発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、高インピーダンス状態にある素子の周縁の一部、又は、高インピーダンス状態の回路部の周縁の一部分に近接してグランドに接続された結合低減用配線を配することで、高周波回路と制御回路の電磁的な結合を、簡易に抑圧、低減可能となり、高周波信号との干渉影響による特性劣化や不具合の発生を確実に防止することができ、従来に比してより信頼性の高い高周波半導体集積回路を提供することができるという効果を奏するものである。
また、結合低減用配線は、必ずしも確実に極めて低いインピーダンスに維持されなくとも、高インピーダンスの素子や高インピーダンスの回路に比して、十分低ければ十分に効果が発揮され、しかも、必要とされるレアウト面積は最小限で済み、そのため、チップレイアウトの大幅な増加を招くことなく、良好な費用対効果が期待できる。
さらに、従来と異なり、回路全体を覆うようなグランドパターンを用いる必要がないため、制御回路の他の特性に影響を与えることなく、高周波回路と制御回路の電磁的な結合を確実に抑圧、低減することができる。