は、前記第２溝部の底面に接触するとともに、前記第２溝部の内壁面に接触しており、
前記光軸は、前記シングルモードファイバのコアに対向している光モジュール。

【請求項2】

前記シングルモードファイバは、円柱状に形成されており、
前記第２溝部の平面形状は、第１方向に延びる長方形状に形成されており、
前記第２溝部は、前記第１方向と直交する第２方向において互いに対向する一対の前記内壁面を有し、
前記シングルモードファイバの外周面は、前記一対の内壁面の両方に接触しており、
前記光軸は、前記第１方向から見た平面視において、前記第２溝部の前記第２方向の中心に重なるように設けられている請求項１に記載の光モジュール。

【請求項3】

前記一対の内壁面の各々は、前記第２クラッド層の上面から前記基板に向かうに連れて前記第２溝部の前記第２方向の中心に近づくように傾斜している請求項２に記載の光モジュール。

【請求項4】

前記第２溝部の前記第２方向に沿う開口幅は、前記第１溝部の前記第２方向に沿う開口幅よりも大きい請求項２に記載の光モジュール。

【請求項5】

前記基板の上面に形成された金属層を有し、
前記金属層は、前記第２クラッド層と平面視で重なるように形成されており、
前記第１クラッド層は、前記金属層を被覆するように前記基板の上面に形成されており、
前記第２溝部は、前記金属層の上面を露出するように形成されており、
前記シングルモードファイバの外周面は、前記第２溝部から露出する前記金属層の上面に接触している請求項１に記載の光モジュール。

【請求項6】

前記光軸のサイズは、前記コアのサイズよりも小さい請求項１に記載の光モジュール。

【請求項7】

前記シリコンフォトニクス部品と前記シングルモードファイバとを接合する光学接着剤を有し、
前記光学接着剤は、前記シリコンフォトニクス部品と前記シングルモードファイバとの間の隙間に充填されている請求項１に記載の光モジュール。

【請求項8】

前記第２溝部は、前記第１クラッド層のみの単層部分に延びる延長溝部を有し、
前記光軸は、前記第１溝部及び前記延長溝部に収容されている請求項１に記載の光モジュール。

【請求項9】

基板上に、第１溝部を有する第１クラッド層を形成する工程と、
前記第１クラッド層の上面に第２クラッド層を形成する工程と、
前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とを厚さ方向に貫通するとともに、前記第１溝部に連通する第２溝部を形成する工程と、
本体部と前記本体部の下面よりも下方に突出した位置に設けられた光軸とを有するシリコンフォトニクス部品を、前記第２クラッド層から露出する前記第１クラッド層の上面に搭載する工程と、
前記第２溝部にシングルモードファイバを嵌合する工程と、を有し、
前記シリコンフォトニクス部品は、前記本体部の下面が前記第１クラッド層の上面に接触され、前記本体部の側面が前記第２クラッド層の側面に接触されるとともに、前記光軸が前記第１溝部に収容された状態で、前記第１クラッド層の上面に搭載され、
前記シングルモードファイバは、前記第２溝部の底面と前記第２溝部の内壁面とに接触された状態で、前記第２溝部に嵌合される光モジュールの製造方法。

【請求項10】

前記基板の上面に金属層を形成する工程を有し、
前記第１クラッド層は、前記金属層を被覆するように前記基板の上面に形成され、
前記第２溝部は、レーザ加工法により、前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とを厚さ方向に貫通して前記金属層の上面を露出するように形成される請求項９に記載の光モジュールの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光モジュール及び光モジュールの製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、光通信に使用される光モジュールとしては、シリコンフォトニクス部品と光ファイバとを有するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。光モジュールでは、シリコンフォトニクス部品の光軸と光ファイバのコアとを精度良く位置合わせする必要がある。すなわち、光モジュールでは、シリコンフォトニクス部品と光ファイバとの光軸を合わせる調芯を高精度に行う必要がある。特に、光ファイバがシングルモードファイバである場合には、そのシングルモードファイバのコア径が１０μｍ程度であるため、位置合わせにおいて数μｍしか位置ずれを許容できず、高精度の調芯が要求される。このような調芯には、アクティブアライメントが用いられる。アクティブアライメントでは、シリコンフォトニクス部品から光を出射させながらその光の分布をモニタし、最も光が強くなるようにシリコンフォトニクス部品に対してシングルモードファイバを位置合わせする。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－０７９０６１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところが、アクティブアライメントは、専用の装置と長い作業時間とを必要とする。そこで、簡易な方法によってシリコンフォトニクス部品とシングルモードファイバとを調芯できる技術が望まれている。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上に形成された第１クラッド層と、前記第１クラッド層を厚さ方向に貫通する第１溝部と、前記第１クラッド層の上面に形成された第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層を厚さ方向に貫通するとともに、前記第１溝部に連通する第２溝部と、前記第２クラッド層から露出する前記第１クラッド層の上面に搭載されたシリコンフォトニクス部品と、前記第２溝部に嵌合されたシングルモードファイバと、を有し、前記シリコンフォトニクス部品は、本体部と、前記本体部の下面よりも下方に突出した位置に設けられる光軸とを有し、前記本体部の下面は、前記第１クラッド層の上面に接触しており、前記本体部の側面は、前記第２クラッド層の側面に接触しており、前記光軸は、前記第１溝部に収容されており、前記シングルモードファイバの外周面は、前記第２溝部の底面に接触するとともに、前記第２溝部の内壁面に接触しており、前記光軸は、前記シングルモードファイバのコアに対向している。

【発明の効果】

【0006】

本発明の一観点によれば、簡易に調芯できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、一実施形態の光モジュールを示す概略斜視図である。

【図2】図２は、一実施形態の光モジュールを示す概略平面図である。

【図3】図３は、一実施形態の光モジュールを示す概略断面図（図２における３－３線断面図）である。

【図4】図４は、一実施形態の光モジュールを示す概略断面図（図２における４－４線断面図）である。

【図5】図５は、一実施形態の光モジュールを示す概略断面図（図２における５－５線断面図）である。

【図6】図６は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略平面図である。

【図7】図７は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略平面図である。

【図8】図８は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図（図７における８－８線断面図）である。

【図9】図９は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略平面図である。

【図10】図１０は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図（図９における１０－１０線断面図）である。

【図11】図１１は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略斜視図である。

【図12】図１２は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略平面図である。

【図13】図１３は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図（図１２における１３－１３線断面図）である。

【図14】図１４は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図（図１２における１４－１４線断面図）である。

【図15】図１５は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略斜視図である。

【図16】図１６は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図である。

【図17】図１７は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図である。

【図18】図１８は、一実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、一実施形態について添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率については各図面で異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。各図面では、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。以下の説明では、便宜上、Ｘ軸に沿って延びる方向をＸ軸方向と称し、Ｙ軸に沿って延びる方向をＹ軸方向と称し、Ｚ軸に沿って延びる方向をＺ軸方向と称する。なお、本明細書において、「平面視」とは、特に記載がない限り、対象物をＺ軸方向から見ることを言う。また、本明細書において、「平面形状」とは、特に記載がない限り、対象物をＺ軸方向から見た形状のことを言う。また、本明細書における「対向」とは、面同士又は部材同士が互いに正面の位置にあることを指し、互いが完全に正面の位置にある場合だけでなく、互いが部分的に正面の位置にある場合を含む。本明細書における「対向」とは、２つの部材が互いに離れている場合だけでなく、２つの部材が互いに接触している場合も含む。

【0009】

（光モジュール２０の全体構成）
図１及び図２に示すように、光モジュール２０は、基板３０と、金属層４０と、第１クラッド層５０と、第２クラッド層６０とを有している。光モジュール２０は、基板３０に搭載された１以上（本実施形態では、１つ）のシリコンフォトニクス部品７０と、基板３０に搭載された１以上（本実施形態では、１つ）のシングルモードファイバ８０とを有している。

【0010】

図１に示すように、シングルモードファイバ８０は、光信号を伝搬するコア８１と、そのコア８１の外周を包囲するクラッド８２とを有している。シングルモードファイバ８０は、円柱状に形成されている。シングルモードファイバ８０のサイズは、任意の大きさに設定することができる。本実施形態のシングルモードファイバ８０の直径（外径）は、１２５μｍである。シングルモードファイバ８０のコア径、つまりコア８１の直径は、例えば、１０μｍ程度である。

【0011】

（基板３０の構成）
基板３０は、例えば、平板状に形成されている。基板３０は、例えば、平面視矩形状に形成されている。基板３０には、シリコンフォトニクス部品７０が実装されている。基板３０には、シリコンフォトニクス部品７０以外の光機能素子や電子部品が搭載されていてもよい。光機能素子としては、例えば、発光素子、光変調器、光増幅器、光減衰器などを挙げることができる。基板３０は、例えば、基板３０に実装された電子部品等と電気的に接続される配線を有する配線基板である。

【0012】

（金属層４０の構成）
金属層４０は、基板３０の上面に設けられている。金属層４０は、例えば、基板３０の上面にべた状に形成されている。図２に示すように、金属層４０は、例えば、平面視矩形状に形成されている。金属層４０の材料としては、例えば、銅又は銅合金を用いることができる。金属層４０の厚さは、例えば、１０μｍ～１５μｍ程度とすることができる。

【0013】

（第１クラッド層５０及び第２クラッド層６０の構成）
図３及び図４に示すように、第１クラッド層５０は、例えば、基板３０の上面に設けられている。第１クラッド層５０は、例えば、金属層４０の上面に設けられている。図３に示すように、第１クラッド層５０は、例えば、金属層４０の上面の一部を被覆するように基板３０の上面に形成されている。第１クラッド層５０は、例えば、金属層４０の上面の一部を露出するように形成されている。第１クラッド層５０は、例えば、Ｘ軸方向に延びるように形成されている。

【0014】

第２クラッド層６０は、第１クラッド層５０の上面に設けられている。第２クラッド層６０は、第１クラッド層５０の上面の一部を被覆するように形成されている。第２クラッド層６０は、例えば、Ｘ軸方向において、第１クラッド層５０の上面のうち図中右側の部分を被覆するように形成されている。第２クラッド層６０は、シリコンフォトニクス部品７０に対向する側面６１を有している。側面６１は、第２クラッド層６０のＸ軸方向の端面のうち図中左側に向く端面である。

【0015】

第１クラッド層５０及び第２クラッド層６０の材料としては、例えば、エポキシ樹脂などを用いることができる。第１クラッド層５０及び第２クラッド層６０の材料としては、例えば、フィラーを含有していない樹脂材料であることが好ましい。第１クラッド層５０の材料と第２クラッド層６０の材料とは、互いに同一の材料であってもよいし、互いに異なる材料であってもよい。本実施形態では、第１クラッド層５０の材料と第２クラッド層６０の材料とが互いに同一の材料である。

【0016】

図５に示すように、第１クラッド層５０の厚さＴ１、具体的には金属層４０の上面から第１クラッド層５０の上面までの厚さＴ１は、５５μｍ～６５μｍ程度とすることができる。第１クラッド層５０の厚さＴ１は、例えば、シングルモードファイバ８０の直径に応じて設定される。第１クラッド層５０の厚さＴ１は、例えば、シリコンフォトニクス部品７０の光導波路７５の突出量に応じて設定される。本実施形態の第１クラッド層５０の厚さＴ１は、６２．５μｍである。第２クラッド層６０の厚さＴ２、具体的には第１クラッド層５０の上面から第２クラッド層６０の上面までの厚さＴ２は、５５μｍ～６５μｍ程度とすることができる。第２クラッド層６０の厚さＴ２は、例えば、シングルモードファイバ８０の直径に応じて設定される。本実施形態の第２クラッド層６０の厚さＴ２は、６０μｍである。

【0017】

第１クラッド層５０には、第１溝部５１が形成されている。第１溝部５１は、第１クラッド層５０を厚さ方向（ここでは、Ｚ軸方向）に貫通するように形成されている。第１溝部５１は、金属層４０の上面又は基板３０の上面を露出するように形成されている。第１溝部５１の内壁面は、例えば、第１クラッド層５０の上面に対して垂直に延びるように形成されている。図２に示すように、第１溝部５１は、例えば、Ｘ軸方向に沿って延びている。第１溝部５１は、例えば、Ｙ軸方向において、第１クラッド層５０の中央部に設けられている。第１溝部５１の平面形状は、例えば、Ｘ軸方向に延びる長方形状に形成されている。第１溝部５１のＹ軸方向に沿う開口幅は、例えば、５５μｍ～６５μｍ程度とすることができる。

【0018】

第２クラッド層６０には、第２溝部６２が形成されている。第２溝部６２は、例えば、Ｘ軸方向に沿って延びている。第２溝部６２は、Ｘ軸方向において、第２クラッド層６０の全長にわたって延びている。第２溝部６２は、第２クラッド層６０を２つに分断するように形成されている。第２溝部６２は、例えば、Ｙ軸方向において、第２クラッド層６０の中央部に設けられている。第２溝部６２は、第１溝部５１と連通するように形成されている。第２溝部６２は、Ｘ軸方向において第１溝部５１と連通するように形成されている。第２溝部６２は、例えば、第２クラッド層６０から露出する第１クラッド層５０まで延びるように形成されている。すなわち、第２溝部６２は、第１クラッド層５０のみの単層部分に延びる延長溝部６３を有している。本実施形態の延長溝部６３は、第２クラッド層６０の側面６１よりも図中左側に延びるように形成されている。第２溝部６２の平面形状は、例えば、Ｘ軸方向に延びる長方形状に形成されている。第２溝部６２は、Ｙ軸方向に所定の開口幅を有している。

【0019】

図５に示すように、第２溝部６２は、第２クラッド層６０と第１クラッド層５０とを厚さ方向に貫通するように形成されている。第２溝部６２は、金属層４０の上面を露出するように形成されている。換言すると、第２溝部６２から露出する金属層４０の上面が第２溝部６２の底面を構成している。第２溝部６２は、一対の内壁面６４を有している。一対の内壁面６４は、第２溝部６２の幅方向（ここでは、Ｙ軸方向）において互いに対向している。各内壁面６４は、例えば、第２クラッド層６０の上面から金属層４０に向かうに連れて第２溝部６２の幅方向の中心に近づくように傾斜して形成されている。このため、第２溝部６２は、例えば、第２クラッド層６０の上面から金属層４０に向かうに連れて開口幅が小さくなるテーパ状に形成されている。各内壁面６４は、例えば、断面視において、段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。すなわち、各内壁面６４は、一定の傾斜角度で傾斜するように形成されている。ここで、本明細書において、傾斜角度は、内壁面６４と金属層４０の上面とがなす角度において、鋭角の角度をいう。本実施形態の内壁面６４は、８３度の傾斜角度で傾斜するように形成されている。換言すると、本実施形態の第２溝部６２は、片側７度で内側に傾くテーパ角度を有している。すなわち、本実施形態の第２溝部６２は、両側１４度で内側に傾くテーパ角度を有している。

【0020】

第２溝部６２の開口幅、つまり第２溝部６２のＹ軸方向に沿う開口幅は、第１溝部５１の開口幅、つまり第１溝部５１のＹ軸方向に沿う開口幅よりも大きい。第２溝部６２の下端における開口幅は、第１溝部５１の開口幅よりも大きい。第２溝部６２の上端における開口幅は、例えば、第２溝部６２の下端における開口幅よりも大きく、第１溝部５１の開口幅よりも大きい。第２溝部６２の上端における開口幅は、例えば、１４０μｍ～１５０μｍ程度とすることができる。本実施形態では、第２溝部６２の上端における開口幅が１４２μｍに設定されている。

【0021】

図２に示すように、延長溝部６３は、第１溝部５１と連通するように形成されている。延長溝部６３は、第２クラッド層６０から露出する第１クラッド層５０を厚さ方向に貫通するように形成されている。延長溝部６３のＹ軸方向に沿う開口幅は、第１溝部５１のＹ軸方向に沿う開口幅よりも大きい。このため、延長溝部６３と第１溝部５１との境界部分には、段差が形成されている。

【0022】

（シリコンフォトニクス部品７０の構成）
シリコンフォトニクス部品７０は、第２クラッド層６０から露出する第１クラッド層５０の上面に搭載されている。シリコンフォトニクス部品７０は、例えば、図示しない接着剤により、第１クラッド層５０の上面に接着されている。接着剤としては、例えば、熱硬化性の接着剤を用いることができる。シリコンフォトニクス部品７０は、例えば、発光素子や受光素子などの光学素子を含んでいる。

【0023】

図４に示すように、シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１と、本体部７１の下面から突出する光導波路７５とを有している。本体部７１は、例えば、直方体状に形成されている。図２に示すように、本体部７１は、第２クラッド層６０の側面６１に対向する側面７２を有している。側面７２は、本体部７１のＸ軸方向の端面のうち図中右側に向く端面である。

【0024】

図４に示すように、光導波路７５は、本体部７１の下面から下方に突出するように形成されている。光導波路７５は、Ｘ軸方向に沿って延びている。光導波路７５は、Ｘ軸方向に沿って延びる光軸Ａ１を有している。光軸Ａ１は、本体部７１の下面よりも下方に突出した位置に設けられている。光軸Ａ１は、例えば、Ｘ軸方向から見た平面視において、光導波路７５の平面中心に設けられている。光導波路７５は、図示は省略するが、例えば、光信号を伝搬するコアと、そのコアの外周を包囲するクラッドとを有している。光導波路７５の光軸Ａ１のサイズ（例えば、コア径）は、例えば、シングルモードファイバ８０のコア８１のサイズ（例えば、コア径）よりも小さい。光導波路７５の光軸Ａ１のサイズは、例えば、１μｍ以下である。本体部７１の下面からの光導波路７５の突出量は、例えば、２μｍ～５μｍ程度とすることができる。

【0025】

光導波路７５は、シングルモードファイバ８０に対向する端面７６を有している。端面７６は、光導波路７５のうち光軸Ａ１が延びる光軸方向の端面であって、図中右側を向く端面である。端面７６は、例えば、シリコンフォトニクス部品７０が発光能力を有する場合には発光面（光出射面）となり、シリコンフォトニクス部品７０が発光能力を有さない場合には受光面となる。端面７６は、例えば、本体部７１の側面７２と面一になるように形成されている。

【0026】

図３に示すように、シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１の下面を第１クラッド層５０の上面に対向させた状態で、且つ本体部７１の側面７２を第２クラッド層６０の側面６１に接触させた状態で、第１クラッド層５０の上面に搭載されている。シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１の下面と第１クラッド層５０の上面とが図示しない接着剤によって互いに接着されることにより、第１クラッド層５０の上面に固定されている。図２に示すように、シリコンフォトニクス部品７０は、光導波路７５が第１溝部５１及び延長溝部６３に収容されるように、第１クラッド層５０の上面に搭載されている。シリコンフォトニクス部品７０は、Ｙ軸方向において、光軸Ａ１が第２溝部６２の中心に一致するように位置合わせされた状態で、第１クラッド層５０の上面に搭載されている。すなわち、光軸Ａ１は、Ｘ軸方向から見た平面視において、第２溝部６２のＹ軸方向の中心に重なるように設けられている。

【0027】

ここで、シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１の下面が第１クラッド層５０の上面に接触されることによって、Ｚ軸方向における光軸Ａ１の位置が調整されている。シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１の側面７２が第２クラッド層６０の側面６１に接触されることによって、Ｘ軸方向における光軸Ａ１の位置が調整されている。

【0028】

（シングルモードファイバ８０の構成）
図１に示すように、シングルモードファイバ８０は、第２溝部６２に嵌合されている。シングルモードファイバ８０は、第２溝部６２の内部に収容されている。図５に示すように、シングルモードファイバ８０は、第２溝部６２の底部に露出する金属層４０の上面に搭載されている。シングルモードファイバ８０の下部における外周面は、金属層４０の上面に接触している。シングルモードファイバ８０の外周面は、第２溝部６２の内壁面６４に接触している。シングルモードファイバ８０の外周面は、第２溝部６２の一対の内壁面６４の両方に接触している。

【0029】

シングルモードファイバ８０のコア８１は、Ｘ軸方向において、シリコンフォトニクス部品７０の光導波路７５に対向している。例えば、Ｘ軸方向から見た平面視において、コア８１の平面中心が光導波路７５の平面中心（つまり、光軸Ａ１）と重なるように、シングルモードファイバ８０及びシリコンフォトニクス部品７０が配置されている。ここで、シングルモードファイバ８０は、第２溝部６２から露出する金属層４０の上面に接触されることによって、Ｚ軸方向におけるコア８１の位置が調整されている。また、シングルモードファイバ８０は、第２溝部６２の内壁面６４に接触されることによって、Ｙ軸方向におけるコア８１の位置が調整されている。具体的には、シングルモードファイバ８０の外周面が第２溝部６２の一対の内壁面６４の両方に接触されることによって、シングルモードファイバ８０のコア８１が第２溝部６２の幅方向（ここでは、Ｙ軸方向）の中心に配置されるように調整されている。換言すると、第２溝部６２は、一対の内壁面６４の両方がシングルモードファイバ８０の外周面に接触された状態で、シングルモードファイバ８０を内部に収容可能な大きさに形成されている。第２溝部６２は、シングルモードファイバ８０の下部における外周面が金属層４０の上面に接触された状態で、一対の内壁面６４の両方がシングルモードファイバ８０の外周面に接触される大きさに形成されている。

【0030】

図４に示すように、シングルモードファイバ８０は、シングルモードファイバ８０の長さ方向（ここでは、Ｘ軸方向）の端面８３がシリコンフォトニクス部品７０の側面７２及び端面７６に突き当たるように設けられている。但し、シングルモードファイバ８０とシリコンフォトニクス部品７０との間には、隙間が生じる場合がある。

【0031】

シングルモードファイバ８０は、光学接着剤９０によりシリコンフォトニクス部品７０と接合されている。シングルモードファイバ８０は、例えば、光学接着剤９０により、シリコンフォトニクス部品７０の光導波路７５と光学的に接続（光結合）されている。光学接着剤９０は、例えば、シングルモードファイバ８０とシリコンフォトニクス部品７０との間の隙間を充填するように形成されている。シングルモードファイバ８０とシリコンフォトニクス部品７０との間の隙間に光学接着剤９０が充填されることにより、空気反射を防止してシングルモードファイバ８０とシリコンフォトニクス部品７０との結合効率を高めることができる。光学接着剤９０は、例えば、シングルモードファイバ８０の端面８３全面を被覆するように形成されている。光学接着剤９０は、光導波路７５の端面７６全面を被覆するように形成されている。光学接着剤９０は、例えば、光導波路７５の下面の一部を被覆するように形成されている。光学接着剤９０は、例えば、シングルモードファイバ８０の上部における外周面を被覆するように形成されている。光学接着剤９０は、例えば、シングルモードファイバ８０の上部における外周面よりも上方に盛り上がるように形成されている。光学接着剤９０は、例えば、シリコンフォトニクス部品７０の本体部７１の側面７２の一部を被覆するように形成されている。光学接着剤９０としては、例えば、紫外線硬化型の光学接着剤を用いることができる。光学接着剤９０としては、光導波路７５のコアの屈折率やシングルモードファイバ８０のコア８１の屈折率に近い屈折率を有する光学接着剤を用いることができる。

【0032】

（光モジュール２０の製造方法）
次に、図６～図１８にしたがって、光モジュール２０の製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、最終的に光モジュール２０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。

【0033】

まず、図６に示す工程では、基板３０の上面に金属層４０を形成する。続いて、基板３０の上面に、金属層４０を覆うように第１クラッド層５０を形成する。このとき、本例の第１クラッド層５０は、Ｘ軸方向において、第１クラッド層５０の全長にわたって延びる第１溝部５１を有するように形成される。例えば、基板３０の上面全面に第１クラッド層５０となる感光性樹脂層（図示略）を形成し、フォトリソグラフィ法に基づいて露光・現像を行った後に、感光性樹脂層を硬化させることにより、第１溝部５１を有する第１クラッド層５０を形成する。第１溝部５１を設けたことにより、第１クラッド層５０はＹ軸方向において２つに分断されている。なお、感光性樹脂層の形成方法としては、例えば、液状の感光性樹脂を基板３０の上面に塗布するようにしてもよいし、半硬化状態の感光性樹脂シートを基板３０の上面にラミネートするようにしてもよい。

【0034】

次に、図７及び図８に示す工程では、第１クラッド層５０の上面に第２クラッド層６０を形成する。具体的には、第１溝部５１により分断された２つの第１クラッド層５０の各々の上面に第２クラッド層６０を形成する。例えば、第１クラッド層５０の上面全面に第２クラッド層６０となる感光性樹脂層（図示略）を形成し、フォトリソグラフィ法に基づいて露光・現像を行った後に、感光性樹脂層を硬化させることにより、第２クラッド層６０を形成する。本工程により、２つの第１クラッド層５０の各々の上面に第２クラッド層６０が形成され、Ｙ軸方向において互いに離れて設けられた２つの第２クラッド層６０が形成される。図７に示すように、各第２クラッド層６０は、Ｘ軸方向において、各第１クラッド層５０の上面の一部のみに形成される。各第２クラッド層６０は、平面視において、金属層４０と重なるように形成される。各第２クラッド層６０のＹ軸方向に沿う寸法は、各第１クラッド層５０のＹ軸方向に沿う寸法よりも小さい。このため、図８に示すように、２つの第２クラッド層６０の間には、第１溝部５１よりも開口幅の大きい溝部６５が設けられる。なお、溝部６５のＹ軸方向に沿う開口幅は、例えば、６５μｍ～７５μｍ程度とすることができる。

【0035】

続いて、図９及び図１０に示す工程では、第１クラッド層５０及び第２クラッド層６０に第２溝部６２を形成する。図９に示すように、第２溝部６２は、第２クラッド層６０のＸ軸方向の全長にわたって延びるように形成される。第２溝部６２は、第２クラッド層６０から露出する第１クラッド層５０に延長された延長溝部６３を有するように形成される。延長溝部６３を含む第２溝部６２は、例えば、図７及び図８に示した第１溝部５１及び溝部６５の開口幅を広げるように形成される。第２溝部６２は、例えば、エキシマレーザやＹＡＧレーザによるレーザ加工法によって形成することができる。例えば、第２溝部６２に高い寸法精度が要求される場合には、エキシマレーザを用いることが好ましい。本実施形態では、エポキシ樹脂からなる第１クラッド層５０及び第２クラッド層６０に対してＫｒＦエキシマレーザを照射することにより、第２溝部６２が形成される。このようにＫｒＦエキシマレーザを用いると、図１０に示すように、一対の内壁面６４が片側７度、つまり両側１４度で内側に傾くテーパ角度を有するように形成される。なお、本工程では、金属層４０がレーザ加工のストッパ層として機能する。これにより、例えば、過剰なレーザ加工によって、第１クラッド層５０の下層の基板３０が薄化されることを抑制できる。

【0036】

次に、図１１に示す工程では、本体部７１と光導波路７５とを有するシリコンフォトニクス部品７０を準備する。続いて、シリコンフォトニクス部品７０を、金属層４０と第１溝部５１を有する第１クラッド層５０と第２溝部６２を有する第２クラッド層６０とが形成された基板３０の上方に配置する。

【0037】

次いで、図１２～図１４に示す工程では、シリコンフォトニクス部品７０を、第１クラッド層５０の上面に搭載する。図１３に示すように、シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１の下面を第１クラッド層５０の上面に接触させた状態で、第１クラッド層５０の上面に搭載される。このとき、本体部７１の下面と第１クラッド層５０の上面との間には、図示しない熱硬化性の接着剤が塗布されている。また、図１４に示すように、シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１の下面から下方に突出する光導波路７５及び光軸Ａ１が第１溝部５１の内部に収容されるように、第１クラッド層５０の上面に搭載される。これらにより、光導波路７５の高さ方向（ここでは、Ｚ軸方向）における光軸Ａ１の位置を、本体部７１の下面と第１クラッド層５０の上面との接触によって精度良く位置決めすることができる。また、図１２及び図１３に示すように、シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１の側面７２を第２クラッド層６０の側面６１に突き当てるようにして第１クラッド層５０の上面に搭載される。これにより、光導波路７５の光軸方向（ここでは、Ｘ軸方向）における光軸Ａ１の位置、具体的には光軸方向における端面７６の位置を、本体部７１の側面７２と第２クラッド層６０の側面６１との突き当てによって精度良く位置決めすることができる。さらに、図１２及び図１４に示すように、シリコンフォトニクス部品７０は、光導波路７５の光軸Ａ１が第２溝部６２の幅方向（ここでは、Ｙ軸方向）の中心に一致するように位置合わせされた状態で、第１クラッド層５０の上面に搭載される。このようなＹ軸方向における光軸Ａ１の位置合わせは、例えば、アライメントマーク等を用いた画像認識により行うことができる。

【0038】

以上の工程により、図１２～図１４に示すように、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向における光軸Ａ１の位置を好適に位置決めすることができる。その後、図１２～図１４に示した構造体に対して加熱処理を施し、本体部７１の下面と第１クラッド層５０の上面との間に塗布されていた熱硬化性の接着剤（図示略）を硬化させる。これにより、光導波路７５の光軸Ａ１が所望の位置に位置決めされた状態で、シリコンフォトニクス部品７０が第１クラッド層５０の上面に固定される。

【0039】

次に、図１５及び図１６に示す工程では、コア８１とクラッド８２とを有するシングルモードファイバ８０を準備する。続いて、シングルモードファイバ８０を、第２クラッド層６０の上方から第２溝部６２の内側に嵌合する。このとき、図１６に示すように、第２溝部６２の各内壁面６４が、第２クラッド層６０の上面に近づくに連れて第２溝部６２の開口幅が広がるように傾斜して形成されている。このため、第２溝部６２にシングルモードファイバ８０を嵌合する際に、シングルモードファイバ８０の外周面が第２溝部６２の内壁面６４に接触しながらスライドすることを抑制できる。

【0040】

図１７に示すように、シングルモードファイバ８０が第２溝部６２に嵌合されると、第２溝部６２に露出する金属層４０の上面にシングルモードファイバ８０が載置される。すなわち、シングルモードファイバ８０の下部における外周面が金属層４０の上面に接触される。これにより、第２溝部６２の深さ方向（ここでは、Ｚ軸方向）におけるコア８１の位置を、シングルモードファイバ８０の外周面と金属層４０の上面との接触によって精度良く位置決めすることができる。具体的には、Ｚ軸方向において、コア８１の中心を、金属層４０の上面からシングルモードファイバ８０の半径（本実施形態では、６２．５μｍ）の距離だけ離れた位置に位置決めすることができる。これにより、コア８１の中心は、Ｚ軸方向において、光導波路７５の光軸Ａ１と一致するように位置合わせされる。換言すると、金属層４０の上面にシングルモードファイバ８０が載置された場合に、Ｚ軸方向において、コア８１の中心と光導波路７５の光軸Ａ１とが一致するように、第１クラッド層５０の厚さＴ１が調整されている。本実施形態では、金属層４０の上面から第１クラッド層５０の上面までの厚さＴ１が６２．５μｍに設定されている。

【0041】

また、シングルモードファイバ８０が第２溝部６２に嵌合されると、第２溝部６２の一対の内壁面６４の両方がシングルモードファイバ８０の外周面に接触される。これにより、第２溝部６２の幅方向（ここでは、Ｙ軸方向）におけるコア８１の位置を、シングルモードファイバ８０の外周面と第２溝部６２の内壁面６４との接触によって精度良く位置決めすることができる。具体的には、Ｙ軸方向において、コア８１の中心を、第２溝部６２の幅方向の中心に位置決めすることができる。これにより、コア８１の中心は、Ｙ軸方向において、光導波路７５の光軸Ａ１と一致するように位置合わせされる。

【0042】

以上の工程により、シングルモードファイバ８０のコア８１の中心が、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の双方において、光導波路７５の光軸Ａ１と一致するように位置合わせされる。すなわち、シングルモードファイバ８０を第２溝部６２に嵌合させるという簡易な方法によって、コア８１の中心と光導波路７５の光軸Ａ１とが一致するように位置合わせすることができる。

【0043】

さらに、図１８に示すように、シングルモードファイバ８０は、第２溝部６２の長さ方向（ここでは、Ｘ軸方向）の端面８３をシリコンフォトニクス部品７０の側面７２に突き当てるようにして第２溝部６２（図１７参照）に嵌合される。これにより、第２溝部６２の長さ方向におけるコア８１の位置、特に端面８３の位置を、端面８３とシリコンフォトニクス部品７０の側面７２との突き当てによって精度良く位置決めすることができる。なお、シングルモードファイバ８０の端面８３とシリコンフォトニクス部品７０の側面７２との間には隙間が生じる場合がある。

【0044】

以上の工程により、シングルモードファイバ８０のコア８１の中心が、Ｘ軸方向とＹ軸方向とＺ軸方向との三方向において、シリコンフォトニクス部品７０の光軸Ａ１と一致するように位置合わせされる。これにより、シリコンフォトニクス部品７０の光軸Ａ１とシングルモードファイバ８０のコア８１とを高精度に調芯することができる。

【0045】

次に、図１８に示す工程では、光学接着剤９０により、シングルモードファイバ８０とシリコンフォトニクス部品７０とを接合する。例えば、ディスペンサ等を用いて、シングルモードファイバ８０とシリコンフォトニクス部品７０との間に未硬化の光学接着剤９０を塗布する。その後、紫外線を照射して光学接着剤９０を硬化させることにより、シングルモードファイバ８０とシリコンフォトニクス部品７０とが光学接着剤９０によって接合される。なお、シングルモードファイバ８０の端面８３とシリコンフォトニクス部品７０の側面７２との間に隙間が生じている場合には、その隙間にも光学接着剤９０が充填される。

【0046】

次に、本実施形態の作用効果を説明する。
（１）光モジュール２０は、基板３０と、基板３０上に形成された第１クラッド層５０と、第１クラッド層５０を厚さ方向に貫通する第１溝部５１と、第１クラッド層５０の上面に形成された第２クラッド層６０とを有する。光モジュール２０は、第１クラッド層５０及び第２クラッド層６０を厚さ方向に貫通するとともに、第１溝部５１に連通する第２溝部６２を有する。光モジュール２０は、第２クラッド層６０から露出する第１クラッド層５０の上面に搭載されたシリコンフォトニクス部品７０と、第２溝部６２に嵌合されたシングルモードファイバ８０とを有する。シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１と、本体部７１の下面よりも下方に突出した位置に設けられた光軸Ａ１とを有する。本体部７１の下面は、第１クラッド層５０の上面に接触している。本体部７１の側面７２は、第２クラッド層６０の側面６１に接触している。光軸Ａ１は、第１溝部５１に収容されている。シングルモードファイバ８０の外周面は、第２溝部６２の底面に接触するとともに、第２溝部６２の内壁面６４に接触している。光軸Ａ１は、シングルモードファイバ８０のコア８１に対向している。

【0047】

この構成によれば、シリコンフォトニクス部品７０が、本体部７１の下面を第１クラッド層５０の上面に接触させた状態で、第１クラッド層５０の上面に搭載される。また、シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１の下面よも下方に突出した位置に設けられた光軸Ａ１が第１溝部５１の内部に収容されるように、第１クラッド層５０の上面に搭載される。これらにより、第１クラッド層５０の厚さ方向（本実施形態では、Ｚ軸方向）における光軸Ａ１の位置を、本体部７１の下面と第１クラッド層５０の上面との接触によって精度良く位置決めすることができる。すなわち、Ｚ軸方向における光軸Ａ１の位置は、第１クラッド層５０の厚さＴ１を調整することによって精度良く調整することができる。また、シングルモードファイバ８０は、第２溝部６２の底面に外周面が接触された状態で、第２溝部６２の内側に嵌合される。これにより、第１クラッド層５０の厚さ方向（本実施形態では、Ｚ軸方向）におけるコア８１の位置を、シングルモードファイバ８０の外周面と第２溝部６２の底面との接触によって精度良く位置決めすることができる。すなわち、Ｚ軸方向におけるコア８１の位置は、第２溝部６２の深さ、つまり第１クラッド層５０の厚さＴ１及び第２クラッド層６０の厚さＴ２を調整することによって精度良く調整することができる。したがって、第１クラッド層５０の厚さＴ１をシングルモードファイバ８０の直径等に応じて調整するとともに、第２溝部６２にシングルモードファイバ８０を嵌合することによって、Ｚ軸方向において、光軸Ａ１とコア８１とを精度良く位置合わせできる。この結果、シングルモードファイバ８０を第２溝部６２に嵌合させるという簡易な方法によって、光軸Ａ１とコア８１とのＺ軸方向における位置合わせを精度良く行うことができる。ひいては、簡易な方法によって、シリコンフォトニクス部品７０とシングルモードファイバ８０とを精度良く調芯することができる。

【0048】

（２）さらに、シリコンフォトニクス部品７０を駆動させることなく、シリコンフォトニクス部品７０とシングルモードファイバ８０とを調芯することができる。このため、シリコンフォトニクス部品７０を駆動させることが難しい場合であっても、シリコンフォトニクス部品７０とシングルモードファイバ８０とを精度良く調芯することができる。

【0049】

（３）第２溝部６２の平面形状は、Ｘ軸方向（第１方向）に延びる長方形状に形成されている。第２溝部６２は、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向（第２方向）において互いに対向する一対の内壁面６４を有している。シングルモードファイバ８０の外周面は、一対の内壁面６４の両方に接触している。光軸Ａ１は、Ｘ軸方向から見た平面視において、第２溝部６２のＹ軸方向の中心に重なるように設けられている。

【0050】

この構成によれば、シングルモードファイバ８０が、Ｙ軸方向に互いに対向する一対の内壁面６４の両方に外周面が接触された状態で、第２溝部６２の内側に嵌合される。これにより、第２溝部６２の幅方向（ここでは、Ｙ軸方向）におけるコア８１の位置を、シングルモードファイバ８０の外周面と一対の内壁面６４との接触によって精度良く位置決めすることができる。具体的には、Ｙ軸方向において、コア８１の中心を、第２溝部６２の幅方向の中心に位置決めすることができる。この結果、シングルモードファイバ８０を第２溝部６２に嵌合させるという簡易な方法によって、Ｙ軸方向及びＺ軸方向におけるコア８１の位置決めを精度良く行うことができる。このとき、シリコンフォトニクス部品７０の光軸Ａ１が第２溝部６２の幅方向の中心に一致するように、画像認識等により位置合わせされると、Ｙ軸方向において、光軸Ａ１とコア８１とを精度良く位置合わせできる。ここで、画像認識等によるシリコンフォトニクス部品７０の位置合わせは、Ｙ軸方向の一方向における光軸Ａ１の位置合わせを行えば良い。このため、Ｙ軸方向とＺ軸方向の二方向における光軸Ａ１の位置合わせを画像認識等で行う場合に比べて、Ｙ軸方向における光軸Ａ１の位置合わせを簡易に行うことができる。

【0051】

（４）シリコンフォトニクス部品７０は、本体部７１の側面７２を第２クラッド層６０の側面６１に突き当てるようにして第１クラッド層５０の上面に搭載される。これにより、光導波路７５の光軸方向（ここでは、Ｘ軸方向）における光軸Ａ１の位置、具体的には光軸方向における端面７６の位置を、本体部７１の側面７２と第２クラッド層６０の側面６１との突き当てによって精度良く位置決めすることができる。この結果、シリコンフォトニクス部品７０を第２クラッド層６０の側面６１に突き当てるという簡易な方法によって、Ｘ軸方向における光軸Ａ１の位置を精度良く位置決めすることができる。

【0052】

（５）シングルモードファイバ８０は、シングルモードファイバ８０の長さ方向（ここでは、Ｘ軸方向）の端面８３をシリコンフォトニクス部品７０の側面７２に突き当てるようにして第２溝部６２に嵌合される。これにより、シングルモードファイバ８０の長さ方向におけるコア８１の位置、特に端面８３の位置を、端面８３とシリコンフォトニクス部品７０の側面７２との突き当てによって精度良く位置決めすることができる。この結果、シングルモードファイバ８０をシリコンフォトニクス部品７０に突き当てるという簡易な方法によって、光軸Ａ１とコア８１とのＸ軸方向における位置合わせを精度良く行うことができる。

【0053】

（６）一対の内壁面６４の各々は、第２クラッド層６０の上面から基板３０に向かうに連れて第２溝部６２のＹ軸方向の中心に近づくように傾斜している。この構成では、第２溝部６２が、第２クラッド層６０の上面に近づくに連れて開口幅が広がるように形成される。このため、第２溝部６２にシングルモードファイバ８０を嵌合する際に、シングルモードファイバ８０の外周面が第２溝部６２の内壁面６４に接触しながらスライドすることを抑制できる。これにより、シングルモードファイバ８０の外周面及び第２溝部６２の内壁面６４が摩耗することを好適に抑制できる。

【0054】

（７）基板３０の上面に形成された金属層４０を有する。第１クラッド層５０は、金属層４０を被覆するように基板３０の上面に形成されている。第２溝部６２は、金属層４０の上面を露出するように形成されている。この構成によれば、レーザ加工法により第２溝部６２を形成する際に、金属層４０をレーザ加工のストッパ層として利用することができる。これにより、過剰なレーザ加工によって、第１クラッド層５０の下層の基板３０が薄化されることを抑制できる。したがって、第２溝部６２の深さを所望の深さに精度良く形成することができる。この結果、Ｚ軸方向におけるコア８１の位置合わせ精度をより向上させることができる。

【0055】

（８）シリコンフォトニクス部品７０とシングルモードファイバ８０との間の隙間に光学接着剤９０が充填されている。これにより、シリコンフォトニクス部品７０とシングルモードファイバ８０との間に隙間が生じる場合であっても、その隙間における空気反射を防止してシングルモードファイバ８０とシリコンフォトニクス部品７０との結合効率を高めることができる。

【0056】

（他の実施形態）
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

【0057】

・上記実施形態における第２溝部６２の構造は適宜変更することができる。例えば、延長溝部６３を省略してもよい。例えば、第２溝部６２の各内壁面６４を、第２クラッド層６０の上面に対して垂直に延びるように形成してもよい。

【0058】

・第１クラッド層５０を、金属層４０の上面全面を被覆するように形成してもよい。
・第１クラッド層５０を、金属層４０の上面のみに形成してもよい。すなわち、第１クラッド層５０は、金属層４０から露出する基板３０の上面に形成されていなくてもよい。

【0059】

・第１溝部５１の形成領域は適宜変更することができる。例えば、第１溝部５１は、シリコンフォトニクス部品７０の光導波路７５を収容可能であれば、Ｘ軸方向の長さを短くしてもよい。

【0060】

・金属層４０の形成領域は適宜変更することができる。金属層４０は、第２溝部６２と平面視で重なる位置に設けられていれば、Ｙ軸方向の長さを短くしてもよい。
・金属層４０を省略してもよい。

【符号の説明】

【0061】

２０ 光モジュール
３０ 基板
４０ 金属層
５０ 第１クラッド層
５１ 第１溝部
６０ 第２クラッド層
６１ 側面
６２ 第２溝部
６３ 延長溝部
６４ 内壁面
７０ シリコンフォトニクス部品
７１ 本体部
７２ 側面
７５ 光導波路
７６ 端面
８０ シングルモードファイバ
８１ コア
８２ クラッド
８３ 端面
９０ 光学接着剤
Ａ１ 光軸
Ｔ１ 厚さ
Ｔ２ 厚さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】