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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-09-06
(45)【発行日】2022-09-14
(54)【発明の名称】積層体の製造方法、積層体、及び電子装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
B32B 37/14 20060101AFI20220907BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20220907BHJP
【ＦＩ】
B32B37/14 Z
H01L23/12 501P
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2018148320
(22)【出願日】2018-08-07
(65)【公開番号】P2020023086
(43)【公開日】2020-02-13
【審査請求日】2021-05-13
(73)【特許権者】
【識別番号】000220239
【氏名又は名称】東京応化工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107836
【弁理士】
【氏名又は名称】西 和哉
(72)【発明者】
【氏名】岩田 泰昌
(72)【発明者】
【氏名】山本 毅
(72)【発明者】
【氏名】中田 公宏
(72)【発明者】
【氏名】中村 彰彦
(72)【発明者】
【氏名】稲尾 吉浩
【審査官】藤原 敬士
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１７－０５０４６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０６５９５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１７０８７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０９８４８１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１４７３３１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ３２Ｂ １／００ － ４３／００
Ｈ０１Ｌ ２３／１２ － ２３／１５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
支持体と、光の吸収又は加熱により変質する分離層と、接着層と、再配線層の形成に用いられかつ融点が３００℃以上である保護層とを、この順番で積層すること、を含み、前記接着層の前記支持体が存在しない側の全面に前記保護層を形成することを含む、積層体の製造方法。
【請求項2】
支持体と、光の吸収又は加熱により変質する分離層と、接着層と、再配線層の形成に用いられかつ融点が３００℃以上である保護層とを、この順番で積層すること、を含み、前記保護層は、Ｔｉ及びＣｕの一方又は双方を含む金属で形成される、積層体の製造方法。
【請求項3】
支持体と、光の吸収又は加熱により変質する分離層と、接着層と、再配線層の形成に用いられかつ融点が３００℃以上である保護層とを、この順番で積層すること、を含み、前記接着層は、融点が５０℃以上３００℃以下である、積層体の製造方法。
【請求項4】
前記保護層は、導電性の金属で形成される、請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項5】
前記保護層は、スパッタリングで形成されることを含む、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項6】
前記接着層の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項7】
前記支持体は、ガラス、その他の光が透過する材料で形成される、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項8】
前記保護層の上に、前記再配線層を形成することを含む、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項9】
前記再配線層は、誘電体層及び導電体層を含む、請求項８に記載の積層体の製造方法。
【請求項10】
前記誘電体層は、ポリアミド酸、ポリイミド、ポリアミドイミド、及びポリアミドの少なくとも一つを含む樹脂が用いられる、請求項９に記載の積層体の製造方法。
【請求項11】
前記再配線層の上に、電子部品を有する基板を積層することを含み、
前記基板の厚さは、５０μｍ以上１０００μｍ以下であり、
前記支持体の厚さは、５００μｍ以上２０００μｍ以下でありかつ前記基板の厚さよりも厚い、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項12】
前記基板は、前記電子部品をモールド材によりモールドしている、請求項１１に記載の積層体の製造方法。
【請求項13】
支持体と、光の吸収又は加熱により変質する分離層と、接着層と、再配線層の形成に用いられかつ融点が５００℃以上である保護層とが、この順番で積層され、前記接着層の前記支持体が存在しない側の全面に前記保護層が形成されている積層体。
【請求項14】
請求項１１又は請求項１２に記載の積層体の製造方法により積層体を製造することと、前記分離層を変質させて、前記積層体から前記支持体を分離することと、
前記基板から前記接着層及び前記分離層を除去して、前記電子部品を含む電子装置を得ることと、を含む、電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層体の製造方法、積層体、及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子装置を製造する方法の一例として、いわゆるファンアウト型ＰＬＰ（Fan-out Panel Level Package）技術と呼ばれる手法が知られている。ファンアウト型ＰＬＰ技術では、例えば、ウエハなどの支持体に、光の吸収又は加熱により変質する分離層を形成し、その上に電子部品を有する基板を積層する。その後、分離層に光又は熱を加えて支持体から基板を分離させ、基板を電子部品ごとに切断して電子装置を得ている（例えば、特許文献１参照）。
【0003】
このようなファンアウト型ＰＬＰ技術には、分離層上に基板を積層した後、基板に再配線を形成するチップファーストと呼ばれる手法と、分離層上に再配線を形成した後、再配線上に基板を積層するＲＬＤファーストと呼ばれる手法とがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開平９－２９１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記のＲＬＤファースト技術では、分離層上に接着層を形成し、接着層上に再配線をパターニングする。再配線をパターニングする場合、例えば接着層上の全面に絶縁層を形成し、絶縁層上にフォトレジストを塗布して露光及び現像を行う。これらの処理には、フォトレジストを加熱する工程を含むため、接着層が熱により収縮あるいは変形する場合がある。接着層が収縮あるいは変形すると、接着層上に形成されている絶縁層が移動し、パターニングされた絶縁層の位置あるいは間隔が設計値からずれてしまう。その結果、絶縁層の間に形成される再配線の位置ずれ又は配線幅の変動を生じさせ、このような再配線を用いることにより不良品が生じて歩留まりを低下させる要因となる。
【0006】
本発明は、接着層上に形成される絶縁層の変形又は移動を抑制し、再配線を精度よく形成することにより歩留まりの低下を抑制することが可能な積層体の製造方法、積層体、及び電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の第１態様では、支持体と、光の吸収又は加熱により変質する分離層と、接着層と、再配線層の形成に用いられかつ融点が３００℃以上である保護層とを、この順番で積層すること、を含み、前記接着層の前記支持体が存在しない側の全面に前記保護層を形成することを含む、積層体の製造方法が提供される。
【0008】
本発明の第２態様では、支持体と、光の吸収又は加熱により変質する分離層と、接着層と、再配線層の形成に用いられかつ融点が５００℃以上である保護層とが、この順番で積層され、前記接着層の前記支持体が存在しない側の全面に前記保護層が形成されている積層体が提供される。
【0009】
本発明の第３態様では、第１態様に係る積層体の製造方法により積層体を製造することと、前記分離層を変質させて、前記積層体から前記支持体を分離することと、前記基板から前記接着層及び前記分離層を除去して、前記電子部品を含む電子装置を得ることと、を含む、電子装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、接着層上に融点が３００℃以上である保護層を積層するため、保護層上に再配線を形成する際に加熱工程を行う場合であっても、接着層の変形あるいは移動を抑制できる。これにより、接着層上に形成される再配線の移動あるいは配線幅の変動を抑制し、再配線を精度よく形成することにより不良品の発生を抑えて、歩留まりの低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】実施形態に係る積層体の製造方法及び電子装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図2】再配線層形成工程の処理の一例を示すフローチャートである。
【図3】（Ａ）及び（Ｂ）は、電子装置の製造方法の一工程を示す図である。
【図12】再配線層形成工程の処理の他の例を示すフローチャートである。
【図13】（Ａ）及び（Ｂ）は、積層体の製造方法及び電子装置の製造方法の一工程を示す図である。
【図18】（Ａ）は比較例、（Ｂ）は実施例における製造方法により製造した再配線層の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下、図面においては、各構成をわかりやすくするために、一部を強調して、あるいは一部を簡略化して表しており、実際の構造又は形状、縮尺等が異なっている場合がある。
【0013】
図１は、実施形態に係る積層体の製造方法及び電子装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態では、いわゆるファンアウト型ＰＬＰ技術により電子装置を製造する。実施形態に係る積層体の製造方法及び電子装置の製造方法は、図１に示すように、分離層形成工程Ｓ０１と、接着層形成工程Ｓ０２と、保護層形成工程Ｓ０３と、再配線層形成工程Ｓ０４と、基板形成工程Ｓ０５と、モールド研磨工程Ｓ０６と、分離層変質工程Ｓ０７と、ガラス支持体剥離工程Ｓ０８と、接着層除去工程Ｓ０９と、を含む。
【0014】
図３から図１１は、実施形態に係る積層体の製造方法及び電子装置の製造方法について、工程の一例を示す図である。以下、図３から図１１においては、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系においては、ガラス支持体のうち分離層が形成される分離層形成面に平行な面をＸＹ平面とする。このＸＹ平面に平行な一方向（例えば、ガラス支持体の短手方向）をＸ方向と表記し、Ｘ方向に直交する方向（例えば、ガラス支持体の長手方向）をＹ方向と表記する。また、ＸＹ平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。すなわち、分離層形成面の法線方向がＺ方向となる。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が－方向であるとして説明する。
【0015】
＜分離層形成工程＞
分離層形成工程Ｓ０１では、例えば、図３（Ａ）に示すように、例えば矩形状のガラス支持体１０の分離層形成面１０ｆに分離層２０を形成する。分離層形成工程Ｓ０１では、例えばガラス支持体１０を不図示のステージ上に保持し、スリットノズル等からガラス支持体１０の分離層形成面１０ｆに分離層２０を形成するための液状体を吐出する。この状態でステージとスリットノズルとを相対的に移動させ、ガラス支持体１０上に分離層２０が形成することで、積層体１００を形成する。なお、ガラス支持体１０は、例えば、厚さ５００μｍ以上、２０００μｍ以下のガラス板などが用いられ、不図示のステージ部等に載置されて吸着等されることにより、分離層形成面１０ｆを所定の平面度とした状態で保持される。分離層２０を形成するための液状体の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法、インクジェット法などによる塗布法等が挙げられる。また、分離層２０を形成するための液状体をガラス支持体１０上に塗布した後、加熱等により乾燥させてもよい。
分離層形成工程Ｓ０１では、例えば、図３（Ａ）に示すように、例えば矩形状のガラス支持体１０の分離層形成面１０ｆに分離層２０を形成する。分離層形成工程Ｓ０１では、例えばガラス支持体１０を不図示のステージ上に保持し、スリットノズル等からガラス支持体１０の分離層形成面１０ｆに分離層２０を形成するための液状体を吐出する。この状態でステージとスリットノズルとを相対的に移動させ、ガラス支持体１０上に分離層２０が形成することで、積層体１００を形成する。なお、ガラス支持体１０は、例えば、厚さ５００μｍ以上、２０００μｍ以下のガラス板などが用いられ、不図示のステージ部等に載置されて吸着等されることにより、分離層形成面１０ｆを所定の平面度とした状態で保持される。分離層２０を形成するための液状体の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法、インクジェット法などによる塗布法等が挙げられる。また、分離層２０を形成するための液状体をガラス支持体１０上に塗布した後、加熱等により乾燥させてもよい。
【0016】
分離層２０は、例えば光を吸収することによって変質する材料から形成される。本実施形態において、分離層２０が変質するとは、分離層２０がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層２０と接する層との接着力が低下した状態にさせることをいう。分離層２０は、光を吸収して変質することにより、変質する前に比べて、強度又はガラス支持体１０に対する接着性が低下する。このため、変質後の分離層２０は、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げるなど）こと等により、破壊され又はガラス支持体１０から剥離される。
【0017】
分離層２０の変質は、吸収した光のエネルギーによる（発熱性又は非発熱性の）分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離（そして、これらにともなう分離層２０の硬化、脱ガス、収縮又は膨張）等であり得る。分離層２０の変質は、分離層２０を構成する材料による光の吸収の結果として生じる。よって、分離層２０の変質の種類は、分離層２０を構成する材料の種類に応じて変化し得る。また、分離層２０は、光を吸収することによって変質する材料に限定されない。例えば、光によらずに与えられた熱を吸収することによって変質する材料、あるいは、他の溶剤等によって変質する材料であってもよい。
【0018】
分離層２０の厚さは、例えば、０．０５μｍから５０μｍであることがより好ましく、０．３μｍから１．０μｍであることがさらに好ましい。分離層２０の厚さが０．０５μｍから５０μｍの範囲内に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射、あるいは短時間の加熱、溶剤への短時間の浸漬などによって、分離層２０に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層２０の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内に収まっていることが特に好ましい。
【0019】
以下、吸収した光のエネルギーにより変質する分離層２０について説明する。分離層２０は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層２０を形成してもよい。また、分離層２０において、後述する接着層３０に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、接着層３０の平滑化が可能となり、接着層３０上に形成される金属層７０（再配線層７１）を精度よく形成することが可能となる。
【0020】
分離層２０は、レーザから照射される光を吸収することによって変質するものであってもよい。すなわち、分離層２０を変質させるために分離層２０に照射される光は、レーザから照射されたものであってもよい。分離層２０に照射する光を発射するレーザの例としては、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光等が挙げられる。分離層２０に照射する光を発射するレーザは、分離層２０を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層２０を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。
【0021】
（フルオロカーボン）
分離層２０は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層２０は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板８０とを分離し易くすることができる。分離層２０を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。
分離層２０は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層２０は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板８０とを分離し易くすることができる。分離層２０を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。
【0022】
フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２０に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層２０における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。
【0023】
分離層２０に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。
【0024】
（光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体）
分離層２０は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層２０は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板８０とを分離し易くすることができる。
分離層２０は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層２０は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板８０とを分離し易くすることができる。
【0025】
光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。
【0026】
上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。
【0027】
【化1】
【0028】
（式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ１）（Ｒ２）基であり（ここで、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１から５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又は－ＣＯ－、－ＳＯ２－、－ＳＯ－若しくは－ＮＨ－であり、ｎは０又は１から５の整数である。）
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）から（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）から（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。
【0029】
【化2】
【0030】
（式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１から２の整数であり、Ｘは、（ａ）から（ｅ）において上記の化学式［化１］に示した式のいずれかであり、（ｆ）において上記の［化１］に示した式のいずれかであるか、又は存在せず、Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立して、－ＣＯ－又は－ＳＯ２－である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。）
上記の化学式［化１］に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオレン、置換フルオレン、フルオレノン、置換フルオリレノン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ－アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナンスレン、置換フェナンスレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。
上記の化学式［化１］に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオレン、置換フルオレン、フルオレノン、置換フルオリレノン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ－アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナンスレン、置換フェナンスレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。
【0031】
上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが－ＳＯ２－である場合の例としては、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２‐ヒドロキシフェニル）スルホン、及びビス（３，５‐ジメチル‐４‐ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。
【0032】
上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが－ＳＯ－である場合の例としては、ビス（２，３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）‐スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。
【0033】
上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが－Ｃ（＝Ｏ）－である場合の例としては、２，４‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，６’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐オクトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，６‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，２’‐ジヒドロキシ‐４，４’‐ジメトキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐４’‐メトキシ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’，４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン、及び４‐ジメチルアミノ‐３’，４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。
【0034】
上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層２０の光の透過率が０．００１％以上、１０％以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層２０が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、基板８０からのガラス支持体１０の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。
【0035】
上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００ｎｍ以上、２，０００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ３００ｎｍ以上、３７０ｎｍ以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。
【0036】
上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長：３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）等である。
【0037】
上述した分離層２０は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層２０はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びガラス支持体１０の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。
【0038】
（無機物）
分離層２０は、無機物からなっていてもよい。分離層２０は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板８０とを分離し易くすることができる。
分離層２０は、無機物からなっていてもよい。分離層２０は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板８０とを分離し易くすることができる。
【0039】
上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。
【0040】
上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２０に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。
【0041】
無機物からなる分離層２０に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。
【0042】
無機物からなる分離層２０は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、ガラス支持体１０上に形成され得る。無機物からなる分離層２０の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層２０を構成する無機物からなる無機膜（例えば、金属膜）の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、ガラス支持体１０及び基板８０に貼り付けてもよい。
【0043】
なお、分離層２０として金属膜を使用する場合には、分離層２０の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層２０の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。
【0044】
（赤外線吸収性の構造を有する化合物）
分離層２０は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層２０は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板８０とを分離し易くすることができる。
分離層２０は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層２０は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板８０とを分離し易くすることができる。
【0045】
赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコール及びフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３－ジケトンのエノール、ｏ－ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β－、γ－、δ－）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素－ハロゲン結合、Ｓｉ－Ａ１結合（Ａ１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ－Ａ２結合（Ａ２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ－Ｏ結合であり得る。
【0046】
上記炭素－ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、－ＣＨ２Ｃｌ、－ＣＨ２Ｂｒ、－ＣＨ２Ｉ、－ＣＦ２－、－ＣＦ３、－ＣＨ＝ＣＦ２、－ＣＦ＝ＣＦ２、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。
【0047】
上記Ｓｉ－Ａ１結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ２、ＳｉＨ３、Ｓｉ－ＣＨ３、Ｓｉ－ＣＨ２－、Ｓｉ－Ｃ６Ｈ５、ＳｉＯ－脂肪族、Ｓｉ－ＯＣＨ３、Ｓｉ－ＯＣＨ２ＣＨ３、Ｓｉ－ＯＣ６Ｈ５、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、Ｓｉ－ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ２、及びＳｉＦ３等が挙げられる。Ｓｉ－Ａ１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。
【0048】
上記Ｐ－Ａ２結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ２、Ｐ－ＣＨ３、Ｐ－ＣＨ２－、Ｐ－Ｃ６Ｈ５、Ａ３
３－Ｐ－Ｏ（Ａ３は脂肪族又は芳香族）、（Ａ４Ｏ）３－Ｐ－Ｏ（Ａ４はアルキル）、Ｐ－ＯＣＨ３、Ｐ－ＯＣＨ２ＣＨ３、Ｐ－ＯＣ６Ｈ５、Ｐ－Ｏ－Ｐ、Ｐ－ＯＨ、及びＯ＝Ｐ－ＯＨ等が挙げられる。
【0049】
上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ－Ｏ結合、Ｓｉ－Ｃ結合及びＴｉ－Ｏ結合である場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）－ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用－」（１９９２年発行）第１４６頁から第１５１頁の記載を参照することができる。
【0050】
分離層２０の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層２０における化合物を効果的に変質させ、ガラス支持体１０と基板８０との分離を容易にするには、分離層２０における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層２０に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層２０における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。
【0051】
一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化４］で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記の化学式［化４］で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。
【0052】
【化3】
【0053】
【化4】
【0054】
（上記の化学式［化４］中、Ｒ３は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数１０以下のアルコキシ基である。）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化５］で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ－ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）－ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化５］で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ－ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化５］で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ－ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）－ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化５］で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ－ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
【0055】
【化5】
【0056】
また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記の化学式［化６］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化７］で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。
【0057】
【化6】
【0058】
【化7】
【0059】
（上記の化学式［化６］中、Ｒ４は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、上記の化学式［化７］中、Ｒ５は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である。）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７－２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０－１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９－２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）及び特開２００９－２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７－２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０－１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９－２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）及び特開２００９－２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
【0060】
中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記の化学式［化８］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化９］で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記の化学式［化８］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化９］で表される繰り返し単位を５：５～９：１の範囲（例えば７：３）で含む共重合体がさらに好ましい。
【0061】
【化8】
【0062】
【化9】
【0063】
シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。
【0064】
また、Ｔｉ－Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ－ｉ－プロポキシチタン、テトラ－ｎ－ブトキシチタン、テトラキス（２－エチルヘキシルオキシ）チタン、及びチタニウム－ｉ－プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ－ｉ－プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、及びプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ－Ｃ３Ｈ７Ｏ－［－Ｔｉ（Ｏ－ｉ－Ｃ３Ｈ７）２－Ｏ－］ｎ－ｉ－Ｃ３Ｈ７、及びｎ－Ｃ４Ｈ９Ｏ－［－Ｔｉ（Ｏ－ｎ－Ｃ４Ｈ９）２－Ｏ－］ｎ－ｎ－Ｃ４Ｈ９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ－ｎ－ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ－ｉ－プロポキシチタンジイソステアレート、及び（２－ｎ－ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ－ｎ－ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。
【0065】
中でも、Ｔｉ－Ｏ結合を含む化合物としては、ジ－ｎ－ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）２［ＯＣ２Ｈ４Ｎ（Ｃ２Ｈ４ＯＨ）２］２）が好ましい。
【0066】
上述した分離層２０は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層２０はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びガラス支持体１０の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。
【0067】
（赤外線吸収物質）
分離層２０は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層２０は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板８０とを分離し易くすることができる。
分離層２０は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層２０は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、ガラス支持体１０を持ち上げる等）ことによって、分離層２０が破壊されて、ガラス支持体１０と基板８０とを分離し易くすることができる。
【0068】
赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２０に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層２０に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。
【0069】
＜接着層形成工程＞
接着層形成工程Ｓ０２は、分離層形成工程Ｓ０１の後に行う。接着層形成工程Ｓ０２では、例えば図３（Ｂ）に示すように、分離層２０のガラス支持体１０が存在しない側、つまり分離層２０の接着層形成面２０ｆに、分離層２０と互いに接し合うように接着層３０が形成される。接着層形成工程Ｓ０２では、接着層３０が分離層２０上に形成される。
接着層形成工程Ｓ０２は、分離層形成工程Ｓ０１の後に行う。接着層形成工程Ｓ０２では、例えば図３（Ｂ）に示すように、分離層２０のガラス支持体１０が存在しない側、つまり分離層２０の接着層形成面２０ｆに、分離層２０と互いに接し合うように接着層３０が形成される。接着層形成工程Ｓ０２では、接着層３０が分離層２０上に形成される。
【0070】
接着層形成工程Ｓ０２では、例えば分離層形成工程Ｓ０１と同様、ガラス支持体１０を不図示のステージ上に保持し、スリットノズル等から分離層２０の接着層形成面２０ｆに向けて接着層３０を形成するための液状体を吐出する。この状態でステージとスリットノズルとを相対的に移動させることで、分離層２０上に接着層３０が形成される。接着層３０は、例えば厚さが１μｍ以上１００μｍ以下に形成されることが好ましい。
【0071】
（接着層の製造例）
接着層形成工程Ｓ０２では、分離層２０に接着剤を含む液状体を塗布してもよいし、接着剤が両面に塗布された接着テープを分離層２０に貼り付けてもよい。接着剤の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法、インクジェット法などによる塗布法等が挙げられる。また、接着剤を分離層２０上に塗布した後、加熱等により乾燥させてもよい。また、接着剤としては、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が使用可能である。
接着層形成工程Ｓ０２では、分離層２０に接着剤を含む液状体を塗布してもよいし、接着剤が両面に塗布された接着テープを分離層２０に貼り付けてもよい。接着剤の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法、インクジェット法などによる塗布法等が挙げられる。また、接着剤を分離層２０上に塗布した後、加熱等により乾燥させてもよい。また、接着剤としては、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が使用可能である。
【0072】
接着層３０に含有される樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル－スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。
【0073】
接着剤の融点は、上記樹脂の種類や分子量、及び接着剤への可塑剤等の配合物によって変化する。上記接着剤に含有される樹脂の種類や分子量は、基板及び支持体の種類に応じて適宜選択することができるが、接着剤に使用する樹脂の融点は、５０℃以上、３００℃以下の範囲内が好ましい。接着剤に使用する樹脂の融点が５０℃以上、３００℃以下の範囲内であることによって、加熱時における接着層の流動性を抑制できる。また、接着層３０の融点は、適宜、可塑剤や低重合度の樹脂等を配合することによって調整してもよい。融点は、例えば、公知の示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）を用いて測定することができる。
【0074】
（炭化水素樹脂）
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。
【0075】
樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂等が挙げられる。
【0076】
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチル等）置換体、アルケニル（ビニル等）置換体、アルキリデン（エチリデン等）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチル等）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。
【0077】
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１－ブテン、イソブテン、１－ヘキセン、α－オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。
【0078】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。
【0079】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０から９０モル％であることが好ましく、２０から８５モル％であることがより好ましく、３０から８０モル％であることがさらに好ましい。
【0080】
なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。
【0081】
単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。
【0082】
樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ」及び「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ」等が挙げられる。
【0083】
樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。
【0084】
樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００から３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が充分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。
【0085】
なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性及び剥離速度が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０から５５：４５（質量比）であることが、剥離速度、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。
【0086】
（アクリル－スチレン系樹脂）
アクリル－スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
アクリル－スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
【0087】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５から２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１から１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐状であってもよい。
【0088】
炭素数１から１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２－エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。
【0089】
脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１－アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。
【0090】
芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１から５の鎖状又は分岐状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。
【0091】
（マレイミド系樹脂）
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ－メチルマレイミド、Ｎ－エチルマレイミド、Ｎ－ｎ－プロピルマレイミド、Ｎ－イソプロピルマレイミド、Ｎ－ｎ－ブチルマレイミド、Ｎ－イソブチルマレイミド、Ｎ－ｓｅｃ－ブチルマレイミド、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブチルマレイミド、Ｎ－ｎ－ペンチルマレイミド、Ｎ－ｎ－ヘキシルマレイミド、Ｎ－ｎ－へプチルマレイミド、Ｎ－ｎ－オクチルマレイミド、Ｎ－ラウリルマレイミド、Ｎ－ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ－シクロプロピルマレイミド、Ｎ－シクロブチルマレイミド、Ｎ－シクロペンチルマレイミド、Ｎ－シクロヘキシルマレイミド、Ｎ－シクロヘプチルマレイミド、Ｎ－シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、Ｎ－ｍ－メチルフェニルマレイミド、Ｎ－ｏ－メチルフェニルマレイミド、Ｎ－ｐ－メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ－メチルマレイミド、Ｎ－エチルマレイミド、Ｎ－ｎ－プロピルマレイミド、Ｎ－イソプロピルマレイミド、Ｎ－ｎ－ブチルマレイミド、Ｎ－イソブチルマレイミド、Ｎ－ｓｅｃ－ブチルマレイミド、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブチルマレイミド、Ｎ－ｎ－ペンチルマレイミド、Ｎ－ｎ－ヘキシルマレイミド、Ｎ－ｎ－へプチルマレイミド、Ｎ－ｎ－オクチルマレイミド、Ｎ－ラウリルマレイミド、Ｎ－ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ－シクロプロピルマレイミド、Ｎ－シクロブチルマレイミド、Ｎ－シクロペンチルマレイミド、Ｎ－シクロヘキシルマレイミド、Ｎ－シクロヘプチルマレイミド、Ｎ－シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、Ｎ－ｍ－メチルフェニルマレイミド、Ｎ－ｏ－メチルフェニルマレイミド、Ｎ－ｐ－メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
【0092】
例えば、下記の化学式［化１０］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化１１］で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。
【0093】
【化10】
【0094】
【化11】
【0095】
（上記の化学式［化１１］中、ｎは０又は１から３の整数である。）
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ ８００８Ｔ、ＡＰＬ ８００９Ｔ、及びＡＰＬ ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ ８００８Ｔ、ＡＰＬ ８００９Ｔ、及びＡＰＬ ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。
【0096】
（エラストマー）
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１から５のアルキル基、炭素数１から５のアルコキシ基、炭素数１から５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１から５のアルキル基、炭素数１から５のアルコキシ基、炭素数１から５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。
【0097】
スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易かつ迅速に接着層３０を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。
【0098】
なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。
【0099】
また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。
【0100】
重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。
【0101】
エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン－ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン－イソプレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン－ブタジエン－スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（スチレン－イソプレン－スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））等であって、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。
【0102】
また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
【0103】
また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。
【0104】
より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
【0105】
接着層３０を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。
【0106】
接着層３０を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。
【0107】
また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着層３０を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着層３０を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１から２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着層３０を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、かつ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。
【0108】
なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着層３０を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着層３０の剥離又は除去の後に、ガラス支持体１０の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着層３０を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板８０に物理的な力を加えることなく、接着層３０を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層３０の除去に際して、強度が低下した基板８０からでさえ、基板８０を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層３０を除去することができる。
【0109】
（希釈溶剤）
接着層３０（及び分離層２０）を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ－メンタン、ｏ－メンタン、ｍ－メンタン、ジフェニルメンタン、１，４－テルピン、１，８－テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α－テルピネオール、β－テルピネオール、γ－テルピネオール、テルピネン－１－オール、テルピネン－４－オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４－シネオール、１，８－シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ－リモネン、ｌ－リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
接着層３０（及び分離層２０）を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ－メンタン、ｏ－メンタン、ｍ－メンタン、ジフェニルメンタン、１，４－テルピン、１，８－テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α－テルピネオール、β－テルピネオール、γ－テルピネオール、テルピネン－１－オール、テルピネン－４－オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４－シネオール、１，８－シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ－リモネン、ｌ－リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
【0110】
（その他の成分）
接着層３０を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
接着層３０を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
【0111】
＜保護層形成工程＞
保護層形成工程Ｓ０３は、例えば接着層形成工程Ｓ０２の後に行う。保護層形成工程Ｓ０３では、図４（Ａ）に示すように、接着層３０のガラス支持体１０が存在しない側、つまり接着層３０の保護層形成面３０ｆに、接着層３０と互いに接し合うように保護層４０が形成される。保護層形成工程Ｓ０３では、保護層４０が接着層３０上に形成される。保護層形成工程Ｓ０３では、例えばスパッタリング法等の手法により、接着層３０の保護層形成面３０ｆの全面に保護層４０が形成される。なお、保護層４０は、スパッタリング法以外の任意の方法により形成することが可能である。
保護層形成工程Ｓ０３は、例えば接着層形成工程Ｓ０２の後に行う。保護層形成工程Ｓ０３では、図４（Ａ）に示すように、接着層３０のガラス支持体１０が存在しない側、つまり接着層３０の保護層形成面３０ｆに、接着層３０と互いに接し合うように保護層４０が形成される。保護層形成工程Ｓ０３では、保護層４０が接着層３０上に形成される。保護層形成工程Ｓ０３では、例えばスパッタリング法等の手法により、接着層３０の保護層形成面３０ｆの全面に保護層４０が形成される。なお、保護層４０は、スパッタリング法以外の任意の方法により形成することが可能である。
【0112】
保護層４０は、後述の再配線層７１の形成に用いられる。保護層４０を設けることにより、再配線層の位置ずれを抑制する。保護層４０は、導電性又は非導電性の金属の層で形成される。保護層４０は、例えばＴｉ及びＣｕの一方又は双方を含む金属で形成される。保護層４０は、融点が３００℃以上である。保護層４０として適用可能な金属としては、銀（Ａｇ）、アルミ（Ａｌ）、金（Ａｕ）、カーボン（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、パラジウム（Ｐｄ）などがある。なお、銀（Ａｇ）の融点は約９６１℃である。アルミ（Ａｌ）の融点は約６６０℃である。金（Ａｕ）の融点は約１０６３℃である。カーボン（Ｃ）の融点は約３６００℃である。クロム（Ｃｒ）の融点は約１９００℃である。銅（Ｃｕ）の融点は約１０８３℃である。鉄（Ｆｅ）の融点は約１５３９℃である。チタン（Ｔｉ）の融点は約１７２７℃である。ニッケル（Ｎｉ）の融点は約１４５５℃である。亜鉛（Ｚｎ）の融点は約４１９℃である。パラジウム（Ｐｄ）の融点は約３２８℃である。なお、上記した接着層３０の軟化点（ソフトニングポイント）は、約１７０℃から２２０℃である。
【0113】
このように、本実施形態では、保護層４０の融点が３００℃以上の金属等を用いることにより、加熱時において接着層３０が軟化したとしても、保護層４０の流動性が抑制される。また、保護層４０の融点が５００℃以上であることが好ましい。保護層４０の融点が５００℃以上であると、より一層保護層４０の流動性が抑制される。融点が５００℃以上の保護層４０としては、銀（Ａｇ）、アルミ（Ａｌ）、金（Ａｕ）、カーボン（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などがある。なお、保護層４０の形成後に加熱する工程を含むものは、例えば、後述する再配線層形成工程Ｓ０４などである。
【0114】
＜再配線層形成工程＞
再配線層形成工程Ｓ０４は、保護層形成工程Ｓ０３の後に行う。再配線層形成工程Ｓ０４では、保護層４０のガラス支持体１０が存在しない側の面に再配線層７１が形成される。本実施形態では、再配線層７１を形成した後、再配線層７１上に電子部品８１を積層するＲＬＤファーストと呼ばれる手法を行う。
再配線層形成工程Ｓ０４は、保護層形成工程Ｓ０３の後に行う。再配線層形成工程Ｓ０４では、保護層４０のガラス支持体１０が存在しない側の面に再配線層７１が形成される。本実施形態では、再配線層７１を形成した後、再配線層７１上に電子部品８１を積層するＲＬＤファーストと呼ばれる手法を行う。
【0115】
図２は、再配線層形成工程Ｓ０４における処理の一例を示すフローチャートである。図２に示すように、再配線層形成工程Ｓ０４は、絶縁層形成工程Ｓ４１と、レジスト層形成工程Ｓ４２と、レジストパターニング工程Ｓ４３と、絶縁層エッチング工程Ｓ４４と、金属層形成工程Ｓ４５と、メッキ工程Ｓ４６と、金属層上部除去工程Ｓ４７と、レジスト除去工程Ｓ４８とを含む。
【0116】
まず、絶縁層形成工程Ｓ４１では、図４（Ｂ）に示すように、保護層４０の全面にポリイミド等の材料によって絶縁層５０が形成される。絶縁層形成工程Ｓ４１では、例えばガラス支持体１０を不図示のステージ上に保持し、スリットノズル等から保護層４０にポリイミド等を含む液状体を吐出する。この状態でステージとスリットノズルとを相対的に移動させることで、保護層４０上に絶縁層５０が形成される。絶縁層５０として適用可能な材質としては、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂などがある。また、絶縁層５０を形成するための液状体の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法、インクジェット法などによる塗布法等が挙げられる。また、絶縁層５０を形成するための液状体を保護層４０上に塗布した後、加熱等により乾燥させてもよい。
【0117】
絶縁層５０が形成された後、レジスト層形成工程Ｓ４２が行われる。レジスト層形成工程Ｓ４２では、図５（Ａ）に示すように、絶縁層５０の全面にレジスト層６０が形成される。レジスト層形成工程Ｓ４２では、スリットノズル等により、絶縁層５０上にレジストを含む液状体を吐出する。レジスト層６０を与えるレジストは、ポジ型であってもネガ型であってもよく、プロセスに応じて適宜設定できる。また、レジスト層６０を形成するための液状体の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法、インクジェット法などによる塗布法等が挙げられる。また、レジスト層６０を形成するための液状体を絶縁層５０上に塗布した後、加熱等を行ってもよい。
【0118】
レジスト層６０が形成された後、レジストパターニング工程Ｓ４３が行われる。レジストパターニング工程Ｓ４３では、再配線層７１のパターンに対応したパターンでレジスト層６０を露光し、その後所定の現像液に浸すことにより現像する。これらの処理には、レジスト層６０を露光する前又はレジスト層６０を露光した後において、レジスト層６０を加熱する工程を含む。本実施形態では、接着層３０と絶縁層５０との間に保護層４０が設けられることで、レジスト層６０を加熱する際に、熱による接着層３０の収縮あるいは変形が抑制される。その結果、図５（Ｂ）に示すように、パターニングされたレジスト層６１は、所望の位置から移動せず、かつレジスト層６１同士を初もの間隔とした状態となる。レジスト層６１は、再配線層７１のパターンとは反転したパターンを有する。
【0119】
パターニングされたレジスト層６１が形成された後、絶縁層エッチング工程Ｓ４４が行われる。絶縁層エッチング工程Ｓ４４では、絶縁層５０のうちレジスト層６１から露出した部分をエッチング液に浸して除去する。エッチング液は、絶縁層５０を溶解可能な任意の液体が使用される。絶縁層５０のエッチングにより、図６（Ａ）に示すように、レジスト層６１と同一又はほぼ同一のパターンを有する絶縁層５１が形成される。また、これら絶縁層５１及びレジスト層６１により保護層４０の一部が露出する。
【0120】
絶縁層５０がエッチングされた後、金属層形成工程Ｓ４５が行われる。金属層形成工程Ｓ４５では、図６（Ｂ）に示すように、例えばスパッタリング等の手法により、保護層４０が露出した部分を含めて絶縁層５１の全面に、再配線層７１の材料となる金属層７０を形成する。再配線層７１に用いる材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミなどの金属の他に、導電性樹脂等が用いられてもよい。また、金属層形成工程Ｓ４５の後にメッキ工程Ｓ４６を行ってもよい。メッキ工程Ｓ４６では、無電解メッキ又は電解メッキにより金属層７０上にメッキ層を形成する。図６（Ｂ）では、メッキ層を含めて金属層７０と表記している。メッキ工程Ｓ４６は、積層体１００を所定のメッキ槽に浸すことにより、金属層７０上にメッキ層を形成する。メッキ層を形成するために用いる材料としては、例えば、ハンダめっき、銅めっき、金めっき、ニッケルめっき、銀錫めっき用の薬液である。なお、スパッタリング等の手法により十分な厚さの金属層７０を形成できる場合は、メッキ工程Ｓ４６を省略してもよい。
【0121】
金属層７０が形成された後、金属層上部除去工程Ｓ４７が行われる。金属層上部除去工程Ｓ４７では、例えば金属層７０の上面を、レジスト層６１の全面が露出するように研磨等によって除去する。その結果、図７（Ａ）に示すように、レジスト層６１が露出する。また、絶縁層５１及びレジスト層６１の積層部分の間の領域、つまり保護層４０が露出していた領域に再配線層７１が形成される。
【0122】
金属層７０の上部を除去した後、レジスト除去工程Ｓ４８が行われる。レジスト除去工程Ｓ４８では、レジスト層６１に対してガス又は溶剤等を供給することにより、レジスト層６１を除去する。その結果、図７（Ｂ）に示すように、保護層４０上に絶縁層５１及び再配線層７１が形成される。なお、再配線層７１は、誘電体層及び導電体層を含んでもよい。このような誘電体層として、例えばポリアミド酸、ポリイミド、ポリアミドイミド、及びポリアミドの少なくとも一つを含む樹脂が用いられてもよい。
【0123】
＜基板形成工程＞
基板形成工程Ｓ０５は、例えば再配線層形成工程Ｓ０４の後に行う。基板形成工程Ｓ０５では、再配線層７１に対して電気的に接続された電子部品８１を有する基板８０を形成する。基板形成工程Ｓ０５では、例えば５０μｍ以上１０００μｍ以下の厚さの基板８０を形成し、基板８０の厚さがガラス支持体１０の厚さよりも薄くなるようにする。基板形成工程Ｓ０５では、まず、図８（Ａ）に示すように、再配線層７１上に複数の電子部品８１が配置され、絶縁層５１に接着固定される。電子部品８１と再配線層７１とは、導電性接着剤又は金属バンプ、はんだ等により電気的に接続されている。なお、電子部品８１の配置数は、再配線層７１の数に対応してもよく、任意の数である。電子部品８１は、例えば、半導体等を用いて形成されたチップ等を含む。
基板形成工程Ｓ０５は、例えば再配線層形成工程Ｓ０４の後に行う。基板形成工程Ｓ０５では、再配線層７１に対して電気的に接続された電子部品８１を有する基板８０を形成する。基板形成工程Ｓ０５では、例えば５０μｍ以上１０００μｍ以下の厚さの基板８０を形成し、基板８０の厚さがガラス支持体１０の厚さよりも薄くなるようにする。基板形成工程Ｓ０５では、まず、図８（Ａ）に示すように、再配線層７１上に複数の電子部品８１が配置され、絶縁層５１に接着固定される。電子部品８１と再配線層７１とは、導電性接着剤又は金属バンプ、はんだ等により電気的に接続されている。なお、電子部品８１の配置数は、再配線層７１の数に対応してもよく、任意の数である。電子部品８１は、例えば、半導体等を用いて形成されたチップ等を含む。
【0124】
続いて、図８（Ｂ）に示すように、電子部品８１を含む絶縁層５１の全面を覆うようにモールド８２を形成する。モールド８２が形成されることにより、電子部品８１がモールド８２に埋まった状態で保持される。なお、モールド８２は、電子部品８１の一部（例えば上面）を露出させるように形成されてもよい。また、モールド８２は、例えば分離層２０を変質させる光を透過可能な材料を用いて形成される。このような材料としては、例えばガラス、シリコン、アクリル樹脂等が挙げられる。
【0125】
＜モールド研磨工程＞
モールド研磨工程Ｓ０６は、基板形成工程Ｓ０５の後に行う。なお、モールド研磨工程Ｓ０６は、基板形成工程Ｓ０５に含まれていてもよい。モールド研磨工程Ｓ０６は、図９（Ａ）に示すように、モールド８２のガラス支持体１０が存在しない側、つまりモールド８２の上面８２ａを研磨し、電子部品８１を露出させる。モールド研磨工程Ｓ０６により、電子部品８１の上面（＋Ｚ側の面）とモールド８２の上面８２ａとが同一面又はほぼ同一面となった状態となる。モールド研磨工程Ｓ０６では、例えば公知の手法によりモールドを研磨する。なお、基板形成工程Ｓ０５において、モールド８２が電子部品８１の一部を露出させて形成されている場合には、モールド研磨工程Ｓ０６を省略することができる。
モールド研磨工程Ｓ０６は、基板形成工程Ｓ０５の後に行う。なお、モールド研磨工程Ｓ０６は、基板形成工程Ｓ０５に含まれていてもよい。モールド研磨工程Ｓ０６は、図９（Ａ）に示すように、モールド８２のガラス支持体１０が存在しない側、つまりモールド８２の上面８２ａを研磨し、電子部品８１を露出させる。モールド研磨工程Ｓ０６により、電子部品８１の上面（＋Ｚ側の面）とモールド８２の上面８２ａとが同一面又はほぼ同一面となった状態となる。モールド研磨工程Ｓ０６では、例えば公知の手法によりモールドを研磨する。なお、基板形成工程Ｓ０５において、モールド８２が電子部品８１の一部を露出させて形成されている場合には、モールド研磨工程Ｓ０６を省略することができる。
【0126】
なお、モールド研磨工程Ｓ０６の後、電子部品８１及びモールド８２の上面８２ａに導電性を有する材料により配線が形成されてもよい。また、この配線と電気的に接続するように電子部品８１が配置され、この電子部品８１を覆うように、さらにモールド８２が形成されてもよい。配線と電子部品８１との接続は金属バンプ、はんだ等が用いられる。このように、電子部品８１を配置した層が複数積層された基板８０が形成されてもよい。
【0127】
＜分離層変質工程＞
分離層変質工程Ｓ０７は、モールド研磨工程Ｓ０６あるいは基板形成工程Ｓ０５の後に行う。分離層変質工程Ｓ０７では、図９（Ｂ）に示すように、ガラス支持体１０の分離層２０が存在しない側、つまりガラス支持体１０の底面１０ｒから分離層２０に対して、照射装置ＩＲから光Ｌ又は不図示の加熱装置から熱を照射する。光Ｌとしては、上記したように分離層２０を変質させることが可能な波長の光Ｌが用いられる。加熱装置からの熱は、同様に分離層２０を変質させることが可能な温度まで分離層２０を加熱可能な熱が用いられる。分離層変質工程Ｓ０７により、分離層２０が変質し、強度又はガラス支持体１０に対する接着力が低下する。なお、図９（Ｂ）では、ガラス支持体１０（積層体１００）の上下を逆にして（基板８０を下向きとして）、上方の照射装置ＩＲから光Ｌ又は加熱装置から熱を照射しているが、この形態に限定されない。例えば、基板８０を上向きとしてガラス支持体１０の下方から照射装置ＩＲにより光Ｌ又は加熱装置により熱を照射してもよい。
分離層変質工程Ｓ０７は、モールド研磨工程Ｓ０６あるいは基板形成工程Ｓ０５の後に行う。分離層変質工程Ｓ０７では、図９（Ｂ）に示すように、ガラス支持体１０の分離層２０が存在しない側、つまりガラス支持体１０の底面１０ｒから分離層２０に対して、照射装置ＩＲから光Ｌ又は不図示の加熱装置から熱を照射する。光Ｌとしては、上記したように分離層２０を変質させることが可能な波長の光Ｌが用いられる。加熱装置からの熱は、同様に分離層２０を変質させることが可能な温度まで分離層２０を加熱可能な熱が用いられる。分離層変質工程Ｓ０７により、分離層２０が変質し、強度又はガラス支持体１０に対する接着力が低下する。なお、図９（Ｂ）では、ガラス支持体１０（積層体１００）の上下を逆にして（基板８０を下向きとして）、上方の照射装置ＩＲから光Ｌ又は加熱装置から熱を照射しているが、この形態に限定されない。例えば、基板８０を上向きとしてガラス支持体１０の下方から照射装置ＩＲにより光Ｌ又は加熱装置により熱を照射してもよい。
【0128】
＜ガラス支持体剥離工程＞
ガラス支持体剥離工程Ｓ０８は、例えば分離層変質工程Ｓ０７の後に行う。ガラス支持体剥離工程Ｓ０８では、図１０（Ａ）に示すように、基板８０を下向きとした状態でガラス支持体１０を上方に持ち上げることにより、分離層２０が破壊され、基板８０からガラス支持体１０が剥離される。ガラス支持体１０を上方に持ち上げる作業は、ガラス支持体１０を吸着して持ち上げる装置が用いられてもよいし、作業者によりガラス支持体１０を上方に持ち上げてもよい。このとき、基板８０は、例えばステージ等に吸着されており、ガラス支持体１０が持ち上げられることにより、ガラス支持体１０から引き離される。ガラス支持体剥離工程Ｓ０８により、接着層３０及び基板８０を含む積層体１００がガラス支持体１０から剥離される。
ガラス支持体剥離工程Ｓ０８は、例えば分離層変質工程Ｓ０７の後に行う。ガラス支持体剥離工程Ｓ０８では、図１０（Ａ）に示すように、基板８０を下向きとした状態でガラス支持体１０を上方に持ち上げることにより、分離層２０が破壊され、基板８０からガラス支持体１０が剥離される。ガラス支持体１０を上方に持ち上げる作業は、ガラス支持体１０を吸着して持ち上げる装置が用いられてもよいし、作業者によりガラス支持体１０を上方に持ち上げてもよい。このとき、基板８０は、例えばステージ等に吸着されており、ガラス支持体１０が持ち上げられることにより、ガラス支持体１０から引き離される。ガラス支持体剥離工程Ｓ０８により、接着層３０及び基板８０を含む積層体１００がガラス支持体１０から剥離される。
【0129】
＜接着材除去工程＞
接着層除去工程Ｓ０９は、ガラス支持体剥離工程Ｓ０８の後に行う。接着層除去工程Ｓ０９では、図１０（Ｂ）に示すように、基板８０（配線及びモールド８２）を溶解させず、かつ接着層３０を溶解させる溶剤Ｓ１を、接着層３０上に供給する。接着層３０への溶剤Ｓ１の供給は、例えば、ディスペンサ等の供給装置Ｓを接着層３０上で走査して行ってもよいし、溶剤Ｓ１を溜めた槽に基板８０をディップして行ってもよい。接着層３０を溶解させる溶剤Ｓ１としては、接着層３０に用いた材質によって選定され、例えば、接着層３０が炭化水素系のエラストマーである場合に、溶剤Ｓ１として炭化水素系溶媒が用いられる。この炭化水素系溶媒としては、例えば、テルペン系の炭化水素系溶剤、アルカン系の炭化水素系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤等が挙げられる。その結果。接着層３０が溶剤Ｓ１によって溶解され、基板８０から接着層３０が除去されて、図１１（Ａ）に示すように、複数の電子部品８１の間にモールド８２が配置され、かつ電子部品８１及びモールド８２の一方の面には再配線層７１及び絶縁層５１を備え、さらに保護層４０を備えた１枚の板状となった構成体１０１が得られる。
なお、溶剤Ｓ１は炭化水素系溶媒に限られることなく、接着層３０の材料に応じて、炭化水素系溶媒以外も選択することができる。典型的な例としては、エステル結合、エーテル結合、ケトン基、アミド結合、及びヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の構造を含む溶剤が挙げられ、これらが単独で用いられてもよいし、組み合わせて用いられてもよい。また、これらの溶剤は、前述の炭化水素系溶剤と組み合わせて用いられてもよい。
接着層除去工程Ｓ０９は、ガラス支持体剥離工程Ｓ０８の後に行う。接着層除去工程Ｓ０９では、図１０（Ｂ）に示すように、基板８０（配線及びモールド８２）を溶解させず、かつ接着層３０を溶解させる溶剤Ｓ１を、接着層３０上に供給する。接着層３０への溶剤Ｓ１の供給は、例えば、ディスペンサ等の供給装置Ｓを接着層３０上で走査して行ってもよいし、溶剤Ｓ１を溜めた槽に基板８０をディップして行ってもよい。接着層３０を溶解させる溶剤Ｓ１としては、接着層３０に用いた材質によって選定され、例えば、接着層３０が炭化水素系のエラストマーである場合に、溶剤Ｓ１として炭化水素系溶媒が用いられる。この炭化水素系溶媒としては、例えば、テルペン系の炭化水素系溶剤、アルカン系の炭化水素系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤等が挙げられる。その結果。接着層３０が溶剤Ｓ１によって溶解され、基板８０から接着層３０が除去されて、図１１（Ａ）に示すように、複数の電子部品８１の間にモールド８２が配置され、かつ電子部品８１及びモールド８２の一方の面には再配線層７１及び絶縁層５１を備え、さらに保護層４０を備えた１枚の板状となった構成体１０１が得られる。
なお、溶剤Ｓ１は炭化水素系溶媒に限られることなく、接着層３０の材料に応じて、炭化水素系溶媒以外も選択することができる。典型的な例としては、エステル結合、エーテル結合、ケトン基、アミド結合、及びヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の構造を含む溶剤が挙げられ、これらが単独で用いられてもよいし、組み合わせて用いられてもよい。また、これらの溶剤は、前述の炭化水素系溶剤と組み合わせて用いられてもよい。
【0130】
続いて、図１１（Ｂ）に示すように、この構成体１０１から保護層４０を除去することで、保護層４０がない構成体１０２を得ることができる。保護層４０の除去は、例えば、エッチング等が用いられる。なお、構成体１０１から保護層４０が除去されなくてもよい。上記のように得られた構成体１０１又は構成体１０２から、電子部品８１を１つ又は複数含む範囲でモールド８２の部分がダイシングされることで、電子装置を得ることができる。構成体１０１をダイシングした場合は、保護層４０を有する電子装置が得られ、構成体１０２をダイシングした場合は、保護層４０がない電子装置が得られる。
【0131】
以上のように、実施形態に係る積層体の製造方法及び電子装置の製造方法によれば、接着層３０上に融点が３００℃以上である保護層４０が設けられるので、その後の工程による熱で接着層３０が収縮あるいは変形することを抑制している。その結果、接着層３０上に形成される絶縁層５１の変形又は移動を抑制し、再配線層７１を精度よく形成することにより歩留まりの低下を抑制することができる。
【0132】
上記した実施形態は、先に絶縁層５０を形成させ、この絶縁層５０上にレジスト層６０を形成する場合を例に挙げて説明したが、この形態に限定されず、例えば感光性ポリイミド等、感光性を有する絶縁層５０を用いて、上記したレジスト層６０を用いない形態であってもよい。
【0133】
図１２は、他の例における再配線層形成工程Ｓ１４を示す工程図である。図１２では、積層体２００を形成する。図１２に示すように、再配線層形成工程Ｓ１４は、絶縁層形成工程Ｓ１４１と、絶縁層パターニング工程Ｓ１４２と、金属層形成工程Ｓ１４３と、メッキ工程Ｓ１４４と、金属層上部除去工程Ｓ１４５とを含んでいる。なお、再配線層形成工程Ｓ１４よりも前の工程である分離層形成工程Ｓ０１（図１３（Ａ）参照）、接着層形成工程Ｓ０２（図１３（Ｂ）参照）、及び保護層形成工程（図１４（Ａ）参照）については、上記した実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【0134】
再配線層形成工程Ｓ１４において、まず、絶縁層形成工程Ｓ１４１では、図１３（Ｂ）に示すように、保護層４０の全面に感光性ポリイミド等の感光性絶縁材料によって絶縁層１５０が形成される。感光性絶縁材料としては、感光性ポリイミド以外に、例えば、感光性のアクリル材料がある。絶縁層形成工程Ｓ１４１では、例えばガラス支持体１０を不図示のステージ上に保持し、スリットノズル等から保護層４０に感光性ポリイミド等を含む液状体を吐出する。この状態でステージとスリットノズルとを相対的に移動させることで、保護層４０上に絶縁層１５０が形成される。絶縁層１５０を形成するための液状体の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法、インクジェット法などによる塗布法等が挙げられる。また、絶縁層１５０を形成するための液状体を保護層４０上に塗布した後、加熱等により乾燥させてもよい。
【0135】
絶縁層１５０が形成された後、絶縁層パターニング工程Ｓ１４２が行われる。絶縁層パターニング工程Ｓ１４２では、再配線層１７１のパターンに対応して絶縁層１５０を露光し、その後所定の現像液に浸すことにより現像する。その結果、図１５（Ａ）に示すように、パターニングされた絶縁層１５１が形成される。絶縁層１５１は、再配線層１７１のパターンとは反転したパターンを有する。
【0136】
絶縁層１５１がパターニングされた後、金属層形成工程Ｓ１４３が行われる。金属層形成工程Ｓ１４３では、図１５（Ｂ）に示すように、例えばスパッタリング等の手法により、保護層４０が露出した部分を含めて絶縁層１５１の全面に、再配線層１７１の材料となる金属層１７０を形成する。再配線層１７１に用いる材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミなどの金属の他に、導電性樹脂等が用いられてもよい。また、金属層形成工程Ｓ１４３の後にメッキ工程Ｓ１４４を行ってもよい。メッキ工程Ｓ１４４では、無電解メッキ又は電解メッキにより金属層１７０上にメッキ層を形成する。図１５（Ｂ）では、メッキ層を含めて金属層１７０と表記している。メッキ工程Ｓ１４４は、積層体２００を所定のメッキ槽に浸すことにより、金属層１７０上にメッキ層を形成する。メッキ層を形成するために用いる材料としては、例えば、ンダめっき、銅めっき、金めっき、ニッケルめっき、銀錫めっき用の薬液である。なお、スパッタリング等の手法により十分な厚さの金属層１７０を形成できる場合は、メッキ工程Ｓ１４４を省略してもよい。
【0137】
金属層１７０が形成された後、金属層上部除去工程Ｓ１４５が行われる。金属層上部除去工程Ｓ１４５では、例えば金属層１７０の上面を、絶縁層１５１の全面が露出するように研磨等によって除去する。その結果、図１６（Ａ）に示すように、絶縁層１５１の全面が露出する。また、絶縁層１５１の間の領域、つまり保護層４０が露出していた領域に再配線層１７１が形成される。
【0138】
基板形成工程Ｓ０５は、例えば再配線層形成工程Ｓ１４の後に行う。基板形成工程Ｓ０５では、上記した実施形態と同様の手法により、再配線層１７１上に電子部品８１を有する基板８０を形成する。基板形成工程Ｓ０５では、まず、図１６（Ｂ）に示すように、再配線層１７１上に複数の電子部品８１が配置され、絶縁層１５１に接着固定される。電子部品８１と再配線層１７１とは、導電性接着剤又は金属バンプ、はんだ等により電気的に接続されている。なお、電子部品８１の配置数は、再配線層１７１の数に対応してもよく、任意の数である。
【0139】
続いて、図１７（Ｂ）に示すように、電子部品８１を含む絶縁層１５１の全面を覆うようにモールド８２を形成する。モールド８２が形成されることにより、電子部品８１がモールド８２に埋まった状態で保持される。なお、モールド８２については、上記した実施形態と同様である。続いて、モールド研磨工程Ｓ０６では、図１７（Ｂ）に示すように、モールド８２のガラス支持体１０が存在しない側、つまりモールド８２の上面８２ａを研磨し、電子部品８１を露出させる。これにより、電子部品８１の上面（＋Ｚ側の面）とモールド８２の上面８２ａとが同一面又はほぼ同一面となった状態となる。モールド研磨工程Ｓ０６については、上記した実施形態と同様である。
【0140】
なお、モールド研磨工程Ｓ０６の後、電子部品８１及びモールド８２の上面８２ａに導電性を有する材料により配線が形成されてもよい点、及び、この配線と電気的に接続するように電子部品８１が配置され、この電子部品８１を覆うように、さらにモールド８２が形成されてもよい点は、上記した実施形態と同様である。
【0141】
続いて、上記した実施形態と同様に、分離層変質工程Ｓ０７、ガラス支持体剥離工程Ｓ０８、及び接着層除去工程Ｓ０９を行うことにより、複数の電子部品８１を含めて１枚の板状となった構成体１０１が得られる。また、構成体１０１から保護層４０を除去することで、保護層４０がない構成体１０２を得ることができる。構成体１０１又は構成体１０２からダイシングすることで、電子装置を得ることができる点は、上記した実施形態と同様である。
【0142】
このように、本実施形態によれば、絶縁層１５０として、感光性ポリイミド等の感光性材料を用いることにより、レジスト層の形成及びレジスト層の除去などの工程を省略することができる。
【実施例】
【0143】
次に、本実施形態の積層体の製造方法により作製された製品と、本実施形態を用いずに作成された製品との比較を行った。図１８（Ａ）は、比較例に係る製造方法により形成した再配線層の一部を示す図、図１８（Ｂ）は、上記した実施形態に係る積層体の製造方法により形成した再配線層の一部を示す図である。比較例に係る製造方法では、分離層上に接着層を形成し、保護層を設けることなく、接着層上に再配線層を形成している。なお、比較例及び実施例の双方において、外観上の比較を容易にするため、いずれも同一の再配線層を複数層重ねて形成している。
【0144】
図１８（Ａ）に示すように、比較例に係る製造方法により形成した場合、本来重なって形成されるべき再配線層２７１が平面方向にずれた状態となっている。これに対して、図１８（Ｂ）に示すように、本実施形態に係る製造方法により形成した再配線層７１、１７１では、このような平面方向へのずれは認められなかった。このように、上記した実施例においては、保護層４０が形成されていることにより、再配線層７１、１７１の平面方向へのズレが抑制されることが確認された。
【0145】
以上、実施形態及び実施例について説明したが、本発明は、上述した説明に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【0146】
１０・・・ガラス支持体、１０ｆ・・・分離層形成面、２０・・・分離層、２０ｆ・・・接着層形成面、３０・・・接着層、３０ｆ・・・保護層形成面、４０・・・保護層、５０，５１，１５０，１５１・・・絶縁層、６０，６１・・・レジスト層、７０・・・金属層、７１，１７１・・・再配線層、８０・・・基板、８１・・・電子部品、８２・・・モールド、１００、２００・・・積層体、１０１、１０２・・・構造体（電子装置）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
