特許 7008863 プリウェットモジュール、脱気液循環システム、およびプリウェット方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-01-13

(45)【発行日】2022-01-25

(54)【発明の名称】プリウェットモジュール、脱気液循環システム、およびプリウェット方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20220118BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20220118BHJP

   C25D 17/00 20060101ALI20220118BHJP

   C25D 17/06 20060101ALI20220118BHJP

   C25D 21/08 20060101ALI20220118BHJP

   C25D 21/12 20060101ALI20220118BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/304 642A

H01L21/304 643C

C25D17/00 K

C25D17/00 L

C25D17/06 C

C25D17/06 F

C25D21/08

C25D21/12 C

【請求項の数】 19

(21)【出願番号】P 2021154525

(22)【出願日】2021-09-22

【審査請求日】2021-09-22

(31)【優先権主張番号】P 2021549262

(32)【優先日】2021-05-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100146710

【弁理士】

【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男

(74)【代理人】

【識別番号】100186613

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(72)【発明者】

【氏名】関 正也

【審査官】馳平 憲一

(56)【参考文献】

【文献】実公昭３８－００７４１７（ＪＰ，Ｙ１）

【文献】特公昭４７－００３５２１（ＪＰ，Ｂ１）

【文献】実公昭５１－００８８９８（ＪＰ，Ｙ１）

【文献】特公昭４５－０３１７２６（ＪＰ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２５Ｄ ９／００－９／１２

１３／００－２１／２２

Ｂ６５Ｇ ４９／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

脱気液を収容するように構成された脱気槽と、
被処理面が上向きの基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズルを含む処理装置と、
前記脱気槽と前記処理装置との間に配置され、第１の基板を保持するように構成された第１の保持部材、および第２の基板を保持するように構成された第２の保持部材を有する基板ホルダと、
前記基板ホルダを回転および昇降するように構成された駆動機構と、を含み、
前記駆動機構は、
前記第１の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第１の状態と、前記第２の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第２の状態と、の間で前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、
前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含む、
めっき装置におけるプリウェットモジュール。

【請求項2】

前記処理装置のノズルは、前記第１の基板および前記第２の基板のいずれか一方が前記脱気槽内の脱気液に浸漬されているときに他方の基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されている、
請求項１に記載のプリウェットモジュール。

【請求項3】

前記第１の保持部材および前記第２の保持部材は、前記第１の基板の被処理面および前記第２の基板の被処理面が互いに鉛直方向の反対に向くように前記第１の基板および前記第２の基板を保持するように構成され、
前記ノズルは、被処理面が鉛直方向の上向きに保持された基板に対して洗浄液を供給するように構成される、
請求項１または２に記載のプリウェットモジュール。

【請求項4】

前記基板ホルダは、前記脱気槽の上部に形成された開口よりも大きな外縁を有し前記ノズルと前記開口との間を遮蔽するように構成された遮蔽部材を含む、
請求項１から３のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。

【請求項5】

脱気液を収容するように構成された脱気槽と、
第１の基板を保持するように構成された第１の保持部材、第２の基板を保持するように構成された第２の保持部材、第３の基板を保持するように構成された第３の保持部材、および第４の基板を保持するように構成された第４の保持部材、を有し、前記第１の保持部材から前記第４の保持部材は、前記第１の基板から前記第４の基板の被処理面がそれぞれ鉛直方向の反対および水平方向の反対に向くように前記第１の基板から前記第４の基板を保持するように構成されている、基板ホルダと、
前記基板ホルダを回転および昇降するように構成された駆動機構と、を含み、
前記駆動機構は、
前記第１の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第１の状態と、前記第２の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第２の状態と、前記第３の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第３の状態と、前記第４の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第４の状態と、の間で前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、
前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含み、
前記第１の基板から前記第４の基板のいずれか１つが前記脱気槽内の脱気液に浸漬されているときに他の基板に対して所定の処理を行うように構成された処理装置をさらに含む、
めっき装置におけるプリウェットモジュール。

【請求項6】

前記第１の保持部材から前記第４の保持部材はそれぞれ、前記第１の基板から前記第４の基板の被処理面が水平方向に向いたときに当該基板の被処理面が前記脱気槽の上部に形成された開口の外側に位置するように前記第１の基板から前記第４の基板を保持するように構成され、
前記処理装置は、被処理面が水平方向に向いた状態の基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズルを含む、
請求項５に記載のプリウェットモジュール。

【請求項7】

前記脱気槽は、前記脱気槽から脱気液を溢れ出させるための複数のオーバーフロー口を有し、
前記複数のオーバーフロー口は、前記脱気槽の側壁に周方向に沿って等間隔に形成される、
請求項１から６のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。

【請求項8】

前記脱気槽は、前記脱気槽の底壁の中央に形成された脱気液の注入口を有する、
請求項１から７のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。

【請求項9】

前記脱気槽内に浸漬された基板と前記注入口との間に配置された、複数の貫通穴を有する整流部材をさらに含む、
請求項８に記載のプリウェットモジュール。

【請求項10】

前記脱気槽内に浸漬された基板に対向して配置された撮像部材と、
前記撮像部材によって撮像された画像の輝度に基づいて前記脱気槽内の基板の被処理面の脱気状態を判定するように構成された判定装置と、
をさらに含む、
請求項１から９のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。

【請求項11】

前記撮像部材を前記基板の被処理面に沿った方向に移動させるための駆動部材、
をさらに含む、
請求項１０に記載のプリウェットモジュール。

【請求項12】

前記脱気槽内に浸漬された基板に対向して配置された攪拌部材と、
前記攪拌部材を前記基板の被処理面に沿って往復移動させるための駆動部材と、
をさらに含む、
請求項１から１１のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。

【請求項13】

前記基板ホルダによって保持された基板が基板の中心を通る軸の周りに回転するように前記第１の保持部材および前記第２の保持部材の少なくとも一方を回転させるための回転駆動部材をさらに含む、
請求項１から１２のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。

【請求項14】

請求項１から１３のいずれか一項に記載のプリウェットモジュールを複数備えるめっき装置における脱気液循環システムであって、
前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、前記複数のプリウェットモジュールから溢れ出た脱気液を受け入れる循環槽と、
前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、脱気液に対する脱気処理を行うための脱気装置と、
前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、前記循環槽から前記脱気装置を介して前記複数のプリウェットモジュールに脱気液を圧送するための圧送部材と、
前記脱気装置と前記複数のプリウェットモジュールとを結ぶ配管から分岐して前記循環槽に接続されたパイパス配管と、
を含む、脱気液循環システム。

【請求項15】

前記循環槽は、前記複数のプリウェットモジュールから溢れ出た脱気液を前記循環槽内に受け入れる第１の受け入れ口と、前記パイパス配管を介して圧送された脱気液を前記循環槽内に受け入れる第２の受け入れ口と、前記循環槽内の脱気液を前記脱気装置へ排出するための排出口と、を有し、
前記第１の受け入れ口および前記第２の受け入れ口は、前記循環槽の第１の側壁の近傍に配置され、前記排出口は、前記循環槽の前記第１の側壁と対向する第２の側壁の近傍に配置される、
請求項１４に記載の脱気液循環システム。

【請求項16】

第１の基板を第１の位置に配置し、前記第１の基板の被処理面を下向きで脱気液に浸漬させて脱気処理する第１の脱気ステップと、
前記第１の脱気ステップの実行と並行して、第２の基板を第２の位置に配置し、前記第２の基板の被処理面を上向きにした状態で前記第２の基板の被処理面に洗浄液を供給する第１の洗浄ステップと、
前記第１の脱気ステップおよび前記第１の洗浄ステップの後に、前記第２の基板を前記第１の位置に配置するように、前記第１の基板および前記第２の基板を回転させる回転ステップと、
前記回転ステップの後に、前記第２の基板の被処理面を下向きで脱気液に浸漬させて脱気処理する第２の脱気ステップと、
前記第２の脱気ステップの実行と並行して、前記第２の位置で第３の基板の被処理面を上向きにした状態で前記第３の基板の被処理面に洗浄液を供給する第２の洗浄ステップと、
を含む、めっき処理におけるプリウェット方法。

【請求項17】

前記第１の脱気ステップまたは前記第２の脱気ステップの実行と並行して、脱気液に浸漬された基板の被処理面の中央から放射方向に広がる脱気液の流れを形成するステップ、
をさらに含む、
請求項１６に記載のプリウェット方法。

【請求項18】

前記第１の脱気ステップまたは前記第２の脱気ステップの実行と並行して、脱気液に浸漬された基板の被処理面を撮像する撮像ステップと、
前記撮像ステップによって撮像された画像に基づいて前記基板の被処理面の脱気状態を判定する判定ステップと、
をさらに含む、
請求項１６または１７に記載のプリウェット方法。

【請求項19】

前記第１の脱気ステップまたは前記第２の脱気ステップの実行と並行して、脱気液を攪拌する攪拌ステップ、
をさらに含む、
請求項１６から１８のいずれか一項に記載のプリウェット方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、プリウェットモジュール、脱気液循環システム、およびプリウェット方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板（例えば半導体ウェハ）にめっき処理を行うためのめっき装置は、脱気処理などの各種の前処理を基板に対して行うプリウェットモジュールと、前処理が行われた基板にめっき処理を行うめっきモジュールと、を備えている。

【0003】

例えば特許文献１には、基板を保持したホルダをプリウェット槽内に配置し、基板の被処理面が露出する空間を真空引きしながら当該空間にプリウェット液を供給することによって前処理を実行するプリウェットモジュールが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１８－１０４７９９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、従来技術には、基板に効率よく前処理を行うことについて改善の余地がある。

【0006】

すなわち、従来技術は、基板ホルダに１枚の基板を保持してプリウェット槽内で前処理を行うように構成されているので、プリウェットモジュール内において基板の前処理は１枚ずつ順次行われる。したがって、例えばある基板に対して前処理を行っているときにはプリウェットモジュールはその基板に専有され、基板がプリウェットモジュールから搬出されてはじめて後続の基板をプリウェットモジュール内に搬入して前処理を行うことができるようになっている。その結果、従来技術は、プリウェットモジュールのスループットを向上させるという点に関して改善の余地がある。

【0007】

そこで、本願は、基板に効率よく前処理を行うことを１つの目的としている。

【課題を解決するための手段】

【0008】

一実施形態によれば、脱気液を収容するように構成された脱気槽と、被処理面が上向きの基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズルを含む処理装置と、前記脱気槽と前記処理装置との間に配置され、第１の基板を保持するように構成された第１の保持部材、および第２の基板を保持するように構成された第２の保持部材を有する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転および昇降するように構成された駆動機構と、を含み、前記駆動機構は、前記第１の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第１の状態と、前記第２の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第２の状態と、の間で前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含む、プリウェットモジュールが開示される。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。

【図2】図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。

【図3】図３は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。

【図4A】図４Ａは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。

【図4B】図４Ｂは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。

【図4C】図４Ｃは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。

【図4D】図４Ｄは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。

【図4E】図４Ｅは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。

【図4F】図４Ｆは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。

【図5】図５は、他の実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。

【図6】図６は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す斜視図である。

【図7】図７は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。

【図8】図８は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。

【図9】図９は、整流部材の一例を示す斜視図である。

【図10】図１０は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。

【図11】図１１は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。

【図12A】図１２Ａは、攪拌部材の構成を概略的に示す平面図である。

【図12B】図１２Ｂは、攪拌部材の構成を概略的に示す平面図である。

【図13】図１３は、一実施形態の脱気液循環システムの構成を概略的に示す図である。

【図14】図１４は、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

【0011】

＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

【0012】

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、および搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示し
ていない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。

【0013】

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。

【0014】

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

【0015】

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

【0016】

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

【0017】

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

【0018】

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に
乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。

【0019】

＜プリウェットモジュールの構成＞
次に、プリウェットモジュール２００の構成を説明する。本実施形態における２台のプリウェットモジュール２００は同一の構成であるので、１台のプリウェットモジュール２００のみを説明する。

【0020】

図３は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。図３に示すように、プリウェットモジュール２００は、脱気液（例えば脱気水）を収容するように構成された脱気槽２１０を備える。脱気槽２１０は、上面が開口しており、脱気液を貯留可能な形状を有する。脱気槽２１０内の空間は、鉛直方向に伸びる仕切り板２１２によって２つの領域に仕切られている。これにより、脱気槽２１０内は、基板ＷＦに対する脱気処理を行うための脱気領域２１４と、脱気領域２１４からオーバーフローした脱気液が貯められるように構成されたオーバーフロー領域２１６と、に仕切られる。

【0021】

プリウェットモジュール２００は、脱気槽２１０の上部に配置された基板ホルダ２２０を備える。基板ホルダ２２０は、前処理対象の基板ＷＦを保持するように構成される。基板ホルダ２２０は、円板形状の第１の基板ＷＦ－１を保持するように構成された円柱形状の第１の保持部材２２２と、円板形状の第２の基板ＷＦ－２を保持するように構成された円柱形状の第２の保持部材２２４と、を備える。第１の保持部材２２２および第２の保持部材２２４は、真空吸着などによって基板の被処理面の裏面を保持可能に構成される。本実施形態では、第１の保持部材２２２および第２の保持部材２２４は、第１の基板ＷＦ－１の被処理面ＷＦ－１ａおよび第２の基板ＷＦ－２の被処理面ＷＦ－２ａが互いに反対（図３の状態では鉛直方向の反対）に向くように第１の基板ＷＦ－１および第２の基板ＷＦ－２を保持するように構成される。なお、本実施形態では、「第１の基板ＷＦ－１」、および「第２の基板ＷＦ－２」などの記載を用いているが、これは単に異なる基板を区別するためであり、処理の順序を示すものではない。

【0022】

プリウェットモジュール２００は、基板ホルダ２２０を駆動するように構成された駆動機構２３０を備える。駆動機構２３０は、第１の基板ＷＦ－１と第２の基板ＷＦ－２が順次、脱気槽２１０内の脱気液に浸漬されるように基板ホルダ２２０を駆動する。駆動機構２３０は、具体的には、基板ホルダ２２０を回転させるように構成された回転機構２４０と、基板ホルダ２２０を昇降させるように構成された昇降機構２４８と、を備える。

【0023】

回転機構２４０は、基板ホルダ２２０から水平方向に伸びるシャフト２４２の軸周りに基板ホルダ２２０を回転可能に構成される。これにより、回転機構２４０は、第１の基板ＷＦ－１の被処理面ＷＦ－１ａが脱気槽２１０内の脱気液に対向する第１の状態と、第２の基板ＷＦ－２の被処理面ＷＦ－２ａが脱気槽２１０内の脱気液に対向する第２の状態と、の間で基板ホルダ２２０を回転させるように構成される。回転機構２４０は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。

【0024】

昇降機構２４８は、第１の状態から基板ホルダ２２０を下降させることによって第１の基板ＷＦ－１を脱気液に浸漬させることができ、第２の状態から基板ホルダ２２０を下降させることによって第２の基板ＷＦ－２を脱気液に浸漬させることができる。昇降機構２４８は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。本実施形態では、駆動機構２３０が回転機構２４０と昇降機構２４８とを備える例を示したが、この構成に限定されない。

【0025】

プリウェットモジュール２００は、第１の基板ＷＦ－１および第２の基板ＷＦ－２のいずれか一方が脱気槽２１０内の脱気液に浸漬されているときに他方の基板に所定の処理を行うように構成された処理装置２５８を備える。処理装置２５８は、本実施形態では、基板ホルダ２２０の上部に配置された基板ステーション２５０と、基板ステーション２５０の上部に配置された洗浄装置２６０と、を含む。

【0026】

基板ステーション２５０は、搬送装置７００との間で基板の受け渡しを行うとき、および、基板に対して後述する洗浄処理を行うときに、基板を保持するための部材である。基板ステーション２５０は、基板の被処理面の裏面を保持するための第１のアーム部材２５０－１および第２のアーム部材２５０－２を備える。第１のアーム部材２５０－１および第２のアーム部材２５０－２はそれぞれ、基板の被処理面の裏面の外縁を保持するための突起部材２５０ａを有する。第１のアーム部材２５０－１と第２のアーム部材２５０－２は水平方向に並べて離間して配置されている。第１のアーム部材２５０－１と第２のアーム部材２５０－２は、互いに近づく方向および離れる方向に移動可能になっている。第１のアーム部材２５０－１と第２のアーム部材２５０－２は、互いに近づいた基板保持位置にあるときに基板を保持するように構成される。

【0027】

洗浄装置２６０は、基板ステーション２５０に保持された基板と対向するように配置された円板形状の天井部材２６２と、天井部材２６２の下面の外縁に取り付けられた筒状の側壁部材２６４と、天井部材２６２の下面に取り付けられた複数のノズル２６８と、を備える。天井部材２６２の上面の中央には鉛直方向に伸びるシャフト２６６が取り付けられている。シャフト２６６および天井部材２６２には洗浄液（例えば純水）を通流させるための流路２６７が形成されており、流路２６７は複数のノズル２６８に連通している。複数のノズル２６８は、図示していない洗浄液源から流路２６７を介して送られた洗浄液を、基板ステーション２５０に保持された基板の被処理面に供給するように構成されている。プリウェットモジュール２００は、洗浄装置２６０を水平方向に駆動するための水平駆動部材２７０を備える。水平駆動部材２７０は、シャフト２６６に固定され水平方向に伸びるシャフト２７２を介して洗浄装置２６０を水平方向に移動させる。これにより、洗浄装置２６０は、基板の被処理面の全体を洗浄することができる。水平駆動部材２７０は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。

【0028】

図３の例では、複数のノズル２６８は、第１の基板ＷＦ－１が脱気槽２１０内の脱気液に浸漬されているときに、被処理面ＷＦ－２ａが鉛直方向の上向きに保持されている第２の基板ＷＦ－２の被処理面ＷＦ－２ａに洗浄液を供給するように構成される。なお、本実施形態では、基板ステーション２５０に保持された基板に対して洗浄処理を行う例を示したが、これに限定されず、第１の保持部材２２２または第２の保持部材２２４に保持された基板（被処理面が鉛直方向の上向きに保持された基板）に洗浄処理を行ってもよい。

【0029】

基板ホルダ２２０は、複数のノズル２６８と脱気槽２１０との間に配置された遮蔽部材２２５を有する。遮蔽部材２２５は、脱気槽２１０の上部に形成された開口２１０ａ（脱気領域２１４の上部開口）よりも大きな外縁を有し、複数のノズル２６８と開口２１０ａとの間を遮蔽するように構成された円板形状の部材である。遮蔽部材２２５を設けることによって、複数のノズル２６８から供給された洗浄液が脱気槽２１０（脱気領域２１４）内に落下することを防止することができる。

【0030】

本実施形態のプリウェットモジュール２００では、基板ホルダ２２０は、第１の保持部材２２２および第２の保持部材２２４を備えており、駆動機構２３０は、第１の基板ＷＦ－１と第２の基板ＷＦ－２が順次、脱気槽２１０内の脱気液に浸漬されるように基板ホルダ２２０を駆動するように構成されている。したがって、プリウェットモジュール２００
は、プリウェットモジュール２００内で、第１の基板ＷＦ－１と第２の基板ＷＦ－２に異なる処理（例えば洗浄処理と脱気処理）を並行して行うことができる。したがって、本実施形態によれば、基板に効率よく前処理を行うことができ、プリウェットモジュール２００のスループットを向上させることができる。

【0031】

なお、本実施形態では、脱気処理と並行して実行される処理装置２５８の一例として基板ステーション２５０および洗浄装置２６０を挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、プリウェットモジュール２００の後続のめっき処理において、基板の被処理面の外縁部には給電接点が接触するので、被処理面の外縁部が濡れていると基板への給電分布が不均一になり、その結果、めっき処理によって形成されるめっき膜厚が不均一になるおそれがある。そこで、処理装置２５８は、脱気処理が終了した基板の被処理面の外縁部を乾燥させる乾燥装置であってもよい。また、処理装置２５８は、脱気処理を行う前の基板の被処理面を親水性に改質するために、被処理面に対してＵＶ処理またはプラズマ処理を行うように構成された表面改質装置であってもよい。さらに、プリウェットモジュール２００には、洗浄装置２６０、基板ステーション２５０、乾燥装置、または表面改質装置などの処理装置が設けられていなくてもよい。この場合、例えば第１の基板の脱気処理と並行して、第２の基板を第２の保持部材２２４に保持させる処理（基板の受け渡し処理）を行うことができる。その結果、第１の基板の脱気処理が終了した後、迅速に第２の基板に脱気処理を行うことができるので、１枚の基板がプリウェットモジュールを占有する従来技術に比べて、プリウェットモジュール２００のスループットを向上させることができる。

【0032】

以下、本実施形態のプリウェット方法について説明する。図４Ａから図４Ｆは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。図４Ａに示すように、プリウェット方法は、基板ステーション２５０の第１のアーム部材２５０－１と第２のアーム部材２５０－２を互いに近づけて基板保持位置に移動させる（ステップ１０１）。続いて、プリウェット方法は、搬送装置７００によってプリウェットモジュール２００に搬入された第１の基板ＷＦ－１を基板ステーション２５０に保持する（ステップ１０２）。

【0033】

続いて、プリウェット方法は、基板ステーション２５０に保持された第１の基板ＷＦ－１の被処理面を洗浄装置２６０によって洗浄する（ステップ１０３）。続いて、プリウェット方法は、昇降機構２４８を用いて基板ホルダ２２０を上昇させて、第１の保持部材２２２を第１の基板ＷＦ－１の被処理面の裏面に接触させ、被処理面の裏面を真空吸着することによって、第１の基板ＷＦ－１を保持する（ステップ１０４）。

【0034】

続いて図４Ｂに示すように、プリウェット方法は、基板ステーション２５０の第１のアーム部材２５０－１と第２のアーム部材２５０－２を互いに遠ざけるように移動させる（ステップ１０５）。続いて、プリウェット方法は、回転機構２４０を用いて基板ホルダ２２０が上下反転するように基板ホルダ２２０を１８０度回転させる（ステップ１０６）。続いて、プリウェット方法は、昇降機構２４８を用いて基板ホルダ２２０を下降させることによって、脱気槽２１０に収容された脱気液に、第１の保持部材２２２に保持された第１の基板ＷＦ－１を浸漬させて脱気処理する（第１の脱気ステップ１０７）。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション２５０の第１のアーム部材２５０－１と第２のアーム部材２５０－２を互いに近づけて基板保持位置に移動させる（ステップ１０８）。

【0035】

続いて図４Ｃに示すように、プリウェット方法は、第１の脱気ステップ１０７の実行と並行して、搬送装置７００によってプリウェットモジュール２００に搬入された第２の基板ＷＦ－２を基板ステーション２５０に保持する（ステップ１０９）。続いて、プリウェット方法は、第１の脱気ステップ１０７の実行と並行して、後続の処理で第２の保持部材
２２４に保持される第２の基板ＷＦ－２に対して所定の処理を実行する（第１の処理ステップ１１０）。第１の処理ステップ１１０は、具体的には、基板ステーション２５０に保持された第２の基板ＷＦ－２（被処理面が鉛直方向の上向きに保持された基板）の被処理面に洗浄装置２６０を用いて洗浄液を供給する洗浄ステップを含む。続いて、プリウェット方法は、昇降機構２４８を用いて基板ホルダ２２０を上昇させて、第２の保持部材２２４を第２の基板ＷＦ－２の被処理面の裏面に接触させ、被処理面の裏面を真空吸着することによって、第２の基板ＷＦ－２を保持する（ステップ１１１）。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション２５０の第１のアーム部材２５０－１と第２のアーム部材２５０－２を互いに遠ざけるように移動させる（ステップ１１２）。

【0036】

続いて図４Ｄに示すように、プリウェット方法は、第２の保持部材２２４に保持された第２の基板ＷＦ－２の被処理面が脱気槽２１０に収容された脱気液に対向するように、回転機構２４０を用いて基板ホルダ２２０を１８０度回転（上下反転）させる（回転ステップ１１３）。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション２５０の第１のアーム部材２５０－１と第２のアーム部材２５０－２を互いに近づけて基板保持位置に移動させて、第１の基板ＷＦ－１を基板ステーション２５０に保持する（ステップ１１４）。続いて、プリウェット方法は、昇降機構２４８を用いて基板ホルダ２２０を下降させることによって、脱気槽２１０に収容された脱気液に、第２の保持部材２２４に保持された第２の基板ＷＦ－２を浸漬させて脱気処理する（第２の脱気ステップ１１５）。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション２５０に保持された第１の基板ＷＦ－１を搬送装置７００によって搬出する（ステップ１１６）。

【0037】

続いて図４Ｅに示すように、プリウェット方法は、第２の脱気ステップ１１５の実行と並行して、搬送装置７００によってプリウェットモジュール２００に搬入された第３の基板ＷＦ－３を基板ステーション２５０に保持する（ステップ１１７）。続いて、プリウェット方法は、第２の脱気ステップ１１５の実行と並行して、後続の処理で第１の保持部材２２２に保持される第３の基板ＷＦ－３に対して所定の処理を実行する（第２の処理ステップ１１８）。第２の処理ステップ１１８は、具体的には、基板ステーション２５０に保持された第３の基板ＷＦ－３（被処理面が鉛直方向の上向きに保持された基板）の被処理面に洗浄装置２６０を用いて洗浄液を供給する洗浄ステップを含む。続いて、プリウェット方法は、昇降機構２４８を用いて基板ホルダ２２０を上昇させて、第１の保持部材２２２を第３の基板ＷＦ－３の被処理面の裏面に接触させ、被処理面の裏面を真空吸着することによって、第３の基板ＷＦ－３を保持する（ステップ１１９）。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション２５０の第１のアーム部材２５０－１と第２のアーム部材２５０－２を互いに遠ざけるように移動させる（ステップ１２０）。

【0038】

続いて図４Ｆに示すように、プリウェット方法は、第１の保持部材２２２に保持された第３の基板ＷＦ－３の被処理面が脱気槽２１０に収容された脱気液に対向するように、回転機構２４０を用いて基板ホルダ２２０を１８０度回転（上下反転）させる（回転ステップ１２１）。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション２５０の第１のアーム部材２５０－１と第２のアーム部材２５０－２を互いに近づけて基板保持位置に移動させて、第２の基板ＷＦ－２を基板ステーション２５０に保持する（ステップ１２２）。続いて、プリウェット方法は、昇降機構２４８を用いて基板ホルダ２２０を下降させることによって、脱気槽２１０に収容された脱気液に、第１の保持部材２２２に保持された第３の基板ＷＦ－３を浸漬させて脱気処理する（第３の脱気ステップ１２３）。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション２５０に保持された第２の基板ＷＦ－２を搬送装置７００によって搬出する（ステップ１２４）。プリウェット方法は、ステップ１２４の後、図４Ｃに戻って後続の基板に対して前処理を繰り返す。

【0039】

以上のように、本実施形態のプリウェット方法は、プリウェットモジュール２００内で
、複数の基板に異なる処理（洗浄処理と脱気処理）を並行して同時に行うように構成されている。したがって、本実施形態によれば、基板に効率よく前処理を行うことができ、プリウェットモジュール２００のスループットを向上させることができる。

【0040】

なお、上記の実施形態では、基板ホルダ２２０が第１の保持部材２２２と第２の保持部材２２４を有する例を示したが、これに限定されない。図５は、他の実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。図３に示す実施形態と同様の構成については説明を省略する。図５に示すように、基板ホルダ２２０は、第１の基板ＷＦ－１を保持するための第１の保持部材２２２、第２の基板ＷＦ－２を保持するための第２の保持部材２２４、第３の基板ＷＦ－３を保持するための第３の保持部材２２６、および第４の基板ＷＦ－４を保持するための第４の保持部材２２８を有する。

【0041】

図５には図示していない回転機構は、シャフト２４２の軸周りに基板ホルダ２２０を回転可能になっている。これにより、回転機構は、第１の基板ＷＦ－１の被処理面が脱気槽２１０内の脱気液に対向する第１の状態と、第２の基板ＷＦ－２の被処理面が脱気液に対向する第２の状態と、第３の基板ＷＦ－３の被処理面が脱気液に対向する第３の状態と、第４の基板ＷＦ－４の被処理面が脱気液に対向する第４の状態と、の間で基板ホルダ２２０を回転させるように構成される。図５には図示していない昇降機構によって基板ホルダ２２０を昇降させることにより、第１の基板ＷＦ－１から第１の基板ＷＦ－４を順次脱気液に浸漬させることができる。

【0042】

第１の保持部材２２２から第４の保持部材２２８は、シャフト２４２の軸周りに相互に９０度ずつ位置をずらせて配置されている。図５に示した状態において、第１の保持部材２２２および第３の保持部材２２６は、第１の基板ＷＦ－１および第３の基板ＷＦ－３の被処理面がそれぞれ鉛直方向の反対に向くように第１の基板ＷＦ－１および第３の基板ＷＦ－３を保持するように構成される。第２の保持部材２２４および第４の保持部材２２８は、第２の基板ＷＦ－２および第４の基板ＷＦ－４の被処理面がそれぞれ水平方向の反対に向くように第２の基板ＷＦ－２および第４の基板ＷＦ－４を保持するように構成される。

【0043】

プリウェットモジュール２００は、第１の基板ＷＦ－１から第４の基板ＷＦ－４のいずれか１つが脱気液に浸漬されているときに他の基板に対して所定の処理を行うように構成された処理装置２５８を含む。図５に示した状態では、処理装置２５８の一形態である洗浄装置２６０は、被処理面が水平方向を向いた第２の基板ＷＦ－２に対して洗浄液を供給するように構成される。ここで、図５に示すように、第２の保持部材２２４は、第２の基板ＷＦ－２の被処理面ＷＦ－２ａが水平方向に向いたときに当該基板の被処理面が脱気槽２１０の上部に形成された開口２１０ａの外側に位置するように第２の基板ＷＦ－２を保持するように構成される。これにより、第２の基板ＷＦ－２の被処理面に衝突した洗浄液は、脱気槽２１０の外部に落下するので、脱気液に洗浄液が混入するのを抑制することができる。これは、第１の保持部材２２２、第３の保持部材２２６、および第４の保持部材２２８についても同様である。すなわち、第１の保持部材２２２、第３の保持部材２２６、および第４の保持部材２２８が基板ホルダ２２０の回転によって第２の保持部材２２４と同じ位置に配置されたときには、第１の基板ＷＦ－１、第３の基板ＷＦ－３、および第４の基板ＷＦ－４の被処理面は開口２１０ａの外側に位置する。

【0044】

図５に示すように、処理装置２５８は、被処理面が水平方向を向いた基板（図５では第４の基板ＷＦ－４）に対して乾燥処理を実行するように構成された乾燥装置２８０を備える。乾燥装置２８０は、脱気処理が行われた後の基板の被処理面の外縁部を乾燥させるように構成される。乾燥装置２８０を設けることにより、後続のめっき処理において給電接点が基板の被処理面の濡れた外縁部に接触するのを抑制することができる。

【0045】

また、図５に示すように、処理装置２５８は、被処理面が鉛直上方向を向いた基板（図５では第１の基板ＷＦ－１）に対してＵＶ処理またはプラズマ処理を行うように構成された表面改質装置２９０を備える。表面改質装置２９０を設けることにより、洗浄処理および脱気処理を行う前の基板の被処理面を親水性に改質することができる。

【0046】

本実施形態によれば、プリウェットモジュール２００内において、表面改質処理、洗浄処理、脱気処理、および乾燥処理を、複数の基板に対して並行して行うことができる。したがって、本実施形態によれば、基板に効率よく前処理を行うことができ、プリウェットモジュール２００のスループットを向上させることができる。

【0047】

次に、プリウェットモジュールの他の実施形態について説明する。上記の実施形態では、脱気槽２１０内の空間が仕切り板２１２によって脱気領域２１４とオーバーフロー領域２１６に仕切られる例を示したが、これに限定されない。図６は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す斜視図である。図７は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。脱気槽２１０以外の構成は、上記の実施形態と同様であるので、説明を省略する。

【0048】

図６および図７に示すように、脱気槽２１０は、脱気液が収容される概略円筒形状の脱気槽２１０から脱気液を溢れ出させるための複数（本実施形態では４個）のオーバーフロー口２１９を有する。具体的には、複数のオーバーフロー口２１９は、脱気槽２１０の側壁２１０ｂの同じ高さ位置に、周方向に沿って実質的に等間隔（約９０°間隔）に形成されている。また、複数のオーバーフロー口２１９は、脱気槽２１０に浸漬された基板ＷＦよりも高い位置で、脱気槽２１０の側壁２１０ｂに形成されている。プリウェットモジュール２００は、複数のオーバーフロー口２１９にそれぞれ連通する複数（本実施形態では４個）のオーバーフロー槽２０５を有する。オーバーフロー槽２０５は脱気槽２１０の側壁２１０ｂの外側に配置された概略矩形の容器である。本実施形態では、脱気槽２１０の内部に脱気領域２１４が形成され、オーバーフロー槽２０５の内部にオーバーフロー領域２１６が形成される。

【0049】

また、図６および図７に示すように、脱気槽２１０は、脱気槽２１０の底壁２１０ｃの中央に形成された脱気液の注入口２１０ｄを有する。注入口２１０ｄは、脱気槽２１０に浸漬された基板ＷＦの中心に対応する位置に設けられる。脱気液を生成するように構成された脱気装置１３００から送出された脱気液は、注入口２１０ｄを介して脱気槽２１０内に注入されて脱気槽２１０を満たし、複数のオーバーフロー口２１９から溢れ出す。

【0050】

本実施形態のように複数のオーバーフロー口２１９を介して脱気液をオーバーフローさせることによって、基板ＷＦの被処理面ＷＦ－ａにおける脱気液の流速を均等化するとともに、脱気槽２１０内の脱気液の溶存酸素量を均等化することができる。

【0051】

すなわち、例えばオーバーフロー口が１か所だけ形成されている場合には、注入口２１０ｄを介して脱気槽２１０内に注入された脱気液は基板ＷＦの被処理面の中央に向けて流れた後、１か所のオーバーフロー口の方向に流れる。これにより、基板ＷＦの被処理面における脱気液の流速が不均等になるとともに、オーバーフロー口が形成されていない側の領域では脱気液の流れが淀む。この流れが淀んだ領域では、脱気液の液面から空気が溶け込んで溶存酸素量が多くなるので、脱気槽２１０内の脱気液の溶存酸素量が不均等になり得る。その結果、流れが淀んだ領域の近傍では、流れが淀んでいない領域の近傍と比べて、基板ＷＦの被処理面ＷＦ－ａの脱気処理が促進され難くなるので、基板ＷＦの被処理面全体で脱気処理のバラつきが生じ得る。

【0052】

これに対して、本実施形態によれば、脱気槽２１０の側壁２１０ｂの周方向に実質的に均等配置された複数のオーバーフロー口２１９から脱気液が溢れ出す。これにより、注入口２１０ｄを介して脱気槽２１０内に注入された脱気液は基板ＷＦの被処理面ＷＦ－ａの中央に向けて流れた後、基板ＷＦの被処理面の中央から被処理面に沿って放射方向に広がる流れが形成される。したがって、基板ＷＦの被処理面における脱気液の流速をより均一化することができる。また、脱気槽２１０内に脱気液の流れが淀む領域が生じ難いので、脱気槽２１０内の脱気液の溶存酸素量をより均等化することができ、その結果、基板ＷＦの被処理面ＷＦ－ａの全体をより均等に脱気処理することができる。

【0053】

また、図６および図７に示すように、オーバーフロー槽２０５は、オーバーフロー槽２０５の上部の開口を塞ぐように配置された板状の蓋部材２０５ａを有する。オーバーフロー槽２０５が蓋部材２０５ａを有することによって、複数のノズル２６８から供給された洗浄液がオーバーフロー槽２０５内（オーバーフロー領域２１６）に落下することを防止することができる。さらに、オーバーフロー槽２０５は、蓋部材２０５ａの上面の、脱気槽２１０の側壁２１０ｂに対応する位置から鉛直上方向に伸びる板部材２０５ｂを有する。板部材２０５ｂを設けることによって、複数のノズル２６８から供給された洗浄液が蓋部材２０５ａに落下した後に脱気槽２１０の方向に跳ね返ったとしても、板部材２０５ｂに衝突するので、洗浄液が脱気槽２１０に落下することを防止することができる。

【0054】

図８は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。図８に示すように、プリウェットモジュール２００は、脱気槽２１０内に浸漬された基板と注入口２１０ｄとの間に配置された整流部材２０７を備える。図９は、整流部材の一例を示す斜視図である。図９に示すように、整流部材２０７は、複数の貫通穴（丸穴）２０７ａを有する板状の部材である。

【0055】

例えば図７に示した実施形態では、注入口２１０ｄから注入された脱気液が基板ＷＦの被処理面の外周部分よりも中央部分に多く流れて、脱気処理が不均一になるおそれがある。これに対して本実施形態では、注入口２１０ｄから注入された脱気液は、整流部材２０７の複数の貫通穴２０７ａを通って基板ＷＦの被処理面に向かうので、注入口２１０ｄから注入された脱気液を基板ＷＦの被処理面の全体により均一に供給することができ、その結果、基板ＷＦの被処理面ＷＦ－ａの脱気処理をより均一化することができる。なお、本実施形態では、複数の丸穴２０７が形成された整流部材２０７を一例として示したが、これに限らず、例えば角穴が形成されていてもよいし、簀子状に構成されることによって長穴が形成されていてもよい。整流部材２０７は、基板ＷＦと注入口２１０ｄとの間に配置されており、基板ＷＦの被処理面ＷＦ－ａに対向する複数の貫通穴が形成されていればよい。

【0056】

次に、プリウェットモジュールの他の実施形態について説明する。図１０は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。本実施形態のプリウェットモジュールは、図３を用いて説明したプリウェットモジュール２００と同様の構成に加えて、追加の複数の部材を備えている。図３のプリウェットモジュール２００と同様に構成については説明を省略する。

【0057】

図１０に示すように、プリウェットモジュール２００は、脱気槽２１０内に浸漬された基板に対向して配置された撮像部材（カメラ）２１１を備える。撮像部材２１１によって撮像された画像は、制御モジュール８００の出力インターフェースなどに表示させることができる。これにより、脱気槽２１０に浸漬された基板ＷＦ－１の被処理面の状態をオペレータが観察することができる。オペレータは、例えば、基板ＷＦ－１を脱気槽２１０に浸漬させたときに基板ＷＦの被処理面に気泡が付着していないか、脱気処理中にシード層に異常が生じていないかなど、被処理面ＷＦ－１ａの状態をモニターすることができる。

【0058】

また、プリウェットモジュール２００は、基板の被処理面の脱気状態を判定するように構成された判定装置２０１を備える。判定装置２０１は、撮像部材２１１によって撮像された画像の輝度に基づいて基板の被処理面の脱気状態を判定するように構成される。判定装置２０１は、脱気状態の判定アルゴリズムが組み込まれた一般的なコンピュータまたは専用コンピュータで構成することができる。めっき装置１０００の制御モジュール８００を判定装置２０１として用いてもよい。

【0059】

判定装置２０１は、具体的には、撮像部材２１１によって撮像された画像に含まれる複数ピクセルの一部の輝度、または複数ピクセルの平均輝度が、所定の閾値を超えていたら、被処理面に気泡が付着している、または、脱気処理が完了していないと判定することができる。一方、判定装置２０１は、複数ピクセルの一部の輝度、または複数ピクセルの平均輝度が、所定の閾値以下になったら、脱気処理が完了したと判定することができる。すなわち、基板ＷＦの被処理面に気泡が付着している場合、あるいは、被処理面のパターン間またはビアに未置換の空気が残っている場合には、撮像した画像に気泡または空気による白い領域が含まれてピクセルの輝度が高くなる。したがって、判定装置２０１は、撮像された画像の輝度に基づいて基板の被処理面の脱気状態を判定することができる。

【0060】

なお、撮像部材２１１は、支持台２１３に取り付けられて脱気槽２１０内に保持されている。プリウェットモジュール２００は、支持台２１３を介して撮像部材２１１を基板ＷＦの被処理面に沿った方向に移動させるための駆動部材２１５を備える。駆動部材２１５は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。駆動部材２１５によって撮像部材を基板ＷＦの被処理面に沿って移動させることにより、基板ＷＦの半径方向に沿って被処理面を撮像することができる。撮像部材２１１は、例えば基板の被処理面から１～１０ｍｍの距離に配置するのが好ましい。

【0061】

また、プリウェットモジュール２００は、基板ホルダ２２０によって保持された基板ＷＦが基板の中心を通る軸ＷＦ－ｂの周りに回転するように第１の保持部材２２２を回転させるための回転駆動部材２２１をさらに備える。基板ＷＦを軸ＷＦ－ｂの周りに回転させることによって、基板ＷＦの周方向に沿って被処理面を撮像することができる。また、駆動部材２１５を用いて撮像部材２１１を移動させながら、回転駆動部材２２１を用いて基板ＷＦを回転させることによって、被処理面の全体を撮像することができる。なお、本実施形態では、第１の保持部材２２２を回転させるための回転駆動部材２２１を備える例を示したが、第２の保持部材２２４を同様に回転させてもよい。また、本実施形態は、図３に示したプリウェットモジュール２００に撮像部材２１１などの複数の部材を追加した例を示したが、これに限らず、図５に示したプリウェットモジュール２００に同様の部材を追加してもよい。

【0062】

次に、プリウェットモジュールの他の実施形態について説明する。図１１は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。本実施形態のプリウェットモジュールは、図３を用いて説明したプリウェットモジュール２００と同様の構成に加えて、追加の複数の部材を備えている。図３のプリウェットモジュール２００と同様に構成については説明を省略する。

【0063】

図１１に示すように、プリウェットモジュール２００は、脱気槽２１０内に浸漬された基板に対向して配置された攪拌部材（パドル）２１７を備える。また、プリウェットモジュール２００は、攪拌部材２１７を基板の被処理面に沿って往復移動させるための駆動部材２１８を備える。駆動部材２１８は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。

【0064】

図１２Ａおよび図１２Ｂは、攪拌部材の構成を概略的に示す平面図である。図１２Ａに示すように、攪拌部材２１７は、複数の棒状部材２１７ａを格子状に配置することによって多数の穴２１７ｂが形成された板部材によって構成することができる。また、図１２Ｂに示すように、攪拌部材２１７は、ハニカム状の多数の穴２１７ｃが形成された板部材によって構成することもできる。駆動部材２１８によって攪拌部材２１７を往復移動させることによって、基板ＷＦの被処理面の近傍の脱気液を攪拌することができる。これにより、例えば基板ＷＦの被処理面に形成されたビア内部の空気を脱気液に置換させる場合に、空気が溶け込んだ脱気液をビアから離脱させて、空気が溶け込んでいない脱気を新たにビアに送り込むことができるので、脱気処理を促進することができる。

【0065】

なお、本実施形態では、攪拌部材２１７を往復移動させることによって脱気液を攪拌する例を示したが、これに限らず、図１０に示した実施形態における回転駆動部材２２１を用いて基板ＷＦを回転させることによって脱気液を攪拌してもよい。また、攪拌部材２１７を往復移動させ、かつ、回転駆動部材２２１を用いて基板ＷＦを回転させることによって、より強く脱気液を攪拌させることもできる。

【0066】

次に、複数のプリウェットモジュール２００を備える脱気液循環システムについて説明する。図１３は、一実施形態の脱気液循環システムの構成を概略的に示す図である。図１３に示すように、脱気液循環システム１５００は、上下方向に並べて配置された２台のプリウェットモジュール２００を備える。また、脱気液循環システム１５００は、２台のプリウェットモジュール２００に対して共通に設けられた１台の循環槽１１００を備える。循環槽１１００は、２台のプリウェットモジュール２００から溢れ出た脱気液を受け入れるように構成される。具体的には、２台のプリウェットモジュール２００から溢れ出た脱気液は、オーバーフロー配管１１５０を介して循環槽１１００へ流れる。

【0067】

脱気液循環システム１５００は、２台のプリウェットモジュール２００に対して共通に設けられた１台の脱気装置１３００を備える。脱気装置１３００は、脱気液に対する脱気処理を行うための装置であり、図示していない真空ポンプなどを用いて真空引きすることによって溶存酸素量の少ない脱気液を生成することができる。脱気液循環システム１５００は、２台のプリウェットモジュール２００に対して共通に設けられた１台の圧送部材（ポンプ）１２００を備える。圧送部材１２００は、循環槽１１００から脱気装置１３００を介して２台のプリウェットモジュール２００に脱気液を圧送するための部材である。

【0068】

具体的には、循環槽１１００と脱気装置１３００は排出配管１１６０を介して接続されている。また、脱気装置１３００と２台のプリウェットモジュール２００は供給配管１１９０を介して接続されている。２台のプリウェットモジュール２００に接続された供給配管１１９０にはそれぞれ、バルブ１１９２および流量計１１９４が設けられている。圧送部材１２００は、バルブ１１９２が開いているときに、排出配管１１６０を介して脱気液を循環槽１１００から脱気装置１３００へ圧送するとともに、供給配管１１９０を介して脱気液を脱気装置１３００から２台のプリウェットモジュール２００へ圧送する。本実施形態によれば、複数台のプリウェットモジュール２００に対して、循環槽１１００、脱気装置１３００、および圧送部材１２００を共用しているので、脱気液循環システム１５００のコストを抑制することができる。

【0069】

脱気液循環システム１５００は、供給配管１１９０に配置されたフィルタ１４００を備える。フィルタ１４００は、供給配管１１９０を流れる脱気液に含まれる異物を取り除くための部材である。フィルタ１４００には、フィルタ１４００の目詰まり防止用のベント配管１１７０が接続されている。ベント配管１１７０は循環槽１１００に接続されており、ベント配管１１７０を通る脱気液は循環槽１１００に戻されるようになっている。

【0070】

脱気液循環システム１５００は、供給配管１１９０のフィルタ１４００より下流から分岐して循環槽１１００に接続されたパイパス配管１１８０を備える。パイパス配管１１８０には、バルブ１１８２および流量計１１８４が設けられている。これにより、脱気装置１３００から送り出された脱気液を、プリウェットモジュール２００を介さずに循環槽１１００へ戻すことができる。

【0071】

循環槽１１００は、２台のプリウェットモジュールから溢れ出た脱気液を循環槽１１００内に受け入れる第１の受け入れ口１１５０ａを備える。第１の受け入れ口１１５０ａは、循環槽１１００内に挿入されたオーバーフロー配管１１５０の端部に形成される。また、循環槽１１００は、パイパス配管１１８０を介して圧送された脱気液を循環槽１１００内に受け入れる第２の受け入れ口１１８０ａを備える。第２の受け入れ口１１８０ａは、循環槽１１００内に挿入されたパイパス配管１１８０の端部に形成される。循環槽１１００は、循環槽１１００内の脱気液を脱気装置１３００へ排出するための排出口１１００ｄを備える。

【0072】

図１３に示すように、第１の受け入れ口１１５０ａおよび第２の受け入れ口
１１８０ａは、循環槽１１００の第１の側壁１１００ａの近傍に配置される。より具体的には、第１の受け入れ口１１５０ａおよび第２の受け入れ口１１８０ａは、循環槽１１００の第１の側壁１１００ａおよび底壁１１００ｃの近傍に設けられる。排出口１１００ｄは、循環槽１１００の第１の側壁１１００ａと対向する第２の側壁１１００ｂの近傍の底壁１１００ｃに配置される。このように、第１の受け入れ口１１５０ａおよび第２の受け入れ口１１８０ａと、排出口１１００ｄと、を循環槽１１００内の対極する位置に配置することによって、プリウェットモジュール２００から排出された脱気液と脱気装置１３００から戻ってきた脱気液とを混合してから脱気装置１３００へ送り出すことができる。

【0073】

さらに、図１３に示すように、循環槽１１００は、第１の側壁１１００ａと第２の側壁１１００ｂとの間を部分的に仕切る仕切り板１１２０を備える。仕切り板１１２０は、底壁１１００ｃから鉛直上方向に伸びる板部材である。仕切り板１１２０を設けることによって、第１の受け入れ口１１５０ａおよび第２の受け入れ口１１８０ａから流入した脱気液は混合されながら、仕切り板１１２０を乗り越えた後に排出口１１００ｄに向かって流れる。したがって、プリウェットモジュール２００から排出された脱気液と脱気装置１３００から戻ってきた脱気液とを十分に混合することができる。

【0074】

循環槽１１００は、仕切り板１１２０を乗り越えて排出口１１００ｄへ向かう脱気液の流路に配置された溶存酸素計１１３０を備える。溶存酸素計１１３０は、脱気液中の溶存酸素量を計測することができるセンサである。脱気液循環システム１５００は、例えば脱気液循環システム１５００の立ち上げ時に、バルブ１１９２を閉じ、バルブ１１８２を開いて圧送部材１２００を駆動することによって、脱気装置１３００から送り出された脱気液を、プリウェットモジュール２００を介さずに循環槽１１００へ循環する。これにより、循環槽１１００内の脱気液の溶存酸素量は低下する。脱気液循環システム１５００は、溶存酸素計１１３０によって計測された溶存酸素量が所定の閾値より低くなったら、バルブ１１９２を開くことによって、十分に脱気された脱気液をプリウェットモジュール２００に供給することができる。

【0075】

循環槽１１００は、循環槽１１００内の脱気液の液面レベルを計測するための複数（本実施形態では５個）の液面センサＨＨ、Ｈ２、Ｈ１、Ｌ、ＬＬを備える。液面センサＨＨ、Ｈ２、Ｈ１、Ｌ、ＬＬは上下方向に並べて配置されている。循環槽１１００にはＤＩＷ供給源１１４０から脱気液を供給可能になっている。脱気液循環システム１５００は、例えば、循環槽１１００内部の脱気液の液面がＬＬより低くなったら圧送部材１２００を停止するとともにＤＩＷ供給源１１４０から脱気液を補充する。また、脱気液循環システム
１５００は、循環槽１１００内部の脱気液の液面がＨＨより高くなったら、ＤＩＷ供給源１１４０からの脱気液の補充を停止する。また、脱気液循環システム１５００は、循環槽１１００内部の脱気液の液面がＨ２からＬの間の高さ（Ｈ１の高さ）になるように、圧送部材１２００の回転数またはＤＩＷ供給源１１４０からの脱気液の補充量などを調整する。

【0076】

次に、図４を用いて説明したプリウェット方法の変形例を説明する。図１４は、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を示すフローチャートである。図１４は、図４のプリウェット方法における第１の脱気ステップ１０７と並行して実行される追加のステップを示すものである。したがって、図４のプリウェット方法と同様のステップについては説明を省略する。

【0077】

図１４に示すように、プリウェット方法は、第１の脱気ステップ１０７の開始と同時または開始された後、脱気液に浸漬された基板の被処理面の中央から放射方向に広がる脱気液の流れを形成する（ステップ２１０）。ステップ２１０は、例えば、複数（本実施形態では４個）のオーバーフロー口２１９から脱気液を溢れ出させることにより実行される。すなわち、脱気槽２１０の側壁２１０ｂの周方向に均等配置された複数のオーバーフロー口２１９から脱気液が溢れ出させることにより、注入口２１０ｄを介して脱気槽２１０内に注入された脱気液に対して、基板ＷＦの被処理面の中央から被処理面に沿って放射方向に広がる流れが形成される。これにより、基板ＷＦの被処理面における脱気液の流速をより均一化することができ、かつ、脱気槽２１０内の脱気液の溶存酸素量をより均等化することができるので、基板ＷＦの被処理面ＷＦ－ａの全体をより均等に脱気処理することができる。

【0078】

続いて、プリウェット方法は、第１の脱気ステップ１０７の開始と同時または開始された後、脱気液に浸漬された基板の被処理面を撮像する（撮像ステップ２２０）。撮像ステップ２２０は、例えば、撮像部材２１１を用いて基板の被処理面を撮像する。続いて、プリウェット方法は、撮像ステップ２２０によって撮像された画像に基づいて基板の被処理面の脱気状態を判定する（判定ステップ２３０）。判定ステップ２３０は、例えばオペレータが、基板の被処理面に気泡が付着していないか、脱気処理中にシード層に異常が生じていないかなど、被処理面の状態をモニターすることによって実行される。また、判定ステップ２３０は、判定装置２０１によって実行されてもよい。この場合、撮像部材２１１によって撮像された画像の輝度に基づいて基板の被処理面の脱気状態を判定することができる。

【0079】

続いて、プリウェット方法は、脱気槽２１０に収容された脱気液を攪拌する（攪拌ステップ２４０）。攪拌ステップ２４０は、例えば、攪拌部材２１７を基板の被処理面に沿って往復移動させることによって実行される。また、攪拌ステップ２４０は、回転駆動部材２２１を用いて基板ＷＦを回転させることによって実行することもできる。これにより、例えば基板の被処理面に形成されたビア内部の空気を脱気液に置換させる場合に、空気が溶け込んだ脱気液をビアから離脱させて、空気が溶け込んでいない脱気を新たにビアに送り込むことができるので、脱気処理を促進することができる。

【0080】

なお、本実施形態では、ステップ２１０と、撮像ステップ２２０および判定ステップ２３０と、攪拌ステップ２４０と、が順番に実行される例を示したが、これらのステップの実行順序は入れ替わってもよいし、これらのステップは同時に実行されてもよい。また、これらのステップは、全てが実行されなくてもよく、一部が実行されてもよい。また、本実施形態では、これらのステップが第１の脱気ステップ１０７と並行して実行される例を示したが、これに限らず、第２の脱気ステップ１１５または第３の脱気ステップ１２３と並行して実行されてもよい。

【0081】

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

【0082】

本願は、一実施形態として、脱気液を収容するように構成された脱気槽と、被処理面が上向きの基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズルを含む処理装置と、前記脱気槽と前記処理装置との間に配置され、第１の基板を保持するように構成された第１の保持部材、および第２の基板を保持するように構成された第２の保持部材を有する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転および昇降するように構成された駆動機構と、を含み、前記駆動機構は、前記第１の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第１の状態と、前記第２の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第２の状態と、の間で前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含む、プリウェットモジュールを開示する。

【0083】

さらに、本願は、一実施形態として、前記処理装置のノズルは、前記第１の基板および前記第２の基板のいずれか一方が前記脱気槽内の脱気液に浸漬されているときに他方の基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されている、プリウェットモジュールを開示する。

【0084】

さらに、本願は、一実施形態として、前記第１の保持部材および前記第２の保持部材は、前記第１の基板の被処理面および前記第２の基板の被処理面が互いに鉛直方向の反対に向くように前記第１の基板および前記第２の基板を保持するように構成され、前記ノズルは、被処理面が鉛直方向の上向きに保持された基板に対して洗浄液を供給するように構成される、プリウェットモジュールを開示する。

【0085】

さらに、本願は、一実施形態として、前記基板ホルダは、前記脱気槽の上部に形成された開口よりも大きな外縁を有し前記ノズルと前記開口との間を遮蔽するように構成された遮蔽部材を含む、プリウェットモジュールを開示する。

【0086】

さらに、本願は、一実施形態として、脱気液を収容するように構成された脱気槽と、第１の基板を保持するように構成された第１の保持部材、第２の基板を保持するように構成された第２の保持部材、第３の基板を保持するように構成された第３の保持部材、および第４の基板を保持するように構成された第４の保持部材、を有し、前記第１の保持部材から前記第４の保持部材は、前記第１の基板から前記第４の基板の被処理面がそれぞれ鉛直方向の反対および水平方向の反対に向くように前記第１の基板から前記第４の基板を保持するように構成されている、基板ホルダと、前記基板ホルダを回転および昇降するように構成された駆動機構と、を含み、前記駆動機構は、前記第１の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第１の状態と、前記第２の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第２の状態と、前記第３の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第３の状態と、前記第４の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第４の状態と、の間で前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含み、前記第１の基板から前記第４の基板のいずれか１つが前記脱気槽内の脱気液に浸漬されているときに他の基板に対して所定の処理を行うように構成された処理装置をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。

【0087】

さらに、本願は、一実施形態として、前記第１の保持部材から前記第４の保持部材はそ
れぞれ、前記第１の基板から前記第４の基板の被処理面が水平方向に向いたときに当該基板の被処理面が前記脱気槽の上部に形成された開口の外側に位置するように前記第１の基板から前記第４の基板を保持するように構成され、前記処理装置は、被処理面が水平方向に向いた状態の基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズルを含む、プリウェットモジュールを開示する。

【0088】

さらに、本願は、一実施形態として、前記脱気槽は、前記脱気槽から脱気液を溢れ出させるための複数のオーバーフロー口を有し、前記複数のオーバーフロー口は、前記脱気槽の側壁に周方向に沿って等間隔に形成される、プリウェットモジュールを開示する。

【0089】

さらに、本願は、一実施形態として、前記脱気槽は、前記脱気槽の底壁の中央に形成された脱気液の注入口を有する、プリウェットモジュールを開示する。

【0090】

さらに、本願は、一実施形態として、前記脱気槽内に浸漬された基板と前記注入口との間に配置された、複数の貫通穴を有する整流部材をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。

【0091】

さらに、本願は、一実施形態として、前記脱気槽内に浸漬された基板に対向して配置された撮像部材と、前記撮像部材によって撮像された画像の輝度に基づいて前記脱気槽内の基板の被処理面の脱気状態を判定するように構成された判定装置と、をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。

【0092】

さらに、本願は、一実施形態として、前記撮像部材を前記基板の被処理面に沿った方向に移動させるための駆動部材、をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。

【0093】

さらに、本願は、一実施形態として、前記脱気槽内に浸漬された基板に対向して配置された攪拌部材と、前記攪拌部材を前記基板の被処理面に沿って往復移動させるための駆動部材と、をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。

【0094】

さらに、本願は、一実施形態として、前記基板ホルダによって保持された基板が基板の中心を通る軸の周りに回転するように前記第１の保持部材および前記第２の保持部材の少なくとも一方を回転させるための回転駆動部材をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。

【0095】

さらに、本願は、一実施形態として、上記のいずれかに記載のプリウェットモジュールを複数備える脱気液循環システムであって、前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、前記複数のプリウェットモジュールから溢れ出た脱気液を受け入れる循環槽と、前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、脱気液に対する脱気処理を行うための脱気装置と、前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、前記循環槽から前記脱気装置を介して前記複数のプリウェットモジュールに脱気液を圧送するための圧送部材と、前記脱気装置と前記複数のプリウェットモジュールとを結ぶ配管から分岐して前記循環槽に接続されたパイパス配管と、を含む、脱気液循環システムを開示する。

【0096】

さらに、本願は、一実施形態として、前記循環槽は、前記複数のプリウェットモジュールから溢れ出た脱気液を前記循環槽内に受け入れる第１の受け入れ口と、前記パイパス配管を介して圧送された脱気液を前記循環槽内に受け入れる第２の受け入れ口と、前記循環槽内の脱気液を前記脱気装置へ排出するための排出口と、を有し、前記第１の受け入れ口および前記第２の受け入れ口は、前記循環槽の第１の側壁の近傍に配置され、前記排出口は、前記循環槽の前記第１の側壁と対向する第２の側壁の近傍に配置される、脱気液循環
システムを開示する。

【0097】

さらに、本願は、一実施形態として、第１の基板を第１の位置に配置し、前記第１の基板の被処理面を下向きで脱気液に浸漬させて脱気処理する第１の脱気ステップと、前記第１の脱気ステップの実行と並行して、第２の基板を第２の位置に配置し、前記第２の基板の被処理面を上向きにした状態で前記第２の基板の被処理面に洗浄液を供給する第１の洗浄ステップと、前記第１の脱気ステップおよび前記第１の洗浄ステップの後に、前記第２の基板を前記第１の位置に配置するように、前記第１の基板および前記第２の基板を回転させる回転ステップと、前記回転ステップの後に、前記第２の基板の被処理面を下向きで脱気液に浸漬させて脱気処理する第２の脱気ステップと、前記第２の脱気ステップの実行と並行して、前記第２の位置で第３の基板の被処理面を上向きにした状態で前記第３の基板の被処理面に洗浄液を供給する第２の洗浄ステップと、を含む、プリウェット方法を開示する。

【0098】

さらに、本願は、一実施形態として、前記第１の脱気ステップまたは前記第２の脱気ステップの実行と並行して、脱気液に浸漬された基板の被処理面の中央から放射方向に広がる脱気液の流れを形成するステップ、を含む、プリウェット方法を開示する。

【0099】

さらに、本願は、一実施形態として、前記第１の脱気ステップまたは前記第２の脱気ステップの実行と並行して、脱気液に浸漬された基板の被処理面を撮像する撮像ステップと、前記撮像ステップによって撮像された画像に基づいて前記基板の被処理面の脱気状態を判定する判定ステップと、をさらに含む、プリウェット方法を開示する。

【0100】

さらに、本願は、一実施形態として、前記第１の脱気ステップまたは前記第２の脱気ステップの実行と並行して、脱気液を攪拌する攪拌ステップ、をさらに含む、プリウェット方法を開示する。

【符号の説明】

【0101】

２００ プリウェットモジュール
２０１ 判定装置
２０５ オーバーフロー槽
２０７ 整流部材
２０７ａ 貫通穴（丸穴）
２１０ 脱気槽
２１０ａ 開口
２１０ｂ 側壁
２１０ｃ 底壁
２１０ｄ 注入口
２１１ 撮像部材（カメラ）
２１５ 駆動部材
２１７ 攪拌部材（パドル）
２１８ 駆動部材
２１９ オーバーフロー口
２２０ 基板ホルダ
２２１ 回転駆動部材
２２２ 第１の保持部材
２２４ 第２の保持部材
２２５ 遮蔽部材
２２６ 第３の保持部材
２２８ 第４の保持部材
２３０ 駆動機構
２４０ 回転機構
２４８ 昇降機構
２５０ 基板ステーション
２５０－１ 第１のアーム部材
２５０－２ 第２のアーム部材
２６０ 洗浄装置
２６８ ノズル
２８０ 乾燥装置
２９０ 表面改質装置
１０００ めっき装置
１１００ 循環槽
１１００ａ 第１の側壁
１１００ｂ 第２の側壁
１１００ｃ 底壁
１１００ｄ 排出口
１１５０ａ 第１の受け入れ口
１１８０ パイパス配管
１１８０ａ 第２の受け入れ口
１２００ 圧送部材（ポンプ）
１３００ 脱気装置
１５００ 脱気液循環システム
ＷＦ 基板
ＷＦ－１ 第１の基板
ＷＦ－２ 第２の基板
ＷＦ－３ 第３の基板
ＷＦ－４ 第４の基板

【要約】

【課題】基板に効率よく前処理を行う。
【解決手段】プリウェットモジュール２００は、脱気液を収容するように構成された脱気槽２１０と、被処理面が上向きの基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズル２６８を含む処理装置２５８と、脱気槽２１０と処理装置２５８との間に配置され、第１の基板を保持するように構成された第１の保持部材２２２、および第２の基板を保持するように構成された第２の保持部材２２４を有する基板ホルダ２２０と、基板ホルダ２２０を回転および昇降するように構成された駆動機構２３０と、を含み、駆動機構２３０は、第１の基板の被処理面が脱気槽２１０内の脱気液に対向する第１の状態と、第２の基板の被処理面が脱気槽内の脱気液に対向する第２の状態と、の間で基板ホルダ２２０を回転させるように構成された回転機構２４０と、基板ホルダ２２０を昇降させるように構成された昇降機構２４８と、を含む。
【選択図】図３

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12A】

【図12B】

【図13】

【図14】