特許7006788IP Force 特許公報全文掲載

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シリコン融液の対流パターン制御方法、および、シリコン単結晶の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献１のような方法を用いても、シリコン単結晶ごとの酸素濃度がばらつく場合があった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明のシリコン融液の対流パターン制御方法は、シリコン単結晶の製造に用いるシリコン融液の対流パターン制御方法であって、無磁場状態において回転している石英ルツボ内のシリコン融液表面における前記石英ルツボの回転中心と重ならない第１の計測点の温度を取得する工程と、前記第１の計測点の温度が周期変化になっていることを確認する工程と、前記第１の計測点の温度変化が所定の状態になったタイミングで、磁場印加部・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の第１の実施の形態に係る引き上げ装置の構造を示す模式図。
【図2】 前記第１の実施の形態における水平磁場の印加状態および計測点の位置を示す模式図。
【図3】 前記第１の実施の形態および本発明の第２の実施の形態における温度計測部の配置状態を示す模式図。
【図4】 前記第１，第２の実施の形態における引き上げ装置の要部のブロック図。
【図5A】 前記第１，第２の実施の形態における水平磁場の印加方向とシリコン融液の対流の方向との関係を示す模式図であり、右回りの対流を表す。
【図5B】 前記第１，第２の実施の形態における水平磁場の印加方向とシリコン融液の対流の方向との関係を示す模式図であり、左回りの対流を表す。
【図6】 前記第１，第２の実施の形態におけるシリコン融液の対流の変化を示す模式図。
【図7】 前記第１，第２の実施の形態における第１～第３の計測点の温度変化とシリコン融液表面の温度分布との関係を示す模式図。
【図8】 前記第１，第２の実施の形態におけるシリコン単結晶の製造方法を示すフローチャート。
【図9】 前記第１，第２の実施の形態におけるシリコン単結晶の製造方法を示す説明図。
【図10】 前記第２の実施の形態に係る引き上げ装置の構造を示す模式図。
【図11】 前記第２の実施の形態および本発明の変形例における水平磁場の印加状態および計測点の位置を示す模式図。
【図12】 本発明の実施例の実験１における各時間での第１～第３の計測点の温度および磁場強度の関係を示すグラフ。
【図13】 本発明の実施例の実験２における各時間での第１の計測点の温度および水平磁場を印加するタイミングの関係を示すグラフ。

代表図 図1本件の代表的な図

１…引き上げ装置、２…チャンバ、３Ａ…石英ルツボ、８…種結晶、９…シリコン融液、９Ｆ…第１の仮想線、９Ｇ，９Ｈ…第２の仮想線、１０…シリコン単結晶、１４…磁場印加部、１４Ｃ…磁力線、９０…対流、Ｐ１，Ｐ２…第１，第２の計測点。

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