(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-03-29
(45)【発行日】2022-04-06
(54)【発明の名称】電流センサ
(51)【国際特許分類】
G01R 15/20 20060101AFI20220330BHJP
【FI】
G01R15/20 A
G01R15/20 C
(21)【出願番号】P 2017233699
(22)【出願日】2017-12-05
【審査請求日】2020-09-29
(31)【優先権主張番号】P 2016237478
(32)【優先日】2016-12-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2017004691
(32)【優先日】2017-01-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】303046277
【氏名又は名称】旭化成エレクトロニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 健治
【審査官】島▲崎▼ 純一
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第2015/033541(WO,A1)
【文献】特開2013-205201(JP,A)
【文献】特開2004-061380(JP,A)
【文献】特開平11-237395(JP,A)
【文献】特開2012-184934(JP,A)
【文献】特開2015-045634(JP,A)
【文献】特表2008-545964(JP,A)
【文献】特開2003-090850(JP,A)
【文献】特開2003-098195(JP,A)
【文献】米国特許出願公開第2008/0084205(US,A1)
【文献】米国特許出願公開第2017/0059627(US,A1)
【文献】特開2002-233699(JP,A)
【文献】国際公開第2014/132785(WO,A1)
【文献】特開2002-202326(JP,A)
【文献】特開昭62-193109(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G01R 15/20
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
封止部と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、且つ、二つの端部が前記封止部から露出する第1の導体と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、且つ、二つの端部が前記封止部から露出する第2の導体と、
前記封止部内に設けられ、平面視で前記第1の導体の内側に配置される第1の磁気センサと、
前記封止部内に設けられ、平面視で前記第2の導体の内側に配置される第2の磁気センサと
を備え、
前記第1の導体の一つの端部と、前記第2の導体の一つの端部が電気的に接続される
ことにより、前記第1の導体と前記第2の導体とが直列または並列に接続される、
電流センサ。
【請求項2】
封止部と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、且つ、二つの端部が前記封止部から露出する第1の導体と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、且つ、二つの端部が前記封止部から露出する第2の導体と、
前記封止部内に設けられ、平面視で前記第1の導体の内側に配置される第1の磁気センサと、
前記封止部内に設けられ、平面視で前記第2の導体の内側に配置される第2の磁気センサと
を備え、
前記第1の導体の一つの端部と、前記第2の導体の一つの端部が電気的に接続され、
前記第1の導体と前記第2の導体に同一の被測定電流が流れるように、前記第1の導体と前記第2の導体とが電気的に接続され、
前記第1の導体に流れる前記被測定電流によって前記第1の磁気センサの位置に印加される磁場と、前記第2の導体に流れる前記被測定電流によって前記第2の磁気センサの位置に印加される磁場が、互いに逆方向となるように、前記第1の導体と前記第2の導体とが電気的に接続される、
電流センサ。
【請求項3】
封止部と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、且つ、二つの端部が前記封止部から露出する第1の導体と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、且つ、二つの端部が前記封止部から露出する第2の導体と、
前記封止部内に設けられ、平面視で前記第1の導体の内側に配置される第1の磁気センサと、
前記封止部内に設けられ、平面視で前記第2の導体の内側に配置される第2の磁気センサと、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、二つの端部が前記封止部から露出し、且つ、平面視において前記湾曲部の内側に、前記第1の導体及び前記第1の磁気センサが配置される第1の外側導体と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、二つの端部が前記封止部から露出し、且つ、平面視において前記湾曲部の内側に、前記第2の導体及び前記第2の磁気センサが配置される第2の外側導体と
を備え、
前記第1の導体の一つの端部と、前記第2の導体の一つの端部が電気的に接続される、
電流センサ。
【請求項4】
前記第1の導体、前記第2の導体、前記第1の外側導体及び前記第2の外側導体に同一の被測定電流が流れるように、前記第1の導体、前記第2の導体、前記第1の外側導体及び前記第2の外側導体が電気的に接続されている
請求項
3に記載の電流センサ。
【請求項5】
前記第1の導体に流れる前記被測定電流によって前記第1の磁気センサの位置に印加される磁場と、前記第1の外側導体に流れる前記被測定電流によって前記第1の磁気センサの位置に印加される磁場が、互いに同一方向となるように、前記第1の導体と前記第1の外側導体とが電気的に接続され、
前記第2の導体に流れる前記被測定電流によって前記第2の磁気センサの位置に印加される磁場と、前記第2の外側導体に流れる前記被測定電流によって前記第2の磁気センサの位置に印加される磁場が、互いに同一方向となるように、前記第2の導体と前記第2の外側導体とが電気的に接続され、
前記第1の磁気センサの位置に印加される磁場と、前記第2の磁気センサの位置に印加される磁場とが互いに逆方向になるように、前記第1の導体及び前記第1の外側導体を含む第1の導体群と、前記第2の導体及び前記第2の外側導体を含む第2の導体群とが電気的に接続される
請求項
4に記載の電流センサ。
【請求項6】
前記第1の導体と前記第2の導体に同一の被測定電流が流れるように、前記第1の導体と前記第2の導体とが電気的に接続されている
請求項
3から5のいずれか一項に記載の電流センサ。
【請求項7】
前記第1の導体に流れる前記被測定電流によって前記第1の磁気センサの位置に印加される磁場と、前記第2の導体に流れる前記被測定電流によって前記第2の磁気センサの位置に印加される磁場が、互いに逆方向となるように、前記第1の導体と前記第2の導体とが電気的に接続される
請求項
6に記載の電流センサ。
【請求項8】
封止部と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、且つ、二つの端部が前記封止部から露出する第1の導体と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、且つ、二つの端部が前記封止部から露出する第2の導体と、
前記封止部内に設けられ、平面視で前記第1の導体の内側に配置される第1の磁気センサと、
前記封止部内に設けられ、平面視で前記第2の導体の内側に配置される第2の磁気センサと
を備え、
前記第1の導体の一つの端部と、前記第2の導体の一つの端部が電気的に接続され、
前記第1の導体と前記第2の導体は、前記第1の磁気センサと前記第2の磁気センサとを結ぶ線分の垂直二等分線に対して互いに線対称な形状を有する、
電流センサ。
【請求項9】
前記第1の導体と前記第2の導体は、前記第1の磁気センサと前記第2の磁気センサとを結ぶ線分の垂直二等分線に対して互いに線対称な形状を有する請求項
1から7のいずれか一項に記載の電流センサ。
【請求項10】
前記第1の導体の一つの端部と、前記第2の導体の一つの端部とを電気的に接続する接続部を更に備える
請求項1
から9のいずれか一項に記載の電流センサ。
【請求項11】
前記第1の磁気センサの出力と前記第2の磁気センサの出力の差分を算出する信号処理回路を更に備える
請求項1から
10の何れか一項に記載の電流センサ。
【請求項12】
前記信号処理回路
の外形を構成する各辺は、前記封止部
の外形を構成する辺のうち対向する1辺又は複数辺に対して平面視で斜めに配置されている、
請求項
11に記載の電流センサ。
【請求項13】
前記信号処理回路
の外形を構成する各辺は、前記封止部
の外形を構成する辺のうち対向する1辺又は複数辺に対して平面視で45度傾いて配置される、
請求項
11または12に記載の電流センサ。
【請求項14】
前記信号処理回路の2つの隣接する辺の各々と対向する位置に前記第1の磁気センサ及び前記第2の磁気センサの各々が配置され、
前記信号処理回路の前記2つの辺の各々に沿って、前記信号処理回路と前記第1の磁気センサ及び前記第2の磁気センサとの接続に用いられるセンサ接続部が配置される、
請求項
12又は
13に記載の電流センサ。
【請求項15】
前記第1の磁気センサ及び前記第2の磁気センサは、矩形であり、
前記第1の磁気センサ及び前記第2の磁気センサ
の外形を構成する各辺は、前記封止部
の外形を構成する1辺又は複数辺のうち対向する辺に対して平面視で各々斜めに配置され、
前記第1の磁気センサ及び前記第2の磁気センサの各辺は、平面視で前記信号処理回路の各辺と平行に配置される、
請求項
12から
14の何れか一項に記載の電流センサ。
【請求項16】
前記信号処理回路を搭載するフレーム部と、
前記フレーム部の下面に固定され、前記第1の磁気センサおよび前記第2の磁気センサを搭載する絶縁部材と、
を備え、
前記第1の導体及び前記第2の導体には各々段差が設けられており、
前記第1の導体及び前記第2の導体と前記絶縁部材とは離間している請求項
11から
15の何れか一項に記載の電流センサ。
【請求項17】
前記第1の導体及び前記第2の導体上に配置される第1の絶縁部材を更に備え、
前記信号処理回路は、前記第1の絶縁部材上に配置される
請求項
11から
15の何れか一項に記載の電流センサ。
【請求項18】
封止部と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、且つ、二つの端部が前記封止部から露出する第1の導体と、
平面視で湾曲した湾曲部を前記封止部内に有し、且つ、二つの端部が前記封止部から露出する第2の導体と、
前記封止部内に設けられ、平面視で前記第1の導体の内側に配置される第1の磁気センサと、
前記封止部内に設けられ、平面視で前記第2の導体の内側に配置される第2の磁気センサと
を備え、
前記第1の導体の一つの端部と、前記第2の導体の一つの端部が電気的に接続され、
前記封止部内において前記第1の導体及び前記第2の導体とは分離して設けられ、平面視において前記第1の導体及び前記第2の導体を挟むように配置された突出部を有するリードフレームと、
前記突出部に接着された第2の絶縁部材と
を更に備え、
前記第1の磁気センサ及び前記第2の磁気センサは、前記第2の絶縁部材上に載置され、
前記第2の絶縁部材と、前記第1の導体及び前記第2の導体との間には前記封止部が形成されている、
電流センサ。
【請求項19】
前記封止部内において前記第1の導体及び前記第2の導体とは分離して設けられ、平面視において前記第1の導体及び前記第2の導体を挟むように配置された突出部を有するリードフレームと、
前記突出部に接着された第2の絶縁部材と
を更に備え、
前記第1の磁気センサ及び前記第2の磁気センサは、前記第2の絶縁部材上に載置され、
前記第2の絶縁部材と、前記第1の導体及び前記第2の導体との間には前記封止部が形成されている
請求項1から
17の何れか一項に記載の電流センサ。
【請求項20】
前記第1の磁気センサ、前記第2の磁気センサ及び前記信号処理回路は同一の半導体基板に形成される請求項
11から
15の何れか一項に記載の電流センサ。
【請求項21】
前記第1の導体の二つの端部及び前記第2の導体の二つの端部は、前記封止部の同一側面において露出している請求項1から
20の何れか一項に記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電流センサに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、ホール素子、磁気抵抗素子等の磁気センサを用いた電流センサが知られている(例えば、特許文献1、2、及び3参照)。
特許文献1 特開2005-283451号公報
特許文献2 国際公開2016/056135号
特許文献3 国際公開第2015/015539号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
電流センサは、高感度であることが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明の一の態様においては、封止部を備える電流センサを提供する。電流センサは、第1の導体を備えてよい。第1の導体は、平面視で湾曲した湾曲部を封止部内に有してよい。第1の導体は、二つの端部が封止部から露出してよい。電流センサは、第2の導体を備えてよい。第2の導体は、平面視で湾曲した湾曲部を封止部内に有してよい。第2の導体は、二つの端部が封止部から露出してよい。電流センサは、第1の磁気センサを備えてよい。第1の磁気センサは、封止部内に設けられ、平面視で第1の導体の内側に配置されてよい。電流センサは、第2の磁気センサを備えてよい。第2の磁気センサは、封止部内に設けられ、平面視で第2の導体の内側に配置されてよい。第1の導体の一つの端部と、第2の導体の一つの端部が電気的に接続されてよい。
【0005】
電流センサは、第1の導体の一つの端部と、第2の導体の一つの端部とを電気的に接続する接続部を備えてよい。第1の導体と第2の導体に同一の被測定電流が流れるように、第1の導体と第2の導体とが電気的に接続されていてよい。
【0006】
第1の導体に流れる被測定電流によって第1の磁気センサの位置に印加される磁場と、第2の導体に流れる被測定電流によって第2の磁気センサの位置に印加される磁場が、互いに逆方向となるように、第1の導体と第2の導体とが電気的に接続されてよい。
【0007】
電流センサは、第1の外側導体を備えてよい。第1の外側導体は、平面視で湾曲した湾曲部を封止部内に有してよい。第1の外側導体は、二つの端部が封止部から露出してよい。第1の外側導体は、平面視において湾曲部の内側に、第1の導体及び第1の磁気センサが配置されてよい。電流センサは、第2の外側導体を備えてよい。第2の外側導体は、平面視で湾曲した湾曲部を封止部内に有してよい。第2の外側導体は、二つの端部が封止部から露出してよい。第2の外側導体は、平面視において湾曲部の内側に、第2の導体及び第2の磁気センサが配置されてよい。
【0008】
第1の導体、第2の導体、第1の外側導体及び第2の外側導体に同一の被測定電流が流れるように、第1の導体、第2の導体、第1の外側導体及び第2の外側導体が電気的に接続されていてよい。
【0009】
第1の導体に流れる被測定電流によって第1の磁気センサの位置に印加される磁場と、第1の外側導体に流れる被測定電流によって第1の磁気センサの位置に印加される磁場が、互いに同一方向となるように、第1の導体と第1の外側導体とが電気的に接続されてよい。第2の導体に流れる被測定電流によって第2の磁気センサの位置に印加される磁場と、第2の外側導体に流れる被測定電流によって第2の磁気センサの位置に印加される磁場が、互いに同一方向となるように、第2の導体と第2の外側導体とが電気的に接続されてよい。第1の磁気センサの位置に印加される磁場と、第2の磁気センサの位置に印加される磁場とが互いに逆方向になるように、第1の導体及び第1の外側導体を含む第1の導体群と、第2の導体及び第2の外側導体を含む第2の導体群とが電気的に接続されてよい。
【0010】
第1の導体と第2の導体は、第1の磁気センサと第2の磁気センサとを結ぶ線分の垂直二等分線に対して互いに線対称な形状を有してよい。第1の磁気センサの出力と第2の磁気センサの出力の差分を算出する信号処理回路を更に備えてよい。
【0011】
信号処理回路は、封止部に対して平面視で斜めに配置されてよい。信号処理回路は、封止部に対して平面視で45度傾いて配置されてよい。信号処理回路の2つの隣接する辺の各々と対向する位置に第1の磁気センサ及び第2の磁気センサの各々が配置されてよい。信号処理回路の2つの辺の各々に沿って、センサ接続部が配置されてよい。センサ接続部は、信号処理回路と第1の磁気センサ及び第2の磁気センサとの接続に用いられてよい。
【0012】
第1の磁気センサ及び第2の磁気センサは、矩形であってよい。第1の磁気センサ及び第2の磁気センサは、封止部に対して平面視で各々斜めに配置されてよい。第1の磁気センサ及び第2の磁気センサの各辺は、平面視で信号処理回路の各辺と平行に配置されてよい。第1の導体及び第2の導体は、直列に接続されてよい。第1の導体及び第2の導体は、並列に接続されてよい。
【0013】
電流センサは、信号処理回路を搭載するフレーム部を備えてよい。電流センサは、絶縁部材を備えてよい。絶縁部材は、フレーム部の下面に固定されてよい。絶縁部材は、第1の磁気センサおよび第2の磁気センサを搭載してよい。電流センサは、第1の導体及び第2の導体上に配置される第1の絶縁部材を備えてよい。信号処理回路は、第1の絶縁部材上に配置されてよい。
【0014】
電流センサは、封止部内において第1の導体及び第2の導体とは分離して設けられ、平面視において第1の導体及び第2の導体を挟むように配置された突出部を有するリードフレームを備えてよい。電流センサは、突出部に接着された第2の絶縁部材を備えてよい。第1の磁気センサ及び第2の磁気センサは、第2の絶縁部材上に載置されてよい。第2の絶縁部材と、第1の導体及び第2の導体との間には封止部が形成されていてよい。
【0015】
第1の磁気センサ、第2の磁気センサ及び信号処理回路は同一の半導体基板に形成されてよい。第1の導体の二つの端部及び第2の導体の二つの端部は、封止部の同一側面において露出していてよい。第1の導体及び第2の導体は、平面視においてU字形状、∨字形状、又は、C字形状であってよい。
【0016】
上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。これらの特徴群のサブコンビネーションも発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【
図1】本発明の第1の実施形態に係る電流センサ100の概要を示す平面図である。
【
図2】
図1における電流センサ100をA-A'線で切断した場合の側面図の一例である。
【
図3】
図1における電流センサ100をA-A'線で切断した場合の側面図の他の例である。
【
図6】本発明の第2の実施形態に係る電流センサ300を示す平面図である。
【
図7】
図6における電流センサ300をA-A'線で切断した場合の側面図の一例である。
【
図8】
図6における電流センサ300をA-A'線で切断した場合の側面図の他の例である。
【
図9】
図6における接続部200の一例を示す図である。
【
図10】本発明の第3の実施形態に係る電流センサ400を示す平面図である。
【
図11】
図10における電流センサ400をA-A'線で切断した場合の側面図の一例である。
【
図12】
図10における電流センサ400をA-A'線で切断した場合の側面図の他の例である。
【
図14】電流センサ100の他の構造例を示す図である。
【
図15】電流センサ100の他の構造例を示す図である。
【
図16】本発明の第4の実施形態に係る電流センサ500を上部から透視した平面図を示す。
【
図17】
図16における基準線A-A'で切断した場合の電流センサ500の断面構成を示す。
【
図18】
図16における基準線B-B'で切断した場合の電流センサ500の断面構成を示す。
【
図19】第1の導体20-1と第2の導体20-2とを並列接続した場合の電流経路の一例を示す。
【
図20】第1の導体20-1と第2の導体20-2とを並列接続した場合の電流経路の別例を示す。
【
図21】第1の導体20-1と第2の導体20-2とを直列接続した場合の電流経路の一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0019】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る電流センサ100の概要を示す平面図である。電流センサ100は、封止部10、第1の導体20-1、第2の導体20-2、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2を備える。本明細書では、第1の導体20-1及び第2の導体20-2を導体20と称する場合がある。また、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2を磁気センサ30と称する場合がある。
【0020】
封止部10は、樹脂等の絶縁材料で形成される。封止部10は、モールド樹脂であってよい。一例として封止部10は直方体形状である。封止部10は、導体20及び磁気センサ30の周囲を覆って形成される。ただし、それぞれの導体20は、一部分が封止部10から露出する。また、磁気センサ30の一部分が封止部10から露出していてもよい。
【0021】
それぞれの導体20は、平面視において湾曲した湾曲部26を封止部10内に有する。本例において平面とは、導体20の表面のうち、最も面積が大きい面と平行な面を指す。本例の導体20は板形状を有しており、板形状の二つの主面を上面及び下面と称する。
図1には、導体20の上面が示されている。
【0022】
湾曲とは、平面視において曲線形状であるものに限定されない。湾曲部26は、平面視において一つ以上の曲線部分を組み合わせた形状であってよく、複数の直線部分を組み合わせた形状であってよく、一つ以上の曲線部分と一つ以上の直線部分とを組み合わせた形状であってもよい。一例として湾曲部26は、平面視においてU字形状、V字形状、又は、C字形状を有してよい。
【0023】
それぞれの導体20は、二つ以上の端部24を有する。本例におけるそれぞれの導体20は、二つの端部24を有する。それぞれの端部24は、封止部10から露出する。本例において、二つの導体20のそれぞれの端部24は、封止部10における同一の側面に露出している。少なくとも一つの端部24は、他の端部24とは異なる側面に露出してもよい。
【0024】
湾曲部26は、平面視において所定の領域を囲むように設けられる。平面視において、導体20と、封止部10の側面のうち導体20の端部が露出する側面とで囲まれる領域を、湾曲部26の内側とする。また、導体の「内側」とは、湾曲部を有する導体と、封止部の導体露出面とで区画される領域をいう。例えば、導体20の内側とは、湾曲部26を有する導体20と、封止部10の側面のうち導体20の端部が露出する側面とで区画される領域をいう。
【0025】
第1の磁気センサ30-1は、封止部10内に設けられ、平面視において第1の導体20-1の内側に配置される。本例では、第1の磁気センサ30-1は、平面視において第1の導体20-1の湾曲部26-1の内側に配置される。第2の磁気センサ30-2は、封止部10内に設けられ、平面視において第2の導体20-2の内側に配置される。本例では、第2の磁気センサ30-2は、平面視において第2の導体20-2の湾曲部26-2の内側に配置される。
【0026】
第1の導体20-1及び第2の導体20-2には、電流センサ100が測定すべき被測定電流が流れる。導体20は、金属等の導電材料で形成される。第1の導体20-1の一つの端部24と、第2の導体20-2の一つの端部24とは電気的に接続される。第1の導体20-1及び第2の導体20-2は、直列に接続されてよく、並列に接続されてもよい。二つの導体20が直列に接続される場合、それぞれの導体20には同一の被測定電流が流れる。二つの導体20が並列に接続される場合、それぞれの導体20には抵抗比に応じて分配された被測定電流が流れる。
【0027】
接続部200は、それぞれの導体20を直列又は並列に接続する。また接続部200は、被測定電流を導体20に印加し、導体20を通過した被測定電流を受け取る。接続部200は、電流センサ100に設けられてよく、電流センサ100の外部に設けられてもよい。接続部200は、それぞれの導体20に接続されたリードフレームとボンディングワイヤの組み合わせで構成された配線パターンであってよく、プリント配線基板等に設けられた配線パターンであってもよい。
【0028】
このような構成により、それぞれの導体20に被測定電流を流すことができる。このため、それぞれの磁気センサ30により、被測定電流を検出することができる。このため、被測定電流の検出の高精度化が容易になる。
【0029】
一例として、第1の導体20-1に流れる被測定電流によって第1の磁気センサ30-1の位置に印加される磁場と、第2の導体20-2に流れる被測定電流によって第2の磁気センサ30-2の位置に印加される磁場が、互いに逆方向となるように、第1の導体20-1と第2の導体20-2とが電気的に接続される。より具体的な例では、第1の導体20-1の端部24-2と、第2の導体20-2の端部24-4とが電気的に接続される。そして、第1の導体20-1の端部24-1、及び、第2の導体20-2の端部24-3の一方の端部24に被測定電流が印加され、他方の端部24から被測定電流が出力される。これにより、第1の導体20-1及び第2の導体20-2には、同一の被測定電流が流れる。磁気センサ30-1の周りを流れる第1の導体20-1における被測定電流と、磁気センサ30-2の周りを流れる第2の導体20-2における被測定電流は、互いに逆回りである。
【0030】
それぞれの磁気センサ30の出力には、被測定電流に対応する測定成分と、外部雑音に対応する雑音成分とが含まれる。上述したように被測定電流を流すと、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2の出力に含まれる測定成分の正負の符号は異なり、雑音成分の符号は同一となる。このため、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2の出力の差分を取ることで、外部雑音の影響を低減又は無くし、且つ、被測定電流に対する感度を増大(例えば倍増)させることができる。このため、被測定電流を高精度に検出することができる。
【0031】
それぞれの導体20は、湾曲部26と端部24との間に段差部22を有してもよい。段差部22は、湾曲部26及び端部24が異なる高さ位置に設けられた場合に、湾曲部26及び端部24を接続する。本例における高さ方向とは、
図1に示した平面とは垂直な方向を指す。段差部22は、板状の導体に対して、曲げ加工、半抜き加工、エッチング加工等を施すことで形成できる。
【0032】
本例の電流センサ100は、封止部10の内部に配置された信号処理チップ50を備える。信号処理チップ50は、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2の出力信号を処理する信号処理回路を有する。信号処理回路は、半導体基板に形成された集積回路であってよい。上述したように、信号処理チップ50は、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2の出力の差分を算出してよい。なお、封止部10の外部に設けられた処理回路が、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2の出力信号を処理してもよい。
【0033】
本例の電流センサ100は、リードフレーム40、一つ以上のリードフレーム32、絶縁部材60、ワイヤ52及びワイヤ54を有する。絶縁部材60は、第2の絶縁部材の一例である。リードフレーム40は、金属等の導電材料で形成され、導体20とは電気的に分離して設けられる。リードフレーム40の材料は、導体20の材料と同一であってよい。リードフレーム40は板形状を有してよい。リードフレーム40は、上面視において、導体20と重なって設けられてよく、重ならずに設けられてもよい。
図1の例におけるリードフレーム40は、導体20と重ならないように設けられている。リードフレーム40及び導体20の間は、封止部10により絶縁される。リードフレーム40は、封止部10から露出する少なくとも一つの端部を有する。
【0034】
本例の信号処理チップ50は、リードフレーム40上に設けられる。信号処理チップ50は、上述したように磁気センサ30の出力信号を処理する。信号処理チップ50は、磁気センサ30を動作させるための信号又は電力を供給してもよい。信号処理チップ50は、ワイヤ52により、それぞれの磁気センサ30と電気的に接続される。
【0035】
また、信号処理チップ50は、ワイヤ54により、リードフレーム40及び一つ以上のリードフレーム32と電気的に接続される。信号処理チップ50は、リードフレーム40及びリードフレーム32を介して、外部の回路との間で電力及び信号を受け渡す。リードフレーム40は、接地電位が印加されてもよい。
【0036】
上面視において絶縁部材60の少なくとも一部は、それぞれの導体20の内側に配置される。本例の絶縁部材60は、シート形状を有する。一例として絶縁部材60はポリイミドシートである。導体20の内側に設けられた絶縁部材60の上面に、磁気センサ30が配置される。これにより、磁気センサ30を支持する。
【0037】
本例のリードフレーム40は、上面視において、それぞれの導体20の湾曲部26を挟むように配置された突出部42を有する。リードフレーム40は、第1の導体20-1と、第2の導体20-2との間にも突出部42を有してよい。絶縁部材60は、リードフレーム40の2つ以上の突出部42の下面に接着され、2つ以上の突出部42に跨って設けられる。
【0038】
図2は、
図1における電流センサ100をA-A'線で切断した場合の側面図の一例である。本例の絶縁部材60は、リードフレーム40の突出部42の下面と、導体20の湾曲部26の下面に接着される。本例の突出部42及び湾曲部26は、下面の高さが互いに同一の部分を有する。絶縁部材60の一部は、導体20の内側において、導体20に覆われていない部分を有する。絶縁部材60の当該部分の上面に、磁気センサ30が載置されている。
【0039】
このような構成により、磁気センサ30の感磁面を、導体20と同程度又はそれ以内の高さに配置できる。このため、磁気センサ30のS/Nを向上させることができる。また、絶縁部材60により磁気センサ30を支持できる。
【0040】
図3は、
図1における電流センサ100をA-A'線で切断した場合の側面図の他の例である。本例の絶縁部材60は、リードフレーム40の突出部42の下面に接着され、且つ、導体20の湾曲部26の下面には接着されていない。本例の湾曲部26の下面は、突出部42の下面よりも高い位置に配置される。導体20の端部24のうち封止部10の内部に位置する部分は、突出部42と同一の高さに配置されてよい。この場合、導体20は、端部24と湾曲部26との間に、
図1に示した段差部22を有する。
【0041】
絶縁部材60の一部は、導体20の内側において、導体20に覆われていない部分を有する。絶縁部材60の当該部分の上面に、磁気センサ30が載置されている。絶縁部材60により磁気センサ30を支持できる。
【0042】
また、段差部22を有することで、絶縁部材60と、導体20の湾曲部26との間には、封止部10の樹脂が充填されることとなるため、導体20とリードフレーム40とが絶縁部材60により接続されない。これにより導体20とリードフレーム40との間において、絶縁部材60による沿面が形成されないので、導体20とリードフレーム40との間の耐圧を向上させることができる。
【0043】
また、磁気センサ30の感磁面が、湾曲部26の上面と下面との間に配置されるように、湾曲部26を設けることが好ましい。本例において磁気センサ30の感磁面は、磁気センサ30の上面である。段差部22を有する構成により、磁気センサ30の厚みを薄くすることなく、磁気センサ30の感磁面を導体20の湾曲部26の上面と下面との間の中央に近づけることが可能となる。これにより磁気センサ30のS/Nを向上させることができる。磁気センサ30の感磁面は、湾曲部26の上面と下面との間の中央に配置されてよい。この場合、磁気センサ30は、ホール素子であってよい。湾曲部26の上面と下面との間の中央とは、湾曲部26の高さ方向における厚みの10%程度の誤差範囲を有してよい。
【0044】
図4は、接続部200の一例を示す図である。本例の接続部200は、配線202、配線204及び配線206を有する。それぞれの配線において交差する部分は、他の部分とは異なる高さに配置されてよい。一例としては、多層配線基板の異なるレイヤーを用いてもよい。
図4の例では、異なる高さ(レイヤー)に配置された部分を破線で示している。
【0045】
配線204は、第1の導体20-1の端部24-2と、第2の導体20-2の端部24-4とを接続する。配線202は、第1の導体20-1の端部24-1に接続される。配線206は、第2の導体20-2の端部24-3に接続される。このような構成により、配線206、第2の導体20-2、配線204、第1の導体20-1、及び、配線202が、この順番で直列に接続される。配線202及び配線206の一方から被測定電流を印加して、他方で被測定電流を受け取ることで、第1の導体20-1及び第2の導体20-2に同一の被測定電流を流すことができる。
図4においては、被測定電流の流れる方向を矢印で示している。
【0046】
また、このような構成により、第1の導体20-1に流れる被測定電流によって第1の磁気センサ30-1の位置に印加される磁場と、第2の導体20-2に流れる被測定電流によって第2の磁気センサ30-2の位置に印加される磁場が、互いに逆方向となる。
図4の例では、第1の導体20-1において、上面視で第1の磁気センサ30-1の周りを反時計回り方向に被測定電流が流れ、第2の導体20-2において、上面視で第2の磁気センサ30-2の周りを時計回り方向に被測定電流が流れる。上述したように、それぞれの磁気センサ30の出力の差分を算出することで、外部雑音の影響を抑制して被測定電流を高精度に検出することができる。また、被測定電流が小さい場合であっても、第1の導体20-1と第2の導体20-2が配線202、204、206を介して直列に接続されるため、複数の磁気センサ30が検出する測定成分が加算されるので、被測定電流を高精度に検出できる。
【0047】
なお、第1の導体20-1と第2の導体20-2とは、第1の磁気センサ30-1と第2の磁気センサ30-2とを結ぶ線分の垂直二等分線に対して互いに線対称な形状を有してよい。あるいは、第1の導体20-1と第2の導体20-2は、信号処理回路の中心と第1の導体20-1及び第2の導体20-2との間を通る線に対して互いに線対称な形状を有してよい。信号処理回路の中心は、平面視において、信号処理回路を有する信号処理チップ50の中心であってよい。第1の導体20-1及び第2の導体20-2は、同一の形状を有してよい。第1の導体20-1及び第2の導体20-2のうち、封止部10の内部に配置された部分が、同一の形状を有してもよい。また、第1の導体20-1に対する第1の磁気センサ30-1の相対位置と、第2の導体20-2に対する第2の磁気センサ30-2の相対位置とは同一であってよい。これにより、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2が検出する測定成分を同等にすることができる。
【0048】
図5は、接続部200の他の例を示す図である。本例の接続部200は、配線208及び配線210を有する。それぞれの配線は、互いに分離して設けられている。
【0049】
配線208は、第1の導体20-1の端部24-1と、第2の導体20-2の端部24-4とを接続する。配線210は、第1の導体20-1の端部24-2と、第2の導体20-2の端部24-3とを接続する。このような構成により、配線208と配線210との間に、第1の導体20-1及び第2の導体20-2が並列に接続される。配線208及び配線210の一方から被測定電流を印加して、他方で被測定電流を受け取ることで、第1の導体20-1及び第2の導体20-2に被測定電流を分配して流すことができる。
【0050】
また、このような構成により、第1の導体20-1に流れる被測定電流によって第1の磁気センサ30-1の位置に印加される磁場と、第2の導体20-2に流れる被測定電流によって第2の磁気センサ30-2の位置に印加される磁場が、互いに逆方向となる。上述したように、それぞれの磁気センサ30の出力の差分を算出することで、外部雑音の影響を抑制して被測定電流を高精度に検出することができる。また、被測定電流を分配して計測するので、磁気センサ30及び導体20の一組当たりにおける発熱量を低減でき、被測定電流が大きい場合に特に好ましい。なお、第1の導体20-1に流れる電流量と、第2の導体20-2に流れる電流量は同一であってよく、異なっていてもよい。接続部200は、第1の導体20-1と第2の導体20-2を直列に接続するか、並列に接続するかを切り替え可能であってよい。一例として、ジャンパーやスイッチ、リレーなどを介して切り替え可能であってよい。
【0051】
(第2の実施形態)
図6は、本発明の第2の実施形態に係る電流センサ300を示す平面図である。電流センサ300は、電流センサ100に対して、導体20及び磁気センサ30の構成が異なる。他の構成は、電流センサ100と同一であってよい。
【0052】
電流センサ300は、一つの磁気センサ30、一つの導体20、一つ以上の外側導体21を有する。本例の電流センサ300は、外側導体21-1及び外側導体21-2を有する。外側導体21の数は、一つであってよく、三つ以上であってもよい。導体20及び外側導体21は、それぞれ湾曲部26及び二つの端部24を有する。導体20及び外側導体21は、それぞれ段差部22を有してもよい。湾曲部26、端部24及び段差部22の構造は、電流センサ100の導体20における湾曲部26、端部24及び段差部22と同様である。
【0053】
外側導体21-2は、平面視で湾曲した湾曲部26-3を封止部10内に有し、且つ、二つの端部24が封止部10から露出する。外側導体21-1は、平面視で湾曲した湾曲部26-2を封止部10内に有し、二つの端部24が封止部10から露出し、且つ、平面視で外側導体21-2の湾曲部26-3の内側に配置される。
【0054】
導体20は、平面視で湾曲した湾曲部26-1を封止部10内に有し、二つの端部24が封止部10から露出し、且つ、平面視で外側導体21-1の湾曲部26-2の内側に配置される。磁気センサ30は、封止部10内に設けられ、平面視で導体20の湾曲部26-1の内側に配置される。導体20及び磁気センサ30は、電流センサ100における第1の導体20-1及び第1の磁気センサ30-1と同様の構造を有する。
【0055】
接続部200は、導体20及びそれぞれの外側導体21に、同一の被測定電流が流れるように、導体20及びそれぞれの外側導体21を接続する。つまり、接続部200は、導体20及びそれぞれの外側導体21を直列に接続する。
【0056】
接続部200は、導体20の一つの端部24と、外側導体21-1の一つの端部24とを電気的に接続する。接続部200は、導体20に流れる被測定電流によって磁気センサ30の位置に印加される磁場と、外側導体21-1に流れる被測定電流によって磁気センサ30の位置に印加される磁場が、互いに同一方向となるように、導体20と外側導体21-1とを電気的に接続する。つまり、接続部200は、導体20に流れる被測定電流が平面視において磁気センサ30の周囲を回る方向と、外側導体21-1に流れる被測定電流が平面視において磁気センサ30の周囲を回る方向とが同一となるように、導体20と外側導体21-1とを接続する。
【0057】
接続部200は、外側導体21-1の一つの端部24と、外側導体21-2の一つの端部24とを電気的に接続する。接続部200は、外側導体21-1に流れる被測定電流によって磁気センサ30の位置に印加される磁場と、外側導体21-2に流れる被測定電流によって磁気センサ30の位置に印加される磁場が、互いに同一方向となるように、外側導体21-1と外側導体21-2とを電気的に接続する。つまり、接続部200は、外側導体21-1に流れる被測定電流が平面視において磁気センサ30の周囲を回る方向と、外側導体21-2に流れる被測定電流が平面視において磁気センサ30の周囲を回る方向とが同一となるように、外側導体21-1と外側導体21-2とを接続する。
【0058】
このような構造により、導体20及び一つ以上の外側導体21に流れる被測定電流により生じるそれぞれの磁場が加算されて、磁気センサ30の位置に印加される。このため、小さい被測定電流であっても高精度に検出することができる。
【0059】
図7は、
図6における電流センサ300をA-A'線で切断した場合の側面図の一例である。本例の絶縁部材60は、
図2に示した例と同様に、リードフレーム40の突出部42の下面と、導体20及び外側導体21のそれぞれの湾曲部26の下面に接着される。本例の突出部42及び湾曲部26は、下面の高さが互いに同一の部分を有する。絶縁部材60の一部は、導体20の内側において、導体20に覆われていない部分を有する。絶縁部材60の当該部分の上面に、磁気センサ30が載置されている。
【0060】
このような構成により、磁気センサ30の感磁面を、導体20と同程度又はそれ以内の高さに配置できる。このため、磁気センサ30のS/Nを向上させることができる。また、絶縁部材60により磁気センサ30を支持できる。
【0061】
図8は、
図6における電流センサ300をA-A'線で切断した場合の側面図の他の例である。本例の絶縁部材60は、
図3に示した例と同様に、リードフレーム40の突出部42の下面に接着され、且つ、導体20及び外側導体21の湾曲部26の下面には接着されていない。本例の湾曲部26の下面は、突出部42の下面よりも高い位置に配置される。本例の導体20及び外側導体21は、端部24と湾曲部26との間に、
図6に示した段差部22を有する。
【0062】
絶縁部材60の一部は、導体20の内側において、導体20に覆われていない部分を有する。絶縁部材60の当該部分の上面に、磁気センサ30が載置されている。絶縁部材60により磁気センサ30を支持できる。
【0063】
また、段差部22を有することで、絶縁部材60と、それぞれの湾曲部26との間には、封止部10の樹脂が充填されることとなるため、導体20及び外側導体21と、リードフレーム40とが絶縁部材60により接続されない。これにより導体20及び外側導体21と、リードフレーム40との間において、絶縁部材60による沿面が形成されないので、導体20及び外側導体21とリードフレーム40との間の耐圧を向上させることができる。
【0064】
また、磁気センサ30の感磁面が、それぞれの湾曲部26の上面と下面との間に配置されるように、それぞれの湾曲部26を設けることが好ましい。それぞれの湾曲部26の高さは同一であることが好ましい。磁気センサ30の感磁面は、湾曲部26の上面と下面との間の中央に配置されてよい。
【0065】
図9は、
図6における接続部200の一例を示す図である。本例の接続部200は、配線214、配線216、配線218及び配線220を有する。それぞれの配線において交差する部分は、他の部分とは異なる高さに配置されてよい。一例としては、多層配線基板の異なるレイヤーを用いてもよい。
【0066】
配線218は、導体20の端部24-3と接続される。配線216は、導体20の端部24-4と、外側導体21-1の端部24-2とを接続する。配線214は、外側導体21-1の端部24-5と、外側導体21-2の端部24-1とを接続する。配線220は、外側導体21-2の端部24-6と接続される。このような構成により、配線220、外側導体21-2、配線214、外側導体21-1、配線216、導体20、及び、配線218が、この順番で直列に接続される。配線220及び配線218の一方から被測定電流を印加して、他方で被測定電流を受け取ることで、導体20、外側導体21-1及び外側導体21-2に同一の被測定電流を流すことができる。
【0067】
また、このような構成により、導体20に流れる被測定電流によって磁気センサ30の位置に印加される磁場、外側導体21-1に流れる被測定電流によって磁気センサ30の位置に印加される磁場、及び、外側導体21-2に流れる被測定電流によって磁気センサ30の位置に印加される磁場が、互いに同一方向となる。
図9の例では、導体20、外側導体21-1及び外側導体21-2において、上面視で磁気センサ30の周りを反時計回り方向に被測定電流が流れる。これにより、被測定電流に応じて磁気センサ30の位置に印加される磁場を増幅することができる。
【0068】
(第3の実施形態)
図10は、本発明の第3の実施形態に係る電流センサ400を示す平面図である。電流センサ400は、電流センサ100と同様に、第1の導体20-1、第2の導体20-2、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2を有する。また、電流センサ400は、それぞれの導体20に対して、電流センサ300と同様に、一つ以上の外側導体21を有する。他の構成は、電流センサ100と同一であってよい。
【0069】
本例の電流センサ400は、それぞれの導体20に対して、外側導体21-1及び外側導体21-2を有する。一つの導体20に対して設けられる外側導体21の数は、一つであってよく、三つ以上であってもよい。導体20及び外側導体21の構造は、電流センサ300における導体20及び外側導体21と同様である。本明細書では、第1の導体20-1に対応する外側導体21を第1の外側導体21と称し、第2の導体20-2に対応する外側導体21を第2の外側導体21と称する場合がある。
【0070】
第1の外側導体21-2の湾曲部26-3の内側には、第1の外側導体21-1が配置される。第1の外側導体21-1の湾曲部26-2の内側には、第1の導体20-1及び第1の磁気センサ30-1が配置される。第2の外側導体21-2の湾曲部26-3の内側には、第2の外側導体21-1が配置される。第2の外側導体21-1の湾曲部26-2の内側には、第2の導体20-2及び第2の磁気センサ30-2が配置される。
【0071】
接続部200は、それぞれの導体20及びそれぞれの外側導体21を接続する。本例の接続部200は、第1の導体20-1、第1の外側導体21-1及び第1の外側導体21-2を、
図6に示した導体20、外側導体21-1及び外側導体21-2と同様に接続する。つまり、これらの導体を直列に接続する。また、接続部200は、第2の導体20-2、第2の外側導体21-1及び第2の外側導体21-2を、
図6に示した導体20、外側導体21-1及び外側導体21-2と同様に接続する。つまり、これらの導体を直列に接続する。
【0072】
接続部200は、第1の導体20-1、第1の外側導体21-1及び第1の外側導体21-2のそれぞれに流れる被測定電流によって第1の磁気センサ30-1の位置に印加される磁場の方向が互いに同一となるように、第1の導体20-1、第1の外側導体21-1及び第1の外側導体21-2を接続する。同様に、接続部200は、第2の導体20-2、第2の外側導体21-1及び第2の外側導体21-2のそれぞれに流れる被測定電流によって第2の磁気センサ30-2の位置に印加される磁場の方向が互いに同一となるように、第2の導体20-2、第2の外側導体21-1及び第2の外側導体21-2を接続する。
【0073】
また、接続部200は、第1の導体20-1、第1の外側導体21-1及び第1の外側導体21-2を含む第1の導体群と、第2の導体20-2、第2の外側導体21-1及び第2の外側導体21-2を含む第2の導体群とを、直列に接続してよく、並列に接続してもよい。第1の導体群と、第2の導体群とを直列に接続した場合、第1の導体20-1、第1の外側導体21-1、第1の外側導体21-2、第2の導体20-2、第2の外側導体21-1及び第2の外側導体21-2に同一の被測定電流が流れる。また、接続部200は、第1の導体20―1に流れる被測定電流によって第1の磁気センサ30-1の位置に印加される磁場と、第2の導体20-2に流れる被測定電流によって第2の磁気センサ30-2の位置に印加される磁場とが互いに逆方向となるように、第1の導体群と第2の導体群とを接続する。
【0074】
このような構造により、外部雑音による影響を抑制して、被測定電流を精度よく検出できる。また、外側導体21を用いることで、それぞれの磁気センサ30のS/Nを向上させることができる。また、2つの磁気センサ30の出力の差分を算出することで、更に感度を向上させることができる。
【0075】
図11は、
図10における電流センサ400をA-A'線で切断した場合の側面図の一例である。本例の絶縁部材60は、
図2に示した例と同様に、リードフレーム40の突出部42の下面と、導体20及び外側導体21のそれぞれの湾曲部26の下面に接着される。本例の突出部42及び湾曲部26は、下面の高さが互いに同一の部分を有する。絶縁部材60の一部は、それぞれの導体20の内側において、導体20に覆われていない部分を有する。絶縁部材60の当該部分の上面に、それぞれの磁気センサ30が載置されている。
【0076】
本例における電流センサ400の構造は、導体20及び外側導体21を含む導体群を2組有し、導体群の間に突出部42を有することを除き、
図7に示した電流センサ300と同一である。このような構成により、磁気センサ30の感磁面を、導体20と同程度もしくはそれ以内の高さに配置できる。このため、磁気センサ30のS/Nを向上させることができる。また、絶縁部材60により磁気センサ30を支持できる。
【0077】
図12は、
図10における電流センサ400をA-A'線で切断した場合の側面図の他の例である。本例の絶縁部材60は、
図3に示した例と同様に、リードフレーム40の突出部42の下面に接着され、且つ、導体20及び外側導体21の湾曲部26の下面には接着されていない。本例の湾曲部26の下面は、突出部42の下面よりも高い位置に配置される。本例の導体20及び外側導体21は、端部24と湾曲部26との間に、
図10に示した段差部22を有する。
【0078】
本例における電流センサ400の構造は、導体20及び外側導体21を含む導体群を2組有し、導体群の間に突出部42を有することを除き、
図8に示した電流センサ300と同一である。本例の構造によれば、電流センサ400のS/Nを向上させることができる。
【0079】
図13は、
図10における接続部200の一例を示す図である。本例の接続部200は、配線222、配線224、配線226、配線228、配線230、配線232及び配線234を有する。それぞれの配線において交差する部分は、他の部分とは異なる高さに配置されてよい。一例としては、多層配線基板の異なるレイヤーを用いてもよい。
【0080】
配線230は、第2の外側導体21-2の端部24-7に接続される。配線232は、第2の外側導体21-2の端部24-12と、第2の外側導体21-1の端部24-8とを接続する。配線234は、第2の外側導体21-1の端部24-11と、第2の導体20-2の端部24-9とを接続する。配線228は、第2の導体20-2の端部24-10と、第1の外側導体21-2の端部24-6とを接続する。
【0081】
配線222は、第1の外側導体21-2の端部24-1と、第1の外側導体21-1の端部24-5とを接続する。配線224は、第1の外側導体21-1の端部24-2と、第1の導体20-1の端部24-4とを接続する。配線226は、第1の導体20-1の端部24-3と接続される。このような構成により、配線230、第2の外側導体21-2、配線232、第2の外側導体21-1、配線234、第2の導体20-2、配線228、第1の外側導体21-2、配線222、第1の外側導体21-1、配線224、第1の導体20-1、及び、配線226が、この順番で直列に接続される。配線226及び配線230の一方から被測定電流を印加して、他方で被測定電流を受け取ることで、各導体に同一の被測定電流を流すことができる。
【0082】
また、このような構成により、第1の導体群に流れる被測定電流によって第1の磁気センサ30-1の位置に印加される磁場と、第2の導体群に流れる被測定電流によって第2の磁気センサ30-2の位置に印加される磁場が、互いに逆方向となる。2つの磁気センサ30の出力の差分を算出することで、被測定電流の測定におけるS/Nを向上させることができる。
【0083】
図14は、電流センサ100の他の構造例を示す図である。本例の電流センサ100は、
図1に示した構造に対して、絶縁部材56を更に備える。絶縁部材56は、第1の絶縁部材の一例である。絶縁部材56は、例えばポリイミドシートである。絶縁部材56は、第1の導体20-1及び第2の導体20-2の上面に配置される。本例の絶縁部材56は、リードフレーム40の上面にも配置されている。
【0084】
信号処理チップ50は、絶縁部材56上に配置される。信号処理チップ50の少なくとも一部は、第1の導体20-1及び第2の導体20-2の上方に配置される。本例の信号処理チップ50は、リードフレーム40、第1の導体20-1及び第2の導体20-2の上方に跨って配置されている。
【0085】
信号処理チップ50を導体20の上方にも跨って配置することで、リードフレーム40を小さくすることができる。このため、電流センサ100を小型化できる。また、信号処理チップ50を、それぞれの磁気センサ30の近傍に配置できる。このため、磁気センサ30と信号処理チップ50との温度差を低減できる。信号処理チップ50は、温度を検出する温度検出部を有してよい。信号処理チップ50は、検出した温度に基づいて、磁気センサ30における動作、又は、磁気センサ30の出力信号を補正してよい。信号処理チップ50と磁気センサ30との温度差を低減することで、当該補正の精度を向上させることができる。
【0086】
図15は、電流センサ100の他の構造例を示す図である。本例における電流センサ100においては、
図14の例と同様に絶縁部材56を有するとともに、磁気センサ30は、信号処理チップ50の内部に形成されている。例えば、信号処理回路が形成された半導体基板に、磁気センサ30も集積されてよい。このような構成によっても電流センサ100のサイズを低減することができる。
【0087】
この場合、磁気センサ30が形成された信号処理チップ50の部分を、湾曲部26の内側領域の上方に配置する。同様に、絶縁部材56の一部分も、湾曲部26の内側領域の上方に配置してよい。
図15においては、磁気センサ30が形成された部分を点線で示している。また、本例の電流センサ100においては、絶縁部材60は省略できる。
【0088】
図14及び
図15においては、電流センサ100に絶縁部材56を設ける例を説明したが、電流センサ300又は電流センサ400に絶縁部材56を設け、絶縁部材56上に信号処理チップ50を配置してもよい。また、電流センサ300又は電流センサ400において、磁気センサ30が信号処理チップ50の内部に形成されていてもよい。
【0089】
(第4の実施形態)
図16から
図18は、本発明の第4の実施形態に係る電流センサ500の内部構成を示す。ここで、
図16は、電流センサ500を上部から透視した平面図であり、
図17は
図16における基準線A-A'で切断した場合の電流センサ500の断面構成を示し、
図18は
図16における基準線B-B'で切断した場合の電流センサ500の断面構成を示す。本実施形態における電流センサ500は、電流センサの小型化のために、信号処理チップに対して封止部を小さくすると、封止部内で磁気センサ及び一次導体を配置するスペースが不足するという問題を解決する。
【0090】
ここで、
図16における上下方向を縦方向、
図16及び
図18における左右方向を横方向、及び
図17及び
図18における上下方向を高さ方向とし、縦方向及び横方向により形成される面を主面とし、主面の上側/下側を上面側/下面側とする。また、「平面視で」という記載は、当該主面に相対する視点から主面側を観察することを含むものとする。本実施形態において電流センサ500は、磁気センサを用いて電流経路に入力される電流の量を検出する電流センサであるが、後述するように電流センサ500は他の種類のセンサであってもよい。
【0091】
電流センサ500は、第1の磁気センサ30-1、第2の磁気センサ30-2、第1の導体20-1、第2の導体20-2、信号処理回路51、フレーム部540、端子部532、絶縁部材60、及び、封止部10を備える。
【0092】
第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2(以下、複数の磁気センサをまとめて「磁気センサ30」とも言う。)は、被測定電流から生じる磁気を測定することにより、被測定電流の大きさを測定する。例えば、磁気センサ30は、上面側を感磁部とするホール素子を有する磁気センサであってよい。第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2は、多面付け基板等からダイシングすることで多数同時に製造されるものであってよく、外形が平面視で矩形であってよい。
【0093】
第1の磁気センサ30-1は電流センサ500において主面上に配置され、第2の磁気センサ30-2は電流センサ500において主面上に配置される。第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2として、同一又は類似の素子を採用することができる。
【0094】
図16に示すように第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2は、各々6端子であってよく、例えば4端子が十字型のホール素子の各端部に接続され、残り2端子がホール素子の感度調整用のコイルに接続されるものであってよい。第1の磁気センサ30-1の端子及び第2の磁気センサ30-2の端子は、各々ボンディングワイヤによって信号処理回路51に接続され、信号処理回路51から駆動電流又は駆動電圧を受け取り、検出した磁場の強度に応じた電圧を出力信号として信号処理回路51に出力する。
【0095】
第1の導体20-1及び第2の導体20-2は、一次導体である。第1の導体20-1は、第1の磁気センサ30-1により検出される電流(すなわち、被測定電流)を流す電流経路を提供する。第2の導体20-2は、第2の磁気センサ30-2により検出される被測定電流を流す電流経路を提供する。第1の導体20-1及び第2の導体20-2は、図の縦方向に離間される。第1の導体20-1は、第1の磁気センサ30-1の近傍で被測定電流を流す。第2の導体20-2は、第2の磁気センサ30-2の近傍で被測定電流を流す。
【0096】
それぞれの導体20は、金属等の導電材料で形成される。それぞれの導体20は、平面視において、湾曲部26を備える。第1の導体20-1は、第1の磁気センサ30-1を囲むように湾曲部26-1を有する。第2の導体20-2は、第2の磁気センサ30-2を囲むように湾曲部26-2を有する。第1の磁気センサ30-1は、封止部10内に設けられ、平面視において第1の導体20-1の内側に配置される。第2の磁気センサ30-2は、封止部10内に設けられ、平面視において第2の導体20-2の内側に配置される。例えば、第1の導体20-1は矩形の第1の磁気センサ30-1の3以上の辺に対向する位置に少なくとも一部が配置され、第2の導体20-2は矩形の第2の磁気センサ30-2の3以上の辺に対向する位置に少なくとも一部が配置される。これにより、第1の導体20-1及び第2の導体20-2を流れる被測定電流の電流磁場変換係数を高めることができるので、磁気センサ30による被測定電流の測定の精度を高めることができる。第1の導体20-1の端部24-1及び端部24-2、及び、第2の磁気センサ30-2の端部24-3及び端部24-4は、電流センサ500をプリント基板等に搭載する際に端子として機能してよい。
【0097】
それぞれの導体20は、湾曲部26と端部24との間に段差部22を有してよい。例えば、信号処理回路51側、すなわち湾曲部26側が端部24側より高くなるように段差部22が設けられてよい。例えば、
図18で示すように、第1の導体20-1及び第2の導体20-2の各々の右側が高くなるように段差部22が設けられている。これにより、それぞれの導体20と磁気センサ30の間の絶縁耐圧が高まるとともに、それぞれの導体20の厚みの中心位置を磁気センサ30の感磁部の高さ位置に近づけることができ、磁気センサ30による被測定電流の測定精度を向上することができる。
【0098】
一例において、第1の導体20-1を流れる電流の向きは、第2の導体20-2を流れる電流の向きと異なっていてよい。例えば、第1の導体20-1において被測定電流は時計回りに流れ、第2の導体20-2において被測定電流は反時計回りに流れてよい。このようにすることで、外部磁場等の外乱の影響の方向を実質的に相殺することができる。すなわち、電流センサ500は、第1の磁気センサ30-1の出力信号と第2の磁気センサ30-2の出力信号の差分を算出して外乱の影響をキャンセルすることができる。
【0099】
一例において、第1の導体20-1及び第2の導体20-2は、被測定電流に対し並列に接続されてよい。また、第1の導体20-1及び第2の導体20-2は、被測定電流に対し直列に接続されてよい。第1の導体20-1及び第2の導体20-2の直列接続及び並列接続の具体例については後述する。
【0100】
信号処理回路51は、上述した信号処理チップ50として構成されてよい。信号処理回路51は、磁気センサ30の出力信号を処理して導体20を流れる被測定電流の大きさを算出する。信号処理回路51は、メモリ、感度補正回路、出力のオフセットを補正するオフセット補正回路、磁気センサ30からの出力信号を増幅する増幅回路、第1の磁気センサ30-1からの出力信号と第2の磁気センサ30-2からの出力信号との差分を演算する差分演算回路、及び温度に応じて出力を補正する温度補正回路等の少なくとも1つを内蔵してもよい。
【0101】
本例では、信号処理回路51は、磁気センサ30と別個のデバイスとして別の基板から製造されたハイブリッド構成のものを採用する。これに代えて、信号処理回路51は、磁気センサ30と同一の基板(例えば、シリコン基板)から製造されたモノリシック構成のものを採用してもよい。モノリシック構成の場合、
図15において説明したように、信号処理回路51内に磁気センサ30を含む構成となってもよい。
【0102】
信号処理回路51は、主面における平面視で矩形であってよい。一例として、信号処理回路51は、
図16に示すように主面における平面視で正方形であってよい。これにより、所定の大きさの封止部10に封止可能な信号処理回路51の平面サイズを最大化できる。また、正方形の信号処理回路51を封止部10の中央近辺に配置することで電流センサ500の出力に及ぼす応力の影響を低減することができる。
【0103】
また、第1の磁気センサ30-1を信号処理回路51に接続するワイヤと第2の磁気センサ30-2を信号処理回路51に接続するワイヤの形状及び長さを等価にしてもよい。また、第1の磁気センサ30-1を信号処理回路51に接続する各ワイヤは、第1の磁気センサ30-1の中心を通り、第1の磁気センサ30-1と対向する信号処理回路51の一辺に向かう法線を軸として線対称の関係であってもよい。第2の磁気センサ30-2の各ワイヤについても同様である。これにより、第1の導体20-1及び第2の導体20-2と各ワイヤとの間に寄生する容量が均一化され、磁気センサ30の応答特性の劣化を回避することができる。
【0104】
フレーム部540は、本体部541、第1伸張部542、及び、第2伸張部544を有し、信号処理回路51を搭載し、絶縁部材60を支持する。フレーム部540は、熱伝導性の良好な金属により形成されてよい。フレーム部540及び第1伸張部542は、
図1から
図15に示されるリードフレーム40及び突出部42に相当してよい。
【0105】
本体部541は、信号処理回路51を上面に搭載する。本体部541は、信号処理回路51とほぼ同一形状(例えば、本例において矩形又は正方形)、相似形状、又は、類似形状であってよい。また、本体部541は信号処理回路51よりも小さくてよい。本体部541は、電流センサ500又は封止部10のほぼ中央に配置されてよい。
【0106】
第1伸張部542は、本体部541の少なくとも一辺上から外側に向かって張り出すように形成される。本例において、第1伸張部542は、本体部541の左上辺から左上方向に伸張する腕部分と、本体部541の左下辺から左下方向に伸張する腕部分とを含む。第1伸張部542は、後述する絶縁部材60を裏面で支持する。
【0107】
第2伸張部544は、第1伸張部542とは別に、本体部541の少なくとも一辺上から外側に向かって張り出すように形成される。本例において、第2伸張部544は、本体部541の右上辺から右上方向に伸張する腕部分と、本体部541の右下辺から右下方向に伸張する腕部分とを含む。第2伸張部544は、本体部541を支持すると共に、信号処理回路51とボンディングワイヤ等で接続されて、信号処理回路51の端子として機能してよい。
【0108】
第1伸張部542及び第2伸張部544は、少なくとも一部が、本体部541(又は電流センサ500)の重心を中心とした対称性(例えば、回転対称性又は鏡像対称性)を有するものであってよい。例えば、
図16において第1伸張部542及び第2伸張部544はほぼ左右対称となっている。これにより、電流センサ500の出力に及ぼす応力の影響を低減することができる。
【0109】
端子部532は、信号処理回路51とボンディングワイヤ等により接続され、第2伸張部544と共に信号処理回路51のデバイス端子546として機能してよい。端子部532は、フレーム部540と同様の材料により形成されてよい。端子部532は、
図1から
図15において説明したリードフレーム32に相当してよい。
【0110】
本例において、8つのデバイス端子546が信号処理回路51に接続されている。それにより、信号処理回路51は、導体20に通電される電流の量の算出結果、さらにパラメータの設定等を8つのデバイス端子546を介して入出力する。また、フレーム部540をグランド電位又は定電位とすることで、フレーム部540が、電流センサ500の裏面側から来る静電ノイズを遮蔽する静電シールドの役割を果たす。
【0111】
絶縁部材60は、接着剤等によりフレーム部540の第1伸張部542と本体部541の下面で固定される。絶縁部材60は、絶縁フィルムであってよい。絶縁部材60は、磁気センサ30を搭載し第1の導体20-1及び第2の導体20-2から離間される。これにより、絶縁部材60は、導体20と沿面が形成されないため高い絶縁性を有するとともに、磁気センサ30をフレーム部540に対して緩みなく固定することができる。
【0112】
封止部10は、磁気センサ30及び信号処理回路51等の電流センサ500の構成部品を内部に固定し、第1の導体20-1、第2の導体20-2、フレーム部540、及び端子部532を絶縁して保護する。封止部10は、第1の導体20-1、第2の導体20-2、フレーム部540及び端子部532の少なくとも一部を固定してよい。例えば、
図16に示すように、封止部10は、第1の導体20-1のうち端部24-1及び端部24-2以外の部分、及び、第2の導体20-2のうち端部24-3及び端部24-4以外の部分を封止し、封止されなかった端部24-1から端部24-4を端子として露出させてよい。また、封止部10は、デバイス端子546の片側の端部が露出するように残部を封止してよい。
【0113】
封止部10は、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁性に優れた樹脂を用いてモールド成形することにより形成される。例えば、封止パッケージは、平面視で矩形形状である直方体形状であってよい。一例として、封止パッケージは、平面視で正方形形状であってよい。
【0114】
ここで、信号処理回路51、及び、封止部10の主面上の配置について説明する。
【0115】
本実施形態において、信号処理回路51は、封止部10に対して、平面視で斜めに配置されている。例えば、信号処理回路51の外形を構成する各辺は、封止部10の外形を構成する辺のうち対向する1辺又は複数辺に対して斜めであってよい。一例として、矩形の信号処理回路51が、矩形の封止部10に対して斜めに配置されてよい。
【0116】
このような配置によれば、封止部10の四隅側にスペースを集中でき、余裕をもって当該スペースに磁気センサ30と導体20を配置することができる。例えば、
図16においては、封止部10の左上のスペースに第1の磁気センサ30-1を配置した後も、第1の磁気センサ30-1と信号処理回路51との間、及び、第1の磁気センサ30-1と封止部10の外縁部分との間に十分な間隔を保つことができる。
【0117】
そのため、
図16に示される例において、第1の導体20-1が第1の磁気センサ30-1を囲むように、第1の磁気センサ30-1の周囲に第1の導体20-1を配置することができる。これにより、第1の導体20-1に囲まれた領域に発生する垂直方向の磁場が大きくなり、第1の磁気センサ30-1による被測定電流の測定精度を向上することができる。第2の磁気センサ30-2及び第2の導体20-2についても同様である。
【0118】
また、本実施形態の電流センサ500によれば、信号処理回路51の大きさに対して封止部10の大きさを小型化できるので、性能を維持したまま電流センサ500全体を小型化できる。
【0119】
一例として、
図16に示されるとおり、信号処理回路51は、封止部10に対して、平面視で45度傾いて配置してよい。これにより、封止部10の四隅に生じるスペースを最大化することができる。なお、信号処理回路51及び封止部10の傾き角度は45度以外であってもよい。例えば、信号処理回路51及び封止部10が30~60度の範囲で傾いていれば、封止部10の四隅に十分なスペースが生じさせることができる。
【0120】
次に、信号処理回路51、及び、磁気センサ30の主面上の配置について説明する。
【0121】
信号処理回路51の2つの辺の各々と対向する位置に第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2の各々が配置されてよい。信号処理回路51の2つの隣接する辺の各々に沿って、センサ接続部57及びセンサ接続部58が配置されてよい。センサ接続部57は、信号処理回路51と、対向する第1の磁気センサ30-1とを接続するのに用いられてよい。センサ接続部58は、信号処理回路51と、対向する第2の磁気センサ30-2とを接続するのに用いられてよい。なお、センサ接続部57及びセンサ接続部58は、それぞれ複数のボンディングパッドを含んでよい。以上のような構成によれば、複数の磁気センサ30との接続のために信号処理回路51の二辺を使用できるので、複数の磁気センサ30との接続に信号処理回路51の一辺のみを用いた場合と比較して信号処理回路51の辺の長さを短くできる。
【0122】
例えば
図16において、第1の磁気センサ30-1は、信号処理回路51の左上辺と対向する位置に配置され、信号処理回路51の左上辺上のボンディングパッドとボンディングワイヤで接続される。同様に、第2の磁気センサ30-2は、信号処理回路51の左下辺と対向する位置に配置され、信号処理回路51の左下辺上のボンディングパッドとボンディングワイヤで接続される。
【0123】
また、信号処理回路51の2以上の隣接する辺の各々と対向する位置に磁気センサ30の各々が配置されてよい。これにより、磁気センサ30が信号処理回路51の近傍位置に配置されることになるので、封止部10内に配置される導体20の取り回しが容易になる。例えば
図16においては、各磁気センサ30は、信号処理回路51の隣接する辺(左上辺及び左下辺)の各々と対向する位置に配置される。また、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2を、信号処理回路51を中心に線対称(
図16において上下対称)に配置することが可能になり、これによりdv/dtなどのAC特性を改善ことができる。
【0124】
第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2は、封止部10に対して平面視で各々斜めに配置されてよい。例えば、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2の外形を構成する各辺は、封止部10の外形を構成する1辺又は複数辺のうち対向する辺に対して斜めであってよい。
【0125】
一例として、
図16の実施形態においては、矩形の第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2は、各々矩形の封止部10に対し45度傾いており、これにより第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2の各辺は、平面視で信号処理回路51の各辺と平行に配置される。これにより、第1の磁気センサ30-1と信号処理回路51とを接続するワイヤが交差することなく、また、複数のワイヤ間の対称性を保つことができる。第2の磁気センサ30-2と信号処理回路51とを接続するワイヤも、同様である。
【0126】
なお、
図16から
図18では、磁気センサ30と信号処理回路51との間に導体20を配置する形態について説明したが、配置はこれに限定されない。例えば、磁気センサ30は、導体20及び信号処理回路51の間に配置されてもよい。この配置の場合、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2の配置位置における磁場の向きが互いに逆向きになるよう、第1の導体20-1と第2の導体20-2の電流の向きが決められる。
【0127】
図19は、第1の導体20-1と第2の導体20-2とを並列接続した場合の電流経路の一例を示す。本例において、電流センサ500は
図16から
図18で説明したものと同一であってよく、電流センサ500はプリント基板に搭載されているものとする。第1の導体20-1は端部24-1及び端部24-2を有し、第2の導体20-2は、端部24-3及び端部24-4を有する。また、図面における黒矢印及び実線はプリント基板の表面側を示すものとし、点線矢印及び点線はプリント基板の裏面側を示すものとする。
【0128】
図19に示される例において、プリント基板の表面の第1導電路240に供給された被測定電流は、第1の導体20-1の端部24-2と、第2の導体20-2の端部24-3のそれぞれに流入する。例えば、端部24-2及び端部24-3には被測定電流が等しく分割された電流が流入する。これにより、第1の導体20-1及び第2の導体20-2には、逆向きの同電流がそれぞれ流れる。第1の導体20-1の端部24-2から流入した電流は、第1の磁気センサ30-1の左下側から反時計回りに周回し、第1の導体20-1の端部24-1からプリント基板の表面の第2導電路242に出力される。
【0129】
第2導電路242に入力された電流は、プリント基板を貫通するビアを介して裏面に形成された第3導電路244を流れ、再び別のビアを介してプリント基板の表面に形成された第4導電路246に流れる。一方で、第2の導体20-2の端部24-3から流入した電流は、第2の磁気センサ30-2の左上側から時計回りに周回し、第2の導体20-2の端部24-4から第4導電路246に合流する。
【0130】
このように
図19の例においては、被測定電流は第1の磁気センサ30-1の近傍及び第2の磁気センサ30-2の近傍のそれぞれに対して分割されて並列に流れる。これにより、各磁気センサ30あたりの発熱量が低減し、発熱による被測定電流計測への影響を軽減することができる。
【0131】
ここで、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2に対して逆向きの被測定電流が流れる。すなわち、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2に対して与えられる被測定電流由来の磁場は互いに逆向きである一方で、ノイズとなる外部磁場は互いに同一向きである。従って、信号処理回路51は、第1の磁気センサ30-1の出力と第2の磁気センサ30-2の出力の差分を算出することにより、外部磁場の影響をキャンセルし、より高い精度で被測定電流を測定できる。
【0132】
また、
図19に示される例によれば、導体20の加工のばらつきやプリント基板の影響により、第1の導体20-1及び第2の導体20-2を流れる被測定電流に差が生じた場合であっても、被測定電流の差は一定となる。従って、加工ばらつき等によらず被測定電流を高い精度で検出することができる。
【0133】
図20は、第1の導体20-1と第2の導体20-2とを並列接続した場合の電流経路の別例を示す。
図19と共通する事項については説明を省略する。
【0134】
本例において、プリント基板の表面の第1導電路250に供給された被測定電流は、端部24-2及び端部24-3のそれぞれに流入する。例えば、端部24-2及び端部24-3には被測定電流が等しく分割された電流が流入する。これにより、第1の導体20-1及び第2の導体20-2のには、互いに逆向きの同電流がそれぞれ流れる。第1の導体20-1の端部24-2から流入した電流は、第1の磁気センサ30-1の左下側から反時計回りに周回し、第1の導体20-1の端部24-1から表面の第2導電路252に出力される。
【0135】
第2導電路252に入力された電流は、プリント基板を貫通するビアを介してプリント基板の裏面に形成された第4導電路256に入力される。一方で、第2の導体20-2の端部24-3から流入した電流は、第2の磁気センサ30-2の左上側から時計回りに周回し、第2の導体20-2の端部24-4から表面の第3導電路254に出力される。第3導電路254に入力された電流は、プリント基板を貫通するビアを介して第4導電路256に合流する。
【0136】
図20に示される例によれば、
図19に示した例とは異なり、プリント基板の表面から被測定電流を入力し、裏面から被測定電流を出力することができる。
【0137】
図21は、第1の導体20-1と第2の導体20-2とを直列接続した場合の電流経路の一例を示す。
図19と共通する事項については説明を省略する。
【0138】
本例において、プリント基板の表面の第1導電路260に供給された被測定電流は、第2の導体20-2の端部24-3に流入する。これにより、第2の導体20-2に、被測定電流が流れる。被測定電流は、第2の導体20-2において第2の磁気センサ30-2の左上側から時計回りに周回し、第2の導体20-2の端部24-4から表面の第2導電路262に出力される。
【0139】
第2導電路262に入力された被測定電流は、プリント基板を貫通するビアを介して裏面に形成された第3導電路264に入力され、再びビアを介して表面に形成された第4導電路266に流入する。被測定電流は、第4導電路266から第1の導体20-1の端部24-2を介して、第1の導体20-1に流れる。被測定電流は、第1の導体20-1において第1の磁気センサ30-1の左下側から反時計回りに周回し、第1の導体20-1の端部24-1を介してプリント基板の表面に形成された第5導電路268に出力される。
【0140】
このように、
図21に示される例において、第1の導体20-1及び第2の導体20-2は被測定電流に対して直列に接続されるので、電流センサ500は被測定電流を複数の磁気センサ30で測定することができ、これにより、並列に接続した場合と比較して被測定電流を高感度(すなわち高SN比)で測定することができる。
【0141】
また、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2に対して逆向きの被測定電流が流れるので、信号処理回路51は、第1の磁気センサ30-1及び第2の磁気センサ30-2の出力の差分を算出することにより、外部磁場の影響をキャンセルし、より高い精度で被測定電流を測定できる。
【0142】
例えば、比較的大きい被測定電流(一例として35A以上)が流れる用途に電流センサ500を用いる場合、
図19及び
図20で説明したように、第1の導体20-1及び第2の導体20-2が並列接続されてよい。また、例えば、比較的小さい被測定電流(一例として35A未満)が流れる用途に電流センサ500を用いる場合、
図21で説明したように、第1の導体20-1及び第2の導体20-2が直列接続されてよい。
【0143】
なお、上記説明では、磁気センサ30が2個設けられた電流センサ500の例について説明したが、磁気センサ30の数は2個に限られない。電流センサ500は磁気センサ30を3個又は4個以上搭載してもよい。例えば、3個以上の磁気センサ30が、信号処理回路51の3辺以上の対応する位置に設けられてよい。この場合、デバイス端子546は、
図16において信号処理回路51の上方及び/又は下方に設けられてよい。
【0144】
また、上記説明では、電流センサ500について説明したが、本実施形態は、電流センサ以外のセンサに適用することができる。例えば、センサは、任意のセンサチップと信号処理回路が封止されてパッケージされたものであればよく、例えば、位置センサや光センサ又は赤外線センサ等であってよい。
【0145】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0146】
特許請求の範囲、明細書、及び図面中において示した装置、システム、プログラム、及び方法における動作、手順、ステップ、及び段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、及び図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
[項目1]
封止部と、
平面視で湾曲した湾曲部を上記封止部内に有し、且つ、二つの端部が上記封止部から露出する第1の導体と、
平面視で湾曲した湾曲部を上記封止部内に有し、且つ、二つの端部が上記封止部から露出する第2の導体と、
上記封止部内に設けられ、平面視で上記第1の導体の内側に配置される第1の磁気センサと、
上記封止部内に設けられ、平面視で上記第2の導体の内側に配置される第2の磁気センサと、
を備え、
上記第1の導体の一つの端部と、上記第2の導体の一つの端部が電気的に接続される電流センサ。
[項目2]
上記第1の導体の一つの端部と、上記第2の導体の一つの端部とを電気的に接続する接続部を更に備える、項目1に記載の電流センサ。
[項目3]
上記第1の導体と上記第2の導体に同一の被測定電流が流れるように、上記第1の導体と上記第2の導体とが電気的に接続されている、項目1又は2に記載の電流センサ。
[項目4]
上記第1の導体に流れる上記被測定電流によって上記第1の磁気センサの位置に印加される磁場と、上記第2の導体に流れる上記被測定電流によって上記第2の磁気センサの位置に印加される磁場が、互いに逆方向となるように、上記第1の導体と上記第2の導体とが電気的に接続される、項目3に記載の電流センサ。
[項目5]
平面視で湾曲した湾曲部を上記封止部内に有し、二つの端部が上記封止部から露出し、且つ、平面視において上記湾曲部の内側に、上記第1の導体及び上記第1の磁気センサが配置される第1の外側導体と、
平面視で湾曲した湾曲部を上記封止部内に有し、二つの端部が上記封止部から露出し、且つ、平面視において上記湾曲部の内側に、上記第2の導体及び上記第2の磁気センサが配置される第2の外側導体と、
を更に備える項目1から4の何れか一項に記載の電流センサ。
[項目6]
上記第1の導体、上記第2の導体、上記第1の外側導体及び上記第2の外側導体に同一の被測定電流が流れるように、上記第1の導体、上記第2の導体、上記第1の外側導体及び上記第2の外側導体が電気的に接続されている、項目5に記載の電流センサ。
[項目7]
上記第1の導体に流れる上記被測定電流によって上記第1の磁気センサの位置に印加される磁場と、上記第1の外側導体に流れる上記被測定電流によって上記第1の磁気センサの位置に印加される磁場が、互いに同一方向となるように、上記第1の導体と上記第1の外側導体とが電気的に接続され、
上記第2の導体に流れる上記被測定電流によって上記第2の磁気センサの位置に印加される磁場と、上記第2の外側導体に流れる上記被測定電流によって上記第2の磁気センサの位置に印加される磁場が、互いに同一方向となるように、上記第2の導体と上記第2の外側導体とが電気的に接続され、
上記第1の磁気センサの位置に印加される磁場と、上記第2の磁気センサの位置に印加される磁場とが互いに逆方向になるように、上記第1の導体及び上記第1の外側導体を含む第1の導体群と、上記第2の導体及び上記第2の外側導体を含む第2の導体群とが電気的に接続される、
項目6に記載の電流センサ。
[項目8]
上記第1の磁気センサの出力と上記第2の磁気センサの出力の差分を算出する信号処理回路を更に備える、項目1から7の何れか一項に記載の電流センサ。
[項目9]
上記第1の導体と上記第2の導体は、上記第1の磁気センサと上記第2の磁気センサとを結ぶ線分の垂直二等分線に対して互いに線対称な形状を有する、項目8に記載の電流センサ。
[項目10]
上記信号処理回路は、上記封止部に対して平面視で斜めに配置されている、項目8又は9に記載の電流センサ。
[項目11]
上記信号処理回路は、上記封止部に対して平面視で45度傾いて配置される、項目8から10の何れか一項に記載の電流センサ。
[項目12]
上記信号処理回路の2つの隣接する辺の各々と対向する位置に上記第1の磁気センサ及び上記第2の磁気センサの各々が配置され、
上記信号処理回路の上記2つの辺の各々に沿って、上記信号処理回路と上記第1の磁気センサ及び上記第2の磁気センサとの接続に用いられるセンサ接続部が配置される、
項目10又は11に記載の電流センサ。
[項目13]
上記第1の磁気センサ及び上記第2の磁気センサは、矩形であり、
上記第1の磁気センサ及び上記第2の磁気センサは、上記封止部に対して平面視で各々斜めに配置され、
上記第1の磁気センサ及び上記第2の磁気センサの各辺は、平面視で上記信号処理回路の各辺と平行に配置される、
項目10から12の何れか一項に記載の電流センサ。
[項目14]
上記第1の導体及び上記第2の導体は、直列に接続される、項目1から13の何れか一項に記載の電流センサ。
[項目15]
上記第1の導体及び上記第2の導体は、並列に接続される、項目1から13の何れか一項に記載の電流センサ。
[項目16]
上記信号処理回路を搭載するフレーム部と、
上記フレーム部の下面に固定され、上記第1の磁気センサおよび上記第2の磁気センサを搭載する絶縁部材と、
を備え、
上記第1の導体及び上記第2の導体には各々段差が設けられており、
上記第1の導体及び上記第2の導体と上記絶縁部材とは離間している、
項目8から13の何れか一項に記載の電流センサ。
[項目17]
上記第1の導体及び上記第2の導体上に配置される第1の絶縁部材を更に備え、
上記信号処理回路は、上記第1の絶縁部材上に配置される、
項目8から13の何れか一項に記載の電流センサ。
[項目18]
上記封止部内において上記第1の導体及び上記第2の導体とは分離して設けられ、平面視において上記第1の導体及び上記第2の導体を挟むように配置された突出部を有するリードフレームと、
上記突出部に接着された第2の絶縁部材と、
を更に備え、
上記第1の磁気センサ及び上記第2の磁気センサは、上記第2の絶縁部材上に載置され、
上記第2の絶縁部材と、上記第1の導体及び上記第2の導体との間には上記封止部が形成されている、
項目1から17の何れか一項に記載の電流センサ。
[項目19]
上記第1の磁気センサ、上記第2の磁気センサ及び上記信号処理回路は同一の半導体基板に形成される、項目8から13の何れか一項に記載の電流センサ。
[項目20]
上記第1の導体の二つの端部及び上記第2の導体の二つの端部は、上記封止部の同一側面において露出している、項目1から19の何れか一項に記載の電流センサ。
【符号の説明】
【0147】
10・・・封止部、20・・・導体、21・・・外側導体、22・・・段差部、24・・・端部、26・・・湾曲部、30・・・磁気センサ、32・・・リードフレーム、40・・・リードフレーム、42・・・突出部、50・・・信号処理チップ、51・・・信号処理回路、52、54・・・ワイヤ、56・・・絶縁部材、57、58・・・センサ接続部、60・・・絶縁部材、100・・・電流センサ、200・・・接続部、202、204、206、208、210、214、216、218、220、222、224、226、228、230、232、234・・・配線、240・・・第1導電路、242・・・第2導電路、244・・・第3導電路、246・・・第4導電路、250・・・第1導電路、252・・・第2導電路、254・・・第3導電路、256・・・第4導電路、260・・・第1導電路、262・・・第2導電路、264・・・第3導電路、266・・・第4導電路、268・・・第5導電路、300・・・電流センサ、400・・・電流センサ、500・・・電流センサ、540・・・フレーム部、532・・・端子部、541・・・本体部、542・・・第1伸張部、544・・・第2伸張部、546・・・デバイス端子