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特許6997803感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2021-12-21
(45)【発行日】2022-01-18
(54)【発明の名称】感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物
(51)【国際特許分類】
G03F 7/004 20060101AFI20220111BHJP
G03F 7/039 20060101ALI20220111BHJP
G03F 7/038 20060101ALI20220111BHJP
C07C 381/12 20060101ALI20220111BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20220111BHJP
【ＦＩ】
G03F7/004 501
G03F7/039 601
G03F7/038 601
C07C381/12 CSP
G03F7/20 521
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2019560866
(86)(22)【出願日】2018-11-13
(86)【国際出願番号】 JP2018042011
(87)【国際公開番号】W WO2019123895
(87)【国際公開日】2019-06-27
【審査請求日】2020-04-07
(31)【優先権主張番号】P 2017246984
(32)【優先日】2017-12-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100152984
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 秀明
(74)【代理人】
【識別番号】100148080
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 史生
(72)【発明者】
【氏名】上村 稔
(72)【発明者】
【氏名】山本 恵士
(72)【発明者】
【氏名】後藤 研由
(72)【発明者】
【氏名】白川 三千紘
(72)【発明者】
【氏名】藤田 光宏
【審査官】高橋 純平
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１７－２０２９９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１６７８２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１６７８２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０２２１０３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０２５７７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０３５０９６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｆ ７／００４－７／１８
Ｃ０７Ｃ ３８１／１２
Ｇ０３Ｆ ７／２０
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、
酸拡散制御剤と、を含み、
前記酸拡散制御剤が、下記一般式（１）で表される化合物を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化1】
上記式中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、各々独立に、芳香族炭化水素基を表す。
Ａ１は、Ａｒ１上でＳ＋と結合する炭素原子に対してオルト位に置換し、且つ、－Ｌ１－ＣＯ２ －、－Ｌ２－ＳＯ３ －、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１を表す。
Ｌ １ は、２価の連結基を表す。
Ｌ ２及びＬ３は、各々独立に、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｘ１は、－ＳＯ２－、又は－ＣＯ－を表す。
Ｙ１は、－ＳＯ２－ＲＡ、又は－ＣＯ－ＲＢを表す。
ＲＡ及びＲＢは、各々独立に、１価の置換基を表す。
なお、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、更に置換基を有していてもよく、前記置換基同士が互いに結合して、環を形成していてもよい。
【請求項2】
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される化合物である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。【化2】
上記式中、Ａｒ２、及びＡｒ３は、各々独立に、単環芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、各々独立に、水素原子、又は非芳香族性の置換基を表す。
Ａ１は、－Ｌ１－ＣＯ２ －、－Ｌ２－ＳＯ３ －、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１を表す。
Ｌ １ は、２価の連結基を表す。
Ｌ ２及びＬ３は、各々独立に、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｘ１は、－ＳＯ２－、又は－ＣＯ－を表す。
Ｙ１は、－ＳＯ２－ＲＡ、又は－ＣＯ－ＲＢを表す。
ＲＡ及びＲＢは、各々独立に、１価の置換基を表す。
なお、Ａｒ２及びＡｒ３は、更に置換基を有していてもよく、前記置換基同士が互いに結合して、環を形成していてもよい。
【請求項3】
Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であるか、又は、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方が無置換の単環芳香族炭化水素基である、請求項２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項4】
Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３の一方が無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、Ａｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、又は、
Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基である、請求項２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項5】
Ａ１が、－Ｌ１－ＣＯ２
－、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１である、請求項１～４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項6】
Ｌ
３が単結合である、請求項５に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項7】
樹脂と、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、
酸拡散制御剤と、を含み、
前記酸拡散制御剤が、下記一般式（１）で表される化合物を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化3】
上記式中、Ａｒ １ 、Ａｒ ２ 及びＡｒ ３ は、各々独立に、芳香族炭化水素基を表す。
また、Ａｒ １ 、Ａｒ ２ 及びＡｒ ３ は、更に置換基を有していてもよく、前記置換基同士が互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、Ａｒ １ 、Ａｒ ２ 及びＡｒ ３ の少なくとも一つは、置換基としてハロゲン原子を有する。
Ａ １ は、Ａｒ １ 上でＳ ＋ と結合する炭素原子に対してオルト位に置換し、且つ、－Ｌ １ －ＣＯ ２ － を表す。
Ｌ １ は、単結合を表す。
【請求項8】
請求項１～７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
【請求項9】
請求項１～７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜を露光する露光工程と、
露光された前記レジスト膜を、現像液を用いて現像する現像工程と、を含む、パターン形成方法。
【請求項10】
請求項９に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び化合物に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、ＩＣ（Integrated Circuit、集積回路）及びＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit、大規模集積回路）等の半導体デバイスの製造プロセスにおいては、化学増幅型レジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。
【0003】
例えば、特許文献１では、化学増幅型レジスト組成物を用いたパターン形成方法として、「（ア）下記（Ａ）～（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（Ａ）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
（Ｃ）カチオン部位とアニオン部位を同一分子内に有し、かつ、該カチオン部位と該アニオン部位が共有結合によって連結している化合物
（イ）上記膜を露光する工程、及び
（ウ）上記露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。」を開示している。また、上記特許文献１では、（Ｃ）成分として、下記２種のベタイン型化合物を開示している。
（Ａ）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
（Ｃ）カチオン部位とアニオン部位を同一分子内に有し、かつ、該カチオン部位と該アニオン部位が共有結合によって連結している化合物
（イ）上記膜を露光する工程、及び
（ウ）上記露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。」を開示している。また、上記特許文献１では、（Ｃ）成分として、下記２種のベタイン型化合物を開示している。
【0004】
上記（Ｂ）成分は、いわゆる酸発生剤であり、露光工程（工程（イ））の際に活性光線又は放射線の照射を受けて酸を発生する。この発生酸は、主として酸分解性樹脂（上記（Ａ）成分）の脱保護反応に寄与する。
【0005】
【化1】
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０１４－１７０２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明者らは、特許文献１を参照して、樹脂成分の脱保護反応（酸分解性樹脂の脱保護反応）を起こすため、又は樹脂成分の架橋反応を生起させるために通常用いられる酸発生剤（以下、「酸発生剤Ｘ」という。）と上記ベタイン型化合物とを含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製して検討したところ、上記ベタイン型化合物は、活性光線又は放射線の照射を受けると、酸発生剤Ｘから発生する酸よりも相対的に弱い酸を発生し、酸発生剤Ｘから発生する酸の未露光部分への拡散を制御する酸拡散制御剤（中和剤）として機能することを知見している。
一方で、本発明者らは、上記ベタイン型化合物は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中において凝集体（例えば２量体）を形成し易く、系中に均一に分散されにくいことを明らかとした。この結果として、酸発生剤Ｘと上記ベタイン型化合物を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の膜（以下において「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の膜」を「レジスト膜」ともいうこともある。）中では、上記ベタイン型化合物が不均一に存在することにより、露光工程の際に上記ベタイン型化合物による酸発生剤Ｘから発生する酸の拡散抑制（中和）が均一に進行せず、形成されるパターンは、パターン線幅の揺らぎ（ＬＷＲ（line width roughness））及び面内均一性（ＣＤＵ（critical dimension uniformity））が必ずしも十分ではないことを明らかとした。
一方で、本発明者らは、上記ベタイン型化合物は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中において凝集体（例えば２量体）を形成し易く、系中に均一に分散されにくいことを明らかとした。この結果として、酸発生剤Ｘと上記ベタイン型化合物を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の膜（以下において「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の膜」を「レジスト膜」ともいうこともある。）中では、上記ベタイン型化合物が不均一に存在することにより、露光工程の際に上記ベタイン型化合物による酸発生剤Ｘから発生する酸の拡散抑制（中和）が均一に進行せず、形成されるパターンは、パターン線幅の揺らぎ（ＬＷＲ（line width roughness））及び面内均一性（ＣＤＵ（critical dimension uniformity））が必ずしも十分ではないことを明らかとした。
【0008】
そこで、本発明は、パターン線幅の揺らぎ（ＬＷＲ）及び面内均一性（ＣＤＵ）に優れたパターンを形成し得る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することを課題とする。
また、本発明は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、新規な化合物を提供することを課題とする。
また、本発明は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、新規な化合物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、酸発生剤と、酸拡散制御剤として一般式（１）で表される化合物と、を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によれば上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
【0010】
〔１〕 樹脂と、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、
酸拡散制御剤と、を含み、
上記酸拡散制御剤が、一般式（１）で表される化合物を少なくとも含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔２〕 上記一般式（１）で表される化合物が、一般式（２）で表される化合物である、〔１〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔３〕 一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であるか、又は、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方が無置換の単環芳香族炭化水素基である、〔２〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔４〕 一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３の一方が無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、
Ａｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、又は、
Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基である、〔２〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔５〕 一般式（１）又は一般式（２）中、Ａ１が、－Ｌ１－ＣＯ２ －、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１である、〔１〕～〔４〕のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔６〕 Ｌ１及びＬ３が単結合である、〔５〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔７〕 〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
〔８〕 〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
上記レジスト膜を露光する露光工程と、
露光された上記レジスト膜を、現像液を用いて現像する現像工程と、を含む、パターン形成方法。
〔９〕 〔８〕に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
〔１０〕 一般式（１）で表される化合物。
〔１１〕 一般式（２）で表される化合物。
〔１２〕 一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であるか、又は、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方が無置換の単環芳香族炭化水素基である、〔１１〕に記載の化合物。
〔１３〕 一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３の一方が無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、
Ａｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、又は、
Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基である、〔１１〕に記載の化合物。
〔１４〕 一般式（１）又は一般式（２）中、Ａ１が、－Ｌ１－ＣＯ２ －、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１である、〔１０〕～〔１３〕のいずれかに記載の化合物。
〔１５〕 Ｌ１及びＬ３が単結合である、〔１４〕に記載の化合物。
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、
酸拡散制御剤と、を含み、
上記酸拡散制御剤が、一般式（１）で表される化合物を少なくとも含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔２〕 上記一般式（１）で表される化合物が、一般式（２）で表される化合物である、〔１〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔３〕 一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であるか、又は、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方が無置換の単環芳香族炭化水素基である、〔２〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔４〕 一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３の一方が無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、
Ａｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、又は、
Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基である、〔２〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔５〕 一般式（１）又は一般式（２）中、Ａ１が、－Ｌ１－ＣＯ２ －、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１である、〔１〕～〔４〕のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔６〕 Ｌ１及びＬ３が単結合である、〔５〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔７〕 〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
〔８〕 〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
上記レジスト膜を露光する露光工程と、
露光された上記レジスト膜を、現像液を用いて現像する現像工程と、を含む、パターン形成方法。
〔９〕 〔８〕に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
〔１０〕 一般式（１）で表される化合物。
〔１１〕 一般式（２）で表される化合物。
〔１２〕 一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であるか、又は、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方が無置換の単環芳香族炭化水素基である、〔１１〕に記載の化合物。
〔１３〕 一般式（２）中、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３の一方が無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、
Ａｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、又は、
Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基である、〔１１〕に記載の化合物。
〔１４〕 一般式（１）又は一般式（２）中、Ａ１が、－Ｌ１－ＣＯ２ －、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１である、〔１０〕～〔１３〕のいずれかに記載の化合物。
〔１５〕 Ｌ１及びＬ３が単結合である、〔１４〕に記載の化合物。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、パターン線幅の揺らぎ（ＬＷＲ）及び面内均一性（ＣＤＵ）に優れたパターンを形成し得る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供できる。
また、本発明によれば、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供できる。
また、本発明によれば、新規な化合物を提供できる。
また、本発明によれば、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供できる。
また、本発明によれば、新規な化合物を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に制限されない。
本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）等を意味する。本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。
本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、及びＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。
本明細書において、「～」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に制限されない。
本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）等を意味する。本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。
本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、及びＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。
本明細書において、「～」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
【0013】
本明細書において、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートを表す。
本明細書において、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び分散度（分子量分布ともいう。）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー社製ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶媒：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー社製ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ））によるポリスチレン換算値として定義される。
本明細書において、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び分散度（分子量分布ともいう。）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー社製ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶媒：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー社製ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ））によるポリスチレン換算値として定義される。
【0014】
本明細書中における基（原子団）の表記について、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。
【0015】
また、本明細書において、「置換基を有していてもよい」というときの置換基の種類、置換基の位置、及び、置換基の数は特に制限されない。置換基の数は例えば、１つ、２つ、３つ、又はそれ以上であってもよい。置換基の例としては水素原子を除く１価の非金属原子団を挙げることができ、例えば、以下の置換基群Ｔから選択できる。
（置換基Ｔ）
置換基Ｔとしては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ－ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ－トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基；アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基及びメトキサリル基等のアシル基；メチルスルファニル基及びｔｅｒｔ－ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基；フェニルスルファニル基及びｐ－トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基；アルキル基；シクロアルキル基；アリール基；ヘテロアリール基；水酸基；カルボキシ基；ホルミル基；スルホ基；シアノ基；アルキルアミノカルボニル基；アリールアミノカルボニル基；スルホンアミド基；シリル基；アミノ基；モノアルキルアミノ基；ジアルキルアミノ基；アリールアミノ基；並びにこれらの組み合わせが挙げられる。
（置換基Ｔ）
置換基Ｔとしては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ－ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ－トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基；アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基及びメトキサリル基等のアシル基；メチルスルファニル基及びｔｅｒｔ－ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基；フェニルスルファニル基及びｐ－トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基；アルキル基；シクロアルキル基；アリール基；ヘテロアリール基；水酸基；カルボキシ基；ホルミル基；スルホ基；シアノ基；アルキルアミノカルボニル基；アリールアミノカルボニル基；スルホンアミド基；シリル基；アミノ基；モノアルキルアミノ基；ジアルキルアミノ基；アリールアミノ基；並びにこれらの組み合わせが挙げられる。
【0016】
〔感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物〕
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、「本発明の組成物」ともいう。）は、樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤（以下、「酸発生剤Ｘ」ともいう。）と、酸拡散制御剤と、を含み、上記酸拡散制御剤が、後述する一般式（１）で表される化合物を少なくとも含む。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、「本発明の組成物」ともいう。）は、樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤（以下、「酸発生剤Ｘ」ともいう。）と、酸拡散制御剤と、を含み、上記酸拡散制御剤が、後述する一般式（１）で表される化合物を少なくとも含む。
【0017】
本発明の特徴点としては、一般式（１）で表される化合物を酸拡散制御剤として含んでいる点が挙げられる。
以下、一般式（１）で表される化合物の酸拡散制御剤としての作用機序を説明した後、一般式（１）で表される化合物の構造的特徴を述べる。
以下、一般式（１）で表される化合物の酸拡散制御剤としての作用機序を説明した後、一般式（１）で表される化合物の構造的特徴を述べる。
【0018】
＜一般式（１）で表される化合物の酸拡散制御剤としての作用機序＞
一般式（１）で表される化合物は、活性光線又は放射線の照射を受けて酸を発生する。一般式（１）で表される化合物から発生する酸は、樹脂成分の脱保護反応（酸分解性樹脂の脱保護反応）を起こすため、又は樹脂成分の架橋反応を生起させるために通常用いられる酸発生剤（酸発生剤Ｘ）に対して相対的に弱酸となる。このため、露光時及び／又は露光後のレジスト膜系中では、酸発生剤Ｘにより発生する酸と、一般式（１）で表される化合物から発生する酸のアニオンとの見かけ上のプロトン交換反応が生じる。この結果として、酸発生剤Ｘにより発生する酸が中和され、酸発生剤Ｘから発生する酸の未露光部分への拡散が抑制される。
一般式（１）で表される化合物は、活性光線又は放射線の照射を受けて酸を発生する。一般式（１）で表される化合物から発生する酸は、樹脂成分の脱保護反応（酸分解性樹脂の脱保護反応）を起こすため、又は樹脂成分の架橋反応を生起させるために通常用いられる酸発生剤（酸発生剤Ｘ）に対して相対的に弱酸となる。このため、露光時及び／又は露光後のレジスト膜系中では、酸発生剤Ｘにより発生する酸と、一般式（１）で表される化合物から発生する酸のアニオンとの見かけ上のプロトン交換反応が生じる。この結果として、酸発生剤Ｘにより発生する酸が中和され、酸発生剤Ｘから発生する酸の未露光部分への拡散が抑制される。
【0019】
＜一般式（１）で表される化合物の構造的特徴＞
一般式（１）で表される化合物の構造的な特徴点としては、Ａ１で表されるアニオン性基が、スルホニウムカチオンに結合するＡｒ１（芳香族炭化水素基）上のＳ＋と結合する炭素原子に対してオルト位に置換している点が挙げられる。
本発明者らは、特許文献１に記載されたベタイン型化合物が感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中において凝集しやすい（２量体等の多量体を形成しやすい）原因が、ベタイン型化合物の分子内分極にあると推測している。より詳細には、上記ベタイン型化合物は、分子内の正電荷と負電荷が離れ過ぎており、電荷の中和のために他の分子と凝集すると考えている。
これに対して一般式（１）で表される化合物は、Ａ１で表されるアニオン性基とＳ＋で表される硫黄原子のカチオン部位とが構造的に近いため、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中において凝集しにくい。したがって、一般式（１）で表される化合物は、レジスト膜系中においても均一に分散されて存在する。この結果として、露光時及び／又は露光後のレジスト膜系中において、一般式（１）で表される化合物から発生する酸による酸発生剤Ｘから発生する酸の拡散抑制（中和）が、均一に進行すると推測している。
上記作用機序により、本発明の組成物により形成されるパターンは、ＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能に優れる。
なお、一般式（１）で表される化合物から発生する酸としては、下記一般式（１Ｘ）で表される酸及び下記一般式（１Ｙ）で表される酸のいずれか１種以上であると推測している。つまり、その構造に依存して、下記一般式（１Ｘ）で表される酸が単独で発生するか、下記一般式（１Ｙ）で表される酸が単独で発生するか、又は下記一般式（１Ｘ）で表される酸と下記一般式（１Ｙ）で表される酸がいずれも発生すると推測される。
なお、下記一般式（１Ｘ）及び下記一般式（１Ｙ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、及びＡ１は、一般式（１）中のＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、及びＡ１と同義である。
一般式（１Ｘ）：Ａｒ１－Ａ１－Ｈ
一般式（１Ｙ）：Ａｒ２－Ｓ－Ａｒ３－Ａｒ１－Ａ１－Ｈ
一般式（１）で表される化合物の構造的な特徴点としては、Ａ１で表されるアニオン性基が、スルホニウムカチオンに結合するＡｒ１（芳香族炭化水素基）上のＳ＋と結合する炭素原子に対してオルト位に置換している点が挙げられる。
本発明者らは、特許文献１に記載されたベタイン型化合物が感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中において凝集しやすい（２量体等の多量体を形成しやすい）原因が、ベタイン型化合物の分子内分極にあると推測している。より詳細には、上記ベタイン型化合物は、分子内の正電荷と負電荷が離れ過ぎており、電荷の中和のために他の分子と凝集すると考えている。
これに対して一般式（１）で表される化合物は、Ａ１で表されるアニオン性基とＳ＋で表される硫黄原子のカチオン部位とが構造的に近いため、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中において凝集しにくい。したがって、一般式（１）で表される化合物は、レジスト膜系中においても均一に分散されて存在する。この結果として、露光時及び／又は露光後のレジスト膜系中において、一般式（１）で表される化合物から発生する酸による酸発生剤Ｘから発生する酸の拡散抑制（中和）が、均一に進行すると推測している。
上記作用機序により、本発明の組成物により形成されるパターンは、ＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能に優れる。
なお、一般式（１）で表される化合物から発生する酸としては、下記一般式（１Ｘ）で表される酸及び下記一般式（１Ｙ）で表される酸のいずれか１種以上であると推測している。つまり、その構造に依存して、下記一般式（１Ｘ）で表される酸が単独で発生するか、下記一般式（１Ｙ）で表される酸が単独で発生するか、又は下記一般式（１Ｘ）で表される酸と下記一般式（１Ｙ）で表される酸がいずれも発生すると推測される。
なお、下記一般式（１Ｘ）及び下記一般式（１Ｙ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、及びＡ１は、一般式（１）中のＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、及びＡ１と同義である。
一般式（１Ｘ）：Ａｒ１－Ａ１－Ｈ
一般式（１Ｙ）：Ａｒ２－Ｓ－Ａｒ３－Ａｒ１－Ａ１－Ｈ
【0020】
なお、上述の点以外に、酸拡散制御剤がベタイン構造を有する点も、ＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能の向上に寄与していると推測される。一般式（１）で表される化合物と同様の酸拡散制御の作用機序（酸発生剤Ｘの中和の作用機序）を有する酸拡散制御剤として、例えば、トリフェニルスルホニウム塩等が公知であるが、これらの酸拡散制御剤を使用した場合と比べると、ベタイン構造の酸拡散制御剤を使用した場合、レジスト膜が可塑化しにくい。このため、現像の際に露光後のレジスト膜がムラのある溶け方をしにくく、結果として、ＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能の向上に寄与していると考えている。
【0021】
以下、本発明の組成物に含まれる成分について詳述する。なお、本発明の組成物は、いわゆるレジスト組成物であり、ポジ型のレジスト組成物であっても、ネガ型のレジスト組成物であってもよい。また、アルカリ現像用のレジスト組成物であっても、有機溶剤現像用のレジスト組成物であってもよい。
本発明の組成物は、典型的には、化学増幅型のレジスト組成物である。
本発明の組成物は、典型的には、化学増幅型のレジスト組成物である。
【0022】
＜樹脂（Ａ）＞
本発明の組成物は、樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」ともいう。）を含む。
樹脂（Ａ）としては、例えば、樹脂（ＡＸ１）、及び、樹脂（ＡＸ２）等を使用でき、なかでも、樹脂（ＡＸ１）が好ましい。
本発明の組成物は、樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」ともいう。）を含む。
樹脂（Ａ）としては、例えば、樹脂（ＡＸ１）、及び、樹脂（ＡＸ２）等を使用でき、なかでも、樹脂（ＡＸ１）が好ましい。
【0023】
（樹脂（ＡＸ１））
樹脂（ＡＸ１）は、酸の作用により分解して極性が増大する基（以下、「酸分解性基」ともいう。）を有する樹脂（以下、「酸分解性樹脂」ともいう。）である。
本発明の組成物が樹脂（ＡＸ１）を含む場合、形成されるパターンとしては、通常、現像液としてアルカリ現像液を採用したときはポジ型パターンとなり、現像液として有機系現像液を採用したときはネガ型パターンとなる。
樹脂（ＡＸ１）は、酸の作用により分解して極性が増大する基（以下、「酸分解性基」ともいう。）を有する樹脂（以下、「酸分解性樹脂」ともいう。）である。
本発明の組成物が樹脂（ＡＸ１）を含む場合、形成されるパターンとしては、通常、現像液としてアルカリ現像液を採用したときはポジ型パターンとなり、現像液として有機系現像液を採用したときはネガ型パターンとなる。
【0024】
樹脂（ＡＸ１）は、酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
【0025】
樹脂（ＡＸ１）としては、公知の樹脂を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜００５５＞～＜０１９１＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜００３５＞～＜００８５＞、及び米国特許出願公開２０１６／０１４７１５０Ａ１号明細書の段落＜００４５＞～＜００９０＞に開示された公知の樹脂を樹脂（ＡＸ１）として好適に使用できる。
【0026】
酸分解性基は、極性基が酸の作用により分解して脱離する基（脱離基）で保護された構造を有することが好ましい。
極性基としては、カルボキシ基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基（２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基）、及び、アルコール性水酸基等が挙げられる。
極性基としては、カルボキシ基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基（２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基）、及び、アルコール性水酸基等が挙げられる。
【0027】
なお、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基（フェノール性水酸基）以外の水酸基をいい、水酸基としてα位がフッ素原子等の電子求引性基で置換された脂肪族アルコール（例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基等）は除く。アルコール性水酸基としては、ｐＫａ（酸解離定数）が１２以上２０以下の水酸基であることが好ましい。
【0028】
好ましい極性基としては、カルボキシ基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、及びスルホン酸基が挙げられる。
【0029】
酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸の作用により脱離する基（脱離基）で置換した基である。
酸の作用により脱離する基（脱離基）としては、例えば、－Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（Ｒ３８）、－Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（ＯＲ３９）、及び－Ｃ（Ｒ０１）（Ｒ０２）（ＯＲ３９）等が挙げられる。
式中、Ｒ３６～Ｒ３９は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。Ｒ３６とＲ３７とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ０１及びＲ０２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。
酸の作用により脱離する基（脱離基）としては、例えば、－Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（Ｒ３８）、－Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（ＯＲ３９）、及び－Ｃ（Ｒ０１）（Ｒ０２）（ＯＲ３９）等が挙げられる。
式中、Ｒ３６～Ｒ３９は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。Ｒ３６とＲ３７とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ０１及びＲ０２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。
【0030】
Ｒ３６～Ｒ３９、Ｒ０１、及びＲ０２で表されるアルキル基としては、炭素数１～８のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、へキシル基、及びオクチル基等が挙げられる。
Ｒ３６～Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２で表されるシクロアルキル基としては、単環でも、多環でもよい。単環のシクロアルキル基としては、炭素数３～８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、炭素数６～２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α－ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、及びアンドロスタニル基等が挙げられる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも１つの炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
Ｒ３６～Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２で表されるアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
Ｒ３６～Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２で表されるアラルキル基は、炭素数７～１２のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、及びナフチルメチル基等が挙げられる。
Ｒ３６～Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２で表されるアルケニル基は、炭素数２～８のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、及びシクロへキセニル基等が挙げられる。
Ｒ３６とＲ３７とが互いに結合して形成される環としては、シクロアルキル基（単環又は多環）であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒ３６～Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２で表されるシクロアルキル基としては、単環でも、多環でもよい。単環のシクロアルキル基としては、炭素数３～８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、炭素数６～２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α－ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、及びアンドロスタニル基等が挙げられる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも１つの炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
Ｒ３６～Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２で表されるアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
Ｒ３６～Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２で表されるアラルキル基は、炭素数７～１２のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、及びナフチルメチル基等が挙げられる。
Ｒ３６～Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２で表されるアルケニル基は、炭素数２～８のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、及びシクロへキセニル基等が挙げられる。
Ｒ３６とＲ３７とが互いに結合して形成される環としては、シクロアルキル基（単環又は多環）であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
【0031】
酸分解性基として、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、又は第３級のアルキルエステル基等が好ましく、アセタール基、又は第３級アルキルエステル基がより好ましい。
【0032】
樹脂（ＡＸ１）は、酸分解性基を有する繰り返し単位として、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【0033】
【化2】
【0034】
一般式（ＡＩ）において、
Ｘａ１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｘ１～Ｒｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
Ｒｘ１～Ｒｘ３のいずれか２つが結合して環構造を形成してもよく、形成しなくてもよい。
Ｘａ１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｘ１～Ｒｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
Ｒｘ１～Ｒｘ３のいずれか２つが結合して環構造を形成してもよく、形成しなくてもよい。
【0035】
Ｔで表される２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、－ＣＯＯ－Ｒｔ－、及び－Ｏ－Ｒｔ－等が挙げられる。式中、Ｒｔは、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はアリーレン基を表す。
Ｔは、単結合、又は－ＣＯＯ－Ｒｔ－が好ましい。Ｒｔは、炭素数１～５の鎖状アルキレン基が好ましく、－ＣＨ２－、－（ＣＨ２）２－、又は－（ＣＨ２）３－がより好ましい。
Ｔとしては、単結合であることがより好ましい。
Ｔは、単結合、又は－ＣＯＯ－Ｒｔ－が好ましい。Ｒｔは、炭素数１～５の鎖状アルキレン基が好ましく、－ＣＨ２－、－（ＣＨ２）２－、又は－（ＣＨ２）３－がより好ましい。
Ｔとしては、単結合であることがより好ましい。
【0036】
Ｘａ１は、水素原子、又はアルキル基であることが好ましい。
Ｘａ１で表されるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、及びハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）が挙げられる。
Ｘａ１で表されるアルキル基としては、炭素数１～４が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、及びトリフルオロメチル基等が挙げられる。Ｘａ１のアルキル基としては、メチル基であることが好ましい。
Ｘａ１で表されるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、及びハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）が挙げられる。
Ｘａ１で表されるアルキル基としては、炭素数１～４が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、及びトリフルオロメチル基等が挙げられる。Ｘａ１のアルキル基としては、メチル基であることが好ましい。
【0037】
Ｒｘ１、Ｒｘ２及びＲｘ３で表されるアルキル基としては、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、又はｔ－ブチル基等が好ましい。アルキル基の炭素数としては、１～１０が好ましく、１～５がより好ましく、１～３が更に好ましい。Ｒｘ１、Ｒｘ２、及びＲｘ３で表されるアルキル基は、炭素間結合の一部が二重結合であってもよい。
Ｒｘ１、Ｒｘ２及びＲｘ３で表されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｘ１、Ｒｘ２及びＲｘ３で表されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
【0038】
Ｒｘ１、Ｒｘ２及びＲｘ３の２つが結合して形成する環構造としては、シクロペンチル環、シクロヘキシル環、シクロヘプチル環、及びシクロオクタン環等の単環のシクロアルカン環、又はノルボルナン環、テトラシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、及びアダマンタン環等の多環のシクロアルキル環が好ましい。なかでも、シクロペンチル環、シクロヘキシル環、又はアダマンタン環がより好ましい。Ｒｘ１、Ｒｘ２及びＲｘ３の２つが結合して形成する環構造としては、下記に示す構造も好ましい。
【0039】
【化3】
【0040】
以下に一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、本発明は、これらの具体例に制限されない。下記の具体例は、一般式（ＡＩ）におけるＸａ１がメチル基である場合に相当するが、Ｘａ１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基に任意に置換できる。
【0041】
【化4】
【0042】
樹脂（ＡＸ１）は、酸分解性基を有する繰り返し単位として、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０３３６＞～＜０３６９＞に記載の繰り返し単位を有することも好ましい。
【0043】
また、樹脂（ＡＸ１）は、酸分解性基を有する繰り返し単位として、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０３６３＞～＜０３６４＞に記載された酸の作用により分解してアルコール性水酸基を生じる基を含む繰り返し単位を有していてもよい。
【0044】
樹脂（ＡＸ１）は、酸分解性基を有する繰り返し単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を併用して含んでもよい。
【0045】
樹脂（ＡＸ１）に含まれる酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量（酸分解性基を有する繰り返し単位が複数存在する場合はその合計）は、樹脂（ＡＸ１）の全繰り返し単位に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％が更に好ましい。
【0046】
樹脂（ＡＸ１）は、ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
【0047】
ラクトン構造又はスルトン構造としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればよく、５～７員環ラクトン構造又は５～７員環スルトン構造が好ましい。なかでも、ビシクロ構造若しくはスピロ構造を形成する形で５～７員環ラクトン構造に他の環構造が縮環しているもの、又は、ビシクロ構造若しくはスピロ構造を形成する形で５～７員環スルトン構造に他の環構造が縮環しているもの、がより好ましい。
樹脂（ＡＸ１）は、下記一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造、又は、下記一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造を有する繰り返し単位を有することが更に好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、一般式（ＬＣ１－１）、一般式（ＬＣ１－４）、一般式（ＬＣ１－５）、一般式（ＬＣ１－８）、一般式（ＬＣ１－１６）、若しくは一般式（ＬＣ１－２１）で表されるラクトン構造、又は、一般式（ＳＬ１－１）で表されるスルトン構造が挙げられる。
樹脂（ＡＸ１）は、下記一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造、又は、下記一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造を有する繰り返し単位を有することが更に好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、一般式（ＬＣ１－１）、一般式（ＬＣ１－４）、一般式（ＬＣ１－５）、一般式（ＬＣ１－８）、一般式（ＬＣ１－１６）、若しくは一般式（ＬＣ１－２１）で表されるラクトン構造、又は、一般式（ＳＬ１－１）で表されるスルトン構造が挙げられる。
【0048】
【化5】
【0049】
ラクトン構造部分又はスルトン構造部分は、置換基（Ｒｂ２）を有していても、有していなくてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ２）としては、炭素数１～８のアルキル基、炭素数４～７のシクロアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数２～８のアルコキシカルボニル基、カルボキシ基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、及び酸分解性基等が挙げられ、炭素数１～４のアルキル基、シアノ基、又は酸分解性基が好ましい。ｎ２は、０～４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在する置換基（Ｒｂ２）は、同一でも異なっていてもよい。また、複数存在する置換基（Ｒｂ２）同士が結合して環を形成してもよい。
【0050】
ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位が好ましい。
【0051】
【化6】
【0052】
上記一般式（ＩＩＩ）中、
Ａは、エステル結合（－ＣＯＯ－で表される基）又はアミド結合（－ＣＯＮＨ－で表される基）を表す。
ｎは、－Ｒ０－Ｚ－で表される構造の繰り返し数であり、０～５の整数を表し、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。ｎが０である場合、－Ｒ０－Ｚ－は存在せず、単結合となる。
Ｒ０は、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Ｒ０が複数個ある場合、Ｒ０は、各々独立に、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Ｚは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。Ｚが複数個ある場合には、Ｚは、各々独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。
Ｒ８は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する１価の有機基を表す。
Ｒ７は、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基（好ましくはメチル基）を表す。
Ａは、エステル結合（－ＣＯＯ－で表される基）又はアミド結合（－ＣＯＮＨ－で表される基）を表す。
ｎは、－Ｒ０－Ｚ－で表される構造の繰り返し数であり、０～５の整数を表し、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。ｎが０である場合、－Ｒ０－Ｚ－は存在せず、単結合となる。
Ｒ０は、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Ｒ０が複数個ある場合、Ｒ０は、各々独立に、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Ｚは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。Ｚが複数個ある場合には、Ｚは、各々独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。
Ｒ８は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する１価の有機基を表す。
Ｒ７は、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基（好ましくはメチル基）を表す。
【0053】
Ｒ０のアルキレン基又はシクロアルキレン基は置換基を有してもよい。
Ｚとしては、エーテル結合、又はエステル結合が好ましく、エステル結合がより好ましい。
Ｚとしては、エーテル結合、又はエステル結合が好ましく、エステル結合がより好ましい。
【0054】
樹脂（ＡＸ１）は、カーボネート構造を有する繰り返し単位を有していてもよい。カーボネート構造は、環状炭酸エステル構造であることが好ましい。
環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位は、下記一般式（Ａ－１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。
環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位は、下記一般式（Ａ－１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。
【0055】
【化7】
【0056】
一般式（Ａ－１）中、ＲＡ
１は、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基（好ましくはメチル基）を表す。
ｎは０以上の整数を表す。
ＲＡ ２は、置換基を表す。ｎが２以上の場合、ＲＡ ２は、各々独立して、置換基を表す。
Ａは、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｚは、式中の－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－で表される基と共に単環構造又は多環構造を形成する原子団を表す。
ｎは０以上の整数を表す。
ＲＡ ２は、置換基を表す。ｎが２以上の場合、ＲＡ ２は、各々独立して、置換基を表す。
Ａは、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｚは、式中の－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－で表される基と共に単環構造又は多環構造を形成する原子団を表す。
【0057】
樹脂（ＡＸ１）は、ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位として、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０３７０＞～＜０４１４＞に記載の繰り返し単位を有することも好ましい。
【0058】
樹脂（ＡＸ１）は、ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位を、１種単独で有していてよく、２種以上を併用して有していてもよい。
【0059】
以下に一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位に相当するモノマーの具体例、及び一般式（Ａ－１）で表される繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、本発明は、これらの具体例に制限されない。下記の具体例は、一般式（ＩＩＩ）におけるＲ７及び一般式（Ａ－１）におけるＲＡ
１がメチル基である場合に相当するが、Ｒ７及びＲＡ
１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基に任意に置換できる。
【0060】
【化8】
【0061】
上記モノマーの他に、下記に示すモノマーも樹脂（ＡＸ１）の原料として好適に用いられる。
【0062】
【化9】
【0063】
樹脂（ＡＸ１）に含まれるラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位の含有量（ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位が複数存在する場合はその合計）は、樹脂（ＡＸ１）中の全繰り返し単位に対して、５～７０モル％が好ましく、１０～６５モル％がより好ましく、２０～６０モル％が更に好ましい。
【0064】
樹脂（ＡＸ１）は、極性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、及びフッ素化アルコール基等が挙げられる。
極性基を有する繰り返し単位としては、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位が好ましい。また、極性基を有する繰り返し単位は、酸分解性基を有さないことが好ましい。極性基で置換された脂環炭化水素構造における、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、又はノルボルナン基が好ましい。
極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、及びフッ素化アルコール基等が挙げられる。
極性基を有する繰り返し単位としては、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位が好ましい。また、極性基を有する繰り返し単位は、酸分解性基を有さないことが好ましい。極性基で置換された脂環炭化水素構造における、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、又はノルボルナン基が好ましい。
【0065】
以下に極性基を有する繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、本発明は、これらの具体例に制限されない。
【0066】
【化10】
【0067】
この他にも、極性基を有する繰り返し単位の具体例としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０４１５＞～＜０４３３＞に開示された繰り返し単位が挙げられる。
樹脂（ＡＸ１）は、極性基を有する繰り返し単位を、１種単独で有していてよく、２種以上を併用して有していてもよい。
極性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（ＡＸ１）中の全繰り返し単位に対して、５～５０モル％が好ましく、５～４８モル％がより好ましく、１０～２５モル％が更に好ましい。
樹脂（ＡＸ１）は、極性基を有する繰り返し単位を、１種単独で有していてよく、２種以上を併用して有していてもよい。
極性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（ＡＸ１）中の全繰り返し単位に対して、５～５０モル％が好ましく、５～４８モル％がより好ましく、１０～２５モル％が更に好ましい。
【0068】
樹脂（ＡＸ１）は、更に、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位を有していてもよい。酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位は、脂環炭化水素構造を有することが好ましい。酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位としては、例えば、米国特許出願公開２０１６／００２６０８３Ａ１号明細書の段落＜０２３６＞～＜０２３７＞に記載された繰り返し単位が挙げられる。酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位に相当するモノマーの好ましい例を以下に示す。
【0069】
【化11】
【0070】
この他にも、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位の具体例としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０４３３＞に開示された繰り返し単位が挙げられる。
樹脂（ＡＸ１）は、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位を、１種単独で有していてもよく、２種以上を併用して有していてもよい。
酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位の含有量は、樹脂（ＡＸ１）中の全繰り返し単位に対して、５～４０モル％が好ましく、５～３０モル％がより好ましく、５～２５モル％が更に好ましい。
樹脂（ＡＸ１）は、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位を、１種単独で有していてもよく、２種以上を併用して有していてもよい。
酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位の含有量は、樹脂（ＡＸ１）中の全繰り返し単位に対して、５～４０モル％が好ましく、５～３０モル％がより好ましく、５～２５モル％が更に好ましい。
【0071】
樹脂（ＡＸ１）は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性、標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、又は、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、及び、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有していてもよい。
このような繰り返し構造単位としては、所定の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに制限されない。
このような繰り返し構造単位としては、所定の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに制限されない。
【0072】
所定の単量体としては、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、及びビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物等が挙げられる。
その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物を用いてもよい。
樹脂（ＡＸ１）において、各繰り返し構造単位の含有モル比は、種々の性能を調節するために適宜設定される。
その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物を用いてもよい。
樹脂（ＡＸ１）において、各繰り返し構造単位の含有モル比は、種々の性能を調節するために適宜設定される。
【0073】
本発明の組成物がＡｒＦ露光用であるとき、ＡｒＦ光の透過性の観点から、樹脂（ＡＸ１）は実質的には芳香族基を有さないことが好ましい。より具体的には、樹脂（ＡＸ１）中の全繰り返し単位に対して、芳香族基を有する繰り返し単位が５モル％以下であることが好ましく、３モル％以下であることがより好ましく、理想的には０モル％、すなわち芳香族基を有する繰り返し単位を有さないことが更に好ましい。また、樹脂（ＡＸ１）は単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。
【0074】
樹脂（ＡＸ１）は、繰り返し単位の全てが（メタ）アクリレート系繰り返し単位で構成されることが好ましい。この場合、繰り返し単位の全てがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位の全てがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位の全てがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が樹脂（ＡＸ１）の全繰り返し単位に対して５０モル％以下であることが好ましい。
【0075】
本発明の組成物がＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂（ＡＸ１）は芳香族炭化水素環基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。樹脂（ＡＸ１）がフェノール性水酸基を含む繰り返し単位を有することがより好ましい。フェノール性水酸基を含む繰り返し単位としては、ヒドロキシスチレン繰り返し単位、又はヒドロキシスチレン（メタ）アクリレート繰り返し単位が挙げられる。
本発明の組成物がＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂（ＡＸ１）は、フェノール性水酸基の水素原子が酸の作用により分解して脱離する基（脱離基）で保護された構造を有することが好ましい。
樹脂（ＡＸ１）に含まれる芳香族炭化水素環基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（ＡＸ１）中の全繰り返し単位に対して、３０～１００モル％が好ましく、４０～１００モル％がより好ましく、５０～１００モル％が更に好ましい。
本発明の組成物がＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂（ＡＸ１）は、フェノール性水酸基の水素原子が酸の作用により分解して脱離する基（脱離基）で保護された構造を有することが好ましい。
樹脂（ＡＸ１）に含まれる芳香族炭化水素環基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（ＡＸ１）中の全繰り返し単位に対して、３０～１００モル％が好ましく、４０～１００モル％がより好ましく、５０～１００モル％が更に好ましい。
【0076】
樹脂（ＡＸ１）の重量平均分子量は、１，０００～２００，０００が好ましく、２，０００～２０，０００がより好ましく、３，０００～２０，０００が更に好ましい。分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常１．０～３．０であり、１．０～２．６が好ましく、１．０～２．０がより好ましく、１．１～２．０が更に好ましい。
【0077】
樹脂（ＡＸ１）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
本発明の組成物中、樹脂（ＡＸ１）の含有量は、全固形分中に対して、一般的に２０．０質量％以上の場合が多く、４０．０質量％以上が好ましく、６０．０質量％以上がより好ましく、８０．０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、９９．５質量％以下が好ましく、９９．０質量％以下がより好ましく、９７．０質量％以下が更に好ましい。
本発明の組成物中、樹脂（ＡＸ１）の含有量は、全固形分中に対して、一般的に２０．０質量％以上の場合が多く、４０．０質量％以上が好ましく、６０．０質量％以上がより好ましく、８０．０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、９９．５質量％以下が好ましく、９９．０質量％以下がより好ましく、９７．０質量％以下が更に好ましい。
【0078】
（樹脂（ＡＸ２））
樹脂（ＡＸ２）は、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂である。
なお、本発明の組成物が樹脂（ＡＸ２）を含む場合、本発明の組成物は、樹脂（ＡＸ２）とともに、後述する架橋剤（Ｇ）を含む。なお、架橋剤（Ｇ）は、樹脂（ＡＸ２）に担持された形態であってもよい。
本発明の組成物が樹脂（ＡＸ２）を含む場合、形成されるパターンは、通常、ネガ型パターンとなる。
樹脂（ＡＸ２）としては、なかでも、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。また、樹脂（ＡＸ２）は、前述した酸分解性基を有していてもよい。
樹脂（ＡＸ２）は、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂である。
なお、本発明の組成物が樹脂（ＡＸ２）を含む場合、本発明の組成物は、樹脂（ＡＸ２）とともに、後述する架橋剤（Ｇ）を含む。なお、架橋剤（Ｇ）は、樹脂（ＡＸ２）に担持された形態であってもよい。
本発明の組成物が樹脂（ＡＸ２）を含む場合、形成されるパターンは、通常、ネガ型パターンとなる。
樹脂（ＡＸ２）としては、なかでも、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。また、樹脂（ＡＸ２）は、前述した酸分解性基を有していてもよい。
【0079】
樹脂（ＡＸ２）が有するフェノール性水酸基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位が好ましい。
【0080】
【化12】
【0081】
一般式（ＩＩ）中、
Ｒ２は、水素原子、アルキル基（好ましくはメチル基）、又はハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を表す。
Ｂ’は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ａｒ’は、芳香環基を表す。
ｍは１以上の整数を表す。
Ｒ２は、水素原子、アルキル基（好ましくはメチル基）、又はハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を表す。
Ｂ’は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ａｒ’は、芳香環基を表す。
ｍは１以上の整数を表す。
【0082】
Ｂ’で表される２価の連結基としては、一般式（ＡＩ）中のＴと同義であり、好適態様も同じである。
Ａｒ’で表される芳香環基としては、ベンゼン環が好ましい。
ｍは、１以上の整数であれば特に制限されないが、例えば、１～４が好ましく、１～３がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
Ａｒ’で表される芳香環基としては、ベンゼン環が好ましい。
ｍは、１以上の整数であれば特に制限されないが、例えば、１～４が好ましく、１～３がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
【0083】
樹脂（ＡＸ２）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
本発明の組成物の全固形分中の樹脂（ＡＸ２）の含有量は、一般的に３０質量％以上である場合が多く、４０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、９９質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８５質量％以下が更に好ましい。
樹脂（ＡＸ２）としては、米国特許出願公開２０１６／０２８２７２０Ａ１号明細書の段落＜０１４２＞～＜０３４７＞に開示された樹脂を好適に挙げられる。
本発明の組成物の全固形分中の樹脂（ＡＸ２）の含有量は、一般的に３０質量％以上である場合が多く、４０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、９９質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８５質量％以下が更に好ましい。
樹脂（ＡＸ２）としては、米国特許出願公開２０１６／０２８２７２０Ａ１号明細書の段落＜０１４２＞～＜０３４７＞に開示された樹脂を好適に挙げられる。
【0084】
本発明の組成物は、樹脂（ＡＸ１）と樹脂（ＡＸ２）の両方を含んでいてもよい。
【0085】
＜酸発生剤（Ｂ）＞
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（以下、「酸発生剤（Ｂ）」ともいう。）を含む。
なお、ここでいう酸発生剤（Ｂ）は、樹脂成分の脱保護反応（酸分解性樹脂の脱保護反応）を起こすため、又は樹脂成分の架橋反応を生起させるために通常用いられる酸発生剤（上述した酸発生剤Ｘ）が該当し、酸発生剤（Ｂ）には、上述の一般式（１）で表される化合物は含まれない。
酸発生剤（Ｂ）としては、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物が好ましい。例えば、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、ジアゾニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物、ジアゾジスルホン化合物、ジスルホン化合物、及びｏ－ニトロベンジルスルホネート化合物が挙げられる。
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（以下、「酸発生剤（Ｂ）」ともいう。）を含む。
なお、ここでいう酸発生剤（Ｂ）は、樹脂成分の脱保護反応（酸分解性樹脂の脱保護反応）を起こすため、又は樹脂成分の架橋反応を生起させるために通常用いられる酸発生剤（上述した酸発生剤Ｘ）が該当し、酸発生剤（Ｂ）には、上述の一般式（１）で表される化合物は含まれない。
酸発生剤（Ｂ）としては、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物が好ましい。例えば、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、ジアゾニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物、ジアゾジスルホン化合物、ジスルホン化合物、及びｏ－ニトロベンジルスルホネート化合物が挙げられる。
【0086】
酸発生剤（Ｂ）としては、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物を、単独又はそれらの混合物として適宜選択して使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０１２５＞～＜０３１９＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜００８６＞～＜００９４＞、及び、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０３２３＞～＜０４０２＞に開示された公知の化合物を酸発生剤（Ｂ）として好適に使用できる。
【0087】
酸発生剤（Ｂ）としては、例えば、下記一般式（ＺＩ）、一般式（ＺＩＩ）、又は一般式（ＺＩＩＩ）で表される化合物が好ましい。
【0088】
【化13】
【0089】
上記一般式（ＺＩ）において、
Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３は、各々独立に、有機基を表す。
Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３としての有機基の炭素数は、一般的に１～３０であり、１～２０が好ましい。
また、Ｒ２０１～Ｒ２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ２０１～Ｒ２０３の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、及びペンチレン基等）、及び－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ２－が挙げられる。
Ｚ－は、アニオンを表す。
Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３は、各々独立に、有機基を表す。
Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３としての有機基の炭素数は、一般的に１～３０であり、１～２０が好ましい。
また、Ｒ２０１～Ｒ２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ２０１～Ｒ２０３の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、及びペンチレン基等）、及び－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ２－が挙げられる。
Ｚ－は、アニオンを表す。
【0090】
一般式（ＺＩ）におけるカチオンの好適な態様としては、後述する化合物（ＺＩ－１）、化合物（ＺＩ－２）、化合物（ＺＩ－３）、及び化合物（ＺＩ－４）における対応する基が挙げられる。
なお、酸発生剤（Ｂ）は、一般式（ＺＩ）で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式（ＺＩ）で表される化合物のＲ２０１～Ｒ２０３の少なくとも１つと、一般式（ＺＩ）で表されるもうひとつの化合物のＲ２０１～Ｒ２０３の少なくとも１つとが、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。
なお、酸発生剤（Ｂ）は、一般式（ＺＩ）で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式（ＺＩ）で表される化合物のＲ２０１～Ｒ２０３の少なくとも１つと、一般式（ＺＩ）で表されるもうひとつの化合物のＲ２０１～Ｒ２０３の少なくとも１つとが、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。
【0091】
まず、化合物（ＺＩ－１）について説明する。
化合物（ＺＩ－１）は、上記一般式（ＺＩ）のＲ２０１～Ｒ２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、すなわち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、Ｒ２０１～Ｒ２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ２０１～Ｒ２０３の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、及びアリールジシクロアルキルスルホニウム化合物が挙げられる。
化合物（ＺＩ－１）は、上記一般式（ＺＩ）のＲ２０１～Ｒ２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、すなわち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、Ｒ２０１～Ｒ２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ２０１～Ｒ２０３の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、及びアリールジシクロアルキルスルホニウム化合物が挙げられる。
【0092】
アリールスルホニウム化合物に含まれるアリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、及びベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１～１５の直鎖状アルキル基、炭素数３～１５の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３～１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基等が挙げられる。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１～１５の直鎖状アルキル基、炭素数３～１５の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３～１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基等が挙げられる。
【0093】
Ｒ２０１～Ｒ２０３で表されるアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立に、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、又はフェニルチオ基を置換基として有してもよい。
【0094】
次に、化合物（ＺＩ－２）について説明する。
化合物（ＺＩ－２）は、式（ＺＩ）におけるＲ２０１～Ｒ２０３が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含む芳香族環も包含する。
Ｒ２０１～Ｒ２０３としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数１～３０であり、炭素数１～２０が好ましい。
Ｒ２０１～Ｒ２０３は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基が好ましく、直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基、２－オキソシクロアルキル基、又はアルコキシカルボニルメチル基がより好ましく、直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基が更に好ましい。
化合物（ＺＩ－２）は、式（ＺＩ）におけるＲ２０１～Ｒ２０３が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含む芳香族環も包含する。
Ｒ２０１～Ｒ２０３としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数１～３０であり、炭素数１～２０が好ましい。
Ｒ２０１～Ｒ２０３は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基が好ましく、直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基、２－オキソシクロアルキル基、又はアルコキシカルボニルメチル基がより好ましく、直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基が更に好ましい。
【0095】
Ｒ２０１～Ｒ２０３のアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、又は、炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）が好ましい。
Ｒ２０１～Ｒ２０３は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１～５）、水酸基、シアノ基、又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。
Ｒ２０１～Ｒ２０３は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１～５）、水酸基、シアノ基、又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。
【0096】
次に、化合物（ＺＩ－３）について説明する。
化合物（ＺＩ－３）は、下記一般式（ＺＩ－３）で表され、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。
化合物（ＺＩ－３）は、下記一般式（ＺＩ－３）で表され、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。
【0097】
【化14】
【0098】
一般式（ＺＩ－３）中、
Ｒ１ｃ～Ｒ５ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
Ｒ６ｃ及びＲ７ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。
Ｒｘ及びＲｙは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、２－オキソアルキル基、２－オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
Ｒ１ｃ～Ｒ５ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
Ｒ６ｃ及びＲ７ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。
Ｒｘ及びＲｙは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、２－オキソアルキル基、２－オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
【0099】
Ｒ１ｃ～Ｒ５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ５ｃとＲ６ｃ、Ｒ６ｃとＲ７ｃ、Ｒ５ｃとＲｘ、及びＲｘとＲｙは、各々結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、又はアミド結合を含んでいてもよい。
上記環構造としては、芳香族又は非芳香族の炭化水素環、芳香族又は非芳香族の複素環、及びこれらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環が挙げられる。環構造としては、３～１０員環が挙げられ、４～８員環が好ましく、５又は６員環がより好ましい。
上記環構造としては、芳香族又は非芳香族の炭化水素環、芳香族又は非芳香族の複素環、及びこれらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環が挙げられる。環構造としては、３～１０員環が挙げられ、４～８員環が好ましく、５又は６員環がより好ましい。
【0100】
Ｒ１ｃ～Ｒ５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ６ｃとＲ７ｃ、及びＲｘとＲｙが結合して形成する基としては、ブチレン基、及びペンチレン基等が挙げられる。
Ｒ５ｃとＲ６ｃ、及びＲ５ｃとＲｘが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基が好ましい。アルキレン基としては、メチレン基、及びエチレン基等が挙げられる。
Ｚｃ－は、アニオンを表す。
Ｒ５ｃとＲ６ｃ、及びＲ５ｃとＲｘが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基が好ましい。アルキレン基としては、メチレン基、及びエチレン基等が挙げられる。
Ｚｃ－は、アニオンを表す。
【0101】
次に、化合物（ＺＩ－４）について説明する。
化合物（ＺＩ－４）は、下記一般式（ＺＩ－４）で表される。
化合物（ＺＩ－４）は、下記一般式（ＺＩ－４）で表される。
【0102】
【化15】
【0103】
一般式（ＺＩ－４）中、
ｌは０～２の整数を表す。
ｒは０～８の整数を表す。
Ｒ１３は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
Ｒ１４は、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。Ｒ１４は、複数存在する場合は各々独立して、水酸基等の上記基を表す。
Ｒ１５は、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、又はナフチル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。２つのＲ１５が互いに結合して環を形成してもよい。２つのＲ１５が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、又は窒素原子等のヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、２つのＲ１５がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成することが好ましい。
Ｚ－は、アニオンを表す。
ｌは０～２の整数を表す。
ｒは０～８の整数を表す。
Ｒ１３は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
Ｒ１４は、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。Ｒ１４は、複数存在する場合は各々独立して、水酸基等の上記基を表す。
Ｒ１５は、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、又はナフチル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。２つのＲ１５が互いに結合して環を形成してもよい。２つのＲ１５が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、又は窒素原子等のヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、２つのＲ１５がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成することが好ましい。
Ｚ－は、アニオンを表す。
【0104】
一般式（ＺＩ－４）において、Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５で表されるアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状である。アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、又はｔ－ブチル基が好ましい。
【0105】
次に、一般式（ＺＩＩ）、及び（ＺＩＩＩ）について説明する。
一般式（ＺＩＩ）、及び（ＺＩＩＩ）中、Ｒ２０４～Ｒ２０７は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ２０４～Ｒ２０７で表されるアリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ２０４～Ｒ２０７で表されるアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェン等が挙げられる。
Ｒ２０４～Ｒ２０７で表されるアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基、炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基等）、又は、炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基等）が好ましい。
一般式（ＺＩＩ）、及び（ＺＩＩＩ）中、Ｒ２０４～Ｒ２０７は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ２０４～Ｒ２０７で表されるアリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ２０４～Ｒ２０７で表されるアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェン等が挙げられる。
Ｒ２０４～Ｒ２０７で表されるアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基、炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基等）、又は、炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基等）が好ましい。
【0106】
Ｒ２０４～Ｒ２０７で表されるアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立に、置換基を有していてもよい。Ｒ２０４～Ｒ２０７で表されるアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基等が挙げられる。
Ｚ－は、アニオンを表す。
Ｚ－は、アニオンを表す。
【0107】
一般式（ＺＩ）におけるＺ－、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ－、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ－としては、下記一般式（３）で表されるアニオンが好ましい。
【0108】
【化16】
【0109】
一般式（３）中、
ｏは、１～３の整数を表す。ｐは、０～１０の整数を表す。ｑは、０～１０の整数を表す。
ｏは、１～３の整数を表す。ｐは、０～１０の整数を表す。ｑは、０～１０の整数を表す。
【0110】
Ｘｆは、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～４がより好ましい。また、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基としては、パーフルオロアルキル基が好ましい。
Ｘｆは、フッ素原子又は炭素数１～４のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子又はＣＦ３であることがより好ましい。特に、双方のＸｆがフッ素原子であることが更に好ましい。
Ｘｆは、フッ素原子又は炭素数１～４のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子又はＣＦ３であることがより好ましい。特に、双方のＸｆがフッ素原子であることが更に好ましい。
【0111】
Ｒ４及びＲ５は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５が複数存在する場合、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ４及びＲ５で表されるアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数１～４が好ましい。Ｒ４及びＲ５は、好ましくは水素原子である。
少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基の具体例及び好適な態様は一般式（３）中のＸｆの具体例及び好適な態様と同じである。
Ｒ４及びＲ５で表されるアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数１～４が好ましい。Ｒ４及びＲ５は、好ましくは水素原子である。
少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基の具体例及び好適な態様は一般式（３）中のＸｆの具体例及び好適な態様と同じである。
【0112】
Ｌは、２価の連結基を表す。Ｌが複数存在する場合、Ｌは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
２価の連結基としては、例えば、－ＣＯＯ－（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、アルキレン基（好ましくは炭素数１～６）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３～１５）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２～６）、及びこれらの複数を組み合わせた２価の連結基等が挙げられる。これらの中でも、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＳＯ２－、－ＣＯＯ－アルキレン基－、－ＯＣＯ－アルキレン基－、－ＣＯＮＨ－アルキレン基－、又は－ＮＨＣＯ－アルキレン基－が好ましく、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＳＯ２－、－ＣＯＯ－アルキレン基－、又は－ＯＣＯ－アルキレン基－がより好ましい。
２価の連結基としては、例えば、－ＣＯＯ－（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、アルキレン基（好ましくは炭素数１～６）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３～１５）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２～６）、及びこれらの複数を組み合わせた２価の連結基等が挙げられる。これらの中でも、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＳＯ２－、－ＣＯＯ－アルキレン基－、－ＯＣＯ－アルキレン基－、－ＣＯＮＨ－アルキレン基－、又は－ＮＨＣＯ－アルキレン基－が好ましく、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＳＯ２－、－ＣＯＯ－アルキレン基－、又は－ＯＣＯ－アルキレン基－がより好ましい。
【0113】
Ｗは、環状構造を含む有機基を表す。これらの中でも、環状の有機基であることが好ましい。
環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。
脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の炭素数７以上の嵩高い構造を有する脂環基が好ましい。
環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。
脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の炭素数７以上の嵩高い構造を有する脂環基が好ましい。
【0114】
アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、及びアントリル基が挙げられる。
複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよいし、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、スルトン環、及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。ラクトン環及びスルトン環の例としては、前述の樹脂において例示したラクトン構造及びスルトン構造が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。
複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよいし、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、スルトン環、及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。ラクトン環及びスルトン環の例としては、前述の樹脂において例示したラクトン構造及びスルトン構造が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。
【0115】
上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよく、炭素数１～１２が好ましい）、シクロアルキル基（単環、多環、及び、スピロ環のいずれであってもよく、炭素数３～２０が好ましい）、アリール基（炭素数６～１４が好ましい）、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素（環形成に寄与する炭素）はカルボニル炭素であってもよい。
【0116】
一般式（３）で表されるアニオンとしては、ＳＯ３
－－ＣＦ２－ＣＨ２－ＯＣＯ－（Ｌ）ｑ’－Ｗ、ＳＯ３
－－ＣＦ２－ＣＨＦ－ＣＨ２－ＯＣＯ－（Ｌ）ｑ’－Ｗ、ＳＯ３
－－ＣＦ２－ＣＯＯ－（Ｌ）ｑ’－Ｗ、ＳＯ３
－－ＣＦ２－ＣＦ２－ＣＨ２－ＣＨ２－（Ｌ）ｑ－Ｗ、又は、ＳＯ３
－－ＣＦ２－ＣＨ（ＣＦ３）－ＯＣＯ－（Ｌ）ｑ’－Ｗが好ましい。ここで、Ｌ、ｑ及びＷは、一般式（３）と同様である。ｑ’は、０～１０の整数を表す。
【0117】
一態様において、一般式（ＺＩ）におけるＺ－、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ－、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ－としては、下記の一般式（４）で表されるアニオンも好ましい。
【0118】
【化17】
【0119】
一般式（４）中、
ＸＢ１及びＸＢ２は、各々独立に、水素原子、又はフッ素原子を有さない１価の有機基を表す。ＸＢ１及びＸＢ２は、水素原子であることが好ましい。
ＸＢ３及びＸＢ４は、各々独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。ＸＢ３及びＸＢ４の少なくとも一方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることが好ましく、ＸＢ３及びＸＢ４の両方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることがより好ましい。ＸＢ３及びＸＢ４の両方が、フッ素で置換されたアルキル基であることが更に好ましい。
Ｌ、ｑ及びＷは、一般式（３）と同様である。
ＸＢ１及びＸＢ２は、各々独立に、水素原子、又はフッ素原子を有さない１価の有機基を表す。ＸＢ１及びＸＢ２は、水素原子であることが好ましい。
ＸＢ３及びＸＢ４は、各々独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。ＸＢ３及びＸＢ４の少なくとも一方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることが好ましく、ＸＢ３及びＸＢ４の両方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることがより好ましい。ＸＢ３及びＸＢ４の両方が、フッ素で置換されたアルキル基であることが更に好ましい。
Ｌ、ｑ及びＷは、一般式（３）と同様である。
【0120】
一般式（ＺＩ）におけるＺ－、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ－、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ－としては、下記一般式（５）で表されるアニオンも好ましい。
【0121】
【化18】
【0122】
一般式（５）において、Ｘａは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Ｘｂは、各々独立に、水素原子、又はフッ素原子を有さない有機基を表す。ｏ、ｐ、ｑ、Ｒ４、Ｒ５、Ｌ、及びＷの定義及び好ましい態様は、一般式（３）と同様である。
【0123】
一般式（ＺＩ）におけるＺ－、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ－、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ－は、ベンゼンスルホン酸アニオンであってもよく、分岐鎖状アルキル基又はシクロアルキル基によって置換されたベンゼンスルホン酸アニオンであることが好ましい。
【0124】
一般式（ＺＩ）におけるＺ－、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ－、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ－としては、下記の一般式（ＳＡ１）で表される芳香族スルホン酸アニオンも好ましい。
【0125】
【化19】
【0126】
式（ＳＡ１）中、
Ａｒは、アリール基を表し、スルホン酸アニオン及び－（Ｄ－Ｂ）基以外の置換基を更に有していてもよい。更に有してもよい置換基としては、フッ素原子及び水酸基等が挙げられる。
Ａｒは、アリール基を表し、スルホン酸アニオン及び－（Ｄ－Ｂ）基以外の置換基を更に有していてもよい。更に有してもよい置換基としては、フッ素原子及び水酸基等が挙げられる。
【0127】
ｎは、０以上の整数を表す。ｎとしては、１～４が好ましく、２～３がより好ましく、３が更に好ましい。
【0128】
Ｄは、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホン酸エステル基、エステル基、及び、これらの２種以上の組み合わせからなる基等が挙げられる。
【0129】
Ｂは、炭化水素基を表す。
【0130】
Ｄは単結合であり、Ｂは脂肪族炭化水素構造であることが好ましい。Ｂは、イソプロピル基又はシクロヘキシル基がより好ましい。
【0131】
一般式（ＺＩ）におけるスルホニウムカチオン、及び一般式（ＺＩＩ）におけるヨードニウムカチオンの好ましい例を以下に示す。
【0132】
【化20】
【0133】
一般式（ＺＩ）におけるアニオンＺ－、一般式（ＺＩＩ）におけるアニオンＺ－、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ－の好ましい例を以下に示す。
【0134】
【化21】
【0135】
上記のカチオン及びアニオンを任意に組みわせて酸発生剤（Ｂ）として使用できる。
【0136】
酸発生剤（Ｂ）は、低分子化合物の形態であってもよく、重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態を併用してもよい。
酸発生剤（Ｂ）は、低分子化合物の形態であることが好ましい。
酸発生剤（Ｂ）が、低分子化合物の形態である場合、分子量は３，０００以下が好ましく、２，０００以下がより好ましく、１，０００以下が更に好ましい。
酸発生剤（Ｂ）が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、前述した樹脂（Ａ）の一部に組み込まれてもよく、樹脂（Ａ）とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。
酸発生剤（Ｂ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
組成物中、酸発生剤（Ｂ）の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．１～２０．０質量％が好ましく、０．５～１５．０質量％がより好ましく、１．０～１５．０質量％が更に好ましい。
酸発生剤として、上記一般式（ＺＩ－３）又は（ＺＩ－４）で表される化合物を含む場合、組成物中に含まれる酸発生剤の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、５～３５質量％が好ましく、７～３０質量％がより好ましい。
酸発生剤（Ｂ）は、低分子化合物の形態であることが好ましい。
酸発生剤（Ｂ）が、低分子化合物の形態である場合、分子量は３，０００以下が好ましく、２，０００以下がより好ましく、１，０００以下が更に好ましい。
酸発生剤（Ｂ）が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、前述した樹脂（Ａ）の一部に組み込まれてもよく、樹脂（Ａ）とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。
酸発生剤（Ｂ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
組成物中、酸発生剤（Ｂ）の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．１～２０．０質量％が好ましく、０．５～１５．０質量％がより好ましく、１．０～１５．０質量％が更に好ましい。
酸発生剤として、上記一般式（ＺＩ－３）又は（ＺＩ－４）で表される化合物を含む場合、組成物中に含まれる酸発生剤の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、５～３５質量％が好ましく、７～３０質量％がより好ましい。
【0137】
また、活性光線又は放射線の照射により酸発生剤（Ｂ）が分解して発生する酸の酸解離定数ｐＫａとしては、後述する一般式（１）で表される化合物から発生する酸のｐＫａよりも小さいことが好ましい。
活性光線又は放射線の照射により酸発生剤（Ｂ）が分解して発生する酸の酸解離定数ｐＫａとしては、－１．００以下であることが好ましく、－１．５０以下であることがより好ましく、－２．００以下であることが更に好ましい。ｐＫａの下限値は特に制限されないが、例えば、－５．００以上である。ｐＫａ（酸解離定数）は下記の方法により測定できる。
活性光線又は放射線の照射により酸発生剤（Ｂ）が分解して発生する酸の酸解離定数ｐＫａとしては、－１．００以下であることが好ましく、－１．５０以下であることがより好ましく、－２．００以下であることが更に好ましい。ｐＫａの下限値は特に制限されないが、例えば、－５．００以上である。ｐＫａ（酸解離定数）は下記の方法により測定できる。
【0138】
≪酸解離定数ｐＫａの測定≫
本明細書において、酸解離定数ｐＫａとは、水溶液中での酸解離定数ｐＫａのことを表し、例えば、化学便覧（ＩＩ）（改訂４版、１９９３年、日本化学会編、丸善株式会社）に記載のものであり、この値が低いほど酸強度が大きいことを示している。水溶液中での酸解離定数ｐＫａは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、２５℃での酸解離定数を測定することにより実測することができ、また、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示している。
ソフトウェアパッケージ１： Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ （ＡＣＤ／Ｌａｂｓ） Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｖ８．１４ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒｉｓ （１９９４－２００７ ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）
本明細書において、酸解離定数ｐＫａとは、水溶液中での酸解離定数ｐＫａのことを表し、例えば、化学便覧（ＩＩ）（改訂４版、１９９３年、日本化学会編、丸善株式会社）に記載のものであり、この値が低いほど酸強度が大きいことを示している。水溶液中での酸解離定数ｐＫａは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、２５℃での酸解離定数を測定することにより実測することができ、また、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示している。
ソフトウェアパッケージ１： Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ （ＡＣＤ／Ｌａｂｓ） Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｖ８．１４ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒｉｓ （１９９４－２００７ ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）
【0139】
＜酸拡散制御剤＞
本発明の組成物は、酸拡散制御剤を含む。酸拡散制御剤は、露光時に酸発生剤（Ｂ）等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における酸分解性樹脂の反応を抑制するクエンチャーとして作用する。
本発明の組成物は、酸拡散制御剤として、一般式（１）で表される化合物を少なくとも含んでいればよく、本発明の効果を妨げない範囲でその他の酸拡散防止剤を含んでいてもよい。
なお、以下においては、一般式（１）で表される化合物を酸拡散制御剤（Ｃ）として説明し、その他の酸拡散防止剤を酸拡散制御剤（Ｄ）として説明する。
本発明の組成物は、酸拡散制御剤を含む。酸拡散制御剤は、露光時に酸発生剤（Ｂ）等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における酸分解性樹脂の反応を抑制するクエンチャーとして作用する。
本発明の組成物は、酸拡散制御剤として、一般式（１）で表される化合物を少なくとも含んでいればよく、本発明の効果を妨げない範囲でその他の酸拡散防止剤を含んでいてもよい。
なお、以下においては、一般式（１）で表される化合物を酸拡散制御剤（Ｃ）として説明し、その他の酸拡散防止剤を酸拡散制御剤（Ｄ）として説明する。
【0140】
（酸拡散制御剤（Ｃ））
以下、一般式（１）で表される化合物について説明する。
（一般式（１）で表される化合物）
以下、一般式（１）で表される化合物について説明する。
（一般式（１）で表される化合物）
【0141】
【化22】
【0142】
上記式中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、各々独立に、芳香族炭化水素基を表す。
Ａ１は、Ａｒ１上でＳ＋と結合する炭素原子に対してオルト位に置換し、且つ、－Ｌ１－ＣＯ２ －、－Ｌ２－ＳＯ３ －、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１を表す。
Ｌ１、Ｌ２及びＬ３は、各々独立に、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｘ１は、－ＳＯ２－、又は－ＣＯ－を表す。
Ｙ１は、－ＳＯ２－ＲＡ、又は－ＣＯ－ＲＢを表す。
ＲＡ及びＲＢは、各々独立に、１価の置換基を表す。
なお、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、更に置換基を有していてもよく、上記置換基同士が互いに結合して、環を形成していてもよい。
Ａ１は、Ａｒ１上でＳ＋と結合する炭素原子に対してオルト位に置換し、且つ、－Ｌ１－ＣＯ２ －、－Ｌ２－ＳＯ３ －、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１を表す。
Ｌ１、Ｌ２及びＬ３は、各々独立に、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｘ１は、－ＳＯ２－、又は－ＣＯ－を表す。
Ｙ１は、－ＳＯ２－ＲＡ、又は－ＣＯ－ＲＢを表す。
ＲＡ及びＲＢは、各々独立に、１価の置換基を表す。
なお、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、更に置換基を有していてもよく、上記置換基同士が互いに結合して、環を形成していてもよい。
【0143】
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３で表される芳香族炭化水素基としては、単環構造（単環芳香族炭化水素基）及び多環構造（多環芳香族炭化水素基）のいずれであってもよい。上記芳香族炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、５～１８が好ましく、５～１０がより好ましい。上記芳香族炭化水素基の具体例としては、アリール基（フェニル基、トリル基、及びキシリル基等）、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナブテニル基、フルオレニル基、及びピレニル基等が挙げられる。
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３で表される芳香族炭化水素基としては、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、なかでも、単環芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３で表される芳香族炭化水素基としては、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、なかでも、単環芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
【0144】
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、更に置換基を有していてもよい。上記置換基の種類は特に制限されず、上述した置換基群Ｔで例示された基が挙げられる。置換基としては、非芳香族性の置換基（なお、本明細書において「非芳香族性の置換基」とは、芳香族性を示さない置換基を意図し、例えば、芳香族環を有しない置換基が挙げられる。）が好ましく、アルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。）、フルオロアルキル基（少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。炭素数は、１～１０が好ましく、１～４がより好ましい。また、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基としては、パーフルオロアルキル基が好ましい。）、ハロゲン原子（ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。）、チオアルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。）、又はアルコキシ基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。）がより好ましい。
【0145】
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３に置換した置換基は、置換基同士が互いに結合して、環を形成していてもよい。上記環としては、芳香族性の及び非芳香族性のいずれであってもよいが、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、非芳香族性であることが好ましい。なお、上記環は、更に置換基（例えば置換基群Ｔで例示したものが挙げられる。）を有していてもよい。
【0146】
一般式（１）で表される化合物としては、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、なかでも、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３のうちいずれか１つ以上が無置換の単環芳香族炭化水素基であることが好ましく（なお、Ａｒ１については、Ａ１以外に置換基を有さないという意図である）、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３のうちいずれか２つ以上が単環芳香族炭化水素基であることがより好ましく、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３が全て単環芳香族炭化水素基であることがより好ましい。
【0147】
Ａ１は、Ａｒ１上でＳ＋と結合する炭素原子に対してオルト位に置換し、且つ、－Ｌ１－ＣＯ２
－、－Ｌ２－ＳＯ３
－、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１を表す。
ここで「Ａｒ１上でＳ＋と結合する炭素原子に対してオルト位に置換する」とは、Ａｒ１において、一般式（１）に明示されるスルホニウムカチオンとの結合位置の炭素原子に対してオルト位にＡ１が置換する意図である。言い換えると、Ａ１は、Ａｒ１において、一般式（１）に明示されるスルホニウムカチオンとの結合位置の炭素原子に隣接する炭素原子に置換する。
ここで「Ａｒ１上でＳ＋と結合する炭素原子に対してオルト位に置換する」とは、Ａｒ１において、一般式（１）に明示されるスルホニウムカチオンとの結合位置の炭素原子に対してオルト位にＡ１が置換する意図である。言い換えると、Ａ１は、Ａｒ１において、一般式（１）に明示されるスルホニウムカチオンとの結合位置の炭素原子に隣接する炭素原子に置換する。
【0148】
Ｌ１、Ｌ２及びＬ３は、各々独立に、単結合、又は２価の連結基を表し、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、単結合が好ましい。
Ｌ１、Ｌ２及びＬ３で表される２価の連結基としては特に制限されないが、例えば、－Ｏ－、－ＣＯ－、２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、及び、アリーレン基）、及び、これらを２以上組み合わせた基が挙げられる。Ｌ１、Ｌ２及びＬ３で表される２価の連結基としては、なかでも、ＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能により優れる点で、－Ｏ－、－ＣＯ－、炭素数１～１０のアルキレン基、炭素数２～１０のアルケニレン基、炭素数２～１０のアルキニレン基、及びこれらを２以上組み合わせた基が好ましく、－Ｏ－、－ＣＯ－、炭素数１～６のアルキレン基、及びこれらを２以上組み合わせた基がより好ましく、炭素数１～６のアルキレン基が更に好ましく、炭素数１～３のアルキレン基が特に好ましい。
なお、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３中のＡｒ１との結合位置の原子は、酸素原子以外であることが好ましい。例えば、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３で表される２価の連結基が－Ｏ－（酸素原子）を含む場合であっても、上記のように酸素原子以外の原子（例えば、炭素原子）がＡｒ１と結合することが好ましい。
Ｌ１、Ｌ２及びＬ３で表される２価の連結基としては特に制限されないが、例えば、－Ｏ－、－ＣＯ－、２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、及び、アリーレン基）、及び、これらを２以上組み合わせた基が挙げられる。Ｌ１、Ｌ２及びＬ３で表される２価の連結基としては、なかでも、ＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能により優れる点で、－Ｏ－、－ＣＯ－、炭素数１～１０のアルキレン基、炭素数２～１０のアルケニレン基、炭素数２～１０のアルキニレン基、及びこれらを２以上組み合わせた基が好ましく、－Ｏ－、－ＣＯ－、炭素数１～６のアルキレン基、及びこれらを２以上組み合わせた基がより好ましく、炭素数１～６のアルキレン基が更に好ましく、炭素数１～３のアルキレン基が特に好ましい。
なお、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３中のＡｒ１との結合位置の原子は、酸素原子以外であることが好ましい。例えば、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３で表される２価の連結基が－Ｏ－（酸素原子）を含む場合であっても、上記のように酸素原子以外の原子（例えば、炭素原子）がＡｒ１と結合することが好ましい。
【0149】
Ａ１としては、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、－Ｌ１－ＣＯ２
－、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１が好ましい。
【0150】
Ｘ１は、－ＳＯ２－、又は－ＣＯ－を表す。
Ｙ１は、－ＳＯ２－ＲＡ、又は－ＣＯ－ＲＢを表す。
Ｙ１は、－ＳＯ２－ＲＡ、又は－ＣＯ－ＲＢを表す。
【0151】
ＲＡ及びＲＢは、各々独立に、１価の置換基を表す。
ＲＡ及びＲＢで表される１価の置換基としては特に制限されないが、上述した置換基群Ｔで例示された基が挙げられる。ＲＡ及びＲＢで表される１価の置換基としては、なかでも、アルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましく、１～３が特に好ましい。）、アルケニル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６が更に好ましい。）、又はアルキニル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６が更に好ましい。）が好ましく、炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、炭素数１～６のアルキル基が更に好ましい。
なお、上記アルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基は、更に置換基（例えば置換基群Ｔで例示したものが挙げられる。）を有していてもよい。
ＲＡ及びＲＢで表される１価の置換基としては特に制限されないが、上述した置換基群Ｔで例示された基が挙げられる。ＲＡ及びＲＢで表される１価の置換基としては、なかでも、アルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましく、１～３が特に好ましい。）、アルケニル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６が更に好ましい。）、又はアルキニル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６が更に好ましい。）が好ましく、炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、炭素数１～６のアルキル基が更に好ましい。
なお、上記アルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基は、更に置換基（例えば置換基群Ｔで例示したものが挙げられる。）を有していてもよい。
【0152】
酸拡散制御剤としての機能がより優れる点で、一般式（１）で表される化合物から発生する酸のｐＫａは、例えば、－２．００超であることが好ましく、１．００以上であることがより好ましく、１．５０以上であることが更に好ましい。ｐＫａの上限値は特に制限されないが、例えば、１４．０以下である。
ｐＫａ（酸解離定数）は上述した方法により測定できる。
ｐＫａ（酸解離定数）は上述した方法により測定できる。
【0153】
一般式（１）で表される化合物から発生する酸のｐＫａは、主に、Ａ１の種類により調整できる。
【0154】
本発明の組成物中、一般式（１）で表される化合物により発生する酸のｐＫａと、酸発生剤（Ｂ）から発生する酸のｐＫａとの差は、１．００以上が好ましく、２．００以上がより好ましい。なお、上限値は特に制限されないが、例えば、１０．０である。
上述のとおり、酸拡散制御剤である一般式（１）で表される化合物により発生する酸は、酸発生剤（Ｂ）から発生する酸に対して相対的に弱酸となる。一般式（１）で表される化合物により発生する酸と酸発生剤（Ｂ）から発生する酸とのｐＫａの差が上記数値範囲であれば、一般式（１）で表される化合物は、酸拡散制御剤としての機能がより優れる。
上述のとおり、酸拡散制御剤である一般式（１）で表される化合物により発生する酸は、酸発生剤（Ｂ）から発生する酸に対して相対的に弱酸となる。一般式（１）で表される化合物により発生する酸と酸発生剤（Ｂ）から発生する酸とのｐＫａの差が上記数値範囲であれば、一般式（１）で表される化合物は、酸拡散制御剤としての機能がより優れる。
【0155】
上記一般式（１）で表される化合物としては、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、下記一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。以下、一般式（２）について説明する。
（一般式（２）で表される化合物）
（一般式（２）で表される化合物）
【0156】
【化23】
【0157】
上記式中、Ａｒ２、Ａｒ３、及びＡ１は、一般式（１）中のＡｒ２、Ａｒ３、及びＡ１と同義であり、好適態様も同じである。
【0158】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、各々独立に、水素原子、又は非芳香族性の置換基を表す。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４で表される置換基としては、非芳香族性の置換基であれば特に制限されず、アルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。）、フルオロアルキル基（少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。炭素数は、１～１０が好ましく、１～４がより好ましい。また、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基としては、パーフルオロアルキル基が好ましい。）、ハロゲン原子（ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。）、チオアルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。）、又はアルコキシ基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。）がより好ましい。
なお、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、互いに連結して環を形成してもよい。上記環としては、非芳香族性であることが好ましい。なお、上記環は、更に置換基（例えば置換基群Ｔで例示したものが挙げられる。）を有していてもよい。なかでも、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、互いに結合して環構造を形成しないことが好ましい。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４で表される置換基としては、非芳香族性の置換基であれば特に制限されず、アルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。）、フルオロアルキル基（少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。炭素数は、１～１０が好ましく、１～４がより好ましい。また、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基としては、パーフルオロアルキル基が好ましい。）、ハロゲン原子（ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。）、チオアルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。）、又はアルコキシ基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数は１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。）がより好ましい。
なお、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、互いに連結して環を形成してもよい。上記環としては、非芳香族性であることが好ましい。なお、上記環は、更に置換基（例えば置換基群Ｔで例示したものが挙げられる。）を有していてもよい。なかでも、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、互いに結合して環構造を形成しないことが好ましい。
【0159】
Ａｒ２及びＡｒ３は、更に置換基を有していてもよく、置換基同士が互いに結合して、環を形成していてもよい。上記環としては、芳香族性の及び非芳香族性のいずれであってもよいが、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、非芳香族性であることが好ましい。なお、上記環は、更に置換基（例えば置換基群Ｔで例示したものが挙げられる。）を有していてもよい。
【0160】
一般式（２）で表される化合物としては、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であるか、又は、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方が無置換の単環芳香族炭化水素基であることが好ましい。なかでも、形成されるパターンのＬＷＲ性能及びＣＤＵ性能がより優れる点で、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３の一方が無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、Ａｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、又は、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基であることがより好ましい。
【0161】
上記一般式（１）で表される化合物は、例えば、公知の手法に従って合成できる。
【0162】
以下、上記一般式（１）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれに制限されない。
【0163】
【化24】
【0164】
上記一般式（１）で表される化合物は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
本発明の組成物中、一般式（１）で表される化合物の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として０．１～１０質量％が好ましく、０．５～８．０質量％がより好ましい。
また、上記一般式（１）で表される化合物と上記酸発生剤（Ｂ）（酸発生剤Ｘ）との含有量比（酸発生剤（Ｂ）／一般式（１）で表される化合物）は、質量比で、例えば、１／９９～９９／１であり、９０／１０～３０／７０が好ましく、８５／１５～４０／６０がより好ましい。
本発明の組成物中、一般式（１）で表される化合物の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として０．１～１０質量％が好ましく、０．５～８．０質量％がより好ましい。
また、上記一般式（１）で表される化合物と上記酸発生剤（Ｂ）（酸発生剤Ｘ）との含有量比（酸発生剤（Ｂ）／一般式（１）で表される化合物）は、質量比で、例えば、１／９９～９９／１であり、９０／１０～３０／７０が好ましく、８５／１５～４０／６０がより好ましい。
【0165】
（酸拡散制御剤（Ｄ））
本発明の組成物は、本発明の効果を妨げない範囲で、上述した酸拡散制御剤（Ｃ）（一般式（１）で表される化合物が該当する。）以外の他の酸拡散制御剤（以下、「酸拡散制御剤（Ｄ）」）を含んでいてもよい。
酸拡散制御剤（Ｄ）としては、例えば、塩基性化合物（ＤＡ）、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）、酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＤ）、又はカチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）等を酸拡散制御剤として使用できる。本発明の組成物においては、公知の酸拡散制御剤を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０６２７＞～＜０６６４＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜００９５＞～＜０１８７＞、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０４０３＞～＜０４２３＞、及び、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜０２５９＞～＜０３２８＞に開示された公知の化合物を酸拡散制御剤（Ｄ）として好適に使用できる。
本発明の組成物は、本発明の効果を妨げない範囲で、上述した酸拡散制御剤（Ｃ）（一般式（１）で表される化合物が該当する。）以外の他の酸拡散制御剤（以下、「酸拡散制御剤（Ｄ）」）を含んでいてもよい。
酸拡散制御剤（Ｄ）としては、例えば、塩基性化合物（ＤＡ）、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）、酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＤ）、又はカチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）等を酸拡散制御剤として使用できる。本発明の組成物においては、公知の酸拡散制御剤を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０６２７＞～＜０６６４＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜００９５＞～＜０１８７＞、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０４０３＞～＜０４２３＞、及び、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜０２５９＞～＜０３２８＞に開示された公知の化合物を酸拡散制御剤（Ｄ）として好適に使用できる。
【0166】
塩基性化合物（ＤＡ）としては、下記式（Ａ）～（Ｅ）で示される構造を有する化合物が好ましい。
【0167】
【化25】
【0168】
一般式（Ａ）及び（Ｅ）中、
Ｒ２００、Ｒ２０１及びＲ２０２は、同一でも異なってもよく、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１～２０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０）又はアリール基（炭素数６～２０）を表す。Ｒ２０１とＲ２０２は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ２０３、Ｒ２０４、Ｒ２０５及びＲ２０６は、同一でも異なってもよく、各々独立に、炭素数１～２０のアルキル基を表す。
Ｒ２００、Ｒ２０１及びＲ２０２は、同一でも異なってもよく、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１～２０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０）又はアリール基（炭素数６～２０）を表す。Ｒ２０１とＲ２０２は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ２０３、Ｒ２０４、Ｒ２０５及びＲ２０６は、同一でも異なってもよく、各々独立に、炭素数１～２０のアルキル基を表す。
【0169】
一般式（Ａ）及び（Ｅ）中のアルキル基は、置換基を有していても無置換であってもよい。
上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数１～２０のアミノアルキル基、炭素数１～２０のヒドロキシアルキル基、又は炭素数１～２０のシアノアルキル基が好ましい。
一般式（Ａ）及び（Ｅ）中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数１～２０のアミノアルキル基、炭素数１～２０のヒドロキシアルキル基、又は炭素数１～２０のシアノアルキル基が好ましい。
一般式（Ａ）及び（Ｅ）中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
【0170】
塩基性化合物（ＤＡ）としては、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、又はピペリジン等が好ましく、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造若しくはピリジン構造を有する化合物、水酸基及び／若しくはエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、又は、水酸基及び／若しくはエーテル結合を有するアニリン誘導体等がより好ましい。
【0171】
活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）（以下、「化合物（ＤＢ）」ともいう。）は、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して、プロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化する化合物である。
【0172】
プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基又は電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基、又は、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記式に示す部分構造を有する窒素原子である。
【0173】
【化26】
【0174】
プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル構造、アザクラウンエーテル構造、１～３級アミン構造、ピリジン構造、イミダゾール構造、及びピラジン構造等が挙げられる。
【0175】
化合物（ＤＢ）は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下若しくは消失し、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここでプロトンアクセプター性の低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化であり、具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物（ＤＢ）とプロトンとからプロトン付加体が生成するとき、その化学平衡における平衡定数が減少することを意味する。
プロトンアクセプター性は、ｐＨ測定を行うことによって確認できる。
プロトンアクセプター性は、ｐＨ測定を行うことによって確認できる。
【0176】
活性光線又は放射線の照射により化合物（ＤＢ）が分解して発生する化合物の酸解離定数ｐＫａは、ｐＫａ＜－１を満たすことが好ましく、－１３＜ｐＫａ＜－１を満たすことがより好ましく、－１３＜ｐＫａ＜－３を満たすことが更に好ましい。
【0177】
なお、酸解離定数ｐＫａとは、上述した方法により求めることができる。
【0178】
本発明の組成物では、酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）を酸拡散制御剤として使用できる。
酸発生剤と、酸発生剤から生じた酸に対して相対的に弱酸である酸を発生するオニウム塩とを混合して用いた場合、活性光線性又は放射線の照射により酸発生剤から生じた酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると、塩交換により弱酸を放出して強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため、見かけ上、酸が失活して酸拡散の制御を行うことができる。
酸発生剤と、酸発生剤から生じた酸に対して相対的に弱酸である酸を発生するオニウム塩とを混合して用いた場合、活性光線性又は放射線の照射により酸発生剤から生じた酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると、塩交換により弱酸を放出して強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため、見かけ上、酸が失活して酸拡散の制御を行うことができる。
【0179】
酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩としては、下記一般式（ｄ１－１）～（ｄ１－３）で表される化合物が好ましい。
【0180】
【化27】
【0181】
式中、Ｒ５１は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Ｚ２ｃは置換基を有していてもよい炭素数１～３０の炭化水素基（ただし、Ｓに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとする）であり、Ｒ５２は有機基であり、Ｙ３は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基であり、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Ｍ＋は各々独立に、アンモニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。
【0182】
Ｍ＋として表されるスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンの好ましい例としては、一般式（ＺＩ）で例示したスルホニウムカチオン及び一般式（ＺＩＩ）で例示したヨードニウムカチオンが挙げられる。
【0183】
窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＤ）（以下、「化合物（ＤＤ）」ともいう。）は、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体であることが好ましい。
酸の作用により脱離する基としては、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、３級エステル基、３級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、又はヘミアミナールエーテル基がより好ましい。
化合物（ＤＤ）の分子量は、１００～１０００が好ましく、１００～７００がより好ましく、１００～５００が更に好ましい。
化合物（ＤＤ）は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式（ｄ－１）で表される。
酸の作用により脱離する基としては、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、３級エステル基、３級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、又はヘミアミナールエーテル基がより好ましい。
化合物（ＤＤ）の分子量は、１００～１０００が好ましく、１００～７００がより好ましく、１００～５００が更に好ましい。
化合物（ＤＤ）は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式（ｄ－１）で表される。
【0184】
【化28】
【0185】
一般式（ｄ－１）において、
Ｒｂは、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～３０）、アリール基（好ましくは炭素数３～３０）、アラルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、又はアルコキシアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）を表す。Ｒｂは相互に連結して環を形成していてもよい。
Ｒｂが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立に水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒｂが示すアルコキシアルキル基についても同様である。
Ｒｂは、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～３０）、アリール基（好ましくは炭素数３～３０）、アラルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、又はアルコキシアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）を表す。Ｒｂは相互に連結して環を形成していてもよい。
Ｒｂが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立に水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒｂが示すアルコキシアルキル基についても同様である。
【0186】
Ｒｂとしては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又はシクロアルキル基がより好ましい。
２つのＲｂが相互に連結して形成する環としては、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環式炭化水素、及びその誘導体等が挙げられる。
一般式（ｄ－１）で表される基の具体的な構造としては、米国特許公報ＵＳ２０１２／０１３５３４８Ａ１号明細書の段落＜０４６６＞に開示された構造が挙げられるが、これに制限されない。
２つのＲｂが相互に連結して形成する環としては、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環式炭化水素、及びその誘導体等が挙げられる。
一般式（ｄ－１）で表される基の具体的な構造としては、米国特許公報ＵＳ２０１２／０１３５３４８Ａ１号明細書の段落＜０４６６＞に開示された構造が挙げられるが、これに制限されない。
【0187】
化合物（ＤＤ）は、下記一般式（６）で表される構造を有することが好ましい。
【0188】
【化29】
【0189】
一般式（６）において、
ｌは０～２の整数を表し、ｍは１～３の整数を表し、ｌ＋ｍ＝３を満たす。
Ｒａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。ｌが２のとき、２つのＲａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲａは相互に連結して式中の窒素原子と共に複素環を形成していてもよい。この複素環には式中の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。
Ｒｂは、上記一般式（ｄ－１）におけるＲｂと同義であり、好ましい例も同様である。
一般式（６）において、Ｒａとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立にＲｂとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。
ｌは０～２の整数を表し、ｍは１～３の整数を表し、ｌ＋ｍ＝３を満たす。
Ｒａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。ｌが２のとき、２つのＲａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲａは相互に連結して式中の窒素原子と共に複素環を形成していてもよい。この複素環には式中の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。
Ｒｂは、上記一般式（ｄ－１）におけるＲｂと同義であり、好ましい例も同様である。
一般式（６）において、Ｒａとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立にＲｂとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。
【0190】
上記Ｒａのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基（これらの基は、上記基で置換されていてもよい）の具体例としては、Ｒｂについて前述した具体例と同様な基が挙げられる。
本発明における特に好ましい化合物（ＤＤ）の具体例としては、米国特許出願公開２０１２／０１３５３４８Ａ１号明細書の段落＜０４７５＞に開示された化合物が挙げられるが、これに制限されない。
本発明における特に好ましい化合物（ＤＤ）の具体例としては、米国特許出願公開２０１２／０１３５３４８Ａ１号明細書の段落＜０４７５＞に開示された化合物が挙げられるが、これに制限されない。
【0191】
カチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）（以下、「化合物（ＤＥ）」ともいう。）は、カチオン部に窒素原子を含む塩基性部位を有する化合物であることが好ましい。塩基性部位は、アミノ基であることが好ましく、脂肪族アミノ基であることがより好ましい。塩基性部位中の窒素原子に隣接する原子の全てが、水素原子又は炭素原子であることが更に好ましい。また、塩基性向上の観点から、窒素原子に対して、電子求引性の官能基（カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、及びハロゲン原子等）が直結していないことが好ましい。
化合物（ＤＥ）の好ましい具体例としては、米国特許出願公開２０１５／０３０９４０８Ａ１号明細書の段落＜０２０３＞に開示された化合物が挙げられるが、これに制限されない。
化合物（ＤＥ）の好ましい具体例としては、米国特許出願公開２０１５／０３０９４０８Ａ１号明細書の段落＜０２０３＞に開示された化合物が挙げられるが、これに制限されない。
【0192】
酸拡散制御剤（Ｄ）の好ましい例を以下に示す。
【0193】
【化30】
【化31】
【0194】
本発明の組成物において、酸拡散制御剤（Ｄ）は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
組成物中、酸拡散制御剤（Ｄ）を含む場合、酸拡散制御剤（Ｄ）の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．１～１０．０質量％が好ましく、０．１～５．０質量％がより好ましい。
組成物中、酸拡散制御剤（Ｄ）を含む場合、酸拡散制御剤（Ｄ）の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．１～１０．０質量％が好ましく、０．１～５．０質量％がより好ましい。
【0195】
＜疎水性樹脂（Ｅ）＞
本発明の組成物は、疎水性樹脂（Ｅ）を含んでいてもよい。なお、疎水性樹脂（Ｅ）は、樹脂（ＡＸ１）及び樹脂（ＡＸ２）とは異なる樹脂であることが好ましい。
本発明の組成物が、疎水性樹脂（Ｅ）を含むことにより、感活性光線性又は感放射線性膜の表面における静的／動的な接触角を制御できる。これにより、現像特性の改善、アウトガスの抑制、液浸露光における液浸液追随性の向上、及び液浸欠陥の低減等が可能となる。
疎水性樹脂（Ｅ）は、レジスト膜の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性／非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。
本発明の組成物は、疎水性樹脂（Ｅ）を含んでいてもよい。なお、疎水性樹脂（Ｅ）は、樹脂（ＡＸ１）及び樹脂（ＡＸ２）とは異なる樹脂であることが好ましい。
本発明の組成物が、疎水性樹脂（Ｅ）を含むことにより、感活性光線性又は感放射線性膜の表面における静的／動的な接触角を制御できる。これにより、現像特性の改善、アウトガスの抑制、液浸露光における液浸液追随性の向上、及び液浸欠陥の低減等が可能となる。
疎水性樹脂（Ｅ）は、レジスト膜の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性／非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。
【0196】
疎水性樹脂（Ｅ）は、膜表層への偏在化の観点から、“フッ素原子”、“ケイ素原子”、及び“樹脂の側鎖部分に含有されたＣＨ３部分構造”からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましい。
疎水性樹脂（Ｅ）が、フッ素原子及び／又はケイ素原子を含む場合、疎水性樹脂（Ｅ）における上記フッ素原子及び／又はケイ素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。
疎水性樹脂（Ｅ）が、フッ素原子及び／又はケイ素原子を含む場合、疎水性樹脂（Ｅ）における上記フッ素原子及び／又はケイ素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。
【0197】
疎水性樹脂（Ｅ）がフッ素原子を含む場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又はフッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。
【0198】
疎水性樹脂（Ｅ）は、下記（ｘ）～（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つを有することが好ましい。
（ｘ）酸基
（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（以下、極性変換基ともいう。）
（ｚ）酸の作用により分解する基
（ｘ）酸基
（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（以下、極性変換基ともいう。）
（ｚ）酸の作用により分解する基
【0199】
酸基（ｘ）としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等が挙げられる。
酸基としては、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール）、スルホンイミド基、又はビス（アルキルカルボニル）メチレン基が好ましい。
酸基としては、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール）、スルホンイミド基、又はビス（アルキルカルボニル）メチレン基が好ましい。
【0200】
アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（ｙ）としては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基（－ＣＯＯ－）、酸無水物基（－Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）－）、酸イミド基（－ＮＨＣＯＮＨ－）、カルボン酸チオエステル基（－ＣＯＳ－）、炭酸エステル基（－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－）、硫酸エステル基（－ＯＳＯ２Ｏ－）、及びスルホン酸エステル基（－ＳＯ２Ｏ－）等が挙げられ、ラクトン基又はカルボン酸エステル基（－ＣＯＯ－）が好ましい。
これらの基を含んだ繰り返し単位としては、例えば、樹脂の主鎖にこれらの基が直接結合している繰り返し単位であり、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等が挙げられる。この繰り返し単位は、これらの基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合していてもよい。又は、この繰り返し単位は、これらの基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。
ラクトン基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に樹脂（ＡＸ１）の項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。
これらの基を含んだ繰り返し単位としては、例えば、樹脂の主鎖にこれらの基が直接結合している繰り返し単位であり、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等が挙げられる。この繰り返し単位は、これらの基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合していてもよい。又は、この繰り返し単位は、これらの基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。
ラクトン基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に樹脂（ＡＸ１）の項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。
【0201】
アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（ｙ）を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂（Ｅ）中の全繰り返し単位に対して、１～１００モル％が好ましく、３～９８モル％がより好ましく、５～９５モル％が更に好ましい。
【0202】
疎水性樹脂（Ｅ）における、酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位は、樹脂（ＡＸ１）で挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位は、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有していてもよい。酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂（Ｅ）中の全繰り返し単位に対して、１～８０モル％が好ましく、１０～８０モル％がより好ましく、２０～６０モル％が更に好ましい。
疎水性樹脂（Ｅ）は、更に、上述した繰り返し単位とは別の繰り返し単位を有していてもよい。
疎水性樹脂（Ｅ）は、更に、上述した繰り返し単位とは別の繰り返し単位を有していてもよい。
【0203】
フッ素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂（Ｅ）中の全繰り返し単位に対して、１０～１００モル％が好ましく、３０～１００モル％がより好ましい。また、ケイ素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂（Ｅ）中の全繰り返し単位に対して、１０～１００モル％が好ましく、２０～１００モル％がより好ましい。
【0204】
一方、特に疎水性樹脂（Ｅ）が側鎖部分にＣＨ３部分構造を含む場合においては、疎水性樹脂（Ｅ）が、フッ素原子及びケイ素原子を実質的に含まない形態も好ましい。また、疎水性樹脂（Ｅ）は、炭素原子、酸素原子、水素原子、窒素原子及び硫黄原子から選ばれる原子のみによって構成された繰り返し単位のみで実質的に構成されることが好ましい。
【0205】
疎水性樹脂（Ｅ）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、１，０００～１００，０００が好ましく、１，０００～５０，０００がより好ましい。
【0206】
疎水性樹脂（Ｅ）に含まれる残存モノマー及び／又はオリゴマー成分の合計含有量は、０．０１～５質量％が好ましく、０．０１～３質量％がより好ましい。また、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１～５の範囲が好ましく、１～３の範囲がより好ましい。
【0207】
疎水性樹脂（Ｅ）としては、公知の樹脂を、単独又はそれらの混合物として適宜に選択して使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１５／０１６８８３０Ａ１号明細書の段落＜０４５１＞～＜０７０４＞、及び、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜０３４０＞～＜０３５６＞に開示された公知の樹脂を疎水性樹脂（Ｅ）として好適に使用できる。また、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０１７７＞～＜０２５８＞に開示された繰り返し単位も、疎水性樹脂（Ｅ）を構成する繰り返し単位として好ましい。
【0208】
疎水性樹脂（Ｅ）を構成する繰り返し単位に相当するモノマーの好ましい例を以下に示す。
【0209】
【化32】
【0210】
【化33】
【0211】
疎水性樹脂（Ｅ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
表面エネルギーが異なる２種以上の疎水性樹脂（Ｅ）を混合して使用することが、液浸露光における液浸液追随性と現像特性の両立の観点から好ましい。
組成物中、疎水性樹脂（Ｅ）の含有量は、組成物中の全固形分に対し、０．０１～１０．０質量％が好ましく、０．０５～８．０質量％がより好ましい。
表面エネルギーが異なる２種以上の疎水性樹脂（Ｅ）を混合して使用することが、液浸露光における液浸液追随性と現像特性の両立の観点から好ましい。
組成物中、疎水性樹脂（Ｅ）の含有量は、組成物中の全固形分に対し、０．０１～１０．０質量％が好ましく、０．０５～８．０質量％がより好ましい。
【0212】
＜溶剤（Ｆ）＞
本発明の組成物は、溶剤を含んでいてもよい。
本発明の組成物においては、公知のレジスト溶剤を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０６６５＞～＜０６７０＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜０２１０＞～＜０２３５＞、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０４２４＞～＜０４２６＞、及び、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜０３５７＞～＜０３６６＞に開示された公知の溶剤を好適に使用できる。
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４～１０）、環を有してもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４～１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキル等の有機溶剤が挙げられる。
本発明の組成物は、溶剤を含んでいてもよい。
本発明の組成物においては、公知のレジスト溶剤を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０６６５＞～＜０６７０＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜０２１０＞～＜０２３５＞、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０４２４＞～＜０４２６＞、及び、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜０３５７＞～＜０３６６＞に開示された公知の溶剤を好適に使用できる。
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４～１０）、環を有してもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４～１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキル等の有機溶剤が挙げられる。
【0213】
有機溶剤として、構造中に水酸基を有する溶剤と、水酸基を有さない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。
水酸基を有する溶剤、及び水酸基を有さない溶剤としては、前述の例示化合物を適宜選択できるが、水酸基を含む溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、又は乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、又は乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を有さない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を有していてもよいモノケトン化合物、環状ラクトン、又は酢酸アルキル等が好ましく、これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチルエトキシプロピオネート、２－ヘプタノン、γ－ブチロラクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は酢酸ブチルがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトン、エチルエトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は２－ヘプタノンが更に好ましい。水酸基を有さない溶剤としては、プロピレンカーボネートも好ましい。
水酸基を有する溶剤と水酸基を有さない溶剤との混合比（質量比）は、１／９９～９９／１であり、１０／９０～９０／１０が好ましく、２０／８０～６０／４０がより好ましい。水酸基を有さない溶剤を５０質量％以上含む混合溶剤が、塗布均一性の点で好ましい。
溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶剤でもよいし、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む２種類以上の混合溶剤でもよい。
水酸基を有する溶剤、及び水酸基を有さない溶剤としては、前述の例示化合物を適宜選択できるが、水酸基を含む溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、又は乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、又は乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を有さない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を有していてもよいモノケトン化合物、環状ラクトン、又は酢酸アルキル等が好ましく、これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチルエトキシプロピオネート、２－ヘプタノン、γ－ブチロラクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は酢酸ブチルがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトン、エチルエトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は２－ヘプタノンが更に好ましい。水酸基を有さない溶剤としては、プロピレンカーボネートも好ましい。
水酸基を有する溶剤と水酸基を有さない溶剤との混合比（質量比）は、１／９９～９９／１であり、１０／９０～９０／１０が好ましく、２０／８０～６０／４０がより好ましい。水酸基を有さない溶剤を５０質量％以上含む混合溶剤が、塗布均一性の点で好ましい。
溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶剤でもよいし、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む２種類以上の混合溶剤でもよい。
【0214】
＜架橋剤（Ｇ）＞
本発明の組成物は、酸の作用により樹脂を架橋する化合物（以下、架橋剤（Ｇ）ともいう。）を含んでいてもよい。架橋剤（Ｇ）としては、公知の化合物を適宜に使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／０１４７１５４Ａ１号明細書の段落＜０３７９＞～＜０４３１＞、及び、米国特許出願公開２０１６／０２８２７２０Ａ１号明細書の段落＜００６４＞～＜０１４１＞に開示された公知の化合物を架橋剤（Ｇ）として好適に使用できる。
架橋剤（Ｇ）は、樹脂を架橋しうる架橋性基を有している化合物であり、架橋性基としては、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキシメチル基、アルコキシメチルエーテル基、オキシラン環、及びオキセタン環等が挙げられる。
架橋性基は、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、オキシラン環又はオキセタン環であることが好ましい。
架橋剤（Ｇ）は、架橋性基を２個以上有する化合物（樹脂も含む）であることが好ましい。
架橋剤（Ｇ）は、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を有する、フェノール誘導体、ウレア系化合物（ウレア構造を有する化合物）又はメラミン系化合物（メラミン構造を有する化合物）であることがより好ましい。
架橋剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
架橋剤（Ｇ）の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、１．０～５０質量％が好ましく、３．０～４０質量％が好ましく、５．０～３０質量％が更に好ましい。
本発明の組成物は、酸の作用により樹脂を架橋する化合物（以下、架橋剤（Ｇ）ともいう。）を含んでいてもよい。架橋剤（Ｇ）としては、公知の化合物を適宜に使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／０１４７１５４Ａ１号明細書の段落＜０３７９＞～＜０４３１＞、及び、米国特許出願公開２０１６／０２８２７２０Ａ１号明細書の段落＜００６４＞～＜０１４１＞に開示された公知の化合物を架橋剤（Ｇ）として好適に使用できる。
架橋剤（Ｇ）は、樹脂を架橋しうる架橋性基を有している化合物であり、架橋性基としては、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキシメチル基、アルコキシメチルエーテル基、オキシラン環、及びオキセタン環等が挙げられる。
架橋性基は、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、オキシラン環又はオキセタン環であることが好ましい。
架橋剤（Ｇ）は、架橋性基を２個以上有する化合物（樹脂も含む）であることが好ましい。
架橋剤（Ｇ）は、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を有する、フェノール誘導体、ウレア系化合物（ウレア構造を有する化合物）又はメラミン系化合物（メラミン構造を有する化合物）であることがより好ましい。
架橋剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
架橋剤（Ｇ）の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、１．０～５０質量％が好ましく、３．０～４０質量％が好ましく、５．０～３０質量％が更に好ましい。
【0215】
＜界面活性剤(Ｈ)＞
本発明の組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤を含む場合、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤（具体的には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、又はフッ素原子とケイ素原子との両方を有する界面活性剤）が好ましい。
本発明の組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤を含む場合、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤（具体的には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、又はフッ素原子とケイ素原子との両方を有する界面活性剤）が好ましい。
【0216】
本発明の組成物が界面活性剤を含むことにより、２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないパターンを得ることができる。
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落＜０２７６＞に記載の界面活性剤が挙げられる。
また、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落＜０２８０＞に記載の、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落＜０２７６＞に記載の界面活性剤が挙げられる。
また、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落＜０２８０＞に記載の、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。
【0217】
これらの界面活性剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本発明の組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０００１～２．０質量％が好ましく、０．０００５～１．０質量％がより好ましい。
一方、界面活性剤の含有量が、組成物の全固形分に対して１０ｐｐｍ以上とすることにより、疎水性樹脂（Ｅ）の表面偏在性が上がる。それにより、感活性光線性又は感放射線性膜の表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性が向上する。
本発明の組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０００１～２．０質量％が好ましく、０．０００５～１．０質量％がより好ましい。
一方、界面活性剤の含有量が、組成物の全固形分に対して１０ｐｐｍ以上とすることにより、疎水性樹脂（Ｅ）の表面偏在性が上がる。それにより、感活性光線性又は感放射線性膜の表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性が向上する。
【0218】
（その他の添加剤）
本発明の組成物は、更に、酸増殖剤、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤、及び、溶解促進剤等の他の添加剤を含んでいてもよい。
本発明の組成物は、更に、酸増殖剤、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤、及び、溶解促進剤等の他の添加剤を含んでいてもよい。
【0219】
＜調製方法＞
本発明の組成物の固形分濃度は、通常１．０～１０質量％が好ましく、２．０～５．７質量％がより好ましく、２．０～５．３質量％が更に好ましい。固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の質量の質量百分率である。
本発明の組成物の固形分濃度は、通常１．０～１０質量％が好ましく、２．０～５．７質量％がより好ましく、２．０～５．３質量％が更に好ましい。固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の質量の質量百分率である。
【0220】
なお、本発明の組成物からなる感活性光線性又は感放射線性膜の膜厚は、解像力向上の観点から、９０ｎｍ以下が好ましく、８５ｎｍ以下がより好ましい。組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性又は製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。
【0221】
本発明の組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは上記混合溶剤に溶解し、これをフィルター濾過した後、所定の支持体（基板）上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは０．１μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以下がより好ましく、０．０３μｍ以下が更に好ましい。このフィルターは、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば日本国特許出願公開第２００２－６２６６７号明細書（特開２００２－６２６６７）に開示されるように、循環的な濾過を行ってもよく、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ってもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理等を行ってもよい。
【0222】
＜用途＞
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により反応して性質が変化する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。更に詳しくは、本発明の組成物は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導体製造工程、液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造、インプリント用モールド構造体の作製、その他のフォトファブリケーション工程、又は平版印刷版、若しくは酸硬化性組成物の製造に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。本発明において形成されるパターンは、エッチング工程、イオンインプランテーション工程、バンプ電極形成工程、再配線形成工程、及びＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）等において使用できる。
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により反応して性質が変化する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。更に詳しくは、本発明の組成物は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導体製造工程、液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造、インプリント用モールド構造体の作製、その他のフォトファブリケーション工程、又は平版印刷版、若しくは酸硬化性組成物の製造に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。本発明において形成されるパターンは、エッチング工程、イオンインプランテーション工程、バンプ電極形成工程、再配線形成工程、及びＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）等において使用できる。
【0223】
〔パターン形成方法〕
本発明は上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法にも関する。以下、本発明のパターン形成方法について説明する。また、パターン形成方法の説明と併せて、本発明の感活性光線性又は感放射線性膜についても説明する。
本発明は上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法にも関する。以下、本発明のパターン形成方法について説明する。また、パターン形成方法の説明と併せて、本発明の感活性光線性又は感放射線性膜についても説明する。
【0224】
本発明のパターン形成方法は、
（ｉ）上述した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によってレジスト膜（感活性光線性又は感放射線性膜）を支持体上に形成する工程（レジスト膜形成工程）、
（ｉｉ）上記レジスト膜を露光する（活性光線又は放射線を照射する）工程（露光工程）、及び、
（ｉｉｉ）上記露光されたレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程(現像工程)、
を有する。
（ｉ）上述した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によってレジスト膜（感活性光線性又は感放射線性膜）を支持体上に形成する工程（レジスト膜形成工程）、
（ｉｉ）上記レジスト膜を露光する（活性光線又は放射線を照射する）工程（露光工程）、及び、
（ｉｉｉ）上記露光されたレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程(現像工程)、
を有する。
【0225】
本発明のパターン形成方法は、上記（ｉ）～（ｉｉｉ）の工程を含んでいれば特に制限されず、更に下記の工程を有していてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程における露光方法が、液浸露光であってもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程の前に、（ｉｖ）前加熱（ＰＢ：ＰｒｅＢａｋｅ）工程を含むことが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程の後、かつ、（ｉｉｉ）現像工程の前に、（ｖ）露光後加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）工程を含むことが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程を、複数回含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｖ）前加熱工程を、複数回含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｖ）露光後加熱工程を、複数回含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程における露光方法が、液浸露光であってもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程の前に、（ｉｖ）前加熱（ＰＢ：ＰｒｅＢａｋｅ）工程を含むことが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程の後、かつ、（ｉｉｉ）現像工程の前に、（ｖ）露光後加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）工程を含むことが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程を、複数回含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｖ）前加熱工程を、複数回含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｖ）露光後加熱工程を、複数回含んでいてもよい。
【0226】
本発明のパターン形成方法において、上述した（ｉ）成膜工程、（ｉｉ）露光工程、及び（ｉｉｉ）現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。
また、必要に応じて、レジスト膜と支持体との間にレジスト下層膜（例えば、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）、及び、反射防止膜）を形成してもよい。レジスト下層膜を構成する材料としては、公知の有機系又は無機系の材料を適宜用いることができる。
レジスト膜の上層に、保護膜（トップコート）を形成してもよい。保護膜としては、公知の材料を適宜用いることができる。例えば、米国特許出願公開第２００７／０１７８４０７号明細書、米国特許出願公開第２００８／００８５４６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７５３２６号明細書、米国特許出願公開第２０１６／０２９９４３２号明細書、米国特許出願公開第２０１３／０２４４４３８号明細書、国際特許出願公開第２０１６／１５７９８８Ａ号明細書に開示された保護膜形成用組成物を好適に使用できる。保護膜形成用組成物としては、上述した酸拡散制御剤を含むものが好ましい。
上述した疎水性樹脂を含むレジスト膜の上層に保護膜を形成してもよい。
また、必要に応じて、レジスト膜と支持体との間にレジスト下層膜（例えば、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）、及び、反射防止膜）を形成してもよい。レジスト下層膜を構成する材料としては、公知の有機系又は無機系の材料を適宜用いることができる。
レジスト膜の上層に、保護膜（トップコート）を形成してもよい。保護膜としては、公知の材料を適宜用いることができる。例えば、米国特許出願公開第２００７／０１７８４０７号明細書、米国特許出願公開第２００８／００８５４６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７５３２６号明細書、米国特許出願公開第２０１６／０２９９４３２号明細書、米国特許出願公開第２０１３／０２４４４３８号明細書、国際特許出願公開第２０１６／１５７９８８Ａ号明細書に開示された保護膜形成用組成物を好適に使用できる。保護膜形成用組成物としては、上述した酸拡散制御剤を含むものが好ましい。
上述した疎水性樹脂を含むレジスト膜の上層に保護膜を形成してもよい。
【0227】
支持体は、特に制限されるものではなく、ＩＣ等の半導体の製造工程、又は液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造工程のほか、その他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程等で一般的に用いられる基板を用いることができる。支持体の具体例としては、シリコン、ＳｉＯ２、及びＳｉＮ等の無機基板等が挙げられる。
【0228】
加熱温度は、（ｉｖ）前加熱工程及び（ｖ）露光後加熱工程のいずれにおいても、７０～１３０℃が好ましく、８０～１２０℃がより好ましい。
加熱時間は、（ｉｖ）前加熱工程及び（ｖ）露光後加熱工程のいずれにおいても、３０～３００秒が好ましく、３０～１８０秒がより好ましく、３０～９０秒が更に好ましい。
加熱は、露光装置及び現像装置に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
加熱時間は、（ｉｖ）前加熱工程及び（ｖ）露光後加熱工程のいずれにおいても、３０～３００秒が好ましく、３０～１８０秒がより好ましく、３０～９０秒が更に好ましい。
加熱は、露光装置及び現像装置に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
【0229】
露光工程に用いられる光源波長に制限はないが、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光（ＥＵＶ）、Ｘ線、及び電子線等が挙げられる。これらの中でも遠紫外光が好ましく、その波長は２５０ｎｍ以下が好ましく、２２０ｎｍ以下がより好ましく、１～２００ｎｍが更に好ましい。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、ＥＵＶ（１３ｎｍ）、又は電子線等であり、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ又は電子線が好ましい。
【0230】
（ｉｉｉ）現像工程においては、アルカリ現像液であっても、有機溶剤を含む現像液（以下、有機系現像液ともいう。）であってもよい。
【0231】
アルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される４級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、１～３級アミン、アルコールアミン、及び環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。
更に、上記アルカリ現像液は、アルコール類、及び／又は界面活性剤を適当量含んでいてもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１～２０質量％である。アルカリ現像液のｐＨは、通常１０～１５である。
アルカリ現像液を用いて現像を行う時間は、通常１０～３００秒である。
アルカリ現像液のアルカリ濃度、ｐＨ、及び現像時間は、形成するパターンに応じて、適宜調整できる。
更に、上記アルカリ現像液は、アルコール類、及び／又は界面活性剤を適当量含んでいてもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１～２０質量％である。アルカリ現像液のｐＨは、通常１０～１５である。
アルカリ現像液を用いて現像を行う時間は、通常１０～３００秒である。
アルカリ現像液のアルカリ濃度、ｐＨ、及び現像時間は、形成するパターンに応じて、適宜調整できる。
【0232】
有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含む現像液であることが好ましい。
【0233】
ケトン系溶剤としては、例えば、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、アセトン、２－ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４－ヘプタノン、１－ヘキサノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、及びプロピレンカーボネート等が挙げられる。
【0234】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル－３－エトキシプロピオネート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、ブタン酸ブチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、酢酸イソアミル、イソ酪酸イソブチル、及びプロピオン酸ブチル等が挙げられる。
【0235】
アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０７１５＞～＜０７１８＞に開示された溶剤を使用できる。
【0236】
上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤又は水と混合してもよい。現像液全体としての含水率は、５０質量％未満が好ましく、２０質量％未満がより好ましく、１０質量％未満が更に好ましく、０質量％以上５質量％未満が最も好ましく、実質的に水分を含まないことが特に好ましい。
有機系現像液に対する有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、５０～１００質量％が好ましく、８０～１００質量％がより好ましく、９０～１００質量％が更に好ましく、９５～１００質量％が特に好ましい。
有機系現像液に対する有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、５０～１００質量％が好ましく、８０～１００質量％がより好ましく、９０～１００質量％が更に好ましく、９５～１００質量％が特に好ましい。
【0237】
有機系現像液は、必要に応じて公知の界面活性剤を適当量含んでいてもよい。
【0238】
界面活性剤の含有量は現像液の全量に対して、通常０．００１～５質量％であり、０．００５～２質量％が好ましく、０．０１～０．５質量％がより好ましい。
【0239】
有機系現像液は、上述した酸拡散制御剤を含んでいてもよい。
【0240】
現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、又は一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）等が挙げられる。
【0241】
アルカリ水溶液を用いて現像を行う工程（アルカリ現像工程）、及び有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（有機溶剤現像工程）を組み合わせてもよい。これにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、より微細なパターンを形成できる。
【0242】
（ｉｉｉ）現像工程の後に、リンス液を用いて洗浄する工程（リンス工程）を含むことが好ましい。
【0243】
アルカリ現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、例えば純水を使用できる。純水は、界面活性剤を適当量含んでいてもよい。この場合、現像工程又はリンス工程の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を追加してもよい。更に、リンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する水分を除去するために加熱処理を行ってもよい。
【0244】
有機溶剤を含む現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、パターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用できる。リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含むリンス液を用いることが好ましい。
炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものが挙げられる。
この場合のリンス工程に用いるリンス液としては、１価アルコールを含むリンス液がより好ましい。
炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものが挙げられる。
この場合のリンス工程に用いるリンス液としては、１価アルコールを含むリンス液がより好ましい。
【0245】
リンス工程で用いられる１価アルコールとしては、直鎖状、分岐鎖状、又は環状の１価アルコールが挙げられる。具体的には、１－ブタノール、２－ブタノール、３－メチル－１－ブタノール、ｔｅｒｔ―ブチルアルコール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、１－ヘキサノール、４－メチル－２－ペンタノール、１－ヘプタノール、１－オクタノール、２－ヘキサノール、シクロペンタノール、２－ヘプタノール、２－オクタノール、３－ヘキサノール、３－ヘプタノール、３－オクタノール、４－オクタノール、及びメチルイソブチルカルビノールが挙げられる。炭素数５以上の１価アルコールとしては、１－ヘキサノール、２－ヘキサノール、４－メチル－２－ペンタノール、１－ペンタノール、３－メチル－１－ブタノール、及びメチルイソブチルカルビノール等が挙げられる。
【0246】
各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合して使用してもよい。
リンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。含水率を１０質量％以下とすることで、良好な現像特性が得られる。
リンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。含水率を１０質量％以下とすることで、良好な現像特性が得られる。
【0247】
リンス液は、界面活性剤を適当量含んでいてもよい。
リンス工程においては、有機系現像液を用いる現像を行った基板を、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に制限されないが、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、又は基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。中でも、回転塗布法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２，０００～４，０００ｒｐｍの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。この加熱工程によりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程において、加熱温度は通常４０～１６０℃であり、７０～９５℃が好ましく、加熱時間は通常１０秒～３分であり、３０秒～９０秒が好ましい。
リンス工程においては、有機系現像液を用いる現像を行った基板を、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に制限されないが、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、又は基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。中でも、回転塗布法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２，０００～４，０００ｒｐｍの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。この加熱工程によりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程において、加熱温度は通常４０～１６０℃であり、７０～９５℃が好ましく、加熱時間は通常１０秒～３分であり、３０秒～９０秒が好ましい。
【0248】
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、本発明のパターン形成方法において使用される各種材料（例えば、レジスト溶剤、現像液、リンス液、反射防止膜形成用組成物、又はトップコート形成用組成物等）は、金属成分、異性体、及び残存モノマー等の不純物を含まないことが好ましい。上記の各種材料に含まれるこれらの不純物の含有量としては、１ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｔ以下がより好ましく、１０ｐｐｔ以下が更に好ましく、実質的に含まないこと（測定装置の検出限界以下であること）が特に好ましい。
【0249】
上記各種材料から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過が挙げられる。フィルター孔径としては、ポアサイズ１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましく、３ｎｍ以下が更に好ましい。フィルターの材質としては、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルターを使用する場合は、孔径及び／又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用してもよい。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であってもよい。フィルターとしては、日本国特許出願公開第２０１６－２０１４２６号明細書（特開２０１６－２０１４２６）に開示されるような溶出物が低減されたものが好ましい。
フィルター濾過のほか、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材を組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル若しくはゼオライト等の無機系吸着材、又は活性炭等の有機系吸着材を使用できる。金属吸着剤としては、例えば、日本国特許出願公開第２０１６－２０６５００号明細書（特開２０１６－２０６５００）に開示されるものが挙げられる。
また、上記各種材料に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、又は装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法が挙げられる。レジスト成分の各種材料（樹脂及び光酸発生剤等）を合成する製造設備の全工程にグラスライニングの処理を施すことも、ｐｐｔオーダーまで金属等の不純物を低減するために好ましい。各種材料を構成する原料に対して行うフィルター濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。
フィルター濾過のほか、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材を組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル若しくはゼオライト等の無機系吸着材、又は活性炭等の有機系吸着材を使用できる。金属吸着剤としては、例えば、日本国特許出願公開第２０１６－２０６５００号明細書（特開２０１６－２０６５００）に開示されるものが挙げられる。
また、上記各種材料に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、又は装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法が挙げられる。レジスト成分の各種材料（樹脂及び光酸発生剤等）を合成する製造設備の全工程にグラスライニングの処理を施すことも、ｐｐｔオーダーまで金属等の不純物を低減するために好ましい。各種材料を構成する原料に対して行うフィルター濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。
【0250】
上記の各種材料は、不純物の混入を防止するために、米国特許出願公開第２０１５／０２２７０４９号明細書、日本国特許出願公開第２０１５－１２３３５１号明細書（特開２０１５－１２３３５１）等に記載された容器に保存されることが好ましい。
【0251】
本発明のパターン形成方法により形成されるパターンに、パターンの表面荒れを改善する方法を適用してもよい。パターンの表面荒れを改善する方法としては、例えば、米国特許出願公開第２０１５／０１０４９５７号明細書に開示された、水素を含むガスのプラズマによってパターンを処理する方法が挙げられる。その他にも、日本国特許出願公開第２００４－２３５４６８号明細書（特開２００４－２３５４６８）、米国特許出願公開第２０１０／００２０２９７号明細書、Ｐｒｏｃ． ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．８３２８ ８３２８０Ｎ－１“ＥＵＶ Ｒｅｓｉｓｔ Ｃｕｒｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ＬＷＲ Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｅｔｃｈ Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ”に記載されるような公知の方法を適用してもよい。
また、上記の方法によって形成されたパターンは、例えば日本国特許出願公開第１９９１－２７０２２７号明細書（特開平３－２７０２２７）及び米国特許出願公開第２０１３／０２０９９４１号明細書に開示されたスペーサープロセスの芯材（Ｃｏｒｅ）として使用できる。
また、上記の方法によって形成されたパターンは、例えば日本国特許出願公開第１９９１－２７０２２７号明細書（特開平３－２７０２２７）及び米国特許出願公開第２０１３／０２０９９４１号明細書に開示されたスペーサープロセスの芯材（Ｃｏｒｅ）として使用できる。
【0252】
〔電子デバイスの製造方法〕
また、本発明は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法にも関する。本発明の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイスは、電気電子機器（例えば、家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）関連機器、メディア関連機器、光学用機器、及び通信機器等）に、好適に搭載される。
また、本発明は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法にも関する。本発明の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイスは、電気電子機器（例えば、家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）関連機器、メディア関連機器、光学用機器、及び通信機器等）に、好適に搭載される。
【0253】
〔化合物〕
また、本発明は、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物にも関する。
一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物の具体的な態様については、上述した通りである。
また、本発明は、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物にも関する。
一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物の具体的な態様については、上述した通りである。
【実施例】
【0254】
以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により制限的に解釈されるべきものではない。
【0255】
〔感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製〕
以下に、第３表に示す感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれる各種成分を示す。
＜樹脂（ＡＸ１）＞
第３表に示される樹脂（Ａ１～Ａ６）を以下に示す。
なお、樹脂Ａ１～Ａ６の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）はＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、樹脂の組成比（モル％比）は、１３Ｃ－ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance）により測定した。
以下に、第３表に示す感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれる各種成分を示す。
＜樹脂（ＡＸ１）＞
第３表に示される樹脂（Ａ１～Ａ６）を以下に示す。
なお、樹脂Ａ１～Ａ６の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）はＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、樹脂の組成比（モル％比）は、１３Ｃ－ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance）により測定した。
【0256】
【化34】
【0257】
＜酸発生剤（Ｂ）＞
第３表に示される酸発生剤（Ｂ）（化合物Ｂ１～Ｂ１０）（酸発生剤Ｘに該当）の構造を以下に示す。
第３表に示される酸発生剤（Ｂ）（化合物Ｂ１～Ｂ１０）（酸発生剤Ｘに該当）の構造を以下に示す。
【0258】
【化35】
【0259】
第１表に、上述した酸発生剤（Ｂ）（化合物Ｂ１～Ｂ１０）から発生する酸のｐＫａを示す。ｐＫａの測定は、上述した方法により行った。
【0260】
【表1】
【0261】
＜酸拡散制御剤＞
（一般式（１）で表される化合物（Ｃ））
第３表に示される一般式（１）で表される化合物（化合物Ｃ１～Ｃ１８）の構造を以下に示す。また、併せて、化合物Ｃ１の合成例を一例として示す。
（一般式（１）で表される化合物（Ｃ））
第３表に示される一般式（１）で表される化合物（化合物Ｃ１～Ｃ１８）の構造を以下に示す。また、併せて、化合物Ｃ１の合成例を一例として示す。
【0262】
≪合成例１：化合物Ｃ１の合成≫
容器内に入れたＴＨＦ（２０ｍＬ）に、２－ヨード安息香酸エチル（３．３ｇ）を溶解させた後、内温を－１０℃まで冷却した。次いで、冷却した混合液に、内温が０℃を超えないように、イソプロピルマグネシウムクロリド－塩化リチウム錯体（ＴＨＦ溶液、１１．９ｇ）を滴下後、－１０℃で３０分撹拌した（反応液１)。
容器内に入れたＴＨＦ（２０ｍＬ）に、ジフェニルスルホキシド（３．２ｇ）を溶解させた後、内温を－１０℃まで冷却した。次いで、冷却した混合液に、内温が０℃を超えないように、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（３．４ｇ）を滴下後、０℃で３０分撹拌した（反応液２)。
続いて、反応液２を収容した容器内に、内温が０℃を越えないように反応液１を滴下した後、室温で１２時間反応させた。得られた反応液に、塩化メチレン（１００ｍＬ）と蒸留水（１００ｍＬ）を添加し、分液した。次いで、抽出した有機層を蒸留水（５０ｍＬ）で４回洗浄した後、溶媒を留去した。更に、得られた残渣をカラムで精製することで、精製物を得た。
上記工程により得られた精製物を、塩化メチレン（１６ｍＬ）に溶解後、更に０．２規定水酸化ナトリウム（１６ｍＬ）を添加し、４０℃で４時間反応させた。得られた反応液を分液し、水層を塩化メチレン（１５ｍＬ）で５回抽出した後、溶媒を留去した。得られた固体をジイソプロピルエーテル（５ｍＬ）で洗浄後、溶媒を除去し、乾燥させることで、Ｃ１（０．２６ｇ）を得た。
容器内に入れたＴＨＦ（２０ｍＬ）に、２－ヨード安息香酸エチル（３．３ｇ）を溶解させた後、内温を－１０℃まで冷却した。次いで、冷却した混合液に、内温が０℃を超えないように、イソプロピルマグネシウムクロリド－塩化リチウム錯体（ＴＨＦ溶液、１１．９ｇ）を滴下後、－１０℃で３０分撹拌した（反応液１)。
容器内に入れたＴＨＦ（２０ｍＬ）に、ジフェニルスルホキシド（３．２ｇ）を溶解させた後、内温を－１０℃まで冷却した。次いで、冷却した混合液に、内温が０℃を超えないように、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（３．４ｇ）を滴下後、０℃で３０分撹拌した（反応液２)。
続いて、反応液２を収容した容器内に、内温が０℃を越えないように反応液１を滴下した後、室温で１２時間反応させた。得られた反応液に、塩化メチレン（１００ｍＬ）と蒸留水（１００ｍＬ）を添加し、分液した。次いで、抽出した有機層を蒸留水（５０ｍＬ）で４回洗浄した後、溶媒を留去した。更に、得られた残渣をカラムで精製することで、精製物を得た。
上記工程により得られた精製物を、塩化メチレン（１６ｍＬ）に溶解後、更に０．２規定水酸化ナトリウム（１６ｍＬ）を添加し、４０℃で４時間反応させた。得られた反応液を分液し、水層を塩化メチレン（１５ｍＬ）で５回抽出した後、溶媒を留去した。得られた固体をジイソプロピルエーテル（５ｍＬ）で洗浄後、溶媒を除去し、乾燥させることで、Ｃ１（０．２６ｇ）を得た。
【0263】
また、上記化合物Ｃ１の合成例と同様の操作を行い、後掲の化合物Ｃ２～Ｃ２４を合成した。
【0264】
【化36】
【0265】
（比較用酸拡散制御剤（Ｄ））
第３表に示される比較用酸拡散制御剤（化合物Ｄ１～Ｄ４）の構造を以下に示す。
第３表に示される比較用酸拡散制御剤（化合物Ｄ１～Ｄ４）の構造を以下に示す。
【0266】
【化37】
【0267】
（酸拡散制御剤のｐＫａ）
第２表に、化合物Ｃ１～Ｃ２４から発生する酸のｐＫａ、及び化合物Ｄ１～Ｄ４から発生する酸のｐＫａを示す。ｐＫａの測定は、上述した方法により行った。
第２表に、化合物Ｃ１～Ｃ２４から発生する酸のｐＫａ、及び化合物Ｄ１～Ｄ４から発生する酸のｐＫａを示す。ｐＫａの測定は、上述した方法により行った。
【0268】
【表2】
【0269】
＜感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製＞
第３表に示した各成分を固形分濃度が３．３質量％となるように混合した。次いで、得られた混合液を、最初に孔径５０ｎｍのポリエチレン製フィルター、次に孔径１０ｎｍのナイロン製フィルター、最後に孔径５ｎｍのポリエチレン製フィルターの順番で濾過することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製した。なお、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物において、固形分とは、溶剤（Ｆ）以外の全ての成分を意味する。得られた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を、実施例及び比較例で使用した。
第３表に示した各成分を固形分濃度が３．３質量％となるように混合した。次いで、得られた混合液を、最初に孔径５０ｎｍのポリエチレン製フィルター、次に孔径１０ｎｍのナイロン製フィルター、最後に孔径５ｎｍのポリエチレン製フィルターの順番で濾過することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製した。なお、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物において、固形分とは、溶剤（Ｆ）以外の全ての成分を意味する。得られた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を、実施例及び比較例で使用した。
【0270】
〔パターン形成及び各種評価〕
＜パターン形成１：ＡｒＦ液浸露光、有機溶剤現像＞
シリコンウエハ上に有機反射防止膜形成用組成物ＡＲＣ２９ＳＲ（日産化学社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間加熱を行い、膜厚９５ｎｍの反射防止膜を形成した。得られた反射防止膜上に、実施例及び比較例の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、１００℃で６０秒間加熱（ＰＢ：Ｐｒｅｂａｋｅ）を行い、膜厚８５ｎｍのレジスト膜を形成した。
上記の手順により得られたシリコンウエハ上のレジスト膜を、ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｃ－Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．９００、インナーシグマ０．８１２、ＸＹ偏向）を用いて、線幅４４ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの６％ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を用いた。その後、露光後のレジスト膜を１０５℃で６０秒間加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）した後、ネガ型現像液（有機系現像液、酢酸ブチル）を用いて３０秒間パドル法で現像し、更に、リンス液（メチルイソブチルカルビノール（ＭＩＢＣ））を用いて３０秒間パドル法でリンスした。続いて、このシリコンウエハを４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間スピン乾燥させて、線幅４４ｎｍの１：１ラインアンドスペースのパターンを形成した。
＜パターン形成１：ＡｒＦ液浸露光、有機溶剤現像＞
シリコンウエハ上に有機反射防止膜形成用組成物ＡＲＣ２９ＳＲ（日産化学社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間加熱を行い、膜厚９５ｎｍの反射防止膜を形成した。得られた反射防止膜上に、実施例及び比較例の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、１００℃で６０秒間加熱（ＰＢ：Ｐｒｅｂａｋｅ）を行い、膜厚８５ｎｍのレジスト膜を形成した。
上記の手順により得られたシリコンウエハ上のレジスト膜を、ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｃ－Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．９００、インナーシグマ０．８１２、ＸＹ偏向）を用いて、線幅４４ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの６％ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を用いた。その後、露光後のレジスト膜を１０５℃で６０秒間加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）した後、ネガ型現像液（有機系現像液、酢酸ブチル）を用いて３０秒間パドル法で現像し、更に、リンス液（メチルイソブチルカルビノール（ＭＩＢＣ））を用いて３０秒間パドル法でリンスした。続いて、このシリコンウエハを４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間スピン乾燥させて、線幅４４ｎｍの１：１ラインアンドスペースのパターンを形成した。
【0271】
＜性能評価：ＬＷＲ性能（ｎｍ）＞
得られた４４ｎｍの１：１ラインアンドスペースのパターンに対して、測長走査型電子顕微鏡（日立製作所社製、Ｓ－８８４０）を使用してパターン上部から観察した。この際、ラインパターンの長手方向のエッジ２μｍの範囲について、線幅を５０ポイント測定し、測定された線幅の測定ばらつきについて標準偏差（３σ）を算出した。標準偏差（３σ）の値が小さいほどＬＷＲ性能が良好なパターンであることを示す。
なお、ＬＷＲ性能の評価は、下記５段階の基準に基づいて実施した。評価結果を第３表に示す。
得られた４４ｎｍの１：１ラインアンドスペースのパターンに対して、測長走査型電子顕微鏡（日立製作所社製、Ｓ－８８４０）を使用してパターン上部から観察した。この際、ラインパターンの長手方向のエッジ２μｍの範囲について、線幅を５０ポイント測定し、測定された線幅の測定ばらつきについて標準偏差（３σ）を算出した。標準偏差（３σ）の値が小さいほどＬＷＲ性能が良好なパターンであることを示す。
なお、ＬＷＲ性能の評価は、下記５段階の基準に基づいて実施した。評価結果を第３表に示す。
【0272】
（評価基準）
「５」：ＬＷＲ＜３．０ｎｍ
「４」：３．０ｎｍ≦ＬＷＲ＜４．０ｎｍ
「３」：４．０ｎｍ≦ＬＷＲ＜５．０ｎｍ
「２」：５．０ｎｍ≦ＬＷＲ＜６．０ｎｍ
「１」：６．０ｎｍ≦ＬＷＲ
「５」：ＬＷＲ＜３．０ｎｍ
「４」：３．０ｎｍ≦ＬＷＲ＜４．０ｎｍ
「３」：４．０ｎｍ≦ＬＷＲ＜５．０ｎｍ
「２」：５．０ｎｍ≦ＬＷＲ＜６．０ｎｍ
「１」：６．０ｎｍ≦ＬＷＲ
【0273】
＜パターン形成２：ＡｒＦ液浸露光、有機溶剤現像＞
シリコンウエハ上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９ＳＲ（Ｂｒｅｗｅｒ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークを行い膜厚９８ｎｍの反射防止膜を形成し、その上に、実施例及び比較例の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、１００℃で６０秒間に亘ってベークを行い、膜厚９０ｎｍのレジスト膜を形成した。
上記の手順により得られたレジスト膜を形成したウエハをＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ａｐｅｒｔｕｒｅ）１．２０、Ｃ－Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．９８、インナーシグマ０．８９、ＸＹ偏向）を用い、直径４５ｎｍのコンタクトホールパターンを、６％ハーフトーンマスクを介して露光した。上述のパターンサイズになる露光量を、最適露光量とした。液浸液としては超純水を使用した。その後ＰＥＢ温度を９０℃に設定した温度で加熱した後、有機現像液である酢酸ブチルで３０秒間現像し、スピン乾燥してホールパターンを得た。
シリコンウエハ上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９ＳＲ（Ｂｒｅｗｅｒ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークを行い膜厚９８ｎｍの反射防止膜を形成し、その上に、実施例及び比較例の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、１００℃で６０秒間に亘ってベークを行い、膜厚９０ｎｍのレジスト膜を形成した。
上記の手順により得られたレジスト膜を形成したウエハをＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ａｐｅｒｔｕｒｅ）１．２０、Ｃ－Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．９８、インナーシグマ０．８９、ＸＹ偏向）を用い、直径４５ｎｍのコンタクトホールパターンを、６％ハーフトーンマスクを介して露光した。上述のパターンサイズになる露光量を、最適露光量とした。液浸液としては超純水を使用した。その後ＰＥＢ温度を９０℃に設定した温度で加熱した後、有機現像液である酢酸ブチルで３０秒間現像し、スピン乾燥してホールパターンを得た。
【0274】
＜性能評価：ＣＤＵ性能（ｎｍ）＞
上記最適露光量（Ｅｏｐｔ）で露光された１ショット内において、互いの間隔が１μｍの２０箇所の領域において、各領域ごとに任意の２５個（すなわち、計５００個）のホールサイズを測定し、これらの標準偏差（σ）を求め、３σを算出した。値が小さいほど寸法のばらつきが小さく、良好な性能であることを示す。
なお、ＣＤＵ性能の評価は、下記５段階の基準に基づいて実施した。評価結果を第３表に示す。
上記最適露光量（Ｅｏｐｔ）で露光された１ショット内において、互いの間隔が１μｍの２０箇所の領域において、各領域ごとに任意の２５個（すなわち、計５００個）のホールサイズを測定し、これらの標準偏差（σ）を求め、３σを算出した。値が小さいほど寸法のばらつきが小さく、良好な性能であることを示す。
なお、ＣＤＵ性能の評価は、下記５段階の基準に基づいて実施した。評価結果を第３表に示す。
【0275】
（評価基準）
「５」：ＣＤＵ＜４．０ｎｍ
「４」：４．０ｎｍ≦ＣＤＵ＜４．５ｎｍ
「３」：４．５ｎｍ≦ＣＤＵ＜５．０ｎｍ
「２」：５．０ｎｍ≦ＣＤＵ＜６．０ｎｍ
「１」：６．０ｎｍ≦ＣＤＵ
「５」：ＣＤＵ＜４．０ｎｍ
「４」：４．０ｎｍ≦ＣＤＵ＜４．５ｎｍ
「３」：４．５ｎｍ≦ＣＤＵ＜５．０ｎｍ
「２」：５．０ｎｍ≦ＣＤＵ＜６．０ｎｍ
「１」：６．０ｎｍ≦ＣＤＵ
【0276】
なお、第３表において、各成分の含有量(質量％)は、全固形分に対する含有量を意味する。
また、第３表において、「ｐＫａ（Ｂ）」とは、酸発生剤（Ｂ）（化合物Ｂ１～Ｂ１０）から発生する酸のｐＫａに該当する（第１表に掲載したものと同じである）。
また、第３表において、「ｐＫａ（Ａ１）」及び「ｐＫａ（Ａ２）」とは、一般式（１）で表される化合物（化合物Ｃ１～Ｃ２４）から発生する酸のｐＫａ、及び比較用酸拡散制御剤（化合物Ｄ１～Ｄ４）から発生する酸のｐＫａにそれぞれ該当する（第２表に掲載したものと同じである）。
また、第３表において、「ｐＫａ（Ｂ）」とは、酸発生剤（Ｂ）（化合物Ｂ１～Ｂ１０）から発生する酸のｐＫａに該当する（第１表に掲載したものと同じである）。
また、第３表において、「ｐＫａ（Ａ１）」及び「ｐＫａ（Ａ２）」とは、一般式（１）で表される化合物（化合物Ｃ１～Ｃ２４）から発生する酸のｐＫａ、及び比較用酸拡散制御剤（化合物Ｄ１～Ｄ４）から発生する酸のｐＫａにそれぞれ該当する（第２表に掲載したものと同じである）。
【0277】
【表3】
【0278】
第３表の結果から、実施例の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によれば、形成されるパターンのＬＷＲ及びＣＤＵがいずれも優れていることが確認された。
また、実施例１、４、１０、及び１２の対比から、一般式（１）で表される化合物において、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも１つ以上が無置換の単環芳香族炭化水素基である場合（言い換えると、一般式（２）で表される化合物において、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であるか、又は、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方が無置換の単環芳香族炭化水素基である場合（実施例１、４、及び１０と、実施例１２との対比））、形成されるパターンのＬＷＲ及びＣＤＵがいずれもより優れていることが確認された。
また、実施例１、４、１０、及び１２の対比から、一般式（１）で表される化合物において、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも１つ以上が無置換の単環芳香族炭化水素基である場合（言い換えると、一般式（２）で表される化合物において、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であるか、又は、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方が無置換の単環芳香族炭化水素基である場合（実施例１、４、及び１０と、実施例１２との対比））、形成されるパターンのＬＷＲ及びＣＤＵがいずれもより優れていることが確認された。
【0279】
また、実施例１、４、１０、及び１２の対比から、一般式（１）で表される化合物において、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも２つ以上が無置換の単環芳香族炭化水素基である場合（言い換えると、一般式（２）で表される化合物において、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３の一方が無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、Ａｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基であるか、又は、Ｒ１～Ｒ４が全て水素原子であり且つＡｒ２及びＡｒ３がいずれも無置換の単環芳香族炭化水素基である場合（実施例１及び４と、実施例１０及び１２との対比））、形成されるパターンのＬＷＲ及びＣＤＵがいずれもより優れていることが確認された。
【0280】
また、実施例１と実施例１３及び１４との対比から、一般式（１）で表される化合物において、Ｌ１～Ｌ３が単結合である場合、形成されるパターンのＬＷＲ及びＣＤＵがいずれもより優れていることが確認された。
また、実施例１、２、及び１５～１８の対比から、一般式（１）で表される化合物において、Ａ１が、－Ｌ１－ＣＯ２ －、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１である場合、形成されるパターンのＬＷＲ及びＣＤＵがいずれもより優れていることが確認された。
また、実施例１、２、及び１５～１８の対比から、一般式（１）で表される化合物において、Ａ１が、－Ｌ１－ＣＯ２ －、又は－Ｌ３－Ｘ１－Ｎ－－Ｙ１である場合、形成されるパターンのＬＷＲ及びＣＤＵがいずれもより優れていることが確認された。
【0281】
また、実施例１と実施例１９及び実施例２０との対比から、一般式（１）で表される化合物が、一般式（２）で表される化合物である場合、形成されるパターンのＬＷＲ及びＣＤＵがいずれもより優れていることが確認された。
【0282】
また、実施例２１と実施例２２との対比から、一般式（１）で表される化合物において、Ａｒ１が非芳香性の置換基を有する場合、形成されるパターンのＬＷＲ及びＣＤＵがいずれもより優れていることが確認された。
【0283】
一方、比較例の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物では、所望の要求を満たさなかった。