特許 7038196 処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-03-09

(45)【発行日】2022-03-17

(54)【発明の名称】処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20220310BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20220310BHJP

   H01L 21/318 20060101ALI20220310BHJP

   C23C 16/52 20060101ALI20220310BHJP

   B01D 53/68 20060101ALI20220310BHJP

   B01D 53/58 20060101ALI20220310BHJP

   F23G 7/06 20060101ALI20220310BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 D ZAB

H01L21/31 B

H01L21/318 B

C23C16/52

B01D53/68 100

B01D53/58

F23G7/06 L

F23G7/06 D

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2020510171

(86)(22)【出願日】2018-03-26

(86)【国際出願番号】 JP2018011995

(87)【国際公開番号】W WO2019186616

(87)【国際公開日】2019-10-03

【審査請求日】2020-09-08

(73)【特許権者】

【識別番号】318009126

【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】特許業務法人太陽国際特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】110000039

【氏名又は名称】特許業務法人アイ・ピー・ウィン

(72)【発明者】

【氏名】奥野 正則

(72)【発明者】

【氏名】米島 利彦

【審査官】安田 雅彦

(56)【参考文献】

【文献】特開平０８－０８３７７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－１３７９５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００９－５３４５７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２５３８７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－２２７９６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２２４５８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－２３１８２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－３３１６２４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２

Ｈ０１Ｌ ２１／２０５

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６－３０８

Ｈ０１Ｌ ２１／３１ －３１８

Ｂ０１Ｄ ５３／３４ －９６

Ｃ２３Ｃ １６／４４ －５６

Ｆ２３Ｇ ７／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理炉内に構成される処理室と、
複数の除害装置と接続され前記処理室内からガスを排気する排気系と、
前記処理室に搬入される基板に膜を形成するプロセスレシピを実行する制御部と、を少なくとも備え、
前記制御部は、前記プロセスレシピの開始または終了時に、稼働中の除害装置以外の他の除害装置の稼働状態を確認するように構成され、
前記他の除害装置の稼働状態が保守中または異常停止のいずれかでなければ、前記他の除害装置を稼働させると共に、前記稼働中の除害装置の稼働状態を保守中に切替え、
前記他の除害装置の稼働状態が保守中または異常停止であれば、前記稼働中の除害装置をそのまま継続して使用するように制御する処理装置。

【請求項2】

前記複数の除害装置の稼働状態をそれぞれ記憶する記憶部を有し、
前記稼働状態は、初期化済、稼働中、保守中、保守終了、待機中、異常停止のいずれかである請求項１記載の処理装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記プロセスレシピを連続して実行している間、前記複数の除害装置のそれぞれに対して稼働と保守を繰返すように制御する請求項１記載の処理装置。

【請求項4】

前記制御部は、前記プロセスレシピの待機時間であっても、前記複数の除害装置のうちの少なくとも一つを稼働するように制御する請求項１記載の処理装置。

【請求項5】

前記制御部は、前記プロセスレシピの実行中に保守中の除害装置の保守を終了した場合、保守を終了した前記除害装置の稼働状態を待機中に変更するように制御する請求項１記載の処理装置。

【請求項6】

前記制御部は、前記プロセスレシピの待機時間が所定時間を超えた場合、前記稼働中の除害装置を停止するように制御する請求項１記載の処理装置。

【請求項7】

前記排気系は、前記処理室から排気されるガスの供給先を切り替えることが可能な切替部を有し、
前記制御部は、前記プロセスレシピの実行中に、プロセス処理開始またはプロセス処理終了を示す信号により、前記切替部を制御して前記複数の除害装置のうちいずれか一つに前記ガスが供給されるように制御する請求項１記載の処理装置。

【請求項8】

前記制御部は、前記プロセスレシピの実行時間が前記保守に係る時間よりも長い場合、前記プロセスレシピ終了時に前記稼働中の除害装置と前記他の除害装置との切替が行われるよう制御する請求項１記載の処理装置。

【請求項9】

前記制御部は、前記プロセスレシピの実行時間が前記保守に係る時間よりも短い場合、前記プロセスレシピ開始時に前記稼働中の除害装置と前記他の除害装置との切替が行われるよう制御する請求項１記載の処理装置。

【請求項10】

前記制御部は、前記処理室から排気されるガスを前記除害装置に設けられた燃焼部により燃焼させて無害化するよう制御すると共に、前記稼働中の除害装置が稼働中から保守中に切り換えられた場合に、前記保守中に切り換えられた除害装置の内壁に付着した付着物を除去するように制御する請求項１記載の処理装置。

【請求項11】

前記排気系は、排気管と、前記排気管に接続される排気装置と、を備え、前記処理炉と前記排気系の少なくとも一部が同じフロアに設置され、前記複数の除害装置は他のフロアに設置される請求項１記載の処理装置。

【請求項12】

プロセスレシピを実行して処理室にガスを供給して基板を処理する工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理する工程の開始または終了時に、稼働中の除害装置以外の他の除害装置の稼働状態を確認する工程と、
前記他の除害装置の稼働状態が保守中または異常停止のいずれかでなければ、前記他の除害装置を稼働させると共に、前記稼働中の除害装置の稼働状態を保守中に切替え、
前記他の除害装置の稼働状態が保守中または異常停止であれば、前記稼働中の除害装置をそのまま継続して使用する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【請求項13】

処理炉と、
前記処理炉内の処理室からガスを排気する排気管と、複数の除害装置に接続され前記排気管に設けられる排気装置と、から構成される排気系と、
前記処理室に搬入される基板に膜を形成するプロセスレシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、
前記基板を処理する工程の開始または終了時に、稼働中の除害装置以外の他の除害装置の稼働状態を確認する手順と、
前記他の除害装置の稼働状態が保守中または異常停止のいずれかでなければ、前記他の除害装置を稼働させると共に、前記稼働中の除害装置の稼働状態を保守中に切替え、
前記他の除害装置の稼働状態が保守中または異常停止であれば、前記稼働中の除害装置をそのまま継続して使用する手順と、
を前記制御部に実行させるプログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の処理工程において、排出されるガスには有害ガスが含まれていることがあるため、除害装置を用いることにより排気ガスに除害処理を行って無害化して大気中等に排出するようにしている（例えば特許文献１参照）。

【0003】

しかしながら、除害装置内に副生成物が付着して堆積すると、生産途中であっても装置が停止してしまう場合がある。これにより、製品基板がロットアウトしてしまい、生産処理を中断して除害装置をメンテナンスしなければならない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開平１１－１９７４４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、複数の除害装置を用いて、付着した副生成物を所定のタイミングで除去することにより、装置の稼働率を向上させることができる技術を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一態様によれば、処理炉内に構成される処理室と、複数の除害装置と接続され該処理室内からガスを排気する排気系と、処理室に搬入される基板に膜を形成するプロセスレシピを実行する制御部と、を少なくとも備え、該制御部は、プロセスレシピの開始または終了時に、稼働中の除害装置以外の他の除害装置の稼働状態を確認するように構成され、他の除害装置の稼働状態が保守中または異常停止のいずれかでなければ、他の除害装置を稼働させると共に、稼働中の除害装置の稼働状態を保守中に切替え、他の除害装置の稼働状態が保守中または異常停止であれば、稼働中の除害装置をそのまま継続して使用するように制御する技術が提供される。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、複数の除害装置を用いて、付着した副生成物を所定のタイミングで除去することにより、装置の稼働率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理炉を示す縦断面図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る基板処理装置に用いられる除害装置を示す図である。

【図3】本発明の一実施形態に係る基板処理装置に用いられる制御構成を示すブロック図である。

【図4】本発明に一実施形態に係る基板処理装置に用いられる排気コントローラの制御フローを示す図である。

【図5】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理シーケンスを示す図である。

【図6】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理シーケンスの変形例を示す図である。

【図7】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の他の構成例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について説明する。

【0010】

（１）基板処理装置の構成
本発明の一実施形態に係る処理装置としての基板処理装置１００の処理炉２０２の構成について、図１を参照しながら説明する。

【0011】

図１に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、ウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、ボート２１７を収容可能なように構成されている。

【0012】

プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、ヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状に構成されている。ヒータ２０６は、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。

【0013】

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、上端及び下端が開口した円筒形状に形成された炉口部としてのマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とを支持するように設けられ、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合している。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。

【0014】

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能なシールキャップ２１９が円盤状に設けられている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。

【0015】

シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。

【0016】

シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に設けられたボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。

【0017】

ボートエレベータ１１５、ボート２１７及び回転機構２５４等により、本実施形態に係る搬送機構が構成される。これらボートエレベータ１１５及び回転機構２５４等は、それぞれ搬送コントローラ１１に電気的に接続されている。

【0018】

ボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７の下部には、断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されている。

【0019】

プロセスチューブ２０３内には、温度検知器としての温度センサ２６３が設置されている。主に、ヒータ２０６及び温度センサ２６３により、本実施形態に係る加熱機構が構成されている。これらヒータ２０６と温度センサ２６３とには、温度コントローラ１２が電気的に接続されている。

【0020】

マニホールド２０９には、ノズル２３０ａ及びノズル２３０ｂが処理室２０１内に連通するように接続されている。ノズル２３０ａ，２３０ｂには、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂがそれぞれ接続されている。

【0021】

ガス供給管２３２ａ，２３２ｂには、ガス流の上流側から順に、図示しないガス供給源、バルブ２４５ａ，２４５ｂ、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂ、バルブ２４３ａ，２４３ｂがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｂのバルブ２４３ａ，２４３ｂよりも下流側には、ガス供給管２３２ｃ、２３２ｄがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄには、ガス流の上流側から順に、図示しないパージガス供給源、バルブ２４５ｃ，２４５ｄ、ＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２４３ｃ，２４３ｄがそれぞれ設けられている。

【0022】

主に、ガス供給源（図示しない）、バルブ２４５ａ、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａ、ガス供給管２３２ａ及びノズル２３０ａにより、本実施形態に係る処理ガス供給系が構成されている。主に、ガス供給源（図示しない）、バルブ２４５ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ガス供給管２３２ｂ及びノズル２３０ｂにより、本実施形態に係る反応ガス供給系が構成されている。主に、パージガス供給源（図示しない）、バルブ２４５ｃ，２４５ｄ、ＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２４３ｃ，２４３ｄ、ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄ及びノズル２３０ａ，２３０ｂにより、本実施形態に係るパージガス供給系が構成されている。ＭＦＣ２４１ａ～２４１ｄ、バルブ２４３ａ～２４３ｄ及びバルブ２４５ａ～２４５ｄには、ガス供給コントローラ１４が電気的に接続されている。

【0023】

また、処理ガス供給系、反応ガス供給系及びパージガス供給系により、ガス供給装置としてのガス供給ユニット３００が構成される。

【0024】

マニホールド２０９には、処理室２０１の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されている。排気管２３１は、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１には、圧力検知部としての圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４２、補助ポンプ２４４、排気装置としてのメインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、第１除害装置としての除害装置２４８ａ、三方バルブ２４９ｂ及び第２除害装置としての除害装置２４８ｂがガス流の上流側から順に設けられている。

【0025】

排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４２、補助ポンプ２４４、により排気ユニット３１０が構成され、更に、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ及び除害装置２４８ａ，除害装置２４８ｂを含むことにより、排気系が構成される。

【0026】

また、ＡＰＣバルブ２４２、圧力センサ２４５には、圧力コントローラ１３が電気的に接続されている。また、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ及び除害装置２４８ａ，２４８ｂには、排気コントローラ１５が電気的に接続されている。

【0027】

すなわち、基板処理装置１００は、図１に示すように、処理炉２０２を含む筐体１１１と、ガス供給ユニット３００と、排気ユニット３１０とを少なくとも含む構成である。

【0028】

また、制御部としてのコントローラ２４０は、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４、排気コントローラ１５にそれぞれ接続されている。

【0029】

（２）除害装置２４８ａ，２４８ｂの構成
図２を参照して、除害装置２４８ａ，２４８ｂの構成について説明する。

【0030】

図２に示されているように、メインポンプ２４６の下流側には、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａが接続され、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂを介して除害装置２４８ｂが接続されている。図では除外されているが、これらも排気ユニット３１０に含むようにしてもよい。

【0031】

三方バルブ２４９ａは、メインポンプ２４６から排気される排気ガスの供給先（送出先）を、除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂ側に切り替える切替部として機能する。また、三方バルブ２４９ｂは、三方バルブ２４９ａを介して供給（送出）される排気ガスの供給先（送出先）を、除害装置２４８ｂ又は除害装置を用いない例えば大気中に切り替える切替部として機能する。

【0032】

すなわち、処理室２０１から排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４２、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを経由して除害装置２４８ａ又は、三方バルブ２４９ａ及び三方バルブ２４９ｂを経由して除害装置２４８ｂに排気ガスが送出される。

【0033】

また、処理室２０１から排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４２、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ及び三方バルブ２４９ｂを経由して、除害装置２４８ａ及び除害装置２４８ｂをバイパスして排気ガスが大気中に排気される。メインポンプ２４６から排気されるガスが無害ガスである場合には、三方バルブ２４９ａ及び三方バルブ２４９ｂを制御して、除害装置２４８ａ及び除害装置２４８ｂをバイパスして排気ガスが大気中に排気される。

【0034】

除害装置２４８ａ，２４８ｂには、それぞれメインポンプ２４６から排気された排気ガスを燃焼する燃焼部３１２ａ，３１２ｂが設けられている。この燃焼部３１２ａ，３１２ｂにより、除害装置２４８ａ，２４８ｂにそれぞれ送出された排気ガスが燃焼され、無害化される。

【0035】

また、除害装置２４８ａ，２４８ｂでは、燃焼後の副生成物である粉体に対して水を散布するか、スクレーパ等で削り落とすか、或いは水とスクレーパ等の双方を使用し除去される。すなわち、非稼働状態の除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂにおいて、蓄積された粉体が削り落とされメンテナンス処理が実行される。

【0036】

（３）コントローラ２４０の構成
図３を参照して、コントローラ２４０の制御構成について説明する。

【0037】

コントローラ２４０は、主にＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ)等の主制御部２５と、メモリ(ＲＡＭ)やハードディスク等の記憶部２８と、マウスやキーボード等の入力部２９と、モニタ等の表示部３１と、から構成されている。尚、主制御部２５と、記憶部２８と、入力部２９と、表示部３１とで各データを設定可能な操作部が構成される。

【0038】

記憶部２８には、装置データ等の各種データ等が記憶されるデータ記憶領域３２と、各種プログラムが格納されるプログラム格納領域３３が形成されている。

【0039】

データ記憶領域３２には、プロセスレシピを実行中の各装置の制御情報がデータとして蓄積される。また、データ記憶領域３２には、除害装置２４８ａの稼働状態と、除害装置２４８ｂの稼働状態がそれぞれ記憶される。ここで、稼働状態として、初期化済、稼働中、メンテナンス中（保守中）、メンテナンス終了（保守終了）、待機中、異常停止等の情報が記憶される。

【0040】

プログラム格納領域３３には、ユーザが設定したプロセス手順に従って装置を制御するプロセスレシピを含む装置を制御するのに必要な各種プログラムが格納されている。ここで、プロセスレシピとは、複数のプロセス処理を含み、ウエハ２００に膜を形成する処理条件や処理手順等が定義されたレシピである。

【0041】

また、プログラム格納領域３３には、後述する除害装置を運用するプログラムが格納されており、このプログラムはプロセスレシピと連動して除害装置の運用を制御するように構成されている。

【0042】

また、レシピファイルには、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４及び排気コントローラ１５等に送信する設定値（制御値）や送信タイミング等が、ステップ毎に設定されている。

【0043】

表示部３１には、タッチパネルが設けられている。タッチパネルは、上述の基板搬送系、基板処理系等への操作コマンドの入力を受け付ける操作画面を表示するように構成されている。なお、操作部は、パソコンやモバイル等の操作端末(端末装置)のように、少なくとも表示部３１と入力部２９を含む構成であればよい。

【0044】

主制御部２５は、処理室２０１内にローディングされたウエハ２００に対し、所定の処理を施すよう、処理室２０１内の温度や圧力、該処理室２０１内に導入される処理ガスの流量等を制御する機能を有している。

【0045】

つまり、主制御部２５は、記憶部２８に記憶された制御プログラムを実行し、入力部２９からの入力或いは外部にあるホストコンピュータ等の上位コントローラからの指示に従って、レシピ（例えば、基板処理レシピとしてのプロセスレシピ等）を実行する。

【0046】

搬送コントローラ１１は、基板を搬送する搬送機構を構成するボートエレベータ１１５、不図示のウエハ移載機構、ボート２１７及び回転機構２５４の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。また、ボートエレベータ１１５、不図示のウエハ移載機構、ボート２１７及び回転機構２５４には、それぞれセンサが内蔵されている。搬送コントローラ１１は、これらのセンサがそれぞれ所定の値や異常な値等を示した際に、コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。

【0047】

温度コントローラ１２は、処理炉２０２のヒータ２０６の温度を制御することで処理炉２０２内の温度を調節すると共に、温度センサ２６３が所定の値や異常な値等を示した際、コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。

【0048】

圧力コントローラ１３は、圧力センサ２４５により検知された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、ＡＰＣバルブ２４２を制御すると共に、圧力センサ２４５が所定の値や異常な値等を示した際、コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。

【0049】

ガス供給コントローラ１４は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１ａ～２４１ｄを制御するように構成されている。ガス供給コントローラ１４は、ＭＦＣ２４１ａ～２４１ｄ等の備えるセンサ（図示せず）が所定の値や異常な値等を示した際、コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。また、ガス供給コントローラ１４は、バルブ２４３ａ～２４３ｄ、バルブ２４５ａ～２４５ｄの開閉を制御するように構成されている。

【0050】

排気コントローラ１５は、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ及び除害装置２４８ａ，２４８ｂを制御して、処理室２０１内の雰囲気を処理室２０１外に排出するように制御するように構成されている。

【0051】

主制御部２５は、上述のプロセスレシピと連動して除害装置を運用するプログラムを実行するように構成されている。

【0052】

主制御部２５は、プロセスレシピ毎に、プロセスレシピ（若しくは成膜ステップであるプロセス処理）の実行開始時の実行開始信号と、プロセスレシピ（プロセス処理）の実行終了時の実行終了信号を排気コントローラ１５に送信する。排気コントローラ１５は、プロセスレシピ（プロセス処理）の実行開始信号又は実行終了信号を取得すると、三方バルブ２４９ａ又は／及び三方バルブ２４９ｂを制御して除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂで燃焼処理を実行するよう制御するように構成されている。

【0053】

また、主制御部２５は、プロセスレシピ（プロセス処理）の開始時または終了時に、稼働中の除害装置の他方の除害装置の稼働状態を確認するよう制御する。例えば、除害装置２４８ａを用いてプロセスレシピを実行していた場合には、次のプロセスレシピの開始または終了時に、除害装置２４８ｂの稼働状態を確認するよう制御するように構成されている。

【0054】

そして、主制御部２５は、除害装置２４８ｂの稼働状態がメンテナンス中（保守中）または異常停止のいずれかでなければ、除害装置２４８ｂを稼働させると共に、除害装置２４８ａの稼働状態を停止し、除害装置２４８ａの稼働状態をメンテナンス中に切り替えてメンテナンス処理を実行するよう制御する。具体的には、除害装置２４８ｂの稼働状態が、初期化済、メンテナンス終了（保守終了）、待機中である場合に、除害装置２４８ｂを稼働させると共に、除害装置２４８ａの稼働状態をメンテナンス中に切り替えてメンテナンス処理を実行するように構成されている。

【0055】

また、主制御部２５は、除害装置２４８ｂの稼働状態がメンテナンス中（保守中）又は異常停止である場合には、除害装置２４８ａをそのまま継続して使用するよう制御するように構成されている。

【0056】

つまり、主制御部２５は、プロセスレシピ（プロセス処理）を連続して実行している間、除害装置２４８ａと除害装置２４８ｂのそれぞれに対して稼働（燃焼処理）とメンテナンス（メンテナンス処理）を繰り返すように制御するように構成されている。

【0057】

また、主制御部２５は、除害装置２４８ａと除害装置２４８ｂのうち少なくともいずれか一つを稼働するように制御する。また、主制御部２５は、プロセスレシピの待機時間であっても、除害装置２４８ａと除害装置２４８ｂのうち少なくともいずれか一つを稼働するように制御するように構成されている。

【0058】

また、主制御部２５は、プロセスレシピの実行中にメンテナンス中の除害装置のメンテナンスを終了した場合、メンテナンスを終了した除害装置の稼働状態を待機中にするよう制御するように構成されている。

【0059】

また、主制御部２５は、プロセスレシピの待機時間が所定時間を超えた場合、稼働中の除害装置を停止するように制御するように構成されている。

【0060】

また、主制御部２５は、プロセスレシピの実行中に、プロセス処理開始またはプロセス処理終了を示す信号により、三方バルブ２４９ａ又は／及び三方バルブ２４９ｂをそれぞれ制御して除害装置２４８ａ、除害装置２４８ｂ又は大気中のうちいずれか一つに排気ガスを排気させるように制御するように構成されている。

【0061】

また、主制御部２５は、プロセスレシピの実行時間がメンテナンスに係る時間よりも長い場合、プロセスレシピ終了時に稼働中の除害装置と他の除害装置との切替が行われるよう制御するように構成されている。例えば、プロセスレシピ終了時に除害装置２４８ａに供給されていた排気ガスが、除害装置２４８ｂに切り替えて供給されるように三方バルブ２４９ａ，２４９ｂをそれぞれ制御する。

【0062】

また、主制御部２５は、プロセスレシピの実行時間がメンテナンスに係る時間よりも短い場合、次のプロセスレシピ開始時に稼働中の除害装置と他の除害装置との切替が行われるよう制御するように構成されている。例えば次のプロセスレシピ開始時に除害装置２４８ａに供給されていた排気ガスが、除害装置２４８ｂに切り替えて供給されるように三方バルブ２４９ａ，２４９ｂをそれぞれ制御する。

【0063】

また、排気コントローラ１５は、処理室２０１から排気されるガスを燃焼部３１２ａ，３１２ｂにより燃焼させて無害化するよう除害装置２４８ａ，２４８ｂをそれぞれ制御するように構成されている。

【0064】

排気コントローラ１５は、稼働中の除害装置が稼働中から保守中(メンテナンス中)に切り換えられた場合に、メンテナンス中に切り換えられた除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂの内壁に付着した付着物を除去するように制御するように構成されている。例えば、除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂ内に水を散布するか、スクレーパ等で削り落とすか、或いは水とスクレーパ等の双方を使用し副生成物を除去するように制御する。

【0065】

なお、主制御部２５は、除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂが故障、異常により停止したことを検出した場合には、故障、異常により停止した除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂには、排気ガスの送出を切り替えないように三方バルブ２４９ａ，２４９ｂをそれぞれ制御する。

【0066】

そして、主制御部２５は、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４及び排気コントローラ１５による基板処理装置１００の成膜動作をプロセスレシピの実行により制御すると共に、排気コントローラ１５と連動して排気コントローラ１５による三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ、除害装置２４８ａ及び除害装置２４８ｂの動作をプロセスレシピのイベント毎に監視して、記憶部２８にその変動を送信するように構成されている。

【0067】

（４）基板処理工程
次に、基板処理装置１００の基板処理工程について詳述する。基板処理工程の実施をする場合には、主制御部２５は、記憶部２８のプログラム格納領域３３に格納されているプロセスレシピを実行する。

【0068】

ここでは、ウエハ２００に対して、第１の処理ガス（原料ガス）と第２の処理ガス（反応ガス）とを交互に供給することで、ウエハ２００上に膜を形成する例について説明する。

【0069】

以下、原料ガスとしてヘキサクロロジシラン（Ｓｉ₂Ｃｌ₆、略称：ＨＣＤＳ）ガスを用い、反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ₃）ガスを用い、ウエハ２００上にシリコン窒化膜（Ｓｉ₃Ｎ₄膜、以下、ＳｉＮ膜ともいう）を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。

【0070】

本実施形態における基板処理工程では、処理室２０１内のウエハ２００に対してＨＣＤＳガスを供給する工程と、処理室２０１内からＨＣＤＳガス（残留ガス）を除去する工程と、処理室２０１内のウエハ２００に対してＮＨ₃ガスを供給する工程と、処理室２０１内からＮＨ₃ガス（残留ガス）を除去する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことで、ウエハ２００上にＳｉＮ膜を形成する。

【0071】

また、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。

【0072】

（ボートロード工程）
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、ボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって処理室２０１内に搬入（ボートロード）される。このとき、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端を気密に閉塞（シール）した状態となる。

【0073】

（準備工程）
処理室２０１内、すなわち、ウエハ２００が存在する空間が大気圧から所定の圧力（真空度）となるように、補助ポンプ２４４及びメインポンプ２４６によって真空排気（減圧排気）されて除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂに排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４２が、フィードバック制御される。補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６及び除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂは、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。

【0074】

また、処理室２０１内のウエハ２００が所定の温度となるように、ヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１が所定の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ２０６による処理室２０１内の加熱は、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。

【0075】

また、回転機構２５４によるボート２１７およびウエハ２００の回転を開始する。回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。回転機構２５４によるボート２１７およびウエハ２００の回転は、少なくとも、ウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。

【0076】

（パージ工程）
そして、バルブ２４５ｃ，２４３ｃ，２４５ｄ，２４３ｄを開き、ガス供給管２３０ａ，２３０ｂからＮ₂ガスを処理室２０１内へ供給し、排気ユニット３１０から排気する。Ｎ₂ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室２０１内がパージされる。

【0077】

（成膜工程）
処理室２０１内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、次の２つのステップ、すなわち、ステップ１～２を順次実行する。

【0078】

［ステップ１］
このステップでは、処理室２０１内のウエハ２００に対し、ＨＣＤＳガスを供給する。

【0079】

バルブ２４５ａ，２４３ａを開き、ガス供給管２３２ａ内へＨＣＤＳガスを流す。ＨＣＤＳガスは、ＭＦＣ２４１ａにより流量調整され、ノズル２３０ａを介して処理室２０１内へ供給され、排気ユニット３１０に排気される。このとき、ウエハ２００に対してＨＣＤＳガスが供給されることとなる。このとき、同時にバルブ２４５ｃ，２４３ｃを開き、ガス供給管２３２ｃ内へＮ₂ガスを流す。Ｎ₂ガスは、ＭＦＣ２４１ｃにより流量調整され、ＨＣＤＳガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。ウエハ２００に対してＨＣＤＳガスを供給することにより、ウエハ２００の最表面上に、第１の層として、例えば数原子層の厚さのシリコン（Ｓｉ）含有層が形成される。

【0080】

第１の層が形成された後、バルブ２４５ａ，２４３ａを閉じ、ＨＣＤＳガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ２４２は開いたままとして、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第１の層の形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室２０１内から排出する。

【0081】

［ステップ２］
ステップ１が終了した後、処理室２０１内のウエハ２００、すなわち、ウエハ２００上に形成された第１の層に対してＮＨ₃ガスを供給する。ＮＨ₃ガスは熱で活性化されてウエハ２００に対して供給されることとなる。

【0082】

このステップでは、バルブ２４５ｂ，２４３ｂ，２４５ｄ，２４３ｄの開閉制御を、ステップ１におけるバルブ２４５ａ，２４３ａ，２４５ｃ，２４３ｃの開閉制御と同様の手順で行う。ＮＨ₃ガスは、ＭＦＣ２４１ｂにより流量調整され、ノズル２３０ｂを介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＮＨ₃ガスが供給されることとなる。ウエハ２００に対して供給されたＮＨ₃ガスは、ステップ１でウエハ２００上に形成された第１の層、すなわちＳｉ含有層の少なくとも一部と反応する。これにより第１の層は、ノンプラズマで熱的に窒化され、第２の層、すなわち、シリコン窒化層（ＳｉＮ層）へと変化させられる（改質される）。

【0083】

第２の層が形成された後、バルブ２４５ｂ，２４３ｂを閉じ、ＮＨ₃ガスの供給を停止する。そして、ステップ１と同様の処理手順により、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層の形成に寄与した後のＮＨ₃ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排出する。このとき、ステップ１と同様に処理室２０１内に残留するガス等を完全に排出しなくてもよい。

【0084】

（所定回数実施）
上述した２つのステップを非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ２００上に、所定膜厚のＳｉＮ膜を形成することができる。なお、上述のサイクルを１回行う際に形成される第２の層（ＳｉＮ層）の厚さを所定の膜厚よりも小さくし、第２の層を積層することで形成されるＳｉＮ膜の膜厚が所定の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。

【0085】

（パージ工程）
成膜処理が完了した後、バルブ２４５ｃ，２４３ｃ，２４５ｄ，２４３ｄを開き、ノズル２３０ａ，２３０ｂからＮ₂ガスを処理室２０１内へ供給し、排気管２３１から排気する。Ｎ₂ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室２０１内がパージされ、処理室２０１内に残留するガスや反応副生成物が処理室２０１内から除去される（パージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。

【0086】

（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降され、プロセスチューブ２０３の下端が開口される。そして、処理済のウエハ２００が、ボート２１７に支持された状態で、プロセスチューブ２０３の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出される（ボートアンロード）。処理済のウエハ２００は、ボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。

【0087】

ここで、上述した基板処理工程において、除害装置２４８ａ、２４８ｂのうちどちらか一つの除害装置２４８では、燃焼処理により除害装置２４８内に燃焼後の副生成物である燃焼灰が堆積される。燃焼灰は、粉末状であり、除害装置２４８の下部の壁面に付着して堆積し、やがて詰まるため、除去する必要がある。また、この壁面に付着した副生成物を除去するためにスクレーパ、又は水、又は双方同時に使用するが、時間の経過によって、副生成物の固化が進行し、スクレーパや水で削り取ることが困難となり、やがて副生成物により閉塞してしまうという問題があった。

【0088】

本実施形態では、メインポンプ２４６の下流側に複数の除害装置に、少なくとも２つの除害装置２４８ａ，２４８ｂを設け、プロセスレシピの一例である上述した基板処理工程と連動させて、主制御部２５及び排気コントローラ１５により、除害装置２４８ａ，２４８ｂに付着した副生成物を除去させることにより、除害装置の閉塞による装置停止を避けることができる。

【0089】

（５）排気コントローラ１５の動作
排気コントローラ１５の動作について図４に基づいて説明する。

【0090】

排気コントローラ１５は、例えば上述した基板処理工程におけるプロセスレシピ実行中の装置信号を取得する（ステップＳ１０）。

【0091】

そして、取得した信号が、基板処理工程における成膜工程のプロセス処理開始（若しくは、プロセスレシピ実行開始）時を示す信号である場合には（ステップＳ１１においてＹｅｓ）、非稼働中の除害装置２４８の稼働状態を確認する。具体的には、例えば非稼働中の除害装置２４８のメンテナンスが終了しているか否かまたは異常停止であるかが判定される（ステップＳ１３）。

【0092】

このとき、排気コントローラ１５は、非稼働中の除害装置２４８の状態を記憶部２８に記憶された情報に基づいて判定する。

【0093】

そして、例えば非稼働中の除害装置２４８ｂのメンテナンスが終了していると判定された場合には（ステップＳ１３においてＹｅｓ）、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂを切り替えて除害装置２４８ｂを稼働し、これと同時に稼働中の除害装置２４８ａを非稼働に切り替えて（ステップＳ１４）、除害装置２４８ａに対してメンテナンス処理を実行する（ステップＳ１５）。なお、非稼働中の除害装置２４８ｂのメンテナンスが終了していないまたは異常停止と判定された場合には（ステップＳ１３においてＮｏ）、除害装置２４８の切り替えを行わない。

【0094】

また、取得した信号が、基板処理工程における成膜工程のプロセス処理終了（またはプロセスレシピ実行終了）時を示す信号である場合には（ステップＳ１１においてＮｏ、ステップＳ１２においてＹｅｓ）、非稼働中の除害装置の稼働状態を確認する。具体的には、例えば非稼働中の除害装置２４８のメンテナンスが終了しているか否かが判定される（ステップＳ１３）。

【0095】

このとき、排気コントローラ１５は、非稼働中の除害装置２４８の状態を記憶部２８に記憶された情報に基づいて判定する。

【0096】

例えば、非稼働中の除害装置２４８ｂのメンテナンスが終了していると判定された場合には（ステップＳ１３においてＹｅｓ）、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂを切り替えて除害装置２４８ｂを稼働し、これと同時に稼働中の除害装置２４８ａを非稼働に切り替えて（ステップＳ１４）、除害装置２４８ａに対してメンテナンス処理を実行する（ステップＳ１５）。なお、非稼働中の除害装置２４８ｂのメンテナンスが終了していないまたは異常停止と判定された場合には（ステップＳ１３においてＮｏ）、除害装置２４８の切り替えを行わない。

【0097】

つまり、プロセス処理開始時に、稼働状態であった除害装置の他の非稼働状態の除害装置がメンテナンス中または異常停止であった場合には、稼働状態であった除害装置をそのまま稼働し、プロセス処理終了時に、そのメンテナンス中であった除害装置のメンテナンスが終了していた場合には、稼働する除害装置の切り替えを実行する。

【0098】

また、プロセス処理開始時に、稼働状態であった除害装置の他の非稼働状態の除害装置のメンテナンスが終了していた場合には、そのメンテナンスが終了した除害装置を稼働し、これと同時に稼働状態であった除害装置を非稼働に切り替えてメンテナンス処理を実行する。また、プロセス処理終了時に、稼働状態であった除害装置の他の非稼働状態の除害装置がメンテナンス中または異常停止であった場合には、稼働状態であった除害装置をそのまま稼働する。

【0099】

つまり、プロセス処理の開始時と終了時において、複数の除害装置の稼働状態を確認し、非稼働状態の除害装置が初期化済、メンテナンス終了又は待機中である場合には、非稼働状態の除害装置を稼働し、これと同時に稼働状態の除害装置を非稼働に切り替えてメンテナンス処理を実行する。また、プロセス処理の開始時と終了時において、非稼働状態の除害装置が、メンテナンス中又は異常停止である場合には、稼働中の除害装置の切り替えは行わない。

【0100】

（６）処理シーケンス
次に、除害装置２４８ａ，２４８ｂのメンテナンス時間が基板処理装置１００のプロセス処理時間よりも短い場合の主制御部２５の処理シーケンスについて、図５を参照して説明する。

【0101】

プロセスレシピが開始されると、基板処理装置１００のプロセス処理（１回目）と同時に、例えば除害装置２４８ａが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａに供給される。除害装置２４８ａでは、燃焼部３１２ａにより燃焼処理が実行される。

【0102】

そして、基板処理装置１００のプロセス処理（１回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ｂがメンテナンス中または異常停止のいずれかか否かを判定する。

【0103】

除害装置２４８ｂがメンテナンス中または異常停止のいずれかでないと判定されると、除害装置２４８ｂが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、三方バルブ２４９ｂを介して除害装置２４８ｂに供給される。除害装置２４８ｂでは、燃焼部３１２ｂにより燃焼処理が実行される。これと同時に、除害装置２４８ａが停止されて、稼働状態がメンテナンス中に切り替えられて、メンテナンス処理が実行される。

【0104】

そして、基板処理装置１００のプロセス処理（２回目）の開始時に、プロセス処理開始信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理開始信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ａがメンテナンス中または異常停止のいずれかか否かを判定する。

【0105】

除害装置２４８ａがメンテナンス中または異常停止であると判定されると、除害装置２４８ｂがそのまま稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、三方バルブ２４９ｂを介して除害装置２４８ｂに供給されて、燃焼部３１２ｂにより燃焼処理が実行される。

【0106】

そして、基板処理装置１００のプロセス処理（２回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ａがメンテナンス中または異常停止のいずれかか否かを判定する。

【0107】

ここで、除害装置２４８ａの稼働状態が、図５に示されているように、メンテナンス処理が終了し待機中である場合（除害装置のメンテナンスに係る時間がプロセス処理の実行時間よりも短い場合）には、除害装置の稼働状態は待機中に変更されている。そして、プロセス処理（２回目）の終了時に、稼働中の除害装置２４８ｂと待機中の除害装置２４８ａとの切替が行われるよう制御する。具体的には、稼働中の除害装置２４８ｂが停止されてメンテナンス中に切り替えて、メンテナンス処理を実行する。これと同時に、待機中となっていた除害装置２４８ａが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａに供給されて、燃焼部３１２ａにより燃焼処理が実行される。

【0108】

そして、基板処理装置１００のプロセス処理（３回目）の開始時に、プロセス処理開始信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理開始信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ｂがメンテナンス中または異常停止のいずれかか否かを判定する。

【0109】

除害装置２４８ｂがメンテナンス中または異常停止であると判定されると、除害装置２４８ａがそのまま稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａに供給されて、燃焼部３１２ａにより燃焼処理が実行される。

【0110】

そして、基板処理装置１００のプロセス処理（３回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ｂがメンテナンス中または異常停止のいずれかか否かを判定する。

【0111】

そして、除害装置２４８ｂが、メンテナンス処理が終了し待機中である場合には、稼働中の除害装置２４８ａと待機中の除害装置２４８ｂとの切替が行われるよう制御する。具体的には、稼働中の除害装置２４８ａが停止されてメンテナンス中に切り替えて、メンテナンス処理を実行する。これと同時に、待機中となっていた除害装置２４８ｂが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、三方バルブ２４９ｂを介して除害装置２４８ｂに供給されて、燃焼部３１２ｂにより燃焼処理が実行される。

【0112】

次に、除害装置２４８ａ，２４８ｂのメンテナンス時間が基板処理装置１００のプロセス処理時間よりも長い場合の主制御部２５の処理シーケンスについて、図６を参照して説明する。

【0113】

プロセスレシピが開始されると、基板処理装置１００のプロセス処理（１回目）と同時に、例えば除害装置２４８ａが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａに供給される。除害装置２４８ａでは、燃焼部３１２ａにより燃焼処理が実行される。

【0114】

そして、基板処理装置１００のプロセス処理（１回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ｂがメンテナンス中または異常停止のいずれかか否かを判定する。

【0115】

除害装置２４８ｂがメンテナンス中または異常停止のいずれかでないと判定されると、除害装置２４８ｂが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、三方バルブ２４９ｂを介して除害装置２４８ｂに供給される。除害装置２４８ｂでは、燃焼部３１２ｂにより燃焼処理が実行される。これと同時に、除害装置２４８ａが停止されて、稼働状態をメンテナンス中に切り替えて、メンテナンス処理を実行する。

【0116】

そして、基板処理装置１００のプロセス処理（２回目）の開始時に、プロセス処理開始信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理開始信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ａがメンテナンス中または異常停止のいずれかか否かを判定する。

【0117】

除害装置２４８ａがメンテナンス中または異常停止であると判定されると、除害装置２４８ｂがそのまま稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、三方バルブ２４９ｂを介して除害装置２４８ｂに供給されて、燃焼部３１２ｂにより燃焼処理が実行される。

【0118】

そして、基板処理装置１００のプロセス処理（２回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ａがメンテナンス中または異常停止のいずれかか否かを判定する。

【0119】

ここで、除害装置２４８ａが、図６に示されているように、メンテナンス中である場合（除害装置２４８ａのメンテナンスに係る時間がプロセス処理の実行時間よりも長い場合）には、次のプロセス処理は待機され、除害装置２４８ａのメンテナンス処理が終了し、次のプロセス処理（３回目）が開始される。尚、次のプロセス処理が開始しなくても待機時間が所定時間を超えた場合、稼働中の除害装置を停止するようにしてもよい。また、除害装置２４８ａが異常停止の場合は除害装置２４８ｂの燃焼処理を継続する。

【0120】

そして、基板処理装置１００のプロセス処理（３回目）の開始時に、プロセス処理開始信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、装置プロセス処理開始信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ａがメンテナンス終了したか否かを判定する。

【0121】

除害装置２４８ａがメンテナンス終了して待機中であると判定されると、除害装置２４８ａが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａに供給されて、燃焼部３１２ａにより燃焼処理が実行される。これと同時に、除害装置２４８ｂが停止されて、稼働状態をメンテナンス中に切り替えて、メンテナンス処理を実行する。

【0122】

そして、基板処理装置１００のプロセス処理（３回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、非稼働状態の除害装置２４８ｂがメンテナンス中または異常停止のいずれかか否かを判定する。

【0123】

そして、除害装置２４８ｂが、メンテナンス中である場合には、メンテナンス処理が終了するまでメンテナンス処理を実行し、除害装置２４８ａは、燃焼処理が終了するまで燃焼処理を実行する。また、除害装置２４８ｂが、異常停止の場合には、除害装置２４８ａは、燃焼処理が終了するまで燃焼処理を実行する。

【0124】

（７）本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。

【0125】

（ａ）主制御部２５と排気コントローラ１５を連動させて、除害装置に付着した副生成物を除去させるので、除害装置の閉塞による装置停止を避けることができ、装置の稼働率を向上させることができる。

【0126】

（ｂ）主制御部２５により、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４及び排気コントローラ１５を一括管理することにより、装置の情報、メインポンプ２４６、除害装置２４８等の情報を取得して、より精度の高い管理や各装置と連動した制御が可能となる。

【0127】

（ｃ）複数の除害装置をプロセスレシピ実行毎に、交互に使用することで、燃焼処理により発生した副生成物の固化が進行する前に、副生成物を除去することが可能である。

【0128】

（ｄ）主制御部２５と排気コントローラ１５を連動させて、主制御部２５が除害装置２４８の切替タイミングを決定するようにしているので、除害装置２４８のメンテナンスの閾値に到達する前にメンテナンス処理が行われるようにしている。これにより、除害装置のメンテナンス周期が延伸でき、装置稼働率が向上されると共にメンテナンス費用が削減される。

【0129】

（ｅ）主制御部２５が除害装置２４８の切替信号をプロセスレシピの開始時(または終了時)に排気コントローラ１５に出力するようにしているので、プロセスレシピの成膜工程実行中に除害装置２４８のメンテナンスの閾値に到達し、エラーが発生してもプロセスレシピが継続して実行され、プロセスレシピ実行後にメンテナンス処理が行われるようにしている。これにより、装置稼働率が向上される。

【0130】

（８）他の構成例
図７は、他の構成例を示す図である。本構成例では、排気管２３１、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６及び除害装置２４８により、排気ユニット３１０が構成される。除害装置２４８は、上述した三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ、除害装置２４８ａ，２４８ｂにより構成されている。

【0131】

基板処理装置１００ａは、筐体１１１が３階に設置され、１階に補助ポンプ２４４とメインポンプ２４６と除害装置２４８がガス流の上流側から順に設置されて、３階の筐体１１１と１階の補助ポンプ２４４とが排気管２３１で接続されている。

【0132】

基板処理装置１００ｂは、筐体１１１と補助ポンプ２４４とメインポンプ２４６がガス流の上流側から順に３階に設置され、１階に除害装置２４８が設置されて、３階のメインポンプ２４６と１階の除害装置２４８とが排気管２３１で接続されている。

【0133】

つまり、基板処理装置１００と排気ユニット３１０が同じフロアに設置される場合の他、基板処理装置１００ａ、１００ｂのように、基板処理装置１００と排気ユニット３１０の少なくとも一部が異なるフロアに設置されるような構成であっても、本発明を好適に適用でき、除害装置２４８ａ，２４８ｂに付着した副生成物を交互に除去して、装置の稼働率を向上させることができる。

【0134】

以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

【0135】

また、上述の実施形態では、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ及び除害装置２４８ａ，２４８ｂを制御する排気コントローラ１５が主制御部２５に接続される構成について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、補助ポンプ２４４及びメインポンプ２４６を制御するポンプ制御部と、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ及び除害装置２４８ａ，２４８ｂを制御する除害制御部とが、それぞれ個別に主制御部２５に接続される場合にも、好適に適用可能である。

【0136】

また、上述の実施の形態では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の縦型装置である処理装置を用いて成膜する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を成膜する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を成膜する場合にも、好適に適用できる。

【0137】

また、本実施例に係る基板処理装置のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置などに限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Liquid Crystal Display）製造装置にも適用することができる。

【符号の説明】

【0138】

１００…基板処理装置
２００…ウエハ(基板)
２４８ａ，２４８ｂ…除害装置
２４９ａ，２４９ｂ…三方バルブ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】