特許 7029579 めっき装置及びリンス処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-02-22

(45)【発行日】2022-03-03

(54)【発明の名称】めっき装置及びリンス処理方法

(51)【国際特許分類】

   C25D 21/08 20060101AFI20220224BHJP

   C25D 17/06 20060101ALI20220224BHJP

   C25D 21/00 20060101ALI20220224BHJP

【ＦＩ】

C25D21/08

C25D17/06 F

C25D17/06 H

C25D21/00 B

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2021575490

(86)(22)【出願日】2021-09-10

(86)【国際出願番号】 JP2021033307

【審査請求日】2021-12-17

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100146710

【弁理士】

【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男

(74)【代理人】

【識別番号】100186613

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100163061

【弁理士】

【氏名又は名称】山田 祐樹

(72)【発明者】

【氏名】辻 一仁

【審査官】▲辻▼ 弘輔

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０３０１０４９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００６－７０３４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特許第６９３４１２７（ＪＰ，Ｂ１）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１０－００１８７２４（ＫＲ，Ａ）

【文献】特開２００３－２４７０９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２４１４３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－３３２４３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－１８３０４２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２５Ｄ １７／００－２１／２２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

アノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させる回転機構と、前記基板ホルダを昇降させる昇降機構と、前記基板ホルダが前記めっき槽よりも上方に位置した状態で前記基板及び前記基板ホルダの少なくとも一方である被リンス部材をリンス液でリンスするリンス処理を実行可能なリンスモジュールと、を有するめっきモジュールを備え、
前記リンスモジュールは、
前記リンス処理の実行時に、前記被リンス部材に向けてリンス液を吐出するリンスノズルと、
前記リンスノズルよりも下方に配置され、前記リンス処理の実行時に、前記めっき槽と前記基板ホルダとの間の空間を横切るように気体を吹き出すブローノズルと、
前記ブローノズルから吹き出された前記気体の下流側に配置され、前記被リンス部材から落下して前記ブローノズルから吹き出された前記気体の流れに乗った前記リンス液を回収する回収部材と、を備える、めっき装置。

【請求項2】

前記リンスノズル及び前記ブローノズルは、前記基板ホルダが昇降する領域である昇降領域の外側に固定されている、請求項１に記載のめっき装置。

【請求項3】

前記リンスモジュールは、前記基板ホルダが昇降する領域である昇降領域の外側の第１位置と前記昇降領域の内側の第２位置との間で、前記ブローノズルを移動させる移動機構をさらに備える、請求項１に記載のめっき装置。

【請求項4】

前記移動機構は、さらに、前記リンスノズルを前記第１位置と前記第２位置との間で移動させる、請求項３に記載のめっき装置。

【請求項5】

前記ブローノズルは、前記気体を膜状に吹き出すスリットノズルである、請求項１～４のいずれか１項に記載のめっき装置。

【請求項6】

前記ブローノズルは、前記ブローノズルを起点として前記気体を放射状に吹き出すように構成されている、請求項１～４のいずれか１項に記載のめっき装置。

【請求項7】

前記リンス処理の実行時において、前記基板ホルダは水平の状態になっている、請求項１～６のいずれか１項に記載のめっき装置。

【請求項8】

前記めっきモジュールは、前記基板ホルダを水平方向に対して傾斜させる傾斜機構をさらに備え、
前記リンス処理の実行時において、前記基板ホルダは傾斜した状態になっている、請求項１～６のいずれか１項に記載のめっき装置。

【請求項9】

前記リンスノズルが前記リンス液を吐出することを開始する時期は、前記ブローノズルが前記気体を吹き出すことを開始する時期よりも早い、請求項１～８のいずれか１項に記載のめっき装置。

【請求項10】

前記めっきモジュールは、少なくとも前記めっき槽、前記基板ホルダ、前記回転機構、前記昇降機構、及び、前記リンスモジュールを内部に収容する筐体と、前記筐体の内部の空気を前記筐体の外部に排出する排気機構と、をさらに備える、請求項１～９のいずれか１項に記載のめっき装置。

【請求項11】

前記排気機構は、前記ブローノズルが気体を吹き出している期間の排気流量を、前記ブローノズルが前記気体を吹き出すことを開始する前の時点における排気流量よりも高くする、請求項１０に記載のめっき装置。

【請求項12】

前記ブローノズルから吹き出される前記気体に含まれる水蒸気の量は、前記筐体の内部の空気に含まれる水蒸気の量以上である、請求項１０又は１１に記載のめっき装置。

【請求項13】

請求項１～１２のいずれか１項に記載のめっき装置を用いたリンス処理方法であって、
前記基板ホルダが前記めっき槽よりも上方に位置した状態で、前記リンスノズルが前記被リンス部材に向けて前記リンス液を吐出する第１工程と、
前記リンスノズルによる前記リンス液の吐出が実行されている最中に、前記ブローノズルが前記気体を吹き出すとともに、前記被リンス部材から落下して前記ブローノズルから吹き出された前記気体の流れに乗った前記リンス液を前記回収部材が回収する、第２工程と、を含む、リンス処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、めっき装置及びリンス処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基板にめっきを施すことが可能なめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、アノードが配置されためっき槽と、アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダを回転させる回転機構と、基板ホルダを昇降させる昇降機構とを備えている。

【0003】

このようなめっき装置において、基板及び基板ホルダの少なくとも一方である「被リンス部材」をリンス液でリンスする「リンス処理」が実行される場合がある（例えば、特許文献１参照）。これに関して、例えば、特許文献１に係るめっき装置においては、めっき槽よりも上方に配置されたリンスノズル（特許文献１では噴射ノズルと称されている）から被リンス部材に向けてリンス液を吐出することで、被リンス部材をリンスしている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００７－３３２４３５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上述したような特許文献１に例示されるような従来のめっき装置の場合、被リンス部材から落下したリンス液の全量がめっき槽の内部に落下する構造になっているので、リンス液がめっき槽のめっき液に多量に入ってしまうおそれがある。この場合、リンス液によってめっき槽のめっき液が薄まり過ぎるおそれがある。

【0006】

本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、リンス液がめっき槽のめっき液に多量に入ることを抑制することができる技術を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の１態様に係るめっき装置は、アノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させる回転機構と、前記基板ホルダを昇降させる昇降機構と、前記基板ホルダが前記めっき槽よりも上方に位置した状態で前記基板及び前記基板ホルダの少なくとも一方である被リンス部材をリンス液でリンスするリンス処理を実行可能なリンスモジュールと、を有するめっきモジュールを備え、前記リンスモジュールは、前記リンス処理の実行時に、前記被リンス部材に向けてリンス液を吐出するリンスノズルと、前記リンスノズルよりも下方に配置され、前記リンス処理の実行時に、前記めっき槽と前記基板ホルダとの間の空間を横切るように気体を吹き出すブローノズルと、前記ブローノズルから吹き出された前記気体の下流側に配置され、前記被リンス部材から落下して前記ブローノズルから吹き出された前記気体の流れに乗った前記リンス液を回収する回収部材と、を備える。

【0008】

この態様によれば、リンス処理の実行時にリンスノズルから被リンス部材に向けてリンス液を吐出することで、被リンス部材をリンスすることができる。また、この被リンス部材から落下したリンス液を、ブローノズルから吹き出された気体の流れに乗せて、回収部材で回収することができる。これにより、リンス液がめっき槽のめっき液に多量に入ることを抑制することができる。この結果、リンス液によってめっき槽のめっき液が薄まり過ぎることを抑制することができる。

【0009】

（態様２）
上記の態様１において、前記リンスノズル及び前記ブローノズルは、前記基板ホルダが昇降する領域である昇降領域の外側に固定されていてもよい。

【0010】

（態様３）
上記の態様１において、前記リンスモジュールは、前記基板ホルダが昇降する領域である昇降領域の外側の第１位置と前記昇降領域の内側の第２位置との間で、前記ブローノズルを移動させる移動機構をさらに備えていてもよい。

【0011】

（態様４）
上記の態様３において、前記移動機構は、さらに、前記リンスノズルを前記第１位置と前記第２位置との間で移動させてもよい。

【0012】

（態様５）
上記の態様１～４のいずれか１態様において、前記ブローノズルは、前記気体を膜状に吹き出すスリットノズルであってもよい。

【0013】

（態様６）
上記の態様１～４のいずれか１態様において、前記ブローノズルは、前記ブローノズルを起点として前記気体を放射状に吹き出すように構成されていてもよい。

【0014】

（態様７）
上記の態様１～６のいずれか１態様において、前記リンス処理の実行時において、前記基板ホルダは水平の状態になっていてもよい。

【0015】

（態様８）
上記の態様１～６のいずれか１態様において、前記めっきモジュールは、前記基板ホルダを水平方向に対して傾斜させる傾斜機構をさらに備え、前記リンス処理の実行時において、前記基板ホルダは傾斜した状態になっていてもよい。

【0016】

（態様９）
上記の態様１～８のいずれか１態様において、前記リンスノズルが前記リンス液を吐出することを開始する時期は、前記ブローノズルが前記気体を吹き出すことを開始する時期よりも早くてもよい。

【0017】

（態様１０）
上記の態様１～９のいずれか１態様において、前記めっきモジュールは、少なくとも前記めっき槽、前記基板ホルダ、前記回転機構、前記昇降機構、及び、前記リンスモジュールを内部に収容する筐体と、前記筐体の内部の空気を前記筐体の外部に排出する排気機構と、をさらに備えていてもよい。

【0018】

（態様１１）
上記の態様１０において、前記排気機構は、前記ブローノズルが気体を吹き出している期間の排気流量を、前記ブローノズルが前記気体を吹き出すことを開始する前の時点における排気流量よりも高くしてもよい。

【0019】

（態様１２）
上記の態様１０又は１１において、前記ブローノズルから吹き出される前記気体に含まれる水蒸気の量は、前記筐体の内部の空気に含まれる水蒸気の量以上であってもよい。

【0020】

（態様１３）
上記目的を達成するため、本発明の１態様に係るリンス処理方法は、上記の態様１～１２のいずれか１態様に係るめっき装置を用いたリンス処理方法であって、前記基板ホルダが前記めっき槽よりも上方に位置した状態で、前記リンスノズルが前記被リンス部材に向けて前記リンス液を吐出する第１工程と、前記リンスノズルによる前記リンス液の吐出が実行されている最中に、前記ブローノズルが前記気体を吹き出すとともに、前記被リンス部材から落下して前記ブローノズルから吹き出された前記気体の流れに乗った前記リンス液を前記回収部材が回収する、第２工程と、を含む。

【0021】

この態様によれば、リンス液がめっき槽のめっき液に多量に入ることを抑制することができる。この結果、リンス液によってめっき槽のめっき液が薄まり過ぎることを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。

【図2】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す上面図である。

【図3】実施形態に係るめっきモジュール４００の構成を説明するための模式図である。

【図4】実施形態に係るリンスモジュールを説明するための模式図である。

【図5】実施形態に係るリンスモジュールの模式的な上面図である。

【図6】実施形態に係るリンス処理時におけるめっき装置の動作を説明するためのフローチャートの一例である。

【図7】実施形態の変形例１に係るリンスモジュールの模式的な上面図である。

【図8】実施形態の変形例２に係るリンスモジュールを説明するための模式図である。

【図9】実施形態の変形例２に係るリンスモジュールの模式的な上面図である。

【図10】実施形態の変形例３に係るリンスモジュールの模式的な上面図である。

【図11】実施形態に係るブローノズルの吹き出し口の他の例を模式的に示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面は、実施形態の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。

【0024】

図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す上面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。

【0025】

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。

【0026】

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。

【0027】

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。

【0028】

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

【0029】

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

【0030】

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

【0031】

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。

【0032】

なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。

【0033】

また、本実施形態に係るめっきモジュール４００は、後述するリンスモジュール４０を備えており、このリンスモジュール４０が実行するリンス処理が、上述した洗浄モジュール５００による洗浄処理の代わりになり得る。したがって、めっき装置１０００は、洗浄モジュール５００を備えていない構成とすることもできる。

【0034】

続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。

【0035】

図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００の構成を説明するための模式図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。図３に例示されためっきモジュール４００は、主として、めっき槽１０と、基板ホルダ２０と、回転機構３０と、昇降機構３２と、傾斜機構３４と、リンスモジュール４０と、を備えるとともに、これらの構成要素を内部に収容する筐体７０を備えている。また、めっきモジュール４００は排気機構８０も備えている。なお、図３において、一部の構成要素は、その断面が模式的に図示されている。

【0036】

本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁１０ａと、この底壁１０ａの外周縁から上方に延在する外周壁１０ｂとを有しており、この外周壁１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁１０ｂは、一例として円筒形状を有している。

【0037】

めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。なお、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれていてもよい。

【0038】

めっき槽１０の内部には、アノード１１が配置されている。アノード１１の具体的な種類は特に限定されるものではなく、溶解アノードや不溶解アノードを用いることができる。本実施形態においては、アノード１１の一例として不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。

【0039】

めっき槽１０の内部において、アノード１１よりも上方には、隔膜１２が配置されている。具体的には、隔膜１２は、アノード１１と基板Ｗｆとの間の箇所に配置されている。めっき槽１０の内部は、隔膜１２によって上下方向に２分割されている。隔膜１２よりも下方側に区画された領域をアノード室１３と称する。隔膜１２よりも上方側の領域をカソード室１４と称する。前述したアノード１１は、アノード室１３に配置されている。隔膜１２は、金属イオンの通過を許容しつつ、めっき液Ｐｓに含まれる添加剤の通過を抑制する膜によって構成されている。隔膜１２の具体的な種類は、特に限定されるものではないが、例えば、イオン交換膜等を用いることができる。

【0040】

カソード室１４には、イオン抵抗体１５が配置されている。具体的には、イオン抵抗体１５は、イオン抵抗体１５の上面と下面とを貫通する複数の孔（細孔）を有する多孔性の板部材によって構成されている。イオン抵抗体１５は、アノード１１と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。イオン抵抗体１５の具体的な材質は特に限定されるものではないが、本実施形態においては、一例として、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂を用いている。なお、めっきモジュール４００の構成はこれに限定されるものではなく、例えば、めっきモジュール４００は、イオン抵抗体１５を備えていない構成とすることもできる。

【0041】

基板ホルダ２０は、カソードとしての基板Ｗｆを保持するための部材である。基板Ｗｆの下面は、被めっき面に相当する。基板ホルダ２０は、回転機構３０に接続されている。回転機構３０は、基板ホルダ２０を回転させるための機構である。回転機構３０としては、回転モータ等の公知の機構を用いることができる。回転機構３０は、昇降機構３２に接続されている。昇降機構３２は、上下方向に延在する支軸３６によって支持されている。昇降機構３２は、基板ホルダ２０、回転機構３０及び傾斜機構３４を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構３２としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。傾斜機構３４は、基板ホルダ２０及び回転機構３０を傾斜させるための機構である。傾斜機構３４としては、ピストン・シリンダ等の公知の傾斜機構を用いることができる。

【0042】

めっき処理を実行する際には、回転機構３０が基板ホルダ２０を回転させるとともに、昇降機構３２が基板ホルダ２０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる。次いで、通電装置（図示せず）によって、アノード１１と基板Ｗｆとの間に電気が流される。これにより、基板Ｗｆの下面にめっき皮膜が形成される（すなわち、めっき処理が施される）。なお、めっき処理の実行時に、傾斜機構３４は、必要に応じて基板ホルダ２０を傾斜させてもよい。

【0043】

排気機構８０は、筐体７０の内部の空気を筐体７０の外部に排出するための機構である。このような機構であれば、排気機構８０の具体的な構成は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る排気機構８０は、一例として、一端が筐体７０に接続された排気管８１と、排気管８１に接続された排気ポンプ８２と、を備えている。

【0044】

具体的には、本実施形態に係る排気管８１の排気流動方向で上流側の端部は筐体７０の内部に連通し、排気管８１の下流側の端部は、筐体７０の外部に連通している。より具体的には、本実施形態に係る排気管８１の下流側の端部は、めっき装置１０００の外部（めっき装置１０００の筐体の外部）に配置されている。排気ポンプ８２は、制御モジュール８００の指令を受けて動作する。排気ポンプ８２が運転を開始することで、筐体７０の内部の空気は排気管８１を通過して、筐体７０の外部（本実施形態では、めっき装置１０００の外部）に排出される。これにより、筐体７０の内部の圧力を筐体７０の外部の圧力よりも低い「陰圧」にすることができる。本実施形態において、この陰圧は、具体的には、大気圧よりも低い圧力となっている。

【0045】

なお、筐体７０における排気機構８０が接続されている箇所以外の箇所は密閉されていてもよい。あるいは、筐体７０は、排気機構８０が接続されている箇所以外の箇所に隙間や開口部が設けられていてもよい（すなわち、筐体７０は密閉されていなくてもよい）。このように筐体７０が密閉されていない場合であっても、排気機構８０によって、筐体７０の内部を陰圧にすることは可能である。

【0046】

制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）８０１や、非一時的な記憶媒体としての記憶部８０２、等を備えている。制御モジュール８００においては、記憶部８０２に記憶されたプログラムの指令に基づいてＣＰＵ８０１が、めっきモジュール４００の動作を制御する。

【0047】

続いて、リンスモジュール４０について説明する。図４は、リンスモジュール４０を説明するための模式図である。具体的には、図４は、リンスモジュール４０がリンス処理を実行している状態を模式的に示している。図５は、リンスモジュール４０の模式的な上面図である。なお、図５において、後述するリンスノズル４１の図示は省略されている。また、図５の一部（Ａ２）には、後述するブローノズル４２の吹き出し口４４の近傍部分の斜視図も図示されている。

【0048】

リンスモジュール４０は、基板Ｗｆ及び基板ホルダ２０の少なくとも一方である「被リンス部材２５」にリンス処理を施すことが可能なモジュールである。本実施形態に係る被リンス部材２５は、一例として、基板Ｗｆ及び基板ホルダ２０の両方を含んでいる。また、本実施形態に係るリンス処理は、具体的には、めっき処理が施された後の基板Ｗｆを含む被リンス部材２５をリンス液ＲＬでリンスする、という処理である。

【0049】

リンス液ＲＬの具体的な種類は特に限定されるものではないが、本実施形態では一例として、純水を用いている。

【0050】

図４を参照して、リンス処理の実行時に、基板ホルダ２０はめっき槽１０よりも上方に位置している。また、リンス処理の実行時に、基板ホルダ２０は回転している。さらに、リンス処理の実行時に、基板ホルダ２０は水平方向に対して傾斜している。具体的には、基板ホルダ２０は、リンス処理の実行時に、被リンス部材２５の被リンス面（リンス液ＲＬが付着する面）が後述するリンスノズル４１に向くように、傾斜している。

【0051】

リンスモジュール４０は、リンスノズル４１と、ブローノズル４２と、支持部材４３と、回収部材５０とを備えている。支持部材４３は、リンスノズル４１及びブローノズル４２を支持するための部材である。支持部材４３は、基板ホルダ２０が昇降する領域である「昇降領域ＥＡ」の外側の領域に、配置されている。

【0052】

リンスノズル４１は、リンス処理の実行時に被リンス部材２５に向けてリンス液ＲＬを吐出する。本実施形態においては、リンスノズル４１の一例として、リンス液ＲＬを広角に吐出するように構成されたスプレー式の液体吐出ノズルを用いている。

【0053】

リンスノズル４１には、リンス液ＲＬをリンスノズル４１に供給するためのリンス液供給装置（図示せず）が接続されている。このリンス液供給装置は、リンス液ＲＬを貯留する貯留タンクや、貯留タンクのリンス液ＲＬをリンスノズル４１に圧送するポンプ等、を備えている。リンスノズル４１のリンス液ＲＬの吐出動作は、制御モジュール８００によって制御されている。

【0054】

また、本実施形態に係るリンスノズル４１は、リンス処理の実行時に、リンス液ＲＬが回転している基板Ｗｆの下面の全体に付着するように、その吐出角度が調整されている。具体的には、リンスノズル４１は、基板Ｗｆの下面の中央から基板Ｗｆの下面の外縁に亘ってリンス液ＲＬが付着するように、リンス液ＲＬを吐出する。これにより、回転している基板Ｗｆの下面の全体にリンス液ＲＬを付着させることができる。また、リンスノズル４１は、基板ホルダ２０における、基板Ｗｆの外縁の外側に配置された部分にも、リンス液ＲＬを付着させる。これにより、基板Ｗｆの下面のみならず、基板ホルダ２０の一部もリンス液ＲＬによってリンスすることができる。

【0055】

ブローノズル４２は、リンスノズル４１よりも下方に配置されている。ブローノズル４２は、リンス処理の実行時に、めっき槽１０と基板ホルダ２０との間の空間（すなわち、めっき槽１０よりも上方且つ基板ホルダ２０よりも下方の空間）を横切るように、気体Ｇａを吹き出すように構成されている。また、本実施形態に係るブローノズル４２は、一例として、水平方向（－Ｘ方向）に気体Ｇａを吹き出している。

【0056】

図４及び図５を参照して、本実施形態においては、ブローノズル４２の一例として、気体Ｇａを膜状に吹き出すように構成されたスリットノズルを用いている。具体的には、図５のＡ２部分の斜視図に示すように、本実施形態に係るブローノズル４２は、水平方向（図５ではＹ方向）に延在するスリット状の吹き出し口４４を有している。この吹き出し口４４から気体Ｇａが－Ｘ方向に吹き出すことで、吹き出された気体ＧａはＹ方向を幅方向とする膜状になる。なお、このブローノズル４２としてのスリットノズルは、一般に、「エアーナイフ」と別称されていることのあるノズルである。

【0057】

但し、ブローノズル４２の構成は、上述したようなスリットノズルに限定されるものではない。ブローノズル４２の他の一例を挙げると、図１１に例示するように、ブローノズル４２は、水平方向（Ｙ方向）に列状に配置された、複数の吹き出し口４４を備え、各々の吹き出し口４４から、気体Ｇａを吹き出すように構成されていてもよい。

【0058】

また、本実施形態に係るブローノズル４２は、傾斜した基板ホルダ２０の最も下方に位置する「最下点Ｐ３」の下を気体Ｇａが通過するように、気体Ｇａを吹き出している。この最下点Ｐ３は、基板ホルダ２０に付着したリンス液ＲＬが基板ホルダ２０から最も落下し易い箇所である。この構成によれば、基板ホルダ２０から落下したリンス液ＲＬを効果的に気体Ｇａの流れに乗せることができる。

【0059】

ブローノズル４２には、気体Ｇａをブローノズル４２に供給するための気体供給装置（図示せず）が接続されている。この気体供給装置は、気体をブローノズル４２に圧送するためのポンプ等を備えている。ブローノズル４２の気体Ｇａの吹き出し動作は、制御モジュール８００によって制御されている。

【0060】

なお、本実施形態に係る気体Ｇａは、一例として、空気である。但し、気体Ｇａの種類はこれに限定されるものではなく、他の例を挙げると、窒素やアルゴン等の不活性ガスを用いることもできる。この場合、気体供給装置は、例えば、不活性ガスを貯留するガスボンベ等を備えていればよい。

【0061】

図４に示すように、リンスノズル４１及びブローノズル４２は、昇降領域ＥＡの外側に配置された支持部材４３によって支持されている。すなわち、リンスノズル４１及びブローノズル４２は、昇降領域ＥＡの外側に固定されている。

【0062】

図４及び図５を参照して、リンスノズル４１及びブローノズル４２は、上面視で、基板ホルダ２０の中央Ｃ１（これは、昇降領域ＥＡの中央Ｃ１でもある）を挟んで、基板ホルダ２０の最下点Ｐ３の反対側の箇所に配置されている。

【0063】

回収部材５０は、ブローノズル４２から吹き出された気体Ｇａの下流側に配置されている。回収部材５０は、リンスノズル４１から吐出されて被リンス部材２５に付着後に被リンス部材２５から落下して気体Ｇａの流れに乗ったリンス液ＲＬを、回収するように構成されている。

【0064】

具体的には、回収部材５０は、昇降領域ＥＡを挟んで、ブローノズル４２に対向するように配置されている。また、図４のＡ１部分の拡大図や図５を参照して、回収部材５０は、樋部材５１と、収容部材５２と、排出管５７とを備えている。

【0065】

樋部材５１は、気体Ｇａの流れに乗ったリンス液ＲＬが衝突するとともに、衝突したリンス液ＲＬを収容部材５２に導くように配置された板部材によって構成されている。本実施形態に係る樋部材５１は、収容部材５２の後述する側壁５４（具体的には、後述する外側側壁５６）の上端から上方に延在するように配置されている。

【0066】

収容部材５２は、樋部材５１に衝突した後に樋部材５１を伝って落下したリンス液ＲＬを一時的に収容するように構成された部材である。具体的には、本実施形態に係る収容部材５２は、底壁５３と、底壁５３の外周縁から上方に延在する側壁５４と、を備えている。この底壁５３と側壁５４とによって区画された内部領域に、樋部材５１に衝突した後のリンス液ＲＬが一時的に貯留される。

【0067】

なお、側壁５４のうち、基板ホルダ２０の径方向で基板ホルダ２０の中央に近い側の側壁を「内側側壁５５」と称し、この内側側壁５５に対向するとともに、内側側壁５５よりも基板ホルダ２０の径方向で基板ホルダ２０の中央から遠い側に配置された側壁を「外側側壁５６」と称する。

【0068】

排出管５７は、収容部材５２に接続されている。排出管５７は、収容部材５２に一時的に収容されたリンス液ＲＬを外部に排出するための管である。具体的には、本実施形態に係る排出管５７の上流側端部は収容部材５２に接続され、下流側端部は排液回収タンク（図示せず）に接続されている。収容部材５２に一時的に収容されたリンス液ＲＬは、この排出管５７を通過して、排液回収タンクに収容される。なお、本実施形態に係る排液回収タンクは、筐体７０の外部（具体的には、めっき装置１０００の外部）に配置されているが、排液回収タンクの配置箇所はこれに限定されるものではない。

【0069】

図６は、リンス処理時におけるめっき装置１０００の動作を説明するためのフローチャートの一例である。図６のフローチャートは、制御モジュール８００の具体的にはＣＰＵ８０１が、記憶部８０２のプログラムの指令に基づいて実行する。

【0070】

制御モジュール８００は、図６のフローチャートを、リンス処理の実行を開始する旨の制御指令である「リンス処理実行開始指令」を受けた場合にスタートする。このリンス処理実行開始指令を受けた場合、制御モジュール８００は、基板ホルダ２０がめっき槽１０よりも上方に位置するように昇降機構３２を制御し、基板ホルダ２０が水平方向に対して傾斜するように傾斜機構３４を制御し、基板ホルダ２０が回転するように回転機構３０を制御する。これにより、基板ホルダ２０がめっき槽１０よりも上方に位置し、水平方向に対して傾斜し、且つ、回転した状態で、後述するステップＳ１０やステップＳ２０が実行される。

【0071】

また、制御モジュール８００は、リンス処理実行開始指令を受けた場合に、排気機構８０の排気ポンプ８２の運転を開始させる。これにより、リンス処理の実行時（具体的には、後述するステップＳ１０やステップＳ２０の実行時）に、筐体７０の内部を陰圧にすることができる。この結果、化学物質を含むミストやパーティクル等が筐体７０の内部から外部に漏出して、めっき装置１０００の他の構成要素（例えば搬送装置７００等）に付着すること抑制することができる。

【0072】

制御モジュール８００は、ステップＳ１０に係る第１工程において、被リンス部材２５に向けたリンスノズル４１からのリンス液ＲＬの吐出を開始させる。具体的には、制御モジュール８００は、前述したポンプ（リンス液ＲＬをリンスノズル４１に圧送するためのポンプ）を作動させることで、リンスノズル４１からのリンス液ＲＬの吐出を開始させる。

【0073】

制御モジュール８００は、このステップＳ１０に係るリンス液ＲＬの吐出が実行されている最中に、ステップＳ２０に係る第２工程を実行する。この第２工程において、制御モジュール８００は、ブローノズル４２からの気体Ｇａの吹き出しを開始させる。具体的には、制御モジュール８００は、前述したポンプ（気体Ｇａをブローノズル４２に圧送するためのポンプ）を作動させることで、ブローノズル４２からの気体Ｇａの吹き出しを開始させる。

【0074】

この第２工程において、被リンス部材２５から落下して気体Ｇａの流れに乗ったリンス液ＲＬは、回収部材５０によって回収される。以上の工程によって、リンス処理は実行されている。

【0075】

以上説明したような本実施形態によれば、リンス処理の実行時にリンスノズル４１から被リンス部材２５に向けてリンス液ＲＬを吐出することで、被リンス部材２５をリンスすることができる。また、この被リンス部材２５から落下したリンス液ＲＬを、ブローノズル４２から吹き出された気体Ｇａの流れに乗せて、回収部材５０で回収することができる。これにより、リンス液ＲＬがめっき槽１０のめっき液Ｐｓに多量に入ることを抑制することができる。この結果、リンス液ＲＬによってめっき槽１０のめっき液Ｐｓが薄まり過ぎることを抑制することができる。

【0076】

なお、本実施形態において、リンス処理の実行時に基板ホルダ２０は傾斜しているが、この構成に限定されるものではない。リンス処理の実行時において、基板ホルダ２０は、傾斜せずに水平の状態になっていてもよい。すなわち、この場合、基板ホルダ２０に保持された基板Ｗｆの下面が水平の状態で、リンス処理が実行される。

【0077】

また、ステップＳ１０でリンスノズル４１がリンス液ＲＬを吐出することを開始する時期は、ステップＳ２０でブローノズル４２が気体Ｇａを吹き出すことを開始する時期よりも、早くてもよい。

【0078】

この構成によれば、ブローノズル４２から気体Ｇａが吹き出される前にリンスノズル４１から吐出されて被リンス部材２５に付着した後に被リンス部材２５から落下したリンス液ＲＬ（すなわち、吐出開始初期のリンス液ＲＬ）を、めっき槽１０に戻すことができる。これにより、被リンス部材２５に付着しているめっき液Ｐｓを、リンス液ＲＬとともにめっき槽１０に戻すことができる。この結果、「めっき槽１０に戻されずに廃棄されるめっき液Ｐｓの量」の低減を図ることができる。一方、ブローノズル４２から気体Ｇａが吹き出された後においては、被リンス部材２５から落下したリンス液ＲＬを回収部材５０によって回収することができるので、リンス液ＲＬがめっき槽１０のめっき液Ｐｓに多量に入ることを抑制することができる。

【0079】

なお、この場合において、リンス液ＲＬの吐出開始時期を気体Ｇａの吹き出し開始時期に比較して、どの程度まで早くするかは、めっき槽１０から蒸発する水の量に基づいて決定することが好ましい。この具体例を挙げると、以下のとおりである。

【0080】

例えば、めっき槽１０から蒸発する水の量が１時間当たりＮ（Ｌ）である場合（すなわち、Ｎ（Ｌ／ｈｒ）の場合）、リンスノズル４１から吐出された後にめっき槽１０に入り込むリンス液ＲＬの量がＮ（Ｌ／ｈｒ）以下であると、めっき槽１０のめっき液Ｐｓにリンス液ＲＬが多量に入り込むことを抑制することができる（なお、Ｎはゼロよりも大きな値である）。そこで、リンスノズル４１から吐出された後にめっき槽１０に入り込むリンス液ＲＬの量がＮ（Ｌ／ｈｒ）以下になる範囲で、リンス液ＲＬの吐出開始時期が気体Ｇａの吹き出し開始時期よりも早くなるように、リンス液ＲＬの吐出開始時期を設定すればよい。このような、好適なリンス液ＲＬの吐出開始時期は、例えば、実験やシミュレーション等を行って適宜決定すればよい。

【0081】

また、上述したように、リンス液ＲＬの吐出開始時期を設定するにあたり、めっき槽１０から蒸発する水の量の他に、めっき処理の１時間当たりの実行回数（回数／ｈｒ）をさらに考慮することが好ましい。この具体例を挙げると、例えば、１つのめっき槽１０を用いて、１時間当たりに２回めっき処理を実行すると仮定する（すなわち、この場合、１つのめっき槽１０を用いて、１時間当たりに２枚の基板Ｗｆにめっき処理が実行される）。この場合、２回のめっき処理の実行によってめっき槽１０に入り込むリンス液ＲＬの合計量がＮ（Ｌ／ｈｒ）以下になる範囲で、リンス液ＲＬの吐出開始時期が気体Ｇａの吹き出し開始時期よりも早くなるように、リンス液ＲＬの吐出開始時期を設定すればよい。

【0082】

また、排気機構８０は、ブローノズル４２が気体Ｇａを吹き出している期間における排気流量（すなわち、排出される空気の流量（ｍｍ^３／ｓｅｃ））を、ブローノズル４２が気体Ｇａを吹き出すことを開始する前の時点における排気流量（ｍｍ^３／ｓｅｃ）よりも高くしてもよい。具体的には、この場合、制御モジュール８００は、ブローノズル４２が気体Ｇａを吹き出している期間における、排気機構８０の排気ポンプ８２の回転数（ｒｐｍ）を、ブローノズル４２が気体Ｇａを吹き出すことを開始する前の時点における排気ポンプ８２の回転数（ｒｐｍ）よりも増大させればよい。

【0083】

この構成によれば、ブローノズル４２が気体Ｇａを吹き出している期間、筐体７０の内部を効果的に陰圧にすることができるので、化学物質を含むミストやパーティクル等が筐体７０の内部から外部に漏出することを効果的に抑制することができる。

【0084】

また、ブローノズル４２から吹き出される気体Ｇａに含まれる水蒸気の量（ｇ／ｍ^３）は、筐体７０の内部の空気に含まれる水蒸気の量（ｇ／ｍ^３）以上であってもよい。具体的には、この場合、例えばブローノズル４２に気体Ｇａを供給するための気体供給装置に加湿器を付加し、この加湿器を経由した気体Ｇａをブローノズル４２から吹き出すようにすることで、ブローノズル４２から吹き出される気体Ｇａに含まれる水蒸気の量を筐体７０の内部の空気に含まれる水蒸気の量よりも多くすることができる。

【0085】

この構成によれば、例えばブローノズル４２から吹き出される気体Ｇａに含まれる水蒸気の量が筐体７０の内部の空気に含まれる水蒸気の量よりも少ない場合に比較して、被リンス部材２５を乾燥し難くすることができる。

【0086】

続いて、上述した実施形態の変形例について説明する。なお、以下の変形例の説明において、上述した実施形態と同一又は対応する構成については、同一の符号を付して説明を適宜省略する場合がある。

【0087】

（変形例１）
図７は、実施形態の変形例１に係るリンスモジュール４０Ａの模式的な上面図である。なお、図７において、リンスノズル４１の図示は省略されている。本変形例に係るリンスモジュール４０Ａは、上面視で、ブローノズル４２が、基板ホルダ２０の中央Ｃ１（昇降領域ＥＡの中央Ｃ１）よりも、傾斜した状態の基板ホルダ２０の最下点Ｐ３に近い側に配置されている。すなわち、本変形例に係るブローノズル４２は、傾斜した状態の基板ホルダ２０の最下点Ｐ３の近傍箇所に配置されている。この点において、本変形例に係るリンスモジュール４０Ａは、前述した図５に示すリンスモジュール４０と異なっている。

【0088】

本変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

【0089】

（変形例２）
図８は、実施形態の変形例２に係るリンスモジュール４０Ｂを説明するための模式図である。具体的には、図８は、本変形例に係るリンスモジュール４０Ｂがリンス処理を実行している状態を模式的に示している。本変形例に係るリンスモジュール４０Ｂは、移動機構６０をさらに備えている点と、リンスノズル４１に代えてリンスノズル４１Ｂを備えている点と、ブローノズル４２に代えてブローノズル４２Ｂを備えている点と、回収部材５０に代えて回収部材５０Ｂを備えている点と、において、前述した図４に示すリンスモジュール４０と異なっている。

【0090】

図９は、本変形例に係るリンスモジュール４０Ｂの模式的な上面図である。図８及び図９を参照して、移動機構６０は、リンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂを、昇降領域ＥＡの外側の「第１位置Ｐ１」と、昇降領域ＥＡの内側の「第２位置Ｐ２」との間で移動させるように構成されている。

【0091】

具体的には、移動機構６０は、アーム６１とアーム６２と回転軸６３とを備えている。アーム６１の一端はリンスノズル４１Ｂに接続され、他端は回転軸６３に接続されている。アーム６２の一端はブローノズル４２Ｂに接続され、他端は回転軸６３におけるアーム６１が接続されている箇所よりも下方の箇所に接続されている。

【0092】

回転軸６３は、アーム６１及びアーム６２の回転軸であり、昇降領域ＥＡの外側に配置されている。また、回転軸６３は上下方向（鉛直方向）に延在している。回転軸６３は、回転モータ等のアクチュエータ（図示せず）に接続されており、このアクチュエータによって回転駆動される。このアクチュエータの動作は制御モジュール８００によって制御されている。

【0093】

本変形例に係るリンスモジュール４０Ｂは、制御モジュール８００によって制御されることで、リンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂが第２位置Ｐ２に位置した状態でリンス処理を実行する。具体的には、本変形例に係る制御モジュール８００は、前述したリンス処理実行開始指令を受けた場合に、回転軸６３を回転させて、リンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂを第２位置Ｐ２に位置させる。このように、リンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂが第２位置Ｐ２に位置した状態で、リンスノズル４１Ｂからのリンス液ＲＬの吐出、及び、ブローノズル４２Ｂからの気体Ｇａの吹き出しが開始される。

【0094】

一方、リンスモジュール４０Ｂは、リンス処理の実行前又はリンス処理の実行後においては、リンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂを第１位置Ｐ１に移動させる。具体的には、制御モジュール８００は、リンス処理実行開始指令を受ける前（リンス処理の実行前）又はリンス処理の実行終了指令を受けた場合（リンス処理の実行後）に、回転軸６３を回転させて、リンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂを第１位置Ｐ１に戻す。すなわち、この第１位置Ｐ１は、退避位置ということもできる。

【0095】

このように、リンス処理の実行前又はリンス処理の実行後にリンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂが第１位置Ｐ１に移動することで、リンス処理を実行しない場合に、リンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂが基板ホルダ２０の昇降領域ＥＡに入り込むことを抑制することができる。

【0096】

図８に示すように、リンスノズル４１Ｂは、第２位置Ｐ２に位置した場合に、被リンス部材２５の下方に位置している。この一例として、本変形例に係るリンスノズル４１Ｂは、第２位置Ｐ２において、基板ホルダ２０の中央Ｃ１の下方に位置している。そして、リンスノズル４１Ｂは、第２位置Ｐ２において、リンスノズル４１Ｂの上方にある被リンス部材２５に向けてリンス液ＲＬを吐出する。

【0097】

本変形例に係るブローノズル４２Ｂも、第２位置Ｐ２に位置した場合に、被リンス部材２５の下方に位置している。この一例として、本変形例に係るブローノズル４２Ｂは、第２位置Ｐ２において、基板ホルダ２０の中央Ｃ１の下方に位置している。

【0098】

また、図８及び図９に示すように、ブローノズル４２Ｂは、上面視で、ブローノズル４２Ｂを起点として気体Ｇａを放射状に吹き出している。具体的には、本変形例に係るブローノズル４２Ｂは、図８のＡ３部分の拡大図に示すように、円柱状の外観形状を有している。そして、ブローノズル４２Ｂの複数の吹き出し口４４は、この円柱状のブローノズル４２Ｂの外周面４２ａに、周方向に配列している。この構成により、ブローノズル４２Ｂの複数の吹き出し口４４は気体Ｇａを放射状に吹き出している。

【0099】

図９に示すように、本変形例に係る回収部材５０Ｂは、上面視で、昇降領域ＥＡの外周を全体的に覆うように設けられている。具体的には、回収部材５０Ｂの収容部材５２Ｂの内側側壁５５Ｂは、上面視で昇降領域ＥＡの外周を全体的に覆っている。また、回収部材５０Ｂの樋部材５１Ｂは、上面視で、内側側壁５５Ｂよりも基板ホルダ２０の径方向で外側に配置されて、内側側壁５５Ｂの外周を全体的に覆っている。

【0100】

なお、本変形例に係る樋部材５１Ｂの一部には、アーム６１が貫通する溝孔（溝状の孔）、及び、アーム６２が貫通する溝孔が設けられている。これにより、リンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂが第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間を移動する際に、アーム６１及びアーム６２が樋部材５１Ｂに当たることが抑制されている。

【0101】

但し、上記の構成に限定されるものではない。例えば、アーム６２は、回収部材５０Ｂよりも下方（具体的には、回収部材５０Ｂの底壁５３よりも下方）を通過するように配置されていてもよい。この場合、樋部材５１Ｂは、上述したアーム６２用の溝孔を備えていなくてもよい。

【0102】

これと同様に、アーム６１も、回収部材５０Ｂよりも下方（具体的には、底壁５３よりも下方）を通過するように配置されていてもよい。この場合、樋部材５１Ｂは、上述したアーム６１用の溝孔を備えていなくてもよい。

【0103】

また、図９を参照して、本変形例に係る回収部材５０Ｂの収容部材５２Ｂは、樋部材５１Ｂに衝突した後に落下したリンス液ＲＬを収容することができるように配置されているのみならず、第１位置Ｐ１に位置したリンスノズル４１Ｂの下方に収容部材５２Ｂの底壁５３が位置するように配置されている。これにより、仮に、リンスノズル４１Ｂが第１位置Ｐ１に位置した状態でリンスノズル４１Ｂからリンス液ＲＬが滴下した場合であっても、この滴下したリンス液ＲＬを収容部材５２Ｂによって収容することができる。

【0104】

本変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を奏することができる。具体的には、リンス処理の実行時にリンスモジュール４０Ｂのリンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂが第２位置Ｐ２に位置した状態でリンスノズル４１Ｂから被リンス部材２５に向けてリンス液ＲＬを吐出することで、被リンス部材２５をリンスすることができる。また、この被リンス部材２５から落下したリンス液ＲＬを、ブローノズル４２Ｂから吹き出された気体Ｇａの流れに乗せて、回収部材５０Ｂで回収することができる。これにより、リンス液ＲＬがめっき槽１０のめっき液Ｐｓに多量に入ることを抑制することができる。

【0105】

なお、図８に例示するリンス処理の実行時において、基板ホルダ２０は傾斜していないが、この構成に限定されるものではない。本変形例においても、リンス処理の実行時に、基板ホルダ２０は水平方向に対して傾斜していてもよい。

【0106】

また、本変形例において、リンスノズル４１Ｂ及びブローノズル４２Ｂの両方とも、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で移動しているが、この構成に限定されるものではない。他の例を挙げると、ブローノズル４２Ｂは第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で移動する一方で、リンスノズル４１Ｂは移動せずに、前述した実施形態に係るリンスノズル４１（図４）のように、昇降領域ＥＡの外側に固定されていてもよい。

【0107】

あるいは、リンスノズル４１Ｂは第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で移動する一方で、ブローノズル４２Ｂは移動せずに、前述した実施形態に係るブローノズル４２（図４）のように、昇降領域ＥＡの外側に固定されていてもよい。

【0108】

（変形例３）
図１０は、実施形態の変形例３に係るリンスモジュール４０Ｃの模式的な上面図である。本変形例に係るリンスモジュール４０Ｃは、ブローノズル４２が移動機構６０によって第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で移動する点において、前述した図５に例示するリンスモジュール４０と異なっている。

【0109】

すなわち、本変形例において、リンスノズル４１は、前述した図４に例示するように、支持部材４３によって昇降領域ＥＡの外側に固定されている一方で、ブローノズル４２は、図１０に例示するように、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で移動する。

【0110】

本変形例においても、前述した実施形態や変形例２と同様の作用効果を奏することができる。

【0111】

以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0112】

１０ めっき槽
１１ アノード
２０ 基板ホルダ
３０ 回転機構
３２ 昇降機構
３４ 傾斜機構
４０ リンスモジュール
４１ リンスノズル
４２ ブローノズル
５０ 回収部材
７０ 筐体
８０ 排気機構
４００ めっきモジュール
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｐｓ めっき液
ＲＬ リンス液
Ｇａ 気体
ＥＡ 昇降領域
Ｐ１ 第１位置
Ｐ２ 第２位置

【要約】

リンス液がめっき槽のめっき液に多量に入ることを抑制することができる技術を提供する。
めっき装置１０００は、リンス処理を実行可能なリンスモジュール４０を備え、リンスモジュールは、リンス処理の実行時に、被リンス部材２５に向けてリンス液を吐出するリンスノズル４１と、リンスノズルよりも下方に配置され、リンス処理の実行時に、めっき槽と基板ホルダ２０との間の空間を横切るように気体を吹き出すブローノズル４２と、ブローノズルから吹き出された気体の下流側に配置され、被リンス部材から落下してブローノズルから吹き出された気体の流れに乗ったリンス液を回収する回収部材５０と、を備える。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】