特開 2025-99627 フィルタ回路およびプラズマ処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025099627

(43)【公開日】2025-07-03

(54)【発明の名称】フィルタ回路およびプラズマ処理装置

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20250626BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20250626BHJP

   H01P 1/202 20060101ALI20250626BHJP

   H01P 1/20 20060101ALN20250626BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 R

H01L21/302 101B

H05H1/46 M

H01P1/202

H01P1/20 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023216426

(22)【出願日】2023-12-22

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】池田 太郎

(72)【発明者】

【氏名】長田 勇輝

(72)【発明者】

【氏名】渡邊 崇登

【テーマコード（参考）】

2G084

5F004

5J006

【Ｆターム（参考）】

2G084CC04

2G084CC05

2G084CC09

2G084CC12

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD15

2G084DD23

2G084DD38

2G084DD55

2G084FF15

5F004BA08

5F004BA09

5F004BA20

5F004BB12

5F004BB13

5F004BB14

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB25

5F004BB26

5F004CA03

5F004CA04

5J006HA01

5J006HD01

5J006JA03

5J006LA21

5J006NA07

(57)【要約】

【課題】簡易でコンパクトな高周波フィルタを実現することができるフィルタ回路およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】フィルタ回路は、筐体と、突出部と、給電ラインと、を有する。筐体は、導体で形成され、外側導体および内側導体で形成される入力ポートおよび出力ポートを備え、入力ポートおよび出力ポートの外側導体とともにグランド電位となるように構成される。突出部は、導体で形成され、筐体に接続されるとともに、筐体内に螺旋状に突出するように構成される。給電ラインは、筐体内に設けられるとともに、筐体から絶縁される。また、給電ラインは、入力ポートの内側導体である入力側導体と、出力ポートの内側導体である出力側導体と、入力側導体および出力側導体と接続され、突出部と同軸の螺旋状に形成されるアンテナと、を備えるように構成される。突出部およびアンテナは、チョーク構造を形成する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導体で形成され、外側導体および内側導体で形成される入力ポートおよび出力ポートを備え、前記入力ポートおよび前記出力ポートの前記外側導体とともにグランド電位となるように構成される筐体と、
導体で形成され、前記筐体に接続されるとともに、前記筐体内に螺旋状に突出するように構成される突出部と、
前記筐体内に設けられるとともに、前記筐体から絶縁される給電ラインと、を有し、
前記給電ラインは、
前記入力ポートの前記内側導体である入力側導体と、
前記出力ポートの前記内側導体である出力側導体と、
前記入力側導体および前記出力側導体と接続され、前記突出部と同軸の螺旋状に形成されるアンテナと、を備えるように構成され、
前記突出部および前記アンテナは、チョーク構造を形成する、
フィルタ回路。

【請求項2】

さらに、前記筐体と前記給電ラインとの間には、誘電体を有するように構成される、
請求項１に記載のフィルタ回路。

【請求項3】

前記入力ポートおよび前記出力ポートは、同軸構造である、
請求項１または２に記載のフィルタ回路。

【請求項4】

前記チョーク構造は、複数のフィンで構成され、
前記複数のフィンは、前記突出部の基部に接続される第１のフィンと、前記アンテナの基部に接続される第２のフィンとが交互に配置される、
請求項１または２に記載のフィルタ回路。

【請求項5】

前記複数のフィンは、螺旋状に形成された前記第１のフィンおよび前記第２のフィンの２枚のフィンである、
請求項４に記載のフィルタ回路。

【請求項6】

前記アンテナの基部の外周側の面から中心の面までの、前記筐体および前記突出部と前記アンテナとの間の空間は、遮断対象の電磁波の１／４波長の長さに基づく前記チョーク構造を形成する、
請求項１または２に記載のフィルタ回路。

【請求項7】

前記突出部および前記アンテナは、遮断対象の電磁波の波長に基づいて、前記螺旋状の巻数を調整する、
請求項１または２に記載のフィルタ回路。

【請求項8】

前記突出部および前記アンテナは、それぞれの前記巻数が異なるように、一方の前記巻数を調整する、
請求項７に記載のフィルタ回路。

【請求項9】

前記突出部の基部と、前記アンテナの基部との距離を調整可能な駆動機構を、さらに有する、
請求項１または２に記載のフィルタ回路。

【請求項10】

プラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置は、
処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、２種類以上の周波数が印加される電極と、
フィルタ回路と、を含み、
前記フィルタ回路は、
導体で形成され、外側導体および内側導体で形成される入力ポートおよび出力ポートを備え、前記入力ポートおよび前記出力ポートの前記外側導体とともにグランド電位となるように構成される筐体と、
導体で形成され、前記筐体に接続されるとともに、前記筐体内に螺旋状に突出するように構成される突出部と、
前記筐体内に設けられるとともに、前記筐体から絶縁される給電ラインと、を有し、
前記給電ラインは、
前記入力ポートの前記内側導体である入力側導体と、
前記出力ポートの前記内側導体である出力側導体と、
前記入力側導体および前記出力側導体と接続され、前記突出部と同軸の螺旋状に形成されるアンテナと、を備えるように構成され、
前記突出部および前記アンテナは、チョーク構造を形成する、
プラズマ処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、フィルタ回路およびプラズマ処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に開示されているプラズマ処理装置は、プラズマ処理が行われる処理容器と、処理容器内で板状の導電性ベースの上にスペースを介して配置され、被処理基板を載置して保持する載置台と、載置台に設けられる高周波電極と、高周波電極に一定周波数の高周波を印加するための高周波給電部と、載置台に設けられる発熱体と、発熱体を処理容器の外に配置されるヒータ電源に電気的に接続するためのヒータ給電ラインと、発熱体を介してヒータ給電ラインに入ってくる高周波のノイズを減衰させ、または阻止するためのコイルと、このコイルを収容するケーシングとを有するフィルタユニットとを有する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－９９５８５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、簡易でコンパクトな高周波フィルタを実現することができるフィルタ回路およびプラズマ処理装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様によるフィルタ回路は、筐体と、突出部と、給電ラインと、を有する。筐体は、導体で形成され、外側導体および内側導体で形成される入力ポートおよび出力ポートを備え、入力ポートおよび出力ポートの外側導体とともにグランド電位となるように構成される。突出部は、導体で形成され、筐体に接続されるとともに、筐体内に螺旋状に突出するように構成される。給電ラインは、筐体内に設けられるとともに、筐体から絶縁される。また、給電ラインは、入力ポートの内側導体である入力側導体と、出力ポートの内側導体である出力側導体と、入力側導体および出力側導体と接続され、突出部と同軸の螺旋状に形成されるアンテナと、を備えるように構成される。突出部およびアンテナは、チョーク構造を形成する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、簡易でコンパクトな高周波フィルタを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、本開示の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成の一例を示す概略断面図である。

【図2】図２は、本実施形態に係るフィルタ回路の一例を示す斜視図である。

【図3】図３は、図２のＡ－Ａ断面の一例を示す断面図である。

【図4】図４は、図３のＢ－Ｂ断面の一例を示す断面図である。

【図5】図５は、本実施形態に係るフィルタ回路における電界分布のシミュレーション結果の一例を示す図である。

【図6】図６は、本実施形態に係るフィルタ回路の周波数特性の一例を示すグラフである。

【図7】図７は、螺旋の巻き角による共振周波数の調整の一例を示す図である。

【図8】図８は、螺旋の巻き角の共振周波数依存性の一例を示すグラフである。

【図9】図９は、螺旋の巻き角による共振周波数の変化の一例を示すグラフである。

【図10】図１０は、変形例１に係るフィルタ回路の一例を示す断面図である。

【図11】図１１は、変形例１に係るフィルタ回路の周波数特性の一例を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、開示するフィルタ回路およびプラズマ処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。

【0009】

プラズマ処理装置では、処理対象の基板を支持する基板支持部に設けた静電チャックやヒータに対して、処理容器の外側に配置された電源がそれぞれ接続されている。基板支持部は、プラズマを生成するための下部電極を構成するので、プラズマ生成用の高周波が静電チャックやヒータへの給電ラインに影響することがある。このため、これらの給電ラインには、コイルとコンデンサで構成された高周波フィルタが挿入されている。しかしながら、コイルとコンデンサで構成された高周波フィルタは、構造が複雑になるとともに、寸法が大きくなる。そこで、簡易でコンパクトな高周波フィルタを実現することが期待されている。

【0010】

［プラズマ処理システムの構成］
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、本開示の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成の一例を示す概略断面図である。図１に示すように、プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１および制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０、排気システム４０、直流電源４５およびフィルタ回路５０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１およびガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ceiling）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａおよび基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３および基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

【0011】

基板支持部１１は、本体部１１１およびリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

【0012】

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０および静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャックまたは環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。静電電極１１１１ｂは、フィルタ回路５０を介して、直流電源４５に接続されている。静電電極１１１１ｂに直流電源４５からの電圧が印加されると、静電チャック１１１１と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは静電チャック１１１１に引き付けられ、当該静電チャック１１１１によって保持される。

【0013】

また、後述するＲＦ（Radio Frequency）電源３１および／またはＤＣ（Direct Current）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が、セラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号および／またはＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

【0014】

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２および基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１または複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0015】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、および複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１または複数の開口部に取り付けられる１または複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Side Gas Injector）を含んでもよい。

【0016】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１および少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラまたは圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調またはパルス化する１またはそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

【0017】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１またはそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0018】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａおよび第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～３００ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１または複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に供給される。

【0019】

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１または複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号およびバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0020】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａおよび第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号（バイアスＤＣ信号）は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

【0021】

種々の実施形態において、第１および第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形またはこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａおよび波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂおよび波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１または複数の正極性電圧パルスと１または複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１および第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0022】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁および真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプまたはこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0023】

フィルタ回路５０は、プラズマ処理空間１０ｓにおいてプラズマが生成された際に、直流電源４５へのプラズマ生成用またはバイアス用の高周波電力の影響を除去する。フィルタ回路５０は、直流電源４５から静電電極１１１１ｂに印加される直流を通過させ、静電電極１１１１ｂから逆方向に流入する高周波電力を遮断させる。

【0024】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部または全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２および通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Local Area Network）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0025】

［フィルタ回路５０の構造］
次に、図２から図４を用いてフィルタ回路５０の詳細について説明する。図２は、本実施形態に係るフィルタ回路の一例を示す斜視図である。図３は、図２のＡ－Ａ断面の一例を示す断面図である。図２および図３に示すように、フィルタ回路５０は、筐体５１を有する。筐体５１は、アルミニウムや銅等の導体で形成される。また、筐体５１は、入力ポート５２と、出力ポート５５とを備える。本実施形態では、高周波電力を遮断するので、高周波電力の流れ方向を基準として、静電電極１１１１ｂに接続される側を入力ポート５２とし、直流電源４５に接続される側を出力ポート５５として説明する。なお、入力ポート５２と出力ポート５５とは、接続先を入れ替えても構わない。

【0026】

入力ポート５２および出力ポート５５は、それぞれ外側導体５３，５６、および、内側導体５４，５７で形成される。つまり、入力ポート５２および出力ポート５５は、同軸構造である。筐体５１は、外側導体５３，５６と導通しており、入力ポート５２に接続される同軸ケーブルやフィルタ回路５０が設置されるフレーム等を介して、接地されたプラズマ処理チャンバ１０とともにグランド電位となる。筐体５１は、円筒形状であり、円筒の側面６０には入力ポート５２が形成される。なお、筐体５１は、断面が四角の筒形状であってもよい。また、筐体５１は、入力ポート５２が形成された側の円筒の端部に出力ポート５５が形成され、他方の端部５８は円筒を閉じるように円盤状に形成される。さらに、端部５８には、アルミニウムや銅等の導体で形成され、筐体５１内に突出するように設けられた中央突出部５９と、中央突出部５９を略中心とした螺旋状のフィン６７とが接続される。中央突出部５９は、例えば円柱形状である。また、フィン６７は、突出部の一例であるとともに、突出部の基部（端部５８）に接続される第１のフィンの一例である。

【0027】

筐体５１の内部には、中央突出部５９を略中心として、フィン６７と同軸の螺旋状に形成されるアンテナ６５が設けられる。アンテナ６５は、アルミニウムや銅等の導体で形成され、アンテナ６５の基部６２に形成された螺旋状のフィンが、Ａ－Ａ断面においてフィン６７と交互に入り組むように形成される。すなわち、アンテナ６５は、遮断したい周波数の電磁波から見て筒形状のマルチポールアンテナと等価となる。言い換えると、アンテナ６５は、遮断したい周波数において電磁波を放射しないアンテナ（同軸挿入マルチポールアンテナ）である。なお、アンテナ６５の先端部６５ａ、および、フィン６７の先端部６７ａは、過度に尖った形状となると電界が集中するので、アンテナ６５およびフィン６７は、ある程度の厚みがあることが好ましい。また、アンテナ６５とフィン６７との間隔は、狭いほど後述する周波数特性が良くなる。なお、アンテナ６５は、第２のフィンの一例である。

【0028】

基部６２は、円盤状であり、その中心部は、出力ポート５５側にオフセットするように凸状となっている。基部６２の側面６３には、内側導体５４が接続される。基部６２の上面６４には、内側導体５７が接続される。すなわち、入力ポート５２の内側導体（入力側導体）５４と、出力ポート５５の内側導体（出力側導体）５７と、基部６２を含むアンテナ６５とによって、筐体５１から絶縁される給電ライン６１が形成される。つまり、フィルタ回路５０では、内側導体５４と、アンテナ６５と、内側導体５７とによって形成される給電ライン６１が直角の配置となっている。なお、給電ライン６１は、直流電源４５から静電電極１１１１ｂに直流を給電するための経路である。また、上面６４の内側導体５７との接続部は、図３に示すように、さらに凸状となっていてもよい。

【0029】

図４は、図３のＢ－Ｂ断面の一例を示す断面図である。図４に示すように、フィルタ回路５０は、筐体５１の内部において、中央突出部５９を略中心として、アンテナ６５と、フィン６７とが同軸の螺旋状に形成されている。つまり、アンテナ６５と、フィン６７とは、Ｂ－Ｂ断面において同軸の渦巻き状に形成されている。なお、図４では、Ｂ－Ｂ断面からアンテナ６５の先端部６５ａとの間に後述する誘電体６６があるものとして、アンテナ６５を破線で表している。図４の例では、アンテナ６５は、巻数が６回の螺旋状であり、フィン６７は、巻数が５回の螺旋状である。なお、螺旋の巻数は、これに限定されない。また、アンテナ６５およびフィン６７は、同じ共振周波数であれば、螺旋の巻数が多いほど小型化できる。アンテナ６５とフィン６７とは、例えば、螺旋の内周側および外周側の各端部がそれぞれ１８０度ずれた位置となるように配置される。なお、内周側の各端部のずれの角度は、後述する高調波の共振周波数に関係し、高調波の共振周波数により角度は変更される。また、アンテナ６５の外周側の端部の位置は、入力ポート５２の方向と同一でなくても構わない。

【0030】

筐体５１と給電ライン６１との間には、誘電体６６を有する。つまり、中央突出部５９とアンテナ６５およびフィン６７との間、アンテナ６５とフィン６７との間、アンテナ６５およびフィン６７と円筒の側面６０との間、ならびに、アンテナ６５の先端部６５ａから端部５８との間は、誘電体６６が充填された状態である。なお、アンテナ６５とフィン６７との間は、螺旋状であるため、シート状の誘電体６６を挟むように構成することで、容易に誘電体６６が充填された状態を形成することができる。同様に、入力ポート５２の外側導体５３と内側導体５４との間、および、出力ポート５５の外側導体５６と内側導体５７との間にも、誘電体６６が充填された状態である。誘電体６６は、例えば、ＰＴＦＥ（Poly Tetra Fluoro Ethylene）等を用いることができる。なお、中央突出部５９の付近に位置するアンテナ６５の一部について、図３に示すＡ－Ａ断面では誘電体６６内に浮いた状態に見えるが、実際には基部６２に接続されているものとする。また、フィン６７についても、浮いた状態ではなく端部５８に接続されているものとする。

【0031】

また、アンテナ６５において、アンテナ６５の基部６２の外周側の面６５ｂから中心である面６５ｃまでの、筐体５１、フィン６７および中央突出部５９と、アンテナ６５との間の空間は、遮断対象の電磁波の１／４波長の長さに基づくチョーク構造を形成する。ここで、図３のＡ－Ａ断面において、面６５ｂから先端部６５ａに対向する内面５８ａを経由してアンテナ６５とフィン６７との間で複数回折り返す面６５ｃまでの経路が、伝送経路長Ｗ１となる。つまり、伝送経路長Ｗ１は、遮断対象の電磁波の１／４波長の長さに基づくチョーク構造、いわゆるλ／４チョークを形成する。すなわち、遮断対象の電磁波は伝送経路長Ｗ１を往復するので、アンテナ６５は、伝送経路長Ｗ１の２倍の半波長アンテナとなる。なお、電磁波は、リング状の面６５ｂ全体から放射されていると捉えることができる。また、図３では、アンテナ６５の螺旋の間にフィン６７が無い部分があるが、伝送経路長Ｗ１は、便宜上フィン６７があるものとして表している。なお、アンテナ６５の螺旋の間にフィン６７が無い部分が円周方向の大部分を占める場合は、当該部分のアンテナ６５の先端部６５ａ間を結ぶ経路が伝送経路長Ｗ１に含まれると考えてもよい。

【0032】

ここで、螺旋状のアンテナ６５およびフィン６７の高さｈは、電磁波チョークとして機能するために、遮断波長λｃよりも十分に短いことが求められる。螺旋状のアンテナ６５およびフィン６７に伝搬し得る電磁波モードは、ＴＥ０１モードであるので、遮断波長λｃは、下記の式（１）となる。また、フィルタ回路５０に入力される電磁波の実効波長をλｉｎとすると、電磁波チョークが機能する条件は、下記の式（２）となる。

【0033】

λｃ ＝ ２ｈ ・・・（１）
λｉｎ＞＞λｃ ・・・（２）

【0034】

例えば、遮断対象の電磁波である高周波電力の周波数、つまり入力される電磁波を２２０ＭＨｚとし、誘電体６６に比誘電率＝２．１のＰＴＦＥを用いた場合を考える。このとき、誘電体６６内での実効波長は、λｉｎ＝９４１ｍｍとなる。例えば、フィルタ回路５０において、高さｈ＝１６ｍｍとした場合は、遮断波長λｃ＝３２ｍｍとなり、上記の式（２）が成立し、電磁波チョークとして機能することがわかる。なお、螺旋に沿う経路について導波路と見ることもできるが、電磁波がカットオフとなり、螺旋に沿う経路では、電磁波は伝送されない。また、電磁波チョークが機能すれば、螺旋状のアンテナ６５およびフィン６７の枚数は限定されず、アンテナ６５側のフィンおよび端部５８側（フィン６７側）のフィンは、それぞれ複数のフィンで構成されてもよい。

【0035】

［シミュレーション結果］
次に、図５および図６を用いてフィルタ回路５０の電界分布のシミュレーション結果について説明する。図５は、本実施形態に係るフィルタ回路における電界分布のシミュレーション結果の一例を示す図である。図５に示すシミュレーション結果７０は、入力ポート５２から２２０ＭＨｚ、１０００Ｗの高周波電力を入力した場合における電界分布を示している。シミュレーション結果７０では、面６５ｂから面６５ｃまでの伝送経路長Ｗ１において、アンテナ６５とフィン６７との間の空間は、電界強度が高くなる。また、アンテナ６５およびフィン６７と側面６０との間の空間、および、アンテナ６５およびフィン６７と中央突出部５９との間の空間は、アンテナ６５とフィン６７との間の空間よりも相対的に電界強度が低くなる。さらに、出力ポート５５近傍では、電界強度がほぼゼロになっている。すなわち、筐体５１内のアンテナ６５とフィン６７とによって、進行波から１８０度位相がずれた反射波が発生し、進行波と反射波が打ち消し合うことで、出力ポート５５からの２２０ＭＨｚの高周波電力の出力は０Ｗとなる。なお、中央突出部５９の付近に位置するアンテナ６５の一部について、図５の断面（図３のＡ－Ａ断面相当）では浮いた状態に見えるが、実際には基部６２に接続されているものとする。また、フィン６７についても、浮いた状態ではなく端部５８に接続されているものとする。

【0036】

図６は、本実施形態に係るフィルタ回路の周波数特性の一例を示すグラフである。図６に示すグラフ７５は、フィルタ回路５０の周波数特性をＳパラメータのＳ_２１で表したものである。なお、図６では、グラフの縦軸がＳ_２１（挿入損失）を表すので、マイナス側ほど減衰量が大きくなる。グラフ７５に示すように、フィルタ回路５０の減衰量は、２２０ＭＨｚで最大となり、挿入損失は、－７２ｄＢとなる。また、１７０ＭＨｚ～２７０ＭＨｚの範囲７６での挿入損失は、－３０ｄＢ以下となる。つまり、フィルタ回路５０は、２２０ＭＨｚを中心周波数としたバンドストップフィルタを形成する。このように、本実施形態では、螺旋状のフィンによるマルチポールアンテナを用いた立体回路で遮断したい周波数の高周波を共振させる。このため、例えばＶＨＦ（Very High Frequency）帯の１０００Ｗといった高出力の高周波電力に対する簡易でコンパクトな高周波フィルタを実現することができる。また、給電ライン６１は、筐体５１から絶縁されているので、直流電源４５の出力を地絡することなく静電電極１１１１ｂに印加することができる。さらに、本実施形態では、範囲７６に示す周波数範囲において、ＦＭ変調等を用いて周波数を可変する電磁波（シングルピーク波形）や、マルチトーンとして生成された複数の周波数の電磁波（ブロードバンド波形）についても遮断することができる。

【0037】

［螺旋の巻数の調整］
続いて、図７から図９を用いてアンテナ６５およびフィン６７の螺旋の巻数による共振周波数の調整について説明する。図７は、螺旋の巻き角による共振周波数の調整の一例を示す図である。図７に示すように、アンテナ６５は、螺旋の外周側の端部６５ｄから内周側の端部６５ｅまで螺旋の巻数が６回である。フィン６７は、螺旋の外周側の端部６７ｂから内周側の端部６７ｃまで螺旋の巻数が５回である。なお、フィン６７は、アンテナ６５と同様に螺旋の巻数が６回であってもよい。この場合、フィルタ回路５０の各部の寸法を調整することで、共振周波数を２２０ＭＨｚに設定できる。

【0038】

ここで、アンテナ６５の内周側の端部６５ｅと、フィン６７の内周側の端部６７ｃとの中央突出部５９を略中心とした円周方向の角度のずれに着目する。例えば、図７において、中央突出部５９と端部６５ｅとを結ぶ線を基準として０度とし、時計回りの方向に端部６７ｃの角度θを変更していくものとする。また、端部６７ｃの角度θが１８０度の位置を初期の角度θ１とする。なお、角度θは、螺旋の巻き角とも表す。フィルタ回路５０では、端部６７ｃの角度θを変更することで、フィルタ回路５０の共振周波数（基本周波数）、および、高調波の共振周波数を変更する。つまり、フィルタ回路５０では、端部６５ｅと端部６７ｃとの円周方向の長さの差で、共振周波数（基本周波数）、および、高調波の共振周波数が決定される。なお、端部６７ｃの角度θを変更することは、アンテナ６５とフィン６７との巻数が異なるように、一方の巻数を調整するともいえる。つまり、巻数は、角度θに対応する小数点以下の値も含む。また、端部６７ｃの角度θは、構造的に変更される。なお、外周側の端部６５ｄおよび端部６７ｂは、内周側の端部６５ｅおよび端部６７ｃに合わせて位置を変更すると、基準とするフィルタ回路５０の共振周波数もずれてしまうので、外周側の端部６５ｄおよび端部６７ｂの位置は、固定する方が好ましい。

【0039】

図８は、螺旋の巻き角の共振周波数依存性の一例を示すグラフである。図８に示すように、グラフ７７は、フィルタ回路５０の基本周波数と角度θとの関係を示す。グラフ７８は、第３次高調波近傍の周波数におけるフィルタ回路５０の共振周波数と角度θとの関係を示す。角度θが初期の角度θ１（１８０度）である場合、グラフ７７，７８より、基本周波数は２２０ＭＨｚ、第３次高調波近傍における共振周波数は６７５ＭＨｚとなっている。端部６７ｃの角度θを、角度θ１に角度θ２を時計回りに足す方向に変化させると、角度θが３１５度の位置７９において、基本周波数は２１７ＭＨｚ、第３次高調波近傍における共振周波数は６６０ＭＨｚとなる。

【0040】

図９は、螺旋の巻き角による共振周波数の変化の一例を示すグラフである。図９に示すグラフ８０，８２は、それぞれ角度θ１（１８０度）および調整後の角度θ（３１５度）におけるフィルタ回路５０の周波数特性をＳパラメータのＳ_２１で表したものである。また、図９には、遮断対象の電磁波の基本周波数（２２０ＭＨｚ）の第３次高調波（６６０ＭＨｚ）を第３次高調波８１として示している。グラフ８０では、フィルタ回路５０の挿入損失が２２０ＭＨｚで－６７ｄＢ、６６０ＭＨｚで－２３ｄＢ、６７５ＭＨｚで－４６ｄＢとなっている。この場合、遮断対象の電磁波の第３次高調波８１（６６０ＭＨｚ）では、挿入損失が－３０ｄＢ以下となっておらず、減衰量が十分ではない。一方、グラフ８２では、フィルタ回路５０の挿入損失が２２０ＭＨｚで－６８ｄＢ、６６０ＭＨｚで－４６ｄＢとなっている。この場合、遮断対象の電磁波の第３次高調波８１（６６０ＭＨｚ）において、挿入損失が－３０ｄＢ以下となっており、減衰量が十分確保されている。すなわち、フィルタ回路５０では、端部６７ｃの角度θを１８０度から３１５度に調整することで、遮断対象の電磁波の基本周波数（２２０ＭＨｚ）と、第３次高調波（６６０ＭＨｚ）との両方を同時に減衰させて遮断することができる。なお、フィルタ回路５０は、同様に、奇数倍の第Ｎ次高調波も減衰させて遮断することができる。

【0041】

［変形例］
次に、出力ポート５５の位置を変更した変形例１について説明する。図１０は、変形例１に係るフィルタ回路の一例を示す断面図である。図１０に示すフィルタ回路９０は、出力ポート５５ａの位置を入力ポート５２と対向する筐体５１ａの円筒の側面６０としたものである。なお、フィルタ回路９０において、フィルタ回路５０と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成および動作の説明については省略する。出力ポート５５ａは、外側導体５６ａおよび内側導体５７ａで形成される。なお、筐体５１ａでは、入力ポート５２および出力ポート５５ａが形成された側の円筒の端部は閉じられている。当該円筒の端部は、図２において出力ポート５５が形成されている面に相当する。外側導体５６ａは、筐体５１ａと導通している。内側導体５７ａは、基部６２の側面６４ａに接続される。側面６４ａは、入力ポート５２の内側導体５４が基部６２に接続される側面６３ａと対向する位置である。つまり、フィルタ回路９０では、内側導体５４と、アンテナ６５と、内側導体５７ａとによって形成される給電ライン６１ａが直線状の配置となっている。なお、中央突出部５９の付近に位置するアンテナ６５の一部について、図１０の断面では誘電体６６内に浮いた状態に見えるが、実際には基部６２に接続されているものとする。また、フィン６７についても、浮いた状態ではなく端部５８に接続されているものとする。

【0042】

図１１は、変形例１に係るフィルタ回路の周波数特性の一例を示すグラフである。図１１に示すグラフ９１は、フィルタ回路９０の周波数特性をＳパラメータのＳ_２１で表したものである。なお、図１１では、図６と同様にグラフの縦軸がＳ_２１（挿入損失）を表すので、マイナス側ほど減衰量が大きくなる。グラフ９１に示すように、フィルタ回路９０の減衰量は、２２０ＭＨｚで最大となり、挿入損失は、－６８ｄＢとなる。また、１７０ＭＨｚ～２７０ＭＨｚの範囲９２での挿入損失は、－３０ｄＢ以下となる。このように、変形例１においても、螺旋状のフィンによるマルチポールアンテナを用いた立体回路で遮断したい周波数の高周波を共振させる。このため、例えばＶＨＦ帯の１０００Ｗといった高出力の高周波電力に対する簡易でコンパクトな高周波フィルタを実現することができる。また、給電ライン６１ａは、筐体５１ａから絶縁されているので、直流電源４５の出力を地絡することなく静電電極１１１１ｂに印加することができる。

【0043】

なお、上記した実施形態では、中央突出部５９およびフィン６７が固定されている場合を説明したが、これに限定されない。例えば、フィン６７をアンテナ６５に挿抜可能なように形成されてもよい。この場合、フィン６７は、図示しない駆動機構により駆動され、高さｈを可変することができる。駆動機構としては、ステッピングモータとリードスクリューとの組み合わせ等を用いることができる。フィン６７が挿抜されて高さｈが変更されると、フィルタ回路５０で遮断される周波数を変更することができる。

【0044】

以上、本実施形態によれば、フィルタ回路５０，９０は、筐体５１，５１ａと、突出部（フィン６７）と、給電ライン６１，６１ａと、を有する。筐体５１，５１ａは、導体で形成され、外側導体５３，５６および内側導体５４，５７で形成される入力ポート５２および出力ポート５５を備え、入力ポート５２および出力ポート５５の外側導体５３，５６とともにグランド電位となるように構成される。突出部は、導体で形成され、筐体５１，５１ａに接続されるとともに、筐体５１，５１ａ内に螺旋状に突出するように構成される。給電ライン６１，６１ａは、筐体５１，５１ａ内に設けられるとともに、筐体５１，５１ａから絶縁される。また、給電ライン６１，６１ａは、入力ポート５２の内側導体５４である入力側導体と、出力ポート５５の内側導体５７である出力側導体と、入力側導体および出力側導体と接続され、突出部と同軸の螺旋状に形成されるアンテナ６５と、を備えるように構成される。突出部およびアンテナ６５は、チョーク構造を形成する。その結果、簡易でコンパクトな高周波フィルタを実現することができる。

【0045】

また、本実施形態によれば、フィルタ回路５０，９０は、さらに、筐体５１，５１ａと給電ライン６１，６１ａとの間には、誘電体６６を有するように構成される。その結果、フィルタ回路５０，９０を小型化することができる。

【0046】

また、本実施形態によれば、入力ポート５２および出力ポート５５は、同軸構造である。その結果、高出力の高周波電力に対するフィルタ回路を形成できる。

【0047】

また、本実施形態によれば、チョーク構造は、複数のフィンで構成される。また、複数のフィンは、突出部の基部（端部５８）に接続される第１のフィン（フィン６７）と、アンテナ６５の基部６２に接続される第２のフィンとが交互に配置される。その結果、チョーク構造を容易に形成することができる。

【0048】

また、本実施形態によれば、複数のフィンは、螺旋状に形成された第１のフィンおよび第２のフィンの２枚のフィンである。その結果、チョーク構造をより容易に形成することができる。

【0049】

また、本実施形態によれば、アンテナ６５の基部６２の外周側の面６５ｂから中心の面６５ｃまでの、筐体５１，５１ａおよび突出部とアンテナ６５との間の空間は、遮断対象の電磁波の１／４波長の長さに基づくチョーク構造を形成する。その結果、遮断対象の周波数において高周波電力を遮断することができる。

【0050】

また、本実施形態によれば、突出部およびアンテナ６５は、遮断対象の電磁波の波長に基づいて、螺旋状の巻数を調整する。その結果、遮断対象の周波数において高周波電力を遮断することができる。

【0051】

また、本実施形態によれば、突出部およびアンテナ６５は、それぞれの巻数が異なるように、一方の巻数を調整する。その結果、遮断対象の周波数と奇数倍の高調波とにおいて、高周波電力を遮断することができる。

【0052】

また、本実施形態によれば、突出部の基部と、アンテナ６５の基部６２との距離を調整可能な駆動機構を、さらに有する。その結果、フィルタ回路５０，９０で遮断される周波数を変更することができる。

【0053】

今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0054】

また、上記した実施形態では、伝送経路長Ｗ１を遮断対象の電磁波の１／４波長としたが、これに限定されない。例えば、進行波と反射波とが打ち消し合う伝送経路長となるように、アンテナ６５とフィン６７の寸法および巻数を設定するようにしてもよい。

【0055】

また、上記した実施形態では、フィルタ回路５０，９０を静電チャック１１１１内部の静電電極１１１１ｂに接続したが、これに限定されない。例えば、基板支持部１１内に設けた図示しないヒータに接続してもよい。

【0056】

また、上記した実施形態では、プラズマ源として容量結合型プラズマを用いて基板Ｗに対してエッチング等の処理を行うプラズマ処理装置１を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。プラズマを用いて基板Ｗに対して処理を行う装置であれば、プラズマ源は容量結合プラズマに限られず、例えば、誘導結合プラズマ、マイクロ波プラズマ、マグネトロンプラズマ等、任意のプラズマ源を用いることができる。

【0057】

なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）
導体で形成され、外側導体および内側導体で形成される入力ポートおよび出力ポートを備え、前記入力ポートおよび前記出力ポートの前記外側導体とともにグランド電位となるように構成される筐体と、
導体で形成され、前記筐体に接続されるとともに、前記筐体内に螺旋状に突出するように構成される突出部と、
前記筐体内に設けられるとともに、前記筐体から絶縁される給電ラインと、を有し、
前記給電ラインは、
前記入力ポートの前記内側導体である入力側導体と、
前記出力ポートの前記内側導体である出力側導体と、
前記入力側導体および前記出力側導体と接続され、前記突出部と同軸の螺旋状に形成されるアンテナと、を備えるように構成され、
前記突出部および前記アンテナは、チョーク構造を形成する、
フィルタ回路。
（２）
さらに、前記筐体と前記給電ラインとの間には、誘電体を有するように構成される、
前記（１）に記載のフィルタ回路。
（３）
前記入力ポートおよび前記出力ポートは、同軸構造である、
前記（１）または（２）に記載のフィルタ回路。
（４）
前記チョーク構造は、複数のフィンで構成され、
前記複数のフィンは、前記突出部の基部に接続される第１のフィンと、前記アンテナの基部に接続される第２のフィンとが交互に配置される、
前記（１）～（３）のいずれか１つに記載のフィルタ回路。
（５）
前記複数のフィンは、螺旋状に形成された前記第１のフィンおよび前記第２のフィンの２枚のフィンである、
前記（４）に記載のフィルタ回路。
（６）
前記アンテナの基部の外周側の面から中心の面までの、前記筐体および前記突出部と前記アンテナとの間の空間は、遮断対象の電磁波の１／４波長の長さに基づく前記チョーク構造を形成する、
前記（１）～（５）のいずれか１つに記載のフィルタ回路。
（７）
前記突出部および前記アンテナは、遮断対象の電磁波の波長に基づいて、前記螺旋状の巻数を調整する、
前記（１）～（６）のいずれか１つに記載のフィルタ回路。
（８）
前記突出部および前記アンテナは、それぞれの前記巻数が異なるように、一方の前記巻数を調整する、
前記（７）に記載のフィルタ回路。
（９）
前記突出部の基部と、前記アンテナの基部との距離を調整可能な駆動機構を、さらに有する、
前記（１）～（８）のいずれか１つに記載のフィルタ回路。
（１０）
プラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置は、
処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、２種類以上の周波数が印加される電極と、
フィルタ回路と、を含み、
前記フィルタ回路は、
導体で形成され、外側導体および内側導体で形成される入力ポートおよび出力ポートを備え、前記入力ポートおよび前記出力ポートの前記外側導体とともにグランド電位となるように構成される筐体と、
導体で形成され、前記筐体に接続されるとともに、前記筐体内に螺旋状に突出するように構成される突出部と、
前記筐体内に設けられるとともに、前記筐体から絶縁される給電ラインと、を有し、
前記給電ラインは、
前記入力ポートの前記内側導体である入力側導体と、
前記出力ポートの前記内側導体である出力側導体と、
前記入力側導体および前記出力側導体と接続され、前記突出部と同軸の螺旋状に形成されるアンテナと、を備えるように構成され、
前記突出部および前記アンテナは、チョーク構造を形成する、
プラズマ処理装置。

【符号の説明】

【0058】

１ プラズマ処理装置
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
４５ 直流電源
５０，９０ フィルタ回路
５１，５１ａ 筐体
５２ 入力ポート
５３，５６，５６ａ 外側導体
５４，５７，５７ａ 内側導体
５５，５５ａ 出力ポート
５８ 端部
５９ 中央突出部
６１，６１ａ 給電ライン
６２ 基部
６５ アンテナ
６５ｂ，６５ｃ 面
６６ 誘電体
６７ フィン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】