特許7136109含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品およびその製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-05
(45)【発行日】2022-09-13
(54)【発明の名称】含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
C08G 65/336 20060101AFI20220906BHJP
C09D 171/00 20060101ALI20220906BHJP
B05D 7/24 20060101ALI20220906BHJP
【ＦＩ】
C08G65/336
C09D171/00
B05D7/24 302Z
B05D7/24 302L
B05D7/24 302R
【請求項の数】
13
(21)【出願番号】P 2019538037
(86)(22)【出願日】2018-08-02
(86)【国際出願番号】 JP2018029119
(87)【国際公開番号】W WO2019039226
(87)【国際公開日】2019-02-28
【審査請求日】2021-02-09
(31)【優先権主張番号】P 2017159696
(32)【優先日】2017-08-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】星野 泰輝
(72)【発明者】
【氏名】松浦 啓吾
(72)【発明者】
【氏名】宇野 誠人
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 昌宏
(72)【発明者】
【氏名】石関 健二
(72)【発明者】
【氏名】周 莅霖
(72)【発明者】
【氏名】小林 大介
【審査官】尾立 信広
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１７／０３８８３０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－１３１６８３（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１５／０８７９０２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１６－２０４６５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０９－３２６２４０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０８Ｇ ６５／００－６７／０４
Ｃ０８Ｌ １／００－１０１／１４
Ｃ０８Ｋ ３／００－１３／０８
Ｃ０９Ｄ １０１／００－２０１／１０
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式１０で表される化合物である、含フッ素エーテル化合物。
Ａ－Ｏ－（Ｒ ｆ１ Ｏ） ｍ －Ｒ ｆ２ －［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ １ ）］ ｐ －Ｑ １ －Ｃ（Ｒ ２ ）［－Ｑ ２ －ＳｉＲ ３ ｎ Ｌ ３－ｎ ］ ２ 式１０
ただし、
Ａは、炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ１は、直鎖のフルオロアルキレン基であり、
ｍは、２～５００の整数であり、
（Ｒｆ１Ｏ）ｍは、炭素数の異なる２種以上のＲｆ１Ｏからなるものであってもよく、
Ｒｆ２は、直鎖のフルオロアルキレン基（ただし、［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、
Ｒ１は、水素原子またはアルキル基であり、
ｐは、０または１であり、
Ｑ１は、単結合またはアルキレン基であり、
Ｒ２は、水素原子、１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基であり、
Ｑ２は、アルキレン基であり、
Ｒ３は、水素原子または１価の炭化水素基であり、
Ｌは、加水分解性基であり、
ｎは、０～２の整数であり、
２個の［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
【請求項2】
前記式１０で表される基における－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－が、下記式ｇ１で表される基、下記式ｇ２で表される基、下記式ｇ３で表される基、または、下記式ｇ４で表される基である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ１
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ２
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ３
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ４
ただし、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、式ｇ３中の４個のＸはすべて同じ原子であり、式ｇ４中の２個のＸはすべて同じ原子であり、ｑは１～５の整数であり、ｒは０～２の整数である。
【請求項3】
前記式１０で表される化合物が、下記式１１で表される化合物、下記式１２で表される化合物、下記式１３で表される化合物、または、下記式１４で表される化合物である、請求項１又は２に記載の含フッ素エーテル化合物。Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１４
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であり、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、式１３中の４個のＸはすべて同じ原子であり、式１４中の２個のＸはすべて同じ原子であり、ｑは１～５の整数であり、ｒは０～２の整数である。
【請求項4】
前記Ｒｆ１が、ペルフルオロアルキレン基である、請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項5】
請求項１～４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含むことを特徴とする含フッ素エーテル組成物。
【請求項6】
請求項１～４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物または請求項５に記載の含フッ素エーテル組成物と、液状媒体とを含むことを特徴とするコーティング液。
【請求項7】
請求項１～４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物または請求項５に記載の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を基材の表面に有することを特徴とする物品。
【請求項8】
タッチパネルの指で触れる面を構成する部材の表面に前記表面層を有する、請求項７に記載の物品。
【請求項9】
請求項１～４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物または請求項５に記載の含フッ素エーテル組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、前記含フッ素エーテル化合物または前記含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項10】
ウェットコーティング法によって請求項６に記載のコーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、前記含フッ素エーテル化合物または前記含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項11】
下記式２０で表される化合物である、含フッ素エーテル化合物。
Ａ－Ｏ－（Ｒ ｆ１ Ｏ） ｍ －Ｒ ｆ２ －［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ １ ）］ ｐ －Ｑ １ －Ｃ（Ｒ ２ ）［－Ｑ ２ａ －ＣＨ＝ＣＨ ２ ］ ２ 式２０
ただし、
Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ１は、直鎖のフルオロアルキレン基であり、
ｍは、２～５００の整数であり、
（Ｒｆ１Ｏ）ｍは、炭素数の異なる２種以上のＲｆ１Ｏからなるものであってもよく、
Ｒｆ２は、直鎖のフルオロアルキレン基（ただし、［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、
Ｒ１は、水素原子またはアルキル基であり、
ｐは、０または１であり、
Ｑ１は、単結合またはアルキレン基であり、
Ｒ２は、水素原子、１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基であり、
Ｑ２ａは、単結合またはアルキレン基であり、
２個の［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］は、同一であっても異なっていてもよい。
【請求項12】
前記式２０で表される化合物が、下記式２１で表される化合物、下記式２２で表される化合物、下記式２３で表される化合物、または、下記式２４で表される化合物である、請求項１１に記載の含フッ素エーテル化合物。Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２４
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であり、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、式２３中の４個のＸはすべて同じ原子であり、式２４中の２個のＸはすべて同じ原子であり、ｑは１～５の整数であり、ｒは０～２の整数である。
【請求項13】
前記Ｒｆ１が、ペルフルオロアルキレン基である、請求項１１又は１２に記載の含フッ素エーテル化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖を有する含フッ素エーテル化合物は、高い潤滑性、撥水撥油性等を示す表面層を基材の表面に形成できるため、表面処理剤に好適に用いられる。含フッ素エーテル化合物を含む表面処理剤は、表面層が指で繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい性能（耐摩擦性）および拭き取りによって表面層に付着した指紋を容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）が長期間維持されることが求められる用途、たとえば、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材、メガネレンズ、ウェアラブル端末のディスプレイの表面処理剤として用いられる。
【0003】
耐摩擦性および指紋汚れ除去性に優れる表面層を基材の表面に形成できる含フッ素エーテル化合物としては、下記のものが提案されている。
ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖の一方の末端に炭素原子による分岐を介して３個の加水分解性シリル基を導入した含フッ素エーテル化合物（特許文献１）。
ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖の一方の末端に炭素原子による分岐を介して３個の加水分解性シリル基を導入した含フッ素エーテル化合物（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１６－２０４６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかし、特許文献１に記載の含フッ素エーテル化合物は、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖と加水分解性シリル基との間の連結基がエーテル性酸素原子を有するため、光や薬品によって連結基のエーテル結合が切断されやすく、耐光性および耐薬品性が不充分である。また、最近では、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材等の表面層には、さらなる耐摩擦性の向上が求められることがある。そのため、耐摩擦性がさらに優れる表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物が必要となることがある。
【0006】
本発明は、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル化合物を含む含フッ素エーテル組成物およびコーティング液、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を有する物品およびその製造方法の提供を目的とする。
また、本発明は、表面処理剤に好適に用いられる含フッ素エーテル化合物の中間体として有用な含フッ素エーテル化合物の提供を目的とする。
また、本発明は、表面処理剤に好適に用いられる含フッ素エーテル化合物の中間体として有用な含フッ素エーテル化合物の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、下記［１］～［１５］の構成を有する含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品、物品の製造方法、含フッ素エーテル化合物の他の態様を提供する。
【0008】
［１］下式１で表される化合物である、含フッ素エーテル化合物。
Ａ１－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｂ１ 式１
ただし、Ａ１は、炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基またはＢ１であり、
Ｒｆ１は、直鎖のフルオロアルキレン基であり、ｍは、２～５００の整数であり、（Ｒｆ１Ｏ）ｍは、炭素数の異なる２種以上のＲｆ１Ｏからなるものであってもよく、
Ｂ１は下式１－１で表される基であり、
－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１－１
Ｒｆ２は、直鎖のフルオロアルキレン基（ただし、［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、Ｒ１は、水素原子またはアルキル基であり、ｐは、０または１であり、Ｑ１は、単結合またはアルキレン基であり、Ｒ２は、水素原子、１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基であり、Ｑ２は、アルキレン基であり、Ｒ３は、水素原子または１価の炭化水素基であり、Ｌは、加水分解性基であり、ｎは、０～２の整数であり、２個の［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
Ａ１－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｂ１ 式１
ただし、Ａ１は、炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基またはＢ１であり、
Ｒｆ１は、直鎖のフルオロアルキレン基であり、ｍは、２～５００の整数であり、（Ｒｆ１Ｏ）ｍは、炭素数の異なる２種以上のＲｆ１Ｏからなるものであってもよく、
Ｂ１は下式１－１で表される基であり、
－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１－１
Ｒｆ２は、直鎖のフルオロアルキレン基（ただし、［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、Ｒ１は、水素原子またはアルキル基であり、ｐは、０または１であり、Ｑ１は、単結合またはアルキレン基であり、Ｒ２は、水素原子、１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基であり、Ｑ２は、アルキレン基であり、Ｒ３は、水素原子または１価の炭化水素基であり、Ｌは、加水分解性基であり、ｎは、０～２の整数であり、２個の［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0009】
［２］前記式１で表される化合物が下記式１０で表される化合物である、［１］の含フッ素エーテル化合物。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１０
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基である。
［３］前記式１－１で表される基における－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－が、下記式ｇ１で表される基、下記式ｇ２で表される基、下記式ｇ３で表される基、または、下記式ｇ４で表される基である、［１］または［２］の含フッ素エーテル化合物。
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ１
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ２
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ３
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ４
ただし、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、式ｇ３中の４個のＸはすべて同じ原子であり、式ｇ４中の２個のＸはすべて同じ原子であり、ｑは１～５の整数であり、ｒは０～２の整数である。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１０
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基である。
［３］前記式１－１で表される基における－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－が、下記式ｇ１で表される基、下記式ｇ２で表される基、下記式ｇ３で表される基、または、下記式ｇ４で表される基である、［１］または［２］の含フッ素エーテル化合物。
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ１
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ２
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ３
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ４
ただし、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、式ｇ３中の４個のＸはすべて同じ原子であり、式ｇ４中の２個のＸはすべて同じ原子であり、ｑは１～５の整数であり、ｒは０～２の整数である。
【0010】
［４］前記式１で表される化合物が、下記式１１で表される化合物、下記式１２で表される化合物、下記式１３で表される化合物、または、下記式１４で表される化合物である、［１］～［３］のいずれかの含フッ素エーテル化合物。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１４
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であり、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、式１３中の４個のＸはすべて同じ原子であり、式１４中の２個のＸはすべて同じ原子であり、ｑは１～５の整数であり、ｒは０～２の整数である。
［５］前記Ｒｆ１が、ペルフルオロアルキレン基である、［１］～［４］のいずれかの含フッ素エーテル化合物。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１４
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であり、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、式１３中の４個のＸはすべて同じ原子であり、式１４中の２個のＸはすべて同じ原子であり、ｑは１～５の整数であり、ｒは０～２の整数である。
［５］前記Ｒｆ１が、ペルフルオロアルキレン基である、［１］～［４］のいずれかの含フッ素エーテル化合物。
【0011】
［６］前記［１］～［５］のいずれかの含フッ素エーテル化合物の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含むことを特徴とする含フッ素エーテル組成物。
［７］前記［１］～［５］のいずれかの含フッ素エーテル化合物または［６］の含フッ素エーテル組成物と、液状媒体とを含むことを特徴とするコーティング液。
［８］前記［１］～［５］のいずれかの含フッ素エーテル化合物または［６］の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を基材の表面に有することを特徴とする物品。
［９］タッチパネルの指で触れる面を構成する部材の表面に前記表面層を有する、［８］の物品。
［１０］前記［１］～［５］のいずれかの含フッ素エーテル化合物または［６］の含フッ素エーテル組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、前記含フッ素エーテル化合物または前記含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成することを特徴とする物品の製造方法。
［１１］ウェットコーティング法によって［７］のコーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、前記含フッ素エーテル化合物または前記含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成することを特徴とする物品の製造方法。
［７］前記［１］～［５］のいずれかの含フッ素エーテル化合物または［６］の含フッ素エーテル組成物と、液状媒体とを含むことを特徴とするコーティング液。
［８］前記［１］～［５］のいずれかの含フッ素エーテル化合物または［６］の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を基材の表面に有することを特徴とする物品。
［９］タッチパネルの指で触れる面を構成する部材の表面に前記表面層を有する、［８］の物品。
［１０］前記［１］～［５］のいずれかの含フッ素エーテル化合物または［６］の含フッ素エーテル組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、前記含フッ素エーテル化合物または前記含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成することを特徴とする物品の製造方法。
［１１］ウェットコーティング法によって［７］のコーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、前記含フッ素エーテル化合物または前記含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成することを特徴とする物品の製造方法。
【0012】
［１２］下式２で表される化合物である、含フッ素エーテル化合物。
Ａ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｂ２ 式２
ただし、Ａ２は、炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基またはＢ２であり、Ｒｆ１は、直鎖のフルオロアルキレン基であり、ｍは、２～５００の整数であり、（Ｒｆ１Ｏ）ｍは、炭素数の異なる２種以上のＲｆ１Ｏからなるものであってもよく、
Ｂ２は下式２－１で表される基であり、
－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２－１
Ｒｆ２は、直鎖のフルオロアルキレン基（ただし、［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、Ｒ１は、水素原子またはアルキル基であり、ｐは、０または１であり、Ｑ１は、単結合またはアルキレン基であり、Ｒ２は、水素原子、１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基であり、Ｑ２ａは、単結合またはアルキレン基であり、２個の［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］は、同一であっても異なっていてもよい。
Ａ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｂ２ 式２
ただし、Ａ２は、炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基またはＢ２であり、Ｒｆ１は、直鎖のフルオロアルキレン基であり、ｍは、２～５００の整数であり、（Ｒｆ１Ｏ）ｍは、炭素数の異なる２種以上のＲｆ１Ｏからなるものであってもよく、
Ｂ２は下式２－１で表される基であり、
－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２－１
Ｒｆ２は、直鎖のフルオロアルキレン基（ただし、［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、Ｒ１は、水素原子またはアルキル基であり、ｐは、０または１であり、Ｑ１は、単結合またはアルキレン基であり、Ｒ２は、水素原子、１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基であり、Ｑ２ａは、単結合またはアルキレン基であり、２個の［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0013】
［１３］前記式２で表される化合物が下記式２０で表される化合物である、［１２］の含フッ素エーテル化合物。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２０
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基である。
［１４］前記式２で表される化合物が、下記式２１で表される化合物、下記式２２で表される化合物、下記式２３で表される化合物、または、下記式２４で表される化合物である、［１２］または［１３］の含フッ素エーテル化合物。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２４
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であり、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、式２３中の４個のＸはすべて同じ原子であり、式２４中の２個のＸはすべて同じ原子であり、ｑは１～５の整数であり、ｒは０～２の整数である。
［１５］前記Ｒｆ１が、ペルフルオロアルキレン基である、［１２］～［１４］のいずれかの含フッ素エーテル化合物。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２０
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基である。
［１４］前記式２で表される化合物が、下記式２１で表される化合物、下記式２２で表される化合物、下記式２３で表される化合物、または、下記式２４で表される化合物である、［１２］または［１３］の含フッ素エーテル化合物。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２４
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であり、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、式２３中の４個のＸはすべて同じ原子であり、式２４中の２個のＸはすべて同じ原子であり、ｑは１～５の整数であり、ｒは０～２の整数である。
［１５］前記Ｒｆ１が、ペルフルオロアルキレン基である、［１２］～［１４］のいずれかの含フッ素エーテル化合物。
【発明の効果】
【0014】
本発明の含フッ素エーテル化合物によれば、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を形成できる。
本発明の含フッ素エーテル組成物によれば、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を形成できる。
本発明のコーティング液によれば、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を形成できる。
本発明の物品は、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を有する。
本発明の物品の製造方法によれば、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を有する物品を製造できる。
本発明の含フッ素エーテル化合物の他の態様は、表面処理剤に好適に用いられる含フッ素エーテル化合物の中間体として有用である。
本発明の含フッ素エーテル組成物によれば、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を形成できる。
本発明のコーティング液によれば、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を形成できる。
本発明の物品は、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を有する。
本発明の物品の製造方法によれば、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を有する物品を製造できる。
本発明の含フッ素エーテル化合物の他の態様は、表面処理剤に好適に用いられる含フッ素エーテル化合物の中間体として有用である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
本明細書において、式１で表される化合物を化合物１と記す。他の式で表される化合物も同様に記す。
また、式ｇ１で表される基を基ｇ１と記す。他の式で表される基も同様に記す。
本明細書における以下の用語の意味は、以下の通りである。
「エーテル性酸素原子」とは、炭素－炭素原子間においてエーテル結合（－Ｏ－）を形成する酸素原子を意味する。オキシフルオロアルキレン単位の化学式は、その酸素原子をフルオロアルキレン基の右側に記載して表すものとする。
「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応してシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）を形成し得る基を意味し、式１中のＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎである。
「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。
含フッ素エーテル化合物の「数平均分子量」は、１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシペルフルオロアルキレン基の数（平均値）を求めることによって算出される。末端基は、たとえば式１中のＡまたはＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎである。
また、式ｇ１で表される基を基ｇ１と記す。他の式で表される基も同様に記す。
本明細書における以下の用語の意味は、以下の通りである。
「エーテル性酸素原子」とは、炭素－炭素原子間においてエーテル結合（－Ｏ－）を形成する酸素原子を意味する。オキシフルオロアルキレン単位の化学式は、その酸素原子をフルオロアルキレン基の右側に記載して表すものとする。
「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応してシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）を形成し得る基を意味し、式１中のＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎである。
「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。
含フッ素エーテル化合物の「数平均分子量」は、１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシペルフルオロアルキレン基の数（平均値）を求めることによって算出される。末端基は、たとえば式１中のＡまたはＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎである。
【0016】
［含フッ素エーテル化合物］
本発明の含フッ素エーテル化合物は、化合物１であり、好ましくは後述の化合物１０である。
Ａ１－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｂ１ 式１
－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１－１
ただし、Ａ１は、炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基またはＢ１であり、Ｒｆ１は、直鎖のフルオロアルキレン基であり、ｍは、２～５００の整数であり、（Ｒｆ１Ｏ）ｍは、炭素数の異なる２種以上のＲｆ１Ｏからなるものであってもよく、Ｂ１は上記基１－１であり、Ｒｆ２は、直鎖のフルオロアルキレン基（ただし、［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、Ｒ１は、水素原子またはアルキル基であり、ｐは、０または１であり、Ｑ１は、単結合またはアルキレン基であり、Ｒ２は、水素原子、１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基であり、Ｑ２は、アルキレン基であり、Ｒ３は、水素原子または１価の炭化水素基であり、Ｌは、加水分解性基であり、ｎは、０～２の整数であり、２個の［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
本発明の含フッ素エーテル化合物は、化合物１であり、好ましくは後述の化合物１０である。
Ａ１－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｂ１ 式１
－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１－１
ただし、Ａ１は、炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基またはＢ１であり、Ｒｆ１は、直鎖のフルオロアルキレン基であり、ｍは、２～５００の整数であり、（Ｒｆ１Ｏ）ｍは、炭素数の異なる２種以上のＲｆ１Ｏからなるものであってもよく、Ｂ１は上記基１－１であり、Ｒｆ２は、直鎖のフルオロアルキレン基（ただし、［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、Ｒ１は、水素原子またはアルキル基であり、ｐは、０または１であり、Ｑ１は、単結合またはアルキレン基であり、Ｒ２は、水素原子、１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基であり、Ｑ２は、アルキレン基であり、Ｒ３は、水素原子または１価の炭化水素基であり、Ｌは、加水分解性基であり、ｎは、０～２の整数であり、２個の［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0017】
Ａ１は炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であることが好ましく、したがって好ましい化合物１は、下記式１０で表される化合物、すなわち化合物１０である。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１０
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であり、Ｒｆ１、ｍ、Ｒｆ２、Ｒ１、ｐ、Ｑ１、Ｒ２、Ｑ２、Ｒ３およびｎは、化合物１で説明したものと同じである。
炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であるＡ１およびＡの炭素数は、化合物１や化合物１０によって形成される表面層の潤滑性および耐摩擦性がさらに優れる点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～３が特に好ましい。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１０
ただし、Ａは炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であり、Ｒｆ１、ｍ、Ｒｆ２、Ｒ１、ｐ、Ｑ１、Ｒ２、Ｑ２、Ｒ３およびｎは、化合物１で説明したものと同じである。
炭素数１～２０のペルフルオロアルキル基であるＡ１およびＡの炭素数は、化合物１や化合物１０によって形成される表面層の潤滑性および耐摩擦性がさらに優れる点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～３が特に好ましい。
【0018】
Ｒｆ１の炭素数は、表面層の耐摩擦性および指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、１～６が好ましい。
Ｒｆ１としては、表面層の耐摩擦性および潤滑性がさらに優れる点から、ペルフルオロアルキレン基が好ましい。ペルフルオロアルキレン基以外のＲｆ１としては、水素原子を１～４個とフッ素原子を２個以上とを有する炭素数２～６のポリフルオロアルキレン基が好ましく、水素原子を１または２個とフッ素原子を２個以上とを有する炭素数２～６のポリフルオロアルキレン基がより好ましい。
全Ｒｆ１のうちのペルフルオロアルキレン基の割合は、表面層の耐摩擦性および潤滑性がさらに優れる点から、６０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、１００モル％が特に好ましい。
Ｒｆ１としては、表面層の耐摩擦性および潤滑性がさらに優れる点から、ペルフルオロアルキレン基が好ましい。ペルフルオロアルキレン基以外のＲｆ１としては、水素原子を１～４個とフッ素原子を２個以上とを有する炭素数２～６のポリフルオロアルキレン基が好ましく、水素原子を１または２個とフッ素原子を２個以上とを有する炭素数２～６のポリフルオロアルキレン基がより好ましい。
全Ｒｆ１のうちのペルフルオロアルキレン基の割合は、表面層の耐摩擦性および潤滑性がさらに優れる点から、６０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、１００モル％が特に好ましい。
【0019】
ｍは、２～２００の整数が好ましく、５～１５０の整数がより好ましく、１０～１００の整数が特に好ましい。ｍが前記範囲の下限値以上であれば、表面層の撥水撥油性がさらに優れる。ｍが前記範囲の上限値以下であれば、表面層の耐摩擦性がさらに優れる。すなわち、化合物１の数平均分子量が大きすぎると、単位分子量あたりに存在する加水分解性シリル基の数が減少し、表面層の耐摩擦性が低下する。
【0020】
（Ｒｆ１Ｏ）ｍにおいて、２種以上のＲｆ１Ｏが存在する場合、各Ｒｆ１Ｏの結合順序は限定されない。たとえば、ＣＦ２ＯとＣＦ２ＣＦ２Ｏが存在する場合、ＣＦ２ＯとＣＦ２ＣＦ２Ｏがランダム、交互、ブロックに配置されてもよい。
２種以上のＲｆ１Ｏが存在するとは、炭素数の異なる２種以上のＲｆ１Ｏが存在すること、水素原子数が異なる２種以上のＲｆ１Ｏが存在すること、および水素原子の位置が異なる２種以上のＲｆ１Ｏが存在することをいう。
２種以上のＲｆ１Ｏの配置については、たとえば、｛（ＣＦ２Ｏ）ｍ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ２｝で表される構造は、ｍ１個の（ＣＦ２Ｏ）とｍ２個の（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）とがランダムに配置されていることを表す。また、（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ５で表される構造は、ｍ５個の（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）とｍ５個の（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）とが交互に配置されていることを表す。
２種以上のＲｆ１Ｏが存在するとは、炭素数の異なる２種以上のＲｆ１Ｏが存在すること、水素原子数が異なる２種以上のＲｆ１Ｏが存在すること、および水素原子の位置が異なる２種以上のＲｆ１Ｏが存在することをいう。
２種以上のＲｆ１Ｏの配置については、たとえば、｛（ＣＦ２Ｏ）ｍ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ２｝で表される構造は、ｍ１個の（ＣＦ２Ｏ）とｍ２個の（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）とがランダムに配置されていることを表す。また、（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ５で表される構造は、ｍ５個の（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）とｍ５個の（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）とが交互に配置されていることを表す。
【0021】
（Ｒｆ１Ｏ）ｍとしては、（Ｒｆ１Ｏ）ｍの少なくとも一部に下記の構造を有するものが好ましい。
｛（ＣＦ２Ｏ）ｍ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ２｝
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ３
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ４
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ５
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ６（ＣＦ２Ｏ）ｍ７
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ６（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ７
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ６（ＣＦ２Ｏ）ｍ７
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ６（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ７
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
ただし、ｍ１は１以上の整数であり、ｍ２は１以上の整数であり、ｍ１＋ｍ２は２～５００の整数であり、ｍ３およびｍ４は、それぞれ、２～５００の整数であり、ｍ５は、１～２５０の整数であり、ｍ６およびｍ７は、それぞれ１以上の整数であり、ｍ６＋ｍ７は、２～５００の整数であり、ｍ８は、１～２５０の整数である。
｛（ＣＦ２Ｏ）ｍ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ２｝
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ３
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ４
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ５
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ６（ＣＦ２Ｏ）ｍ７
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ６（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ７
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ６（ＣＦ２Ｏ）ｍ７
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ６（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ７
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８
ただし、ｍ１は１以上の整数であり、ｍ２は１以上の整数であり、ｍ１＋ｍ２は２～５００の整数であり、ｍ３およびｍ４は、それぞれ、２～５００の整数であり、ｍ５は、１～２５０の整数であり、ｍ６およびｍ７は、それぞれ１以上の整数であり、ｍ６＋ｍ７は、２～５００の整数であり、ｍ８は、１～２５０の整数である。
【0022】
（Ｒｆ１Ｏ）ｍとしては、化合物１を製造しやすい点から、下記のものが好ましい。
｛（ＣＦ２Ｏ）ｍ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ２｝
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）２｛（ＣＦ２Ｏ）ｍ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ２－２｝
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ４
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ５－１ＣＦ２ＣＦ２Ｏ
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８－１ＣＦ２ＣＦ２Ｏ
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８－１ＣＦ２ＣＦ２Ｏ
ただし、ｍ２－２、ｍ５－１およびｍ８－１が１以上の整数となるように、ｍ２、ｍ５およびｍ８の数は選択される。
｛（ＣＦ２Ｏ）ｍ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ２｝
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）２｛（ＣＦ２Ｏ）ｍ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ２－２｝
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ４
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ５－１ＣＦ２ＣＦ２Ｏ
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２Ｏ）ｍ８
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８－１ＣＦ２ＣＦ２Ｏ
（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ８－１ＣＦ２ＣＦ２Ｏ
ただし、ｍ２－２、ｍ５－１およびｍ８－１が１以上の整数となるように、ｍ２、ｍ５およびｍ８の数は選択される。
【0023】
Ｒｆ２の炭素数は、表面層の耐摩擦性および指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、１～８が好ましく、１～６がより好ましく、１～５が特に好ましい。
Ｒｆ２としては、表面層の耐摩擦性および潤滑性がさらに優れる点から、ペルフルオロアルキレン基が好ましい。
Ｒｆ２としては、表面層の耐摩擦性および潤滑性がさらに優れる点から、ペルフルオロアルキレン基が好ましい。
【0024】
Ｒ１としては、化合物１を製造しやすい点から、水素原子が好ましい。Ｒ１がアルキル基の場合、その炭素数は１～４が好ましい。
Ｑ１としては、単結合または炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、単結合または炭素数１～４のアルキレン基が特に好ましい。
Ｑ１としては、単結合または炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、単結合または炭素数１～４のアルキレン基が特に好ましい。
【0025】
－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－の構造は、化合物１を製造する際の合成方法に依存する。したがって、－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－は、化合物１の前駆体である後述する化合物２の合成方法に対応した構造となっている。たとえば、化合物２１の製造方法では基ｇ１が形成され、化合物２２の製造方法では基ｇ２が形成され、化合物２３の製造方法では基ｇ３が形成され、化合物２４の製造方法では基ｇ４が形成される。
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ１
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ２
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ３
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ４
ただし、ｑは１～５の整数であり、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、ｒは０～２の整数である。式ｇ３中の４個のＸはすべて同じ原子である。式ｇ４中の２個のＸはすべて同じ原子である。
基ｇ２～ｇ４においては、式中のＸ、ｑ、ｒの選択によっては互いが同じ基になる場合がある。
また、基ｇ２～ｇ４においては、式中のＸの選択によってＲｆ２に相当する部分とＱ１に相当する部分との境界が変わる。すなわち、基ｇ２のＣＨ２ＣＨＸ、基ｇ３のＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２、基ｇ４のＣＸ２は、Ｘが水素原子の場合はＱ１に属し、Ｘがフッ素原子の場合はＲｆ２に属する。
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ１
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ２
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ３
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－ 式ｇ４
ただし、ｑは１～５の整数であり、Ｘは水素原子またはフッ素原子であり、ｒは０～２の整数である。式ｇ３中の４個のＸはすべて同じ原子である。式ｇ４中の２個のＸはすべて同じ原子である。
基ｇ２～ｇ４においては、式中のＸ、ｑ、ｒの選択によっては互いが同じ基になる場合がある。
また、基ｇ２～ｇ４においては、式中のＸの選択によってＲｆ２に相当する部分とＱ１に相当する部分との境界が変わる。すなわち、基ｇ２のＣＨ２ＣＨＸ、基ｇ３のＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２、基ｇ４のＣＸ２は、Ｘが水素原子の場合はＱ１に属し、Ｘがフッ素原子の場合はＲｆ２に属する。
【0026】
基ｇ１としては、たとえば、下記の基が挙げられる。
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－、
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（ＣＨ３）－、
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（ＣＨ３）－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（ＣＨ３）－ＣＨ２ＣＨ２－。
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－、
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（ＣＨ３）－、
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（ＣＨ３）－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（ＣＨ３）－ＣＨ２ＣＨ２－。
【0027】
基ｇ２としては、たとえば、下記の基が挙げられる。
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＦ－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨ２－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＦ－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨ２－ＣＨ２ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＦ－ＣＨ２ＣＨ２－。
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＦ－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨ２－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＦ－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨ２－ＣＨ２ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＦ－ＣＨ２ＣＨ２－。
【0028】
基ｇ３としては、たとえば、下記の基が挙げられる。
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２－ＣＨ２－。
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２－ＣＨ２－。
【0029】
基ｇ４としては、たとえば、下記の基が挙げられる。
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＦ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＦ２－ＣＨ２－。
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＦ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２－ＣＨ２－、
－（ＣＦ２）ｑ－ＣＦ２－ＣＨ２－。
【0030】
以下、－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－が、基ｇ１である化合物１０を化合物１１、基ｇ２である化合物１０を化合物１２、基ｇ３である化合物１０を化合物１３、基ｇ４である化合物１０を化合物１４と記す。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１４
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２－ＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎ］２ 式１４
【0031】
（ＣＦ２）ｑはＲｆ１に由来する基である。したがって、ｑは（Ｒｆ１Ｏ）ｍの構造および化合物１１～１４の原料である、後述する化合物３または化合物４の合成方法に応じて決まる。たとえば、（Ｒｆ１Ｏ）ｍが｛（ＣＦ２Ｏ）ｍ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ２｝または（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ３である場合、ｑは１であり、（Ｒｆ１Ｏ）ｍが（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ４である場合、ｑは２であり、（Ｒｆ１Ｏ）ｍが（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ５である場合、ｑは３であり、（Ｒｆ１Ｏ）ｍがＣＦ２ＯまたはＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏとの組み合わせの場合、ｑは４であり、（Ｒｆ１Ｏ）ｍがＣＦ２ＯまたはＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏとの組み合わせの場合、ｑは５である。
【0032】
Ｒ２が１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基である場合、１価の炭化水素基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～４が特に好ましい。
Ｒ２としては、水素原子または炭素数１～４のアルキル基が好ましく、化合物１を製造しやすい点から、水素原子が好ましい。
Ｑ２の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６がより好ましく、２～４が特に好ましい。
Ｒ２としては、水素原子または炭素数１～４のアルキル基が好ましく、化合物１を製造しやすい点から、水素原子が好ましい。
Ｑ２の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６がより好ましく、２～４が特に好ましい。
【0033】
ＳｉＲ３
ｎＬ３－ｎは、加水分解性シリル基である。
化合物１は、１つの末端に加水分解性シリル基を２個有する。１つの末端に加水分解性シリル基を２個有する化合物１は基材と強固に化学結合するため、表面層の耐摩擦性に優れる。
また、化合物１０は、一方の末端のみに加水分解性シリル基を有する。一方の末端のみに加水分解性シリル基を有する化合物１０は凝集しにくいため、表面層は外観に優れる。
化合物１は、１つの末端に加水分解性シリル基を２個有する。１つの末端に加水分解性シリル基を２個有する化合物１は基材と強固に化学結合するため、表面層の耐摩擦性に優れる。
また、化合物１０は、一方の末端のみに加水分解性シリル基を有する。一方の末端のみに加水分解性シリル基を有する化合物１０は凝集しにくいため、表面層は外観に優れる。
【0034】
Ｌは、加水分解性基である。加水分解性基は、加水分解反応によって水酸基となる基である。すなわち、化合物１の末端のＳｉ－Ｌは、加水分解反応によってシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）となる。シラノール基は、さらに分子間で反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基（基材－ＯＨ）と脱水縮合反応して、化学結合（基材－Ｏ－Ｓｉ）を形成する。
【0035】
Ｌとしては、アルコキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イソシアナート基等が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子が特に好ましい。
Ｌとしては、化合物１の製造をしやすい点から、アルコキシ基またはハロゲン原子が好ましい。Ｌとしては、塗布時のアウトガスが少なく、化合物１の保存安定性に優れる点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、化合物１の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、塗布後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。
Ｌとしては、化合物１の製造をしやすい点から、アルコキシ基またはハロゲン原子が好ましい。Ｌとしては、塗布時のアウトガスが少なく、化合物１の保存安定性に優れる点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、化合物１の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、塗布後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。
【0036】
Ｒ３は、水素原子または１価の炭化水素基である。１価の炭化水素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基等が挙げられる。
Ｒ３としては、１価の炭化水素基が好ましく、１価の飽和炭化水素基が特に好ましい。１価の飽和炭化水素基の炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。Ｒ３の炭素数がこの範囲であると、化合物１を製造しやすい。
Ｒ３としては、１価の炭化水素基が好ましく、１価の飽和炭化水素基が特に好ましい。１価の飽和炭化水素基の炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。Ｒ３の炭素数がこの範囲であると、化合物１を製造しやすい。
【0037】
ｎは、０または１が好ましく、０が特に好ましい。１個の加水分解性シリル基にＬが複数存在することによって、基材との密着性がより強固になる。
【0038】
ＳｉＲ３
ｎＬ３－ｎとしては、Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２、Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３、ＳｉＣｌ３、Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ３）３、Ｓｉ（ＮＣＯ）３が好ましい。工業的な製造における取扱いやすさの点から、Ｓｉ（ＯＣＨ３）３が特に好ましい。
化合物１中の複数のＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎは、同一であっても異なっていてもよい。化合物１を製造しやすい点から、同一の基であることが好ましい。
化合物１中の複数のＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎは、同一であっても異なっていてもよい。化合物１を製造しやすい点から、同一の基であることが好ましい。
【0039】
化合物１１～１４としては、たとえば、下式の化合物が挙げられる。下式の化合物は、工業的に製造しやすく、取扱いやすく、表面層の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、耐薬品性、耐光性および耐薬品性がさらに優れる点から好ましい。
【0040】
【化1】
【0041】
【化2】
【0042】
【化3】
【0043】
【化4】
【0044】
【化5】
【0045】
ただし、Ｇはポリフルオロポリエーテル鎖を有する基を表す。すなわち、Ｇは、前記化合物１１～１４におけるＡ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－を表す。Ｇの好ましい形態は、上述した好ましいＡ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびｑを組み合わせたものとなる。
【0046】
（化合物１の製造方法）
化合物１は、下記式２で表される化合物２とＨＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎとをヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。同様に化合物１０は、下記式２０で表される化合物２０とＨＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎとをヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。
Ａ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｂ２ 式２
ただし、Ａ２は、ＡまたはＢ２であり、Ｂ２は下記式２－１で表される基であり、Ｑ２ａは、単結合またはアルキレン基であり、２個の［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］は、同一であっても異なっていてもよい。－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２は、ヒドロシリル化後に化合物１におけるＱ２となる。
－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２－１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２０
Ａ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍ、－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－およびＲ２は、化合物１で説明したＡ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍ、－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－およびＲ２と同じであり、好ましい形態も同様である。
化合物１は、下記式２で表される化合物２とＨＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎとをヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。同様に化合物１０は、下記式２０で表される化合物２０とＨＳｉＲ３ ｎＬ３－ｎとをヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。
Ａ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｂ２ 式２
ただし、Ａ２は、ＡまたはＢ２であり、Ｂ２は下記式２－１で表される基であり、Ｑ２ａは、単結合またはアルキレン基であり、２個の［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］は、同一であっても異なっていてもよい。－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２は、ヒドロシリル化後に化合物１におけるＱ２となる。
－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２－１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２０
Ａ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍ、－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－およびＲ２は、化合物１で説明したＡ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍ、－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－およびＲ２と同じであり、好ましい形態も同様である。
【0047】
以下、－Ｒｆ２－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）］ｐ－Ｑ１－が、基ｇ１である化合物２０を化合物２１、基ｇ２である化合物２０を化合物２２、基ｇ３である化合物２０を化合物２３、基ｇ４である化合物２０を化合物２４と記す。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２４
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＸ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２ＣＨ２ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＸ２－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２４
【0048】
化合物１１～１４は、それぞれ化合物２１～２４とＨＳｉＲ３
ｎＬ３－ｎとを反応させる方法（ヒドロシリル化）によって製造できる。
【0049】
（化合物２の製造方法）
化合物２１～２４は、末端にアルコキシカルボニル基またはカルボキシ基を有する化合物３、または末端にヨウ素原子を有する化合物４の末端に炭素－炭素不飽和二重結合を導入して製造できる。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）ＯＲ４ 式３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｉ 式４
ただし、Ｒ４は、水素原子または１価の有機基である。Ａおよび（Ｒｆ１Ｏ）ｍは、化合物１で説明したＡおよび（Ｒｆ１Ｏ）ｍと同じであり、好ましい形態も同様である。ｑは、化合物１１～１４で説明したｑと同じであり、好ましい形態も同様である。
Ｒ４としては、アルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は１～１０が好ましく、１が特に好ましい。
化合物２１～２４は、末端にアルコキシカルボニル基またはカルボキシ基を有する化合物３、または末端にヨウ素原子を有する化合物４の末端に炭素－炭素不飽和二重結合を導入して製造できる。
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）ＯＲ４ 式３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｉ 式４
ただし、Ｒ４は、水素原子または１価の有機基である。Ａおよび（Ｒｆ１Ｏ）ｍは、化合物１で説明したＡおよび（Ｒｆ１Ｏ）ｍと同じであり、好ましい形態も同様である。ｑは、化合物１１～１４で説明したｑと同じであり、好ましい形態も同様である。
Ｒ４としては、アルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は１～１０が好ましく、１が特に好ましい。
【0050】
化合物３は、国際公開第２００９／００８３８０号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号等に記載の方法によって製造できる。
化合物４は、国際公開第２００９／００８３８０号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８６号等に記載の方法によって製造できる。
化合物４は、国際公開第２００９／００８３８０号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８６号等に記載の方法によって製造できる。
【0051】
化合物２１は、化合物３と化合物５１とを反応させる方法（アミド化）によって製造できる。
ＮＨ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５１
Ｒ１およびＲ２は、化合物１で説明したＲ１およびＲ２と同じであり、好ましい形態も同様である。ｒは、化合物１１～１４で説明したｒと同じであり、好ましい形態も同様である。Ｑ２ａは、化合物２で説明したＱ２ａと同じであり、好ましい形態も同様である。
ＮＨ（Ｒ１）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５１
Ｒ１およびＲ２は、化合物１で説明したＲ１およびＲ２と同じであり、好ましい形態も同様である。ｒは、化合物１１～１４で説明したｒと同じであり、好ましい形態も同様である。Ｑ２ａは、化合物２で説明したＱ２ａと同じであり、好ましい形態も同様である。
【0052】
化合物５１としては、たとえば、下式の化合物が挙げられる。
【0053】
【化6】
【0054】
化合物２２は、化合物４と化合物５２とを反応させて化合物６２を得た後、化合物６２におけるヨウ素原子を水素原子またはフッ素原子に置換する、すなわち－ＣＨ２ＣＨＩ－を－ＣＨ２ＣＨＸ－にして製造できる。
ＣＨ２＝ＣＨ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＩ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式６２
Ａ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２は、化合物１で説明したＡ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２と同じであり、好ましい形態も同様である。ｑおよびｒは、化合物１１～１４で説明したｑおよびｒと同じであり、好ましい形態も同様である。Ｑ２ａは、化合物２で説明したＱ２ａと同じであり、好ましい形態も同様である。
ＣＨ２＝ＣＨ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５２
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－ＣＨ２ＣＨＩ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式６２
Ａ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２は、化合物１で説明したＡ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２と同じであり、好ましい形態も同様である。ｑおよびｒは、化合物１１～１４で説明したｑおよびｒと同じであり、好ましい形態も同様である。Ｑ２ａは、化合物２で説明したＱ２ａと同じであり、好ましい形態も同様である。
【0055】
化合物５２としては、たとえば、下式の化合物が挙げられる。
【0056】
【化7】
【0057】
化合物２３は、化合物３と化合物５３とを反応させて化合物６３を得た後、化合物６３におけるカルボニル基を水素還元またはフッ素化する、すなわち－Ｃ（Ｏ）－を－ＣＸ２－にして製造できる。
ＣＨ３－Ｃ（Ｏ）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）ＣＨ２Ｃ（Ｏ）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式６３
Ａ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２は、化合物１で説明したＡ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２と同じであり、好ましい形態も同様である。ｑおよびｒは、化合物１１～１４で説明したｑおよびｒと同じであり、好ましい形態も同様である。Ｑ２ａは、化合物２で説明したＱ２ａと同じであり、好ましい形態も同様である。
ＣＨ３－Ｃ（Ｏ）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５３
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）ＣＨ２Ｃ（Ｏ）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式６３
Ａ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２は、化合物１で説明したＡ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２と同じであり、好ましい形態も同様である。ｑおよびｒは、化合物１１～１４で説明したｑおよびｒと同じであり、好ましい形態も同様である。Ｑ２ａは、化合物２で説明したＱ２ａと同じであり、好ましい形態も同様である。
【0058】
化合物５３としては、たとえば、下式の化合物が挙げられる。
【0059】
【化8】
【0060】
化合物２４は、化合物３と化合物５４とを反応させて化合物６４を得た後、化合物６４におけるカルボニル基を水素還元またはフッ素化する、すなわち－Ｃ（Ｏ）－を－ＣＸ２－にして製造できる。
Ｚ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５４
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式６４
ただし、Ｚは、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。Ａ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２は、化合物１で説明したＡ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２と同じであり、好ましい形態も同様である。ｑおよびｒは、化合物１１～１４で説明したｑおよびｒと同じであり、好ましい形態も同様である。Ｑ２ａは、化合物２で説明したＱ２ａと同じであり、好ましい形態も同様である。
Ｚ－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５４
Ａ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－（ＣＦ２）ｑ－Ｃ（Ｏ）－（ＣＨ２）ｒ－Ｃ（Ｒ２）［－Ｑ２ａ－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式６４
ただし、Ｚは、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。Ａ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２は、化合物１で説明したＡ、（Ｒｆ１Ｏ）ｍおよびＲ２と同じであり、好ましい形態も同様である。ｑおよびｒは、化合物１１～１４で説明したｑおよびｒと同じであり、好ましい形態も同様である。Ｑ２ａは、化合物２で説明したＱ２ａと同じであり、好ましい形態も同様である。
【0061】
化合物５４としては、たとえば、下式の化合物が挙げられる。
【0062】
【化9】
【0063】
以上説明した化合物１０にあっては、下記の理由から、初期の撥水撥油性、指紋汚れ除去性、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に優れる表面層を形成できる。
化合物１０は、Ａが末端にＣＦ３－を有するため、化合物１０の一方の末端がＣＦ３－となり、他方の末端が加水分解性シリル基となる。一方の末端がＣＦ３－であり、他方の末端が加水分解性シリル基である化合物１０によれば、低表面エネルギーの表面層を形成できるため、表面層は潤滑性および耐摩擦性に優れる。一方、両末端に加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物では、表面層の潤滑性および耐摩擦性が不充分である。
化合物１は、（Ｒｆ１Ｏ）ｍを有するため、フッ素原子の含有量が多い。そのため、化合物１は、初期撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性に優れる表面層を形成できる。また、Ｒｆ１が直鎖のフルオロアルキレン基であるため、（Ｒｆ１Ｏ）ｍが直鎖構造となる。（Ｒｆ１Ｏ）ｍが直鎖構造の化合物１によれば、表面層の耐摩擦性および潤滑性に優れる。一方、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖が分岐を有する含フッ素エーテル化合物では、表面層の耐摩擦性および潤滑性がやや劣る。
化合物１は、Ｒｆ２も直鎖のフルオロアルキレン基であるため、表面層の耐摩擦性および潤滑性に優れる。
化合物１は、Ｑ１およびＱ２がエーテル性酸素原子を有しないことによって、表面層の耐光性および耐薬品性に優れる。
化合物１は、炭素原子による分岐を介して２個の加水分解性シリル基が導入されているため、炭素原子による分岐を介して３個の加水分解性シリル基が導入されている含フッ素エーテル化合物に比べ、加水分解性シリル基側の末端が嵩高くない。そのため、基材の表面における化合物１の密度が比較的高くなり、その結果、表面層の耐摩擦性および耐光性に優れる。
化合物１０は、Ａが末端にＣＦ３－を有するため、化合物１０の一方の末端がＣＦ３－となり、他方の末端が加水分解性シリル基となる。一方の末端がＣＦ３－であり、他方の末端が加水分解性シリル基である化合物１０によれば、低表面エネルギーの表面層を形成できるため、表面層は潤滑性および耐摩擦性に優れる。一方、両末端に加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物では、表面層の潤滑性および耐摩擦性が不充分である。
化合物１は、（Ｒｆ１Ｏ）ｍを有するため、フッ素原子の含有量が多い。そのため、化合物１は、初期撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性に優れる表面層を形成できる。また、Ｒｆ１が直鎖のフルオロアルキレン基であるため、（Ｒｆ１Ｏ）ｍが直鎖構造となる。（Ｒｆ１Ｏ）ｍが直鎖構造の化合物１によれば、表面層の耐摩擦性および潤滑性に優れる。一方、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖が分岐を有する含フッ素エーテル化合物では、表面層の耐摩擦性および潤滑性がやや劣る。
化合物１は、Ｒｆ２も直鎖のフルオロアルキレン基であるため、表面層の耐摩擦性および潤滑性に優れる。
化合物１は、Ｑ１およびＱ２がエーテル性酸素原子を有しないことによって、表面層の耐光性および耐薬品性に優れる。
化合物１は、炭素原子による分岐を介して２個の加水分解性シリル基が導入されているため、炭素原子による分岐を介して３個の加水分解性シリル基が導入されている含フッ素エーテル化合物に比べ、加水分解性シリル基側の末端が嵩高くない。そのため、基材の表面における化合物１の密度が比較的高くなり、その結果、表面層の耐摩擦性および耐光性に優れる。
【0064】
また、化合物１は、さらに下記の効果を発揮できる。
化合物１は、炭素原子による分岐を介して２個の加水分解性シリル基が導入されているため、炭素原子の代わりに、窒素原子による分岐を介して２個の加水分解性シリル基が導入されている含フッ素エーテル化合物に比べ、表面層の耐薬品性に優れる。
化合物１は、Ｒ２が水素原子、１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基であるため、Ｒ２が水酸基である含フッ素エーテル化合物に比べ、貯蔵安定性に優れる。
化合物１は、炭素原子による分岐を介して２個の加水分解性シリル基が導入されているため、炭素原子の代わりに、窒素原子による分岐を介して２個の加水分解性シリル基が導入されている含フッ素エーテル化合物に比べ、表面層の耐薬品性に優れる。
化合物１は、Ｒ２が水素原子、１価の炭化水素基、または水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された１価の炭化水素基であるため、Ｒ２が水酸基である含フッ素エーテル化合物に比べ、貯蔵安定性に優れる。
【0065】
［含フッ素エーテル組成物］
本発明の含フッ素エーテル組成物（以下、「本組成物」とも記す。）は、化合物１の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含む。
本発明の含フッ素エーテル組成物（以下、「本組成物」とも記す。）は、化合物１の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含む。
【0066】
他の含フッ素エーテル化合物としては、化合物１の製造工程で副生する含フッ素エーテル化合物（以下、「副生含フッ素エーテル化合物」とも記す。）、化合物１と同様の用途に用いられる公知の含フッ素エーテル化合物等が挙げられる。
他の含フッ素エーテル化合物としては、化合物１の特性を低下させるおそれが少ない化合物が好ましい。
他の含フッ素エーテル化合物としては、化合物１の特性を低下させるおそれが少ない化合物が好ましい。
【0067】
副生含フッ素エーテル化合物としては、未反応の化合物２、化合物３および化合物４、化合物１の製造におけるヒドロシリル化の際に、アリル基の一部がインナーオレフィンに異性化した含フッ素エーテル化合物等が挙げられる。
公知の含フッ素エーテル化合物としては、市販の含フッ素エーテル化合物等が挙げられる。本組成物が公知の含フッ素エーテル化合物を含む場合、化合物１の特性を補う等の新たな作用効果が発揮される場合がある。
公知の含フッ素エーテル化合物としては、市販の含フッ素エーテル化合物等が挙げられる。本組成物が公知の含フッ素エーテル化合物を含む場合、化合物１の特性を補う等の新たな作用効果が発揮される場合がある。
【0068】
化合物１の含有量は、本組成物のうち、６０質量％以上１００質量％未満が好ましく、７０質量％以上１００質量％未満がより好ましく、８０質量％以上１００質量％未満が特に好ましい。
他の含フッ素エーテル化合物の含有量は、本組成物のうち、０質量％超４０質量％以下が好ましく、０質量％超３０質量％以下がより好ましく、０質量％超２０質量％以下が特に好ましい。
化合物１の含有量および他の含フッ素エーテル化合物の含有量の合計は、本組成物のうち、８０～１００質量％が好ましく、８５～１００質量％が特に好ましい。
化合物１の含有量および他の含フッ素エーテル化合物の含有量が前記範囲内であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、耐光性および耐薬品性がさらに優れる。
他の含フッ素エーテル化合物の含有量は、本組成物のうち、０質量％超４０質量％以下が好ましく、０質量％超３０質量％以下がより好ましく、０質量％超２０質量％以下が特に好ましい。
化合物１の含有量および他の含フッ素エーテル化合物の含有量の合計は、本組成物のうち、８０～１００質量％が好ましく、８５～１００質量％が特に好ましい。
化合物１の含有量および他の含フッ素エーテル化合物の含有量が前記範囲内であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、耐光性および耐薬品性がさらに優れる。
【0069】
本組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、化合物１および他の含フッ素エーテル化合物以外の成分を含んでいてもよい。
他の成分としては、化合物１や公知の含フッ素エーテル化合物の製造工程で生成した副生物（ただし、副生含フッ素エーテル化合物を除く。）、未反応の原料等の製造上不可避の化合物が挙げられる。
また、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の公知の添加剤が挙げられる。酸触媒としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸等が挙げられる。塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等が挙げられる。
他の成分の含有量は、本組成物のうち、０～１０質量％が好ましく、０～１質量％が特に好ましい。
他の成分としては、化合物１や公知の含フッ素エーテル化合物の製造工程で生成した副生物（ただし、副生含フッ素エーテル化合物を除く。）、未反応の原料等の製造上不可避の化合物が挙げられる。
また、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の公知の添加剤が挙げられる。酸触媒としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸等が挙げられる。塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等が挙げられる。
他の成分の含有量は、本組成物のうち、０～１０質量％が好ましく、０～１質量％が特に好ましい。
【0070】
［コーティング液］
本発明のコーティング液（以下、「本コーティング液」とも記す。）は、化合物１または本組成物と液状媒体とを含む。本コーティング液は、溶液であっても分散液であってもよい。
本発明のコーティング液（以下、「本コーティング液」とも記す。）は、化合物１または本組成物と液状媒体とを含む。本コーティング液は、溶液であっても分散液であってもよい。
【0071】
液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、含フッ素有機溶媒でも非フッ素有機溶媒でもよく、両溶媒を含んでもよい。
含フッ素有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
フッ素化アルカンとしては、炭素数４～８の化合物が好ましい。市販品としては、Ｃ６Ｆ１３Ｈ（旭硝子社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ２０００）、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５（旭硝子社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、Ｃ２Ｆ５ＣＨＦＣＨＦＣＦ３（ケマーズ社製、バートレル（登録商標）ＸＦ）等が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物としては、ヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４～１２の化合物が好ましい。市販品としては、ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（旭硝子社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７１００）、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）、Ｃ２Ｆ５ＣＦ（ＯＣＨ３）Ｃ３Ｆ７（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７３００）等が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンとしては、ペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
フルオロアルコールとしては、２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
非フッ素有機溶媒としては、水素原子および炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子および酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素、アルコール、ケトン、エーテル、エステルが挙げられる。
液状媒体は、２種以上を混合した混合媒体であってもよい。
含フッ素有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
フッ素化アルカンとしては、炭素数４～８の化合物が好ましい。市販品としては、Ｃ６Ｆ１３Ｈ（旭硝子社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ２０００）、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５（旭硝子社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、Ｃ２Ｆ５ＣＨＦＣＨＦＣＦ３（ケマーズ社製、バートレル（登録商標）ＸＦ）等が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物としては、ヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４～１２の化合物が好ましい。市販品としては、ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（旭硝子社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７１００）、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）、Ｃ２Ｆ５ＣＦ（ＯＣＨ３）Ｃ３Ｆ７（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７３００）等が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンとしては、ペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
フルオロアルコールとしては、２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
非フッ素有機溶媒としては、水素原子および炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子および酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素、アルコール、ケトン、エーテル、エステルが挙げられる。
液状媒体は、２種以上を混合した混合媒体であってもよい。
【0072】
化合物１または本組成物の含有量は、本コーティング液のうち、０．００１～１０質量％が好ましく、０．０１～１質量％が特に好ましい。
液状媒体の含有量は、本コーティング液のうち、９０～９９．９９９質量％が好ましく、９９～９９．９９質量％が特に好ましい。
液状媒体の含有量は、本コーティング液のうち、９０～９９．９９９質量％が好ましく、９９～９９．９９質量％が特に好ましい。
【0073】
［物品］
本発明の物品（以下、「本物品」とも記す。）は、化合物１または本組成物から形成された表面層を基材の表面に有する。
表面層は、化合物１を、化合物１の加水分解性シリル基の一部または全部が加水分解反応し、かつ脱水縮合反応した状態で含む。
本発明の物品（以下、「本物品」とも記す。）は、化合物１または本組成物から形成された表面層を基材の表面に有する。
表面層は、化合物１を、化合物１の加水分解性シリル基の一部または全部が加水分解反応し、かつ脱水縮合反応した状態で含む。
【0074】
表面層の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍが特に好ましい。表面層の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。表面層の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、利用効率が高い。表面層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計（ＲＩＧＡＫＵ社製、ＡＴＸ－Ｇ）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。
【0075】
基材としては、撥水撥油性の付与が求められている基材が挙げられる。基材の材料としては、金属、樹脂、ガラス、サファイア、セラミック、石、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。基材の表面にはＳｉＯ２膜等の下地膜が形成されていてもよい。
基材としては、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、メガネレンズが好適であり、タッチパネル用基材が特に好適である。タッチパネル用基材の材料としては、ガラスまたは透明樹脂が好ましい。
基材としては、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、メガネレンズが好適であり、タッチパネル用基材が特に好適である。タッチパネル用基材の材料としては、ガラスまたは透明樹脂が好ましい。
【0076】
［物品の製造方法］
本物品は、たとえば、下記の方法で製造できる。
・化合物１または本組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、化合物１または本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。
・ウェットコーティング法によって本コーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、化合物１または本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。
本物品は、たとえば、下記の方法で製造できる。
・化合物１または本組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、化合物１または本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。
・ウェットコーティング法によって本コーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、化合物１または本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。
【0077】
ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。化合物１の分解を抑える点、および装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着時には、鉄、鋼等の金属多孔体に化合物１または本組成物を含浸させたペレット状物質を用いてもよい。本コーティング液を鉄、鋼等の金属多孔体に含浸させ、液状媒体を乾燥させて、化合物１または本組成物が含浸したペレット状物質を用いてもよい。
【0078】
ウェットコーティング法としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。
【実施例】
【0079】
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下において「％」は特に断りのない限り「質量％」である。なお、例１～４、７～１０は実施例であり、例５、６、１１、１２は比較例である。
【0080】
［例１］
（例１－１）
国際公開第２０１３／１２１９８４号の実施例６に記載の方法にしたがい、化合物３－１を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ３ 式３－１
（例１－１）
国際公開第２０１３／１２１９８４号の実施例６に記載の方法にしたがい、化合物３－１を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ３ 式３－１
【0081】
化合物３－１のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：３．９（３Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１１８（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物３－１の数平均分子量：４，７４０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：３．９（３Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１１８（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物３－１の数平均分子量：４，７４０。
【0082】
（例１－２）
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ － Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ，第９巻，第１９号２００３年，ｐ．４７９６－４８１０に記載の方法において、プロピオニトリルをアセトニトリルに変更した以外は同様の方法によって化合物５１－１を得た。
Ｈ２Ｎ－ＣＨ２－ＣＨ［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５１－１
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ － Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ，第９巻，第１９号２００３年，ｐ．４７９６－４８１０に記載の方法において、プロピオニトリルをアセトニトリルに変更した以外は同様の方法によって化合物５１－１を得た。
Ｈ２Ｎ－ＣＨ２－ＣＨ［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５１－１
【0083】
（例１－３）
５０ｍＬのナスフラスコに、例１－１で得た化合物３－１の９．０ｇおよび例１－２で得た化合物５１－１の０．３４ｇを入れ、１２時間撹拌した。ＮＭＲから、化合物３－１がすべて化合物２１－１に変換していることを確認した。また、副生物であるメタノールが生成していた。得られた溶液をＡＥ－３０００の９．０ｇで希釈し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：ＡＥ－３０００）で精製し、化合物２１－１の６．５ｇ（収率７２％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－ＣＨ［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１－１
５０ｍＬのナスフラスコに、例１－１で得た化合物３－１の９．０ｇおよび例１－２で得た化合物５１－１の０．３４ｇを入れ、１２時間撹拌した。ＮＭＲから、化合物３－１がすべて化合物２１－１に変換していることを確認した。また、副生物であるメタノールが生成していた。得られた溶液をＡＥ－３０００の９．０ｇで希釈し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：ＡＥ－３０００）で精製し、化合物２１－１の６．５ｇ（収率７２％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－ＣＨ［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１－１
【0084】
化合物２１－１のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：１．７（１Ｈ）、２．１（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、６．２～５．９（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物２１－１の数平均分子量：４，８３０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：１．７（１Ｈ）、２．１（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、６．２～５．９（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物２１－１の数平均分子量：４，８３０。
【0085】
（例１－４）
１０ｍＬのテトラフルオロエチレン－ペルフルオロ（アルコキシビニルエーテル）共重合体（以下、「ＰＦＡ」とも記す。）製サンプル管に、例１－３で得た化合物２１－１の６．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：２質量％）の０．０７ｇ、ＨＳｉ（ＯＣＨ３）３の０．７８ｇ、アニリンの０．０２ｇ、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン（東京化成工業社製）の０．４９ｇを入れ、４０℃で１０時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、１．０μｍ孔径のメンブランフィルタでろ過し、化合物１１－１の６．３ｇ（収率１００％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－ＣＨ［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１１－１
１０ｍＬのテトラフルオロエチレン－ペルフルオロ（アルコキシビニルエーテル）共重合体（以下、「ＰＦＡ」とも記す。）製サンプル管に、例１－３で得た化合物２１－１の６．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：２質量％）の０．０７ｇ、ＨＳｉ（ＯＣＨ３）３の０．７８ｇ、アニリンの０．０２ｇ、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン（東京化成工業社製）の０．４９ｇを入れ、４０℃で１０時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、１．０μｍ孔径のメンブランフィルタでろ過し、化合物１１－１の６．３ｇ（収率１００％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－ＣＨ［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１１－１
【0086】
化合物１１－１のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．７（４Ｈ）、１．３～１．７（９Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．６（１８Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８１（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物１１－１の数平均分子量：５，０７０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．７（４Ｈ）、１．３～１．７（９Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．６（１８Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８１（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物１１－１の数平均分子量：５，０７０。
【0087】
［例２］
（例２－１）
国際公開第２０１４／１６３００４号の実施例４に記載の方法にしたがい、化合物３－２を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ３ 式３－２
（例２－１）
国際公開第２０１４／１６３００４号の実施例４に記載の方法にしたがい、化合物３－２を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ３ 式３－２
【0088】
化合物３－２のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：３．９（３Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７８（１Ｆ）、－８０（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物３－２の数平均分子量：４，２３０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：３．９（３Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７８（１Ｆ）、－８０（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物３－２の数平均分子量：４，２３０。
【0089】
（例２－２）
化合物３－１の９．０ｇを例２－１で得た化合物３－２の８．０ｇに変更した以外は例１－３と同様にして、化合物２１－２の６．５ｇ（収率７９％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－ＣＨ［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１－２
化合物３－１の９．０ｇを例２－１で得た化合物３－２の８．０ｇに変更した以外は例１－３と同様にして、化合物２１－２の６．５ｇ（収率７９％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－ＣＨ［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１－２
【0090】
化合物２１－２のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：１．７（１Ｈ）、２．１（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、６．２～５．９（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７９（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物２１－２の数平均分子量：４，３３０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：１．７（１Ｈ）、２．１（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、６．２～５．９（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７９（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物２１－２の数平均分子量：４，３３０。
【0091】
（例２－３）
化合物２１－１の６．０ｇを例２－２で得た化合物２１－２の５．４ｇに変更した以外は例１－４と同様にして、化合物１１－２の５．７ｇ（収率１００％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－ＣＨ［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１１－２
化合物２１－１の６．０ｇを例２－２で得た化合物２１－２の５．４ｇに変更した以外は例１－４と同様にして、化合物１１－２の５．７ｇ（収率１００％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－ＣＨ［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１１－２
【0092】
化合物１１－２のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．７（４Ｈ）、１．３～１．７（９Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．７（１８Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７９（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物１１－２の数平均分子量：４，５７０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．７（４Ｈ）、１．３～１．７（９Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．７（１８Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７９（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物１１－２の数平均分子量：４，５７０。
【0093】
［例３］
（例３－１）
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ － Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ，第９巻，第１９号２００３年，ｐ．４７９６－４８１０に記載の方法によって化合物５１－２を得た。
Ｈ２Ｎ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５１－２
（例３－１）
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ － Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ，第９巻，第１９号２００３年，ｐ．４７９６－４８１０に記載の方法によって化合物５１－２を得た。
Ｈ２Ｎ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式５１－２
【0094】
（例３－２）
化合物５１－１の０．３４ｇを例３－１で得た化合物５１－２の０．３７ｇに変更した以外は例１－３と同様にして、化合物２１－３の８．０ｇ（収率８７％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１－３
化合物５１－１の０．３４ｇを例３－１で得た化合物５１－２の０．３７ｇに変更した以外は例１－３と同様にして、化合物２１－３の８．０ｇ（収率８７％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１－３
【0095】
化合物２１－３のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：１．０（３Ｈ）、２．１（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、６．２～５．９（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物２１－３の数平均分子量：４，８５０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：１．０（３Ｈ）、２．１（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、６．２～５．９（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物２１－３の数平均分子量：４，８５０。
【0096】
（例３－３）
化合物２１－１を例３－２で得た化合物２１－３に変更した以外は例１－４と同様にして、化合物１１－３の６．３ｇ（収率１００％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１１－３
化合物２１－１を例３－２で得た化合物２１－３に変更した以外は例１－４と同様にして、化合物１１－３の６．３ｇ（収率１００％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１１－３
【0097】
化合物１１－３のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．７（４Ｈ）、１．０（３Ｈ）、１．４～１．６（８Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．６（１８Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８１（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物１１－３の数平均分子量：５，０９０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．７（４Ｈ）、１．０（３Ｈ）、１．４～１．６（８Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．６（１８Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８１（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物１１－３の数平均分子量：５，０９０。
【0098】
［例４］
（例４－１）
化合物５１－１の０．３４ｇを例３－１で得た化合物５１－２の０．３７ｇに変更した以外は例２－２と同様にして、化合物２１－４の７．８ｇ（収率９５％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）［－ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１－４
（例４－１）
化合物５１－１の０．３４ｇを例３－１で得た化合物５１－２の０．３７ｇに変更した以外は例２－２と同様にして、化合物２１－４の７．８ｇ（収率９５％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）［－ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２１－４
【0099】
化合物２１－４のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：１．０（３Ｈ）、２．１（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、６．２～５．９（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７９（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物２１－４の数平均分子量：４，３４０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：１．０（３Ｈ）、２．１（４Ｈ）、３．４（２Ｈ）、５．２（４Ｈ）、６．２～５．９（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７９（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物２１－４の数平均分子量：４，３４０。
【0100】
（例４－２）
化合物２１－２を例４－１で得た化合物２１－４に変更した以外は例２－３と同様にして、化合物１１－４の６．３ｇ（収率９９％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１１－４
化合物２１－２を例４－１で得た化合物２１－４に変更した以外は例２－３と同様にして、化合物１１－４の６．３ｇ（収率９９％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ（ＣＨ３）［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１１－４
【0101】
化合物１１－４のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．７（４Ｈ）、１．０（３Ｈ）、１．４～１．６（８Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．６（１８Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７９（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物１１－４の数平均分子量：４，５８０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．７（４Ｈ）、１．０（３Ｈ）、１．４～１．６（８Ｈ）、３．４（２Ｈ）、３．６（１８Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７９（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物１１－４の数平均分子量：４，５８０。
【0102】
［例５］
（例５－１）
５０ｍＬのナスフラスコに、テトラヒドロフランの５．０ｇおよびＡＥ－３０００の１０ｇを入れ、０．７ｍｏｌ／Ｌのアリルマグネシウムブロミド５ｍＬを滴下した。さらに、例１－１で得た化合物３－１の７．１ｇを滴下し、５５℃で８時間撹拌した。２５℃まで冷却し、１ｍｏｌ／Ｌの塩酸水溶液の１０ｍＬを入れて反応を停止させ、下層をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：ＡＥ－３０００）で精製し、化合物６５－１の６．５ｇ（収率７２％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（ＯＨ）［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式６５－１
（例５－１）
５０ｍＬのナスフラスコに、テトラヒドロフランの５．０ｇおよびＡＥ－３０００の１０ｇを入れ、０．７ｍｏｌ／Ｌのアリルマグネシウムブロミド５ｍＬを滴下した。さらに、例１－１で得た化合物３－１の７．１ｇを滴下し、５５℃で８時間撹拌した。２５℃まで冷却し、１ｍｏｌ／Ｌの塩酸水溶液の１０ｍＬを入れて反応を停止させ、下層をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：ＡＥ－３０００）で精製し、化合物６５－１の６．５ｇ（収率７２％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ（ＯＨ）［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式６５－１
【0103】
化合物６５－１のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：２．４～２．６（４Ｈ）、５．２～５．３（４Ｈ）、５．９～６．０（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１１６（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物６５－１の数平均分子量：４，７８０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：２．４～２．６（４Ｈ）、５．２～５．３（４Ｈ）、５．９～６．０（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１１６（２Ｆ）、－１２１（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物６５－１の数平均分子量：４，７８０。
【0104】
（例５－２）
５０ｍＬのナスフラスコに、例５－１で得た化合物６５－１の６．０ｇ、臭化アリルの１．０ｇ、テトラブチルアンモニウムヨージドの０．０２ｇおよび水酸化カリウムの０．５ｇを入れ、８０℃で５時間撹拌した。２５℃まで冷却し、ＡＥ－３０００の１０ｇを入れ、２回水洗した。得られた粗液をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：ＡＣ－６０００）で精製し、化合物２５－１の５．５ｇ（収率９１％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ［－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２
式２５－１
５０ｍＬのナスフラスコに、例５－１で得た化合物６５－１の６．０ｇ、臭化アリルの１．０ｇ、テトラブチルアンモニウムヨージドの０．０２ｇおよび水酸化カリウムの０．５ｇを入れ、８０℃で５時間撹拌した。２５℃まで冷却し、ＡＥ－３０００の１０ｇを入れ、２回水洗した。得られた粗液をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：ＡＣ－６０００）で精製し、化合物２５－１の５．５ｇ（収率９１％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ［－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２
式２５－１
【0105】
化合物２５－１のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：２．６－２．７（４Ｈ）、４．１（２Ｈ）、５．０～５．３（６Ｈ）、５．７～５．９（３Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１１１（２Ｆ）、－１２３（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物２５－１の数平均分子量：４，８２０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：２．６－２．７（４Ｈ）、４．１（２Ｈ）、５．０～５．３（６Ｈ）、５．７～５．９（３Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１１１（２Ｆ）、－１２３（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物２５－１の数平均分子量：４，８２０。
【0106】
（例５－３）
化合物２１－１の６．０ｇを例５－２で得た化合物２５－１の５．０ｇに変更した以外は例１－４と同様にして、化合物１５－１の５．２ｇ（収率９９％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ［－Ｏ－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１５－１
化合物２１－１の６．０ｇを例５－２で得た化合物２５－１の５．０ｇに変更した以外は例１－４と同様にして、化合物１５－１の５．２ｇ（収率９９％）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－Ｃ［－Ｏ－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１５－１
【0107】
化合物１５－１のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．６～０．８（６Ｈ）、１．６～１．８（６Ｈ）、１．９～２．０（４Ｈ）、３．６（２９Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物１５－１の数平均分子量：５，１８０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．６～０．８（６Ｈ）、１．６～１．８（６Ｈ）、１．９～２．０（４Ｈ）、３．６（２９Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５５（３Ｆ）、－８２（５４Ｆ）、－８８（５４Ｆ）、－９０（２Ｆ）、－１２０（２Ｆ）、－１２５（５２Ｆ）、－１２６（２Ｆ）。
単位数ｘ３の平均値：１３、化合物１５－１の数平均分子量：５，１８０。
【0108】
［例６］
（例６－１）
化合物３－１の７．１ｇを例２－１で得た化合物３－２の６．４ｇに変更した以外は例５－１と同様にして、化合物６５－２の５．８ｇ（収率９０％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（ＯＨ）［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式６５－２
（例６－１）
化合物３－１の７．１ｇを例２－１で得た化合物３－２の６．４ｇに変更した以外は例５－１と同様にして、化合物６５－２の５．８ｇ（収率９０％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ（ＯＨ）［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式６５－２
【0109】
化合物６５－２のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：２．４～２．６（４Ｈ）、５．２～５．３（４Ｈ）、５．９～６．０（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７７（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物６５－２の数平均分子量：４，２８０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：２．４～２．６（４Ｈ）、５．２～５．３（４Ｈ）、５．９～６．０（２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７７（１Ｆ）、－８１（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物６５－２の数平均分子量：４，２８０。
【0110】
（例６－２）
化合物６５－１の６．０ｇを例６－１で得た化合物６５－２の５．５ｇに変更した以外は例５－２と同様にして、化合物２５－２の５．１ｇ（収率９０％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ［－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２５－２
化合物６５－１の６．０ｇを例６－１で得た化合物６５－２の５．５ｇに変更した以外は例５－２と同様にして、化合物２５－２の５．１ｇ（収率９０％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ［－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］［－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２］２ 式２５－２
【0111】
化合物２５－２のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：２．５－２．６（４Ｈ）、４．１（２Ｈ）、４．９～５．２（６Ｈ）、５．７～５．９（３Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７６（１Ｆ）、－７８（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物２５－２の数平均分子量：４，３２０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：２．５－２．６（４Ｈ）、４．１（２Ｈ）、４．９～５．２（６Ｈ）、５．７～５．９（３Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７６（１Ｆ）、－７８（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物２５－２の数平均分子量：４，３２０。
【0112】
（例６－３）
化合物２１－１の６．０ｇを例６－２で得た化合物２５－２の５．０ｇに変更した以外は例１－４と同様にして、化合物１５－２の５．３ｇ（収率１００％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ［－Ｏ－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１５－２
化合物２１－１の６．０ｇを例６－２で得た化合物２５－２の５．０ｇに変更した以外は例１－４と同様にして、化合物１５－２の５．３ｇ（収率１００％）を得た。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｘ１（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ２｝－ＣＦ２－Ｃ［－Ｏ－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］［－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］２ 式１５－２
【0113】
化合物１５－２のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．６～０．８（６Ｈ）、１．６～１．８（６Ｈ）、１．９～２．０（４Ｈ）、３．６（２９Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７６（１Ｆ）、－７８（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物１５－２の数平均分子量：４，６９０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＴＭＳ） δ（ｐｐｍ）：０．６～０．８（６Ｈ）、１．６～１．８（６Ｈ）、１．９～２．０（４Ｈ）、３．６（２９Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－５２～－５６（４２Ｆ）、－７６（１Ｆ）、－７８（１Ｆ）、－８２（３Ｆ）、－８９～－９１（９２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｘ１の平均値：２１、単位数ｘ２の平均値：２０、化合物１５－２の数平均分子量：４，６９０。
【0114】
［例７～１２：物品の製造および評価］
例１～６で得た各化合物を用いて基材を表面処理し、例７～１２の物品を得た。表面処理方法として、各例について下記のドライコーティング法およびウェットコーティング法をそれぞれ用いた。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた物品について、下記の方法で評価した。結果を表１に示す。
例１～６で得た各化合物を用いて基材を表面処理し、例７～１２の物品を得た。表面処理方法として、各例について下記のドライコーティング法およびウェットコーティング法をそれぞれ用いた。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた物品について、下記の方法で評価した。結果を表１に示す。
【0115】
（ドライコーティング法）
ドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ－３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。例１～６で得た各化合物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０－３Ｐａ以下に排気した。化合物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物が堆積された基材を、２００℃で３０分間加熱処理し、ジクロロペンタフルオロプロパン（旭硝子社製、ＡＫ－２２５）にて洗浄して基材の表面に表面層を有する物品を得た。
ドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ－３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。例１～６で得た各化合物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０－３Ｐａ以下に排気した。化合物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物が堆積された基材を、２００℃で３０分間加熱処理し、ジクロロペンタフルオロプロパン（旭硝子社製、ＡＫ－２２５）にて洗浄して基材の表面に表面層を有する物品を得た。
【0116】
（ウェットコーティング法）
例１～６で得た各化合物と、媒体としてのＣ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）とを混合して、固形分濃度０．０５％のコーティング液を調製した。コーティング液に基材をディッピングし、３０分間放置後、基材を引き上げた（ディップコート法）。塗膜を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ－２２５にて洗浄して基材の表面に表面層を有する物品を得た。
例１～６で得た各化合物と、媒体としてのＣ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）とを混合して、固形分濃度０．０５％のコーティング液を調製した。コーティング液に基材をディッピングし、３０分間放置後、基材を引き上げた（ディップコート法）。塗膜を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ－２２５にて洗浄して基材の表面に表面層を有する物品を得た。
【0117】
（評価方法）
＜接触角の測定方法＞
表面層の表面に置いた、約２μＬの蒸留水またはｎ－ヘキサデカンの接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、ＤＭ－５００）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出した。接触角の算出には２θ法を用いた。
＜接触角の測定方法＞
表面層の表面に置いた、約２μＬの蒸留水またはｎ－ヘキサデカンの接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、ＤＭ－５００）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出した。接触角の算出には２θ法を用いた。
【0118】
＜初期接触角＞
表面層について、初期水接触角および初期ｎ－ヘキサデカン接触角を前記測定方法で測定した。評価基準は下記のとおりである。
初期水接触角：
◎（優） ：１１５度以上。
○（良） ：１１０度以上１１５度未満。
△（可） ：１００度以上１１０度未満。
×（不可）：１００度未満。
初期ｎ－ヘキサデカン接触角：
◎（優） ：６６度以上。
○（良） ：６５度以上６６度未満。
△（可） ：６３度以上６５度未満。
×（不可）：６３度未満。
表面層について、初期水接触角および初期ｎ－ヘキサデカン接触角を前記測定方法で測定した。評価基準は下記のとおりである。
初期水接触角：
◎（優） ：１１５度以上。
○（良） ：１１０度以上１１５度未満。
△（可） ：１００度以上１１０度未満。
×（不可）：１００度未満。
初期ｎ－ヘキサデカン接触角：
◎（優） ：６６度以上。
○（良） ：６５度以上６６度未満。
△（可） ：６３度以上６５度未満。
×（不可）：６３度未満。
【0119】
＜耐摩擦性（スチールウール）＞
表面層について、ＪＩＳ Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（♯００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で１万回往復させた後、水接触角を測定した。摩擦後の撥水性（水接触角）の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：１万回往復後の水接触角の変化が２度以下。
○（良） ：１万回往復後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可） ：１万回往復後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：１万回往復後の水接触角の変化が１０度超。
表面層について、ＪＩＳ Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（♯００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で１万回往復させた後、水接触角を測定した。摩擦後の撥水性（水接触角）の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：１万回往復後の水接触角の変化が２度以下。
○（良） ：１万回往復後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可） ：１万回往復後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：１万回往復後の水接触角の変化が１０度超。
【0120】
＜耐摩擦性（消しゴム）＞
表面層について、ＪＩＳ Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、Ｒｕｂｂｅｒ Ｅｒａｓｅｒ（Ｍｉｎｏａｎ社製）を荷重：４．９Ｎ、速度：６０ｒｐｍで３万回往復させた後、水接触角を測定した。摩擦後の撥水性（水接触角）の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：１万回往復後の水接触角の変化が２度以下。
○（良） ：１万回往復後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可） ：１万回往復後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：１万回往復後の水接触角の変化が１０度超。
表面層について、ＪＩＳ Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、Ｒｕｂｂｅｒ Ｅｒａｓｅｒ（Ｍｉｎｏａｎ社製）を荷重：４．９Ｎ、速度：６０ｒｐｍで３万回往復させた後、水接触角を測定した。摩擦後の撥水性（水接触角）の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：１万回往復後の水接触角の変化が２度以下。
○（良） ：１万回往復後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可） ：１万回往復後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：１万回往復後の水接触角の変化が１０度超。
【0121】
＜指紋汚れ除去性＞
人工指紋液（オレイン酸とスクアレンとからなる液）を、シリコンゴム栓の平坦面に付着させた後、余分な油分を不織布（旭化成社製、ベンコット（登録商標）Ｍ－３）にて拭き取って、指紋のスタンプを準備した。指紋スタンプを表面層上に乗せ、荷重：９．８Ｎにて１０秒間押しつけた。指紋が付着した箇所のヘーズをヘーズメータにて測定し、初期値とした。指紋が付着した箇所について、ティッシュペーパーを取り付けた往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、荷重：４．９Ｎにて拭き取った。拭き取り一往復毎にヘーズの値を測定し、ヘーズが初期値から１０％以下になる拭き取り回数を測定した。拭き取り回数が少ないほど指紋汚れを容易に除去でき、指紋汚れ拭き取り性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：拭き取り回数が３回以下。
○（良） ：拭き取り回数が４～５回。
△（可） ：拭き取り回数が６～８回。
×（不可）：拭き取り回数が９回以上。
人工指紋液（オレイン酸とスクアレンとからなる液）を、シリコンゴム栓の平坦面に付着させた後、余分な油分を不織布（旭化成社製、ベンコット（登録商標）Ｍ－３）にて拭き取って、指紋のスタンプを準備した。指紋スタンプを表面層上に乗せ、荷重：９．８Ｎにて１０秒間押しつけた。指紋が付着した箇所のヘーズをヘーズメータにて測定し、初期値とした。指紋が付着した箇所について、ティッシュペーパーを取り付けた往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、荷重：４．９Ｎにて拭き取った。拭き取り一往復毎にヘーズの値を測定し、ヘーズが初期値から１０％以下になる拭き取り回数を測定した。拭き取り回数が少ないほど指紋汚れを容易に除去でき、指紋汚れ拭き取り性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：拭き取り回数が３回以下。
○（良） ：拭き取り回数が４～５回。
△（可） ：拭き取り回数が６～８回。
×（不可）：拭き取り回数が９回以上。
【0122】
＜耐光性＞
表面層に対し、卓上型キセノンアークランプ式促進耐光性試験機（東洋精機社製、ＳＵＮＴＥＳＴ ＸＬＳ＋）を用いて、ブラックパネル温度：６３℃にて、光線（６５０Ｗ／ｍ２、３００～７００ｎｍ）を１，０００時間照射した後、水接触角を測定した。促進耐光試験後の水接触角の低下が小さいほど光による性能の低下が小さく、耐光性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：促進耐光試験後の水接触角の変化が２度以下。
○（良） ：促進耐光試験後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可） ：促進耐光試験後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：促進耐光試験後の水接触角の変化が１０度超。
表面層に対し、卓上型キセノンアークランプ式促進耐光性試験機（東洋精機社製、ＳＵＮＴＥＳＴ ＸＬＳ＋）を用いて、ブラックパネル温度：６３℃にて、光線（６５０Ｗ／ｍ２、３００～７００ｎｍ）を１，０００時間照射した後、水接触角を測定した。促進耐光試験後の水接触角の低下が小さいほど光による性能の低下が小さく、耐光性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：促進耐光試験後の水接触角の変化が２度以下。
○（良） ：促進耐光試験後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可） ：促進耐光試験後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：促進耐光試験後の水接触角の変化が１０度超。
【0123】
＜潤滑性＞
人工皮膚（出光テクノファイン社製、ＰＢＺ１３００１）に対する表面層の動摩擦係数を、荷重変動型摩擦摩耗試験システム（新東科学社製、ＨＨＳ２０００）を用い、接触面積：３ｃｍ×３ｃｍ、荷重：０．９８Ｎの条件で測定した。動摩擦係数が小さいほど潤滑性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：動摩擦係数が０．２以下。
○（良） ：動摩擦係数が０．２超０．３以下。
△（可） ：動摩擦係数が０．３超０．４以下。
×（不可）：動摩擦係数が０．４超。
人工皮膚（出光テクノファイン社製、ＰＢＺ１３００１）に対する表面層の動摩擦係数を、荷重変動型摩擦摩耗試験システム（新東科学社製、ＨＨＳ２０００）を用い、接触面積：３ｃｍ×３ｃｍ、荷重：０．９８Ｎの条件で測定した。動摩擦係数が小さいほど潤滑性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：動摩擦係数が０．２以下。
○（良） ：動摩擦係数が０．２超０．３以下。
△（可） ：動摩擦係数が０．３超０．４以下。
×（不可）：動摩擦係数が０．４超。
【0124】
＜耐薬品性（耐アルカリ性）＞
物品を、１規定の水酸化ナトリウム水溶液（ｐＨ＝１４）に５時間浸漬した後、水洗、風乾し、水接触角を測定した。試験後における水接触角の低下が小さいほどアルカリによる性能の低下が小さく、耐アルカリ性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が２度以下。
〇（良） ：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可） ：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が１０度超。
物品を、１規定の水酸化ナトリウム水溶液（ｐＨ＝１４）に５時間浸漬した後、水洗、風乾し、水接触角を測定した。試験後における水接触角の低下が小さいほどアルカリによる性能の低下が小さく、耐アルカリ性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が２度以下。
〇（良） ：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可） ：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が１０度超。
【0125】
＜耐薬品性（耐塩水性）＞
ＪＩＳ Ｈ８５０２に準拠して塩水噴霧試験を行った。すなわち、物品を、塩水噴霧試験機（スガ試験機社製）内で３００時間塩水雰囲気に暴露した後、水接触角を測定した。試験後における水接触角の低下が小さいほど塩水による性能の低下が小さく、耐塩水性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が２度以下。
○（良） ：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可） ：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が１０度超。
ＪＩＳ Ｈ８５０２に準拠して塩水噴霧試験を行った。すなわち、物品を、塩水噴霧試験機（スガ試験機社製）内で３００時間塩水雰囲気に暴露した後、水接触角を測定した。試験後における水接触角の低下が小さいほど塩水による性能の低下が小さく、耐塩水性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が２度以下。
○（良） ：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可） ：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が１０度超。
【0126】
【表1】
【0127】
化合物１を用いた例７～１０は、初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、耐光性および耐薬品性に優れていることを確認した。
特許文献１に記載の含フッ素エーテル化合物に相当する例７～８の化合物を用いた例１１～１２は、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に劣っていた。
特許文献１に記載の含フッ素エーテル化合物に相当する例７～８の化合物を用いた例１１～１２は、耐摩擦性、耐光性および耐薬品性に劣っていた。
【産業上の利用可能性】
【0128】
本発明の含フッ素エーテル化合物は、潤滑性や撥水撥油性の付与が求められている各種の用途に用いることができる。たとえばタッチパネル等の表示入力装置、透明なガラス製または透明なプラスチック製部材の表面保護コート、キッチン用防汚コート、電子機器、熱交換器、電池等の撥水防湿コートや防汚コート、トイレタリー用防汚コート、導通しながら撥液が必要な部材へのコート、熱交換機の撥水・防水・滑水コート、振動ふるいやシリンダ内部等の表面低摩擦コート等に用いることができる。より具体的な使用例としては、ディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板、あるいはそれらの表面に反射防止膜処理を施したもの、携帯電話、携帯情報端末等の機器のタッチパネルシートやタッチパネルディスプレイ等人の指あるいは手のひらで画面上の操作を行う表示入力装置を有する各種機器、トイレ、風呂、洗面所、キッチン等の水周りの装飾建材、配線板用防水コーティング熱交換機の撥水・防水コート、太陽電池の撥水コート、プリント配線板の防水・撥水コート、電子機器筐体や電子部品用の防水・撥水コート、送電線の絶縁性向上コート、各種フィルタの防水・撥水コート、電波吸収材や吸音材の防水性コート、風呂、厨房機器、トイレタリー用防汚コート、熱交換機の撥水・防水・滑水コート、振動ふるいやシリンダ内部等の表面低摩擦コート、機械部品、真空機器部品、ベアリング部品、自動車部品、工具等の表面保護コートが挙げられる。
なお、２０１７年０８月２２日に出願された日本特許出願２０１７－１５９６９６号の明細書、特許請求の範囲および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
なお、２０１７年０８月２２日に出願された日本特許出願２０１７－１５９６９６号の明細書、特許請求の範囲および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。