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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-02
(45)【発行日】2022-09-12
(54)【発明の名称】半導体膜、成膜方法及び成膜装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/365 20060101AFI20220905BHJP
H01L 21/368 20060101ALI20220905BHJP
C23C 16/40 20060101ALI20220905BHJP
C23C 16/448 20060101ALI20220905BHJP
C30B 25/14 20060101ALI20220905BHJP
C30B 29/24 20060101ALI20220905BHJP
【ＦＩ】
H01L21/365
H01L21/368 Z
C23C16/40
C23C16/448
C30B25/14
C30B29/24
【請求項の数】
23
(21)【出願番号】P 2021047355
(22)【出願日】2021-03-22
(62)【分割の表示】P 2018236960の分割
【原出願日】2018-12-19
(65)【公開番号】P2021101482
(43)【公開日】2021-07-08
【審査請求日】2021-03-22
(73)【特許権者】
【識別番号】000002060
【氏名又は名称】信越化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100102532
【弁理士】
【氏名又は名称】好宮 幹夫
(74)【代理人】
【識別番号】100194881
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 俊弘
(72)【発明者】
【氏名】橋上 洋
(72)【発明者】
【氏名】渡部 武紀
【審査官】長谷川 直也
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－０７０４２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０７２４６３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０８２１４４（ＪＰ，Ａ）
【文献】AKAIWA, Kazuaki and FUJITA, Shizuo，Electrical Conductive Corundum-Structured α-Ga2O3 Thin Films on Sapphire with Tin-Doping Grown by Spray-Assisted Mist Chemical Vapor Deposition，Japanese Journal of Applied Physics，日本，The Japan Society of Applied Physics，2012年06月14日，Vol. 51，pp. 070203-1～070203-3
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３６５
Ｈ０１Ｌ ２１／３６８
Ｃ２３Ｃ １６／４０
Ｃ２３Ｃ １６／４４８
Ｃ３０Ｂ ２５／１４
Ｃ３０Ｂ ２９／２４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ドーパントを含有しコランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む半導体膜であって、前記酸化物半導体に含まれるＳｉ濃度が５×１０１４ｃｍ－３以下であることを特徴とする半導体膜。
【請求項2】
前記半導体膜の抵抗率が１５０ｍΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体膜。
【請求項3】
前記半導体膜の抵抗率が２０ｍΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体膜。
【請求項4】
前記半導体膜の主面がｃ面であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体膜。
【請求項5】
前記ドーパントがＳｎ、Ｇｅ又はＳｉから選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体膜。
【請求項6】
前記ドーパントがＳｎであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体膜。
【請求項7】
前記半導体膜におけるキャリア移動度が２０ｃｍ２／Ｖｓ以上であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体膜。
【請求項8】
前記半導体膜におけるキャリア密度が１．０×１０１８／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体膜。
【請求項9】
前記酸化物半導体がＧａ、Ｉｎ又はＡｌを含むものであることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体膜。
【請求項10】
前記酸化物半導体が少なくともＧａを含むものであることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体膜。
【請求項11】
結晶基板と、該結晶基板の主表面上に設けられ、ドーパントを含有しコランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む半導体膜とを含む積層体であって、前記半導体膜として請求項１から１０のいずれか一項に記載の半導体膜を備えることを特徴とする積層体。
【請求項12】
半導体膜と電極とを少なくとも含む半導体装置であって、前記半導体膜として請求項１から１０のいずれか一項に記載の半導体膜を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項13】
積層体と電極とを少なくとも含む半導体装置であって、前記積層体として請求項１１に記載の積層体の少なくとも一部を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項14】
請求項１２又は１３に記載の半導体装置を含むことを特徴とする半導体システム。
【請求項15】
少なくともミスト化した金属酸化物前駆体とキャリアガスとドーパントを含む混合気を形成するステップと、前記混合気を、搬送部を経由して成膜部の成膜室内へ搬送するステップと、
前記成膜部で前記混合気を熱反応させて、基板上に半導体膜を形成するステップとを含む成膜方法であって、
少なくとも前記搬送部における前記混合気と接触する面を、非シリコーン系樹脂とし、
前記成膜部における成膜室を、金属又は炭化シリコンからなるものとし、
前記搬送部において、前記混合気と接触する面が非シリコーン系樹脂、外側がシリコーン系樹脂の配管を用いることを特徴とする成膜方法。
【請求項16】
前記成膜室をアルミニウム又はステンレスからなるものとすることを特徴とする請求項１５に記載の成膜方法。
【請求項17】
前記非シリコーン系樹脂は、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ウレタン樹脂、フッ素樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ナイロン、アセタール樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトンのいずれか１つ以上を含むものであることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の成膜方法。
【請求項18】
前記非シリコーン系樹脂はフッ素樹脂を含むものであることを特徴とする請求項１５から１７のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項19】
原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト化部と、前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、
前記ミストを熱反応させて基板上に成膜を行う成膜部と、
前記ミスト化部と前記成膜部とを接続し、前記キャリアガスによって前記ミストが搬送される搬送部とを有する成膜装置であって、
前記搬送部は、少なくとも前記ミストと接触する面が非シリコーン系樹脂とされているものであり、少なくとも前記ミストと接触する面が非シリコーン系樹脂、外側がシリコーン系樹脂の配管であり、
前記成膜部は、金属又は炭化シリコンからなる成膜室を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項20】
前記成膜室がアルミニウム又はステンレスからなるものであることを特徴とする請求項１９に記載の成膜装置。
【請求項21】
少なくともミスト化した金属酸化物前駆体とキャリアガスとドーパントを含む混合気を形成するステップと、前記混合気を、搬送部を経由して成膜部へ搬送するステップと、
前記成膜部で前記混合気を熱反応させて、基板上に半導体膜を形成するステップとを含む成膜方法であって、
少なくとも前記搬送部における前記混合気と接触する面を、非シリコーン系樹脂とし、
前記搬送部において、前記混合気と接触する面が非シリコーン系樹脂、外側がシリコーン系樹脂の配管を用い、
前記混合気を形成するステップにおけるドーパントとして少なくともＳｉを用い、
前記半導体に含まれるＳｉ濃度が５．０×１０２０ｃｍ－３以下となるように成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項22】
前記非シリコーン系樹脂は、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ウレタン樹脂、フッ素樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ナイロン、アセタール樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトンのいずれか１つ以上を含むものであることを特徴とする請求項２１に記載の成膜方法。
【請求項23】
前記非シリコーン系樹脂はフッ素樹脂を含むものであることを特徴とする請求項２１又は２２に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コランダム構造を有する半導体膜を含む積層体、半導体膜の成膜方法、及び、成膜装置に関する。
【背景技術】
【0002】
高耐圧、低損失及び高耐熱を実現できる次世代のスイッチング素子として、バンドギャップの大きな酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を用いた半導体装置が注目されており、インバータなどの電力用半導体装置や、受発光素子への応用が期待されている。
【0003】
近年、ミスト化（霧化）されたミスト状の原料を用いて、基板上に結晶成長させるミスト化学気相成長法（Ｍｉｓｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：Ｍｉｓｔ ＣＶＤ。以下、「ミストＣＶＤ法」ともいう。）が開発され、コランダム構造を有する酸化ガリウム（α－酸化ガリウム、α－Ｇａ２Ｏ３ともいう）の作製が可能となってきた（特許文献１）。この方法では、ガリウムアセチルアセトナートなどのガリウム化合物を塩酸などの酸に溶解して前駆体とし、この前駆体を霧化することによって原料微粒子を生成し、この原料微粒子とキャリアガスと混合した混合気をサファイアなどコランダム構造の基板の表面に供給し、原料ミストを反応させることで基板上に単一配向した酸化ガリウム薄膜をエピタキシャル成長させている。
【0004】
α－酸化ガリウムをデバイスとして用いるためには、電荷キャリアを付与するための不純物ドーピングが必要である。α－酸化ガリウムへのドーピングには、歴史的に古いβ－Ｇａ２Ｏ３に倣い、ＧｅやＳｉ又はＳｎが適用できることがわかっている。例えば、特許文献１には、ｃ面サファイア基板上にＳｎをドーピングした導電性α－酸化ガリウム薄膜を形成し、最小で電気抵抗率２０００ｍΩ・ｃｍを得たことが記載されている。また、特許文献２では、ｃ面サファイア基板上にＧｅをドーピングしたα－酸化ガリウム薄膜が記載されている。また、非特許文献１には、ｃ面サファイア基板上にＳｎをドーピングしたα－酸化ガリウム薄膜を形成し、電気抵抗率２００ｍΩ・ｃｍを得たことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１３－０２８４８０号公報
【文献】特開２０１５－２２８４９５号公報
【非特許文献】
【0006】
【文献】Ｃｈｉｋｏｉｄｚｅ， Ｅ．， ｅｔ ａｌ． “Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ， ｏｐｔｉｃａｌ， ａｎｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｓｎ ｄｏｐｅｄ α－Ｇａ２Ｏ３ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ．”， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ １２０．２ （２０１６）： ０２５１０９．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、これら上記特許文献及び非特許文献に記載のα－酸化ガリウムの電気抵抗率は、半導体特性としてはまだ不十分であり、高性能な半導体装置を形成することが困難であった。
【0008】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、低抵抗のコランダム構造を有する半導体を含む積層体を提供すること、低抵抗のコランダム構造を有する半導体膜を得ることが可能な成膜方法を提供すること、及び、低抵抗のコランダム構造を有する半導体膜を得ることが可能な成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、結晶基板と該結晶基板の主表面上に設けられ、ドーパントを含有しコランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む半導体膜とを含む積層体であって、前記酸化物半導体に含まれるＳｉ濃度が５．０×１０２０ｃｍ－３以下であり、前記半導体膜の抵抗率が１５０ｍΩ・ｃｍ以下である積層体を提供する。
【0010】
このような積層体によれば、半導体デバイス用途に適した低い抵抗率を有するものとなる。
【0011】
このとき、前記半導体膜の抵抗率が２０ｍΩ・ｃｍ以下である積層体とすることができる。
【0012】
これにより、半導体デバイス用途により適した低い抵抗率を有するものとなる。
【0013】
このとき、前記半導体膜の主面がｃ面である積層体とすることができる。
【0014】
これにより、電気特性がさらに向上したものとなる。
【0015】
このとき、前記ドーパントがＳｎ、Ｇｅ又はＳｉから選択される少なくとも１つである積層体とすることができ、さらに、前記ドーパントがＳｎである積層体とすることができる。
【0016】
これにより、電気特性がより向上したものとなる。
【0017】
このとき、前記半導体膜におけるキャリア移動度が２０ｃｍ２／Ｖｓ以上、キャリア密度が１．０×１０１８／ｃｍ３以上である積層体とすることができる。
【0018】
これにより、電気特性がより向上したものとなる。
【0019】
このとき、前記酸化物半導体がＧａ、Ｉｎ又はＡｌを含むものである積層体とすることができ、さらに、前記酸化物半導体が少なくともＧａを含むものである積層体とすることができる。
【0020】
これにより、高耐圧、低損失及び高耐熱等、高性能な特性を有する半導体装置に適用可能なものとなる。
【0021】
このとき、半導体と電極とを少なくとも含む半導体装置であって、前記半導体として上記積層体の少なくとも一部を備える半導体装置とすることができ、さらに、前記半導体装置を含む半導体システムとすることができる。
【0022】
これにより、高耐圧、低損失及び高耐熱等、高性能な特性を有する半導体装置、半導体システムとなる。
【0023】
また、少なくともミスト化した金属酸化物前駆体とキャリアガスとドーパントを含む混合気を形成するステップと、前記混合気を、搬送部を経由して成膜部へ搬送するステップと、前記成膜部で前記混合気を熱反応させて、基板上に半導体膜を形成するステップとを含む成膜方法であって、少なくとも前記搬送部における前記混合気と接触する面を、非シリコーン系樹脂とする成膜方法を提供する。
【0024】
このような成膜方法によれば、半導体デバイス用途に適した低い抵抗率を有する半導体膜を成膜できる。
【0025】
このとき、前記非シリコーン系樹脂は、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ウレタン樹脂、フッ素樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ナイロン、アセタール樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトンのいずれか１つ以上を含むものである成膜方法とすることができる。
【0026】
これにより、より確実に安定して半導体デバイス用途に適した低い抵抗率を有する半導体膜を成膜できる。
【0027】
このとき、前記非シリコーン系樹脂はフッ素樹脂を含むものである成膜方法とすることができる。
【0028】
これにより、さらに確実に安定して半導体デバイス用途に適した低い抵抗率を有する半導体膜を成膜できる。
【0029】
また、原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト化部と、前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、前記ミストを熱反応させて基板上に成膜を行う成膜部と、前記ミスト化部と前記成膜部とを接続し、前記キャリアガスによって前記ミストが搬送される搬送部とを有する成膜装置であって、前記搬送部は、少なくとも前記ミストと接触する面が非シリコーン系樹脂とされているものである成膜装置を提供する。
【0030】
このような成膜装置によれば、半導体デバイス用途に適した低い抵抗率を有する半導体膜を成膜できるものとなる。
【発明の効果】
【0031】
以上のように、本発明によれば、優れた電気特性を有する高品質なコランダム構造の半導体を有する積層体を提供できる。また、本発明によれば、優れた電気特性を有する高品質なコランダム構造の半導体を容易かつ低コストで生産できる。また、本発明によれば、優れた電気特性を有する高品質なコランダム構造の半導体を容易かつ低コストで生産可能な成膜装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】本発明に係る積層体の構造の一形態を示す図である。
【図2】本発明に係る積層体の構造の別の形態を示す図である。
【図3】ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の一例を模式的に示す図である。
【図4】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の一例を模式的に示す図である。
【図5】金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の一例を模式的に示す図である。
【図6】絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の一例を模式的に示す図である。
【図7】発光素子（ＬＥＤ）の一例を模式的に示す図である。
【図8】発光素子（ＬＥＤ）の他の例を模式的に示す図である。
【図9】電源システムの一例を模式的に示す図である。
【図10】システム装置の一例を模式的に示す図である。
【図11】電源装置の電源回路図の一例を模式的に示す図である。
【図12】本発明に係る積層体の製造に用いるミストＣＶＤ装置の一形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0033】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0034】
上述のように、半導体デバイス用途に適した低抵抗のコランダム構造を有する半導体を含む積層体、低抵抗のコランダム構造を有する半導体膜を得ることが可能な成膜方法、及び、低抵抗のコランダム構造を有する半導体膜を得ることが可能な成膜装置が求められていた。
【0035】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、結晶基板と該結晶基板の主表面上に設けられ、ドーパントを含有しコランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む半導体膜とを含む積層体であって、前記酸化物半導体に含まれるＳｉ濃度が５．０×１０２０ｃｍ－３以下であり、前記半導体膜の抵抗率が１５０ｍΩ・ｃｍ以下である積層体により、半導体デバイス用途に適した低い抵抗率を有するものとなることを見出し、本発明を完成した。
【0036】
また、本発明者らは、少なくともミスト化した金属酸化物前駆体とキャリアガスとドーパントを含む混合気を形成するステップと、前記混合気を、搬送部を経由して成膜部へ搬送するステップと、前記成膜部で前記混合気を熱反応させて、基板上に半導体膜を形成するステップとを含む成膜方法であって、少なくとも前記搬送部における前記混合気と接触する面を、非シリコーン系樹脂とする成膜方法により、半導体デバイス用途に適した低抵抗の半導体膜を成膜できることを見出し、本発明を完成した。
【0037】
さらに、本発明者らは、原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト化部と、前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、前記ミストを熱反応させて基板上に成膜を行う成膜部と、前記ミスト化部と前記成膜部とを接続し、前記キャリアガスによって前記ミストが搬送される搬送部とを有する成膜装置であって、前記搬送部は、少なくとも前記ミストと接触する面が非シリコーン系樹脂とされているものである成膜装置により、半導体デバイス用途に適した低抵抗の半導体膜を成膜できるものとなることを見出し、本発明を完成した。
【0038】
上述のように、従来の方法でα－酸化ガリウム等のコランダム構造を有する半導体膜を形成しても、低抵抗率の半導体膜を得ることができなかった。この原因について、本発明者が鋭意調査した結果、半導体膜中に含まれるＳｉが、低抵抗化を妨げていることを見出した。
【0039】
発明者らは、半導体膜中のＳｉ濃度が５．０×１０２０ｃｍ－３を超えると、半導体の電気伝導が著しく低下し、抵抗率が２００ｍΩ・ｃｍを下回らなくなることを、初めて見出した。すなわち、半導体膜中のＳｉ濃度を５．０×１０２０ｃｍ－３以下とすることにより、半導体膜の抵抗率を１５０ｍΩ・ｃｍ以下とでき、半導体用途に適したコランダム構造を有する半導体膜となることを見出した。より低い抵抗率とする場合には、Ｓｉ濃度を３．０×１０２０ｃｍ－３以下とすることが好ましい。
【0040】
この現象に対する物理的説明は今のところ明らかではないが、多量に混入したＳｉによって、エネルギーバンド間に欠陥が形成されて電荷キャリアの伝導を阻害しているか、又は、ドーパントが不活化して電荷キャリアの生成そのものが阻害されていると考えられる。
【0041】
以下、図面を参照しながら説明する。
【0042】
（積層体）
図１は、本発明に係る積層体の一形態を示す図である。積層体１００は結晶基板１０１と、結晶基板１０１上に直接形成された半導体膜１０２を備える。
図１は、本発明に係る積層体の一形態を示す図である。積層体１００は結晶基板１０１と、結晶基板１０１上に直接形成された半導体膜１０２を備える。
【0043】
（半導体膜）
半導体膜１０２は、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含み、さらにドーパントを含む酸化物半導体膜であって、Ｓｉ濃度が５．０×１０２０ｃｍ－３以下、より好ましくは３．０×１０２０ｃｍ－３以下であり、抵抗率が１５０ｍ・Ωｃｍ以下、より好ましくは２０ｍ・Ωｃｍ以下であるのがよい。なお、「酸化物半導体を主成分とし」との表現においては、酸化物半導体のほかに、ドーパントや不可避的不純物等が含まれていてもよいことを意味しており、例えば、酸化物半導体が概ね５０％以上含まれているものを指す。
半導体膜１０２は、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含み、さらにドーパントを含む酸化物半導体膜であって、Ｓｉ濃度が５．０×１０２０ｃｍ－３以下、より好ましくは３．０×１０２０ｃｍ－３以下であり、抵抗率が１５０ｍ・Ωｃｍ以下、より好ましくは２０ｍ・Ωｃｍ以下であるのがよい。なお、「酸化物半導体を主成分とし」との表現においては、酸化物半導体のほかに、ドーパントや不可避的不純物等が含まれていてもよいことを意味しており、例えば、酸化物半導体が概ね５０％以上含まれているものを指す。
【0044】
また、半導体膜１０２における電荷キャリアの移動度は、２０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるのが好ましく、４０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるのがより好ましく、５０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるのが最も好ましい。前記移動度は、ホール効果測定にて得られる移動度をいう。
【0045】
さらに本発明においては、前記半導体膜１０２のキャリア密度が、１．０×１０１８／ｃｍ３以上であるのも好ましい。前記キャリア密度は、ホール効果測定にて得られる半導体膜１０２中のキャリア密度をいう。
【0046】
また半導体膜１０２の主面はｃ面が好ましい。ｃ面は結晶性を向上させることが比較的容易であり、結果として電気特性をさらに向上させることができるためである。
【0047】
また、半導体膜１０２は、酸化物半導体中の金属成分として、少なくともＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉのいずれかを含むのが好ましく、Ｇａを主成分とすることが最も好ましい。なお、ここでいう「主成分」とは、例えば酸化物半導体がα－酸化ガリウムである場合、膜中の金属元素中のガリウムの原子比が０．５以上の割合でα－酸化ガリウムが含まれていればよい。本発明においては、前記膜中の金属元素中のＧａの原子比が０．７以上であることが好ましく、０．８以上であるのがより好ましい。
【0048】
また、半導体膜１０２の厚さは、特に限定されない。また、前記半導体膜１０２の主面の形状等は特に限定されず、四角形状（正方形状、長方形状を含む）であっても、円形状（半円形状を含む）であっても、多角形状であってもよい。前記半導体膜１０２の表面積は、特に限定されず、３ｍｍ角に相当する面積以上であるのが好ましく、５ｍｍ角に相当する面積以上であるのがより好ましい。円形の基板に形成する場合は、直径５０ｍｍ以上であるのが最も好ましい。半導体膜１０２は、膜表面の光学顕微鏡による観察において、中心３ｍｍ角領域にクラックを有しないものが好ましく、中心５ｍｍ角領域にクラックを有しないものがより好ましく、中心９．５ｍｍ角領域にクラックを有しないものが最も好ましい。また、半導体膜１０２は、単結晶であってもよいし、多結晶膜であってもよいが、単結晶膜が好ましい。
【0049】
半導体膜１０２は、ドーパントを含んでいるが、前記ドーパントは特に限定されず、公知のものであってよい。前記ドーパントとしては、例えば、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｐｂ等のｎ型ドーパント、又は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｈなどのｐ型ドーパントなどが挙げられる。本発明においては、前記ドーパントとして、Ｓｎ、Ｇｅ又はＳｉが適用でき、Ｓｎ又はＧｅがより好ましく、Ｓｎが最も好ましい。ドーパントにＳｎ又はＧｅを用いる場合の半導体膜中における含有量は、１×１０１６ｃｍ－３から１×１０２２ｃｍ－３とでき、１×１０１８ｃｍ－３から１×１０２１ｃｍ－３とするのが好ましい。このような範囲であれば、半導体デバイス用途により適した低い抵抗値、優れた電気特性を有する半導体膜１０２となる。
【0050】
本発明は、半導体膜中に含まれるＳｉを、所定の範囲とすることに特徴があるが、上記の通りＳｉをドーパントとして使用することも可能である。ドーパントとしてＳｉを用いる場合の半導体膜中におけるＳｉの含有量の下限値は、１×１０１６ｃｍ－３とすることが好ましい。Ｓｉの含有量は、１×１０１８ｃｍ－３から３×１０２０ｃｍ－３がより好ましい。このような範囲であれば、抵抗率の増加を抑制し、十分な電気特性が得られるものとなるとともに、半導体デバイス用途により適した低い抵抗値、優れた電気特性を有する半導体膜１０２とすることができる。
【0051】
（基板）
一方、基板１０１は、その上にコランダム構造を有する酸化物半導体膜が形成できる結晶基板であれば、特に限定されない。主面の全部又は一部にコランダム構造を有している基板を用いることが好ましい。結晶成長面側の主面の全部又は一部にコランダム構造を有している基板であるのがより好ましく、結晶成長面側の主面の全部にコランダム構造を有している基板であればさらに好ましい。具体的には、α－Ａｌ２Ｏ３（サファイア基板）又はα－酸化ガリウムが好適に用いられる。また、本発明においては、前記主面がｃ面であれば、より電気特性を向上させることができるので好ましい。また、基板１０１は、主面の結晶面がオフ角を有していてもよい。この場合、一般的にオフ角を０．１°～１０．０°とするのが良い。
一方、基板１０１は、その上にコランダム構造を有する酸化物半導体膜が形成できる結晶基板であれば、特に限定されない。主面の全部又は一部にコランダム構造を有している基板を用いることが好ましい。結晶成長面側の主面の全部又は一部にコランダム構造を有している基板であるのがより好ましく、結晶成長面側の主面の全部にコランダム構造を有している基板であればさらに好ましい。具体的には、α－Ａｌ２Ｏ３（サファイア基板）又はα－酸化ガリウムが好適に用いられる。また、本発明においては、前記主面がｃ面であれば、より電気特性を向上させることができるので好ましい。また、基板１０１は、主面の結晶面がオフ角を有していてもよい。この場合、一般的にオフ角を０．１°～１０．０°とするのが良い。
【0052】
ここで、オフ角とは、半導体膜又は基板の主面（表面）の法線ベクトルと低指数面の法線ベクトルとがなす角の小さい方の角度を示す。なお、本発明では、半導体膜又は基板の主面（表面）の法線ベクトルとＳＥＭＩ Ｍ６５－０３０６の図１に規定されている結晶面（例えば、ｃ面、ａ面、ｍ面、ｒ面）の法線ベクトルとが為す角を比較し、最も小さい角度を有する面を低指数面という。本発明においては、基板１０１がオフ角を有する場合、ｃ面を主面とすることが好ましい。
【0053】
基板１０１の形状は、板状であって、半導体膜１０２の支持体となるものであれば特に限定されない。また、略円形状（例えば、円形、楕円形など）であってもよいし、多角形状（例えば、３角形、正方形、長方形、５角形、６角形、７角形、８角形、９角形など）であってもよく、様々な形状を好適に用いることができる。本発明においては、基板１０１の形状を所望の形状にすることにより、半導体膜１０２の形状を設定することができる。また、本発明においては、直径５０ｍｍ以上、より好ましくは直径１００ｍｍ大面積の基板を用いることもでき、このような大面積の基板を用いることによって、半導体膜１０２の面積を大きくすることができる。また、基板１０１の厚さは、特に限定されないが、０．３ｍｍから３ｍｍのものが好適であり、０．４から１ｍｍのものがより好ましい。このような範囲の厚さであれば、反りが比較的小さいものとなるとともに、半導体膜等の成膜時の温度低下を抑制でき結晶性がより安定して高いものとなる。
【0054】
図１には、半導体膜１０２が結晶基板１０１上へ直接形成された例を示したが、半導体膜１０２は基板上に形成された他の層上に形成されてもよい。図２に示す積層体２００は、結晶基板２０１と半導体膜２０２との間に、中間層として応力緩和層２０３が設けられている例である。これにより結晶基板２０１と半導体膜２０２の格子不整合を緩和し、半導体膜２０２の結晶性が高くなるため、電気特性をより向上させることができる。
【0055】
例えば、α－Ａｌ２Ｏ３基板上にα－酸化ガリウム膜を形成する場合、応力緩和層２０３として、例えば、α－Ｆｅ２Ｏ３、α－Ｇａ２Ｏ３、α－Ａｌ２Ｏ３及びこれらの混晶などが好適に用いられる。このとき、応力緩和層２０３の格子定数を、応力緩和層２０３の成長方向に向けて、結晶基板２０１の格子定数に近い又は同じ程度から、半導体膜２０２の格子定数に近い又は同程度の値へと連続的あるいは段階的に変化させることが好ましい。即ち、応力緩和層２０３を（ＡｌｘＧａ１－ｘ）２Ｏ３（０≦ｘ≦１）で形成し、基板２０１側から半導体２０２側へ向かってｘ値を小さくしていくのが良い。
【0056】
応力緩和層２０３の形成方法は特に限定されず、公知の方法であってよく、半導体膜２０２の形成方法と同様であってもよい。なお、応力緩和層２０３はドーパントを含んでいても良いし、含んでいなくても良い。
【0057】
本発明に係る半導体膜は、低抵抗であるだけでなく、電気特性にも優れ、工業的に有用なものである。このような半導体膜は、半導体装置等に好適に用いることができ、とりわけ、パワーデバイスに有用である。例えば、本発明に係る半導体膜は、半導体装置のｎ型半導体層（ｎ＋型半導体層、ｎ－型半導体層を含む）に用いることが可能である。また、本発明に係る積層体を、そのままで用いてもよいし、半導体膜を結晶基板等から剥離する等の公知の手段を用いた後に、半導体装置等に適用してもよい。
【0058】
また、半導体装置は、電極が半導体層の片面側に形成された横型の素子（横型デバイス）と、半導体層の表裏両面側にそれぞれ電極を有する縦型の素子（縦型デバイス）に分類することができるが、本発明に係る積層体の少なくとも一部は、横型デバイスにも縦型デバイスにも好適に用いることができる。特に、縦型デバイスに用いることが好ましい。
【0059】
前記半導体装置としては、例えば、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、接合電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）又は発光素子（発光ダイオード、ＬＥＤ）などが挙げられる。
【0060】
以下に、本発明に係る積層体又は半導体膜を、ｎ型半導体（ｎ＋型半導体層やｎ－半導体層等）に適用して半導体装置とした場合の好適な例を、図面を用いて説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。なお、以下に例示する半導体装置において、仕様や目的に応じて、さらに他の層（例えば絶縁体層や導体層）などが含まれていてもよいし、また、中間層や緩衝層（バッファ層）などは適宜、追加、省略してもよいことはいうまでもない。
【0061】
図３は、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の一例である。ＳＢＤ３００は、相対的に低濃度のドーピングを施したｎ－型半導体層３０１ａ、相対的に高濃度のドーピングを施したｎ＋型半導体層３０１ｂ、ショットキー電極３０２及びオーミック電極３０３を備えている。
【0062】
ショットキー電極３０２及びオーミック電極３０３の材料は、公知の電極材料であってよく、前記電極材料としては、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｗ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、ＮｄもしくはＡｇ等の金属又はこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化レニウム、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン又はポリピロ－ルなどの有機導電性化合物、又はこれらの混合物並びに積層体などが挙げられる。
【0063】
ショットキー電極３０２及びオーミック電極３０３の形成は、例えば、真空蒸着法又はスパッタリング法などの公知の手段により行うことができる。より具体的には、例えば、前記電極材料のうち２種類（第１の金属と第２の金属）を用いてショットキー電極を形成する場合、第１の金属からなる層と第２の金属からなる層を積層させ、第１の金属からなる層及び第２の金属からなる層に対して、フォトリソグラフィの手法を利用したパターニングを施すことにより形成することができる。
【0064】
ＳＢＤ３００に逆バイアスが印加された場合には、空乏層（図示せず）がｎ－型半導体層３０１ａの中に広がるため、高耐圧のＳＢＤ３００となる。また、順バイアスが印加された場合には、オーミック電極３０３からショットキー電極３０２へ電子が流れる。したがって、本発明に係る積層体又は半導体膜を適用したＳＢＤは、高耐圧・大電流用に優れており、スイッチング速度も速く、耐圧性・信頼性にも優れたものとなる。
【0065】
図４は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の一例である。ＨＥＭＴ４００は、バンドギャップの広いｎ型半導体層４０１、バンドギャップの狭いｎ型半導体層４０２、ｎ＋型半導体層４０３、半絶縁体層４０４、緩衝層４０５、ゲート電極４０６、ソース電極４０７及びドレイン電極４０８を備えている。
【0066】
図５は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の一例である。ＭＯＳＦＥＴ５００はｎ－型半導体層５０１、ｎ＋型半導体層５０２及び５０３、ゲート絶縁膜５０４、ゲート電極５０５、ソース電極５０６及びドレイン電極５０７を備えている。
【0067】
図６は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の一例である。ＩＧＢＴ６００は、ｎ型半導体層６０１、ｎ－型半導体層６０２、ｎ＋型半導体層６０３、ｐ型半導体層６０４、ゲート絶縁膜６０５、ゲート電極６０６、エミッタ電極６０７及びコレクタ電極６０８を備えている。
【0068】
図７は、発光素子（発光ダイオード、ＬＥＤ）の一例である。ＬＥＤ７００は、第１の電極７０１、ｎ型半導体層７０２、発光層７０３、ｐ型半導体層７０４、透光性電極７０５、第２の電極７０６を備えている。
【0069】
透光性電極７０５の材料としては、Ｉｎ又はＴｉを含む酸化物の導電性材料などが挙げられる。より具体的には、例えば、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＣｅＯ２又はこれらの２以上の混晶又はこれらにドーピングされたものなどが挙げられる。これらの材料を、スパッタリング等の公知の手段で設けることによって、透光性電極７０５を形成できる。また、透光性電極７０５を形成した後に、透光性電極７０５の透明化を目的とした熱アニールを施してもよい。
【0070】
第１の電極７０１及び第２の電極７０６の材料としては、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｗ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、ＮｄもしくはＡｇ等の金属又はこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化レニウム、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン又はポリピロ－ルなどの有機導電性化合物、又は、これらの混合物などが挙げられる。電極の成膜法は特に限定されることはなく、印刷方式、スプレー法、コ－ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ－ティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、材料との適性等を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。
【0071】
また、発光素子（発光ダイオード、ＬＥＤ）の別の態様を図８に示す。図８の発光素子８００は、基板８０６上に、ｎ型半導体層８０１、ｐ型半導体層８０２、発光層８０３、透光性電極８０５、第１の電極８０４ａと、ｎ型半導体層８０１の一部を切り欠くことによって露出したｎ型半導体層８０１の露出面上の一部に第２の電極８０４ｂが設けられている。
【0072】
以上に例示した半導体装置の一部は、例えば電源装置を用いたシステム等に用いられる。前記電源装置は、公知の手段を用いて、前記半導体装置を配線パターン等に接続するなどして作製することができる。
【0073】
図９に電源システムの例を示す。図９は、複数の電源装置と制御回路を用いて電源システムを構成している。前記電源システムは、図１０に示すように、電子回路と組み合わせてシステム装置に用いることができる。なお、電源装置の電源回路図の一例を、図１１に示す。図１１は、パワー回路と制御回路からなる電源装置の電源回路を示しており、インバータ（ＭＯＳＦＥＴ：Ａ～Ｄで構成）によりＤＣ電圧を高周波でスイッチングしＡＣへ変換後、トランスで絶縁及び変圧を実施し、整流ＭＯＳＦＥＴ（Ａ～Ｂ）で整流後、ＤＣＬ（平滑用コイルＬ１，Ｌ２）とコンデンサにて平滑化し、直流電圧を出力する。この時に電圧比較器で出力電圧を基準電圧と比較し、所望の出力電圧となるようＰＷＭ制御回路でインバータ及び整流ＭＯＳＦＥＴを制御する。
【0074】
【0075】
（成膜装置）
図１２に、本発明に係る積層体の製造方法に用いる装置の一例を示す。本発明に係る積層体の製造において、半導体膜の成膜には、成膜装置としてミストＣＶＤ装置９００を用いる。
図１２に、本発明に係る積層体の製造方法に用いる装置の一例を示す。本発明に係る積層体の製造において、半導体膜の成膜には、成膜装置としてミストＣＶＤ装置９００を用いる。
【0076】
ここで、本発明でいうミストとは、気体中に分散した液体の微粒子の総称を指し、霧、液滴等と呼ばれるものを含む。
【0077】
ミストＣＶＤ装置９００は、原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト化部９Ａと、前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部９Ｂと、前記ミストを熱反応させて基板上に成膜を行う成膜部９Ｃと、前記ミスト化部９Ｂと前記成膜部９Ｃとを接続し、前記キャリアガスによって前記ミストが搬送される搬送部９Ｄとを有する。
【0078】
（搬送部）
まず、ミスト化部９Ａと成膜部９Ｃとを接続する搬送部９Ｄについて説明する。本発明に係る成膜装置においては、搬送部の、少なくとも混合気中のミストと接触する面が非シリコーン系樹脂とされる点に特徴を有する。上述のように、半導体膜中のＳｉが低抵抗率化の障害となっていることを見出した本発明者が鋭意検討を行った結果、成膜装置において、原料がミスト化され、成膜部で反応するまでの間に、成膜装置を構成する部品と接触することで、半導体膜中にＳｉを取り込んでいることを発見した。そこで、ミスト化部９Ａと成膜部９Ｃとを接続する搬送部９Ｄにおける、混合気中のミストが接触する面（部分）を、Ｓｉ非含有材料、特に、非シリコーン系樹脂とすることで、半導体膜の成膜を行ったときにＳｉの取り込みを抑制できることを見出した。
まず、ミスト化部９Ａと成膜部９Ｃとを接続する搬送部９Ｄについて説明する。本発明に係る成膜装置においては、搬送部の、少なくとも混合気中のミストと接触する面が非シリコーン系樹脂とされる点に特徴を有する。上述のように、半導体膜中のＳｉが低抵抗率化の障害となっていることを見出した本発明者が鋭意検討を行った結果、成膜装置において、原料がミスト化され、成膜部で反応するまでの間に、成膜装置を構成する部品と接触することで、半導体膜中にＳｉを取り込んでいることを発見した。そこで、ミスト化部９Ａと成膜部９Ｃとを接続する搬送部９Ｄにおける、混合気中のミストが接触する面（部分）を、Ｓｉ非含有材料、特に、非シリコーン系樹脂とすることで、半導体膜の成膜を行ったときにＳｉの取り込みを抑制できることを見出した。
【0079】
搬送部９Ｄの構造は特に限定されないが、配管を採用することが最も容易である。このとき、ミストが接触する面が非シリコーン系樹脂とされていればよい。外側にシリコーン系樹脂等のシリコン含有材料を使用し、ミストが接触する内面のみを非シリコーン系樹脂とすることも可能である。
【0080】
搬送部９Ｄとして搬送配管９０３、９０６を採用した場合、搬送配管９０３、９０６の素材は、非シリコーン系樹脂である限り、前駆体の溶媒や反応器と搬送配管の取り合いにおける温度などにより適宜選択可能である。本発明に係る成膜装置においては、樹脂製の配管を用いることが好ましい。樹脂製の配管は、可撓性であり、取り扱いや、成膜装置全体のデザインが容易となる。
【0081】
樹脂製の配管の具体的な材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ウレタン樹脂、フッ素樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ナイロン、アセタール樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトンが好適に用いることができる。特にフッ素樹脂を用いるのがより好ましい。これらの樹脂を搬送部のミストと接触する面に用いることで、ミストへのＳｉ混入を効果的に抑制できるので、電気特性の優れた半導体膜を得ることができる。
【0082】
図１２に示す搬送部９Ｄの例は、霧化器９０２ｂと成膜室９０９とが、搬送配管９０６で接続され、霧化器９０２ａからの搬送配管９０３が搬送配管９０６の途中に合流する構造が示されているが、搬送配管９０３と搬送配管９０６が独立して成膜室９０９へ接続されていてもよい。またこれに限らず、第１混合気と第２混合気を単一のバッファタンク（図不示）に導入し、バッファタンクで混合されたミストを搬送配管を介して成膜室９０９へ搬送しても良い。
【0083】
（ミスト化部）
ミスト化部９Ａは、例えば、霧化器９０２ａ、９０２ｂを備え霧化器９０２ａ、９０２ｂ内には、原料溶液として、それぞれ、第１前駆体９１２ａ、第２前駆体９１２ｂが収納されている。第１前駆体９１２ａ、第２前駆体９１２ｂとしては、例えば、金属の有機金属錯体（例えばアセチルアセトナート錯体等）や金属を酸に溶解した酸溶液又はハロゲン化物（例えばフッ化物、塩化物、臭化物又はヨウ化物等）の水溶液などが挙げられる。前記金属は、金属酸化物結晶としてコランダム構造を形成可能な金属であれば限定されず、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒが挙げられる。また、第１前駆体９１２ａと第２前駆体９１２ｂの成分は、同一でもよいし異なっていてもよい。さらに、霧化器の数及び前駆体の種類は、基板上に形成する膜の組成や積層構造に応じて増減させることができる。原料溶液中の金属の含有量は、特に限定されず、目的や仕様に応じて適宜設定できる。好ましくは、０．００１モル％～５０モル％であり、より好ましくは０．０１モル％～５モル％である。
ミスト化部９Ａは、例えば、霧化器９０２ａ、９０２ｂを備え霧化器９０２ａ、９０２ｂ内には、原料溶液として、それぞれ、第１前駆体９１２ａ、第２前駆体９１２ｂが収納されている。第１前駆体９１２ａ、第２前駆体９１２ｂとしては、例えば、金属の有機金属錯体（例えばアセチルアセトナート錯体等）や金属を酸に溶解した酸溶液又はハロゲン化物（例えばフッ化物、塩化物、臭化物又はヨウ化物等）の水溶液などが挙げられる。前記金属は、金属酸化物結晶としてコランダム構造を形成可能な金属であれば限定されず、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒが挙げられる。また、第１前駆体９１２ａと第２前駆体９１２ｂの成分は、同一でもよいし異なっていてもよい。さらに、霧化器の数及び前駆体の種類は、基板上に形成する膜の組成や積層構造に応じて増減させることができる。原料溶液中の金属の含有量は、特に限定されず、目的や仕様に応じて適宜設定できる。好ましくは、０．００１モル％～５０モル％であり、より好ましくは０．０１モル％～５モル％である。
【0084】
また、原料溶液の溶媒は、特に限定されず、水等の無機溶媒であってもよいし、アルコール等の有機溶媒であってもよいし、無機溶媒と有機溶媒との混合溶媒であってもよいが、水を用いることが好ましい。
【0085】
半導体膜に導電性を付与するためにドーピングを行うが、使用する不純物原料は、特に限定されない。例えば前記金属が少なくともＧａを含む場合には、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎを含む錯体や化合物が好適に使用でき、特にハロゲン化スズを用いるのが好ましい。これらの不純物原料を、原料溶液中の金属元素濃度に対して０．０００１％～２０％、より好ましくは０．００１％～１０％混合させて用いることができる。
【0086】
ミスト化部９Ａでは、図示しないミスト化（「霧化」又は「液滴化」ともいう）手段を用いて、原料溶液のミスト化を行う。原料溶液のミスト化は、原料溶液をミスト化できさえすれば特に限定されないが、超音波を用いるミスト化手段が好ましい。超音波を用いて得られたミストは、初速度がゼロであり、空中に浮遊し、例えば、スプレーのように吹き付けるのではなく、空間に浮遊した状態で搬送することが可能なミストであるため、衝突エネルギーによる損傷を抑制でき特に適している。
【0087】
（キャリアガス供給部）
キャリアガス供給部９Ｂは、ミストを搬送するためのキャリアガス９０１の供給を行う供給手段である。キャリアガス供給部９Ｂにおいて、使用するキャリアガス９０１は、特に限定されず、例えば、空気、酸素、オゾンの他、窒素やアルゴン等の不活性ガス、又は水素ガスやフォーミングガス等の還元ガスが好適に用いられる。キャリアガスの種類は１種類であっても、２種類以上であってもよい。なお、キャリアガス供給部９Ｂには、ミスト化部９Ａに接続する配管等や、バルブ９０４、９０５等のガス流調整手段が適宜設けられている。
キャリアガス供給部９Ｂは、ミストを搬送するためのキャリアガス９０１の供給を行う供給手段である。キャリアガス供給部９Ｂにおいて、使用するキャリアガス９０１は、特に限定されず、例えば、空気、酸素、オゾンの他、窒素やアルゴン等の不活性ガス、又は水素ガスやフォーミングガス等の還元ガスが好適に用いられる。キャリアガスの種類は１種類であっても、２種類以上であってもよい。なお、キャリアガス供給部９Ｂには、ミスト化部９Ａに接続する配管等や、バルブ９０４、９０５等のガス流調整手段が適宜設けられている。
【0088】
また、図示していないが、希釈ガスを添加して、霧化された原料とキャリアガスの割合を調節することも可能である。希釈ガスの流量は適宜設定すればよく、キャリアガスの０．１～１０倍／分とすることができる。希釈ガスを、例えば霧化器９０２ａ、９０２ｂの下流側へ供給しても良い。希釈ガスはキャリアガスと同じものを用いても良いし、異なるものを用いても良い。
【0089】
（成膜部）
成膜部９Ｃは、内部にサセプタ９０８を有する成膜室９０９を備えている。成膜室９０９の構造等は特に限定されるものではなく、アルミニウムやステンレスなどの金属を用いて良いし、これらの金属の耐熱温度を超える、より高温で成膜を行う場合には、石英や炭化シリコンを用いても良い。成膜室９０９の内部又は外部には、結晶基板９０７を加熱するための加熱手段９１０が設けられている。また、基板９０７は成膜室９０９内に設置されたサセプタ９０８上に載置されてよい。
成膜部９Ｃは、内部にサセプタ９０８を有する成膜室９０９を備えている。成膜室９０９の構造等は特に限定されるものではなく、アルミニウムやステンレスなどの金属を用いて良いし、これらの金属の耐熱温度を超える、より高温で成膜を行う場合には、石英や炭化シリコンを用いても良い。成膜室９０９の内部又は外部には、結晶基板９０７を加熱するための加熱手段９１０が設けられている。また、基板９０７は成膜室９０９内に設置されたサセプタ９０８上に載置されてよい。
【0090】
図１２を参照しながら、本発明に係る成膜方法の具体例を説明する。
【0091】
（成膜方法）
本発明に係る成膜方法は、少なくともミスト化した金属酸化物前駆体とキャリアガスとドーパントを含む混合気を形成するステップと、前記混合気を、搬送部を経由して成膜部へ搬送するステップと、前記成膜部で前記混合気を熱反応させて、基板上に半導体膜を形成するステップとを含み、少なくとも前記搬送部における前記混合気と接触する面を、非シリコーン系樹脂とすることを特徴としている。
本発明に係る成膜方法は、少なくともミスト化した金属酸化物前駆体とキャリアガスとドーパントを含む混合気を形成するステップと、前記混合気を、搬送部を経由して成膜部へ搬送するステップと、前記成膜部で前記混合気を熱反応させて、基板上に半導体膜を形成するステップとを含み、少なくとも前記搬送部における前記混合気と接触する面を、非シリコーン系樹脂とすることを特徴としている。
【0092】
（混合気の形成）
まず、原料溶液はミスト化部９Ａにおいて公知の手段を用いてミスト化され、ミストが形成される。ミストのサイズは、特に限定されず、数ｍｍ程度の液滴であってもよいが、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは０．１～１０μｍである。
まず、原料溶液はミスト化部９Ａにおいて公知の手段を用いてミスト化され、ミストが形成される。ミストのサイズは、特に限定されず、数ｍｍ程度の液滴であってもよいが、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは０．１～１０μｍである。
【0093】
キャリアガス供給部からミスト化部９Ａに供給されたキャリアガスは、霧化器９０２ａ、９０２ｂ内で形成されたミスト化した原料溶液（前駆体）と混合され、混合気を形成する。
【0094】
キャリアガスの流量は、基板サイズや成膜室の大きさにより適宜設定すればよく、０．０１～４０Ｌ／分程度とすることができる。また成膜は、大気圧下、加圧下及び減圧下のいずれの条件下で行われてもよいが、装置コストや生産性の面で、大気圧下で行われるのが好ましい。
【0095】
（混合気の搬送）
ミストを含む混合気は、ミスト化部９Ａと成膜部９Ｃとを接続する搬送部９Ｄを介して、搬送される。このとき、搬送部における混合気と接触する面が、非シリコーン系樹脂とされているため、混合気中のミストへのＳｉの混入が抑制される。
ミストを含む混合気は、ミスト化部９Ａと成膜部９Ｃとを接続する搬送部９Ｄを介して、搬送される。このとき、搬送部における混合気と接触する面が、非シリコーン系樹脂とされているため、混合気中のミストへのＳｉの混入が抑制される。
【0096】
（半導体膜の成膜）
成膜部９Ｃの成膜室９０９に供給されたミストを含む混合気は、成膜室９０９内で熱源９１０により加熱された結晶基板９０７上で反応し、コランダム構造を有する半導体膜が形成される。この時の基板温度は、基板上に形成する膜種によって適宜決定されるべきであるが、例えばα－酸化ガリウム膜を形成する場合、３５０℃以上９５０℃以下とするのが良い。このような範囲であれば、より結晶性の高い半導体膜を得ることができる。なお、膜厚は、成膜時間や前駆体の噴霧量及びキャリアガス流量を調整することにより設定することができる。
成膜部９Ｃの成膜室９０９に供給されたミストを含む混合気は、成膜室９０９内で熱源９１０により加熱された結晶基板９０７上で反応し、コランダム構造を有する半導体膜が形成される。この時の基板温度は、基板上に形成する膜種によって適宜決定されるべきであるが、例えばα－酸化ガリウム膜を形成する場合、３５０℃以上９５０℃以下とするのが良い。このような範囲であれば、より結晶性の高い半導体膜を得ることができる。なお、膜厚は、成膜時間や前駆体の噴霧量及びキャリアガス流量を調整することにより設定することができる。
【0097】
（成膜方法の他の例）
半導体層と基板の間に、さらに応力緩和層を形成する場合は、まず、キャリアガス９０１と霧化器９０２ａで形成した霧化した第１前駆体が混合された第１混合気を形成し、さらにキャリアガス９０１と霧化器９０２ｂで形成した霧化した第２前駆体が混合された第２混合気を形成する。
半導体層と基板の間に、さらに応力緩和層を形成する場合は、まず、キャリアガス９０１と霧化器９０２ａで形成した霧化した第１前駆体が混合された第１混合気を形成し、さらにキャリアガス９０１と霧化器９０２ｂで形成した霧化した第２前駆体が混合された第２混合気を形成する。
【0098】
次いで、第１混合気と第２混合気を、成膜室９０９内でサセプタ９０８に載置され加熱手段９１０により加熱された結晶基板９０７上に搬送することにより、前駆体が基板表面で反応し、第１前駆体の成分と第２前駆体の成分が混合されたコランダム構造の半導体が形成される。ここで、第１混合気と第２混合気の両方又は片方のキャリアガス流量を、所定の時間に渡り、離散的又は連続的に変化させても良い。例えばサファイア基板と酸化ガリウムの間に応力緩和層を形成する場合、応力緩和層を（ＡｌｘＧａ１－ｘ）２Ｏ３（０≦ｘ≦１）で形成し、基板側から成長方向側へ向かってｘ値を小さくしていくのが良い。このためには、Ａｌ源を含む第１混合気とＧａ源を含む第２混合気を成膜室９０９へ供給する際に、Ａｌ供給量がＧａ供給量より相対的に大きくなるように、それぞれの前駆体の濃度やキャリアガス流量を調節する。またこれとは別に、Ａｌ源とＧａ源をある割合で混合させたＡｌ-Ｇａ前駆体を用いた混合気で最初の成膜を行い、その後、Ａｌ濃度を相対的段階的に減じた複数のＡｌ-Ｇａ前駆体を用いて積層を繰り返し、Ａｌ組成を段階的に減じた（ＡｌｘＧａ１－ｘ）２Ｏ３の多層膜を形成しても良い。また、この時の基板温度は、基板上に形成する膜種によって適宜決定されるべきであるが、例えば（ＡｌｘＧａ１－ｘ）２Ｏ３（０≦ｘ≦１）膜を形成する場合、３５０℃以上９５０℃以下とするのが良い。このような範囲であれば、より結晶性の高い半導体膜を得ることができる。なお、膜厚は、成膜時間を調整することにより設定することができる。
【実施例】
【0099】
以下、実施例を挙げて本発明について詳細に説明するが、これは本発明を限定するものではない。
【0100】
（実施例１）
図１２の成膜装置において、１台の霧化器のみを用い、以下の手順でα－酸化ガリウムの成膜を行った。まずガリウムアセチルアセトナートを、Ｇａ濃度が０．１０モル／Ｌとなるように水溶液を調整した。この水溶液に、Ｇａ濃度に対するＳｎの原子比が１：０．００５となるように塩化スズ（ＩＩ）を添加し、さらに塩酸を体積比で１．０％を添加して、これを原料溶液とした。この原料溶液を霧化器に充填した。
図１２の成膜装置において、１台の霧化器のみを用い、以下の手順でα－酸化ガリウムの成膜を行った。まずガリウムアセチルアセトナートを、Ｇａ濃度が０．１０モル／Ｌとなるように水溶液を調整した。この水溶液に、Ｇａ濃度に対するＳｎの原子比が１：０．００５となるように塩化スズ（ＩＩ）を添加し、さらに塩酸を体積比で１．０％を添加して、これを原料溶液とした。この原料溶液を霧化器に充填した。
【0101】
次に、表面にバッファ層としてα－（ＡｌｘＧａ１－ｘ）２Ｏ３多層膜（ノンドープ、０．０２≦ｘ≦０．２）が形成されている直径２インチ（５０ｍｍ）のｃ面サファイア基板を、石英製サセプタに載せて石英製管状型成膜室内に設置し、ヒーターにより基板温度を４３０℃に保った。
【0102】
次に、２．４ＭＨｚの超音波振動子で霧化器内の原料溶液を霧化した。この後、霧化器にキャリアガスの窒素を１．０Ｌ／ｍｉｎで、さらに希釈ガスの窒素を０．５Ｌ／ｍｉｎでそれぞれ導入して混合気を形成し、ポリテトラフルオロエチレン製の搬送配管（ＰＴＦＥ管）を通して成膜室へ供給して大気圧下で６０分間成膜を行い、膜厚３．５μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。
【0103】
この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法（アクセント ＨＬ５５００）により、キャリア濃度、抵抗率及び移動度を測定した。また、膜中のＳｉ濃度をＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ ＩＭＳ―７ｆ）で測定した。なお、この測定でのＳｉの検出限界は、５×１０１４ｃｍ－３である。
【0104】
（実施例２）
混合気の搬送配管を塩化ビニル製にした以外は実施例１と同様にして、膜厚３．５μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び、膜中のＳｉ濃度を測定した。
混合気の搬送配管を塩化ビニル製にした以外は実施例１と同様にして、膜厚３．５μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び、膜中のＳｉ濃度を測定した。
【0105】
（実施例３）
混合気の搬送配管をポリエチレン製にした以外は実施例１と同様にして、膜厚３．５μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び、膜中のＳｉ濃度を測定した。
混合気の搬送配管をポリエチレン製にした以外は実施例１と同様にして、膜厚３．５μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び、膜中のＳｉ濃度を測定した。
【0106】
（実施例４）
混合気の搬送配管をウレタン樹脂製にした以外は実施例１と同様にして、膜厚３．５μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び、膜中のＳｉ濃度を測定した。
混合気の搬送配管をウレタン樹脂製にした以外は実施例１と同様にして、膜厚３．５μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び、膜中のＳｉ濃度を測定した。
【0107】
（実施例５）
原料溶液として、塩化ガリウムを、Ｇａ濃度が０．１０モル／Ｌとなるように調整した水溶液に、Ｇａ濃度に対するドーパントであるＧｅの原子比が１：０．００５となるように酸化ゲルマニウムを添加し、さらに塩酸を体積比で１．０％を添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして成膜を行い、膜厚２．０μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び、膜中のＳｉ濃度を測定した。
原料溶液として、塩化ガリウムを、Ｇａ濃度が０．１０モル／Ｌとなるように調整した水溶液に、Ｇａ濃度に対するドーパントであるＧｅの原子比が１：０．００５となるように酸化ゲルマニウムを添加し、さらに塩酸を体積比で１．０％を添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして成膜を行い、膜厚２．０μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び、膜中のＳｉ濃度を測定した。
【0108】
（比較例１）
混合気の搬送配管をシリコーン樹脂製にした以外は実施例１と同様にして、膜厚３．５μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び膜中のＳｉ濃度を測定した。
混合気の搬送配管をシリコーン樹脂製にした以外は実施例１と同様にして、膜厚３．５μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び膜中のＳｉ濃度を測定した。
【0109】
（比較例２）
混合気の搬送配管をシリコーン樹脂製にした以外は実施例５と同様にして、膜厚２．０μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び膜中のＳｉ濃度を測定した。
混合気の搬送配管をシリコーン樹脂製にした以外は実施例５と同様にして、膜厚２．０μｍのα－酸化ガリウム膜を形成した。この後、基板を室温まで冷却してから成膜室より取り出し、実施例１と同様にキャリア濃度、抵抗率、移動度、及び膜中のＳｉ濃度を測定した。
【0110】
実施例１～５及び比較例１～２において得られたα－酸化ガリウム膜のキャリア密度、移動度及び抵抗率を表１に示す。本発明に係る積層体の半導体膜は、Ｓｉが検出されず(検出限界未満)、抵抗率も約４ｍΩ・ｃｍという、比較例に対し極めて低い抵抗率のものが得られた。キャリア濃度が高く、かつ、高移動度を有する電気特性に優れたものを得ることができた。
【0111】
【表1】
【0112】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【0113】
１００…積層体、 １０１…結晶基板、 １０２…半導体膜、
２００…積層体、 ２０１…結晶基板、 ２０２…半導体膜、
２０３…応力緩和層、
３００…ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、
３０１ａ…ｎ－型半導体層、 ３０１ｂ…ｎ＋型半導体層、
３０２…ショットキー電極、 ３０３…オーミック電極、
４００…高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、 ４０１…ｎ型半導体層、
４０２…ｎ型半導体層、 ４０３…ｎ＋型半導体層、 ４０４…半絶縁体層、
４０５…緩衝層、 ４０６…ゲート電極、 ４０７…ソース電極、
４０８…ドレイン電極、
５００…金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、
５０１…ｎ－型半導体層、 ５０２…ｎ＋型半導体層、
５０３…ｎ＋型半導体層、 ５０４…ゲート絶縁膜、 ５０５…ゲート電極、
５０６…ソース電極、 ５０７…ドレイン電極、
６００…絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、
６０１…ｎ型半導体層、 ６０２…ｎ－型半導体層、 ６０３…ｎ＋型半導体層、
６０４…ｐ型半導体層、 ６０５…ゲート絶縁膜、 ６０６…ゲート電極、
６０７…エミッタ電極、 ６０８…コレクタ電極、
７００…発光素子（発光ダイオード、ＬＥＤ）、 ７０１…第１の電極、
７０２…ｎ型半導体層、 ７０３…発光層、 ７０４…ｐ型半導体層、
７０５…透光性電極、 ７０６…第２の電極。
８００…発光素子（発光ダイオード、ＬＥＤ）、 ８０１…ｎ型半導体層、
８０２…ｐ型半導体層、 ８０３…発光層、 ８０４ａ…第１の電極、
８０４ｂ…第２の電極、 ８０５…透光性電極、 ８０６…基板
９００…ミストＣＶＤ装置、 ９０１…キャリアガス、 ９０２ａ…霧化器、
９０２ｂ…霧化器、 ９０３…搬送配管、 ９０４…バルブ、
９０５…バルブ、 ９０６…搬送配管、 ９０７…結晶基板、
９０８…サセプタ、 ９０９…成膜室、 ９１０…加熱手段、
９１２ａ…第１金属酸化物前駆体、 ９１２ｂ…第２金属酸化物前駆体、
９Ａ…ミスト化部、 ９Ｂ…キャリアガス供給部、 ９Ｃ…成膜部、
９Ｄ…搬送部、
２００…積層体、 ２０１…結晶基板、 ２０２…半導体膜、
２０３…応力緩和層、
３００…ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、
３０１ａ…ｎ－型半導体層、 ３０１ｂ…ｎ＋型半導体層、
３０２…ショットキー電極、 ３０３…オーミック電極、
４００…高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、 ４０１…ｎ型半導体層、
４０２…ｎ型半導体層、 ４０３…ｎ＋型半導体層、 ４０４…半絶縁体層、
４０５…緩衝層、 ４０６…ゲート電極、 ４０７…ソース電極、
４０８…ドレイン電極、
５００…金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、
５０１…ｎ－型半導体層、 ５０２…ｎ＋型半導体層、
５０３…ｎ＋型半導体層、 ５０４…ゲート絶縁膜、 ５０５…ゲート電極、
５０６…ソース電極、 ５０７…ドレイン電極、
６００…絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、
６０１…ｎ型半導体層、 ６０２…ｎ－型半導体層、 ６０３…ｎ＋型半導体層、
６０４…ｐ型半導体層、 ６０５…ゲート絶縁膜、 ６０６…ゲート電極、
６０７…エミッタ電極、 ６０８…コレクタ電極、
７００…発光素子（発光ダイオード、ＬＥＤ）、 ７０１…第１の電極、
７０２…ｎ型半導体層、 ７０３…発光層、 ７０４…ｐ型半導体層、
７０５…透光性電極、 ７０６…第２の電極。
８００…発光素子（発光ダイオード、ＬＥＤ）、 ８０１…ｎ型半導体層、
８０２…ｐ型半導体層、 ８０３…発光層、 ８０４ａ…第１の電極、
８０４ｂ…第２の電極、 ８０５…透光性電極、 ８０６…基板
９００…ミストＣＶＤ装置、 ９０１…キャリアガス、 ９０２ａ…霧化器、
９０２ｂ…霧化器、 ９０３…搬送配管、 ９０４…バルブ、
９０５…バルブ、 ９０６…搬送配管、 ９０７…結晶基板、
９０８…サセプタ、 ９０９…成膜室、 ９１０…加熱手段、
９１２ａ…第１金属酸化物前駆体、 ９１２ｂ…第２金属酸化物前駆体、
９Ａ…ミスト化部、 ９Ｂ…キャリアガス供給部、 ９Ｃ…成膜部、
９Ｄ…搬送部、
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】