発明の名称 窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板の製造装置及び窒化物半導体デバイス
出願人 国立大学法人三重大学 (識別番号 304026696)
特許公開件数ランキング 1387 位(10件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 1236 位(10件)(共同出願を含む)
出願人 国立大学法人大阪大学 (識別番号 504176911)
特許公開件数ランキング 339 位(79件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 243 位(61件)(共同出願を含む)
公報番号 特許-7100309
公報発行日 2022年7月13
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7100309
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