(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-02-09
(45)【発行日】2022-02-18
(54)【発明の名称】極紫外光を発生させる装置
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20220210BHJP
G03F 1/84 20120101ALI20220210BHJP
H05H 1/24 20060101ALI20220210BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20220210BHJP
G01N 21/956 20060101ALI20220210BHJP
G01N 21/84 20060101ALI20220210BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
G03F1/84
H05H1/24
H05G2/00 K
G01N21/956 A
G01N21/84 E
【請求項の数】
22
(21)【出願番号】P 2020013989
(22)【出願日】2020-01-30
(62)【分割の表示】P 2016529812の分割
【原出願日】2014-07-21
(65)【公開番号】P2020077007
(43)【公開日】2020-05-21
【審査請求日】2020-01-30
(31)【優先権主張番号】61/857,231
(32)【優先日】2013-07-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】61/893,344
(32)【優先日】2013-10-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】14/335,442
(32)【優先日】2014-07-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】500049141
【氏名又は名称】ケーエルエー コーポレイション
(74)【代理人】
【識別番号】110001210
【氏名又は名称】特許業務法人ＹＫＩ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ビカノフ アレクサンダー
(72)【発明者】
【氏名】ホディキン オレク
(72)【発明者】
【氏名】ワック ダニエル シー
(72)【発明者】
【氏名】ツィグツキン コンスタンティン
(72)【発明者】
【氏名】ヘイル レイトン
(72)【発明者】
【氏名】ウォルシュ ジョーセフ
(72)【発明者】
【氏名】チレセ フランク
(72)【発明者】
【氏名】ガルシア ルディ エフ
(72)【発明者】
【氏名】アール ブライアン
【審査官】今井 彰
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１２－０５４５５１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－０１５２９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－２９４３９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１３／００６３８０３（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－１６９２４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－２５７６９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６４－００６３４９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－１０９４５１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－０５７２９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０６３２０９３７（ＵＳ，Ｂ１）
【文献】特開２００９－２６００１９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－３５７９９８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／０２７、２１／３０
Ｇ０３Ｆ ７／２０－７／２４、９／００－９／０２
Ｈ０５Ｇ １／００－２／００
Ｈ０５Ｈ １／００－１／５４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
極紫外（ＥＵＶ）光を発生させる装置であって：真空チャンバと；
プラズマ形成ターゲット材料で少なくとも部分的にコーティングされた表面を有しかつ真空チャンバ内に設けられている回転可能な円筒対称要素と；
プラズマ形成ターゲット材料の励起によるプラズマの形成を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な１つ以上のレーザーパルスを発生させるように構成されている駆動レーザー源と；
前記回転可能な円筒対称要素の表面の部分上に前記１つ以上のレーザーパルスを集束するように構成されている集束光学系のセットと；
前記プラズマ形成ターゲット材料の励起に応答して発生するプラズマから発せられるＥＵＶ光を受けるように構成されており、中間焦点に照明を方向付けるようにさらに構成されている集光系のセットと；
前記回転可能な円筒対称要素の表面にプラズマ形成ターゲット材料を供給するように構成されているガス供給サブシステムを含むガス管理システムと
を含み、
前記回転可能な円筒対称要素の軸方向位置を制御して前記駆動レーザー源の照射位置を前記円筒対称要素の軸方向に整列させる１つ以上の作動デバイスをさらに含み、
前記回転可能な円筒対称要素の表面は、円周方向に離散的にピットを有し、前記ピット内に質量制限ターゲットが埋め込まれ、円周方向に隣接するピット間の前記回転可能な円筒対称要素の表面は、前記回転可能な円筒対称要素の非プラズマ形成部分による加熱を低減するための反射性ＩＲコーティング層を有し、前記回転可能な円筒対称要素の内部は、前記質量制限ターゲットを凍結状態に維持する液体で満たされる
装置。
【請求項2】
前記回転可能な円筒対称要素が：円筒体
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項3】
前記１つ以上のレーザーパルスが：前記プラズマ形成ターゲット材料の部分の励起を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な一連のレーザーパルス
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項4】
前記プラズマ形成ターゲット材料の部分の励起を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な一連のレーザーパルスが：前記プラズマ形成ターゲット材料の部分を非熱的にアブレーションするのに十分な１つ以上のプレパルスと；
前記プラズマ形成ターゲット材料の非熱的アブレーション部分の一部の励起を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な１つ以上のメインパルスと
を含む、請求項３に記載の装置。
【請求項5】
前記１つ以上のレーザーパルスが、５～５０ｎｓの範囲の持続時間を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項6】
前記１つ以上のレーザーパルスが、１～５０ｋＨｚの範囲の周波数で繰り返し生成される、請求項１に記載の装置。
【請求項7】
前記駆動レーザー源が：１つ以上の駆動レーザー
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項8】
前記駆動レーザー源が：第１駆動レーザーと；
少なくとも１つのさらなる駆動レーザーと；
前記第１駆動レーザーによって発生する一連のパルスを前記少なくとも１つのさらなる駆動レーザーによって発生する一連のパルスと組み合わせて一連の組み合わせレーザーパルスにするビーム組み合わせ器と
を含む、請求項７に記載の装置。
【請求項9】
前記１つ以上の作動デバイスと連通する制御システムであって、前記１つ以上の作動デバイスにパルス状の軸方向の並進プロセスを実施させるように構成されている制御システムをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項10】
前記パルス状の軸方向の並進プロセスが：前記回転可能な円筒対称要素の第１軸方向位置で前記駆動レーザー源を整列させることと；
前記回転可能な円筒対称要素を回転させて、前記駆動レーザー源の１つ以上のレーザーパルスに、前記第１軸方向位置に沿って、前記回転可能な円筒対称要素の外周を横断させることと；
回転可能な円筒対称要素を前記駆動レーザー源に対して軸方向に並進させ、続いて、回転可能な円筒対称要素を完全に回転させて、前記回転可能な円筒対称要素の第２軸方向位置で前記駆動レーザー源を整列させるようにすることと；
前記回転可能な円筒対称要素を回転させて、前記駆動レーザー源の１つ以上のレーザーパルスに、前記第２軸方向位置に沿って、前記回転可能な円筒対称要素の外周を横断させることと
を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項11】
前記パルス状の軸方向の並進プロセスが：前記回転可能な円筒対称要素の下降ストロークにおいて一連のパルス状の軸方向並進を実施することと；
回転可能な円筒対称要素の上昇ストロークにおいて一連のパルス状の軸方向並進を実施することと
を含み、
前記下降ストロークにおける一連のパルス状の軸方向並進に関連する軸方向位置が、前記上昇ストロークにおける一連のパルス状の軸方向並進に関連する軸方向位置と交錯している、請求項９に記載の装置。
【請求項12】
前記駆動レーザー源によって発生する１つ以上のレーザーパルスの１つ以上の特性をモニタリングするように構成されているビーム診断サブシステムと；前記ビーム診断サブシステムからの１つ以上のモニタリングされたパラメータを受信するように構成されている制御システムであって、前記駆動レーザー源の１つ以上のパラメータ、前記回転可能な円筒対称要素の１つ以上のパラメータ、前記真空チャンバの１つ以上のパラメータ、前記集束光学系のセットの１つ以上のパラメータおよび前記ガス供給サブシステムの１つ以上のパラメータのうち少なくとも１つを調整するようにさらに構成されている制御システムと
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項13】
前記回転可能な円筒対称要素のプラズマ発生領域上に前記駆動レーザー源からの１つ以上のレーザーパルスを能動集束するように構成されている１つ以上の集束光学系と；前記１つ以上の集束光学系に通信可能に連結されており、前記駆動レーザー源からの１つ以上のレーザーパルスの焦点を調整するように構成されている制御システムと
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項14】
前記ガス管理システムが：プラズマ形成材料リサイクルサブシステム
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項15】
前記真空チャンバ内に設けられ、前記真空チャンバ内の１つ以上の金属表面を前記プラズマ形成ターゲット材料のエネルギーイオンまたは中性種から遮蔽するように構成されている１つ以上の低温パネルをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項16】
発生したＥＵＶ光の１つ以上の特性をモニタリングするように構成されている１つ以上のＥＵＶ診断ツールと；前記１つ以上のＥＵＶ診断ツールからの１つ以上のモニタリングされたパラメータを受信するように構成されている制御システムであって、回転可能な円筒対称要素におけるプラズマ位置および前記集光系の第１焦点のうち少なくとも１つを調整するように構成されている制御システムと
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項17】
照明サブシステムであって：真空チャンバと；
プラズマ形成ターゲット材料で少なくとも部分的にコーティングされた表面を有しかつ前記真空チャンバ内に設けられている回転可能な円筒対称要素と；
前記プラズマ形成ターゲット材料の励起によるプラズマの形成を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な１つ以上のレーザーパルスを発生させるように構成されている駆動レーザー源と；
前記回転可能な円筒対称要素の表面の部分上に前記１つ以上のレーザーパルスを集束するように構成されている集束光学系のセットと；
前記プラズマ形成ターゲット材料の励起に応答して発生するプラズマから発せられるＥＵＶ光を受けるように構成されており、中間焦点に照明を方向付けるようにさらに構成されている集光系のセットと；
前記回転可能な円筒対称要素の表面にプラズマ形成ターゲット材料を供給するように構成されているガス供給サブシステムを含むガス管理システムと；
を含む照明サブシステムと；
１つ以上の集光要素からの照明を１つ以上の試料に方向付けるように構成されている照明器光学系のセットと；
検出器と；
前記１つ以上の試料の表面からの照明を受け、前記１つ以上の試料からの照明を前記検出器に方向付けるように構成されている投影光学系のセットと
を含み、
前記回転可能な円筒対称要素の軸方向位置を制御して前記駆動レーザー源の照射位置を前記円筒対称要素の軸方向に整列させる１つ以上の作動デバイスをさらに含み、
前記回転可能な円筒対称要素の表面は、円周方向に離散的にピットを有し、前記ピット内に質量制限ターゲットが埋め込まれ、円周方向に隣接するピット間の前記回転可能な円筒対称要素の表面は、前記回転可能な円筒対称要素の非プラズマ形成部分による加熱を低減するための反射性ＩＲコーティング層を有し、前記回転可能な円筒対称要素の内部は、前記質量制限ターゲットを凍結状態に維持する液体で満たされる
検査システム。
【請求項18】
前記検査システムが、ウェハ検査システムとして構成されている、請求項１７に記載の検査システム。
【請求項19】
検査システムが、マスク検査システムとして構成されている、請求項１７に記載の検査システム。
【請求項20】
前記照明が、極紫外光を含む、請求項１７に記載の検査システム。
【請求項21】
照明サブシステムであって：真空チャンバと；
プラズマ形成ターゲット材料で少なくとも部分的にコーティングされた表面を有しかつ前記真空チャンバ内に設けられている回転可能な円筒対称要素と；
前記プラズマ形成ターゲット材料の励起によるプラズマの形成を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な１つ以上のレーザーパルスを発生させるように構成されている駆動レーザー源と；
前記回転可能な円筒対称要素の表面の部分上に前記１つ以上のレーザーパルスを集束するように構成されている集束光学系のセットと；
前記プラズマ形成ターゲット材料の励起に応答して発生するプラズマから発せられるＥＵＶ光を受けるように構成されており、中間焦点に照明を方向付けるようにさらに構成されている集光系のセットと；
前記回転可能な円筒対称要素の表面にプラズマ形成ターゲット材料を供給するように構成されているガス供給サブシステムを含むガス管理システムと；
を含む照明サブシステムと；
収集された照明をマスクに方向付けるように構成されている照明器光学系のセットと；
前記マスクから反射された照明を受け、マスクから反射された照明を１つ以上のウェハに方向付けるように構成されている投影光学系のセットと
を含み、
前記回転可能な円筒対称要素の軸方向位置を制御して前記駆動レーザー源の照射位置を前記円筒対称要素の軸方向に整列させる１つ以上の作動デバイスをさらに含み、
前記回転可能な円筒対称要素の表面は、円周方向に離散的にピットを有し、前記ピット内に質量制限ターゲットが埋め込まれ、円周方向に隣接するピット間の前記回転可能な円筒対称要素の表面は、前記回転可能な円筒対称要素の非プラズマ形成部分による加熱を低減するための反射性ＩＲコーティング層を有し、前記回転可能な円筒対称要素の内部は、前記質量制限ターゲットを凍結状態に維持する液体で満たされる
リソグラフィシステム。
【請求項22】
前記照明が、極紫外光を含む、請求項２１に記載のリソグラフィシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
優先権
本願は、現在、同時係属中、または現在の同時係属出願が出願日の利益を受ける権利を有している出願である、２０１３年７月２２日に提出された、Alexander Bykanovらによるタイトル「EUV LIGHT SOURCE FOR LITHOGRAPHY MASK INSPECTION TOOLS」の米国特許仮出願第６１／８５７，２３１号に対する米国特許法第１１９（ｅ）条の下での優先権を主張する。
本願は、現在、同時係属中、または現在の同時係属出願が出願日の利益を受ける権利を有している出願である、２０１３年７月２２日に提出された、Alexander Bykanovらによるタイトル「EUV LIGHT SOURCE FOR LITHOGRAPHY MASK INSPECTION TOOLS」の米国特許仮出願第６１／８５７，２３１号に対する米国特許法第１１９（ｅ）条の下での優先権を主張する。
【0002】
本願は、現在、同時係属中、または現在の同時係属出願が出願日の利益を受ける権利を有している出願である、２０１３年１０月２１日に提出された、Layton Haleらによるタイトル「CONTACTLESS THERMAL CONTROL OF MIRROR」の米国特許仮出願第６１／８９３，３４４号に対する米国特許法第１１９（ｅ）条の下での優先権をさらに主張する。上記で参照した仮特許出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0003】
本開示は、概して、照明システムの分野に関し、より詳細には、プラズマ系照明システムに関する。
【背景技術】
【0004】
かつてないほど小型の特徴を有するリソグラフィ系デバイス構造に対する要求が増え続けるに従い、これらのかつてないほど縮小したデバイスをリソグラフィ印刷する関連するレチクルの検査に用いられる改良された照明源に対する必要性が拡大し続けている。リソグラフィシステムにおいて利用される１つのかかる照明源は、高出力レーザー源（例えば、ＣＯ２レーザー）によって金属ターゲット（例えば、Ｓｎターゲット）を介して発生するレーザー生成プラズマ（ＬＰＰ）を使用する。リソグラフィシステムにおいて現在利用されているＥＵＶ光源の使用は、ＥＵＶ系マスク検査システムにおける使用には適していない。例えば、リソグラフィシステムにおいて現在利用されているＥＵＶ源は、ＥＵＶマスク検査に必要とされる出力レベルを超える出力レベルを有しており、ＥＵＶマスク検査のセッティングにおいて実装されるとき不必要な複雑さおよびコストを生じている。さらに、ＥＵＶマスク検査システムにおける金属ターゲットの使用が、所与のＥＵＶマスク検査システムの光学系および真空環境をひいては汚染する場合がある微粒子および金属蒸気デブリの発生につながる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】米国特許出願公開第２００８／０１９７２９８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
そのため、上記で特定されている従来技術の欠点を是正する方法およびシステムを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の１つの例示的実施形態による、極紫外（ＥＵＶ）光を発生させる装置を開示する。一実施形態において、装置は、真空チャンバを含む。別の例示的実施形態において、装置は、プラズマ形成ターゲット材料で少なくとも部分的にコーティングされた表面を有しかつ真空チャンバ内に設けられている回転可能な円筒対称要素を含む。別の例示的実施形態において、装置は、プラズマ形成ターゲット材料の励起によるプラズマの形成を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な１つ以上のレーザーパルスを発生させるように構成されている駆動レーザー源を含む。別の例示的実施形態において、装置は、回転可能な円筒対称要素の表面の部分上に１つ以上のレーザーパルスを集束するように構成されている集束光学系のセットを含む。別の例示的実施形態において、装置は、プラズマ形成ターゲット材料の励起に応答して発生するプラズマから発せられるＥＵＶ光を受けるように構成されており、かつ、中間焦点に照明を方向付けるようにさらに構成されている集光系のセットを含む。別の例示的実施形態において、装置は、回転可能な円筒対称要素の表面にプラズマ形成ターゲット材料を供給するように構成されているガス供給サブシステムを含むガス管理システムを含む。
【0008】
本開示の１つの例示的実施形態により、検査システムを開示する。１つの例示的実施形態において、検査システムは、真空チャンバと；プラズマ形成ターゲット材料で少なくとも部分的にコーティングされた表面を有しかつ真空チャンバ内に設けられている回転可能な円筒対称要素と；プラズマ形成ターゲット材料の励起によるプラズマの形成を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な１つ以上のレーザーパルスを発生させるように構成されている駆動レーザー源と；回転可能な円筒対称要素の表面の部分上に１つ以上のレーザーパルスを集束するように構成されている集束光学系のセットと；プラズマ形成ターゲット材料の励起に応答して発生するプラズマから発せられるＥＵＶ光を受けるように構成されており、中間焦点に照明を方向付けるようにさらに構成されている集光系のセットと；回転可能な円筒対称要素の表面にプラズマ形成ターゲット材料を供給するように構成されているガス供給サブシステムを含むガス管理システムとを含む照明サブシステムを含む。別の例示的実施形態において、検査システムは、１つ以上の集光要素からの照明を１つ以上の試料に方向付けるように構成されている照明器光学系のセットを含む。別の例示的実施形態において、検査システムは、検出器を含む。別の例示的実施形態において、検査システムは、１つ以上の試料の表面からの照明を受け、１つ以上の試料からの照明を検出器に方向付けるように構成されている投影光学系のセットを含む。
【0009】
本開示の１つの例示的実施形態により、リソグラフィシステムを開示する。１つの例示的実施形態において、リソグラフィシステムは、真空チャンバと；プラズマ形成ターゲット材料で少なくとも部分的にコーティングされた表面を有しかつ真空チャンバ内に設けられている回転可能な円筒対称要素と；プラズマ形成ターゲット材料の励起によるプラズマの形成を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な１つ以上のレーザーパルスを発生させるように構成されている駆動レーザー源と；回転可能な円筒対称要素の表面の部分上に１つ以上のレーザーパルスを集束するように構成されている集束光学系のセットと；プラズマ形成ターゲット材料の励起に応答して発生するプラズマから発せられるＥＵＶ光を受けるように構成されており、中間焦点に照明を方向付けるようにさらに構成されている集光系のセットと；回転可能な円筒対称要素の表面にプラズマ形成ターゲット材料を供給するように構成されているガス供給サブシステムを含むガス管理システムと；収集された照明をマスクに方向付けるように構成されている照明器光学系のセットと；を含む照明サブシステムと；マスクから反射された照明を受け、マスクから反射された照明を１つ以上のウェハに方向付けるように構成されている投影光学系のセットとを含む。
【0010】
本開示の１つの例示的実施形態により、冷却ミラー装置を開示する。１つの例示的実施形態において、冷却ミラー装置は、ミラーアセンブリにおいて、第１側に位置付けられているミラーと、第１側と対向する第２側に位置付けられている第１パターンに形成されている第１の複数の熱伝達要素とを含むミラーアセンブリを含む。別の例示的実施形態において、冷却ミラー装置は、第１パターンに適合する第２パターンに形成されている第２の複数の熱伝達要素を含む温度制御アセンブリを含む。別の例示的実施形態において、温度制御アセンブリは、第１の複数の熱伝達要素を第２の複数の熱伝達要素と交互配置するためにミラーアセンブリに対して位置付けられている。別の例示的実施形態において、第２の複数の熱伝達要素は、選択されたオフセット距離だけ第１の複数の熱伝達要素からオフセットされている。別の例示的実施形態において、第１の複数の熱伝達要素は、放射およびガス伝導のうち少なくとも一方を介して第２の複数の熱伝達要素に熱を伝達するように構成されている。
【0011】
本開示の１つの例示的実施形態により、検査システムを開示する。１つの例示的実施形態において、検査システムは、照明源からの照明を収集するように構成されている１つ以上のミラーを含む集光系のセットを含む照明サブシステムを含む。別の例示的実施形態において、検査システムは、集光系の１つ以上のミラーからの照明を１つ以上の試料に方向付けるように構成されている１つ以上のミラーを含む照明器光学系のセットを含む。別の例示的実施形態において、検査システムは、検出器を含む。別の例示的実施形態において、検査システムは、１つ以上の試料の表面からの照明を受け、１つ以上の試料からの照明を検出器に方向付けるように構成されている１つ以上のミラーを含む投影光学系のセットを含む。別の例示的実施形態において、集光系のセットの１つ以上のミラー、照明器光学系のセットの１つ以上のミラーおよび投影光学系のセットの１つ以上のミラーのうちの少なくとも１つが、冷却ミラーデバイスを含む。１つの例示的実施形態において、冷却ミラーデバイスは、ミラーアセンブリにおいて、第１側に位置付けられているミラーと、第１側と対向する第２側に位置付けられている第１パターンに形成されている第１の複数の熱伝達要素とを含むミラーアセンブリと；第１パターンに適合する第２パターンに形成されている第２の複数の熱伝達要素を含む温度制御アセンブリにおいて、温度制御アセンブリが、第１の複数の熱伝達要素を第２の複数の熱伝達要素と交互配置するためにミラーアセンブリに対して位置付けられており、第２の複数の熱伝達要素が、選択されたオフセット距離だけ第１の複数の熱伝達要素からオフセットされており、第１の複数の熱伝達要素が、放射およびガス伝導のうち少なくとも一方を介して第２の複数の熱伝達要素に熱を伝達するように構成されている、温度制御アセンブリとを含む。
【0012】
本開示の１つの例示的実施形態により、リソグラフィシステムを開示する。１つの例示的実施形態において、リソグラフィシステムは、照明源からの照明を収集するように構成されている１つ以上のミラーを含む集光系のセットを含む照明サブシステムを含む。別の例示的実施形態において、リソグラフィシステムは、収集された照明をマスクに方向付ける１つ以上のミラーを含む照明器光学系のセットを含む。別の例示的実施形態において、リソグラフィシステムは、マスクから反射された照明を受け、マスクから反射された照明を１つ以上のウェハに方向付ける１つ以上のミラーを含む投影光学系のセットを含む。別の例示的実施形態において、集光系のセットの１つ以上のミラー、照明器光学系のセットの１つ以上のミラーおよび投影光学系のセットの１つ以上のミラーのうちの少なくとも１つが、冷却ミラーデバイスを含む。別の例示的実施形態において、冷却ミラーデバイスは、ミラーアセンブリにおいて、第１側に位置付けられているミラーと、第１側と対向する第２側に位置付けられている第１パターンに形成されている第１の複数の熱伝達要素とを含むミラーアセンブリと；第１パターンに適合する第２パターンに形成されている第２の複数の熱伝達要素を含む温度制御アセンブリにおいて、温度制御アセンブリが、第１の複数の熱伝達要素を第２の複数の熱伝達要素と交互配置するためにミラーアセンブリに対して位置付けられており、第２の複数の熱伝達要素が、選択されたオフセット距離だけ第１の複数の熱伝達要素からオフセットされており、第１の複数の熱伝達要素が、放射およびガス伝導のうち少なくとも一方を介して第２の複数の熱伝達要素に熱を伝達するように構成されている、温度制御アセンブリとを含む。
【0013】
以上の一般的な記載および以下の詳細な記載の両方が、単に例示的かつ説明的であること、ならびに必ずしも本開示を制限するものではないことが理解されよう。本明細書に組み込まれ、その一部を構成する添付の図は、本開示の主題を示している。詳細な記載および図は、共に、本開示の原理を説明する働きをする。
【図面の簡単な説明】
【0014】
本開示の多くの利点は、添付の図の参照により当業者によってより良好に理解され得る。
【0015】
【図1】本開示の実施形態によるＥＵＶ光源を示すブロック図である。
【図2A】本開示の実施形態による、１つ以上のプレパルスおよび１つ以上のメインパルスを含む一連のレーザーパルスの概念図である。
【図2B】本開示の実施形態による、１つ以上のプレパルスおよび１つ以上のメインパルスを含む一連のレーザーパルスの概念図である。
【図2C】本開示の実施形態による、１つ以上のプレパルスおよび１つ以上のメインパルスを含む一連のレーザーパルスの概念図である。
【図3】本開示の実施形態による、パルス状の軸方向並進スキームを示すブロック図である。
【図4A】本開示の実施形態による、一連の質量制限プラズマ形成ターゲットを備えた回転可能な円筒体の断面図である。
【図4B】本開示の実施形態による、一連の質量制限プラズマ形成ターゲットを備えた回転可能な円筒体の断面図である。
【図5】本開示の実施形態による、一連の接着構造を備えた回転可能な円筒体の断面図である。
【図6】本開示の実施形態による、１つ以上の低温パネルを備えたＥＵＶ光源のブロック図である。
【図7】本開示の実施形態による、プラズマ系ＥＵＶ源を含む光学システムを示すブロック図である。
【図8A】本開示の実施形態による、軸対称構成に配置されている熱伝達要素を有する冷却ミラーデバイスの等角図を示す。
【図8B】本開示の実施形態による、軸対称構成に配置されている熱伝達要素を有する冷却ミラーデバイスの断面図を示す。
【図9】本開示の実施形態による、異なる熱伝導特性を有する多重コーティングを備えた冷却ミラーデバイスの等角図を示す。
【図10】本開示の実施形態による、異なる熱伝導特性を有する多重セグメントを備えた冷却ミラーデバイスの等角図を示す。
【図11A】本開示の実施形態による、平行構成に配置されている熱伝達要素を有する冷却ミラーデバイスの等角図を示す。
【図11B】本開示の実施形態による、平行構成に配置されている熱伝達要素を有する冷却ミラーデバイスの断面図を示す。
【図12】本開示の実施形態による、１つ以上の冷却ミラーデバイスを含む光学システムを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
添付の図に示されている、開示されている主題を詳細にここで参照する。
【0017】
図１～７は、本発明の１つ以上の実施形態による、極紫外（ＥＵＶ）光を発生させるためのシステムおよび方法の実施形態を概して示す。
【0018】
本開示の実施形態は、回転性円筒対称要素（例えば、円筒体）を駆動レーザー源（例えば、駆動レーザー）からの１つ以上のレーザーパルスに暴露することによりＥＵＶ光出力を発生させることを対象とする。プラズマ系照明（例えば、ＥＵＶ光）の場合、円筒対称要素は、安定で均一な固体プラズマ形成材料表面（例えば、キセノン表面）を付与する。本開示のさらなる実施形態は、本明細書に記載のプラズマ系回転性円筒体源を組み込んだマスク検査システム、ウェハ検査システムまたはリソグラフィシステム（または他の光学システム）を提供する。
【0019】
リソグラフィツール用に設計されているＥＵＶ光源は、中心波長が１３．５ｎｍの２％の帯域幅において高い平均出力（例えば、１００Ｗ以上）を典型的には有する。かかるシステムは、金属ターゲット（例えば、Ｓｎ）および高出力レーザー（例えば、１０．６μｍの波長を有するＣＯ２）と共にレーザー生成プラズマ（ＬＰＰ）を典型的には使用する。かかる組み合わせは、高い変換効率（帯域において最大４～５％）および高い平均出力（約１００Ｗ以上）を達成するのによく適している。
【0020】
かかるリソグラフィ系光源の検査目的での使用は、余剰の出力レベルにつながり、高い複雑さおよびコストを結果としてもたらす。さらに、金属ターゲットの使用は、光学系および真空チャンバを汚染させる場合がある微粒子および金属蒸気の形態でのデブリの発生を結果として引き起こす。
【0021】
本発明のいくつかの実施形態は、高い出力を概して要求しないＥＵＶマスク検査システムを対象とする。ＥＵＶ系マスク検査に関しては、むしろ、輝度が典型的にはより大きな関心事である。これに関連して、本発明は、ＥＵＶマスク検査システムに関して用いられるとき、小さな光源サイズを有しながら、中程度の平均出力（例えば、１０Ｗ未満）を示すことができ、高い輝度（例えば、１０Ｗ／ｍｍ２ｓｒ超）を結果として生じさせる。さらに、本開示のマスク検査システムの小さなＥＵＶ源サイズは、（例えば、直径５０～１００μｍ未満のスポットに）駆動レーザーをタイトフォーカスすることによって達成され得る。
【0022】
図１は、本開示の１つ以上の実施形態によるＥＵＶ光源１００のブロック図を示す。一実施形態において、システム１００は、プラズマ形成ターゲット材料で少なくとも部分的にコーティングされた表面を有し、真空チャンバ１０１内に設けられている回転可能な円筒対称要素１０２を含む。別の実施形態において、システム１００は、回転可能な円筒対称要素１０２においてプラズマ形成ターゲット材料の励起によるプラズマの形成を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な１つ以上のレーザーパルスを発生させるように構成されている駆動レーザー源１０４を含む。別の実施形態において、システム１００は、回転可能な円筒対称要素１０２の表面にプラズマ形成ターゲット材料１０３を供給するように構成されているガス供給サブシステム１１６を含むガス管理システム１１２を含む。別の実施形態において、システム１００は、システム１００の１つ以上のサブシステムの１つ以上の機能を制御するように構成されている１つ以上の制御システム１１４を含む。
【0023】
一実施形態において、駆動レーザー源１０４は、回転可能な円筒対称要素１０２の表面上に一旦設けられた材料１０３においてプラズマを起動させるおよび／または維持するのに好適である。これに関連して、駆動レーザー源１０４は、プラズマ形成ターゲット材料を迅速に加熱するのに必要とされるエネルギーを、ＥＵＶ光をひいては放出するプラズマに供給することができる。
【0024】
一実施形態において、駆動レーザー源１０４は、限定されないが、１つ以上の駆動レーザーを含むことができる。駆動レーザー源１０４において用いられるレーザーの数および種類は、限定されないが、個々のレーザーの所要の出力、所望のＥＵＶ光出力、およびＥＵＶ光発生プロセスの効率を含めた多くの因子に依ることができる。例として、ＥＵＶ光は、フォトリソグラフィマスク検査システムによって用いられるが、かかるシステムは、一次フォトリソグラフィシステムの高いＥＵＶ光出力を必要としない。ＥＵＶマスク検査システムは、小さな面積において高輝度であるが、１０Ｗの範囲のＥＵＶ光を必要とするのみであり得る。マスク検査システムの場合、必要とされるのは数キロワットの範囲の合計レーザー出力であり、該出力が、小さなターゲットスポット（例えば、直径１００μｍ未満）上に集束されている。
【0025】
駆動源１０４は、当該分野において公知の任意のパルスまたは変調照明源を含んでいてよい。例えば、駆動レーザー源１０４は、限定されないが、パルスレーザーを含むことができる。一実施形態において、駆動レーザー源１０４は、限定されないが、１つ以上の固体レーザーを含むことができる。例えば、駆動レーザー源１０４は、限定されないが、１つ以上のＮｄ：ＹＡＧ、Ｅｒ：ＹＡＧ、Ｙｂ：ＹＡＧ、Ｔｉ：サファイア、Ｎｄ：バナジウム酸塩および同様のレーザーを含むことができる。別の実施形態において、駆動レーザー源１０４は、限定されないが、ガス放電レーザーを含むことができる。例えば、駆動レーザー源１０４は、限定されないが、１つ以上のエキシマーレーザーを含むことができる。別の実施形態において、駆動レーザー源１０４は、限定されないが、１μｍ未満の波長を有する光を放出することが可能である任意のレーザーシステムを含むことができる。
【0026】
別の実施形態において、駆動レーザー源１０４は、２つ以上のレーザーを含む。例えば、図１に示すように、駆動レーザー源１０４は、第１レーザー１２２ａおよび第２レーザー１２２ｂを含んでいてよい。別の実施形態において、第１レーザー１２２ａは、放射線１２６ａを放出し、第２レーザー１２２ｂは、放射線１２６ｂを放出する。別の実施形態において、放射線１２６ａおよび１２６ｂは、ビーム組み合わせ器１２４を介して組み合わせビーム１０７に組み合わされる。別の実施形態において、ビーム組み合わせ器１２４は、ビーム調整、例えば、ビーム拡大または視準をさらに付与する。
【0027】
別の実施形態において、システム１００は、ビーム診断ツール１２８を含む。例えば、ビーム診断ツール１２８は、ビーム組み合わせ器１２４からの出力を受信するように位置付けられていてよい。これに関連して、組み合わせビーム１０７は、ビーム診断ツール１２８を通してビーム組み合わせ器１２４によって放出される。一実施形態において、ビーム診断ツール１２８は、駆動レーザー源１０４によって発生するビーム１０７の１つ以上のレーザーパルスの１つ以上の特性を測定および／またはモニタリングする。これに関連して、ビーム診断ツール１２８は、ビーム１０７に関する情報、例えば、ビームの方向、時間特性、および質を取得することができる。別の実施形態において、ビーム診断ツール１２８は、制御システム１１４に通信可能に連結される。これに関連して、ビーム診断ツール１２８は、取得したビーム情報を制御システム１１４に伝送することができる。一実施形態において、制御システム１１４は、ビーム診断サブシステム１２８からの１つ以上のモニタリングされたパラメータを受信し、次いで、モニターのビームパラメータに応じてシステム１００の１つ以上のパラメータを調整することができる。例えば、制御システム１１４は、駆動レーザー源の１つ以上のパラメータ、回転可能な円筒対称要素１０２の１つ以上のパラメータ、真空チャンバ１０１の１つ以上のパラメータ、集束光学系または集光系のセット１つ以上のパラメータおよびガス供給サブシステムの１つ以上のパラメータを調整することができる。別の実施形態において、制御システム１１４は、メモリにおいてビーム診断ツール１２８によって取得され、ならびに／またはシステム１００および種々のサブシステム（例えば、駆動レーザー源１０４）を安全にモニタリングするのに用いられる、測定された情報を格納することができる。
【0028】
別の実施形態において、ＥＵＶ源１００は、集束光学系１３０のセットを含む。一実施形態において、１つ以上の集束光学系は、回転可能な円筒対称要素のプラズマ発生領域上に駆動レーザー源からの１つ以上のレーザーパルスを能動集束するように構成されている。一実施形態において、制御システム１１４は、１つ以上の集束光学系に通信可能に連結されており、駆動レーザー源１０４からの１つ以上のレーザーパルスの焦点を調整するように構成されている。例えば、制御システム１１４は、制御システム１１４によって受信された種々のモニタリングされたパラメータ（例えば、ビーム１０７の特性、ＥＵＶ光の特性、円筒体１０７に対するレーザービーム１０７の位置、円筒体１０２の傾斜など）に応じて、駆動レーザー源１０４からの１つ以上のレーザーパルスを調整することができる。
【0029】
例えば、レーザービーム１０７は、制御システム１１４によって制御される並進および／または回転ステージによって調整され得る（例えば、Ｘ、ＹおよびＺ方向ならびに傾斜において調整され得る）光学系１３０によって焦点に集束され得る。さらに、ＥＵＶ源１００は、中ＮＡレンズ１３０による１００μｍ未満の直径を有するスポットへのレーザービーム１０７の集束を付与して、軸方向コレクタの場合にはＥＵＶコレクタに関して相当に小さな直径を維持しながら、光学系を保護する手段を付与することができる。このように、レーザーの波長は、回折限界焦点の上記基準を満たすために、約１μｍ以下であるように選択され得る。
【0030】
別の実施形態において、真空チャンバ１０１は、１つ以上の真空窓１３２を含む。例えば、レーザービーム１０７は、集束光学要素として働くこともできる真空窓１３２を通過する。本明細書において、ＥＵＶ源１００が、多重レーザーからの多重ビームを同じ焦点内で組み合わせるいくつかの入力窓を含み得ることに注意されたい。別の実施形態において、入力窓１３２は、レーザービーム経路において真空チャンバ内に設置されているペリクル（図示せず）によって、プラズマ１１９によって放出されるエネルギーストリームから保護され得る。
【0031】
図２Ａ～２Ｃは、本開示の１つ以上の実施形態による、駆動レーザー源１０４の一連の波形を示す。一実施形態において、駆動レーザー源１０４によって発生する１つ以上のレーザーパルスは、プラズマ形成ターゲット材料の部分の励起を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な一連のレーザーパルスを含む。例えば、一連のレーザーパルスは、１つ以上の低エネルギーパルス、続いての１つ以上の高エネルギーパルスによる一連の等しくないレーザーパルスを含むことができる。本明細書において、単一のレーザーパルスセット内で強度を変動させることで、システム１００のプラズマ発生プロセスに対する制御を付与しており、ここで、パルスのパラメータ、例えば、パルス間のエネルギー分布、パルス持続時間、および遅延が、システム１００の最適な（または少なくとも適切な）性能のために調整され得ることに注意されたい。一実施形態において、図２Ａ～２Ｃに示すように、一連のレーザーパルスは、プラズマ形成ターゲット材料の部分の励起を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な１つ以上のプレパルス（例えば、２０２、２１２、２２２）および１つ以上のメインパルス（例えば、２０４、２１４、２２４）を含む。例えば、一連のレーザーパルスは、プラズマ形成ターゲット材料の部分を非熱的にアブレーションするのに十分な１つ以上のプレパルス（例えば、２０２、２１２、２２２）、およびプラズマ形成ターゲット材料の非熱的アブレーション部分の一部の励起を介してＥＵＶ光を発生させるのに十分な１つ以上のメインパルス（例えば、２０４、２１４、２２４）を含む。本開示の目的で、用語「プレパルス」は、主要なまたは「メインパルス」に先行し、「メイン」パルスよりも小さな強度を有する任意のパルスを意味する。本開示の目的で、用語「メインパルス」は、プラズマ形成材料をＥＵＶ光発生状態に励起するのに用いられ得る、全強度を有するパルスを意味する。
【0032】
一実施形態において、図２Ａに示すように、波形２００は、プレパルス２０２およびメインパルス２０４を含む。これに関連して、プレパルス２０２は、メインパルス２０４の強度の何分の１かである強度を有する。別の実施形態において、図２Ｂに示すように、波形２１０は、２つのプレパルス２１２およびメインパルス２１４を含む。これに関連して、両方のプレパルス２１２は、メインパルス２１４の強度の何分の１かである強度を有する。別の実施形態において、図２Ｃに示すように、波形２２０は、単一のプレパルス２２２および２つのメインパルス２２４を含む。これに関連して、プレパルス２２２は、メインパルス２２４の強度の何分の１かである強度を有する。
【0033】
一実施形態において、ビーム１０７の１つ以上のレーザーパルスは、５～５０ｎｓの範囲の持続時間を有するパルスの列を含むことができる。別の実施形態において、駆動レーザー源１０４によって出力されるビーム１０７の合計平均出力は、１～１０ｋＷの範囲であり得る。別の実施形態において、多重レーザーの出力の組み合わせは、多重レーザーを同期トリガすることを含むことができる。このことは、同じ繰り返し率を有する多重レーザーを用いることによってまたは連続トリガを介して達成され得、これにより、多重レーザーが、等間隔で１つずつトリガされる。一実施形態において、（多重レーザーの組み合わせ後の）駆動レーザー源１０４のレーザーパルスの全体の繰り返し率は、１～５０ｋＨｚの範囲であってよい。
【0034】
例として、プレパルスは、１ｎｓ未満である持続時間を有することにより、ＥＵＶ発生に必要とされる、ターゲットからアブレーションされてメインパルスに暴露される材料の量を結果として最小にすることができる。例えば、１つ以上のプレパルスレーザーパルスは、回転可能な円筒対称要素１０２の表面に設けられたＸｅの非熱的アブレーションを容易にするｐｓまたはｆｓのレーザーパルスの形態で送達され得る。これに関連して、プレパルスは、Ｘｅ氷層に最小の熱負荷を付与し、これにより、Ｘｅの蒸発を最小にし、回転可能な円筒対称要素１０２から蒸発または昇華されたＸｅガスによる放出されたＥＵＶ放射線の再吸収に起因してＸｅプラズマの輝度を低減させる。
【0035】
図１を再び参照すると、一実施形態において、回転可能な円筒対称要素１０２は、軸の周囲の回転に好適である。一実施形態において、回転可能な円筒対称要素１０２は、図１に示すように、円筒体を含む。他の実施形態において、回転可能な円筒対称要素１０２は、当該分野における任意の円筒対称形状を含む。例えば、回転可能な円筒対称要素１０２は、限定されないが、円筒体、錐体、球体、楕円体などを含むことができる。さらに、円筒対称要素１０２は、２つ以上の形状からなる複合形状を含むことができる。本明細書において、記載の便宜上の目的で、システム１００および関連する実施形態を、図１に示すように回転可能なまたは回転性円筒体１０２に関連して説明しているが、このことは、本発明の限定として解釈されるべきでないことに注意されたい。
【0036】
別の実施形態において、回転可能な円筒体１０２は、プラズマ形成ターゲット材料１０３で少なくとも部分的にコーティングされている。プラズマ形成ターゲット材料１０３は、照明源によって励起されたときにプラズマを発生させる当該分野において公知の任意の材料を含むことができる。例えば、ターゲット材料１０３は、限定されないが、キセノンを含むことができる。別の実施形態において、ターゲット材料１０３は、回転可能な円筒体１０２の表面に設けられた固体材料を含むことができる。例えば、ターゲット材料１０３は、限定されないが、回転可能な円筒体１０２の表面上で凍結したキセノンを含むことができる。
【0037】
一実施形態において、真空チャンバ１０１は、ＥＵＶ光源として働くプラズマが発生し、得られたＥＵＶ光が収集かつ集束される低圧容器である。ＥＵＶ光が、ガスによって強く吸収されるため、真空チャンバ１０１内での圧力の低減が、光源内でのＥＵＶ光の減衰を低減させる働きをする。
【0038】
一実施形態において、ガス管理システム１１２のガス供給サブシステム１１６は、真空チャンバ１０１内で回転可能な円筒体１０２の表面に選択された材料１０３を供給することができる。例えば、ガス供給サブシステム１１６は、ノズル１１１を介して回転可能な円筒体１０２の表面に選択された材料１０３を供給することができる。一実施形態において、ガス供給サブシステム１１６は、円筒体１０２の表面上に該円筒体が回転するに従いガス、液体ストリームまたはスプレーを方向付けることができ、選択された材料の凝固点未満の温度に維持される。例えば、選択された材料として、限定されないが、キセノンおよび同様の材料を挙げることができる。例えば、回転可能な円筒体１０２は、キセノンの凝固点（例えば、－１１１．８℃）未満に冷却され得る。次いで、キセノンが、回転可能な円筒体１０２の表面に適用されて、回転可能な円筒体１０２の表面上で該円筒体が回転するに従いキセノンを凍結させ、これにより、円筒体１０２の外面上に固体キセノン層を形成することができる。一実施形態において、回転可能な円筒体１０２は、クーラント材料を含有するための内部リザーバを含むことができる。例えば、キセノンの場合、回転可能な円筒体１０２は、適用されたキセノンをキセノンの凝固点未満に冷却するのに用いられるある体積の液体窒素を保持する内部リザーバを含むことができる。
【0039】
別の実施形態において、システム１００は、円筒体１０２におけるプラズマ形成材料層の質を改良するのに用いられる機構を含むことができる。一実施形態において、システム１００は、円筒体１０２の表面に均一なプラズマ形成材料層を形成する（または維持する）のを補助するのに適した、円筒体１０２の外側に位置する熱的デバイスおよび／または機械的デバイスを含むことができる。例えば、キセノンの場合、システム１００は、限定されないが、円筒体１０２の表面に形成されるキセノン氷層の密度を平滑化または制御するように配置されている加熱要素を含むことができる。別の例として、キセノンの場合、システム１００は、限定されないが、円筒体１０２の表面に形成されるキセノン氷層の密度を平滑化および／または制御するように配置されているブレードデバイスを含むことができる。
【0040】
別の実施形態において、ガス供給サブシステム１１６は、円筒体１０２の１つ以上の部分を「再」コーティングし、続いて駆動レーザー源１０４からのビーム１０７に暴露する働きもすることができる。
【0041】
別の実施形態において、ガス供給システム１１６は、１つ以上の緩衝ガスを真空チャンバ１０１内に供給する。例えば、ガス供給システム１１６は、真空チャンバに対して、当該分野で公知の任意の緩衝ガス、例えば、限定されないが、水素、ヘリウム、アルゴン、または他の不活性ガスを供給することができる。緩衝ガスは、内部集束モジュール１４２の動的ガスロック機能を保護する働きもする。
【0042】
別の実施形態において、ガス管理システム１１２は、プラズマ形成材料リサイクルサブシステム１１８を含む。一実施形態において、材料リサイクルシステム１１８は、真空チャンバ１０１からのプラズマ形成材料（例えば、キセノン）を回収して、ガス供給システム１１６に再供給する。
【0043】
別の実施形態において、真空チャンバ１０１は、真空チャンバ１０１の低圧環境を確立かつ維持するのに好適な真空システム１２０を含む。例えば、真空システム１２０は、乾燥ポンプユニットが裏打ちされ、揮発性ガス、例えば、Ｈ２の安全な利用のための排気システム（図示せず）を備えた、１つ以上の真空ポンプ、例えば、限定されないが、ターボポンプおよび／またはルーツポンプを含むことができる。
【0044】
別の実施形態において、システム１００は、少なくとも１つの作動デバイス１１０を含む。一実施形態において、作動デバイス１１０は、回転可能な円筒体１０２を作動するように構成されている。一実施形態において、作動デバイス１１０は、回転可能な円筒体１０２の軸方向位置を制御するように構成されている。例えば、作動デバイス１１０は、駆動レーザー源１０４からのビーム１０７に対して軸方向１１３に沿って回転可能な円筒体１０２を並進させるように構成されている線形アクチュエータ（例えば、線形並進ステージ）を含む。別の実施形態において、作動デバイス１１０は、回転可能な円筒体１０２の回転状態を制御するように構成されている。例えば、作動デバイス１１０は、ビーム１０７が選択された軸方向位置で円筒体１０２の表面に沿って横断するように、回転方向１１７に沿って回転可能な円筒体１０２を選択された回転速度で回転させるように構成されている回転アクチュエータ（例えば、回転ステージ）を含むことができる。別の実施形態において、作動デバイス１１０は、回転可能な円筒体１０２の傾斜を制御するように構成されている。例えば、作動デバイス１１０の傾斜機構は、プラズマ位置１１９を集光系１０６の第１焦点と整列させるために円筒体１０２の傾斜を調整するのに用いられ得る。
【0045】
別の実施形態において、回転可能な円筒体１０２は、軸１１５を介して作動デバイス１１０に連結されていてよい。本明細書において、本発明が、本明細書において先に記載されているように、作動デバイス１１０に限定されないことを認識されたい。このように、先に提供した詳細な説明は、単に説明的であると解釈されるべきである。例えば、駆動源１０４は、円筒体１０２に対してのビーム１０７の並進を付与する作動ステージ（図示せず）に設けられていてよい。別の例において、ビーム１０７を種々の光学要素によって制御して、ビームに所望により円筒体１０２の表面を横断させることができる。円筒体１０２、駆動源１０４およびビーム１０７の制御の任意の組み合わせが、本発明によって必要とされる円筒体１０２を横切ってビーム１０７を横断させるのに用いられ得ることをさらに認識されたい。
【0046】
別の実施形態において、作動デバイス１１０および／または駆動レーザー源１０４は、制御システム１１４に通信可能に連結されている。一実施形態において、制御システム１１４は、駆動レーザー源１０４に対して軸方向１１３に沿って回転可能な円筒体１０２の作動を制御する。別の実施形態において、制御システム１１４は、駆動レーザー源１０４（例えば、パルスタイミング、方向など）を制御する。これに関連して、制御システム１１４は、本開示に記載の任意の方法で、円筒体が回転するに従い作動デバイス１１０および円筒体１０２を方向付けて、円筒体の表面を横切ってパルス状の照明１０７を追跡することができる。
【0047】
図３は、本開示の一実施形態による、パルス状の並進プロセスに関連した追跡経路の概念図を示す。一実施形態において、制御システム１１４は、作動デバイス１１０を方向付けて、駆動レーザー源１０４に対して回転性円筒体１０２を繰り返し軸方向に作動させ、パルス状の軸方向の並進プロセスを実施するようにすることができる。これに関連して、制御システム１１４は、作動デバイス１１０を方向付けて、回転可能な円筒対称要素１０２の第１軸方向位置３０１で駆動レーザー源１０４を整列させることができる。次いで、作動デバイス１１０は、回転可能な円筒対称要素を回転させて、駆動レーザー源１０４のビーム１０７（１つ以上のレーザーパルスを含む）に、第１軸方向位置３０１に沿って、回転可能な円筒対称要素１０２の外周を横断させることができる。第１軸方向位置３０１において駆動レーザー源１０４によって追跡される経路は、実線３０２によって描かれている。次いで、制御システム１１４は、作動デバイス１１０を方向付け、駆動レーザー源に対して、回転可能な円筒対称要素１０２を軸方向に並進させて、回転可能な円筒対称要素１０２の第２軸方向位置３０３で駆動レーザー源を整列させることができる。次に、作動デバイス１１０は、回転可能な円筒対称要素１０２を回転させて、駆動レーザー源のビーム１０７に、第２軸方向位置３０３に沿って、回転可能な円筒対称要素１０２の外周を横断させることができる。第２軸方向位置３０３において駆動レーザー源１０４によって追跡される経路は、実線３０４によって描かれている。これに関連して、制御システム１１４は、作動デバイス１１０を方向付けて、一連のＮのパルス状の並進を実行し、ビーム１０７が、Ｎの軸方向位置のそれぞれにおいて、回転可能な円筒対称要素１０２の外周を横断することを可能にすることができる。
【0048】
別の実施形態において、パルス状の並進プロセスは、図３における下向きの矢印によって示されている、回転可能な円筒対称要素１０２の「下降ストローク」の際の一連の軸方向位置（例えば、３０１、３０３など）におけるビーム１０７の整列を含むことができる。例えば、図３に示すように、実線は、（図３に示さない）ビーム１０７に対して要素１０２の「下向きの」パルス状の軸方向並進によって形成される、Ｎの軸方向位置のそれぞれにおけるビーム経路１０７を示す。
【0049】
別の実施形態において、パルス状の並進プロセスは、図３における上向きの矢印によって示されている、回転可能な円筒対称要素１０２の「上昇ストローク」の際の一連の軸方向位置（例えば、３０５および３０７）におけるビーム１０７の整列を含むことができる。例えば、図３に示すように、点線（例えば、３０６および３０８）は、ビーム１０７に対して要素１０２の「上向きの」パルス状の軸方向並進によって形成される、Ｍの軸方向位置のそれぞれにおけるビーム１０７によって追跡される経路を示す。
【0050】
別の実施形態において、制御システム１１４は、作動デバイス１１０を方向付けて、回転可能な円筒対称要素１０２の上昇ストロークの軸方向位置に対して、回転可能な円筒対称要素１０２の下降ストロークの軸方向位置をオフセットすることができる。これに関連して、回転可能な円筒対称要素１０２の下降ストロークの際に実施されるビーム１０７の追跡は、図３に示すように、回転可能な円筒対称要素１０２の上昇ストロークの際に実施されるビーム１０７の追跡と交錯する。記載の便宜上の目的で、単一の下降ストローク（下向きの矢印）に関する追跡（例えば、３０２、３０４など）および単一の上昇ストローク（上向きの矢印）に関する追跡（例えば、３０６、３０８など）を図３に示す。本明細書において、本発明が、単一の下降ストロークおよび単一の上昇ストロークに限定されないことに注意されたい。本明細書において、任意の数の上昇および下降ストロークが、作動デバイス１１０を介した下向きかつ上向き軸方向並進間の繰り返される反転によって光源１００によって実施され得ることを認識されたい。さらに、本明細書において、一連のストロークの各ストローク（下降または上昇）に関連する軸方向位置は、回転可能な円筒対称要素１０２の表面に沿ったビーム１０７の各追跡が「新規の」または「新たな」プラズマ形成材料を横断するようにオフセットされていてよいことを認識されたい。これに関連して、上昇ストローク（例えば、３０６、３０８など）に関連する追跡は、限定されないが、図３の円筒体１０２の表面を横断する交錯した点線または実線によって示されているように、下降ストローク（例えば、３０２、３０４など）に関連する追跡と交錯していてよい。
【0051】
本明細書において、本明細書に記載のパルス状の軸方向並進スキームは、回転可能な円筒対称要素１０２の表面全体を横切ってプラズマ形成材料層（例えば、固体Ｘｅ層）のより均一なＥＵＶ放出の補充を付与することができることを認識されたい。例として、並進パルスの際の回転可能な円筒対称要素１０２の軸速度は、１ｍ／ｓ～５０ｍ／ｓの範囲である（例えば、１０ｍ／ｓ）。さらに、パルス並進速度は、回転可能な円筒対称要素１０２の回転速度（例えば、２０Ｈｚ未満）と相関している。
【0052】
別の実施形態において、制御システム１１４は、作動デバイス１１０を方向付けて、駆動レーザー源１０４に対して回転する冷却円筒体１０２を軸方向に作動させ、これにより、駆動レーザー源１０４のビーム１０７に、連続またはほぼ連続の並進プロセスで回転可能な円筒対称要素１０２の表面にらせん状パターンを描かせるようにすることができる。連続の並進プロセスは、全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０１４年６月１９日に提出された、Haleらの米国特許出願第１４／３０９，３９３号に記載されている。
【0053】
別の実施形態において、ガス供給サブシステム１１６は、回転可能な円筒体の部分をプラズマ形成材料１０３で再コーティングするように構成されている。一実施形態において、ガス供給サブシステム１１６は、回転可能な円筒体１０２の予め照射された部分をプラズマ形成材料１０３で再コーティングするように構成されている。例えば、ガス供給サブシステム１１６は、照明１０５によって予め「攻撃」されたスポットを、プラズマ形成材料、例えば、限定されないが、キセノンで再コーティングすることができる。さらに、円筒体１０２の長さおよび円筒体１０２の軸速度は、プラズマ形成材料（例えば、キセノン）に、次の照明の暴露の前に円筒体１０２上で固体化するのに十分な時間を付与するように選択され得る。
【0054】
図４Ａおよび４Ｂは、本発明の１つ以上の実施形態による、質量制限プラズマ形成材料ターゲットを有する回転可能な円筒対称要素１０２の断面図を示す。一実施形態において、図４Ａおよび４Ｂに示すように、多重の質量制限ターゲット（例えば、４０４または４０６）は、回転可能な円筒対称要素１０２の表面内に埋め込まれている。これに関連して、各質量制限ターゲットは、回転可能な円筒対称要素１０２の表面における「ピット」内でのプラズマ形成固体（例えば、Ｘｅ氷）の形成によって形成される。別の実施形態において、回転可能な円筒対称要素１０２は、所与のプラズマ形成材料を凍結させ、該材料を凍結状態に維持する働きをする低温液体４０８（例えば、液体窒素）で満たされている。
【0055】
別の実施形態において、質量制限ターゲットは、ビーム１０７による追跡対象の１つ以上の経路に沿って回転可能な円筒対称要素１０２の表面内に埋め込まれていてよい。これに関連して、制御システム１１４は、ビーム１０７が回転可能な円筒対称要素１０２の表面を横切ってビーム１０７の所与の経路（例えば、パルス状の並進プロセスによって画定されるらせん状経路）に沿って質量制限ターゲットから質量制限ターゲットに移動するように作動デバイス１１０および／または駆動レーザー源１０４を方向付けることができる。
【0056】
本明細書において、回転可能な円筒対称要素１０２の表面のピット内に設けられている質量制限ターゲットの実装が、隣接する質量制限ターゲット（例えば、Ｘｅターゲット）間に熱障壁を付与する働きをすることができることを認識されたい。このように、回転可能な円筒対称要素１０２の表面のピット内に設けられている質量制限ターゲットの使用は、プラズマ形成材料の過剰な蒸発（例えば、固体Ｘｅ層の場合にはＸｅガスの形成）に一般的につながるスポットからスポットへの熱拡散の低減を補助することができる。
【0057】
一実施形態において、図４Ａに示すように、多重の錐体形状の質量制限ターゲット４０４は、回転可能な円筒対称要素１０２の表面内に埋め込まれている。別の実施形態において、図４Ｂに示すように、多重の台形状の質量制限ターゲット４０４は、回転可能な円筒対称要素１０２の表面内に埋め込まれている。本明細書において、図４Ｂに示すように薄肉の底部の台形状の質量制限ターゲットは、ピット内での材料（例えば、Ｘｅ）の凍結を介して底部から上部への形成を促進することができることに注意されたい。
【0058】
別の実施形態において、示していないが、質量制限ターゲットは、回転可能な円筒対称要素１０２の表面内に埋め込まれかつ軸方向に沿って離間しているプラズマ形成材料のリングからなることができる。本明細書において、かかるリング構造は、軸方向に沿ったプラズマ形成材料の蒸発の低減も付与しながら、要素１０２の周りでの１回転の際に連続するＥＵＶ光発生を付与することができることに注意されたい。
【0059】
本明細書において、本発明は、錐体－および台形状の質量制限ターゲットに限定されないことにさらに注意されたい。本明細書において、質量制限ターゲットは、当該分野において公知の任意の幾何学形状（または幾何学形状の部分）、例えば、限定されないが、錐体、台形、ピラミッド、円筒体、楕円体、球体、リングなどの形状をとることができることを認識されたい。
【0060】
別の実施形態において、回転可能な円筒対称要素１０２の表面は、高反射性コーティング４０７（例えば、高反射ＩＲコーティング）でコーティングされて、回転可能な円筒対称要素１０２への熱負荷を最小にすることができる。例えば、反射性層４０７は、ビーム１０７によって、回転可能な円筒対称要素１０２の非プラズマ形成部分による加熱を低減する働きをすることができる。反射性コーティング４０７として、限定されないが、金属コーティング（例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｐｔなど）または多層誘電体コーティングを挙げることができる。本明細書において、高いレーザー閾値を有する特有のコーティングが、回転可能な円筒対称要素１０２の表面変性および／またはアブレーションの防止を補助することにより、システム寿命を増大させることができることをさらに認識されたい。
【0061】
別の実施形態において、図４Ａおよび４Ｂに示すように、質量制限ターゲットは、ビーム１０７に関連するビームウエストよりも大きく構造化されていてよい。
【0062】
図５は、本発明の一実施形態による、反射性表面を有する回転可能な円筒対称要素１０２の断面図を示す。一実施形態において、回転可能な円筒対称要素１０２は、所与のプラズマ形成材料の三重点未満の温度を有する要素１０２内に、高い熱伝導率（例えば、Ｃｕ壁）を有する金属壁５０４、および低温流体４０８（例えば、液体窒素）を有する。本明細書において、レーザー放射線１０７が、固体プラズマ形成層５０２（例えば、凍結Ｘｅ層）を部分的に透過して、回転可能な円筒対称要素１０２の表面の劣化を引き起こし得ることを認識されたい。本明細書において、高反射性表面５０６は、プラズマ形成層５０２を透過する放射線を反射することによって円筒対称要素１０２の表面劣化の防止を補助することにより、システム寿命を増大させることができることをさらに認識されたい。
【0063】
一実施形態において、高反射性表面５０６は、回転可能な円筒対称要素１０２の表面の研磨を介して得られる。例えば、回転可能な円筒対称要素１０２は、高導電性材料（例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｐｔなど）から形成され、次いで研磨されて、高反射性表面を得ることができる。
【0064】
別の実施形態において、高反射性表面５０６は、回転可能な円筒対称要素１０２上に金属層を堆積させ、次いで堆積層の表面を研磨することによって得られる。例えば、層は、金属、例えば、限定されないが、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｐｔなどから形成され、次いで研磨されて高反射性表面を得ることができる。
【0065】
別の実施形態において、高反射性表面５０６は、回転可能な円筒対称要素１０２を誘電体多層でコーティングすることによって得られる。例えば、誘電体コーティングは、プラズマ形成層５０２の屈折率と一致する屈折率を有する多層コーティングを含むことができる。
【0066】
本明細書において、本明細書に記載の反射性表面および／またはコーティングは、回転可能な円筒対称要素１０２の任意の構成と組み合わせて実装されてよく、図４Ａ、４Ｂおよび５に示す構成に限定されないことを認識されたい。
【0067】
別の実施形態において、回転可能な円筒対称要素１０２は、駆動レーザー源１０４からのビーム１０７に実質的に透明であってよい。例えば、回転可能な円筒対称要素１０２は、高導電性であるが透明の材料、例えば、限定されないが、サファイア（例えば、合成サファイア）から形成されていてよい。
【0068】
本明細書において、レーザービーム１０７からの放射線が金属製の回転可能な円筒対称要素１０２の外面によって該要素１０２における所与のスポットで吸収されるに従い、スポットが、損傷することとなり、多数の高エネルギー粒子を要素１０７から外側に放出する場合があることを認識されたい。これらの粒子は、光学系のすぐ近くで損傷する場合がある。また、円筒対称要素１０２自体が、経時的に蓄積する損傷を受け、要素１０２を最終的に使用不可能にする。例えば、キセノンプラズマおよび銅またはステンレス鋼円筒体１０２の場合、既存の銅またはステンレス鋼要素が、高出力パルスレーザービーム１０７に暴露されることがある。レーザー放射線１０７の部分は、（本開示を通して議論されているように）キセノンによって吸収されてキセノンプラズマを発生させることに注意されたい。しかし、レーザーエネルギーのいくらかは、キセノンを通って伝送されて、銅またはステンレス鋼基材によって吸収される。その結果、高強度レーザービーム１０７は、回転可能な円筒対称要素１０２の損傷を引き起こすことがあり、ひいては、真空チャンバ１０１において粒子を放出することがある。また、回転可能な円筒対称要素１０２の壁によって吸収される熱は、回転可能な円筒対称要素１０２内の内部低温流体（例えば、液体窒素）に壁を通って伝達され得る。
【0069】
本明細書において、駆動レーザー１０４からの放射線１０７に対して見かけ上は透明である壁を有する回転可能な円筒対称要素１０２の使用は、プラズマ１１９の生成に用いられない光が、回転可能な円筒対称要素１０２の壁を通って伝達されて低温流体（例えば、液体窒素）によって直接吸収されることを可能にすることを認識されたい。このように、透明壁を通って伝達されない少量の光だけによって、壁の潜在的な損傷をもたらすことがある。
【0070】
一実施形態において、回転可能な円筒対称要素１０２は、サファイア円筒体を含むことができる。本明細書において、サファイアは、硬質の結晶性材料であり、所与の吸収エネルギー量で金属よりも少ない損傷を一般に経験することに注意されたい。駆動レーザー源１０４は、サファイアが駆動レーザー波長（例えば、１μｍ）に対して概して透明であるように選択され得るため、回転可能な円筒対称要素１０２によって吸収される出力が少ないことにさらに注意されたい。また、サファイアは、低温（例えば、液体窒素温度）で高い熱伝導率を示すため、サファイア壁によって吸収される任意のレーザー出力が、回転可能な円筒対称要素１０２の中心内で低温流体に迅速に伝達される（例えば、図４Ａ、４Ｂおよび５における４０８を参照されたい）。
【0071】
別の実施形態において、サファイア系の回転可能な円筒対称要素は、他の界面に取り付けるための上部および底部におけるステンレス鋼端板（図示せず）に接続され得る。別の実施形態において、要素１０２が室温から低温（例えば、液体窒素温度）に、かつその逆で循環するときのサファイア（または同様の材料）とステンレス鋼（または同様の材料）との間の熱膨張の差に対応するために、薄い可撓性材料（例えば、Ｋｏｖａｒ）の遷移スリーブ（図示せず）が実装されていてよい。別の実施形態において、可撓性材料のスリーブをサファイアに付着させるために、まず、サファイアの端部が、材料、例えば、限定されないが、モリブデン－タングステンおよび同様の材料の薄層によって金属化される。別の実施形態において、次いで、可撓性材料リングが、サファイア要素の両端部において金属化された部分にロウ付けされてよい。別の実施形態において、ロウ付け操作が完了した後、ステンレス鋼フランジが、タングステン不活性ガス（ＴＩＧ）プロセス、電子ビーム、またはレーザーのうち少なくとも１つを用いて可撓性材料のスリーブに溶接される。
【0072】
本明細書において、透明回転可能な円筒対称要素１０２がサファイアに限定されないことを認識されたい。利用される放射線を伝達し、かつプラズマ生成を支持するのに好適な当該分野において公知の任意の透明の結晶性材料が本発明において用いられ得る。
【0073】
例えば、合理的に高い熱伝導率を有するが同時にレーザー放射線１０７に対して透明である任意の材料が、回転可能な円筒対称要素１０２を構築するのに用いられてよい。例えば、回転可能な円筒対称要素１０２は、ダイヤモンドから形成されていてよい。
【0074】
別の実施形態において、透明材料は、透明材料の結晶構造を有する１つ以上のドーパント材料を含むことができる。例えば、サファイア円筒体要素１０２の場合、サファイアは、その結晶構造内の種々のドーパントによって成長し得る。例えば、これらのドーパントとして、限定されないが、クロム（サファイアよりもむしろルビーを作り出す）、マグネシウム、イットリウムまたはバナジウムを挙げることができる。本明細書において、これらのドーパントは、成長試験の際に見られる酸化アルミニウム粒子が、サファイアドラムに由来するのか、または、そうではなくて、光源１００に見られる種々の裸アルミニウム表面の１つに由来するのかのいずれであるかを判断するための追跡用要素として作用することができることにさらに注意されたい。これらの裸アルミニウム表面は、その製造および設置の際にある程度まで酸化する傾向があるため、作り出される対応する粒子が、サファイア円筒体が構成される酸化アルミニウムと化学的に同一であり得る酸化アルミニウムからなる傾向があることに注意されたい。
【0075】
別の実施形態において、図５にも示すように、回転可能な円筒対称要素１０２の外面に対するプラズマ形成材料５０２の接着は、回転可能な円筒対称要素１０２の壁５０４における多重接着構造５０８の形成によって改良される。例えば、図５に示すように、接着構造は、円筒形状の接着構造、または「くぼみ」を含むことができる。本明細書において、接着構造５０８は、当該分野において公知の任意の幾何学形状（または幾何学形状の部分）、例えば、限定されないが、錐体、台形、ピラミッド、円筒体、楕円体、球体、リングなどの形状をとることができることを認識されたい。
【0076】
別の実施形態において、システム１００は、円筒体１０２におけるプラズマ形成領域から発せられるプラズマ系照明を収集するように配置された集光系１０６のセットを含む。例えば、ＥＵＶ光が駆動レーザー源１０４によって励起されたプラズマによって発生した後、次いで、光が、コレクタ１０６によって収集され得る。例えば、コレクタ１０６として、当該分野において公知の任意のコレクタを挙げることができる。例えば、コレクタ１０６として、ＥＵＶ光に適合する、当該分野において公知の任意のコレクタが挙げられる。別の実施形態において、集光系１０６は、１つ以上の下流の光学要素に、回転可能な円筒対称要素１０２から発せられる照明を方向付けるおよび／または集束させることができる。別の実施形態において、集光系１０６は、図１に示すように、中間焦点１０８に、回転可能な円筒対称要素１０２から発せられる照明を集束させるように構成されていてよい。本明細書において、集光系１０６のセット（「コレクタ」と称することがある）は、プラズマ１１９と中間焦点１０８との間に配置された１つ以上のミラーを含んでいてよいことに注意されたい。
【0077】
一実施形態において、プラズマ１１９は、集光系１０６の第１焦点にも一致するビーム１０７の焦点に対応する位置で発生する。例えば、集光系１０６は、２つの焦点を有する長球の軸外セグメントを含むことができる。一実施形態において、集光系１０６は、ＥＵＶ反射に好適な多層ミラー（例えば、Ｍｏ／ＳｉまたはＮｂＣ／Ｓｉ）でコーティングされた高品質の研磨表面を含むことができる。別の実施形態において、プラズマ１１９から放出されたＥＵＶ放射線は、集光系１０６によって反射され（例えば、端線１３４ａおよび１３４ｂを参照されたい）、第２焦点１０８、または「中間焦点」に集束される。本明細書において、軸外コレクタの、回転可能な円筒対称要素１０２への使用が、回転可能な円筒対称要素１０２による反射ビームの掩蔽を最小にすることに注意されたい。次に、回転可能な円筒対称要素１０２の表面におけるプラズマ形成材料が、熱負荷の低減を経ることにより、プラズマ形成材料、例えば、キセノンの蒸発が低減される。
【0078】
別の実施形態において、集光系１０６は、本明細書においてさらにより詳細に記載されているように、１つ以上の冷却ミラーデバイス（図８における冷却ミラーデバイス８００を参照されたい）を含むことができる。
【0079】
別の実施形態において、システム１００は、システム１００のＥＵＶ発生サブシステムと、本明細書においてさらにより詳細に記載されている、ＥＵＶ源としてシステム１００を実装する光学システム（例えば、検査システム、計測システムなど）の投影光学系との間の分離を付与するのに好適な界面（ＩＦ）モジュール１４２を含む。これに関連して、焦点１０８におけるＥＵＶビームの集束は、所与の光学システムの投影光学系との界面１４２を配置することを可能にし、これにより、システム１００によって発生する可能性のあるデブリおよび汚染物質からの保護を付与することができる。
【0080】
別の実施形態において、ＥＵＶ源１００は、発生したＥＵＶ光の１つ以上の特性をモニタリングするように構成されている１つ以上のＥＵＶ診断ツール１３６、１３８および１４０を含む。別の実施形態において、１つ以上のＥＵＶ診断ツール１３６、１３８および１４０は、制御システム１１４に通信可能に連結される。これに関連して、制御システム１１４は、ＥＵＶ診断ツール１３６、１３８および１４０からの１つ以上のモニタリングされたパラメータを受信することができる。別の実施形態において、制御システム１１４は、ＥＵＶ診断ツール１３６、１３８および１４０からの１つ以上のモニタリングされたパラメータに応じて回転可能な円筒対称要素１０２における少なくとも１つのプラズマ１１９の位置を調整するようにさらに構成されている。例えば、制御システム１１４は、レーザービーム１０７に対する回転可能な円筒対称要素１０２の軸方向の回転および／または傾斜作動状態を（作動デバイス１１０によって）制御することによって回転可能な円筒対称要素１０２におけるプラズマ１１９の位置を調整することができる。別の例によると、制御システム１１４は、回転可能な円筒対称要素１０２の表面に対するビーム位置を（能動光学要素１３０を介して）制御する（例えば、誘導する）ことによって回転可能な円筒対称要素１０２におけるプラズマ１１９の位置を調整することができる。別の実施形態において、制御システム１１４は、ＥＵＶ診断ツール１３６、１３８および１４０からの１つ以上のモニタリングされたパラメータに応じて駆動レーザー源１０４の出力レベルを調整するようにさらに構成されている。別の実施形態において、制御システム１１４は、ＥＵＶ診断ツール１３６、１３８および１４０からの１つ以上のモニタリングされたパラメータに応じて集光系１０６の第１焦点を調整するようにさらに構成されている。
【0081】
一実施形態において、１つ以上のＥＵＶ診断ツール（例えば、ツール１３６）は、光学および／またはＥＵＶプラズマ画像ツールを含むことができる。別の実施形態において、１つ以上のＥＵＶ診断ツール（例えば、ツール１３８）は、プラズマ１１９によって放出されるＥＵＶ出力の測定のための１つ以上のＥＵＶ出力計を含むことができる。本明細書において、光源１００は、プラズマ系ＥＵＶ光生成に関連する１つ以上のパラメータをモニタリングするのに好適な当該分野において公知の任意の診断ツールを使用することができることを認識されたい。例えば、１つ以上のＥＵＶ診断ツール（例えば、ツール１４０）は、ガスモニタリングデバイス（例えば、残存ガス分析器）、温度モニター、圧力モニターおよび／または放射線モニターをさらに含むことができる。
【0082】
図６は、本発明の１つ以上の実施形態による、１つ以上の低温ペイン６０２ａ、６０２ｂおよび／または６０２ｃを備えたＥＵＶ源１００のブロック図を示す。本明細書において、高速の中性子、イオンおよび／またはフラグメントとしての形態のプラズマ形成材料（例えば、Ｘｅデブリ）からのデブリは、金属プラズマ材料をスパッタリングすることにより二次的な金属デブリを生じさせ得ることに注意されたい。さらに、真空チャンバ１０１内の種々の光学要素（例えば、集光要素１０６、レーザー集束光学系など）における金属デブリの凝縮は、システム寿命を大幅に制限し得る。本明細書において、１つ以上の低温パネル６０２ａ、６０２ｂおよび／または６０２ｃの実装は、真空チャンバ１０１内の集光要素１０６および他の光学要素の劣化を防止または少なくとも低減することができることを認識されたい。一実施形態において、１つ以上の低温パネル６０２ａ、６０２ｂおよび／または６０２ｃは、真空チャンバ１０１内に設置されて、プラズマ形成デブリ（例えば、Ｘｅデブリ）が真空チャンバ１０１内の多重の金属表面のいずれか１つに衝突するのを制限する。一実施形態において、１つ以上の低温パネル６０２ａ、６０２ｂおよび／または６０２ｃは、１つ以上のパネル構造を含み、該構造は、その表面に予め設けられたプラズマ形成材料（例えば、Ｘｅ）の薄層（例えば、１～１０μｍ）を有する。
【0083】
別の実施形態において、光源１００は、温度管理システム１４４を含む。別の実施形態において、制御システム１１４は、温度制御システム１４４に通信可能に連結されて、光源１００を通して配置されている種々の温度測定デバイス（図示せず）を介して得られる１つ以上の温度読み取り値に応じて光源１００の温度を制御するように構成されている。一実施形態において、温度管理システム１４４は、真空チャンバ１０１の温度を制御するためのウォータージャケットを含むことができる。別の実施形態において、温度管理システム１４４は、システム１１８を介して、回転可能な円筒対称要素１０２の温度および／またはプラズマ形成リサイクルプロセスを制御するための低温システムを含むことができる。
【0084】
別の実施形態において、１つ以上の制御システム１１４は、ＥＵＶ源１００の種々のサブシステムおよび測定デバイスのいずれか１つからデータ取得するように構成されている。別の実施形態において、制御システム１１４は、メモリ（図示せず）に全ての受信データを格納または記録することができる。別の実施形態において、種々のサブシステムからの１つ以上の信号に基づいて、制御システム１１４は、１つ以上のサブシステム（例えば、集束要素１３０、作動デバイス１１０、駆動源１０４、ガス管理システム１１２、真空システム１２０、温度管理システム１４４など）の１つ以上の状況または状態をひいては制御または調整することができる。別の実施形態において、制御システム１１４は、ＥＵＶ源１００を実装する検査システム（例えば、以下の検査システム７００および１２００を参照されたい）のメイン制御システムに通信可能に連結されていてよい。
【0085】
図７は、本発明の一実施形態による、プラズマ系照明源１００を組み込んだ検査システム７００のブロック図を示す。一実施形態において、システム７００は、照明サブシステム７０２を含む。一実施形態において、照明サブシステム７０２は、本開示を通して記載されているＥＵＶ光源１００を組み込んでいる。別の実施形態において、図７に示していないが、システム７００は、照明器光学系のセットを含む。一実施形態において、照明器光学系は、試料ステージ７０６に置かれた１つ以上の試料７０４にＥＵＶ光源１００から発せられる照明１０９を方向付けることができる。例えば、１つ以上の試料７０４として、限定されないが、ウェハ（例えば、半導体ウェハ）を挙げることができる。別の例によると、１つ以上の試料７０４として、限定されないが、レチクルを挙げることができる。別の実施形態において、システム７００は、１つ以上の検出器７１０を含む。別の実施形態において、システム７００は、試料７０４から散乱され、反射されまたは他の場合には発せられる光を収集し、該光を１つ以上の検出器（例えば、ＣＣＤ、ＴＤＩ－ＣＣＤ、ＰＭＴなど）に方向付けるのに好適な投影光学系７０９のセットを含む。別の実施形態において、システム７００は、検出器７１０からの測定結果を受信および／または分析するための制御システム７１２を含む。
【0086】
一実施形態において、検査システム７００は、ウェハ検査システムまたはレチクル検査システムとして構成されている。これに関連して、検査システム７００は、ＥＵＶスペクトル範囲で操作するのに好適な当該分野において公知の任意のウェハまたはレチクル検査の光学アーキテクチャを含んでいてよい。検査システム７００は、ＥＵＶマスクブランク検査システムとして構成されていてよいことをさらに認識されたい。ＥＵＶ系マスクブランク検査は、全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０１４年４月２９日に発行された、Stokowskiへの米国特許第８，７１１，３４６号に記載されている。ＥＵＶ系マスクブランク検査は、全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０１２年３月１２日に提出された、Xiongらの米国特許出願第１３／４１７，９８２号に概して記載されている。ＥＵＶ系レチクル検査は、全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０１３年５月３０日に提出された、Nasser-Ghodsiらの米国特許出願第１３／９０５，４４９号に概して記載されている。
【0087】
別の実施形態において、示していないが、本発明を通して記載されているＥＵＶ光源１００は、ＥＵＶリソグラフィシステム内に実装されていてよい。一実施形態において、光学リソグラフィシステム（図示せず）は、ＥＵＶ光源１００からの出力光をＥＵＶ適合リソグラフィマスク（例えば、ＥＵＶ反射性マスク）に方向付けるように構成されている照明器光学系のセットを含むことができる。別の実施形態において、リソグラフィシステムは、マスクから反射された照明を受け、マスクから反射された照明をウェハステージに設けられた１つ以上のウェハに方向付けるように構成されている投影光学系のセットを含む。光学リソグラフィシステムとして、当該分野において公知の任意のＥＵＶリソグラフィシステムを挙げることができる。ＥＵＶ系リソグラフィは、全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０１２年３月１３日に提出された、Wangの米国特許出願第１３／４１９，０４２号に概して記載されている。
【0088】
図８Ａ～１１は、本開示の１つ以上の実施形態による、冷却ミラーデバイス８００の概略図を示す。ＥＵＶ源における集光ミラーにおいて観察されるように、ミラーは、所与のミラーを横切って必ずしも均一に分布されない相当量のエネルギーに暴露される場合が多い。この不均一さは、多くの場合、必ずではないが、ミラーの中心の周りに軸対称であって、空間熱分布が時間の関数として比較的安定である。冷却ミラーデバイス８００は、真空または低圧環境において光学要素（例えば、ミラー）の温度を制御するのに利用され得る。本明細書においてさらに議論されているように、温度制御は、光学要素（例えば、ミラー）と対応する熱制御デバイスとの間の機械的接触を必要とすることなく、冷却ミラーデバイス８００によって達成され、該要素が、他の利点の中でも、少ない振動および／または圧力リップルで操作することを可能にする。
【0089】
一実施形態において、冷却ミラーデバイス８００は、本明細書において先に記載されているＥＵＶ光源１００および／またはＥＵＶ系光学システム７００内に実装されていてよい。本明細書において、冷却ミラーデバイス８００が、ＥＵＶ光源１００およびＥＵＶ系光学システム７００の関連内で記載されているが、冷却ミラーデバイス８００は、これらの光学環境に限定されないことに注意されたい。本明細書において、本開示を通して記載されている冷却ミラーデバイス８００が、１つ以上のミラー状表面の冷却を必要とする任意の光学システム（例えば、集光系、照明器光学系、投影光学系、集束光学系など）内に実装されていてよいことを認識されたい。さらに、冷却ミラーデバイス８００は、当該分野において公知の任意の光学範囲内に実装されていてよい。冷却ミラーデバイス８００が、ＥＵＶ光の関連で記載されているが、本明細書において、冷却ミラーデバイス８００は、限定されないが、ＤＵＶ、ＥＵＶ、ＵＶ、可視、およびＩＲスペクトル範囲を含めた任意の光学形態に拡大されてよいことに注意されたい。
【0090】
一実施形態において、冷却ミラーデバイス８００は、ミラーアセンブリ８０２を含む。一実施形態において、ミラーアセンブリ８０２は、ミラーアセンブリ８０２の第１側（例えば、図８においてミラーアセンブリの上側）に位置付けられているミラー８０１を含む。別の実施形態において、ミラーアセンブリ８０２は、ミラーアセンブリ８０２の第１側に対向する、ミラーアセンブリの第２側（例えば、図８においてミラーアセンブリの底側）に位置付けられている第１パターンに形成されている第１の複数の熱伝達要素８０３を含む。
【0091】
別の実施形態において、冷却ミラーデバイス８００は、温度制御アセンブリ８０４を含む。一実施形態において、温度制御アセンブリ８０４は、第２の複数の熱伝達要素８０５を含む。一実施形態において、熱伝達要素８０５は、第１面（例えば、図８において温度制御アセンブリ８０４の上面）に形成されている。別の実施形態において、温度制御アセンブリの第２の複数の熱伝達要素８０５は、第２パターンに形成されている。一実施形態において、第２の複数の熱伝達要素８０５の第２パターンは、ミラーアセンブリ８０２の第１の複数の熱伝達要素８０３の第１パターンに適合または一致する。一実施形態において、温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５は、これらがミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３と交互になるように配置されていてよい。この交互配置は、図８に示すように、熱伝達要素８０３の第１セットと熱伝達要素８０５の第２セットとの間の物理的接触または「タッチング」がないようになされ得ることにさらに注意されたい。
【0092】
これに関連して、第１の複数の熱伝達要素８０３は、放射および／またはガス伝導を介して第２の複数の熱伝達要素８０５に熱を伝達するように構成されている。例えば、放射を介してミラー８０１と温度制御アセンブリ８０５との間で熱が伝達され得、これは、熱伝達要素８０３と熱伝達要素８０５との間の表面積の増加によって向上される。さらに、ミラー８０１と温度制御アセンブリ８０５との間の熱伝達は、周囲の雰囲気が有意なガス伝導を維持するのに十分なガス分子密度を有する設定でガス伝導によっても促進される。例えば、かかるガス伝導は、約０．０５～２，０００Ｐａ以上の圧力形態において第１の複数の熱伝達要素８０３と第２の複数の熱伝達要素８０５との間に存在し得る。
【0093】
本明細書において、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３と温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５との間に十分な間隔を付与することで、温度制御要素８０４の位置を調整することなく、ミラー８０１の位置の調整（例えば、ビーム誘導目的での調整）を可能にすることに注意されたい。また、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３と温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５との間の十分な間隔は、ミラーアセンブリ８０２と温度制御アセンブリ８０４との間の少量の相対運動を可能にすることによって温度制御アセンブリ８０４とミラーアセンブリ８０２との間の振動単離を付与する。
【0094】
一実施形態において、第２の複数の熱伝達要素８０５は、選択されたオフセット距離で第１の複数の熱伝達要素８０３からオフセットされ得る。一実施形態において、温度制御アセンブリ８０４は、作動デバイス（例えば、線状並進デバイス、回転並進デバイスまたはこれらの組み合わせ）に機械的に連結されていてよい。これに関連して、作動デバイス（図示せず）は、第１の複数の熱伝達要素８０３と第２の複数の熱伝達要素８０５との間のオフセット距離を制御または調整する働きをすることができる。別の実施形態において、作動デバイスは、制御システム（図示せず）に通信可能に連結されている。一実施形態において、制御システムは、第１の複数の熱伝達要素８０３と第２の複数の熱伝達要素８０５との間のオフセット距離を制御または調整するために、作動デバイスを方向付けてミラーアセンブリに対する温度制御アセンブリの位置を制御することができる。例えば、制御システムまたはユーザーは、所与のミラーおよび／または用途に必要とされる熱伝達に基づいて熱伝達要素８０３と熱伝達要素８０５との間のオフセット距離を調整することができる。
【0095】
これに関連して、ミラー８０１と温度制御アセンブリ８０４との間の熱伝達率は、ミラーアセンブリ８０２の近くまたは遠くに温度制御アセンブリ８０４を移動させることによって時間の関数として変動され得る。このように、所要の熱伝達の低速時間変動による変化は、（例えば、加熱または冷却要素を介して）所与の温度制御要素の温度を単に調整するよりも優れた制御を付与することができる温度制御要素８０４を移動させることによってなされ得る。
【0096】
一実施形態において、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５は、熱伝達突起を含む。例えば、図８に示すように、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５は、熱伝達フィンを含むことができる。
【0097】
一実施形態において、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３のサイズもしくは間隔および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５のサイズもしくは間隔は、ミラーアセンブリ８０２および／または温度制御アセンブリ８０４を横切って空間的に変動してよい。例えば、熱伝達要素８０３、８０５間のサイズ（例えば、高さおよび／もしくは厚さ）ならびに／または間隔は、ミラーアセンブリ８０２を横切って局所的な熱伝達制御を向上させるように調整され得る。例えば、放射線（例えば、ＥＵＶ放射線）への衝突よりも高い温度をさもなければ示し得るミラー８０１の領域において、熱伝達要素８０３、８０５は、より大きくてよく、かつ／または、より密に離間されて、より大きくてよく、かつ／または、より密に離間されており、局所的な熱伝達の増加をもたらす。
【0098】
別の実施形態において、ミラーアセンブリの熱伝達要素８０３および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５の突起のレベルは、ミラーアセンブリ８０２および／または温度制御アセンブリ８０４を横切って空間的に変動してよい。例えば、図８に示すように、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３が温度制御要素８０４の熱伝達要素８０５間のスペース内に突出している程度は、ミラーアセンブリ８０２を横切って位置の関数として変動してよい。例えば、放射線（例えば、ＥＵＶ放射線）への衝突よりも高い温度をさもなければ示し得るミラー８０１の領域において、ミラーアセンブリ１０１の熱伝達要素８０３は、温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５間のスペース内により深く突出していてよく、局所的な熱伝達の増加をもたらす。
【0099】
図９は、本発明の一実施形態による、デバイス８００のミラーアセンブリ８０２を横切って位置の関数として熱伝達を制御する、多重コーティング９０２、９０４を有する冷却ミラーデバイス８００の概略図を示す。一実施形態において、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５は、ミラー８０１を横切って熱伝達を空間的に変動させるために、１つ以上のコーティングでコーティングされている。これに関連して、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５の異なる領域が、異なる熱伝導特性を有する異なるコーティングによって処理されていてよい。例えば、放射線の熱伝達は、（存在するとき）ガス伝導を介して熱伝達に影響することなくミラーアセンブリ８０２および／または温度制御要素８０４の異なる領域において異なる放射率のコーティングを用いることにより、ミラーアセンブリ８０２を横切って位置の関数としてカスタマイズされ得る。
【0100】
例えば、図９に示すように、内側の環状リングの群に設けられた第１放射率を有する第１コーティング９０４は、第２放射率を有する第２コーティング９０２でコーティングされた外側環状リングの群よりも高い放射熱伝達特性を有し、これにより、ミラーアセンブリ８０２の縁部におけるよりもミラーアセンブリ８０２の中心においてより大きな熱伝達度をもたらすことができる。
【0101】
図１０は、本発明の一実施形態による、デバイス８００のミラーアセンブリ８０２を横切って位置の関数として熱伝達を制御する、多重セグメント１００２ａ～１００２ｄを有する冷却ミラーデバイス８００の概略図を示す。一実施形態において、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５は、ミラー８０１を横切って熱伝達を空間的に変動させるために、多重セグメント１００２ａ～１００２ｄを含む。これに関連して、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５の異なるセグメント１００２ａ～１００２ｄは、１つ以上の異なる構造特性を有することができ、異なるセグメント１００２ａ～１００２ｄの少なくともいくつかに異なる熱伝導特性を表示させる。例えば、異なるセグメント１００２ａ～１００２ｄの変動する構造特性として、限定されないが、ミラーアセンブリ８０２の熱伝達要素８０３および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０５の間隔、サイズ、突起レベルおよび構造材料を挙げることができる。別の実施形態において、セグメント１００２ａ～１００２ｄの少なくともいくつかは、独立して作動可能である。例えば、セグメント１００２ａ～１００２ｄは、それぞれ、制御システム（図示せず）によってひいては制御される専用の作動デバイスに連結されていてよい。これに関連して、制御システムは、温度制御アセンブリ８０４の所与のセグメント１００２ａ、１００２ｂ、１００２ｃまたは１００２ｄとミラーアセンブリ８０２との間のオフセット距離を独立して制御することができる。かかる配置は、ミラーアセンブリ８０２を横切って位置の関数として熱伝達を細かく調整することを可能にする。
【0102】
一実施形態において、図８Ａ～１０に示すように、ミラーアセンブリ８０２および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０３、８０５は、軸対称に配置された熱伝達フィンを含むことができる。例えば、図８に示すように、ミラーアセンブリ８０２および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達フィンは、ミラーアセンブリ８０２および／または温度制御アセンブリ８０４を横切って同軸に形成された環状フィンを含むことができる。
【0103】
別の実施形態において、図１１ａおよび１１ｂに示すように、ミラーアセンブリ８０２および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達要素８０３、８０５は、平行に配置された熱伝達フィンを含むことができる。例えば、ミラーアセンブリ８０２および／または温度制御アセンブリ８０４の熱伝達フィンは、ミラーアセンブリ８０２および／または温度制御アセンブリ８０４を横切って形成された線状配置のフィンを含むことができる。
【0104】
本明細書において、上記の例は、本発明に対する限定を表すのではなく、単に説明目的で提供されていることに注意されたい。本明細書において、本発明の熱伝達要素（またはフィン）は、例えば、限定されないが、同軸に配置された環状フィン、同軸に配置された楕円形のフィン、同軸に配置された多角形のフィン、線形離間したフィン、非線形離間したフィン、線形離間したフィンの群などの当該分野において公知の任意の幾何学形状（または幾何学形状の部分）をとってよいことを認識されたい。さらに、本明細書において、本発明のフィンは、均一であることを必要としないことを認識されたい。例えば、所与のフィンは、高さの関数として厚さが変動してよい。
【0105】
本明細書において、例えば、図８Ａ～１０において、交互配置のフィンが軸対称であるとき、ミラーアセンブリ８０２および温度アセンブリ８０４は、フィンが存在する名目上の平面に対して垂直に移動しなければならないことを認識されたい。いくつかの用途において、ミラーアセンブリを垂直方向よりもむしろ横方向に（すなわち、フィンが存在する名目上の平面に平行の方向に）取り除くことが有利であり得る。この場合、フィンは、図１１Ａおよび１１Ｂに示すように、これらが全て所望の抽出方向に平行であるように配置され得る。
【0106】
一実施形態において、冷却ミラーデバイス８００のミラー８０１として、当該分野において公知の任意のミラーを挙げることができる。例えば、ミラー８０１として、限定されないが、ＥＵＶ光と共に用いるのに好適なミラーを挙げることができる。例えば、ミラー８０１として、限定されないが、多層ＥＵＶミラーを挙げることができる。
【0107】
図１２は、本発明の一実施形態による、１つ以上の冷却ミラーデバイス８００を組み込んだ検査システム１２００のブロック図を示す。
【0108】
一実施形態において、システム８００は、照明サブシステム１２０２を含む。一実施形態において、照明サブシステム１２０２は、照明源（例えば、プラズマ系ＥＵＶ源、例えば、限定されないが、光源１００）を含む。別の実施形態において、照明サブシステム１２０２は、照明源からの照明を収集するように構成されている１つ以上のミラーを含む集光系のセットを含む。例えば、照明サブシステム１２０２の集光ミラーの１つ以上が、冷却ミラーデバイス８００を含むことができる。
【0109】
別の実施形態において、システム１２００は、ステージ１２０６に設けられた１つ以上の試料１２０４に集光系の１つ以上のミラーからの照明１２０１を方向付けるように構成されている１つ以上のミラーを含む照明器光学系１２０７のセットを含む。例えば、１つ以上の試料１２０４として、限定されないが、ウェハ（例えば、半導体ウェハ）を挙げることができる。別の例によると、１つ以上の試料１２０４として、限定されないが、レチクルを挙げることができる。例えば、照明光学系１２０７の１つ以上の照明器ミラーとして、冷却ミラーデバイス８００を挙げることができる。
【0110】
別の実施形態において、システム１２００は、試料１２０４から散乱され、反射されまたは他の場合には発せられる光を収集し、該光を１つ以上の検出器１２１０（例えば、ＣＣＤ、ＴＤＩ－ＣＣＤ、ＰＭＴなど）に方向付けるのに好適な１つ以上のミラーを含む投影光学系１２０９のセットのセットを含む。例えば、投影光学系１２０９の１つ以上のミラーとして、冷却ミラーデバイス８００を挙げることができる。
【0111】
一実施形態において、図１２に示していないが、冷却ミラーデバイス８００は、マスク検査システム（例えば、ＥＵＶマスク検査システム）において１つ以上の集束光学系のミラーとして利用されてよい。別の実施形態において、冷却ミラーデバイス８００は、ウェハ検査システム（例えば、ＥＵＶウェハ検査システム）において１つ以上の集束光学系のミラーとして利用されてよい。別の実施形態において、冷却ミラーデバイス８００は、リソグラフィシステム（例えば、ＥＵＶリソグラフィシステム）において１つ以上の集束光学系のミラーとして利用されてよい。
【0112】
別の実施形態において、システム１２００は、検出器１２１０からの測定結果を受信および／または分析するための制御システム１２１２を含む。
【0113】
一実施形態において、検査システム１２００は、ウェハ検査システムまたはレチクル検査システムとして構成されている。これに関連して、検査システム１２００は、任意のスペクトル範囲（例えば、ＥＵＶスペクトル範囲）における操作に好適な当該分野において公知の任意のウェハまたはレチクル検査の光学アーキテクチャを含んでいてよい。検査システム１２００は、ＥＵＶマスクブランク検査システムとして構成されていてよいことをさらに認識されたい。ＥＵＶ系マスクブランク検査は、全体が参照により上記に組み込まれる、２０１４年４月２９日に発行された、Stokowskiへの米国特許第８，７１１，３４６号に概して記載されている。ＥＵＶ系マスクブランク検査は、全体が参照により上記に組み込まれる、２０１２年３月１２日に提出された、Xiongらの米国特許出願第１３／４１７，９８２号に概して記載されている。ＥＵＶ系レチクル検査は、全体が参照により上記に組み込まれる、２０１３年５月３０日に提出された、Nasser-Ghodsiらの米国特許出願第１３／９０５，４４９号に概して記載されている。
【0114】
当業者は、本明細書に記載のプロセスおよび／またはシステムおよび／または他の技術が具現化され得る種々の媒体（例えば、ハードウェア、ソフトウェア、および／またはファームウェア）が存在すること、ならびに好ましい媒体がプロセスおよび／またはシステムおよび／または他の技術が展開される事情によって変動することを認識する。いくつかの実施形態において、種々の工程、機能、および／または操作は、以下：電子回路、論理ゲート、マルチプレクサー、プログラム可能論理回路、ＡＳＩＣ、アナログもしくはディジタル制御／スイッチ、マイクロコントローラ、または１つ以上の制御システム（例えば、制御システム１１４、制御システム７１２または制御システム１２１２）；のうち１つ以上によって行われる。制御システムとして、限定されないが、パーソナルコンピュータシステム、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、画像コンピュータ、並行プロセッサ、または当該分野において公知の任意の他のコンピュータデバイス／制御装置を含めたコンピュータシステムを挙げることができる。一般に、用語「制御システム」および「コントローラ」（例えば、制御システム１１４、制御システム７１２または制御システム１２１２）は、キャリア媒体（例えば、メモリ）からのプログラム指示を実行する１つ以上のプロセッサを有する任意のデバイスを包含すると広範に定義される。本明細書に記載の方法などを実行するプログラム指示は、キャリア媒体上に伝送されても、該媒体に格納されてもよい。キャリア媒体として、伝送媒体、例えば、ワイヤ、ケーブル、またはワイヤレス伝送リンクを挙げることができる。キャリア媒体として、記憶媒体、例えば、読み出し専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、ソリッドステートメモリ、磁気もしくは光ディスク、または磁気テープを挙げることもできる。
【0115】
本明細書に記載の方法は、全て、記憶媒体に方法の実施形態の１つ以上の工程の結果を格納することを含むことができる。かかる結果は、本明細書に記載のいずれの結果を含んでもよく、当該分野において公知の任意の方法で格納されてよい。記憶媒体として、本明細書に記載の任意の記憶媒体、または当該分野において公知の任意の他の好適な記憶媒体を挙げることができる。かかる結果は、格納された後、記憶媒体においてアクセスされ、本明細書に記載の方法またはシステムの実施形態のいずれかによって用いられ、ユーザーによってディスプレイにフォーマットされ、別のソフトウェアモジュール、方法またはシステムなどによって用いられ得る。さらに、かかる結果は、「永久に」、「半永久に」、一時的に、またはある期間にわたって格納され得る。例えば、記憶媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）であってよく、かかる結果は、必ずしも記憶媒体に無限に固執しなくてよい。
【0116】
本発明の特定の実施形態を示したが、本発明の種々の変形例および実施形態が上記開示の範囲および精神から逸脱することなく当業者によって作られ得ることが明らかである。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定されるべきである。また、本発明は以下の事項を含むことを付言する。
（１）ミラーアセンブリの第１側に位置付けられているミラーと、前記第１側と対向する前記ミラーアセンブリの第２側に位置付けられている第１パターンに形成されている第１の複数の熱伝達要素とを含むミラーアセンブリと；
前記第１パターンに適合する第２パターンに形成されている第２の複数の熱伝達要素を含む温度制御アセンブリであって、前記温度制御アセンブリが、前記第１の複数の熱伝達要素を前記第２の複数の熱伝達要素と交互配置するために前記ミラーアセンブリに対して位置付けられており、前記第２の複数の熱伝達要素が、選択されたオフセット距離だけ前記第１の複数の熱伝達要素からオフセットされており、前記第１の複数の熱伝達要素が、放射およびガス伝導のうち少なくとも一方を介して前記第２の複数の熱伝達要素に熱を伝達するように構成されている温度制御アセンブリと
を含む冷却ミラー装置。
（２）前記温度制御アセンブリに機械的に連結されている作動デバイスと；
前記作動デバイスに通信可能に連結され、作動デバイスを方向付けて、前記ミラーアセンブリに対する前記温度制御アセンブリの位置を制御するように構成されている制御システムと
をさらに含む、(１)に記載の冷却ミラー装置。
（３）前記制御システムが、前記温度制御アセンブリを並進させることによって、前記第１の複数の熱伝達要素と前記第２の複数の熱伝達要素との間の前記選択されたオフセット距離を調整するように構成されている、（２）に記載の冷却ミラー装置。
（４）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つが、軸対称パターンを形成する、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（５）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つが、平行パターンを形成する、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（６）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つが：
複数の熱伝達突起
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（７）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つの前記熱伝達突起が：
線状熱伝達突起および環状熱伝達突起の少なくとも１つを含む、（６）に記載の冷却ミラー装置。
（８）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つのサイズおよび間隔の少なくとも１つが、前記ミラーアセンブリおよび前記温度制御アセンブリの少なくとも１つを横切って空間的に変動する、（６）に記載の冷却ミラー装置。
（９）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つが、前記ミラーを横切って熱伝達を空間的に変動させるために、複数のセグメント状要素を含み、前記セグメント状要素の少なくともいくつかが、異なる熱伝導特性を有する、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１０）前記複数のセグメント状要素のそれぞれが、独立して作動可能である、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１１）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つが、前記ミラーを横切って熱伝達を空間的に変動させるために、複数のコーティングでコーティングされており、前記コーティングの少なくともいくつかが、異なる熱伝導特性を有する、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１２）冷却ミラーデバイスが、ガス伝導を阻害するのに十分に低い圧力で操作される真空チャンバ内に設けられている、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１３）冷却ミラーデバイスが、ガス伝導を可能にするのに十分に高い圧力で操作される真空チャンバ内に設けられている、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１４）前記ミラーアセンブリのミラーが：
極紫外（ＥＵＶ）光を反射するのに好適なミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１５）前記極紫外（ＥＵＶ）光を反射するのに好適なミラーが：
多層ＥＵＶミラー
を含む、（１４）に記載の冷却ミラー装置。
（１６）前記ミラーアセンブリのミラーが：
プラズマ系ＥＵＶ光源のミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１７）前記ミラーアセンブリのミラーが：
ＥＵＶマスク検査システム、ＥＵＶウェハ検査システムおよびＥＵＶリソグラフィシステムのうち少なくとも１つにおける１つ以上の投影光学系のミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１８）前記ミラーアセンブリのミラーが：
ＥＵＶマスク検査システム、ＥＵＶウェハ検査システムおよびＥＵＶリソグラフィシステムのうち少なくとも１つにおける１つ以上の集光系のミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１９）前記ミラーアセンブリのミラーが：
ＥＵＶマスク検査システム、ＥＵＶウェハ検査システムおよびＥＵＶリソグラフィシステムのうち少なくとも１つにおける１つ以上の集束光学系のミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（２０）前記ミラーアセンブリのミラーが：
ＥＵＶマスク検査システム、ＥＵＶウェハ検査システムおよびＥＵＶリソグラフィシステムのうち少なくとも１つにおける１つ以上の照明器光学系のミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（２１）照明源からの照明を収集するように構成されている１つ以上のミラーを含む集光系のセットを含む照明サブシステムと；
前記集光系の１つ以上のミラーからの照明を１つ以上の試料に方向付けるように構成されている１つ以上のミラーを含む照明器光学系のセットと；
検出器と；
前記１つ以上の試料の表面からの照明を受け、前記１つ以上の試料からの照明を前記検出器に方向付けるように構成されている１つ以上のミラーを含む投影光学系のセットと
を含む検査システムであって、前記集光系のセットの１つ以上のミラー、前記照明器光学系のセットの１つ以上のミラーおよび前記投影光学系のセットの１つ以上のミラーのうちの少なくとも１つが：
ミラーアセンブリの第１側に位置付けられているミラーと、前記第１側と対向する前記ミラーアセンブリの第２側に位置付けられている第１パターンに形成されている第１の複数の熱伝達要素とを含むミラーアセンブリと；
前記第１パターンに適合する第２パターンに形成されている第２の複数の熱伝達要素を含む温度制御アセンブリであって、前記温度制御アセンブリが、前記第１の複数の熱伝達要素を前記第２の複数の熱伝達要素と交互配置するために前記ミラーアセンブリに対して位置付けられており、前記第２の複数の熱伝達要素が、選択されたオフセット距離だけ前記第１の複数の熱伝達要素からオフセットされており、前記第１の複数の熱伝達要素が、放射およびガス伝導のうち少なくとも一方を介して前記第２の複数の熱伝達要素に熱を伝達するように構成されている温度制御アセンブリと
を含む検査システム。
（２２）前記検査システムが、ウェハ検査システムとして構成されている、（２１）に記載の検査システム。
（２３）前記検査システムが、マスク検査システムとして構成されている、（２１）に記載の検査システム。
（２４）前記照明が、極紫外光を含む、（２１）に記載の検査システム。
（２５）照明源からの照明を収集するように構成されている１つ以上のミラーを含む集光系のセットを含む照明サブシステムと；
収集された照明をマスクに方向付ける１つ以上のミラーを含む照明器光学系のセットと；
前記マスクから反射された照明を受け、前記マスクから反射された照明を１つ以上のウェハに方向付ける１つ以上のミラーを含む投影光学系のセットと
を含むリソグラフィシステムであって、前記集光系のセットの１つ以上のミラー、前記照明器光学系のセットの１つ以上のミラーおよび前記投影光学系のセットの１つ以上のミラーのうちの少なくとも１つが：
ミラーアセンブリの第１側に位置付けられているミラーと、前記第１側と対向する前記ミラーアセンブリの第２側に位置付けられている第１パターンに形成されている第１の複数の熱伝達要素とを含むミラーアセンブリと；
前記第１パターンに適合する第２パターンに形成されている第２の複数の熱伝達要素を含む温度制御アセンブリであって、前記温度制御アセンブリが、前記第１の複数の熱伝達要素を前記第２の複数の熱伝達要素と交互配置するために前記ミラーアセンブリに対して位置付けられており、前記第２の複数の熱伝達要素が、選択されたオフセット距離だけ前記第１の複数の熱伝達要素からオフセットされており、前記第１の複数の熱伝達要素が、放射およびガス伝導のうち少なくとも一方を介して前記第２の複数の熱伝達要素に熱を伝達するように構成されている温度制御アセンブリと
を含む、リソグラフィシステム。
（２６）前記照明が、極紫外光を含む、（２５）に記載のリソグラフィシステム。
（１）ミラーアセンブリの第１側に位置付けられているミラーと、前記第１側と対向する前記ミラーアセンブリの第２側に位置付けられている第１パターンに形成されている第１の複数の熱伝達要素とを含むミラーアセンブリと；
前記第１パターンに適合する第２パターンに形成されている第２の複数の熱伝達要素を含む温度制御アセンブリであって、前記温度制御アセンブリが、前記第１の複数の熱伝達要素を前記第２の複数の熱伝達要素と交互配置するために前記ミラーアセンブリに対して位置付けられており、前記第２の複数の熱伝達要素が、選択されたオフセット距離だけ前記第１の複数の熱伝達要素からオフセットされており、前記第１の複数の熱伝達要素が、放射およびガス伝導のうち少なくとも一方を介して前記第２の複数の熱伝達要素に熱を伝達するように構成されている温度制御アセンブリと
を含む冷却ミラー装置。
（２）前記温度制御アセンブリに機械的に連結されている作動デバイスと；
前記作動デバイスに通信可能に連結され、作動デバイスを方向付けて、前記ミラーアセンブリに対する前記温度制御アセンブリの位置を制御するように構成されている制御システムと
をさらに含む、(１)に記載の冷却ミラー装置。
（３）前記制御システムが、前記温度制御アセンブリを並進させることによって、前記第１の複数の熱伝達要素と前記第２の複数の熱伝達要素との間の前記選択されたオフセット距離を調整するように構成されている、（２）に記載の冷却ミラー装置。
（４）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つが、軸対称パターンを形成する、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（５）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つが、平行パターンを形成する、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（６）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つが：
複数の熱伝達突起
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（７）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つの前記熱伝達突起が：
線状熱伝達突起および環状熱伝達突起の少なくとも１つを含む、（６）に記載の冷却ミラー装置。
（８）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つのサイズおよび間隔の少なくとも１つが、前記ミラーアセンブリおよび前記温度制御アセンブリの少なくとも１つを横切って空間的に変動する、（６）に記載の冷却ミラー装置。
（９）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つが、前記ミラーを横切って熱伝達を空間的に変動させるために、複数のセグメント状要素を含み、前記セグメント状要素の少なくともいくつかが、異なる熱伝導特性を有する、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１０）前記複数のセグメント状要素のそれぞれが、独立して作動可能である、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１１）前記第１の複数の熱伝達要素および前記第２の複数の熱伝達要素の少なくとも１つが、前記ミラーを横切って熱伝達を空間的に変動させるために、複数のコーティングでコーティングされており、前記コーティングの少なくともいくつかが、異なる熱伝導特性を有する、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１２）冷却ミラーデバイスが、ガス伝導を阻害するのに十分に低い圧力で操作される真空チャンバ内に設けられている、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１３）冷却ミラーデバイスが、ガス伝導を可能にするのに十分に高い圧力で操作される真空チャンバ内に設けられている、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１４）前記ミラーアセンブリのミラーが：
極紫外（ＥＵＶ）光を反射するのに好適なミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１５）前記極紫外（ＥＵＶ）光を反射するのに好適なミラーが：
多層ＥＵＶミラー
を含む、（１４）に記載の冷却ミラー装置。
（１６）前記ミラーアセンブリのミラーが：
プラズマ系ＥＵＶ光源のミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１７）前記ミラーアセンブリのミラーが：
ＥＵＶマスク検査システム、ＥＵＶウェハ検査システムおよびＥＵＶリソグラフィシステムのうち少なくとも１つにおける１つ以上の投影光学系のミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１８）前記ミラーアセンブリのミラーが：
ＥＵＶマスク検査システム、ＥＵＶウェハ検査システムおよびＥＵＶリソグラフィシステムのうち少なくとも１つにおける１つ以上の集光系のミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（１９）前記ミラーアセンブリのミラーが：
ＥＵＶマスク検査システム、ＥＵＶウェハ検査システムおよびＥＵＶリソグラフィシステムのうち少なくとも１つにおける１つ以上の集束光学系のミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（２０）前記ミラーアセンブリのミラーが：
ＥＵＶマスク検査システム、ＥＵＶウェハ検査システムおよびＥＵＶリソグラフィシステムのうち少なくとも１つにおける１つ以上の照明器光学系のミラー
を含む、（１）に記載の冷却ミラー装置。
（２１）照明源からの照明を収集するように構成されている１つ以上のミラーを含む集光系のセットを含む照明サブシステムと；
前記集光系の１つ以上のミラーからの照明を１つ以上の試料に方向付けるように構成されている１つ以上のミラーを含む照明器光学系のセットと；
検出器と；
前記１つ以上の試料の表面からの照明を受け、前記１つ以上の試料からの照明を前記検出器に方向付けるように構成されている１つ以上のミラーを含む投影光学系のセットと
を含む検査システムであって、前記集光系のセットの１つ以上のミラー、前記照明器光学系のセットの１つ以上のミラーおよび前記投影光学系のセットの１つ以上のミラーのうちの少なくとも１つが：
ミラーアセンブリの第１側に位置付けられているミラーと、前記第１側と対向する前記ミラーアセンブリの第２側に位置付けられている第１パターンに形成されている第１の複数の熱伝達要素とを含むミラーアセンブリと；
前記第１パターンに適合する第２パターンに形成されている第２の複数の熱伝達要素を含む温度制御アセンブリであって、前記温度制御アセンブリが、前記第１の複数の熱伝達要素を前記第２の複数の熱伝達要素と交互配置するために前記ミラーアセンブリに対して位置付けられており、前記第２の複数の熱伝達要素が、選択されたオフセット距離だけ前記第１の複数の熱伝達要素からオフセットされており、前記第１の複数の熱伝達要素が、放射およびガス伝導のうち少なくとも一方を介して前記第２の複数の熱伝達要素に熱を伝達するように構成されている温度制御アセンブリと
を含む検査システム。
（２２）前記検査システムが、ウェハ検査システムとして構成されている、（２１）に記載の検査システム。
（２３）前記検査システムが、マスク検査システムとして構成されている、（２１）に記載の検査システム。
（２４）前記照明が、極紫外光を含む、（２１）に記載の検査システム。
（２５）照明源からの照明を収集するように構成されている１つ以上のミラーを含む集光系のセットを含む照明サブシステムと；
収集された照明をマスクに方向付ける１つ以上のミラーを含む照明器光学系のセットと；
前記マスクから反射された照明を受け、前記マスクから反射された照明を１つ以上のウェハに方向付ける１つ以上のミラーを含む投影光学系のセットと
を含むリソグラフィシステムであって、前記集光系のセットの１つ以上のミラー、前記照明器光学系のセットの１つ以上のミラーおよび前記投影光学系のセットの１つ以上のミラーのうちの少なくとも１つが：
ミラーアセンブリの第１側に位置付けられているミラーと、前記第１側と対向する前記ミラーアセンブリの第２側に位置付けられている第１パターンに形成されている第１の複数の熱伝達要素とを含むミラーアセンブリと；
前記第１パターンに適合する第２パターンに形成されている第２の複数の熱伝達要素を含む温度制御アセンブリであって、前記温度制御アセンブリが、前記第１の複数の熱伝達要素を前記第２の複数の熱伝達要素と交互配置するために前記ミラーアセンブリに対して位置付けられており、前記第２の複数の熱伝達要素が、選択されたオフセット距離だけ前記第１の複数の熱伝達要素からオフセットされており、前記第１の複数の熱伝達要素が、放射およびガス伝導のうち少なくとも一方を介して前記第２の複数の熱伝達要素に熱を伝達するように構成されている温度制御アセンブリと
を含む、リソグラフィシステム。
（２６）前記照明が、極紫外光を含む、（２５）に記載のリソグラフィシステム。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12】