特許 7027622 抵抗体、及び、めっき装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-02-18

(45)【発行日】2022-03-01

(54)【発明の名称】抵抗体、及び、めっき装置

(51)【国際特許分類】

   C25D 17/10 20060101AFI20220221BHJP

   C25D 17/00 20060101ALI20220221BHJP

   C25D 17/06 20060101ALI20220221BHJP

【ＦＩ】

C25D17/10 A

C25D17/00 F

C25D17/06 C

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2021559593

(86)(22)【出願日】2021-06-17

(86)【国際出願番号】 JP2021023016

【審査請求日】2021-10-06

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100146710

【弁理士】

【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男

(74)【代理人】

【識別番号】100186613

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100172041

【弁理士】

【氏名又は名称】小畑 統照

(72)【発明者】

【氏名】樋渡 良輔

(72)【発明者】

【氏名】下山 正

(72)【発明者】

【氏名】増田 泰之

【審査官】萩原 周治

(56)【参考文献】

【文献】特開平１１－１５２６００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－０５４０００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１６－５０４５００（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００４／００９８７９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特許第６９０６７２９（ＪＰ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２５Ｄ １７／００－２１／２２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

めっき槽において基板とアノードとの間に配置される電場調整用の抵抗体であって、
同心であり且つ径が異なる３以上の基準円上にそれぞれ形成された第１の複数の孔と、
前記３以上の基準円を囲む外周基準線であって少なくとも一部がトロコイド曲線である外周基準線上に形成された第２の複数の孔と、
が形成されている抵抗体。

【請求項2】

前記第２の複数の孔のうち少なくとも一部は、周方向に沿って長い長孔である、請求項１に記載の抵抗体。

【請求項3】

前記長孔は、前記３以上の基準円から離れた領域に形成されるほど前記周方向に沿って長い、請求項２に記載の抵抗体。

【請求項4】

前記３以上の基準円における最外周の前記基準円と前記外周基準線との距離が第１距離未満の所定領域では、前記第２の複数の孔は形成されない、請求項１から３の何れか１項に記載の抵抗体。

【請求項5】

前記所定領域では、前記最外周の基準円に形成された前記第１の複数の孔は、前記所定領域ではない前記最外周の基準円に形成された前記第１の複数の孔に比して大きい、請求項４に記載の抵抗体。

【請求項6】

前記第１の複数の孔は、前記基準円上に周方向に沿って等間隔に配置される、請求項１から５の何れか１項に記載の抵抗体。

【請求項7】

前記第１の複数の孔それぞれは、少なくとも前記３以上の基準円における最外周の前記基準円に形成される孔を除いて同一寸法である、請求項１から６の何れか１項に記載の抵抗体。

【請求項8】

任意の前記基準円の径と隣接する前記基準円の径との差が一定である、請求項１から７の何れか１項に記載の抵抗体。

【請求項9】

請求項１から８の何れか１項に記載された抵抗体と、
前記抵抗体を収容するめっき槽と、を備えためっき装置。

【請求項10】

基板を保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダを回転させる回転機構と、
を更に備えた請求項９に記載のめっき装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、抵抗体、及び、めっき装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体ウェハやプリント基板等の基板の表面に配線、バンプ（突起状電極）等を形成することが行われている。この配線及びバンプ等を形成する方法として、電解めっき法が知られている。

【0003】

電解めっき法によるめっき装置では、ウェハ等の円形基板とアノードとの間に多数の孔を有する電場調整用の抵抗体を配置することが知られている（例えば特許文献１参照）。

【0004】

また、めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜を析出させる。カップ式のめっき装置では、基板にめっき層が均一に形成されるように、基板を回転させながらめっき処理を施すことも行われている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２００４－２２５１２９号公報

【文献】特開２００８－１９４９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

カップ式の電解めっき装置においても、多数の孔を有するパンチングプレートを電場調整用の抵抗体として設けることが考えられる。こうした場合、抵抗体に同心の複数の基準真円上に多数の孔を形成することで、好適に電場調整を行うことができる。しかしながら、本発明者らの研究により、このように形成した抵抗体を用いた場合、ウェハの外周部近傍の膜厚均一性が低くなる場合があることが分かっている。これは、例えば、多数の孔の形成精度、またはめっき槽の寸法精度等の影響によるものと考えられる。

【0007】

本発明は上記問題に鑑みてなされたものである。その目的の一つは、基板に形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる抵抗体、及び、めっき装置を提案することを目的の１つとする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一形態によれば、めっき槽において基板とアノードとの間に配置される抵抗体が提案される。前記抵抗体は、同心であり且つ径が異なる３以上の基準円上にそれぞれ形成された第１の複数の孔と、前記３以上の基準円を囲む外周基準線であって少なくとも一部がトロコイド曲線である外周基準線上に形成された第２の複数の孔と、が形成されている。

【0009】

本発明の他の一形態によれば、めっき装置が提供される。このめっき装置は、上記抵抗体と、前記抵抗体を収容するめっき槽と、を備える。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。

【図2】図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。

【図3】図３は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。

【図4】図４は、本実施形態の抵抗体を模式的に示す平面図である。

【図5】図５は、本実施形態の抵抗体に形成される複数の孔を説明するための模式図である。

【図6】図６は、抵抗体に形成される複数の孔の第２例を示している。

【図7】図７は、抵抗体に形成される複数の孔の第３例を示している。

【図8】図８は、抵抗体に形成される複数の孔の第４例を示している。

【図9】図９は、抵抗体に形成される複数の孔の第５例を示している。

【図10】図１０は、外周基準線の変形例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

【0012】

＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。本実施形態のめっき装置は、基板に対してめっき処理を施すために使用される。基板は、角形基板、円形基板を含む。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロード／アンロードモジュール１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤモジュール６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

【0013】

ロード／アンロードモジュール１００は、めっき装置１０００に半導体ウェハなどの基板を搬入したりめっき装置１０００から基板を搬出したりするためのモジュールであり、基板を収容するためのカセットを搭載している。本実施形態では４台のロード／アンロードモジュール１００が水平方向に並べて配置されているが、ロード／アンロードモジュール１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロード／アンロードモジュール１００、アライナ１２０、および搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。アライナ１２０は、基板のオリフラ（オリエンテーションフラット）やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。

【0014】

プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面に純水または脱気水などの処理液（プリウェット液）を付着させるためのモジュールである。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。プリソークモジュール３００は、めっき処理前の基板の被めっき面の酸化膜をエッチングするためのモジュールである。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。

【0015】

めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施すためのモジュールである。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

【0016】

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板を洗浄するためのモジュールである。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤモジュール６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤモジュールが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤモジュールの数および配置は任意である。

【0017】

搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するためのモジュールであり、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

【0018】

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロード／アンロードモジュール１００に基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロード／アンロードモジュール１００から基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、オリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

【0019】

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

【0020】

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤモジュール６００へ搬送する。スピンリンスドライヤモジュール６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロード／アンロードモジュール１００へ搬送する。最後に、ロード／アンロードモジュール１００から基板が搬出される。

【0021】

＜めっきモジュールの構成＞
次に、めっきモジュール４００の構成を説明する。本実施形態における２４台のめっきモジュール４００は同一の構成であるので、１台のめっきモジュール４００のみを説明する。図３は、本実施形態のめっきモジュール４００の構成を概略的に示す縦断面図である。図３に示すように、めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０を備える。めっき槽４１０は、上面が開口した円筒形の内槽４１２と、内槽４１２の上縁からオーバーフローしためっき液を溜められるように内槽４１２の周囲に設けられた図示しない外槽と、を含んで構成される。

【0022】

めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０を備える。また、基板ホルダ４４０は、図示していない電源から基板Ｗｆに給電するための給電接点を備える。めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を昇降させるための昇降機構４４２を備える。また、一実施形態では、めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を鉛直軸まわりに回転させる回転機構４４８を備える。昇降機構４４２および回転機構４４８は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる

【0023】

めっきモジュール４００は、内槽４１２の内部を上下方向に隔てるメンブレン４２０を備える。内槽４１２の内部はメンブレン４２０によってカソード領域４２２とアノード領域４２４に仕切られる。カソード領域４２２とアノード領域４２４にはそれぞれめっき液が充填される。なお、本実施形態ではメンブレン４２０が設けられる一例を示したが、メンブレン４２０は設けられなくてもよい。

【0024】

アノード領域４２４の内槽４１２の底面にはアノード４３０が設けられる。また、アノード領域４２４には、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の電解を調整するためのアノードマスク４２６が配置される。アノードマスク４２６は、例えば誘電体材料からなる略板状の部材であり、アノード４３０の前面(上方)に設けられる。アノードマスク４２６は、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に流れる電流が通過する開口を有する。なお、本実施形態では、アノードマスク４２６が設けられる一例を示したが、アノードマスク４２６は設けられなくてもよい。さらに、上記したメンブレン４２０は、アノードマスク４２６の開口に設けられてもよい。

【0025】

カソード領域４２２にはメンブレン４２０に対向する抵抗体４５０が配置される。抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにおけるめっき処理の均一化を図るための部材である。図４は、本実施形態の抵抗体を模式的に示す平面図である。なお、図４では、理解の容易のために、抵抗体の一部を拡大して併せて示している。また、図４に示す例は、後述する第５例（図９）に相当する。図４に示すように、抵抗体４５０は、複数の孔４５２、４５４を有する。孔４５２、４５４は、抵抗体４５０の表面と裏面との間を貫通し、めっき液及びめっき液中のイオンを通過させる経路を構成する。本実施形態に係る抵抗体４５０には、第１の複数の孔４５２と、第２の複数の孔４５４とが形成されている。

【0026】

第１の複数の孔４５２は、同心であり且つ径が異なる３以上の仮想的な基準円（図４中、一点鎖線を参照）上に配置されている。言い換えれば、第１の複数の孔４５２は、抵抗体４５０の径方向に分散するように配置される。第１の複数の孔４５２は、基準円上に周方向に沿って等間隔に配置されることが好ましい。これにより、基準円の周方向に沿って孔４５２を分散して配置することができる。また、抵抗体４５０では、任意の基準円の径と、これに隣接する基準円との径との差が一定であることが好ましい。言い換えれば、孔４５２は径方向において等間隔に配置されることが好ましい。これにより、基準円の径方向に沿って孔４５２を分散して配置することができる。また、一実施形態では、第１の複数の孔４５２のそれぞれは、上面から見て真円形である。第１の複数の孔４５２のそれぞれは、互いに同一の寸法であってもよい。なお、本明細書において、「等間隔」および「同一」は、数学的に完全な等間隔に限らず、機械加工等の誤差に起因した多少のずれも含み得る。

【0027】

第２の複数の孔４５４は、第１の複数の孔４５２の外周側に配置されている。具体的には、第２の複数の孔４５４は、第１の複数の孔４５２が配置される基準円を囲む外周基準線（図４中、二点鎖線を参照）上に形成される。ここで、本実施形態では、外周基準線はトロコイド曲線である。本発明者らの研究により、このように外周側の第２の複数の孔４５４を、少なくとも一部がトロコイド曲線である外周基準線上に配置することにより、めっきモジュール４００において基板Ｗｆに形成されるめっき膜の均一性を向上できることが分かっている。

【0028】

図５は、本実施形態の抵抗体に形成される複数の孔を説明するための模式図である。なお、図５の上段には、比較例として、第２の複数の孔４５２が真円である基準円（図５中、破線参照。以下、「参照円」と称する。）上に配置されている例を示している。また、図５の下段には、抵抗体に形成される複数の孔の第１例として、第２の複数の孔４５２がトロコイド曲線である外周基準線（図５中、２点鎖線を参照）上に配置されている例を示している。図５の下段に示すように、外周基準線は、所定の動円を参照円の内周に沿って移動させた際に動円の所定の定点が描くトロコイド曲線であり得る。ただし、こうした例に限定されず、外周基準線は、所定の動円を参照円の外周に沿って移動させた際に動円の所定の定点が描くトロコイド曲線であり得る。ここで、動円は、一例として、参照円を沿って一周するときに７回転（２５２０°回転）するように定められ得る。

【0029】

図６は、抵抗体に形成される複数の孔の第２例を示している。図６に示すように、トロコイド曲線である外周基準線のうち、第１の複数の孔４５２との距離が近い領域（図６中、ハッチングを付した領域。「所定領域」とも称する。）においては、第２の複数の孔４５４が形成されないものとしてもよい。一例として、所定領域は、外周基準線と第１の複数の孔４５２の基準円との距離が、予め定められた閾値よりも小さい領域である。第２例によれば、第１の複数の孔４５２と第２の複数の孔４５４との距離が近づきすぎないようにすることができ、所定領域において開口率が過大になることを抑制できる。なお、上記した第１例（図５）では、理解の容易のために、第１の複数の孔４５２と第２の複数の孔４５４との一部が重なり合っているが、当該例は誇張して示されているものであり、第１の複数の孔４５２と第２の複数の孔４５４とは互いに重なり合わないことが好ましい。

【0030】

図７は、抵抗体に形成される複数の孔の第３例を示している。上記した第２例（図６）において、第２の複数の孔４５４が形成されない領域（図７中、ハッチングを付した領域。「所定領域」とも称する。）において、第３例では、第１の複数の孔４５２が他の領域の孔４５２よりも大きくされている。つまり、第３例では、所定領域における第１の複数の孔４５２の径ｒａが、所定領域外の第１の複数の孔４５２の径ｒｂよりも大きい。こうした例によれば、所定領域の境界付近において、抵抗体の開口率が急激に変化することを抑制することができ、基板Ｗｆに形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる。

【0031】

図８は、抵抗体に形成される複数の孔の第４例を示している。図８に示すように、第２の複数の孔４５４は、周方向に長い長孔であってもよい。この場合、一例として、第２の複数の孔４５４は、第１の複数の孔４５２（または、その基準円）から遠い位置に配置される孔ほど、周方向に長い長孔とされてもよい。このように、第２の複数の孔４５４の少なくとも一部が長孔であることにより、外周基準線に沿った開口率の変化を小さくすることができ、基板Ｗｆに形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる。なお、図８に示す例では、上記した第２例（図６）と同様に、第１の複数の孔４５２との距離が近い領域（所定領域）においては、第２の複数の孔４５４が形成されていないが、こうした例には限定されない。

【0032】

図９は、抵抗体に形成される複数の孔の第５例を示している。図９に示す第５例では、第４例（図８）と同様に、第２の複数の孔４５４は、周方向に長い長孔とされている。また、図９に示す第５例では、第３例（図７）と同様に、所定領域においては第２の複数の孔４５４が形成されず、第１の複数の孔４５２が大きくされている。こうした例によれば、抵抗体の開口率を滑らかに変化させることができ、基板Ｗｆに形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる。

【0033】

ここで、本実施形態のめっきモジュール４００におけるめっき処理についてより詳細に説明する。昇降機構４４２を用いて基板Ｗｆをカソード領域４２２のめっき液に浸漬させることにより、基板Ｗｆがめっき液に暴露される。めっきモジュール４００は、この状態でアノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにめっき処理を施すことができる。一実施形態では、回転機構４４８を用いて基板ホルダ４４０を回転させながらめっき処理が行われる。めっき処理により、基板Ｗｆ－ａの被めっき面Ｗｆ－ａに導電膜（めっき膜）が析出する。そして、本実施形態では、上記した抵抗体４５０が採用されることにより、抵抗体４５０に形成されている孔密度が均等であり、基板に形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる。

【0034】

（変形例）
上記した実施形態では、第２の複数の孔４５４が形成される外周基準線がトロコイド曲線であるものとした。しかしながら、外周基準線は、少なくとも一部がトロコイド曲線であればよく、図１０に一例を示すように、定円に対する変位位相（凹凸）が反対である２つのトロコイド曲線（図１０中、一点鎖線Ｃ１および二点鎖線Ｃ２を参照）のブーリアン和からなる線（図１０中、太線参照）であってもよい。また、この場合には、２つのトロコイド曲線は、互いに同一の定円であって動円の半径が異なる曲線であってもよい。なお、２つのトロコイド曲線では、動円が、参照円を沿って一周するときに７回転（２５２０°回転）するように定められ得る。

【0035】

本発明は、以下の形態としても記載することができる。
［形態１］形態１によれば、めっき槽において基板とアノードとの間に配置される抵抗体が提案され、前記抵抗体は、同心であり且つ径が異なる３以上の基準円上にそれぞれ形成された第１の複数の孔と、前記３以上の基準円を囲む外周基準線であって少なくとも一部がトロコイド曲線である外周基準線上に形成された第２の複数の孔と、が形成されている。
形態１によれば、めっき装置に使用された際に、基板に形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる。

【0036】

［形態２］形態２によれば、形態１において、前記第２の複数の孔のうち少なくとも一部は、周方向に沿って長い長孔である。
形態２によれば、めっき装置に使用された際に、基板に形成されるめっき膜の均一性をより向上させることができる。

【0037】

［形態３］形態３によれば、形態２において、前記長孔は、前記３以上の基準円から離れた領域に形成されるほど前記周方向に沿って長い。
形態３によれば、めっき装置に使用された際に、基板に形成されるめっき膜の均一性をより向上させることができる。

【0038】

［形態４］形態４によれば、形態１から３において、前記３以上の基準円における最外周の前記基準円と前記外周基準線との距離が第１距離未満の所定領域では、前記第２の複数の孔は形成されない。
形態４によれば、めっき装置に使用された際に、基板に形成されるめっき膜の均一性をより向上させることができる。

【0039】

［形態５］形態５によれば、形態４において、前記所定領域では、前記最外周の基準円に形成された前記第１の複数の孔は、前記所定領域ではない前記最外周の基準円に形成された前記第１の複数の孔に比して大きい。
形態５によれば、めっき装置に使用された際に、基板に形成されるめっき膜の均一性をより向上させることができる。

【0040】

［形態６］形態２によれば、形態１から５において、前記第１の複数の孔は、前記基準円上に周方向に沿って等間隔に配置される。

【0041】

［形態７］形態７によれば、形態１から６において、前記第１の複数の孔それぞれは、少なくとも前記３以上の基準円における最外周の前記基準円に形成される孔を除いて同一寸法である

【0042】

［形態８］形態８によれば、形態１から７において、任意の前記基準円の径と隣接する前記基準円の径との差が一定である。

【0043】

［形態９］形態９によれば、形態１から８の何れか１つに記載された抵抗体と、前記抵抗体を収容するめっき槽と、を備えためっき装置が提案される。
形態９によれば、基板に形成されるめっき膜の均一性をより向上させることができる。

【0044】

［形態１０］形態１０によれば、形態９において、基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させる回転機構と、を更に備える。

【0045】

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、実施形態および変形例の任意の組み合わせが可能であり、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

【符号の説明】

【0046】

４００…めっきモジュール
４１０…めっき槽
４２０…メンブレン
４２２…カソード領域
４２４…アノード領域
４３０…アノード
４４０…基板ホルダ
４４２…昇降機構
４４８…回転機構
４５０…抵抗体
４５２…第１の複数の孔
４５４…第２の複数の孔
８００…制御モジュール
１０００…めっき装置
Ｗｆ…基板

【要約】

基板に形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる抵抗体等を提供する。
めっき槽において基板とアノードとの間に配置される抵抗体が提供される。この抵抗体には、同心であり且つ径が異なる３以上の基準円上にそれぞれ形成された第１の複数の孔と、前記３以上の基準円を囲む外周基準線であって少なくとも一部がトロコイド曲線である外周基準線上に形成された第２の複数の孔と、が形成されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】