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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-02-17
(45)【発行日】2022-02-28
(54)【発明の名称】光電変換素子、撮像素子、光センサ、化合物
(51)【国際特許分類】
H01L 51/42 20060101AFI20220218BHJP
H01L 27/146 20060101ALI20220218BHJP
C07D 209/12 20060101ALI20220218BHJP
C07D 403/06 20060101ALI20220218BHJP
C07D 471/04 20060101ALI20220218BHJP
C07D 417/06 20060101ALI20220218BHJP
C07D 401/06 20060101ALI20220218BHJP
【ＦＩ】
H01L31/08 T
H01L27/146 E
C07D209/12 CSP
C07D403/06
C07D471/04 104Z
C07D417/06
C07D401/06
【請求項の数】
21
(21)【出願番号】P 2020510882
(86)(22)【出願日】2019-03-26
(86)【国際出願番号】 JP2019012786
(87)【国際公開番号】W WO2019189134
(87)【国際公開日】2019-10-03
【審査請求日】2020-08-28
(31)【優先権主張番号】P 2018062556
(32)【優先日】2018-03-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2018225658
(32)【優先日】2018-11-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100152984
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 秀明
(74)【代理人】
【識別番号】100148080
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 史生
(72)【発明者】
【氏名】福▲崎▼ 英治
(72)【発明者】
【氏名】益子 智之
(72)【発明者】
【氏名】吉岡 知昭
(72)【発明者】
【氏名】岩▲崎▼ 孝一
【審査官】山本 元彦
(56)【参考文献】
【文献】米国特許第０５０３０７０８（ＵＳ，Ａ）
【文献】特開２００６－０８６１６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００７／００８５０７４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００９－１３５３１８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－１６７３４８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２７／１４－２７／１４６、２７／３０
Ｈ０１Ｌ ３１／００－３１／１１９
Ｈ０１Ｌ ５１／４２－５１／４８
Ｃ０７Ｄ ２０９／１２、２０９／６０、２０９／９６
Ｃ０７Ｄ ４０１／０６、４１７／０６
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜が、式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
【化1】
【化2】
式（Ｒ－４）中、Ｒａ１２は、アリール基またはヘテロアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
Ａは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、キノリン環またはベンゾチオフェン環を表す。
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ２およびＲ３は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ４は、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ５およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子を表す。ｎは０～１８の整数を表す。ｎが２以上の場合、複数のＲ４は互いに結合してフルオレン環を形成してもよい。
Ａがベンゼン環の場合、ｎは１以上であり、Ｒ４の少なくとも１つはアルコキシ基、アルキル基またはアリール基を表す。
Ｒ１～Ｒ４に含まれる炭素数の合計は５以上である。
Ｒ１がハロゲン原子若しくはアルキル基を有していてもよいアリール基、ハロゲン原子若しくはアルキル基を有していてもよいヘテロアリール基、前記式（Ｒ－２）で表される基、または、前記式（Ｒ－４）で表される基を表す場合、Ｂ１は式（Ｂ－１－１）で表される基、または、（Ｂ－１－２）で表される基を表す。
【化3】
式（Ｂ－１－２）中、Ｒｂ２１及びＲｂ２２は、それぞれ独立に、シアノ基、または、－ＣＯＯＲｂ２３を表す。Ｒｂ２３は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、または、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
ただし、式（１）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項2】
前記式（１）で表される化合物が、式（２）で表される化合物、または、式（２ｂ）で表される化合物である、請求項１に記載の光電変換素子。【化4】
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ２およびＲ３は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ５およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子を表す。Ｒ７～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ７～Ｒ１０のうち少なくとも１つはアルコキシ基、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒｃ１、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ７～Ｒ１０に含まれる炭素数の合計は５以上である。Ｂ２は、前記式（Ｂ－１－１）で表される基を表す。
ただし、式（２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【化5】
Ａ２は、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、キノリン環またはベンゾチオフェン環を表す。Ｂ２は、前記式（Ｂ－１－１）で表される基を表す。Ｒｃ１およびＲ２～Ｒ４に含まれる炭素数の合計は５以上である。ｎは０～１８の整数を表す。ｎが２以上の場合、複数のＲ４は互いに結合してフルオレン環を形成してもよい。
ただし、式（２ｂ）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項3】
前記式（２）および式（２ｂ）中の前記式（Ｂ－１－１）で表される基が、式（Ｊ－１）～（Ｊ－５）で表される基である、請求項２に記載の光電変換素子。【化6】
式（Ｊ－２）中、Ｒｇ５およびＲｇ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｃｈは、＝ＣＲａ７Ｒａ８、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。
式（Ｊ－３）中、Ｒｇ７は、水素原子または置換基を表す。Ｃｈは、＝ＣＲａ７Ｒａ８、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｌは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。
式（Ｊ－４）中、Ｒｇ８およびＲｇ９は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒｇ８およびＲｇ９は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｋは、－ＣＯ－、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、－ＮＲｂ１－、－ＣＲｂ２Ｒｂ３－、または、－ＳｉＲｂ４Ｒｂ５－を表す。Ｒｂ１～Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
式（Ｊ－５）中、Ｒｇ１０～Ｒｇ１２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒｇ１０およびＲｇ１１は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｃｈは、＝ＣＲａ７Ｒａ８、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。
【請求項4】
前記式（１）で表される化合物が、前記式（２）または前記式（２ｂ）で表される化合物であり、前記式（２）または、前記式（２ｂ）で表される化合物中、前記式（Ｂ－１－１）で表される基が前記式（Ｊ－１）で表される基、または、前記式（Ｊ－２）で表される基である、請求項３に記載の光電変換素子。
【請求項5】
前記式（１）で表される化合物が、前記式（２ｂ）で表される化合物であり、かつ、Ｒｃ１が、前記式（Ｒ－２）で表される基、前記式（Ｒ－４）で表される基、式（４Ａ）で表される基、アルキル基を有してもよいナフチル基またはアルキル基を有してもよいフルオレニル基を表す、請求項２に記載の光電変換素子。【化7】
なお、式（４Ａ）中にＲｅ１２が複数存在する場合、Ｒｅ１２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
【請求項6】
前記式（１）で表される化合物が、前記式（２ｂ）で表される化合物であり、かつ、Ｒｃ
１
が、前記式（Ｒ－２）で表される基、前記式（Ｒ－４）で表される基、式（４Ａ）で表される基、アルキル基を有してもよいナフチル基またはアルキル基を有してもよいフルオレニル基を表す、請求項３または４に記載の光電変換素子。【化8】
なお、式（４Ａ）中にＲ ｅ１２ が複数存在する場合、Ｒ ｅ１２ は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
【請求項7】
前記式（１）で表される化合物が、前記式（２ｂ）で表される化合物であり、前記式（２ｂ）で表される化合物中、前記式（Ｂ－１－１）で表される基が前記式（Ｊ－１）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が前記式（４Ａ）で表される基、アルキル基を有してもよいナフチル基またはアルキル基を有してもよいフルオレニル基を表す、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項8】
前記式（１）で表される化合物が、式（２ｂ－１）で表される化合物、または、式（２ｂ－２）で表される化合物である、請求項５～７のいずれか１項に記載の光電変換素子。【化9】
Ｒｃ３、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１１～Ｒ１６に含まれる炭素数の合計は５以上である。
ただし、式（２ｂ－１）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【化10】
Ｒｃ３、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１７～Ｒ２４に含まれる炭素数の合計は５以上である。
ただし、式（２ｂ－２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項9】
Ｒｃ３が、式（５Ａ）で表される基、式（５Ｂ）で表される基、または、アルキル基を有してもよいナフチル基を表す、請求項８に記載の光電変換素子。【化11】
【化12】
【請求項10】
前記光電変換膜が、さらにｎ型有機半導体を含み、前記光電変換膜が、前記式（１）で表される化合物と前記ｎ型有機半導体とが混合された状態で形成されるバルクへテロ構造を有する、請求項１～９のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項11】
前記ｎ型有機半導体が、フラーレン及びその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類を含む、請求項１０に記載の光電変換素子。
【請求項12】
前記導電性膜と前記透明導電性膜との間に、前記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、請求項１～１１のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項13】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の光電変換素子を有する、撮像素子。
【請求項14】
さらに、前記光電変換素子が受光する光とは異なる波長の光を受光する他の光電変換素子を有する、請求項１３に記載の撮像素子。
【請求項15】
前記光電変換素子と、前記他の光電変換素子とが積層されており、入射光の内の少なくとも一部が前記光電変換素子を透過した後に、前記他の光電変換素子で受光される、請求項１４に記載の撮像素子。
【請求項16】
前記光電変換素子が緑色光電変換素子であり、前記他の光電変換素子が、青色光電変換素子および赤色光電変換素子を含む、請求項１４または１５に記載の撮像素子。
【請求項17】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の光電変換素子を有する、光センサ。
【請求項18】
式（１）で表される、化合物。【化13】
【化14】
式（Ｒ－４）中、Ｒａ１２は、アリール基またはヘテロアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
Ａは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、キノリン環またはベンゾチオフェン環を表す。
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ２およびＲ３は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ４は、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ５およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子を表す。ｎは０～１８の整数を表す。ｎが２以上の場合、複数のＲ４は互いに結合してフルオレン環を形成してもよい。
Ａがベンゼン環の場合、ｎは１以上であり、Ｒ４の少なくとも１つはアルコキシ基、アルキル基またはアリール基を表す。
Ｒ１～Ｒ４に含まれる炭素数の合計は５以上である。
Ｒ１がハロゲン原子若しくはアルキル基を有していてもよいアリール基、ハロゲン原子若しくはアルキル基を有していてもよいヘテロアリール基、前記式（Ｒ－２）で表される基、または、前記式（Ｒ－４）で表される基を表す場合、Ｂ１は式（Ｂ－１－１）で表される基、または、（Ｂ－１－２）で表される基を表す。
【化15】
式（Ｂ－１－２）中、Ｒｂ２１及びＲｂ２２は、それぞれ独立に、シアノ基、または、－ＣＯＯＲｂ２３を表す。Ｒｂ２３は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、または、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
ただし、式（１）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項19】
式（２）で表される化合物、または、式（２ｂ）で表される化合物である、請求項１８に記載の化合物。【化16】
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ２およびＲ３は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ５およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子を表す。Ｒ７～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ７～Ｒ１０のうち少なくとも１つはアルコキシ基、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒｃ１、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ７～Ｒ１０に含まれる炭素数の合計は５以上である。Ｂ２は、前記式（Ｂ－１－１）で表される基を表す。
ただし、式（２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【化17】
Ａ２は、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、キノリン環またはベンゾチオフェン環を表す。Ｂ２は、前記式（Ｂ－１－１）で表される基を表す。Ｒｃ１およびＲ２～Ｒ４に含まれる炭素数の合計は５以上である。ｎは０～１８の整数を表す。ｎが２以上の場合、複数のＲ４は互いに結合してフルオレン環を形成してもよい。
ただし、式（２ｂ）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項20】
前記式（２ｂ）で表される化合物であり、かつ、Ｒｃ１が、前記式（Ｒ－２）で表される基、前記式（Ｒ－４）で表される基、式（４Ａ）で表される基、アルキル基を有してもよいナフチル基またはアルキル基を有してもよいフルオレニル基を表す、請求項１９に記載の化合物。【化18】
なお、式（４Ａ）中にＲｅ１２が複数存在する場合、Ｒｅ１２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
【請求項21】
式（２ｂ－１）で表される化合物、または、式（２ｂ－２）で表される化合物である、請求項２０に記載の化合物。【化19】
Ｒｃ３、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１１～Ｒ１６に含まれる炭素数の合計は５以上である。
ただし、式（２ｂ－１）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【化20】
Ｒｃ３、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１７～Ｒ２４に含まれる炭素数の合計は５以上である。
ただし、式（２ｂ－２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光電変換素子、撮像素子、光センサ、および、化合物に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、光電変換膜を有する素子（例えば、撮像素子）の開発が進んでいる。
光電変換膜を使用した光電変換素子に関しては、例えば、特許文献１において、所定の化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子が開示されている。
光電変換膜を使用した光電変換素子に関しては、例えば、特許文献１において、所定の化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００９－１６７３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
撮像素子の態様の一つとして、受光する光の種類が異なる光電変換素子を複数積層する積層型の撮像素子が挙げられる。この撮像素子内に光が入射してくる場合、入射側に配置された光電変換素子で入射光の一部が吸収されて、透過した光がさらに奥に配置される光電変換素子で吸収される。このような撮像素子においては、各光電変換素子の吸収ピークの半値幅が狭いほうが、色分離がしやすく好ましい。
本発明者らは、特許文献１の実施例欄で具体的に記載されている光電変換素子の特性について検討したところ、光電変換素子内の光電変換膜の吸収ピークの半値幅は広く、更なる改良が必要であった。
また、光電変換素子においては、光電変換効率が優れることも求められる。
本発明者らは、特許文献１の実施例欄で具体的に記載されている光電変換素子の特性について検討したところ、光電変換素子内の光電変換膜の吸収ピークの半値幅は広く、更なる改良が必要であった。
また、光電変換素子においては、光電変換効率が優れることも求められる。
【0005】
本発明は、上記実情に鑑みて、吸収ピークの半値幅が狭い光電変換膜を有し、光電変換効率に優れる光電変換素子を提供することを課題とする。
また、本発明は、撮像素子、光センサ、および、化合物を提供することも課題とする。
また、本発明は、撮像素子、光センサ、および、化合物を提供することも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造を有する化合物を光電変換膜に用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】
（１） 導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
上記光電変換膜が、後述する式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
なお、後述する式（１）中、Ｂ１は後述する式（Ｂ－１）で表される基であるのが好ましい。
（２） 上記後述する式（１）で表される化合物が、後述する式（２）で表される化合物、または、後述する式（２ｂ）で表される化合物である、（１）に記載の光電変換素子。
（３） 上記後述する式（２）および後述する式（２ｂ）中の上記後述する式（Ｂ－１－１）で表される基が、後述する式（Ｊ－１）～（Ｊ－５）で表される基である、（２）に記載の光電変換素子。
（４） 上記後述する式（１）で表される化合物が、上記後述する式（２）または上記後述する式（２ｂ）で表される化合物であり、
上記後述する式（２）または、上記後述する式（２ｂ）で表される化合物中、上記後述する式（Ｂ－１－１）で表される基が上記後述する式（Ｊ－１）で表される基、または、上記後述する式（Ｊ－２）で表される基である、（３）に記載の光電変換素子。
（５） 上記後述する式（１）で表される化合物が、上記後述する式（２ｂ）で表される化合物であり、かつ、Ｒｃ１が、上記後述する式（Ｒ－２）で表される基、上記後述する式（Ｒ－３）で表される基を、上記後述する式（Ｒ－４）で表される基、後述する式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環を表す、（２）～（４）のいずれかに記載の光電変換素子。
（６） 上記後述する式（１）で表される化合物が、上記後述する式（２ｂ）で表される化合物であり、
上記後述する式（２ｂ）で表される化合物中、上記後述する式（Ｂ－１－１）で表される基が上記後述する式（Ｊ－１）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が上記後述する式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環を表す、（５）に記載の光電変換素子。
（７） 上記後述する式（１）で表される化合物が、後述する式（２ｂ－１）で表される化合物、または、後述する式（２ｂ－２）で表される化合物である、（５）または（６）に記載の光電変換素子。
（８） 後述する式（２ｂ－１）および式（２ｂ－２）中、Ｒｃ２が、後述する式（５Ａ）で表される基、後述する式（５Ｂ）で表される基、または、置換基を有してもよいナフチル基を表す、（７）に記載の光電変換素子。
（９） 上記光電変換膜が、さらにｎ型有機半導体を含み、
上記光電変換膜が、上記後述する式（１）で表される化合物と上記ｎ型有機半導体とが混合された状態で形成されるバルクへテロ構造を有する、（１）～（８）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１０） 上記ｎ型有機半導体が、フラーレン及びその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類を含む、（９）に記載の光電変換素子。
（１１） 上記導電性膜と上記透明導電性膜との間に、上記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、（１）～（１０）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１２） （１）～（１１）のいずれかに記載の光電変換素子を有する、撮像素子。
（１３） さらに、上記光電変換素子が受光する光とは異なる波長の光を受光する他の光電変換素子を有する、（１２）に記載の撮像素子。
（１４） 上記光電変換素子と、上記他の光電変換素子とが積層されており、
入射光の内の少なくとも一部が上記光電変換素子を透過した後に、上記他の光電変換素子で受光される、（１３）に記載の撮像素子。
（１５） 上記光電変換素子が緑色光電変換素子であり、
上記他の光電変換素子が、青色光電変換素子および赤色光電変換素子を含む、（１３）または（１４）に記載の撮像素子。
（１６） （１）～（１１）のいずれかに記載の光電変換素子を有する、光センサ。
（１７） 後述する式（１）で表される、化合物。
（１８） 後述する式（２）で表される化合物、または、後述する式（２ｂ）で表される化合物である、（１７）に記載の化合物。
（１９） 上記後述する式（２ｂ）で表される化合物であり、かつ、Ｒｃ１が、上記後述する式（Ｒ－２）で表される基、上記後述する式（Ｒ－３）で表される基を表し、上記後述する式（Ｒ－４）、後述する式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環を表す、（１８）に記載の化合物。
（２０） 後述する式（２ｂ－１）で表される化合物、または、後述する式（２ｂ－２）で表される化合物である、（１９）に記載の化合物。
上記光電変換膜が、後述する式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
なお、後述する式（１）中、Ｂ１は後述する式（Ｂ－１）で表される基であるのが好ましい。
（２） 上記後述する式（１）で表される化合物が、後述する式（２）で表される化合物、または、後述する式（２ｂ）で表される化合物である、（１）に記載の光電変換素子。
（３） 上記後述する式（２）および後述する式（２ｂ）中の上記後述する式（Ｂ－１－１）で表される基が、後述する式（Ｊ－１）～（Ｊ－５）で表される基である、（２）に記載の光電変換素子。
（４） 上記後述する式（１）で表される化合物が、上記後述する式（２）または上記後述する式（２ｂ）で表される化合物であり、
上記後述する式（２）または、上記後述する式（２ｂ）で表される化合物中、上記後述する式（Ｂ－１－１）で表される基が上記後述する式（Ｊ－１）で表される基、または、上記後述する式（Ｊ－２）で表される基である、（３）に記載の光電変換素子。
（５） 上記後述する式（１）で表される化合物が、上記後述する式（２ｂ）で表される化合物であり、かつ、Ｒｃ１が、上記後述する式（Ｒ－２）で表される基、上記後述する式（Ｒ－３）で表される基を、上記後述する式（Ｒ－４）で表される基、後述する式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環を表す、（２）～（４）のいずれかに記載の光電変換素子。
（６） 上記後述する式（１）で表される化合物が、上記後述する式（２ｂ）で表される化合物であり、
上記後述する式（２ｂ）で表される化合物中、上記後述する式（Ｂ－１－１）で表される基が上記後述する式（Ｊ－１）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が上記後述する式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環を表す、（５）に記載の光電変換素子。
（７） 上記後述する式（１）で表される化合物が、後述する式（２ｂ－１）で表される化合物、または、後述する式（２ｂ－２）で表される化合物である、（５）または（６）に記載の光電変換素子。
（８） 後述する式（２ｂ－１）および式（２ｂ－２）中、Ｒｃ２が、後述する式（５Ａ）で表される基、後述する式（５Ｂ）で表される基、または、置換基を有してもよいナフチル基を表す、（７）に記載の光電変換素子。
（９） 上記光電変換膜が、さらにｎ型有機半導体を含み、
上記光電変換膜が、上記後述する式（１）で表される化合物と上記ｎ型有機半導体とが混合された状態で形成されるバルクへテロ構造を有する、（１）～（８）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１０） 上記ｎ型有機半導体が、フラーレン及びその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類を含む、（９）に記載の光電変換素子。
（１１） 上記導電性膜と上記透明導電性膜との間に、上記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、（１）～（１０）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１２） （１）～（１１）のいずれかに記載の光電変換素子を有する、撮像素子。
（１３） さらに、上記光電変換素子が受光する光とは異なる波長の光を受光する他の光電変換素子を有する、（１２）に記載の撮像素子。
（１４） 上記光電変換素子と、上記他の光電変換素子とが積層されており、
入射光の内の少なくとも一部が上記光電変換素子を透過した後に、上記他の光電変換素子で受光される、（１３）に記載の撮像素子。
（１５） 上記光電変換素子が緑色光電変換素子であり、
上記他の光電変換素子が、青色光電変換素子および赤色光電変換素子を含む、（１３）または（１４）に記載の撮像素子。
（１６） （１）～（１１）のいずれかに記載の光電変換素子を有する、光センサ。
（１７） 後述する式（１）で表される、化合物。
（１８） 後述する式（２）で表される化合物、または、後述する式（２ｂ）で表される化合物である、（１７）に記載の化合物。
（１９） 上記後述する式（２ｂ）で表される化合物であり、かつ、Ｒｃ１が、上記後述する式（Ｒ－２）で表される基、上記後述する式（Ｒ－３）で表される基を表し、上記後述する式（Ｒ－４）、後述する式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環を表す、（１８）に記載の化合物。
（２０） 後述する式（２ｂ－１）で表される化合物、または、後述する式（２ｂ－２）で表される化合物である、（１９）に記載の化合物。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、吸収ピークの半値幅が狭い光電変換膜を有し、光電変換効率に優れる光電変換素子を提供できる。
また、本発明によれば、撮像素子、光センサ、および、化合物を提供できる。
また、本発明によれば、撮像素子、光センサ、および、化合物を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。
【図2】光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。
【図3】撮像素子の一実施形態の断面模式図である。
【図4】化合物（Ｄ－１）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図5】化合物（Ｄ－２）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図6】化合物（Ｄ－３）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図7】化合物（Ｄ－４）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図8】化合物（Ｄ－５）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図9】化合物（Ｄ－６）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図10】化合物（Ｄ－７）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図11】化合物（Ｄ－８）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図12】化合物（Ｄ－９）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図13】化合物（Ｄ－１１）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図14】化合物（Ｄ－１４）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図15】化合物（Ｄ－１７）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図16】化合物（Ｄ－１８）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図17】化合物（Ｄ－２１）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図18】化合物（Ｄ－２２）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図19】化合物（Ｄ－２４）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図20】化合物（Ｄ－２５）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図21】化合物（Ｄ－２６）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について説明する。
なお、本明細書において、置換または無置換を明記していない置換基等については、目的とする効果を損なわない範囲で、その基にさらに置換基（例えば、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。例えば、「アルキル基」という表記は、無置換のアルキル基、または、置換基（例えば、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよいアルキル基を意味する。
また、本明細書において、「置換基」としては、後述する置換基Ｗで例示される基が挙げられる。「置換基」としては、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましい。
本明細書において「芳香族環」は芳香族性を示す環を意味する。「芳香族環」は置換基を有していても有していなくてもよい。また「芳香族環」は芳香族性を示す環１つからなる「単環の芳香族環」でもよく、２つ以上の環が縮環した「多環の芳香族環」でもよい。
なお、「多環の芳香族環」は、芳香族性を示す環を２つ以上有する。
芳香族環としては、芳香族炭化水素環および芳香族複素環のどちらでもよい。
上記「芳香族環（単環の芳香族環又は多環の芳香族環）」が有する置換基同士は互いに結合して更なる環を形成してもよい。
単環の芳香族環としては、例えば、ベンゼン環のような単環の芳香族炭化水素環、ならびに、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、および、オキサゾール環のような単環の芳香族複素環が挙げられる。
多環の芳香族環としては、例えば、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、および、フェナントレン環のような多環の芳香族炭化水素環、ならびに、キノリン環、および、ベンゾチオフェン環のような多環の芳香族複素環が挙げられる。
本明細書において「非芳香族環」は、芳香族性を示さない環を意味する。「非芳香族環」は置換基を有していても有していなくてもよい。また「非芳香族環」は芳香族性を示さない環１つからなる「単環の非芳香族環」でもよく、２つ以上の芳香族性を示さない環が縮環していて全体として芳香族性を示さない「多環の非芳香族環」でもよい。
ただし、本明細書において、非芳香族環が有する置換基同士は互いに結合して環を形成してもよく、非芳香族環の置換基同士が互いに結合して芳香族環を形成してもよい。また、非芳香族環は、置換基（又はその一部分）として芳香族環を有してもよい。
なお「芳香族構造を含まない非芳香族環」では、非芳香族環の一部分としても芳香族環を含むことはない。例えば、芳香族構造を含まない非芳香族環では、非芳香族環の置換基（又はその一部分）が芳香族環であることもなく、非芳香族環の置換基同士が互いに結合して形成する環が芳香族環であることもない。
非芳香族環としては、例えば、脂肪族炭化水素環（シクロアルカン環等）及びシクロアルケン環が挙げられる。
また、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
なお、本明細書において、置換または無置換を明記していない置換基等については、目的とする効果を損なわない範囲で、その基にさらに置換基（例えば、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。例えば、「アルキル基」という表記は、無置換のアルキル基、または、置換基（例えば、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよいアルキル基を意味する。
また、本明細書において、「置換基」としては、後述する置換基Ｗで例示される基が挙げられる。「置換基」としては、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましい。
本明細書において「芳香族環」は芳香族性を示す環を意味する。「芳香族環」は置換基を有していても有していなくてもよい。また「芳香族環」は芳香族性を示す環１つからなる「単環の芳香族環」でもよく、２つ以上の環が縮環した「多環の芳香族環」でもよい。
なお、「多環の芳香族環」は、芳香族性を示す環を２つ以上有する。
芳香族環としては、芳香族炭化水素環および芳香族複素環のどちらでもよい。
上記「芳香族環（単環の芳香族環又は多環の芳香族環）」が有する置換基同士は互いに結合して更なる環を形成してもよい。
単環の芳香族環としては、例えば、ベンゼン環のような単環の芳香族炭化水素環、ならびに、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、および、オキサゾール環のような単環の芳香族複素環が挙げられる。
多環の芳香族環としては、例えば、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、および、フェナントレン環のような多環の芳香族炭化水素環、ならびに、キノリン環、および、ベンゾチオフェン環のような多環の芳香族複素環が挙げられる。
本明細書において「非芳香族環」は、芳香族性を示さない環を意味する。「非芳香族環」は置換基を有していても有していなくてもよい。また「非芳香族環」は芳香族性を示さない環１つからなる「単環の非芳香族環」でもよく、２つ以上の芳香族性を示さない環が縮環していて全体として芳香族性を示さない「多環の非芳香族環」でもよい。
ただし、本明細書において、非芳香族環が有する置換基同士は互いに結合して環を形成してもよく、非芳香族環の置換基同士が互いに結合して芳香族環を形成してもよい。また、非芳香族環は、置換基（又はその一部分）として芳香族環を有してもよい。
なお「芳香族構造を含まない非芳香族環」では、非芳香族環の一部分としても芳香族環を含むことはない。例えば、芳香族構造を含まない非芳香族環では、非芳香族環の置換基（又はその一部分）が芳香族環であることもなく、非芳香族環の置換基同士が互いに結合して形成する環が芳香族環であることもない。
非芳香族環としては、例えば、脂肪族炭化水素環（シクロアルカン環等）及びシクロアルケン環が挙げられる。
また、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【0011】
本明細書において、水素原子は、軽水素原子（通常の水素原子）であってもよいし、重水素原子（二重水素原子等）であってもよい。
【0012】
本発明の光電変換素子の特徴点としては、光電変換膜に含まれる、後述する式（１）で表される化合物（以下、「特定化合物」ともいう。）中に嵩高い置換基を導入している点が挙げられる。特定化合物（例えば、後述する式（１）中のＲ１～Ｒ４の位置）中に嵩高い置換基を導入することにより、優れた光電変換効率が得られる程度に、特定化合物同士の立体反発を生じさせ、光電変換膜中における特定化合物同士の会合を抑制することにより、光電変換膜の吸収ピークの半値幅が狭くなり、かつ、優れた光電変換効率が得られている、と推測される。
【0013】
図１に、本発明の光電変換素子の一実施形態の断面模式図を示す。
図１に示す光電変換素子１０ａは、下部電極として機能する導電性膜（以下、下部電極とも記す）１１と、電子ブロッキング膜１６Ａと、後述する特定化合物を含む光電変換膜１２と、上部電極として機能する透明導電性膜（以下、上部電極とも記す）１５とがこの順に積層された構成を有する。
図２に別の光電変換素子の構成例を示す。図２に示す光電変換素子１０ｂは、下部電極１１上に、電子ブロッキング膜１６Ａと、光電変換膜１２と、正孔ブロッキング膜１６Ｂと、上部電極１５とがこの順に積層された構成を有する。なお、図１および図２中の電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２、および、正孔ブロッキング膜１６Ｂの積層順は、用途および特性に応じて、適宜変更してもよい。
図１に示す光電変換素子１０ａは、下部電極として機能する導電性膜（以下、下部電極とも記す）１１と、電子ブロッキング膜１６Ａと、後述する特定化合物を含む光電変換膜１２と、上部電極として機能する透明導電性膜（以下、上部電極とも記す）１５とがこの順に積層された構成を有する。
図２に別の光電変換素子の構成例を示す。図２に示す光電変換素子１０ｂは、下部電極１１上に、電子ブロッキング膜１６Ａと、光電変換膜１２と、正孔ブロッキング膜１６Ｂと、上部電極１５とがこの順に積層された構成を有する。なお、図１および図２中の電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２、および、正孔ブロッキング膜１６Ｂの積層順は、用途および特性に応じて、適宜変更してもよい。
【0014】
光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）では、上部電極１５を介して光電変換膜１２に光が入射されることが好ましい。
また、光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）を使用する場合には、電圧を印加できる。この場合、下部電極１１と上部電極１５とが一対の電極をなし、この一対の電極間に、１×１０－５～１×１０７Ｖ／ｃｍの電圧を印加することが好ましい。性能および消費電力の点から、印加される電圧としては、１×１０－４～１×１０７Ｖ／ｃｍがより好ましく、１×１０－３～５×１０６Ｖ／ｃｍがさらに好ましい。
なお、電圧印加方法については、図１および図２において、電子ブロッキング膜１６Ａ側が陰極となり、光電変換膜１２側が陽極となるように印加することが好ましい。光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）を光センサとして使用した場合、また、撮像素子に組み込んだ場合も、同様の方法により電圧を印加できる。
後段で、詳述するように、光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）は撮像素子用途に好適に適用できる。
また、光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）を使用する場合には、電圧を印加できる。この場合、下部電極１１と上部電極１５とが一対の電極をなし、この一対の電極間に、１×１０－５～１×１０７Ｖ／ｃｍの電圧を印加することが好ましい。性能および消費電力の点から、印加される電圧としては、１×１０－４～１×１０７Ｖ／ｃｍがより好ましく、１×１０－３～５×１０６Ｖ／ｃｍがさらに好ましい。
なお、電圧印加方法については、図１および図２において、電子ブロッキング膜１６Ａ側が陰極となり、光電変換膜１２側が陽極となるように印加することが好ましい。光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）を光センサとして使用した場合、また、撮像素子に組み込んだ場合も、同様の方法により電圧を印加できる。
後段で、詳述するように、光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）は撮像素子用途に好適に適用できる。
【0015】
以下に、本発明の光電変換素子を構成する各層の形態について詳述する。
【0016】
＜光電変換膜＞
光電変換膜は、光電変換材料として特定化合物を含む膜である。この化合物を使用することにより、吸収ピークの半値幅が狭い光電変換膜を有し、光電変換効率に優れる光電変換素子が得られる。
以下、特定化合物について詳述する。
式（１）中、Ｒ５（または、Ｒ６）が結合する炭素原子とそれに隣接する炭素原子とで構成されるＣ＝Ｃ二重結合に基づいて区別され得る幾何異性体について、式（１）はそのいずれをも含む。つまり、上記Ｃ＝Ｃ二重結合に基づいて区別されるシス体とトランス体とは、いずれも式（１）に含まれる。
以下の式（２）、式（２ｂ）、式（３）～（７）、式（２ｂ－１）、式（２ｂ－２）においても同様である。
光電変換膜は、光電変換材料として特定化合物を含む膜である。この化合物を使用することにより、吸収ピークの半値幅が狭い光電変換膜を有し、光電変換効率に優れる光電変換素子が得られる。
以下、特定化合物について詳述する。
式（１）中、Ｒ５（または、Ｒ６）が結合する炭素原子とそれに隣接する炭素原子とで構成されるＣ＝Ｃ二重結合に基づいて区別され得る幾何異性体について、式（１）はそのいずれをも含む。つまり、上記Ｃ＝Ｃ二重結合に基づいて区別されるシス体とトランス体とは、いずれも式（１）に含まれる。
以下の式（２）、式（２ｂ）、式（３）～（７）、式（２ｂ－１）、式（２ｂ－２）においても同様である。
【0017】
【化1】
【0018】
式（１）中、Ｒ１は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、式（Ｒ－１）で表される基、式（Ｒ－２）で表される基、式（Ｒ－３）で表される基、または、式（Ｒ－４）で表される基を表す。
【0019】
【化2】
【0020】
アリール基中の炭素数は特に制限されないが、６～３０が好ましく、６～１８がより好ましく、６がさらに好ましい。アリール基は、単環構造であっても、２つ以上の環が縮環した縮環構造（縮合環構造）であってもよい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、または、フルオレニル基が挙げられる。
アリール基が有し得る置換基としては後述する置換基Ｗが挙げられ、例えば、アルキル基およびハロゲン原子が挙げられ、アルキル基が好ましい。
アリール基は、置換基を複数種類有していてもよい。
アリール基が置換基を有する場合、アリール基が有する置換基の数は特に制限されないが、１～５が好ましく、２～３がより好ましい。
なお、アリール基としては、ハロゲン原子以外の置換基が置換していてもよいアリール基が好ましい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、または、フルオレニル基が挙げられる。
アリール基が有し得る置換基としては後述する置換基Ｗが挙げられ、例えば、アルキル基およびハロゲン原子が挙げられ、アルキル基が好ましい。
アリール基は、置換基を複数種類有していてもよい。
アリール基が置換基を有する場合、アリール基が有する置換基の数は特に制限されないが、１～５が好ましく、２～３がより好ましい。
なお、アリール基としては、ハロゲン原子以外の置換基が置換していてもよいアリール基が好ましい。
【0021】
ヘテロアリール基（１価の芳香族複素環基）中の炭素数は特に制限されないが、３～３０が好ましく、３～１８がより好ましい。
ヘテロアリール基は、炭素原子および水素原子以外にヘテロ原子を有する。ヘテロ原子としては、例えば、硫黄原子、酸素原子、窒素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、硫黄原子、酸素原子、または、窒素原子が好ましい。
ヘテロアリール基が有するヘテロ原子の数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～４がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
ヘテロアリール基の環員数は特に制限されないが、３～８が好ましく、５～７がより好ましく、５～６がさらに好ましい。なお、ヘテロアリール基は、単環構造であっても、２個以上の環が縮環した縮環構造であってもよい。縮環構造の場合、ヘテロ原子を有さない芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）が含まれていてもよい。
ヘテロアリール基としては、例えば、フリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、および、カルバゾリル基が挙げられる。
中でも、フリル基、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、または、カルバゾリル基が好ましい。
ヘテロアリール基は、炭素原子および水素原子以外にヘテロ原子を有する。ヘテロ原子としては、例えば、硫黄原子、酸素原子、窒素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、硫黄原子、酸素原子、または、窒素原子が好ましい。
ヘテロアリール基が有するヘテロ原子の数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～４がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
ヘテロアリール基の環員数は特に制限されないが、３～８が好ましく、５～７がより好ましく、５～６がさらに好ましい。なお、ヘテロアリール基は、単環構造であっても、２個以上の環が縮環した縮環構造であってもよい。縮環構造の場合、ヘテロ原子を有さない芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）が含まれていてもよい。
ヘテロアリール基としては、例えば、フリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、および、カルバゾリル基が挙げられる。
中でも、フリル基、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、または、カルバゾリル基が好ましい。
【0022】
ヘテロアリール基が有し得る置換基としては、上述のアリール基が有し得る置換基が同様に挙げられる。
ヘテロアリール基が置換基を有する場合、ヘテロアリール基が有する置換基の数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
ヘテロアリール基が置換基を有する場合、ヘテロアリール基が有する置換基の数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
【0023】
式（Ｒ－１）中、Ｒａ１は、水素原子または置換基を表す。Ｒａ１で表される置換基としては、アルキル基（炭素数１～４が好ましい）が好ましい。
ただし、Ｒａ１は、置換基を有してもよいアリール基、および、置換基を有してもよいヘテロアリール基のいずれでもない。
＊は、結合位置を表す。
ただし、Ｒａ１は、置換基を有してもよいアリール基、および、置換基を有してもよいヘテロアリール基のいずれでもない。
＊は、結合位置を表す。
【0024】
式（Ｒ－２）中、Ｒａ２およびＲａ３は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒａ２およびＲａ３で表される置換基としては、アルキル基（炭素数１～４が好ましい）、または、アリール基が好ましい。アリール基の定義は、Ｒ１で説明したアリール基の定義と同義である。
Ｒａ２およびＲａ３は、互いに結合して環を形成していてもよい。より具体的には、Ｒａ２およびＲａ３は、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環としては、芳香族環（芳香族炭化水素環または芳香族複素環）および非芳香族環が挙げられる。
＊は、結合位置を表す。
Ｒａ２およびＲａ３は、互いに結合して環を形成していてもよい。より具体的には、Ｒａ２およびＲａ３は、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環としては、芳香族環（芳香族炭化水素環または芳香族複素環）および非芳香族環が挙げられる。
＊は、結合位置を表す。
【0025】
式（Ｒ－３）中、Ｒａ４～Ｒａ６は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒａ４～Ｒａ６で表される置換基としては、アルキル基（炭素数１～４が好ましい）、または、アリール基が好ましい。アリール基の定義は、Ｒ１で説明したアリール基の定義と同義である。
Ｒａ４～Ｒａ６は、互いに結合して環を形成していてもよい。より具体的には、Ｒａ４とＲａ５、Ｒａ５とＲａ６、および、Ｒａ４とＲａ６は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
＊は、結合位置を表す。
Ｒａ４～Ｒａ６は、互いに結合して環を形成していてもよい。より具体的には、Ｒａ４とＲａ５、Ｒａ５とＲａ６、および、Ｒａ４とＲａ６は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
＊は、結合位置を表す。
【0026】
式（Ｒ－４）中、Ｒａ１２は、置換基を有してもよいアリール基、または、置換基を有してもよいヘテロアリール基を表す。アリール基およびヘテロアリール基の定義は、Ｒ１で説明したアリール基およびヘテロアリール基の定義と同義である。
＊は、結合位置を表す。
＊は、結合位置を表す。
【0027】
Ｒ１が、式（Ｒ－１）で表される基以外の基である場合、Ｒ１は、式（Ｒ－２）で表される基、式（Ｒ－３）で表される基、式（Ｒ－４）で表される基、式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環が好ましく、式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環がより好ましく、式（５Ａ）で表される基、式（５Ｂ）で表される基、または、置換基を有してもよいナフチル基がさらに好ましい。
【0028】
【化3】
【0029】
式（４Ａ）中、Ｔ１～Ｔ４は、それぞれ独立に、ＣＲｅ１２又は窒素原子を表す。Ｒｅ１２は、水素原子又は置換基（炭素数１～４のアルキル基、ハロゲン原子等）を表す。Ｒｆ２は、アルキル基（炭素数１～４が好ましい）、シアノ基、置換基を有してもよいアリール基、または、置換基を有してもよいヘテロアリール基を表す。
アリール基およびヘテロアリール基の定義は、Ｒ１で説明したアリール基の定義と同義である。
なお、式（４Ａ）中にＲｅ１２が複数存在する場合、Ｒｅ１２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、また、Ｒｅ１２同士が互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環を形成してもよい。
アリール基およびヘテロアリール基の定義は、Ｒ１で説明したアリール基の定義と同義である。
なお、式（４Ａ）中にＲｅ１２が複数存在する場合、Ｒｅ１２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、また、Ｒｅ１２同士が互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環を形成してもよい。
【0030】
【化4】
【0031】
式（５Ａ）中、Ｒｅ１～Ｒｅ４は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基（炭素数１～４のアルキル基、ハロゲン原子等）を表す。Ｒｅ１～Ｒｅ４は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環を形成してもよい。Ｒｆ１はアルキル基（炭素数１～４が好ましい）を表す。
【0032】
【化5】
【0033】
式（５Ｂ）中、Ｒｅ５～Ｒｅ１１およびＲｅ１３～Ｒｅ１４は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基（炭素数１～４のアルキル基等）を表す。Ｒｅ５～Ｒｅ１１およびＲｅ１３～Ｒｅ１４は、互いに結合して環を形成してもよい。
中でも、Ｒｅ１３およびＲｅ１４の一方または両方が置換基（炭素数１～４のアルキル基等）を表すのが好ましい。
中でも、Ｒｅ１３およびＲｅ１４の一方または両方が置換基（炭素数１～４のアルキル基等）を表すのが好ましい。
【0034】
Ａは、芳香族環を表す。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、芳香族炭化水素環が好ましく、ナフタレン環、または、フルオレン環がより好ましい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、芳香族炭化水素環が好ましく、ナフタレン環、または、フルオレン環がより好ましい。
【0035】
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ２およびＲ３で表される置換基としては、アルキル基（炭素数１～４が好ましい）、または、アリール基が好ましい。アリール基の定義は、Ｒ１で説明したアリール基の定義と同義である。
Ｒ２およびＲ３に含まれる炭素数の合計は特に制限されず、２以上の場合が多く、本発明の効果がより優れる点で、４以上が好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、１２以下が好ましい。
Ｒ２およびＲ３は、互いに結合して環を形成していてもよい。より具体的には、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
Ｒ２およびＲ３に含まれる炭素数の合計は特に制限されず、２以上の場合が多く、本発明の効果がより優れる点で、４以上が好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、１２以下が好ましい。
Ｒ２およびＲ３は、互いに結合して環を形成していてもよい。より具体的には、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
【0036】
Ｒ４～Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ４～Ｒ６で表される置換基としては、アルキル基（炭素数１～４が好ましい）、または、アリール基が好ましい。アリール基の定義は、Ｒ１で説明したアリール基の定義と同義である。
Ｒ５およびＲ６は、本発明の効果がより優れる点で、水素原子が好ましい。
Ｒ５およびＲ６は、本発明の効果がより優れる点で、水素原子が好ましい。
【0037】
ｎは０～１８の整数を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、０～５が好ましく、０～３がより好ましい。
ｎが２以上の場合、複数のＲ４は互いに結合して、芳香環構造を含まない非芳香族環、または、フルオレン環を形成してもよい。
ｎが２以上の場合、複数のＲ４は互いに結合して、芳香環構造を含まない非芳香族環、または、フルオレン環を形成してもよい。
【0038】
なお、Ａがベンゼン環の場合、ｎは１以上であり、Ｒ４の少なくとも１つはハメットの置換基定数σｐが０．０５以下の置換基を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記置換基は、ハメットの置換基定数σｐが－０．１０以下の置換基であることが好ましい。上記ハメットの置換基定数σｐの下限値としては、－０．８０以上が好ましい。
ハメットの置換基定数σｐが０．０５以下の置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基（シクロアルケニル基、および、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基（ヘテロ環基といってもよい。）、シリル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、および、ヘテロ環チオ基が挙げられる。なかでも、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、または、フェニル基が好ましい。
ハメットの置換基定数σｐが０．０５以下の置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基（シクロアルケニル基、および、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基（ヘテロ環基といってもよい。）、シリル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、および、ヘテロ環チオ基が挙げられる。なかでも、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、または、フェニル基が好ましい。
【0039】
ここで、ハメットの置換基定数σｐについて説明する。ハメット則はベンゼン誘導体の反応または平衡に及ぼす置換基の影響を定量的に論ずるために、１９３５年にＬ．Ｐ．Ｈａｍｍｅｔｔにより提唱された経験則であるが、これは今日広く妥当性が認められている。ハメット則に求められた置換基定数σｐに関しては、例えば、Chem. Rev. 1991, 91, 165-195に詳しく記載される。なお、本発明において置換基をハメットの置換基定数σｐにより限定したり、説明したりするが、これは上記文献で見出せる文献既知の値がある置換基にのみ限定されるという意味ではなく、その値が文献未知であってもハメット則に基づいて測定した場合にその範囲内に包まれるであろう置換基をも含むものである。
【0040】
Ｒ１～Ｒ４に含まれる炭素数の合計は５以上である。つまり、Ｒ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、Ｒ４に含まれる炭素数の合計が５以上である。なお、ｎが０である場合は、Ｒ４に含まれる炭素数は０とする。
また、ｎが２以上である場合、Ｒ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、２つ以上のＲ４のそれぞれの炭素数の合計が、５以上である。
また、２つのＲ４同士が結合して環を形成している場合、Ｒ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、Ｒ４同士が結合して形成される環に含まれる炭素数の合計が、５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は７以上が好ましく、９以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
また、ｎが２以上である場合、Ｒ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、２つ以上のＲ４のそれぞれの炭素数の合計が、５以上である。
また、２つのＲ４同士が結合して環を形成している場合、Ｒ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、Ｒ４同士が結合して形成される環に含まれる炭素数の合計が、５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は７以上が好ましく、９以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
【0041】
Ｒ１が置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、式（Ｒ－２）で表される基、式（Ｒ－３）で表される基、または、式（Ｒ－４）で表される基を表す場合、Ｂ１は式（Ｂ－１－１）で表される基、または、（Ｂ－１－２）で表される基を表し、Ｒ１が式（Ｒ－１）で表される基を表す場合、Ｂ１は式（Ｂ－２）で表される基または式（Ｂ－３）で表される基を表す。
式（Ｂ－１－１）、式（Ｂ－１－２）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）中、＊は連結位置を表す。
式（Ｂ－１－１）、式（Ｂ－１－２）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）中、＊は連結位置を表す。
【0042】
【化6】
【0043】
式（Ｂ－１－１）中、Ｅは、少なくとも２つの炭素原子を含む、置換基を有していてもよい環を表す。
Ｅは、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。なお、２つの炭素原子とは、式（Ｂ－１－１）中のＺ１と二重結合で結合する炭素原子と、Ｚ１と二重結合で結合する炭素原子に隣接する炭素原子とを意図し、いずれの炭素原子もＥを構成する原子である。
Ｅの炭素数は、２～３０が好ましく、２～２０がより好ましく、２～１５がさらに好ましい。なお上記炭素数は、式中に明示される２個の炭素原子を含む数である。
Ｅは、ヘテロ原子を有していてもよく、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、窒素原子、硫黄原子、または、酸素原子が好ましい。
Ｅは置換基を有していてもよい。
Ｅ中のヘテロ原子の数は、０～１０が好ましく、０～５がより好ましく、０～３がさらに好ましい。なお、上記ヘテロ原子の数は、Ｚ１に含まれるヘテロ原子の数を含まない数である。
Ｅは、芳香族性を示してもよく、示さなくてもよい。
Ｅは、単環構造でもよく、縮環構造でもよいが、５員環、６員環、または、５員環および６員環の少なくともいずれかを含む縮合環であるのが好ましい。上記縮合環を形成する環の数は、１～４が好ましく、１～３がより好ましい。
Ｅは、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。なお、２つの炭素原子とは、式（Ｂ－１－１）中のＺ１と二重結合で結合する炭素原子と、Ｚ１と二重結合で結合する炭素原子に隣接する炭素原子とを意図し、いずれの炭素原子もＥを構成する原子である。
Ｅの炭素数は、２～３０が好ましく、２～２０がより好ましく、２～１５がさらに好ましい。なお上記炭素数は、式中に明示される２個の炭素原子を含む数である。
Ｅは、ヘテロ原子を有していてもよく、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、窒素原子、硫黄原子、または、酸素原子が好ましい。
Ｅは置換基を有していてもよい。
Ｅ中のヘテロ原子の数は、０～１０が好ましく、０～５がより好ましく、０～３がさらに好ましい。なお、上記ヘテロ原子の数は、Ｚ１に含まれるヘテロ原子の数を含まない数である。
Ｅは、芳香族性を示してもよく、示さなくてもよい。
Ｅは、単環構造でもよく、縮環構造でもよいが、５員環、６員環、または、５員環および６員環の少なくともいずれかを含む縮合環であるのが好ましい。上記縮合環を形成する環の数は、１～４が好ましく、１～３がより好ましい。
【0044】
Ｚ１は、酸素原子、硫黄原子、ＮＲＺ１、または、ＣＲＺ２ＲＺ３を表す。ＲＺ１は水素原子または置換基を表し、ＲＺ２およびＲＺ３は、それぞれ独立に、シアノ基、又は、－ＣＯＯＲＺ４を表す。ＲＺ４は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
Ｚ１は、酸素原子が好ましい。
Ｚ１は、酸素原子が好ましい。
【0045】
式（Ｂ－１－２）中、Ｒｂ２１及びＲｂ２２は、それぞれ独立に、シアノ基、または、－ＣＯＯＲｂ２３を表す。Ｒｂ２３は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
【0046】
式（Ｂ－２）中、Ｇは、－ＣＯ－、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、－ＮＲｂ１－、－ＣＲｂ２Ｒｂ３－、または、－ＳｉＲｂ４Ｒｂ５－を表す。
Ｒｂ１～Ｒｂ５およびＲｂ７～Ｒｂ１０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｂ７～Ｒｂ１０は、互いに結合して環を形成してもよい。例えば、Ｒｂ７とＲｂ８、Ｒｂ８とＲｂ９、および、Ｒｂ９とＲｂ１０は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
Ｒｂ１～Ｒｂ５およびＲｂ７～Ｒｂ１０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｂ７～Ｒｂ１０は、互いに結合して環を形成してもよい。例えば、Ｒｂ７とＲｂ８、Ｒｂ８とＲｂ９、および、Ｒｂ９とＲｂ１０は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
【0047】
式（Ｂ－３）中、Ｃｈは、＝ＣＲａ７Ｒａ８、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。
Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。より具体的には、Ｒａ７およびＲａ８は、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。より具体的には、Ｒａ７およびＲａ８は、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
【0048】
Ｒ１が置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、式（Ｒ－２）で表される基、式（Ｒ－３）で表される基、または、式（Ｒ－４）で表される基を表す場合、Ｂ１は、式（Ｂ－１－１）で表される基であるのが好ましい。
【0049】
式（Ｂ－１－１）で表される基としては、本発明の効果がより優れる点で、式（Ｂ－１）で表される基が好ましい。
【0050】
【化7】
【0051】
式（Ｂ－１）中、Ｄは、－ＣＯ－、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、－ＮＲｂ１－、－ＣＲｂ２Ｒｂ３－、または、－ＳｉＲｂ４Ｒｂ５－を表す。
Ｒｂ１～Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｂ１～Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
【0052】
Ｅ２は、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。なお、２つの炭素原子とは、式（Ｂ－１）中のカルボニル基中の炭素原子と、カルボニル基の炭素原子に隣接する炭素原子とを意図し、いずれの炭素原子もＥ２を構成する原子である。
Ｅ２の炭素数は、２～３０が好ましく、２～２０がより好ましく、２～１５がさらに好ましい。なお上記炭素数は、式中に明示される２個の炭素原子を含む数である。
Ｅ２は、ヘテロ原子を有していてもよく、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、窒素原子、硫黄原子、または、酸素原子が好ましい。
Ｅ２は置換基を有していてもよい。
Ｅ２中のヘテロ原子の数は、０～１０が好ましく、０～５がより好ましく、０～３がさらに好ましい。なお、上記ヘテロ原子の数は、式（Ｂ－１）中に明示されるＥ２を構成するカルボニル基に含まれる酸素原子の数を含まない数である。
Ｅ２は、芳香族性を示してもよく、示さなくてもよい。
Ｅ２は、単環構造でもよく、縮環構造でもよいが、５員環、６員環、または、５員環および６員環の少なくともいずれかを含む縮合環であるのが好ましい。上記縮合環を形成する環の数は、１～４が好ましく、１～３がより好ましい。
Ｅ２の炭素数は、２～３０が好ましく、２～２０がより好ましく、２～１５がさらに好ましい。なお上記炭素数は、式中に明示される２個の炭素原子を含む数である。
Ｅ２は、ヘテロ原子を有していてもよく、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、窒素原子、硫黄原子、または、酸素原子が好ましい。
Ｅ２は置換基を有していてもよい。
Ｅ２中のヘテロ原子の数は、０～１０が好ましく、０～５がより好ましく、０～３がさらに好ましい。なお、上記ヘテロ原子の数は、式（Ｂ－１）中に明示されるＥ２を構成するカルボニル基に含まれる酸素原子の数を含まない数である。
Ｅ２は、芳香族性を示してもよく、示さなくてもよい。
Ｅ２は、単環構造でもよく、縮環構造でもよいが、５員環、６員環、または、５員環および６員環の少なくともいずれかを含む縮合環であるのが好ましい。上記縮合環を形成する環の数は、１～４が好ましく、１～３がより好ましい。
【0053】
式（Ｂ－１－１）で表される基としては、本発明の効果がより優れる点で、式（Ｊ－１）～（Ｊ－５）で表される基がより好ましく、式（Ｊ－１）～式（Ｊ－２）で表される基がさらに好ましく、式（Ｊ－１）で表される基が特に好ましい。
【0054】
【化8】
【0055】
式（Ｊ－１）中、Ｒｇ１～Ｒｇ４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｇ１～Ｒｇ４は、互いに結合して環を形成してもよい。例えば、Ｒｇ１とＲｇ２、Ｒｇ２とＲｇ３、および、Ｒｇ３とＲｇ４は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
Ｋは、－ＣＯ－、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、－ＮＲｂ１－、－ＣＲｂ２Ｒｂ３－、または、－ＳｉＲｂ４Ｒｂ５－を表す。Ｒｂ１～Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｇ１～Ｒｇ４は、互いに結合して環を形成してもよい。例えば、Ｒｇ１とＲｇ２、Ｒｇ２とＲｇ３、および、Ｒｇ３とＲｇ４は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
Ｋは、－ＣＯ－、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、－ＮＲｂ１－、－ＣＲｂ２Ｒｂ３－、または、－ＳｉＲｂ４Ｒｂ５－を表す。Ｒｂ１～Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
【0056】
式（Ｊ－２）中、Ｒｇ５およびＲｇ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｃｈは、＝ＣＲａ７Ｒａ８、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。より具体的には、Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
Ｃｈは、＝ＣＲａ７Ｒａ８、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。より具体的には、Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
【0057】
式（Ｊ－３）中、Ｒｇ７は、水素原子または置換基を表す。
Ｃｈは、＝ＣＲａ７Ｒａ８、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｌは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。
Ｃｈは、＝ＣＲａ７Ｒａ８、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｌは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。
【0058】
式（Ｊ－４）中、Ｒｇ８およびＲｇ９は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｇ８およびＲｇ９は、互いに結合して環を形成してもよい。より具体的には、Ｒｇ８およびＲｇ９は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
Ｒｇ８およびＲｇ９は、互いに結合して環を形成してもよい。より具体的には、Ｒｇ８およびＲｇ９は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環の種類は、Ｒａ２およびＲａ３が互いに結合して形成される環で例示した環が挙げられる。
【0059】
Ｋは、－ＣＯ－、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、－ＮＲｂ１－、－ＣＲｂ２Ｒｂ３－、または、－ＳｉＲｂ４Ｒｂ５－を表す。Ｒｂ１～Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
【0060】
式（Ｊ－５）中、中、Ｒｇ１０～Ｒｇ１２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｇ１０およびＲｇ１１は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｃｈは、＝ＣＲａ７Ｒａ８、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒｇ１０およびＲｇ１１は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｃｈは、＝ＣＲａ７Ｒａ８、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、または、テルル原子を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒａ７およびＲａ８は、互いに結合して環を形成してもよい。
【0061】
特定化合物は、蒸着適性を良化させる点から、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【0062】
本発明の効果がより優れる点で、特定化合物としては、式（２）で表される化合物、式（２ｂ）で表される化合物、式（５）で表される化合物、式（６）で表される化合物、または、式（７）で表される化合物が好ましい。
【0063】
【化9】
【0064】
式（２）中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、および、Ｒ６の定義は、上述した通りである。
Ｒｃ１は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、式（Ｒ－２）で表される基、式（Ｒ－３）で表される基、または、式（Ｒ－４）で表される基を表す。各基の定義および好適態様は上述した通りである。
Ｒｃ１は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、式（Ｒ－２）で表される基、式（Ｒ－３）で表される基、または、式（Ｒ－４）で表される基を表す。各基の定義および好適態様は上述した通りである。
【0065】
Ｒ７～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ７～Ｒ１０で表される置換基としては、アルキル基（炭素数１～４が好ましい）、または、アリール基が好ましい。アリール基の定義は、Ｒ１で説明したアリール基の定義と同義である。
Ｒ７～Ｒ１０は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環を形成してもよい。例えば、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９、および、Ｒ９とＲ１０は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環を形成してもよい。
Ｒ７～Ｒ１０は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環を形成してもよい。例えば、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９、および、Ｒ９とＲ１０は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環を形成してもよい。
【0066】
Ｒ７～Ｒ１０のうち少なくとも１つは、ハメットの置換基定数σｐが０．０５以下の置換基を表す。ハメットの置換基定数σｐが０．０５以下の置換基の定義および好適範囲は、上述した通りである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ７～Ｒ１０のうちの１つのみが、ハメットの置換基定数σｐが０．０５以下の置換基を表すことが好ましい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ７～Ｒ１０のうちの１つのみが、ハメットの置換基定数σｐが０．０５以下の置換基を表すことが好ましい。
【0067】
Ｒｃ１、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ７～Ｒ１０に含まれる炭素数の合計は、５以上である。つまり、Ｒｃ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、Ｒ７に含まれる炭素数、Ｒ８に含まれる炭素数、Ｒ９に含まれる炭素数、および、Ｒ１０に含まれる炭素数の合計が５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
【0068】
Ｂ２は、上述した式（Ｂ－１－１）で表される基を表す。
【0069】
ただし、式（２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【0070】
【化10】
【0071】
式（２ｂ）中、Ｒｃ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、ｎ、および、Ｂ２の定義は、上述した通りである。
なかでも、式（２ｂ）においてＲｃ１は、式（Ｒ－２）で表される基、式（Ｒ－３）で表される基、式（Ｒ－４）で表される基、式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環が好ましく、式（５Ａ）で表される基、式（５Ｂ）で表される基、または、置換基を有してもよいナフチル基がより好ましい。
Ａ２は置換基を有してもよい多環の芳香族環を表す。多環の芳香族環としては、ナフタレン環、または、フルオレン環が好ましい。
なかでも、式（２ｂ）においてＲｃ１は、式（Ｒ－２）で表される基、式（Ｒ－３）で表される基、式（Ｒ－４）で表される基、式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環が好ましく、式（５Ａ）で表される基、式（５Ｂ）で表される基、または、置換基を有してもよいナフチル基がより好ましい。
Ａ２は置換基を有してもよい多環の芳香族環を表す。多環の芳香族環としては、ナフタレン環、または、フルオレン環が好ましい。
【0072】
Ｒｃ１、Ｒ２～Ｒ４に含まれる炭素数の合計は、５以上である。
つまり、Ｒｃ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、Ｒ４に含まれる炭素数の合計が５以上である。なお、ｎが０である場合は、Ｒ４に含まれる炭素数は０とする。
また、ｎが２以上である場合、Ｒ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、２つ以上のＲ４のそれぞれの炭素数の合計が、５以上である。
また、２つのＲ４同士が結合して環を形成している場合、Ｒ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、Ｒ４同士が結合して形成される環に含まれる炭素数の合計が、５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は７以上が好ましく、９以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
つまり、Ｒｃ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、Ｒ４に含まれる炭素数の合計が５以上である。なお、ｎが０である場合は、Ｒ４に含まれる炭素数は０とする。
また、ｎが２以上である場合、Ｒ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、２つ以上のＲ４のそれぞれの炭素数の合計が、５以上である。
また、２つのＲ４同士が結合して環を形成している場合、Ｒ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、および、Ｒ４同士が結合して形成される環に含まれる炭素数の合計が、５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は７以上が好ましく、９以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
【0073】
ただし、式（２ｂ）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【0074】
式（２ｂ）で表される化合物としては、より具体的には、式（３）で表される化合物、および、式（４）で表される化合物が挙げられる。
【0075】
【化11】
【0076】
式（３）中、Ｒｃ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、および、Ｂ２の定義は、上述した通りである。
【0077】
Ｒ１１～Ｒ１６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ１１～Ｒ１６で表される置換基としては、アルキル基（炭素数１～４が好ましい）、または、アリール基が好ましい。アリール基の定義は、Ｒ１で説明したアリール基の定義と同義である。
Ｒ１１～Ｒ１６は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環、または、フルオレン環を形成してもよい。例えば、Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３、Ｒ１３とＲ１４、Ｒ１４とＲ１５、および、Ｒ１５とＲ１６は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環またはフルオレン環を形成してもよい。
Ｒ１１～Ｒ１６は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環、または、フルオレン環を形成してもよい。例えば、Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３、Ｒ１３とＲ１４、Ｒ１４とＲ１５、および、Ｒ１５とＲ１６は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環またはフルオレン環を形成してもよい。
【0078】
Ｒｃ１、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１１～Ｒ１６に含まれる炭素数の合計は、５以上である。つまり、Ｒｃ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、Ｒ１１に含まれる炭素数、Ｒ１２に含まれる炭素数、Ｒ１３に含まれる炭素数、Ｒ１４に含まれる炭素数、Ｒ１５に含まれる炭素数、および、Ｒ１６に含まれる炭素数の合計が５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
【0079】
ただし、式（３）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【0080】
【化12】
【0081】
式（４）中、Ｒｃ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、および、Ｂ２の定義は、上述した通りである。
【0082】
Ｒ１７～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ１７～Ｒ２４で表される置換基としては、アルキル基（炭素数１～４が好ましい）、または、アリール基が好ましい。アリール基の定義は、Ｒ１で説明したアリール基の定義と同義である。
Ｒ１７～Ｒ２４は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環、または、フルオレン環を形成してもよい。例えば、Ｒ１７とＲ１８、Ｒ１８とＲ１９、Ｒ１９とＲ２０、Ｒ２０とＲ２１、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３、および、Ｒ２３とＲ２３は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環またはフルオレン環を形成してもよい。また、Ｒ１８とＲ１９とが結合して、フルオレン環を形成してもよい。この場合、Ｒ１８とＲ１９とが直接結合する炭素原子をスピロ原子として、９，９′－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］環が形成されてもよい。
Ｒ１７～Ｒ２４は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環、または、フルオレン環を形成してもよい。例えば、Ｒ１７とＲ１８、Ｒ１８とＲ１９、Ｒ１９とＲ２０、Ｒ２０とＲ２１、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３、および、Ｒ２３とＲ２３は、それぞれ独立に、単結合または連結基を介して互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環またはフルオレン環を形成してもよい。また、Ｒ１８とＲ１９とが結合して、フルオレン環を形成してもよい。この場合、Ｒ１８とＲ１９とが直接結合する炭素原子をスピロ原子として、９，９′－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］環が形成されてもよい。
【0083】
Ｒｃ１、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１７～Ｒ２４に含まれる炭素数の合計は、５以上である。つまり、Ｒｃ１に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、Ｒ１１に含まれる炭素数、Ｒ１７に含まれる炭素数、Ｒ１８に含まれる炭素数、Ｒ１９に含まれる炭素数、Ｒ２０に含まれる炭素数、Ｒ２１に含まれる炭素数、Ｒ２２に含まれる炭素数、Ｒ２３に含まれる炭素数、および、Ｒ２４に含まれる炭素数の合計が５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
【0084】
ただし、式（４）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【0085】
【化13】
【0086】
式（５）中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、および、Ｒ６の定義は、上述した通りである。
式（５）中、Ｒｃ２は、上述した式（Ｒ－１）で表される基を表す。
Ｒ７～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ７～Ｒ１０は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環を形成してもよい。Ｒ７～Ｒ１０のうち少なくとも１つは、ハメットの置換基定数σｐが０．０５以下の置換基を表す。
Ｒ７～Ｒ１０の定義および好適範囲は、式（２）で説明した定義および好適範囲と同じである。
式（５）中、Ｒｃ２は、上述した式（Ｒ－１）で表される基を表す。
Ｒ７～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ７～Ｒ１０は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環を形成してもよい。Ｒ７～Ｒ１０のうち少なくとも１つは、ハメットの置換基定数σｐが０．０５以下の置換基を表す。
Ｒ７～Ｒ１０の定義および好適範囲は、式（２）で説明した定義および好適範囲と同じである。
【0087】
Ｒｃ２、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ７～Ｒ１０に含まれる炭素数の合計は、５以上である。つまり、Ｒｃ２に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、Ｒ７に含まれる炭素数、Ｒ８に含まれる炭素数、Ｒ９に含まれる炭素数、および、Ｒ１０に含まれる炭素数の合計が５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
【0088】
Ｂ３は、上述した式（Ｂ－２）で表される基または上述した式（Ｂ－３）で表される基を表す。
【0089】
ただし、式（５）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【0090】
【化14】
【0091】
式（６）中、Ｒｃ２、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、および、Ｂ３の定義は、上述した通りである。
式（６）中、Ｒｃ２は、上述した式（Ｒ－１）で表される基を表す。
Ｒ１１～Ｒ１６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ１１～Ｒ１６は互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環、または、フルオレン環を形成してもよい。
Ｒ１１～Ｒ１６の定義および好適範囲は、式（３）で説明した定義および好適範囲と同じである。
式（６）中、Ｒｃ２は、上述した式（Ｒ－１）で表される基を表す。
Ｒ１１～Ｒ１６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ１１～Ｒ１６は互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環、または、フルオレン環を形成してもよい。
Ｒ１１～Ｒ１６の定義および好適範囲は、式（３）で説明した定義および好適範囲と同じである。
【0092】
Ｒｃ２、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１１～Ｒ１６に含まれる炭素数の合計は、５以上である。つまり、Ｒｃ２に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、Ｒ１１に含まれる炭素数、Ｒ１２に含まれる炭素数、Ｒ１３に含まれる炭素数、Ｒ１４に含まれる炭素数、Ｒ１５に含まれる炭素数、および、Ｒ１６に含まれる炭素数の合計が５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
【0093】
ただし、式（６）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【0094】
【化15】
【0095】
式（７）中、Ｒｃ２、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、および、Ｂ３の定義は、上述した通りである。
式（７）中、Ｒｃ２は、上述した式（Ｒ－１）で表される基を表す。
Ｒ１７～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ１７～Ｒ２４は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環、または、フルオレン環を形成してもよい。
Ｒ１７～Ｒ２４の定義および好適範囲は、式（４）で説明した定義および好適範囲と同じである。
式（７）中、Ｒｃ２は、上述した式（Ｒ－１）で表される基を表す。
Ｒ１７～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ１７～Ｒ２４は、互いに結合して芳香環構造を含まない非芳香族環、または、フルオレン環を形成してもよい。
Ｒ１７～Ｒ２４の定義および好適範囲は、式（４）で説明した定義および好適範囲と同じである。
【0096】
Ｒｃ２、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１７～Ｒ２４に含まれる炭素数の合計は、５以上である。つまり、Ｒｃ２に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、Ｒ１７に含まれる炭素数、Ｒ１８に含まれる炭素数、Ｒ１９に含まれる炭素数、Ｒ２０に含まれる炭素数、Ｒ２１に含まれる炭素数、Ｒ２２に含まれる炭素数、Ｒ２３に含まれる炭素数、および、Ｒ２４に含まれる炭素数の合計が５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
【0097】
ただし、式（７）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【0098】
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、式（１）で表される化合物が、式（３）で表される化合物、式（４）で表される化合物、式（６）で表される化合物、および、式（７）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種であり、
上記式（３）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基、または、式（Ｊ－２）で表される基であり、
上記式（４）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基、または、式（Ｊ－２）で表される基である態様が好ましい。
上記式（３）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基、または、式（Ｊ－２）で表される基であり、
上記式（４）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基、または、式（Ｊ－２）で表される基である態様が好ましい。
【0099】
また、式（１）で表される化合物が、式（３）で表される化合物、式（４）で表される化合物、式（６）で表される化合物、および、式（７）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種であり、
上記式（３）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基、または、式（Ｊ－２）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が、ハロゲン原子以外の置換基が置換していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、式（Ｒ－２）で表される基、または、式（Ｒ－３）で表される基を表し、
上記式（４）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基、または、式（Ｊ－２）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が、ハロゲン原子以外の置換基が置換していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、式（Ｒ－２）で表される基、または、式（Ｒ－３）で表される基を表し、
上記式（６）で表される化合物中、Ｂ３が、式（Ｂ－２）で表される基を表し、
上記式（７）で表される化合物中、Ｂ３が、式（Ｂ－２）で表される基を表す態様がより好ましい。
上記式（３）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基、または、式（Ｊ－２）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が、ハロゲン原子以外の置換基が置換していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、式（Ｒ－２）で表される基、または、式（Ｒ－３）で表される基を表し、
上記式（４）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基、または、式（Ｊ－２）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が、ハロゲン原子以外の置換基が置換していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、式（Ｒ－２）で表される基、または、式（Ｒ－３）で表される基を表し、
上記式（６）で表される化合物中、Ｂ３が、式（Ｂ－２）で表される基を表し、
上記式（７）で表される化合物中、Ｂ３が、式（Ｂ－２）で表される基を表す態様がより好ましい。
【0100】
さらに、式（１）で表される化合物が、式（３）で表される化合物、および、式（４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種であり、
上記式（３）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が、ハロゲン原子以外の置換基が置換していてもよいアリール基、または、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、
式（４）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が、ハロゲン原子以外の置換基が置換していてもよいアリール基、または、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、Ｒ２およびＲ３に含まれる炭素数の合計が４以上である態様がさらに好ましい。
上記式（３）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が、ハロゲン原子以外の置換基が置換していてもよいアリール基、または、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、
式（４）で表される化合物中、式（Ｂ－１－１）で表される基が式（Ｊ－１）で表される基であり、かつ、Ｒｃ１が、ハロゲン原子以外の置換基が置換していてもよいアリール基、または、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、Ｒ２およびＲ３に含まれる炭素数の合計が４以上である態様がさらに好ましい。
【0101】
また、本発明の効果がより優れる点で、式（１）で表される化合物は、式（２ｂ－１）で表される化合物、または、式（２ｂ－２）で表される化合物であるのも好ましい。
【0102】
【化16】
【0103】
式（２ｂ－１）中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１１～Ｒ１６、および、Ｒｇ１～Ｒｇ４の定義は、上述した通りである。
Ｒｃ３は、式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環を表し、式（５Ａ）で表される基、式（５Ｂ）で表される基、または、置換基を有してもよいナフチル基が好ましい。
Ｒｃ３、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１１～Ｒ１６に含まれる炭素数の合計は、５以上である。つまり、Ｒｃ３に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、Ｒ１１に含まれる炭素数、Ｒ１２に含まれる炭素数、Ｒ１３に含まれる炭素数、Ｒ１４に含まれる炭素数、Ｒ１５に含まれる炭素数、および、Ｒ１６に含まれる炭素数の合計が５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
Ｒｃ３は、式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環を表し、式（５Ａ）で表される基、式（５Ｂ）で表される基、または、置換基を有してもよいナフチル基が好ましい。
Ｒｃ３、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１１～Ｒ１６に含まれる炭素数の合計は、５以上である。つまり、Ｒｃ３に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、Ｒ１１に含まれる炭素数、Ｒ１２に含まれる炭素数、Ｒ１３に含まれる炭素数、Ｒ１４に含まれる炭素数、Ｒ１５に含まれる炭素数、および、Ｒ１６に含まれる炭素数の合計が５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
【0104】
ただし、式（２ｂ－１）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【0105】
【化17】
【0106】
式（２ｂ－２）中、Ｒｃ３、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１７～Ｒ２４、および、Ｒｇ１～Ｒｇ４の定義は、上述した通りである。
【0107】
Ｒｃ３、Ｒ２、Ｒ３、および、Ｒ１７～Ｒ２４に含まれる炭素数の合計は、５以上である。つまり、Ｒｃ３に含まれる炭素数、Ｒ２に含まれる炭素数、Ｒ３に含まれる炭素数、Ｒ１７に含まれる炭素数、Ｒ１８に含まれる炭素数、Ｒ１９に含まれる炭素数、Ｒ２０に含まれる炭素数、Ｒ２１に含まれる炭素数、Ｒ２２に含まれる炭素数、Ｒ２３に含まれる炭素数、および、Ｒ２４に含まれる炭素数の合計が５以上である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、上記炭素数の合計は１１以上が好ましく、１５以上がより好ましい。上記炭素数の合計は、特に制限されないが、３０以下が好ましい。
【0108】
さらに、式（２ｂ－２）において、Ｒ２およびＲ３に含まれる炭素数の合計は、４以上である。つまり、Ｒ２に含まれる炭素数、および、Ｒ３に含まれる炭素数の合計が４以上である。
【0109】
ただし、式（２ｂ－２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【0110】
（置換基Ｗ）
本明細書における置換基Ｗについて記載する。
置換基Ｗとしては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子等）、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、および、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、および、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基（ヘテロ環基といってもよい。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールまたはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、および、ボロン酸基（－Ｂ（ＯＨ）２）が挙げられる。
また、置換基Ｗは、さらに置換基Ｗで置換されていてもよい。例えば、アルキル基にハロゲン原子が置換していてもよい。
本明細書における置換基Ｗについて記載する。
置換基Ｗとしては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子等）、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、および、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、および、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基（ヘテロ環基といってもよい。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールまたはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、および、ボロン酸基（－Ｂ（ＯＨ）２）が挙げられる。
また、置換基Ｗは、さらに置換基Ｗで置換されていてもよい。例えば、アルキル基にハロゲン原子が置換していてもよい。
【0111】
以下に、特定化合物を例示するが、本発明における特定化合物はこれに制限されない。
【0112】
【化18】
【0113】
【化19】
【0114】
【化20】
【0115】
【化21】
【0116】
【化22】
【0117】
【化23】
【0118】
特定化合物は、撮像素子、光センサまたは光電池に用いる光電変換膜の材料として特に有用である。なお、通常、特定化合物は、光電変換膜内でｐ型有機半導体として機能する場合が多い。また、特定化合物は、着色材料、液晶材料、有機半導体材料、電荷輸送材料、医薬材料、および、蛍光診断薬材料としても使用できる。
【0119】
特定化合物は、ｐ型有機半導体として使用する際の安定性とｎ型有機半導体とのエネルギー準位のマッチングの点で、単独膜でのイオン化ポテンシャルが－５．０～－６．０ｅＶである化合物であるのが好ましい。
【0120】
特定化合物の極大吸収波長は特に制限されないが、本発明の光電変換素子中の光電変換膜が緑色光を受光（吸収）して光電変換する有機光電変換膜として好適に用いられる点で、５００ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の範囲にあるのが好ましく、５２０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の範囲にあるのがより好ましく、５４０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲にあるのがさらに好ましい。
なお、上記極大吸収波長は、特定化合物の吸収スペクトルを吸光度が０．５～１になる程度の濃度に調整して溶液状態（溶剤：クロロホルム）で測定した値である。
なお、上記極大吸収波長は、特定化合物の吸収スペクトルを吸光度が０．５～１になる程度の濃度に調整して溶液状態（溶剤：クロロホルム）で測定した値である。
【0121】
光電変換膜の極大吸収波長は特に制限されないが、本発明の光電変換素子中の光電変換膜が緑色光を受光（吸収）して光電変換する有機光電変換膜として好適に用いられる点で、５００ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の範囲にあるのが好ましく、５２０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の範囲にあるのがより好ましく、５４０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲にあるのがさらに好ましい。
【0122】
＜ｎ型有機半導体＞
光電変換膜は、上述した特定化合物以外の他の成分として、ｎ型有機半導体を含むのが好ましい。
ｎ型有機半導体は、アクセプター性有機半導体材料（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、ｎ型有機半導体は、２つの有機化合物を接触させて用いた場合に電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機半導体としては、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。
ｎ型有機半導体としては、例えば、フラーレンおよびその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類、縮合芳香族炭素環化合物（例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、および、フルオランテン誘導体）；窒素原子、酸素原子、および、硫黄原子の少なくとも１つを有する５～７員環のヘテロ環化合物（例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、および、チアゾール等）；ポリアリーレン化合物；フルオレン化合物；シクロペンタジエン化合物；シリル化合物；１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸無水物；１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸無水物イミド誘導体、オキサジアゾール誘導体；アントラキノジメタン誘導体；ジフェニルキノン誘導体；バソクプロイン、バソフェナントロリン、およびこれらの誘導体；トリアゾール化合物；ジスチリルアリーレン誘導体；含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体；シロール化合物；ならびに、特開２００６－１００７６７号公報の段落［００５６］～［００５７］に記載の化合物が挙げられる。
光電変換膜は、上述した特定化合物以外の他の成分として、ｎ型有機半導体を含むのが好ましい。
ｎ型有機半導体は、アクセプター性有機半導体材料（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、ｎ型有機半導体は、２つの有機化合物を接触させて用いた場合に電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機半導体としては、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。
ｎ型有機半導体としては、例えば、フラーレンおよびその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類、縮合芳香族炭素環化合物（例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、および、フルオランテン誘導体）；窒素原子、酸素原子、および、硫黄原子の少なくとも１つを有する５～７員環のヘテロ環化合物（例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、および、チアゾール等）；ポリアリーレン化合物；フルオレン化合物；シクロペンタジエン化合物；シリル化合物；１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸無水物；１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸無水物イミド誘導体、オキサジアゾール誘導体；アントラキノジメタン誘導体；ジフェニルキノン誘導体；バソクプロイン、バソフェナントロリン、およびこれらの誘導体；トリアゾール化合物；ジスチリルアリーレン誘導体；含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体；シロール化合物；ならびに、特開２００６－１００７６７号公報の段落［００５６］～［００５７］に記載の化合物が挙げられる。
【0123】
中でも、ｎ型有機半導体（化合物）としては、フラーレン及びその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類を含むのが好ましい。
フラーレンとしては、例えば、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ７６、フラーレンＣ７８、フラーレンＣ８０、フラーレンＣ８２、フラーレンＣ８４、フラーレンＣ９０、フラーレンＣ９６、フラーレンＣ２４０、フラーレンＣ５４０、及び、ミックスドフラーレンが挙げられる。
フラーレン誘導体は、例えば、上記フラーレンに置換基が付加した化合物が挙げられる。置換基としては、アルキル基、アリール基、又は、複素環基が好ましい。フラーレン誘導体としては、特開２００７－１２３７０７号公報に記載の化合物が好ましい。
フラーレンとしては、例えば、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ７６、フラーレンＣ７８、フラーレンＣ８０、フラーレンＣ８２、フラーレンＣ８４、フラーレンＣ９０、フラーレンＣ９６、フラーレンＣ２４０、フラーレンＣ５４０、及び、ミックスドフラーレンが挙げられる。
フラーレン誘導体は、例えば、上記フラーレンに置換基が付加した化合物が挙げられる。置換基としては、アルキル基、アリール基、又は、複素環基が好ましい。フラーレン誘導体としては、特開２００７－１２３７０７号公報に記載の化合物が好ましい。
【0124】
なお、ｎ型有機半導体として、有機色素を用いてもよい。例えば、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素（ゼロメチンメロシアニン（シンプルメロシアニン）を含む）、ロダシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ジオキサン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、サブフタロシアニン色素、および、金属錯体色素が挙げられる。
【0125】
ｎ型有機半導体の分子量は、２００～１２００が好ましく、２００～９００がより好ましい。
【0126】
本発明の光電変換素子中の光電変換膜が緑色光を受光（吸収）して光電変換する有機光電変換膜として好適に用いられる点で、ｎ型有機半導体は無色、または、特定化合物に近い吸収極大波長および／または吸収波形を持つことが望ましく、具体的な数値としては、ｎ型有機半導体の吸収極大波長が４００ｎｍ以下、または、５００～６００ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【0127】
光電変換膜は、特定化合物とｎ型有機半導体とが混合された状態で形成されるバルクヘテロ構造を有するのが好ましい。バルクヘテロ構造は、光電変換膜内で、特定化合物とｎ型有機半導体とが混合、分散している層である。バルクヘテロ構造を有する光電変換膜は、湿式法および乾式法のいずれでも形成できる。なお、バルクへテロ構造については、特開２００５－３０３２６６号公報の段落［００１３］～［００１４］等において詳細に説明されている。
【0128】
光電変換素子の応答性の点から、特定化合物とｎ型有機半導体との合計の含有量に対する特定化合物の含有量（＝特定化合物の単層換算での膜厚／（特定化合物の単層換算での膜厚＋ｎ型有機半導体の単層換算での膜厚）×１００）は、１５～７５体積％が好ましく、３５～７５体積％がより好ましい。
また、光電変換膜が、後述するｐ型有機半導体を含む場合、特定化合物の含有量（＝特定化合物の単層換算での膜厚／（特定化合物の単層換算での膜厚＋ｎ型有機半導体の単層換算での膜厚＋ｐ型有機半導体の単層換算での膜厚）×１００）は、１５～７５体積％が好ましく、３５～７５体積％がより好ましい。
なお、光電変換膜は、実質的に、特定化合物とｎ型有機半導体とから構成されるのが好ましい。実質的とは、光電変換膜全質量に対して、特定化合物およびｎ型有機半導体の合計含有量が９５質量％以上であることを意味する。
また、光電変換膜が、後述するｐ型有機半導体を含む場合、特定化合物の含有量（＝特定化合物の単層換算での膜厚／（特定化合物の単層換算での膜厚＋ｎ型有機半導体の単層換算での膜厚＋ｐ型有機半導体の単層換算での膜厚）×１００）は、１５～７５体積％が好ましく、３５～７５体積％がより好ましい。
なお、光電変換膜は、実質的に、特定化合物とｎ型有機半導体とから構成されるのが好ましい。実質的とは、光電変換膜全質量に対して、特定化合物およびｎ型有機半導体の合計含有量が９５質量％以上であることを意味する。
【0129】
なお、光電変換膜中に含まれるｎ型有機半導体は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、光電変換膜は、特定化合物及びｎ型有機半導体に加えて、更にｐ型有機半導体を含んでいてもよい。ｐ型有機半導体としては、例えば、下記に示す化合物が挙げられる。
なお、ここでいうｐ型有機半導体とは、特定化合物とは異なる化合物であるｐ型有機半導体を意図する。なお、光電変換膜中にｐ型有機半導体を含む場合、ｐ型有機半導体は１種単独で使用してもよく、２種以上を使用してもよい。
また、光電変換膜は、特定化合物及びｎ型有機半導体に加えて、更にｐ型有機半導体を含んでいてもよい。ｐ型有機半導体としては、例えば、下記に示す化合物が挙げられる。
なお、ここでいうｐ型有機半導体とは、特定化合物とは異なる化合物であるｐ型有機半導体を意図する。なお、光電変換膜中にｐ型有機半導体を含む場合、ｐ型有機半導体は１種単独で使用してもよく、２種以上を使用してもよい。
【0130】
＜ｐ型有機半導体＞
ｐ型有機半導体とは、ドナー性有機半導体材料（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。更に詳しくは、ｐ型有機半導体とは、２つの有機化合物を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。
ｐ型有機半導体としては、例えば、トリアリールアミン化合物（例えば、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）、特開２０１１－２２８６１４号公報の段落［０１２８］～［０１４８］に記載の化合物、特開２０１１－１７６２５９号公報の段落［００５２］～［００６３］に記載の化合物、特開２０１１－２２５５４４号公報の段落［０１１９］～［０１５８］に記載の化合物、特開２０１５－１５３９１０号公報の［００４４］～［００５１］に記載の化合物、及び、特開２０１２－９４６６０号公報の段落［００８６］～［００９０］に記載の化合物等）、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物（例えば、チエノチオフェン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ベンゾジチオフェン誘導体、ジチエノチオフェン誘導体、［１］ベンゾチエノ［３，２－ｂ］チオフェン（ＢＴＢＴ）誘導体、チエノ［３，２－ｆ：４，５－ｆ´］ビス［１］ベンゾチオフェン（ＴＢＢＴ）誘導体、特開２０１８－１４４７４号の段落［００３１］～［００３６］に記載の化合物、ＷＯ２０１６－１９４６３０号の段落［００４３］～［００４５］に記載の化合物、ＷＯ２０１７－１５９６８４号の段落［００２５］～［００３７］、［００９９］～［０１０９］に記載の化合物、特開２０１７－０７６７６６号公報の段落［００２９］～［００３４］に記載の化合物等）、シアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物（例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、及び、フルオランテン誘導体）、ポルフィリン化合物、フタロシアニン化合物、トリアゾール化合物、オキサジアゾール化合物、イミダゾール化合物、ポリアリールアルカン化合物、ピラゾロン化合物、アミノ置換カルコン化合物、オキサゾール化合物、フルオレノン化合物、シラザン化合物、並びに、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体が挙げられる。
ｐ型有機半導体としては、ｎ型有機半導体よりもイオン化ポテンシャルが小さい化合物が挙げられ、この条件を満たせば、ｎ型有機半導体として例示した有機色素を使用し得る。
以下に、ｐ型半導体化合物として使用し得る化合物を例示する。
ｐ型有機半導体とは、ドナー性有機半導体材料（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。更に詳しくは、ｐ型有機半導体とは、２つの有機化合物を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。
ｐ型有機半導体としては、例えば、トリアリールアミン化合物（例えば、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）、特開２０１１－２２８６１４号公報の段落［０１２８］～［０１４８］に記載の化合物、特開２０１１－１７６２５９号公報の段落［００５２］～［００６３］に記載の化合物、特開２０１１－２２５５４４号公報の段落［０１１９］～［０１５８］に記載の化合物、特開２０１５－１５３９１０号公報の［００４４］～［００５１］に記載の化合物、及び、特開２０１２－９４６６０号公報の段落［００８６］～［００９０］に記載の化合物等）、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物（例えば、チエノチオフェン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ベンゾジチオフェン誘導体、ジチエノチオフェン誘導体、［１］ベンゾチエノ［３，２－ｂ］チオフェン（ＢＴＢＴ）誘導体、チエノ［３，２－ｆ：４，５－ｆ´］ビス［１］ベンゾチオフェン（ＴＢＢＴ）誘導体、特開２０１８－１４４７４号の段落［００３１］～［００３６］に記載の化合物、ＷＯ２０１６－１９４６３０号の段落［００４３］～［００４５］に記載の化合物、ＷＯ２０１７－１５９６８４号の段落［００２５］～［００３７］、［００９９］～［０１０９］に記載の化合物、特開２０１７－０７６７６６号公報の段落［００２９］～［００３４］に記載の化合物等）、シアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物（例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、及び、フルオランテン誘導体）、ポルフィリン化合物、フタロシアニン化合物、トリアゾール化合物、オキサジアゾール化合物、イミダゾール化合物、ポリアリールアルカン化合物、ピラゾロン化合物、アミノ置換カルコン化合物、オキサゾール化合物、フルオレノン化合物、シラザン化合物、並びに、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体が挙げられる。
ｐ型有機半導体としては、ｎ型有機半導体よりもイオン化ポテンシャルが小さい化合物が挙げられ、この条件を満たせば、ｎ型有機半導体として例示した有機色素を使用し得る。
以下に、ｐ型半導体化合物として使用し得る化合物を例示する。
【0131】
【化24】
【0132】
【化25】
【0133】
【化26】
【0134】
特定化合物を含む光電変換膜は非発光性膜であり、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）とは異なる特徴を有する。非発光性膜とは発光量子効率が１％以下の膜を意図し、発光量子効率は０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
【0135】
＜成膜方法＞
光電変換膜は、主に、乾式成膜法により成膜できる。乾式成膜法としては、例えば、蒸着法（特に、真空蒸着法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、および、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法等の物理気相成長法、並びに、プラズマ重合等のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が挙げられる。なかでも、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法により光電変換膜を成膜する場合、真空度および蒸着温度等の製造条件は常法に従って設定できる。
光電変換膜は、主に、乾式成膜法により成膜できる。乾式成膜法としては、例えば、蒸着法（特に、真空蒸着法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、および、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法等の物理気相成長法、並びに、プラズマ重合等のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が挙げられる。なかでも、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法により光電変換膜を成膜する場合、真空度および蒸着温度等の製造条件は常法に従って設定できる。
【0136】
光電変換膜の厚みは、１０～１０００ｎｍが好ましく、５０～８００ｎｍがより好ましく、５０～５００ｎｍがさらに好ましく、５０～３００ｎｍが特に好ましい。
【0137】
＜電極＞
電極（上部電極（透明導電性膜）１５と下部電極（導電性膜）１１）は、導電性材料から構成される。導電性材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物等が挙げられる。
上部電極１５から光が入射されるため、上部電極１５は検知したい光に対し透明であるのが好ましい。上部電極１５を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ：Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＦＴＯ：Ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｄｏｐｅｄ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、および、ニッケル等の金属薄膜；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物；ならびに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール等の有機導電性材料、等が挙げられる。なかでも、高導電性および透明性等の点から、導電性金属酸化物が好ましい。
電極（上部電極（透明導電性膜）１５と下部電極（導電性膜）１１）は、導電性材料から構成される。導電性材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物等が挙げられる。
上部電極１５から光が入射されるため、上部電極１５は検知したい光に対し透明であるのが好ましい。上部電極１５を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ：Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＦＴＯ：Ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｄｏｐｅｄ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、および、ニッケル等の金属薄膜；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物；ならびに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール等の有機導電性材料、等が挙げられる。なかでも、高導電性および透明性等の点から、導電性金属酸化物が好ましい。
【0138】
通常、導電性膜をある範囲より薄くすると、急激な抵抗値の増加をもたらすが、本実施形態にかかる光電変換素子を組み込んだ固体撮像素子では、シート抵抗は、好ましくは１００～１００００Ω／□でよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きい。また、上部電極（透明導電性膜）１５は厚みが薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増す。光透過率の増加は、光電変換膜での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させるため、好ましい。薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大、および、透過率の増加を考慮すると、上部電極１５の膜厚は、５～１００ｎｍが好ましく、５～２０ｎｍがより好ましい。
【0139】
下部電極１１は、用途に応じて、透明性を持たせる場合と、逆に透明性を持たせず光を反射させる場合とがある。下部電極１１を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル、チタン、タングステン、および、アルミ等の金属、これらの金属の酸化物または窒化物等の導電性化合物（一例として窒化チタン（ＴｉＮ）を挙げる）；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物；並びに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール、等の有機導電性材料等が挙げられる。
【0140】
電極を形成する方法は特に制限されず、電極材料に応じて適宜選択できる。具体的には、印刷方式、および、コーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタ法、および、イオンプレーティング法等の物理的方式；並びに、ＣＶＤ、および、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、等が挙げられる。
電極の材料がＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル－ゲル法等）、および、酸化インジウムスズの分散物の塗布等の方法が挙げられる。
電極の材料がＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル－ゲル法等）、および、酸化インジウムスズの分散物の塗布等の方法が挙げられる。
【0141】
＜電荷ブロッキング膜：電子ブロッキング膜、正孔ブロッキング膜＞
本発明の光電変換素子は、導電性膜と透明導電性膜との間に、光電変換膜の他に１種以上の中間層を有しているのも好ましい。上記中間層としては、電荷ブロッキング膜が挙げられる。光電変換素子がこの膜を有することにより、得られる光電変換素子の特性（光電変換効率および応答性等）がより優れる。電荷ブロッキング膜としては、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜とが挙げられる。以下に、それぞれの膜について詳述する。
本発明の光電変換素子は、導電性膜と透明導電性膜との間に、光電変換膜の他に１種以上の中間層を有しているのも好ましい。上記中間層としては、電荷ブロッキング膜が挙げられる。光電変換素子がこの膜を有することにより、得られる光電変換素子の特性（光電変換効率および応答性等）がより優れる。電荷ブロッキング膜としては、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜とが挙げられる。以下に、それぞれの膜について詳述する。
【0142】
（電子ブロッキング膜）
電子ブロッキング膜は、ドナー性有機半導体材料（化合物）であり、上述のｐ型有機半導体を使用できる。
また、電子ブロッキング膜として、高分子材料も使用できる。
高分子材料としては、例えば、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、および、ジアセチレン等の重合体、並びに、その誘導体が挙げられる。
電子ブロッキング膜は、ドナー性有機半導体材料（化合物）であり、上述のｐ型有機半導体を使用できる。
また、電子ブロッキング膜として、高分子材料も使用できる。
高分子材料としては、例えば、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、および、ジアセチレン等の重合体、並びに、その誘導体が挙げられる。
【0143】
なお、電子ブロッキング膜は、複数膜で構成してもよい。
電子ブロッキング膜は、無機材料で構成されていてもよい。一般的に、無機材料は有機材料よりも誘電率が大きいため、無機材料を電子ブロッキング膜に用いた場合に、光電変換膜に電圧が多くかかるようになり、光電変換効率が高くなる。電子ブロッキング膜となりうる無機材料としては、例えば、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化クロム銅、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム銅、酸化ストロンチウム銅、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化インジウム銅、酸化インジウム銀、および、酸化イリジウムが挙げられる。
電子ブロッキング膜は、無機材料で構成されていてもよい。一般的に、無機材料は有機材料よりも誘電率が大きいため、無機材料を電子ブロッキング膜に用いた場合に、光電変換膜に電圧が多くかかるようになり、光電変換効率が高くなる。電子ブロッキング膜となりうる無機材料としては、例えば、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化クロム銅、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム銅、酸化ストロンチウム銅、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化インジウム銅、酸化インジウム銀、および、酸化イリジウムが挙げられる。
【0144】
（正孔ブロッキング膜）
正孔ブロッキング膜は、アクセプター性有機半導体材料（化合物）であり、上述のｎ型半導体を利用できる。
正孔ブロッキング膜は、アクセプター性有機半導体材料（化合物）であり、上述のｎ型半導体を利用できる。
【0145】
電荷ブロッキング膜の製造方法は特に制限されないが、乾式成膜法および湿式成膜法が挙げられる。乾式成膜法としては、蒸着法およびスパッタ法が挙げられる。蒸着法は、物理蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法および化学蒸着（ＣＶＤ）法のいずれでもよく、真空蒸着法等の物理蒸着法が好ましい。湿式成膜法としては、例えば、インクジェット法、スプレー法、ノズルプリント法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、および、グラビアコート法が挙げられ、高精度パターニングの点からは、インクジェット法が好ましい。
【0146】
電荷ブロッキング膜（電子ブロッキング膜および正孔ブロッキング膜）の厚みは、それぞれ、３～２００ｎｍが好ましく、５～１００ｎｍがより好ましく、５～３０ｎｍがさらに好ましい。
【0147】
＜基板＞
光電変換素子は、さらに基板を有していてもよい。使用される基板の種類は特に制限されないが、半導体基板、ガラス基板、および、プラスチック基板が挙げられる。
なお、基板の位置は特に制限されないが、通常、基板上に導電性膜、光電変換膜、および透明導電性膜をこの順で積層する。
光電変換素子は、さらに基板を有していてもよい。使用される基板の種類は特に制限されないが、半導体基板、ガラス基板、および、プラスチック基板が挙げられる。
なお、基板の位置は特に制限されないが、通常、基板上に導電性膜、光電変換膜、および透明導電性膜をこの順で積層する。
【0148】
＜封止層＞
光電変換素子は、さらに封止層を有していてもよい。光電変換材料は水分子等の劣化因子の存在で顕著にその性能が劣化してしまうことがある。そこで、水分子を浸透させない緻密な金属酸化物、金属窒化物、もしくは、金属窒化酸化物等のセラミクス、または、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ：Ｄｉａｍｏｎｄ－ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）等の封止層で光電変換膜全体を被覆して封止することで、上記劣化を防止できる。
なお、封止層としては、特開２０１１－０８２５０８号公報の段落［０２１０］～［０２１５］に記載に従って、材料の選択および製造を行ってもよい。
光電変換素子は、さらに封止層を有していてもよい。光電変換材料は水分子等の劣化因子の存在で顕著にその性能が劣化してしまうことがある。そこで、水分子を浸透させない緻密な金属酸化物、金属窒化物、もしくは、金属窒化酸化物等のセラミクス、または、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ：Ｄｉａｍｏｎｄ－ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）等の封止層で光電変換膜全体を被覆して封止することで、上記劣化を防止できる。
なお、封止層としては、特開２０１１－０８２５０８号公報の段落［０２１０］～［０２１５］に記載に従って、材料の選択および製造を行ってもよい。
【0149】
＜撮像素子＞
光電変換素子の用途として、例えば、撮像素子が挙げられる。撮像素子とは、画像の光情報を電気信号に変換する素子であり、通常、複数の光電変換素子が同一平面状でマトリクス上に配置されており、各々の光電変換素子（画素）において光信号を電気信号に変換し、その電気信号を画素ごとに逐次撮像素子外に出力できるものをいう。そのために、画素ひとつあたり、一つ以上の光電変換素子、一つ以上のトランジスタから構成される。
図３は、本発明の一実施形態を説明するための撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。この撮像素子は、デジタルカメラおよびデジタルビデオカメラ等の撮像素子、電子内視鏡、ならびに、携帯電話機等の撮像モジュール等に搭載される。
図３に示す撮像素子２０ａは、本発明の光電変換素子１０ａと、青色光電変換素子２２と、赤色光電変換素子２４とを含み、これらは光が入射する方向に沿って積層されている。光電変換素子１０ａは、上述したように、主に、緑色光を受光できる緑色光電変換素子として機能できる。
撮像素子２０ａは、いわゆる積層体型の色分離撮像素子である。光電変換素子１０ａ、青色光電変換素子２２、および、赤色光電変換素子２４は、それぞれ検出する波長スペクトルが異なる。つまり、青色光電変換素子２２および赤色光電変換素子２４は、光電変換素子１０ａが受光（吸収）する光とは異なる波長の光を受光する光電変換素子に該当する。光電変換素子１０ａでは主に緑色光を受光でき、青色光電変換素子２２では主に青色光を受光でき、赤色光電変換素子では主に赤色光を受光できる。
なお、緑色光とは波長５００～６００ｎｍの範囲の光を、青色光とは波長４００～５００ｎｍの範囲の光を、赤色光とは波長６００～７００ｎｍの範囲の光を意図する。
撮像素子２０ａに矢印の方向から光が入射すると、まず、光電変換素子１０ａにおいて主に緑色光が吸収されるが、青色光および赤色光に関しては光電変換素子１０ａを透過する。光電変換素子１０ａを透過した光が青色光電変換素子２２に進んだ際には、主に青色光が吸収されるが、赤色光に関しては青色光電変換素子２２を透過する。その後、青色光電変換素子２２を透過した光は、赤色光電変換素子２４によって吸収される。このように積層型の色分離撮像素子である撮像素子２０ａにおいては、緑、青、および、赤の３つの受光部で１つの画素を構成でき、受光部の面積を大きく取れる。
特に、本発明の光電変換素子１０ａにおいては、吸収ピークの半値幅が狭いため、青色光および赤色光の吸収が略生じず、青色光電変換素子２２および赤色光電変換素子２４での検出性に影響を与えにくい。
光電変換素子の用途として、例えば、撮像素子が挙げられる。撮像素子とは、画像の光情報を電気信号に変換する素子であり、通常、複数の光電変換素子が同一平面状でマトリクス上に配置されており、各々の光電変換素子（画素）において光信号を電気信号に変換し、その電気信号を画素ごとに逐次撮像素子外に出力できるものをいう。そのために、画素ひとつあたり、一つ以上の光電変換素子、一つ以上のトランジスタから構成される。
図３は、本発明の一実施形態を説明するための撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。この撮像素子は、デジタルカメラおよびデジタルビデオカメラ等の撮像素子、電子内視鏡、ならびに、携帯電話機等の撮像モジュール等に搭載される。
図３に示す撮像素子２０ａは、本発明の光電変換素子１０ａと、青色光電変換素子２２と、赤色光電変換素子２４とを含み、これらは光が入射する方向に沿って積層されている。光電変換素子１０ａは、上述したように、主に、緑色光を受光できる緑色光電変換素子として機能できる。
撮像素子２０ａは、いわゆる積層体型の色分離撮像素子である。光電変換素子１０ａ、青色光電変換素子２２、および、赤色光電変換素子２４は、それぞれ検出する波長スペクトルが異なる。つまり、青色光電変換素子２２および赤色光電変換素子２４は、光電変換素子１０ａが受光（吸収）する光とは異なる波長の光を受光する光電変換素子に該当する。光電変換素子１０ａでは主に緑色光を受光でき、青色光電変換素子２２では主に青色光を受光でき、赤色光電変換素子では主に赤色光を受光できる。
なお、緑色光とは波長５００～６００ｎｍの範囲の光を、青色光とは波長４００～５００ｎｍの範囲の光を、赤色光とは波長６００～７００ｎｍの範囲の光を意図する。
撮像素子２０ａに矢印の方向から光が入射すると、まず、光電変換素子１０ａにおいて主に緑色光が吸収されるが、青色光および赤色光に関しては光電変換素子１０ａを透過する。光電変換素子１０ａを透過した光が青色光電変換素子２２に進んだ際には、主に青色光が吸収されるが、赤色光に関しては青色光電変換素子２２を透過する。その後、青色光電変換素子２２を透過した光は、赤色光電変換素子２４によって吸収される。このように積層型の色分離撮像素子である撮像素子２０ａにおいては、緑、青、および、赤の３つの受光部で１つの画素を構成でき、受光部の面積を大きく取れる。
特に、本発明の光電変換素子１０ａにおいては、吸収ピークの半値幅が狭いため、青色光および赤色光の吸収が略生じず、青色光電変換素子２２および赤色光電変換素子２４での検出性に影響を与えにくい。
【0150】
青色光電変換素子２２、及び、赤色光電変換素子２４の構成は特に制限されない。
例えば、シリコンを用いて光吸収長の差により色を分離する構成の光電変換素子でもよい。より具体的な例としては、青色光電変換素子２２と、赤色光電変換素子２４とが、ともにシリコンからなっていてもよい。この場合、撮像素子２０ａに矢印の方向から入射した青色光と緑色光と赤色光とからなる光は、光電変換素子１０ａによって真ん中の波長の光である緑色光が主に受光され、残る青色光と赤色光とを色分離しやすくなる。青色光と赤色光とは、シリコンに対する光吸収長に差（シリコンに対する吸収係数の波長依存性）があり、青色光はシリコンの表面近傍で吸収されやすく、赤色光はシリコンの比較的深い位置まで侵入できる。このような光吸収長に差に基づき、より浅い位置に存在する青色光電変換素子２２によって主に青色光が受光され、より深い位置に存在する赤色光電変換素子２４によって主に赤色光が受光される。
また、青色光電変換素子２２、及び、赤色光電変換素子２４は、導電性膜、青色光又は赤色光に吸収極大を有する有機の光電変換膜、及び、透明導電成膜をこの順で有する構成の光電変換素子（青色光電変換素子２２、又は、赤色光電変換素子２４）でもよい。
例えば、シリコンを用いて光吸収長の差により色を分離する構成の光電変換素子でもよい。より具体的な例としては、青色光電変換素子２２と、赤色光電変換素子２４とが、ともにシリコンからなっていてもよい。この場合、撮像素子２０ａに矢印の方向から入射した青色光と緑色光と赤色光とからなる光は、光電変換素子１０ａによって真ん中の波長の光である緑色光が主に受光され、残る青色光と赤色光とを色分離しやすくなる。青色光と赤色光とは、シリコンに対する光吸収長に差（シリコンに対する吸収係数の波長依存性）があり、青色光はシリコンの表面近傍で吸収されやすく、赤色光はシリコンの比較的深い位置まで侵入できる。このような光吸収長に差に基づき、より浅い位置に存在する青色光電変換素子２２によって主に青色光が受光され、より深い位置に存在する赤色光電変換素子２４によって主に赤色光が受光される。
また、青色光電変換素子２２、及び、赤色光電変換素子２４は、導電性膜、青色光又は赤色光に吸収極大を有する有機の光電変換膜、及び、透明導電成膜をこの順で有する構成の光電変換素子（青色光電変換素子２２、又は、赤色光電変換素子２４）でもよい。
【0151】
図３においては、光の入射側から本発明の光電変換素子、青色光電変換素子、および、赤色光電変換素子の順に配置されていたが、この態様には限定されず、他の配置順であってもよい。例えば、光の入射する側から青色光電変換素子、本発明の光電変換素子、および、赤色光電変換素子の順に配置されていてもよい。
【0152】
撮像素子として、上述のように、青色、緑色、および、赤色の三原色の光電変換素子を積み上げた構成を説明したが、２層（２色）、または、４層（４色）以上であってもかまわない。
たとえば、配列した青色光電変換素子２２と赤色光電変換素子２４の上に本発明の光電変換素子１０ａを配置する態様であってもよい。なお、必要に応じて、光の入射側にさらに所定の波長の光を吸収するカラーフィルタを配置してもよい。
たとえば、配列した青色光電変換素子２２と赤色光電変換素子２４の上に本発明の光電変換素子１０ａを配置する態様であってもよい。なお、必要に応じて、光の入射側にさらに所定の波長の光を吸収するカラーフィルタを配置してもよい。
【0153】
撮像素子の形態は図３および上述の形態に限定されず、他の形態であってもよい。
例えば、同一面内位置に、本発明の光電変換素子、青色光電変換素子、および、赤色光電変換素子が配置された態様であってもよい。
例えば、同一面内位置に、本発明の光電変換素子、青色光電変換素子、および、赤色光電変換素子が配置された態様であってもよい。
【0154】
また、光電変換素子を単層で用いる構成であってもよい。例えば、本発明の光電変換素子１０ａのうえに、青、赤、緑のカラーフィルタを配置して色を分離する構成であってもよい。
【0155】
光電変換素子の他の用途として、例えば、光電池および光センサが挙げられるが、本発明の光電変換素子は光センサとして用いるのが好ましい。光センサとしては、上記光電変換素子単独で用いてもよいし、上記光電変換素子を直線状に配したラインセンサ、または平面上に配した２次元センサとして用いてもよい。
【実施例】
【0156】
以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。
【0157】
＜化合物（Ｄ－１）の合成＞
以下のスキームに従って、化合物（Ｄ－１）を合成した。
以下のスキームに従って、化合物（Ｄ－１）を合成した。
【0158】
【化27】
【0159】
４－tert－ブチルフェニルヒドラジン塩酸塩（５．００ｇ，２４．９ｍｍｏｌ）および３－メチル－２－ブタノン（２．５８ｇ，２９．９ｍｍｏｌ）を酢酸（６２．５ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を加熱還流で３時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後、有機層をメチル－tert－ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）で抽出して、得られた抽出液を食塩水で洗浄し、洗浄された抽出液を減圧にて濃縮し、化合物１を含む濃縮残さを得た。
濃縮残さにアセトニトリル（４０ｍＬ）およびトリフルオロメタンスルホン酸メチル（７．１４ｇ，４３．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、得られた溶液を加熱還流で３時間反応させた。得られた溶液にＭＴＢＥ（８０ｍＬ）加えると、得られた溶液は化合物２を含む固体とＭＴＢＥ溶液に分離するので、デカンテーションにてＭＴＢＥ溶液を除去した。化合物２を含む固体にＭＴＢＥ（８０ｍＬ）を加えて分散洗浄を行い、デカンテーションにてＭＴＢＥを除去することで橙色固体として化合物２（３．５４ｇ，９．３３ｍｍｏｌ，収率３７％）を得た。
濃縮残さにアセトニトリル（４０ｍＬ）およびトリフルオロメタンスルホン酸メチル（７．１４ｇ，４３．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、得られた溶液を加熱還流で３時間反応させた。得られた溶液にＭＴＢＥ（８０ｍＬ）加えると、得られた溶液は化合物２を含む固体とＭＴＢＥ溶液に分離するので、デカンテーションにてＭＴＢＥ溶液を除去した。化合物２を含む固体にＭＴＢＥ（８０ｍＬ）を加えて分散洗浄を行い、デカンテーションにてＭＴＢＥを除去することで橙色固体として化合物２（３．５４ｇ，９．３３ｍｍｏｌ，収率３７％）を得た。
【0160】
化合物２（１．７０ｇ，４．４８ｍｍｏｌ）、Ａｃ１（１．２２ｇ，４．０７ｇ）（特許５３３７３８１号の段落［００８０］～［００８４］に従い合成した。）、および、ピペリジン（０．８ｍＬ）をブチロニトリル（６２．５ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を加熱還流で４８時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後に、析出した固体をろ過して回収し、得られた固体をアセトニトリルで洗浄して、粗体を得た。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９：１）し、得られた化合物をクロロホルム－アセトニトリル混合溶媒から再結晶し、アセトニトリルで洗浄することで化合物（Ｄ－１）（１．２０ｇ，２．７６ｍｍｏｌ，収率６１％）を得た。
得られた化合物（Ｄ－１）はＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）、ＭＳ（Mass Spectrometry）により同定した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図４に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：４３６．６（[Ｍ＋Ｈ]＋）
得られた化合物（Ｄ－１）はＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）、ＭＳ（Mass Spectrometry）により同定した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図４に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：４３６．６（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0161】
＜化合物（Ｄ－２）の合成＞
以下のスキームに従って、化合物（Ｄ－２）を合成した。
以下のスキームに従って、化合物（Ｄ－２）を合成した。
【0162】
【化28】
【0163】
１，１，２－トリメチル－１Ｈ－ベンゾ［ｅ］インドール（７．６９ｇ，３６．８ｍｍｏｌ）に、アセトニトリル（７７ｍＬ）および２－ヨードプロパン（２５．０ｇ，１４７ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、得られた溶液を加熱還流で４８時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後、析出した粉末をろ過により回収した。得られた粉末をトルエンで分散洗浄し、粉末をろ過して回収して、回収した粉体をＭＴＢＥで洗浄し、白色粉末として化合物３（４．００ｇ，１０．５ｍｍｏｌ，収率２９％）を得た。
化合物３（４．００ｇ，１１．３ｍｍｏｌ）、Ａｃ１（２．８７ｇ，９．５９ｍｍｏｌ）、および、ピペリジン（２．６６ｍＬ）をブチロニトリル（８０ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を加熱還流で４８時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後に、析出した固体をろ過により回収して、回収した固体をアセトニトリルで洗浄して、粗体を得た。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９：１）し、得られた化合物をクロロホルム－アセトニトリル混合溶媒から再結晶し、アセトニトリルで洗浄することで化合物（Ｄ－２）（０．９９ｇ，２．１６ｍｍｏｌ，収率２３％）を得た。
得られた化合物（Ｄ－２）はＮＭＲ、ＭＳにより同定した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図５に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：４５８．７（[Ｍ＋Ｈ]＋）
化合物３（４．００ｇ，１１．３ｍｍｏｌ）、Ａｃ１（２．８７ｇ，９．５９ｍｍｏｌ）、および、ピペリジン（２．６６ｍＬ）をブチロニトリル（８０ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を加熱還流で４８時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後に、析出した固体をろ過により回収して、回収した固体をアセトニトリルで洗浄して、粗体を得た。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９：１）し、得られた化合物をクロロホルム－アセトニトリル混合溶媒から再結晶し、アセトニトリルで洗浄することで化合物（Ｄ－２）（０．９９ｇ，２．１６ｍｍｏｌ，収率２３％）を得た。
得られた化合物（Ｄ－２）はＮＭＲ、ＭＳにより同定した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図５に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：４５８．７（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0164】
＜化合物（Ｄ－３）の合成＞
以下のスキームに従って、化合物（Ｄ－３）を合成した。
以下のスキームに従って、化合物（Ｄ－３）を合成した。
【0165】
【化29】
【0166】
２，６－ジフルオロアニリン（４６．７ｇ，３６２ｍｍｏｌ）、２－ブロモナフタレン（５０．０ｇ，２４１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（１．６２ｇ，７．２３ｍｍｏｌ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（Ｓ－Ｐｈｏｓ）（５．９４ｇ，１４．５ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム（１５７ｇ，４８１ｍｍｏｌ）、および、トルエン（５００ｍＬ）を２Ｌの３口フラスコに入れ、脱気、窒素ガス置換を行った。窒素雰囲気下、フラスコ内の溶液を１１０℃に加熱し、１２時間撹拌した。そして、溶液を室温に冷却後、溶液を水に加えた。得られた有機層を酢酸エチルで抽出して、得られた抽出液を食塩水で洗浄して、洗浄後の抽出液を減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（トルエン：ヘキサン＝１：１）することにより、淡黄色個体として化合物４（４９．３ｇ，１９３ｍｍｏｌ，収率８０％）を得た。
【0167】
化合物４（４０ｇ，１７８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）および酢酸（２００ｍＬ）の混合溶媒に添加し、得られた溶液を室温にて亜硝酸ナトリウム水溶液（８７．８ｍＬ，３５６ｍｍｏｌ）を滴下し、２０分間反応させた。得られた溶液にトルエン（４３４ｍＬ）で抽出して、得られた抽出液を水（４３４ｍＬ）で洗浄して、水層を取り除いた。得られた化合物５を含む有機層に水（８８ｍＬ）とエタノール（８８ｍＬ）とを加えた後、得られた溶液を氷浴にて０℃に冷却して、亜鉛粉末（８１．５ｇ，１．２５ｍｍｏｌ）を添加した。得られた溶液に対して、１０℃を超えないように酢酸（８８ｍＬ）を滴下した後、得られた溶液を室温にて２時間反応させた。溶液から不溶物をろ別し、ろ液を回収して、ろ液に食塩水（４３４ｍＬ）を加えて有機層を洗浄した後、回収した有機層を減圧にて約１５０ｍＬまで濃縮した。濃縮した溶液に、ＭＴＢＥ（４００ｍＬ）および３０％塩酸（４３．３ｇ，３５６ｍｍｏｌ）を加え、攪拌した。溶液中に析出した粉末をろ過して、固体を回収して、回収した固体をＭＴＢＥおよびイソプロパノールで洗浄した後、加熱乾燥して、化合物６（２１．８ｇ，７１．１ｍｍｏｌ，収率３６％）を得た。
【0168】
化合物６（８．００ｇ，２６．１ｍｍｏｌ）、シクロヘキシルメチルケトン（３．６２ｇ，２８．７ｍｍｏｌ）、および、６０％ヘキサフルオロリン酸（７．２３ｍＬ）をエタノール（８０ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を加熱還流で２時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後、溶液に１０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）を加えて中和した後、有機層をＭＴＢＥで抽出して、得られた抽出液を食塩水で洗浄して、洗浄された抽出液を減圧にて濃縮し、約２０ｍＬまで濃縮した。
濃縮した溶液に、ＭＴＢＥ（１５０ｍＬ）および６０％ヘキサフルオロリン酸（７．２３ｍＬ，５２．２ｍｍｏｌ）を加え、攪拌した。溶液中に析出した化合物７の塩をろ過により回収して、回収した固体をＭＴＢＥで洗浄した。得られた化合物７の塩をジクロロメタン（２００ｍＬ）に加え、さらに、２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（２００ｍＬ）を溶液に滴下して、中和し、ジクロロメタンに溶解させた。ジクロロメタンを減圧にて濃縮し、化合物７（１．１３ｇ，３．１３ｍｍｏｌ，収率１２％）を得た。
濃縮した溶液に、ＭＴＢＥ（１５０ｍＬ）および６０％ヘキサフルオロリン酸（７．２３ｍＬ，５２．２ｍｍｏｌ）を加え、攪拌した。溶液中に析出した化合物７の塩をろ過により回収して、回収した固体をＭＴＢＥで洗浄した。得られた化合物７の塩をジクロロメタン（２００ｍＬ）に加え、さらに、２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（２００ｍＬ）を溶液に滴下して、中和し、ジクロロメタンに溶解させた。ジクロロメタンを減圧にて濃縮し、化合物７（１．１３ｇ，３．１３ｍｍｏｌ，収率１２％）を得た。
【0169】
窒素雰囲気下、（クロロメチレン）ジメチルイミニウム（８００ｍｇ，６．２５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１１ｍＬ）に加え、氷浴にて０℃に冷却した。得られた溶液に化合物７（１．１３ｇ，３．１３ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１１ｍＬ）を滴下し、室温で２時間反応させた。得られた溶液に２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）を滴下し、加水分解させた。得られた有機層をジクロロメタンで抽出して、得られた抽出液を食塩水で洗浄して、洗浄された抽出液を減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９９：１）することにより、淡黄色個体として化合物８（９００ｍｇ，２．３１ｍｍｏｌ，収率７４％）を得た。
【0170】
化合物８（９００ｍｇ，２．３１ｍｍｏｌ）およびＡｃ３（４５３ｍｇ，２．３１ｍｍｏｌ）を無水酢酸（１６ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を１１０℃で２時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後に、減圧濃縮にて溶媒を除去した後、得られた粗体をシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９：１）し、得られた化合物をクロロホルム－アセトニトリル混合溶媒から再結晶し、アセトニトリルで洗浄することで化合物（Ｄ－３）（１．００ｇ，１．７６ｍｍｏｌ，収率７６％）を得た。
得られた化合物（Ｄ－３）はＮＭＲおよびＭＳにより同定した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図６に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５６８．５（[Ｍ＋Ｈ]＋）
得られた化合物（Ｄ－３）はＮＭＲおよびＭＳにより同定した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図６に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５６８．５（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0171】
＜化合物（Ｄ－４）の合成＞
以下のスキームに従って、化合物（Ｄ－４）を合成した。
以下のスキームに従って、化合物（Ｄ－４）を合成した。
【0172】
【化30】
【0173】
化合物６（３．００ｇ，９．８３ｍｍｏｌ）、３－メチル－２－ブタノン（１．２７ｇ，１４．７ｍｍｏｌ）、および、６０％ヘキサフルオロリン酸（２．７１ｍＬ）をエタノール（３０ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を加熱還流で２時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後、溶液に１０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（５０ｍＬ）を加えて中和後、有機層をＭＴＢＥで抽出して、得られた抽出液を食塩水で洗浄して、洗浄された抽出液を減圧にて濃縮した。濃縮した溶液に、ＭＴＢＥ（１５０ｍＬ）および６０％ヘキサフルオロリン酸（２．７１ｍＬ，１９．７ｍｍｏｌ）を加え、攪拌した。溶液中に析出した化合物９の塩をろ過により回収して、回収した固体をＭＴＢＥで洗浄した。次に、得られた化合物９の塩をジクロロメタン（１００ｍＬ）に加え、２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）を滴下して中和し、ジクロロメタンに溶解させた。得られたジクロロメタンを減圧にて濃縮し、化合物９（２.３０ｇ，７．１６ｍｍｏｌ，収率４９％）を得た。
【0174】
窒素雰囲気下、（クロロメチレン）ジメチルイミニウム（１．３７ｇ，１０．７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２３ｍＬ）に加え、得られた溶液を氷浴にて０℃に冷却した。この溶液に、化合物９（２．３０ｇ，７．１６ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（２３ｍＬ）を滴下し、室温で２時間反応させた。得られた溶液に２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）を滴下し、加水分解させた。有機層をジクロロメタンで抽出して、得られた抽出液を食塩水で洗浄して、洗浄された抽出液を減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９９：１）することにより、淡黄色個体として化合物１０（１．２８ｇ，３．６６ｍｍｏｌ，収率５１％）を得た。
【0175】
化合物１０（１．２８ｇ，３．６６ｍｍｏｌ）およびＡｃ３（７１９ｍｇ，３．６６ｍｍｏｌ）を無水酢酸（２６ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を１１０℃で２時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後に、減圧濃縮にて溶媒を除去した後、得られた粗体をシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９：１）し、得られた化合物をクロロホルム－アセトニトリル混合溶媒から再結晶し、アセトニトリルで洗浄することで、化合物（Ｄ－４）（１．１５ｇ、２．１８ｍｍｏｌ，収率６０％）を得た。
得られた化合物（Ｄ－４）はＮＭＲおよびＭＳにより同定した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図７に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５２８．３（[Ｍ＋Ｈ]＋）
得られた化合物（Ｄ－４）はＮＭＲおよびＭＳにより同定した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図７に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５２８．３（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0176】
＜化合物（Ｄ－５）の合成＞
以下のスキームに従い、化合物（Ｄ－５）は化合物（Ｄ－４）と同様に合成した。
以下のスキームに従い、化合物（Ｄ－５）は化合物（Ｄ－４）と同様に合成した。
【0177】
【化31】
【0178】
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図８に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５５６．６（[Ｍ＋Ｈ]＋）
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５５６．６（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0179】
＜化合物（Ｄ－６）の合成＞
以下のスキームに従い、化合物（Ｄ－６）は化合物（Ｄ－４）と同様に合成した。
以下のスキームに従い、化合物（Ｄ－６）は化合物（Ｄ－４）と同様に合成した。
【0180】
【化32】
【0181】
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図９に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５３４．８（[Ｍ＋Ｈ]＋）
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５３４．８（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0182】
＜化合物（Ｄ－７）の合成＞
以下のスキームに従い、化合物（Ｄ－７）は化合物（Ｄ－４）と同様に合成した。
以下のスキームに従い、化合物（Ｄ－７）は化合物（Ｄ－４）と同様に合成した。
【0183】
【化33】
【0184】
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図１０に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５８２．５（[Ｍ＋Ｈ]＋）
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５８２．５（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0185】
＜化合物（Ｄ－８）の合成＞
以下のスキームに従って、化合物（Ｄ－８）を合成した。
以下のスキームに従って、化合物（Ｄ－８）を合成した。
【0186】
【化34】
【0187】
化合物２７（１．５０ｇ，４．７５ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（１５ｍＬ）に加え、得られた溶液にベンジルブロミド（５．６１ｇ，２３．８ｍｍｏｌ）を滴下し、窒素雰囲気下、溶液を加熱還流で８時間反応させた。減圧濃縮により、溶液からアセトニトリルを除いた後、トルエンを加えて、化合物２９を含む固体とトルエン溶液とに分離させて、デカンテーションにてトルエン溶液を除去した。得られた化合物２９を含む固体にＭＴＢＥを加えて、分散洗浄を行い、デカンテーションにてＭＴＢＥを除去することで、化合物２９を含む橙色固体を得た。この固体は更なる精製を行わず、次の反応に使用した。
【0188】
橙色個体、Ａｃ１（１．２８ｇ，４．２８ｍｍｏｌ、および、ピペリジン（１．００ｍＬ）をブチロニトリル（３０ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を加熱還流で４８時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後に、析出した固体をろ過により回収して、回収した固体をアセトニトリルで洗浄して、粗体を得た。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９：１）し、得られた化合物をクロロホルム－アセトニトリル混合溶媒から再結晶し、アセトニトリルで洗浄することで化合物（Ｄ－８）（７１０ｍｇ，１．１６ｍｍｏｌ，収率２４％（２ｓｔｅｐｓ））を得た。１Ｈ－ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図１１に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５１２．９（[Ｍ＋Ｈ]＋）
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５１２．９（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0189】
＜化合物（Ｄ－９）の合成＞
以下のスキームに従い、化合物（Ｄ－９）を化合物（Ｄ－４）と同様に合成した。
以下のスキームに従い、化合物（Ｄ－９）を化合物（Ｄ－４）と同様に合成した。
【0190】
【化35】
【0191】
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を図１２に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５３４．８（[Ｍ＋Ｈ]＋）
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５３４．８（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0192】
＜化合物（Ｄ－１０）の合成＞
化合物（Ｄ－１０）は、化合物（Ｄ－４）の合成を参考に、以下のスキームに従って合成した。
化合物（Ｄ－１０）は、化合物（Ｄ－４）の合成を参考に、以下のスキームに従って合成した。
【0193】
【化36】
【0194】
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：７９５．８（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0195】
＜化合物（Ｄ－１１）の合成＞
化合物（Ｄ－１１）を以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－１１）を以下のスキームで合成した。
【0196】
【化37】
【0197】
化合物３４（４８０ｍｇ，０．９６８ｍｍｏｌ）および２－チオバルビツル酸（１４０ｍｇ，０．９６８ｍｍｏｌ）を無水酢酸（７ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を１１０℃で２時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後に、減圧濃縮にて溶媒を除去した後、得られた粗体をシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９：１）し、得られた化合物をクロロホルム－アセトニトリル混合溶媒から再結晶し、アセトニトリルで洗浄することで、化合物（Ｄ－１１）（２８３ｍｇ、０．４５５ｍｍｏｌ，収率４７％）を得た。
【0198】
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）を図１３に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：６２２．５（[Ｍ＋Ｈ]＋）
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：６２２．５（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0199】
＜化合物（Ｄ－１２）の合成＞
化合物（Ｄ－１２）は、化合物（Ｄ－１１）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－１２）は、化合物（Ｄ－１１）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
【0200】
【化38】
【0201】
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：６５０．６（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0202】
＜化合物（Ｄ－１３）の合成＞
化合物（Ｄ－１３）は化合物（Ｄ－１１）、化合物（Ｄ－１２）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－１３）は化合物（Ｄ－１１）、化合物（Ｄ－１２）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
【0203】
【化39】
【0204】
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：６３９．７（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0205】
＜化合物（Ｄ－１４）の合成＞
化合物（Ｄ－１４）を以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－１４）を以下のスキームで合成した。
【0206】
【化40】
【0207】
化合物３４（４８０ｍｇ，０．９６８ｍｍｏｌ）および１，２－ジフェニルピラゾリジン－３，５－ジオン（２４４ｍｇ，０．９６８ｍｍｏｌ）を無水酢酸（７ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を１１０℃で２時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後に、減圧濃縮にて溶媒を除去した後、得られた粗体をシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９：１）し、得られた化合物をクロロホルム－アセトニトリル混合溶媒から再結晶し、アセトニトリルで洗浄することで、化合物（Ｄ－１４）（３１１ｍｇ、０．４２６ｍｍｏｌ，収率４４％）を得た。
【0208】
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）を図１４に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：７３０．０（[Ｍ＋Ｈ]＋）
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：７３０．０（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0209】
＜化合物（Ｄ－１５）の合成＞
化合物（Ｄ－１５）は、化合物（Ｄ－２）および化合物（Ｄ－１１）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－１５）は、化合物（Ｄ－２）および化合物（Ｄ－１１）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
【0210】
【化41】
【0211】
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：４２８．４（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0212】
＜化合物（Ｄ－１６）の合成＞
化合物（Ｄ－１６）は、化合物（Ｄ－２）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－１６）は、化合物（Ｄ－２）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
【0213】
【化42】
【0214】
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：４０８．２（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0215】
＜化合物（Ｄ－１７）の合成＞
化合物（Ｄ－１７）は、化合物（Ｄ－６）の合成と同様に以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－１７）は、化合物（Ｄ－６）の合成と同様に以下のスキームで合成した。
【0216】
【化43】
【0217】
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図１５に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５４５．８（[Ｍ＋Ｈ]＋）
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５４５．８（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0218】
＜化合物（Ｄ－１８）の合成＞
化合物（Ｄ－１８）は、化合物（Ｄ－６）および化合物（Ｄ－３）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－１８）は、化合物（Ｄ－６）および化合物（Ｄ－３）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
【0219】
【化44】
【0220】
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図１６に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５７４．９（[Ｍ＋Ｈ]＋）
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５７４．９（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0221】
＜化合物（Ｄ－１９）の合成＞
化合物（Ｄ－１９）は、化合物（Ｄ－１）および化合物（Ｄ－２）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－１９）は、化合物（Ｄ－１）および化合物（Ｄ－２）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
【0222】
【化45】
【0223】
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：４３４．５（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0224】
＜化合物（Ｄ－２０）の合成＞
化合物（Ｄ－２０）は、化合物（Ｄ－２）および化合物（Ｄ－８）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－２０）は、化合物（Ｄ－２）および化合物（Ｄ－８）の合成を参考に以下のスキームで合成した。
【0225】
【化46】
【0226】
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５０５．６（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0227】
＜化合物（Ｄ－２１）の合成＞
化合物（Ｄ－２１）を以下のスキームで合成した。
化合物（Ｄ－２１）を以下のスキームで合成した。
【0228】
【化47】
【0229】
化合物３４（４８０ｍｇ，０．９６８ｍｍｏｌ）および３－シアノ－１－エチル－６－ヒドロキシ－４－メチル－２－ピリドン（１７２ｍｇ，０．９６８ｍｍｏｌ）を無水酢酸（７ｍＬ）に添加し、窒素雰囲気下、得られた溶液を１１０℃で２時間反応させた。得られた溶液を室温まで冷却した後に、減圧濃縮にて溶媒を除去した後、得られた粗体をシリカゲルカラムクロマト精製（クロロホルム：酢酸エチル＝９：１）し、得られた化合物をクロロホルム－アセトニトリル混合溶媒から再結晶し、アセトニトリルで洗浄することで、化合物（Ｄ－２１）（４５６ｍｇ、０．６９５ｍｍｏｌ，収率７２％）を得た。
【0230】
１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）を図１７に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：６５６．５（[Ｍ＋Ｈ]＋）
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：６５６．５（[Ｍ＋Ｈ]＋）
【0231】
化合物（Ｄ－１）～（Ｄ－２１）の合成を参考に、さらに、化合物（Ｄ－２２）～（Ｄ－３２）を合成した。
化合物（Ｄ－２２）、化合物（Ｄ－２４）～化合物（Ｄ－２６）の１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）をそれぞれ図１８～２１に示す。
化合物（Ｄ－２２）、化合物（Ｄ－２４）～化合物（Ｄ－２６）の１Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）をそれぞれ図１８～２１に示す。
【0232】
比較化合物（Ｒ－１）、（Ｒ－２）、（Ｒ－３）、および、（Ｒ－４）は特開２００９－１６７３４８号公報、比較化合物（Ｒ－５）はJ. Am. Chem. Soc.73, 1951, 5326-5330、比較化合物（Ｒ－６）は特開２０１６－１８８３６３号公報を参照し、合成した。
【0233】
【化48】
【0234】
【化49】
【0235】
【化50】
【0236】
＜実施例および比較例：光電変換素子の作製＞
得られた化合物を用いて図１の形態の光電変換素子を作製した。ここで、光電変換素子は、下部電極１１、電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２および上部電極１５からなる。
具体的には、ガラス基板上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、下部電極１１（厚み：３０ｎｍ）を形成し、さらに下部電極１１上に下記の化合物（ＥＢ－１）を真空加熱蒸着法により成膜して、電子ブロッキング膜１６Ａ（厚み：３０ｎｍ）を形成した。
さらに、基板の温度を２５℃に制御した状態で、電子ブロッキング膜１６Ａ上に化合物（Ｄ－１）とフラーレン（Ｃ６０）とをそれぞれ単層換算で１００ｎｍ、１００ｎｍとなるように真空蒸着法により共蒸着して成膜し、２００ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成した。
さらに、光電変換膜１２上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、上部電極１５（透明導電性膜）（厚み：１０ｎｍ）を形成した。上部電極１５上に、真空蒸着法により封止層としてＳｉＯ膜を形成した後、その上にＡＬＣＶＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）層を形成し、光電変換素子を作製した。
得られた化合物を用いて図１の形態の光電変換素子を作製した。ここで、光電変換素子は、下部電極１１、電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２および上部電極１５からなる。
具体的には、ガラス基板上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、下部電極１１（厚み：３０ｎｍ）を形成し、さらに下部電極１１上に下記の化合物（ＥＢ－１）を真空加熱蒸着法により成膜して、電子ブロッキング膜１６Ａ（厚み：３０ｎｍ）を形成した。
さらに、基板の温度を２５℃に制御した状態で、電子ブロッキング膜１６Ａ上に化合物（Ｄ－１）とフラーレン（Ｃ６０）とをそれぞれ単層換算で１００ｎｍ、１００ｎｍとなるように真空蒸着法により共蒸着して成膜し、２００ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成した。
さらに、光電変換膜１２上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、上部電極１５（透明導電性膜）（厚み：１０ｎｍ）を形成した。上部電極１５上に、真空蒸着法により封止層としてＳｉＯ膜を形成した後、その上にＡＬＣＶＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）層を形成し、光電変換素子を作製した。
【0237】
【化51】
【0238】
同様にして、化合物（Ｄ－２）～（Ｄ－３２）および比較化合物（Ｒ－１）～（Ｒ－６）を用いて、光電変換素子を作製した。ただし、比較化合物（Ｒ－６）は蒸着時に熱分解してしまい、光電変換素子を作製できなかった。
【0239】
＜光電変換効率評価＞
実施例および比較例にて作製した光電変換素子について、それぞれ、１．０×１０５Ｖ／ｃｍの電界強度になるように電圧を印加した。
その後、上部電極（透明導電性膜）側から光を照射して５８０ｎｍでの外部量子効率を測定した。外部量子効率は、定エネルギー量子効率測定装置（オプテル社製）を用いて測定した。照射した光量は５０μＷ／ｃｍ２であった。また、光電変換素子表面の反射光の影響を除くため、５８０ｎｍでの外部量子効率の測定値を５８０ｎｍの光吸収率で除算することで外部量子効率とした。
実施例および比較例にて作製した光電変換素子について、それぞれ、１．０×１０５Ｖ／ｃｍの電界強度になるように電圧を印加した。
その後、上部電極（透明導電性膜）側から光を照射して５８０ｎｍでの外部量子効率を測定した。外部量子効率は、定エネルギー量子効率測定装置（オプテル社製）を用いて測定した。照射した光量は５０μＷ／ｃｍ２であった。また、光電変換素子表面の反射光の影響を除くため、５８０ｎｍでの外部量子効率の測定値を５８０ｎｍの光吸収率で除算することで外部量子効率とした。
【0240】
化合物（Ｄ－１）を用いて形成された光電変換素子を基準として、それに対する各光電変換素子の光電変換効率を相対値で評価した。
光電変換効率の相対値が、化合物（Ｄ－１）を用いて形成された光電変換素子に対して、１．０５以上のものを「ＡＡ」、１．００以上１．０５未満のものを「Ａ」、０．９５以上１．００未満のものを「Ｂ」、０．９０以上０．９５未満のものを「Ｃ」、０．９０未満のものを「Ｄ」とした。結果を表１に示す。
実用上、「ＡＡ」、「Ａ」または「Ｂ」であることが好ましく、「ＡＡ」、「Ａ」であることがより好ましい。
光電変換効率の相対値が、化合物（Ｄ－１）を用いて形成された光電変換素子に対して、１．０５以上のものを「ＡＡ」、１．００以上１．０５未満のものを「Ａ」、０．９５以上１．００未満のものを「Ｂ」、０．９０以上０．９５未満のものを「Ｃ」、０．９０未満のものを「Ｄ」とした。結果を表１に示す。
実用上、「ＡＡ」、「Ａ」または「Ｂ」であることが好ましく、「ＡＡ」、「Ａ」であることがより好ましい。
【0241】
＜半値幅および極大吸収波長測定＞
ガラス基板の温度を２５℃に制御した状態で、化合物（Ｄ－１）とフラーレン（Ｃ６０）とをそれぞれ単層換算で１００ｎｍ、１００ｎｍとなるように真空加熱蒸着により共蒸着して成膜し、２００ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜を形成した。
この光電変換膜の極大吸収波長および吸収半値幅を日立ハイテック社製、分光光度計Ｕ３３１０を用いて測定した。吸収半値幅は、極大吸収波長の吸光度に対して、０．５倍の吸光度を示した２つの波長の差を表す（極大吸収の０．５倍の吸光度を示す点は、極大吸収波長に対して長波長側、短波長側の２点観測される）。
極大吸収波長に関しては、以下の基準で評価した。結果を表１にまとめて示す。
「Ａ」：極大吸収波長が５４０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の場合
「Ｂ」：極大吸収波長が５２０ｎｍ以上５４０ｎｍ未満、または、５７０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の場合
「Ｃ」：極大吸収波長が５００ｎｍ以上５２０ｎｍ未満、または、５８０ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の場合
「Ｄ」：極大吸収波長が５００ｎｍ未満、または、５９０ｎｍ以上の場合
吸収半値幅に関しては、以下の基準で評価した。結果を表１にまとめて示す。
「ＡＡ」：吸収半値幅が８６ｎｍ未満の場合
「Ａ」：吸収半値幅が８６ｎｍ以上９２ｎｍ未満の場合
「Ｂ」：吸収半値幅が９２ｎｍ以上９８ｎｍ未満の場合
「Ｃ」：吸収半値幅が９８ｎｍ以上１００ｎｍ未満の場合
「Ｄ」：吸収半値幅が１００ｎｍ以上の場合
吸収半値幅に関しては、実用上、「ＡＡ」、「Ａ」または「Ｂ」であることが好ましく、「ＡＡ」、「Ａ」であることがより好ましい。
化合物（Ｄ－１）を化合物（Ｄ－２）～（Ｄ－３２）、および、比較化合物（Ｒ－１）～（Ｒ－５）に変更して、上記と同様の評価を実施した。
ガラス基板の温度を２５℃に制御した状態で、化合物（Ｄ－１）とフラーレン（Ｃ６０）とをそれぞれ単層換算で１００ｎｍ、１００ｎｍとなるように真空加熱蒸着により共蒸着して成膜し、２００ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜を形成した。
この光電変換膜の極大吸収波長および吸収半値幅を日立ハイテック社製、分光光度計Ｕ３３１０を用いて測定した。吸収半値幅は、極大吸収波長の吸光度に対して、０．５倍の吸光度を示した２つの波長の差を表す（極大吸収の０．５倍の吸光度を示す点は、極大吸収波長に対して長波長側、短波長側の２点観測される）。
極大吸収波長に関しては、以下の基準で評価した。結果を表１にまとめて示す。
「Ａ」：極大吸収波長が５４０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の場合
「Ｂ」：極大吸収波長が５２０ｎｍ以上５４０ｎｍ未満、または、５７０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の場合
「Ｃ」：極大吸収波長が５００ｎｍ以上５２０ｎｍ未満、または、５８０ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の場合
「Ｄ」：極大吸収波長が５００ｎｍ未満、または、５９０ｎｍ以上の場合
吸収半値幅に関しては、以下の基準で評価した。結果を表１にまとめて示す。
「ＡＡ」：吸収半値幅が８６ｎｍ未満の場合
「Ａ」：吸収半値幅が８６ｎｍ以上９２ｎｍ未満の場合
「Ｂ」：吸収半値幅が９２ｎｍ以上９８ｎｍ未満の場合
「Ｃ」：吸収半値幅が９８ｎｍ以上１００ｎｍ未満の場合
「Ｄ」：吸収半値幅が１００ｎｍ以上の場合
吸収半値幅に関しては、実用上、「ＡＡ」、「Ａ」または「Ｂ」であることが好ましく、「ＡＡ」、「Ａ」であることがより好ましい。
化合物（Ｄ－１）を化合物（Ｄ－２）～（Ｄ－３２）、および、比較化合物（Ｒ－１）～（Ｒ－５）に変更して、上記と同様の評価を実施した。
【0242】
表１中、「Ａ」欄は、式（１）中のＡに該当する環を表し、「Ｂ環」はベンゼン環、「Ｎ環」はナフタレン環、「Ｆ環」はフルオレン環、「Ｐ環」はフェナントレン環、「Ｑ環」はキノリン環、「ＢＴ環」はベンゾチオフェン環を表す。
「ｎ」欄は、式（１）中のｎに該当する数を表す。
「Ｒ１」欄は、式（１）中のＲ１に該当する基を表し、「Ｒ－１」は式（Ｒ－１）で表される基を表し、「Ｒ－２」は式（Ｒ－２）で表される基を表し、「Ｒ－４」は式（Ｒ－４）で表される基を表し、「Ａｒ」はアリール基（置換基が置換していてもよい）を表し、「４Ａ」は式（４Ａ）で表される基を表し、「５Ａ」は式（５Ａ）で表される基を表し、「５Ｂ」は式（５Ｂ）で表される基を表し、「Ｎａｐ」はナフタレン環（置換基が置換していてもよい）を表す。なお、Ｒ１に該当する基が、上記基のうちの複数の条件に該当する場合、後に記載されている基として記載する。例えば、化合物（Ｄ－６）におけるＲ１に該当する基は「Ａｒ」「４Ａ」「５Ａ」のいずれにも該当するが、表中では「５Ａ」とのみ示す。
「Ｂ１」欄は、式（１）中のＢ１に該当する基を表し、「Ｂ－２」は式（Ｂ－２）で表される基を表し、「Ｊ－１」～「Ｊ－５」はそれぞれ式（Ｊ－１）～式（Ｊ－５）で表される基を表す。
「合計数」は、式（１）中のＲ１～Ｒ４に含まれる炭素数の合計を表す。
「式」欄は、各化合物が式（１）で表される化合物、式（２）で表される化合物、式（２ｂ）で表される化合物、式（２ｂ－１）で表される化合物、および、式（２ｂ－２）で表される化合物中のどの化合物に該当するかを示す。「１」は式（１）で表される化合物であることを意味し、「２」は式（２）で表される化合物であることを意味し、「２ｂ」は式（２ｂ）で表される化合物であることを意味し、「２ｂ－１」は式（２ｂ－１）で表される化合物であることを意味し、「２ｂ－２」は式（２ｂ－２）で表される化合物であることを意味する。なお、化合物が、上記式のうちの複数に該当する場合、後に記載されている式として記載する。例えば、式（２ｂ－１）および式（２ｂ－２）で表される化合物は、同時に、式（１）、式（２ｂ）で表される化合物にも該当するが、表中ではそれぞれ「２ｂ－１」および「２ｂ－２」とのみ示す。
また、化合物（Ｄ－１）および（Ｄ－１９）中のベンゼン環に置換しているブチル基のハメットの置換基定数σｐは、－０．２０であった。
「ｎ」欄は、式（１）中のｎに該当する数を表す。
「Ｒ１」欄は、式（１）中のＲ１に該当する基を表し、「Ｒ－１」は式（Ｒ－１）で表される基を表し、「Ｒ－２」は式（Ｒ－２）で表される基を表し、「Ｒ－４」は式（Ｒ－４）で表される基を表し、「Ａｒ」はアリール基（置換基が置換していてもよい）を表し、「４Ａ」は式（４Ａ）で表される基を表し、「５Ａ」は式（５Ａ）で表される基を表し、「５Ｂ」は式（５Ｂ）で表される基を表し、「Ｎａｐ」はナフタレン環（置換基が置換していてもよい）を表す。なお、Ｒ１に該当する基が、上記基のうちの複数の条件に該当する場合、後に記載されている基として記載する。例えば、化合物（Ｄ－６）におけるＲ１に該当する基は「Ａｒ」「４Ａ」「５Ａ」のいずれにも該当するが、表中では「５Ａ」とのみ示す。
「Ｂ１」欄は、式（１）中のＢ１に該当する基を表し、「Ｂ－２」は式（Ｂ－２）で表される基を表し、「Ｊ－１」～「Ｊ－５」はそれぞれ式（Ｊ－１）～式（Ｊ－５）で表される基を表す。
「合計数」は、式（１）中のＲ１～Ｒ４に含まれる炭素数の合計を表す。
「式」欄は、各化合物が式（１）で表される化合物、式（２）で表される化合物、式（２ｂ）で表される化合物、式（２ｂ－１）で表される化合物、および、式（２ｂ－２）で表される化合物中のどの化合物に該当するかを示す。「１」は式（１）で表される化合物であることを意味し、「２」は式（２）で表される化合物であることを意味し、「２ｂ」は式（２ｂ）で表される化合物であることを意味し、「２ｂ－１」は式（２ｂ－１）で表される化合物であることを意味し、「２ｂ－２」は式（２ｂ－２）で表される化合物であることを意味する。なお、化合物が、上記式のうちの複数に該当する場合、後に記載されている式として記載する。例えば、式（２ｂ－１）および式（２ｂ－２）で表される化合物は、同時に、式（１）、式（２ｂ）で表される化合物にも該当するが、表中ではそれぞれ「２ｂ－１」および「２ｂ－２」とのみ示す。
また、化合物（Ｄ－１）および（Ｄ－１９）中のベンゼン環に置換しているブチル基のハメットの置換基定数σｐは、－０．２０であった。
【0243】
【表1】
【0244】
【表2】
【0245】
表１に示すように、本発明の光電変換素子においては、光電変換膜の吸収ピークの半値幅が狭かった。
【0246】
特定化合物が、式（２）または式（２ｂ）で表される化合物であって、Ｂ１（Ｂ２）が式（Ｊ－１）または式（Ｊ－２）で表される場合、本発明の光電変換素子の性能がより優れることが確認された。
（実施例２～１２、１６～２０、２２～３２の結果など（全評価項目で「Ｂ」評価が１つ以下））
（実施例２～１２、１６～２０、２２～３２の結果など（全評価項目で「Ｂ」評価が１つ以下））
【0247】
特定化合物が、式（２ｂ）で表される化合物であって、Ｂ１（Ｂ２）が式（Ｊ－１）で表され、Ｒ１（Ｒｃ１）が式（Ｒ－２）で表される基、式（Ｒ－４）で表される基、式（４Ａ）で表される基、または、置換基を有してもよい多環の芳香族環である場合、本発明の光電変換素子の性能がさらに優れることが確認された。
（実施例２、５～１０、１６～１８、２０、２２～３１の結果など（いずれも、全評価項目で「Ａ」評価以上））
（実施例２、５～１０、１６～１８、２０、２２～３１の結果など（いずれも、全評価項目で「Ａ」評価以上））
【0248】
特定化合物が、式（２ｂ－１）または式（２ｂ－２）で表される化合物であって、Ｒ１（Ｒｃ３）が式（５Ａ）で表される基、式（５Ｂ）で表される基、または、置換基を有してもよいナフチル基である場合、本発明の光電変換素子の性能がとくに優れることが確認された。
（実施例５～７、１０、１７、１８、２２、２４～２７、３０の結果など（いずれも、全評価項目で「Ａ」評価以上、かつ、「ＡＡ」評価の項目がある））
（実施例５～７、１０、１７、１８、２２、２４～２７、３０の結果など（いずれも、全評価項目で「Ａ」評価以上、かつ、「ＡＡ」評価の項目がある））
【0249】
＜撮像素子の作製＞
化合物（Ｄ－１）～（Ｄ－３２）を用いて、図３に示す形態と同様の撮像素子をそれぞれ作製した。
緑色光電変換素子として機能する上記光電変換素子は、上述した方法により作製した。
なお、青色光電変換素子および赤色光電変換素子は、特開２００５－３０３２６６号公報に記載の参考にして作製した。
得られた撮像素子においては、本発明の光電変換素子中の光電変換膜の吸収ピークの半値幅が狭いため、青色光電変換素子および赤色光電変換素子での受光がしやすく、色分離性能に優れていた。
化合物（Ｄ－１）～（Ｄ－３２）を用いて、図３に示す形態と同様の撮像素子をそれぞれ作製した。
緑色光電変換素子として機能する上記光電変換素子は、上述した方法により作製した。
なお、青色光電変換素子および赤色光電変換素子は、特開２００５－３０３２６６号公報に記載の参考にして作製した。
得られた撮像素子においては、本発明の光電変換素子中の光電変換膜の吸収ピークの半値幅が狭いため、青色光電変換素子および赤色光電変換素子での受光がしやすく、色分離性能に優れていた。
【符号の説明】
【0250】
１０ａ，１０ｂ 光電変換素子
１１ 導電性膜（下部電極）
１２ 光電変換膜
１５ 透明導電性膜（上部電極）
１６Ａ 電子ブロッキング膜
１６Ｂ 正孔ブロッキング膜
２０ａ 撮像素子
２２ 青色光電変換素子
２４ 赤色光電変換素子
１１ 導電性膜（下部電極）
１２ 光電変換膜
１５ 透明導電性膜（上部電極）
１６Ａ 電子ブロッキング膜
１６Ｂ 正孔ブロッキング膜
２０ａ 撮像素子
２２ 青色光電変換素子
２４ 赤色光電変換素子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
