特開 2025-99868 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025099868

(43)【公開日】2025-07-03

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20250626BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20250626BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20250626BHJP

   C23C 14/50 20060101ALI20250626BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20250626BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

H01L21/302 101R

H01L21/31 Z

C23C14/50 A

C23C16/458

【審査請求】未請求

【請求項の数】25

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023216829

(22)【出願日】2023-12-22

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100125254

【弁理士】

【氏名又は名称】別役 重尚

(74)【代理人】

【識別番号】100118278

【弁理士】

【氏名又は名称】村松 聡

(72)【発明者】

【氏名】塚本 浩貴

【テーマコード（参考）】

4K029

4K030

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K029AA09

4K029AA24

4K029JA01

4K029JA05

4K030CA06

4K030GA02

4K030KA26

4K030KA39

4K030KA41

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB25

5F004BC06

5F004BD04

5F004BD05

5F004CA04

5F004DA22

5F004DA23

5F004DA25

5F045DP02

5F045DQ10

5F045EB02

5F045EJ02

5F045EM05

5F045EN04

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA32

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA19

5F131BA23

5F131CA32

5F131CA70

5F131EA03

5F131EA04

5F131EA05

5F131EB11

5F131EB67

5F131EB72

5F131EB82

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】平面視での大きさが異なる２種類の基板（第１基板、および、第１基板よりも小さい第２基板）に対する処理を１つの基板処理装置で実行可能であるとともに、２枚の第２基板を昇降させる際、各第２基板に対する昇降をそれぞれ独立して実行可能とする。
【解決手段】１枚の第１基板と２枚の第２基板とが選択されて載置される載置面と、載置面の長辺を二等分する二等分線と重ならない位置に上下方向に貫通して載置面に開口する複数の貫通孔とを有する載置台と、載置台の上の基板に対する処理が行われる処理室と、基板を下面側から支持する複数の昇降ピンと、各昇降ピンを上下方向に駆動させる駆動部とを有する駆動機構と、駆動部を制御する制御部とを備え、処理室の底部には、駆動機構が挿通する複数の駆動用挿通孔が設けられており、複数の駆動用挿通孔は、複数の貫通孔と重なる、基板処理装置が提供される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

１枚の第１基板と、該第１基板よりも平面視での面積が小さい２枚の第２基板とが選択されて載置される載置面と、該載置面の平面視で、前記載置面の長辺を二等分する二等分線と重ならない位置に上下方向に貫通して前記載置面に開口する複数の貫通孔と、を有する載置台と、
前記載置台の上の前記第１基板または前記各第２基板に対する処理が行われる処理室と、
前記載置台に対して上下方向に移動可能であり、前記貫通孔に挿入され、前記載置面に前記第１基板が載置される場合に、該第１基板を下面側から支持し、前記載置面に２枚の前記第２基板が載置される場合に、該各第２基板をそれぞれ独立して下面側から支持する複数の昇降ピンと、該各昇降ピンを上下方向に駆動させる駆動部と、を有する駆動機構と、
前記駆動部を制御する制御部と、を備え、
前記処理室の底部には、前記駆動機構が挿通する複数の駆動用挿通孔が設けられており、
平面視での複数の前記駆動用挿通孔は、複数の前記貫通孔と重なる、基板処理装置。

【請求項2】

複数の前記貫通孔は、前記二等分線に関して対称的に配置されている、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記載置台は、前記載置面に前記第１基板が載置された場合に、前記第１基板を静電気力によって吸着可能であり、前記載置面に２枚の前記第２基板が載置された場合に、前記各第２基板を静電気力によって吸着可能な静電吸着部を有する、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記静電吸着部での吸着状態を監視する監視部を備える、請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記載置台は、前記載置面に前記第１基板が載置された場合に、該第１基板を冷却し、前記載置面に２枚の前記第２基板が載置された場合に、該各第２基板を冷却する冷媒が通過する流路を有する、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

１枚の第１基板が載置される第１載置面と、該第１載置面に前記第１基板が載置された状態の平面視で、前記第１基板の長辺を二等分する二等分線と重ならない位置に上下方向に貫通して前記第１載置面に開口する複数の第１貫通孔と、を有する第１載置台と、
前記第１基板よりも平面視での面積が小さい第２基板が２枚載置される第２載置面と、該第２載置面に２枚の前記第２基板が並べて載置された状態の平面視で、２枚の前記第２基板同士の間と重ならない位置に上下方向に貫通して前記第２載置面に開口する複数の第２貫通孔と、を有する第２載置台と、
前記第１載置台と前記第２載置台とが交換可能に支持される支持部と、
前記第１載置台が前記支持部に支持された第１状態では、前記第１載置台上の前記第１基板に対する処理が行われ、前記第２載置台が前記支持部に支持された第２状態では、前記第２載置台上の前記各第２基板に対する処理が行われる処理室と、
前記支持部に対して上下方向に移動可能であり、前記第１状態で前記第１貫通孔に挿入されて前記第１基板を下面側から支持し、前記第２状態で前記第２貫通孔に挿入されて前記各第２基板をそれぞれ独立して下面側から支持する複数の昇降ピンと、該各昇降ピンを上下方向に駆動させる駆動部と、を有する駆動機構と、
前記駆動部を制御する制御部と、を備え、
前記処理室の底部には、前記駆動機構が挿通する複数の駆動用挿通孔が設けられており、
平面視での複数の前記駆動用挿通孔は、前記第１状態で複数の前記第１貫通孔と重なり、前記第２状態で複数の前記第２貫通孔と重なる、基板処理装置。

【請求項7】

前記制御部は、前記駆動部に対して、前記各昇降ピンを個別に駆動させる制御が可能である、請求項１または６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記制御部は、前記第１状態で前記駆動部に対して、前記各昇降ピンを一括して駆動させる制御が可能である、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記制御部は、前記第２状態で前記駆動部に対して、前記第２基板ごとに、前記各昇降ピンを一括して駆動させる制御が可能である、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記制御部は、前記第２状態で前記駆動部に対して、前記第２基板ごとに、該第２基板の支持に使用される前記昇降ピンのグループを変更して駆動させる制御が可能である、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項11】

複数の前記第１貫通孔は、前記二等分線に関して対称的に配置されている、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項12】

複数の前記第２貫通孔は、２枚の前記第２基板同士の間に関して対称的に配置されている、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項13】

複数の前記第２貫通孔は、前記第２基板ごとに、該第２基板の中心線に関して対称的に配置されている、請求項１２に記載の基板処理装置。

【請求項14】

平面視で前記第１載置台と前記第２載置台とを重ねた場合、複数の前記第１貫通孔と、複数の前記第２貫通孔とが重なる、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記第２載置面は、２枚の前記第２基板のうちの一方の第２基板が載置される面と、他方の第２基板が載置される面とに分割されている、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記第１載置台は、前記第１載置面の上で前記第１基板を静電気力によって吸着可能な第１静電吸着部を有し、
前記第２載置台は、前記第２載置面の上で前記各第２基板を静電気力によって吸着可能な第２静電吸着部を有する、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記第２載置面は、２枚の前記第２基板のうちの一方の第２基板が載置される面と、他方の第２基板が載置される面とに分割されており、
前記第２載置台は、前記一方の第２基板が載置される面上での静電気力による吸着と、前記他方の第２基板が載置される面上での静電気力による吸着とが個別に可能である、請求項１６に記載の基板処理装置。

【請求項18】

前記第１静電吸着部および少なくとも一方の前記第２静電吸着部に対して電圧を共通に印加する電圧印加部を備える、請求項１６に記載の基板処理装置。

【請求項19】

前記第１静電吸着部および前記第２静電吸着部での吸着状態を監視する監視部を備える、請求項１６に記載の基板処理装置。

【請求項20】

前記監視部は、前記吸着状態を電流値に基づいて監視する、請求項１９に記載の基板処理装置。

【請求項21】

前記第１載置台は、前記第１載置面の上の前記第１基板を冷却する冷媒が通過する第１流路を有し、
前記第２載置台は、前記第２載置面の上の一方の第２基板を冷却する冷媒が通過する第２流路と、他方の第２基板を冷却する冷媒が通過する第２流路を個別に有する、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項22】

前記第１流路および少なくとも一方の前記第２流路に対して冷媒を共通に供給する冷媒供給部を備える、請求項２１に記載の基板処理装置。

【請求項23】

前記第１流路および前記第２流路での前記冷媒の通過状態を監視する監視部を備える、請求項２１に記載の基板処理装置。

【請求項24】

前記監視部は、前記通過状態を、前記冷媒の圧力および前記冷媒の流量のうちの少なくとも一方に基づいて監視する、請求項２３に記載の基板処理装置。

【請求項25】

１枚の第１基板と、該第１基板よりも平面視での面積が小さい２枚の第２基板とが選択されて載置される載置面と、該載置面の平面視で、前記載置面の長辺を二等分する二等分線と重ならない位置に上下方向に貫通して前記載置面に開口する複数の貫通孔と、を有する載置台と、
前記載置台の上の前記第１基板または前記各第２基板に対する処理が行われる処理室と、
前記載置台に対して上下方向に移動可能であり、前記貫通孔に挿入され、前記載置台に前記第１基板が載置される場合に、該第１基板を下面側から支持し、前記載置台に２枚の前記第２基板が載置される場合に、該各第２基板をそれぞれ独立して下面側から支持する複数の昇降ピンと、該各昇降ピンを上下方向に駆動させる駆動部と、を有する駆動機構と、
前記駆動部を制御する制御部と、を備え、
前記処理室の底部には、前記駆動機構が挿通する複数の駆動用挿通孔が設けられており、
平面視での複数の前記駆動用挿通孔は、複数の前記貫通孔と重なる基板処理装置を用いる、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板に対するエッチングや蒸着等の基板処理を実行する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の基板処理装置は、基板処理対象の２枚の基板を並べて支持する基板支持台と、基板支持台を貫いて上下移動可能に設置される複数のリフトピンを含むリフトピン組立体とを備える。この基板処理装置では、リフトピン組立体の上下移動により、基板支持台上の２枚の基板を一括して昇降することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】韓国登録特許第１０－２１０２９２２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示に係る技術は、平面視での大きさが異なる２種類の基板（第１基板、および、第１基板よりも小さい第２基板）に対する処理を１つの基板処理装置で実行可能であるとともに、２枚の第２基板を昇降させる際、各第２基板に対する昇降をそれぞれ独立して実行可能とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示に係る技術の一態様は、１枚の第１基板と、該第１基板よりも平面視での面積が小さい２枚の第２基板とが選択されて載置される載置面と、該載置面の平面視で、前記載置面の長辺を二等分する二等分線と重ならない位置に上下方向に貫通して前記載置面に開口する複数の貫通孔と、を有する載置台と、前記載置台の上の前記第１基板または前記各第２基板に対する処理が行われる処理室と、前記載置台に対して上下方向に移動可能であり、前記貫通孔に挿入され、前記載置面に前記第１基板が載置される場合に、該第１基板を下面側から支持し、前記載置面に２枚の前記第２基板が載置される場合に、該各第２基板をそれぞれ独立して下面側から支持する複数の昇降ピンと、該各昇降ピンを上下方向に駆動させる駆動部と、を有する駆動機構と、前記駆動部を制御する制御部と、を備え、前記処理室の底部には、前記駆動機構が挿通する複数の駆動用挿通孔が設けられており、平面視での複数の前記駆動用挿通孔は、複数の前記貫通孔と重なる、基板処理装置である。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、平面視での大きさが異なる２種類の基板（第１基板、および、第１基板よりも小さい第２基板）に対する処理を１つの基板処理装置で実行可能であるとともに、２枚の第２基板を昇降させる際、各第２基板に対する昇降をそれぞれ独立して実行可能とする。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示に係る基板処理装置の第１状態を示す概略垂直断面図である。

【図2】本開示に係る基板処理装置の第２状態を示す概略垂直断面図である。

【図3】図１中の矢印Ａ方向から見た図（概略平面図）である。

【図4】図２中の矢印Ｂ方向から見た図（概略平面図）である。

【図5】基板処理装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。

【図6】基板処理装置での制御状態の一例を示すブロック図である。

【図7】基板処理装置での制御状態の一例を示すブロック図である。

【図8】基板処理装置での制御状態の一例を示すブロック図である。

【図9】基板処理装置での制御状態の一例を示すブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

上述したように、特許文献１の技術では、基板支持台上の２枚の基板を一括して昇降可能である。その一方で、基板支持台上の２枚の基板をそれぞれ独立して昇降させたい場合がある。この場合、特許文献１の技術では、各基板のそれぞれ独立した昇降が不可能である。また、近年では、平面視での大きさが異なる２種類の基板（第１基板、および、第１基板よりも小さい第２基板）に対する基板処理が要求されている。また、従来の技術では、２枚の第２基板に対する基板処理は可能なものがあるが、当該第２基板よりも大きい１枚の第１基板に対する基板処理は不可能である。そのため、第１基板に対する基板処理を行おうとした場合、当該基板処理が可能な基板処理装置を別途用意する必要があるため、その分、設備投資が負担となる。

【0009】

以下、図面を参照して本開示に係る技術の一実施の形態を説明する。しかしながら、以下の実施形態に記載されている構成はあくまで例示に過ぎず、この構成によって限定されることはない。例えば、この構成に含まれる各部は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。

【0010】

図１は、本開示に係る基板処理装置の第１状態を示す概略垂直断面図である。図２は、本開示に係る基板処理装置の第２状態を示す概略垂直断面図である。図３は、図１中の矢印Ａ方向から見た図（概略平面図）である。図４は、図２中の矢印Ｂ方向から見た図（概略平面図）である。図５は、基板処理装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。図６～図９は、それぞれ、基板処理装置での制御状態の一例を示すブロック図である。なお、図１は、図３中のＣ－Ｃ線断面でもある。図２は、図４中のＤ－Ｄ線断面でもある。また、以下では、説明の都合上、図１および図２中の上側を「上（または上方）」、下側を「下（または下方）」と言う。

【0011】

図１、図２に示す基板処理装置１０は、例えば、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）パネルの製造に用いられる装置である。この基板処理装置１０は、処理対象である基板（被処理基板）Ｇとしてのガラス基板に対して、ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等の各種処理（基板処理方法）を行うことができる。基板処理装置１０で処理可能な基板Ｇには、第１基板Ｇ１および第２基板Ｇ２がある。図３に示すように、第１基板Ｇ１は、平面視での形状が、図３中の左右方向を長辺方向とする長方形の基板である。図４に示すように、第２基板Ｇ２は、平面視での形状が、図４中の左右方向を短辺方向とする長方形の基板である。この第２基板Ｇ２は、第１基板Ｇ１よりも平面視での面積が小さい。本実施形態では、第２基板Ｇ２の長辺の長さは、第１基板Ｇ１の短辺の長さと同じである。また、第２基板Ｇ２の短辺の長さは、第１基板Ｇ１の長辺のほぼ１／２である。

【0012】

図１、図２に示すように、基板処理装置１０は、第１載置台１、第２載置台２、支持部３、処理室４、駆動機構５を有する。なお、基板処理装置１０は、第１載置台１と第２載置台２とを交換して用いられる。また、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、基板処理装置１０は、電圧印加部６Ｌおよび電圧印加部６Ｒと、冷媒供給部７Ｌおよび冷媒供給部７Ｒと、監視部８と、制御部９とを有する。

【0013】

図１に示すように、第１載置台１は、板状の基部１１と、基部１１上に設けられた第１静電吸着部（第１静電チャック）１２とを有する積層体で構成されている。第１静電吸着部１２は、第１基板Ｇ１に対する静電吸着に適した回路パターンを有する。第１静電吸着部１２の上面は、図３中の左右方向を長辺方向とする長方形をなし、１枚の第１基板Ｇ１が載置される第１載置面１３として機能する。そして、第１静電吸着部１２は、第１載置面１３上に第１基板Ｇ１が載置された状態で、電圧印加部６Ｌから電圧が印加されることにより、第１基板Ｇ１を静電気力によって吸着することができる。なお、電圧印可部６Ｒは、第１基板処理時には使用しないため、通電されていない。

【0014】

また、第１載置台１には、第１載置面１３上の第１基板Ｇ１を冷却する冷媒（バッククーリングガス）Ｑが通過する第１流路１４が設けられている。第１流路１４は、第１載置面１３に複数箇所で開口している。これにより、第１流路１４を通過した冷媒Ｑを、第１載置面１３と第１基板Ｇ１の下面（裏面）との間に供給することができる。この冷媒Ｑの供給により、第１基板Ｇ１との間で熱交換を行うことができ、よって、第１基板Ｇ１の温度を調節することができる。なお、第１流路１４は、冷媒Ｑを供給する冷媒供給部７Ｌに接続されている。なお、冷媒供給部７Ｒは、第１基板処理時には使用しないため、冷媒Ｑは供給されていない。

【0015】

第１載置台１には、上下方向に貫通して第１載置面１３に開口する複数の第１貫通孔１５が設けられている。各第１貫通孔１５には、後述する駆動機構５の昇降ピン５２が移動可能（出没可能）に挿入される。昇降ピン５２は、第１貫通孔１５から突出した状態で、第１基板Ｇ１を下面側から支持することができる（図１中の二点鎖線参照）。図３に示すように、第１載置面１３に第１基板Ｇ１が載置された状態の平面視で、複数の第１貫通孔１５は、第１基板Ｇ１の中心線Ｏ１１と重ならない位置に配置されている。中心線Ｏ１１は、第１基板Ｇ１の長辺を二等分する二等分線である。また、本実施形態では、中心線Ｏ１１は、平面視で、第１載置面１３の中心線、すなわち、第１載置面１３の長辺を二等分する二等分線と重なる。なお、複数の第１貫通孔１５には、平面視で、中心線Ｏ１１と直交する中心線Ｏ１２と重なる第１貫通孔１５がある。中心線Ｏ１２は、第１基板Ｇ１の短辺を二等分する二等分線である。複数の第１貫通孔１５は、第１基板Ｇ１の中心線Ｏ１１および中心線Ｏ１２に関して対称的に配置されている。このような線対称の配置により、各第１貫通孔１５から突出した昇降ピン５２によって第１基板Ｇ１を下面側から安定して支持することができる。なお、第１貫通孔１５の配置数や線対称の配置態様については、図３に示すものに限定されない。

【0016】

図２に示すように、第２載置台２は、板状の基部２１と、基部２１上に設けられた第２静電吸着部（第２静電チャック）２２とを有する積層体で構成されている。第２静電吸着部２２は、各第２基板Ｇ２に対する静電吸着に適した回路パターンを有する。第２静電吸着部２２の上面は、２枚の第２基板Ｇ２が載置される第２載置面２３として機能する。これにより、第２載置面２３は、基板Ｇの載置効率（面取り効率）が第１載置面１３よりも向上する。本実施形態では、第２載置面２３は、２枚の第２基板Ｇ２のうちの一方の第２基板Ｇ２（以下「第２基板Ｇ２Ｌ」と言うことがある）が載置される第２左側載置面２３Ｌと、他方の第２基板Ｇ２（以下「第２基板Ｇ２Ｒ」と言うことがある）が載置される第２右側載置面２３Ｒとに分割されている。そして、第２静電吸着部２２は、第２左側載置面２３Ｌ上に第２基板Ｇ２Ｌが載置された状態で、電圧印加部６Ｌから電圧が印加されることにより、当該第２基板Ｇ２Ｌを静電気力によって吸着することができる。また、第２静電吸着部２２は、第２右側載置面２３Ｒ上に第２基板Ｇ２Ｒが載置された状態で、電圧印加部６Ｒから電圧が印加されることにより、当該第２基板Ｇ２Ｒを静電気力によって吸着することができる。このように第２載置台２は、第２基板Ｇ２Ｌに対する吸着と、第２基板Ｇ２Ｒに対する吸着とを個別に行うことができる。これにより、例えば、各吸着を異なるタイミングで行うことができる。

【0017】

また、第２載置台２には、第２載置面２３上の各第２基板Ｇ２を冷却する冷媒Ｑが通過する第２流路（流路）２４が設けられている。本実施形態では、第２流路２４は、第２基板Ｇ２Ｌ冷却用の冷媒Ｑが通過する第２流路２４Ｌと、第２基板Ｇ２Ｒ冷却用の冷媒Ｑが通過する第２流路２４Ｒとに分割されている。第２流路２４Ｌは、第２左側載置面２３Ｌに複数箇所で開口している。これにより、第２流路２４Ｌを通過した冷媒Ｑを、第２左側載置面２３Ｌと第２基板Ｇ２Ｌの下面との間に供給することができる。この冷媒Ｑの供給により、第２基板Ｇ２Ｌとの間で熱交換を行うことができ、よって、第２基板Ｇ２Ｌの温度を調節することができる。同様に、第２流路２４Ｒは、第２右側載置面２３Ｒに複数箇所で開口している。これにより、第２流路２４Ｒを通過した冷媒Ｑを、第２右側載置面２３Ｒと第２基板Ｇ２Ｒの下面との間に供給することができる。この冷媒Ｑの供給により、第２基板Ｇ２Ｒとの間で熱交換を行うことができ、よって、第２基板Ｇ２Ｒの温度を調節することができる。このように第２載置台２は、第２基板Ｇ２Ｌに対する冷却と、第２基板Ｇ２Ｒに対する冷却とを個別に行うことができる。これにより、例えば、各冷却を異なるタイミングで行うことができる。なお、第２流路２４Ｌは冷媒供給部７Ｌに接続され、第２流路２４Ｒは、冷媒供給部７Ｒに接続されている。

【0018】

第２載置台２には、上下方向に貫通して第２載置面２３に開口する複数の第２貫通孔（貫通孔）２５が設けられている。各第２貫通孔２５には、駆動機構５の昇降ピン５２が移動可能に挿入される。昇降ピン５２は、第２貫通孔２５から突出した状態で、各第２基板Ｇ２を下面側から支持することができる（図２中の二点鎖線参照）。図４に示すように、第２載置面２３に２枚の第２基板Ｇ２が左右に並べて載置された状態、すなわち、第２左側載置面２３Ｌに第２基板Ｇ２Ｌが載置され、第２右側載置面２３Ｒに第２基板Ｇ２Ｒが載置された状態の平面視で、複数の第２貫通孔２５は、第２基板Ｇ２Ｌと第２基板Ｇ２Ｒとの間と重ならない位置に配置されている。なお、第２基板Ｇ２Ｌと第２基板Ｇ２Ｒとの間は、平面視で前記中心線Ｏ１１と重なる位置にある。複数の第２貫通孔２５は、第２基板Ｇ２Ｌと第２基板Ｇ２Ｒとの間（中心線Ｏ１１）に関して対称的に配置されている。

【0019】

また、第２左側載置面２３Ｌに開口する複数の第２貫通孔２５は、第２基板Ｇ２Ｌの中心線Ｏ２１Ｌに関して対称的に配置されている。中心線Ｏ２１Ｌは、第２基板Ｇ２Ｌの短辺を二等分する二等分線である。さらに、第２左側載置面２３Ｌに開口する複数の第２貫通孔２５は、中心線Ｏ２１Ｌと直交する中心線Ｏ２２Ｌに関して対称的に配置されている。中心線Ｏ２２Ｌは、第２基板Ｇ２Ｌの長辺を二等分する二等分線である。このように第２左側載置面２３Ｌでは、複数の第２貫通孔２５は線対称に配置されている。この線対称配置により、第２左側載置面２３Ｌ上では、各第２貫通孔２５から突出した昇降ピン５２によって第２基板Ｇ２Ｌを下面側から安定して支持することができる。

【0020】

同様に、第２右側載置面２３Ｒに開口する複数の第２貫通孔２５は、第２基板Ｇ２Ｒの中心線Ｏ２１Ｒに関して対称的に配置されている。中心線Ｏ２１Ｒは、第２基板Ｇ２Ｒの短辺を二等分する二等分線である。さらに、第２右側載置面２３Ｒに開口する複数の第２貫通孔２５は、中心線Ｏ２１Ｒと直交する中心線Ｏ２２Ｒに関して対称的に配置されている。中心線Ｏ２２Ｒは、第２基板Ｇ２Ｒの長辺を二等分する二等分線である。このように第２右側載置面２３Ｒでは、複数の第２貫通孔２５は線対称に配置されている。この線対称配置により、第２右側載置面２３Ｒ上では、各第２貫通孔２５から突出した昇降ピン５２によって第２基板Ｇ２Ｒを下面側から安定して支持することができる。なお、第２貫通孔２５の配置数や線対称の配置態様については、図４に示すものに限定されない。

【0021】

図１、図２に示すように、支持部３は、処理室４の底部４１に固定されている。支持部３は、第１載置台１と第２載置台２とを交換可能に支持する支持台である。以下では、第１載置台１が支持部３に支持された状態を「第１状態」と言い、第２載置台２が支持部３に支持された状態を「第２状態」と言う。

【0022】

処理室４は、箱状をなし、気密性が確保される。処理室４内では、第１状態で、第１載置台１上の第１基板Ｇ１に対する前記各種処理が行われ、第２状態で、第２載置台２上の各第２基板Ｇ２に対する前記各種処理が行われる。

【0023】

処理室４の底部４１には、駆動機構５が配置されている。本実施形態では、駆動機構５は、第２貫通孔２５の配置数と同数（２０個）の駆動ユニット５１を備える。各駆動ユニット５１は、支持部３に対して上下方向に移動可能な昇降ピン５２と、昇降ピン５２の下側に設けられ、当該昇降ピン５２を上下方向に駆動させる駆動部５３とを有する。駆動部５３の構成としては、特に限定されず、例えば、モータ等を有する構成、エアシリンダ等を有する構成等を用いることができる。また、各駆動ユニット５１は、昇降ピン５２の下部に連結され、下方に向かって延びる第１連結部材５４と、第１連結部材５４の下部に連結され、処理室４の外側に位置する第２連結部材５５とを有する。第２連結部材５５は、その上部を構成する導電性部材５５１と、下部を構成する絶縁部材５５２とで構成されている。また、各駆動ユニット５１は、真空雰囲気と大気雰囲気とを遮断するための導電性のベローズ５６を有する。ベローズ５６は、第１状態では第１載置台１の下面と導電性部材５５１の上面との間に位置し、第２状態では第２載置台２の下面と導電性部材５５１の上面との間に位置する。また、各駆動ユニット５１は、第２連結部材５５の下部に設けられた摺動部材５７と、処理室４の底部４１に固定されたガイド部材５８とを有する。摺動部材５７は、ボールねじとモータとを組み合わせた直動ユニット（不図示）と連結されており、駆動部制御装置（不図示）によって上下方向に昇降することができる。また、摺動部材５７は、上下方向に昇降する際にガイド部材５８に案内される。

【0024】

以上のような構成の駆動機構５では、処理室４内に基板Ｇを搬入したり、処理室４内から搬出したりする際には、昇降ピン５２が用いられる。処理室４内に基板Ｇを搬入する場合には、昇降ピン５２を最上位置まで突出させた状態とし、当該状態の各昇降ピン５２上に、搬送アーム（不図示）からの基板Ｇを支持させることができる。そして、昇降ピン５２は、基板Ｇを支持したまま初期位置（最も下降した状態）まで下降する。これにより、基板Ｇに対する各種処理が可能となる。また、処理後の基板Ｇを処理室４内から搬出する場合には、昇降ピン５２を再度最上位置まで突出させて、昇降ピン５２上に基板Ｇを支持させた状態とする。そして、前記搬送アームを基板Ｇの下方に移動し、昇降ピン５２を前記搬送アームより下げることで基板Ｇが前記搬送アームに受け渡され、前記搬送アームによる基板Ｇの搬出が可能となる。

【0025】

処理室４の底部４１には、駆動機構５の昇降ピン５２および第１連結部材５４が挿通する複数の駆動用挿通孔４２が設けられている。各駆動用挿通孔４２は、底部４１を上下方向に貫通する貫通孔で構成されている。図３に示すように、平面視での複数の駆動用挿通孔４２（中心線Ｏ１２上の最も左側にある駆動用挿通孔４２と、最も右側にある駆動用挿通孔４２とを除く）は、第１載置台１の複数の第１貫通孔１５と重なる。図４に示すように、平面視での複数の駆動用挿通孔４２は、第２載置台２の複数の第２貫通孔２５と重なる。また、平面視で第１載置台１と第２載置台２とを重ねた場合、複数の第１貫通孔１５と、複数の第２貫通孔２５（中心線Ｏ２２Ｌ上の左側にある１つの第２貫通孔２５と、中心線Ｏ２２Ｒ上の右側にある１つの第２貫通孔２５とを除く）とが重なる。このような孔同士の位置関係により、第１載置台１と第２載置台２と対して、共通の駆動機構５の昇降ピン５２を挿入して用いることができる。なお、基板処理装置１０では、駆動機構５全体を処理室４内に配置した、すなわち、収納した構成とすることができる。この場合、処理室４の底部４１からは、駆動用挿通孔４２が省略される。

【0026】

前述したように、基板処理装置１０は、電圧印加部６Ｌおよび電圧印加部６Ｒと、冷媒供給部７Ｌおよび冷媒供給部７Ｒと、監視部８と、制御部９とを有する（図５（ａ）、図５（ｂ）参照）。電圧印加部６Ｌおよび電圧印加部６Ｒは、これらの電圧印加部うちの少なくともいずれかの電圧印可部が、第１静電吸着部１２および第２静電吸着部２２に対して電圧を共通に印加する。本実施形態では、電圧印加部６Ｌは、アースされた電源６１Ｌと、電源６１ＬのＯＮ／ＯＦＦの切り換え等を行う回路部６２Ｌとの組を有し、同様に電圧印可部６Ｒは、アースされた電源６１Ｒと、電源６１ＲのＯＮ／ＯＦＦの切り換え等を行う回路部６２Ｒとの組を有する。電圧印加部６Ｌおよび電圧印加部６Ｒは、第１静電吸着部１２に対して電圧を印加する際には、２組のうちの一方の組がその印加を担う。また、電圧印加部６Ｌおよび電圧印加部６Ｒは、第２静電吸着部２２に対して電圧を印加する際には、各組がその印加を担う。これにより、第２基板Ｇ２Ｌに対する静電吸着と、第２基板Ｇ２Ｒに対する静電吸着とを個別に行うことができる。

【0027】

冷媒供給部７Ｌおよび冷媒供給部７Ｒは、第１流路１４、および、第２流路２４Ｌまたは第２流路２４Ｒの少なくともいずれか一方に対して冷媒Ｑを共通に供給する。冷媒Ｑとしては、特に限定されず、例えば、ヘリウム、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いるのが好ましい。

【0028】

図５に示すように、監視部８は、電流計８１Ｌおよび電流計８１Ｒ、圧力計８２Ｌおよび圧力計８２Ｒ、流量計８３Ｌおよび流量計８３Ｒを有する。この監視部８は、第１静電吸着部１２での第１基板Ｇ１に対する静電吸着状態（吸着状態）と、第２静電吸着部２２での第２基板Ｇ２に対する静電吸着状態とを監視する。第２基板Ｇ２においては、第２基板Ｇ２Ｌと第２基板Ｇ２Ｒに対する静電吸着状態を個別に監視可能である。また、監視部８は、第１流路１４での冷媒Ｑの通過状態と、第２流路２４での冷媒Ｑの通過状態とを監視する。第２流路２４においては、第２流路２４Ｌと第２流路２４Ｒでの冷媒Ｑの通過状態を個別に監視可能である。第１静電吸着部１２での静電吸着状態と、第２静電吸着部２２での静電吸着状態との監視については、監視対象と電流計が異なること以外は同じであるため、第１静電吸着部１２での静電吸着状態について代表的に説明する。電流計８１Ｌは、第１状態で第１静電吸着部１２に電圧が印加されたときの、当該第１静電吸着部１２を通過する電流値を測定することができる。そして、監視部８は、電流計８１Ｌでの測定結果、すなわち、電流値に基づいて、第１静電吸着部１２での静電吸着状態を監視することができる。例えば、電流値が閾値未満である場合には、第１静電吸着部１２での静電吸着状態が良であると判断され、電流値が閾値以上である場合には、第１静電吸着部１２での静電吸着状態が不良であると判断される。第１静電吸着部１２での静電吸着状態が良であると判断された場合には、第１基板Ｇ１に対する処理を行うことができる。一方、第１静電吸着部１２での静電吸着状態が不良であると判断された場合には、静電チャックを含む電圧印可経路の短絡が考えられるため、処理を中止し、例えば載置台の交換を検討する。これにより、第１静電吸着部１２での静電吸着状態が改善される場合がある。なお、電流値の閾値は、例えば制御部９のメモリ９２（図５参照）に予め記憶されている。また、電流値の閾値は、適宜変更可能であるのが好ましい。

【0029】

第１流路１４での冷媒Ｑの通過状態と、第２流路２４での冷媒Ｑの通過状態との監視については、監視対象、流量計と圧力計が異なること以外は同じであるため、第１流路１４での冷媒Ｑの通過状態について代表的に説明する。圧力計８２Ｌは、第１状態で第１流路１４を通過する冷媒Ｑの圧力を測定することができる。また、流量計８３Ｌは、第１状態で第１流路１４を通過する冷媒Ｑの流量を測定することができる。そして、監視部８は、圧力計８２Ｌでの測定結果、すなわち、圧力と、流量計８３Ｌでの測定結果、すなわち、流量とに基づいて、第１流路１４での冷媒Ｑの通過状態を監視することができる。例えば、圧力が閾値以上、流量が閾値未満である場合には、第１流路１４での冷媒Ｑの通過状態が良であると判断され、圧力が閾値未満、または流量が閾値以上である場合には、第１流路１４での冷媒Ｑの通過状態が不良であると判断される。第１流路１４での冷媒Ｑの通過状態が良であると判断された場合には、第１基板Ｇ１に対する処理を行うことができる。一方、第１流路１４での冷媒Ｑの通過状態が不良であると判断された場合には、例えば一旦昇降ピン５２で第１基板Ｇ１を第１静電吸着部１２から離間させてから、再度第１静電吸着部１２に載置するのが好ましい。これにより、第１流路１４での冷媒Ｑの通過状態が改善される場合がある。なお、圧力の閾値は、例えば制御部９のメモリ９２に予め記憶されている。また、圧力の閾値は、適宜変更可能であるのが好ましい。同様に、流量の閾値も、例えば制御部９のメモリ９２に予め記憶され、適宜変更可能であるのが好ましい。また、第１流路１４での冷媒Ｑの通過状態の良否判断（監視）は、本実施形態では圧力および流量の双方に基づいて行われているが、これに限定されず、圧力および流量のうちの少なくとも一方に基づいて行われていればよい。

【0030】

制御部９は、ＣＰＵ９１およびメモリ９２を有し、駆動機構５の駆動部５３、電圧印加部６Ｌおよび電圧印加部６Ｒ、冷媒供給部７Ｌおよび冷媒供給部７Ｒ、監視部８の電流計８１Ｌおよび電流計８１Ｒ～流量計８３Ｌおよび流量計８３Ｒの各部と通信可能に接続されており、これらの作動を制御する。なお、メモリ９２には、制御プログラム等が予め記憶されている。制御部９による制御状態の一例について、図６～図９を参照して説明する。また、図６～図９中の「昇降ピン＿０１」～「昇降ピン＿２０」とは、図３、図４中の駆動用挿通孔４２を挿通する昇降ピン５２に付された番号（名称）である。ここでは、図３、図４中の最も左上の駆動用挿通孔４２を挿通する昇降ピン５２を「昇降ピン＿０１」として、下側に向かって順に、最も右下の駆動用挿通孔４２を挿通する昇降ピン５２を「昇降ピン＿２０」まで番号が付されている。また、「駆動部＿０１」～「駆動部＿２０」は、「昇降ピン＿０１」～「昇降ピン＿２０」の昇降ピン５２を昇降移動させる駆動部５３に付された番号である。

【0031】

図６に示すように、第１基板Ｇ１を昇降させる際には、制御部９は、「駆動部＿０１」～「駆動部＿０２」、「駆動部＿０４」～「駆動部＿１０」、「駆動部＿１１」～「駆動部＿１７」、「駆動部＿１９」～「駆動部＿２０」の駆動部５３に対して、各昇降ピン５２を個別に駆動させる制御を行うことができる。なお、第１基板Ｇ１の昇降には、「駆動部＿０３」および「駆動部＿１８」の駆動部５３は使用されない。また、仮に第１基板Ｇ１の昇降に「駆動部＿０３」および「駆動部＿１８」の駆動部５３も使用する場合には、制御部９は、「駆動部＿０１」～「駆動部＿２０」の駆動部５３に対して、各昇降ピン５２を一括して駆動させる制御を行うことができる。

【0032】

図７に示すように、第２基板Ｇ２Ｌを昇降させる際には、制御部９は、「駆動部＿０１」～「駆動部＿１０」の駆動部５３に対して、各昇降ピン５２を一括して駆動させる制御を行うことができる。一方、第２基板Ｇ２Ｒを昇降させる際には、制御部９は、「駆動部＿１１」～「駆動部＿２０」の駆動部５３に対して、各昇降ピン５２を一括して駆動させる制御を行うことができる。このように制御部９は、第２基板Ｇ２ごとに、駆動部５３をグループ分けして、各昇降ピン５２を一括して駆動させることができる。なお、「駆動部＿０１」～「駆動部＿１０」と、「駆動部＿１１」～「駆動部＿２０」とは、それぞれ、グループ１Ａで１つにまとめられている。そして、このような制御により、第２基板Ｇ２Ｌと第２基板Ｇ２Ｒとをそれぞれ独立して異なるグループ１Ａとして昇降させることができる。例えば、第２基板Ｇ２Ｌおよび第２基板Ｇ２Ｒのうち、第２基板Ｇ２Ｌに対する静電吸着状態が良であり、第２基板Ｇ２Ｒに対する静電吸着状態が不良であると判断された場合には、双方の第２基板Ｇ２に対する処理を一旦停止する好ましい。この場合、第２基板Ｇ２Ｌをそのままにして、第２基板Ｇ２Ｒを一旦昇降ピン５２で第２右側載置面２３Ｒから離間させてから、再度第２右側載置面２３Ｒに載置するのが好ましい。これにより、第２基板Ｇ２Ｒに対する静電吸着状態が改善され、結果、双方の第２基板Ｇ２に対する処理が可能となる。

【0033】

図８に示すように、第２基板Ｇ２Ｌを昇降させる際には、図７と同様に、制御部９は、「駆動部＿０１」～「駆動部＿１０」の駆動部５３に対して、各昇降ピン５２をグループ１Ａとして一括して駆動させる制御を行うことができる。一方、第２基板Ｇ２Ｒを昇降させる際には、制御部９は、「駆動部＿１１」および「駆動部＿１２」の駆動部５３に対して、各昇降ピン５２を一括して駆動させる制御を行うことができる。また、制御部９は、「駆動部＿１３」および「駆動部＿１４」の駆動部５３に対して、各昇降ピン５２を一括して駆動させる制御を行うことができる。同様に、制御部９は、「駆動部＿１５」および「駆動部＿１６」の駆動部５３に対する制御と、「駆動部＿１７」および「駆動部＿１８」の駆動部５３に対する制御と、「駆動部＿１９」および「駆動部＿２０」の駆動部５３に対する制御とを行うことができる。なお、「駆動部＿１１」および「駆動部＿１２」は、グループ１Ｂで１つにまとめられている。「駆動部＿１３」および「駆動部＿１４」は、グループ２Ｂで１つにまとめられている。「駆動部＿１５」および「駆動部＿１６」は、グループ３Ｂで１つにまとめられている。「駆動部＿１７」および「駆動部＿１８」は、グループ４Ｂで１つにまとめられている。「駆動部＿１９」および「駆動部＿２０」は、グループ５Ｂで１つにまとめられている。このように制御部９は、第２基板Ｇ２ごとに、第２基板Ｇ２の昇降（支持）に使用される昇降ピン５２のグループを変更して駆動させることができる。これにより、第２基板Ｇ２Ｌと第２基板Ｇ２Ｒとをそれぞれ独立し、且つ、異なるグループ数で昇降させることができる。また、各グループ毎に別々の条件、例えば、突没時の昇降ピン５２の高さや速度等を設定することが可能である。

【0034】

図９に示すように、第２基板Ｇ２Ｌと第２基板Ｇ２Ｒとを昇降させる際には、制御部９は、「駆動部＿０１」～「駆動部＿２０」の駆動部５３に対して、各昇降ピン５２を個別に駆動させる制御を行うことができる。

【0035】

以上のような構成の基板処理装置１０では、第１基板Ｇ１および第２基板Ｇ２に対する処理を行う際には、第１基板Ｇ１用の第１載置台１と、第２基板Ｇ２用の第２載置台２とを交換することにより、１つの基板処理装置１０で当該処理を実行することができる。また、２枚の第２基板Ｇ２に対する処理を行う際に、各第２基板Ｇ２を昇降させる必要が生じた場合には、前述した制御部９での制御により、各第２基板Ｇ２に対する昇降をそれぞれ独立して実行することができる。また、２枚の第２基板Ｇ２に対する処理を行なう際に、より細かく昇降グループ分けをする必要が生じた場合には、前述した制御部９での制御により、各第２基板Ｇ２に対する昇降をそれぞれ独立して実行することができる。これにより、例えば、静電吸着状態不良を解消することができる。なお、グループ分けに関して本実施形態のものに限定されない。

【0036】

以上、本開示の好ましい実施の形態について説明したが、本開示は上述した実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

【符号の説明】

【0037】

１ 第１載置台
１３ 第１載置面
１５ 第１貫通孔
２ 第２載置台
２３ 第２載置面
２５ 第２貫通孔
３ 支持部
４ 処理室
４１ 底部
４２ 駆動用挿通孔
５ 駆動機構
５２ 昇降ピン
５３ 駆動部
９ 制御部
１０ 基板処理装置
２０ 載置台
２０３ 載置面
Ｏ１１ 中心線
Ｇ１ 第１基板
Ｇ２ 第２基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】